KR102493623B1 - 와이어 본딩 장치 - Google Patents
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 9
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 13
- 101100350613 Arabidopsis thaliana PLL1 gene Proteins 0.000 description 30
- 101100082028 Arabidopsis thaliana PLL2 gene Proteins 0.000 description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
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- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
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- B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
- B06B1/0607—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements
- B06B1/0611—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements in a pile
- B06B1/0614—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements in a pile for generating several frequencies
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- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
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- B06B1/0607—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements
- B06B1/0622—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements on one surface
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- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B3/00—Methods or apparatus specially adapted for transmitting mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
- B23K20/004—Wire welding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/10—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating making use of vibrations, e.g. ultrasonic welding
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- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
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- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/46—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of a plurality of wire connectors
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
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- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
- B23K20/004—Wire welding
- B23K20/005—Capillary welding
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- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
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- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
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- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78313—Wedge
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- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78343—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure by ultrasonic vibrations
- H01L2224/78347—Piezoelectric transducers
- H01L2224/78349—Piezoelectric transducers in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the capillary or wedge
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- H01L2224/78343—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure by ultrasonic vibrations
- H01L2224/78353—Ultrasonic horns
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- H01L2224/789—Means for monitoring the connection process
- H01L2224/78901—Means for monitoring the connection process using a computer, e.g. fully- or semi-automatic bonding
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- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
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Abstract
2개의 초음파 진동이 입력되어 선단에 부착된 캐필러리(15)를 상이한 주파수로 Y 방향과 X 방향으로 가진 가능한 초음파 혼(14)과, 2개의 초음파 진동의 각 진동의 크기를 조정하는 제어부(50)를 포함하고, Y 방향은 초음파 혼(14)이 뻗는 방향이며, 제어부(50)는 2개의 초음파 진동의 각 진동의 크기를 조정함으로써, 캐필러리(15)의 Y 방향과 X 방향의 진폭의 비율(ΔY/ΔX)을 조정한다. 이것에 의해, 와이어와 리드와의 접합 품질의 저하를 억제한다.
Description
본 발명은 와이어 본딩 장치의 구조에 관한 것이다.
반도체 다이의 전극과 리드프레임의 리드 사이를 와이어로 접속하는 와이어 본딩 장치가 많이 사용되고 있다. 와이어 본딩 장치는 캐필러리에 의해 와이어를 전극의 위에 누른 상태에서 캐필러리를 초음파 진동시켜 와이어와 전극을 접합한 후, 와이어를 리드까지 건너 걸치고, 건너 걸친 와이어를 리드의 위에 누른 상태에서 캐필러리를 초음파 진동시켜 와이어와 리드를 접속하는 것이다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1에 기재된 와이어 본딩 장치에서는, 캐필러리의 초음파 진동의 방향은 초음파 혼이 뻗는 방향(Y 방향)이다. 한편, 리드는 반도체 다이의 주위에 방사상으로 배치되어 있으므로, 리드가 뻗는 방향과 캐필러리의 초음파 진동의 방향이 맞지 않는 경우가 있다. 이 경우, 리드에 와이어를 접속할 때의 초음파 진동에 의해 전극과 리드 사이에 건너 걸친 와이어가 공진해 버려, 반도체 다이의 전극과 와이어의 접합부가 벗겨져 버린다고 하는 문제가 있었다. 이 때문에, 특허문헌 1에서는, 반도체 다이의 재치대를 회전시키거나, 2개의 초음파 혼으로 1개의 캐필러리를 XY 방향으로 진동시키거나 함으로써, 전극으로부터 리드를 향하는 와이어의 뻗는 방향과 초음파 진동의 방향을 일치시키는 방법이 제안되어 있다.
또한, 최근, 캐필러리의 초음파 진동의 방향을 Y 방향뿐만 아니라, Y 방향과 직교하는 X 방향으로도 동시에 진동시키는 XY 혼합 가진(加振)을 행하는 본딩 장치가 제안되었다(예를 들면, 특허문헌 2, 3 참조).
그런데, 최근, IC의 소형화의 요구에 따라, 리드의 폭이 좁아지는 경향이 있다. 이러한 폭이 좁은 리드에서는, 리드가 뻗는 방향과 캐필러리의 초음파 진동의 방향이 다르면, 초음파 진동에 의해 리드의 폭 방향에 가해지는 힘에 의해 리드가 변형되어 버려, 와이어와 리드와의 접합 품질이 저하되는 경우가 있다. 이 경우, 특허문헌 1에 기재된 바와 같은 반도체 다이의 재치대를 회전시키거나, 2개의 초음파 혼으로 1개의 캐필러리를 XY 방향으로 진동시키거나 하는 방법에서는, 구조가 복잡하게 됨과 아울러, 본딩의 택트 타임이 길어져 버린다고 하는 문제가 있다. 또한, 특허문헌 2, 3에 기재된 본딩 장치에서는, XY 혼합 가진을 행하지만, 리드가 뻗는 방향과 초음파 진동의 방향의 관계에 대해서는 검토되어 있지 않고, 초음파 가진에 의한 리드의 변형이 발생하여, 접합 품질이 저하되어 버린다고 하는 문제가 있다.
그래서, 본 발명은 간편한 구성에 의해 와이어와 전극과의 접합 품질의 저하를 억제하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 와이어 본딩 장치는 2개의 초음파 진동이 입력되어 선단에 부착된 본딩 툴을 상이한 주파수로 Y 방향과, Y 방향에 직교하는 X 방향으로 가진 가능한 초음파 혼과, 2개의 초음파 진동의 각 진동의 크기를 조정하는 제어부를 포함하고, Y 방향은 초음파 혼이 뻗는 방향이며, 제어부는 2개의 초음파 진동의 각 진동의 크기를 조정함으로써, 본딩 툴의 Y 방향과 X 방향의 진폭의 비율을 조정하는 것을 특징으로 한다.
이것에 의해, 간편한 구성으로 전극의 폭 방향에 가해지는 진동 에너지를 작게 하여 와이어와 전극과의 접합 품질의 저하를 억제할 수 있다.
본 발명의 와이어 본딩 장치에 있어서, 본딩 툴은 Y 방향에 대하여 경사지게 배치된 띠 형상의 전극에 와이어를 접속하고, 전극의 화상을 촬상하는 촬상 장치를 갖추고, 제어부는 촬상 장치에 의해 촬상한 전극의 화상을 처리하여 Y 방향에 대한 전극이 뻗는 방향의 각도를 산출하고, 산출한 각도에 따라 2개의 초음파 진동의 각 진동의 크기를 조정하는 것으로 해도 된다. 또한, 제어부는 산출한 각도가 커질수록 본딩 툴의 X 방향의 진폭에 대한 Y 방향의 진폭의 비율이 작아지도록, 각 진동의 크기를 조정하는 것으로 해도 된다.
이것에 의해, Y 방향에 대한 전극이 뻗는 방향의 각도가 커질수록 본딩 툴의 선단이 전극에 가해지는 Y 방향의 진동 에너지를 작게 할 수 있어, 와이어와 전극과의 접합 품질의 저하를 억제할 수 있다.
본 발명의 와이어 본딩 장치에 있어서, 제어부는 본딩 툴의 Y 방향과 X 방향과의 진폭의 비율이 전극이 뻗는 방향의 Y 방향과 X 방향과의 비율이 되도록, 각 진동의 크기를 조정하는 것으로 해도 된다.
이것에 의해, 본딩 툴의 선단의 진동 범위의 대각선이 뻗는 방향이 전극이 뻗는 방향이 되고, 전극에 입력하는 초음파 진동의 에너지의 방향을 전극이 뻗는 방향으로 할 수 있어, 전극의 변형을 억제하여 접합 품질의 저하를 억제할 수 있다.
본 발명의 와이어 본딩 장치에 있어서, 제어부는 촬상 장치에 의해 촬상한 전극의 화상을 처리하여 전극이 뻗는 방향과 직각 방향의 전극의 폭을 산출하고, 본딩 툴의 전극이 뻗는 방향과 직각 방향의 진폭이 산출한 전극의 폭을 초과하지 않도록, 2개의 초음파 진동의 각 진동의 크기를 조정하는 것으로 해도 된다.
이것에 의해, 전극의 폭 방향에 가해지는 힘을 더욱 저감하여 전극의 변형을 억제할 수 있어, 간편한 구성으로 와이어와 전극과의 접합 품질의 저하를 억제할 수 있다.
본 발명의 와이어 본딩 장치에 있어서, 초음파 혼은 2개의 다른 주파수로 Y 방향으로 진동 가능한 초음파 진동자가 접속되고, 초음파 진동자로부터 입력된 Y 방향의 초음파 진동을 증폭하여 선단에 전달하는 진동 증폭부와, Y 방향의 초음파 진동을 초음파 혼의 비틀림 진동으로 변환하는 진동 변환부를 가지고, 제어부는 초음파 진동자의 각 진동의 크기를 조정하는 것으로 해도 된다. 또한, 진동 증폭부는 평면시(平面視)로 다각형 형상이며, 진동 변환부는 Y 방향에 대하여 비스듬히 배치된 슬릿인 것으로 해도 된다. 또한, 본 발명의 와이어 본딩 장치에 있어서, 초음파 혼은 초음파 혼을 Y 방향으로 진동시키는 제1 초음파 진동자와, 초음파 혼을 비틀림 진동시키는 제2 초음파 진동자가 접속되고, 제어부는 제1 초음파 진동자의 진동의 크기와 제2 초음파 진동자의 진동의 크기를 조정하는 것으로 해도 된다.
간편한 구성으로 본딩 툴의 선단을 XY 방향으로 진동 가능하게 할 수 있다.
본 발명은 간편한 구성에 의해 와이어와 전극과의 접합 품질의 저하를 억제할 수 있다.
도 1은 실시형태의 와이어 본딩 장치의 구성을 도시하는 계통도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 와이어 본딩 장치의 초음파 혼과, 반도체 다이가 부착된 리드프레임과, 반도체 다이의 전극과 리드프레임의 리드를 접속하는 와이어와의 위치 관계를 도시하는 평면도이다.
도 3a는 도 1에 나타내는 와이어 본딩 장치에 의한 본딩 동작을 도시하는 설명도이다.
도 3b는 도 1에 나타내는 와이어 본딩 장치에 의한 본딩 동작을 도시하는 설명도이다.
도 3c는 도 1에 나타내는 와이어 본딩 장치에 의한 본딩 동작을 도시하는 설명도이다.
도 3d는 도 1에 나타내는 와이어 본딩 장치에 의한 본딩 동작을 도시하는 설명도이다.
도 4는 초음파 진동자의 진동의 주파수와 진동의 크기를 도시하는 그래프이다.
도 5a는 캐필러리 선단의 진동 궤적을 도시하는 도면이다.
도 5b는 캐필러리 선단의 진동 범위를 도시하는 도면이다.
도 6은 초음파 진동자의 X 방향과 Y 방향의 진동의 크기를 변화시킨 경우의 캐필러리 선단의 진동 궤적과 진동 범위의 변화를 도시하는 도면이다.
도 7은 도 1에 나타내는 와이어 본딩 장치의 제어부의 기능 블록도이다.
도 8은 실시형태의 와이어 본딩 장치의 동작을 도시하는 흐름도이다.
도 9는 촬상 장치에서 촬상한 리드의 화상을 도시하는 도면이다.
도 10은 리드가 뻗는 방향과, 캐필러리 선단의 X 방향의 진폭(ΔX)과 Y 방향의 진폭(ΔY)의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 11은 실시형태의 본딩 장치에 의해 리드에 와이어를 접합할 때의 캐필러리 선단의 진동 범위를 나타내는 평면도이다.
도 12는 다른 실시형태의 본딩 장치의 초음파 혼의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 13은 다른 실시형태의 본딩 장치의 초음파 혼의 평면도이다.
도 14는 도 13에 나타내는 본딩 장치의 초음파 진동자의 구성과 구동 계통을 도시하는 도면이다.
도 2는 도 1에 나타내는 와이어 본딩 장치의 초음파 혼과, 반도체 다이가 부착된 리드프레임과, 반도체 다이의 전극과 리드프레임의 리드를 접속하는 와이어와의 위치 관계를 도시하는 평면도이다.
도 3a는 도 1에 나타내는 와이어 본딩 장치에 의한 본딩 동작을 도시하는 설명도이다.
도 3b는 도 1에 나타내는 와이어 본딩 장치에 의한 본딩 동작을 도시하는 설명도이다.
도 3c는 도 1에 나타내는 와이어 본딩 장치에 의한 본딩 동작을 도시하는 설명도이다.
도 3d는 도 1에 나타내는 와이어 본딩 장치에 의한 본딩 동작을 도시하는 설명도이다.
도 4는 초음파 진동자의 진동의 주파수와 진동의 크기를 도시하는 그래프이다.
도 5a는 캐필러리 선단의 진동 궤적을 도시하는 도면이다.
도 5b는 캐필러리 선단의 진동 범위를 도시하는 도면이다.
도 6은 초음파 진동자의 X 방향과 Y 방향의 진동의 크기를 변화시킨 경우의 캐필러리 선단의 진동 궤적과 진동 범위의 변화를 도시하는 도면이다.
도 7은 도 1에 나타내는 와이어 본딩 장치의 제어부의 기능 블록도이다.
도 8은 실시형태의 와이어 본딩 장치의 동작을 도시하는 흐름도이다.
도 9는 촬상 장치에서 촬상한 리드의 화상을 도시하는 도면이다.
도 10은 리드가 뻗는 방향과, 캐필러리 선단의 X 방향의 진폭(ΔX)과 Y 방향의 진폭(ΔY)의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 11은 실시형태의 본딩 장치에 의해 리드에 와이어를 접합할 때의 캐필러리 선단의 진동 범위를 나타내는 평면도이다.
도 12는 다른 실시형태의 본딩 장치의 초음파 혼의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 13은 다른 실시형태의 본딩 장치의 초음파 혼의 평면도이다.
도 14는 도 13에 나타내는 본딩 장치의 초음파 진동자의 구성과 구동 계통을 도시하는 도면이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
<와이어 본딩 장치의 구성>
이하, 도면을 참조하면서 실시형태의 와이어 본딩 장치(100)에 대해 설명한다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 와이어 본딩 장치(100)는 프레임(10)과, 프레임(10)의 위에 부착된 XY 테이블(11)과, XY 테이블(11)의 위에 부착된 본딩 헤드(12)와, 본딩 헤드(12)에 부착된 본딩 암(13)과, 본딩 암(13)의 선단에 부착된 초음파 혼(14)과, 초음파 혼(14)을 초음파 진동시키는 초음파 진동자(16)와, 초음파 혼(14)의 선단에 부착된 본딩 툴인 캐필러리(15)와, 반도체 다이(19)가 부착된 리드프레임(20)을 가열 흡착하는 히트 블록(17)과, 제어부(50)를 갖추고 있다. 또한, 도 1에 있어서, XY 방향은 수평 방향, Z 방향은 상하 방향을 나타낸다.
본딩 헤드(12)는 XY 테이블(11)에 의해 XY 방향으로 이동한다. 본딩 헤드(12)의 내부에는, 본딩 암(13)을 상하 방향(Z 방향)으로 구동하는 Z 방향 모터(30)가 설치되어 있다. 또한, 본딩 헤드(12)의 상부에는, 리드프레임(20)의 화상을 촬상하는 촬상 장치인 카메라(37)와, 와이어(38)를 공급하는 스풀(39)이 부착되어 있다.
Z 방향 모터(30)는 본딩 헤드(12)에 고정된 고정자(31)와, 회전축(33)의 주위로 회전하는 가동자(32)로 구성되어 있다. 가동자(32)는 본딩 암(13)의 후측부와 일체로 되어 있고, 가동자(32)가 회전 이동하면 본딩 암(13)의 선단이 상하 방향으로 이동한다. 가동자(32)가 회전 이동하면, 캐필러리(15)의 선단은 반도체 다이(19)의 제1 전극인 전극(19a)(도 2에 도시함)의 상면에 대하여 대략 수직 방향으로 상하로 이동한다. 본딩 암(13)의 선단에는, 초음파 혼(14)의 플랜지(14a)가 볼트로 고정되어 있다. 또한, 본딩 암(13)의 선단 부분의 하측의 면에는, 초음파 진동자(16)를 수용하는 오목부(13a)가 설치되어 있다.
초음파 혼(14)의 선단에는 캐필러리(15)가 부착되어 있다. 캐필러리(15)는 중심에 와이어(38)를 통과시키기 위한 구멍이 설치되어 있는 원통형이며, 선단을 향함에 따라 외경이 작게 되어 있다. 히트 블록(17)은 프레임(10)의 위에 부착되어 있다. 히트 블록(17)에는, 히트 블록(17)을 가열하는 히터(18)가 부착되어 있고, 그 상면에 리드프레임(20)을 흡착 고정한다.
Z 방향 모터(30)의 고정자(31)에는, 모터 드라이버(34)를 통하여 전원(35)으로부터 구동 전력이 공급되고 있다. 또한, 초음파 진동자(16)에는, 초음파 진동자 드라이버(42)를 통하여 전원(41)으로부터 구동 전력이 공급되고 있다.
제어부(50)는 내부에 연산 처리를 행하는 CPU(52)와, 제어 프로그램, 데이터 등을 저장하는 메모리(53)와, 기기와의 입출력을 행하는 기기 인터페이스(51)를 갖추는 컴퓨터이다. CPU(52)와 메모리(53)와 기기 인터페이스(51)는 데이터 버스(54)로 접속되어 있다.
초음파 진동자(16), Z 방향 모터(30)는 각각 초음파 진동자 드라이버(42), 모터 드라이버(34)를 통하여 제어부(50)에 접속되어 있고, 초음파 진동자(16), Z 방향 모터(30)는 제어부(50)의 지령에 의해 동작한다. 또한, 카메라(37)도 제어부(50)에 접속되어 있어, 카메라(37)가 촬상한 화상은 제어부(50)에 입력된다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 리드프레임(20)은 중앙에 배치되어 반도체 다이(19)가 부착되는 아일랜드(21)와, 아일랜드(21)의 주위에 방사상으로 배치된 띠 형상의 제2 전극인 리드(22)로 구성되어 있다. 아일랜드(21)의 위에 반도체 다이(19)를 부착하면, 리드(22)는 반도체 다이(19)의 주위에 방사상으로 배치된 상태가 된다.
도 2에 있어서 Y 방향은 초음파 혼(14)이 뻗는 방향이며, X 방향은 Y 방향에 대하여 직교하는 방향을 나타낸다. 또한, 1점쇄선은 리드(22)가 뻗는 방향(25)을 나타낸다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 리드(22)가 뻗는 방향은 Y 방향에 대하여 경사져 있다. 또한, 도 2에 도시하는 바와 같이, 초음파 진동자(16)는 초음파 혼(14)에 넣어져 있다.
<기본적인 와이어 본딩 동작>
이하, 도 3a 내지 도 3d를 참조하면서, 도 1에 도시하는 와이어 본딩 장치(100)에 의해 반도체 다이(19)의 전극(19a)과 리드프레임(20)의 리드(22)의 제2 본딩점(24)과의 사이를 와이어(38)에 의해 접속하는 와이어 본딩의 공정에 대해 간단하게 설명한다.
도 3a에 도시하는 바와 같이, 캐필러리(15)에 관통시킨 와이어(38)의 선단을 구상의 프리 에어 볼(38a)로 형성한다. 프리 에어 볼(38a)의 형성은 토치 전극(40)과 캐필러리(15)의 선단으로부터 뻗어나온 와이어(38)의 선단과의 사이에 스파크를 발생시키고, 그 열에 의해 행한다. 또한, 반도체 다이(19)가 부착된 리드프레임(20)은 히트 블록(17)에 흡착 고정됨과 아울러 히터(18)에 의해 소정의 온도로 가열되어 있다.
다음에, 도 3b에 도시하는 바와 같이, Z 방향 모터(30)를 구동하여 본딩 암(13)을 회전시키고, 캐필러리(15)의 선단을 반도체 다이(19)의 전극(19a)을 향하여 하강시킨다. 그리고, 반도체 다이(19)의 전극(19a)의 위에 프리 에어 볼(38a)을 가압함과 동시에 초음파 진동자(16)에 번갈은 방향의 전력을 공급하여, 초음파 혼(14)에 공진을 발생시켜 선단에 부착된 캐필러리(15)를 초음파 진동시킨다. 캐필러리(15)에 의한 프리 에어 볼(38a)의 전극(19a)에의 가압과 초음파 진동에 의해 프리 에어 볼(38a)과 반도체 다이(19)의 전극(19a)이 접합한다.
도 3c에 도시하는 바와 같이, 프리 에어 볼(38a)을 반도체 다이(19)의 전극(19a)의 위에 접합하면, 와이어(38)를 풀어내면서 와이어(38)를 루핑하여 리드프레임(20)의 리드(22)의 위로 캐필러리(15)를 이동시킨다. 그리고, 도 3d에 도시하는 바와 같이, 캐필러리(15)를 하강시켜 와이어(38)를 리드(22)의 제2 본딩점(24)에 가압한다. 또한, 동시에 초음파 진동자(16)에 번갈은 방향의 전력을 공급하여 캐필러리(15)를 초음파 진동시킨다. 이와 같이, 가압 하중과 초음파 진동에 의해 와이어(38)를 리드(22)의 제2 본딩점(24)에 접합한다.
제2 본딩점(24)에의 접합이 종료되면, 와이어(38)는 제2 본딩점(24)의 상면에서 절단된다. 반도체 다이(19)의 전극(19a)과 리드(22)의 제2 본딩점(24)의 사이를 접속하는 와이어(38)는 도 2에 도시하는 접속 와이어(23)가 된다. 반도체 다이(19)의 모든 전극(19a)과 모든 리드(22)의 제2 본딩점(24)이 접속 와이어(23)로 접속되면 반도체 다이(19)에의 본딩 동작은 종료된다.
<초음파 진동자와 초음파 혼의 초음파 진동>
다음에 도 2, 도 4를 참조하면서 초음파 진동자(16)와 초음파 혼(14)의 초음파 진동에 대해 상세하게 설명한다.
도 2에 도시하는 초음파 진동자(16)는, 도 4에 도시하는 바와 같이, F1, F2의 2개의 다른 주파수로 진동 가능하다. 초음파 진동자(16)가 주파수(F1)로 진동하면, 도 2에 도시하는 초음파 혼(14)의 축 방향인 Y 방향으로 신축하도록 공진하여 선단의 캐필러리(15)의 선단이 Y 방향으로 진동한다. 또한, 초음파 진동자(16)가 주파수(F2)로 진동하면, 초음파 혼(14)이 Y축 주위로 비틀림 공진한다. 이것에 의해, 캐필러리(15)의 선단이 X 방향으로 진동한다. 이와 같이, 초음파 혼(14)은 초음파 진동자(16)로부터 주파수(F1, F2)의 2개의 초음파 진동이 입력되어 캐필러리(15)의 선단을 XY 방향으로 가진 가능이다.
주파수(F1, F2)를, 예를 들면, 150kHz, 180kHz와 같이 근접한 주파수로 하면, 캐필러리(15)의 선단의 진동 궤적(61)은 도 5a, 도 6의 실선으로 나타내는 바와 같은 리사주 파형이 된다. 또한, X 방향의 진폭(ΔX1)과, Y 방향의 진폭(ΔY1)이 동일한 경우, 도 5b, 도 6에 실선으로 나타내는 바와 같이, 선단의 진동 범위(62)는 대략 정방형으로 된다. 이 경우, Y 방향에 대한 진동 범위(62)의 대각선이 이루는 각도(θ1)는 45도가 된다.
도 1에 도시하는 초음파 진동자 드라이버(42)에는, 초음파 진동자(16)의 진동 주파수를 주파수(F1)에 로킹하는 제1 위상 동기 회로(이하, PLL1이라고 함)와, 초음파 진동자(16)의 진동 주파수를 주파수(F2)에 로킹하는 제2 위상 동기 회로(이하, PLL2라고 함)가 마련되어 있다. 도 4에 도시하는 주파수(F1)(Y 방향 진동)의 진동의 크기와, 주파수(F2)(X 방향 진동)의 진동의 크기는 PLL1, PLL2의 각 게인을 변경함으로써 조정할 수 있다.
예를 들면, PLL1의 게인을 크게 하고 PLL2의 게인을 작게 하면, 도 4에 실선으로 나타내는 바와 같이, 주파수(F1)의 진동의 크기가 크고, 주파수(F2)의 진동의 크기가 작아진다. 이 경우, 도 6에 파선으로 나타내는 바와 같이, 캐필러리(15)의 선단의 Y 방향의 진폭(ΔY2)이 커지고, X 방향의 진폭(ΔX2)이 작아져, 선단의 진동 궤적(63), 진동 범위(64)는 Y 방향으로 긴 장방형으로 된다. 이 경우, Y 방향에 대한 진동 범위(64)의 대각선이 이루는 각도(θ2)는 45도보다도 작아진다.
반대로 PLL1의 게인을 작게 하고, PLL2의 게인을 크게 하면, 도 4의 1점쇄선으로 나타내는 바와 같이, 주파수(F1)의 진동의 크기가 작아지고, 주파수(F2)의 진동의 크기가 커진다. 이 경우, 도 6에 1점쇄선으로 나타내는 바와 같이, 캐필러리(15)의 선단의 Y 방향의 진폭(ΔY3)이 작아지고, X 방향의 진폭(ΔX3)이 커져, 선단의 진동 궤적(65), 진동 범위(66)는 X 방향으로 긴 장방형이 된다. 이 경우, Y 방향에 대한 진동 범위(66)의 대각선이 이루는 각도(θ3)는 45도보다도 커진다.
따라서, 초음파 진동자 드라이버(42)의 PLL1, PLL2의 게인을 조정함으로써, 캐필러리(15)의 선단의 Y 방향의 진폭(ΔY)과 X 방향의 진폭(ΔX)의 비율(진폭(ΔX)에 대한 진폭(ΔY)의 비율=ΔY/ΔX)을 조정할 수 있다.
<제어부의 기능 블록>
도 7에 도시하는 바와 같이, 제어부(50)는 화상 취득부(55)와, 화상 취득부(55)가 취득한 화상을 처리하여 리드(22)가 뻗는 방향(25)을 산출하는 화상 처리부(56)와, 초음파 진동자(16)의 진동의 크기를 조정하여 캐필러리(15)의 선단의 Y 방향의 진폭(ΔY)과 X 방향의 진폭(ΔX)의 비율(ΔY/ΔX)을 조정하는 진폭 조정부(57)의 3개의 기능 블록을 포함하고 있다. 이들 각 기능 블록은 메모리(53)에 저장되어 있는 프로그램을 실행함으로써 실현된다.
<와이어 본딩 장치의 동작>
다음에 도 8 내지 도 11을 참조하면서, 본 실시형태의 와이어 본딩 장치(100)의 동작에 대해 설명한다.
<리드가 뻗는 방향과 폭의 산출>
도 8의 스텝 S101에 나타내는 바와 같이, 화상 취득부(55)는 도 1에 도시하는 카메라(37)에 의해 도 2에 도시하는 리드프레임(20)의 화상을 취득한다. 도 9는 카메라(37)의 시야(37a) 속의 리드(22)의 화상을 나타내는 도면이다. 또한, 카메라(37)로 리드프레임(20)을 촬상하면 시야(37a) 중에는 복수개의 리드(22)의 화상이 포함되지만, 도 9에서는, 1개의 리드(22)의 화상만을 취출하여 기재하고, 다른 리드(22)의 화상의 도시는 생략했다. 화상 취득부(55)는 촬상한 화상을 화상 처리부(56)에 출력한다.
도 8의 스텝 S102에 나타내는 바와 같이, 화상 처리부(56)는 화상 취득부(55)로부터 입력된 화상을 처리하여, 다음에 설명하는 바와 같이, 리드(22)가 뻗는 방향(25)을 산출한다.
화상 처리부(56)는, 도 9에 도시하는 바와 같이, 리드(22)를 건너지르는 2개의 검출 범위(26a, 26b)를 설정한다. 도 9에 도시하는 바와 같이, 2개의 검출 범위(26a, 26b)는 리드(22)의 길이 방향으로 이간하여 위치하도록 설정되어 있다.
다음에 화상 처리부(56)는 설정한 검출 범위(26a, 26b) 속의 휘도 변화점을 검출한다. 통상, 리드(22)의 부분은 리드(22)의 표면은 평면으로 빛이 반사되므로 휘도가 높다. 리드(22) 사이의 부분은 공간으로 되어 있으므로, 이 부분에 들어간 빛은 리드(22)보다도 아래에 위치하는 면, 예를 들면, 히트 블록(17)의 표면 등에서 반사되므로 휘도가 낮게 되어 있다. 따라서, 리드(22)의 에지의 부분에서는, 휘도가 낮은 상태부터 휘도가 높은 상태와의 사이에서 휘도가 변화된다. 이 때문에, 화상 처리부(56)는, 도 9에 도시하는 검출 범위(26a) 속에 있는 리드(22)의 폭 방향의 2개의 에지(27a, 28a), 및 검출 범위(26b) 속에 있는 리드(22)의 폭 방향의 2개의 에지(27b, 28b)의 4개의 점을 휘도 변화점으로서 추출한다.
그리고, 화상 처리부(56)는 검출 범위(26a) 속의 에지(27a)와 검출 범위(26a)와 이간한 검출 범위(26b) 속의 에지(27b)를 사용하여 리드(22)가 뻗는 방향(25)과 Y 방향과의 각도(θ)를 산출한다. 마찬가지로 화상 처리부(56)는 에지(28a)와 에지(28b)를 사용하여 리드(22)가 뻗는 방향(25)과 Y 방향과의 각도(θ)를 산출한다. 그리고, 화상 처리부(56)는 산출한 2개의 각도(θ)의 평균값을 리드(22)가 뻗는 방향(25)과 Y 방향과의 각도(θ)로서 진폭 조정부(57)에 출력한다. 여기에서, 각도(θ)는 도 9의 Y 방향에 대한 리드(22)가 뻗는 방향(25)의 각도이며, 0°∼±90°의 범위가 된다.
또한, 화상 처리부(56)는 검출 범위(26a) 속의 에지(27a, 28a) 및 검출 범위(26b) 속의 에지(27b, 28b)로부터 각각 리드(22)가 뻗는 방향과 직각 방향의 리드(22)의 폭을 산출하고, 그 평균값을 리드(22)의 제2 본딩점(24)의 근방의 리드(22)의 폭(W)으로서 진폭 조정부(57)에 출력한다.
<PLL1, PLL2의 게인의 설정>
도 8의 스텝 S103, 도 10에 도시하는 바와 같이, 진폭 조정부(57)는 캐필러리(15)의 선단의 X 방향의 진동의 진폭(ΔX)과 Y 방향의 진폭(ΔY)의 비율(ΔY/ΔX)이 화상 처리부(56)로부터 입력된 리드(22)가 뻗는 방향(25)과 Y 방향과의 각도(θ)의 절대값의 tan, 즉, tan(|θ|)가 되는 것과 같은, 초음파 진동자 드라이버(42)의 PLL1, PLL2의 게인의 비율을 산출한다. 이때, 메모리(53)에 진폭(ΔY)과 PLL1과의 관계 및 진폭(ΔX)과 PLL2과의 관계를 규정한 맵 등을 저장해 두고, 이 맵을 참조하여, PLL1, PLL2의 비율을 산출해도 된다.
이와 같이 PLL1, PLL2의 게인의 비율을 설정하면, 도 10에 도시하는 바와 같이, 캐필러리(15)의 선단의 Y 방향의 진폭(ΔY)과 X 방향의 진폭(ΔX)의 비율(ΔY/ΔX)이 리드(22)가 뻗는 방향(25)의 Y 방향과 X 방향과의 비율이 된다. 그리고, 캐필러리(15)의 선단의 진동 범위(60)는 장방형이 되고, 그 대각선이 뻗는 방향은 리드(22)가 뻗는 방향이 된다. 또한 리드(22)가 뻗는 방향(25)과 Y 방향과의 각도(θ)가 커질수록, Y 방향의 진폭(ΔY)이 작아지고, X 방향과의 진폭(ΔX)이 커진다. 즉, 각도(θ)가 커질수록, 진폭(ΔX)에 대한 진폭(ΔY)의 비율=ΔY/ΔX가 작아진다.
또한, 진폭 조정부(57)는 검출한 리드(22)의 폭(W)과, 리드(22)가 뻗는 방향(25)과 Y 방향과의 각도(θ)에 기초하여, 도 10에 도시하는 진동 범위(60)가 리드(22)의 폭(W)을 초과하지 않는 진폭(ΔX 혹은 ΔY)을 산출하고, 이것과 앞에 계산한 PLL1, PLL2의 게인의 비율로부터 PLL1, PLL2의 게인을 산출하여 메모리(53)에 저장한다.
화상 취득부(55)가 취득한 화상 속에 복수의 리드(22)가 포함되어 있을 경우, 화상 처리부(56)와, 진폭 조정부(57)는 리드(22)마다 PLL1, PLL2의 게인을 산출하여 메모리(53)에 저장한다. 그리고, 화상 속의 모든 리드(22)에 대하여 PLL1, PLL2의 게인을 메모리(53)에 저장하면, 화상 취득부(55)가 촬상한 다음에 화상을 마찬가지로 처리하고, 도 2에 도시하는 리드프레임(20)의 모든 리드(22)에 대하여 PLL1, PLL2의 게인을 메모리(53)에 저장한다. 이와 같이, 화상 취득부(55)와 화상 처리부(56)와, 진폭 조정부(57)는 모든 리드(22)에 대하여 PLL1, PLL2의 게인을 메모리(53)에 저장할 때까지, 도 8에 도시하는 스텝 S101부터 스텝 S104를 반복 실행한다. 그리고, 모든 리드(22)에 대하여 PLL1, PLL2의 게인을 메모리(53)에 저장하면, 스텝 S104에서 YES로 판단하여 도 8의 스텝 S105로 진행되고, 리드프레임(20)에의 본딩 동작을 개시한다.
<본딩 동작>
본딩 동작은 앞에 도 3a 내지 도 3d를 참조하여 설명한 것과 동일한 동작이지만, 제어부(50)는 도 3c에 도시하는 리드(22)의 제2 본딩점(24)에의 본딩을 행할 때, 메모리(53)에 저장한 각 리드(22)에 대한 PLL1, PLL2의 게인을 읽어 내어 초음파 진동자(16)를 동작시킨다.
앞에 설명한 바와 같이, 메모리(53)에 저장한 각 리드(22)에 대한 PLL1, PLL2의 게인은 캐필러리(15)의 선단의 Y 방향의 진폭(ΔY)과 X 방향과의 진폭(ΔX)의 비율(ΔY/ΔX)이 리드(22)가 뻗는 방향(25)의 Y 방향과 X 방향의 비율이 되도록 설정되어 있다. 따라서, 메모리(53)로부터 읽어 낸 PLL1, PLL2의 게인을 사용하여 초음파 진동자(16)를 동작시키면, 도 11에 도시하는 바와 같이, 캐필러리(15)의 선단의 진동 범위(60)의 대각선이 뻗는 방향은 리드(22)가 뻗는 방향(25)이 된다.
제어부(50)는 도 8의 스텝 S106에서 모든 리드(22)에의 본딩이 종료될 때까지, 본딩 동작을 계속하고, 모든 리드(22)에의 본딩이 종료되면, 프로그램의 실행을 종료한다.
본 실시형태의 와이어 본딩 장치(100)는 캐필러리(15)의 선단의 Y 방향의 진폭(ΔY)과 X 방향의 진폭(ΔX)의 비율(ΔY/ΔX)이 리드(22)가 뻗는 방향(25)의 Y 방향과 X 방향의 비율이 되도록 각 리드(22)에 대한 PLL1, PLL2의 게인을 설정한다. 이것에 의해, 캐필러리(15)의 선단의 진동 범위(60)의 대각선이 뻗는 방향은 리드(22)가 뻗는 방향(25)이 된다. 이 때문에, 리드(22)에 입력되는 초음파 진동의 에너지의 방향을 리드(22)가 뻗는 방향으로 할 수 있어, 초음파 진동에 의한 리드(22)의 변형을 억제하여 접합 품질의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 와이어 본딩 장치(100)는 리드(22)가 뻗는 방향(25)과 Y 방향과의 각도(θ)가 커질수록, Y 방향의 진폭(ΔY)이 작아지고, X 방향과의 진폭(ΔX)이 커진다. 이 때문에, 각도(θ)가 커질수록 캐필러리(15)의 선단이 리드(22)에 가하는 Y 방향의 진동 에너지가 작아진다. 그리고, 각도(θ)가 90°가 되면, Y 방향의 진폭(ΔY)은 제로가 되어, 리드(22)의 폭 방향에 가해지는 진동 에너지를 제로로 할 수 있다. 이것에 의해, 와이어(38)를 리드(22)에 접합할 때 리드(22)의 폭 방향에 가해지는 에너지를 저감하여 리드(22)의 변형을 억제하여, 와이어(38)와 리드(22)와의 접합 품질의 저하를 더욱 억제할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 와이어 본딩 장치(100)는 리드(22)의 폭 방향의 진폭이 리드(22)의 폭을 초과하지 않도록 각 리드(22)에 대한 PLL1, PLL2의 게인을 설정한다. 이것에 의해, 본딩 시에 캐필러리(15)의 선단이 리드(22)로부터 벗어나 리드(22)를 변형시키는 것을 억제할 수 있다. 이것에 의해, 와이어(38)와 리드(22)의 접합 품질의 저하를 더욱 억제할 수 있다.
이상에서 설명한 실시형태에서는, 반도체 다이(19)의 전극(19a)과 리드프레임(20)의 리드(22)를 와이어(38)로 접속하는 것에 대해 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 반도체 다이(19)의 전극(19a)과 반도체 다이(19)의 주위의 기판에 방사상으로 배치된 띠 형상의 전극(19a)을 접속하는 경우에도 적용할 수 있다. 더욱이, 기판이 아니라, 반도체 다이(19)를 적층한 적층 반도체의 각 층의 전극과 다른 층의 전극을 접속할 때에도 적용할 수 있다. 또한, 본딩 툴로서 캐필러리(15)를 예로 들어 설명했지만, 캐필러리(15)에 한하지 않고, 예를 들면, 웨지 툴 등을 사용한 와이어 본딩에도 적용할 수 있다.
또한, 이상에서 설명한 실시형태에서는, 캐필러리(15)의 선단의 Y 방향의 진폭(ΔY)과 X 방향과의 진폭(ΔX)의 비율(ΔY/ΔX)이 리드(22)가 뻗는 방향(25)의 Y 방향과 X 방향의 비율이 되도록 각 리드(22)에 관한 PLL1, PLL2의 게인을 설정하는 것으로서 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 리드(22)가 뻗는 방향(25)과 Y 방향과의 각도(θ)가 커질수록, 진폭(ΔX)에 대한 진폭(ΔY)의 비율=ΔY/ΔX가 작아지도록 해도 된다. 이 경우에는, 각도(θ)에 대한 ΔY/ΔX를 규정한 맵을 메모리(53)에 저장해 두고, 이 맵을 참조하여 각 리드(22)에 대한 PLL1, PLL2의 게인을 설정하도록 해도 된다.
또한, 실시형태에서는, 검출한 리드(22)의 폭(W)과, 리드(22)가 뻗는 방향(25)과 Y 방향과의 각도(θ)에 기초하여, 진동 범위(60)가 리드(22)의 폭(W)을 초과하지 않도록 PLL1, PLL2의 게인을 산출하는 것으로서 설명했지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 미리 리드(22)의 폭(W)을 알고 있을 경우에는, 각도(θ)에 따라 기지의 폭(W)을 사용하여 PLL1, PLL2를 산출해도 되고, 폭(W)에 따라 PLL1, PLL2의 최대값을 설정하고, 이것을 초과하지 않도록, PLL1, PLL2를 설정하도록 해도 된다.
다음에 도 12를 참조하면서 다른 실시형태의 와이어 본딩 장치(200)에 대해 설명한다. 와이어 본딩 장치(200)는 초음파 혼(71)의 구조가 앞에 설명한 와이어 본딩 장치(100)의 초음파 혼(14)과 다를 뿐이며, 다른 부분은 와이어 본딩 장치(100)와 동일하므로, 도시와 설명은 생략한다.
도 12에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 와이어 본딩 장치(200)의 초음파 혼(71)은 2개의 다른 주파수(F1, F2)로 Y 방향으로 진동 가능한 초음파 진동자(16)가 접속되고, 초음파 진동자(16)로부터 입력된 Y 방향의 초음파 진동을 증폭하여 선단에 전달하는 진동 증폭부(74)와, Y 방향의 초음파 진동을 초음파 혼(71)의 비틀림진동으로 변환하는 진동 변환부(75)를 가지고 있다. 진동 증폭부(74)는 평면시로 사각형 형상이며, 진동 변환부(75)는 Y 방향에 대하여 비스듬히 배치된 상측 슬릿(75a), 하측 슬릿(75b)으로 구성된다. 또한, 진동 증폭부(74)는 평면시로 다각형 형상이라면 사각형 형상에 한정되지 않고, 육각형이어도 팔각형이어도 된다.
도 12에 도시하는 바와 같이, 진동 증폭부(4)는 상면시(上面視)에서 등변사다리꼴 형상의 상면(74a) 및 바닥면(74b)을 가지는 단면이 내부가 채워진 사각기둥 형상을 하고 있다. 상면(74a) 및 바닥면(74b)에는, 진동 변환부(75)를 구성하는 2개의 상측 슬릿(75a) 및 2개의 하측 슬릿(75b)이 형성되어 있다. 또한, 진동 증폭부(74)는 진동 변환부(75)가 형성되어 있지 않은 면인 측면(74c, 74d), 후단면(74e), 선단면(74f)을 가지고 있다. 후단면(74e)에는, 초음파 진동자(16)가 부착되어 있다. 진동 증폭부(74)는 Y 방향을 따라 선단면(74f)을 향하여 점차 가늘어지는 테이퍼 형상으로 되어 있어, 초음파 진동자(16)로부터 전달된 Y 방향의 진폭을 증폭시키도록 구성된다.
진동 증폭부(74)의 Y 방향 진동의 마디가 되는 위치에는 상측 슬릿(75a), 하측 슬릿(75b)이 마련되어 있다. 각 슬릿(75a, 75b)의 깊이 및 폭은 동일하며, 진동 증폭부(4)를 관통하고 있지 않고, 그 최대 깊이는 진동 증폭부(4)의 상하 방향의 두께의 1/2 미만이다.
초음파 진동자(16)로부터 2개의 주파수(F1, F2)의 초음파 진동이 초음파 혼(71)에 입력되면, Y 방향의 진동은 진동 증폭부(4)에서 증폭된다. 그리고, Y 방향의 진동이 진동 변환부(75)를 통과하면 Y 방향의 진동의 일부가 Y 방향의 축 주위의 비틀림 진동으로 변환된다.
여기에서, 진동 변환부(75)의 구조에 의해, 주파수(F1, F2)의 일방의 Y 방향 진동을 비틀림 진동으로 변환하는 비율을 조정할 수 있다. 예를 들면, 주파수(F2)의 Y 방향 진동을 비틀림 진동으로 변환하는 비율을 크게 하고, 주파수(F1)의 Y 방향 진동을 비틀림 진동으로 변환하는 비율을 작게 한 경우, 앞에 설명한 실시형태와 마찬가지로, PLL1의 게인과 PLL2의 게인을 조정함으로써 캐필러리(15)의 선단의 Y 방향의 진폭(ΔY)과 X 방향의 진폭(ΔX)의 비율(ΔY/ΔX)을 조정할 수 있다.
따라서, 본 실시형태의 와이어 본딩 장치(200)는 앞에 설명한 와이어 본딩 장치(100)와 마찬가지로, 캐필러리(15)의 선단의 Y 방향의 진폭(ΔY)과 X 방향의 진폭(ΔX)의 비율(ΔY/ΔX)이 리드(22)가 뻗는 방향(25)의 Y 방향과 X 방향과의 비율이 되도록 각 리드(22)에 대한 PLL1, PLL2의 게인을 설정함으로써, 캐필러리(15)의 선단의 진동 범위(60)의 대각선이 뻗는 방향을 리드(22)가 뻗는 방향(25)으로 할 수 있다. 또한, 리드(22)가 뻗는 방향(25)과 Y 방향과의 각도(θ)가 커질수록, Y 방향의 진폭(ΔY)을 작게 하고, X 방향과의 진폭(ΔX)을 크게 할 수 있다. 이것에 의해, 초음파 진동에 의한 리드(22)의 변형을 억제하여 접합 품질의 저하를 억제할 수 있다.
다음에, 도 13, 14를 참조하면서 다른 실시형태의 와이어 본딩 장치(300)에 대해 설명한다. 본 실시형태의 와이어 본딩 장치(300)는, 앞에 설명한 와이어 본딩 장치(100)의 초음파 진동자(16)를, 각각이 상이한 진동수(F1, F2)로 진동하는 초음파 진동부(86a, 86b)로 구성되는 초음파 진동자(86)로 하고, 초음파 진동자 드라이버(89)는 각 초음파 진동부(86a, 86b)에 각각 구동 전력을 공급하도록 구성한 것이다. 그 이외의 부분은 앞에 설명한 와이어 본딩 장치(100)와 동일하다.
도 13에 도시하는 바와 같이, 초음파 진동자(86)는 좌우 2개의 초음파 진동부(86a, 86b)로 구성되어 있다. 도 14에 도시하는 바와 같이, 초음파 진동자(86)는 표면에 마련된 홈(82)에 의해 좌우가 절연된 복수의 피에조 소자(81)를 복수 적층하여 구성되어 있다. 홈(82)의 일방과 타방은 각각 초음파 진동부(86a, 86b)를 구성한다. 초음파 진동부(86a)에는 초음파 진동자 드라이버(89)로부터 주파수(F1)의 전력이 공급되고, 초음파 진동부(86b)에는, 주파수(F2)의 전력이 공급된다.
앞에 설명한 와이어 본딩 장치(100)와 마찬가지로, 초음파 진동부(86a)가 주파수(F1)로 진동하면, 초음파 혼(14)이 Y 방향으로 신축하도록 공진하여 선단의 캐필러리(15)의 선단이 Y 방향으로 진동하고, 초음파 진동부(86b)가 주파수(F2)로 진동하면, 초음파 혼(14)이 Y축 주위로 비틀림 공진하고, 캐필러리(15)의 선단이 X 방향으로 진동한다. 따라서, 초음파 진동부(86a)는 제1 초음파 진동자를 구성하고, 초음파 진동부(86b)는 제2 초음파 진동자를 구성한다.
초음파 진동자(86)가 이와 같이 구성되어 있으므로, 초음파 진동자 드라이버(89)로부터 초음파 진동부(86a)에 출력하는 주파수(F1)의 전력의 크기와, 초음파 진동부(86b)에 출력하는 주파수(F2)의 전력의 크기를 조정함으로써, 캐필러리(15)의 선단의 Y 방향의 진폭(ΔY)과 X 방향의 진폭(ΔX)의 비율(ΔY/ΔX)을 조정할 수 있다.
본 실시형태의 와이어 본딩 장치(300)는 앞에 설명한 와이어 본딩 장치(100)와 동일한 작용, 효과를 발휘한다. 또한, 본 실시형태에서는, 초음파 진동자(86)는 표면에 마련된 홈(82)에 의해 좌우가 절연된 복수의 피에조 소자(81)를 복수 적층하여 구성되어 있는 것으로서 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 2개의 별개의 피에조 소자를 적층하여 2개의 독립한 제1, 제2 초음파 진동자에 의해 초음파 진동자(86)를 구성해도 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 각 와이어 본딩 장치(100, 200, 300)는 간편한 구성에 의해 와이어(38)와 전극과의 접합 품질의 저하를 억제할 수 있다.
10 프레임 11 테이블
12 본딩 헤드 13 본딩 암
13a 오목부 14 초음파 혼
14a 플랜지 15 캐필러리
16, 86 초음파 진동자 17 히트 블록
18 히터 19 반도체 다이
19a 전극 20 리드프레임
21 아일랜드 22 리드
23 접속 와이어 24 본딩점
25 리드(22)가 뻗는 방향(1점쇄선) 26a, 26b 검출 범위
27a, 28a, 27b, 28b 에지 30 Z 방향 모터
31 고정자 32 가동자
33 회전축 34 모터 드라이버
35 전원 37 카메라
37a 시야 38 와이어
38a 프리 에어 볼 39 스풀
40 토치 전극 41 전원
42, 89 초음파 진동자 드라이버 50 제어부
51 기기 인터페이스 52 CPU
53 메모리 54 데이터 버스
55 화상 취득부 56 화상 처리부
57 진폭 조정부 60, 62, 64 진동 범위
61, 63, 65 진동 궤적 71 초음파 혼
74 진동 증폭부 74a 상면
74b 바닥면 74c 측면
74e 후단면 74f 선단면
75 진동 변환부 75a 상측 슬릿
81 피에조 소자 82 홈
86a, 86b 초음파 진동부 100, 200, 300 와이어 본딩 장치
12 본딩 헤드 13 본딩 암
13a 오목부 14 초음파 혼
14a 플랜지 15 캐필러리
16, 86 초음파 진동자 17 히트 블록
18 히터 19 반도체 다이
19a 전극 20 리드프레임
21 아일랜드 22 리드
23 접속 와이어 24 본딩점
25 리드(22)가 뻗는 방향(1점쇄선) 26a, 26b 검출 범위
27a, 28a, 27b, 28b 에지 30 Z 방향 모터
31 고정자 32 가동자
33 회전축 34 모터 드라이버
35 전원 37 카메라
37a 시야 38 와이어
38a 프리 에어 볼 39 스풀
40 토치 전극 41 전원
42, 89 초음파 진동자 드라이버 50 제어부
51 기기 인터페이스 52 CPU
53 메모리 54 데이터 버스
55 화상 취득부 56 화상 처리부
57 진폭 조정부 60, 62, 64 진동 범위
61, 63, 65 진동 궤적 71 초음파 혼
74 진동 증폭부 74a 상면
74b 바닥면 74c 측면
74e 후단면 74f 선단면
75 진동 변환부 75a 상측 슬릿
81 피에조 소자 82 홈
86a, 86b 초음파 진동부 100, 200, 300 와이어 본딩 장치
Claims (11)
- 와이어 본딩 장치로서,
2개의 상이한 주파수로 Y 방향으로 초음파 진동 가능한 초음파 진동자;
상기 초음파 진동자로부터 입력된 제1 주파수의 초음파 진동에 의해 Y 방향으로 공진하고, 상기 초음파 진동자로부터 입력된 상기 제1 주파수와 상이한 제2 주파수의 초음파 진동에 의해 Y축 주위로 비틀림 공진하고, 선단에 부착된 본딩 툴을 상이한 주파수로 Y 방향과, Y 방향에 직교하는 X 방향으로 가진(加振) 가능한 초음파 혼;
상기 초음파 진동자에 상기 제1 주파수의 전력을 공급하는 제1 회로와, 상기 초음파 진동자에 제2 주파수의 전력을 공급하는 제2 회로를 구비하는 드라이버;
상기 드라이버에 접속되어 2개의 상기 초음파 진동의 각 진동의 크기를 조정하는 제어부; 및
전극의 화상을 촬상하는 촬상 장치;
를 포함하고,
Y 방향은 상기 초음파 혼이 뻗는 방향이며,
상기 제어부는
상기 촬상 장치에 의해 촬상한 상기 전극의 화상을 처리하여 Y 방향에 대한 상기 전극이 뻗는 방향의 각도를 산출하고,
산출한 상기 각도에 따라 상기 제1 회로와 상기 제2 회로의 각 출력을 조정함으로써, 상기 본딩 툴이 진동하는 진동 범위의 대각선이 뻗는 방향을 상기 전극이 뻗는 방향으로 하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 장치. - 제1항에 있어서,
상기 본딩 툴은 Y 방향에 대하여 경사지게 배치된 띠 형상의 전극에 와이어를 접속하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 장치. - 제2항에 있어서,
상기 제어부는 산출한 상기 각도가 커질수록 상기 본딩 툴의 X 방향의 진폭에 대한 Y 방향의 진폭의 비율이 작아지도록, 상기 제1 회로의 출력을 작게 하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 장치. - 제2항에 있어서,
상기 제어부는
상기 본딩 툴의 Y 방향과 X 방향의 진폭의 비율이 상기 전극이 뻗는 방향의 Y 방향과 X 방향의 비율이 되도록, 상기 제1 회로와 상기 제2 회로의 각 출력의 비율을 조정하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 장치. - 삭제
- 제3항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 촬상 장치에 의해 촬상한 상기 전극의 화상을 처리하여 상기 전극이 뻗는 방향과 직각 방향의 상기 전극의 폭을 산출하고,
상기 본딩 툴의 상기 전극이 뻗는 방향과 직각 방향의 진폭이 산출한 상기 전극의 상기 폭을 초과하지 않도록, 상기 제1 회로와 상기 제2 회로의 각 출력을 조정하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 장치. - 제4항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 촬상 장치에 의해 촬상한 상기 전극의 화상을 처리하여 상기 전극이 뻗는 방향과 직각 방향의 상기 전극의 폭을 산출하고,
상기 본딩 툴의 상기 전극이 뻗는 방향과 직각 방향의 진폭이 산출한 상기 전극의 상기 폭을 초과하지 않도록, 상기 제1 회로와 상기 제2 회로의 각 출력을 조정하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 장치. - 삭제
- 제1항 내지 제4항 또는 제6항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 초음파 혼은 상기 초음파 진동자로부터 입력된 Y 방향의 상기 초음파 진동을 증폭하여 상기 선단에 전달하는 진동 증폭부와, Y 방향이 상기 초음파 진동을 상기 초음파 혼의 비틀림 진동으로 변환하는 진동 변환부를 갖는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 장치. - 제9 항에 있어서,
상기 진동 증폭부는 평면시(平面視)로 다각형 형상이며, 상기 진동 변환부는 Y 방향에 대하여 비스듬히 배치된 슬릿인 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 장치. - 삭제
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2018-131165 | 2018-07-11 | ||
JP2018131165 | 2018-07-11 | ||
PCT/JP2019/027437 WO2020013257A1 (ja) | 2018-07-11 | 2019-07-11 | ワイヤボンディング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210011979A KR20210011979A (ko) | 2021-02-02 |
KR102493623B1 true KR102493623B1 (ko) | 2023-01-31 |
Family
ID=69141592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020207036564A KR102493623B1 (ko) | 2018-07-11 | 2019-07-11 | 와이어 본딩 장치 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11824038B2 (ko) |
JP (1) | JP7008370B2 (ko) |
KR (1) | KR102493623B1 (ko) |
CN (1) | CN112385026B (ko) |
SG (1) | SG11202013224RA (ko) |
TW (1) | TWI714164B (ko) |
WO (1) | WO2020013257A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3603826B1 (en) * | 2018-07-31 | 2023-05-10 | Infineon Technologies AG | Method for calibrating an ultrasonic bonding machine |
JP7236782B2 (ja) * | 2021-02-22 | 2023-03-10 | 株式会社新川 | ワイヤボンディング装置 |
CN118266071A (zh) | 2021-11-16 | 2024-06-28 | 库利克和索夫工业公司 | 在焊线系统上校准超声波特征的方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013003821A (ja) | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Shinkawa Ltd | パターン位置検出方法 |
JP2013506271A (ja) | 2009-08-12 | 2013-02-21 | クリック アンド ソッファ インダストリーズ、インク. | ワイヤーボンディング用の超音波トランスデューサ、ならびに超音波トランスデューサを使ってワイヤーボンドを形成する方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11135543A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-21 | Sony Corp | 半導体製造装置 |
JP2008060210A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Fujitsu Ltd | ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置 |
JP4314313B1 (ja) * | 2008-06-30 | 2009-08-12 | 株式会社新川 | ボンディング装置 |
JP4275724B1 (ja) * | 2008-07-16 | 2009-06-10 | 株式会社新川 | ボンディング良否判定方法およびボンディング良否判定装置ならびにボンディング装置 |
CN102386236B (zh) | 2008-10-24 | 2016-02-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 |
CN108602092B (zh) * | 2015-12-04 | 2020-04-21 | 株式会社新川 | 超声波焊头 |
US10381321B2 (en) * | 2017-02-18 | 2019-08-13 | Kulicke And Soffa Industries, Inc | Ultrasonic transducer systems including tuned resonators, equipment including such systems, and methods of providing the same |
-
2019
- 2019-07-11 CN CN201980044546.8A patent/CN112385026B/zh active Active
- 2019-07-11 JP JP2020530244A patent/JP7008370B2/ja active Active
- 2019-07-11 US US17/259,192 patent/US11824038B2/en active Active
- 2019-07-11 WO PCT/JP2019/027437 patent/WO2020013257A1/ja active Application Filing
- 2019-07-11 TW TW108124563A patent/TWI714164B/zh active
- 2019-07-11 SG SG11202013224RA patent/SG11202013224RA/en unknown
- 2019-07-11 KR KR1020207036564A patent/KR102493623B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013506271A (ja) | 2009-08-12 | 2013-02-21 | クリック アンド ソッファ インダストリーズ、インク. | ワイヤーボンディング用の超音波トランスデューサ、ならびに超音波トランスデューサを使ってワイヤーボンドを形成する方法 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7008370B2 (ja) | 2022-02-14 |
CN112385026A (zh) | 2021-02-19 |
US20210272927A1 (en) | 2021-09-02 |
TW202006847A (zh) | 2020-02-01 |
CN112385026B (zh) | 2024-06-11 |
US11824038B2 (en) | 2023-11-21 |
WO2020013257A1 (ja) | 2020-01-16 |
TWI714164B (zh) | 2020-12-21 |
JPWO2020013257A1 (ja) | 2021-06-24 |
SG11202013224RA (en) | 2021-01-28 |
KR20210011979A (ko) | 2021-02-02 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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