KR102472950B1 - Cooling/heating combination device, adhesive film cutting assembly and adhesive film cutting equipment having the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시 예에 의한 냉각/가열 복합 장치는 웨이퍼가 안착되고, 상기 웨이퍼의 하면 상에 도포된 접착 필름을 냉각시키기 위한 냉각 수단이 내장된 지지 플레이트; 및 상기 지지 플레이트의 외주면을 따라 배치되고, 상기 접착 필름의 하면 상에 부착된 베이스 필름을 가열하기 위한 복수의 가열 수단들을 포함한다.A cooling/heating complex device according to an embodiment of the present invention includes a support plate on which a wafer is seated and a cooling means for cooling an adhesive film applied on a lower surface of the wafer; and a plurality of heating means disposed along an outer circumferential surface of the support plate and configured to heat a base film attached to a lower surface of the adhesive film.

Description

냉각/가열 복합 장치, 이를 구비하는 접착 필름 절단 어셈블리 및 접착 필름 절단 장비{Cooling/heating combination device, adhesive film cutting assembly and adhesive film cutting equipment having the same}Cooling/heating combination device, adhesive film cutting assembly and adhesive film cutting equipment having the same}

본 발명은 반도체 제조 장비에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 냉각/가열 복합 장치, 이를 구비하는 접착 필름 절단 어셈블리 및 접착 필름 절단 장비에 관한 것이다.The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to a cooling/heating composite device, an adhesive film cutting assembly having the same, and an adhesive film cutting equipment.

웨이퍼 한 장에는 동일한 전기회로가 인쇄된 반도체 칩이 수백 내지 수천 개가 구비된다. 이러한 웨이퍼는 이후의 다이 어태치 공정을 수행하기 위해 베이스 필름 상에 부착된 상태에서 칩 레벨로 쏘잉(sawing)되어 다수의 반도체 칩들로 개별화될 수 있다.Hundreds to thousands of semiconductor chips printed with identical electrical circuits are provided on one wafer. Such a wafer may be singulated into a plurality of semiconductor chips by being sawed at a chip level while attached to a base film in order to perform a subsequent die attach process.

이때, 베이스 필름에 접하는 웨이퍼의 표면 상에는 접착 필름이 도포되어 있으며, 웨이퍼를 다수의 반도체 칩들로 개별화하는 공정은 접착 필름을 절단하는 공정을 포함한다.At this time, an adhesive film is applied on the surface of the wafer in contact with the base film, and the process of individualizing the wafer into a plurality of semiconductor chips includes a process of cutting the adhesive film.

종래에는 접착 필름 절단 장비 내부에 접착 필름을 냉각하여 절단하는 냉각 챔버와 접착 필름 절단 후 베이스 필름의 늘어난 부분을 가열하여 수축시키기 위한 가열 장치가 별도로 구비되어 있고, 아울러, 접착 필름 절단 장비 외부에 냉각 챔버로 냉각 기체를 공급하기 위한 외부 장치 등이 장착되어 장비가 점유하는 증가하고, 접착 필름을 절단하기 위해 다수의 챔버들 간을 이송해야 하는 번거로움이 있었다.Conventionally, a cooling chamber for cooling and cutting the adhesive film inside the adhesive film cutting equipment and a heating device for heating and contracting the stretched portion of the base film after cutting the adhesive film are separately provided, and in addition, cooling is provided outside the adhesive film cutting equipment. An external device for supplying a cooling gas to the chamber is mounted, so the occupancy of the equipment increases, and there is a hassle of transporting between a plurality of chambers in order to cut the adhesive film.

본 발명의 실시 예는 접착 필름을 용이하게 절단할 수 있는 냉각 장치와 늘어난 베이스 필름을 수축시키기 위한 가열 장치를 통합한 냉각/가열 복합 장치, 이를 구비하는 접착 필름 절단 어셈블리 및 접착 필름 절단 장비를 제공하는 것이다.An embodiment of the present invention provides a cooling/heating composite device incorporating a cooling device capable of easily cutting an adhesive film and a heating device for contracting a stretched base film, an adhesive film cutting assembly having the same, and an adhesive film cutting device. is to do

본 발명의 실시 예에 의한 냉각/가열 복합 장치는 웨이퍼가 안착되고, 상기 웨이퍼의 하면 상에 도포된 접착 필름을 냉각시키기 위한 냉각 수단이 내장된 지지 플레이트; 및 상기 지지 플레이트의 외주면을 따라 배치되고, 상기 접착 필름의 하면 상에 부착된 베이스 필름을 가열하기 위한 복수의 가열 수단들을 포함한다.A cooling/heating complex device according to an embodiment of the present invention includes a support plate on which a wafer is seated and a cooling means for cooling an adhesive film applied on a lower surface of the wafer; and a plurality of heating means disposed along an outer circumferential surface of the support plate and configured to heat a base film attached to a lower surface of the adhesive film.

본 발명의 실시 예에 의한 접착 필름 절단 어셈블리는 웨이퍼가 안착되고, 상기 웨이퍼의 하면 상에 도포된 접착 필름을 냉각시키기 위한 냉각 수단이 내장된 지지 플레이트 및 상기 지지 플레이트의 외주면을 따라 배치되고, 상기 접착 필름의 하면 상에 부착된 베이스 필름을 가열하기 위한 복수의 가열 수단들을 포함하는 냉각/가열 복합 장치; 및 상기 냉각/가열 복합 장치에 인접하여 배치되고, 상기 웨이퍼 상에 광을 조사하는 광 조사 장치를 포함한다.An adhesive film cutting assembly according to an embodiment of the present invention includes a support plate on which a wafer is seated and a cooling means for cooling the adhesive film applied on the lower surface of the wafer and disposed along an outer circumferential surface of the support plate. a cooling/heating composite device including a plurality of heating means for heating the base film attached to the lower surface of the adhesive film; and a light irradiation device disposed adjacent to the cooling/heating composite device and irradiating light onto the wafer.

본 발명의 실시 예에 의한 접착 필름 절단 장비는 제1 방향으로 이격 배치된 복수의 접착 필름 절단 어셈블리들을 포함한다. 각 접착 필름 절단 어셈블리는 상기 제1 방향에 수직하는 제2 방향으로 배치된 냉각/가열 복합 장치 및 광 조사 장치를 포함하고, 상기 냉각/가열 복합 장치는 웨이퍼가 안착되고, 상기 웨이퍼의 하면 상에 도포된 접착 필름을 냉각시키기 위한 냉각 장치가 내장된 지지 플레이트 및 상기 지지 플레이트의 외주면을 따라 이격 배치되고, 상기 접착 필름의 하면 상에 부착된 베이스 필름을 가열시키는 복수의 가열기들을 포함한다.An adhesive film cutting device according to an embodiment of the present invention includes a plurality of adhesive film cutting assemblies spaced apart from each other in a first direction. Each adhesive film cutting assembly includes a cooling/heating composite device and a light irradiation device disposed in a second direction perpendicular to the first direction, wherein the cooling/heating composite device has a wafer on which a wafer is placed, and is disposed on a lower surface of the wafer. A cooling device for cooling the applied adhesive film includes a built-in support plate and a plurality of heaters spaced apart along an outer circumferential surface of the support plate and heating a base film attached to a lower surface of the adhesive film.

본 실시 예에 따르면, 접착 필름의 절단을 위한 냉각 공정 및 베이스 필름의 수축을 위한 가열 공정이 하나의 장치에서 수행될 수 있으므로, 장비의 사이즈를 줄일 수 있다.According to this embodiment, since the cooling process for cutting the adhesive film and the heating process for shrinking the base film can be performed in one device, the size of the equipment can be reduced.

또한, 냉각 공정의 냉각 장치와 광 조사 공정의 광 조사 장치에 필요한 외부 제어 장치를 소형화하여 장비 내부에 장착할 수 있으므로, 외부 제어 장치를 제거할 수 있어 장비의 총 면적을 줄일 수 있다.In addition, since the external control device required for the cooling device of the cooling process and the light irradiation device of the light irradiation process can be miniaturized and mounted inside the equipment, the external control device can be removed, thereby reducing the total area of the equipment.

또한, 냉각/가열 복합 장치, 웨이퍼 세정 장치, 및 광 조사 장치가 일렬로 배치되어 있으므로, 웨이퍼의 이송 단계가 단순화되어 공정 시간이 단축될 수 있다.In addition, since the cooling/heating complex device, the wafer cleaning device, and the light irradiation device are arranged in a line, the wafer transfer step is simplified and the process time can be shortened.

또한, 하나의 장비 내에 접착 필름 절단 공정을 수행하는 복수의 장치를 구비할 수 있으므로, 동일 시간 내 생산량의 향상을 가져올 수 있다.In addition, since a plurality of devices for performing the adhesive film cutting process may be provided in one equipment, it is possible to improve the yield within the same time.

도 1은 본 발명의 실시 예에 의한 접착 필름 절단 장비를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 의한 냉각/가열 복합 장치를 예시적으로 도시한 도면이다.
도 3a는 본 발명의 실시 예에 의한 냉각/가열 복합 장치의 복수의 가열 수단들을 예시적으로 도시한 도면이다.
도 3b는 본 발명의 실시 예에 의한 냉각/가열 복합 장치의 복수의 가열 수단들이 베이스 필름의 늘어진 부분을 가열하는 것을 예시적으로 도시한 도면이다.
도 3c는 본 발명의 실시 예에 의한 냉각/가열 복합 장치에서 접착 필름의 냉각, 접착 필름의 절단, 및 베이스 필름의 수축이 진행되는 과정을 예시적으로 도시한 도면이다.
도 4a는 본 발명의 실시 예에 의한 광 조사 장치를 예시적으로 도시한 도면이다.
도 4b는 본 발명의 실시 예에 의한 광 조사 장치에서 웨이퍼에 대한 광 조사 공정이 수행되는 것을 예시적으로 도시한 도면이다.1 is a diagram schematically showing an adhesive film cutting device according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing an exemplary cooling/heating composite device according to an embodiment of the present invention.
3A is a diagram exemplarily illustrating a plurality of heating means of a cooling/heating composite device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3B is a diagram exemplarily illustrating that a plurality of heating means of a cooling/heating composite device according to an embodiment of the present invention heats a stretched portion of a base film.
FIG. 3C is a diagram illustratively illustrating processes of cooling the adhesive film, cutting the adhesive film, and shrinking the base film in the cooling/heating complex device according to an embodiment of the present invention.
4A is a diagram exemplarily illustrating a light irradiation device according to an embodiment of the present invention.
4B is a diagram exemplarily illustrating that a light irradiation process for a wafer is performed in a light irradiation device according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 기술의 실시 예를 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present technology will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예에 의한 접착 필름 절단 장비(10)를 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a diagram schematically showing an adhesive film cutting device 10 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시 예에 의한 접착 필름 절단 장비(10)는 하나 또는 그 이상의 접착 필름 절단 어셈블리들(CA1 ~ CAn)을 포함할 수 있다. 복수의 접착 필름 절단 어셈블리들(CA1 ~ CAn)은 제1 방향으로 나열될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.Referring to FIG. 1 , the adhesive film cutting device 10 according to the present embodiment may include one or more adhesive film cutting assemblies CA1 to CAn. The plurality of adhesive film cutting assemblies CA1 to CAn may be arranged in the first direction, but are not particularly limited thereto.

각 접착 필름 절단 어셈블리(CA)는 도 1에 도시된 바와 같이, 냉각/가열 복합 장치(100), 웨이퍼 세정 장치(200), 및 광 조사 장치(300)를 포함할 수 있다. 본 실시 예에서, 냉각/가열 복합 장치(100), 웨이퍼 세정 장치(200), 및 광 조사 장치(300)는 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 배치될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.As shown in FIG. 1 , each adhesive film cutting assembly CA may include a cooling/heating complex device 100 , a wafer cleaning device 200 , and a light irradiation device 300 . In this embodiment, the cooling/heating complex device 100, the wafer cleaning device 200, and the light irradiation device 300 may be disposed in a second direction perpendicular to the first direction, but are not particularly limited thereto. not.

각 접착 필름 절단 어셈블리(CA)의 투입구 및 배출구는 도 1에 도시한 바와 같이, 각각 광 조사 장치(300) 측에 구비될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 이전 공정이 완료된 웨이퍼(W)는 접착 필름 절단 어셈블리(CA)의 광 조사 장치(300) 측에 구비된 투입구를 통해 투입되어 냉각/가열 복합 장치(100), 웨이퍼 세정 장치(200), 및 광 조사 장치(300) 순서로 이송 및 처리된 후 광 조사 장치(300) 측에 구비된 배출구를 통해 외부로 배출될 수 있다.As shown in FIG. 1 , the inlet and outlet of each adhesive film cutting assembly CA may be provided on the side of the light irradiation device 300, but are not particularly limited thereto. For example, the wafer (W) on which the previous process has been completed is introduced through an inlet provided on the side of the light irradiation device 300 of the adhesive film cutting assembly (CA), and is introduced into the cooling/heating complex device 100 and the wafer cleaning device 200. ), and after being transported and processed in the order of the light irradiation device 300, it may be discharged to the outside through an outlet provided on the side of the light irradiation device 300.

도 1에는 광 조사 장치(300)로 이전 공정이 완료된 웨이퍼(W)가 투입된 상태를 도시하였다. 웨이퍼(W)는 링프레임(1)에 고정된 베이스 필름(BF) 상에 부착된 상태일 수 있다. 웨이퍼(W)와 베이스 필름(BF) 사이 즉, 웨이퍼(W)의 하면에는 접착 필름(AF)이 형성될 수 있다. FIG. 1 shows a state in which the wafer W, the previous process of which has been completed, is loaded into the light irradiation device 300 . The wafer W may be attached to the base film BF fixed to the ring frame 1 . An adhesive film AF may be formed between the wafer W and the base film BF, that is, on the lower surface of the wafer W.

도 1에 도시한 바와 같이, 광 조사 장치(300)측으로 투입된 웨이퍼(W)는 화살표로 표시한 것처럼 먼저 냉각/가열 복합 장치(100)로 이송될 수 있다. 이때, 웨이퍼(W)가 안착 및 고정된 링프레임(1)이 냉각/가열 복합 장치(100)로 이송될 수 있다.As shown in FIG. 1 , the wafer W loaded into the light irradiation device 300 may first be transferred to the cooling/heating complex device 100 as indicated by an arrow. At this time, the ring frame 1 on which the wafer W is seated and fixed may be transferred to the cooling/heating complex device 100 .

도면의 간략화를 위해 도 1에는 도시하지 않았으나, 각 접착 필름 절단 어셈블리(CA)는 광 조사 장치(300)로부터 냉각/가열 복합 장치(100)로 웨이퍼(W)가 안착된 링프레임(1)을 이송하기 위한 이송 수단(도시되지 않음)이 구비될 수 있음은 당업자에게 자명할 것이다. 또한, 도 1에는 도시하지 않았으나, 접착 필름 절단 장비(10)의 제반 동작들을 제어하기 위한 컨트롤러(도시되지 않음)가 구비될 수 있음 역시 당업자에게 자명할 것이다.Although not shown in FIG. 1 for simplification of the drawing, each adhesive film cutting assembly CA moves the ring frame 1 on which the wafer W is seated from the light irradiation device 300 to the cooling/heating complex device 100. It will be apparent to those skilled in the art that a transport means (not shown) may be provided for transport. In addition, although not shown in FIG. 1, it will be apparent to those skilled in the art that a controller (not shown) may be provided to control various operations of the adhesive film cutting equipment 10.

컨트롤러는 접착 필름 절단 장비(10)의 각 접착 필름 절단 어셈블리(CA)에 포함된 냉각/가열 복합 장치(100), 웨이퍼 세정 장치(200), 및 광 조사 장치(300) 각각의 구동을 제어할 수 있다. 다시 말해, 각 접착 필름 절단 어셈블리(CA)에 포함된 냉각/가열 복합 장치(100), 웨이퍼 세정 장치(200), 및 광 조사 장치(300) 각각의 동작은 컨트롤러에 의해 제어될 수 있다.The controller controls the driving of each of the cooling/heating composite device 100, the wafer cleaning device 200, and the light irradiation device 300 included in each adhesive film cutting assembly CA of the adhesive film cutting equipment 10. can In other words, each operation of the cooling/heating composite device 100, the wafer cleaning device 200, and the light irradiation device 300 included in each adhesive film cutting assembly CA may be controlled by a controller.

도 2는 본 발명의 실시 예에 의한 냉각/가열 복합 장치를 예시적으로 도시한 도면이다. 설명의 편의를 위해, 도 2에서는 냉각/가열 복합 장치 상에 웨이퍼(W)가 안착된 상태를 도시하였다. 이때, 웨이퍼(W)는 복수의 다이(D)들로 개별화된 상태일 수 있으며, 접착 필름(AF)은 절단되지 않은 상태일 수 있다.2 is a view showing an exemplary cooling/heating composite device according to an embodiment of the present invention. For convenience of description, FIG. 2 illustrates a state in which the wafer W is placed on the cooling/heating composite device. In this case, the wafer W may be in a state of being individualized into a plurality of dies D, and the adhesive film AF may be in an uncut state.

즉, 본 실시 예에 의한 냉각/가열 복합 장치(100)에서는 웨이퍼(W) 하면 상의 접착 필름(AF)을 다이(D)별로 절단하는 공정이 진행될 수 있다.That is, in the cooling/heating composite device 100 according to the present embodiment, a process of cutting the adhesive film AF on the lower surface of the wafer W for each die D may be performed.

도 2를 참조하면, 본 실시 예에 의한 냉각/가열 복합 장치(100)는 지지 플레이트(110), 냉각 수단(120), 및 가열 수단(130)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the cooling/heating combination device 100 according to the present embodiment may include a support plate 110 , a cooling unit 120 , and a heating unit 130 .

지지 플레이트(110) 상에는 웨이퍼(W)가 안착될 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼(W)는 그 하면에 부착된 베이스 필름(BF)이 지지 플레이트(110) 상에 접하도록 지지 플레이트(110) 상에 안착될 수 있다. 지지 플레이트(110)는 베이스 필름(BF)을 늘이기 위해 상승할 수 있고, 원 위치로의 복귀를 위해 하강하도록 구성될 수 있다. 도면 상에 도시하지는 않았으나, 냉각/가열 복합 장치(100)는 지지 플레이트(110)의 상승 및 하강을 위한 구동부(도시되지 않음)를 더 포함할 수 있으며, 냉각/가열 복합 장치(100)의 구동부는 컨트롤러의 제어에 따라 지지 플레이트(110)를 상승 및 하강시키도록 구동될 수 있다.A wafer W may be placed on the support plate 110 . For example, the wafer W may be seated on the support plate 110 so that the base film BF attached to the lower surface thereof comes into contact with the support plate 110 . The support plate 110 may rise to stretch the base film BF and may descend to return to its original position. Although not shown, the cooling/heating composite device 100 may further include a driving unit (not shown) for raising and lowering the support plate 110, and the driving unit of the cooling/heating composite device 100 may be driven to raise and lower the support plate 110 under the control of the controller.

냉각 수단(120)은 지지 플레이트(110) 내에 임베디드(embedded)될 수 있다. 본 실시 예에서 냉각 수단(120)은 열전 소자(thermoelement)를 포함할 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 본 실시 예에서 냉각 수단(120)은 컨트롤러의 제어에 의해 구동되어 지지 플레이트(110)의 표면 상에 안착된 베이스 필름(BF) 상의 접착 필름(AF)을 직접적으로 냉각시킬 수 있다. 냉각된 접착 필름(AF)은 신축성이 현저히 감소하므로, 이후에 베이스 필름(BF)을 늘임에 따라 용이하게 절단될 수 있다.The cooling means 120 may be embedded in the support plate 110 . In this embodiment, the cooling means 120 may include a thermoelectric element (thermoelement), but is not particularly limited thereto. In this embodiment, the cooling means 120 is driven by the control of the controller to directly cool the adhesive film AF on the base film BF seated on the surface of the support plate 110 . Since the elasticity of the cooled adhesive film AF is remarkably reduced, it can be easily cut as the base film BF is subsequently stretched.

즉, 접착 필름(AF)이 냉각된 후 지지 플레이트(110)를 상승시키면, 접착 필름(AF)은 늘어나는 베이스 필름(BF)에 의해 각 다이(D) 별로 대응하도록 절단될 수 있다(도 3C 참조).That is, when the support plate 110 is raised after the adhesive film AF is cooled, the adhesive film AF may be cut to correspond to each die D by the extending base film BF (see FIG. 3C ). ).

가열 수단(130)은 지지 플레이트(110)의 외주면을 따라 배치될 수 있다. 본 실시 예에서 가열 수단(130)은 복수 개일 수 있다. 예를 들어, 본 실시 예에 의한 냉각/가열 복합 장치(100)는 도 3a에 도시한 바와 같이, 지지 플레이트(110)의 외주면을 따라 이격 배치된 복수의 가열 수단(130)들을 포함할 수 있다. 배치되는 가열 수단(130)들의 개수는 특별히 한정되지 않는다.The heating unit 130 may be disposed along the outer circumferential surface of the support plate 110 . In this embodiment, the number of heating means 130 may be plural. For example, the cooling/heating combination device 100 according to the present embodiment may include a plurality of heating means 130 spaced apart from each other along the outer circumferential surface of the support plate 110, as shown in FIG. 3A. . The number of heating means 130 to be disposed is not particularly limited.

도 2를 참조하면, 측면상에서 각 가열 수단(130)은 경사진 형태로 배치될 수 있다. 예를 들어, 각 가열 수단(130)은 지지 플레이트(110)의 측면으로부터 멀어질수록 베이스 필름(BF)과의 거리가 가까워지도록 경사진 형태로 배치될 수 있다. 그러나, 가열 수단(130)의 배치 형태는 특별히 이에 한정되지 않으며, 지지 플레이트(110)의 표면에 평행하게 배치될 수도 있다.Referring to FIG. 2 , each heating means 130 may be disposed in an inclined shape on a side surface. For example, each heating means 130 may be disposed in an inclined shape such that the distance from the base film BF decreases as the distance from the side of the support plate 110 increases. However, the arrangement of the heating means 130 is not particularly limited thereto, and may be arranged parallel to the surface of the support plate 110 .

또한, 각 가열 수단(130)은 지지부(135)에 의해 지지될 수 있다. 지지부(135)는 지지 플레이트(110)의 측면에 평행한 방향으로 연장될 수 있다. 도 2에 도시되지는 않았으나, 지지부(135)의 하단에 결합된 회전 블록(도시되지 않음)을 더 포함할 수 있으며, 이에 따라, 지지부(135)들은 지지 플레이트(110)의 외주면을 따라 일 방향 또는 양 방향으로 회전할 수 있다.In addition, each heating unit 130 may be supported by a support 135 . The support part 135 may extend in a direction parallel to the side surface of the support plate 110 . Although not shown in FIG. 2 , a rotation block (not shown) coupled to the lower end of the support part 135 may be further included, and thus, the support part 135 may move in one direction along the outer circumferential surface of the support plate 110 . Or it can rotate in both directions.

각 가열 수단(130)은 베이스 필름(BF)을 가열하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 도 3b에 도시한 바와 같이, 가열 수단(130)은 접착 필름(AF)의 절단 후 베이스 필름(BF)의 늘어난 부분을 가열할 수 있다. 본 실시 예에서 가열 수단(130)은 원적외선 복사(far infrared radiation) 방식의 가열 수단을 포함할 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.Each heating means 130 may be configured to heat the base film BF. For example, as shown in FIG. 3B , the heating unit 130 may heat an extended portion of the base film BF after cutting the adhesive film AF. In this embodiment, the heating means 130 may include a far infrared radiation type heating means, but is not particularly limited thereto.

도 3b에 도시한 바와 같이, 본 실시 예에 의한 냉각/가열 복합 장치(100)는 가열 수단(130)을 베이스 필름(BF)의 하부의 베이스 필름(BF)에서 수축이 필요한 부분에 배치시킴에 따라, 베이스 필름(BF)과 접착 필름(AF) 사이가 가열되어 접착 필름(AF)이 경화되는 문제를 방지할 수 있다.As shown in FIG. 3B, in the cooling/heating complex device 100 according to the present embodiment, the heating means 130 is disposed at a portion requiring shrinkage in the base film BF below the base film BF. Accordingly, a problem in which the adhesive film AF is hardened due to heating between the base film BF and the adhesive film AF may be prevented.

도 3c는 본 발명의 실시 예에 의한 냉각/가열 복합 장치에서 접착 필름의 냉각, 접착 필름의 절단, 및 베이스 필름의 수축이 진행되는 과정을 예시적으로 도시한 도면이다.FIG. 3C is a diagram illustratively illustrating processes of cooling the adhesive film, cutting the adhesive film, and shrinking the base film in the cooling/heating complex device according to an embodiment of the present invention.

도 3c를 참조하면, 본 실시 예에 의한 냉각/가열 복합 장치(100)의 지지 플레이트(110) 상에 웨이퍼(W)가 안착되면, 컨트롤러의 제어에 의해 지지 플레이트(110)의 내부에 내장된 냉각 수단(120)이 구동되어 지지 플레이트(110) 상에 안착된 웨이퍼(W)의 하면에 형성된 접착 필름(AF)이 냉각될 수 있다.Referring to FIG. 3C , when the wafer W is placed on the support plate 110 of the cooling/heating complex device 100 according to the present embodiment, the controller controls the inside of the support plate 110. The cooling unit 120 may be driven to cool the adhesive film AF formed on the lower surface of the wafer W seated on the support plate 110 .

이후, 컨트롤러의 제어에 의해 지지 플레이트(110)가 화살표 방향으로 상승함에 따라, 베이스 필름(BF)이 익스팬딩(expanding)될 수 있다. 이때, 냉각됨에 따라 신축성(또는 탄력성)이 매우 저하된 접착 필름(AF)은 각 다이(D) 별로 절단될 수 있다.Thereafter, as the support plate 110 rises in the direction of the arrow under the control of the controller, the base film BF may be expanded. At this time, the adhesive film AF, whose elasticity (or elasticity) is greatly reduced as it cools, may be cut for each die D.

이후, 컨트롤러의 제어에 의해 지지 플레이트(110)가 화살표 방향으로 하강하여 원 위치로 복귀할 수 있다. 이때, 지지 플레이트(110)의 상승에 의해 지지 플레이트(110)의 표면 외측의 베이스 필름(BF)이 늘어나게 된다. 컨트롤러는 지지 플레이트(110)의 외주면을 따라 배치된 복수의 가열 수단(130)들을 구동시켜 베이스 필름(BF)의 늘어난 부분을 가열할 수 있고, 그 결과, 베이스 필름(BF)의 해당 부분은 수축될 수 있다.Then, under the control of the controller, the support plate 110 may descend in the direction of the arrow and return to its original position. At this time, the base film BF outside the surface of the support plate 110 is stretched by the elevation of the support plate 110 . The controller may heat the stretched portion of the base film BF by driving the plurality of heating means 130 disposed along the outer circumferential surface of the support plate 110, and as a result, the corresponding portion of the base film BF shrinks. It can be.

웨이퍼 세정 장치(200)는 도 1에 도시된 바와 같이, 냉각/가열 복합 장치(100)와 광 조사 장치(300) 사이에 배치될 수 있다. 냉각/가열 복합 장치(100)에서 접착 필름 절단 공정이 수행된 웨이퍼(W)는 화살표로 표시한 바와 같이 웨이퍼 세정 장치(200)로 이송될 수 있다. 접착 필름 절단 공정이 수행됨에 따라 발생된 잔여물 등이 웨이퍼 세정 장치(200)에서 세정되어 제거될 수 있다.As shown in FIG. 1 , the wafer cleaning device 200 may be disposed between the cooling/heating complex device 100 and the light irradiation device 300 . The wafer W, after which the adhesive film cutting process has been performed in the cooling/heating complex device 100, may be transferred to the wafer cleaning device 200 as indicated by an arrow. Residues generated as the adhesive film cutting process is performed may be cleaned and removed in the wafer cleaning device 200 .

도 1에 구체적으로 도시하지는 않았으나, 웨이퍼 세정 장치(200)는 웨이퍼(W) 상으로 세정액을 분사하기 위한 세정액 분사 노즐(도시되지 않음) 및 웨이퍼(W) 상으로 에어를 분사하여 웨이퍼(W)를 건조시키기 위한 에어 분사 노즐(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 웨이퍼 세정 장치(200)의 구성 및 동작 등은 당 기술 분야에서 공지된 기술이므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.Although not specifically shown in FIG. 1 , the wafer cleaning device 200 includes a cleaning liquid spray nozzle (not shown) for spraying a cleaning liquid onto the wafer W and spraying air onto the wafer W to clean the wafer W. It may include an air spray nozzle (not shown) for drying. Since the configuration and operation of the wafer cleaning apparatus 200 are well known in the art, a detailed description thereof will be omitted.

광 조사 장치(300)는 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 광원부(315)들을 포함하는 광원모듈(310)을 포함할 수 있다. 광원 모듈(310)은 웨이퍼(W)의 진행 방향에 수직하는 방향으로 연장하는 바(bar) 형상을 가질 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 도 1에 도시되지는 않았으나, 광 조사 장치(300)는 광원모듈(310)에 인접하도록 배치된 센서(도시되지 않음)를 더 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1 , the light irradiation device 300 may include a light source module 310 including a plurality of light source units 315 . The light source module 310 may have a bar shape extending in a direction perpendicular to the moving direction of the wafer W, but is not particularly limited thereto. Although not shown in FIG. 1 , the light irradiation device 300 may further include a sensor (not shown) disposed adjacent to the light source module 310 .

복수의 광원부(315)들은 일정 간격으로 이격 배치될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 각 광원부(315)는 자외선을 방출하는 LED 즉, UV LED를 포함할 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.The plurality of light source units 315 may be spaced apart at regular intervals, but are not particularly limited thereto. Each light source unit 315 may include an LED that emits ultraviolet light, that is, a UV LED, but is not particularly limited thereto.

광원모듈(310)은 웨이퍼 세정 장치(200)에 인접하게 배치될 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼 세정 장치(200)에서 세정 공정이 완료된 웨이퍼(W)가 웨이퍼 세정 장치(200)로부터 광 조사 장치(300)로 이송되면서 광원모듈(310)의 광원부(315)에 의해 접착 필름(AF)이 경화될 수 있다. 접착 필름(AF)이 경화됨에 따라, 접착 필름(AF)과 베이스 필름(BF)간의 점착력이 약화되어 후속 공정에서 베이스 필름(BF)으로부터 용이하게 다이(D)를 픽업할 수 있다.The light source module 310 may be disposed adjacent to the wafer cleaning apparatus 200 . Accordingly, while the wafer W after the cleaning process in the wafer cleaning device 200 is transferred from the wafer cleaning device 200 to the light irradiation device 300, the adhesive film ( AF) can be cured. As the adhesive film AF is cured, the adhesive force between the adhesive film AF and the base film BF is weakened, so that the die D can be easily picked up from the base film BF in a subsequent process.

도 4a에 도시된 바와 같이, 복수의 광원부(315)들은 웨이퍼(W)의 이송 방향에 수직하는 방향으로 길게 나열될 수 있다. 웨이퍼(W)가 화살표 방향으로 이송되면, 광원모듈(310)에 인접하도록 배치된 센서(도시되지 않음)에 의해 웨이퍼(W)의 이송이 검출될 수 있다.As shown in FIG. 4A , the plurality of light source units 315 may be long in a direction perpendicular to the transport direction of the wafer W. When the wafer W is transferred in the direction of the arrow, the transfer of the wafer W may be detected by a sensor (not shown) disposed adjacent to the light source module 310 .

광원모듈(310)의 광원부(315)들 중 웨이퍼(W)와 수직으로 중첩하는 광원부(315)들은 점등되고, 웨이퍼(W)와 수직으로 중첩하지 않는 광원부(315)들은 점등되지 않을 수 있다. 즉, 센서로부터 수신된 신호에 근거하여 컨트롤러는 웨이퍼(W) 상에 위치한 광원부(315)들만 점등되도록 광원모듈(310)을 제어할 수 있다.Of the light source units 315 of the light source module 310, light source units 315 vertically overlapping the wafer W may be turned on, and light source units 315 not vertically overlapping the wafer W may not be turned on. That is, based on the signal received from the sensor, the controller may control the light source module 310 so that only the light source units 315 located on the wafer W are turned on.

도 4b는 본 발명의 실시 예에 의한 광 조사 장치에서 웨이퍼에 대한 광 조사 공정이 수행되는 것을 예시적으로 도시한 도면이다. 본 실시 예에서는 웨이퍼(W)가 원 형상을 갖는 것으로 도시하였으나, 원이 아닌 다양한 형상을 갖는 웨이퍼(W)에도 적용될 수 있을 것이다.4B is a diagram exemplarily illustrating that a light irradiation process for a wafer is performed in a light irradiation device according to an embodiment of the present invention. Although the wafer W is illustrated as having a circular shape in the present embodiment, it may be applied to wafers W having various shapes other than a circle.

중심부로 갈수록 직경이 증가하고 가장자리부로 갈수록 직경이 감소하는 원 형상의 웨이퍼(W)가 화살표 방향으로 이송하여 웨이퍼(W)의 가장자리부가 광원모듈(310)과 수직으로 중첩되면, 광원모듈(310)의 중심부에 위치한 광원부(315)들만 점등될 수 있다. 이후, 웨이퍼(W)가 화살표 방향으로 더 이송되어 웨이퍼(W)의 중심부가 광원모듈(310)과 수직으로 중첩되면, 광원모듈(310)에 포함된 모든 광원부(315)들이 점등될 수 있다. 이후, 웨이퍼(W)가 화살표 방향으로 더 이송되어 웨이퍼(W)의 가장자리부가 광원모듈(310)과 수직으로 중첩되면, 다시 광원모듈(310)의 중심부에 위치한 광원부(315)들만 점등될 수 있다.When the circular wafer (W), the diameter of which increases toward the center and decreases toward the edge, is transferred in the direction of the arrow and vertically overlaps the edge of the wafer (W) with the light source module 310, the light source module 310 Only the light source units 315 located in the center of may be turned on. Thereafter, when the wafer W is further transferred in the direction of the arrow so that the central portion of the wafer W vertically overlaps the light source module 310, all light source units 315 included in the light source module 310 may be turned on. Thereafter, when the wafer W is further transferred in the direction of the arrow and the edge portion of the wafer W vertically overlaps the light source module 310, only the light source units 315 located in the center of the light source module 310 can be turned on again. .

이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.As such, those skilled in the art to which the present invention pertains will be able to understand that the present invention may be embodied in other specific forms without changing its technical spirit or essential features. Therefore, the embodiments described above should be understood as illustrative in all respects and not limiting. The scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description above, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be interpreted as being included in the scope of the present invention. do.

10: 접착 필름 절단 장비 100: 냉각/가열 복합 장치
200: 웨이퍼 세정 장치 300: 광 조사 장치10: adhesive film cutting equipment 100: cooling / heating complex device
200: wafer cleaning device 300: light irradiation device

Claims (16)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 웨이퍼가 안착되고, 상기 웨이퍼의 하면 상에 도포된 접착 필름을 냉각시키기 위한 냉각 수단으로 열전 소자가 내장된 지지 플레이트 및 상기 지지 플레이트의 외주면을 따라 측면으로부터 멀어질 수록 베이스 필름(BF)과의 거리가 가까워지도록 경사진 형태로 배치되고, 상기 접착 필름의 하면 상에 부착된 베이스 필름을 가열하기 위한 복수의 가열 수단들을 포함하는 냉각/가열 복합 장치;
상기 냉각/가열 복합 장치에 인접하여 배치되고, 상기 웨이퍼 상에 광을 조사하는 광 조사 장치; 및
상기 냉각/가열 복합 장치와 상기 광 조사 장치 사이에 배치된 웨이퍼 세정 장치;를 포함하고,
상기 냉각/가열 복합 장치, 상기 웨이퍼 세정 장치 및 상기 광 조사 장치는 일렬로 배치되고,
상기 웨이퍼는,
상기 냉각/가열 복합 장치로 이송되어 상기 접착 필름이 다이별로 절단되고, 상기 냉각/가열 복합 장치로부터 상기 웨이퍼 세정 장치로 이송되어 세정되며, 상기 웨이퍼 세정 장치로부터 상기 광 조사 장치로 이송되어 상기 접착 필름이 경화되는 처리를 각각 받은 다음 외부로 배출되고,
상기 광 조사 장치는,
상기 접착 필름을 경화시키기 위해 상기 웨이퍼의 이송 방향에 수직하는 방향으로 길게 나열된 복수의 광원부들을 포함하는 광원모듈 및 상기 광원모듈에 인접하도록 배치되고 상기 웨이퍼의 이송을 검출하는 센서를 포함하며, 상기 웨이퍼가 이송되면 상기 웨이퍼와 수직으로 중첩하는 광원부들을 점등하고, 상기 웨이퍼와 수직으로 중첩하지 않는 광원부들은 점등되지 않도록 하는 필름 절단 어셈블리.The distance between the support plate on which the wafer is seated and the thermoelectric element embedded as a cooling means for cooling the adhesive film applied on the lower surface of the wafer and the base film (BF) along the outer circumferential surface of the support plate as it moves away from the side surface. a cooling/heating composite device including a plurality of heating means for heating the base film attached to the lower surface of the adhesive film;
a light irradiation device disposed adjacent to the cooling/heating composite device and irradiating light onto the wafer; and
A wafer cleaning device disposed between the cooling/heating complex device and the light irradiation device;
The cooling/heating complex device, the wafer cleaning device, and the light irradiation device are arranged in a line,
The wafer,
Transferred to the cooling/heating complex device, the adhesive film is cut for each die, transported from the cooling/heating complex device to the wafer cleaning device, and cleaned, transferred from the wafer cleaning device to the light irradiation device, and the adhesive film After receiving this hardening treatment, it is discharged to the outside,
The light irradiation device,
A light source module including a plurality of light source units arranged in a direction perpendicular to the transfer direction of the wafer to cure the adhesive film, and a sensor disposed adjacent to the light source module and detecting transfer of the wafer, wherein the wafer When is transported, light source units that overlap vertically with the wafer are turned on, and light source units that do not vertically overlap with the wafer are not turned on. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1 방향으로 이격 배치된 복수의 접착 필름 절단 어셈블리들을 포함하고,
각 접착 필름 절단 어셈블리는,
상기 제1 방향에 수직하는 제2 방향으로 일렬로 배치되는 냉각/가열 복합 장치, 웨이퍼 세정 장치 및 광 조사 장치를 포함하여 웨이퍼를 이송 및 처리하고,
상기 냉각/가열 복합 장치는,
웨이퍼가 안착되고, 상기 웨이퍼의 하면 상에 도포된 접착 필름을 냉각시키기 위한 냉각 수단으로 열전 소자가 내장된 지지 플레이트 및 상기 지지 플레이트의 외주면을 따라 측면으로부터 멀어질수록 베이스 필름(BF)과의 거리가 가까워지도록 경사진 형태로 배치되고, 상기 접착 필름의 하면 상에 부착된 베이스 필름을 가열하기 위한 복수의 가열 수단들을 포함하고,
상기 광 조사 장치는,
상기 접착 필름을 경화시키기 위해 상기 웨이퍼의 이송 방향에 수직하는 방향으로 길게 나열된 복수의 광원부들을 포함하여 상기 웨이퍼 상에 광을 조사하는 광원모듈 및 상기 광원모듈에 인접하도록 배치되고 상기 웨이퍼의 이송을 검출하는 센서를 포함하며, 상기 웨이퍼가 이송되면 상기 웨이퍼와 수직으로 중첩하는 광원부들을 점등하고 상기 웨이퍼와 수직으로 중첩하지 않는 광원부들은 점등되지 않도록 하고,
상기 웨이퍼는,
상기 냉각/가열 복합 장치로 이송되어 상기 접착 필름이 다이별로 절단되고, 상기 냉각/가열 복합 장치로부터 상기 웨이퍼 세정 장치로 이송되어 세정되며, 상기 웨이퍼 세정 장치로부터 상기 광 조사 장치로 이송되어 상기 접착 필름이 경화되는 처리를 각각 받은 다음 외부로 배출되는 접착 필름 절단 장비.It includes a plurality of adhesive film cutting assemblies spaced apart from each other in a first direction,
Each adhesive film cutting assembly,
Transferring and processing wafers including a cooling/heating composite device, a wafer cleaning device, and a light irradiation device disposed in a line in a second direction perpendicular to the first direction;
The cooling / heating complex device,
The distance between the support plate on which the wafer is seated and the thermoelectric element embedded as a cooling means for cooling the adhesive film applied on the lower surface of the wafer and the base film (BF) along the outer circumferential surface of the support plate as the distance from the side surface increases. It is disposed in an inclined shape so as to approach, and includes a plurality of heating means for heating the base film attached to the lower surface of the adhesive film,
The light irradiation device,
In order to cure the adhesive film, a light source module including a plurality of light source units arranged in a direction perpendicular to the transfer direction of the wafer to radiate light onto the wafer and disposed adjacent to the light source module and detecting the transfer of the wafer It includes a sensor that, when the wafer is transferred, turns on light source units that overlap vertically with the wafer and prevents light source units that do not vertically overlap with the wafer from turning on,
The wafer,
Transferred to the cooling/heating complex device, the adhesive film is cut for each die, transported from the cooling/heating complex device to the wafer cleaning device, and cleaned, transferred from the wafer cleaning device to the light irradiation device, and the adhesive film Adhesive film cutting equipment that receives this hardening treatment and then discharges it to the outside. 삭제delete ◈청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈◈Claim 16 was abandoned when the registration fee was paid.◈ 제14항에 있어서,
상기 웨이퍼는 상기 광 조사 장치 측으로 투입 및 배출되고,
상기 광 조사 장치로 투입된 상기 웨이퍼는 상기 냉각/가열 복합 장치로 이송되어 상기 접착 필름의 냉각 및 절단 공정이 수행되고, 상기 접착 필름의 절단 공정이 완료된 상기 웨이퍼는 상기 웨이퍼 세정 장치로 이송되어 세정 공정이 수행되고, 상기 세정 공정이 완료된 상기 웨이퍼는 상기 광 조사 장치로 이송되어 상기 접착 필름의 경화 공정이 수행된 후 배출되는 접착 필름 절단 장비.According to claim 14,
The wafer is put in and discharged toward the light irradiation device,
The wafer injected into the light irradiation device is transferred to the cooling/heating complex device to perform cooling and cutting processes of the adhesive film, and the wafer, after completing the cutting process of the adhesive film, is transferred to the wafer cleaning device to perform a cleaning process. After this is performed, and the cleaning process is completed, the wafer is transported to the light irradiation device, and the adhesive film cutting device is discharged after the curing process of the adhesive film is performed.
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