KR102499025B1 - 접합용 금속 페이스트, 접합체 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents

접합용 금속 페이스트, 접합체 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치 및 그의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102499025B1
KR102499025B1 KR1020197022341A KR20197022341A KR102499025B1 KR 102499025 B1 KR102499025 B1 KR 102499025B1 KR 1020197022341 A KR1020197022341 A KR 1020197022341A KR 20197022341 A KR20197022341 A KR 20197022341A KR 102499025 B1 KR102499025 B1 KR 102499025B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bonding
metal paste
metal
mass
particles
Prior art date
Application number
KR1020197022341A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190126297A (ko
Inventor
유키 가와나
히데오 나카코
모토히로 네기시
다이 이시카와
치에 스가마
요시노리 에지리
Original Assignee
쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 filed Critical 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤
Publication of KR20190126297A publication Critical patent/KR20190126297A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102499025B1 publication Critical patent/KR102499025B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
    • B22F7/062—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools involving the connection or repairing of preformed parts
    • B22F7/064—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools involving the connection or repairing of preformed parts using an intermediate powder layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/052—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles characterised by a mixture of particles of different sizes or by the particle size distribution
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/06—Metallic powder characterised by the shape of the particles
    • B22F1/068—Flake-like particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/10—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/10—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
    • B22F1/107—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material containing organic material comprising solvents, e.g. for slip casting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
    • B22F7/062—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools involving the connection or repairing of preformed parts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/02—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
    • B23K35/0222—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape for use in soldering, brazing
    • B23K35/0244—Powders, particles or spheres; Preforms made therefrom
    • B23K35/025—Pastes, creams, slurries
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/30—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
    • B23K35/302—Cu as the principal constituent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/36—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
    • B23K35/3612—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest with organic compounds as principal constituents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J1/00—Adhesives based on inorganic constituents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/492—Bases or plates or solder therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
    • H01L24/92—Specific sequence of method steps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2301/00—Metallic composition of the powder or its coating
    • B22F2301/10—Copper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2301/00—Metallic composition of the powder or its coating
    • B22F2301/25—Noble metals, i.e. Ag Au, Ir, Os, Pd, Pt, Rh, Ru
    • B22F2301/255—Silver or gold
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2301/00—Metallic composition of the powder or its coating
    • B22F2301/30—Low melting point metals, i.e. Zn, Pb, Sn, Cd, In, Ga
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03—Manufacturing methods
    • H01L2224/034—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bonding area
    • H01L2224/03444—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bonding area in gaseous form
    • H01L2224/0345—Physical vapour deposition [PVD], e.g. evaporation, or sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04026—Bonding areas specifically adapted for layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05073—Single internal layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05099—Material
    • H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/05166—Titanium [Ti] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05601—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/05611—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05601—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/05616—Lead [Pb] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05618—Zinc [Zn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05639—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05644—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05647—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05649—Manganese [Mn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05655—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05657—Cobalt [Co] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/0566—Iron [Fe] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05663—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/05664—Palladium [Pd] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05663—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/05666—Titanium [Ti] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05663—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/05669—Platinum [Pt] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05663—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/05671—Chromium [Cr] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05663—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/0568—Molybdenum [Mo] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/273—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2731—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in liquid form
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/273—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2731—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in liquid form
    • H01L2224/27312—Continuous flow, e.g. using a microsyringe, a pump, a nozzle or extrusion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/273—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2731—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in liquid form
    • H01L2224/2732—Screen printing, i.e. using a stencil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2741—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector in liquid form
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2741—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector in liquid form
    • H01L2224/27416—Spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2741—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector in liquid form
    • H01L2224/27418—Spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2741—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector in liquid form
    • H01L2224/27422—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector in liquid form by dipping, e.g. in a solder bath
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2746—Plating
    • H01L2224/27462—Electroplating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/278—Post-treatment of the layer connector
    • H01L2224/27848—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29116—Lead [Pb] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/292—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29201—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29211—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/292—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29201—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29216—Lead [Pb] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/292—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29217—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/29218—Zinc [Zn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/292—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29217—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/29224—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/292—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29238—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29239—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/292—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29238—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29244—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/292—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29238—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29247—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/292—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29238—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29249—Manganese [Mn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/292—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29238—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29255—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/292—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29238—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29257—Cobalt [Co] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/292—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29238—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/2926—Iron [Fe] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/292—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29263—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29264—Palladium [Pd] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/292—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29263—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29266—Titanium [Ti] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/292—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29263—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29269—Platinum [Pt] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/292—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29263—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29271—Chromium [Cr] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/292—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29263—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/2928—Molybdenum [Mo] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/29294—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a liquid not provided for in groups H01L2224/292 - H01L2224/29291
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29317—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/29318—Zinc [Zn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/2939—Base material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H01L2224/29391—The principal constituent being an elastomer, e.g. silicones, isoprene, neoprene
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/29493—Coating material with a principal constituent of the material being a solid not provided for in groups H01L2224/294 - H01L2224/29491, e.g. allotropes of carbon, fullerene, graphite, carbon-nanotubes, diamond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/3226—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/37111—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/37116—Lead [Pb] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/37118—Zinc [Zn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/37124—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/37139—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/37144—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/37147—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/37149—Manganese [Mn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/37155—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/37157—Cobalt [Co] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/3716—Iron [Fe] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/37164—Palladium [Pd] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/37166—Titanium [Ti] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/37169—Platinum [Pt] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/37171—Chromium [Cr] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/3718—Molybdenum [Mo] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/4005—Shape
    • H01L2224/4009—Loop shape
    • H01L2224/40095—Kinked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/404—Connecting portions
    • H01L2224/40475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas
    • H01L2224/40491—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas being an additional member attached to the bonding area through an adhesive or solder, e.g. buffer pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/404—Connecting portions
    • H01L2224/40475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas
    • H01L2224/40499—Material of the auxiliary connecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73221—Strap and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75261—Laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75283—Means for applying energy, e.g. heating means by infrared heating, e.g. infrared heating lamp
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83053—Bonding environment
    • H01L2224/83054—Composition of the atmosphere
    • H01L2224/83065—Composition of the atmosphere being reducing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83053—Bonding environment
    • H01L2224/83054—Composition of the atmosphere
    • H01L2224/83075—Composition of the atmosphere being inert
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83053—Bonding environment
    • H01L2224/8309—Vacuum
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H01L2224/8322—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H01L2224/8322—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
    • H01L2224/8323—Polychromatic or infrared lamp heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83401—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/83411—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83401—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/83416—Lead [Pb] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83417—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/83418—Zinc [Zn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83417—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/83424—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/83439—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/83444—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/83447—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/83449—Manganese [Mn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/83455—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/83457—Cobalt [Co] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/8346—Iron [Fe] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/83464—Palladium [Pd] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/83466—Titanium [Ti] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/83469—Platinum [Pt] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/83471—Chromium [Cr] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/8348—Molybdenum [Mo] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8384—Sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84401—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/84411—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84401—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/84416—Lead [Pb] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84417—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/84418—Zinc [Zn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84417—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/84424—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/84439—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/84444—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/84447—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/84449—Manganese [Mn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/84455—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/84457—Cobalt [Co] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/8446—Iron [Fe] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/84464—Palladium [Pd] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/84466—Titanium [Ti] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/84469—Platinum [Pt] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/84471—Chromium [Cr] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/8448—Molybdenum [Mo] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/8484—Sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9221—Parallel connecting processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/03—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01022—Titanium [Ti]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01025—Manganese [Mn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01026—Iron [Fe]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3512—Cracking

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)

Abstract

본 발명은, 금속 입자와, 탄소수 1∼20의 직쇄형 또는 분지형의 1가 지방족 알코올을 함유하고, 금속 입자는, 체적 평균 입경이 0.12∼0.8 ㎛인 서브마이크로 구리 입자를 포함하는, 접합용 금속 페이스트를 제공한다.

Description

접합용 금속 페이스트, 접합체 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치 및 그의 제조 방법
본 발명은 접합용 금속 페이스트, 접합체 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 장치를 제조할 때, 반도체 소자와 리드 프레임 등(지지 부재)을 접합시키기 위해서, 여러 가지 접합재가 이용되고 있다. 반도체 장치 중에서도, 150℃ 이상의 고온에서 동작시키는 파워 반도체, LSI 등의 접합에는, 접합재로서 고융점 납 땜납이 이용되어 왔다. 최근, 반도체 소자의 고용량화 및 스페이스 절약화에 의해 동작 온도가 고융점 납 땜납의 융점 근처까지 상승하고 있어, 접속 신뢰성을 확보하는 것이 어려워지고 있다. 한편, RoHS 규제 강화에 따라, 납을 함유하지 않는 접합재가 요구되고 있다.
지금까지도, 납 땜납 이외의 재료를 이용한 반도체 소자의 접합이 검토되고 있다. 예컨대, 하기 특허문헌 1에는, 은 나노 입자를 저온 소결시켜, 소결 은층을 형성하는 기술이 제안되어 있다. 이러한 소결 은은 파워 사이클에 대한 접속 신뢰성이 높은 것이 알려져 있다(비특허문헌 1 참조.).
또한 다른 재료로서, 구리 입자를 소결시켜, 소결 구리층을 형성하는 기술도 제안되어 있다. 예컨대, 하기 특허문헌 2에는, 반도체 소자와 전극을 접합하기 위한 접합재로서, 산화제2구리 입자 및 환원제를 포함하는 접합용 페이스트가 개시되어 있다. 또한, 하기 특허문헌 3에는, 구리 나노 입자와, 구리 마이크로 입자 혹은 구리 서브마이크로 입자, 혹은 이들 양쪽을 포함하는 접합재가 개시되어 있다.
그런데, 반도체 소자와 지지 부재 사이의 잔류 열응력이 큰 경우에는, 반도체 소자에의 열 변형에 의한 특성 변화, 및 반도체 소자, 접합재 및 지지 부재에의 크랙 등의 손상이 발생한다. 그 때문에, 반도체 소자와 지지 부재 사이의 잔류 열응력은 수율의 저하 및 장기 신뢰성의 저하의 원인이 될 수 있다. 한편, 일반적으로, 반도체 소자와 지지 부재를 접합시킬 때의 온도(접합 온도)는 낮으면 낮을수록, 반도체 소자와 지지 부재 사이의 잔류 열응력을 저감할 수 있다. 또한, 접합 온도가 낮은 경우에는, 제조에 드는 에너지의 저감이 가능해진다. 그 때문에, 반도체 소자와 지지 부재와의 접합 온도는 낮으면 낮을수록 바람직하다. 특히, 250℃ 이하의 접합 온도이면, 지지 부재로서 유리 에폭시 기판과 같은 유기 기판을 적용하는 것이 가능해지고, 로직, 센서, 수동 부품 등에의 응용이 가능해진다.
접합 온도를 저감하는 방법으로서는, 땜납에 저융점의 합금을 이용하는 방법(특허문헌 4 참조.), 땜납의 용융 후에 땜납에 이종 금속을 확산하여 합금화시켜 융점을 상승시키는 방법(특허문헌 5 참조.) 등이 보고되어 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 제4928639호 특허문헌 2: 일본 특허 제5006081호 특허문헌 3: 일본 특허 공개 제2014-167145호 공보 특허문헌 4: 일본 특허 제6060199호 특허문헌 5: 일본 특허 제3736797호
비특허문헌 1: R. Khazaka, L. Mendizabal, D. Henry: J. ElecTron. Mater, 43(7), 2014, 2459-2466
그러나, 특허문헌 4의 방법에서는, 땜납의 융점과 디바이스의 사용 온도가 가까운 경우에는, 사용 온도에서 땜납이 연해져, 접속 신뢰성이 저하된다. 또한, 접합 공정 이후의 공정에 땜납의 융점 이상에서 가열하는 공정이 포함되는 경우에는, 가열에 의해 땜납이 재용융되기 때문에 불량의 원인이 된다. 또한, 특허문헌 5의 방법은, 접합 시에 생성되는 금속간 화합물이 약하기 때문에, 충분한 접합 강도가 얻어지지 않고, 사이클 신뢰성이 뒤떨어지는 것, 및 열전도율이 낮은 것이 과제로 되어 있다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 250℃ 이하의 저온에서 접합할 수 있고, 충분한 접합 강도를 갖는 접합체를 얻을 수 있는 접합용 금속 페이스트, 상기 접합용 금속 페이스트의 소결체를 구비하는 접합체 및 그의 제조 방법, 및 상기 접합용 금속 페이스트의 소결체를 구비하는 반도체 장치 및 그의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 종래 알려져 있던, 구리 입자의 소결 현상을 이용한 소결 구리 다이본드재에 주목하여 검토를 행하였다. 종래의 소결 구리 다이본드재는, 열전도성 및 사이클 피로 내성이 우수하고, 저렴한 특별 장점을 갖지만, 소결 구리 다이본드재의 접합에는 280℃ 이상의 고온을 필요로 하고 있어, 종래의 소결 구리 다이본드재를 이용한 경우, 접합 온도(소결 온도)를 250℃ 이하로 하는 것은 곤란하였다. 그러나, 본 발명자들은, 예의 검토의 결과, 구리 입자를 포함하는 접합용 금속 페이스트에 있어서, 특정한 체적 평균 입경을 갖는 구리 입자 및 특정한 알코올을 이용함으로써, 저온에서의 접합이 가능해지며, 충분한 접합 강도를 갖는 접합체가 얻어지는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명의 일측면에 따른 접합용 금속 페이스트는, 금속 입자와, 탄소수 1∼20의 직쇄형 또는 분지형의 1가 지방족 알코올을 함유한다. 이 접합용 금속 페이스트에 있어서, 금속 입자는, 체적 평균 입경이 0.12∼0.8 ㎛인 서브마이크로 구리 입자를 포함한다. 이 접합용 금속 페이스트에 의하면, 250℃ 이하의 저온에서 접합할 수 있고, 충분한 접합 강도의 접합체를 얻을 수 있다. 또한, 이 접합용 금속 페이스트에 의하면, 무가압에서의 접합(무가압 접합)이 가능하고, 무가압 접합이어도 충분한 접합 강도를 갖는 접합체를 얻을 수 있다.
일양태에 있어서, 상기 1가 지방족 알코올의 함유량은, 금속 입자 100 질량부에 대해, 0.3∼1.8 질량부여도 좋다. 이 양태에서는, 접합 온도를 더욱 저감하고, 보다 충분한 접합 강도가 얻어지며, 금속 입자가 응집하는 것에 의한 접합용 금속 페이스트의 점도의 경시적인 상승, 금속 입자의 분리 및 침강을 방지할 수 있다.
일양태에 있어서, 상기 금속 입자는, 최대 직경이 2∼50 ㎛이고, 애스펙트비가 3.0 이상인 플레이크형의 마이크로 구리 입자를 더 포함한다. 이 양태에 있어서, 서브마이크로 구리 입자의 함유량은, 금속 입자의 전체 질량을 기준으로 하여, 30∼90 질량%이고, 마이크로 구리 입자의 함유량은, 금속 입자의 전체 질량을 기준으로 하여, 10∼70 질량%이다. 이 양태에서는, 접합용 금속 페이스트를 소결했을 때의 체적 수축을 충분히 저감할 수 있고, 접합용 금속 페이스트를 소결시켜 제조되는 접합체의 접합 강도를 확보하는 것이 용이해지며, 접합용 금속 페이스트를 반도체 소자의 접합에 이용하는 경우에는 반도체 장치가 보다 양호한 다이 시어(shear) 강도 및 접속 신뢰성을 나타내는 경향이 있다.
일양태에 있어서, 상기 금속 입자는, 아연 및 은으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속 입자를, 금속 입자의 전체 질량을 기준으로 하여, 0.01∼10 질량%의 양으로 더 포함한다. 이 양태에서는, 피착체가 금 또는 은인 경우에 접합력이 향상된다.
일양태에 있어서, 상기 접합용 금속 페이스트는, 용제 성분을, 접합용 금속 페이스트의 전체 질량을 기준으로 하여, 2∼50 질량%로 함유한다. 이 양태에서는, 접합용 금속 페이스트를 보다 적절한 점도로 조정할 수 있고, 또한, 구리 입자의 소결이 저해되기 어렵다.
일양태에 있어서, 상기 용제 성분은 300℃ 이상의 비점을 갖는 용제 성분을 포함한다. 이 양태에 있어서, 300℃ 이상의 비점을 갖는 용제 성분의 함유량은, 접합용 금속 페이스트의 전체 질량을 기준으로 하여, 2∼50 질량%이다. 이 양태에서는, 소결 개시 직전까지 접합용 금속 페이스트에 가소성과 밀착성이 부여되어, 무가압에서의 접합이 용이해진다.
일양태에 있어서, 상기 300℃ 이상의 비점을 갖는 용제 성분은, 이소보르닐시클로헥산올, 트리부티린, 스테아르산부틸 및 옥탄산옥틸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함한다. 이 양태에서는, 무가압에서의 접합이 한층 용이해진다.
일양태에 있어서, 상기 접합용 금속 페이스트는, 탄소수 10 이상의 카르복실산을 더 함유한다. 이 양태에 있어서, 탄소수 10 이상의 카르복실산의 함유량은, 금속 입자 100 질량부에 대해, 0.07∼2.10 질량부이다. 이 양태에서는, 본 발명의 효과가 현저해진다.
본 발명의 일측면에 따른 접합체의 제조 방법은, 제1 부재, 상기 접합용 금속 페이스트, 및 제2 부재가 이 순서로 적층되어 있는 적층체를 준비하고, 상기 접합용 금속 페이스트를, 제1 부재의 자중(自重)을 받은 상태, 또는 제1 부재의 자중 및 0.01 ㎫ 이하의 압력을 받은 상태에서, 250℃ 이하에서 소결하는 공정을 구비한다. 이 제조 방법에 의하면, 상기 접합용 금속 페이스트를 이용함으로써, 충분한 접합 강도의 접합체를 얻을 수 있다. 또한, 부재 사이의 잔류 열응력을 저감할 수 있기 때문에, 부재에의 크랙 등의 손상의 발생을 방지할 수 있고, 열 변형 저감에 의한 수율 향상 효과가 얻어진다. 또한, 접합 공정의 저에너지화를 도모할 수도 있다.
본 발명의 일측면에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 제1 부재, 상기 접합용 금속 페이스트, 및 제2 부재가 이 순서로 적층되어 있는 적층체를 준비하고, 상기 접합용 금속 페이스트를, 제1 부재의 자중을 받은 상태, 또는 제1 부재의 자중 및 0.01 ㎫ 이하의 압력을 받은 상태에서, 250℃ 이하에서 소결하는 공정을 구비한다. 이 방법에서는, 제1 부재 및 제2 부재 중 적어도 한쪽이 반도체 소자이다. 이 제조 방법에 의하면, 상기 접합용 금속 페이스트를 이용함으로써, 충분한 접합 강도의 반도체 장치를 얻을 수 있다. 또한, 부재 사이의 잔류 열응력을 저감할 수 있기 때문에, 반도체에의 열 변형에 의한 특성 변화, 부재에의 크랙 등의 손상의 발생을 방지할 수 있고, 열 변형 저감에 의한 수율 향상 효과가 얻어진다. 또한, 접합 공정의 저에너지화를 도모할 수 있고, 이 제조 방법에 의해 제조되는 반도체 장치는 접속 신뢰성이 우수한 것이 될 수 있다.
본 발명의 일측면에 따른 접합체는, 제1 부재와, 제2 부재와, 제1 부재와 제2 부재를 접합하는 상기 접합용 금속 페이스트의 소결체를 구비한다. 이 접합체는, 제1 부재 및 제2 부재가 충분한 접합력을 갖는 상기 접합용 금속 페이스트의 소결체를 통해 접합되어 있다. 또한, 이 접합체는, 열전도율이 우수한 구리를 포함하는 접합용 금속 페이스트의 소결체를 구비함으로써, 부재의 방열성이 우수한 것이 될 수 있다.
일양태에 있어서, 제1 부재 및 제2 부재 중 적어도 한쪽은, 소결체와 접하는 면에, 구리, 니켈, 은, 금 및 팔라듐으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속을 포함한다. 이 양태에서는, 제1 부재 및 제2 부재 중 적어도 한쪽과, 소결체의 접착성을 더욱 높일 수 있다.
본 발명의 일측면에 따른 반도체 장치는, 제1 부재와, 제2 부재와, 제1 부재와 제2 부재를 접합하는 상기 접합용 금속 페이스트의 소결체를 구비한다. 이 반도체 장치에 있어서, 제1 부재 및 제2 부재 중 적어도 한쪽은 반도체 소자이다. 이 반도체 장치는, 충분한 접합력을 갖고, 열전도율 및 융점이 높은 구리를 포함하는 접합용 금속 페이스트의 소결체를 구비함으로써, 충분한 다이 시어 강도를 가지며, 접속 신뢰성이 우수하고, 파워 사이클 내성도 우수한 것이 될 수 있다.
본 발명에 의하면, 250℃ 이하의 저온에서 접합할 수 있고, 충분한 접합 강도를 갖는 접합체를 얻을 수 있는 접합용 금속 페이스트, 상기 접합용 금속 페이스트의 소결체를 구비하는 접합체 및 그의 제조 방법, 및 상기 접합용 금속 페이스트의 소결체를 구비하는 반도체 장치 및 그의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 실시형태의 접합용 금속 페이스트를 이용하여 제조되는 접합체의 일례를 도시한 모식 단면도이다.
도 2는 본 실시형태의 접합용 금속 페이스트를 이용하여 제조되는 반도체 장치의 일례를 도시한 모식 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 접합체의 제조 방법을 설명하기 위한 모식 단면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 모식 단면도이다.
도 5는 본 실시형태의 접합용 금속 페이스트를 이용하여 제조되는 접합체의 일례를 도시한 모식 단면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 접합체의 제조 방법을 설명하기 위한 모식 단면도이다.
도 7은 본 실시형태의 접합용 금속 페이스트를 이용하여 제조되는 접합체의 일례를 도시한 모식 단면도이다.
도 8은 도 7에 도시된 접합체의 제조 방법을 설명하기 위한 모식 단면도이다.
본 명세서에 있어서, 예시하는 재료는, 특별히 언급하지 않는 한, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 접합용 금속 페이스트 중의 각 성분의 함유량은, 접합용 금속 페이스트 중에 각 성분에 해당하는 물질이 복수 존재하는 경우, 특별히 언급하지 않는 한, 접합용 금속 페이스트 중에 존재하는 상기 복수의 물질의 합계량을 의미한다. 「∼」를 이용하여 나타난 수치 범위는, 「∼」의 전후에 기재되는 수치를 각각 최소값 및 최대값으로서 포함하는 범위를 나타낸다. 본 명세서 중에 단계적으로 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 어느 단계의 수치 범위의 상한값 또는 하한값은, 다른 단계의 수치 범위의 상한값 또는 하한값으로 치환해도 좋다. 또한, 본 명세서 중에 기재된 상한값 및 하한값은, 임의로 조합할 수 있다. 또한, 본 명세서 중에 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 그 수치 범위의 상한값 또는 하한값은, 실시예에 나타나 있는 값으로 치환해도 좋다. 「층」이라고 하는 단어는, 평면도로서 관찰했을 때에, 전면(全面)에 형성되어 있는 형상의 구조에 더하여, 일부에 형성되어 있는 형상의 구조도 포함된다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 상세히 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
<접합용 금속 페이스트>
본 실시형태에 따른 접합용 금속 페이스트는, 예컨대, 복수의 부재끼리를 접합하기 위해서 이용된다. 이 접합용 금속 페이스트는, 적어도, 금속 입자와, 탄소수 1∼20의 직쇄형 또는 분지형의 1가 지방족 알코올(이하, 경우에 따라 「1가 지방족 알코올」이라고 칭한다.)을 함유한다. 이 접합용 금속 페이스트에 있어서, 금속 입자는, 체적 평균 입경이 0.12∼0.8 ㎛인 서브마이크로 구리 입자를 적어도 포함한다.
본 실시형태에 따른 접합용 금속 페이스트를 이용하는 경우, 250℃ 이하의 저온에서 접합할 수 있고, 충분한 접합 강도의 접합체를 얻을 수 있다. 또한, 본 실시형태에 따른 접합용 금속 페이스트에 의하면, 무가압이어도 충분한 접합 강도가 얻어진다. 이와 같이, 본 실시형태에 따른 접합용 금속 페이스트를 이용하는 경우, 가압을 수반하는 열압착 프로세스가 불필요한 것, 및 칩과 기판 등, 열팽창률차가 상이한 부재 사이에 발생하는 열응력을 저감할 수 있고, 열에 의한 접합체의 변형을 저감할 수 있기 때문에, 예컨대 반도체 장치 등의 접합체를 제조하는 경우에 생산 안정성을 한층 높이는 것이 가능해진다. 또한, 디바이스의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 것 외에, 유리 에폭시 기판 등의 열에 약한 재료를 포함하는 경우에도 적용이 가능해진다.
전술한 바와 같은 효과는, 금속 입자가 표면 처리제에 의해 처리되어 있는 경우에 현저해질 수 있다. 그 이유는, 분명하지 않으나, 본 발명자들은 다음과 같이 추찰하고 있다. 즉, 금속 입자가 표면 처리제에 의해 처리되어 있는 경우, 1가 지방족 알코올이 표면 처리제와 수소 결합 등의 상호 작용을 미쳐, 구리 입자로부터 표면 처리제가 탈리하기 쉬워진다고 추찰된다. 그 결과, 1가 지방족 알코올을 첨가하지 않는 경우와 비교하여, 보다 낮은 가열 처리 온도에서 소결체를 얻을 수 있기 때문에, 상기 효과가 얻어진다고 추찰하고 있다. 특히, 본 실시형태에서 이용하는 1가 지방족 알코올은 탄소수가 1∼20이고, 직쇄형 또는 분지형이기 때문에, 1가 지방족 알코올이 부피가 크지 않아, 금속 표면에 조밀하게 흡착된 표면 처리제 중에 들어가기 쉽다고 추찰된다.
또한, 본 실시형태에 따른 접합용 금속 페이스트는, 접합 공정의 저에너지화에도 기여한다. 또한, 구리 입자는, 은 입자와 비교하여 저렴하기 때문에, 본 실시형태에 따른 접합용 금속 페이스트는 비용의 점에서도 유리해질 수 있다.
(1가 지방족 알코올)
1가 지방족 알코올은, 탄소수가 1∼20이고, 직쇄형 또는 분지형이다. 1가 지방족 알코올의 탄소수는, 접합 온도의 저감 효과가 더욱 우수한 관점에서, 18 이하가 바람직하다. 또한, 1가 지방족 알코올의 탄소수는, 건조 및 승온 과정에서 휘발하여 상실되기 어렵고, 안정된 성능이 얻어지기 쉬운 관점에서, 2 이상이 바람직하고, 4 이상이 보다 바람직하다. 단, 탄소수가 9 이상인 경우, 분지가 적은 것이 바람직하고, 직쇄형인 것이 보다 바람직하다. 이상의 관점에서, 1가 지방족 알코올의 탄소수는, 2∼20이어도 좋고, 4∼20이어도 좋으며, 9∼20이어도 좋고, 9∼18이어도 좋다.
1가 지방족 알코올은, 1급 알코올, 2급 알코올 또는 3급 알코올의 어느 것이어도 좋다. 탄소수가 9 이상인 경우, 1급 또는 2급 알코올인 것이 바람직하고, 1급 알코올인 것이 보다 바람직하다. 또한, 1가 지방족 알코올은, 1기압 25℃에 있어서, 액체여도 좋고, 고체여도 좋다. 단, 1가 지방족 알코올은, 소결 시에 휘발하기 쉬운 관점에서, 1기압에 있어서의 비점이 300℃ 이하인 것이 바람직하다.
1가 지방족 알코올은, 포화 또는 불포화의 어느 것이어도 좋다. 1가 포화 지방족 알코올로서는, 예컨대, 메탄올(CH4O), 에탄올(C2H6O), 1-프로판올(C3H8O), 2-프로판올(C3H8O), 1-부탄올(C4H10O), 2-부탄올(C4H10O), 2-메틸-1-프로판올(C4H10O), 2-메틸-2-프로판올(C4H10O), 펜탄올(C5H12O), 헥산올(C6H14O), 헵탄올(C7H16O), 옥탄올(C8H18O), 노난올(C9H20O), 데칸올(C10H22O), 운데칸올(C11H24O), 도데칸올(C12H26O), 트리데칸올(C13H28O), 테트라데칸올(C14H30O)(예컨대, 1-테트라데칸올(미리스틸알코올)), 펜타데칸올(C15H32O), 1-헥사데칸올(세틸알코올)(C16H34O), 2-헥실데칸올(C16H34O), 이소옥타데칸올(C18H38O)(예컨대, 16-메틸-1-헵타데칸올(이소스테아릴알코올)), 및 이소에이코산올(C20H42O)을 들 수 있다. 1가 불포화 지방족 알코올로서는, 예컨대, (Z)-9-옥타데센올(올레일알코올)(C18H36O)을 들 수 있다. 이들 1가 지방족 알코올은, 할로겐 등의 치환기를 갖고 있어도 좋다.
1가 지방족 알코올은, 시판품으로서 입수 가능하다. 이러한 시판품으로서는, 예컨대, 닛산 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조의 「파인옥소콜 180T」, 「파인옥소콜 180」, 「파인옥소콜 1600」 및 「파인옥소콜 2000」(모두 상품명), 가오 가부시키가이샤 제조의 「칼콜 2098」 및 「칼콜 4098」(모두 상품명) 등을 들 수 있다.
1가 지방족 알코올은, 그 일부가 수소 결합 등에 의해 금속 입자 표면에 흡착되어 있어도 좋다. 또한, 1가 지방족 알코올은, 그 일부가 알콕시드로서 존재하고 있어도 좋다. 한편, 본 실시형태에 있어서 1가 지방족 알코올은 분산매로서도 기능할 수 있다.
1가 지방족 알코올의 함유량은, 금속 입자 100 질량부에 대해, 0.3 질량부 이상이어도 좋고, 0.6 질량부 이상이어도 좋으며, 1 질량부 이상이어도 좋다. 1가 지방족 알코올의 함유량이 0.3 질량부 이상이면, 접합 온도를 더욱 저감할 수 있고, 예컨대, 접합 시의 온도(도달 최고 온도)가 225℃여도 30 ㎫ 이상의 다이 시어 강도가 얻어지는 경향이 있다. 또한, 1가 지방족 알코올의 함유량은, 금속 입자 100 질량부에 대해, 1.8 질량부 이하여도 좋고, 1.5 질량부 이하여도 좋으며, 1.2 질량부 이하여도 좋다. 1가 지방족 알코올의 함유량이 1.8 질량부 이하이면, 금속 입자가 응집하는 것에 의한 접합용 금속 페이스트의 점도의 경시적인 상승, 및 금속 입자의 분리 및 침강을 방지할 수 있고, 보다 충분한 접합 강도가 얻어진다. 이들의 관점에서, 1가 지방족 알코올의 함유량은, 금속 입자 100 질량부에 대해, 0.3∼1.8 질량부여도 좋고, 0.6∼1.5 질량부여도 좋으며, 1∼1.2 질량부여도 좋다. 한편, 상기 금속 입자 100 질량부에는, 금속 입자의 표면에 흡착된 표면 처리제의 양은 포함하지 않는다.
(금속 입자)
본 실시형태에 따른 금속 입자는, 서브마이크로 구리 입자를 적어도 포함한다. 금속 입자는, 서브마이크로 구리 입자 이외의 구리 입자, 구리 입자 이외의 그 외의 금속 입자 등을 포함하고 있어도 좋다. 서브마이크로 구리 입자 이외의 구리 입자로서는, 예컨대 마이크로 구리 입자를 들 수 있다. 한편, 본 명세서에 있어서, 서브마이크로 구리 입자란, 0.1 ㎛ 이상 1 ㎛ 미만의 입자 직경을 갖는 구리 입자를 의미하고, 마이크로 구리 입자란, 1 ㎛ 이상 50 ㎛ 미만의 입자 직경을 갖는 구리 입자를 의미한다. 본 명세서에서는, 편의상, 복수의 금속 입자의 집합을 「금속 입자」라고 칭하는 경우가 있다. 서브마이크로 구리 입자, 마이크로 구리 입자 및 그 외의 금속 입자에 대해서도 동일하다.
[서브마이크로 구리 입자]
서브마이크로 구리 입자는, 불가피적으로 포함되는 구리 이외의 금속을 포함하고 있어도 좋으나, 실질적으로 구리만으로 이루어지는 입자이다. 서브마이크로 구리 입자로서는, 예컨대, 입경이 0.12∼0.8 ㎛의 구리 입자를 포함하는 것을 들 수 있다.
서브마이크로 구리 입자는, 입경이 0.12∼0.8 ㎛의 구리 입자를 10 질량% 이상 포함할 수 있다. 접합용 금속 페이스트의 소결성의 관점에서, 서브마이크로 구리 입자는, 입경이 0.12∼0.8 ㎛의 구리 입자를 20 질량% 이상 포함할 수 있고, 30 질량% 이상 포함할 수 있으며, 100 질량% 포함할 수 있다. 서브마이크로 구리 입자에 있어서의 입경이 0.12∼0.8 ㎛의 구리 입자의 함유 비율이 20 질량% 이상이면, 구리 입자의 분산성이 보다 향상되고, 점도의 상승, 페이스트 농도의 저하를 보다 억제할 수 있다.
구리 입자의 입경은, 하기 방법에 의해 구할 수 있다. 구리 입자의 입경은, 예컨대, SEM상(像)으로부터 산출할 수 있다. 구리 입자의 분말을, SEM용의 카본 테이프 상에 스패츌러로 올려놓고, SEM용 샘플로 한다. 이 SEM용 샘플을 SEM 장치에 의해 5000배로 관찰한다. 이 SEM상의 구리 입자에 외접하는 사각형을 화상 처리 소프트에 의해 작도하고, 그 한 변을 그 입자의 입경으로 한다.
서브마이크로 구리 입자의 체적 평균 입경은, 0.12 ㎛ 이상이어도 좋고, 0.8 ㎛ 이하여도 좋다. 즉, 서브마이크로 구리 입자의 체적 평균 입경은, 0.12∼0.8 ㎛여도 좋다. 서브마이크로 구리 입자의 체적 평균 입경이 0.12 ㎛ 이상이면, 서브마이크로 구리 입자의 합성 비용의 억제, 양호한 분산성, 표면 처리제의 사용량의 억제라고 하는 효과가 얻어지기 쉬워진다. 서브마이크로 구리 입자의 체적 평균 입경이 0.8 ㎛ 이하이면, 서브마이크로 구리 입자의 소결성이 우수하다고 하는 효과가 얻어지기 쉬워진다. 보다 한층 상기 효과를 발휘하는 관점에서, 서브마이크로 구리 입자의 체적 평균 입경은, 0.15 ㎛ 이상, 0.2 ㎛ 이상 또는 0.3 ㎛ 이상이어도 좋고, 0.6 ㎛ 이하, 0.5 ㎛ 이하 또는 0.45 ㎛ 이하여도 좋다. 예컨대, 서브마이크로 구리 입자의 체적 평균 입경은, 0.15∼0.8 ㎛여도 좋고, 0.15∼0.6 ㎛여도 좋으며, 0.2∼0.5 ㎛여도 좋고, 0.3∼0.45 ㎛여도 좋다.
한편, 본원 명세서에 있어서 체적 평균 입경이란, 50% 체적 평균 입경을 의미한다. 구리 입자의 체적 평균 입경을 구하는 경우, 원료가 되는 구리 입자, 또는 접합용 금속 페이스트로부터 휘발 성분을 제거한 건조 구리 입자를, 분산제를 이용하여 분산매에 분산시킨 것을 광산란법 입도 분포 측정 장치(예컨대, 시마즈 나노 입자 직경 분포 측정 장치(SALD-7500nano, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)로 측정하는 방법 등에 의해 구할 수 있다. 광산란법 입도 분포 측정 장치를 이용하는 경우, 분산매로서는, 헥산, 톨루엔, α-테르피네올 등을 이용할 수 있다.
서브마이크로 구리 입자의 함유량은, 금속 입자의 전체 질량을 기준으로 하여, 30 질량% 이상, 35 질량% 이상, 40 질량% 이상 또는 45 질량%여도 좋고, 90 질량% 이하, 85 질량% 이하 또는 80 질량% 이하여도 좋다. 예컨대, 서브마이크로 구리 입자의 함유량은, 금속 입자의 전체 질량을 기준으로 하여, 30∼90 질량%여도 좋고, 35∼90 질량%여도 좋으며, 40∼85 질량% 이하여도 좋고, 45∼80 질량% 이하여도 좋다. 서브마이크로 구리 입자의 함유량이 상기 범위 내이면, 접합용 금속 페이스트를 소결시켜 제조되는 접합체의 접합 강도를 확보하는 것이 용이해지고, 접합용 금속 페이스트를 반도체 소자의 접합에 이용하는 경우에는 반도체 장치가 양호한 다이 시어 강도 및 접속 신뢰성을 나타내는 경향이 있다. 한편, 상기 함유량에는 표면 처리제의 양은 포함되지 않는다. 또한, 금속 입자의 전체 질량에는, 금속 입자의 표면에 흡착된 표면 처리제의 양은 포함하지 않는다.
금속 입자가 마이크로 구리 입자를 포함하는 경우, 서브마이크로 구리 입자의 함유량의 하한값은, 서브마이크로 구리 입자의 질량 및 마이크로 구리 입자의 질량의 합계를 기준으로 하여, 30 질량%인 것이 바람직하고, 서브마이크로 구리 입자의 함유량의 상한값은, 서브마이크로 구리 입자의 질량 및 마이크로 구리 입자의 질량의 합계를 기준으로 하여, 90 질량%인 것이 바람직하다. 즉, 서브마이크로 구리 입자의 함유량은, 서브마이크로 구리 입자의 질량 및 마이크로 구리 입자의 질량의 합계를 기준으로 하여, 30∼90 질량%인 것이 바람직하다. 서브마이크로 구리 입자의 상기 함유량이 30 질량% 이상이면, 마이크로 구리 입자 사이를 충전할 수 있고, 접합용 금속 페이스트를 소결시켜 제조되는 접합체의 접합 강도를 확보하는 것이 용이해지며, 접합용 금속 페이스트를 반도체 소자의 접합에 이용하는 경우에는 반도체 장치가 양호한 다이 시어 강도 및 접속 신뢰성을 나타내는 경향이 있다. 서브마이크로 구리 입자의 상기 함유량이 90 질량% 이하이면, 접합용 금속 페이스트를 소결했을 때의 체적 수축을 충분히 억제할 수 있기 때문에, 접합용 금속 페이스트를 소결시켜 제조되는 접합체의 접합 강도를 확보하는 것이 용이해지고, 접합용 금속 페이스트를 반도체 소자의 접합에 이용하는 경우에는 반도체 장치가 양호한 다이 시어 강도 및 접속 신뢰성을 나타내는 경향이 있다. 보다 한층 상기 효과를 발휘하는 관점에서, 서브마이크로 구리 입자의 함유량은, 서브마이크로 구리 입자의 질량 및 마이크로 구리 입자의 질량의 합계를 기준으로 하여, 35 질량% 이상, 40 질량% 이상 또는 45 질량% 이상이어도 좋고, 85 질량% 이하 또는 80 질량% 이하여도 좋다. 예컨대, 서브마이크로 구리 입자의 함유량은, 서브마이크로 구리 입자의 질량 및 마이크로 구리 입자의 질량의 합계를 기준으로 하여, 35∼85 질량%여도 좋고, 40∼85 질량%여도 좋으며, 45∼80 질량%여도 좋다. 한편, 상기 함유량에는 표면 처리제의 양은 포함되지 않는다. 또한, 금속 입자의 전체 질량에는, 금속 입자의 표면에 흡착된 표면 처리제의 양은 포함하지 않는다.
서브마이크로 구리 입자의 형상은, 특별히 한정되는 것은 아니다. 서브마이크로 구리 입자의 형상으로서는, 예컨대, 구형, 덩어리형, 바늘형, 플레이크형, 대략 구형 및 이들의 응집체를 들 수 있다. 분산성 및 충전성의 관점에서, 서브마이크로 구리 입자의 형상은, 구형, 대략 구형 또는 플레이크형이어도 좋고, 연소성, 분산성, 플레이크형의 마이크로 입자(예컨대, 플레이크형의 마이크로 구리 입자)와의 혼합성 등의 관점에서, 구형 또는 대략 구형이어도 좋다. 본 명세서에 있어서, 「플레이크형」이란, 판형, 인편(鱗片)형 등의 평판형의 형상을 포함한다.
서브마이크로 구리 입자는, 분산성, 충전성, 및 플레이크형의 마이크로 입자(예컨대, 플레이크형의 마이크로 구리 입자)와의 혼합성의 관점에서, 애스펙트비가 5.0 이하여도 좋고, 3.0 이하여도 좋다. 서브마이크로 구리 입자의 애스펙트비의 하한은, 특별히 한정되지 않는다. 서브마이크로 구리 입자의 애스펙트비는, 예컨대, 1.0 이상이어도 좋다. 본 명세서에 있어서, 「애스펙트비」란, 입자의 긴 변/두께를 나타낸다. 입자의 긴 변 및 두께의 측정은, 예컨대, 입자의 SEM상으로부터 구할 수 있다.
서브마이크로 구리 입자는, 특정한 표면 처리제로 처리되어 있어도 좋다. 전술한 바와 같이, 서브마이크로 구리 입자가 표면 처리제로 처리되어 있는 경우, 본 발명의 효과가 현저해질 수 있다. 표면 처리제는, 예컨대, 서브마이크로 구리 입자의 표면에 수소 결합 등에 의해 흡착되어 있어도 좋고, 서브마이크로 구리 입자와 반응하여 서브마이크로 구리 입자의 표면에 결합하고 있어도 좋다. 즉, 서브마이크로 구리 입자가 특정한 표면 처리제 유래의 화합물을 갖고 있어도 좋다.
특정한 표면 처리제로서는, 예컨대, 탄소수 8 이상의 유기산을 들 수 있다. 탄소수 8 이상의 유기산은, 탄소수 8∼16의 유기산인 것이 바람직하다. 이러한 유기산으로서는, 예컨대, 카프릴산, 메틸헵탄산, 에틸헥산산, 프로필펜탄산, 펠라곤산, 메틸옥탄산, 에틸헵탄산, 프로필헥산산, 카프르산, 메틸노난산, 에틸옥탄산, 프로필헵탄산, 부틸헥산산, 운데칸산, 메틸데칸산, 에틸노난산, 프로필옥탄산, 부틸헵탄산, 라우르산, 메틸운데칸산, 에틸데칸산, 프로필노난산, 부틸옥탄산, 펜틸헵탄산, 트리데칸산, 메틸도데칸산, 에틸운데칸산, 프로필데칸산, 부틸노난산, 펜틸옥탄산, 미리스트산, 메틸트리데칸산, 에틸도데칸산, 프로필운데칸산, 부틸데칸산, 펜틸노난산, 헥실옥탄산, 펜타데칸산, 메틸테트라데칸산, 에틸트리데칸산, 프로필도데칸산, 부틸운데칸산, 펜틸데칸산, 헥실노난산, 팔미트산, 메틸펜타데칸산, 에틸테트라데칸산, 프로필트리데칸산, 부틸도데칸산, 펜틸운데칸산, 헥실데칸산, 헵틸노난산, 메틸시클로헥산카르복실산, 에틸시클로헥산카르복실산, 프로필시클로헥산카르복실산, 부틸시클로헥산카르복실산, 펜틸시클로헥산카르복실산, 헥실시클로헥산카르복실산, 헵틸시클로헥산카르복실산, 옥틸시클로헥산카르복실산, 노닐시클로헥산카르복실산 등의 포화 지방산; 옥텐산, 노넨산, 메틸노넨산, 데센산, 운데센산, 도데센산, 트리데센산, 테트라데센산, 미리스트올레산, 펜타데센산, 헥사데센산, 팔미톨레산, 사피엔산 등의 불포화 지방산; 테레프탈산, 피로멜리트산, o-페녹시벤조산, 메틸벤조산, 에틸벤조산, 프로필벤조산, 부틸벤조산, 펜틸벤조산, 헥실벤조산, 헵틸벤조산, 옥틸벤조산, 노닐벤조산 등의 방향족 카르복실산을 들 수 있다. 유기산은, 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 이러한 유기산과 상기 서브마이크로 구리 입자를 조합함으로써, 서브마이크로 구리 입자의 분산성과 소결 시에 있어서의 유기산의 탈리성을 양립할 수 있는 경향이 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 상기와 같은 유기산의 소결 시의 탈리성이 향상되는 경향이 있다. 그 때문에, 상기 유기산을 이용하는 경우에는 본 발명의 효과가 현저해질 수 있다. 이러한 효과는, 1가 지방족 알코올이 유기산과 상호 작용하는 것에 의한 것이라고 추찰된다. 상기 표면 처리제 중에서도, 1가 지방족 알코올과 친화성을 갖는 유기산을 이용하는 경우에 본 발명의 효과가 한층 현저해진다. 이러한 표면 처리제로서는, 예컨대, 탄소수 10 이상의 카르복실산(예컨대, 탄소수 9 이상의 알킬기를 갖는 장쇄 알킬카르복실산)을 들 수 있다.
표면 처리제의 처리량은, 표면 처리 후의 서브마이크로 구리 입자의 전체 질량을 기준으로 하여, 0.07 질량% 이상, 0.10 질량% 이상, 0.20 질량% 이상, 0.50 질량% 이상 또는 0.80 질량% 이상이어도 좋고, 2.10 질량% 이하, 1.60 질량% 이하 또는 1.10 질량% 이하여도 좋다. 예컨대, 표면 처리제의 처리량은, 표면 처리 후의 서브마이크로 구리 입자의 전체 질량을 기준으로 하여, 0.07∼2.10 질량%여도 좋고, 0.10∼1.60 질량%여도 좋으며, 0.20∼1.10 질량%여도 좋고, 0.50∼1.10 질량%여도 좋으며, 0.80∼1.10 질량%여도 좋다.
표면 처리제의 처리량은, 서브마이크로 구리 입자의 표면에 1분자층∼3분자층 부착되는 양이어도 좋다. 이 처리량은, 이하의 방법에 의해 측정된다. 대기 중, 700℃에서 2시간 처리한 알루미나제 도가니(예컨대, 애즈원 제조, 형식 번호: 1-7745-07)에, 표면 처리된 서브마이크로 구리 입자를 W1(g) 달아 취하고, 대기 중 700℃에서 1시간 소성한다. 그 후, 수소 중, 300℃에서 1시간 처리하고, 도가니 내의 구리 입자의 질량 W2(g)를 계측한다. 계속해서, 하기 식에 기초하여, 표면 처리제의 처리량을 산출한다.
표면 처리제의 처리량(질량%)=(W1-W2)/W1×100
서브마이크로 구리 입자의 비표면적은, 소결성, 입자 사이의 패킹 등의 관점에서, 0.5∼10 ㎡/g이어도 좋고, 1.0∼8.0 ㎡/g이어도 좋으며, 1.2∼6.5 ㎡/g이어도 좋다. 서브마이크로 구리 입자의 비표면적은, 건조시킨 서브마이크로 구리 입자를 BET 비표면적 측정법으로 측정함으로써 산출할 수 있다.
상기 서브마이크로 구리 입자는 양호한 소결성을 갖는다. 상기 서브마이크로 구리 입자를 이용함으로써, 구리 나노 입자를 주로 이용한 접합재에 보여지는 고가의 합성 비용, 양호하지 않은 분산성, 소결 후의 체적 수축량의 저하 등의 과제를 저감할 수도 있다.
본 실시형태에 따른 서브마이크로 구리 입자로서는, 시판되어 있는 서브마이크로 구리 입자를 포함하는 재료를 이용할 수 있다. 시판되어 있는 서브마이크로 구리 입자를 포함하는 재료로서는, 예컨대, CH-0200(미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤 제조, 체적 평균 입경 0.36 ㎛), HT-14(미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤 제조, 체적 평균 입경 0.41 ㎛), CT-500(미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤 제조, 체적 평균 입경 0.72 ㎛), 및 Tn-Cu100(다이요 닛산 가부시키가이샤 제조, 체적 평균 입경 0.12 ㎛)을 들 수 있다.
[마이크로 구리 입자]
마이크로 구리 입자는, 불가피적으로 포함되는 구리 이외의 금속을 포함하고 있어도 좋으나, 실질적으로 구리만으로 이루어지는 입자이다. 마이크로 구리 입자로서는, 예컨대, 입경이 2∼50 ㎛의 구리 입자를 포함하는 것을 들 수 있다.
마이크로 구리 입자는, 입경이 2∼50 ㎛의 구리 입자를 50 질량% 이상 포함할 수 있다. 접합체 내에서의 배향, 보강 효과 및 접합 페이스트의 충전성의 관점에서, 마이크로 구리 입자는, 입경이 2∼50 ㎛의 구리 입자를 70 질량% 이상 포함할 수 있고, 80 질량% 이상 포함할 수 있으며, 100 질량% 포함할 수 있다.
마이크로 구리 입자의 체적 평균 입경은, 2 ㎛ 이상이어도 좋고, 50 ㎛ 이하여도 좋다. 즉, 마이크로 구리 입자의 체적 평균 입경은, 2∼50 ㎛여도 좋다. 마이크로 구리 입자의 체적 평균 입경이 상기 범위 내이면, 접합용 금속 페이스트를 소결했을 때의 체적 수축을 충분히 저감할 수 있고, 접합용 금속 페이스트를 소결시켜 제조되는 접합체의 접합 강도를 확보하는 것이 용이해지며, 접합용 금속 페이스트를 반도체 소자의 접합에 이용하는 경우에는 반도체 장치가 보다 양호한 다이 시어 강도 및 접속 신뢰성을 나타내는 경향이 있다. 보다 한층 상기 효과를 발휘하는 관점에서, 3 ㎛ 이상이어도 좋고, 20 ㎛ 이하여도 좋다. 예컨대, 마이크로 구리 입자의 체적 평균 입경은, 마이크로 구리 입자의 체적 평균 입경은, 3∼50 ㎛여도 좋고, 3∼20 ㎛여도 좋다.
마이크로 구리 입자의 함유량은, 금속 입자의 전체 질량을 기준으로 하여, 10 질량% 이상, 15 질량% 이상 또는 20 질량% 이상이어도 좋고, 70 질량% 이하, 50 질량% 이하, 45 질량% 이하 또는 40 질량% 이하여도 좋다. 예컨대, 마이크로 구리 입자의 함유량은, 금속 입자의 전체 질량을 기준으로 하여, 10∼70 질량%여도 좋고, 10∼50 질량%여도 좋으며, 15∼45 질량%여도 좋고, 20∼40 질량%여도 좋다. 마이크로 구리 입자의 함유량이, 상기 범위 내이면, 접합용 금속 페이스트를 소결시켜 제조되는 접합체의 접합 강도를 확보하는 것이 용이해지고, 접합용 금속 페이스트를 반도체 소자의 접합에 이용하는 경우에는 반도체 장치가 보다 양호한 다이 시어 강도 및 접속 신뢰성을 나타내는 경향이 있다. 한편, 상기 함유량에는 표면 처리제의 양은 포함되지 않는다. 또한, 금속 입자의 전체 질량에는, 금속 입자의 표면에 흡착된 표면 처리제의 양은 포함하지 않는다.
서브마이크로 구리 입자의 함유량 및 마이크로 구리 입자의 함유량의 합계는, 금속 입자의 전체 질량을 기준으로 하여, 80 질량% 이상(예컨대 80∼100 질량%)이어도 좋다. 서브마이크로 구리 입자의 함유량 및 마이크로 구리 입자의 함유량의 합계가 상기 범위 내이면, 접합용 금속 페이스트를 소결했을 때의 체적 수축을 충분히 저감할 수 있고, 접합용 금속 페이스트를 소결시켜 제조되는 접합체의 접합 강도를 확보하는 것이 용이해진다. 접합용 금속 페이스트를 반도체 소자의 접합에 이용하는 경우에는 반도체 장치가 양호한 다이 시어 강도 및 접속 신뢰성을 나타내는 경향이 있다. 보다 한층 상기 효과를 발휘한다고 하는 관점에서, 서브마이크로 구리 입자의 함유량 및 마이크로 구리 입자의 함유량의 합계는, 금속 입자의 전체 질량을 기준으로 하여, 90 질량% 이상이어도 좋고, 95 질량% 이상이어도 좋으며, 100 질량%여도 좋다. 한편, 상기 함유량에는 표면 처리제의 양은 포함되지 않는다. 또한, 금속 입자의 전체 질량에는, 금속 입자의 표면에 흡착된 표면 처리제의 양은 포함하지 않는다.
마이크로 구리 입자의 형상은, 애스펙트비가 3.0 이상의 플레이크형이 바람직하다. 플레이크형의 마이크로 구리 입자를 이용함으로써, 접합용 금속 페이스트 내의 마이크로 구리 입자를 접합면에 대해 대략 평행하게 배향시킬 수 있다. 이에 의해, 접합용 금속 페이스트를 소결시켰을 때의 체적 수축을 억제할 수 있고, 접합용 금속 페이스트를 소결시켜 제조되는 접합체의 접합 강도를 확보하는 것이 용이해진다. 접합용 금속 페이스트를 반도체 소자의 접합에 이용하는 경우에는 반도체 장치가 양호한 다이 시어 강도 및 접속 신뢰성을 나타내는 경향이 있다. 보다 한층 상기 효과를 발휘하는 관점에서, 플레이크형의 마이크로 구리 입자의 애스펙트비는 4.0 이상이 바람직하고, 6.0 이상이 보다 바람직하다. 플레이크형의 마이크로 구리 입자의 애스펙트비의 상한은, 특별히 한정되지 않는다. 플레이크형의 마이크로 구리 입자의 애스펙트비는, 예컨대, 50 이하여도 좋다. 또한, 플레이크형의 마이크로 구리 입자의 최대 직경 및 평균 최대 직경은, 2 ㎛ 이상 또는 3 ㎛여도 좋고, 20 ㎛ 이하여도 좋다. 예컨대, 플레이크형의 마이크로 구리 입자의 최대 직경 및 평균 최대 직경은, 2∼50 ㎛여도 좋고, 3∼50 ㎛여도 좋으며, 3∼20 ㎛여도 좋다. 플레이크형의 마이크로 구리 입자의 최대 직경 및 평균 최대 직경의 측정은, 예컨대, 입자의 SEM상으로부터 구할 수 있고, 플레이크형의 마이크로 구리 입자의 장직경 X 및 장직경의 평균값 Xav로서 구해진다. 장직경 X는, 플레이크형의 마이크로 구리 입자의 삼차원 형상에 있어서, 플레이크형의 마이크로 구리 입자에 외접하는 평행 2평면 중, 이 평행 2평면 사이의 거리가 최대가 되도록 선택되는 평행 2평면의 거리이다.
플레이크형의 마이크로 구리 입자의 형상은, 장직경(최대 직경) X, 중직경 Y(폭), 단직경(두께) T라고 하는 파라미터로 규정할 수도 있다. 중직경 Y는, 장직경 X를 부여하는 평행 2평면에 직행하고, 또한, 플레이크형의 마이크로 구리 입자에 외접하는 평행 2평면 중, 이 평행 2평면 사이의 거리가 최대가 되도록 선택되는 평행 2평면의 거리이다. 단직경 T는, 장직경 X를 부여하는 평행 2평면 및 중직경 Y를 부여하는 평행 2평면에 직행하고, 또한, 플레이크형의 마이크로 구리 입자에 외접하는 평행 2평면 중, 평행 2평면 사이의 거리가 최대가 되도록 선택되는 평행 2평면의 거리이다.
장직경의 평균값 Xav는, 1 ㎛ 이상 20.0 ㎛ 이하여도 좋고, 1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하여도 좋으며, 3 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하여도 좋다. Xav가 상기 범위 내이면, 접합용 금속 페이스트(접합용 구리 페이스트)를 소결시켜 제조되는 접합체에 있어서, 접합용 금속 페이스트의 소결체를 적절한 두께로 형성하기 쉽다.
단직경의 평균값 Tav에 대한 장직경의 평균값 Xav의 비(애스펙트비)인 Xav/Tav는, 4.0 이상이어도 좋고, 6.0 이상이어도 좋으며, 10.0 이상이어도 좋다. Xav/Tav가 상기 범위 내이면, 접합용 금속 페이스트 내의 플레이크형의 마이크로 구리 입자가, 접합면에 대해 대략 평행하게 배향되기 쉬워지고, 접합용 금속 페이스트를 소결시켰을 때의 체적 수축을 억제할 수 있으며, 접합용 금속 페이스트를 소결시켜 제조되는 접합체의 접합 강도를 확보하는 것이 용이해진다. 접합용 금속 페이스트를 반도체 소자의 접합에 이용하는 경우에는 반도체 장치의 다이 시어 강도 및 접속 신뢰성을 향상시키기 쉬워진다.
중직경의 평균값 Yav에 대한 장직경의 평균값 Xav의 비인 Xav/Yav는, 2.0 이하여도 좋고, 1.7 이하여도 좋으며, 1.5 이하여도 좋다. Xav/Yav가 상기 범위 내이면, 플레이크형의 마이크로 구리 입자의 형상이 어느 정도의 면적을 갖는 플레이크형의 입자가 되고, 접합용 금속 페이스트 내의 플레이크형의 마이크로 구리 입자가 접합면에 대해 대략 평행하게 배향되기 쉬워지며, 접합용 금속 페이스트를 소결시켰을 때의 체적 수축을 억제할 수 있고, 접합용 금속 페이스트를 소결시켜 제조되는 접합체의 접합 강도를 확보하는 것이 용이해진다. 접합용 금속 페이스트를 반도체 소자의 접합에 이용하는 경우에는 반도체 장치의 다이 시어 강도 및 접속 신뢰성을 향상시키기 쉬워진다. Xav/Yav가 2.0을 초과하는 경우, 플레이크형의 마이크로 구리 입자의 형상이 가늘고 긴 선형에 가까워지는 것을 의미한다.
단직경의 평균값 Tav에 대한 중직경의 평균값 Yav의 비인 Yav/Tav는, 2.5 이상이어도 좋고, 4.0 이상이어도 좋으며, 8.0 이상이어도 좋다. Yav/Tav가 상기 범위 내이면, 접합용 구리 페이스트 내의 플레이크형의 마이크로 구리 입자가, 접합면에 대해 대략 평행하게 배향되기 쉬워지고, 접합용 구리 페이스트를 소결시켰을 때의 체적 수축을 억제할 수 있으며, 접합용 구리 페이스트를 소결시켜 제조되는 접합체의 접합 강도를 확보하는 것이 용이해진다. 접합용 구리 페이스트를 반도체 소자의 접합에 이용하는 경우에는 반도체 장치의 다이 시어 강도 및 접속 신뢰성을 향상시키기 쉬워진다.
플레이크형의 마이크로 구리 입자의 장직경 X 및 중직경 Y를 SEM상으로부터 산출하는 방법을 예시한다. 플레이크형의 마이크로 구리 입자의 분말을, SEM용의 카본 테이프 상에 스패츌러로 올려놓고, SEM용 샘플로 한다. 이 SEM용 샘플을 SEM 장치에 의해 5000배로 관찰한다. 이 SEM상의 플레이크형의 마이크로 구리 입자에 외접하는 직사각형을 화상 처리 소프트에 의해 작도하고, 직사각형의 긴 변을 그 입자의 장직경 X, 직사각형의 짧은 변을 그 입자의 중직경 Y로 한다. 복수의 SEM상을 이용하여, 이 측정을 50개 이상의 플레이크형의 마이크로 구리 입자에 대해 행하고, 장직경의 평균값 Xav 및 중직경의 평균값 Yav를 산출한다.
마이크로 구리 입자에 있어서, 표면 처리제의 처리의 유무는 특별히 한정되는 것은 아니다. 분산 안정성 및 내산화성의 관점에서, 마이크로 구리 입자는 표면 처리제로 처리되어 있어도 좋다. 본 실시형태에서는, 마이크로 구리 입자가 표면 처리되어 있는 경우라도, 본 발명의 효과가 현저해질 수 있다. 표면 처리제는, 접합 시에 제거되는 것이어도 좋다. 이러한 표면 처리제로서는, 예컨대, 팔미트산, 스테아르산, 아라키딘산, 올레산 등의 지방족 카르복실산; 테레프탈산, 피로멜리트산, o-페녹시벤조산 등의 방향족 카르복실산; 옥틸아민, 도데실아민, 스테아릴아민 등의 알킬아민; 스테아로니트릴, 데칸니트릴 등의 지방족 니트릴; 알킬알콕시실란 등의 실란 커플링제; 폴리에틸렌글리콜, 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리돈, 실리콘 올리고머 등의 고분자 처리재 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 탄소수 10 이상의 카르복실산이 바람직하다. 표면 처리제는, 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.
표면 처리제의 처리량은, 입자 표면에 1분자층 이상 부착되는 양이어도 좋다. 이러한 표면 처리제의 처리량은, 마이크로 구리 입자의 비표면적, 표면 처리제의 분자량, 및 표면 처리제의 최소 피복 면적에 의해 변화한다. 표면 처리제의 처리량은, 표면 처리 후의 마이크로 구리 입자의 전체 질량을 기준으로 하여, 0.001 질량% 이상이어도 좋다. 마이크로 구리 입자의 비표면적, 표면 처리제의 분자량, 및 표면 처리제의 최소 피복 면적에 대해서는, 전술한 방법에 의해 산출할 수 있다.
상기 서브마이크로 구리 입자와 마이크로 구리 입자를 병용하는 경우, 건조에 따르는 체적 수축 및 소결 수축이 커지기 어렵고, 접합용 금속 페이스트의 소결 시에 피착면으로부터 박리하기 어려워진다. 즉, 서브마이크로 구리 입자와 마이크로 구리 입자를 병용함으로써, 접합용 금속 페이스트를 소결시켰을 때의 체적 수축이 억제되고, 접합체는 보다 충분한 접합 강도를 가질 수 있다. 상기 서브마이크로 구리 입자와 마이크로 구리 입자를 병용한 접합용 금속 페이스트를 반도체 소자의 접합에 이용하는 경우에는, 반도체 장치가 보다 양호한 다이 시어 강도 및 접속 신뢰성을 나타낸다고 하는 효과가 얻어진다.
본 실시형태에 따른 마이크로 구리 입자로서는, 시판되어 있는 마이크로 구리 입자를 포함하는 재료를 이용할 수 있다. 시판되어 있는 마이크로 구리 입자를 포함하는 재료로서는, 예컨대, MA-C025(미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤 제조, 체적 평균 입경 7.5 ㎛, 평균 최대 직경 4.1 ㎛), 3L3(후쿠다 긴조쿠 하쿠훈 고교 가부시키가이샤 제조, 체적 평균 입경 8.0 ㎛, 평균 최대 직경 7.3 ㎛), 2L3(후쿠다 긴조쿠 하쿠훈 고교 가부시키가이샤 제조, 체적 평균 입경 9.9 ㎛, 평균 최대 직경 9 ㎛), 2L3N/A(후쿠다 긴조쿠 하쿠훈 고교 가부시키가이샤 제조, 체적 평균 입경 9.4 ㎛, 평균 최대 직경 9 ㎛), 1110F(미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤 제조, 체적 평균 입경 3.8 ㎛, 평균 최대 직경 5 ㎛) 및 HWQ 3.0 ㎛(후쿠다 긴조쿠 하쿠훈 고교 가부시키가이샤 제조, 체적 평균 입경 3.0 ㎛)를 들 수 있다.
[구리 입자 이외의 그 외의 금속 입자]
구리 입자 이외의 그 외의 금속 입자로서는, 아연 및 은으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속 입자를 들 수 있다. 이러한 금속 입자가 혼합된 경우, 피착체가 금 또는 은인 경우에 접합력이 향상된다. 상기 그 외의 금속 입자는, 표면 처리제에 의해 처리되어 있어도 좋다. 상기 그 외의 금속 입자의 함유량은, 보다 한층의 접착성 향상 효과의 관점에서, 금속 입자의 전체 질량을 기준으로 하여, 0.01∼10 질량%가 바람직하고, 0.05∼5 질량%가 보다 바람직하며, 0.1∼2 질량%가 더욱 바람직하다. 상기 그 외의 금속 입자의 체적 평균 입경은, 0.01∼10 ㎛여도 좋고, 0.01∼5 ㎛여도 좋으며, 0.05∼3 ㎛여도 좋다. 그 외의 금속 입자의 형상은, 특별히 한정되는 것은 아니다. 한편, 상기 함유량에는 표면 처리제의 양은 포함되지 않는다. 또한, 금속 입자의 전체 질량에는, 금속 입자의 표면에 흡착된 표면 처리제의 양은 포함하지 않는다.
(금속 입자 및 1가 지방족 알코올 이외의 성분)
접합용 금속 페이스트는, 금속 입자 및 1가 지방족 알코올 이외의 성분을 더 함유하고 있어도 좋다. 이러한 성분으로서는, 예컨대, 전술한 금속 입자의 표면 처리제, 용제 성분(상기 표면 처리제는 제외한다), 첨가제 등을 들 수 있다.
[표면 처리제]
접합용 금속 페이스트가 함유할 수 있는 표면 처리제의 예는, 전술한 바와 같고, 예컨대, 탄소수 10 이상의 카르복실산을 들 수 있다. 표면 처리제는, 수소 결합 등에 의해 금속 입자에 흡착되어 있어도 좋고, 그 일부가 페이스트 중(예컨대 용제 성분 중)에 유리 또는 분산되어 있어도 좋다. 표면 처리제의 함유량은, 금속 입자 100 질량부에 대해, 0.07 질량부 이상, 0.10 질량부 이상 또는 0.20 질량부 이상이어도 좋고, 2.10 질량부 이하, 1.60 질량부 이하 또는 1.10 질량부 이하여도 좋다. 예컨대, 표면 처리제의 함유량은, 금속 입자 100 질량부에 대해, 0.07∼2.10 질량부여도 좋고, 0.10∼1.60 질량부여도 좋으며, 0.20∼1.10 질량부여도 좋다. 한편, 표면 처리제로서 전술한 성분은, 반드시 금속 입자의 표면 처리를 목적으로 하여 함유되어 있을 필요는 없고, 표면 처리 이외의 목적으로(예컨대, 분산매로서) 접합용 금속 페이스트에 함유되어 있어도 좋다.
[용제 성분]
용제 성분은 분산매로서 기능한다. 용제 성분은 특별히 한정되는 것은 아니며, 예컨대, 휘발성의 것이어도 좋다. 휘발성의 용제 성분으로서는, 예컨대, 상기 1가 지방족 알코올 이외의 1가 알코올, 다가 알코올 등의 알코올류, 에테르류, 에스테르류, 산아미드, 지방족 탄화수소, 방향족 탄화수소 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 시클로헥산올, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 부틸렌글리콜, α-테르피네올 등의 알코올류; 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜이소프로필메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜디프로필에테르, 트리프로필렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르류; 에틸렌글리콜에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜부틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(DPMA), 젖산에틸, 젖산부틸, γ-부티로락톤, 탄산프로필렌 등의 에스테르류; N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드 등의 산아미드; 시클로헥산, 옥탄, 노난, 데칸, 운데칸 등의 지방족 탄화수소; 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소 등을 들 수 있다.
용제 성분의 함유량은, 접합용 금속 페이스트의 전체 질량을 기준으로 하여, 2 질량% 이상 또는 5 질량% 이상이어도 좋고, 50 질량% 이하, 30 질량% 이하 또는 20 질량% 이하여도 좋다. 예컨대, 용제 성분의 함유량은, 접합용 금속 페이스트의 전체 질량을 기준으로 하여, 2∼50 질량%여도 좋고, 5∼30 질량%여도 좋으며, 5∼20 질량%여도 좋다. 또한, 용제 성분의 함유량은 금속 입자의 전체 질량을 100 질량부로 하여, 5∼50 질량부여도 좋다. 용제 성분의 함유량이 상기 범위 내이면, 접합용 금속 페이스트를 보다 적절한 점도로 조정할 수 있고, 또한, 구리 입자의 소결을 저해하기 어렵다.
용제 성분은, 300℃ 이상의 비점을 갖는 용제 성분을 포함하는 것이 바람직하다. 300℃ 이상의 비점을 갖는 용제 성분을 포함함으로써, 소결 개시 직전까지 접합용 금속 페이스트에 가소성과 밀착성이 부여되어, 무가압에서의 접합이 용이해진다. 300℃ 이상의 비점을 갖는 용제 성분의 비점은, 접합용 금속 페이스트의 소결 시에 있어서, 소결 및 치밀화를 방해하지 않고, 접합 온도에 도달했을 때에 신속히 증발하여 제거되는 관점에서, 300∼450℃여도 좋고, 305∼400℃여도 좋으며, 310∼380℃여도 좋다.
300℃ 이상의 비점을 갖는 용제 성분으로서는, 이소보르닐시클로헥산올(MTPH, 닛폰 테르펜 가가쿠 가부시키가이샤 제조), 스테아르산부틸, 엑세팔 BS(가오 가부시키가이샤 제조), 스테아르산스테아릴, 엑세팔 SS(가오 가부시키가이샤 제조), 스테아르산 2-에틸헥실, 엑세팔 EH-S(가오 가부시키가이샤 제조), 스테아르산이소트리데실, 엑세팔 TD-S(가오 가부시키가이샤 제조), 헵타데칸, 옥타데칸, 노나데칸, 에이코산, 헤네이코산, 도코산, 메틸헵타데칸, 트리데실시클로헥산, 테트라데실시클로헥산, 펜타데실시클로헥산, 헥사데실시클로헥산, 운데실벤젠, 도데실벤젠, 테트라데실벤젠, 트리데실벤젠, 펜타데실벤젠, 헥사데실벤젠, 헵타데실벤젠, 노닐나프탈렌, 디페닐프로판, 옥탄산옥틸, 미리스트산메틸, 미리스트산에틸, 리놀레산메틸, 스테아르산메틸, 트리에틸렌글리콜비스(2-에틸헥산산), 시트르산트리부틸, 세바신산디부틸, 메톡시페네틸알코올, 벤질페놀(C13H12O), 헥사데칸니트릴, 헵타데칸니트릴, 벤조산벤질, 신메틸린, 아디프산비스(2-에틸헥실) 등을 들 수 있다. 무가압에서의 접합이 한층 용이해지는 관점에서, 300℃ 이상의 비점을 갖는 용제 성분이, 이소보르닐시클로헥산올, 트리부티린, 스테아르산부틸 및 옥탄산옥틸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다.
300℃ 이상의 비점을 갖는 용제 성분의 함유량은, 접합용 금속 페이스트의 전체 질량을 기준으로 하여, 2 질량% 이상, 2.2 질량% 이상 또는 2.4 질량% 이상이어도 좋고, 50 질량% 이하, 45 질량% 이하, 40 질량% 이하, 20 질량% 이하, 10 질량% 이하 또는 5 질량% 이하여도 좋다. 예컨대, 용제 성분의 함유량은, 접합용 금속 페이스트의 전체 질량을 기준으로 하여, 2∼50 질량%여도 좋다.
[첨가제]
첨가제로서는, 비이온계 계면 활성제, 불소계 계면 활성제 등의 젖음 향상제; 실리콘유 등의 소포제; 무기 이온 교환체 등의 이온 트랩제 등을 들 수 있다. 첨가제의 함유량은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 적절히 조정할 수도 있다.
전술한 접합용 금속 페이스트의 점도는 특별히 한정되지 않고, 인쇄, 도포 등의 수법으로 성형하는 경우에는, 성형 방법에 적합한 점도로 조정해도 좋다. 접합용 금속 페이스트의 25℃에 있어서의 Casson 점도는, 0.05 ㎩·s 이상 또는 0.06 ㎩·s 이상이어도 좋고, 2.0 ㎩·s 이하 또는 1.0 ㎩·s 이하여도 좋다. 예컨대, 접합용 금속 페이스트의 25℃에 있어서의 Casson 점도는, 0.05∼2.0 ㎩·s여도 좋고, 0.06∼1.0 ㎩·s여도 좋다.
본 실시형태에 따른 접합용 금속 페이스트는 30℃ 미만에서 보관되는 것이 바람직하다. 30℃ 이상에서 보관하면 1가 지방족 알코올 및 경우에 따라 함유되는 용제 성분이 휘발하기 쉬워지고, 접합용 금속 페이스트의 농도가 변하는 경우가 있다. 그 결과, 접합용 금속 페이스트를 부재 상에 배치하는 경우에, 소망의 부분에 배치하기 어려워지는 경우가 있다. 본 실시형태의 접합용 금속 페이스트는, 냉동(예컨대 -30℃)에서 보관해도 좋고, 그 이하의 온도에서 보관해도 좋다. 단, 본 실시형태에 따른 접합용 금속 페이스트는 실온(예컨대 10∼30℃)에서 사용되는 것이 바람직하기 때문에, -30℃ 미만에서 보관하는 경우, 해동에 시간이 걸려, 해동을 위해서 가열을 필요로 하는 등, 프로세스 비용 증가로 이어진다.
접합용 금속 페이스트는 보관 전후로 체적 평균 입경의 변화가 20% 이내인 것이 바람직하다. 접합용 금속 페이스트를 구성하는 구리 입자(예컨대 서브마이크로 구리 입자)가 접합용 금속 페이스트 내에서 응집하여 이차 입자가 되면, 체적 평균 입경이 커진다. 체적 평균 입경이 커지면, 소결 후에 보이드가 생기기 쉬워지고, 열전도율이 저하되는 경우가 있다. 또한, 보이드가 응력 집중점이 되어 균열을 발생시키기 쉬워지고, 소망의 성능(예컨대 온도 사이클 시험 및 파워 사이클 시험에서 평가되는 성능)이 얻어지기 어려워진다.
<접합용 금속 페이스트의 조제>
접합용 금속 페이스트는, 전술한 서브마이크로 구리 입자와, 1가 지방족 알코올과, 경우에 따라 함유되는 마이크로 구리 입자, 그 외의 금속 입자, 첨가제 및 용제 성분을 혼합하여 조제할 수 있다. 각 성분의 혼합 후에, 교반 처리를 행해도 좋다. 접합용 금속 페이스트는, 분급 조작에 의해 분산액의 최대 입경을 조정해도 좋다. 이때, 분산액의 최대 입경은 20 ㎛ 이하로 할 수 있고, 10 ㎛ 이하로 할 수도 있다. 상기 서브마이크로 구리 입자 등의 금속 입자는, 표면 처리제로 처리된 것을 이용해도 좋다.
서브마이크로 구리 입자 및 1가 지방족 알코올 이외의 성분(예컨대, 마이크로 구리 입자, 그 외의 금속 입자, 첨가제 및 용제 성분)을 첨가하는 경우, 접합용 금속 페이스트는, 서브마이크로 구리 입자와, 1가 지방족 알코올과, 용제 성분을 미리 혼합한 후, 분산 처리를 행하여 서브마이크로 구리 입자의 분산액을 조제하고, 얻어진 분산액에 서브마이크로 구리 입자 및 1가 지방족 알코올 이외의 성분을 혼합함으로써 조제해도 좋다. 이러한 순서로 함으로써, 예컨대, 마이크로 구리 입자를 이용하는 경우에는, 서브마이크로 구리 입자의 분산성이 향상되어 마이크로 구리 입자와의 혼합성이 좋아지고, 접합용 금속 페이스트의 성능이 보다 향상된다. 또한, 서브마이크로 구리 입자의 분산액을 분급 조작에 의해 응집물을 제거해도 좋다.
교반 처리는, 교반기를 이용하여 행할 수 있다. 교반기로서는, 예컨대, 자전 공전형 교반 장치, 뇌궤기, 하이비스 디스퍼 믹스, 2축 혼련기, 3본 롤 밀, 플래니터리 믹서, 박층 전단 분산기 등을 들 수 있다.
분급 조작은, 예컨대, 여과, 자연 침강, 원심 분리 등을 이용하여 행할 수 있다. 여과용의 필터로서는, 예컨대, 금속 메시, 메탈 필터, 나일론 메시 등을 들 수 있다.
분산 처리로서는, 예컨대, 박층 전단 분산기, 디스퍼라이저, 비드 밀, 하이비스 디스퍼 믹스, 초음파 호모지나이저, 하이 시어 믹서, 좁은 갭 3본 롤 밀, 습식 초미립화 장치, 초음속식 제트 밀, 초고압 호모지나이저 등을 들 수 있다.
<접합체 및 반도체 장치>
이하, 도면을 참조하면서 본 실시형태에 따른 접합체 및 반도체 장치에 대해 상세히 설명한다. 한편, 도면 중, 동일 또는 상당 부분에는 동일 부호를 붙이고, 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 도면의 치수 비율은, 도시된 비율에 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 실시형태의 접합용 금속 페이스트를 이용하여 제조되는 접합체의 일례를 도시한 모식 단면도이다.
도 1에 도시된 접합체(100)는, 제1 부재(2)와, 제2 부재(3)와, 제1 부재(2)와 제2 부재(3)를 접합하는 상기 접합용 금속 페이스트의 소결체(1)를 구비한다.
제1 부재(2) 및 제2 부재(3)로서는, 예컨대, IGBT, 다이오드, 쇼트키 배리어 다이오드, MOS-FET, 사이리스터, 로직, 센서, 아날로그 집적 회로, LED, 반도체 레이저, 발신기 등의 반도체 소자; 리드 프레임; 금속판 부착 세라믹스 기판(예컨대 DBC); LED 패키지 등의 반도체 소자 탑재용 기재; 구리 리본 및 금속 프레임 등의 금속 배선; 금속 블록 등의 블록체; 단자 등의 급전용 부재; 방열판; 수냉판 등을 들 수 있다.
제1 부재(2) 및 제2 부재(3)의 접합용 금속 페이스트의 소결체와 접하는 면(2a 및 3a)은 금속을 포함하고 있어도 좋다. 금속으로서는, 예컨대, 구리, 니켈, 은, 금, 팔라듐, 백금, 납, 주석, 코발트 등을 들 수 있다. 금속은, 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 또한, 소결체와 접하는 면은, 상기 금속을 포함하는 합금이어도 좋다. 합금에 이용되는 금속으로서는, 상기 금속 외에, 아연, 망간, 알루미늄, 베릴륨, 티탄, 크롬, 철, 몰리브덴 등을 들 수 있다. 소결체와 접하는 면에 금속을 포함하는 부재로서는, 예컨대, 각종 금속 도금을 갖는 부재(금속 도금을 갖는 칩, 각종 금속 도금을 갖는 리드 프레임 등), 와이어, 히트 스프레더, 금속판이 부착된 세라믹스 기판, 각종 금속으로 이루어지는 리드 프레임, 동판, 동박 등을 들 수 있다.
접합체(100)의 다이 시어 강도는, 제1 부재(2) 및 제2 부재(3)를 충분히 접합하는 관점에서, 15 ㎫ 이상이어도 좋고, 20 ㎫ 이상이어도 좋으며, 25 ㎫ 이상이어도 좋고, 30 ㎫ 이상이어도 좋다. 다이 시어 강도는, 유니버설 본드 테스터(Royce 650, Royce Instruments사 제조) 또는 만능형 본드 테스터(4000 시리즈, DAGE사 제조) 등을 이용하여 측정할 수 있다.
접합용 금속 페이스트의 소결체(1)의 열전도율은, 방열성 및 고온화에서의 접속 신뢰성의 관점에서, 100 W/(m·K) 이상이어도 좋고, 120 W/(m·K) 이상이어도 좋으며, 150 W/(m·K) 이상이어도 좋다. 열전도율은, 접합용 금속 페이스트의 소결체의 열확산율, 비열용량 및 밀도로부터 산출할 수 있다.
상기 접합체(100)에 있어서, 제1 부재(2)가 반도체 소자인 경우, 상기 접합체(100)는 반도체 장치가 된다. 얻어지는 반도체 장치는 충분한 다이 시어 강도 및 접속 신뢰성을 가질 수 있다.
도 2는 본 실시형태의 접합용 금속 페이스트를 이용하여 제조되는 반도체 장치의 일례를 도시한 모식 단면도이다. 도 2에 도시된 반도체 장치(110)는, 본 실시형태에 따른 접합용 금속 페이스트의 소결체(11)와, 리드 프레임(15a)과, 리드 프레임(15b)과, 와이어(16)와, 소결체(11)를 통해 리드 프레임(15a) 상에 접속된 반도체 소자(18)와, 이들을 몰드하는 몰드 레진(17)을 구비한다. 반도체 소자(18)는, 와이어(16)를 통해 리드 프레임(15b)에 접속되어 있다.
본 실시형태의 접합용 금속 페이스트를 이용하여 제조되는 반도체 장치로서는, 예컨대, 다이오드, 정류기, 사이리스터, MOS 게이트 드라이버, 파워 스위치, 파워 MOSFET, IGBT, 쇼트키 다이오드, 퍼스트 리커버리 다이오드 등의 파워 모듈; 발신기; 증폭기; 고휘도 LED 모듈; 센서 등을 들 수 있다.
<접합체 및 반도체 장치의 제조 방법>
이하, 본 실시형태의 접합용 금속 페이스트를 이용한 접합체 및 반도체 장치의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 3(도 3(a) 및 도 3(b))은, 접합체(100)의 제조 방법을 설명하기 위한 모식 단면도이다. 본 실시형태에 따른 접합체(100)의 제조 방법은, 제1 부재(2), 상기 제1 부재(2)의 자중이 작용하는 방향측으로, 상기 접합용 금속 페이스트(10), 및 제2 부재(3)가 이 순서로 적층된 적층체(50)를 준비하고(도 3(a)), 접합용 금속 페이스트(10)를, 제1 부재(2)의 자중을 받은 상태, 또는 제1 부재(2)의 자중 및 0.01 ㎫ 이하의 압력을 받은 상태에서, 250℃ 이하에서 소결하는 공정을 구비한다. 이에 의해 접합체(100)가 얻어진다(도 3(b)). 제1 부재(2)의 자중이 작용하는 방향이란, 중력이 작용하는 방향이라고 할 수도 있다.
상기 적층체(50)는, 예컨대, 제1 부재(2) 또는 제2 부재(3)의 필요한 부분에 본 실시형태의 접합용 금속 페이스트(10)를 형성하고, 계속해서 접합용 금속 페이스트(10) 상에 접합하는 부재(제1 부재(2) 또는 제2 부재(3))를 배치함으로써 준비할 수 있다.
본 실시형태의 접합용 금속 페이스트(10)를, 제1 부재(2) 및 제2 부재(3)의 필요한 부분에 형성하는 방법으로서는, 접합용 금속 페이스트를 퇴적시킬 수 있는 방법이면 된다. 이러한 방법으로서는, 예컨대, 스크린 인쇄, 전사 인쇄, 오프셋 인쇄, 철판 인쇄, 요판 인쇄, 그라비아 인쇄, 스텐실 인쇄, 제트 인쇄 등의 인쇄에 의한 방법, 디스펜서(예컨대, 제트 디스펜서, 니들 디스펜서), 콤마 코터, 슬릿 코터, 다이 코터, 그라비아 코터, 슬릿 코트, 바 코터, 어플리케이터, 스프레이 코터, 스핀 코터, 딥 코터 등을 이용하는 방법, 소프트 리소그래피에 의한 방법, 입자 퇴적법, 전착 도장에 의한 방법 등을 들 수 있다.
접합용 금속 페이스트(10)의 두께는, 1 ㎛ 이상, 5 ㎛ 이상, 10 ㎛ 이상, 15 ㎛ 이상, 20 ㎛ 이상 또는 50 ㎛ 이상이어도 좋고, 3000 ㎛ 이하, 1000 ㎛ 이하, 500 ㎛ 이하, 300 ㎛ 이하, 250 ㎛ 이하 또는 150 ㎛ 이하여도 좋다. 예컨대, 접합용 금속 페이스트(10)의 두께는, 1∼1000 ㎛여도 좋고, 10∼500 ㎛여도 좋으며, 50∼200 ㎛여도 좋고, 10∼3000 ㎛여도 좋으며, 15∼500 ㎛여도 좋고, 20∼300 ㎛여도 좋으며, 5∼500 ㎛여도 좋고, 10∼250 ㎛여도 좋으며, 15∼150 ㎛여도 좋다.
부재 상에 형성된 접합용 금속 페이스트(10)는, 소결 시의 유동 및 보이드의 발생을 억제하는 관점에서, 적절히 건조시켜도 좋다. 건조 시의 가스 분위기는 대기 중이어도 좋고, 질소, 희가스 등의 무산소 분위기 중이어도 좋으며, 수소, 포름산 등의 환원 분위기 중이어도 좋다. 건조 방법은, 상온 방치(예컨대 10∼30℃)에 의한 건조여도 좋고, 가열 건조여도 좋으며, 감압 건조여도 좋다. 가열 건조 또는 감압 건조에는, 예컨대, 핫 플레이트, 온풍 건조기, 온풍 가열로, 질소 건조기, 적외선 건조기, 적외선 가열로, 원적외선 가열로, 마이크로파 가열 장치, 레이저 가열 장치, 전자 가열 장치, 히터 가열 장치, 증기 가열로, 열판 프레스 장치 등을 이용할 수 있다. 건조의 온도 및 시간은, 사용한 휘발 성분(예컨대, 1가 지방족 알코올 및 용제 성분)의 종류 및 양에 맞춰 적절히 조정해도 좋다. 건조 조건(건조의 온도 및 시간)은, 예컨대, 50∼180℃에서 1∼120분간 건조시키는 조건이어도 좋다.
한쪽의 부재를 다른쪽의 부재 상에 배치하는 방법(예컨대, 접합용 금속 페이스트(10)가 형성된 제2 부재(3) 상에 제1 부재(2)를 배치하는 방법)으로서는, 예컨대, 칩 마운터, 플립 칩 본더, 카본제 또는 세라믹스제의 위치 결정 지그 등을 이용하는 방법을 들 수 있다.
적층체(50)를 가열 처리함으로써, 접합용 금속 페이스트(10)의 소결을 행한다. 이에 의해 소결체(1)가 얻어진다. 가열 처리에는, 예컨대, 핫 플레이트, 온풍 건조기, 온풍 가열로, 질소 건조기, 적외선 건조기, 적외선 가열로, 원적외선 가열로, 마이크로파 가열 장치, 레이저 가열 장치, 전자 가열 장치, 히터 가열 장치, 증기 가열로 등을 이용할 수 있다.
소결 시의 가스 분위기는, 소결체, 부재(제1 부재(2) 및 제2 부재(3))의 산화 억제의 관점에서, 무산소 분위기여도 좋다. 소결 시의 가스 분위기는, 접합용 금속 페이스트 중의 구리 입자의 표면 산화물을 제거한다고 하는 관점에서, 환원 분위기여도 좋다. 무산소 분위기로서는, 예컨대, 질소, 희가스 등의 무산소 가스 분위기, 또는 진공을 들 수 있다. 환원 분위기로서는, 예컨대, 순수소 가스 분위기, 포밍 가스로 대표되는 수소 및 질소의 혼합 가스 분위기, 포름산 가스를 포함하는 질소 분위기, 수소 및 희가스의 혼합 가스 분위기, 포름산 가스를 포함하는 희가스 분위기 등을 들 수 있다.
가열 처리 시의 온도(도달 최고 온도)는, 부재(제1 부재(2) 및 제2 부재(3))에의 열 손상을 저감할 수 있는 관점 및 수율을 향상시키는 관점에서, 170℃ 이상, 190℃ 이상 또는 200℃ 이상이어도 좋고, 250℃ 이하, 250℃ 미만, 225℃ 이하 또는 225℃ 미만이어도 좋다. 예컨대, 도달 최고 온도는, 170∼250℃여도 좋고, 170℃ 이상 250℃ 미만이어도 좋으며, 190∼225℃여도 좋고, 190℃ 이상 225℃ 미만이어도 좋으며, 200∼225℃여도 좋고, 200℃ 이상 225℃ 미만이어도 좋다. 본 실시형태에서는, 상기 접합용 금속 페이스트(10)를 이용하기 때문에, 도달 최고 온도가 250℃ 이하여도, 충분한 접합 강도가 얻어진다. 도달 최고 온도가, 200℃ 이상이면, 도달 최고 온도 유지 시간이 60분 이하에 있어서 소결이 충분히 진행되는 경향이 있다. 용제 성분을 포함하는 경우, 도달 최고 온도는, 용제 성분의 1기압에 있어서의 비점보다 낮은 온도여도 좋다. 이 경우에도 용제 성분의 증기압에 의해 용제 성분을 휘발시켜 제거할 수 있다. 한편, 도달 최고 온도가 170℃ 이상 200℃ 미만이어도, 도달 최고 온도 유지 시간을 60분 초과 120분 이하로 함으로써, 소결이 충분히 진행되는 경향이 있다. 본 실시형태에서는, 가열 처리 시의 온도(도달 최고 온도)는 250℃ 이하이지만, 온도 사이클 시험, 파워 사이클 시험 등의 신뢰성 시험에 있어서의 신뢰성을 향상시킬 목적으로, 280℃ 이상 400℃ 이하의 조건으로 가열 처리를 할 수도 있다.
도달 최고 온도 유지 시간은, 휘발 성분(예컨대, 1가 지방족 알코올 및 용제 성분)을 전부 휘발시키고, 또한, 수율을 향상시키는 관점에서, 1분간 이상이어도 좋고, 120분간 이하, 60분간 이하, 40분간 미만 또는 30분간 미만이어도 좋다. 즉, 도달 최고 온도 유지 시간은, 1∼120분간이어도 좋고, 1∼60분간이어도 좋으며, 1분간 이상 40분간 미만이어도 좋고, 1분간 이상 30분간 미만이어도 좋다.
본 실시형태의 접합용 금속 페이스트(10)를 이용함으로써, 적층체(50)를 소결할 때, 무가압에서의 접합을 행하는 경우라도, 접합체는 충분한 접합 강도를 가질 수 있다. 즉, 접합용 금속 페이스트(10)에 적층한 제1 부재(2)에 의한 자중만, 또는 제1 부재(2)의 자중에 더하여, 0.01 ㎫ 이하, 바람직하게는 0.005 ㎫ 이하의 압력을 받은 상태에서 적층체(50)를 소결하는 경우라도, 충분한 접합 강도를 얻을 수 있다. 소결 시에 받는 압력이 상기 범위 내이면, 특별한 가압 장치가 불필요하기 때문에 수율을 손상시키지 않고, 보이드의 저감, 다이 시어 강도 및 접속 신뢰성을 보다 한층 향상시킬 수 있다. 접합용 금속 페이스트(10)가 0.01 ㎫ 이하의 압력을 받는 방법으로서는, 예컨대, 연직 방향 상측에 배치되는 부재(예컨대 제1 부재(2)) 상에 추를 올려놓는 방법 등을 들 수 있다.
본 실시형태에 따른 반도체 장치는, 전술한 접합체(100)의 제조 방법과 동일하게 하여 제조할 수 있다. 즉, 반도체 장치의 제조 방법은, 제1 부재 및 제2 부재 중 적어도 한쪽에 반도체 소자를 이용하고, 제1 부재, 상기 제1 부재의 자중이 작용하는 방향측으로, 상기 접합용 금속 페이스트, 및 제2 부재가 이 순서로 적층된 적층체를 준비하며, 접합용 금속 페이스트를, 제1 부재의 자중을 받은 상태, 또는 제1 부재의 자중 및 0.01 ㎫ 이하의 압력을 받은 상태에서, 250℃ 이하에서 소결하는 공정을 구비한다. 예컨대, 도 4(도 4(a)∼도 4(c))에 도시된 바와 같이, 리드 프레임(15a) 상에 접합용 금속 페이스트(20)를 형성하고, 반도체 소자(18)를 배치하여 적층체(60)를 얻은 후(도 4(a)), 이 적층체(60)를 가열하여, 접합용 금속 페이스트(20)를 소결시킴으로써 접합체(105)를 얻는다(도 4(b)). 계속해서, 얻어진 접합체(105)에 있어서의 리드 프레임(15b)과 반도체 소자(18)를 와이어(16)에 의해 접속하고, 밀봉 수지에 의해 이들을 밀봉한다. 이상의 공정에 의해 반도체 장치(110)가 얻어진다(도 4(c)). 얻어지는 반도체 장치(110)는, 무가압에서의 접합을 행한 경우라도, 충분한 다이 시어 강도 및 접속 신뢰성을 가질 수 있다. 본 실시형태의 반도체 장치는, 충분한 접합력을 갖고, 열전도율 및 융점이 높은 구리를 포함하는 접합용 금속 페이스트의 소결체를 구비함으로써, 충분한 다이 시어 강도를 갖고, 접속 신뢰성이 우수하며, 파워 사이클 내성도 우수한 것이 될 수 있다.
이상, 본 실시형태의 접합용 금속 페이스트를 이용하여 제조되는 접합체 및 반도체 장치의 일례를 설명하였으나, 본 실시형태의 접합용 금속 페이스트를 이용하여 제조되는 접합체 및 반도체 장치는 상기 실시형태에 한정되지 않는다. 본 실시형태의 접합용 금속 페이스트를 이용하여 제조되는 접합체는, 예컨대, 도 5 및 도 7에 도시된 접합체여도 좋다.
도 5에 도시된 접합체(120)는, 제1 부재(2)와, 제2 부재(3)와, 제3 부재(4)와, 제4 부재(5)와, 제1 부재(2)와 제2 부재(3)를 접합하는 상기 접합용 금속 페이스트의 소결체(1a)와, 제1 부재(2)와 제3 부재(4)를 접합하는 상기 접합용 금속 페이스트의 소결체(1b)와, 제3 부재(4)와 제4 부재(5)를 접합하는 상기 접합용 금속 페이스트의 소결체(1c)를 구비한다.
이러한 접합체(120)는, 예컨대, 도 6(도 6(a) 및 도 6(b))에 도시된 바와 같이, 제3 부재(4), 상기 제3 부재(4)의 자중이 작용하는 방향측으로, 제2 접합용 금속 페이스트(10b), 제1 부재(2), 제1 접합용 금속 페이스트(10a), 및 제2 부재(3)가 이 순서로 적층된 적층 부분과, 제3 부재(4), 상기 제3 부재(4)의 자중이 작용하는 방향측으로, 제3 접합용 금속 페이스트(10c), 및 제4 부재(5)가 이 순서로 적층된 적층 부분을 갖는 적층체(70)를 준비하고(도 6(a)), 상기 접합체(100)의 제조 방법과 동일하게 하여, 제1 접합용 금속 페이스트(10a), 제2 접합용 금속 페이스트(10b) 및 제3 접합용 금속 페이스트(10c)를 소결하는 공정을 구비하는 방법으로 얻을 수 있다(도 6(b)). 상기 방법에 있어서, 제1 접합용 금속 페이스트(10a), 제2 접합용 금속 페이스트(10b) 및 제3 접합용 금속 페이스트(10c)는 본 실시형태에 따른 접합용 금속 페이스트이며, 제1 접합용 금속 페이스트(10a)가 소결함으로써 소결체(1a)가 얻어지고, 제2 접합용 금속 페이스트(10b)가 소결함으로써 소결체(1b)가 얻어지며, 제3 접합용 금속 페이스트(10c)가 소결함으로써 소결체(1c)가 얻어진다.
또한, 접합체(120)는, 예컨대, 상기 접합체(100)를 얻은 후, 제3 부재(4), 상기 제3 부재(4)의 자중이 작용하는 방향측으로, 제2 접합용 금속 페이스트(10b), 및 제1 부재(2)가 이 순서로 적층된 적층 부분과, 제3 부재(4), 상기 제3 부재(4)의 자중이 작용하는 방향측으로, 제3 접합용 금속 페이스트(10c), 및 제4 부재(5)가 이 순서로 적층된 적층 부분을 형성하고, 상기 접합체(100)의 제조 방법과 동일하게 하여, 제2 접합용 금속 페이스트(10b) 및 제3 접합용 금속 페이스트(10c)를 소결하는 공정을 구비하는 방법으로 얻을 수도 있다.
도 7에 도시된 접합체(130)는, 제1 부재(2)와, 제2 부재(3)와, 제3 부재(4)와, 제4 부재(5)와, 제5 부재(6)와, 제1 부재(2)와 제2 부재(3)를 접합하는 상기 접합용 금속 페이스트의 소결체(1a)와, 제3 부재(4)와 제4 부재(5)를 접합하는 상기 접합용 금속 페이스트의 소결체(1c)와, 제1 부재(2)와 제5 부재(6)를 접합하는 상기 접합용 금속 페이스트의 소결체(1d)와, 제3 부재(4)와 제5 부재(6)를 접합하는 상기 접합용 금속 페이스트의 소결체(1e)를 구비한다.
이러한 접합체(130)는, 예컨대, 도 8(도 8(a) 및 도 8(b))에 도시된 바와 같이, 제3 부재(4), 상기 제3 부재(4)의 자중이 작용하는 방향측으로, 제5 접합용 금속 페이스트(10e), 제5 부재(6), 제4 접합용 금속 페이스트(10d), 제1 부재(2), 제1 접합용 금속 페이스트(10a), 및 제2 부재(3)가 이 순서로 적층된 적층 부분과, 제3 부재(4), 상기 제3 부재(4)의 자중이 작용하는 방향측으로, 제3 접합용 금속 페이스트(10c), 및 제4 부재(5)가 이 순서로 적층된 적층 부분을 갖는 적층체(80)를 준비하고(도 8(a)), 상기 접합체(100)의 제조 방법과 동일하게 하여, 제1 접합용 금속 페이스트(10a), 제3 접합용 금속 페이스트(10c), 제4 접합용 금속 페이스트(10d) 및 제5 접합용 금속 페이스트(10e)를 소결하는 공정을 구비하는 방법으로 얻을 수 있다(도 8(b)). 상기 방법에 있어서, 제1 접합용 금속 페이스트(10a), 제3 접합용 금속 페이스트(10c), 제4 접합용 금속 페이스트(10d) 및 제5 접합용 금속 페이스트(10e)는 본 실시형태에 따른 접합용 금속 페이스트이며, 제1 접합용 금속 페이스트(10a)가 소결함으로써 소결체(1a)가 얻어지고, 제3 접합용 금속 페이스트(10c)가 소결함으로써 소결체(1c)가 얻어지며, 제4 접합용 금속 페이스트(10d)가 소결함으로써 소결체(1d)가 얻어지고, 제5 접합용 금속 페이스트(10e)가 소결함으로써 소결체(1e)가 얻어진다.
또한, 접합체(130)는, 제3 부재(4), 상기 제3 부재(4)의 자중이 작용하는 방향측으로, 제5 접합용 금속 페이스트(10e), 제5 부재(6), 제4 접합용 금속 페이스트(10d), 제1 부재(2), 제1 접합용 금속 페이스트(10a), 및 제2 부재(3)가 이 순서로 적층된 적층체를 준비하고, 상기 접합체(100)의 제조 방법과 동일하게 하여, 제1 접합용 금속 페이스트(10a), 제4 접합용 금속 페이스트(10d) 및 제5 접합용 금속 페이스트(10e)를 소결한 후, 제3 부재(4), 상기 제3 부재(4)의 자중이 작용하는 방향측으로, 제3 접합용 금속 페이스트(10c), 및 제4 부재(5)가 이 순서로 적층된 적층 부분을 형성하고, 상기 접합체(100)의 제조 방법과 동일하게 하여, 제3 접합용 금속 페이스트(10c)를 소결하는 공정을 구비하는 방법으로 얻을 수도 있다.
또한, 접합체(130)는, 상기 접합체(100)를 얻은 후, 제3 부재(4), 상기 제3 부재(4)의 자중이 작용하는 방향측으로, 제5 접합용 금속 페이스트(10e), 제5 부재(6), 제4 접합용 금속 페이스트(10d), 및 제1 부재(2)가 이 순서로 적층된 적층 부분과, 제3 부재(4), 상기 제3 부재(4)의 자중이 작용하는 방향측으로, 제3 접합용 금속 페이스트(10c), 및 제4 부재(5)가 이 순서로 적층된 적층 부분을 형성하고, 상기 접합체(100)의 제조 방법과 동일하게 하여, 제3 접합용 금속 페이스트(10c), 제4 접합용 금속 페이스트(10d) 및 제5 접합용 금속 페이스트(10e)를 소결하는 공정을 구비하는 방법으로 얻을 수도 있다.
상기 변형예에 있어서, 제3 부재(4), 제4 부재(5) 및 제5 부재(6)의 예로서는, 제2 부재(3)의 예와 동일하다. 또한, 제3 부재(4), 제4 부재(5) 및 제5 부재(6)의 접합용 금속 페이스트의 소결체와 접하는 면은 금속을 포함하고 있어도 좋다. 포함할 수 있는 금속의 예는, 제1 부재(2) 및 제2 부재(3)가 접합용 금속 페이스트의 소결체와 접하는 면에 포함할 수 있는 금속의 예와 동일하다. 또한, 상기 변형예에 있어서 이용하는 제1 접합용 금속 페이스트(10a), 제2 접합용 금속 페이스트(10b), 제3 접합용 금속 페이스트(10c), 제4 접합용 금속 페이스트(10d), 제5 접합용 금속 페이스트(10e)는, 각각 동일해도 상이해도 좋다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 및 비교예에서는 이하의 재료를 이용하였다.
[금속 입자]
·CH-0200(미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤 제조, 형상: 유사 구형, 표면 처리제: 라우르산(도데칸산), 표면 처리량: 0.973 질량%(CH-0200의 전체 질량 기준), 50% 체적 평균 입경: 0.36 ㎛, 0.1 ㎛ 이상 1 ㎛ 미만의 입자 직경(최대 직경)을 갖는 구리 입자의 함유량: 100 질량%)
·2L3N/A(후쿠다 긴조쿠 하쿠훈 고교 가부시키가이샤 제조, 형상: 플레이크형, 표면 처리량: 0.8 질량%(2L3N/A의 전체 질량 기준), 50% 체적 평균 입경: 9.4 ㎛, BET 비표면적: 13400 ㎠/g, 애스펙트비: 5.25, 1 ㎛ 이상 50 ㎛ 미만의 입자 직경(최대 직경)을 갖는 구리 입자의 함유량: 100 질량%, 최대 직경 2∼50 ㎛의 구리 입자의 함유량: 100 질량%)
·아연 입자(제품 번호: 13789, Alfa Aesar사 제조)
[1가 지방족 알코올]
·메탄올(와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤 제조)
·에탄올(와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤 제조)
·1-프로판올(와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤 제조)
·1-헵탄올(와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤 제조)
·1-테트라데칸올(와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤 제조)
·t-부틸알코올(와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤 제조)
·2-프로판올(와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤 제조)
·2-헵탄올(와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤 제조)
·이소옥타데칸올(상품명: 파인옥소콜 180(「파인옥소콜」은 등록 상표), 닛산 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조)
[금속 입자 및 1가 지방족 알코올 이외의 성분]
·α-테르피네올(와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤 제조)
·트리부티린(와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤 제조)
·도데실아민(와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤 제조)
·N,N-디메틸포름아미드(와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤 제조)
·아세트산에틸(와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤 제조)
·아라키딘산(도쿄 가세이 고교 가부시키가이샤 제조)
·아세토니트릴(와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤 제조)
·물(초순수, 와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤 제조)
(실시예 1)
<접합용 금속 페이스트 1의 조제>
α-테르피네올 0.36 g, 트리부티린 0.17 g, 메탄올 0.017 g, CH-0200 3.12 g, 및 2L3N/A 1.34 g을 마노 유발에 첨가하고, 건조분(乾燥粉)이 없어질 때까지 혼련하며, 혼합액을 폴리에틸렌병(폴리에틸렌제의 용기)에 옮겼다. 마개를 단단히 막은 폴리에틸렌병을, 자전 공전형 교반 장치(Planetary Vacuum Mixer ARV-310, 가부시키가이샤 씽키 제조)를 이용하여, 2000 min- 1(2000 회전/분)으로 2분간 교반하였다. 그 후, 얻어진 혼합액과, 아연 입자(제품 번호: 13789, Alfa Aesar사 제조) 0.0088 g을 마노 유발에 첨가하고, 건조분이 없어질 때까지 혼련하며, 혼합액을 폴리에틸렌병에 옮겼다. 마개를 단단히 막은 폴리에틸렌병을 자전 공전형 교반 장치(Planetary Vacuum Mixer ARV-310, 가부시키가이샤 씽키 제조)를 이용하여, 2000 min-1(2000 회전/분)으로 2분간 교반하였다. 얻어진 페이스트상의 혼합액을 접합용 금속 페이스트 1로 하였다. 표 1에 나타내는 바와 같이, 접합용 금속 페이스트 1에 있어서의 1가 지방족 알코올의 함유량은, 금속 입자 100 질량부에 대해, 0.38 질량부였다. 한편, 표 1 중의 「금속 입자의 합계량」은, 표면 처리제의 양을 포함하지 않는 양이다.
<접합체의 제조>
접합용 금속 페이스트 1을 이용하여, 이하의 방법에 따라 실시예 1의 접합체를 제조하였다.
먼저, 19 ㎜×25 ㎜의 전해 니켈 도금된 동판(총 두께: 3 ㎜, 도금 두께: 3∼5 ㎛) 상에, 3 ㎜×3 ㎜ 정사각형의 개구를 3행 3열 갖는 스테인리스제의 메탈 마스크(두께: 100 ㎛)를 올려놓고, 메탈 스퀴지를 이용한 스텐실 인쇄에 의해 접합용 금속 페이스트 1을 동판 상에 도포하였다. 계속해서, 3 ㎜×3 ㎜의 실리콘 칩(두께: 400 ㎛)에 대해, 티탄 및 니켈이 이 순서로 스퍼터 처리된 실리콘 칩을 준비하고, 도포한 접합용 금속 페이스트 상에, 니켈이 접합용 금속 페이스트와 접하도록 상기 실리콘 칩을 올려놓았다. 실리콘 칩은, 핀셋으로 가볍게 누름으로써 접합용 금속 페이스트에 밀착시켰다. 얻어진 적층체를 튜브로(tube furnace)(가부시키가이샤 에이브이씨 제조)에 세트하고, 튜브로 내에 아르곤 가스를 3 L/min으로 흘려 튜브로 내의 공기를 아르곤 가스로 치환하였다. 그 후, 튜브로 내에 수소 가스를 500 ㎖/min으로 흘리면서, 30분간에 걸쳐 튜브로의 온도를 200℃까지 승온하였다. 승온 후, 도달 최고 온도 200℃(전해 니켈 도금된 동판을 측정), 도달 최고 온도 유지 시간 60분간의 조건으로 소결 처리하여, 니켈 도금된 동판과, 니켈이 스퍼터 처리된 실리콘 칩을 접합한 접합체를 얻었다. 소결 후, 아르곤 가스의 유입 속도를 0.3 L/min으로 변경하여 냉각하고, 50℃ 이하에서 접합체를 공기 중에 취출하였다. 이상의 조작에 의해, 가압을 행하지 않고 접합용 금속 페이스트 1을 소결시켜 실시예 1의 접합체를 얻었다.
(실시예 2)
α-테르피네올을 0.35 g 이용한 것, 및 메탄올을 0.028 g 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 페이스트상의 혼합액을 조제하고, 이것을 접합용 금속 페이스트 2로 하였다. 계속해서, 접합용 금속 페이스트 1을 대신하여 접합용 금속 페이스트 2를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 실시예 2의 접합체를 제조하였다.
(실시예 3)
α-테르피네올을 0.32 g 이용한 것, 및 메탄올을 0.055 g 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 페이스트상의 혼합액을 조제하고, 이것을 접합용 금속 페이스트 3으로 하였다. 계속해서, 접합용 금속 페이스트 1을 대신하여 접합용 금속 페이스트 3을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 실시예 3의 접합체를 제조하였다.
(실시예 4)
α-테르피네올을 0.30 g 이용한 것, 및 메탄올을 0.077 g 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 페이스트상의 혼합액을 조제하고, 이것을 접합용 금속 페이스트 4로 하였다. 계속해서, 접합용 금속 페이스트 1을 대신하여 접합용 금속 페이스트 4를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 실시예 4의 접합체를 제조하였다.
(실시예 5∼12 및 비교예 1∼5)
메탄올을 대신하여, 표 1∼표 3에 기재된 알코올 또는 1가 지방족 알코올 이외의 성분(도데실아민, N,N-디메틸술포아미드, 아세트산에틸, 아세토니트릴 또는 물)을 이용한 것 이외에는 실시예 2와 동일하게 하여, 페이스트상의 혼합액을 조제하고, 이것을 접합용 금속 페이스트 5∼17로 하였다. 계속해서, 접합용 금속 페이스트 1을 대신하여 접합용 금속 페이스트 5∼17을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 실시예 5∼12 및 비교예 1∼5의 접합체를 제조하였다. 한편, 접합용 금속 페이스트 13∼17에 있어서의 상기 1가 지방족 알코올 이외의 성분(도데실아민, N,N-디메틸술포아미드, 아세트산에틸, 아세토니트릴 또는 물)의 함유량은, 각각, 금속 입자 100 질량부에 대해, 0.63 질량부였다.
(비교예 6)
메탄올을 이용하지 않은 것 및 α-테르피네올을 0.38 g 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 페이스트상의 혼합액을 조제하고, 이것을 접합용 금속 페이스트 18로 하였다. 계속해서, 접합용 금속 페이스트 1을 대신하여 접합용 금속 페이스트 18을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 비교예 6의 접합체를 제조하였다.
(실시예 13)
아연 입자를 이용하지 않은 것, 및 CH-0200, 2L3NA, 1가 지방족 알코올(1-헵탄올) 및 트리부티린의 사용량을 표 2에 나타내는 값으로 한 것 이외에는, 실시예 7과 동일하게 하여, 페이스트상의 혼합액을 조제하고, 이것을 접합용 금속 페이스트 19로 하였다. 계속해서, 접합용 금속 페이스트 1을 대신하여 접합용 금속 페이스트 19를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 실시예 13의 접합체를 제조하였다.
(비교예 7)
메탄올을 대신하여, 아라키딘산을 이용한 것, 및 CH-0200, 2L3NA, 아라키딘산 및 트리부티린의 사용량을 표 4에 나타내는 값으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 페이스트상의 혼합액을 조제하고, 이것을 접합용 금속 페이스트 20으로 하였다. 계속해서, 접합용 금속 페이스트 1을 대신하여 접합용 금속 페이스트 20을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 비교예 7의 접합체를 제조하였다.
<평가>
이하의 순서에 따라, 접합체의 다이 시어 강도, 및 84시간 보관 전후에 있어서의 접합용 금속 페이스트의 50% 체적 평균 입경을 측정하였다.
(다이 시어 강도)
접합체의 접합 강도는, 다이 시어 강도에 의해 평가하였다. 접합체를, 로드 셀(SMS-200K-24200, Royce Instruments사 제조)을 장착한 유니버설 본드 테스터(Royce 650, Royce Instruments사 제조)를 이용하여, 측정 스피드 5 ㎜/min, 측정 높이 50 ㎛에서 구리 블록을 수평 방향으로 눌러, 접합체의 다이 시어 강도를 측정하였다. 8개의 접합체를 측정한 값의 평균값을 다이 시어 강도로 하였다. 결과를 표 1∼4에 나타낸다.
(접합용 금속 페이스트의 50% 체적 평균 입경)
접합용 금속 페이스트 2를, 유리제의 샘플관(애즈원 가부시키가이샤 제조, 품번: 9-852-09) 중에 넣었다. 이 페이스트를 조제하고 나서 12시간 이내에, 이 페이스트의 50% 체적 평균 입경의 측정을 행한 결과, 50% 체적 평균 입경은 5.6 ㎛였다. 또한, 이 페이스트를 습도 60%, 25℃에서 84시간 보관하였다. 이 페이스트의 50% 체적 평균 입경을 측정한 결과, 50% 체적 평균 입경은 6.6 ㎛였다. 이들의 결과로부터, 접합용 금속 페이스트 2의 50% 체적 평균 입경의 변화가 20% 이내인 것을 확인하였다. 한편, 50% 체적 평균 입경은, 시마즈 나노 입자 직경 분포 측정 장치(SALD-7500nano, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)와 부속의 소프트웨어(WingSALDII-7500- for Japanese V3., 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)를 이용하여, 이하의 (1)∼(5)에 따라 측정하였다.
(1) 소프트웨어의 설정
측정 장치 부속의 퍼스널 컴퓨터로 WingSALDII-7500- for Japanese V3.1을 기동하고, 매뉴얼을 눌러 장치의 초기화를 행하였다. 초기화가 끝난 후에, 보존 파일명을 지정하고 「다음으로」를 클릭하며, 측정 조건 및 입자 직경 분포 계산 조건을 이하와 같이 설정하고, 「다음으로」를 클릭하였다.
(측정 조건)
·회절/산란광의 검출
평균 횟수(측정 횟수: 1): 128, 측정 횟수: 1, 측정 간격(초): 2
·측정 흡광 범위
최대값: 0.2, 최소값: 0
·블랭크 영역/측정 영역
블랭크 측정 허용 변동 최대값: 150, 측정 최적 범위(MAX): 45000, 측정 최적 범위(MIN): 15000
(입자 직경 분포 계산 조건)
굴절률의 선택: 참조 시료/순금속/반도체 등(고체값)
샘플의 물질: 4 Copper(구리)
굴절률의 선택: 1.18-2.21, 「측방/후방 센서를 평가한다」에 체크를 하였다
(2) 블랭크 측정
시마즈 나노 입자 직경 분포 측정 장치 SALD-7500nano용 회분 셀(SALD-BC75, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)을 SALD-7500nano에 부착하여 측정을 행하였다. SALD-BC75에 부속된 깔때기 부착 회분 셀(부품 번호 S347-61030-41, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조, 이하 「회분 셀」이라고 한다.) 내에 α-테르피네올(와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤 제조)을 회분 셀의 2개의 표선 사이에 들어가도록 스포이드로 적하하였다. WingSALDII-7500- for Japanese V3.의 화면상으로부터 「진단」, 「조정」을 선택하고, 위치 센서 출력이 장치 허용 범위 내인 것을 확인하였다. 「캔슬」을 클릭하여 원래의 화면으로 되돌아가고, 블랭크 측정을 선택하여 측정을 행하였다.
(3) 측정 용액의 조제
SALD-BC75에 부속된 회분 셀 홀더(부품 번호 S347-62301, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)의 교반 레버 상에 측정하고 싶은 접합용 금속 페이스트를 2 ㎎ 올려놓고, 깔때기 부착 회분 셀에 세트하였다. 다음으로, WingSALDII-7500- for Japanese V3.의 화면상으로부터 「스터러」를 선택하고, 15분간 교반을 행하였다.
(4) 측정
교반 후, WingSALDII-7500- for Japanese V3.의 화면상으로부터 「측정」을 선택하여 측정을 행하였다. (1)∼(4)의 조작을 4회 반복하고, 4회 측정하였다.
(5) 통계
WingSALDII-7500- for Japanese V3.을 기동하고, 「열기」를 클릭하며, 측정한 파일을 선택하여, WingSALDII-7500- for Japanese V3.의 화면상에 측정 데이터를 표시하였다. 「겹쳐 그리기」를 클릭하여, 화면 하단에 50.000% 직경을 표시하고, 4회의 평균값을 50% 체적 평균 입경으로 하였다.
Figure 112019077799801-pct00001
Figure 112019077799801-pct00002
Figure 112019077799801-pct00003
Figure 112019077799801-pct00004
실시예 및 비교예를 비교하면, 접합용 금속 페이스트가 1가 지방족 알코올을 포함하는 경우, 가열 시의 도달 최고 온도가 200℃여도 다이 시어 강도는 15 ㎫ 이상이 되는 것을 알 수 있다. 한편, 1가 지방족 알코올 이외의 성분(아민, 아미드, 에스테르, 니트릴, 물 및 아라키딘산)을 추가한 경우, 및 1가 지방족 알코올을 추가하지 않는 경우에서는, 다이 시어 강도가 15 ㎫ 미만이 되었다.
1, 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 11: 접합용 금속 페이스트의 소결체
2: 제1 부재
3: 제2 부재
10, 10a, 10b, 10c, 10d, 10e, 20: 접합용 금속 페이스트
15a, 15b: 리드 프레임
16: 와이어
17: 몰드 레진
18: 반도체 소자
50, 60, 70, 80: 적층체
100, 105, 120, 130: 접합체
110: 반도체 장치

Claims (13)

  1. 금속 입자와, 탄소수 1∼20의 직쇄형 또는 분지형의 1가 지방족 알코올을 함유하고,
    상기 금속 입자는, 체적 평균 입경이 0.12∼0.8 ㎛인 서브마이크로 구리 입자 및 최대 직경이 2∼50 ㎛이고 애스펙트비가 3.0 이상인 플레이크형의 마이크로 구리 입자를 포함하고,
    상기 서브마이크로 구리 입자의 함유량은, 상기 금속 입자의 전체 질량을 기준으로 하여, 30∼90 질량%이며,
    상기 마이크로 구리 입자의 함유량은, 상기 금속 입자의 전체 질량을 기준으로 하여, 10∼70 질량%인, 접합용 금속 페이스트.
  2. 제1항에 있어서, 상기 1가 지방족 알코올의 함유량은, 상기 금속 입자 100 질량부에 대해, 0.3∼1.8 질량부인, 접합용 금속 페이스트.
  3. 삭제
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금속 입자는, 아연 및 은으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속 입자를, 상기 금속 입자의 전체 질량을 기준으로 하여, 0.01∼10 질량%의 양으로 더 포함하는, 접합용 금속 페이스트.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 용제 성분을, 상기 접합용 금속 페이스트의 전체 질량을 기준으로 하여, 2∼50 질량%로 함유하는, 접합용 금속 페이스트.
  6. 제5항에 있어서, 상기 용제 성분은 300℃ 이상의 비점을 갖는 용제 성분을 포함하고,
    상기 300℃ 이상의 비점을 갖는 용제 성분의 함유량은, 상기 접합용 금속 페이스트의 전체 질량을 기준으로 하여, 2∼50 질량%인, 접합용 금속 페이스트.
  7. 제6항에 있어서, 상기 300℃ 이상의 비점을 갖는 용제 성분은, 이소보르닐시클로헥산올, 트리부티린, 스테아르산부틸 및 옥탄산옥틸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 접합용 금속 페이스트.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 탄소 수 10 이상의 카르복실산을 더 함유하고,
    상기 카르복실산의 함유량은, 상기 금속 입자 100 질량부에 대해, 0.07∼2.10 질량부인, 접합용 금속 페이스트.
  9. 제1 부재, 제1항 또는 제2항에 기재된 접합용 금속 페이스트, 및 제2 부재가 이 순서로 적층되어 있는 적층체를 준비하고, 상기 접합용 금속 페이스트를, 상기 제1 부재의 자중(自重)을 받은 상태, 또는 상기 제1 부재의 자중 및 0.01 ㎫ 이하의 압력을 받은 상태에서, 250℃ 이하에서 소결하는 공정을 구비하는, 접합체의 제조 방법.
  10. 제1 부재, 제1항 또는 제2항에 기재된 접합용 금속 페이스트, 및 제2 부재가 이 순서로 적층되어 있는 적층체를 준비하고, 상기 접합용 금속 페이스트를, 상기 제1 부재의 자중을 받은 상태, 또는 상기 제1 부재의 자중 및 0.01 ㎫ 이하의 압력을 받은 상태에서, 250℃ 이하에서 소결하는 공정을 구비하며,
    상기 제1 부재 및 상기 제2 부재 중 적어도 한쪽이 반도체 소자인, 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제1 부재와, 제2 부재와, 상기 제1 부재와 상기 제2 부재를 접합하는 제1항 또는 제2항에 기재된 접합용 금속 페이스트의 소결체를 구비하는 접합체.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1 부재 및 상기 제2 부재 중 적어도 한쪽은, 상기 소결체와 접하는 면에, 구리, 니켈, 은, 금 및 팔라듐으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속을 포함하는 접합체.
  13. 제1 부재와, 제2 부재와, 상기 제1 부재와 상기 제2 부재를 접합하는 제1항 또는 제2항에 기재된 접합용 금속 페이스트의 소결체를 구비하고,
    상기 제1 부재 및 상기 제2 부재 중 적어도 한쪽은 반도체 소자인 반도체 장치.
KR1020197022341A 2017-03-15 2018-01-18 접합용 금속 페이스트, 접합체 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치 및 그의 제조 방법 KR102499025B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017050088 2017-03-15
JPJP-P-2017-050088 2017-03-15
PCT/JP2018/001409 WO2018168186A1 (ja) 2017-03-15 2018-01-18 接合用金属ペースト、接合体及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190126297A KR20190126297A (ko) 2019-11-11
KR102499025B1 true KR102499025B1 (ko) 2023-02-13

Family

ID=63522984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197022341A KR102499025B1 (ko) 2017-03-15 2018-01-18 접합용 금속 페이스트, 접합체 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치 및 그의 제조 방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US11462502B2 (ko)
EP (1) EP3597331B1 (ko)
JP (1) JP7251470B2 (ko)
KR (1) KR102499025B1 (ko)
CN (1) CN110430951B (ko)
SG (1) SG11201906718UA (ko)
TW (1) TWI756352B (ko)
WO (1) WO2018168186A1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY195254A (en) * 2017-01-11 2023-01-11 Hitachi Chemical Co Ltd Copper Paste for Pressureless Bonding, Bonded Body And Semiconductor Device
JP6983186B2 (ja) * 2019-01-30 2021-12-17 株式会社神鋼環境ソリューション アルカリ金属を分散溶媒に分散させた分散体の保管方法
KR20220073763A (ko) * 2019-09-30 2022-06-03 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 접합용 구리 페이스트, 접합체의 제조 방법 및 접합체
WO2021066026A1 (ja) * 2019-09-30 2021-04-08 昭和電工マテリアルズ株式会社 接合用銅ペースト、接合体の製造方法及び接合体
JP7391678B2 (ja) * 2020-01-24 2023-12-05 大陽日酸株式会社 接合材
JP7380256B2 (ja) * 2020-01-28 2023-11-15 三菱マテリアル株式会社 接合用シート

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013090570A1 (en) 2011-12-13 2013-06-20 Dow Corning Corporation Composition and conductor formed therefrom
WO2016031619A1 (ja) * 2014-08-29 2016-03-03 三井金属鉱業株式会社 導電体の接続構造及びその製造方法、導電性組成物並びに電子部品モジュール

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4928639B1 (ko) 1969-06-17 1974-07-27
JPS506081B1 (ko) 1970-12-09 1975-03-11
JP3736797B2 (ja) 2001-11-20 2006-01-18 Ｔｄｋ株式会社 高温クリームはんだ用組成物およびインダクタ
JP5006081B2 (ja) 2007-03-28 2012-08-22 株式会社日立製作所 半導体装置、その製造方法、複合金属体及びその製造方法
JP4928639B2 (ja) 2010-03-15 2012-05-09 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 接合材およびそれを用いた接合方法
WO2011155055A1 (ja) * 2010-06-11 2011-12-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 低温焼結性接合材および該接合材を用いた接合方法
WO2014069074A1 (ja) * 2012-10-30 2014-05-08 化研テック株式会社 導電性ペーストおよびダイボンディング方法
JP6199048B2 (ja) 2013-02-28 2017-09-20 国立大学法人大阪大学 接合材
EP2942129B1 (de) * 2014-05-05 2017-07-05 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Metallpaste und deren Verwendung zum Verbinden von Bauelementen
JP6373066B2 (ja) * 2014-05-30 2018-08-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 接合材およびそれを用いた接合方法
JP5926322B2 (ja) * 2014-05-30 2016-05-25 協立化学産業株式会社 被覆銅粒子及びその製造方法
CN107405691B (zh) * 2015-03-05 2020-06-02 国立大学法人大阪大学 铜颗粒制造方法、铜颗粒和铜膏
JP6060199B2 (ja) 2015-03-24 2017-01-11 ハリマ化成株式会社 はんだ合金、ソルダペーストおよび電子回路基板
JP6507826B2 (ja) * 2015-04-28 2019-05-08 日立化成株式会社 導電性接合体および該接合体の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013090570A1 (en) 2011-12-13 2013-06-20 Dow Corning Corporation Composition and conductor formed therefrom
WO2016031619A1 (ja) * 2014-08-29 2016-03-03 三井金属鉱業株式会社 導電体の接続構造及びその製造方法、導電性組成物並びに電子部品モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
SG11201906718UA (en) 2019-10-30
JPWO2018168186A1 (ja) 2020-01-16
TW201840859A (zh) 2018-11-16
CN110430951B (zh) 2021-11-16
EP3597331B1 (en) 2024-02-21
KR20190126297A (ko) 2019-11-11
US11462502B2 (en) 2022-10-04
TWI756352B (zh) 2022-03-01
US20200075528A1 (en) 2020-03-05
EP3597331A1 (en) 2020-01-22
CN110430951A (zh) 2019-11-08
WO2018168186A1 (ja) 2018-09-20
EP3597331A4 (en) 2020-11-25
JP7251470B2 (ja) 2023-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7359267B2 (ja) 接合用銅ペースト、接合体の製造方法及び半導体装置の製造方法
KR102499025B1 (ko) 접합용 금속 페이스트, 접합체 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치 및 그의 제조 방법
JP7232236B2 (ja) 接合用銅ペースト、接合体の製造方法及び半導体装置の製造方法
KR102379883B1 (ko) 접합용 구리 페이스트, 접합체의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
JP7056724B2 (ja) 接合体及び半導体装置
KR102499022B1 (ko) 접합용 금속 페이스트, 접합체 및 그 제조 방법, 그리고 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2020020015A (ja) 接合用金属ペースト、接合体及び接合体の製造方法
WO2020110271A1 (ja) 接合体及び半導体装置の製造方法、並びに接合用銅ペースト
JP2020015950A (ja) 接合用金属ペースト、接合体及び接合体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant