KR102483657B1 - 막형성성 조성물 및 이를 이용한 경화 피막의 제조방법 - Google Patents

막형성성 조성물 및 이를 이용한 경화 피막의 제조방법 Download PDF

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Abstract

[과제]
200℃ 이하의 저온에서도 경화하고, 탈가스가 억제된 경화 피막을 부여하는 막형성성 조성물 및 이를 이용한 경화 피막의 제조방법을 제공한다.
[해결수단]
본 발명에 따른 막형성성 조성물은, 하기 일반식(a1)으로 나타내는 폴리실록산과, 제4급 암모늄염인 열산 발생제를 함유한다. 식 중, R1은 에폭시기 또는 옥세타닐기를 함유하는 기이고, R2는 알킬기 또는 아릴기이며, 첨자 m 및 n은, 상기 폴리실록산 중의 전 구조 단위에 대한 상기 첨자가 붙여진 구조 단위의 몰 백분율을 나타내고, m은 50~90몰%이며, n은 10~50몰%이고, 단, m 및 n의 합계는 100몰%이다. 본 발명에 따른 경화 피막의 제조방법은, 상기 막형성성 조성물로 이루어진 조성물 층을 기판 상에 형성하는 조성물 층 형성 공정과, 상기 조성물 층을 가열하는 가열 공정을 포함한다. 상기 가열 공정에서의 가열 온도는 200℃ 이하인 것이 바람직하다.
Figure 112015091709309-pat00014

Description

막형성성 조성물 및 이를 이용한 경화 피막의 제조방법{FILM-FORMING COMPOSITION AND METHOD OF PRODUCING CURED COATING USING THE SAME}
본 발명은 막형성성 조성물 및 이를 이용한 경화 피막의 제조방법에 관한 것이다.
종래, 표시장치가 구비된 유기 EL 소자나 액정 표시 소자 등의 표시 소자, 또는 광 반도체 장치가 구비된 발광 다이오드(LED), 태양전지 소자, CCD, CMOS 등의 광 반도체 소자를 봉지하기 위한 봉지제로서, 에폭시 화합물, 실리콘 수지, 환상 올레핀 수지를 함유하는 것이 알려져 있다(특허문헌 1~3 등을 참조).
일본 특개 2011-174023호 공보 일본 특개 2011-063686호 공보 일본 특개 2012-209375호 공보
이러한 봉지제에는 여러가지 특성이 요구된다. 표시 소자나 광 반도체 소자 등의 광 디바이스에 대한 열적인 데미지가 억제되도록, 봉지제는, 200℃ 이하의 저온에서도 경화하고, 두껍고 균일한 경화 피막을 형성할 수 있는 점이 요구된다. 또한, 이러한 광 디바이스의 성능을 저하시키지 않도록, 봉지제는 탈가스가 억제되고 있는 점도 요구된다.
본 발명은, 이러한 종래의 실정에 비추어 이루어진 것으로, 200℃ 이하의 저온에서도 경화하고, 탈가스가 억제된 경화 피막을 제공하는 막형성성 조성물 및 이를 이용한 경화 피막의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 연구를 거듭하였다. 그 결과, 분기 구조를 가지는 특정의 폴리실록산과 제4급 암모늄염인 열산(熱酸) 발생제를 조합함으로써, 상기 과제가 해결됨을 찾아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 구체적으로는, 본 발명은 이하의 것을 제공한다.
본 발명의 제1 태양은, 하기 일반식(a1)으로 나타내는 폴리실록산과 제4급 암모늄염인 열산 발생제를 함유하는 막형성성 조성물이다.
[화학식 1]
Figure 112015091709309-pat00001
(식 중, R1은 에폭시기 또는 옥세타닐기를 함유하는 기이고, R2는 알킬기 또는 아릴기이며, 첨자 m 및 n은, 상기 폴리실록산 중의 전 구조 단위에 대한 상기 첨자가 붙여진 구조 단위의 몰 백분율을 나타내고, m은 50~90몰%이며, n은 10~50몰%이고, 단, m 및 n의 합계는 100몰%이다.)
본 발명의 제2 태양은, 상기 막형성성 조성물로부터 이루어지는 조성물 층을 기판상에 형성하는 조성물 층 형성 공정과, 상기 조성물 층을 가열하는 가열 공정을 포함하는, 경화 피막의 제조 방법이다.
본 발명에 의하면, 200℃ 이하의 저온에서도 경화하고, 탈가스가 억제된 경화 피막을 제공하는 막형성성 조성물, 및 이를 이용한 경화 피막의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1(A)~도 1(D)는, 본 발명의 실시형태에 관한 경화 피막의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면 모식도이다.
＜막형성성 조성물＞
본 발명에 따른 막형성성 조성물은, 상기 일반식(a1)으로 나타내는 폴리실록산과 제4급 암모늄염인 열산 발생제를 함유한다. 본 발명에 따른 막형성성 조성물은, 200℃ 이하의 저온에서도 경화하고, 탈가스가 억제된 경화 피막을 제공한다. 본 발명에 따른 막형성성 조성물은, 표시장치가 구비된 유기 EL 소자나 액정 표시 소자 등의 표시 소자, 또는 광 반도체 장치가 구비된 발광 다이오드(LED), 태양전지 소자, CCD, CMOS 등의 광 반도체 소자의 봉지에 매우 적합하게 이용할 수 있다.
[일반식(a1)으로 나타내는 폴리실록산]
본 발명에 따른 막형성성 조성물은, 상기 일반식(a1)으로 나타내는 폴리실록산을 함유한다. 상기 폴리실록산은, 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수 있다.
상기 일반식(a1)에 있어서, R1은, 에폭시기 또는 옥세타닐기를 함유하는 기이며, 바람직하게는 말단에 에폭시기 또는 옥세타닐기를 함유하는 기이고, 보다 바람직하게는 글리시독시알킬기, 3-옥세타닐메틸옥시알킬기, 또는 3-알킬-3-옥세타닐메틸옥시알킬기(여기서, 알킬기로서는, 예를 들면, 탄소수 1~6의 알킬기를 들 수 있으며, 구체적으로는, 하기에서 R2에 대해 예시하는 기를 들 수 있다.)이며, 보다 바람직하게는 글리시독시프로필기, 3-옥세타닐메틸옥시프로필기, 또는 3-에틸-3-옥세타닐메틸옥시프로필기이며, 특히 바람직하게는 글리시독시프로필기이다. 상기 일반식(a1)에 있어서, 복수개의 R1이 존재하는 경우, 이들 R1은, 서로 동일하거나 달라도 무방하다.
상기 일반식(a1)에 있어서, R2는 알킬기 또는 아릴기이며, 바람직하게는 탄소수 1~6의 알킬기 또는 탄소수 6~15의 아릴기이며, 보다 바람직하게는 탄소수 1~4의 알킬기 또는 탄소수 6~10의 아릴기이다. 알킬기인 R2로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있으며, 메틸기 및 에틸기가 바람직하고, 메틸기가 보다 바람직하다. 아릴기인 R2로서는, 예를 들면, 페닐기, 비페닐기, 플루오레닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 페닐기 및 나프틸기이고, 보다 바람직하게는 페닐기이다. 상기 일반식(a1)에 있어서, 복수개의 R2가 존재하는 경우, 이들 R2는, 서로 동일하거나 달라도 무방하다.
상기 일반식(a1)에 있어서, 첨자 m 및 n은, 상기 폴리실록산 중의 전 구조 단위에 대한 상기 첨자가 붙여진 구조 단위의 몰 백분율을 나타내고, m은 50~90몰%이며, n은 10~50몰%이고, 단, m 및 n의 합계는 100몰%이다. m은 70~90몰%, n은 10~30몰%인 것이 바람직하다.
상기 일반식(a1)으로 나타내는 폴리실록산의 중량 평균 분자량은, 본 발명의 효과가 손상되지 않는 한 특별히 한정되지 않으며, 바람직하게는 1000~8000, 보다 바람직하게는 2000~4000이다. 상기 중량 평균 분자량이 상기 범위 내이면 수득되는 경화 피막은 탈가스가 더욱 억제된 것이 되기 쉽다.
또한, 본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량이란, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정된 표준 폴리스티렌 환산의 것을 말한다.
상기 일반식(a1)으로 나타내는 폴리실록산은, 예를 들면, 첨자 m 또는 n이 붙여진 각 구조 단위에 대응하는 알콕시실란끼리를, 산촉매, 물, 및 유기용제의 존재하에서 가수분해 및 탈수축합시키는 방법으로 조제할 수 있다.
[제4급 암모늄염인 열산 발생제]
본 발명에 따른 막형성성 조성물은, 제4급 암모늄염인 열산 발생제를 함유함으로써, 저온에서의 경화성이 우수하다. 상기 열산 발생제는, 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수 있다.
상기 열산 발생제로서는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 것을 이용할 수 있으며, 200℃ 이하의 가열로 산을 발생하는 것이 특히 바람직하다. 상기 열산 발생제의 구체적인 예로서는, K-PURE(등록상표)　TAG-2678, K-PURE　CXC-1614, K-PURE　CXC-1612, K-PURE　CXC-1733, K-PURE　CXC-1821, K-PURE　TAG-2700, K-PURE TAG-2689, K-PURE　TAG-2690, K-PURE　CXC-1738, K-PURE　CXC-1802-60(모두 King Industries사 제)를 들 수 있다.
본 발명에 따른 막형성성 조성물에 있어서, 상기 일반식(a1)으로 나타내는 폴리실록산에 대한 상기 열산 발생제의 첨가량은, 0.1~10.0중량%인 것이 바람직하고, 0.2~5.0중량%인 것이 보다 바람직하다. 상기 첨가량이 상기 범위 내이면, 본 발명에 따른 막형성성 조성물은, 200℃ 이하의 저온에서의 경화성이 더욱 향상하기 쉽다.
[유기용제]
본 발명에 따른 막형성성 조성물은, 유기용제를 함유해도 된다. 유기용제를 포함함으로써, 막형성성 조성물의 도포성이나, 막형성성 조성물로부터 제조되는 경화 피막의 막 두께를 조정하기 쉬워진다. 유기용제는, 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수 있다.
유기용제로서는, 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올(IPA), 부탄올 등의 알코올류; 아세톤, 디에틸케톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤류; 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸 등의 에스테르류; 프로필렌글리콜, 글리세린, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올; 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르 등의 에테르 종류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 3-메톡시-3-메틸-1-부탄올(설피드) 등의 모노에테르계 글리콜류; 테트라히드로퓨란, 디옥산 등의 환상 에테르류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트(MBA), 에틸디글리콜아세테이트(EDGAC) 등의 에테르계 에스테르류를 들 수 있다.
본 발명에 따른 막형성성 조성물의 고형분 농도는, 바람직하게는 10~100중량%, 보다 바람직하게는 50~100중량%이며, 유기용제에 의한 영향을 내지 않는다는 의미에서, 본 발명에 따른 막형성성 조성물은, 무용제인 것이 보다 바람직하다.
[계면활성제]
본 발명에 따른 막형성성 조성물은, 계면활성제를 함유해도 된다. 계면활성제를 포함함으로써, 막형성성 조성물의 도포성, 평탄화성, 및 전개성이 향상하기 쉬워져, 도포 후에 형성되는 조성물 층의 도포 얼룩의 발생이 감소하기 쉬워진다. 계면활성제로서는, 종래 공지의 것을 이용할 수 있으며, 실리콘계의 계면활성제가 바람직하다. 또한, 계면활성제의 함유량은, 막형성성 조성물 전체에 대하여, 바람직하게는 10~10000중량ppm, 보다 바람직하게는 100~10000중량ppm, 더욱 바람직하게는 500~5000중량ppm의 범위이다. 계면활성제는 단독으로 이용해도 되며, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
[그 외의 성분]
본 발명에 따른 막형성성 조성물은, 필요에 따라서, 공지의 반응성 희석제, 표면 조정제, 소포제, 경화 조정제(경화 억제제 또는 경화촉진제) 등의 첨가제를 함유해도 된다.
본 발명에 따른 막형성성 조성물은, 반응성 희석제를 함유하는 경우, 무용제의 조성물, 즉, 상기 유기용제를 함유하지 않는 조성물로서 조제할 수 있어 유기용제에 의한 영향을 효과적으로 억제할 수 있다.
반응성 희석제로서는, 양이온 중합성 모노머, 양이온 중합성 올리고머 등의 양이온 중합성 화합물을 들 수 있다. 양이온 중합성 화합물은, 단독으로 이용해도 되며, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
양이온 중합성 화합물로서는, 양이온 중합성기를 가지는 유기 화합물을 들 수 있다. 양이온 중합성기로서는, 에폭시기, 옥세타닐기, 옥소라닐기를 들 수 있다. 양이온 중합성 화합물은, 양이온 중합성기를 가지는 유기 규소 화합물이어도 되고, 그 예로서는, 양이온 중합성기를 가지는 오르가노실란, 양이온 중합성기를 가지는 오르가노실록산 올리고머 등을 들 수 있다.
본 발명에 따른 막형성성 조성물에 있어서, 상기 일반식(a1)으로 나타내는 폴리실록산에 대한 상기 반응성 희석제의 첨가량은, 0.1~400중량%인 것이 바람직하고, 1~100중량%인 것이 보다 바람직하다. 상기 첨가량이 상기 범위 내이면, 막형성성 조성물의 도포성이나, 막형성성 조성물로부터 제조되는 경화 피막의 막 두께를 조정하기 쉽다.
＜경화 피막의 제조 방법＞
본 발명에 따른 경화 피막의 제조 방법은, 본 발명에 따른 막형성성 조성물로부터 이루어지는 조성물 층을 기판상에 형성하는 조성물 층 형성 공정과, 상기 조성물 층을 가열하는 가열 공정을 포함한다. 이하, 도 1(A)~도 1(D)을 참조하여, 경화 피막의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 1(A)~도 1(D)는, 본 발명의 실시 형태와 관련되는 경화 피막의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면 모식도이다.
우선, 도 1(A)에 나타낸 바와 같이, 광 디바이스(1)가 탑재된 기판(2)을 준비한다. 광 디바이스(1)는, 예를 들면, 유기 EL 소자나 액정 표시 소자 등의 표시 소자, 또는 발광 다이오드(LED), 태양전지 소자, CCD, CMOS 등의 광 반도체 소자 등이다. 기판(2)은, 예를 들면, 이면측 보호층 등이다. 또한 기판(2)은, 광 디바이스(1)의 수광면측 또는 발광면측에 적층되는 표면측 보호층 등이어도 된다. 또한, 기판(2)에는, 태양전지 등이 탑재되어 있어도 된다.
다음에, 도 1(B)에 나타낸 바와 같이, 광 디바이스(1)가 탑재된 측의 기판(2)의 표면에, 본 발명에 따른 막형성성 조성물을 도포하고, 조성물 층(3)을 형성한다. 막형성성 조성물의 도포 방법은 특별히 한정되지 않으며, 주지의 방법을 채용할 수 있다. 이것에 의해, 광 디바이스(1)가 조성물 층(3)으로 피복된다.
다음에, 도 1(C)에 나타낸 바와 같이, 조성물 층(3)이 적층된 기판(2)을 전기로 등의 가열로(4) 내에 놓아두어, 조성물 층(3)을 가열한다. 그 결과, 도 1(D)에 나타낸 바와 같이, 막형성성 조성물이 열경화하여, 기판(2)의 표면에 경화 피막(5)이 형성된다. 광 디바이스(1)는, 경화 피막(5)에 의해서 봉지된다. 가열 온도는, 200℃ 이하의 온도이며, 180℃ 이하의 온도가 바람직하고, 150℃ 이하의 온도가 보다 바람직하다. 가열 온도의 하한은, 경화 피막(5)이 형성되는 한, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 80℃ 이상이며, 바람직하게는 90℃ 이상이다. 본 발명에 따른 막형성성 조성물은, 200℃ 이하의 저온에서도 경화하여, 경화 피막(5)를 제공한다.
이상의 공정에 의해, 경화 피막(5)을 제조할 수 있다. 이와 같이 하여 제조된 경화 피막(5)은, 탈가스가 억제되어 있다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 의해 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1~8 및 비교예 1~11]
(막형성성 조성물의 조제)
표 1~4에 나타낸 대로, 소정량의 폴리머, 산 발생제, 및 경우에 따라 바인더를 용제 중에서 혼합하여, 고형분 농도가 50중량%의 막형성성 조성물을 조제하였다. 또한, 표 5에 나타낸 바와 같이, 소정량의 폴리머, 산 발생제, 및 첨가제를 혼합하여, 무용제의 막형성성 조성물을 조제하였다. 또, 복수의 폴리머를 이용하는 경우, 표 중에는 혼합 중량비를 병기하였다. 또한, 폴리머 E에 대해서는, 첨자 m1과 n1의 비(m1/n1)를 표 중에 병기하였다.
표 1~5에 있어서의 각 성분의 자세한 사항은 하기와 같다.
폴리머 A: 하기 식으로 나타내는 폴리머
[화학식 2]
Figure 112015091709309-pat00002
폴리머 B: 하기 식으로 나타내는 폴리머
[화학식 3]
Figure 112015091709309-pat00003
폴리머 C: 하기 식으로 나타내는 폴리머
[화학식 4]
Figure 112015091709309-pat00004
폴리머 D: 유기·무기 하이브리드 수지(상품명: 콘포세란 E202C, 아라카와 화학공업(주) 제)
폴리머 E: 하기 식으로 나타내는 폴리머(중량 평균 분자량: 3000)
[화학식 5]
Figure 112015091709309-pat00005
(식 중, 첨자 m1 및 n1은, 폴리머 E 중의 전 구조 단위에 대한 상기 첨자가 붙여진 구조 단위의 몰 백분율을 나타내며, m1=50~90몰%이고, n1=10~50몰%이며, 단, m1 및 n1의 합계는 100몰%이다.)
폴리머 F: 하기 식으로 나타내는 폴리머(중량 평균 분자량: 3000)
[화학식 6]
Figure 112015091709309-pat00006
(식 중, 첨자 m2, n2, 및 n3는, 폴리머 F 중의 전 구조 단위에 대한 상기 첨자가 붙여진 구조 단위의 몰 백분율을 나타내며, m2=50몰%, n2=1몰%, n3=49몰%이다.)
폴리머 G: 폴리[(2-옥시라닐)-1,2-시클로헥산디올]2-에틸-2-(히드록시메틸)-1,3-프로판디올에테르(단, 폴리[(2-옥시라닐)-1,2-시클로헥산디올]잔기와 2-에틸-2-(히드록시메틸)-1,3-프로판디올 잔기의 비는 3:1이다.)
폴리머 H: 하기 식으로 나타내는 폴리머
[화학식 7]
Figure 112015091709309-pat00007
산 발생제 A: 하기 식으로 나타내는 광(光) 산 발생제
[화학식 8]
Figure 112015091709309-pat00008
바인더 B: 하기 식으로 나타내는 바인더
[화학식 9]
Figure 112015091709309-pat00009
산 발생제 C: K-PURE　TAG-2678(열산 발생제, King　Industries사 제)
산 발생제 D: 하기 식으로 나타내는 열산 발생제
[화학식 10]
Figure 112015091709309-pat00010
산 발생제 E: 하기 식으로 나타내는 열산 발생제
[화학식 11]
Figure 112015091709309-pat00011
산 발생제 F: 하기 식으로 나타내는 열산 발생제
[화학식 12]
Figure 112015091709309-pat00012
산 발생제 G: K-PURE　CXC-1821(열산 발생제, King　Industries사 제)
용제 A: 3-메톡시부틸아세테이트
용제 B: 프로필렌글리콜모노프로필에테르
용제 C: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트
용제 D: 프로필렌글리콜모노메틸에테르
첨가제 A(반응성 희석제): X-22-163(양 말단형 에폭시 변성 실리콘 오일, 신에츠 화학공업 주식회사 제)
첨가제 B(반응성 희석제): 1,4-시클로헥산디메탄올글리시딜에테르
첨가제 C(반응성 희석제): 펜타에리스리톨테트라글리시딜에테르
(경화 피막의 제조)
·열 경화
조제한 막형성성 조성물을, 스핀 코터, 스핀리스 코터, 또는 스크린 인쇄 장치를 이용하여, 유리 기판상에, 최종 막 두께가 1.0~15.0㎛가 되도록 도포하였다. 다음에, 샘플을 핫 플레이트상에 놓고, 80~200℃에서 5~120분간, 프리베이크 처리를 실시하였다. 그 후, 종형 베이크 로(상품명: TS8000MV, 도쿄오카 공업주식회사 제)에서 N2 중, 80~200℃에서 30분간 가열함으로써, 열경화시키고, 경화 피막을 얻었다.
·UV 경화
조제한 막형성성 조성물을, 스핀 코터, 스핀리스 코터, 또는 스크린 인쇄 장치를 이용하여, 유리 기판상에, 최종 막 두께가 1.0~15.0㎛가 되도록 도포하였다. 다음에, 샘플을 핫 플레이트상에 놓고, 90℃에서 5분간, 프리베이크 처리를 실시하였다. 그 후, 자외선 조사 장치(HMW-532D, ORC사 제)를 이용하여 999J/m2의 노광량으로 ghi선을 조사하였다. 마지막으로, 샘플을 핫 플레이트상에 놓고, 90~200℃에서 5분간, PEB 처리를 가하여, 경화 피막을 얻었다.
(잔막율 평가)
수득된 경화 피막을 용제(아세톤)에 60분간 침지하고, 표면 형상 측정 장치(상품명: Dektak　3ST, 알박사 제)를 이용하여, 용제 침지 후의 경화 피막의 두께를 측정하였다. 측정 전의 경화 피막의 두께를 기준으로 잔막율을 산출하여, 저온 경화 특성의 지표로 하였다. 평가 기준은 이하와 같다. 결과를 표 1~5에 나타낸다.
○(양): 잔막율 98% 이상, ×:(불량): 잔막율 98% 미만
(중량 감소 평가)
수득된 경화 피막에 대해서, 열 분석장치 TG8120(상품명, RIGAKU사 제)를 이용하여, 시차열-열중량 동시측정(TG-DTA)을 실시하였다. 측정 전의 경화 피막의 중량을 기준으로 100℃에 있어서의 중량 감소를 산출하여, 탈가스 특성의 지표로 하였다. 결과를 표 1~5에 나타낸다.
폴리머
 산
발생제
 폴리머에
대한 산발생제 첨가량		 용제
 잔막율(%) 중량
감소
(%)		 경화
방법
150℃ 180℃ 200℃
비교예
1		 A - - A × × × 1.7 열
경화
비교예
2		 B - - B × × × 1.9 열
경화
비교예
3*		 C A 5.0% C ○ ○ ○ 2.4 UV
경화
비교예
4*		 C A 5.0% C ○ ○ ○ 2.2 UV
경화
비교예
5		 D C 1.0% D ○ ○ ○ 2.3 열
경화
* 추가로 바인더 B를 첨가하였다. 폴리머에 대한 바인더 B의 첨가량은 10.0%였다.
폴리머
 산
발생제
 폴리머에
대한 산발생제 첨가량		 용제
 잔막율(%) 중량
감소
(%)		 경화
방법
150℃ 180℃ 200℃
실시예
1		 E
(90/10)		 C 1.0% D ○ ○ ○ <0.1 열
경화
실시예
2		 E
(90/10)		 C 1.0% D ○ ○ ○ <0.1 열
경화
실시예
3		 E
(70/30)		 C 1.0% D ○ ○ ○ <0.1 열
경화
실시예
4		 E
(50/50)		 C 1.0% D ○ ○ ○ <0.1 열
경화


폴리머
 산
발생제
 폴리머에
대한 산발생제 첨가량		 용제
 잔막율(%) 중량
감소
(%)		 경화
방법
150℃ 180℃ 200℃
실시예
5		 F C 1.0% D ○ ○ ○ <0.1 열
경화
비교예
6		 G/H=
50/50		 C 1.0% D ○ ○ ○ 0.9 열
경화
비교예
7		 H C 1.0% D ○ ○ ○ 1.3 열
경화


폴리머
 산
발생제
 폴리머에
대한 산발생제 첨가량		 용제
 잔막율(%) 중량
감소
(%)		 경화
방법
150℃ 180℃ 200℃
비교예
8		 E
(90/10)		 A 5.0% C × ○ ○ <0.1 열
경화
비교예
9		 E
(90/10)		 D 5.0% C × ○ ○ <0.1 열
경화
비교예
10		 E
(90/10)		 E 5.0% C × × × - 열
경화
비교예
11		 E
(90/10)		 F 1.0% C × × × <0.1 열
경화


폴리머
 산
발생제		 첨가제 폴리머에 대한
첨가량
잔막율(%)		 중량
감소
(%)		 경화
방법
산발생제 첨가제 100℃ 150℃ 180℃ 200℃
실시예
6		 E
(70/30)		 G A 0.1% 17% ○ ○ ○ ○ <0.1 열
경화
실시예
7		 E
(70/30)		 G B 0.1% 22% ○ ○ ○ ○ <0.1 열
경화
실시예
8		 E
(70/30)		 G C 0.1% 40% ○ ○ ○ ○ <0.1 열
경화
표 1~5로부터 명백하듯이, 실시예의 막형성성 조성물은, 상기 일반식(a1)으로 나타내는 폴리실록산과, 제4급 암모늄염인 열산 발생제를 함유하고 있으며, 잔막율 평가 및 중량 감소 평가의 어느 것에 있어서도 우수하였다. 이에 비해, 비교 예의 막형성성 조성물은, 상기 일반식(a1)으로 나타내는 폴리실록산, 및, 제4급 암모늄염인 열산 발생제의 적어도 한쪽을 함유하고 있지 않아, 잔막율 평가 및 중량 감소 평가 중 적어도 한쪽에 있어서 열위하였다.
1　광 디바이스
2　기판
3　조성물 층
4　가열로
5　경화 피막

Claims (3)

  1. 하기 일반식(a1)으로 나타내는 폴리실록산과, 제4급 암모늄염인 열산 발생제와, 반응성 희석제를 함유하고, 유기용제를 함유하지 않는 막형성성 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112022052445604-pat00013

    (식 중, R1은 에폭시기 또는 옥세타닐기를 함유하는 기이고, R2는 알킬기 또는 아릴기이며, 첨자 m 및 n은, 상기 폴리실록산 중의 전 구조 단위에 대한 상기 첨자가 붙여진 구조 단위의 몰 백분율을 나타내고, m은 50~90몰%이며, n은 10~50몰%이고, 단, m 및 n의 합계는 100몰%이다.)
  2. 청구항 1에 기재된 막형성성 조성물로 이루어지는 조성물 층을 기판 상에 형성하는 조성물 층 형성 공정과,
    상기 조성물 층을 가열하는 가열 공정을 포함하는, 경화 피막의 제조 방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 가열 공정에서의 가열 온도가 200℃ 이하인 경화 피막의 제조 방법.
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