KR102519281B1 - 접속체, 접속체의 제조 방법 및 검사 방법 - Google Patents

접속체, 접속체의 제조 방법 및 검사 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102519281B1
KR102519281B1 KR1020227025108A KR20227025108A KR102519281B1 KR 102519281 B1 KR102519281 B1 KR 102519281B1 KR 1020227025108 A KR1020227025108 A KR 1020227025108A KR 20227025108 A KR20227025108 A KR 20227025108A KR 102519281 B1 KR102519281 B1 KR 102519281B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
terminal
indentation
transparent substrate
input
terminals
Prior art date
Application number
KR1020227025108A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20220106239A (ko
Inventor
레이지 츠카오
Original Assignee
데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 filed Critical 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
Publication of KR20220106239A publication Critical patent/KR20220106239A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102519281B1 publication Critical patent/KR102519281B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0284—Details of three-dimensional rigid printed circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
    • H05K1/0269—Marks, test patterns or identification means for visual or optical inspection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/117—Pads along the edge of rigid circuit boards, e.g. for pluggable connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13147—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29301—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29311—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29301—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29316—Lead [Pb] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29317—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/29324—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29344—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29355—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29357—Cobalt [Co] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/2936—Iron [Fe] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29371—Chromium [Cr] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2224/29387—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/2939—Base material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29393—Base material with a principal constituent of the material being a solid not provided for in groups H01L2224/293 - H01L2224/29391, e.g. allotropes of carbon, fullerene, graphite, carbon-nanotubes, diamond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0108—Transparent
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09918—Optically detected marks used for aligning tool relative to the PCB, e.g. for mounting of components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/16—Inspection; Monitoring; Aligning
    • H05K2203/166—Alignment or registration; Control of registration

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
  • Eyeglasses (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

압흔의 시인성을 향상시켜, 이방성 도전 필름을 사용한 접속 공정에서의 접속 후의 검사를 신속, 적확히 행한다. 투명 기판과, 투명 기판 상에 이방성 도전 접착제를 개재하여 접속된 전자 부품을 구비하며, 투명 기판의 단자에는, 이방성 도전 접착제에 함유된 도전성 입자에 의한 복수의 압흔(30)이 면 내 방향으로 배열되어 있다.

Description

접속체, 접속체의 제조 방법 및 검사 방법 {CONNECTED ARTICLE AND CONNECTED-ARTICLE MANUFACTURING METHOD AND INSPECTION METHOD}
본 발명은 전자 부품과 투명 기판이 접속된 접속체에 관한 것이며, 특히 도전성 입자를 함유하는 접착제를 개재하여 전자 부품이 투명 기판에 접속된 접속체, 접속체의 제조 방법 및 검사 방법에 관한 것이다. 본 출원은, 일본에서 2014년 2월 27일에 출원된 일본 특허 출원 번호 특원 제2014-036743호, 및 일본에서 2015년 2월 24일에 출원된 일본 특허 출원 번호 특원 제2015-034548호를 기초로 하여 우선권을 주장하는 것이며, 이들 출원은 참조됨으로써 본 출원에 원용된다.
종래부터 텔레비전이나 PC 모니터, 휴대 전화나 스마트폰, 휴대형 게임기, 태블릿 단말기나 웨어러블 단말기, 또는 차량 탑재용 모니터 등의 각종 표시 수단으로서 액정 표시 장치나 유기 EL 패널이 사용되고 있다. 근년, 이러한 표시 장치에 있어서는 파인 피치화, 초경량화 등의 관점에서, 이방성 도전 필름(ACF: Anisotropic Conductive Film)을 사용하여 구동용 IC를 직접 표시 패널의 유리 기판 상에 실장하는 공법이나, 구동 회로 등이 형성된 플렉시블 기판을 직접 유리 기판에 실장하는 공법이 채용되고 있다.
IC나 플렉시블 기판이 실장되는 유리 기판에는, ITO(산화인듐주석) 등을 포함하는 투명 전극이 복수 형성되고, 이 투명 전극 상에 IC나 플렉시블 기판 등의 전자 부품이 접속된다. 유리 기판에 접속되는 전자 부품은, 실장면에, 투명 전극에 대응하여 복수의 전극 단자가 형성되며, 이방성 도전 필름을 개재하여 유리 기판 상에 열 압착됨으로써 전극 단자와 투명 전극이 접속된다.
이방성 도전 필름은, 결합제 수지에 도전성 입자를 혼입하여 필름상으로 한 것이며, 2개의 도체 간에서 가열 압착됨으로써 도전성 입자로 도체 간의 전기적 도통이 취해지고, 결합제 수지로 도체 간의 기계적 접속이 유지된다. 이방성 도전 필름을 구성하는 접착제로서는, 통상, 신뢰성이 높은 열경화성의 결합제 수지가 사용되지만, 광경화성의 결합제 수지 또는 광열 병용형의 결합제 수지여도 된다.
이러한 이방성 도전 필름을 개재하여 전자 부품을 투명 전극에 접속하는 경우에는, 우선 유리 기판의 투명 전극 상에 이방성 도전 필름을, 도시하지 않은 가압착 수단에 의하여 가부착한다. 계속해서, 이방성 도전 필름을 개재하여 유리 기판 상에 전자 부품을 탑재하여 가접속체를 형성한 후, 열 압착 헤드 등의 열 압착 수단에 의하여 전자 부품을 이방성 도전 필름과 함께 투명 전극측에 가열 가압한다. 이 열 압착 헤드에 의한 가열에 의하여 이방성 도전 필름은 열경화 반응을 일으키고, 이것에 의하여 전자 부품이 투명 전극 상에 접착된다.
일본 특허 제4789738호 공보 일본 특허 공개 제2004-214374호 공보 일본 특허 공개 제2005-203758호 공보
그런데 이러한 종류의 이방성 도전 필름을 사용한 접속 공정에 있어서, 접속하는 전자 부품의 접속 부위에 대한 가열 가압 공정은 다수의 실장품을 합산하여 대면적으로 가열 가압하는 것 등은 통상 행해지지 않는다. 이는, 전자 부품의 접속 부위가, 접속되는 전자 부품에 대하여 비교적 소면적일 것, 또한 접속 부위에 다수 배열되어 있는 전극 단자(범프)는 평행도가 요구되는 것 등에 의한다.
따라서 이방성 도전 필름을 사용한 접속 공정에 있어서는, 생산성을 향상시키는 관점에서, 접속 공정 자체의 단시간화가 요구되고 있는 것 외에, 단시간화에 수반하여 접속 후에 있어서의 검사 공정의 신속화도 요구되고 있다.
접속 후의 검사는, 전자 부품의 전극 단자와 유리 기판의 투명 전극에 의하여 도전성 입자가 찌부러짐으로써 도통성이 확보되어 있는 것을 확인하는 공정이며, 신속화 시에는, 투명 전극에 나타나는 도전성 입자의 압흔을 유리 기판의 이면으로부터 관찰하는 외관 검사에 의하여 행해지는 일이 있다. 또한 접속 후의 검사로서는, 인간의 육안이나 촬상 화상을 사용함으로써, 압흔의 상태나, 그 주위의 접착제의 들뜸이나 박리의 상태를 관찰한다.
압흔의 상태는, 도전성 입자가 존재하지 않는 주변 부위와의 비교로 행하며, 기계적인 판단 기준으로서는 콘트라스트나 색감의 차이를 관찰함으로써 판단할 수 있다. 그러나 전극 단자와 투명 전극 사이에서 도전성 입자가 중첩되어 있거나, 투명 전극의 면 내 방향으로 도전성 입자가 연속하여 접촉 내지는 과도하게 근접해 있으면, 압흔과 주변 부위의 식별, 즉, 콘트라스트나 색감에 영향을 미쳐 시인성이 떨어져 버려, 신속하고 정확한 외관 검사를 행할 수 없을 우려가 있다.
따라서 본 발명은, 압흔의 시인성을 향상시켜, 이방성 도전 필름을 사용한 접속 공정에서의 접속 후의 검사를 신속, 적확히 행할 수 있는 접속체, 접속체의 제조 방법 및 검사 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 접속체는, 투명 기판과, 상기 투명 기판 상에 이방성 도전 접착제를 개재하여 접속된 전자 부품을 구비하며, 상기 투명 기판의 단자에는, 상기 이방성 도전 접착제에 함유된 도전성 입자에 의한 복수의 압흔이 면 내 방향으로 배열되어 있는 것이다.
또한 본 발명에 따른 접속체의 제조 방법은, 회로 기판 상에, 도전성 입자를 함유한 접착제를 개재하여 전자 부품을 탑재하고, 상기 전자 부품을 상기 회로 기판에 대하여 가압함과 함께 상기 접착제를 경화시킴으로써, 상기 전자 부품을 상기 회로 기판 상에 접속하는 접속체의 제조 방법에 있어서, 상기 이방성 도전 접착제는, 결합제 수지에 도전성 입자가 배열되고, 상기 투명 기판의 단자에는, 상기 도전성 입자에 의한 복수의 압흔이 면 내 방향으로 배열되어 있는 것이다.
또한 본 발명에 따른 검사 방법은, 투명 기판 상에 도전성 입자가 배열된 이방성 도전 접착제를 개재하여 전자 부품이 접속된 접속체의 접속 상태를 검사하는 검사 방법에 있어서, 상기 투명 기판의 단자에 나타나는, 상기 이방성 도전 접착제에 함유된 도전성 입자의 압흔 및 압흔의 주변 부위를 비교하여, 접속 상태를 검사하는 것이다.
본 발명에 의하면, 단자 내에서 도전성 입자가 배열됨으로써, 압흔이 개별적으로 독립된 상태로 나타난다. 따라서 단자에 나타나는 압흔은, 콘트라스트가 명확히 나타나 개개의 압흔의 시인성이 대폭 향상됨으로써 인식이 용이해져, 압흔에 기초한 전자 부품과 투명 기판의 단자와의 접속성을 신속, 적확히 검사할 수 있다.
도 1은 접속체의 일례로서 도시하는 액정 표시 패널의 단면도이다.
도 2는 투명 기판의 이면에서 본 입출력 단자에 나타나는 압흔의 상태를 도시하는 저면도이다.
도 3은 액정 구동용 IC와 투명 기판의 접속 공정을 도시하는 단면도이다.
도 4는 액정 구동용 IC의 전극 단자(범프) 및 단자 간 스페이스를 도시하는 평면도이다.
도 5는 이방성 도전 필름을 도시하는 단면도이다.
도 6은 도전성 입자가 격자상으로 규칙 배열된 이방성 도전 필름을 도시하는 평면도이다.
도 7은 도전성 입자가 6방 격자상으로 규칙 배열된 이방성 도전 필름을 도시하는 평면도이다.
도 8은 단자에 나타나는 압흔을 도시하는 평면도이며, (A)는 도전성 입자가 배열된 이방성 도전 필름을 사용했을 경우, (B)는 도전성 입자가 배열된 이방성 도전 필름을 사용했을 경우에 있어서 압흔의 편측이 또렷하지 않은 경우, (C)는 도전성 입자가 랜덤으로 분산된 이방성 도전 필름을 사용했을 경우를 도시한다.
도 9는 입출력 단자 열을 도시하는 평면도이다.
도 10은 도전성 입자의 입자 직경의 50% 이내의 고저 차를 갖는 요철부가 형성된 범프와 단자에 의하여 도전성 입자를 협지하고 있는 상태를 도시하는 단면도이다.
도 11은 도전성 입자의 입자 직경의 50% 이내의 고저 차를 갖는 요철부가 형성된 범프와 단자에 의하여 도전성 입자를 협지하고 있는 상태를 도시하는 단면도이다.
도 12는 도전성 입자의 입자 직경의 50%를 초과하는 고저 차를 갖는 요철부가 형성된 범프와 단자에 의하여 도전성 입자를 협지하고 있는 상태를 도시하는 단면도이다.
도 13은 도전성 입자의 입자 직경의 50%를 초과하는 고저 차를 갖는 요철부가 형성된 범프와 단자에 의하여 도전성 입자를 협지하고 있는 상태를 도시하는 단면도이다.
이하, 본 발명이 적용된 접속체, 접속체의 제조 방법 및 검사 방법에 대하여 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 또한 본 발명은 이하의 실시 형태에만 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변경이 가능함은 물론이다. 또한 도면은 모식적인 것이며, 각 치수의 비율 등은 현실의 것과는 상이한 경우가 있다. 구체적인 치수 등은 이하의 설명을 참작하여 판단해야 할 것이다. 또한 도면 상호 간에 있어서도, 서로의 치수의 관계나 비율이 상이한 부분이 포함되어 있음은 물론이다.
[액정 표시 패널]
이하에서는, 본 발명이 적용된 접속체로서, 유리 기판에, 전자 부품으로서 액정 구동용의 IC 칩이 실장된 액정 표시 패널을 예로 들어 설명한다. 이 액정 표시 패널(10)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 유리 기판 등을 포함하는 2매의 투명 기판(11, 12)이 대향 배치되고, 이들 투명 기판(11, 12)이 프레임형의 시일(13)에 의하여 서로 접합되어 있다. 그리고 액정 표시 패널(10)은, 투명 기판(11, 12)에 의하여 둘러싸인 공간 내에 액정(14)이 봉입됨으로써, 패널 표시부(15)가 형성되어 있다.
투명 기판(11, 12)은, 서로 대향하는 양 내측 표면에, ITO(산화인듐주석) 등을 포함하는 줄무늬형의 1쌍의 투명 전극(16, 17)이 서로 교차하도록 형성되어 있다. 그리고 양 투명 전극(16, 17)은, 이들 양 투명 전극(16, 17)의 당해 교차 부위에 의하여 액정 표시의 최소 단위로서의 화소가 구성되도록 되어 있다.
양 투명 기판(11, 12) 중 한쪽 투명 기판(12)은, 다른 쪽 투명 기판(11)보다 평면 치수가 크게 형성되어 있으며, 이 크게 형성된 투명 기판(12)의 테두리부(12a)에는, 전자 부품으로서 액정 구동용 IC(18)가 실장되는 실장부(27)가 설치되어 있다. 또한 실장부(27)에는, 도 2, 도 3에 도시한 바와 같이, 투명 전극(17)의 복수의 입력 단자(19a)가 배열된 입력 단자 열(20a), 및 복수의 출력 단자(19b)가 배열된 출력 단자 열(20b), 액정 구동용 IC(18)에 설치된 IC측 얼라인먼트 마크(32)와 중첩시키는 기판측 얼라인먼트 마크(31)가 형성되어 있다.
액정 구동용 IC(18)는, 화소에 대하여 액정 구동 전압을 선택적으로 인가함으로써 액정의 배향을 부분적으로 변화시켜 소정의 액정 표시를 행할 수 있도록 되어 있다. 또한 도 3, 도 4에 도시한 바와 같이, 액정 구동용 IC(18)는, 투명 기판(12)에의 실장면(18a)에, 투명 전극(17)의 입력 단자(19a)와 도통 접속되는 복수의 입력 범프(21a)가 배열된 입력 범프 열(22a)과, 투명 전극(17)의 출력 단자(19b)와 도통 접속되는 복수의 출력 범프(21b)가 배열된 출력 범프 열(22b)이 형성되어 있다. 입력 범프(21a) 및 출력 범프(21b)는, 예를 들어 구리 범프나 금 범프, 또는 구리 범프에 금 도금을 실시한 것 등이 바람직하게 사용된다.
입력 범프(21a)는, 예를 들어 실장면(18a)의 한쪽 테두리를 따라 일렬로 배열되고, 출력 범프(21b)는, 한쪽 테두리와 대향하는 다른 쪽 테두리를 따라 복수 열로 지그재그형으로 배열되어 있다. 입출력 범프(21a, 21b)와, 투명 기판(12)의 실장부(27)에 설치되어 있는 입출력 단자(19a, 19b)는, 각각 동일한 수 또한 동일한 피치로 형성되며, 투명 기판(12)과 액정 구동용 IC(18)가 위치 정렬되어 접속됨으로써, 접속된다.
또한 입출력 범프(21a, 21b)의 배열은, 도 4에 도시하는 것 이외에도, 한쪽 테두리에 1열 또는 복수 열로 배열되고, 다른 쪽 테두리에 1열 또는 복수 열로 배열되는 어느 구성이어도 된다. 또한 입출력 범프(21a, 21b)는, 일렬 배열의 일부가 복수 열이 될 수도 있고, 복수 열의 일부가 일렬이 될 수도 있다. 또한 입출력 범프(21a, 21b)는, 복수 열의 각 열이 평행 또한 인접하는 전극 단자끼리가 병렬되는 스트레이트 배열로 형성될 수도 있고, 또는 복수 열의 각 열이 평행 또한 인접하는 전극 단자끼리가 균등하게 어긋나는 지그재그 배열로 형성될 수도 있다.
또한 액정 구동용 IC(18)는, IC 기판의 긴 변을 따라 입출력 범프(21a, 21b)를 배열시킴과 함께, IC 기판의 짧은 변을 따라 사이드 범프를 형성할 수도 있다. 또한 입출력 범프(21a, 21b)는 동일한 치수로 형성할 수도 있고, 상이한 치수로 형성할 수도 있다. 또한 입출력 범프 열(22a, 22b)은, 동일한 치수로 형성된 입출력 범프(21a, 21b)가 대칭 또는 비대칭으로 배열될 수도 있고, 상이한 치수로 형성된 입출력 범프(21a, 21b)가 비대칭으로 배열될 수도 있다.
또한 근년의 액정 표시 장치 그 외의 전자 기기의 소형화, 고기능화에 수반하여 액정 구동용 IC(18) 등의 전자 부품도 소형화, 저배화(低背化)가 요구되며, 입출력 범프(21a, 21b)도 그의 높이가 낮게 되어 있다(예를 들어 6 내지 15㎛).
또한 액정 구동용 IC(18)는, 실장면(18a)에, 기판측 얼라인먼트 마크(31)와 중첩시킴으로써 투명 기판(12)에 대한 얼라인먼트를 행하는 IC측 얼라인먼트 마크(32)가 형성되어 있다. 또한 투명 기판(12)의 투명 전극(17)의 배선 피치나 액정 구동용 IC(18)의 입출력 범프(21a, 21b)의 파인 피치화가 진행되고 있는 점에서, 액정 구동용 IC(18)와 투명 기판(12)은 고정밀도의 얼라인먼트 조정이 요구되고 있다.
기판측 얼라인먼트 마크(31) 및 IC측 얼라인먼트 마크(32)는, 조합됨으로써 투명 기판(12)과 액정 구동용 IC(18)의 얼라인먼트가 취해지는 다양한 마크를 사용할 수 있다.
실장부(27)에 형성되어 있는 투명 전극(17)의 입출력 단자(19a, 19b) 상에는, 회로 접속용 접착제로서 이방성 도전 필름(1)을 사용하여 액정 구동용 IC(18)가 접속된다. 이방성 도전 필름(1)은 도전성 입자(4)를 함유하고 있으며, 액정 구동용 IC(18)의 입출력 범프(21a, 21b)와 투명 기판(12)의 실장부(27)에 형성된 투명 전극(17)의 입출력 단자(19a, 19b)를, 도전성 입자(4)를 개재하여 전기적으로 접속시키는 것이다. 이 이방성 도전 필름(1)은, 열 압착 헤드(33)에 의하여 열 압착됨으로써 결합제 수지가 유동화되어, 도전성 입자(4)가 입출력 단자(19a, 19b)와 액정 구동용 IC(18)의 입출력 범프(21a, 21b) 사이에서 압궤되고, 이 상태에서 결합제 수지가 경화된다. 이것에 의하여, 이방성 도전 필름(1)은 투명 기판(12)과 액정 구동용 IC(18)를 전기적, 기계적으로 접속한다.
또한 양 투명 전극(16, 17) 상에는, 소정의 러빙 처리가 실시된 배향막(24)이 형성되어 있으며, 이 배향막(24)에 의하여 액정 분자의 초기 배향이 규제되도록 되어 있다. 또한, 양 투명 기판(11, 12)의 외측에는 1쌍의 편광판(25, 26)이 배치되어 있으며, 이들 양쪽 편광판(25, 26)에 의하여 백라이트 등의 광원(도시하지 않음)으로부터의 투과 광의 진동 방향이 규제되도록 되어 있다.
[이방성 도전 필름]
이어서, 이방성 도전 필름(1)에 대하여 설명한다. 이방성 도전 필름(ACF: Anisotropic Conductive Film)(1)은, 도 5에 도시한 바와 같이, 통상, 기재가 되는 박리 필름(2) 상에, 도전성 입자(4)를 함유하는 결합제 수지층(접착제층)(3)이 형성된 것이다. 이방성 도전 필름(1)은 열경화형 또는 자외선 등의 광경화형의 접착제이며, 액정 표시 패널(10)의 투명 기판(12)에 형성된 입출력 단자(19a, 19b) 상에 접착됨과 함께 액정 구동용 IC(18)가 탑재되고, 열 압착 헤드(33)에 의하여 열 가압됨으로써 유동화되어, 도전성 입자(4)가 서로 대향하는 투명 전극(17)의 입출력 단자(19a, 19b)와 액정 구동용 IC(18)의 입출력 범프(21a, 21b) 사이에서 압궤되고, 가열 또는 자외선 조사에 의하여, 도전성 입자가 압궤된 상태에서 경화된다. 이것에 의하여, 이방성 도전 필름(1)은 투명 기판(12)과 액정 구동용 IC(18)를 접속하고 도통시킬 수 있다.
또한 이방성 도전 필름(1)은, 막 형성 수지, 열경화성 수지, 잠재성 경화제, 실란 커플링제 등을 함유하는 통상의 결합제 수지층(3)에 도전성 입자(4)가 소정의 패턴으로 규칙적으로 배열되어 있다.
결합제 수지층(3)을 지지하는 박리 필름(2)은, 예를 들어 PET(폴리 에틸렌 테레프탈레이트(Poly Ethylene Terephthalate)), OPP(배향 폴리프로필렌(Oriented Polypropylene)), PMP(폴리-4-메틸펜텐-1(Poly-4-methylpentene-1)), PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene)) 등에 실리콘 등의 박리제를 도포하여 이루어지며, 이방성 도전 필름(1)의 건조를 방지함과 함께 이방성 도전 필름(1)의 형상을 유지한다.
결합제 수지층(3)에 함유되는 막 형성 수지로서는, 평균 분자량이 10000 내지 80000 정도인 수지가 바람직하다. 막 형성 수지로서는, 에폭시 수지, 변형 에폭시 수지, 우레탄 수지, 페녹시 수지 등의 각종 수지를 들 수 있다. 그 중에서도, 막 형성 상태, 접속 신뢰성 등의 관점에서 페녹시 수지가 특히 바람직하다.
열경화성 수지로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 시판 중인 에폭시 수지, 아크릴 수지 등을 들 수 있다.
에폭시 수지로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 페놀 아르알킬형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리페닐메탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독일 수도, 2종 이상의 조합일 수도 있다.
아크릴 수지로서는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 아크릴 화합물, 액상 아크릴레이트 등을 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디아크릴레이트, 테트라메틸렌글리콜테트라아크릴레이트, 2-히드록시-1,3-디아크릴옥시프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시메톡시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시에톡시)페닐]프로판, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 트리시클로데카닐아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 아크릴레이트를 메타크릴레이트로 한 것을 사용할 수도 있다. 이들은 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
잠재성 경화제로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 가열 경화형, UV 경화형 등의 각종 경화제를 들 수 있다. 잠재성 경화제는 통상에서는 반응하지 않으며, 열, 광, 가압 등의 용도에 따라 선택되는 각종 트리거에 의하여 활성화되어 반응을 개시한다. 열 활성형 잠재성 경화제의 활성화 방법에는, 가열에 의한 해리 반응 등으로 활성종(양이온이나 음이온, 라디칼)을 생성하는 방법, 실온 부근에서는 에폭시 수지 중에 안정하게 분산되어 있고, 고온에서 에폭시 수지와 상용·용해되어 경화 반응을 개시하는 방법, 분자체 봉입 타입의 경화제를 고온에서 용출하여 경화 반응을 개시하는 방법, 마이크로캡슐에 의한 용출·경화 방법 등이 존재한다. 열 활성형 잠재성 경화제로서는, 이미다졸계, 히드라지드계, 3불화붕소-아민 착체, 술포늄염, 아민이미드, 폴리아민염, 디시안디아미드 등이나, 이들의 변성물이 있으며, 이들은 단독일 수도, 2종 이상의 혼합체일 수도 있다. 그 중에서도 마이크로캡슐형 이미다졸계 잠재성 경화제가 적합하다.
실란 커플링제로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 에폭시계, 아미노계, 머캅토·술피드계, 우레이도계 등을 들 수 있다. 실란 커플링제를 첨가함으로써 유기 재료와 무기 재료의 계면에 있어서의 접착성이 향상된다.
[도전성 입자]
도전성 입자(4)로서는, 이방성 도전 필름(1)에 있어서 사용되고 있는 공지된 어느 도전성 입자를 들 수 있다. 도전성 입자(4)로서는, 예를 들어 니켈, 철, 구리, 알루미늄, 주석, 납, 크롬, 코발트, 은, 금 등의 각종 금속이나 금속 합금의 입자, 금속 산화물, 카본, 그래파이트, 유리, 세라믹, 플라스틱 등의 입자의 표면에 금속을 코팅한 것, 또는 이들 입자의 표면에 절연 박막을 더 코팅한 것 등을 들 수 있다. 수지 입자의 표면에 금속을 코팅한 것인 경우, 수지 입자로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, 아크릴로니트릴·스티렌(AS) 수지, 벤조구아나민 수지, 디비닐벤젠계 수지, 스티렌계 수지 등의 입자를 들 수 있다. 도전성 입자(4)의 크기는 1 내지 10㎛가 바람직하지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.
[도전성 입자의 규칙 배열]
이방성 도전 필름(1)은, 도전성 입자(4)가 평면에서 보아 소정의 배열 패턴으로 규칙적으로 배열되며, 예를 들어 도 6이나 도 7에 도시한 바와 같이, 격자상으로 균등하게 배열되거나, 또는 6방 격자상으로 배열된다. 이러한 도전성 입자(4)의 배열 거리는 적절히 조정할 수 있다. 즉, 배열의 방향에 따라 상이한 배열 거리일 수도 있다. 후술하는 바와 같이, 평면에서 보아 규칙적으로 배열됨으로써, 이방성 도전 필름(1)은, 도전성 입자(4)가 랜덤으로 분산되어 있는 경우에 비하여, 액정 구동용 IC(18)의 접속 후에 있어서의 검사에 있어서, 입출력 단자(19a, 19b)에 나타나는 압흔(30)의 시인성을 향상시킬 수 있다.
한편, 도전 입자가 랜덤으로 분산되어 있는 경우에는, 도전 입자끼리 접속시에 인접 또는 중복된 듯한 상태가 되어, 가압 후에 개개의 도전 입자를 식별하는 것이 곤란해진다.
또한 이방성 도전 필름(1)은, 평면에서 보아 규칙적으로 배열됨으로써, 도전성 입자(4)가 랜덤으로 분산되어 있는 경우에 비하여, 액정 구동용 IC(18)의 인접하는 입출력 범프(21a, 21b) 간의 스페이스(23)가 파인 피치화되어 단자 간 면적이 협소화됨과 함께, 도전성 입자(4)가 고밀도로 충전되어 있더라도, 액정 구동용 IC(18)의 접속 공정에 있어서, 도전성 입자(4)의 응집체에 의한 입출력 범프(21a, 21b) 간의 스페이스(23)에 있어서의 범프 간 쇼트를 방지할 수 있다.
또한 이방성 도전 필름(1)은, 도전성 입자(4)가 규칙적으로 배열됨으로써, 결합제 수지층(3)에 고밀도로 충전했을 경우에도, 도전성 입자(4)의 응집에 의한 소밀(疏密)의 발생이 방지되어 있다. 따라서 이방성 도전 필름(1)에 의하면, 파인 피치화된 입출력 단자(19a, 19b)나 입출력 범프(21a, 21b)에 있어서도 도전성 입자(4)를 포착할 수 있다. 도전성 입자(4)의 균등 배열 패턴은 임의로 설정할 수 있다.
이러한 이방성 도전 필름(1)은, 예를 들어 연신 가능한 시트 상에 점착제를 도포하고 그 위에 도전성 입자(4)를 단층 배열한 후, 당해 시트를 원하는 연신 배율로 연신시키는 방법, 도전성 입자(4)를 기판 상에 소정의 배열 패턴으로 정렬시킨 후, 박리 필름(2)에 지지된 결합제 수지층(3)에 도전성 입자(4)를 전사하는 방법, 또는 박리 필름(2)에 지지된 결합제 수지층(3) 상에, 배열 패턴에 따른 개구부가 형성된 배열판을 통하여 도전성 입자(4)를 공급하는 방법 등에 의하여 제조할 수 있다.
또한 이방성 도전 필름(1)의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 도 5에 도시한 바와 같이, 권취 릴(6)에 권회 가능한 긴 테이프 형상으로 하고, 소정의 길이만큼 커트하여 사용할 수 있다.
또한 상술한 실시 형태에서는, 이방성 도전 필름(1)으로서, 결합제 수지층(3)에 도전성 입자(4)를 규칙 배열한 열경화성 수지 조성물을 필름상으로 성형한 접착 필름을 예로 들어 설명했지만, 본 발명에 따른 접착제는 이에 한정되지 않으며, 예를 들어 결합제 수지(3)만을 포함하는 절연성 접착제층과, 도전성 입자(4)를 규칙 배열한 결합제 수지(3)를 포함하는 도전성 입자 함유층을 적층한 구성으로 할 수 있다. 또한 이방성 도전 필름(1)은, 도전성 입자(4)가 평면에서 보아 규칙 배열되어 있으면, 도 5에 도시한 바와 같이 단층 배열되어 있는 것 외에, 복수의 결합제 수지층(3)에 걸쳐 도전성 입자(4)가 배열됨과 함께, 평면에서 보아 규칙 배열되는 것일 수도 있다. 또한 이방성 도전 필름(1)은, 다층 구성의 적어도 1개의 층 내에서 소정 거리로 단일하게 분산된 것일 수도 있다.
[접속 공정]
이어서, 투명 기판(12)에 액정 구동용 IC(18)를 접속하는 접속 공정에 대하여 설명한다. 우선, 투명 기판(12)의 입출력 단자(19a, 19b)가 형성된 실장부(27) 상에 이방성 도전 필름(1)을 가부착한다. 이어서, 이 투명 기판(12)을 접속 장치의 스테이지 상에 적재하고, 투명 기판(12)의 실장부(27) 상에 이방성 도전 필름(1)을 개재하여 액정 구동용 IC(18)를 배치한다.
이어서, 결합제 수지층(3)을 경화시키는 소정의 온도로 가열된 열 압착 헤드(33)에 의하여, 소정의 압력, 시간으로 액정 구동용 IC(18) 상으로부터 열 가압한다. 이것에 의하여, 이방성 도전 필름(1)의 결합제 수지층(3)은 유동성을 나타내며, 액정 구동용 IC(18)의 실장면(18a)과 투명 기판(12)의 실장부(27) 사이에서 유출됨과 함께, 결합제 수지층(3) 중의 도전성 입자(4)는 액정 구동용 IC(18)의 입출력 범프(21a, 21b)와 투명 기판(12)의 입출력 단자(19a, 19b) 사이에 협지되어 압궤된다.
그 결과, 입출력 범프(21a, 21b)와 입출력 단자(19a, 19b) 사이에서 도전성 입자(4)를 협지함으로써 전기적으로 접속되고, 이 상태에서 열 압착 헤드(33)에 의하여 가열된 결합제 수지가 경화된다. 이것에 의하여, 액정 구동용 IC(18)의 입출력 범프(21a, 21b)와 투명 기판(12)에 형성된 입출력 단자(19a, 19b) 사이에서 도통성이 확보된 액정 표시 패널(10)을 제조할 수 있다. 또한 상기 협지된 도전성 입자(4)를 가압한 것(변형)이 입출력 단자(19a, 19b) 내에서 압흔이 된다.
입출력 범프(21a, 21b)와 입출력 단자(19a, 19b) 사이에 없는 도전성 입자(4)는, 인접하는 입출력 범프(21a, 21b) 간의 스페이스(23)에 있어서 결합제 수지에 분산되어 있으며, 전기적으로 절연된 상태를 유지하고 있다. 따라서 액정 표시 패널(10)은, 액정 구동용 IC(18)의 입출력 범프(21a, 21b)와 투명 기판(12)의 입출력 단자(19a, 19b) 사이에서만 전기적 도통이 도모된다. 또한 결합제 수지로서, 라디칼 중합 반응계의 속경화 타입의 것을 사용함으로써, 짧은 가열 시간에 의해서도 결합제 수지를 속경화시킬 수 있다. 또한 이방성 도전 필름(1)으로서는 열경화형에 한정되지 않으며, 가압 접속을 행하는 것이면 광경화형 또는 광열 병용형의 접착제를 사용할 수도 있다.
[압흔 시인성]
입출력 범프(21a, 21b) 사이에서 도전성 입자(4)가 가압됨으로써, 투명 기판(12)측으로부터 입출력 단자(19a, 19b)의 개소에 압흔(30)을 관찰할 수 있다. 액정 구동용 IC(18)의 접속 후, 투명 기판(12)의 이면(입출력 단자(19a, 19b)의 반대측)으로부터 육안(현미경 등) 또는 촬상 화상에 의하여 관찰함으로써 접속성의 검사를 행할 수 있다.
압흔(30)은, 입출력 범프(21a, 21b)와 입출력 단자(19a, 19b) 사이에 경도가 높은 도전성 입자(4)를 포착한 상태에서 열 압착 헤드(33)에 의하여 가압됨으로써, 투명 전극(17)의 입출력 단자(19a, 19b)에 나타나는 도전성 입자(4)의 가압흔이며, 투명 기판(12)의 이면측으로부터 관찰함으로써 시인 가능하게 되어 있다. 압흔(30)의 형상은, 일반적으로 도전성 입자(4)의 입자 직경 이상의 직경을 가지며, 도 8의 (A)에 도시한 바와 같이 대략 원 형상이 된다. 또한 압흔(30)의 형상은, 도 8의 (B)에 도시한 바와 같이 편측이 또렷하지 않지만 대부분이 곡선에 의하여 구성되는 것이 일반적이다. 이 경우의 곡선은, 원형으로 했을 경우의 40% 이상, 바람직하게는 50% 이상, 보다 더 바람직하게는 60% 이상의, 즉 대략 원형이라고 인식할 수 있는 곡선이면 된다. 또한 금속 입자의 경우 등에는 직선적인 상태가 포함되는 경우가 있다.
압흔(30)은, 입자의 압입의 강도에 기인하여 콘트라스트나 외경이 상이하다. 그 때문에, 압흔은, 열 압착 헤드(33)에 의한 가압이 각 입출력 단자(19a, 19b) 간 및 개개의 입출력 단자(19a, 19b) 내에서 균일하게 가압되어 있는지의 여부의 판정 지표가 된다.
여기서, 도전성 입자(4)가 결합제 수지층(3)에 랜덤으로 분산되어 있는 이방성 도전 필름을 사용하여 접속된 접속체에 있어서는, 도 8의 (C)에 도시한 바와 같이, 입출력 단자 상에 압흔(30)이 불규칙하게 나타남과 함께, 근접, 중복되어 있기 때문에 압흔(30)의 시인성이 나빠, 상태의 파악에 수고가 들기 때문에 검사에 시간이 걸리고, 또한 압흔(30)의 판정 정밀도가 떨어져 버린다. 즉, 압흔(30)을 형성하는 곡선이 식별하기 어려운 상태가 되어 있다. 또한 기계적인 화상 처리에 의한 검사의 경우에는, 이러한 시인성의 불량으로 인하여 판정의 기준을 마련하는 것이 곤란해져 버린다. 그 때문에 판정의 정밀도 그 자체가 악화되게 된다. 이 경우, 해상도에 따라서는 직선에 의한 조합처럼 보이는 일이 있기 때문이다.
한편, 본 발명에 따른 액정 표시 패널(10)에서는, 도전성 입자(4)가 배열되어 있는 이방성 도전 필름(1)을 사용하여 형성되어 있기 때문에, 입출력 단자(19a, 19b) 내에서도 도전성 입자(4)가 배열된 상태에서 협지되어, 도 8의 (A)에 도시한 바와 같이, 압흔(30)이 개별적으로 독립된 상태로 규칙적으로 나타난다. 따라서 입출력 단자(19a, 19b)에 나타나는 압흔(30)은, 콘트라스트 내지는 그것을 형성하는 곡선이 명확히 나타나, 개개의 압흔(30)의 시인성이 대폭 향상되어 있다. 이것에 의하여, 액정 표시 패널(10)은, 압흔(30)에 기초한 입출력 범프(21a, 21b)와 입출력 단자(19a, 19b)의 접속성을 신속, 적확히 검사할 수 있다.
입출력 단자(19a, 19b)에 나타나는 개개의 압흔(30)은, 규칙적으로 나타나 있으면 도전성 입자(4)가 존재하고 있지 않은 평활면과의 콘트라스트에 의하여 시인성을 확보할 수 있기 때문에 서로 인접하고 있어도 되지만, 소정의 거리, 예를 들어 외경의 0.2배 이상 간격을 두고 나타나는 것이 바람직하고, 0.4배 이상 떨어져서 나타나는 것이 보다 바람직하다. 또한 상기 평활면과의 콘트라스트는, 곡선에 의하여 나타나는 경우도 포함한다.
이러한 압흔(30)은 1개의 입출력 단자(19a, 19b) 내에서 55% 이상이 독립적으로 존재하고 있는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 65% 이상이며, 보다 더 바람직하게는 75% 이상이다. 압흔(30)이 독립적으로 존재한다는 것은 도전성 입자(4)가 1개로서 존재하고 있는 것을 가리키며, 독립되어 있지 않은 것은 인접이나 중복되어 있음을 나타낸다. 단, 도전성 입자(4)를 의도적으로 다수 개 연결하여 배열시키고 있는 경우에는, 그의 유닛에서 독립되어 있는 것으로 간주한다.
또한 압흔(30)은, 도 9에 도시하는 복수의 입출력 단자(19a, 19b)가 배열되는 입출력 단자 열(20a, 20b)의 중앙의 입출력 단자(19aM, 19bM) 내에서 55% 이상이 독립적으로 존재하고 있는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 65% 이상이며, 보다 더 바람직하게는 75% 이상이다. 또한 입출력 단자 열(20a, 20b)에 홀수 개의 입출력 단자(19a, 19b)가 배열되어 있는 경우에는, 중앙의 입출력 단자(19aM, 19bM)는 당해 단자 열의 정중앙의 단자를 말하며, 입출력 단자 열(20a, 20b)에 짝수 개의 입출력 단자(19a, 19b)가 배열되어 있는 경우에는, 중앙의 입출력 단자(19aM, 19bM)는 당해 단자 열의 정중앙의 2개의 단자를 말한다.
마찬가지로 압흔(30)은, 도 9에 도시하는 복수의 입출력 단자(19a, 19b)가 배열되는 입출력 단자 열(20a, 20b)의 양 단부의 입출력 단자(19aL, 19aR, 19bL, 19bR)의 각 단자에 있어서도 55% 이상이 독립적으로 존재하고 있는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 65% 이상이며, 보다 더 바람직하게는 75% 이상이다. 양 단부의 입출력 단자(19aL, 19aR, 19bL, 19bR)에 있어서 55% 이상의 압흔(30)이 독립적으로 존재하고 있음으로써, 당해 입출력 단자 열(20a, 20b)의 전체 입출력 단자(19a, 19b)가 마찬가지의 시인성을 구비하고 있음이 추인된다.
또한 압흔(30)은, 도 9에 도시하는 복수의 입출력 단자(19a, 19b)가 배열되는 입출력 단자 열(20a, 20b)의 중앙의 입출력 단자(19aM, 19bM)에 인접한 입출력 단자(19aMs, 19bMs)의 각 단자에 있어서도 55% 이상이 독립적으로 존재하고 있는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 65% 이상이며, 보다 더 바람직하게는 75% 이상이다. 중앙의 입출력 단자(19aM, 19bM)에 인접한 입출력 단자(19aMs, 19bMs)의 각 단자에 있어서 55% 이상의 압흔(30)이 독립적으로 존재하고 있음으로써, 당해 단자 열의 중앙뿐만 아니라, 열 전체에 있어서의 입출력 단자(19a, 19b)에 있어서 마찬가지의 시인성을 구비하고 있음이 추인된다.
또한 압흔(30)은, 도 9에 도시하는 복수의 입출력 단자(19a, 19b)가 배열되는 입출력 단자 열(20a, 20b)의 양 단부의 입출력 단자(19aL, 19aR, 19bL, 19bR)에 인접한 입출력 단자(19aLs, 19aRs, 19bLs, 19bRs)의 각 단자에 있어서도 55% 이상이 독립적으로 존재하고 있는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 65% 이상이며, 보다 더 바람직하게는 75% 이상이다. 양 단부의 입출력 단자(19aL, 19aR, 19bL, 19bR)에 인접한 입출력 단자(19aLs, 19aRs, 19bLs, 19bRs)의 각 단자에 있어서 55% 이상의 압흔(30)이 독립적으로 존재하고 있음으로써, 당해 단자 열의 양 단부뿐만 아니라, 열 전체에 있어서의 입출력 단자(19a, 19b)에 있어서 마찬가지의 시인성을 구비하고 있음이 추인된다.
또한 투명 기판에 평행으로 존재하는 입출력 단자 열(20a, 20b)의 모든 입출력 단자(19a, 19b)에 있어서도, 마찬가지로 압흔(30)은 55% 이상이 독립적으로 존재하고 있는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 65% 이상이며, 보다 더 바람직하게는 75% 이상이다. 평행으로 존재하는 단자 열끼리의 압흔을 비교함으로써, 열 압착 헤드(33)의 가압면 전체 영역에 있어서의 균일성도 검사할 수 있다.
또한 입출력 단자(19a, 19b)에 있어서, 입출력 범프(21a, 21b)와의 전기적인 접속이 행해지고 있는 것을 확인하기 위하여, 압흔(30)은 입출력 단자(19a, 19b)마다 2개 이상 나타나는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3개 이상, 더욱 바람직하게는 4개 이상이다.
압흔(30)의 적어도 일부가 규칙적으로 나타나는 것에 의하여, 이것이 지표가 됨으로써, 액정 구동용 IC(18)의 접속 시에 있어서의 결합제 수지의, 입출력 단자(19a, 19b) 및 입출력 범프(21a, 21b) 사이에 놓인 영역에서의 접속 상태와, 인접하는 입출력 범프(21a, 21b)의 단자 간 스페이스(23)에 있어서의 접속 상태를 동시에 파악할 수 있다. 이는, 압흔(30)이 시인성이 좋은 상태이기 때문에, 입출력 단자(19a, 19b)나 그의 주변 부위에서의 결합제 수지의 상태에 들뜸 등이 발생하면, 당해 들뜸 등은 투과성이 상이하기 때문에, 지표가 되는 압흔(30)과의 비교가 용이해지기 때문이다. 또한 이물이 접속체 내에 혼입되었을 경우에도 규칙 배열이 지표가 됨으로써, 불량이 되는 이물의 발견과 장소의 특정, 영향의 정도의 파악이 용이해진다.
[근접 단자끼리에 있어서의 압흔의 배열의 동일성 또는 상사성]
또한 액정 표시 패널(10)은, 근접하는 입출력 단자(19a, 19b)끼리에서 압흔(30)의 배열의 일부가 동일 또는 상사성을 갖는 것이 바람직하다. 이것에 의하여, 액정 표시 패널(10)은, 압흔(30)의 상대 비교를 용이하게 행할 수 있으며, 검사의 판정 기준의 설정이나 판정 평가도 신속, 적확히 행할 수 있다. 특히 육안으로 검사를 행하는 경우에는, 예를 들어 인접하는 입출력 단자(19a, 19b)끼리에서 압흔(30)의 배열이 동일 또는 상사성을 갖고 나타나면, 상호의 압흔의 평가를 용이하고 신속하게 행할 수 있다. 이를 반복함으로써, 가압면 전체 영역의 파악을 고정밀도로 또한 용이하게 행할 수 있게 된다.
또한 배열은, 압흔(30)이 직선상으로 배열되는 것일 수도 있으며, 동일성이란, 직선상으로 배열된 압흔의 배열 피치나 길이가 동일하게 나타나는 것을 말하고, 상사성이란, 이 직선상으로 배열된 압흔의 배열 피치나 길이가 변화되어 있는 것을 포함한다. 이 경우의 직선이란, 파인 피치의 입출력 단자(19a, 19b)에 있어서, 압흔이 2개 등의 최소 수로 형성되는 것도 배열로 간주하고 있다. 상사성이란, 이것의 거리 내지는 간격이 변화된 것을 가리킨다. 파인 피치가 되면, 협지되는 도전성 입자의 배열이 직선, 또는 그에 가까운 상태로밖에 간주되지 않게 되기 때문이다.
액정 표시 패널(10)은, 도전성 입자(4)가 규칙 배열된 이방성 도전 필름(1)을 사용함으로써, 근접하는 입출력 단자(19a, 19b)에 걸쳐 도전성 입자(4)가 규칙적으로 배치된다. 이 상태에서 열 압착 헤드(33)에 의하여 가열 가압되면, 결합제 수지의 유동성도 근접하는 입출력 단자(19a, 19b) 사이에서 거의 동일해지기 때문에 압흔(30)의 배열이 동일 또는 상사성을 가질 수 있다.
[1단자 내에서의 압흔 간 거리]
또한 압흔(30)은, 1개의 입출력 단자(19a, 19b) 내에서의 전체 압흔(30)의 압흔 간 거리가 평균 압흔 간 거리±30% 이내인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 15% 이내, 보다 더 바람직하게는 7% 이내이다. 압흔 간 거리란, 어느 압흔(30)과 근접하는 압흔(30) 중, 외측 테두리 간의 최단 거리가 가장 짧은 압흔(30)과의 당해 외측 테두리 간의 최단 거리를 말하며, 평균 압흔 간 거리란, 1개의 입출력 단자(19a, 19b) 내에서의 전체 압흔(30)의 압흔 간 거리의 평균값을 말한다. 이것에 의하여, 본 발명에서는, 압흔(30)의 검사 공정에 있어서, 1개의 입출력 단자(19a, 19b) 내에서의 가압의 균일성도 검사할 수 있다.
즉, 1개의 입출력 단자(19a, 19b) 내에서 전체 압흔(30)의 압흔 간 거리가 평균 압흔 간 거리±30% 이내이면, 도전성 입자(4)에 가해지는 가압력도 거의 균일해져, 입출력 범프(21a, 21b)와 입출력 단자(19a, 19b)가 평행으로 가압되며, 각 입출력 단자(19a, 19b)의 도통 저항의 변동도 적다고 생각된다. 한편, 1개의 입출력 단자(19a, 19b) 내에서 전체 압흔(30)의 압흔 간 거리가 평균 압흔 간 거리±30%를 초과하고 있으면, 입출력 범프(21a, 21b)와 입출력 단자(19a, 19b)가 평행으로 가압되어 있지 않다고 생각되며, 각 입출력 단자(19a, 19b) 간에 있어서의 도통 저항의 변동이 크다고 생각된다.
[1단자 열 내에서의 가압의 균일성]
또한 압흔(30)은, 1개의 입출력 단자(19a, 19b) 내에서의 평균 압흔 간 거리와, 당해 입출력 단자(19a, 19b)가 배열되어 있는 단자 열의 중앙의 입출력 단자(19aM, 19bM)에 있어서의 평균 압흔 간 거리의 차가 ±30% 이내인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 15% 이내, 보다 더 바람직하게는 7% 이내이다. 이것에 의하여, 본 발명에서는, 압흔(30)의 검사 공정에 있어서, 1개의 입출력 단자 열(20a, 20b) 내에서의 가압의 균일성도 검사할 수 있다. 또한 입출력 단자 열(20a, 20b)에 홀수 개의 입출력 단자(19a, 19b)가 배열되어 있는 경우에는, 중앙의 입출력 단자(19aM, 19bM)는 당해 단자 열의 정중앙의 단자를 말하며, 입출력 단자 열(20a, 20b)에 짝수 개의 입출력 단자(19a, 19b)가 배열되어 있는 경우에는, 중앙의 입출력 단자(19aM, 19bM)는 당해 단자 열의 정중앙의 2개의 단자를 말한다.
즉, 입출력 단자 열(20a, 20b)은, 액정 구동용 IC(18)나 투명 기판(12)이 평행으로 가압된 경우는 물론, 휨이 발생한 경우에 있어서도, 중앙의 입출력 단자(19aM, 19bM)가 가장 잘 가압되기 때문에 압흔의 시인성도 가장 잘 나타나는 점에서, 당해 단자 열의 가압의 균일성을 측정하는 기준이 된다.
그리고 1개의 입출력 단자(19a, 19b)의 평균 압흔 간 거리와, 입출력 단자 열(20a, 20b)의 중앙의 입출력 단자(19aM, 19bM)에 있어서의 평균 압흔 간 거리의 차가 ±30% 이내이면, 당해 입출력 단자(19a, 19b)에 있어서, 도전성 입자(4)에 가해지는 가압력도 단자 열 중앙의 입출력 단자(19aM, 19bM)과 거의 동일해져, 입출력 범프(21a, 21b)가 평행으로 가압되며, 다른 입출력 단자(19a, 19b)와의 도통 저항의 변동도 적다고 생각된다. 한편, 1개의 입출력 단자(19a, 19b)의 평균 압흔 간 거리와, 입출력 단자 열(20a, 20b)의 중앙의 입출력 단자(19aM, 19bM)에 있어서의 평균 압흔 간 거리의 차가 ±30%를 초과하고 있으면, 당해 단자 열에 있어서 입출력 범프(21a, 21b)와 당해 입출력 단자(19a, 19b)가 평행으로 가압되어 있지 않다고 생각되며, 각 입출력 단자(19a, 19b) 간에 있어서의 도통 저항의 변동이 크다고 생각된다. 이 경우의 도통 저항의 변동은, 신뢰성 시험 등의 경년 열화될 때의 영향도 포함시킨 것이다.
또한 투명 기판(12)에 평행으로 존재하는 입출력 단자 열(20a, 20b)의 각 입출력 단자(19a, 19b)에 있어서도, 마찬가지로 압흔(30)은, 1개의 입출력 단자(19a, 19b) 내에서의 전체 압흔(30)의 압흔 간 거리가 평균 압흔 간 거리±30% 이내인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 15% 이내, 보다 더 바람직하게는 7% 이내이다. 또한 투명 기판(12)에 평행으로 존재하는 입출력 단자 열(20a, 20b)에 있어서도, 1개의 입출력 단자(19a, 19b) 내에서의 평균 압흔 간 거리와, 당해 입출력 단자(19a, 19b)가 배열되어 있는 입출력 단자 열(20a, 20b)의 중앙의 입출력 단자(19aM, 19bM)에 있어서의 평균 압흔 간 거리의 차가 ±30% 이내인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 15% 이내, 보다 더 바람직하게는 7% 이내이다. 이와 같이, 평행으로 존재하는 단자 열끼리의 압흔을 비교함으로써, 가압면 전체 영역의 균일성도 검사할 수 있다.
[요철부]
여기서, 액정 구동용 IC(18)의 입출력 범프(21a, 21b)는, 도전성 입자(4)를 포착하는 표면에, 도전성 입자(4)의 입자 직경의 50% 이내의 고저 차를 갖는 요철부(28)가 형성된 것일 수도 있다. 요철부(28)는, 예를 들어 도 10, 도 11에 도시한 바와 같이, 도전성 입자(4)를 포착하는 표면의 양쪽 테두리, 또는 중앙부가 돌출됨으로써 형성된다. 또한 요철부(28)의 고저 차란, 입출력 범프(21a, 21b)의 표면에 있어서 가장 높은 볼록부(28a)와 가장 낮은 오목부(28b)의 차를 말하는 것으로 한다.
그리고 요철부(28)는, 고저 차가 가압 전에 있어서의 도전성 입자(4)의 입자 직경의 50% 이내가 된다. 고저 차를 도전성 입자(4)의 입자 직경의 50% 이내로 함으로써, 도전성 입자(4)를 오목부(28b)에서 포착한 경우에도, 당해 오목부(28b)에 있어서 도전성 입자(4)를 충분히 압입함과 함께, 볼록부(28a)가 입출력 단자(19a, 19b)에 직접 맞닿는 일도 없다. 따라서 입출력 범프(21a, 21b)와 입출력 단자(19a, 19b)가 도전성 입자(4)를 협지함으로써 도통 접속되고, 접속 후에 있어서의 환경 변화에 의해서도 양호한 도통 신뢰성을 확보할 수 있다. 또한 입출력 범프(21a, 21b)의 표면에, 도전성 입자(4)의 입자 직경의 50% 이내의 고저 차를 갖는 요철부(28)을 형성하는 것에 의해서도, 입출력 단자(19a, 19b)에 있어서 압흔의 시인성에는 특별한 영향은 없으며, 양호한 시인성을 확보할 수 있다.
한편, 요철부(28)의 고저 차가 가압 전에 있어서의 도전성 입자(4)의 입자 직경의 50%를 초과하면, 도 12, 도 13에 도시한 바와 같이, 도전성 입자(4)를 오목부(28b)에서 포착한 경우에, 도전성 입자(4)의 압입이 부족하여 도통 저항의 상승을 초래함과 함께, 볼록부(28a)가 입출력 단자(19a, 19b)에 직접 맞닿음으로써, 접속 후에 있어서의 입출력 범프(21a, 21b)와 입출력 단자(19a, 19b)의 거리의 변화에 대한 추종성이 낮아, 도통 신뢰성을 손상시킬 우려가 있다. 또한 도 12에 있어서의 도전성 입자(4)는, 입출력 범프(21a, 21b)의 오목부(28b)에서 포착한 경우의 일례로서, 오목부(28b)측에 파고든 상태도 설명하고 있다. 입출력 범프(21a, 21b)의 재질 변동에 의하여 경도가 변동되어, 압착 공정에 있어서 도전성 입자(4)가 입출력 범프(21a, 21b)에 파고드는 일이 있다. 이 경우에도, 접속 후에 있어서의 입출력 범프(21a, 21b)와 입출력 단자(19a, 19b)의 거리의 변화에 대한 추종성이 낮아져, 도통 신뢰성을 손상시킬 우려가 있다고 할 수 있다.
실시예
[제1 실시예]
이어서, 본 발명의 제1 실시예에 대하여 설명한다. 제1 실시예에서는, 도전성 입자가 규칙 배열된 이방성 도전 필름과, 도전성 입자가 랜덤으로 분산된 이방성 도전 필름을 사용하여, 평가용 유리 기판에 평가용 IC를 접속한 접속체 샘플을 제작하고, 각각 평가용 유리 기판의 단자에 나타나는 압흔의 개수 및 독립성을 평가함과 함께, 초기 도통 저항, 인접하는 IC 범프 간의 쇼트 발생률을 측정하였다.
[이방성 도전 필름]
평가용 IC의 접속에 사용하는 이방성 도전 필름의 결합제 수지층은, 페녹시 수지(상품명: YP50, 신닛테쓰 가가쿠사 제조) 60질량부, 에폭시 수지(상품명: jER828, 미쓰비시 가가쿠사 제조) 40질량부, 양이온계 경화제(상품명: SI-60L, 산신 가가쿠 고교사 제조) 2질량부를 용제에 첨가한 결합제 수지 조성물을 조제하고, 이 결합제 수지 조성물을 박리 필름 상에 도포, 소성함으로써 형성하였다.
[도통 저항 측정용의 평가용 IC]
도통 저항 측정용의 평가 소자로서, 외형; 0.7㎜×20㎜, 두께 0.2㎜, 범프(Au-plated); 폭 15μ×길이 100㎛, 높이 12㎛의 평가용 IC를 사용하였다.
[IC 범프 간 쇼트 측정용의 평가용 IC]
IC 범프 간 쇼트 측정용의 평가 소자로서, 외형; 0.7㎜×20㎜, 두께 0.2㎜, 범프(Au-plated); 폭 15μ×길이 100㎛, 높이 12㎛, 범프 간 스페이스 폭; 7.5㎛의 평가용 IC를 사용하였다.
[평가용 유리 기판]
도통 저항 측정용의 평가용 IC 및 IC 범프 간 쇼트 측정용의 평가용 IC가 접속되는 평가용 유리 기판으로서, 외형; 30㎜×50㎜, 두께 0.5㎜, 도통 저항 측정용의 평가용 IC의 범프와 동일한 크기, 동일한 피치의 단자가 복수 배열된 단자 열이 형성된 ITO 패턴 글라스를 사용하였다.
이 평가용 유리 기판에 이방성 도전 필름을 가부착한 후, IC 범프와 기판 전극과의 얼라인먼트를 취하면서 평가용 IC를 탑재하고, 열 압착 헤드에 의하여 180℃, 80㎫, 5sec의 조건에서 열 압착함으로써 접속체 샘플을 제작하였다. 각 접속체 샘플에 대하여, 평가용 유리 기판의 단자에 나타나는 압흔의 개수 및 독립성, 초기 도통 저항, 인접하는 IC 범프 간의 쇼트 발생률을 측정하였다.
평가용 유리 기판의 단자에 나타나는 압흔의 독립성은, 도통 저항 측정용의 평가용 IC를 접속한 각 접속체 샘플에 대하여, 압흔이 복수 나타나는 단자를 평가용 유리 기판의 이면으로부터 관찰하여, 압흔을 1000개 카운트했을 때의 독립되어 있지 않은 압흔의 수를 계측하였다.
또한 평가용 유리 기판의 1개의 단자 내에 나타나는 압흔의 개수를 육안 및 촬영 화상을 화상 처리기(윈루프(WinRoof): 미타니 쇼지사 제조)로 처리함으로써 카운트하여, 각각 기판 전극 50개의 평균을 구하였다.
또한 평가용 IC가 균일하게 가압되어 있는지를 확인하기 위하여, 도 9에 도시한 바와 같이, 2개의 출력 단자 열(20b) 중, 외측의 출력 단자 열(20b)의 중앙의 출력 단자(19bM), 중앙의 출력 단자(19bM)에 인접하는 출력 단자(19bMs), 양 단부의 출력 단자(19bL, 19bR), 양 단부의 출력 단자(19bL, 19bR)에 인접하는 출력 단자(19bLs, 19bRs)에 대하여, 각 단자 내에 나타나는 압흔의 75% 이상이 독립성을 갖는지의 여부를 평가하였다. 열의 중앙의 단자(19bM)와 열의 양 단부의 단자(19bL, 19bR)가 동일하게 가압되어 있으면, 동일한 열에 있어서의 다른 단자도 거의 동일하게 가압되어 있다고 간주할 수 있다. 또한 열의 중앙의 단자(19bM)에 인접하는 단자(19bMs)와 단자 열의 양 단부의 단자에 인접하는 단자(19bLs, 19bRs)가 동일하게 가압되어 있으면, 균일성이 보다 높다고 평가할 수 있다. 이는, 간이한 검사 방법의 일례이다.
또한 외측의 출력 단자 열(20b)의 출력 단자 수는 짝수이며, 중앙의 단자는 정중앙의 2개의 출력 단자에서 측정하고 있고, 전극 열의 양 단부의 단자, 양 단부의 단자에 인접하는 단자, 및 중앙의 단자에 인접하는 단자의 각 부의 관측 면적은 동일해진다.
또한 도통 저항은, 접속 초기 및 신뢰성 시험 후에 있어서 측정하여, 초기 도통 저항이 1.0Ω 이하, 신뢰성 시험 후의 도통 저항이 6Ω 이하를 양호로 평가하였다. 신뢰성 시험의 조건은 85℃, 85% RH, 500hr이다. 또한 IC 범프 간의 쇼트 발생률은, 50ppm 이하를 양호로 평가하였다.
[실시예 1]
실시예 1에서는, 도전성 입자가 결합제 수지층에 규칙 배열된 이방성 도전 필름을 사용하였다. 실시예 1에서 사용한 이방성 도전 필름은, 연신 가능한 시트 상에 점착제를 도포하고, 그 위에 도전성 입자를 격자상으로 균등하게 단층 배열한 후, 당해 시트를 원하는 연신 배율로 연신시킨 상태에서 결합제 수지층을 라미네이트함으로써 제조하였다. 사용한 도전성 입자(상품명: AUL704, 세키스이 가가쿠 고교사 제조)는 입자 직경 4㎛이며, 접속 전에 있어서의 입자 간 거리는 0.5㎛, 입자 개수 밀도는 28000개/㎟이다.
[실시예 2]
실시예 2에서는, 접속 전에 있어서의 입자 간 거리가 1㎛, 입자 개수 밀도가 16000개/㎟인 이방성 도전 필름을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조건으로 하였다.
[실시예 3]
실시예 3에서는, 접속 전에 있어서의 입자 간 거리가 1.5㎛, 입자 개수 밀도가 10500개/㎟인 이방성 도전 필름을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조건으로 하였다.
[실시예 4]
실시예 4에서는, 접속 전에 있어서의 입자 간 거리가 3㎛, 입자 개수 밀도가 5200개/㎟인 이방성 도전 필름을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조건으로 하였다.
[실시예 5]
실시예 5에서는, 입자 직경이 3㎛인 도전성 입자(상품명: AUL703, 세키스이 가가쿠 고교사 제조)를 사용하고, 접속 전에 있어서의 입자 간 거리가 0.5㎛, 입자 개수 밀도가 50000개/㎟인 이방성 도전 필름을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조건으로 하였다.
[비교예 1]
비교예 1에서는, 결합제 수지 조성물에 도전성 입자를 첨가하여 조정하고, 박리 필름 상에 도포, 소성함으로써, 결합제 수지층에 도전성 입자가 랜덤으로 분산되어 있는 이방성 도전 필름을 사용하였다. 사용한 도전성 입자(상품명: AUL704, 세키스이 가가쿠 고교사 제조)는 입자 직경 4㎛이고, 입자 개수 밀도는 100000개/㎟이다.
[비교예 2]
비교예 2에서는, 입자 개수 밀도가 60000개/㎟인 것 외에는 비교예 1과 동일한 조건으로 하였다.
Figure 112022075361235-pat00001
표 1에 나타낸 바와 같이, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 접속체 샘플에서는, 1000개의 압흔 중 104개(비교예 1), 232개(비교예 2)로, 적어도 10% 이상의 압흔이 인접 내지는 중복되어 있어, 시인성이 나쁜 점이 엿보인다. 한편, 실시예 1 내지 5에 따른 접속체 샘플에서는, 인접 내지는 중복이 각 비교예보다 2자릿수 적은 점에서, 시인성이 좋은 점이 엿보인다. 또한 실시예, 비교예 중 어느 쪽도 도전성 입자의 개수 밀도에 비례하여 압흔의 독립성이 악화되는 경향이 있다.
또한 1단자 내에서의 압흔 개수를 육안과 화상 처리기에서 비교하면, 각 비교예에서는 그의 차가 크고, 각 실시예에서는 그의 차가 작다. 이는, 비교예에서는 압흔의 인접이나 중복 등에 의하여 개개의 압흔 독립성이 낮아, 복수의 압흔을 1개로 카운트해 버려 식별성이 나쁜 점이 엿보인다. 한편, 실시예에서는 압흔의 인접이나 중복이 거의 없기 때문에, 육안과 화상 처리기에서 차가 발생하지 않는다. 이로 인하여, 개개의 압흔의 식별이 용이하고, 또한 정밀도가 양호해져 있음을 알 수 있다.
또한 단자 열의 중앙의 단자, 중앙의 단자에 인접하는 단자, 양 단부의 단자, 양 단부의 단자에 인접하는 단자의 각 단자 내에 나타나는 개개의 압흔의 75% 이상이 독립성을 갖는지의 여부에 대하여, 비교예에서는 어느 단자에 있어서도 독립성을 갖는 개개의 압흔이 75% 이상 있는 식별 용이한 상태는 얻어지지 않았으며, 실시예에서는 모든 단자에 있어서 독립성을 갖는 개개의 압흔이 75% 이상 있는 식별 용이한 상태가 얻어졌다.
이들 실시예에 따른 접속체 샘플은, 초기 도통 저항 및 신뢰성 시험 후의 도통 저항이 둘 다 1Ω 이하이고, 또한 IC 범프 간 쇼트의 발생률도 50ppm 이하였다. 즉, 실시예에 따른 접속체 샘플에 의하면, 단자 열의 중앙부 및 양 단부에 설치된 4 내지 8개의 단자에 있어서의 압흔을 검사함으로써, 당해 단자 열에 있어서의 가압의 균일성을 확인할 수 있음을 알 수 있다.
또한 각 실시예에 따른 접속체 샘플에서는, 압흔의 독립성을 관찰한 단자 열과 평행으로, 당해 압흔의 독립성을 관찰한 단자 열이 형성된 기판측 테두리와 반대측의 테두리에 형성된 단자 열(입력 단자 열(20a))도 마찬가지로 관찰한 바, 마찬가지로 단자 열의 중앙의 단자, 중앙의 단자에 인접하는 단자, 양 단부의 단자, 양 단부의 단자에 인접하는 단자의 각 단자 내에 나타나는 압흔의 75% 이상이 독립성을 갖는 것이었다. 즉, 각 실시예에 따른 접속체 샘플은, 평가용 IC의 가압 개소 전체 영역에서 가압의 균일성이 얻어져 있음을 알 수 있다.
[제2 실시예]
이어서, 본 발명의 제2 실시예에 대하여 설명한다. 제2 실시예에서는, 도전성 입자가 규칙 배열된 이방성 도전 필름과, 도전성 입자가 랜덤으로 분산된 이방성 도전 필름을 사용함과 함께, 범프 표면에 도전성 입자의 입자 직경의 50% 이내의 고저 차를 갖는 요철부가 형성된 평가용 IC를 사용하여 접속체 샘플을 제작하고, 각각 평가용 유리 기판의 단자에 나타나는 압흔의 개수 및 독립성을 평가함과 함께, 초기 및 신뢰성 시험 후의 도통 저항, 인접하는 IC 범프 간의 쇼트 발생률을 측정하였다.
제2 실시예에서 사용한 평가용 IC는, 도통 저항 측정용, IC 범프 간 쇼트 측정용 중 어느 것도, 입출력 범프 표면에 도전성 입자의 입자 직경의 50% 이내의 고저 차를 갖는 요철부가 형성되어 있는 것 외에는, 제1 실시예에서 사용한 것과 동일하다. 또한 이방성 도전 필름 및 평가용 유리 기판은, 제1 실시예에서 사용한 것과 동일하다.
또한 평가용 유리 기판의 단자에 나타나는 압흔의 개수 및 독립성의 평가 위치, 및 평가 기준도 제1 실시예와 동일하다. 또한 제2 실시예에서는, 평가용 유리 기판의 1개의 단자 내에 나타나는 압흔의 개수를 육안으로 카운트하였다. 또한 도통 저항 및 IC 범프 간의 쇼트 발생률의 평가 기준, 신뢰성 시험의 조건도 제1 실시예와 동일하다.
[실시예 6 내지 10]
실시예 6에서는, 실시예 1에서 사용한 이방성 도전 필름을 사용하고, 실시예 7에서는, 실시예 2에서 사용한 이방성 도전 필름을 사용하며, 실시예 8에서는, 실시예 3에서 사용한 이방성 도전 필름을 사용하고, 실시예 9에서는, 실시예 4에서 사용한 이방성 도전 필름을 사용하며, 실시예 10에서는, 실시예 5에서 사용한 이방성 도전 필름을 사용하였다.
[비교예 3, 4]
또한 비교예 3에서는, 비교예 1에서 사용한 이방성 도전 필름을 사용하고, 비교예 4에서는, 비교예 2에서 사용한 이방성 도전 필름을 사용하였다.
Figure 112022075361235-pat00002
표 2에 나타낸 바와 같이, 범프 표면에 도전성 입자의 입자 직경의 50% 이내의 고저 차를 갖는 요철부가 형성된 평가용 IC를 사용했을 경우에 있어서도, 제1 실시예와 마찬가지의 경향이 나타났다. 즉, 비교예 3 및 비교예 4에 따른 접속체 샘플에서는, 1000개의 압흔 중 121개(비교예 3), 265개(비교예 4)로, 적어도 10% 이상의 압흔이 인접 내지는 중복되어 있어, 시인성이 나쁜 점이 엿보인다. 한편, 실시예 6 내지 10에 따른 접속체 샘플에서는, 인접 내지는 중복이 각 비교예보다 1자리 이상 적은 점에서, 시인성이 좋은 점이 엿보인다. 또한 실시예, 비교예 중 어느 것도 도전성 입자의 개수 밀도에 비례하여 압흔의 독립성이 악화되는 경향이 있다.
또한 단자 열의 중앙의 단자, 중앙의 단자에 인접하는 단자, 양 단부의 단자, 양 단부의 단자에 인접하는 단자의 각 단자 내에 나타나는 개개의 압흔의 75% 이상이 독립성을 갖는지의 여부에 대하여, 비교예에서는 어느 쪽 단자에 있어서도 독립성을 갖는 개개의 압흔이 75% 이상 있는 식별 용이한 상태는 얻어지지 않았으며, 실시예에서는 모든 단자에 있어서 독립성을 갖는 개개의 압흔이 75% 이상 있는 식별 용이한 상태가 얻어졌다.
이들 실시예에 따른 접속체 샘플은, 초기 도통 저항 및 신뢰성 시험 후의 도통 저항이 둘 다 1Ω 이하이고, 또한 IC 범프 간 쇼트의 발생률도 50ppm 이하였다. 즉, 실시예에 따른 접속체 샘플에 의하면, 단자 열의 중앙부 및 양 단부에 설치된 4 내지 8개의 단자에 있어서의 압흔을 검사함으로써, 당해 단자 열에 있어서의 가압의 균일성을 확인할 수 있음을 알 수 있다.
또한 비교예 4는, 표 1의 비교예 2와의 비교에서, 도전성 입자가 결합제 수지 중에 랜덤으로 분산되어 있는 점에서 공통되지만, IC 범프 간 쇼트 발생률이 크게 상이하다. 도전성 입자가 랜덤인 경우, 도전성 입자의 편재에 따라 IC 범프 간 쇼트 발생률이 변동되는 것을 알 수 있다. 즉, 도전성 입자가 규칙 배열되어 있음으로써, IC 범프 간 쇼트 발생률을 억제할 수 있음을, 이 점으로부터도 알 수 있다.
또한 각 실시예에 따른 접속체 샘플에서는, 압흔의 독립성을 관찰한 단자 열과 평행으로, 당해 압흔의 독립성을 관찰한 단자 열이 형성된 기판측 테두리와 반대측의 테두리에 형성된 단자 열(입력 단자 열(20a))도 마찬가지로 관찰한 바, 마찬가지로 단자 열의 중앙의 단자, 중앙의 단자에 인접하는 단자, 양 단부의 단자, 양 단부의 단자에 인접하는 단자의 각 단자 내에 나타나는 압흔의 75% 이상이 독립성을 갖는 것이었다. 즉, 각 실시예에 따른 접속체 샘플은, 평가용 IC의 가압 개소 전체 영역에서 가압의 균일성이 얻어져 있음을 알 수 있다.
1: 이방성 도전 필름
2: 박리 필름
3: 결합제 수지층
4: 도전성 입자
6: 권취 릴
10: 액정 표시 패널
11, 12: 투명 기판
12a: 테두리부
13: 시일
14: 액정
15: 패널 표시부
16, 17: 투명 전극
18: 액정 구동용 IC
18a: 실장면
19a: 입력 단자
19b: 출력 단자
20a: 입력 단자 열
20b: 출력 단자 열
21a: 입력 범프
21b: 출력 범프
22a: 입력 범프 열
22b: 출력 범프 열
23: 단자 간 스페이스
27: 실장부
31: 기판측 얼라인먼트 마크
32: IC측 얼라인먼트 마크
23: 단자 간 스페이스
33: 열 압착 헤드

Claims (16)

  1. 투명 기판과,
    상기 투명 기판 상에 이방성 도전 접착제를 개재하여 접속된 전자 부품을 구비하고,
    상기 투명 기판의 단자에는, 상기 이방성 도전 접착제에 함유된 도전성 입자에 의한 복수의 압흔이 면 내 방향으로 배열되고,
    상기 압흔은, 상기 투명 기판의 단자 내에서 중복되지 않고, 개별적으로 독립된 상태로 규칙적으로 나타나며, 육안으로 상기 압흔의 주변 부위와 비교하여 상기 압흔을 형성하는 곡선을 식별하여 상기 전자 부품과 상기 투명 기판의 접속 상태를 검사 가능한 시인성을 갖고,
    상기 투명 기판은 상기 단자가 배열하는 단자열을 갖고, 상기 압흔은 상기 단자 열 내의 모든 단자에서 동일한 시인성을 갖는, 접속체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 투명 기판의 근접하는 상기 단자끼리에서, 상기 압흔의 배열이 동일 또는 상사성을 갖는, 접속체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 단자 열은, 중앙의 단자 내에서 55% 이상의 압흔이 독립적으로 존재하고 있는, 접속체.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 단자 내에서의 압흔의 가장 근접하는 다른 압흔과의 외측 테두리 간의 거리의 차가, 동일한 단자 내에서의 평균에서 ±30% 이내인, 접속체.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 단자 열은, 양 단부의 단자 내에서 55% 이상의 압흔이 독립적으로 존재하고 있는, 접속체.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 단자 내에서의 압흔의 가장 근접하는 다른 압흔과의 외측 테두리 간의 거리의 차가, 동일한 단자 내에서의 평균에서 ±30% 이내인, 접속체.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 단자 열은, 중앙의 단자에 인접한 단자 내에서 55% 이상의 압흔이 독립적으로 존재하고 있는, 접속체.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 단자 내에서의 압흔의 가장 근접하는 다른 압흔과의 외측 테두리 간의 거리의 차가, 동일한 단자 내에서의 평균에서 ±30% 이내인, 접속체.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 단자 열은, 양 단부의 단자에 인접한 단자 내에서 55% 이상의 압흔이 독립적으로 존재하고 있는, 접속체.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 단자 내에서의 압흔의 가장 근접하는 다른 압흔과의 외측 테두리 간의 거리의 차가, 동일한 단자 내에서의 평균에서 ±30% 이내인, 접속체.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 투명 기판은, 복수의 상기 단자가 배열되는 단자 열과 평행으로 존재하는 단자 열 내의 단자 내에서, 55% 이상의 압흔이 독립적으로 존재하고 있는, 접속체.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 단자 내에서의 압흔의 가장 근접하는 다른 압흔과의 외측 테두리 간의 거리의 차가, 동일한 단자 내에서의 평균에서 ±30% 이내인, 접속체.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 투명 기판의 상기 단자와 접속되는 상기 전자 부품의 범프는, 상기 도전성 입자를 포착하는 표면에, 상기 도전성 입자의 입자 직경의 50% 이내의 고저 차를 갖는 요철부가 형성되어 있는, 접속체.
  14. 투명 기판 상에, 도전성 입자를 함유한 접착제를 개재하여 전자 부품을 탑재하고,
    상기 전자 부품을 상기 투명 기판에 대하여 가압함과 함께, 상기 접착제를 경화시킴으로써, 상기 전자 부품을 상기 투명 기판 상에 접속하는 접속체의 제조 방법에 있어서,
    상기 접착제는, 결합제 수지에 도전성 입자가 배열되고,
    상기 투명 기판의 단자에 나타나는 상기 접착제에 함유된 도전성 입자의 압흔 및 압흔의 주변 부위를 비교하여, 상기 압흔을 형성하는 곡선을 식별하여, 상기 전자 부품과 상기 투명 기판의 접속 상태를 외관 검사에 의해 검사하는 공정을 갖고,
    상기 압흔은, 상기 투명 기판의 단자 내에서 중복되지 않고, 개별적으로 독립한 상태로 규칙적으로 나타나는, 접속체의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 투명 기판의 단자에 나타나는, 상기 접착제에 함유된 도전성 입자의 압흔을 검사하여, 투명 기판과 단자의 접속 상태를 검사하는 공정을 갖는 접속체의 제조 방법.
  16. 투명 기판 상에 도전성 입자가 배열된 이방성 도전 접착제를 개재하여 전자 부품이 접속된 접속체의 접속 상태를 외관 검사에 의해 검사하는 검사 방법에 있어서,
    상기 투명 기판의 단자에 나타나는 상기 이방성 도전 접착제에 함유된 도전성 입자의 압흔 및 압흔의 주변 부위를 비교하여, 상기 압흔을 형성하는 곡선을 식별하여, 접속 상태를 검사하고,
    상기 압흔은, 상기 투명 기판의 단자 내에서 중복되지 않고, 개별적으로 독립된 상태로 규칙적으로 나타나는, 검사 방법.
KR1020227025108A 2014-02-27 2015-02-26 접속체, 접속체의 제조 방법 및 검사 방법 KR102519281B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-036743 2014-02-27
JP2014036743 2014-02-27
JPJP-P-2015-034548 2015-02-24
JP2015034548A JP2015179831A (ja) 2014-02-27 2015-02-24 接続体、接続体の製造方法及び検査方法
PCT/JP2015/055548 WO2015129792A1 (ja) 2014-02-27 2015-02-26 接続体、接続体の製造方法及び検査方法
KR1020167023122A KR102424343B1 (ko) 2014-02-27 2015-02-26 접속체, 접속체의 제조 방법 및 검사 방법

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167023122A Division KR102424343B1 (ko) 2014-02-27 2015-02-26 접속체, 접속체의 제조 방법 및 검사 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220106239A KR20220106239A (ko) 2022-07-28
KR102519281B1 true KR102519281B1 (ko) 2023-04-10

Family

ID=54009106

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167023122A KR102424343B1 (ko) 2014-02-27 2015-02-26 접속체, 접속체의 제조 방법 및 검사 방법
KR1020227025108A KR102519281B1 (ko) 2014-02-27 2015-02-26 접속체, 접속체의 제조 방법 및 검사 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167023122A KR102424343B1 (ko) 2014-02-27 2015-02-26 접속체, 접속체의 제조 방법 및 검사 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9980375B2 (ko)
JP (2) JP2015179831A (ko)
KR (2) KR102424343B1 (ko)
CN (2) CN114038803A (ko)
TW (1) TWI643273B (ko)
WO (1) WO2015129792A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102513996B1 (ko) * 2016-03-15 2023-03-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109168250B (zh) * 2018-10-24 2020-04-17 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种电路板及其制作方法、使用方法、显示装置
US11217557B2 (en) * 2019-05-14 2022-01-04 Innolux Corporation Electronic device having conductive particle between pads
CN111179750A (zh) * 2019-12-12 2020-05-19 武汉华星光电技术有限公司 显示面板的结构和其制作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005227217A (ja) 2004-02-16 2005-08-25 Technos Kk 基板検査装置及び検査方法
JP2009111043A (ja) 2007-10-29 2009-05-21 Sony Chemical & Information Device Corp 電気的接続体及びその製造方法
WO2013089199A1 (ja) 2011-12-16 2013-06-20 旭化成イーマテリアルズ株式会社 異方導電性フィルム付き半導体チップ、異方導電性フィルム付き半導体ウェハ、及び半導体装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2596960B2 (ja) * 1988-03-07 1997-04-02 シャープ株式会社 接続構造
JP4115832B2 (ja) 2002-12-27 2008-07-09 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 半導体素子及び液晶表示パネル
KR101051013B1 (ko) 2003-12-16 2011-07-21 삼성전자주식회사 구동 칩 및 이를 갖는 표시장치
CN100416343C (zh) * 2004-01-21 2008-09-03 友达光电股份有限公司 增加金属连线可靠度的结构
CN100489630C (zh) * 2005-03-08 2009-05-20 友达光电股份有限公司 导电凸块和显示面板
CN100492627C (zh) * 2005-10-24 2009-05-27 财团法人工业技术研究院 芯片结构、芯片封装结构及其工艺
JP4789738B2 (ja) 2006-07-28 2011-10-12 旭化成イーマテリアルズ株式会社 異方導電性フィルム
JP2008210908A (ja) * 2007-02-26 2008-09-11 Tokai Rubber Ind Ltd 電子部品の実装方法
JP4922800B2 (ja) * 2007-03-19 2012-04-25 株式会社東芝 電子機器の製造方法
JP4880533B2 (ja) * 2007-07-03 2012-02-22 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 異方性導電膜及びその製造方法、並びに接合体
JP4631889B2 (ja) * 2007-09-03 2011-02-16 日立化成工業株式会社 接続部材および該接続部材を用いた電極の接続構造並びに接続方法
KR101193757B1 (ko) * 2007-09-20 2012-10-23 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 이방성 도전막 및 그 제조 방법, 및 그 이방성 도전막을 이용한 접합체
JP5145110B2 (ja) * 2007-12-10 2013-02-13 富士フイルム株式会社 異方導電性接合パッケージの製造方法
JP4814277B2 (ja) * 2008-04-18 2011-11-16 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 接合体、該接合体の製造方法、及び該接合体に用いられる異方性導電膜
JP5307617B2 (ja) * 2009-04-27 2013-10-02 三菱電機株式会社 基板の実装状態検査方法および基板の実装状態検査装置
JP2011233624A (ja) * 2010-04-26 2011-11-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子及び該半導体素子を備える電子機器
JP6002500B2 (ja) * 2011-08-05 2016-10-05 積水化学工業株式会社 接続構造体の製造方法
JP5209778B2 (ja) * 2011-12-27 2013-06-12 デクセリアルズ株式会社 異方性導電膜及びこれを用いた接合体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005227217A (ja) 2004-02-16 2005-08-25 Technos Kk 基板検査装置及び検査方法
JP2009111043A (ja) 2007-10-29 2009-05-21 Sony Chemical & Information Device Corp 電気的接続体及びその製造方法
WO2013089199A1 (ja) 2011-12-16 2013-06-20 旭化成イーマテリアルズ株式会社 異方導電性フィルム付き半導体チップ、異方導電性フィルム付き半導体ウェハ、及び半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201603149A (zh) 2016-01-16
US20170013717A1 (en) 2017-01-12
US9980375B2 (en) 2018-05-22
JP2015179831A (ja) 2015-10-08
CN106170852A (zh) 2016-11-30
KR20220106239A (ko) 2022-07-28
JP6959303B2 (ja) 2021-11-02
KR20160127000A (ko) 2016-11-02
JP2019186577A (ja) 2019-10-24
WO2015129792A1 (ja) 2015-09-03
TWI643273B (zh) 2018-12-01
CN114038803A (zh) 2022-02-11
KR102424343B1 (ko) 2022-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10373927B2 (en) Connection body and method of manufacturing connection body
KR102067957B1 (ko) 접속체, 접속체의 제조 방법, 검사 방법
TWI645480B (zh) Connector, method of manufacturing the connector, electronic device
JP6959303B2 (ja) 接続体、接続体の製造方法及び検査方法
JP6645730B2 (ja) 接続体及び接続体の製造方法
US10175544B2 (en) Connection body, method for manufacturing a connection body, connecting method and anisotropic conductive adhesive agent
TW201535017A (zh) 對準方法、電子零件之連接方法、連接體之製造方法、連接體、異向性導電膜
JP7027390B2 (ja) 接続体及び接続体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant