KR102518977B1 - 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법 - Google Patents
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Abstract
(과제) 웨이퍼 설치 영역의 온도 균일화를 위해 설치하는 보온 블록의 부근에 배치되는 실리콘 웨이퍼의 금속 오염을 억제하는 것이 가능한, 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법을 제공한다.
(해결 수단) 본 발명의 횡형 열처리로(100)를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법은, 원통 형상의 로심관(12) 내에 보트(16)를 배치하고, 그 때, (A) 보트(16) 상에 웨이퍼군(WF)을 배치하고, (B) 보트(16) 상의, 로심관의 중심축(X) 방향에 있어서의 웨이퍼군(WF)의 양측으로, 웨이퍼군(WF)과 이간하여 보온 블록(제1 보온 블록(18A) 및 제2 보온 블록(18B))을 배치하고, (C) 보트(16) 상의, 로심관의 중심축(X) 방향에 있어서의 제1 보온 블록(18A) 및 제2 보온 블록(18B)의 양측으로, 고청정도의 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)를 배치한다.
(해결 수단) 본 발명의 횡형 열처리로(100)를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법은, 원통 형상의 로심관(12) 내에 보트(16)를 배치하고, 그 때, (A) 보트(16) 상에 웨이퍼군(WF)을 배치하고, (B) 보트(16) 상의, 로심관의 중심축(X) 방향에 있어서의 웨이퍼군(WF)의 양측으로, 웨이퍼군(WF)과 이간하여 보온 블록(제1 보온 블록(18A) 및 제2 보온 블록(18B))을 배치하고, (C) 보트(16) 상의, 로심관의 중심축(X) 방향에 있어서의 제1 보온 블록(18A) 및 제2 보온 블록(18B)의 양측으로, 고청정도의 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)를 배치한다.
Description
본 발명은, 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼 중에 인, 붕소 등의 도펀트를 열 확산하는 공정은, 실리콘 웨이퍼의 표층에 도펀트를 부착시키는 공정(디포지션)과, 표층에 부착한 도펀트를 실리콘 웨이퍼의 내부에 확산시키는 공정(드라이브인)을 포함한다. 이 드라이브인 공정에는, 일반적으로, 횡형 열처리로(열 확산로)가 이용된다. 횡형 열처리로에서는, 횡방향의 중심축을 갖는 원통 형상의 로심관(爐芯菅) 내에, 주면(主面)이 로심관의 중심축에 직교하도록 복수매의 실리콘 웨이퍼를 나열하여 배치한 보트를 넣어, 로심관 내에서 실리콘 웨이퍼에 열처리를 실시한다. 이 때, 로심관의 중심축 방향에 있어서의 복수매의 실리콘 웨이퍼의 양측으로, 실리콘으로 이루어지는 보온 블록(더미 블록)을 배치하여, 로심관 내에서의 웨이퍼 설치 영역의 온도 균일화를 도모하는 기술이 알려져 있다.
특허문헌 1에는, 「열 확산로의 튜브 내에, 주면이 튜브의 길이 방향에 직교하도록 웨이퍼를 병렬 설치하고, 그 상태에서 웨이퍼에 열처리를 실시함에 있어서, 튜브 내에 웨이퍼를 넣지 않는 상태에 있어서의 균열 영역의 양측에 있어서, 분위기 가스 유입측에서는, 당해 영역으로부터 적어도 10㎜ 이상 떼어 놓고, 또한 분위기 가스 유출측에서는, 밀접 또는 이간하여, 튜브 지름보다도 약간 작은 보온 블록을 각각 배치하도록 한 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법(청구항 1)」이 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 1에는, 「보온 블록의 재질이 고순도 실리콘인 것(청구항 3)」이 기재되어 있다.
그러나, 본 발명자들이 검토한 결과, 복수 배치(batch)의 열처리에 있어서 동일한 보온 블록을 반복하여 사용한 경우, 각 배치에 있어서의 복수매의 실리콘 웨이퍼 중 양단 부분에 위치하는 실리콘 웨이퍼, 즉 보온 블록의 부근에 배치되는 실리콘 웨이퍼의 금속 오염량이, 배치를 거침에 따라 현저하게 증가하는 것이 판명되었다. 금속 오염된 실리콘 웨이퍼는, 라이프타임값이 저하하기 때문에 제품으로 할 수 없어, 결과적으로 제품 수율이 불충분해진다. 그 때문에, 실리콘 웨이퍼의 금속 오염을 억제하는 것이 바람직하다.
상기 과제를 감안하여, 본 발명은, 웨이퍼 설치 영역의 온도 균일화를 위해 설치하는 보온 블록의 부근에 배치되는 실리콘 웨이퍼의 금속 오염을 억제하는 것이 가능한, 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명자들은 예의 연구를 진행시켜, 이하의 인식을 얻었다. 우선, 보온 블록의 부근에 배치되는 실리콘 웨이퍼의 금속 오염량의 증가의 원인은, 보온 블록의 금속 오염이 아닐까라고 본 발명자들은 생각했다. 즉, 복수 배치의 열처리에 있어서 동일한 보온 블록을 반복하여 사용한 경우, 보온 블록에는 로심관 등으로부터의 금속 오염(Fe, Ni, Cu 등)이 서서히 축적된다고 생각된다. 열처리 시에 보온 블록이 가열되는 과정에서, 보온 블록으로부터 오염 금속을 포함하는 가스가 발생한다. 이 오염 금속을 포함하는 가스가 확산하여, 보온 블록의 부근에 배치되는 실리콘 웨이퍼에 공급된다. 그 결과, 보온 블록의 부근에 배치되는 실리콘 웨이퍼도 금속 오염되는 것이라고 생각된다.
그러나, 복수 배치의 열처리에 있어서 보온 블록을 매회 교환하는 것은 경제적이지 않다. 또한, 각 배치의 열처리 후에 보온 블록에 고청정도화 처리(불산과 질산의 혼산액 등에 의한 에칭 처리)를 실시하여, 보온 블록으로부터 오염 금속을 제거하는 것도 생각되지만, 이하의 이유로 조업상 현실적이지 않다. 즉, 보온 블록은 비교적 두꺼운 블록이기 때문에, 이를 수용할 수 있도록 에칭조를 크게 제작하는 데에 비용이 드는 것이나, 두께가 크고 표면적이 큰 보온 블록을 에칭 처리하면, 에칭 중에 액온이 지나치게 오를 우려가 있는 것을, 이유로서 들 수 있다.
그래서, 본 발명자들은, 로심관의 중심축 방향에 있어서의 보온 블록의 양측으로, 고청정도의 더미 웨이퍼를 설치함으로써, 보온 블록으로부터 발생한 오염 금속을 포함하는 가스가, 보온 블록의 부근에 배치되는 실리콘 웨이퍼를 향하여 확산하는 것을 억제한다는 착상을 얻었다. 그리고, 여러 가지의 실험의 결과, 이러한 보온 블록의 양측에서의 더미 웨이퍼의 설치에 의해, 보온 블록의 부근에 배치되는 실리콘 웨이퍼의 금속 오염량의 증가를 억제할 수 있는 것이 확인되었다.
상기 인식에 기초하여 완성한 본 발명의 요지 구성은 이하와 같다.
[1] 횡방향의 중심축(X)을 갖는 원통 형상의 로심관(12)과, 상기 로심관(12)의 주위에 위치하여 상기 로심관(12)을 가열하는 히터(14)를 갖고, 상기 로심관(12)의 한쪽의 단부에는 덮개(12A)가 형성되고, 상기 로심관(12)의 다른 한쪽의 단부에는 가스 도입구(12B)가 형성되고, 상기 로심관(12)의 상기 덮개(12A)의 부근의 로벽에 가스 배기구(12C)가 형성된 횡형 열처리로(100)를 준비하고,
상기 로심관(12)의 상기 덮개(12A)에 가까운 쪽을 로구측(H)으로 하고, 상기 로심관(12)의 상기 가스 도입구(12B)에 가까운 쪽을 로안쪽측(S)으로 했을 때, 상기 덮개(12A)를 열어, 상기 로심관(12) 내에, 이하의 (A)∼(C)의 상태가 되도록 보트(16)를 배치하고,
(A) 상기 보트(16) 상에, 주면이 상기 로심관(12)의 중심축(X)에 직교하도록 복수매의 실리콘 웨이퍼가 나열되어, 웨이퍼군(WF)을 형성하고,
(B) 상기 보트(16) 상의, 상기 웨이퍼군(WF)보다도 로안쪽측(S)에, 상기 웨이퍼군(WF)과 이간하여, 상기 로심관(12)의 중심축(X)과 평행한 축을 갖는 원기둥 형상의 제1 보온 블록(18A)이 배치되고, 상기 웨이퍼군(WF)보다도 로구측(H)에, 상기 웨이퍼군(WF)과 이간하여, 상기 로심관(12)의 중심축(X)과 평행한 축을 갖는 원기둥 형상의 제2 보온 블록(18B)이 배치되고,
(C) 상기 보트(16) 상의, 상기 제1 보온 블록(18A)보다도 로안쪽측(S)에 제1 더미 웨이퍼(20A)가, 상기 제1 보온 블록(18A)과 상기 웨이퍼군(WF)의 사이에 제2 더미 웨이퍼(20B)가, 상기 제2 보온 블록(18B)과 상기 웨이퍼군(WF)의 사이에 제3 더미 웨이퍼(20C)가, 상기 제2 보온 블록(18B)보다도 로구측(H)에 제4 더미 웨이퍼(20D)가, 각각, 그의 주면이 상기 로심관(12)의 중심축(X)에 직교하도록 배치되고, 상기 제1 내지 제4 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)는, Fe의 농도가 1×1011atoms/㎤ 미만이고, Ni 및 Cu의 농도가 각각 5×1010atoms/㎤ 미만이고,
상기 덮개(12A)를 닫고,
상기 가스 도입구(12B)로부터 상기 로심관(12) 내에 가스를 도입하고, 상기 가스 배기구(12C)로부터 상기 가스를 배기하면서, 상기 히터(14)에 의해 상기 로심관(12)을 가열함으로써, 상기 복수매의 실리콘 웨이퍼에 열처리를 실시하는,
횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법.
[2] 상기 로심관(12)의 중심축(X)의 방향에 있어서의, 상기 제1 보온 블록(18A)과 상기 웨이퍼군(WF)의 거리 및, 상기 제2 보온 블록(18B)과 상기 웨이퍼군(WF)의 거리가, 5㎜ 이상인, 상기 [1]에 기재된 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법.
[3] 상기 로심관(12)의 중심축(X)의 방향에 있어서의, 상기 제1 보온 블록(18A)과 상기 제1 더미 웨이퍼(20A)의 거리, 상기 제1 보온 블록(18A)과 상기 제2 더미 웨이퍼(20B)의 거리, 상기 제2 보온 블록(18B)과 상기 제3 더미 웨이퍼(20C)의 거리 및, 상기 제2 보온 블록(18B)과 상기 제4 더미 웨이퍼(20D)의 거리가, 2㎜ 이하인, 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법.
[4] 상기 로심관(12)의 중심축(X)의 방향에 있어서의, 상기 제1 보온 블록(18A)과 상기 제1 더미 웨이퍼(20A)의 거리, 상기 제1 보온 블록(18A)과 상기 제2 더미 웨이퍼(20B)의 거리, 상기 제2 보온 블록(18B)과 상기 제3 더미 웨이퍼(20C)의 거리 및, 상기 제2 보온 블록(18B)과 상기 제4 더미 웨이퍼(20D)의 거리가, 0㎜인, 상기 [3]에 기재된 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법.
[5] 상기 제1 내지 제4 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)가 실리콘 웨이퍼인, 상기 [1]∼[4] 중 어느 한 항에 기재된 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법.
[6] 상기 제1 내지 제4 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)의 두께가 1∼5㎜의 범위 내인, 상기 [1]∼[5] 중 어느 한 항에 기재된 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법.
[7] 상기 제1 내지 제4 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)의 직경이, 상기 제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)의 직경과 동일한, 상기 [1]∼[6] 중 어느 한 항에 기재된 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법.
[8] 상기 제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)이, Fe, Ni 및, Cu의 농도 중 어느 하나가 1×1011atoms/㎤ 이상인 실리콘으로 이루어지는, 상기 [1]∼[7] 중 어느 한 항에 기재된 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법.
[9] 상기 제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)의 직경이, 상기 복수매의 실리콘 웨이퍼의 직경과 동일한, 상기 [1]∼[8] 중 어느 한 항에 기재된 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법.
[10] 상기 제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)의, 상기 로심관(12)의 중심축(X)을 따른 폭이, 40∼75㎜의 범위 내인, 상기 [1]∼[9] 중 어느 한 항에 기재된 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법.
[11] 상기 [1]∼[10] 중 어느 한 항에 기재된 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법을 포함하는, 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
본 발명의 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법에 의하면, 웨이퍼 설치 영역의 온도 균일화를 위해 설치하는 보온 블록의 부근에 배치되는 실리콘 웨이퍼의 금속 오염을 억제할 수 있다.
도 1은 비교예에 의한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법을 설명하기 위한, 횡형 열처리로(100)의 종단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 의한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법을 설명하기 위한, 횡형 열처리로(100)의 종단면도이다.
도 3의 (A)는, 보트(16)의 로 중심축(X)에 수직인 단면도이고, (B)는, 도 2의 I-I 단면도이다.
도 4는 비교예 1, 2 및 발명예 1∼4에 있어서의 열처리 후의 실리콘 웨이퍼의 Fe 오염량을 나타내는 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 의한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법을 설명하기 위한, 횡형 열처리로(100)의 종단면도이다.
도 3의 (A)는, 보트(16)의 로 중심축(X)에 수직인 단면도이고, (B)는, 도 2의 I-I 단면도이다.
도 4는 비교예 1, 2 및 발명예 1∼4에 있어서의 열처리 후의 실리콘 웨이퍼의 Fe 오염량을 나타내는 그래프이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
우선, 도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 실시 형태 및 비교예에 의한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법에 공통으로 이용되는 횡형 열처리로(100)의 구조에 대해서 설명한다. 횡형 열처리로(100)는, 로심관(12) 및 히터(14)를 갖는다.
로심관(12)은, 횡방향의 중심축(X)을 갖는 원통 형상의 관이다. 로심관(12)의 한쪽의 단부에는 덮개(12A)가 형성되고, 다른 한쪽의 단부에는 가스 도입구(12B)가 형성된다. 또한, 로심관(12)의 덮개(12A) 부근의 로벽에는, 가스 배기구(12C)가 형성되어 있다. 로심관(12)(관 본체)의 내경은, 일반적으로 160∼360㎜의 범위 내이다. 로심관(12)의 재질은, 석영, 탄화 규소(SiC) 등으로 이루어지는 것으로 할 수 있다.
히터(14)는, 로심관(12)의 주위에 위치하여, 로심관(12)을 가열한다. 히터(14)는, 로심관(12)의 중앙부에 배치되는 메인 히터와, 그의 양측으로 배치되는 2대의 보조 히터로 구성되어도 좋다.
도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 본 명세서에 있어서, 로심관(12)의 덮개(12A)에 가까운 쪽을 「로구측(爐口側)(H)」으로 하고, 로심관(12)의 가스 도입구(12B)에 가까운 쪽을 「로안쪽측(爐奧側)(S)」으로 표기한다.
또한, 도 1 및 도 2에는 나타내고 있지 않지만, 로심관(12)의 주위에, 횡방향의 중심축을 갖는 원통 형상으로 석영, 탄화 규소(SiC) 등으로 이루어지는 균열관을 배치하고, 균열관의 내부에 로심관(12)이 위치하도록 해도 좋다. 그 경우, 히터(14)는, 로심관(12) 및 균열관의 주위에 위치하고, 히터(14)에 의해 균열관 및 로심관(12)이 가열된다.
본 발명의 실시 형태에 의한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법에서는, 실리콘 웨이퍼에 열처리를 실시할 때에, 보트(16)에 복수매의 실리콘 웨이퍼를 나열하여 올려놓아 웨이퍼군을 형성하고, 로심관(12)의 덮개(12A)를 열어, 로심관(12)의 로구측(H)으로부터 보트(16)를 로심관(12) 내에 넣는다. 그 후, 로심관(12)의 덮개(12A)를 닫는다.
그 후, 가스 도입구(12B)로부터 로심관(12) 내에 가스를 도입하고, 가스 배기구(12C)로부터 당해 가스를 배기하면서, 히터(14)에 의해 로심관(12)을 가열함으로써, 복수매의 실리콘 웨이퍼(웨이퍼군(WF))에 열처리를 실시한다. 표층에 부착한 도펀트를 실리콘 웨이퍼의 내부에 확산시키는 드라이브인 공정을 행하는 경우, 로심관(12) 내에 도입되는 가스는, 미량의 산소(0.1∼2체적％)를 포함하고, 잔부가 Ar로 이루어지는 조성을 갖는다. 로심관(12)의 외부에 위치하는 펌프에 의해, 가스 배기구(12C)를 통하여 로심관(12) 내의 가스를 강제 흡인함으로써, 로심관(12) 내의 분위기 가스가 가스 배기구(12C)를 통하여 배출된다. 그 결과, 로심관(12) 내에는, 로안쪽측(S)으로부터 로구측(H)을 향하여 분위기 가스의 흐름이 생긴다. 드라이브인 공정의 경우, 로심관(12) 내의 분위기 온도는 1200∼1350℃의 범위로 할 수 있고, 이 범위의 온도로 10∼250시간 보존유지(保持)할 수 있다.
보트(16)는, 도 1 및 도 2에 더하여, 도 3(A)를 참조하여, 반원통형의 오목부로 이루어지는 포켓(16A)을 갖고, 여기에 복수매의 실리콘 웨이퍼가 수납된다. 보트(16)는, 그의 길이 방향이 로심관(12)의 중심축(X) 방향과 일치하도록 로심관(12) 내에 배치된다. 도 3(A)에 나타내는 바와 같이, 보트(16)의 길이 방향에 수직인 포켓(16A)의 단면 형상은, 수용하는 실리콘 웨이퍼의 반경과 동일한 곡률 반경을 갖는 반원 형상이고, 예를 들면 실리콘 웨이퍼의 직경이 150㎜인 경우에는, 당해 곡률 반경은 75㎜가 된다. 보트(16)의 재질은, 탄화 규소(SiC)로 이루어지는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 의한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법에서는, 로심관(12) 내에 보트(16)를 배치할 때에, 이하의 (A)∼(C)의 상태를 충족하도록 한다.
(A) 우선, 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 보트(16) 상에, 주면이 로심관(12)의 중심축(X)에 직교하도록, 동일 직경의 복수매의 실리콘 웨이퍼가 나열되어, 웨이퍼군(WF)을 형성한다. 복수매의 실리콘 웨이퍼의 나열 방법은, 각 웨이퍼가 쓰러지지 않도록 배치되는 한 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 1로트(예를 들면 50매)의 실리콘 웨이퍼를, 서로 인접하는 실리콘 웨이퍼의 주면끼리가 접하도록 나열할 수 있다. 도 1 및 도 2에서는, 4로트의 실리콘 웨이퍼를 배치하는 예를 나타내고 있다. 또한, 포켓(16A)의 길이 방향에 수직인 칸막이판(도시하지 않음)을 포켓(16A) 내에 등간격으로 형성함으로써, 각 로트의 실리콘 웨이퍼군(WF)이 쓰러지는 일 없이 포켓(16A) 내에 수납된다. 단, 이 나열 방법에 한정되는 일은 없고, 포켓(16A) 내에 수납하는 모든 실리콘 웨이퍼를, 서로 인접하는 실리콘 웨이퍼의 주면끼리가 접하도록 나열해도 좋다. 본 실시 형태에 있어서, 각 실리콘 웨이퍼의 하반분은 포켓(16A)에 접촉하여 지지되고, 상반분은 포켓(16A)의 상단보다도 상방에 위치하고, 즉 보트(16)보다도 상방에 위치한다. 단, 실리콘 웨이퍼가 포켓(16A)과 접촉하는 범위는, 각 웨이퍼의 직립이 저해되지 않는 한, 하반분에는 한정되지 않는다.
(B) 보트(16) 상의, 웨이퍼군(WF)보다도 로안쪽측(S)에, 웨이퍼군(WF)과 이간하여, 로심관(12)의 중심축(X)과 평행한 축을 갖는 원기둥 형상의 제1 보온 블록(18A)이 배치되고, 웨이퍼군(WF)보다도 로구측(H)에, 웨이퍼군(WF)과 이간하여, 로심관(12)의 중심축(X)과 평행한 축을 갖는 원기둥 형상의 제2 보온 블록(18B)이 배치된다. 이들 제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)이 없는 경우, 로심관(12) 내의 웨이퍼 설치 영역의 중심축(X) 방향 양단 부분에서 로 내 분위기 온도가 저하하여, 로심관(12) 내의 균열 길이가 짧아진다. 그 경우, 복수매의 실리콘 웨이퍼 중 양단 부분에 위치하는 실리콘 웨이퍼에서는, 불순물의 확산이 불충분해져 버린다. 이에 대하여, 제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)을 배치함으로써, 로심관(12) 내의 균열 길이를 길게 할 수 있어, 로심관(12) 내에서의 웨이퍼 설치 영역의 온도 균일화를 도모할 수 있다.
로심관(12) 내에서의 웨이퍼 설치 영역의 온도 균일화를 충분히 도모하는 관점에서, 제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)은, 실리콘으로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 동일한 관점에서, 제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)의 직경은, 웨이퍼군(WF)을 구성하는 복수매의 실리콘 웨이퍼의 직경과 동일한 것이 바람직하다. 예를 들면 실리콘 웨이퍼의 직경이 150㎜인 경우에는, 제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)의 직경도 150㎜인 것이 바람직하다. 본 실시 형태에서는, 도 3(B)에 나타내는 바와 같이, 제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)의 하반분은 포켓(16A)에 접촉하여 지지되고, 상반분은 포켓(16A)의 상단보다도 상방에 위치하고, 즉 보트(16)보다도 상방에 위치한다. 단, 제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)이 포켓(16A)과 접촉하는 범위는, 각 보온 블록의 직립이 저해되지 않는 한, 하반분에는 한정되지 않는다.
로심관(12) 내에서의 웨이퍼 설치 영역의 온도 균일화를 충분히 도모하는 관점에서, 제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)의, 로심관(12)의 중심축(X)을 따른 폭은, 40㎜ 이상인 것이 바람직하다. 다른 한편으로, 보온 블록이 지나치게 길면, 균열 길이 중에서 제품 처리의 영역이 적어지는 등 생산성이 나빠지기 때문에, 제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)의, 로심관(12)의 중심축(X)을 따른 폭은, 75㎜ 이하인 것이 바람직하다.
로심관(12)의 중심축(X)의 방향에 있어서의, 제1 보온 블록(18A)과 웨이퍼군(WF)의 거리(이간 거리) 및, 제2 보온 블록(18B)과 웨이퍼군(WF)의 거리(이간 거리)는, 5㎜ 이상인 것이 바람직하다. 당해 거리가 5㎜ 미만인 경우, 제품이 되는 웨이퍼군(WF)에 오염의 우려가 있기 때문이다. 또한, 당해 거리는 10㎜ 이하인 것이 바람직하다. 당해 거리가 10㎜ 초과인 경우, 제품이 되는 실리콘 웨이퍼의 설치수가 제한되어, 생산성이 저해되기 때문이다.
제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)에 관하여, 본 실시 형태에서는, 복수 배치의 열처리에 있어서, 교환이나 고청정도화 처리(불산과 질산의 혼산액 등에 의한 에칭 처리)를 하는 일 없이, 반복하여 동일한 보온 블록을 사용한다. 그 이유는, 이미 서술한 바와 같다. 그 경우, 보온 블록에는 로심관 등으로부터의 금속 오염이 서서히 축적된다고 생각된다. 제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)의 실리콘 중에 있어서, 적어도 Fe, Ni 및, Cu의 농도 중 어느 하나가 1×1011atoms/㎤ 이상이 되면, 혹은, 모든 전이 금속 원소의 농도가 각각 1×1011atoms/㎤ 이상이 되면, 보온 블록의 금속 오염이 우려된다.
이 경우, 도 1에 나타내는 비교예에 의한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법에서는, 복수 배치의 열처리에 있어서, 배치를 거침에 따라, 제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)으로부터 발생한 오염 금속을 포함하는 가스가, 보온 블록의 부근에 배치되는 실리콘 웨이퍼를 향하여 확산되어 공급되게 된다. 그 결과, 제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)의 부근에 배치되는 실리콘 웨이퍼도 금속 오염되어, 라이프타임값이 저하해 버린다. 소정값 이하의 라이프타임값의 실리콘 웨이퍼는 제품으로 할 수 없기 때문에, 제품 수율이 불충분해진다.
(C) 그래서, 본 발명에서는, 로심관(12)의 중심축(X) 방향에 있어서의 제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)의 양측으로, 고청정도의 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)를 설치하는 것이 중요하다.
그의 일 실시 형태를 도 2에 나타낸다. 도 2에 있어서, 보트(16) 상의, 제1 보온 블록(18A)보다도 로안쪽측(S)에 제1 더미 웨이퍼(20A)가, 제1 보온 블록(18A)과 웨이퍼군(WF)의 사이에 제2 더미 웨이퍼(20B)가, 제2 보온 블록(18B)과 웨이퍼군(WF)의 사이에 제3 더미 웨이퍼(20C)가, 제2 보온 블록(18B)보다도 로구측(H)에 제4 더미 웨이퍼(20D)가, 각각, 그의 주면이 로심관(12)의 중심축(X)에 직교하도록 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제1 보온 블록(18A)으로부터 발생하는 오염 금속을 포함하는 가스는, 제1 및 제2 더미 웨이퍼(20A, 20B)에 의해 차단되기 때문에, 웨이퍼군(WF)을 향하여 공급되기 어려워진다. 또한, 제2 보온 블록(18B)으로부터 발생하는 오염 금속을 포함하는 가스는, 제3 및 제4 더미 웨이퍼(20C, 20D)에 의해 차단되기 때문에, 웨이퍼군(WF)을 향하여 공급되기 어려워진다. 그 결과, 제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)의 부근에 배치되는 실리콘 웨이퍼의 금속 오염을 억제할 수 있다. 특히, 본 실시 형태에서는, 로심관(12)의 중심축(X) 방향에 있어서의 각 보온 블록(18A, 18B)의 양측으로, 더미 웨이퍼를 설치하는 것이 중요하다. 이에 따라, 각 보온 블록으로부터 발생하는 오염 금속을 포함하는 가스의 확산을 충분히 억제할 수 있다.
오염 금속을 포함하는 가스의 확산을 보다 충분히 억제하는 관점에서, 로심관(12)의 중심축(X)의 방향에 있어서의, 제1 보온 블록(18A)과 제1 더미 웨이퍼(20A)의 거리, 제1 보온 블록(18A)과 제2 더미 웨이퍼(20B)의 거리, 제2 보온 블록(18B)과 제3 더미 웨이퍼(20C)의 거리 및, 제2 보온 블록(18B)과 제4 더미 웨이퍼(20D)의 거리는, 2㎜ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 이들 거리는 「이간 거리」를 의미한다.
오염 금속을 포함하는 가스의 확산을 더욱 충분히 억제하는 관점에서, 이들 거리는 0㎜인 것, 즉, 제1 및 제2 더미 웨이퍼(20A, 20B)는 제1 보온 블록(18A)과 접촉하고 있는 것이 바람직하고, 제3 및 제4 더미 웨이퍼(20C, 20D)는 제2 보온 블록(18B)과 접촉하고 있는 것이 바람직하다.
또한, 제1 내지 제4 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)의 각각은, 1매의 더미 웨이퍼라도 좋고, 서로 간격을 두고 설치된 복수매(예를 들면 2∼3매)의 더미 웨이퍼라도 좋다. 제1 내지 제4 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)의 각각이 복수매의 더미 웨이퍼로 이루어지는 경우, 인접하는 더미 웨이퍼의 거리는 0∼2㎜의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.
로심관(12) 내에서의 웨이퍼 설치 영역의 온도 균일화를 저해하지 않는 관점에서, 제1 내지 제4 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)는, 실리콘 웨이퍼인 것이 바람직하다.
제1 내지 제4 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)의 두께는, 1∼5㎜의 범위 내인 것이 바람직하다. 1㎜ 미만인 경우, 더미 웨이퍼의 자립이 곤란해질 우려가 있고, 5㎜ 초과인 경우, 제품이 되는 실리콘 웨이퍼의 설치수가 제한되어, 생산성이 저해되기 때문이다.
제1 내지 제4 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)의 직경은, 제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)의 직경과 동일한 것이 바람직하다. 예를 들면, 제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)의 직경이 150㎜인 경우에는, 제1 내지 제4 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)의 직경도 150㎜인 것이 바람직하다. 본 실시 형태에서는, 도 3(B)에 나타내는 바와 같이, 각 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)의 하반분은 포켓(16A)에 접촉하여 지지되고, 상반분은 포켓(16A)의 상단보다도 상방에 위치하고, 즉 보트(16)보다도 상방에 위치한다. 단, 각 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)가 포켓(16A)과 접촉하는 범위는, 각 더미 웨이퍼의 직립이 저해되지 않는 한, 하반분에는 한정되지 않는다.
보온 블록(18A, 18B)의 부근에 배치되는 실리콘 웨이퍼의 금속 오염을 막는 관점에서, 제1 내지 제4 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)는, 고청정도일 필요가 있고, 구체적으로는, Fe의 농도가 1×1011atoms/㎤ 미만이고, Ni 및 Cu의 농도가 각각 5×1010atoms/㎤ 미만일 필요가 있고, 보다 바람직하게는 Fe, Ni 및 Cu의 농도가 각각 5×1010atoms/㎤ 미만이고, 더욱 바람직하게는 모든 전이 금속 원소의 농도가 각각 5×1010atoms/㎤ 미만이고, 가장 바람직하게는 모든 전이 금속 원소의 농도가 각각 1×1010atoms/㎤ 미만이다.
보온 블록 및 더미 웨이퍼 중의 전이 금속 원소의 농도는, 보온 블록 및 더미 웨이퍼의 표층부를 산 등으로 용해하여, 용해액에 포함되는 원소 농도를 ICP-MS 등으로 측정함으로써, 구할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 복수 배치의 열처리에 있어서, 제1 내지 제4 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)는 항상 고청정도일 필요가 있다. 그래서, 제1 내지 제4 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)는, 배치마다 고청정도의 더미 웨이퍼로 교환하거나, 배치마다 사용이 완료된 더미 웨이퍼에 전이 금속 원소를 제거하기 위한 고청정도화 처리를 실시한다. 구체적으로는, 불산과 질산의 혼산액 등에 의한 에칭 처리에 의해, 사용이 완료된 더미 웨이퍼로부터 전이 금속 원소를 제거한다. 이미 서술한 바와 같이, 제1 내지 제4 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)는, 제1 및 제2 보온 블록(18A, 18B)보다도 소(小) 사이즈이기 때문에, 고청정도화가 용이하다.
본 발명의 실시 형태에 의한 실리콘 웨이퍼의 제조 방법은, 상기의 본 발명의 실시 형태에 의한 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법을 포함하는 것을 특징으로 한다. 예를 들면, 일 실시 형태에 의한 실리콘 웨이퍼의 제조 방법은, 실리콘 웨이퍼 중에 인, 붕소 등의 도펀트를 열 확산하는 공정을 포함하고, 당해 공정은, 실리콘 웨이퍼의 표층에 도펀트를 부착시키는 공정(디포지션)과, 표층에 부착한 도펀트를 실리콘 웨이퍼의 내부에 확산시키는 공정(드라이브인)을 포함하고, 당해 드라이브인 공정에 있어서, 상기의 본 발명의 실시 형태에 의한 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법을 채용할 수 있다.
[실시예]
도 1에 나타내는 구조를 갖는 횡형 열처리로를 준비했다. SiC로 이루어지는 로심관의 내경은 220㎜이다. 또한, 도 3(A)에 나타내는 구조의 보트를 준비했다. 보트의 포켓은, 반경이 75㎜인 반원통형의 오목부이다. 표층에 인 유리를 부착시킨 직경 150㎜의 p형 실리콘 웨이퍼를 1로트(50매) 준비하고, 주면이 로심관의 중심축에 직교하도록, 또한, 서로 인접하는 실리콘 웨이퍼의 주면끼리가 접하도록, 보트 상에 올려놓아, 웨이퍼군을 형성했다.
보트 상의, 웨이퍼군보다도 로안쪽측(S)에, 웨이퍼군과 이간하여, 로심관의 중심축과 평행한 축을 갖는 원기둥 형상의 제1 보온 블록을 배치하고, 웨이퍼군보다도 로구측(H)에, 웨이퍼군과 이간하여, 로심관의 중심축과 평행한 축을 갖는 원기둥 형상의 제2 보온 블록을 배치했다. 각 보온 블록은, 직경 150㎜, 폭 40㎜의 원기둥 형상의 실리콘 블록이고, CZ법에 의해 제조한 단결정 실리콘 잉곳으로부터 잘라낸 것이다. 단, 각 보온 블록은, 이미 복수 배치의 열처리에 있어서 교환이나 세정을 하는 일 없이, 반복하여 사용된 것이다. 그 때문에, 동등의 조건으로 사용이 완료된 보온 블록에 대해서, 이미 서술한 방법으로 전이 금속 원소의 농도를 측정한 결과, Fe 농도는 2×1011atoms/㎤이고, Ni 농도는 1×1011atoms/㎤이고, Cu 농도는 5×1010atoms/㎤ 미만(Cu만 검출 하한값 미만)이었다.
도 2에 나타내는 제1 내지 제4 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)의 설치에 관하여, 이하와 같이 6개의 조건(비교예 1, 2 및 발명예 1∼4)을 채용했다. 제1 내지 제4 더미 웨이퍼는, CZ법에 의해 제조한 단결정 실리콘 잉곳으로부터 잘라낸, 직경 150㎜, 두께 1.2㎜의 실리콘 웨이퍼이고, 이에 대하여 이미 서술한 고청정도화 처리를 행한 것이다. 그 때문에, 각 더미 웨이퍼에 대해서, 이미 서술한 방법으로 전이 금속 원소의 농도를 측정한 결과, Fe 농도는 1×1011atoms/㎤ 미만, Ni 농도 및 Cu 농도는 각각 5×1010atoms/㎤ 미만으로, 각각이 측정의 검출 하한값 미만이었다.
(비교예 1)
제1 내지 제4 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)는, 설치하지 않았다. 제1 보온 블록(18A)과 웨이퍼군(WF)의 거리 및, 제2 보온 블록(18B)과 웨이퍼군(WF)의 거리는, 모두 4.2㎜로 했다.
(비교예 2)
제1 및 제4 더미 웨이퍼(20A, 20D)는 설치하지 않고, 제2 및 제3 더미 웨이퍼(20B, 20C)만을, 각 1매 설치했다. 제2 더미 웨이퍼(20B)와 제1 보온 블록(18A)의 거리 및, 제3 더미 웨이퍼(20C)와 제2 보온 블록(18B)의 거리는, 0.1㎜로 했다. 제2 더미 웨이퍼(20B)와 웨이퍼군(WF)의 거리 및, 제3 더미 웨이퍼(20C)와 웨이퍼군(WF)의 거리는, 모두 4.2㎜로 했다. 따라서, 제1 보온 블록(18A)과 웨이퍼군(WF)의 거리 및, 제2 보온 블록(18B)과 웨이퍼군(WF)의 거리는, 0.1＋1.2＋4.2＝5.5㎜이다.
(발명예 1)
제1 내지 제4 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)를, 각 1매 설치했다. 제1 및 제2 더미 웨이퍼(20A, 20B)와 제1 보온 블록(18A)의 거리 및, 제3 및 제4 더미 웨이퍼(20C, 20D)와 제2 보온 블록(18B)의 거리는, 0.1㎜로 했다. 제2 더미 웨이퍼(20B)와 웨이퍼군(WF)의 거리 및, 제3 더미 웨이퍼(20C)와 웨이퍼군(WF)의 거리는, 모두 4.2㎜로 했다. 따라서, 제1 보온 블록(18A)과 웨이퍼군(WF)의 거리 및, 제2 보온 블록(18B)과 웨이퍼군(WF)의 거리는, 0.1＋1.2＋4.2＝5.5㎜이다.
(발명예 2)
제1 내지 제4 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)를, 각 2매 설치했다. 제1 보온 블록(18A)에 가장 가까운 제1 및 제2 더미 웨이퍼(20A, 20B)와 제1 보온 블록(18A)의 거리 및, 제2 보온 블록(18B)에 가장 가까운 제3 및 제4 더미 웨이퍼(20C, 20D)와 제2 보온 블록(18B)의 거리는, 0.1㎜로 했다. 인접하는 더미 웨이퍼 간의 거리도, 0.1㎜로 했다. 웨이퍼군에 가장 가까운 제2 더미 웨이퍼(20B)와 웨이퍼군(WF)의 거리 및, 웨이퍼군(WF)에 가장 가까운 제3 더미 웨이퍼(20C)와 웨이퍼군(WF)의 거리는, 모두 4.2㎜로 했다. 따라서, 제1 보온 블록(18A)과 웨이퍼군(WF)의 거리 및, 제2 보온 블록(18B)과 웨이퍼군(WF)의 거리는, (0.1＋1.2)×2＋4.2＝6.8㎜이다.
(발명예 3)
제1 내지 제4 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)를, 각 3매 설치했다. 제1 보온 블록(18A)에 가장 가까운 제1 및 제2 더미 웨이퍼(20A, 20B)와 제1 보온 블록(18A)의 거리 및, 제2 보온 블록(18B)에 가장 가까운 제3 및 제4 더미 웨이퍼(20C, 20D)와 제2 보온 블록(18B)의 거리는, 0.1㎜로 했다. 인접하는 더미 웨이퍼 간의 거리도, 0.1㎜로 했다. 웨이퍼군에 가장 가까운 제2 더미 웨이퍼(20B)와 웨이퍼군(WF)의 거리 및, 웨이퍼군(WF)에 가장 가까운 제3 더미 웨이퍼(20C)와 웨이퍼군(WF)의 거리는, 모두 4.2㎜로 했다. 따라서, 제1 보온 블록(18A)과 웨이퍼군(WF)의 거리 및, 제2 보온 블록(18B)과 웨이퍼군(WF)의 거리는, (0.1＋1.2)×3＋4.2＝8.1㎜이다.
(발명예 4)
제1 내지 제4 더미 웨이퍼(20A, 20B, 20C, 20D)를, 각 3매 설치했다. 제1 보온 블록(18A)에 가장 가까운 제1 및 제2 더미 웨이퍼(20A, 20B)와 제1 보온 블록(18A)의 거리 및, 제2 보온 블록(18B)에 가장 가까운 제3 및 제4 더미 웨이퍼(20C, 20D)와 제2 보온 블록(18B)의 거리는, 0㎜로 했다. 인접하는 더미 웨이퍼 간의 거리는, 0.1㎜로 했다. 웨이퍼군에 가장 가까운 제2 더미 웨이퍼(20B)와 웨이퍼군(WF)의 거리 및, 웨이퍼군(WF)에 가장 가까운 제3 더미 웨이퍼(20C)와 웨이퍼군(WF)의 거리는, 모두 4.2㎜로 했다. 따라서, 제1 보온 블록(18A)과 웨이퍼군(WF)의 거리 및, 제2 보온 블록(18B)과 웨이퍼군(WF)의 거리는, (0.1＋1.2)×3－0.1＋4.2＝8.0㎜이다.
비교예 1, 2 및 발명예 1∼4에 있어서, 보트를 로심관 내에 넣어, 드라이브인 공정의 열처리를 행했다. 로심관 내에 도입하는 가스는, 산소 0.5체적％를 포함하고, 잔부가 Ar로 이루어지는 조성으로 했다. 균열관 내의 분위기 온도는 1300℃로 하고, 이 온도로 230시간 보존유지했다.
[금속 오염량의 측정]
열처리의 후, 모든 실리콘 웨이퍼 중 가장 로안쪽측의 실리콘 웨이퍼 및 가장 로구측의 실리콘 웨이퍼를 「모니터 웨이퍼」로 하고, 이들 모니터 웨이퍼의 Fe 농도를 SPV(Surface Photo-Voltage)법에 의해 측정했다. 결과를 도 1에 나타냈다.
도 1로부터 분명한 바와 같이, 발명예 1∼4에서는 비교예 1, 2보다도 Fe 오염량이 충분히 낮게 억제되어 있었다.
본 발명의 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법은, 실리콘 웨이퍼의 표층으로부터 내부로의 인, 붕소 등의 도펀트의 확산 열처리에 적합하게 적용할 수 있다.
100 : 횡형 열처리로
12 : 로심관
12A : 덮개
12B : 가스 도입구
12C : 가스 배기구
14 : 히터
16 : 보트
16A : 포켓
18S : 제1 보온 블록
18H : 제2 보온 블록
20A : 제1 더미 웨이퍼
20B : 제2 더미 웨이퍼
20C : 제3 더미 웨이퍼
20D : 제4 더미 웨이퍼
S : 로안쪽측(가스 유입측)
H : 로구측(가스 유출측)
WF : 웨이퍼군(복수매의 실리콘 웨이퍼)
X : 로심관의 중심축
12 : 로심관
12A : 덮개
12B : 가스 도입구
12C : 가스 배기구
14 : 히터
16 : 보트
16A : 포켓
18S : 제1 보온 블록
18H : 제2 보온 블록
20A : 제1 더미 웨이퍼
20B : 제2 더미 웨이퍼
20C : 제3 더미 웨이퍼
20D : 제4 더미 웨이퍼
S : 로안쪽측(가스 유입측)
H : 로구측(가스 유출측)
WF : 웨이퍼군(복수매의 실리콘 웨이퍼)
X : 로심관의 중심축
Claims (11)
- 횡방향의 중심축을 갖는 원통 형상의 로심관(爐芯菅)과, 상기 로심관의 주위에 위치하여 상기 로심관을 가열하는 히터를 갖고, 상기 로심관의 한쪽의 단부에는 덮개가 형성되고, 상기 로심관의 다른 한쪽의 단부에는 가스 도입구가 형성되고, 상기 로심관의 상기 덮개의 부근의 로벽에 가스 배기구가 형성된 횡형 열처리로를 준비하고,
상기 로심관의 상기 덮개에 가까운 쪽을 로구측(爐口側)으로 하고, 상기 로심관의 상기 가스 도입구에 가까운 쪽을 로안쪽측(爐奧側)으로 했을 때, 상기 덮개를 열어, 상기 로심관 내에, 이하의 (A)∼(C)의 상태가 되도록 보트를 배치하고,
(A) 상기 보트 상에, 주면(主面)이 상기 로심관의 중심축에 직교하도록 복수매의 실리콘 웨이퍼가 나열되어, 웨이퍼군을 형성하고,
(B) 상기 보트 상의, 상기 웨이퍼군보다도 로안쪽측에, 상기 웨이퍼군과 이간하여, 상기 로심관의 중심축과 평행한 축을 갖는 원기둥 형상의 제1 보온 블록이 배치되고, 상기 웨이퍼군보다도 로구측에, 상기 웨이퍼군과 이간하여, 상기 로심관의 중심축과 평행한 축을 갖는 원기둥 형상의 제2 보온 블록이 배치되고,
(C) 상기 보트 상의, 상기 제1 보온 블록보다도 로안쪽측에 제1 더미 웨이퍼가, 상기 제1 보온 블록과 상기 웨이퍼군의 사이에 제2 더미 웨이퍼가, 상기 제2 보온 블록과 상기 웨이퍼군의 사이에 제3 더미 웨이퍼가, 상기 제2 보온 블록보다도 로구측에 제4 더미 웨이퍼가, 각각, 그의 주면이 상기 로심관의 중심축에 직교하도록 배치되고, 상기 제1 내지 제4 더미 웨이퍼는, Fe의 농도가 1×1011atoms/㎤ 미만이고, Ni 및 Cu의 농도가 각각 5×1010atoms/㎤ 미만이고,
상기 덮개를 닫고,
상기 가스 도입구로부터 상기 로심관 내에 가스를 도입하고, 상기 가스 배기구로부터 상기 가스를 배기하면서, 상기 히터에 의해 상기 로심관을 가열함으로써, 상기 복수매의 실리콘 웨이퍼에 열처리를 실시하는,
횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법. - 제1항에 있어서,
상기 로심관의 중심축의 방향에 있어서의, 상기 제1 보온 블록과 상기 웨이퍼군의 거리 및, 상기 제2 보온 블록과 상기 웨이퍼군의 거리가, 5㎜ 이상인, 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 로심관의 중심축의 방향에 있어서의, 상기 제1 보온 블록과 상기 제1 더미 웨이퍼의 거리, 상기 제1 보온 블록과 상기 제2 더미 웨이퍼의 거리, 상기 제2 보온 블록과 상기 제3 더미 웨이퍼의 거리 및, 상기 제2 보온 블록과 상기 제4 더미 웨이퍼의 거리가, 2㎜ 이하인, 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법. - 제3항에 있어서,
상기 로심관의 중심축의 방향에 있어서의, 상기 제1 보온 블록과 상기 제1 더미 웨이퍼의 거리, 상기 제1 보온 블록과 상기 제2 더미 웨이퍼의 거리, 상기 제2 보온 블록과 상기 제3 더미 웨이퍼의 거리 및, 상기 제2 보온 블록과 상기 제4 더미 웨이퍼의 거리가, 0㎜인, 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 더미 웨이퍼가 실리콘 웨이퍼인, 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 더미 웨이퍼의 두께가 1∼5㎜의 범위 내인, 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 더미 웨이퍼의 직경이, 상기 제1 및 제2 보온 블록의 직경과 동일한, 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 및 제2 보온 블록이, Fe, Ni 및, Cu의 농도 중 어느 하나가 1×1011atoms/㎤ 이상인 실리콘으로 이루어지는, 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 및 제2 보온 블록의 직경이, 상기 복수매의 실리콘 웨이퍼의 직경과 동일한, 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 및 제2 보온 블록의, 상기 로심관의 중심축을 따른 폭이, 40∼75㎜의 범위 내인, 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법. - 제1항 또는 제2항에 기재된 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법을 포함하는, 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
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