KR102492038B1 - 필름 및 필름의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
25℃에서의 5% 신장시 응력 Ta가, 1.0MPa 이상 20.0MPa 이하이고, 120g/mm2의 하중을 가하여, 25℃부터 160℃까지 승온 속도 10℃/분으로 승온했을 때의 90℃에서의 치수 변화율을 90℃ 치수 변화율 1, 90℃ 치수 변화율 1이 최대가 되는 방향을 X 방향, X 방향과 필름면 내에서 직교하는 방향을 Y 방향, X 방향의 90℃ 치수 변화율을 Tx1(%)이라 했을 때에, Tx1이 -10.00% 이상 10.00% 이하인 것을 특징으로 하는 필름. 가열 공정에 있어서 평면성을 유지할 수 있을 정도의 내열성, 및 다이싱용 점착 필름 등으로서 사용하기에 충분한 유연성을 구비하는, 반도체 제조 공정용 기재로서 적합한 필름을 제공한다.
Description
본 발명은, 필름 및 필름의 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 실온에서도 저하중으로 신장 가능한 유연성이 높은 필름 부재는, 점착 테이프 등의 기재나 성형용의 전사 기재, 또한 프레스시의 쿠션재 등, 다양한 제품으로서 응용되고 있으며, 용도로서도 회로나 반도체의 제조 공정용이나 장식용 등 폭넓은 분야용으로 활용되고 있다.
예를 들어, 반도체를 제조하는 공정에는, 반도체 웨이퍼의 패턴 표면에 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프를 첩부하는 공정, 반도체 웨이퍼의 이면을 연마하여 두께를 얇게 하는 백그라인드 공정, 해당 공정에서 두께를 얇게 한 반도체 웨이퍼를 다이싱 테이프로 마운트하는 공정, 반도체 웨이퍼로부터 상기한 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프를 박리하는 공정, 및 다이싱에 의해 반도체 웨이퍼를 분할하는 공정 등, 다양한 공정이 존재한다.
최근 몇년간, 전자 기기의 소형화에 따라 반도체 웨이퍼의 박형화가 진행되고 있으며, 그의 강도가 저하되고 있기 때문에, 이들의 제조 공정 중에서 파손되기 쉬워 수율의 저하가 과제가 되고 있다. 예를 들어, 다이싱 공정 후, 다이싱용 점착 필름을 방사상으로 익스팬드하여 개개의 칩을 픽업하는 공정에 있어서 발생하는 반도체 웨이퍼로의 부하를 완화하는, 유연성이 우수한 점착 필름이 요구되고 있다. 그리고, 점착 필름의 유연성을 높이는 방법으로서는, 예를 들어 폴리프로필렌계 수지나 올레핀계 엘라스토머 및 스티렌계 엘라스토머 등의 유연성이 우수한 수지를 주성분으로 하는 필름을, 점착 필름의 기재 필름으로서 사용하는 방법이 알려져 있다(특허문헌 1).
또한, 백그라인드 공정에서 연마된 반도체 웨이퍼면에 다이싱용 점착 필름을 첩합하고, 열 박리에 의해 백그라인드 시트를 박리하는 공정이 사용되는 경우가 있다. 이 때 동시에 가열되는 다이싱용 점착 필름의 치수 안정성이 부족하면, 필름이 변형되고, 주름이나 이완이 발생한다는 과제가 있었다. 이와 같은 과제에 대하여, 예를 들어 다이싱 테이프용 점착 필름의 기재로서, 열 수축을 제어한 필름이 제안되어 있다(특허문헌 2).
그러나, 특허문헌 1이나 특허문헌 2에 기재된 점착 테이프에 사용되는 기재는, 압출법에 의해 얻어지는 비연신 필름이기 때문에, 장력 부여하에서는 팽창되어버려 필름의 평면성을 상실한다는 과제가 있다. 또한, 종래, 다이싱용 점착 필름 등의 기재 필름으로서 사용되고 있는 비연신 필름은, 저하중하에서는 가열시에 필름이 팽창되기 때문에 반도체 제조 공정 용도로의 적용은 곤란하다. 한편, 2축 연신 필름 등의 치수 안정성이 높은 필름은, 가열시의 변형을 경감할 수 있긴 하지만 유연성이 부족하기 때문에, 마찬가지로 해당 용도로의 적용은 곤란하다. 이와 같이, 종래 공지된 필름에서는 반도체 제조 공정용 기재에 요구되는 내열성과 유연성을 양립할 수 없어, 개선이 요망되고 있었다.
본 발명은, 상기한 종래 기술의 문제점을 해소하여, 가열 공정에 있어서 평면성을 유지할 수 있을 정도의 내열성, 및 다이싱용 점착 필름 등으로서 사용하기에 충분한 유연성을 구비하는, 반도체 제조 공정용 기재로서 적합한 필름을 제공하는 것을 그의 과제로 한다.
이러한 과제를 해결하기 위해 본 발명은, 이하의 구성을 포함한다.
(1) 25℃에서의 5% 신장시 응력 Ta가, 1.0MPa 이상 20.0MPa 이하이고, 120g/mm2의 하중을 가하여, 25℃부터 160℃까지 승온 속도 10℃/분으로 승온했을 때의 90℃에서의 치수 변화율을 90℃ 치수 변화율 1, 90℃ 치수 변화율 1이 최대가 되는 방향을 X 방향, X 방향과 필름면 내에서 직교하는 방향을 Y 방향, X 방향의 90℃ 치수 변화율을 Tx1(%)이라 했을 때에, Tx1이 -10.00% 이상 10.00% 이하인 것을 특징으로 하는, 필름.
(2) 5g/mm2의 하중을 가하여, 25℃부터 160℃까지 승온 속도 10℃/분으로 승온했을 때의 90℃에서의 치수 변화율을 90℃ 치수 변화율 2, 상기 X 방향의 90℃ 치수 변화율 2를 Tx2(%)라 했을 때에, Tx2가 -10.00% 이상 1.00% 이하인 것을 특징으로 하는, (1)에 기재된 필름.
(3) 적어도 편면의 면 배향 계수가 0.0080 이상 0.0800 이하인 것을 특징으로 하는, (1) 또는 (2)에 기재된 필름.
(4) 유리 전이 온도가 -40℃ 이상 40℃ 이하인 층을 A층이라 했을 때에, A층을 1층 이상 갖는 것을 특징으로 하는, (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 필름.
(5) 상기 Y 방향의 90℃ 치수 변화율 1을 Ty1(%)이라 했을 때에, 상기 Tx1 및 Ty1이 하기 식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는, (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 기재된 필름.
식 1: 0.10≤|Tx1-Ty1|≤3.00
(6) 필름의 상이한 면끼리를 중첩하여 측정한 정마찰 계수가 0.10 이상 0.80 이하인 것을 특징으로 하는, (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 필름.
(7) 적어도 편면에 있어서, 표면 조도 SRa(㎛)와 10점 평균 조도 SRzjis(㎛)가 하기 식 2를 만족하는 것을 특징으로 하는, (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 필름.
식 2: 5.0≤SRzjis/SRa≤25.0
(8) 상기 X 방향 및 상기 Y 방향의 90℃의 열수축 응력이 0.010N/mm2 이상 5.000N/mm2 이하인 것을 특징으로 하는, (1) 내지 (7) 중 어느 하나에 기재된 필름.
(9) 80℃에서 1시간 가열했을 때의 수축률이 1.00%를 초과하고 10.00% 이하인 것을 특징으로 하는, (1) 내지 (8) 중 어느 하나에 기재된 필름.
(10) 상기 Ta와 90℃에서 10분간 가열한 후의 25℃에서의 5% 신장시 응력 Tb가, 하기 식 3을 만족하는 것을 특징으로 하는, (1) 내지 (9) 중 어느 하나에 기재된 필름.
식 3: 0.85≤Tb/Ta≤1.30
(11) 25℃에서 50% 신장했을 때의 최대 응력 Ka와 50% 신장시 응력 Kb가, 하기 식 4를 만족하는 것을 특징으로 하는, (1) 내지 (10) 중 어느 하나에 기재된 필름.
식 4: 0.70≤Kb/Ka≤1.00
(12) 전체 방향에 있어서의 90℃ 치수 변화율 1이 -25.00% 이상 10.00% 이하인 것을 특징으로 하는, (1) 내지 (11) 중 어느 하나에 기재된 필름.
(13) 전체 방향의 90℃ 치수 변화율 2가 -25.00% 이상 1.00% 이하인 것을 특징으로 하는, (1) 내지 (12) 중 어느 하나에 기재된 필름.
(14) 직경 100㎛ 이상의 부착 이물이 10개/m2 이하인 것을 특징으로 하는, (1) 내지 (13) 중 어느 하나에 기재된 필름.
(15) 두께 불균일이 10.0% 이하인 것을 특징으로 하는, (1) 내지 (14) 중 어느 하나에 기재된 필름.
(16) (1) 내지 (15) 중 어느 하나에 기재된 필름의 제조 방법으로서, 1.04배 이상 2.00배 이하의 배율로 적어도 일 방향으로 연신하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 필름의 제조 방법.
본 발명에 의해, 유연성과 내열성을 겸비한 필름 및 그의 제조 방법을 제공할 수 있으며, 본 발명의 필름은 반도체 제조 공정용 기재로서 적합하게 사용할 수 있다.
본 발명의 필름은, 25℃에서의 5% 신장시 응력 Ta가, 1.0MPa 이상 20.0MPa 이하이고, 120g/mm2의 하중을 가하여, 25℃부터 160℃까지 승온 속도 10℃/분으로 승온했을 때의 90℃에서의 치수 변화율을 90℃ 치수 변화율 1, 90℃ 치수 변화율 1이 최대가 되는 방향을 X 방향, X 방향과 필름면 내에서 직교하는 방향을 Y 방향, X 방향의 90℃ 치수 변화율을 Tx1(%)이라 했을 때에, Tx1이 -10.00% 이상 10.00% 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 필름은, 내열성 향상과 반도체 제조 공정에 있어서의 칩 손상 경감의 관점에서, 25℃에서의 5% 신장시 응력 Ta가, 1.0MPa 이상 20.0MPa 이하인 것이 중요하다. 25℃에서의 5% 신장시 응력 Ta(이하, 간단히 Ta라 하는 경우가 있다.)가 1.0MPa 미만이면, 반도체 웨이퍼의 질량에 의해 가열시에 필름이 변형되거나, 필름을 익스팬드했을 때에 불균일하게 변형되는 경우가 있다. 한편, Ta가 20.0MPa보다 크면, 칩을 픽업할 때의 부하가 커 칩을 손상시켜버리는 경우가 있다. 상기 관점에서, Ta는 1.5MPa 이상 15.0MPa 이하이면 보다 바람직하고, 2.0MPa 이상 10.0MPa 이하이면 더욱 바람직하다. Ta를 상기 범위로 하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 유리 전이 온도가 -50℃ 이상 50℃ 이하인 층, 바람직하게는 후술하는 A층을 적어도 1층 이상 갖는 캐스트 필름으로 하는 방법이나, 캐스트 필름을 2.00배 이하의 배율로 적어도 일 방향으로 연신하는 방법 등을 들 수 있다.
「25℃에서의 5% 신장시 응력 Ta」란, JIS K7127(1999, 시험편 타입 2)에 준하여, 시험 속도 300mm/분으로 측정한 25℃에서의 5% 신장시 응력을 말한다. 또한, 「25℃에서의 5% 신장시 응력 Ta가, 1.0MPa 이상 20.0MPa 이하인」이란, 필름면에 평행한 임의의 방향을 0° 방향, 0° 방향으로부터 필름면과 평행하게 시계 방향으로 175° 회전시킨 방향을 175° 방향이라 했을 때에, 0° 방향으로부터 175° 방향까지의 범위에 있어서, 5° 간격으로 JIS K7127(1999, 시험편 타입 2)에 준하여 시험 속도 300mm/분으로 25℃에서의 5% 신장시 응력을 측정하고, 얻어진 36회분의 측정값의 최댓값이 1.0MPa 이상 20.0MPa 이하인 것을 의미한다. 또한, 평가용의 샘플은, 150mm(측정 방향)×10mm(측정 방향에 직교하는 방향)의 직사각 형상인 것을 사용한다.
본 발명의 필름은, 120g/mm2의 하중을 가하여, 25℃부터 160℃까지 승온 속도 10℃/분으로 승온했을 때의 90℃에서의 치수 변화율을 90℃ 치수 변화율 1, 90℃ 치수 변화율 1이 최대가 되는 방향을 X 방향, X 방향과 필름면 내에서 직교하는 방향을 Y 방향, X 방향의 90℃ 치수 변화율을 Tx1(%)이라 했을 때에, Tx1이 -10.00% 이상 10.00% 이하인 것이 중요하다. Tx1을 상기 범위로 함으로써, 반도체 웨이퍼를 적층하여 필름에 신장 하중이 가해진 상태에서 가열했을 때의 변형을 경감하는 것이 가능하다. Tx1이 -10.00% 미만이면, 필름의 수축에 의해 주름이 발생하는 경우가 있으며, 또한 Tx1이 10.00%보다 크면, 필름의 팽창에 의해 반도체 웨이퍼의 고정 위치가 변동되고, 후속 공정에서 문제가 발생하는 경우가 있다. 상기 관점에서, Tx1은 -10.00% 이상 1.00% 이하이면 바람직하고, -8.00% 이상 1.00% 이하이면 보다 바람직하고, -4.50% 이상 -1.00% 이하이면 더욱 바람직하다.
본 발명의 필름은, 5g/mm2의 하중을 가하여, 25℃부터 160℃까지 승온 속도 10℃/분으로 승온했을 때의 90℃에서의 치수 변화율을 90℃ 치수 변화율 2, 상기 X 방향의 90℃ 치수 변화율 2를 Tx2(%)라 했을 때에, Tx2가 -10.00% 이상 1.00% 이하인 것이 바람직하다. Tx2를 상기 범위로 함으로써, 필름에 인가된 하중이 작은 경우에도 가열에 의한 변형을 경감하는 것이 가능하다. Tx2를 -10.00% 이상으로 함으로써, 필름의 수축에 의한 주름의 발생을 경감할 수 있다. 또한, Tx2를 1.00% 이하로 함으로써, 필름의 팽창에 의한 반도체 웨이퍼의 고정 위치 변동에 기인하는 후속 공정에 있어서의 문제의 발생을 경감할 수 있다. 상기 관점에서, Tx2는 -8.00% 이상 0.00% 이하이면 보다 바람직하고, -4.50% 이상 -1.00% 이하이면 더욱 바람직하다.
「90℃ 치수 변화율 1」은, 이하의 수순으로 측정할 수 있다. 우선, 실온 환경하에서 15mm(측정 방향)×4mm(측정 방향에 직교하는 방향)의 크기로 커트한 필름 샘플을, 온도 25℃, 상대 습도 65%의 분위기하에 24시간 정치하고, 그의 측정 방향의 길이(L0)를 측정한다. 이어서, 이 필름 샘플을 25℃부터 160℃까지 하중 120g/mm2로 승온 속도 10℃/분으로 승온시키고, 90℃에서의 그의 측정 방향의 길이(L1)를 측정한다. 얻어진 L0 및 L1의 값으로부터, 이하의 식 5에 의해 90℃ 치수 변화율 1을 구한다.
식 5: 90℃ 치수 변화율 1(%)=(L1-L0)×100/L0.
90℃ 치수 변화율 1을 산출하기 위한 치수의 측정에 사용하는 장치는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 열 분석 장치 TMA/SS6000(세이코 인스트루먼츠사제) 등을 사용할 수 있다. X 방향은, 필름면과 평행한 임의의 방향에 있어서의 90℃ 치수 변화율 1을 측정하고, 이후 필름면과 평행하게 시계 방향으로 5°씩 회전시켜 최초로 선정한 방향과의 각도가 175°에 도달할 때까지 마찬가지로 90℃ 치수 변화율 1을 측정했을 때에, 가장 90℃ 치수 변화율 1의 값이 큰 방향으로 한다. 그리고, 이 때의 90℃ 치수 변화율 1의 값을 Tx1(%)이라 한다. 여기서, 「가장 90℃ 치수 변화율 1의 값이 큰」이란, 식 5에 의해 구한 90℃ 치수 변화율 1의 값이 가장 큰 것을 의미한다. 예를 들어, 측정한 전체 방향의 90℃ 치수 변화율 1이 -5.00% 내지 3.00%의 범위이면, 90℃ 치수 변화율 1이 3.00%인 방향이 X 방향이 된다.
단, 식 5에 의해 구한 90℃ 치수 변화율 1의 값이 가장 큰 방향이 복수 존재하는 경우에는, 각 측정 방향의 90℃ 치수 변화율 1의 값으로부터, 각 측정 방향과 직교하는 방향의 90℃ 치수 변화율 1의 값을 차감하여 얻어진 값의 절댓값을 각각 구하고, 이 절댓값이 0.10% 이상 3.00% 이하의 범위 내에 있으며, 또한 가장 작은 방향을 X 방향으로 할 수 있다. 또한, 어느 측정 방향에 있어서도, 이 절댓값이 0.10% 이상 3.00% 이하의 범위 외인 경우에는, 이 절댓값이 0.10% 이상 3.00% 이하의 범위에 가장 가까운 방향을 X 방향으로 한다.
또한, 「90℃ 치수 변화율 2」란, 하중의 크기를 5g/mm2로 하는 것 이외는 90℃ 치수 변화율 1과 마찬가지의 방법에 의해 측정한 치수 변화율을 말하며, 그의 측정에는 90℃ 치수 변화율 1과 마찬가지의 장치를 사용할 수 있다.
Tx1을 -10.00% 이상 10.00% 이하 또는 상기한 바람직한 범위로 하는 방법은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 유리 전이 온도가 -50℃ 이상 50℃ 이하인 층을 적어도 하나 갖는 캐스트 필름을 1.04배 이상 2.00배 이하의 배율로 적어도 일 방향으로 연신하는 방법 등을 들 수 있다. 또한, Tx2를 -10.00% 이상 1.00% 이하 또는 상기한 바람직한 범위로 하는 방법은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 상기 캐스트 필름을 70℃ 이상 필름 융점 이하의 온도에서 1.04배 이상 2.00배 이하의 배율로 적어도 일 방향으로 연신하는 방법 등을 들 수 있다.
X 방향 이외의 방향에 있어서의 90℃ 치수 변화율 1의 값은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 특별히 제한되지 않는다. 단, 하중을 가하여 가열했을 때의 치수 변화를 경감하는 관점에서, 전체 방향에 있어서의 90℃ 치수 변화율 1이 -25.00% 이상 10.00% 이하인 것이 바람직하고, -15.00% 이상 1.00% 이하이면 바람직하고, -10.00% 이상 -1.00% 이하이면 더욱 바람직하다. 이러한 형태로 함으로써, 반도체 웨이퍼를 적층하여 필름에 신장 하중이 가해진 상태에서 가열했을 때에, 필름의 과도한 변형이 억제되기 때문에, 반도체 제조 공정에서 필요한 치수 안정성을 용이하게 실현할 수 있다.
X 방향 이외의 방향에 있어서의 90℃ 치수 변화율 2의 값도, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 특별히 제한되지 않는다. 단, 필름에 인가된 하중이 작은 경우에 있어서도 가열했을 때의 치수 변화를 경감하는 관점에서, 전체 방향에 있어서의 90℃ 치수 변화율 2가 -25.00% 이상 1.00% 이하인 것이 바람직하고, -15.00% 이상 0.00% 이하이면 바람직하고, -10.00% 이상 -1.00% 이하이면 더욱 바람직하다. 이러한 형태로 함으로써, 반도체 웨이퍼를 적층하여 필름에 작은 하중이 가해진 상태에서 가열했을 때에도, 필름의 과도한 변형이 억제되기 때문에, 반도체 제조 공정에서 필요한 치수 안정성을 용이하게 실현할 수 있다.
본 발명의 필름은, 적어도 편면의 면 배향 계수가 0.0080 이상 0.0800 이하인 것이 바람직하다. 면 배향 계수는, 필름면 내에 있어서의 폴리머의 배향의 정도를 나타내는 지표이며, 면 배향 계수가 클수록 고배향 상태에 있는 것을 의미한다. 여기에서 말하는 면 배향 계수(fn)란, 이하의 방법에 의해 측정한 면 배향 계수를 말한다. 우선, 필름면에 평행한 임의의 방향을 α, 이것에 필름면 내에서 직교하는 방향을 β, α 및 β와 직교하는 방향(두께 방향)을 γ라 하고, 각 방향의 굴절률(nα, nβ, nγ)을 아베 굴절률계로 측정한다. 얻어진 각 값을 사용하여, 하기 식 6에 의해 필름면 상의 2 방향이 α, β일 때의 면 배향 계수(fn0)를 구한다.
식 6: fn0=(nα+nβ)/2-nγ.
이어서, γ는 고정하여 α, β를 각각 필름면과의 평행성을 유지하면서 시계 방향으로 5°씩 회전시켜 nα5, nβ5라 하고, 각 방향의 굴절률(nα5, nβ5, nγ)을 아베 굴절률계로 측정하고, 상기 식 6의 nα를 nα5, nβ를 nβ5로 각각 치환하여, 필름면 상의 2 방향이 α5, β5일 때의 면 배향 계수(fn5)를 구한다. 이하, 마찬가지로 필름면 상의 2 방향이 α85, β85가 될 때까지 마찬가지의 측정을 반복한다. 얻어진 fn0 내지 fn85까지의 18회분의 측정값의 평균값이 면 배향 계수(fn)가 된다.
면 배향 계수가 0.0080 미만, 즉 무배향 또는 한없이 무배향에 가까운 상태의 필름인 경우에는, 유연성은 충분하지만, 내열성이 떨어지는 경우가 있다. 한편, 면 배향 계수가 0.0800을 초과하면, 배향의 정도가 높아지기 때문에 내열성이 우수한 한편, 유연성이 불충분해지는 경우가 있다. 필름의 유연성과 내열성을 양립하는 관점에서, 본 발명의 필름은, 적어도 편면의 면 배향 계수가 0.0120 이상 0.0600 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.0150 이상 0.0400 이하인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 필름의 적어도 편면의 면 배향 계수를 0.0080 이상 0.0800 이하 또는 상기한 바람직한 범위로 하는 방법은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 캐스트 필름을 1.04배 이상 2.00배 이하의 배율로 적어도 일 방향으로 연신하는 방법을 들 수 있다. 이러한 저배율로 연신을 행함으로써, 필름의 유연성을 손상시키지 않을 정도로 수지의 분자를 배향시킬 수 있다. 상기 관점에서, 2축 이상의 방향으로 연신하는 경우에는, 각 방향의 연신 배율을 곱한 면적 연신 배율이 1.20배 이상 1.80배 이하인 것이 바람직하고, 1.40배 이상 1.70배 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 필름은, 유리 전이 온도가 -40℃ 이상 40℃ 이하인 층을 A층이라 했을 때에, A층을 적어도 1층 이상 갖는 것이 바람직하다. A층을 가짐으로써, 필름은 실온하에 있어서도 충분한 유연성을 갖는 것이 된다. 또한, 후술하는 1.04배 이상 2.00배 이하의 배율에서의 연신과의 조합에 의해, 본 발명이 목적으로 하는 유연성과 내열성을 실현하는 적절한 범위로 분자의 배향 상태를 제어할 수 있다. 여기서 유리 전이 온도란, JIS K7121(2012)에 준거하여, 시차 주사 열량 측정(DSC)에 의한 열량 변화의 측정(DSC법)에 기초하여 구해지는 온도를 의미한다. 유연성과 내열성을 양립하는 관점에서, A층의 유리 전이 온도는, -25℃ 이상 20℃ 이하이면 보다 바람직하고, -10℃ 이상 5℃ 이하이면 더욱 바람직하다.
본 발명의 필름에 사용하는 수지는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스테르, 폴리아릴레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리메틸펜텐, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리카르보네이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 불소 수지, 폴리에테르이미드, 폴리페닐렌술피드, 폴리우레탄 및 환상 올레핀계 수지 등을 단독으로 또는 복수 조합하여 사용할 수 있다. 그 중에서도, 필름의 취급성이나 치수 안정성, 제조시의 경제성의 관점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트나 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀이 바람직하게 사용된다.
본 발명에 있어서 폴리에스테르란, 주쇄 중의 주요한 결합을 에스테르 결합으로 하는 고분자의 총칭이다. 통상, 폴리에스테르는, 디카르복실산 성분과 글리콜 성분을 중축합 반응시킴으로써 얻을 수 있다.
폴리에스테르를 얻기 위한 디카르복실산 성분은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 테레프탈산, 이소프탈산, 프탈산, 2,6-나프탈렌디카르복실산, 디페닐디카르복실산, 디페닐술폰디카르복실산, 디페녹시에탄디카르복실산, 5-나트륨술폰디카르복실산 등의 방향족 디카르복실산, 옥살산, 숙신산, 아디프산, 세바스산, 다이머산, 말레산, 푸마르산 등의 지방족 디카르복실산, 1,4-시클로헥산디카르복실산 등의 지환족 디카르복실산, 파라옥시벤조산 등의 옥시카르복실산 등의 각 성분을 사용할 수 있다. 또한, 디카르복실산 성분은 디카르복실산에스테르 유도체 성분이어도 되고, 상기 디카르복실산 화합물의 에스테르화물, 예를 들어 테레프탈산디메틸, 테레프탈산디에틸, 테레프탈산2-히드록시에틸메틸에스테르, 2,6-나프탈렌디카르복실산디메틸, 이소프탈산디메틸, 아디프산디메틸, 말레산디에틸, 다이머산디메틸 등의 각 성분을 사용할 수도 있다.
또한, 폴리에스테르를 얻기 위한 글리콜 성분은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 에틸렌글리콜, 1,2-프로판디올, 1,3-프로판디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 2,2-디메틸-1,3-프로판디올 등의 지방족 디히드록시 화합물, 디에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리테트라메틸렌글리콜 등의 폴리옥시알킬렌글리콜, 1,4-시클로헥산디메탄올, 스피로글리콜 등의 지환족 디히드록시 화합물, 비스페놀 A, 비스페놀 S 등의 방향족 디히드록시 화합물 등 각 성분을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 유연성과 내열성의 양립 및 취급성의 관점에서, 에틸렌글리콜, 1,4-부탄디올, 2,2-디메틸-1,3-프로판디올, 1,4-시클로헥산디메탄올 및 폴리테트라메틸렌글리콜의 각 성분을 사용하는 것이 바람직하다.
이들 디카르복실산 성분, 글리콜 성분은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 2종 이상을 병용해도 된다.
본 발명에 있어서 바람직하게 사용할 수 있는 폴리올레핀으로서는, 예를 들어 아이소택틱 혹은 신디오택틱인 입체 규칙성을 나타내는 프로필렌의 단독 중합체나, 프로필렌·α-올레핀 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 α-올레핀의 구체예로서는, 예를 들어 에틸렌, 1-부텐, 1-펜텐, 3-메틸펜텐-1, 3-메틸부텐-1, 1-헥센, 4-메틸펜텐-1, 5-에틸헥센-1, 1-옥텐, 1-데센, 1-도데센, 비닐시클로헥센, 스티렌, 알릴벤젠, 시클로펜텐, 노르보르넨, 5-메틸-2-노르보르넨 등을 들 수 있다. 또한, 프로필렌·α-올레핀 공중합체는, 가공시의 핸들링을 양호하게 하는 관점에서, 폴리머를 구성하는 전체 구성 단위를 100몰%로 했을 때에, 프로필렌 단위를 50몰% 보다 많이 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 프로필렌·α-올레핀 공중합체는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한, 2원계, 3원계 및 4원계 중 어느 것이어도 되고, 랜덤 공중합체 및 블록 공중합체 중 어느 것이어도 된다. 이들 프로필렌 단독 중합체 및 프로필렌·α-올레핀 공중합체는, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위에서 복수 종류를 혼합하여 사용해도 된다.
또한, 필름의 유연성을 향상하게 하는 목적으로부터, 폴리올레핀에 탄화수소계 엘라스토머를 블렌드하는 것도 바람직한 양태이다. 탄화수소계 엘라스토머로서는, 스티렌·부타디엔 공중합체(SBR), 스티렌·이소부틸렌·스티렌 공중합체(SIS), 스티렌·부타디엔·스티렌 공중합체(SBS), 수소 첨가 스티렌·부타디엔 공중합체(HSBR) 등의 스티렌·공액 디엔계 공중합체나 그의 수소 첨가물, 스티렌·에틸렌·부틸렌·스티렌 공중합체(SEBS), 스티렌·이소부틸렌 공중합체 및 이들의 혼합물 등을 들 수 있다. 이들 탄화수소계 엘라스토머는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 1종류만을 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용할 수도 있다.
A층의 유리 전이 온도를, -40℃ 이상 40℃ 이하 또는 상기한 바람직한 범위로 하는 방법은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 특별히 한정되지 않지만, A층을 구성하는 수지로서 유리 전이 온도가 -40℃ 이상 40℃ 이하 또는 상기한 바람직한 범위에 있는 것을 사용하는 방법을 들 수 있다. A층의 유리 전이 온도는, A층을 구성하는 수지를 유리 전이 온도가 높은 것으로 하거나, A층을 구성하는 수지 전체에서 차지하는 유리 전이 온도가 높은 수지의 비율을 높임으로써, 높게 할 수 있다.
본 발명의 필름은, 내열성을 향상시키고, 또한 반도체 웨이퍼의 중량에 의한 변형을 경감하는 관점에서, Y 방향의 90℃ 치수 변화율 1을 Ty1(%)이라 했을 때에, Tx1 및 Ty1이 하기 식 1을 만족하는 것이 바람직하다.
식 1: 0.10≤|Tx1-Ty1|≤3.00.
|Tx1-Ty1|은 면 내에 있어서의 90℃ 치수 변화율 1의 방향에 따른 변동을 나타내는 지표이다. 보다 구체적으로는, |Tx1-Ty1|이 클수록 X 방향과 Y 방향의 90℃ 치수 변화율 1의 변동이 크고, |Tx1-Ty1|이 작을수록 X 방향과 Y 방향의 90℃ 치수 변화율 1의 변동이 작은 것을 의미한다. |Tx1-Ty1|이 0.10 이상 3.00 이하임으로써, 가열시의 필름의 평면성을 더욱 양호하게 할 수 있다. 즉, 가열시에 있어서의 필름의 변형을 과도해지지 않을 정도로 불균일하게 함으로써, 치수 변화에 따른 필름의 평면성 유지의 효과가 나타나기 쉬워진다. |Tx1-Ty1|이 3.00보다 크면, 가열시의 필름의 변형이 방향에 따라 과도하게 불균일해진다는 점에서, 주름이나 이완이 발현되기 쉬워지는 경우가 있다. 또한, |Tx1-Ty1|이 0.10보다 작고 면 내에 있어서의 변형이 거의 방향에 의하지 않는 경우에는, 고정 샘플의 중앙 부근에서 장력이 저하되는 경우가 있으며, 반도체 웨이퍼의 중량에 따라 변형되는 경우가 있다. 상기 관점에서, |Tx1-Ty1|은 보다 바람직하게는 0.10 이상 2.20 이하이다. |Tx1-Ty1|을 0.10 이상 3.00 이하 또는 상기한 바람직한 범위로 하는 방법으로서, 예를 들어 상기한 층 구성으로 한 캐스트 필름을 2축 연신하는 방법 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 2축으로 연신했을 때의 각 방향에 있어서의 연신 배율의 차를 작게 함으로써, |Tx1-Ty1|의 값을 작게 할 수 있다.
본 발명의 필름은, 그의 효과를 손상시키지 않는 한, 단층 필름이어도 2층 이상의 적층 필름이어도 된다. 3층 구성으로 하는 경우에는 생산성의 관점에서, 양쪽 표층의 조성을 동일하게 하거나, 양쪽 표층의 적층 두께를 동등하게 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 필름은, 제조시의 취급이나 연신 정밀도 향상, 및 표면에 있어서의 흠집의 발생 경감의 관점에서, 필름의 상이한 면끼리를 중첩하여 측정한 정마찰 계수가 0.10 이상 0.80 이하인 것이 바람직하다. 여기서 정마찰 계수란, JIS K7125(1999)에 준하여, 2매의 필름을 반대측면끼리가 겹치도록 배치하고, 속도 100mm/분으로 마찰시켜 측정한 정마찰 계수를 말한다. 필름의 상이한 면끼리를 중첩하여 측정한 정마찰 계수를 상기 범위로 함으로써, 제조시의 취급이 양호해지고, 롤로 연신할 때의 연신 정밀도를 향상시키는 것이 가능해질 뿐만 아니라, 표면에 있어서의 흠집의 발생도 경감할 수 있다. 본 발명의 필름의 제조 공정에 있어서는, 상술한 바와 같이 연신 배율을 낮은 영역에서 적절하게 제어하는 것이 요구된다. 정마찰 계수가 0.80을 초과하면, 특히 롤과의 마찰이 과잉이 되는 경우에는, 연신 배율이 설계보다도 높아지거나, 필름 표면에 흠집이 발생하는 경우가 있다. 정마찰 계수가 0.10 미만이면, 롤의 권취 어긋남이 발생하기 쉽고, 생산성이 저하되는 경우가 있다. 상기 관점에서, 필름의 상이한 면끼리를 중첩하여 측정한 정마찰 계수가 0.10 이상 0.70 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.10 이상 0.60 이하인 것이 더욱 바람직하다.
정마찰 계수를 0.10 이상 0.80 이하 또는 상기한 바람직한 범위로 하는 방법으로서는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 특별히 한정되지 않지만, 필름이 단층 구성인 경우에는 필름 중에, 필름이 적층 구성인 경우에는 적어도 편측의 최표층에, 평균 입경이 1㎛ 이상 10㎛ 이하인 무기 입자 및/또는 유기 입자를 함유시키는 방법 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 이들 입자의 함유량을 증가시킴으로써, 정마찰 계수를 낮출 수 있다. 또한, 여기에서 말하는 평균 입경이란, 부피 평균 입자 직경이다. 또한, 폴리올레핀에 결정성이 상이한 탄화수소계 엘라스토머 등을 블렌드하는 방법도 바람직하게 사용된다. 결정성이 상이한 수지를 블렌드함으로써, 캐스트시의 결정 성장이나 연신성의 차이에 의해 표면에 미세한 요철을 형성시켜, 정마찰 계수를 바람직한 범위로 할 수 있다.
입자로서는, 예를 들어 습식 및/또는 건식 실리카, 콜로이달 실리카, 규산알루미늄, 산화티타늄, 탄산칼슘, 인산칼슘, 황산바륨, 알루미나, 마이카, 카올린, 클레이, 히드록시아파타이트 등의 무기 입자, 스티렌, 실리콘, 아크릴산, 메타크릴산, 디비닐벤젠 등을 중합한 것이나, 폴리에스테르, 폴리아미드 등을 구성 성분으로 하는 유기 입자 등을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 습식 및/또는 건식 실리카, 알루미나 등의 무기 입자, 스티렌, 실리콘, 아크릴산, 메타크릴산, 디비닐벤젠 등을 중합한 것이나, 폴리에스테르, 폴리아미드 등을 구성 성분으로 하는 유기 입자 등이 바람직하게 사용된다. 입자로서, 내부 입자, 무기 입자, 유기 입자를 각각 2종 이상, 또는 내부 입자, 무기 입자, 유기 입자를 조합하여 2종 이상 병용해도 된다.
또한, 입자의 함유량은, 필름의 최표층을 구성하는 수지 조성물 전체에 대하여 0.01 내지 5질량%의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.03 내지 3질량%이다. 0.01질량% 미만인 경우, 필름 권취가 어려워질 가능성이 있으며, 5질량%를 초과하면 조대 돌기에 의한 광택도의 저하, 투명성 및 제막성의 악화 등을 일으킬 가능성이 발생한다.
본 발명의 필름은, 적어도 편면에 있어서, 표면 조도 SRa(㎛)와 10점 평균 조도 SRzjis(㎛)가 하기 식 2를 만족하는 것이 바람직하다.
식 2: 5.0≤SRzjis/SRa≤25.0.
이러한 형태로 함으로써, 필름 표면의 요철 형상의 균일성을 높이고, 점착 가공시의 필름과 점착층의 밀착성을 양호하게 할 수 있다. SRzjis/SRa를 25.0 이하로 함으로써, 조대 돌기에 의한 점착층과의 밀착 저해를 경감하거나, 점착층 가공시의 에이징 시간을 단축하여 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, SRzjis/SRa를 5.0 미만으로 하는 것은, 제막 중에 미끄럼이 발생하기 때문에 통상 사용되는 제조 방법에 있어서는 실현 곤란하며, 가령 실현할 수 있다고 해도 블로킹 등이 발생하는 경우가 있다. 상기 관점에서, SRzjis/SRa는 5.0 이상 22.0 이하이면 보다 바람직하고, 5.0 이상 18.0 이하이면 더욱 바람직하다.
SRzjis/SRa를 5.0 이상 25.0 이하 또는 상기한 바람직한 범위로 하는 방법은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 결정성이 상이한 수지를 블렌드함으로써 돌기를 형성하고, 얻어진 캐스트 필름을 1.04배 이상 2.00배 이하의 저배율로 적어도 일 방향으로 연신하는 방법 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 상술한 폴리올레핀에 탄화수소계 엘라스토머를 블렌드하고, 상기한 범위에서 연신 배율을 크게 함으로써, SRzjis/SRa를 작게 할 수 있다. 이러한 저배율로 연신함으로써, 돌기 사이즈와 돌기의 수를 제어하여 균일하게 하는 것이 용이해진다. 또한, 연신에 의해 분자의 배향도도 높아지기 때문에, 돌기의 강도가 향상되어 공정 중의 절삭에 기인하는 표면 형상의 변화를 저감할 수도 있다. 또한, SRzjis/SRa를 5.0 이상 25.0 이하 또는 상기한 바람직한 범위로 하는 방법으로서, 연신을 2단계 이상의 다단계로 하는 방법이나, 동시 2축 연신으로 하는 방법도 채용할 수 있다.
본 발명의 필름은, X 방향 및 Y 방향의 90℃의 열수축 응력이 0.010N/mm2 이상 5.000N/mm2 이하인 것이 바람직하다. 이러한 형태로 함으로써, 웨이퍼를 적층한 경우와 같이 필름에 하중이 가해지는 상태에 있어서도, 가열했을 때의 필름 신장이나 팽창 변형을 경감하는 것이 가능하다. 90℃에서의 열수축 응력을 0.010N/mm2 이상으로 함으로써, 가열시의 치수 변화에 의한 웨이퍼의 위치 정밀도의 저하나, 면 내에 있어서의 수축 변형에 기인하는 주름의 발생을 경감할 수 있다. 또한, 90℃에서의 열수축 응력을 5.000N/mm2 이하로 함으로써, 수축에 의해 웨이퍼 밀착면에 발생하는 응력에 의한 웨이퍼의 박리나 파손을 경감할 수 있다. 상기 관점에서, X 방향 및 Y 방향의 90℃의 열수축 응력은 0.030N/mm2 이상 4.000N/mm2 이상이면 보다 바람직하고, 0.050N/mm2 이상 3.300N/mm2 이상이면 더욱 바람직하다.
여기서, 90℃의 열수축 응력은 이하의 방법에 의해 측정할 수 있다. 우선, 15mm(측정 방향)×4mm(측정 방향에 직교하는 방향)의 필름을 온도 25℃, 상대 습도 65%의 분위기하에 24시간 정치하여 샘플로 한다. 이어서, 승온 속도 10℃/분으로 25℃부터 160℃까지 해당 샘플을 승온시켜, 90℃의 시점에 있어서의 열수축 응력을 측정하고, 이것을 90℃의 열수축 응력으로 한다. 또한, 측정 개시시의 하중은 5g/mm2로 한다. 90℃의 열수축 응력의 측정에 사용하는 장치는, 상기 측정이 가능한 것이면 특별히 제한되지 않고 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 TMA/SS6000(세이코 인스트루먼츠사제)을 사용할 수 있다.
X 방향 및 Y 방향의 90℃의 열수축 응력을 0.010N/mm2 이상 5.000N/mm2 이하 또는 상기한 바람직한 범위로 하는 방법은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 A층을 적어도 1층 이상 갖는 캐스트 필름에서, A층의 유리 전이 온도를 -30℃ 이상 40℃ 이하로 하고, 또한 1.04배 이상 2.00배 이하의 배율로 적어도 일 방향으로 연신하는 방법 등을 들 수 있다.
본 발명의 필름은, 80℃에서 1시간 가열했을 때의 수축률이 1.00%를 초과하고 10.00% 이하인 것이 바람직하다. 이러한 형태로 함으로써, 저온에서의 가열 공정에 있어서도 가열했을 때의 변형을 경감하는 것이 가능하다. 80℃에서 1시간 가열했을 때의 수축률이 1.00% 이하인 경우에는, 가열시의 치수 변화를 억제하는 것이 어려워지는 경우가 있다. 또한, 80℃에서 1시간 가열했을 때의 수축률이 10.00%보다 큰 경우에는, 점착 가공 공정 등에서 가열했을 때에 수축되고, 그 후의 반도체 제조 공정에서 가열했을 때에 치수 변화가 커지는 경우가 있다. 80℃에서 1시간 가열했을 때의 수축률은, 2.00% 이상 8.00% 이하가 보다 바람직하고, 3.00% 이상 6.00% 이하가 더욱 바람직하다. 80℃에서 1시간 가열했을 때의 수축률을, 1.00%를 초과하고 10.00% 이하 또는 상기한 바람직한 범위로 하는 방법은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 캐스트 필름을 1.40배 이상 2.00배 이하의 배율로 적어도 일 방향으로 연신하는 방법 등을 들 수 있다.
본 발명의 필름은, Ta와 90℃에서 10분간 가열한 후의 25℃에서의 5% 신장시 응력 Tb가, 하기 식 3을 만족하는 것이 바람직하다.
식 3: 0.85≤Tb/Ta≤1.30.
Tb/Ta가 식 3을 만족하는 것은, 가열 후의 신장 특성의 변화가 작은 것을 의미한다. 이러한 형태로 함으로써, 필름은 가열 공정 후에 익스팬드를 행하는 경우에 있어서도 바람직하게 사용할 수 있다. 상기 관점에서, Tb/Ta는 0.85 이상 1.23 이하가 보다 바람직하고, 0.85 이상 1.15 이하가 더욱 바람직하다. Tb/Ta를 0.85 이상 1.30 이하 또는 상기한 바람직한 범위로 하는 방법은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 캐스트 필름에 70℃ 이상 필름의 융점 이하의 온도에서 가열 처리를 행하는 방법 등을 들 수 있다. 가열 처리는 롤 어닐이나 텐터 방식 등 종래 공지된 방법으로 행할 수 있으며, 또한 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한, 가열과 동시에 연신을 행해도 된다.
본 발명의 필름은, 25℃에서 50% 신장시의 최대 응력 Ka와 50% 신장시 응력 Kb가, 하기 식 4를 만족하는 것이 바람직하다.
식 4: 0.70≤Kb/Ka≤1.00.
Kb/Ka가 식 4를 만족하는 것은 실온에서 필름을 신장할 때에, 항복점 응력이 작거나 혹은 실질적으로 발생하지 않는 것을 의미한다. 항복점 응력이 높은 경우에는, 두께 불균일이나 익스팬드시의 중앙부와 단부에서의 응력 불균일이 신장의 정도에 영향을 주기 쉬워져, 면 내에 있어서의 신장의 균일성이 저하되는 경우가 있다. 그 때문에, 이러한 형태로 함으로써, 면 내에 있어서의 신장의 균일성을 보다 향상시킬 수 있다. 상기 관점에서, Kb/Ka는 0.80 이상 1.00 이하가 보다 바람직하고, 0.90 이상 1.00 이하가 더욱 바람직하다. Kb/Ka를 바람직한 범위로 하는 방법은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 캐스트 필름을 면적 배율 1.04배 이상 2.00배 이하의 배율로 2축 연신하는 방법을 들 수 있다.
본 발명의 필름은, 웨이퍼 다이싱에 있어서의 수율의 저하를 경감하는 관점에서, 직경 100㎛ 이상의 부착 이물이 10개/m2 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는, 2개/m2 이하이다. 여기서 이물의 직경이란, 이물의 윤곽 상의 2점간의 거리이며 그의 값이 최대가 되는 것을 말한다. 직경 100㎛ 이상의 부착 이물이 10개/m2 이하임으로써, 웨이퍼 다이싱시에 칩핑의 발생이 억제되고, 수율의 저하를 경감할 수 있다. 직경 100㎛ 이상의 부착 이물을 10개/m2 이하 또는 상기한 바람직한 범위로 하는 방법은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 특별히 한정되지 않지만, 제막실의 클린도를 높이는 방법, 제막 라인 중에 점착 롤이나 제진기를 설치하여 부착 이물을 제거하는 방법, 오븐을 사용하여 열풍 환경하에서 연신하는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 직경 100㎛ 이상의 부착 이물의 개수는 적으면 적을수록 바람직하고, 그의 하한은 0개/m2인 것이 가장 바람직하다.
직경 100㎛ 이상의 부착 이물 개수는, 이하의 수순에 의해 측정할 수 있다. 우선, 암실에서 3파장 형광등의 반사광을 사용하여 목시 검사를 행하고, 필름 샘플 상의 이물을 추출한다. 이물이 관찰된 경우에는, 해당 이물을 전자 현미경으로 확대 관찰하여 긴 직경의 길이를 측정하고, 긴 직경의 길이가 100㎛인 것만을 다시 추출한다. 그 후, 추출한 이물의 개수를 필름 샘플의 면적으로 나누어, 직경 100㎛ 이상의 부착 이물 개수(개/m2)를 구한다.
본 발명의 필름은, 웨이퍼 다이싱에 있어서의 수율의 저하를 경감하는 관점에서, 두께 불균일이 10.0% 이하인 것이 바람직하다. 두께 불균일이 10.0% 이하임으로써, 웨이퍼 다이싱시의 흔들림에 의한 칩핑의 발생 빈도가 낮아져 수율의 저하가 경감될 뿐만 아니라, 익스팬드시의 균일성이 향상된다. 상기 관점에서, 두께 불균일은 8.0% 이하이면 보다 바람직하다. 두께 불균일을 10.0% 이하 또는 상기한 바람직한 범위로 하는 방법은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 연신 배율 1.04배 이상 2.00배 이하로 연신하는 방법 등을 들 수 있다. 이러한 조건으로 연신함으로써, 유연성의 저하를 억제하면서 두께 불균일을 경감할 수 있다. 연신 배율이 1.04 미만이면 캐스트 필름의 두께 불균일이 해소되기 어렵고, 또한 연신 배율이 2.00배 이상이면 두께 불균일이 확대되는 경우가 있다. 또한, 두께 불균일은 작으면 작을수록 바람직하고, 그의 하한은 0.0%인 것이 가장 바람직하다. 연신 조건으로서, 연신 온도를 90℃ 이상 필름의 융점 이하로 하고, 연신 장력을 저감시키는 방법도 바람직하게 사용된다.
이어서, 본 발명의 필름의 제조 방법에 대하여 설명한다. 본 발명의 필름의 제조 방법은, 1.04배 이상 2.00배 이하의 배율로 적어도 일 방향으로 연신하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다. 이러한 형태로 함으로써, 가열시의 치수 안정성이 향상된다. 상기 관점에서, 1.20배 이상 1.80배 이하의 배율로 적어도 일 방향으로 연신하는 공정을 갖는 것이 바람직하고, 1.40배 이상 1.70배 이하의 배율로 적어도 일 방향으로 연신하는 공정을 갖는 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 발명의 필름의 제조 방법에 있어서는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한, 필름을 2축 연신해도 된다.
이하, 본 발명의 필름의 제조 방법에 대하여, 폴리에스테르를 포함하는 단층 필름을 예로 들어, 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이러한 예로 한정하여 해석되는 것은 아니다.
우선, 폴리에스테르를 2축 압출기에 공급하여 용융 압출한다. 이때, 압출기 내를 유통 질소 분위기하에서, 산소 농도를 0.7부피% 이하로 하고, 압출 온도는 폴리에스테르의 융점보다도 20 내지 30℃ 높은 범위로 제어하는 것이 바람직하다. 이어서, 필터나 기어 펌프를 통해, 이물의 제거, 압출량의 균정화를 각각 행하고, T 다이로부터 냉각 드럼 상에 시트상으로 토출한다. 이 때, 고전압을 가한 전극을 사용하여 정전기로 냉각 드럼과 수지를 밀착시키는 정전 인가법, 캐스팅 드럼과 압출한 폴리머 시트간에 수막을 마련하는 캐스트법, 캐스팅 드럼 온도를 폴리에스테르의 유리 전이점-20℃ 이상 유리 전이 온도 이하로 하여 압출한 폴리머를 점착시키는 방법, 혹은, 이들 방법을 복수 조합한 방법에 의해, 시트상 폴리머를 캐스팅 드럼에 밀착시키고, 냉각 고화하여, 캐스팅 필름을 얻는다. 이들 캐스트법 중에서도, 생산성이나 평면성의 관점에서, 정전 인가법이 바람직하게 사용된다.
본 발명의 필름의 제조 방법에 있어서는, 가열시의 치수 안정성을 부여하는 목적으로부터, 1.04배 이상 2.00배 이하의 배율로 적어도 1축 방향으로 연신한다. 1축 방향으로 연신하는 경우의 연신 배율은, 바람직하게는 1.20배 이상 1.80배 이하이고, 보다 바람직하게는 1.40배 이상 1.70배 이하이다. 또한, 필름을 2축 방향으로 연신하는 경우에는, 면적 배율을 상기 범위로 하는 것이 바람직한 양태이다. 또한, 연신 속도는 100%/분 이상 200,000%/분 이하인 것이 바람직하다. 연신은 실온 이상의 임의의 온도에서 행하는 것이 가능하지만, 20℃ 이상 160℃ 이하가 바람직하고, 연신 전에 1초 이상 예열하는 것이 바람직하다. 또한, 연신은, 캐스팅 필름을 길이 방향으로 연신한 후, 폭 방향으로 연신하거나, 혹은 폭 방향으로 연신한 후, 길이 방향으로 연신하는 축차 2축 연신 방법, 또는 필름의 길이 방향 및 폭 방향으로 거의 동시에 연신하는 동시 2축 연신법, 및 길이 방향 또는 폭 방향으로만 연신을 행하는 1축 연신법 등에 의해 행할 수 있다. 여기서, 길이 방향이란 필름의 주행 방향을 말하며, 폭 방향이란 필름면에 평행하고 또한 길이 방향에 직교하는 방향을 말한다. 또한, 연신은 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한, 1단계로 행해도 다단계로 행해도 된다.
또한, 연신 후에 필름의 열 처리를 행해도 된다. 열 처리는 오븐 중, 가열한 롤 상 등 종래 공지된 임의의 방법에 의해 행할 수 있다. 이 열 처리는 연신 온도 이상 연신 온도+50℃ 이하의 온도에서 행하는 것이 바람직하다. 여기에서 말하는 열 처리의 온도는, 연신 후에 행하는 열 처리 온도 중에서, 가장 고온이 되는 온도를 의미한다. 또한, 열 처리 시간은 특성을 악화시키지 않는 범위에 있어서 임의로 할 수 있다.
열 고정이 이루어진 필름은, 냉각된 후에, 중간 제품 롤로서 권취된다. 또한, 중간 제품 롤로부터 필름을 권출하고, 원하는 폭이 되도록 길이 방향과 평행하게 절단하여 권취 최종 제품 롤을 얻을 수 있다. 또한, 1개의 중간 제품 롤로부터 얻는 최종 제품 롤은, 1개여도 복수개여도 된다.
본 발명의 필름은, 실온하에 있어서의 연신 특성과 고온화에 있어서의 치수 변화 특성이 제어되어 있다. 그 때문에, 본 발명의 필름은 유연성과 내열성을 겸비한 것이 되어, 반도체 제조 공정용 기재 등으로서 적합하게 사용할 수 있다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 상세하게 설명한다. 또한, 특성은 이하의 방법에 의해 측정, 평가를 행하였다.
(1) 25℃에서의 5% 신장시 응력 Ta
JIS K7127(1999, 시험편 타입 2)에 준하여, (주)오리엔테크사제 필름 강신도 측정 장치(AMF/RTA-100)를 사용하여, 25℃, 65%RH로 측정하였다. 우선, 임의의 방향에 대하여 길이 150mm, 폭 10mm의 사이즈로 잘라낸 샘플을, 원래 길이 50mm, 인장 속도 300mm/분으로 신장하고, 5% 신장시 응력 Ta(단위: MPa)를 구하였다. 또한, 샘플 하나에 대하여 마찬가지의 측정을 5회 행하고, 평균값을 산출하였다. 또한, 방향을 시계 방향으로 5°씩 바꾸어 마찬가지로 측정하고, 0°부터 175°까지의 각 방향에 있어서의 값의 최댓값을, 25℃에서의 5% 신장시 응력 Ta(MPa)라 하였다.
(2) 90℃ 치수 변화율 1(Tx1, Ty1)
우선, 실온 환경하에서 15mm(측정 방향)×4mm(측정 방향에 직교하는 방향)의 크기로 커트한 필름 샘플을, 온도 25℃, 상대 습도 65%의 분위기하에 24시간 정치하고, 그의 측정 방향의 길이(L0)를 측정하였다. 이어서, 이 필름 샘플을 25℃부터 160℃까지 하중 120g/mm2로 승온 속도 10℃/분으로 승온시키고, 90℃에 있어서의 그의 측정 방향의 길이(L1)를 측정하였다. 얻어진 L0 및 L1의 값으로부터, 이하의 식 5에 의해 해당 필름 샘플의 90℃ 치수 변화율 1을 구하였다.
식 5: 90℃ 치수 변화율 1(%)=(L1-L0)×100/L0.
또한, 측정 방향은 임의로 선정하고, 선정한 측정 방향에 대하여 5회의 측정을 행하여, 얻어진 측정값의 평균값을 해당 방향에 있어서의 90℃ 치수 변화율 1(%)로 하였다. 또한 측정 방향을 시계 방향으로 5° 회전시켜 마찬가지의 측정을 행하고, 마찬가지로 회전 각도가 175°에 도달할 때까지의 각 방향에 있어서의 90℃ 치수 변화율 1(%)의 값을 구하였다. 얻어진 값의 최댓값을 Tx1(%), Tx1(%)이 얻어진 방향을 X 방향이라 정의하였다. 또한, X 방향에 면 내에서 직교하는 방향을 Y 방향이라 정의하고, 이전의 측정에 의해 얻어진 값으로부터 Y 방향에 있어서의 치수 변화율 Ty1(%)을 결정하였다.
(3) 90℃ 치수 변화율 2(Tx2)
측정시의 하중을 5g/mm2, 측정 방향을 X 방향으로 한 것 이외는, (2)에 기재된 방법과 마찬가지로 측정을 행하고, 얻어진 값을 Tx2(%)라 하였다. 또한, 여기에서 말하는 X 방향은 (2)에서 특정한 X 방향과 동일하다.
(4) 면 배향 계수
편광자를 구비한 아타고(주)제 아베 굴절률계 4T를 사용하여 필름 각 방향의 굴절률을 측정하고, 다음 식으로 면 배향 계수를 구하였다. 광원은 할로겐 램프, 상부 프리즘은 굴절률 1.740인 것, 침지액은 요오드화메틸렌(굴절률 1.740)을 사용하였다. 또한, 측정은 23℃, 65RH% 환경하에서 24시간, 조온 조습한 샘플을 사용하여, 해당 환경하에서 필름 양면에 대하여 실시하였다. 측정은, 우선, 필름면에 평행한 임의의 방향을 α, 이것에 필름면 내에서 직교하는 방향을 β, α 및 β와 직교하는 방향(두께 방향)을 γ라 하고, 각 방향의 굴절률(nα, nβ, nγ)을 아베 굴절률계로 측정하였다. 얻어진 각 값을 사용하여, 하기 식 6에 의해 필름면 상의 2 방향이 α, β일 때의 면 배향 계수(fn0)를 구하였다.
식 6: fn0=(nα+nβ)/2-nγ.
이어서, γ는 고정하여 α, β를 각각 필름면과의 평행성을 유지하면서 시계 방향으로 5°씩 회전시켜 nα5, nβ5라 하고, 각 방향의 굴절률(nα5, nβ5, nγ)을 아베 굴절률계로 측정하고, 상기 식 6의 nα를 nα5, nβ를 nβ5로 각각 치환하여, 필름면 상의 2 방향이 α5, β5일 때의 면 배향 계수(fn5)를 구하였다. 이하, 마찬가지로 필름면 상의 2 방향이 α85, β85가 될 때까지 마찬가지의 측정을 반복하였다. 얻어진 fn0 내지 fn85까지의 18회분의 측정값의 평균값을 면 배향 계수(fn)로 하였다.
(5) 각 층의 유리 전이 온도
시차 열량 분석(DSC)을 사용하여, JIS K7121(2012)에 따라, 질소 분위기하, -120℃에서 5분간 유지한 후, 250℃까지 20℃/분의 속도로 측정 샘플을 승온시키고, 그의 측정 결과로부터 하기 식 7에 의해 산출하였다.
식 7: 유리 전이 온도=(보외 유리 전이 개시 온도+보외 유리 전이 종료 온도)/2
장치: 세이코 덴시 고교(주)제 로봇 DSC-RDC220
데이터 해석 시스템: 디스크 세션 SSC/5200
샘플 질량: 5mg
필름이 적층 구성을 갖는 경우에는, 우선, 마이크로톰을 사용하여 잘라낸 필름의 두께 방향 단면을, 투과형 전자 현미경 H-7100FA형((주)히다치 세이사쿠쇼제)을 사용하여, 가속 전압 75kV의 조건하에서, 40,000배로 확대하여 화상을 촬영하고, 층 구성의 특정 및 각 층의 두께의 측정을 행하였다. 또한, 경우에 따라서는, 각 층의 콘트라스트를 높게 하기 위해, RuO4나 OsO4 등을 사용한 공지된 염색법을 사용하였다. 얻어진 각 층 두께의 값으로부터, 각 층에 대응하는 깊이 부분의 샘플을 채취하고, 상기 방법에 의해 각 층의 유리 전이 온도의 측정을 행하였다.
또한, 측정의 결과, 복수의 유리 전이 온도가 확인된 경우에는, 다음의 방법으로 얻어진 값을 그의 층의 유리 전이 온도로서 채용하였다. 우선, 필름의 유리 전이 온도를 상기 방법으로 측정하고, 얻어진 측정값을 온도가 낮은 순서대로 Tg1, Tg2… Tgn이라 하였다. 이어서, JIS K7244(1999)에 따라, 세이코 인스트루먼츠사제의 동적 점탄성 측정 장치 "DMS6100"을 사용하여 필름의 온도마다의 tanδ를 구하고, 극대값을 부여하는 온도를 낮은 순서대로 Tg1, Tg2… Tgn에 대응시켰다. Tg1, Tg2… Tgn 중, 각 층에 대응하는 값을 분리했을 때에, 가장 tanδ의 값이 큰 온도를 그의 층의 유리 전이 온도로서 채용하였다. 또한, 동적 점탄성 측정의 측정 조건은, 인장 모드, 구동 주파수는 1Hz, 척간 거리는 5mm, 승온 속도는 2℃/min으로 하였다.
(6) 층 구성의 특정
(5)에서 측정한 필름 각 층의 유리 전이 온도로부터, A층 및 그 이외의 층(B층이라 표기한다.)을 특정하였다.
(7) 정마찰 계수
도레이식 슬립 테스터 200G-15C(MAKINO SEISAKUSHO제)를 사용하여, JIS K7125(1999)에 준하여, 2매의 필름을, 한쪽의 면과 그의 반대측의 면이 접촉하도록 배치하고, 마찰시켰을 때의 값을 3회 측정하고, 그의 평균값을 정마찰 계수로 하였다.
(8) 표면 조도 SRa, 10점 평균 조도 SRzjis
촉침법의 고정밀 미세 형상 측정기(3차원 표면 조도계)를 사용하여, JIS B0601(2001)에 준거하여, 하기 조건으로 샘플 표면의 3차원 표면 조도의 측정을 행하였다. 그 후, 측정기에 내장되어 있는 해석 시스템(형식 TDA-31)을 사용하여 표면 조도 SRa, 10점 평균 조도 SRzjis를 산출하였다.
측정 장치: 3차원 미세 형상 측정기(형식 ET-4000A)(주)고사카 겡큐쇼제
해석 기기: 3차원 표면 조도 해석 시스템(형식 TDA-31)
촉침: 선단 반경 0.5㎛R, 직경 2㎛, 다이아몬드제
침압: 100μN
측정 방향: 필름 길이 방향, 필름 폭 방향 각 1회(측정 후 양자의 평균값을 산출)
X 측정 길이: 1.0mm
X 이송 속도: 0.1mm/s(측정 속도)
Y 전송 피치: 5㎛(측정 간격)
Y 라인수: 81개(측정 개수)
Z 배율: 20배(세로 배율)
저역 컷오프: 0.20mm(물결 컷오프값)
고역 컷오프: R+Wmm(거칠기 컷오프값), R+W란 컷오프하지 않는 것을 의미한다.
필터 방식: 가우스 공간형
레벨링: 있음(경사 보정)
기준 면적: 1mm2.
(9) 90℃의 열수축 응력
온도 25℃, 상대 습도 65%로 24시간 정치시킨, 15mm(측정 방향)×4mm(측정 방향에 직교하는 방향)의 필름을, TMA/SS6000(세이코 인스트루먼츠사제)을 사용하여, L 조립 제어 모드로 승온 속도 10℃/분으로 25℃부터 160℃까지 승온시키고, 90℃에서의 열수축 응력을 구하였다. 또한, 측정 개시시의 하중은 5g/mm2로 하였다. 또한, 측정 방향은 (2)에서 특정한 X 방향 및 Y 방향으로 하였다.
(10) 80℃에서 1시간 가열했을 때의 수축률
필름을 80℃에서 1시간 가열하고, 가열 전의 치수와 가열 후의 치수로부터, 하기 식 8에 의해 산출하였다. 또한, 각 치수는 JIS K7133(1999)에 규정되는 방법으로 측정하였다.
식 8: 수축률(%)=(가열 전의 치수-가열 후의 치수)/가열 전의 치수×100.
(11) 90℃에서 10분간 가열한 후의 25℃에서의 5% 신장시 응력 Tb
미리 90℃로 설정한 오븐 내에 10분간 정치한 측정 샘플을 사용한 것 이외는, (1)과 마찬가지로 25℃에서의 5% 신장시 응력을 측정하고, 얻어진 값을 Tb로 하였다.
(12) 25℃에서 50% 신장했을 때의 최대 응력 Ka와 50% 신장시 응력 Kb의 비
(1)에 기재된 방법으로 필름의 인장 시험을 행하고, 50% 신장시 응력을 얻었다. 그리고, 측정에 의해 얻어진 응력 변형 곡선의 신도 50% 이하의 영역에 있어서의 응력값의 최댓값으로부터 50% 신장했을 때의 최대 응력을 판독하였다. 동일한 측정 방향의 샘플을 사용하여 마찬가지의 측정을 5회 행하고, 50% 신장시 응력 및 50% 신장했을 때의 최대 응력에 대하여, 각각 평균값을 산출하고, 얻어진 값을 해당 측정 방향에 있어서의 50% 신장했을 때의 최대 응력 Ka 및 50% 신장시 응력 Kb라 하고, 해당 방향에 있어서의 Ka와 Kb의 비(Kb/Ka)를 산출하였다. 또한, 측정 방향을 시계 방향으로 5°씩 바꾸어 마찬가지의 측정을 반복하고, 0°(최초의 측정 방향)부터 175°까지의 각 방향에 있어서의 Ka와 Kb의 비를 산출하여, 전체 방향에 있어서의 평균값을 채용하였다.
(13) 직경 100㎛ 이상의 부착 이물의 수
롤 샘플의 폭 방향 중앙부에서 1m(폭 방향)×10m(길이 방향)의 필름을 잘라내어 샘플로 하고, 암실에서 3파장 형광등의 반사광을 사용하여 목시 검사를 행하였다. 이물이 관찰된 경우에는, 해당 이물을 전자 현미경(LEICA DMLM 레이카 마이크로 시스템즈(주)제)으로 배율 100배로 관찰하고, 현미경의 측장 기능에 의해 이물의 긴 직경의 길이를 측정하였다. 이물 중 긴 직경의 길이가 100㎛ 이상인 것의 개수를 C개라 하고, 하기 식 9로 환산하여 직경 100㎛ 이상의 부착 이물의 수(개/m2)로 하였다. 또한, 필름의 사이즈가 상기한 치수가 되지 않는 경우에는, 필름 전체를 샘플로 하여 목시 검사를 행하였다.
식 9: 직경 100㎛ 이상의 부착 이물의 수(개/m2)=C(개)/10(m2).
(14) 두께 불균일
롤 샘플의 폭 방향 중앙부, 및 양단부 위치로부터 필름을 10cm×10cm로 10매 잘라내어 평가용의 샘플로 하였다. 각 샘플에 대하여, 길이 방향으로 5점, 폭 방향으로 5점, 합계 10점의 두께를 측정하고, 그의 평균값, 최댓값, 최솟값으로부터 하기 식 10에 따라 두께 불균일을 구하였다.
식 10: 두께 불균일(%)=(두께의 최댓값-두께의 최솟값)/두께의 평균값
얻어진 폭 방향 위치 3점(양단부, 중앙부) 각 10샘플의 두께 불균일의 값에 대하여, 평균값을 산출하여 두께 불균일로서 채용하였다. 또한, 필름이 시트 샘플인 경우에는, 시트 상의 임의의 위치에서 10cm×10cm로 30매 잘라내고, 각 샘플의 두께 불균일의 평균값을 산출하여 두께 불균일로서 채용하였다.
(15) 균일 연신성
임의로 잘라낸 300mm×300mm의 정사각형의 필름에, 1조의 변과 평행하게 30mm 간격으로 9개의 직선을 긋고, 또 다른 1조의 변과 평행하게 30mm 간격으로 9개의 직선을 긋고, 측정 샘플로 하였다. 동시 2축 연신 장치를 사용하여, 얻어진 측정 샘플을, 1조의 변과 평행한 방향 및 다른 1조의 변과 평행한 방향으로 하기 조건으로 연신을 행하고, 직선의 간격으로부터 이하의 기준으로 평가하였다. 또한, 직선의 간격은, 각 방향 모두 양단의 2개의 직선을 제외한 7개의 직선에 의해 형성되는 6개의 간격(2방향에서 합계 12개의 간격)을 측정하고, 39mm로부터 가장 떨어진 값을 측정값으로서 채용하였다. 균일 연신성은 B 이상을 합격으로 하였다.
<연신 조건>
연신 장치: BRUCKNER제 KARO IV 라보스트레처
연신 온도: 25℃
연신 속도: 10mm/분
연신 배율: 1.30배.
<평가 기준>
S: 연신 후의 필름에 있어서의 직선의 간격이 39±1mm였다.
A: S에 해당하지 않고, 또한 연신 후의 필름에 있어서의 직선의 간격이 39±3mm였다.
B: S 및 A에 해당하지 않고, 연신 후의 필름에 있어서의 직선의 간격이 39±6mm였다.
C: S 및 A, 및 B 중 어느 것에도 해당하지 않았다.
(16) 가열 후 균일 연신성
임의로 잘라낸 300mm×300mm의 정사각형의 필름을 90℃에서 10분간 열 처리를 행하고, 그 후 (15)에 기재된 방법으로, 마찬가지로 평가를 행하였다.
(17) 90℃에서의 치수 안정성(내열성)
임의로 잘라낸 200mm×200mm의 정사각형의 필름을, 닛토 덴코사제 양면 테이프 No.500AB로 스테인리스제의 금 프레임(외측: 200mm×200mm, 내측: 180mm×180mm)에 첩부하고, 측정 샘플로 하였다. 이어서, 90℃로 가열한 핫 플레이트 상에, 금 프레임에 첩부한 필름이 가열면에 접하도록 측정 샘플을 정치하고, 240분간 방치했을 때의 기준 평면에 대한 들뜸양을 측정하였다. 얻어진 결과로부터, 하기 기준으로 치수 안정성을 평가하였다. 또한, 들뜸양의 측정에 있어서는, 기준 평면을 핫 플레이트의 가열면으로 하였다. 측정은, 사용하는 금 프레임의 두께를 1mm, 2mm, 3mm로 바꾸어 행하고, 샘플을 수평 위치로부터 관찰했을 때에, 변형된 필름을 확인할 수 없게 된 금 프레임의 두께를 채용하고, 두께 3mm의 금 프레임에서도 필름을 확인할 수 있었던 경우는 C 평가로 하였다. 치수 안정성은, B 이상을 합격으로 하였다.
S: 필름의 들뜸이 1mm 이하였다.
A: S에 해당하지 않고, 또한 필름의 들뜸이 2mm 이하였다.
B: S 및 A에 해당하지 않고, 또한 필름의 들뜸이 3mm 이하였다.
C: S 및 A, 및 B 중 어느 것에도 해당하지 않았다.
(18) 120℃에서의 치수 안정성(내열성)
핫 플레이트의 온도를 120℃로 한 것 이외는 (17)에 기재된 방법과 마찬가지로 하여, 내열성을 평가하였다.
(19) 품위
(13)에서 채취한 샘플의 폭 방향 중심 위치, 및 폭 방향 양단부 위치로부터 200mm×200mm의 필름 샘플을 각각 10매씩, 합계 30매 잘라내었다. 모든 샘플을 광학 현미경에 의해 배율 100배로 10시야 관찰하고, 길이 1㎛ 이상의 흠집의 유무를 확인하였다. 각 샘플에서 길이 1㎛ 이상의 흠집이 관찰된 시야의 수의 평균값의 소수 첫째 자리를 반올림한 값을, 길이 1㎛ 이상의 흠집이 관찰된 시야수로 하였다. (13)에서 측정한 직경 100㎛ 이상의 부착 이물의 수와, 이 길이 1㎛ 이상의 흠집이 관찰된 시야수를 기초로, 하기 기준으로 품위를 평가하였다. 또한, 길이 1㎛ 이상의 흠집이 관찰된 시야수, 및 직경 100㎛ 이상의 부착 이물의 개수가 각각 상이한 평가가 된 경우(예를 들어, 전자가 A, 후자가 B인 경우)에는, 나쁜 쪽의 평가(B)를 채용하였다.
S: 길이 1㎛ 이상의 흠집이 관찰된 시야수가 0이며, 또한 직경 100㎛ 이상의 부착 이물의 수가 0개 초과 5개 이하였다.
A: 길이 1㎛ 이상의 흠집이 관찰된 시야수가 1이었다. 또는 직경 100㎛ 이상의 부착 이물의 수가 5개 초과 8개 이하였다.
B: 길이 1㎛ 이상의 흠집이 관찰된 시야수가 2 내지 3이었다. 또는 직경 100㎛ 이상의 부착 이물의 수가 8개 초과 10개 이하였다.
C: 길이 1㎛ 이상의 흠집이 관찰된 시야수가 4 이상이었다. 또한/또는 직경 100㎛ 이상의 부착 이물의 수가 10개보다 많았다.
(20) 밀착성
임의로 잘라낸 200mm×200mm의 정사각형의 필름 표면에, 와이어 바 코팅법으로 두께 약 10㎛가 되도록, 점착층 조성 용액(점착제: 닛본 카바이드 고교(주)제 아크릴산에스테르 수지계부 용제형 감압 점착제 "닛세츠"(등록 상표) 「KP-2369」 100질량부/가교제 「CK-131」 2질량부)을 도포하고, 그 후, 에스펙(주)제 열풍 오븐 HIGH-TEMP-OVEN PHH-200으로 100℃에서 1분간 건조시켜, 실온 25℃ 상대 습도 65%의 분위기 중에 3일간 정치하였다. 이와 같이 하여 얻어진 시료를 150mm×30mm의 사이즈로 잘라내고, (주)오리엔테크사제 필름 강신도 측정 장치(AMF/RTA-100)를 사용하여, 실온 25℃ 환경하에서 300mm/분의 속도로 50% 신장하였다. 그 후, 그의 점착제면에 아크릴계 점착 테이프(닛토 31B(닛토 덴코(주)제)를 고무 롤로 첩합하여 5kg의 압착 롤러로 압착하고, 24시간 방치 후, 10mm 폭으로 잘라내어 평가용 샘플로 하였다. 해당 평가용 샘플의 아크릴계 점착 테이프의 단부를 180°로 접고, 인장 시험기로 박리 강도를 측정하여 하기의 기준으로 평가하였다.
S: 박리 강도가 10N/25mm 이상.
A: 박리 강도가 8N/25mm 이상 10N/25mm 미만.
B: 박리 강도가 6N/25mm 이상 8N/25mm 미만.
C: 박리 강도가 6N/25mm 미만.
(수지)
필름의 제조에 사용한 수지는 이하와 같다.
(폴리에스테르 A)
테레프탈산 및 에틸렌글리콜로부터, 삼산화안티몬을 촉매로 하여, 통상의 방법에 의해 중합을 행하고, 고유 점도 0.65의 폴리에스테르 A를 얻었다.
(폴리에스테르 B)
폴리에스테르 A 중에 부피 평균 입자 직경 4.5㎛의 응집 실리카 입자를 입자 농도 10질량%로 함유한 고유 점도 0.65의 폴리에틸렌테레프탈레이트 입자 마스터.
(폴리에스테르 C)
PBT-폴리에테르 공중합체 도레이-듀퐁사제 "하이트렐"(등록 상표) 5557
(폴리에스테르 D)
고유 점도 0.8의 폴리부틸렌테레프탈레이트
(폴리에스테르 E)
PBT-폴리에테르 공중합체 도레이-듀퐁사제 "하이트렐"(등록 상표) 3001
(폴리올레핀 A)
결정성 폴리프로필렌 프라임 폴리머(주)제, TF850H
(폴리올레핀 B)
에틸렌-옥텐-1 공중합체 듀퐁 다우사제 "인게이지"(등록 상표) EG8200
(폴리올레핀 C)
수소 첨가 스티렌·부타디엔 공중합체(HSBR) JSR사제 "DYNARON"(등록 상표) 1320P.
(실시예 1)
표 1에 나타내는 조성으로 조정한 A층을 얻기 위한 원료를, 산소 농도 0.2부피%로 한 2축 압출기에 공급하였다. A층을 얻기 위한 원료를, 해당 2축 압출기의 실린더 온도를 270℃로 하여 용융한 후, 온도를 270℃로 한 단관 및 구금을 거쳐서 T 다이로 보내고, T 다이로부터 25℃로 온도 제어한 냉각 드럼 상에 시트상으로 토출하였다. 이 때, 직경 0.1mm의 와이어상 전극을 사용하여 정전 인가하고, 냉각 드럼에 밀착시켜 캐스팅 필름을 얻었다. 이어서, 동시 2축 연신 장치로 예열 온도 80℃, 연신 온도 90℃에서 길이 방향 및 폭 방향 모두 배율 1.44배로 연신하고, 그 후, 제진기로 필름 양쪽 표면의 티끌을 제거하여 총 두께가 180㎛인 단층 필름을 얻었다. 각 특성의 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 2 내지 14, 18 내지 28, 34, 36 내지 38, 40)
필름 구성, 압출 온도 및 연신 조건을 표 1 내지 6에 나타낸 바와 같이 한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 총 두께가 180㎛인 단층 필름을 얻었다. 각 특성의 평가 결과를 표 1 내지 6에 나타낸다. 또한, 실시예 18 및 19에 있어서는 A층이 존재하지 않기 때문에, 실시예 1에 있어서의 「A층을 얻기 위한 원료」는 「B층을 얻기 위한 원료」가 된다.
(실시예 15)
실시예 8과 마찬가지로 하여 캐스팅 필름을 얻었다. 이어서, 동시 2축 연신 장치로 예열 온도 100℃, 연신 온도 120℃에서 길이 방향, 및 폭 방향 모두 배율 1.44배로 연신한 후, 130℃로 가열한 존에서 10초간 열 처리를 행하고, 권취하기 전에 필름의 양면에 제진기를 사용하여 표면의 티끌을 제거하여, 총 두께가 180㎛인 단층 필름을 얻었다. 각 특성의 평가 결과를 표 3에 나타낸다.
(실시예 16)
필름 구성을 표 3에 나타낸 바와 같이 하였다. 표 3에 나타내는 A1층을 얻기 위한 원료 및 A2층을 얻기 위한 원료를, 각각 산소 농도 0.2부피%로 한 각각의 2축 압출기에 공급하였다. 각 압출기의 실린더 온도를 270℃로 하여, 각 원료를 용융한 후에 합류시키고, 온도를 270℃로 한 단관 및 구금을 거쳐서 T 다이로 보내고, T 다이로부터 25℃로 온도 제어한 냉각 드럼 상에 시트상으로 토출하였다. 그 후에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 총 두께가 180㎛인 적층 필름을 얻었다. 각 특성의 평가 결과를 표 3에 나타낸다.
(실시예 17)
필름 구성을 표 3에 나타낸 바와 같이 하였다. 표 3에 나타내는 A층을 얻기 위한 원료 및 B층을 얻기 위한 원료를, 각각 산소 농도 0.2부피%로 한 각각의 2축 압출기에 공급하였다. A층을 얻기 위한 원료를 공급한 압출기의 실린더 온도와 B층을 얻기 위한 원료를 공급한 압출기의 실린더 온도를 모두 260℃로 하여, 각 원료를 용융한 후에 합류시키고, 온도를 260℃로 한 단관 및 구금을 거쳐서 T 다이로 보내고, T 다이로부터 25℃로 온도 제어한 냉각 드럼 상에 시트상으로 토출하였다. 그 후에는 연신 온도를 표 3과 같이 한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 총 두께가 180㎛인 적층 필름을 얻었다. 각 특성의 평가 결과를 표 3에 나타낸다.
(실시예 29 내지 33)
실시예 1과 마찬가지로 하여 캐스팅 필름을 얻었다. 이어서, 롤 연신기로 예열 온도 80℃, 연신 온도 90℃에서 길이 방향으로 표 5에 기재된 배율로 연신하고, 그 후 텐터 연신기로 예열 온도 80℃, 연신 온도 90℃에서 폭 방향으로 표 5에 기재된 배율로 연신하고, 그 후, 제진기로 필름 양쪽 표면의 티끌을 제거하여 총 두께가 180㎛인 단층 필름을 얻었다. 각 특성의 평가 결과를 표 5에 나타낸다.
(실시예 35)
실시예 1과 마찬가지로 하여 캐스팅 필름을 얻었다. 이어서, 롤 연신기로 예열 온도 80℃, 연신 온도 90℃에서 길이 방향으로 표 5에 기재된 배율로 연신하고, 그 후 텐터 연신기로 예열 온도 80℃, 연신 온도 90℃에서 폭 방향으로 표 5에 기재된 배율로 연신하여, 총 두께가 180㎛인 단층 필름을 얻었다. 각 특성의 평가 결과를 표 5에 나타낸다.
(실시예 39)
A층을 얻기 위한 원료 조성을 표 6에 나타낸 바와 같이 한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 캐스팅 필름을 얻었다. 이어서, 동시 2축 연신기로 예열 온도 100℃, 연신 온도 120℃에서 길이 방향, 폭 방향 모두 1.44배로 연신한 후 3초간 유지하고, 그 후, 제진기로 필름 양쪽 표면의 티끌을 제거하여 총 두께가 180㎛인 단층 필름을 얻었다. 각 특성의 평가 결과를 표 6에 나타낸다.
(비교예 1 내지 5)
필름 구성, 압출 온도 및 연신 조건을 표 7에 나타낸 바와 같이 한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 총 두께가 180㎛인 단층 필름을 얻었다. 각 특성의 평가 결과를 표 7에 나타낸다. 또한, 비교예 2 및 5의 연신 방식 「-」이란, 연신 자체를 행하지 않은 것을 의미한다.
필름 구성에 있어서의 수지 조성은, 각 층을 구성하는 수지 성분의 전체를 100질량%로 하여 산출하였다. D면이란 필름 제막시에 캐스트 드럼에 접하고 있었던 면을 말하며, ND면이란 D면과 반대측의 면을 말한다. 표 2 내지 7에 있어서도 마찬가지이다.
실시예 16은 A층에 해당하는 층을 2종류 갖는 3층 구성의 필름이기 때문에, 각 층을 A1층, A2층이라 기재하였다.
본 발명에 의해, 유연성과 내열성을 겸비한 필름 및 그의 제조 방법을 제공할 수 있으며, 본 발명의 필름은 반도체 제조 공정용 기재로서 적합하게 사용할 수 있다.
Claims (16)
- 25℃에서의 5% 신장시 응력 Ta가, 1.0MPa 이상 20.0MPa 이하이고,
120g/mm2의 하중을 가하여, 25℃부터 160℃까지 승온 속도 10℃/분으로 승온했을 때의 90℃에서의 치수 변화율을 90℃ 치수 변화율 1, 90℃ 치수 변화율 1이 최대가 되는 방향을 X 방향, X 방향과 필름면 내에서 직교하는 방향을 Y 방향, X 방향의 90℃ 치수 변화율을 Tx1(%)이라 했을 때에, Tx1이 -10.00% 이상 10.00% 이하이며, 5g/mm2의 하중을 가하여, 25℃부터 160℃까지 승온 속도 10℃/분으로 승온했을 때의 90℃에서의 치수 변화율을 90℃ 치수 변화율 2, 상기 X 방향의 90℃ 치수 변화율 2를 Tx2(%)라 했을 때에, Tx2가 -8.00% 이상 0.00% 이하인 것을 특징으로 하는, 필름. - 제1항에 있어서, 적어도 편면의 면 배향 계수가 0.0080 이상 0.0800 이하인 것을 특징으로 하는, 필름.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 유리 전이 온도가 -40℃ 이상 40℃ 이하인 층을 A층이라 했을 때에, A층을 1층 이상 갖는 것을 특징으로 하는, 필름.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 Y 방향의 90℃ 치수 변화율 1을 Ty1(%)이라 했을 때에, 상기 Tx1 및 Ty1이 하기 식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는, 필름.
식 1: 0.10≤|Tx1-Ty1|≤3.00 - 제1항 또는 제2항에 있어서, 필름의 상이한 면끼리를 중첩하여 측정한 정마찰 계수가 0.10 이상 0.80 이하인 것을 특징으로 하는, 필름.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 적어도 편면에 있어서, 표면 조도 SRa(㎛)와 10점 평균 조도 SRzjis(㎛)가 하기 식 2를 만족하는 것을 특징으로 하는, 필름.
식 2: 5.0≤SRzjis/SRa≤25.0 - 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 X 방향 및 상기 Y 방향의 90℃의 열수축 응력이 0.010N/mm2 이상 5.000N/mm2 이하인 것을 특징으로 하는, 필름.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 80℃에서 1시간 가열했을 때의 수축률이 1.00%를 초과하고 10.00% 이하인 것을 특징으로 하는, 필름.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 Ta와 90℃에서 10분간 가열한 후의 25℃에서의 5% 신장시 응력 Tb가, 하기 식 3을 만족하는 것을 특징으로 하는, 필름.
식 3: 0.85≤Tb/Ta≤1.30 - 제1항 또는 제2항에 있어서, 25℃에서 50% 신장했을 때의 최대 응력 Ka와 50% 신장시 응력 Kb가, 하기 식 4를 만족하는 것을 특징으로 하는, 필름.
식 4: 0.70≤Kb/Ka≤1.00 - 제1항 또는 제2항에 있어서, 전체 방향에 있어서의 90℃ 치수 변화율 1이 -25.00% 이상 10.00% 이하인 것을 특징으로 하는, 필름.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 전체 방향의 90℃ 치수 변화율 2가 -25.00% 이상 1.00% 이하인 것을 특징으로 하는, 필름.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 직경 100㎛ 이상의 부착 이물이 10개/m2 이하인 것을 특징으로 하는, 필름.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 두께 불균일이 10.0% 이하인 것을 특징으로 하는, 필름.
- 제1항 또는 제2항에 기재된 필름의 제조 방법으로서, 1.04배 이상 2.00배 이하의 배율로 적어도 일 방향으로 연신하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 필름의 제조 방법.
- 삭제
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