KR102477977B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 표시 장치는 제1 제어 신호 및 제2 제어 신호에 따라 데이터 신호에 대응하는 휘도로 발광하는 화소; 상기 제1 제어 신호를 공급하는 제1 제어 라인과 연결된 제1 제어 패드; 상기 제2 제어 신호를 공급하는 제2 제어 라인과 연결된 제2 제어 패드; 및 상기 제1 제어 패드 및 상기 제2 제어 패드의 사이에 위치하고, 상기 제1 제어 신호 및 상기 제2 제어 신호의 사이 전압 레벨, 상기 제1 제어 신호의 전압 레벨, 및 상기 제2 제어 신호의 전압 레벨 중 하나에 해당하는 전압 레벨을 갖는 제1 더미 신호가 인가되는 제1 더미 패드를 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결매체인 표시 장치의 중요성이 부각되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Device) 등과 같은 표시 장치의 사용이 증가하고 있다.
이러한 표시 장치를 구동하기 위해서는 다양한 신호들이 필요하며, 이러한 신호들은 주로 표시 장치의 패드 영역에 밀집된 패드들을 통해서 표시 장치로 입력된다. 이때, 인접한 패드들에 입력되는 신호들의 전자기적 간섭이 문제된다.
해결하고자 하는 기술적 과제는, 인접한 패드들에 입력되는 신호들의 전자기적 간섭을 완화하고, 금속 입자들의 마이그레이션에 의한 인접한 패드들의 쇼트를 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는, 제1 제어 신호 및 제2 제어 신호에 따라 데이터 신호에 대응하는 휘도로 발광하는 화소; 상기 제1 제어 신호를 공급하는 제1 제어 라인과 연결된 제1 제어 패드; 상기 제2 제어 신호를 공급하는 제2 제어 라인과 연결된 제2 제어 패드; 및 상기 제1 제어 패드 및 상기 제2 제어 패드의 사이에 위치하고, 상기 제1 제어 신호 및 상기 제2 제어 신호의 사이 전압 레벨, 상기 제1 제어 신호의 전압 레벨, 및 상기 제2 제어 신호의 전압 레벨 중 하나에 해당하는 전압 레벨을 갖는 제1 더미 신호가 인가되는 제1 더미 패드를 포함한다.
상기 제1 더미 신호의 전압 레벨은 상기 제1 제어 신호 및 상기 제2 제어 신호의 평균 전압 레벨일 수 있다.
상기 제1 더미 신호의 전압 레벨은 상기 제1 제어 신호 및 상기 제2 제어 신호 중 적어도 하나의 전압 레벨이 변경되는 경우에 변경될 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 제1 더미 패드 및 상기 제2 제어 패드의 사이에 위치하고, 상기 제1 제어 신호 및 상기 제2 제어 신호의 사이 전압 레벨, 상기 제1 제어 신호의 전압 레벨, 및 상기 제2 제어 신호의 전압 레벨 중 하나에 해당하는 전압 레벨을 갖는 제2 더미 신호가 인가되는 제2 더미 패드를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 제어 신호와 상기 제2 제어 신호의 전압 레벨이 서로 동일할 때, 상기 제1 더미 신호와 상기 제2 더미 신호는 전압 레벨이 서로 동일할 수 있다.
상기 제1 제어 신호의 전압 레벨이 상기 제2 제어 신호의 전압 레벨보다 클 때, 상기 제1 더미 신호의 전압 레벨은 상기 제2 더미 신호의 전압 레벨보다 클 수 있다.
상기 제2 제어 신호의 전압 레벨이 상기 제1 제어 신호의 전압 레벨보다 클 때, 상기 제2 더미 신호의 전압 레벨은 상기 제1 더미 신호의 전압 레벨보다 클 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 제1 더미 패드에 연결되고, 상기 제1 제어 라인 및 상기 제2 제어 라인 사이에 위치하는 제1 더미 라인을 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 화소가 위치한 표시 영역; 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역; 상기 제1 제어 패드, 상기 제2 제어 패드, 및 상기 제1 더미 패드가 위치한 패드 영역; 및 상기 비표시 영역과 상기 패드 영역 사이에 위치한 배선 영역을 더 포함하고, 상기 제1 제어 라인 및 상기 제2 제어 라인은 상기 패드 영역, 상기 배선 영역, 및 상기 비표시 영역에 위치하고, 상기 제1 더미 라인은 상기 패드 영역 및 상기 배선 영역에 위치할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 화소에 상기 데이터 신호의 입력 여부를 결정하는 주사 신호를 공급하는 주사 구동부를 더 포함하고, 상기 제1 제어 라인은 상기 주사 구동부에 연결될 수 있다.
상기 제2 제어 라인은 상기 주사 구동부에 연결될 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 화소의 발광 시작 시점 및 발광 종료 시점을 결정하는 발광제어 신호를 공급하는 발광제어 구동부를 더 포함하고, 상기 제2 제어 라인은 상기 발광제어 구동부에 연결될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는, 화소가 위치한 표시 영역; 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역; 제1 제어 패드, 제2 제어 패드, 및 제1 더미 패드가 위치한 패드 영역; 및 상기 비표시 영역과 상기 패드 영역 사이에 위치한 배선 영역을 포함하고, 상기 제1 제어 패드로부터 연장되는 제1 제어 라인 및 상기 제2 제어 패드로부터 연장되는 제2 제어 라인은 상기 패드 영역, 상기 배선 영역, 및 상기 비표시 영역에 위치하고, 상기 제1 더미 패드로부터 연장되며 상기 제1 제어 라인 및 상기 제2 제어 라인 사이에 위치한 제1 더미 라인은 상기 패드 영역 및 상기 배선 영역에 위치한다.
상기 표시 장치는, 상기 비표시 영역에 위치하고, 주사 라인을 통해 상기 화소와 연결된 주사 구동부를 더 포함하고, 상기 제1 제어 라인은 상기 주사 구동부에 연결될 수 있다.
상기 제2 제어 라인은 상기 주사 구동부에 연결될 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 비표시 영역에 위치하고, 발광제어 라인을 통해 상기 화소와 연결된 발광제어 구동부를 더 포함하고, 상기 제2 제어 라인은 상기 발광제어 구동부에 연결될 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 제1 더미 패드 및 상기 제2 제어 패드 사이에 위치하는 제2 더미 패드를 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 제2 더미 패드로부터 연장되는 제2 더미 라인을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 표시 장치는 인접한 패드들에 입력되는 신호들의 전자기적 간섭을 완화하고, 금속 입자들의 마이그레이션에 의한 인접한 패드들의 쇼트를 방지할 수 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 패드들을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 전기적 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 제1 발광제어 구동부를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 제1 발광제어 구동부의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 제1 발광제어 구동부와 관련된 패드들의 전압 레벨을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 제1 주사 구동부를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 제1 주사 구동부의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 제1 주사 구동부와 관련된 패드들의 전압 레벨을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 한 실시예에 따른 화소를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 한 실시예에 따른 화소의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 패드들을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 도 13의 패드들 중 제1 발광제어 구동부와 관련된 패드들의 전압 레벨을 설명하기 위한 도면이다.
도 15는 도 13의 패드들 중 제1 주사 구동부와 관련된 패드들의 전압 레벨을 설명하기 위한 도면이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 17은 도 16의 실시예에 따른 패드들을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시 예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다. 따라서 앞서 설명한 참조 부호는 다른 도면에서도 사용할 수 있다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 과장되게 나타낼 수 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치(9)는 표시 영역(DA), 비표시 영역(NDA), 및 부가 영역(ADA)을 포함할 수 있다. 구체적으로는 표시 장치(9)의 기판(SUB)이 각 영역을 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)에는 화소(PXij)가 위치할 수 있다. 화소(PXij)는 제1 제어 신호 및 제2 제어 신호에 따라 데이터 신호에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다. 실시예에 따라, 제1 제어 신호 및 제2 제어 신호는 화소(PXij)에 직접 인가되는 신호가 아닐 수 있다. 예를 들어, 제1 제어 신호 및 제2 제어 신호에 의해 생성되는 다른 제어 신호가 화소(PXij)에 인가될 수 있다. 이에 대한 다양한 실시예는 도 4 이하를 참조하여 후술한다.
비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 둘러싸는 영역일 수 있다. 비표시 영역(NDA)에는 제1 주사 구동부(41) 및 제1 발광제어 구동부(51)가 위치할 수 있다. 실시예에 따라, 비표시 영역(NDA)에는 제2 주사 구동부(42) 및 제2 발광제어 구동부(52)가 더 위치할 수 있다.
도 2에서는 제2 주사 구동부(42) 및 제2 발광제어 구동부(52)가 표시 영역(DA)으로부터 제2 방향(DR2)에 위치하고, 제1 주사 구동부(41) 및 제1 발광제어 구동부(51)가 표시 영역(DA)으로부터 제2 방향(DR2)의 반대 방향에 위치하는 것으로 도시되어 있다. 하지만 다른 실시예에서, 제1 주사 구동부(41), 제1 발광제어 구동부(51), 제2 주사 구동부(42), 및 제2 발광제어 구동부(52)의 위치는 제품에 따라 달리 선택될 수 있다.
제1 주사 구동부(41), 제1 발광제어 구동부(51), 제2 주사 구동부(42), 및 제2 발광제어 구동부(52)는 화소(PXij) 형성 시에 함께 형성되어 기판(SUB)에 실장될 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 주사 구동부(41), 제1 발광제어 구동부(51), 제2 주사 구동부(42), 및 제2 발광제어 구동부(52)는 별도의 칩에 형성되어 칩-온-글라스(chip-on-glass), 칩-온-플라스틱(chip-on-plastic), 칩-온-필름(chip-on-film) 등의 형태로 기판(SUB)에 제공될 수도 있다.
부가 영역(ADA)은 비표시 영역(NDA)으로부터 돌출된 영역일 수 있다. 부가 영역(ADA)은 패드 영역(PDA)을 포함할 수 있다.
패드 영역(PDA)에는 패드들이 위치할 수 있다. 패드들은 제1 제어 패드(PA), 제2 제어 패드(P2), 및 제1 더미 패드(DP)를 포함할 수 있다. 제1 더미 패드(DP)는 제1 제어 패드(PA) 및 제2 제어 패드(P2) 사이에 위치할 수 있다. 패드들의 전부 또는 일부는 드라이버-IC(driver-IC)와 연결될 수 있다. 드라이버-IC는 칩-온-글라스, 칩-온-플라스틱, 칩-온-필름 등의 형태로 제공되어 패드들과 연결될 수 있다. 이때, 이방 도전성 필름(anisotropic conductive film, ACF) 등을 이용하여 드라이버-IC와 패드들이 연결될 수 있다.
비표시 영역(NDA)과 패선 영역(PDA)의 사이 영역을 배선 영역으로 정의할 수 있다. 배선 영역에는 다수의 배선들이 위치할 수 있다. 이때 다수의 배선들은 제1 제어 패드(P1)로부터 연장되는 제1 제어 라인(L1) 및 제2 제어 패드(P2)로부터 연장되는 제2 제어 라인(L2)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 유리, 고분자, 금속 등의 다양한 재료로 이루어질 수 있다. 기판(SUB)은 적용 제품에 따라, 리지드(rigid)한 기판과 플렉서블(flexible)한 기판 중 하나로 선택될 수 있다. 기판(SUB)이 고분자 유기물을 포함하도록 구성되는 경우, 기판(SUB)은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 트리아세테이트 셀룰로오스(triacetate cellulose), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 등으로 구성될 수 있다. 반면 기판(SUB)은 유리 섬유 강화플라스틱(FRP, Fiber glass reinforced plastic)으로 이루어질 수도 있다.
도 1 및 도 2에서는 기판(SUB)이 플렉서블한 경우를 도시하고 있다. 이때, 표시 장치(9)를 모듈에 실장함에 있어서, 공간적 활용도를 높이기 위해서 부가 영역(ADA)은 벤딩 영역(BA) 및 플랫 영역(FA2)을 포함할 수 있다. 이때, 플랫 영역(FA2)은 패드 영역(PDA)을 포함할 수 있고, 벤딩 영역(BA)은 배선들만이 위치할 수 있다. 이때, 배선들(L1, L2, ...)은 벤딩 영역(BA)에서 벤딩 축(BAX)과 대략 수직한 방향인 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있다. 따라서, 벤딩 영역(BA)에서 발생하는 응력에도 배선들(L1, L2, ...)의 단선이 방지될 수 있다. 이러한 실시예에서, 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)은 플랫 영역(FA1)에 해당할 수 있다. 따라서, 벤딩 축(BAX)에 따른 기판(SUB)의 벤딩 시에, 표시 영역(DA), 비표시 영역(NDA), 및 패드 영역(PDA)에 인가되는 응력은 벤딩 영역(BA)에 비해 무시할 수 있는 정도이다. 따라서, 각 영역(DA, NDA, PDA)에 위치하는 전기 소자의 파괴가 방지된다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 패드들을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 2의 영역(IA)을 확대하여 도시한 도면이다. 영역(IA)에는 제어 라인들(CLK_E2, CLK_E1, FLM_E, CLK_S2a, CLK_S2b, FLM_S, CLK_S1a, CLK_S1b)과 연결된 제어 패드들(CLKP_E2, CLKP_E1, FLMP_E, CLKP_S2a, CLKP_S2b, FLMP_S, CLKP_S1a, CLKP_S1b) 및 더미 패드들(DP1, DP2, DP3, DP4, DP5)이 위치할 수 있다.
제어 라인(CLK_S2a) 및 제어 라인(CLK_S2b)은 동일한 전기적 노드인 제어 라인(CLK_S2)에 연결될 수 있다. 또한 제어 라인(CLK_S1a) 및 제어 라인(CLK_S1b)은 서로 동일한 전기적 노드인 제어 라인(CLK_S1)에 연결될 수 있다(도 8, 9 참조).
도 2의 제1 제어 패드(P1), 제2 제어 패드(P2), 및 제1 더미 패드(DP)는 도 3에서 다음과 같이 대응될 수 있다. 제1 제어 패드(CLKP_E2) 및 제2 제어 패드(CLKP_E1) 사이에 제1 더미 패드(DP1)가 위치할 수 있다. 또한, 제1 제어 패드(CLKP_E1) 및 제2 제어 패드(FLMP_E) 사이에 제1 더미 패드(DP2)가 위치할 수 있다. 또한, 제1 제어 패드(FLMP_E) 및 제2 제어 패드(CLKP_S2a) 사이에 제1 더미 패드(DP3)가 위치할 수 있다. 또한, 제1 제어 패드(CLKP_S2b) 및 제2 제어 패드(FLMP_S) 사이에 제1 더미 패드(DP4)가 위치할 수 있다. 또한, 제1 제어 패드(FLMP_S) 및 제2 제어 패드(CLKP_S1a) 사이에 제1 더미 패드(DP5)가 위치할 수 있다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 전기적 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 표시 장치(9)는 드라이버-IC(10), 제1 주사 구동부(41), 제1 발광제어 구동부(51), 및 표시 영역(DA)에 위치한 화소들(PX11~PXnm)을 포함할 수 있다.
도 2에서 도시된 바와 같이, 실시예에 따라, 표시 장치(9)는 제2 주사 구동부(42), 제2 발광제어 구동부(52)를 더 포함할 수 있다. 이때, 제2 주사 구동부(42)는 제1 주사 구동부(41)와 동일한 기능을 수행하고, 제2 발광제어 구동부(52)는 제1 발광제어 구동부(51)와 동일한 기능을 수행할 수 있으므로, 중복된 설명은 생략한다.
드라이버-IC(driver-IC, 10)는 타이밍 제어부(11) 및 데이터 구동부(12)를 포함할 수 있다. 제품에 따라, 다수의 데이터 구동부들이 필요한 경우, 다수의 드라이버-IC들 각각이 데이터 구동부를 포함하고, 타이밍 제어부는 다수의 드라이버-IC들을 제어하기 위해 별도로 존재할 수도 있다. 이하에서는 타이밍 제어부(11) 및 데이터 구동부(12)가 하나의 드라이버-IC(10)에 존재하는 경우로 가정하여 설명한다.
타이밍 제어부(11)는 프로세서(예를 들어, application processor)로부터 공급되는 제어 신호 및 영상 신호를 표시 장치(9)의 사양(specification)에 맞게 변환하고, 데이터 구동부(12), 제1 주사 구동부(41), 및 제1 발광제어 구동부(51)로 필요한 제어 신호 및 영상 신호를 공급할 수 있다.
데이터 구동부(12)는 타이밍 제어부(11)로부터 제어 신호 및 영상 신호를 수신하여 데이터 라인들(D1~Dm)로 공급할 데이터 신호들을 생성할 수 있다. 화소행 단위로 생성된 데이터 신호들은 동시에 데이터 라인들(D1~Dm)로 인가될 수 있다.
제1 주사 구동부(41)는 타이밍 제어부(11)로부터 제어 신호를 수신하여 주사 라인들(S0~S(n+1))로 공급할 주사 신호들을 생성할 수 있다. 화소로의 데이터 신호의 입력 여부는 주사 신호의 전압 레벨에 의하여 결정될 수 있다. 이때, 타이밍 제어부(11)로부터 수신하는 제어 신호는 제1 제어 신호 및 제2 제어 신호 중 적어도 하나일 수 있다. 제1 주사 구동부(41)에 대해서는 도 8 및 9를 참조하여 더 상세히 후술한다.
제1 발광제어 구동부(51)는 타이밍 제어부(11)로부터 제어 신호를 수신하여 발광제어 라인들(E1~En)로 공급할 발광제어 신호들을 생성할 수 있다. 화소의 발광 시작 시점 및 발광 종료 시점은 발광제어 신호의 전압 레벨에 의하여 결정될 수 있다. 이때. 타이밍 제어부(11)로부터 수신하는 제어 신호는 제1 제어 신호 및 제2 제어 신호 중 적어도 하나일 수 있다. 제1 발광제어 구동부(51)에 대해서는 도 5 및 6을 참조하여 더 상세히 후술한다.
각각의 화소들(PX11~PXnm)은 대응하는 데이터 라인(D1~Dm), 주사 라인(S0~S(n+1)), 및 발광제어 라인(E1~En)에 연결될 수 있다. 화소들(PX11~PXnm)은 전원 전압 라인(ELVDD, ELVSS) 및 초기화 라인(VINT)에 더 연결될 수 있다(도 11 참조). 각각의 화소들(PX11~PXnm)은 제1 제어 신호 및 제2 제어 신호에 따라 데이터 신호에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다. 구체적으로는 제1 제어 신호 및 제2 제어 신호에 의해 제1 주사 구동부(41) 및 제1 발광제어 구동부(51) 중 적어도 하나가 제어되고, 제1 주사 구동부(41) 및 제1 발광제어 구동부(51)에서 생성되는 주사 신호 및 발광제어 신호에 따라 데이터 신호에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다. 예시적인 화소(PXij)의 구동 방법은 도 11 및 도 12를 참조하여 후술한다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 제1 발광제어 구동부를 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 제1 발광제어 구동부(51)는 발광제어 스테이지들(STE1, STE2, ...)을 포함한다.
발광제어 스테이지들(STE1, STE2, ...)은 이전 발광제어 스테이지로부터 출력된 이전 발광제어 신호에 기초하여 현재 발광제어 스테이지의 현재 발광제어 신호를 출력하는, 시프트 레지스터 형태로 구성될 수 있다. 다만, 첫 번째 발광제어 스테이지(STE1)는 이전 발광제어 신호를 수신할 수 없으므로, 발광제어 스타트 신호를 수신하여 구동될 수 있다.
발광제어 스테이지들(STE1, STE2, ...)은 각각 제1 발광제어 클록 라인(CLK_E1), 제2 발광제어 클록 라인(CLK_E2), 고전압 라인(VGH), 저전압 라인(VGL)에 연결될 수 있다. 제1 발광제어 클록 라인(CLK_E1) 및 제2 발광제어 클록 라인(CLK_E2)은 순차적으로 교번하여 발광제어 스테이지들(STE1, STE2, ...)에 연결될 수 있다. 고전압 라인(VGH)에는 저전압 라인(VGL)보다 높은 전압이 인가될 수 있다. 발광제어 스테이지들(STE1, STE2, ...)은 고전압 라인(VGH) 또는 저전압 라인(VGL)을 대응하는 발광제어 라인들(E1, E2, ...)에 선택적으로 연결할 수 있다.
발광제어 스테이지들(STE1, STE2, ...)의 내부 구성은 실질적으로 동일하므로, 이하에서는 발광제어 스테이지(STE1)를 예로 들어 설명한다.
발광제어 스테이지(STE1)는 발광제어 트랜지스터들(TE1, TE2, TE3, TE4, TE5, TE6, TE7, TE8, TE9, TE10, TE11, TE12) 및 커패시터들(CE1, CE2, CE3)을 포함할 수 있다.
이하에서 트랜지스터들이 일괄적으로 P타입으로 설명되지만, 당업자라면 필요에 따라 N타입 트랜지스터들을 사용할 수도 있을 것이다. P타입 트랜지스터란 게이트 단자와 소스 단자 간의 전압 차가 음의 방향으로 증가할 때 도통되는 전류량이 증가하는 트랜지스터를 통칭한다. N타입 트랜지스터란 게이트 단자와 소스 단자 간의 전압 차가 양의 방향으로 증가할 때 도통되는 전류량이 증가하는 트랜지스터를 통칭한다. 트랜지스터는 TFT(thin film transistor), FET(field effect transistor), BJT(bipolar junction transistor) 등 다양한 형태로 구성될 수 있다.
제1 발광제어 트랜지스터(TE1)는 일전극이 고전압 라인(VGH)에 연결되고, 타전극이 발광제어 라인(E1)에 연결되고, 게이트 전극이 제1 노드(N1)에 연결될 수 있다.
제2 발광제어 트랜지스터(TE2)는 일전극이 발광제어 라인(E1)에 연결되고, 타전극이 저전압 라인(VGL)에 연결되고, 게이트 전극이 제2 노드(N2)에 연결될 수 있다.
제3 발광제어 트랜지스터(TE3)는 일전극이 고전압 라인(VGH)에 연결되고, 타전극이 제1 노드(N1)에 연결되고, 게이트 전극이 제2 노드(N2)에 연결될 수 있다.
제4 발광제어 트랜지스터(TE4)는 일전극이 제1 노드(N1)에 연결되고, 타전극이 제5 발광제어 트랜지스터(TE5)의 일전극에 연결되고, 게이트 전극이 제1 발광제어 클록 라인(CLK_E1)에 연결될 수 있다.
제5 발광제어 트랜지스터(TE5)는 일전극이 제4 발광제어 트랜지스터(TE4)의 타전극에 연결되고, 타전극이 제1 발광제어 클록 라인(CLK_E1)에 연결되고, 게이트 전극이 제5 노드(N5)에 연결될 수 있다.
제6 발광제어 트랜지스터(TE6)는 일전극이 제5 노드(N5)에 연결되고, 타전극이 제3 노드(N3)에 연결되고, 게이트 전극이 저전압 라인(VGL)에 연결될 수 있다.
제7 발광제어 트랜지스터(TE7)는 일전극이 제2 노드(N2)에 연결되고, 타전극이 제4 노드(N4)에 연결되고, 게이트 전극이 저전압 라인(VGL)에 연결될 수 있다.
제8 발광제어 트랜지스터(TE8)는 일전극이 고전압 라인(VGH)에 연결되고, 타전극이 제9 발광제어 트랜지스터(TE9)의 일전극에 연결되고, 게이트 전극이 제5 노드(N5)에 연결될 수 있다.
제9 발광제어 트랜지스터(TE9)는 일전극이 제8 발광제어 트랜지스터(TE8)의 타전극에 연결되고, 타전극이 제4 노드(N4)에 연결되고, 게이트 전극이 제1 발광제어 클록 라인(CLK_E1)에 연결될 수 있다.
제10 발광제어 트랜지스터(TE10)는 일전극이 제3 노드(N3)에 연결되고, 타전극이 제2 발광제어 클록 라인(CLK_E2)에 연결되고, 게이트 전극이 제4 노드(N4)에 연결될 수 있다.
제11 발광제어 트랜지스터(TE11)는 일전극이 제3 노드(N3)에 연결되고, 타전극이 저전압 라인(VGL)에 연결되고, 게이트 전극이 제2 발광제어 클록 라인(CLK_E2)에 연결될 수 있다.
제12 발광제어 트랜지스터(TE12)는 일전극이 제4 노드(N4)에 연결되고, 타전극이 발광제어 스타트 라인(FLM_E)에 연결되고, 게이트 전극이 제2 발광제어 클록 라인(CLK_E2)에 연결될 수 있다.
커패시터(CE1)는 일전극이 고전압 라인(VGH)에 연결되고, 타전극이 제1 노드(N1)에 연결될 수 있다.
커패시터(CE2)는 일전극이 제4 발광제어 트랜지스터(TE4)의 타전극에 연결되고, 타전극이 제5 노드(N5)에 연결될 수 있다.
커패시터(CE3)는 일전극이 제2 노드(N2)에 연결되고, 타전극이 제1 발광제어 클록 라인(CLK_E1)에 연결될 수 있다.
도 6은 제1 발광제어 구동부의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
이하에서, 발광제어 스타트 라인(FLM_E)에 인가된 신호를 발광제어 스타트 신호, 제1 발광제어 클록 라인(CLK_E1)에 인가된 신호를 제1 발광제어 클록 신호, 제2 발광제어 클록 라인(CLK_E2)에 인가된 신호를 제2 발광제어 클록 신호, 제1 발광제어 라인(E1)에 인가된 신호를 제1 발광제어 신호, 제2 발광제어 라인(E2)에 인가된 신호를 제2 발광제어 신호라고 한다. 도 6에서는 각 신호의 전압 레벨이 도시된다. 도 6을 설명함에 있어서 각 신호의 전압 레벨은 로우 레벨(low level) 또는 하이 레벨(high level) 중 하나로 설명한다.
도 6에서, 세로 점선들 간의 가로 간격은 1 수평 주기를 의미할 수 있다.
시점(t1)에서, 제2 발광제어 클록 신호가 로우 레벨로 변경되며, 발광제어 스타트 신호는 로우 레벨을 유지하고, 제1 발광제어 클록 신호는 하이 레벨을 유지한다.
이에 따라, 발광제어 트랜지스터들(TE2, TE3, TE5, TE6, TE7, TE8, TE10, TE11, TE12)은 턴온 상태이고, 발광제어 트랜지스터들(TE1, TE4, TE9)은 턴오프 상태가 된다. 턴온된 제2 발광제어 트랜지스터(TE2)를 통해서 저전압 라인(VGL)이 제1 발광제어 라인(E1)과 연결된다. 따라서, 제1 발광제어 라인(E1)에는 로우 레벨의 제1 발광제어 신호가 인가된다.
이후, 제2 발광제어 클록 신호가 하이 레벨로 변경되면, 커패시터(CE3)로 인해 제10 발광제어 트랜지스터(TE10)는 턴온 상태를 유지하고, 제3 노드(N3) 및 제5 노드(N5)에는 하이 레벨의 제2 발광제어 클록 신호가 인가된다.
시점(t2)에서, 제1 발광제어 클록 신호가 로우 레벨로 변경되며, 발광제어 스타트 신호는 로우 레벨을 유지하고, 제2 발광제어 클록 신호는 하이 레벨을 유지한다.
이에 따라, 발광제어 트랜지스터들(TE2, TE3, TE4, TE6, TE7, TE9, TE10)은 턴온 상태이고, 발광제어 트랜지스터들(TE1, TE5, TE8, TE11, TE12)은 턴오프 상태가 된다.
이때, 제2 노드(N2)는 제1 발광제어 클록 라인(CLK_E1)과 커패시터(CE3)를 통한 용량성 결합으로 인해, 로우 레벨보다 더 낮은 레벨로 부스팅되게 된다. 따라서, 발광제어 트랜지스터들(TE2, TE3)의 구동 특성이 향상된다.
이때, 제4 노드(N4)는 제7 발광제어 트랜지스터(TE7)를 통해서 제2 노드(N2)와 연결되므로, 제2 노드(N2)와 달리 부스팅에 의한 영향이 제한될 수 있다. 따라서, 제12 발광제어 트랜지스터(TE12)의 일전극과 타전극 사이의 전압차가 최소화되어, 제12 발광제어 트랜지스터(TE12)의 구동 특성이 변화하는 것을 방지할 수 있다.
시점(t3)에서, 발광제어 스타트 신호는 하이 레벨로 변경되며, 제2 발광제어 클록 신호는 로우 레벨로 변경되며, 제1 발광제어 클록 신호는 하이 레벨을 유지한다.
이에 따라, 발광제어 트랜지스터들(TE5, TE6, TE7, TE8, TE11, TE12)은 턴온 상태이고, 발광제어 트랜지스터들(TE1, TE2, TE3, TE4, TE9, TE10)은 턴오프 상태가 된다.
구체적으로, 턴온된 제12 발광제어 트랜지스터(TE12)를 통해서 하이 레벨의 발광제어 스타트 신호가 제2 노드(N2)에 인가되므로, 제2 발광제어 트랜지스터(TE2)는 턴오프된다. 또한, 커패시터(CE1)에 의해 제1 노드(N1)는 하이 레벨로 유지되므로, 제1 발광제어 트랜지스터(TE1) 또한 턴오프된다. 따라서, 플로팅(floating) 상태가된 제1 발광제어 라인(E1)에 의해 제1 발광제어 신호는 로우 레벨을 유지할 수 있다.
시점(t4)에서, 제1 발광제어 클록 신호가 로우 레벨로 변경되고, 발광제어 스타트 신호가 하이 레벨로 유지되고, 제2 발광제어 클록 신호가 하이 레벨로 유지된다.
시점(t4) 이전에 커패시터(CE2)로 인해 제5 발광제어 트랜지스터(TE5)는 이미 턴온 상태이며, 시점(t4)에서 로우 레벨로 변경된 제1 발광제어 클록 신호에 의해 제5 노드(N5)는 로우 레벨보다 낮은 레벨로 부스팅될 수 있다. 따라서, 제8 발광제어 트랜지스터(TE8)의 구동 특성이 향상되며, 턴온 상태가 된다. 제9 발광제어 트랜지스터(TE9)는 제1 발광제어 클록 신호에 의해 턴온 상태가 된다. 따라서, 제2 노드(N2)는 고전압 라인(VGH)과 연결되어 턴오프 상태를 유지한다. 이때, 제1 노드(N1)에는 발광제어 트랜지스터들(TE5, TE4)을 통해 로우 레벨의 제1 발광제어 클록 신호가 인가되므로, 제1 발광제어 트랜지스터(TE1)가 턴온된다. 이에 따라, 제1 발광제어 라인(E1)은 고전압 라인(VGH)과 연결되고, 제1 발광제어 신호는 하이 레벨이 된다.
이때, 제3 노드(N3)는 제6 발광제어 트랜지스터(TE6)를 통해서 제5 노드(N5)와 연결되므로, 제5 노드(N5)와 달리 부스팅에 의한 영향이 제한될 수 있다. 따라서, 제10 발광제어 트랜지스터(TE10)의 일전극과 타전극 사이의 전압차가 최소화되어, 제10 발광제어 트랜지스터(TE10)의 구동 특성이 변화하는 것을 방지할 수 있다.
시점(t5)에서, 발광제어 스타트 신호는 로우 레벨로 변경되고, 제2 발광제어 클록 신호는 로우 레벨로 변경되고, 제1 발광제어 클록 신호는 하이 레벨을 유지한다.
따라서, 발광 트랜지스터들(TE12, TE7, TE2)이 턴온 상태가 되며, 저전압 라인(VGL)이 제1 발광제어 라인(E1)과 연결되므로, 로우 레벨의 제1 발광제어 신호가 출력된다.
도 7은 제1 발광제어 구동부와 관련된 패드들의 전압 레벨을 설명하기 위한 도면이다.
제어 패드(FLMP_E)는 대응하는 제어 라인인 발광제어 스타트 라인(FLM_E)과 연결된다(도 3 참조). 따라서, 시점(t1~t5)에 따른 제어 패드(FLMP_E)의 전압 레벨은 도 6의 발광제어 스타트 라인(FLM_E)의 전압 레벨과 동일하다.
제어 패드(CLKP_E1)는 대응하는 제어 라인인 제1 발광제어 클록 라인(CLK_E1)과 연결된다(도 3 참조). 따라서, 시점(t1~t5)에 따른 제어 패드(CLKP_E1)의 전압 레벨은 도 6의 제1 발광제어 클록 라인(CLK_E1)의 전압 레벨과 동일하다.
제어 패드(CLKP_E2)는 대응하는 제어 라인인 제2 발광제어 클록 라인(CLK_E2)과 연결된다(도 3 참조). 따라서, 시점(t1~t5)에 따른 제어 패드(CLKP_E2)의 전압 레벨은 도 6의 제2 발광제어 클록 라인(CLK_E2)의 전압 레벨과 동일하다.
더미 패드(DP1)는 제어 패드(CLKP_E2) 및 제어 패드(CLKP_E1)의 사이에 위치하고, 제2 발광제어 클록 신호 및 제1 발광제어 클록 신호의 사이 전압 레벨, 제2 발광제어 클록 신호의 전압 레벨, 및 제1 발광제어 클록 신호의 전압 레벨 중 하나에 해당하는 전압 레벨을 갖는 더미 신호가 인가될 수 있다.
실시예에 따르면, 더미 패드(DP1)의 더미 신호의 전압 레벨은 제2 발광제어 클록 신호 및 제1 발광제어 클록 신호의 평균 전압 레벨일 수 있다.
또한 실시예에 따르면, 더미 패드(DP1)의 더미 신호의 전압 레벨은 제2 발광제어 클록 신호 및 제1 발광제어 클록 신호 중 적어도 하나의 전압 레벨이 변경되는 경우에 변경될 수 있다.
예를 들어, 시점(t1)에서, 제2 발광제어 클록 신호는 로우 레벨이고, 제1 발광제어 클록 신호는 하이 레벨이므로, 더미 패드(DP1)의 더미 신호는 그 평균에 해당하는 미들 레벨(middle level)을 가질 수 있다.
시점(t2) 직전에, 제2 발광제어 클록 신호의 전압 레벨이 변경되므로, 더미 패드(DP1)의 더미 신호의 전압 레벨이 변경될 수 있다. 이때, 더미 패드(DP1)의 더미 신호는 하이 레벨의 제2 발광제어 클록 신호 및 하이 레벨의 제1 발광제어 클록 신호의 평균에 해당하는 하이 레벨을 가질 수 있다.
시점(t2)에, 제1 발광제어 클록 신호의 전압 레벨이 변경되므로, 더미 패드(DP1)의 더미 신호의 전압 레벨이 변경될 수 있다. 이때, 더미 패드(DP1)의 더미 신호는 하이 레벨의 제2 발광제어 클록 신호 및 로우 레벨의 제1 발광제어 클록 신호의 평균에 해당하는 미들 레벨을 가질 수 있다.
이후 시점에서도 유사한 패턴이 반복되므로, 중복되는 설명은 생략한다. 이와 같이 더미 패드(DP1)에 인가되는 평균 레벨의 더미 신호에 의해서 인접한 패드들(CLKP_E2, CLKP_E1)에 인가되는 신호들의 전자기적 간섭이 완화될 수 있다.
또한, 인접한 패드들(CLKP_E2, CLKP_E1) 각각에 인가되는 신호들의 전압 레벨 차이가 클수록, 이방 도전성 필름에 존재하는 금속 입자들(예를 들어, 구리 입자들)의 마이그레이션(migration)이 촉진될 수 있다. 마이그레이션이 지속되는 경우, 인접한 패드들(CLKP_E2, CLKP_E1)이 쇼트(short)될 수 있는 문제점이 있다. 더미 패드(DP1)에 인가되는 더미 신호는, 인접한 패드들(CLKP_E2, CLKP_E1) 각각에 인가되는 신호들의 전압 레벨 차이를 완화시켜줄 수 있으므로, 이러한 문제점을 해결할 수 있다.
상술한 내용은 제어 패드들(FLMP_E, CLKP_E1) 및 제어 패드들(FLMP_E, CLKP_E1) 사이에 위치하는 더미 패드(DP2)에도 동일하게 적용될 수 있다. 이에 대한 중복된 설명은 생략한다.
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 제1 주사 구동부를 설명하기 위한 도면이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 제1 주사 구동부(41)는 주사 스테이지들(STS0, STS1, ...)을 포함할 수 있다.
주사 스테이지들(STS0, STS1, ...)은 이전 주사 스테이지로부터 출력된 이전 주사 신호에 기초하여 현재 주사 스테이지의 현재 주사 신호를 출력하는, 시프트 레지스터 형태로 구성될 수 있다. 다만, 첫 번째 주사 스테이지(STS0)는 이전 주사 신호를 수신할 수 없으므로, 주사 스타트 신호를 수신하여 구동될 수 있다.
주사 스테이지들(STS0, STS1, ...)은 각각 제1 주사 클록 라인(CLK_S1), 제2 주사 클록 라인(CLK_S2), 고전압 라인(VGH), 저전압 라인(VGL)에 연결될 수 있다. 제1 주사 클록 라인(CLK_S1) 및 제2 주사 클록 라인(CLK_S2)은 순차적으로 교번하여 주사 스테이지들(STS0, STS1, ...)에 연결될 수 있다. 주사 스테이지들(STS0, STS1, ...)은 고전압 라인(VGH) 또는 대응하는 주사 클록 라인(CLK_S1, CLK_S2)을 대응하는 주사 라인들(S0, S1, ...)에 선택적으로 연결할 수 있다.
주사 스테이지들(STS0, STS1, ...)의 내부 구성은 실질적으로 동일하므로, 이하에서는 주사 스테이지(STS0)를 현재 주사 스테이지로 예를 들어 설명한다.
주사 스테이지(STS0)는 주사 트랜지스터들(TS1, TS2, TS3, TS4, TS5, TS6, TS7, TS8) 및 커패시터들(CS1, CS2)을 포함할 수 있다.
제1 주사 트랜지스터(TS1)는 일전극이 고전압 라인(VGH)에 연결되고, 타전극이 주사 라인(S0)에 연결되고, 게이트 전극이 커패시터(CS1)의 타전극에 연결될 수 있다.
제2 주사 트랜지스터(TS2)는 일전극이 주사 라인(S0)에 연결되고, 타전극이 제1 주사 클록 라인(CLK_S1)에 연결되고, 게이트 전극이 커패시터(CS2)의 타전극에 연결될 수 있다.
제3 주사 트랜지스터(TS3)는 일전극이 제1 주사 트랜지스터(TS1)의 게이트 전극과 연결되고, 타전극이 제2 주사 클록 라인(CLK_S2)와 연결되고, 게이트 전극이 제8 주사 트랜지스터(TS8)의 일전극에 연결될 수 있다.
제4 주사 트랜지스터(TS4)는 일전극이 제2 주사 트랜지스터(TS2)의 게이트 전극과 연결되고, 타전극이 제8 주사 트랜지스터(TS8)의 일전극과 연결되고, 게이트 전극이 저전압 라인(VGL)에 연결될 수 있다.
제5 주사 트랜지스터(TS5)는 일전극이 제1 주사 트랜지스터(TS1)의 게이트 전극에 연결되고, 타전극이 저전압 라인(VGL)에 연결되고, 게이트 전극이 제1 주사 클록 라인(CLK_S1)에 연결될 수 있다.
제6 주사 트랜지스터(TS6)는 일전극이 고전압 라인(VGH)에 연결되고, 타전극이 제7 주사 트랜지스터(TS7)의 일전극에 연결되고, 게이트 전극이 제1 주사 트랜지스터(TS1)의 게이트 전극에 연결될 수 있다.
제7 주사 트랜지스터(TS7)는 일전극이 제6 주사 트랜지스터(TS6)의 타전극에 연결되고, 타전극이 제8 주사 트랜지스터(TS8)의 일전극에 연결되고, 게이트 전극이 제1 주사 클록 라인(CLK_S1)에 연결될 수 있다.
제8 주사 트랜지스터(TS8)는 일전극이 제4 주사 트랜지스터(TS4)의 타전극에 연결되고, 타전극이 주사 스타트 라인(FLM_S)에 연결되고, 게이트 전극이 제2 주사 클록 라인(CLK_S2)에 연결될 수 있다.
커패시터(CS1)는 일전극이 고전압 라인(VGH)에 연결되고, 타전극이 제1 주사 트랜지스터(TS1)의 게이트 전극과 연결될 수 있다.
커패시터(CS2)는 일전극이 주사 라인(S0)에 연결되고, 타전극이 제2 주사 트랜지스터(TS2)의 게이트 전극과 연결될 수 있다.
도 9는 제1 주사 구동부의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
이하에서, 주사 스타트 라인(FLM_S)에 인가된 신호를 주사 스타트 신호, 제1 주사 클록 라인(CLK_S1)에 인가된 신호를 제1 주사 클록 신호, 제2 주사 클록 라인(CLK_S2)에 인가된 신호를 제2 주사 클록 신호, 현재 주사 라인(S0)에 인가된 신호를 현재 주사 신호, 다음 주사 라인(S1)에 인가된 신호를 다음 주사 신호라고 한다. 도 9에서는 각 신호의 전압 레벨이 도시된다. 도 9를 설명함에 있어서 각 신호의 전압 레벨은 로우 레벨 또는 하이 레벨 중 하나로 설명한다.
도 9에서, 세로 점선들 간의 가로 간격은 1 수평 주기를 의미할 수 있다. 도 9의 각 시점들(t6~t10)은 도 7의 각 시점들(t1~t5)과 연속성을 갖지 않는다.
주사 스타트 신호가 하이 레벨을 유지하는 동안, 커패시터(CS2)의 타전극에 주기적으로 하이 레벨의 주사 스타트 신호가 인가되므로, 커패시터(CS2)는 제2 주사 트랜지스터(TS2)의 턴오프 레벨에 해당하는 전압을 유지한다. 따라서, 시점(t6)에 인접하여 발생한 제2 주사 클록 신호의 하강 펄스 및 시점(t7)에 인접하여 발생한 제1 주사 클록 신호의 하강 펄스는 주사 신호들의 전압 레벨에 영향을 주지 않는다.
시점(t8)에 인접하여, 주사 스타트 신호 및 제2 주사 클록 신호 각각에 하강 펄스가 발생한다.
이때, 주사 스타트 신호가 로우 레벨이므로, 주사 트랜지스터들(TS1, TS2, TS3, TS4, TS5, TS6)은 턴온 상태가 되고, 제7 주사 트랜지스터(TS7)는 턴오프 상태가 된다. 이에 따라, 현재 주사 라인(S0)에는 하이 레벨의 제1 주사 클록 신호와 고전압 라인(VGH)의 고전압이 동시에 인가되므로, 현재 주사 신호는 하이 레벨을 유지한다.
이때, 커패시터(CS2)에는 제2 주사 커패시터(TS2)를 턴온 상태로 유지시킬 수 있는 전압이 충전된다.
시점(t9)에 인접하여, 제1 주사 클록 신호의 하강 펄스가 발생한다.
이때, 커패시터(CS2)에 의해 제2 주사 트랜지스터(TS2)는 턴온 상태를 유지하므로, 제1 주사 클록 신호의 하강 펄스가 주사 라인(S0)에 인가되어, 현재 주사 신호는 시점(t9)에 인접하여 하강 펄스를 갖게 된다.
이때, 커패시터(CS2)에 의해 제2 주사 트랜지스터(TS2)의 게이트 전극에는 로우 레벨보다 낮은 레벨인 부스팅 전압이 인가되므로, 제2 주사 트랜지스터(TS2)의 구동 특성이 향상될 수 있다.
또한 이때, 다음 주사 스테이지(STS1)의 주사 트랜지스터들(TS8, TS4, TS2)이 턴온 상태가 되고, 다음 주사 스테이지(STS1)의 커패시터(CS2)에는 다음 주사 스테이지(STS1)의 제2 주사 트랜지스터(TS2)를 턴온 상태로 유지시킬 수 있는 전압이 충전된다.
시점(t10)에 인접하여, 제2 주사 클록 신호의 하강 펄스가 발생하고, 다음 주사 스테이지(STS1)에서는 턴온 상태를 유지하는 제2 주사 트랜지스터(TS2)에 의해 제2 주사 클록 신호의 하강 펄스가 다음 주사 라인(S1)에 인가되므로, 다음 주사 신호는 시점(t10)에 인접하여 하강 펄스를 갖게 된다.
도 10은 제1 주사 구동부와 관련된 패드들의 전압 레벨을 설명하기 위한 도면이다.
제어 패드(FLMP_S)는 대응하는 제어 라인인 주사 스타트 라인(FLM_S)과 연결된다(도 3 참조). 따라서, 시점(t6~t10)에 따른 제어 패드(FLMP_S)의 전압 레벨은 도 9의 주사 스타트 라인(FLM_S)의 전압 레벨과 동일하다.
제어 패드(CLKP_S1)는 대응하는 제어 라인인 제1 주사 클록 라인(CLK_S1)과 연결된다(도 3 참조). 따라서, 시점(t6~t10)에 따른 제어 패드(CLKP_S1)의 전압 레벨은 도 9의 제1 주사 클록 라인(CLK_S1)의 전압 레벨과 동일하다.
제어 패드(CLKP_S2)는 대응하는 제어 라인인 제2 주사 클록 라인(CLK_S2)과 연결된다(도 3 참조). 따라서, 시점(t6~t10)에 따른 제어 패드(CLKP_S2)의 전압 레벨은 도 9의 제2 발광제어 클록 라인(CLK_S2)의 전압 레벨과 동일하다.
더미 패드(DP4)는 제어 패드(CLKP_S2) 및 제어 패드(FLMP_S)의 사이에 위치하고, 제2 주사 클록 신호 및 주사 스타트 신호의 사이 전압 레벨, 제2 주사 클록 신호의 전압 레벨, 및 주사 스타트 신호의 전압 레벨 중 하나에 해당하는 전압 레벨을 갖는 더미 신호가 인가될 수 있다.
실시예에 따르면, 더미 패드(DP4)의 더미 신호의 전압 레벨은 제2 주사 클록 신호 및 주사 스타트 신호의 평균 전압 레벨일 수 있다.
또한 실시예에 따르면, 더미 패드(DP4)의 더미 신호의 전압 레벨은 제2 주사 클록 신호 및 주사 스타트 신호 중 적어도 하나의 전압 레벨이 변경되는 경우에 변경될 수 있다.
예를 들어, 시점(t6) 직전에, 제2 주사 클록 신호는 로우 레벨이고, 주사 스타트 신호는 하이 레벨이므로, 더미 패드(DP4)의 더미 신호는 그 평균에 해당하는 미들 레벨을 가질 수 있다.
시점(t6)에, 제2 주사 클록 신호의 전압 레벨이 변경되므로, 더미 패드(DP4)의 더미 신호의 전압 레벨이 변경될 수 있다. 이때, 더미 패드(DP4)의 더미 신호는 하이 레벨의 제2 주사 클록 신호 및 하이 레벨의 주사 스타트 신호의 평균에 해당하는 하이 레벨을 가질 수 있다.
이후 시점에서도 유사한 패턴이 반복되므로, 중복되는 설명은 생략한다. 이와 같이 더미 패드(DP4)에 인가되는 평균 레벨의 더미 신호에 의해서 인접한 패드들(CLKP_S2, FLMP_S)에 인가되는 신호들의 전자기적 간섭이 완화될 수 있다.
또한, 인접한 패드들(CLKP_S2, FLMP_S) 각각에 인가되는 신호들의 전압 레벨 차이가 클수록, 이방 도전성 필름에 존재하는 금속 입자들의 마이그레이션이 촉진될 수 있다. 마이그레이션이 지속되는 경우, 인접한 패드들(CLKP_S2, FLMP_S)이 쇼트(될 수 있는 문제점이 있다. 더미 패드(DP4)에 인가되는 더미 신호는, 인접한 패드들(CLKP_S2, FLMP_S) 각각에 인가되는 신호들의 전압 레벨 차이를 완화시켜줄 수 있으므로, 이러한 문제점을 해결할 수 있다.
상술한 내용은 제어 패드들(FLMP_S, CLKP_S1) 및 제어 패드들(FLMP_S, CLKP_S1) 사이에 위치하는 더미 패드(DP5)에도 동일하게 적용될 수 있다. 따라서 중복된 설명은 생략한다.
또한, 상술한 내용은 제어 패드들(FLMP_E, CLKP_S2a) 및 제어 패드들(FLMP_E, CLKP_S2a) 사이에 위치하는 더미 패드(DP3)에도 동일하게 적용될 수 있다(도 3 참조).
도 11은 본 발명의 한 실시예에 따른 화소를 설명하기 위한 도면이다.
도 11을 참조하면, 화소(PXij)는 트랜지스터들(M1, M2, M3, M4, M5, M6, M7), 스토리지 커패시터(Cst1), 및 유기 발광 다이오드(OLED1)를 포함한다.
스토리지 커패시터(Cst1)는 일전극이 제1 전원 전압 라인(ELVDD)에 연결되고, 타전극이 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 연결될 수 있다.
트랜지스터(M1)는 일전극이 트랜지스터(M5)의 타전극에 연결되고, 타전극이 트랜지스터(M6)의 일전극에 연결되고, 게이트 전극이 스토리지 커패시터(Cst1)의 타전극에 연결될 수 있다. 트랜지스터(M1)를 구동 트랜지스터로 명명할 수 있다. 트랜지스터(M1)는 게이트 전극과 소스 전극의 전위차에 따라 제1 전원 전압 라인(ELVDD)과 제2 전원 전압 라인(ELVSS) 사이에 흐르는 구동 전류량을 결정한다.
트랜지스터(M2)는 일전극이 데이터 라인(Dj)에 연결되고, 타전극이 트랜지스터(M1)의 일전극에 연결되고, 게이트 전극이 현재 주사 라인(Si)에 연결될 수 있다. 트랜지스터(M2)를 스위칭 트랜지스터로 명명할 수 있다. 트랜지스터(M2)는 현재 주사 라인(Si)에 턴온 레벨의 주사 신호가 인가되면 데이터 라인(Dj)의 데이터 전압을 화소(PXij)로 인입시킨다.
트랜지스터(M3)는 일전극이 트랜지스터(M1)의 타전극에 연결되고, 타전극이 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 연결되고, 게이트 전극이 현재 주사 라인(Si)에 연결된다. 트랜지스터(M3)는 현재 주사 라인(Si)에 턴온 레벨의 주사 신호가 인가되면 트랜지스터(M1)를 다이오드 형태로 연결시킨다.
트랜지스터(M4)는 일전극이 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 연결되고, 타전극이 초기화 전압 라인(VINT)에 연결되고, 게이트 전극이 이전 주사 라인(S(i-1))에 연결된다. 다른 실시예에서, 트랜지스터(M4)의 게이트 전극은 다른 주사 라인에 연결될 수도 있다. 트랜지스터(M4)는 이전 주사 라인(S(i-1))에 턴온 레벨의 주사 신호가 인가되면 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 초기화 전압(VINT)을 전달하여, 트랜지스터(M1)의 게이트 전극의 전하량을 초기화시킨다.
트랜지스터(M5)는 일전극이 제1 전원 전압 라인(ELVDD)에 연결되고, 타전극이 트랜지스터(M1)의 일전극에 연결되고, 게이트 전극이 발광제어 라인(Ei)에 연결된다. 트랜지스터(M6)는 일전극이 트랜지스터(M1)의 타전극에 연결되고, 타전극이 유기 발광 다이오드(OELD1)의 애노드에 연결되고, 게이트 전극이 발광제어 라인(Ei)에 연결된다. 트랜지스터(M5, M6)는 턴온 레벨의 발광제어 신호가 인가되면 제1 전원 전압 라인(ELVDD)과 제2 전원 전압 라인(ELVSS) 사이의 구동 전류 경로를 형성하여 유기 발광 다이오드(OELD1)를 발광시킨다.
트랜지스터(M7)는 일전극이 유기 발광 다이오드(OLED1)의 애노드에 연결되고, 타전극이 초기화 전압 라인(VINT)에 연결되고, 게이트 전극이 다음 주사 라인(S(i+1))에 연결된다. 다른 실시예에서, 트랜지스터(M7)의 게이트 전극은 다른 주사 라인에 연결될 수도 있다. 트랜지스터(M7)는 다음 주사 라인(S(i+1))에 턴온 레벨의 주사 신호가 인가되면 유기 발광 다이오드(OLED1)의 애노드에 초기화 전압(VINT)을 전달하여, 유기 발광 다이오드(OELD1)에 축적된 전하량을 초기화시킨다.
유기 발광 다이오드(OLED1)는 애노드가 트랜지스터(M6)의 타전극에 연결되고, 캐소드가 제2 전원 전압 라인(ELVSS)에 연결된다.
도 12는 본 발명의 한 실시예에 따른 화소의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 12의 각 시점들(t11~14)은 도 6 및 도 9의 각 시점들(t1~t10)과 연속성을 갖지 않는다. 도 12에서, 세로 점선들 간의 가로 간격은 1 수평 주기를 의미할 수 있다.
기간(t11~t12)에, 데이터 라인(Dj)에는 이전 화소행에 대한 데이터 전압(DATA(i-1)j)이 인가되고, 이전 주사 라인(S(i-1))에는 턴온 레벨(로우 레벨)의 주사 신호가 인가된다.
현재 주사 라인(Si)에는 턴오프 레벨(하이 레벨)의 주사 신호가 인가되므로, 트랜지스터(M2)는 턴오프 상태이고, 이전 화소행(DATA(i-1)j)에 대한 데이터 전압이 화소(PXij)로 인입되는 것이 방지된다.
이때, 트랜지스터(M4)는 턴온 상태가 되므로, 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 초기화 전압이 인가되어 전하량이 초기화된다. 발광제어 라인(Ei)에는 턴오프 레벨의 발광제어 신호가 인가되므로, 트랜지스터(M5, M6)는 턴오프 상태이고, 초기화 전압(VINT) 인가 과정에 따른 불필요한 유기 발광 다이오드(OLED1)의 발광이 방지된다.
기간(t12~t13)에서, 데이터 라인(Dj)에는 현재 화소행에 대한 데이터 전압(DATAij)이 인가되고, 현재 주사 라인(Si)에는 턴온 레벨의 주사 신호가 인가된다. 이에 따라 트랜지스터(M2, M1, M3)가 도통 상태가 되며, 데이터 라인(Dj)과 트랜지스터(M1)의 게이트 전극이 전기적으로 연결된다. 따라서, 데이터 전압(DATAij)이 스토리지 커패시터(Cst1)의 타전극에 인가되고, 스토리지 커패시터(Cst1)는 제1 구동 전압 라인(ELVDD)의 전압과 데이터 전압(DATAij)의 차이에 해당하는 전하량을 축적한다.
기간(t13~t14)에서, 데이터 라인(Dj)에는 다음 화소행에 대한 데이터 전압(DATA(i+1)j)이 인가되고, 다음 주사 라인(Si)에는 턴온 레벨의 주사 신호가 인가된다. 이에 따라, 트랜지스터(M7)는 턴온 상태이므로, 유기 발광 다이오드(OLED1)의 애노드에는 초기화 전압(VINT)이 인가되고, 유기 발광 다이오드(OELD1)는 초기화 전압과 제2 구동 전압 라인(ELVSS)의 전압 차이에 해당하는 전하량으로 프리차지(precharge) 또는 초기화된다.
시점(t14) 이후에 발광제어 라인(Ei)에 턴온 레벨의 발광제어 신호가 인가됨에 따라, 트랜지스터(M5, M6)가 도통되며, 스토리지 커패시터(Cst1)에 축적된 전하량에 따라 트랜지스터(M1)를 통과하는 구동 전류량이 조절되어 유기 발광 다이오드(OLED1)로 구동 전류가 흐른다. 유기 발광 다이오드(OLED1)는 발광제어 라인(Ei)에 턴오프 레벨의 발광제어 신호가 인가되기 전까지 발광한다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 패드들을 설명하기 위한 도면이다.
영역(IA')에는 제어 라인들(CLK_E2, CLK_E1, FLM_E, CLK_S2a, CLK_S2b, FLM_S, CLK_S1a, CLK_S1b)과 연결된 제어 패드들(CLKP_E2, CLKP_E1, FLMP_E, CLKP_S2a, CLKP_S2b, FLMP_S, CLKP_S1a, CLKP_S1b) 및 더미 패드들(DP11, DP12, DP21, DP22, DP31, DP32, DP41, DP42, DP51, DP52)이 위치할 수 있다.
도 2의 제1 제어 패드(P1), 제2 제어 패드(P2), 및 제1 더미 패드(DP)는 도 13에서 다음과 같이 대응될 수 있다. 제1 제어 패드(CLKP_E2) 및 제2 제어 패드(CLKP_E1) 사이에 제1 더미 패드(DP11)가 위치할 수 있다. 또한, 제1 제어 패드(CLKP_E1) 및 제2 제어 패드(FLMP_E) 사이에 제1 더미 패드(DP21)가 위치할 수 있다. 또한, 제1 제어 패드(FLMP_E) 및 제2 제어 패드(CLKP_S2a) 사이에 제1 더미 패드(DP31)가 위치할 수 있다. 또한, 제1 제어 패드(CLKP_S2b) 및 제2 제어 패드(FLMP_S) 사이에 제1 더미 패드(DP41)가 위치할 수 있다. 또한, 제1 제어 패드(FLMP_S) 및 제2 제어 패드(CLKP_S1a) 사이에 제1 더미 패드(DP51)가 위치할 수 있다.
도 13의 실시예에서는 추가적으로, 제1 더미 패드(DP11) 및 제2 제어 패드(CLKP_E1) 사이에 제2 더미 패드(DP12)가 위치할 수 있다. 또한, 제1 더미 패드(DP21) 및 제2 제어 패드(FLMP_E) 사이에 제2 더미 패드(DP22)가 위치할 수 있다. 또한, 제1 더미 패드(DP31) 및 제2 제어 패드(CLKP_S2a) 사이에 제2 더미 패드(DP32)가 위치할 수 있다. 또한, 제1 더미 패드(DP41) 및 제2 제어 패드(FLMP_S) 사이에 제2 더미 패드(DP42)가 위치할 수 있다. 또한, 제1 더미 패드(DP51) 및 제2 제어 패드(CLKP_S1a) 사이에 제2 더미 패드(DP52)가 위치할 수 있다.
도 14는 도 13의 패드들 중 제1 발광제어 구동부와 관련된 패드들의 전압 레벨을 설명하기 위한 도면이고, 도 15는 도 13의 패드들 중 제1 주사 구동부와 관련된 패드들의 전압 레벨을 설명하기 위한 도면이다.
제2 더미 패드(DP12)는 제1 더미 패드(DP11) 및 제2 제어 패드(CLKP_E1)의 사이에 위치하고, 제2 발광제어 클록 신호 및 제1 발광제어 클록 신호의 사이 전압 레벨, 제2 발광제어 클록 신호의 전압 레벨, 및 제1 발광제어 클록 신호의 전압 레벨 중 하나에 해당하는 전압 레벨을 갖는 더미 신호가 인가될 수 있다.
실시예에 따르면, 제2 발광제어 클록 신호와 제1 발광제어 클록 신호의 전압 레벨이 서로 동일할 때, 제1 더미 패드(DP11)의 제1 더미 신호와 제2 더미 패드(DP12)의 제2 더미 신호는 전압 레벨이 서로 동일할 수 있다. 예를 들어, 시점(t2) 직전에, 제2 발광제어 클록 신호와 제1 발광제어 클록 신호의 전압 레벨이 하이 레벨로 동일할 때, 제1 더미 패드(DP11)의 제1 더미 신호와 제2 더미 패드(DP12)의 제2 더미 신호의 전압 레벨이 하이 레벨로 서로 동일함을 확인할 수 있다.
실시예에 따르면, 제2 발광제어 클록 신호의 전압 레벨이 상기 제1 발광제어 클록 신호의 전압 레벨보다 클 때, 제1 더미 패드(DP11)의 제1 더미 신호의 전압 레벨은 제2 더미 패드(DP12)의 제2 더미 신호의 전압 레벨보다 클 수 있다. 예를 들어, 시점(t2)에서, 제2 발광제어 클록 신호의 전압 레벨이 하이 레벨을 유지하고, 제1 발광제어 클록 신호가 로우 레벨로 변경되며, 이때 제1 더미 패드(DP11)의 제1 더미 신호는 제2 미들 레벨(mid2)이고, 제2 더미 패드(DP12)의 제2 더미 신호는 제1 미들 레벨(mid1)일 수 있다. 여기서 제2 미들 레벨(mid2)은 제1 미들 레벨(mid1)보다 전압 레벨이 높다.
실시예에 따르면, 제1 발광제어 클록 신호의 전압 레벨이 제2 발광제어 클록 신호의 전압 레벨보다 클 때, 제2 더미 패드(DP12)의 제2 더미 신호의 전압 레벨은 상기 제1 더미 패드(DP11)의 제1 더미 신호의 전압 레벨보다 클 수 있다. 예를 들어, 시점(t3)에서, 제2 발광제어 클록 신호가 로우 레벨로 변경되고, 제1 발광제어 클록 신호가 하이 레벨을 유지하며, 이때 제2 더미 패드(DP12)의 제2 더미 신호는 제2 미들 레벨이고, 제1 더미 패드(DP11)의 제1 더미 신호는 제1 미들 레벨일 수 있다.
이와 같이 제2 더미 패드(DP12)가 더 구비될 수 있는 경우, 인접한 더미 패드들(DP11, DP12) 간의 더미 신호들을 달리 구성함으로써 인접한 제어 패드들(CLKP_E2, CLKP_E1)에 인가되는 신호들의 전자기적 간섭이 더욱 완화될 수 있다. 또한 전술한 마이그레이션의 문제도 더 효과적으로 방지될 수 있다.
상술한 내용은 도 13의 다른 패드들에도 적용될수 있으므로, 도 15에 대한 중복된 설명은 생략한다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 16의 표시 장치(9")를 도 2의 표시 장치(9)와 비교했을 때, 표시 장치(9")는 제1 더미 라인(DPL")을 더 포함하는 점에서 차이가 있다.
제1 더미 라인(DPL")은 제1 더미 패드(DP)에 연결되고, 제1 제어 라인(L1) 및 제2 제어 라인(L2) 사이에 위치할 수 있다.
하지만, 제1 제어 라인(L1) 및 제2 제어 라인(L2)과는 달리, 제1 더미 라인(DPL")은 제1 주사 구동부(41) 및 제1 발광제어 구동부(51) 중 어느 하나와도 연결되지 않을 수 있다.
예를 들어, 제1 제어 라인(L1) 및 제2 제어 라인(L2)은 패드 영역(PDA"), 배선 영역, 비표시 영역(NDA)에 걸쳐 연장될 수 있다. 이때, 제1 더미 라인(DPL")은 패드 영역(PDA") 및 배선 영역에 걸쳐 연장될 수 있으나, 비표시 영역(NDA)에는 위치하지 않을 수 있다.
제1 제어 라인(L1) 및 제2 제어 라인(L2)은 상호 신호 간의 전자기적 간섭을 상쇄하기 위해서 배선 영역에서 최소한의 이격 거리를 확보할 필요가 있다. 본 실시예에 따른 제1 더미 라인(DPL")이 표시 장치(9")에 더 포함되는 경우, 이러한 이격 거리를 작게 할 수 있어 공간을 확보할 수 있는 장점이 있다.
다른 실시예에서, 제2 제어 패드(P2) 및 제1 더미 패드(DP) 사이에 제2 더미 패드가 더 구비될 수 있다. 또한, 제2 더미 패드로부터 연장되는 제2 더미 라인이 더 구비될 수 있다. 제2 더미 패드 및 제2 더미 라인에 대한 설명에 대해서는 도 13 내지 15의 설명을 참조한다.
도 17은 도 16의 실시예에 따른 패드들을 설명하기 위한 도면이다.
도 17은 도 16의 영역(IA")을 확대하여 도시한 도면이다.
영역(IA")에는 제어 라인들(CLK_E2, CLK_E1, FLM_E, CLK_S2a, CLK_S2b, FLM_S, CLK_S1a, CLK_S1b)과 연결된 제어 패드들(CLKP_E2, CLKP_E1, FLMP_E, CLKP_S2a, CLKP_S2b, FLMP_S, CLKP_S1a, CLKP_S1b) 및 더미 패드들(DP1, DP2, DP3, DP4, DP5)이 위치할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 영역(IA")에는 더미 패드들(DP1, DP2, DP3, DP4, DP5)로부터 연장되는 더미 라인들(DP1", DPL2", DPL3", DPL4", DPL5")이 더 포함될 수 있다.
지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
9: 표시 장치
SUB: 기판
DA: 표시 영역
NDA: 비표시 영역
ADA: 부가 영역
BAX: 벤딩 축
PDA: 패드 영역
PXij: 화소
41, 42: 주사 구동부
51, 52: 발광제어 구동부
L1, L2: 제어 라인
P1, P2: 제어 패드
DP: 더미 패드

Claims (18)

  1. 제1 제어 신호, 제2 제어 신호, 제3 제어 신호, 및 제4 제어 신호에 따라 데이터 신호에 대응하는 휘도로 발광하는 화소;
    상기 제1 제어 신호를 공급하는 제1 제어 라인과 연결된 제1 제어 패드;
    상기 제2 제어 신호를 공급하는 제2 제어 라인과 연결된 제2 제어 패드;
    상기 제1 제어 패드 및 상기 제2 제어 패드의 사이에 위치하고, 상기 제1 제어 신호 및 상기 제2 제어 신호의 사이 전압 레벨, 상기 제1 제어 신호의 전압 레벨, 및 상기 제2 제어 신호의 전압 레벨 중 하나에 해당하는 전압 레벨을 갖는 제1 더미 신호가 인가되는 제1 더미 패드;
    상기 제3 제어 신호를 공급하는 제3 제어 라인과 연결된 제3 제어 패드; 및
    상기 제4 제어 신호를 공급하는 제4 제어 라인과 연결된 제4 제어 패드를 포함하고,
    상기 제3 제어 라인 및 상기 제4 제어 라인은 동일한 전기적 노드에 접속되며, 상기 제3 제어 패드 및 상기 제4 제어 패드 사이에 더미 패드가 존재하지 않는,
    표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 더미 신호의 전압 레벨은 상기 제1 제어 신호 및 상기 제2 제어 신호의 평균 전압 레벨인,
    표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 더미 신호의 전압 레벨은 상기 제1 제어 신호 및 상기 제2 제어 신호 중 적어도 하나의 전압 레벨이 변경되는 경우에 변경되는,
    표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 더미 패드 및 상기 제2 제어 패드의 사이에 위치하고, 상기 제1 제어 신호 및 상기 제2 제어 신호의 사이 전압 레벨, 상기 제1 제어 신호의 전압 레벨, 및 상기 제2 제어 신호의 전압 레벨 중 하나에 해당하는 전압 레벨을 갖는 제2 더미 신호가 인가되는 제2 더미 패드를 더 포함하는
    표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 제어 신호와 상기 제2 제어 신호의 전압 레벨이 서로 동일할 때, 상기 제1 더미 신호와 상기 제2 더미 신호는 전압 레벨이 서로 동일한,
    표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 제어 신호의 전압 레벨이 상기 제2 제어 신호의 전압 레벨보다 클 때, 상기 제1 더미 신호의 전압 레벨은 상기 제2 더미 신호의 전압 레벨보다 큰,
    표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 제어 신호의 전압 레벨이 상기 제1 제어 신호의 전압 레벨보다 클 때, 상기 제2 더미 신호의 전압 레벨은 상기 제1 더미 신호의 전압 레벨보다 큰,
    표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 더미 패드에 연결되고, 상기 제1 제어 라인 및 상기 제2 제어 라인 사이에 위치하는 제1 더미 라인을 더 포함하는
    표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 화소가 위치한 표시 영역;
    상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역;
    상기 제1 제어 패드, 상기 제2 제어 패드, 및 상기 제1 더미 패드가 위치한 패드 영역; 및
    상기 비표시 영역과 상기 패드 영역 사이에 위치한 배선 영역을 더 포함하고,
    상기 제1 제어 라인 및 상기 제2 제어 라인은 상기 패드 영역, 상기 배선 영역, 및 상기 비표시 영역에 위치하고,
    상기 제1 더미 라인은 상기 패드 영역 및 상기 배선 영역에 위치하는,
    표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 화소에 상기 데이터 신호의 입력 여부를 결정하는 주사 신호를 공급하는 주사 구동부를 더 포함하고,
    상기 제1 제어 라인은 상기 주사 구동부에 연결된,
    표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 제어 라인은 상기 주사 구동부에 연결된,
    표시 장치.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 화소의 발광 시작 시점 및 발광 종료 시점을 결정하는 발광제어 신호를 공급하는 발광제어 구동부를 더 포함하고,
    상기 제2 제어 라인은 상기 발광제어 구동부에 연결된,
    표시 장치.
  13. 화소가 위치한 표시 영역;
    상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역;
    제1 제어 패드, 제2 제어 패드, 제1 더미 패드, 제3 제어 패드, 및 제4 제어 패드가 위치한 패드 영역; 및
    상기 비표시 영역과 상기 패드 영역 사이에 위치한 배선 영역을 포함하고,
    상기 제1 제어 패드로부터 연장되는 제1 제어 라인, 상기 제2 제어 패드로부터 연장되는 제2 제어 라인, 상기 제3 제어 패드로부터 연장되는 제3 제어 라인, 및 상기 제4 제어 패드로부터 연장되는 제4 제어 라인은 상기 패드 영역, 상기 배선 영역, 및 상기 비표시 영역에 위치하고,
    상기 제1 더미 패드로부터 연장되며 상기 제1 제어 라인 및 상기 제2 제어 라인 사이에 위치한 제1 더미 라인은 상기 패드 영역 및 상기 배선 영역에 위치하고,
    상기 제3 제어 라인 및 상기 제4 제어 라인은 동일한 전기적 노드에 접속되며, 상기 제3 제어 패드 및 상기 제4 제어 패드 사이에 더미 패드가 존재하지 않는,
    표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 비표시 영역에 위치하고, 주사 라인을 통해 상기 화소와 연결된 주사 구동부를 더 포함하고,
    상기 제1 제어 라인은 상기 주사 구동부에 연결된,
    표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제2 제어 라인은 상기 주사 구동부에 연결된,
    표시 장치.
  16. 제13 항에 있어서,
    상기 비표시 영역에 위치하고, 발광제어 라인을 통해 상기 화소와 연결된 발광제어 구동부를 더 포함하고,
    상기 제2 제어 라인은 상기 발광제어 구동부에 연결된,
    표시 장치.
  17. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 더미 패드 및 상기 제2 제어 패드 사이에 위치하는 제2 더미 패드를 더 포함하는
    표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제2 더미 패드로부터 연장되는 제2 더미 라인을 더 포함하는
    표시 장치.
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