KR102470020B1 - 실세스퀴옥산 고분자를 이용한 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

실세스퀴옥산 고분자를 이용한 기판 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 실세스퀴옥산 고분자를 이용한 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 본 발명의 실세스퀴옥산 고분자를 이용한 기판의 제조방법은 기재 상에 코팅물질의 도포시 기재 필름의 위치별 코팅물질의 코팅 두께를 다르게 도포하여 다양한 형태의 휨이 가능한 곡면 형상의 제품을 제조할 수 있다.

Description

실세스퀴옥산 고분자를 이용한 기판 및 그 제조 방법{Substrate Using Silsesquioxane Polymer and Method for Manufacturing by the Same}
본 발명은 실세스퀴옥산 고분자를 이용한 기판 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 기재 필름 상에 코팅물질을 코팅할 때 기재 필름의 위치별 코팅물질의 코팅 두께를 다르게 도포하여 다양한 형태의 휨이 가능한 실세스퀴옥산 고분자를 이용한 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
디스플레이 제품은 각종 환경 하에서 높은 내구성을 발휘하기 위한 고경도 하드코팅필름 제품의 수요가 증가되고 있다.
플라스틱이나 유리 또는 금속 제품은 표면상에 하드코팅층을 형성하여 내충격성, 내스크래치성 등의 물리적 특성이 우수하게 된다.
최근 디스플레이 제품은 디자인 측면에서 다양한 곡면 성형품이 소비자에게 어필되고 있으며, 향후 플렉서블 디스플레이 기판을 활용한 제품 수요가 폭발적으로 증가될 전망이다.
그러나 곡면을 가진 성형품은 진공 성형 후 하드코팅을 할 경우, 롤코팅이 불가능하거나 플로우 코팅시 코팅성이 불량한 단점이 있다.
또한, 곡면을 가진 성형품은 원판에 하드코팅을 할 경우 성형 가공시 굴곡 부위의 크랙이 발생하는 문제점이 있다.
이러한 문제점으로 인하여 곡면을 가진 성형품의 성형에는 무코팅 원판을 성형 가공한 후 스프레이 공법 또는 디핑 공법으로 하드코팅을 진행하고 있다.
곡면 하드코팅은 평판 하드코팅에 비하여 코팅면의 평활도가 떨어져 도장의 고광택 질감이 떨어지고, 하드코팅층의 신율 부족으로 인하여 깨지거나 하드코팅층이 박리되는 문제점이 있다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 기재 필름 상에 코팅물질을 코팅할 때 기재 필름의 위치별 코팅물질의 코팅 두께를 다르게 도포하여 다양한 형태의 휨이 가능한 실세스퀴옥산 고분자를 이용한 기판 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따른 실세스퀴옥산 고분자를 이용한 기판 제조 방법은,
기재의 일면 또는 양면에 코팅물질을 도포하는 단계; 및
상기 기재상의 위치별 상기 코팅물질의 코팅 두께를 상이하게 도포한다.
상기 코팅물질은 하기 화학식 1 내지 9 중 어느 하나로 표시되는 실세스퀴옥산 고분자를 포함하는 코팅조성물로 형성한다.
[화학식 1]
Figure 112015082863108-pat00001
[화학식 2]
Figure 112021120115715-pat00060
[화학식 3]
Figure 112015082863108-pat00003
[화학식 4]
Figure 112015082863108-pat00004
[화학식 5]
Figure 112021120115715-pat00061
[화학식 6]
Figure 112015082863108-pat00006
[화학식 7]
Figure 112015082863108-pat00007
[화학식 8]
Figure 112021120115715-pat00062
[화학식 9]
Figure 112015082863108-pat00009
상기 화학식 1 내지 9에서,
A=
Figure 112021120115715-pat00010
이고, B=
Figure 112021120115715-pat00063
이고, D=
Figure 112021120115715-pat00012
이고, E=
Figure 112021120115715-pat00064
이며,
Y는 O, NR 또는 [SiO3/2R)4+2nO]이며, 적어도 하나는 [SiO3/2R)4+2nO]이며, X는 R 또는 [SiO3/2R)4+2nR]이고 적어도 하나는 [SiO3/2R)4+2nR]이고,
R 및 R1은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 아민기; 에폭시기; 사이클로헥실에폭시기; (메타)아크릴기; 사이올기; 이소시아네이트기; 니트릴기; 니트로기; 페닐기; 중수소, 할로겐, 아민기, 에폭시기, (메타)아크릴기, 사이올기, 이소시아네이트기, 니트릴기, 니트로기, 페닐기로 치환되거나 치환되지 않은, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기, C3~C40의 헤테로아릴기, C3~C40의 아르알킬기, C3~C40의 아릴옥시기, 또는 C3~C40의 아릴사이올기이며,
a, b 및 d는 각각 독립적으로 1 내지 100,000의 정수이고, b는 1 내지 500이고, d는 1 내지 500이며, e는 1 또는 2이며, n은 1 내지 20의 정수이다.
본 발명의 특징에 따른 기판은,
기재의 일면 또는 양면에 실세스퀴옥산 고분자를 포함하는 코팅조성물을 상기 기재 필름의 위치별 코팅 두께가 다르게 도포되는 기판이다.
전술한 구성에 의하여, 본 발명은 코팅조성물을 기판에 위치별 코팅두께를 다르게 적용하여 다양한 형태의 휨이 가능하므로 다양한 곡면 형상의 제품을 적용할 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 기존의 곡면을 가진 제품에 대한 하드코팅 방법을 개선하여 곡면 성형 가공시 굴곡 부위의 크랙, 박리 등이 발생하는 문제점을 방지하는 효과가 있다.
본 발명은 기존의 곡면을 가진 제품에 대한 하드코팅 방법을 개선하여 스프레이 및 디핑 코팅보다 우수한 코팅 품질을 얻을 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 평판 하드코팅과 같이 곡면 제품 코팅면의 평활도를 향상시키고 고광택 질감을 형성하는 효과가 있다.
본 발명은 곡면을 가진 제품에 코팅되는 코팅물질을 신규한 것으로 대체하여 절연물질의 절연 기능과 부착 기능을 동시에 구현할 수 있어 코팅제품의 두께를 슬림화하고 코팅제품의 제조 공정을 단축화하며 원자재비용과 공정비용을 크게 줄일 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 실세스퀴옥산 고분자를 이용한 플렉서블 기판의 제조 방법을 간략하게 나타낸 순서도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 실세스퀴옥산 고분자를 이용한 플렉서블 기판의 일례를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 코팅물질의 코팅 두께가 다르게 표현된 다중 코팅층의 일례를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 실세스퀴옥산 고분자를 이용한 플렉서블 기판의 일례를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 곡면 형태의 플렉서블 기판을 다양한 곡면 형상의 제품에 적용한 실시예를 나타낸 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 실세스퀴옥산 고분자를 이용한 기판의 제조 방법을 간략하게 나타낸 순서도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 실세스퀴옥산 고분자를 이용한 기판의 일례를 나타낸 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 코팅물질의 코팅 두께가 다르게 표현된 다중 코팅층의 일례를 나타낸 도면이다.
본 발명의 실시예에 따른 실세스퀴옥산 고분자를 이용한 기판의 제조 방법은 기재 필름(110)을 준비하는 단계(S100)와, 기재 필름(110)의 일면 또는 양면에 기재 필름(110)의 위치별 코팅물질(120)의 코팅 두께를 다르게 도포하여 코팅층이 형성된 기판(100)을 제조하는 단계(S102)와, 코팅층이 형성된 기판(100)을 곡면이 포함된 최종 형상으로 성형하여 곡면 형태의 기판(200)을 제조하는 단계(S104)를 포함한다. 상기 기판은 플렉서블 기판일 수 있다.
플렉서블 기판(200)은 곡면 형태가 고정된 형태이거나 필요에 따라 곡면이 포함된 형태로 말거나 펼쳐서 사용되는 형태도 가능하다.
여기서, 코팅층은 기재 필름(110) 상에 코팅물질(120)을 도포하여 형성된 층을 나타낸다.
이하, 도 2를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 실세스퀴옥산 고분자를 이용한 플렉서블 기판의 제조 방법을 상세하게 설명한다.
기재 필름(110)을 준비하는 단계(S100)는 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등을 포함하는 기재 필름(110)이며, 투명코팅필름이나 불투명코팅필름도 가능하며, 두께의 제약도 없다.
코팅층이 형성된 기판(100)을 제조하는 단계(S102)는 전술한 코팅조성물로 형성한 코팅물질(120)을 제조하고 제조된 코팅물질(120)을 기재 필름(110) 상에 도포한다.
이때, 기재 필름(110) 상에 코팅물질(120)를 도포하는 방법은 바 코팅법, 나이프 코팅법, 그라비아 코팅법, 마이크로 그라비아 코팅법, 슬롯다이 코팅법 등 다양한 코팅 방법을 포함하며, 일회의 코팅 또는 여러 번 코팅하여 적층된 다중 코팅층을 형성할 수도 있다.
S102 단계의 코팅물질(120)의 도포는 기재 필름(110)의 일면 또는 양면에 코팅물질(120)을 도포하며, 기재 필름(110) 상에 위치별 코팅 두께를 다르게 하여 도포한다.
본 발명은 기재 필름(110) 상의 위치별 코팅되는 코팅물질(120)의 두께에 따라 다양한 곡면 형태의 플렉서블 기판(200)이 제조되는 것이다.
도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 기재 필름(110) 상에는 슬릿 코팅 장치를 이용한 슬릿 코팅 방법을 이용하여 코팅물질(120)의 코팅 두께가 중심부가 얇게 외곽으로 갈수록 두꺼워지도록 도포된다. 슬릿 코팅 장치는 코팅장치의 일례로 기재한 것으로 공지된 기술로 상세한 구성요소의 설명을 생략한다.
도 2의 (a)와 같이, 곡면 형태의 플렉서블 기판(200)은 코팅물질(120)의 코팅 두께가 중심부가 얇기 때문에 경도가 약해 휘어짐이 많아지고 외곽으로 갈수록 코팅 두께가 두꺼워지므로 경도가 강해서 휘어짐이 적어진다.
이로 인하여 최종 제품의 단면은 일측이 개방되고 타측이 폐쇄된'⊂'형상으로 제조된다.
도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 기재 필름(110) 상에는 슬릿 코팅 장치를 이용한 슬릿 코팅 방법을 이용하여 코팅물질(120)의 코팅 두께가 중심부가 두껍고 외곽으로 갈수록 얇아지도록 도포된다.
도 2의 (b)와 같이, 곡면 형태의 플렉서블 기판(200)은 코팅물질(120)의 코팅 두께가 중심부가 두껍기 때문에 경도가 강해 휘어짐이 적어지고 외곽으로 갈수록 코팅 두께가 얇아지므로 경도가 약해서 휘어짐이 많아진다.
이로 인하여 최종 제품의 단면은 일면이 일부 개방되고 외곽 쪽이 코팅 두께가 얇아서 많이 휘어지므로 '
Figure 112015082863108-pat00014
'형상으로 제조된다.
본 발명은 최종 제품인 플렉서블 기판(200)의 곡면 형태에 따라 기재 필름(110) 상의 위치별 코팅되는 코팅물질(120)의 코팅 두께를 다르게 형성한다.
기재 필름(110) 상에 코팅물질(120)를 도포하는 방법은 도 3에 도시된 바와 같이, 닥터 블레이드법, 스핀 코팅법, 스크린 인쇄법, 스프레이 도장법 등을 하나의 방법을 이용하여 여러 번 코팅하여 적층된 다중 코팅층을 형성하며 다중 코팅층에 의해 기재 필름(110) 상의 위치별 코팅물질(120)의 두께를 다르게 표현할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 다중 코팅층은 코팅장치의 분무량 또는 분무 압력을 조절하여 코팅물질(120)을 기재 필름(110) 상에 한 번 또는 여러 번 코팅하여 적층함으로써 코팅 두께를 조절할 수 있다.
슬릿 코팅의 경우 레시피를 조정하여 한 번에 코팅이 가능하며, 스크린 인쇄 및 스프레이 공정의 경우에는 여러 번 코팅할 수 있다.
코팅층이 형성된 기판(100)의 형성은 전술한 코팅 방법을 이용하여 기재 필름(110) 상에 코팅물질(120)을 도포한 후, 자외선 경화기에서 조사되는 자외선에 의해 도포층을 경화시켜 하드 코팅층이 형성된다.
자외선은 고압 수은램프, 메탈할라이드 램프, 제논램프, 마이크로 웨이브 방식의 무전극 램프 등의 자외선 램프를 이용하여 조사되며, 도포층의 경화에 요구되는 UV의 파장 범위는 제한되지 않으며, UVA-line(320~400nm) 기준으로 필요한 경화 광량은 10mJ/m2 이상이다.
본 발명의 코팅물질(120)은 실세스퀴옥산 고분자를 포함하는 코팅조성물을 예시하고 있지만, 이는 실세스퀴옥산 복합고분자 단독 활용이 아닌 불소계 아크릴레이트계, 에폭시계, 우레탄계, 테레프탈레이트계 등 다양한 유기 공중합체와도 혼용하여 제조할 수 있다.
실세스퀴옥산 고분자는 케이지 구조를 가진 케이지형 실세스퀴옥산 고분자 또는 사다리형 실세스퀴옥산 고분자를 포함하고, 케이지형 실세스퀴옥산 고분자과 사다리형 실세스퀴옥산 고분자의 혼합된 형태도 가능하다.
본 발명의 실세스퀴옥산 고분자는 케이지형과 사다리형의 혼합된 형태로 하기의 화학식 1 내지 9 중 어느 하나로 표시된다.
곡면 형태의 플렉서블 기판(200)을 제조하는 단계(S104)는 코팅층이 형성된 기판(100)을 진공 성형법을 이용하여 곡면이 포함된 최종 형상으로 성형한다.
진공 성형법은 금형에 가공된 조그마한 구멍 또는 가느다란 홈을 통하여 기판(100)과 금형면에 둘러싸인 공간을 진공으로 하고, 기판(100)을 금형에 흡착시켜서 성형하는 방법이다.
진공 성형을 통해 얻어지는 성형품의 형상은 금형의 형상에 따라 달라진다.
진공 성형을 통해 얻어지는 성형품은 평면의 형상이 아니라 소정의 입체적인 굴곡 형상을 가진 곡면의 형상을 가지게 된다.
본 발명은 곡면이 포함된 최종 형상으로 성형하기 위해서 진공 성형법을 이용하고 있지만 이에 한정하지 않으며 평판의 플렉서블 기판(200)에 곡면 형상을 성형할 수 있는 방법이면 어떠한 성형 방법도 가능하다.
S104 단계 이후에는 곡면이 포함된 최종 형상으로 성형하고 코팅층의 2차 경화를 위해 추가적으로 자외선을 조사하여 후처리 공정을 수행할 수 있다.
플렉서블 기판(200)은 코팅층이 형성된 기판(100)을 곡면이 포함된 최종 형상으로 성형하여 제조된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 다른 실시예로서 기재 필름(110)을 곡면 형상으로 성형하는 단계와, 곡면 형상으로 성형된 기재필름(110) 상에 위치별 코팅물질(120)의 코팅 두께를 다르게 도포하여 코팅물질(120)이 형성된 곡면 형태의 플렉서블 기판(200)을 제조하는 단계를 포함한다.
기재 필름(110)의 성형은 진공 성형법, 스프레이 코팅법, 사출 성형 등 곡면 형상을 만들 수 있는 제조 방법이면 어떠한 방법도 가능하다.
물론, 코팅물질(120)의 형태는 기재 필름(110)의 형태와 상관없이 도 4와 같이, 다중 코팅층을 이용하여 반달 모양으로 형성할 수도 있다.
본 발명의 플렉서블 기판(200)은 기재 필름(110)의 일면 또는 양면에 코팅물질(120)을 도포한 코팅층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
코팅물질(120)은 하기의 화학식 1 내지 9 중 어느 하나로 표시되는 실세스퀴옥산 고분자를 포함하는 코팅조성물로 형성한다.
[화학식 1]
Figure 112015082863108-pat00015
[화학식 2]
Figure 112021120115715-pat00065
[화학식 3]
Figure 112015082863108-pat00017
[화학식 4]
Figure 112015082863108-pat00018
[화학식 5]
Figure 112021120115715-pat00066
[화학식 6]
Figure 112015082863108-pat00020
[화학식 7]
Figure 112015082863108-pat00021
[화학식 8]
Figure 112021120115715-pat00067
[화학식 9]
Figure 112015082863108-pat00023
상기 화학식 1 내지 9에서,
A=
Figure 112021120115715-pat00024
이고, B=
Figure 112021120115715-pat00068
이고, D=
Figure 112021120115715-pat00026
이고, E=
Figure 112021120115715-pat00069
이며,
Y는 O, NR 또는 [SiO3/2R)4+2nO]이며, 적어도 하나는 [SiO3/2R)4+2nO]이며, X는 R 또는 [SiO3/2R)4+2nR]이고 적어도 하나는 [SiO3/2R)4+2nR]이고,
R 및 R1은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 아민기; 에폭시기; 사이클로헥실에폭시기; (메타)아크릴기; 사이올기; 이소시아네이트기; 니트릴기; 니트로기; 페닐기; 중수소, 할로겐, 아민기, 에폭시기, (메타)아크릴기, 사이올기, 이소시아네이트기, 니트릴기, 니트로기, 페닐기로 치환되거나 치환되지 않은, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기, C3~C40의 헤테로아릴기, C3~C40의 아르알킬기, C3~C40의 아릴옥시기, 또는 C3~C40의 아릴사이올기이며, 구체적으로는 바람직하기로는 중수소, 할로겐, 아민기, (메타)아크릴기, 사이올기, 이소시아네이트기, 니트릴기, 니트로기, 페닐기, 사이클로헥실 에폭시기로 치환되거나 치환되지 않은 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, 아민기, 에폭시기, 사이클로헥실 에폭시기, (메타)아크릴기, 사이올기, 페닐기 또는 이소시아네이트기를 포함하며,
a, b 및 d는 각각 독립적으로 1 내지 100,000의 정수이고, b는 1 내지 500이고, d는 1 내지 500이며, e는 1 또는 2이며, n은 1 내지 20의 정수이고, 구체적으로는 a는 3 내지 1000이고, b는 1 내지 500이고, d는 1 내지 500이며, 더욱 구체적으로는 a는 10 내지 500이고, b는 1 내지 100이고, d는 2 내지 100이며,
e는 1 또는 2이며,
n은 1 내지 20의 정수이며, 구체적으로는 3 내지 10이다.
본 발명의 코팅조성물은 Aa와 Dd의 반복단위를 가지는 특정 구조의 실세스퀴옥산 고분자를 기재 필름의 표면에 코팅하고 경화함으로써, 단일 코팅층의 형성만으로도 접착성 및 절연성을 가지게 할 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 실세스퀴옥산 고분자는 반응기에 염기성 촉매와 유기용매를 혼합한 후 유기 실란 화합물을 첨가하고 축합하여 하기 화학식 10를 제조하는 제1단계; 및 상기 제1단계 이후에 화학식 10에 Dd(OR1)2 구조를 도입하기 위하여 반응기에 산성 촉매를 첨가하여 반응액을 산성으로 조절한 후, 유기 실란 화합물을 첨가하고 교반하는 제2단계; 및 상기 2단계 이후에 반응기에 염기성 촉매를 첨가하여 반응액을 염기성으로 변환하여 축합반응을 실시하는 제3단계를 포함하여 제조될 수 있다.
[화학식 10]
Figure 112015082863108-pat00028
상기 식에서 R, R1, a는 화학식 1 내지 9에서 정의한 바와 같다.
상기 화학식 2로 표시되는 실세스퀴옥산 고분자는 반응기에 염기성 촉매와 유기용매를 혼합한 후 유기 실란 화합물을 첨가하고 축합하여 상기 화학식 10을 제조하는 제1단계; 및 상기 제1단계 이후에 화학식 10에 Dd(OR1)2 구조를 화학식 2와 같이 도입하기 위하여 과량의 유기실란 화합물을 첨가하고, 반응기에 산성 촉매를 첨가하여 반응액을 산성으로 조절한 후, 교반하는 제2단계; 상기 2단계 이후에 반응기에 염기성 촉매를 첨가하여 반응액을 염기성으로 변환하여 축합반응을 실시하는 제3단계; 및 제3단계 이후 재결정과 필터과정을 통하여, 단독 cage 생성 구조를 제거하는 제4단계를 포함하여 제조될 수 있다.
상기 화학식 3으로 표시되는 실세스퀴옥산 고분자는 반응기에 염기성 촉매와 유기용매를 혼합한 후 유기 실란 화합물을 첨가하고 축합하여 상기 화학식 10을 제조하는 제1단계; 및 상기 제1단계 이후에 화학식 10에 Dd(OR1)2 구조를 도입하기 위하여 반응기에 산성 촉매를 첨가하여 반응액을 산성으로 조절한 후, 유기 실란 화합물을 첨가하고 교반하는 제2단계; 상기 2단계 이후에 반응기에 염기성 촉매를 첨가하여 반응액을 염기성으로 변환하여 축합반응을 실시하는 제3단계; 및 상기 제3단계 이후에 복합고분자의 말단에 EeX2 구조를 도입하여 위하여 반응기에 산성 촉매를 투입하여 반응액을 산성 분위기로 변환하고 유기실란 화합물을 혼합하여 교반하는 제4단계를 포함하여 제조될 수 있다.
상기 화학식 4로 표시되는 실세스퀴옥산 고분자는 반응기에 염기성 촉매와 유기용매를 혼합한 후 유기 실란 화합물을 첨가하고 축합도를 조절하여 상기 화학식 10을 제조하는 제1단계; 및 상기 제1단계 이후에 화학식 10에 Bb 구조 및 Dd(OR1)2 구조를 도입하기 위하여 반응기에 산성 촉매를 첨가하여 반응액을 산성으로 조절한 후, 유기 실란 화합물을 첨가하고 교반하는 제2단계; 및 상기 2단계 이후에 반응기에 염기성 촉매를 첨가하여 반응액을 염기성으로 변환하여 축합반응을 실시하는 제3단계를 포함하여 제조될 수 있다.
상기 화학식 5로 표시되는 실세스퀴옥산 고분자는 반응기에 염기성 촉매와 유기용매를 혼합한 후 유기 실란 화합물을 첨가하고 축합하여 상기 화학식 10을 제조하는 제1단계; 및 상기 제1단계 이후에 화학식 10에 Bb 구조 및 Dd(OR1)2 구조를 도입하기 위하여 반응기에 산성 촉매를 첨가하여 반응액을 산성으로 조절한 후, 과량의 유기 실란 화합물을 첨가하고 교반하는 제2단계; 및 상기 2단계 이후에 반응기에 염기성 촉매를 첨가하여 반응액을 염기성으로 변환하여 축합반응을 제3단계; 및 제3단계 이후 재결정과 필터과정을 통하여, 단독 cage 생성 구조를 제거하는 제4단계를 포함하여 제조될 수 있다.
상기 화학식 6으로 표시되는 실세스퀴옥산 고분자는 반응기에 염기성 촉매와 유기용매를 혼합한 후 유기 실란 화합물을 첨가하고 축합하여 상기 화학식 10을 제조하는 제1단계; 및 상기 제1단계 이후에 화학식 10에 Bb 구조 및 Dd(OR1)2 구조를 도입하기 위하여 반응기에 산성 촉매를 첨가하여 반응액을 산성으로 조절한 후, 유기 실란 화합물을 첨가하고 교반하는 제2단계; 상기 2단계 이후에 반응기에 염기성 촉매를 첨가하여 반응액을 염기성으로 변환하여 축합반응을 실시하는 제3단계; 및 상기 제3단계 이후에 복합고분자의 말단에 EeX2 구조를 도입하여 위하여 반응기에 산성 촉매를 투입하여 반응액을 산성 분위기로 변환하고 유기실란 화합물을 혼합하여 교반하는 제4단계를 포함하여 제조될 수 있다.
상기 화학식 7로 표시되는 실세스퀴옥산 고분자는 반응기에 염기성 촉매와 유기용매를 혼합한 후 유기 실란 화합물을 첨가하고 축합도가 조절된 두 가지 형태의 하기 화학식 4를 제조하는 1단계; 상기 1단계에서 얻어진 화학식 4에 Bb 구조 및 Dd(OR1)2 구조를 도입하기 위하여 반응기에 산성 촉매를 첨가하여 반응액을 산성으로 조절한 후, 유기 실란 화합물을 첨가하고 교반하는 제2단계; 상기 각각의 2단계 반응 이후에 반응기에 염기성 촉매를 첨가하여 반응액을 염기성으로 변환하여 축합반응을 실시하는 제3단계; 및 상기 3단계를 통해 얻어진 2가지 이상의 물질을 염기성 조건에서 축합하여 연결하는 4단계를 포함하여 제조될 수 있다.
상기 화학식 8로 표시되는 실세스퀴옥산 고분자는 반응기에 염기성 촉매와 유기용매를 혼합한 후 유기 실란 화합물을 첨가하고 축합도가 조절된 두 가지 형태의 상기 화학식 10을 제조하는 1단계; 상기 1단계에서 얻어진 화학식 10에 Bb 구조 및 Dd(OR1)2 구조를 도입하기 위하여 반응기에 산성 촉매를 첨가하여 반응액을 산성으로 조절한 후, 유기 실란 화합물을 첨가하고 교반하는 제2단계; 상기 각각의 2단계 반응 이후에 반응기에 염기성 촉매를 첨가하여 반응액을 염기성으로 변환하여 축합반응을 실시하는 제3단계; 상기 3단계를 통해 얻어진 2가지 이상의 물질을 염기성 조건에서 축합하여 연결하는 4단계; 상기 4단계 이후 Dd(OR1)2를 도입하기 위한 반응기에 산성 촉매를 첨가하여 반응액을 산성으로 조절한 후, 유기 실란 화합물을 첨가하고 교반하는 제5단계; 및 상기 5단계 반응 이후에 반응기에 염기성 촉매를 첨가하여 반응액을 염기성으로 변환하여 축합반응을 실시하는 제6단계를 포함하여 제조될 수 있다.
상기 화학식 9로 표시되는 실세스퀴옥산 고분자는 반응기에 염기성 촉매와 유기용매를 혼합한 후 유기 실란 화합물을 첨가하고 축합도가 조절된 두 가지 형태의 하기 화학식 4를 제조하는 1단계; 상기 1단계에서 얻어진 화학식 4에 Bb 구조 및 Dd(OR1)2 구조를 도입하기 위하여 반응기에 산성 촉매를 첨가하여 반응액을 산성으로 조절한 후, 유기 실란 화합물을 첨가하고 교반하는 제2단계; 상기 각각의 2단계반응 이후에 반응기에 염기성 촉매를 첨가하여 반응액을 염기성으로 변환하여 축합반응을 실시하는 제3단계; 상기 3단계를 통해 얻어진 2가지 이상의 화합물을 염기성 조건에서 축합하여 연결하는 4단계; 상기 제4단계 이후 Dd(OR1)2를 도입하기 위한 반응기에 산성 촉매를 첨가하여 반응액을 산성으로 조절한 후, 유기 실란 화합물을 첨가하고 교반하는 제5단계; 상기 5단계 반응 이후에 반응기에 염기성 촉매를 첨가하여 반응액을 염기성으로 변환하여 축합반응을 실시하는 제6단계; 상기 제6단계 이후에 복합고분자의 말단에 EeX2 구조를 도입하여 위하여 반응기에 산성 촉매를 투입하여 반응액을 산성 분위기로 변환하고 유기실란 화합물을 혼합하여 교반하는 제7단계를 포함하여 제조될 수 있다.
또한 필요한 경우 각각의 복합 고분자에 Bb 구조 및 Dd(OR1)2 구조를 더욱 도입하기 위하여 반응기에 산성 촉매를 첨가하여 반응액을 산성으로 조절한 후, 유기 실란 화합물을 첨가하고 교반하는 단계; 및 상기 단계 이후에 반응기에 염기성 촉매를 첨가하여 반응액을 염기성으로 변환하여 축합반응을 실시하는 단계를 통하여 복합 고분자 내에 Bb 반복단위를 더욱 포함할 수 있다.
또한 필요한 경우 각각의 복합 고분자의 말단에 EeX2 구조를 도입하기 위하여 반응기에 산성 촉매를 투입하여 반응액을 산성 분위기로 변환하고 유기실란 화합물을 혼합하여 교반하는 단계를 포함하여 복합 고분자의 말단에 Ee의 반복단위를 더욱 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 화학식 1 내지 9 중 어느 하나로 표시되는 실세스퀴옥산 고분자를 포함하는 코팅조성물은 2종 이상의 복합 고분자를 사용하는 것도 가능하며, 구체적으로는 화학식 3, 4, 5 또는 6으로 표시되는 실세스퀴옥산 고분자를 사용하는 것이 좋다. 이 경우 반복단위 Bb 또는 Ee를 포함함으로써 접착성을 포함한 코팅물질의 물성을 더욱 향상시킬 수 있다.
본 발명에서 상기 코팅조성물은 실세스퀴옥산 고분자가 액상인 경우 무용제 타입으로 단독으로 코팅이 가능하며, 고상인 경우 유기용매를 포함하여 구성될 수 있다. 또한 상기 코팅조성물은 개시제 또는 경화제를 더욱 포함할 수 있다.
구체적으로 상기 코팅조성물은 상기 화학식 1 내지 9 중 어느 하나로 표시되는 실세스퀴옥산 고분자, 상기 복합 고분자와 상용성이 있는 당분야에서 통상적으로 사용하는 유기용매, 개시제 및 경화제를 포함하는 것을 특징으로 하며, 선택적으로 가소제, 자외선 차단제, 기타 기능성 첨가제 등의 첨가제를 추가로 포함하여 경화성, 내열특성, 자외선차단, 가소 효과 등을 향상시킬 수 있다.
또한 상기 코팅조성물은 안료를 더욱 포함할 수 있다. 본 발명의 상기 화학식 1 내지 9 중 어느 하나로 표시되는 실세스퀴옥산 고분자는 안료의 분산성을 향상시키고, 안료와의 상용성이 우수하여 코팅조성물이 안료를 포함할 경우 플라스틱 표면에 우수한 착색코팅을 할 수 있다. 상기 안료는 공지의 안료가 사용될 수 있음을 물론이며, 안료의 함량은 당업자가 적절한 범위에서 선택하여 사용할 수 있다.
본 발명의 상기 코팅조성물에 있어서 상기 실세스퀴옥산 고분자는 코팅조성물 100 중량부에 대하여 적어도 5 중량부 이상으로 포함되는 것이 좋으며, 구체적으로는 5 내지 90 중량부, 더욱 구체적으로는 10 내지 50 중량부의 양으로 포함된다. 상기 범위 내인 경우 코팅조성물의 경화물의 기계적 물성을 더욱 향상시킬 수 있다.
상기 유기용매로는 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 셀로솔브계 등의 알코올류, 락테이트계, 아세톤, 메틸(아이소부틸)에틸케톤 등의 케톤류, 에틸렌글리콜 등의 글리콜 류, 테트라하이드로퓨란 등의 퓨란계, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈 등의 극성용매 뿐 아니라, 헥산, 사이클로헥산, 사이클로헥사논, 톨루엔, 자일렌, 크레졸, 클로로포름, 디클로로벤젠, 디메틸벤젠, 트리메틸벤젠, 피리딘, 메틸나프탈렌, 니트로메탄, 아크로니트릴, 메틸렌클로라이드, 옥타데실아민, 아닐린, 디메틸설폭사이드, 벤질알콜 등 다양한 용매를 이용할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 상기 유기용매의 양은 복합고분자, 개시제, 경화제 및 선택적으로 추가되는 첨가제를 제외한 잔량으로 포함된다.
또한 본 발명의 상기 코팅조성물에 있어서 상기 개시제 및 경화제는 실세스퀴옥산 고분자에 포함된 유기관능기에 따라 적절히 선택하여 사용할 수 있다.
구체적인 예로서 상기 유기관능기(R)에 불포화 탄화수소, 사이올계, 에폭시계, 아민계, 이소시아네이트계 등의 후경화가 가능한 유기계가 도입될 경우, 열 또는 광을 이용한 다양한 경화가 가능하다. 이때 열 또는 광에 의한 변화를 고분자 자체 내에서 도모할 수 있지만, 바람직하게는 상기와 같은 유기용매에 희석함으로써 경화공정을 도모할 수 있다.
또한 본 발명에서는 복합 고분자의 경화 및 후 반응을 위하여, 다양한 개시제를 사용할 수 있으며, 상기 개시제는 조성물 총중량에 대하여 0.1-10 중량부로 포함될 수 있으며, 상기 범위 내의 함량으로 포함될 때, 경화 후 투과도 및 코팅안정성을 동시에 만족시킬 수 있다.
또한 상기 유기관능기(R)에 불포화 탄화수소 등이 도입될 경우에는 라디칼 개시제를 사용할 수 있으며, 상기 라디칼 개시제로는 트리클로로 아세토페논(trichloro acetophenone), 디에톡시 아세토페논(diethoxy acetophenone), 1-페닐-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온(1-phenyl-2-hydroxyl-2-methylpropane-1-one), 1-히드록시사이클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-(4-메틸 티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온(2-methyl-1-(4-methyl thiophenyl)-2-morpholinopropane-1-one), 2,4,6-트리메틸 벤조일 디페닐포스핀 옥사이드(trimethyl benzoyl diphenylphosphine oxide), 캠퍼 퀴논(camphor quinine), 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴), 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸 부틸레이트), 3,3-디메틸-4-메톡시-벤조페논, p-메톡시벤조페논, 2,2-디에톡시 아세토페논, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐 에탄-1-온 등의 광 래디컬 개시제, t-부틸파옥시 말레인산, t-부틸하이드로퍼옥사이드, 2,4-디클로로벤조일퍼옥사이드, 1,1-디(t-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, N-부틸-4,4'-디(t-부틸퍼옥시)발레레이트 등의 열 레디칼 개시제 및 이들의 다양한 혼합물 등이 사용될 수 있다.
또한, 상기 유기관능기(R)에 에폭시 등이 포함되는 경우에는, 광중합 개시제(양이온)로서 트리페닐술포늄, 디페닐-4-(페닐티오)페닐술포늄 등의 술포늄계, 디페닐요오드늄이나 비스(도데실페닐)요오드늄 등의 요오드늄, 페닐디아조늄 등의 디아조늄, 1-벤질-2-시아노피리니늄이나 1-(나프틸메틸)-2-시아노프리디늄 등의 암모늄, (4-메틸페닐)[4-(2-메틸프로필)페닐]-헥사플루오로포스페이트 요오드늄, 비스(4-t-부틸페닐)헥사플루오로포스페이트 요오드늄, 디페닐헥사플루오로포스페이트 요오드늄, 디페닐트리플루오로메탄술포네이트 요오드늄, 트리페닐술포늄 테트라풀루오로보레이트, 트리-p-토일술포늄 헥사풀루오로포스페이트, 트리-p-토일술포늄 트리풀루오로메탄술포네이트 및 (2,4-시클로펜타디엔-1-일)[(1-메틸에틸)벤젠]-Fe 등의 Fe 양이온들과 BF4 -, PF6 -, SbF6 - 등의 [BQ4]- 오늄염 조합을 이용할 수 있다(여기서, Q는 적어도 2개 이상의 불소 또는 트리플루오로메틸기로 치환된 페닐기이다.).
또한, 열에 의해 작용하는 양이온 개시제로는 트리플산염, 3불화 붕소 에테르착화합물, 3불화 붕소 등과 같은 양이온계 또는 프로톤산 촉매, 암모늄염, 포스포늄염 및 술포늄염 등의 각종 오늄염 및 메틸트리페닐포스포늄 브롬화물, 에틸트리페닐포스포늄 브롬화물, 페닐트리페닐포스포늄 브롬화물 등을 제한 없이 사용할 수 있으며, 이들 개시제 또한 다양한 혼합형태로 첨가할 수 있으며, 상기에 명시한 다양한 라디칼 개시제들과의 혼용도 가능하다.
또한, 상기 유기관능기(R)의 종류에 따라, 아민 경화제류인 에틸렌디아민, 트리에틸렌 테트라민, 테트라에틸렌 펜타민, 1,3-디아미노프로판, 디프로필렌트리아민, 3-(2-아미노에틸)아미노-프로필아민, N,N'-비스(3-아미노프로필)-에틸렌디아민, 4,9-디옥사도테칸-1,12-디아민, 4,7,10-트리옥사트리데칸-1,13-디아민, 헥사메틸렌디아민, 2-메틸펜타메틸렌디아민, 1,3-비스아미노메틸시클로헥산, 비스(4-아니모시클로헥실)메탄, 노르보르넨디아민, 1,2-디아미노시클로헥산 등을 이용할 수 있다. 상기 경화제는 조성물 100 중량부에 대하여 0.1-20 중량부로 포함되는 것이 좋다.
또한 상기 경화작용을 촉진하기 위한 경화 촉진제로, 아세토구아나민, 벤조구아나민, 2,4-디아미노-6-비닐-s-트리아진 등의 트리아진계 화합물, 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 비닐이미다졸, 1-메틸이미다졸 등의 이미다졸계 화합물, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]논엔-5,1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데센-7, 트리페닐포스핀, 디페닐(p-트릴)포스핀, 트리스(알킬페닐)포스핀, 트리스(알콕시페닐)포스핀, 에틸트리페닐포스포늄포스페이트, 테트라부틸포스포늄히드록시드, 테트라부틸포스포늄아세테이트, 테트라부틸포스포늄하이드로젠디플루오라이드, 테트라부틸포스포늄디하이드로젠트리플루오르 등도 사용될 수 있다.
아울러, 무수프탈산, 무수트리멜리트산, 무수피로멜리트산, 무수말레산, 테트라히드로 무수프탈산, 메틸헥사히드로 무수프탈산, 메틸테트라히드로 무수프탈산, 메틸나드산 무수물, 수소화메틸나드산 무수물, 트리알킬테트라히드로 무수프탈산, 도데세닐 무수숙신산, 무수2,4-디에틸글루타르산 등의 산무수경화제류도 폭넓게 사용될 수 있다.
본 발명에서는 또한 경화공정 또는 후반응을 통한 코팅물질의 경도, 강도, 내구성, 성형성 등을 개선하는 목적으로 자외선 흡수제, 산화 방지제, 소포제, 레벨링제, 발수제, 난연제, 접착개선제 등의 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. 이러한 첨가제는 그 사용에 있어 특별하게 제한은 없으나 코팅물질의 물성을 해치지 않는 범위 내에서 적절히 첨가할 수 있다. 상기 첨가제는 각각 독립적으로 조성물 100 중량부에 대하여 0.01-10 중량부로 포함되는 것이 좋다.
본 발명에서 사용가능한 첨가제로는 폴리에테르 디메틸폴리실록산계 (Polyether-modified polydimethylsiloxane, 예를 들어, BYK-300, BYK-301, BYK-302, BYK-331, BYK-335, BYK-306, BYK-330, BYK-341, BYK-344, BYK-307, BYK-333, BYK-310 등), 폴리에테르 하이드록시 폴리디메틸실록산계 (Polyether modified hydroxyfunctional poly-dimethyl-siloxane, 예를 들어, BYK-308, BYK-373 등), 폴리메틸알킬실록산계 (Methylalkylpolysiloxane, 예를 들어, BYK-077, BYK-085 등), 폴리에테르 폴리메틸알킬실록산계 (Polyether modified methylalkylpolysiloxane, 예를 들어, BYK-320, BYK-325 등), 폴리에스테르 폴리메틸알킬실록산계 (Polyester modified poly-methyl-alkyl-siloxane, 예를 들어, BYK-315 등), 알랄킬 폴리메틸알킬실록산계 (Aralkyl modified methylalkyl polysiloxane, 예를 들어, BYK-322, BYK-323 등), 폴리에스테르 하이드록시 폴리디메틸실록산계 (Polyester modified hydroxy functional polydimethylsiloxane, 예를 들어, BYK-370 등), 폴리에스테르 아크릴 폴리디메틸실록산계 (Acrylic functional polyester modified polydimethylsiloxane, 예를 들어, BYK-371, BYK-UV 3570 등), 폴리에테르-폴리에스테르 하이드록시 폴리디메틸실록산계 (Polyeher-polyester modified hydroxy functional polydimethylsiloxane, 예를 들어, BYK-375 등), 폴리에테르 폴리디메틸실록산계 (Polyether modified dimethylpolysiloxane, 예를 들어, BYK-345, BYK-348, BYK-346, BYK-UV3510, BYK-332, BYK-337 등), 비이온 폴리아크릴계 (Non-ionic acrylic copolymer, 예를 들어, BYK-380 등), 이온성 폴리아크릴계 (Ionic acrylic copolymer, 예를 들어, BYK-381 등), 폴리아크릴레이트계 (Polyacrylate, 예를 들어, BYK-353, BYK-356, BYK-354, BYK-355, BYK-359, BYK-361 N, BYK-357, BYK-358 N, BYK-352 등), 폴리메타아크릴레이트계 (Polymethacrylate, 예를 들어, BYK-390 등), 폴리에테르 아크릴 폴리디메틸실록산계 (Polyether modified acryl functional polydimethylsiloxane, 예를 들어, BYK-UV 3500, BYK-UV3530 등), 폴리에테르 실록산계 (Polyether modified siloxane, 예를 들어, BYK-347 등), 알코올 알콕시레이트계 (Alcohol alkoxylates, 예를 들어, BYK-DYNWET 800 등), 아크릴레이트계 (Acrylate, 예를 들어, BYK-392 등), 하이드록시 실리콘 폴리아크릴레이트계 (Silicone modified polyacrylate (OH-functional), 예를 들어, BYK-Silclean 3700 등) 등을 들 수 있다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 코팅조성물을 코팅하는 방법은 스핀코팅, 바코팅, 슬릿코팅, 스프레이, 침지 등 공지된 방법 중에서 당업자가 임의로 선택하여 적용할 수 있음은 물론이며, 경화방법에 있어도 광경화 또는 열경화를 복합고분자의 관능기에 따라 적절하게 선택하여 적용할 수 있음은 물론이다. 구체적으로 열경화의 경우 경화온도는 50 내지 200 ℃이다.
본 발명에서 상기 코팅조성물의 코팅 두께는 임의로 조절 가능하며, 구체적으로 0.01 내지 500 um이며, 더욱 구체적으로는 0.1 내지 300 um, 더더욱 구체적으로는 1 내지 100 um 범위이다. 상기 범위 내인 경우 우수한 접착성과 코팅물질의 7H 이상의 표면경도를 안정적으로 확보할 수 있다.
본 발명의 곡면 형태의 플렉서블 기판(200)(도 2 및 도 4)은 코팅물질(120)의 두께를 조절하여 도 5에 도시된 바와 같이, 다양한 곡면 형상의 제품에 적용할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 실시예는 장치 및/또는 방법을 통해서만 구현이 되는 것은 아니며, 본 발명의 실시예의 구성에 대응하는 기능을 실현하기 위한 프로그램, 그 프로그램이 기록된 기록 매체 등을 통해 구현될 수도 있으며, 이러한 구현은 앞서 설명한 실시예의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야의 전문가라면 쉽게 구현할 수 있는 것이다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
100: 기판
110: 기재 필름
120: 코팅물질
200: 플렉서블 기판

Claims (14)

  1. 기재의 일면 또는 양면에 코팅물질을 도포하는 단계; 및
    상기 기재상의 위치별 상기 코팅물질의 코팅 두께를 상이하게 도포하며,
    상기 코팅물질의 도포는 상기 기재의 중심부를 기준으로 외곽으로 갈수록 코팅 두께를 두껍게 도포하거나, 상기 기재의 중심부를 기준으로 외곽으로 갈수록 코팅 두께가 얇아지도록 도포하는 단계를 포함하는, 플렉서블 기판 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기재는,
    곡면 또는 평판의 형태인 플렉서블 기판 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 코팅물질의 분무량과 분무 압력을 조절하여 상기 기재 상에 한 번 또는 여러 번 코팅하여 적층된 다중 코팅층을 형성하여 상기 기재의 위치별 상기 코팅물질의 코팅 두께를 다르게 도포하는 플렉서블 기판 제조방법.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 코팅물질은 하기 화학식 1 내지 9 중 어느 하나로 표시되는 실세스퀴옥산 고분자를 포함하는 코팅조성물로 형성하는 플렉서블 기판 제조방법.
    [화학식 1]
    Figure 112021120115715-pat00029

    [화학식 2]
    Figure 112021120115715-pat00070

    [화학식 3]
    Figure 112021120115715-pat00031

    [화학식 4]
    Figure 112021120115715-pat00032

    [화학식 5]
    Figure 112021120115715-pat00071

    [화학식 6]
    Figure 112021120115715-pat00034

    [화학식 7]
    Figure 112021120115715-pat00035

    [화학식 8]
    Figure 112021120115715-pat00072

    [화학식 9]
    Figure 112021120115715-pat00037

    상기 화학식 1 내지 9에서,
    A=
    Figure 112021120115715-pat00038
    이고, B=
    Figure 112021120115715-pat00073
    이고, D=
    Figure 112021120115715-pat00040
    이고, E=
    Figure 112021120115715-pat00074
    이며,
    Y는 O, NR 또는 [SiO3/2R)4+2nO]이며, 적어도 하나는 [SiO3/2R)4+2nO]이며, X는 R 또는 [SiO3/2R)4+2nR]이고 적어도 하나는 [SiO3/2R)4+2nR]이고,
    R 및 R1은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 아민기; 에폭시기; 사이클로헥실에폭시기; (메타)아크릴기; 사이올기; 이소시아네이트기; 니트릴기; 니트로기; 페닐기; 중수소, 할로겐, 아민기, 에폭시기, (메타)아크릴기, 사이올기, 이소시아네이트기, 니트릴기, 니트로기, 페닐기로 치환되거나 치환되지 않은, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기, C3~C40의 헤테로아릴기, C3~C40의 아르알킬기, C3~C40의 아릴옥시기, 또는 C3~C40의 아릴사이올기이며,
    a, b 및 d는 각각 독립적으로 1 내지 100,000의 정수이고, b는 1 내지 500이고, d는 1 내지 500이며, e는 1 또는 2이며, n은 1 내지 20의 정수이다.
  7. 기재의 일면 또는 양면에 실세스퀴옥산 고분자를 포함하는 코팅조성물이 상기 기재의 위치별 코팅 두께가 다르게 도포되며,
    상기 코팅조성물은, 상기 기재의 중심부를 기준으로 외곽으로 갈수록 두껍게 형성되거나, 상기 기재의 중심부를 기준으로 외곽으로 갈수록 얇아지도록 형성된 플렉서블 기판.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제7항에 있어서,
    상기 코팅조성물은 하기 화학식 1 내지 9 중 어느 하나로 표시되는 실세스퀴옥산 고분자로 형성하는 플렉서블 기판.
    [화학식 1]
    Figure 112021120115715-pat00042

    [화학식 2]
    Figure 112021120115715-pat00075

    [화학식 3]
    Figure 112021120115715-pat00044

    [화학식 4]
    Figure 112021120115715-pat00045

    [화학식 5]
    Figure 112021120115715-pat00076

    [화학식 6]
    Figure 112021120115715-pat00047

    [화학식 7]
    Figure 112021120115715-pat00048

    [화학식 8]
    Figure 112021120115715-pat00077

    [화학식 9]
    Figure 112021120115715-pat00050

    상기 화학식 1 내지 9에서,
    A=
    Figure 112021120115715-pat00051
    이고, B=
    Figure 112021120115715-pat00078
    이고, D=
    Figure 112021120115715-pat00053
    이고, E=
    Figure 112021120115715-pat00079
    이며,
    Y는 O, NR 또는 [SiO3/2R)4+2nO]이며, 적어도 하나는 [SiO3/2R)4+2nO]이며, X는 R 또는 [SiO3/2R)4+2nR]이고 적어도 하나는 [SiO3/2R)4+2nR]이고,
    R 및 R1은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 아민기; 에폭시기; 사이클로헥실에폭시기; (메타)아크릴기; 사이올기; 이소시아네이트기; 니트릴기; 니트로기; 페닐기; 중수소, 할로겐, 아민기, 에폭시기, (메타)아크릴기, 사이올기, 이소시아네이트기, 니트릴기, 니트로기, 페닐기로 치환되거나 치환되지 않은, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기, C3~C40의 헤테로아릴기, C3~C40의 아르알킬기, C3~C40의 아릴옥시기, 또는 C3~C40의 아릴사이올기이며,
    a, b 및 d는 각각 독립적으로 1 내지 100,000의 정수이고, b는 1 내지 500이고, d는 1 내지 500이며, e는 1 또는 2이며, n은 1 내지 20의 정수이다.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 코팅조성물은,
    상기 실세스퀴옥산 고분자;
    개시제;
    경화제; 및
    유기용매
    를 포함하는 플렉서블 기판.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 실세스퀴옥산 고분자가 플라스틱코팅조성물 100 중량부에 대하여 5 내지 90 중량부인 플렉서블 기판.
  13. 삭제
  14. 제7항에 있어서,
    상기 기판은 말거나 펼칠 수 있는 플렉서블 기판.
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