KR102493654B1 - 반도체 패키지용 캐리어 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 패키징시 코어 기판의 일면에 부착되어 두께를 증대시키고 휘어짐 발생을 억제시킬 수 있는 캐리어로서, 고내열성, 우수한 점착 특성과 전사특성을 나타내면서, 고온 공정 중에 발생되는 가스가 용이하게 배출되어 고온 공정 안정성을 갖는 실리콘 점착층을 구비하는 반도체 패키지용 캐리어에 관한 것이다.

Description

반도체 패키지용 캐리어 및 이의 제조방법{CARRIER FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE AND PREPARING METHOD THEREOF}
본 발명은 고내열성, 우수한 점착 특성과 전사특성을 나타내면서, 고온 공정 중에 발생되는 가스가 용이하게 배출되어 우수한 고온 공정 안정성을 갖는 실리콘 점착층을 구비하는 반도체 패키지용 캐리어에 관한 것이다.
종래 반도체 패키징 공정은, 일반적으로 인쇄회로기판(PCB) 기재의 회로패턴 상에 칩을 배치한 후 EMC 몰딩(molding) 공정과 베이킹 공정 등의 후처리 공정을 거친다.
그런데 인쇄회로기판 기재가 점점 박막화됨에 따라 패키징 공정 중에 휨(Warpage) 현상 및 이로 인한 최종제품의 불량 문제가 발생하게 된다. 이를 해결하고자, 패키징 공정중에 박막형 기재의 두께를 보강하고 원활한 공정을 진행할 수 있는 보강판과 점착층이 부착된 형태의 임시 캐리어(carrier)를 사용하는 방법이 등장하였다. 하지만 이러한 캐리어는 박막형 기재의 두께 보강효과를 도모할 수는 있으나, 패키징 공정 이후 박막형 기재로부터 캐리어를 탈착하는 공정 중에 잔사 및 오염발생 등이 초래된다. 또한 캐리어의 점착층 성분을 아크릴계 점착제로 사용할 경우, 낮은 열적 안정성으로 인해 220℃ 이상의 리플로우(reflow) 공정을 실시할 수 없게 된다.
따라서 220℃ 이상의 고내열성을 보유하면서, 우수한 점착 특성과 탈착 이후에 오염이 발생하지 않는 신규 캐리어의 개발이 요구되고 있다.
본 발명자들은, 기재필름의 사용없이 점착 필름의 형성이 가능하고, 실리콘 성분에 기인한 고내열성, 고점착 특성 및 전사특성을 나타냄과 동시에, 탈착 이후 저분자 실리콘에 의한 오염이 발생하지 않는 조성을 갖는 실리콘 점착층을 구비하는 반도체 패키지용 캐리어를 개발하였다.
한편 전술한 실리콘 점착층을 구비하는 반도체 패키지용 캐리어를 사용할 경우 고내열성과 우수한 점착 특성을 나타내는 반면, 리플로우(reflow) 등의 고온 공정 중에 발생되는 가스 및 휘발성 물질(VC)가 용이하게 배출되지 못하여 디라미네이션(delamination)과 같은 품질 저하가 초래되는 것을 최초로 인식하였다.
이에, 본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해서 안출된 것으로서, 오염물질 발생 없이, 고온 공정 중에 발생되는 가스가 효과적으로 제거되어 고온 공정 안정성을 지속적으로 발휘할 수 있는 반도체 패키지용 캐리어를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 기술적 과제를 달성하고자, 본 발명은 금속적층판; 상기 금속적층판의 일면에 형성되고, 소정 간격으로 이격된 복수의 양각 또는 음각 점착패턴을 포함하는 실리콘 점착층; 및 상기 실리콘 점착층을 덮는 기재필름을 포함하는 패키지용 캐리어를 제공한다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 점착패턴은, 제1 방향을 따라서 형성되는 패턴 너비; 상기 제1 방향과 교차되는 제2 방향을 따라서 형성되는 패턴 길이; 및 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 직교하며 상기 금속적층판에 수직한 방향을 따라서 형성되는 패턴 높이를 가지며, 복수의 점착패턴 간의 이격거리는, 상기 패턴 너비와 상기 패턴 길이 중 어느 하나와 같거나 작게 형성될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 패턴 너비와 패턴 길이 중 어느 하나는, 50 내지 1000 ㎛의 크기를 가질 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 복수의 양각 또는 음각 점착패턴은 동일한 패턴 높이를 가지며, 상기 패턴 높이는 1 내지 50 ㎛일 수 있다. 본 발명에서 음각의 점착 패턴을 가질 경우 패턴 높이는 패턴 깊이로 대체될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 이격거리는 50 내지 1000 ㎛일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 점착패턴의 수평 단면 형상은 원형, 타원형, 스트라이프형, 마름모형 및 다각형 중 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 복수의 양각 또는 음각 점착패턴의 면적의 합은, 상기 금속적층판 일면의 전체 면적을 기준으로 하여 50 내지 100%일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, ASTM D3330에 의해서 측정된 기재필름 (예컨대, PET film)에 대한 실리콘 점착층의 점착력이 10~900 gf/inch일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 실리콘 점착층은, 열중량 분석(TGA)으로 측정된 3중량% 감소 열분해 온도가 330℃ 이상이며, 260℃에서의 중량 감소 비율이 0.5% 이하일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 실리콘 점착층은, 200℃에서 5분간 노출 후 기체 크로마토그래피 질량 분광분석(GC/MS)으로 분석시, H2O 에 기인한 피크가 존재하고, 실리콘 유래 피크가 존재하지 않을 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 실리콘 점착층은, 수평균 분자량(Mn)이 100,000 내지 1,200,000인 실리콘 고분자 및 수평균 분자량(Mn)이 1,000~8,000인 저분자형 실록산계 점착부여제가 100~60 : 0~40 중량비로 포함된 실리콘 점착성 조성물의 경화물을 함유할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 실리콘 점착층은, 기재필름이 박리된 후 인쇄회로기판과 부착되어 220~260℃에서 리플로우(reflow) 공정을 거치고 인쇄회로기판과 탈착되되, 상기 탈착된 인쇄회로기판의 표면을 FT-IR 스펙트럼으로 분석시, 1265±15 cm-1 영역에서 관찰되는 Si-C 피크가 존재하지 않을 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 인쇄회로기판은 두께가 100 ㎛ 이하인 박막형 인쇄회로기판일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 기재 필름은 불소계 이형필름으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 기재필름은 실리콘 점착층이 형성되기 이전에, 40~80℃에서 72~200시간 동안 에이징(aging) 처리된 것일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 금속적층판은, 적어도 하나의 절연층;과 적어도 하나의 금속층이 적층된 단면형 또는 양면형 금속 적층판일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 절연층은 폴리이미드 필름 또는 프리프레그(prepreg)이며, 상기 금속층은 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 은(Ag) 및 금(Au)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 또는 이들의 합금(alloy)일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 금속층의 두께는 1 내지 15㎛ 이며, 상기 금속적층판의 두께는 25 내지 500 ㎛일 수 있다.
본 발명의 패키지용 캐리어는 260℃ 이상의 고내열성을 갖는 실리콘 점착층을 도입함에 따라, 리플로우(reflow) 공정 등의 패키징 공정 중에 점착력 저하가 없을 뿐만 아니라 기재필름을 제거한 이후 실리콘 점착층의 전사특성이 우수하여 공정 적용이 가능하다.
또한 상기 패키지용 캐리어에 구비된 실리콘 점착층은, 일반 필름 형태가 아니라 상호 이격되도록 복수의 아일랜드(island) 형태로 형성되어 있으므로, 리플로우 등의 고온 공정 중에 발생되는 가스 및 휘발성 물질이 용이하게 배출되어 우수한 고온 공정 안정성을 지속적으로 나타낼 수 있다.
아울러, 상기 리플로우 공정 이후 점착물질의 잔사가 발생하지 않으므로, 실리콘 오염에 의한 문제점을 근본적으로 방지할 수 있으며, 이후 몰딩 등의 패키징 후공정에서 두께 단차 및 강성과 관련된 문제점을 개선하고, 인쇄회로기판(박막 PCB) 기재의 캐리어로서의 역할을 충실히 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지용 캐리어의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 패키지용 캐리어의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명에 따른 패키지용 캐리어의 실리콘 점착층을 구성하는 다양한 점착패턴 형태를 나타내는 평면 모식도이다.
도 7은 도 1의 패키지용 캐리어의 제조방법을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 8은 실시예 1의 패키지용 캐리어를 이용한 FT-IR 분석 그래프이다.
도 9는 실시예 1의 패키지용 캐리어를 이용한 GC/MS 분석 그래프이다.
도 10은 에이징 처리된 기재필름을 구비한 본 발명의 패키지용 캐리어의 FT-IR 분석 그래프이다.
도 11은 에이징 미처리된 기재필름을 구비한 본 발명의 패키지용 캐리어의 FT-IR 분석 그래프이다.
도 12는 에이징 처리 또는 미처리된 기재필름을 구비한 본 발명의 패키지용 캐리어의 전사 특성을 나타낸 사진이다.
도 13은 실시예 1의 패키지용 캐리어를 이용한 열중량분석(TGA) 그래프이다.
도 14는 상용화된 실리콘 점착필름 대조군을 이용한 열중량분석(TGA) 그래프이다.
도 15는 실시예 1의 패키지용 캐리어를 이용한 리플로우 공정 이전과 이후의 시차주사열량법(Differential Scanning Calorimetry, DSC) 결과 그래프이다.
도 16은 실리콘 점착 필름을 이용하여 리플로우 공정을 실시한 후의 SAT(Scanning Acoustic Tomography) 이미지이다.
도 17은 비교예 2의 패키지용 캐리어를 이용하여 리플로우 공정을 실시한 후의 SAT 이미지이다.
도 18은 실시예 1의 패키지용 캐리어를 이용한 리플로우 공정 이후 SAT(Scanning Acoustic Tomography) 이미지이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다. 그러나 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
<반도체 패키지용 캐리어>
본 발명은 적어도 일면에 실리콘 점착층이 형성되되, 상기 실리콘 점착층이 일반 필름형태가 아니라 상호 이격되도록 복수의 양각(엠보) 또는 음각 형태로 패턴화된 패키지용 캐리어를 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지용 캐리어의 단면 구조도이다.
상기 도 1을 참조하여 설명하면, 본 발명의 패키지용 캐리어(100)는 금속적층판(110); 상기 금속적층판(110)의 일면에 형성되고, 소정 간격으로 이격된 복수의 점착패턴(121)을 포함하는 실리콘 점착층(120); 및 상기 실리콘 점착층(120)을 덮는 기재필름(130)을 포함한다. 여기서, 점착패턴(121)은 양각 또는 음각의 패턴일 수 있다.
금속적층판
본 발명에 따른 패키지용 캐리어(100)에 있어서, 금속적층판(110)은 반도체 패키징시 코어 기판의 일면에 부착되어 두께를 증대시키고 휘어짐(warpage) 발생을 억제시키는 보강재의 역할을 한다.
금속적층판(110)은 하나 이상의 절연층과 하나 이상의 금속층이 적층된 당 분야의 통상적인 단면형 또는 양면형 금속 적층판을 제한 없이 사용할 수 있다. 일례로 동박적층판(CCL, copper clad laminate) 또는 연성 동박적층판(FCCL, flexible CCL)일 수 있다. 구체적으로, 상기 금속적층판(110)은 적어도 하나의 절연층을 중심으로 하고, 이의 일면 또는 양면상에 금속층이 배치된 구조일 수 있다.
금속층은 당 업계에 공지된 금속 또는 합금을 사용할 수 있으며, 일례로 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 은(Ag) 및 금(Au)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 또는 이들의 합금(alloy)일 수 있으며, 바람직하게는 동박일 수 있다. 이때, 사용 가능한 동박의 예로는, CFL (TZA_B, HFZ_B), Mitsui (HSVSP, MLS-G), Nikko (RTCHP), Furukawa, ILSIN 등을 들 수 있다. 또한 상기 동박은 압연법 또는 전해법으로 제조되는 모든 동박을 적용할 수 있다. 또한 상기 동박은 표면이 산화·부식되는 것을 방지하기 위해 녹방지 처리되어 있을 수 있다.
상기 금속층은 상기 절연층과 접하는 면에 표면 조도(Rz)가 형성되어 있을 수 있다. 이때, 표면 조도(Rz) 범위는 특별히 한정되지 않으나, 0.6 내지 3.0 ㎛일 수 있다. 이러한 금속층의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 적층 시트의 두께와 기계적 특성을 고려할 때, 1 내지 15 ㎛일 수 있으며, 바람직하게는 2 내지 12 ㎛ 범위이다.
절연층은 당 분야에 공지된 절연필름을 제한 없이 사용할 수 있으며, 일례로 폴리이미드 필름, 에폭시수지 필름, 프리프레그(PPG) 등이 있다.
본 발명에서, 금속적층판(110)의 두께는 특별히 제한되지 않으며, 일례로 25 내지 500 ㎛, 바람직하게는 50 내지 300 ㎛일 수 있다.
한편 본 발명에서는 하나 이상의 절연층과 하나 이상의 금속층을 포함하는 금속적층판(110)을 예시하였으나, 그 외 금속층만으로 이루어진 금속적층판을 사용하는 것도 본 발명의 범주에 속한다.
실리콘 점착층
본 발명에 따른 패키지용 캐리어(100)에 있어서, 실리콘 점착층(120)은 금속적층판(110)의 일면에 형성되며, 고내열성을 가지면서 우수한 점착특성과 전사특성을 발휘하는 역할을 한다.
상기 패키지용 캐리어(100)는 실리콘 점착층(120)의 조성에 기인하여 우수한 점착 특성을 나타낸다. 일 구현예를 들면, ASTM D3330에 의해서 측정된 기재필름, 예컨대 PET film에 대한 실리콘 점착층의 점착력이 10~900 gf/inch, 바람직하게는 10~400 gf/inch 일 수 있다. 여기서, 상기 측정된 점착력은 실리콘 점착층의 두께가 5 내지 40 ㎛를 기준으로 한다.
또한 본 발명의 패키지용 캐리어(100)에 구비된 실리콘 점착층(120)은, 상호 이격되면서 규칙적으로 배열된 복수의 양각 또는 음각 점착패턴(121)을 포함한다. 이러한 점착패턴(121)들 사이에는 실리콘 점착층이 미형성된 영역들이 존재하는데, 이러한 빈 공간을 통해 고온 공정 중에 발생되는 가스 및 휘발성 물질이 이동하여 외부로 제거될 수 있다. 이에 따라, 오염물질이나 디라미네이션(delamination) 발생 없이, 리플로우(reflow) 공정 등의 고온 공정 안정성을 발휘할 수 있다.
실리콘 점착층(120)의 각 점착패턴(121)은, 제1 방향을 따라서 형성되는 패턴 너비; 상기 제1 방향과 교차되는 제2 방향을 따라서 형성되는 패턴 길이; 및 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 직교하며 상기 금속적층판에 수직한 방향을 따라서 형성되는 패턴 높이를 갖는다. 일 구현예를 들면, 상기 점착패턴(121)의 패턴 너비와 패턴 길이 중 어느 하나는, 50 내지 1000 ㎛의 크기를 가질 수 있다. 바람직하게는 200 내지 700 ㎛일 수 있다.
복수의 양각 또는 음각 점착패턴(121)은 실질적으로 동일한 패턴 높이를 갖는다. 이러한 패턴 높이는 특별히 제한되지 않으며, 일례로 1 내지 50 ㎛일 수 있으며, 구체적으로 5 내지 20 ㎛일 수 있다. 이때 점착패턴이 음각의 패턴일 경우, 전술한 패턴 높이는 패턴 깊이로 대체될 수 있다.
또한 복수의 점착패턴(121) 중 어느 하나의 점착패턴과, 이에 인접하는 다른 점착패턴 사이에는 소정의 이격 거리가 형성된다. 일 구현예를 들면, 상기 이격거리는 상기 패턴 너비와 패턴 길이 중 어느 하나와 같거나 이보다 작게 형성될 수 있다. 구체적으로, 이격거리는 50 내지 1,000 ㎛일 수 있으며, 바람직하게는 50 내지 700 ㎛일 수 있다.
실리콘 점착층(120)은 수평 단면 형상을 볼 때, 복수의 양각 또는 음각 점착패턴(121)과, 상기 패턴이 미형성된 평탄화 영역이 서로 교번하여 이루어진 규칙적인 패턴을 갖는다. 상기 양각 또는 음각 점착패턴(121)의 수평 단면 형상은 특별히 제한되지 않으며, 일례로 원형, 타원형, 스트라이프형, 마름모형 또는 삼각형 이상의 다각형일 수 있다. 그 외, 다양한 패턴 형상을 적용할 수 있다.
본 발명에서는 실리콘 점착층의 점착 특성과 고온 공정 안정성을 고려하여 점착패턴(121)의 전체 면적이나 개수를 조절하여 형성할 수 있다. 일 구현예를 들면, 상기 복수의 양각 또는 음각 점착패턴(121)의 면적의 합은, 상기 금속적층판(110) 일면의 전체 면적을 기준으로 하여 50 내지 100%일 수 있으며, 바람직하게는 50 내지 90%일 수 있다.
한편 종래 아크릴계 조성물을 이용한 점착필름은, 내열성에 한계가 있어 리플로우 공정(260℃, 1-3분) 등과 같이 고온 제조공정에 적용하기가 어려웠다. 이에 비해, 본 발명에서는 260℃ 이상의 고온 내열특성을 갖는 실리콘 점착층을 사용하므로, 점착성 저하 없이 리플로우 공정에 적용 가능하다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 실리콘 점착층(120)은 리플로우 공정 온도(220~260℃)에서 중량감소가 거의 발생하지 않으며 열중량 분석(TGA)으로 측정된 3중량% 감소 열분해 온도가 330℃ 이상, 바람직하게는 330~370℃일 수 있다. 또한 리플로우 공정이 이루어지는 260℃에서의 중량 감소 비율은 0.5% 이하일 수 있으며, 구체적으로 0.1 내지 0.5%일 수 있다. 열분해온도 400℃ 부근에서의 중량감소 비율이 12% 이하일 수 있으며, 바람직하게는 11 중량% 이하일 수 있다.
실리콘 점착층(120)은 실리콘 고분자 및 저분자형 실록산계 점착부여제(tackifier)가 포함된 실리콘 점착 조성물을 경화시켜 형성된 것일 수 있다.
상기 실리콘 고분자는 당 분야에 알려진 통상적인 고분자량 실리콘 함유 수지를 사용할 수 있다. 일례로, 수평균 분자량(Mn)이 100,000 내지 1,200,000인 오르가노폴리실록산 수지를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 수평균 분자량(Mn)이 400,000 내지 800,000인 오르가노폴리실록산 수지이다. 상기 실리콘 고분자의 수평균 분자량(Mn)이 100,000 미만인 경우 점착 특성이 저하될 수 있으며, 설령 점착 특성이 부여되더라도 안정적인 점착력을 나타낼 수 없고, 탈착 이후 저분자량 실리콘 물질(Si 부산물)에 의한 잔사나 오염이 발생하게 된다.
구체적으로, 상기 실리콘 고분자는 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112018044817580-pat00001
상기 화학식 1에서,
R은 동일하거나 또는 상이하며, 각각 독립적으로 히드록시기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 알케닐기 및 탄소수 6 내지 18의 아릴기로 구성된 군에서 선택되며,
n은 100 내지 10,000이다.
또한 상기 저분자형 실록산계 점착부여제는 당 분야에 공지된 실리콘 함유 tackifier 레진을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 수평균 분자량(Mn)이 1,000 내지 8,000인 저분자량 MQ 수지이다.
구체적으로, 상기 저분자형 MQ 수지는 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112018044817580-pat00002
상기 화학식 2에서,
R은 서로 동일하거나 또는 상이하며, 각각 독립적으로 수소 원자, 1가 탄화수소, 1가 할로겐화 탄화수소 및 알케닐기로 구성된 군에서 선택될 수 있으며,
w 및 z > 0 이고, x 및 y ≥ 0 이며, w + x + y + z = 1 이고, 0 ≤ {(x + y)/2} ≤ 0.4 이다.
본 발명에서, 상기 실리콘 고분자 및 저분자형 실록산계 점착부여제(tackifier 레진)의 혼합비는 특별히 제한되지 않으며, 일례로 100~60 : 0~40 중량비로 포함될 수 있다. 필요에 따라, 상기 실리콘 점착 조성물은 당 분야에 공지된 가교제 및/또는 백금촉매를 더 포함할 수 있다. 이때 가교제 및/또는 백금촉매의 사용량은 특별히 제한되지 않으며, 당 분야에 공지된 함량 범위 내에서 적절히 조절할 수 있다.
본 발명의 패키지용 캐리어(100)는, 기재필름(130)-실리콘 점착층(120)-금속적층판(110)이 순차적으로 적층되어 있는 구조이다. 상기 패키지용 캐리어(100)에서 기재필름(130)을 박리하면 실리콘 점착층이 금속적층판(110) 일면 상에 전사되는데 이러한 형태가 도 2에 도시된 패키지용 캐리어(101)의 구조이다. 이와 같이 기재필름(130)이 박리된 패키지용 캐리어(101)는, 실리콘 점착층(120)이 형성된 면을 다른 기재(예, 박막 PCB)의 일면 상에 부착시킴으로써 패키지용 캐리어로 사용할 수 있다. 이때 기재필름(130)을 제거한 후의 전사특성이 우수하다.
또한 실리콘 점착층(120)과 점착되는 다른 기재(예, 박막 PCB)는, 필요에 따라 리플로우(reflow) 등의 고온공정을 실시하거나, 또는 상기 리플로우 공정 이후 몰딩 등의 패키징 후속공정을 순차적으로 수행하고, 이어서 상기 기재로부터 실리콘 점착층(120)과 금속적층판(110)을 탈착하게 된다. 이때, 탈착된 기재 표면(예, 박막 PCB)에 실리콘 점착층의 잔사가 존재하지 않으므로, 실리콘 사용에 따른 오염이 발생하지 않게 된다. 또한 고온공정에 의해 발생되는 가스가 외부로 쉽게 제거 가능하므로 공정 안정성을 발휘할 수 있으며, 몰딩 등의 후속공정에서 두께 단차 발생을 억제할 수 있다. 아울러, 패키징 공정 중 박막형 기판의 두께 보강재로서의 역할을 충실히 수행하여 공정 중에 발생되는 휘어짐(warpage) 문제를 방지할 수 있으며, 패키징 공정 이후 용이하게 탈착될 수 있다.
전술한 고온 제조공정이 실시된 이후, 실리콘 점착층(120)의 잔류 존재 여부는 다양한 분석법에 의해 측정될 수 있다. 일례로, FT-IR, EDS, GC/MS 등을 들 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 실리콘 점착층(120)은, 기재필름을 박리한 후 인쇄회로기판 기재의 일면 상에 부착되어 220~260℃에서 리플로우(reflow) 공정을 거치고 탈착되되, 상기 탈착된 인쇄회로기판 기재의 표면을 FT-IR 스펙트럼으로 분석시, 1265±15 cm-1 영역에서 관찰되는 Si-C 피크가 존재하지 않게 된다.
여기서, 상기 인쇄회로기판은 두께가 100 ㎛ 이하인 박막형 인쇄회로기판일 수 있으며, 구체적으로 10 내지 100 ㎛ 범위인 스트립(Strip) 형태의 인쇄회로기판일 수 있다.
본 발명의 다른 일 구현예에 따르면, 상기 실리콘 점착층(120)은, 200℃에서 5분간 노출 후 기체 크로마토그래피 질량 분광분석(GC/MS)으로 분석시, H2O에 기인한 피크가 존재하고, 실리콘 유래 피크가 존재하지 않게 된다(하기 도 9 참조).
또한 본 발명의 다른 일 구현예에 따르면, 상기 탈착된 기재 표면을 에너지 분산형 X선 분광기(EDS, Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)로 분석시, 실리콘(Si) 원소의 함량이 미검출된다.
기재필름
본 발명에 따른 패키지용 캐리어(100)에 있어서, 기재필름(130)은 실리콘 점착층(120)을 형성하기 위한 코팅 기재로 사용되면서, 실리콘 점착층(120)을 지지하고 보호하는 역할을 한다.
기재필름(130)은 특별히 제한되지 않으며, 당 분야에서 통상적으로 알려진 보호필름 등의 플라스틱 필름을 제한 없이 사용할 수 있다. 사용 가능한 기재필름의 비제한적인 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스터 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 셀로판, 다이아세틸셀룰로스 필름, 트라이아세틸셀룰로스 필름, 아세틸셀룰로스부틸레이트 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리염화비닐리덴 필름, 폴리비닐알코올 필름, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 폴리스타이렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리설폰 필름, 폴리에터에터케톤 필름, 폴리에터설폰 필름, 폴리에터이미드 필름, 폴리이미드(PI) 필름, 불소수지 필름, 폴리아마이드 필름, 아크릴수지 필름, 노보넨계 수지 필름, 사이클로올레핀 수지 필름 등이 있다. 구체적인 예로는, 폴리이미드(PI) 필름, PET (polyethylene terephthalate) 필름, PEN (polyethylene naphthalate) 필름, 보호 필름, 캐리어 필름 및 불소계 이형처리(Fluorine release film)된 필름으로 구성된 군에서 선택될 수 있다. 바람직하게는 PET 필름을 이용한 불소계 이형필름일 수 있으며, 구체적으로 백금 촉매가 자체 포함된 불소실리콘 이형제, 불소형 경화제와 점착성 첨가제가 혼합된 불소 이형제로 이루어진 것이 바람직하다.
본 발명에서, 기재필름(130)은 실리콘 점착층(120)이 형성되기 이전에, 이미 에이징(aging) 처리된 것일 수 있다. 특히, 에이징 처리된 기재필름을 실리콘 점착층(120)의 코팅 기재로 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같이 에이징 처리된 기재필름을 사용할 경우, 그 위에 형성되는 실리콘 점착층과의 화학결합이 유의적으로 감소되어 전사특성이 보다 상승할 수 있다. 상기 에이징 처리 조건은 특별히 제한되지 않으며, 일례로 40~80℃에서 72~200시간 동안 에이징(aging)할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 에이징 처리된 기재필름(130)은, FT-IR 스펙트럼으로 분석시, 800-950 cm-1 영역에서 관찰되는 Si-H 피크의 상대 강도가 하기 수학식 1의 관계를 만족하는 것일 수 있다.
[수학식 1]
IA/IN ≤ 0.5
상기 식에서, IA는 에이징 처리된 기재필름 상에 형성된 실리콘 점착층의 800-950 cm-1 피크의 강도를 나타내며, IN는 에이징 미처리된 기재필름 상에 형성된 실리콘 점착층의 800-950 cm-1 피크의 강도를 나타낸다.
상기 기재필름(130)의 두께는 특별히 제한되지 않으며, 일례로 각각 10 내지 100 ㎛, 바람직하게는 25 내지 75 ㎛일 수 있다.
한편 본 발명에서는 금속적층판을 구체적으로 예시하였으나, 상기 금속적층판 이외에, 당 분야에 알려진 고내열성 기판, 예컨대 260℃ 이상의 내열성을 갖는 고내열성 수지나 엔지니어링 플라스틱으로 구성된 기판을 사용하는 것도 본 발명의 범주에 속한다.
<패키지용 캐리어의 제조방법>
본 발명의 패키지용 캐리어는, 크게 하기 2가지 방법으로 제조될 수 있다. 그러나 하기 방법에 의해서만 한정되는 것은 아니며, 다양하게 변형 가능하다.
상기 제조방법의 첫번째 실시형태는 음각 또는 양각의 패턴을 갖는 기재필름을 사용하는 것이다. 제1실시형태에 따른 패키지용 캐리어를 제조하는 일 구현예를 들면, (i) 일면에 복수의 음각 또는 양각 패턴을 갖는 기재필름을 준비하는 단계; (ii) 상기 기재필름의 음각 또는 양각 패턴 상에 실리콘 점착 조성물을 도포 및 건조하는 단계; 및 (iii) 상기 상기 기재필름의 일면 상에 금속적층판을 적층하여 합지하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다.
도 7은 일 실시예에 따른 패키지용 캐리어의 제조방법을 개략적으로 도시한 단면도들이다. 이하, 도 7을 참고하여 각 제조공정을 상세히 설명한다.
먼저 도 7(a)에 도시된 바와 같이, 일면에 복수의 음각 패턴이 형성된 기재필름(310)을 실리콘 점착 조성물의 코팅 기재로 준비한다.
상기 기재필름(310)은 당 분야에 공지된 플라스틱 필름 등을 제한 없이 사용할 수 있으며, 바람직하게는 에이징 처리된 불소계 이형필름을 사용하는 것이다. 또한 기재필름(310) 내에 형성된 복수의 음각 또는 양각 패턴(311)의 형상, 개수, 크기 등은 특별히 한정되지 않으며, 실리콘 점착층의 점착특성과 고온 공정 안정성을 고려하여 적절히 조절할 수 있다.
이어서, 도 7(b)에 도시된 바와 같이 기재필름(310)의 일면, 구체적으로 음각 패턴(311)이 형성된 일면 상에 실리콘 점착 조성물(320)을 코팅 및 경화시켜 실리콘 점착층을 형성한다.
이때 실리콘 점착 조성물(320)을 기재필름(310) 상에 도포하는 방법으로는, 당 분야의 통상적인 도포 방법, 일례로 딥 코트법, 에어나이프 코트법, 커튼 코트법, 와이어 바 코트법, 그라비아 코트법, 콤마 코트법, 슬롯 코트법, 익스트루전 코트법, 스핀 코트 방법, 슬릿 스캔법, 잉크젯법 등을 들 수 있다.
건조와 경화공정은 당 분야에 알려진 통상적인 조건 내에서 적절히 실시할 수 있다. 일례로, 경화는 100 내지 250℃에서 1 내지 10분 동안 수행될 수 있다. 상기와 같이 형성된 실리콘 점착층은, 완전 경화된 상태로서 경화도가 90-100% 상태를 의미한다.
필요에 따라, 도 7(c)에 도시된 바와 같이 실리콘 점착층(320) 상에 보호필름을 배치할 수 있다.
이후 도 7(d)에 도시된 바와 같이, 실리콘 점착층(320)이 형성된 기재필름(310)의 일면 상에 금속적층판(340)을 적층하고 합지한다. 이러한 합지 단계의 조건은 특별히 제한되지 않으며, 당 분야에 공지된 범위 내에서 적절히 조절할 수 있다.
이어서, 상기 합지된 적층체에서 금속적층판(340)이 아래에 위치하도록 한 후, 상부에 위치하는 기재필름(310)을 제거하면 도 7(e)에 도시된 바와 같은 패키지용 캐리어의 제조가 완료된다.
한편 본 발명에서는 도 7을 예시로 하여 음각 패턴이 형성된 기재필름을 사용하여 패키지용 캐리어를 제조하는 것을 구체적으로 설명하였으나, 그 외 양각 패턴을 갖는 기재필름을 사용하는 것도 본 발명의 범주에 속한다.
본 발명에 따른 패키지용 캐리어를 제조하는 두번째 실시형태는 소정의 규칙적인 양각 점착패턴을 형성할 수 있는 코팅법을 적용하는 것이다.
상기 제2실시형태에 따른 패키지용 캐리어를 제조하는 일 구현예를 들면, (i) 기재필름의 제1면 상에 실리콘 점착 조성물을 코팅하되, 소정의 간격으로 이격된 복수의 양각 점착패턴을 형성하고 경화하여 실리콘 점착층을 형성하는 단계; 및 (ii) 상기 기재필름의 실리콘 점착층과 금속적층판의 제1면이 접하도록 배치한 후 라미네이션 하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 실리콘 점착 조성물의 코팅 기재로 사용되는 기재필름은 에이징 처리된 것을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 실리콘 점착 조성물을 기재필름 상에 패턴화하여 도포하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 당 분야에 알려진 통상의 방법을 사용할 수 있다. 일례로 그라비아 오프셋, 마스크(Mask) 공정, 레이저 가공, 금형타발, 잉크젯(Inkjet)을 사용하거나 또는 리소그래피법 등을 사용할 수 있다.
이후 건조와 경화공정은 당 분야에 알려진 통상적인 조건 내에서 적절히 실시할 수 있다. 일례로, 경화는 100 내지 250℃에서 1 내지 10분 동안 수행될 수 있다. 상기와 같이 형성된 실리콘 점착층은, 완전 경화된 상태로서 경화도가 90-100% 상태를 의미한다
또한 상기 라미네이션 단계는, 당 분야에 알려진 통상적인 범위 내에서 적절히 실시할 수 있으며, 20 내지 150℃의 온도 조건 하에서 수행될 수 있다. 일례로, 전술한 온도 조건의 가열 롤(heated roll)을 구비하는 라미네이션 공정을 통해 제조될 수 있다.
전술한 바와 같이 제조되는 패키지용 캐리어는, 고내열성 및 우수한 전사특성이 요구되는 다양한 분야에 적용 가능하다. 일례로, 반도체 패키징에서 두께가 얇은 인쇄회로기판 기재를 보강하기 위해 사용되는 반도체 패키징 제조용 내열성 캐리어 및 그 캐리어를 사용하는 반도체 패키징 제조방법에 적용될 수 있다.
이하 본 발명을 실시예를 통하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[ 참조예 1. 실리콘 (비)점착 조성물 선정]
본원 실시예 및 비교예에서 사용되는 실리콘 (비)점착 조성물 1 내지 7의 구체적인 조성은 하기 표 1과 같다. 여기서, 실리콘 점착 조성물 6의 조액 B를 제외한 실리콘 점착 조성물은 수평균 분자량(Mn)이 10만 이상인 실리콘 고분자 또는 상기 실리콘 고분자와 수평균 분자량(Mn)이 1,000 ~ 8,000인 저분자형 실록산계 점착부여제를 포함하는 조성을 갖는다.
또한 상기 실리콘 (비)점착 조성물 1 내지 7을 이용하여 형성된 실리콘 점착층의 두께에 따른 점착력 특성은 하기 표 2와 같다.
조액 A
(wt%)		 조액 B
(wt%)		 상세 구성
실리콘 점착 조성물 1 80 20 조액A: 7657(다우코닝社),
조액B: 7654(다우코닝社)
실리콘 점착 조성물 2 100 - 조액A: 7657(다우코닝社)
실리콘 점착 조성물 3 100 - 조액A: 7652(다우코닝社)
실리콘 점착 조성물 4 100 - 조액A: SG6500A(KCC社)
실리콘 점착 조성물 5 80 20 조액A: 7652(다우코닝社),조액B: 7651(다우코닝社)
실리콘 점착 조성물 6 60 40 조액A: 4580(다우코닝社), 조액B: 7646(다우코닝社, 실리콘 고분자의 Mn: 10만 미만)
실리콘 비점착 조성물 7 100 - 조액A: SC3300L(KCC社)
실리콘 (비)점착층 두께 (㎛) 실리콘 (비)점착 조성물의 점착력 (gf/inch)
1 2 3 4 5 6 7
5 30 200 50 250 10 20 0
10 40 300 80 340 20 30 0
20 75 650 120 700 40 50 0
30 90 730 160 800 55 60 0
40 120 820 200 900 75 90 0
[ 실시예 1~5. 패키지용 캐리어 제조 (1)]
일면에 복수의 원형 음각패턴(패턴지름: 500 ㎛, 패턴간 이격거리: 250 ㎛)이 형성된 기재필름(Fluorine release film, 두께: 50 ㎛)의 일면 상에 실리콘 점착 조성물 1을 코팅하여 경화한 후, 상기 기재필름의 실리콘 점착성 조성물 1이 형성된 코팅층과 금속적층판 (PKG core with 12㎛ Cu foil)이 서로 접하도록 배치한 후, 라미네이터를 이용하여 100℃에서 접합시켜 실시예 1의 패키지용 캐리어를 제조하였다.
또한 실리콘 점착 조성물 1 대신 하기 표 3에 기재한 실리콘 점착 조성물의 조성을 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 필름 형태의 실리콘 점착층을 형성하여 실시예 2 내지 5의 패키지용 캐리어 (1)를 각각 제조하였다.
실리콘 (비)점착층 필름 형태
실시예 1 실리콘 점착 조성물 1 복수의 원형 음각 패턴 형성
실시예 2 실리콘 점착 조성물 2 복수의 원형 음각 패턴 형성
실시예 3 실리콘 점착 조성물 3 복수의 원형 음각 패턴 형성
실시예 4 실리콘 점착 조성물 4 복수의 원형 음각 패턴 형성
실시예 5 실리콘 점착 조성물 5 복수의 원형 음각 패턴 형성
비교예 1 실리콘 점착 조성물 6 일반 시트형
비교예 2 실리콘 점착 조성물 1 일반 시트형
[ 비교예 1. 패키지용 캐리어 제조]
복수의 음각 패턴이 형성된 기재필름 대신 일반 시트형 기재 필름(Fluorine release film)을 사용하고, 실리콘 점착 조성물 1 대신 실리콘 점착 조성물 6을 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 필름 형태의 실리콘 점착층을 형성하여 비교예 1의 캐리어를 제조하였다.
[ 비교예 2. 패키지용 캐리어 제조]
복수의 음각 패턴이 형성된 기재필름 대신 일반 시트형 기재필름(Fluorine release film)을 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 필름 형태의 실리콘 점착층을 형성하여 비교예 2의 캐리어를 제조하였다.
[ 실험예 1. 실리콘 저분자 오염 확인 평가 (1)]
패키지용 캐리어의 저분자형 실리콘의 오염도를 확인하기 위해서 FT-IR 분석을 실시하였다.
구체적으로, 실시예 1의 패키지용 캐리어에서 기재필름(불소계 이형필름)을 제거한 후 인쇄회로기판을 적층하여 260℃에서 리플로우(reflow) 공정을 적용하였으며, 이후 상기 인쇄회로기판을 탈착하여 FT-IR 분석을 통해 인쇄회로기판 표면에 있는 관능기를 확인하였다.
실험 결과, 실시예 1에서 제조된 패키지용 캐리어의 FT-IR 에서는 1250-1280 cm-1에서 관찰되는 Si-C 피크가 확인되었으나, 상기 Reflow 공정을 적용한 인쇄회로기판에서는 Si-C 피크가 존재하지 않는 것으로 확인되었다(도 8 참조).
[ 실험예 2. 실리콘 저분자 오염 확인 평가 (2)]
패키지용 캐리어의 저분자형 실리콘의 오염도를 확인하기 위해서 GC/MS 분석을 실시하였다.
구체적으로, 실시예 1의 패키지용 캐리어에서 기재필름을 제거하고 260℃에서 5분 동안 노출시킨 후, 발생하는 가스 성분(outgassing)을 확인하였다.
실험 결과, 실시예 1의 실리콘 점착층에서는 1.65분 정도에 수분에 기인한 가스가 발생하였을 뿐, 그 외 실록산 등의 저분자 물질이 발생하지 않았음을 알 수 있었다. 이에 따라 잔류 및 outgassing에 의한 실리콘 오염이 전혀 발생하지 않는다는 확인할 수 있었다(도 9 참조).
[ 실험예 3. 에이징 처리에 따른 전사특성 평가]
실리콘 점착층의 코팅 기재로 사용되는 불소계 이형필름(기재필름)의 에이징(againg) 처리에 따른 전사특성을 하기와 같이 평가하였다.
구체적으로, 불소계 이형필름(Fluorine release film)을 60℃에서 7일 동안 에이징 처리를 실시한 후, 해당 이형필름의 일면 상에 실리콘 점착층을 형성하였다. 또한 실리콘 점착층이 에이징 미처리된 이형필름의 일면 상에 형성된 것을 대조군으로 사용하였다. 전술한 2개의 패키지용 캐리어로부터 불소계 이형필름을 각각 탈착한 후, 불소계 이형필름에 존재하는 미반응 Si-H 관능기를 측정하고자 FT-IR 분석을 실시하였다.
실험 결과, 에이징 처리가 미실시된 대조군의 경우 950-980 cm-1에서 Si-H 관능기의 강도가 높게 나타는 반면(도 11 참조), 에이징 처리가 실시된 실시예에서는 950-980 cm-1에서 미반응 Si-H 관능기의 강도가 현저히 낮아졌음을 알 수 있었다(도 10 참조).
또한 에이징 처리된 이형필름을 사용하는 경우, Cu 기재상에 실리콘 점착층의 전사가 깨끗하게 이루어진 반면, 에이징 미처리된 이형필름을 사용하는 경우 실리콘 점착층의 전사 특성이 저하되는 것을 알 수 있었다(도 12 참조).
이에 따라, 본 발명에서 에이징 공정을 추가 실시할 경우 불소계 이형필름과 실리콘 점착층 간의 결합력이 낮아져 실리콘 점착층의 전사특성이 개선될 수 있음을 확인할 수 있었다.
[ 실험예 4. 실리콘 점착층의 고내열 특성 평가- 열중량분석 ]
실리콘 점착층의 고내열 특성을 평가하고자, 하기와 같이 열중량 분석(TGA, Thermogravimetric analyzer)을 실시하였다.
샘플로서 실시예 1의 패키지용 캐리어를 사용하였고, 대조군으로 상용화된 실리콘 점착필름을 사용하였다. 실시예 1의 샘플은 제조과정에서 상용화된 실리콘 점착필름 대비 가교밀도를 크게 개선시킨 샘플로서, 고내열 안정성이 기존 실리콘 점착필름 보다 크게 향상될 것으로 예상되었다.
구체적으로, 상기 제품들을 이용하여 10℃/분의 속도로 온도를 상승시키면서 3중량% 감소 온도를 측정하였으며, 또한 400℃에서 열분해되는 중량을 각각 측정하였다.
실험 결과, 대조군의 경우 대략 260℃부터 중량감소가 발생하기 시작하며, 3중량% 감소 온도가 303℃이었다(도 14 참조). 이에 비해, 실시예 1에서는 300℃ 이하에서 중량감소가 거의 발생하지 않으며 3중량% 감소 온도가 366℃이었다(도 13 참조). 이에 따라, 본 발명의 실리콘 점착층은 고내열 특성을 보유하고 있음을 알 수 있었다.
[ 실험예 5. 실리콘 점착층의 고내열 특성 평가-시차주사열량분석]
시차주사열량분석(DSC, Differential Scanning Calorimetry)법을 실시하여 실리콘 점착층의 고내열 특성을 평가하였다.
구체적으로, 상기 패키지용 캐리어의 기재필름에서 해당 실리콘 점착층을 분리하여 리플로우 공정을 5회 정도 반복 실시하였으며, 이후 실리콘 점착층에 대한 DSC 분석을 평가하였다.
도 15(A)는 리플로우 공정 이전의 실시예 1의 패키지용 캐리어를 이용한 DSC 결과 그래프이고, 도 15(B)는 260℃에서 리플로우 공정을 5회 실시한 후 실시예 1의 패키지용 캐리어를 이용한 DSC 결과 그래프이다.
실험 결과, 본 발명의 실리콘 점착층은 고온의 리플로우 공정에 적용하더라도 우수한 열안정성을 갖는다는 것을 확인할 수 있었다.
[ 실험예 6. 디라미네이션 ( Delamination ) 특성 평가]
본 발명에 따른 패키지용 캐리어를 이용하여 디라미네이션 특성을 확인하였다.
구체적으로, 상기 패키지용 캐리어에서 기재필름을 제거한 후, 해당 실리콘 점착층에 인쇄회로기판을 부착시키고 리플로우 공정을 5회 정도 반복 실시하였으며, 이후 디라미네이션 발생 여부를 SAT(Scanning Acoustic Tomography) 측정으로 평가하였다. 이때 대조군으로서 상용화된 실리콘 점착필름 및 비교예 2의 패키지용 캐리어를 각각 사용하였다.
도 16과 도 17은 각각 필름형태의 실리콘 점착층을 구비하는 상용화된 실리콘 점착 필름과 비교예 2의 패키지용 캐리어를 이용하여 리플로우(reflow) 공정을 실시한 후의 SAT 이미지이다. 이들은 모두 리플로우 공정 이후 디라미네이션이 발생하는 것을 확인할 수 있었다. 이는 고온 공정에 의해 발생되는 가스 및 휘발성 물질로 인해 디라미네이션이 초래되는 것으로 판단된다.
이에 비해, 본 발명의 패키지용 캐리어는 리플로우 등 다른 공정을 적용하더라도, 디라미네이션 발생 없이 안정적인 점착 특성을 지속적으로 발휘하는 것을 확인할 수 있었다(도 18 참조).
100, 101: 패키지용 캐리어
110, 340: 금속적층판
120, 320: 실리콘 점착층
121: 양각 점착패턴
130, 310: 기재필름
311: 음각 점착패턴
320: 실리콘 점착층 조성물
330: 보호필름

Claims (18)

  1. 금속적층판;
    상기 금속적층판의 일면에 형성되고, 소정 간격으로 이격된 복수의 양각 점착패턴을 포함하는 실리콘 점착층; 및
    상기 실리콘 점착층을 덮는 기재필름;을 포함하며,
    상기 기재필름이 박리된 실리콘 점착층은, 두께가 100 ㎛ 이하인 박막형 인쇄회로기판에 부착되어 리플로우 공정을 포함하는 패키징을 거치고 탈착되는, 패키지용 캐리어.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 양각 점착패턴은,
    제1 방향을 따라서 형성되는 패턴 너비;
    상기 제1 방향과 교차되는 제2 방향을 따라서 형성되는 패턴 길이; 및
    상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 직교하며 상기 금속적층판에 수직한 방향을 따라서 형성되는 패턴 높이를 가지며,
    복수의 점착패턴 간의 이격거리는, 상기 패턴 너비와 상기 패턴 길이 중 어느 하나와 같거나 작게 형성되는 패키지용 캐리어.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 패턴 너비와 패턴 길이 중 어느 하나는, 50 내지 1,000 ㎛의 크기를 갖는 패키지용 캐리어.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 양각 점착패턴은 동일한 패턴 높이를 가지며,
    상기 패턴 높이는 1 내지 50 ㎛인 패키지용 캐리어.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 이격거리는 50 내지 1,000 ㎛인 패키지용 캐리어.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 점착패턴의 수평 단면 형상은 원형, 타원형, 스트라이프형, 마름모형 및 다각형 중 어느 하나인 패키지용 캐리어.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 양각 점착패턴의 면적을 합한 총 면적의 비율은, 상기 금속적층판 일면의 전체 면적을 기준으로 하여 50 내지 90%인 패키지용 캐리어.
  8. 제1항에 있어서,
    ASTM D3330에 의해서 측정된 기재필름에 대한 실리콘 점착층의 점착력이 10~900 gf/inch인 패키지용 캐리어.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 실리콘 점착층은, 열중량 분석(TGA)으로, 측정된 3중량% 감소 열분해 온도가 330℃ 이상이며, 260℃에서의 중량 감소 비율이 0.5% 이하인 패키지용 캐리어.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 실리콘 점착층은, 200℃에서 5분간 노출 후 기체 크로마토그래피 질량 분광분석(GC/MS)으로 분석시, H2O에 기인한 피크가 존재하고, 실리콘 유래 피크가 존재하지 않는 패키지용 캐리어.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 실리콘 점착층은, 수평균 분자량(Mn)이 100,000 내지 1,200,000인 실리콘 고분자 및 수평균 분자량(Mn)이 1,000~8,000인 저분자형 실록산계 점착부여제가 100~60 : 0~40 중량비로 포함된 실리콘 점착성 조성물의 경화물을 함유하는 패키지용 캐리어.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 실리콘 점착층은, 기재필름이 박리된 후 박막형 인쇄회로기판과 부착되어 220~260℃에서 리플로우(reflow) 공정을 거치고 상기 박막형 인쇄회로기판과 탈착되되,
    상기 탈착된 박막형 인쇄회로기판의 표면을 FT-IR 스펙트럼으로 분석시, 1265±15 cm-1 영역에서 관찰되는 Si-C 피크가 존재하지 않는 패키지용 캐리어.
  13. 삭제
  14. 제1항에 있어서,
    상기 기재필름은 불소계 이형필름으로 이루어지는 패키지용 캐리어.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 기재필름은 실리콘 점착층이 형성되기 이전에, 40~80℃에서 72~200시간 동안 에이징(aging) 처리된 것인 패키지용 캐리어.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 금속적층판은, 적어도 하나의 절연층;과 적어도 하나의 금속층이 적층된 단면형 또는 양면형 금속 적층판인 패키지용 캐리어.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 절연층은 폴리이미드 필름 또는 프리프레그이며,
    상기 금속층은 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 은(Ag), 및 금(Au)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 또는 이들의 합금(alloy)인 패키지용 캐리어.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 금속층의 두께는 1 내지 15㎛ 이며,
    상기 금속적층판의 두께는 25 내지 500 ㎛인 패키지용 캐리어.
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