KR102469600B1 - 성막장치 및 성막방법 - Google Patents

성막장치 및 성막방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102469600B1
KR102469600B1 KR1020207035141A KR20207035141A KR102469600B1 KR 102469600 B1 KR102469600 B1 KR 102469600B1 KR 1020207035141 A KR1020207035141 A KR 1020207035141A KR 20207035141 A KR20207035141 A KR 20207035141A KR 102469600 B1 KR102469600 B1 KR 102469600B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
top plate
gas
film formation
film forming
Prior art date
Application number
KR1020207035141A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210006957A (ko
Inventor
타카히로 야지마
후미오 나카무라
유코 카토
요시노부 우에
쇼고 오구라
Original Assignee
가부시키가이샤 아루박
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 아루박 filed Critical 가부시키가이샤 아루박
Publication of KR20210006957A publication Critical patent/KR20210006957A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102469600B1 publication Critical patent/KR102469600B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/60—Deposition of organic layers from vapour phase
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
    • B05D3/061—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation using U.V.
    • B05D3/065—After-treatment
    • B05D3/067—Curing or cross-linking the coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

본 발명의 일 형태에 따른 성막장치는 챔버와, 스테이지와, 광원 유닛과, 가스 공급부와, 클리닝 유닛을 구비한다. 상기 챔버는 성막실을 가지는 챔버 본체와, 윈도우부를 가지며 상기 챔버 본체에 장착된 천판을 가진다. 상기 스테이지는 상기 성막실에 배치되어 기판을 지지하는 지지면을 가진다. 상기 광원 유닛은 상기 천판에 설치되어 상기 윈도우부를 통해 에너지선을 상기 지지면으로 조사하는 조사원을 가진다. 상기 가스 공급부는 상기 에너지선의 조사를 받아 경화하는 에너지선 경화수지를 포함하는 원료가스를 상기 성막실로 공급한다. 상기 클리닝 유닛은 상기 챔버에 접속되고, 상기 천판이나 챔버에 부착한 상기 에너지선 경화수지를 제거하는 클리닝 가스를 상기 성막실로 도입한다.

Description

성막장치 및 성막방법
본 발명은, 에너지선 경화수지로 이루어지는 수지층을 형성하는 성막장치 및 성막방법에 관한 것이다.
자외선 경화수지 등의 에너지선 경화수지를 경화하여 수지층을 기판 상에 형성할 때, 전형적으로는 이하의 2공정이 이루어진다. 즉, 냉각 스테이지에 의해 기판을 지지하고, 해당 수지를 포함하는 원료가스를 냉각 스테이지에 지지된 기판 상으로 공급하는 공정과, 기판 상에 자외선 등의 빛을 조사하여 기판 상에 경화한 수지층을 형성하는 공정이다.
특히, 최근에는 이러한 복수의 공정을 각각 다른 진공챔버에서 수행하지 않고, 기판 상으로 원료가스 공급하는 공정과, 자외선 등에 의해서 기판 상에 경화한 수지층을 형성하는 공정을 1개의 진공챔버 내에서 수행하는 성막장치가 제공된다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
일본 공개특허 공보 2013-064187호
이런 종류의 성막장치에 있어서는, 챔버의 천판(天板)에 자외선을 투과하는 윈도우부가 마련되어 있고, 상기 윈도우부를 통해 성막실로 자외선을 조사함으로써, 스테이지 상의 기판에 퇴적한 자외선 경화수지의 경화물층이 형성된다. 한편, 성막처리의 반복으로 인해, 천판에 부착하는 수지의 양이 증가함으로써, 윈도우부를 투과하는 자외선 광량이 저하하고, 스테이지 상의 기판에 충분한 양의 자외선을 조사할 수 없게 된다. 이 때문에, 챔버를 대기에 개방하여 천판을 세정하고, 혹은 교환하는 작업이 빈번화하여, 생산성 향상을 도모하는 것이 곤란하였다.
이상과 같은 사정을 감안하여, 본 발명의 목적은, 생산성 향상을 도모할 수 있는 성막장치 및 성막방법을 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 형태에 따른 성막장치는, 챔버와, 스테이지와, 광원 유닛과, 가스 공급부와, 클리닝 유닛을 구비한다.
상기 챔버는, 성막실을 가지는 챔버 본체와, 윈도우부를 가지며 상기 챔버 본체에 장착된 천판을 가진다.
상기 스테이지는, 상기 성막실에 배치되어 기판을 지지하는 지지면을 가진다.
상기 광원 유닛은, 상기 천판에 설치되어 상기 윈도우부를 통해 에너지선을 상기 지지면으로 조사하는 조사원을 가진다.
상기 가스 공급부는, 상기 에너지선의 조사를 받아 경화하는 에너지선 경화수지를 포함하는 원료가스를 상기 성막실로 공급한다.
상기 클리닝 유닛은, 상기 챔버에 접속되고, 상기 천판에 부착한 상기 에너지선 경화수지를 제거하는 클리닝 가스를 상기 성막실로 도입한다.
상기 성막장치는, 천판에 부착한 에너지선 경화수지를 제거하는 클리닝 유닛을 구비하고 있으므로, 챔버를 대기에 개방하지 않고 천판의 클리닝을 수행하는 것이 가능하게 되며, 이로 인해 생산성 향상을 도모할 수 있다.
상기 클리닝 유닛은, 상기 클리닝 가스로서 산소 플라스마를 발생시키는 플라스마 발생기를 포함해도 좋다.
상기 가스 공급부는, 상기 천판에 대향하여 배치되어 상기 에너지선을 투과시키는 재료로 구성된 샤워 플레이트와, 상기 천판과 상기 샤워 플레이트 사이에 형성되어 상기 원료가스가 도입되는 공간부를 가져도 좋다. 이 경우, 상기 클리닝 유닛은, 상기 클리닝 가스를 상기 공간부에 도입한다. 이로 인해, 천판 뿐만 아니라, 샤워 플레이트의 클리닝도 수행할 수 있다.
상기 클리닝 유닛은, 상기 클리닝 가스로서 산소 플라스마를 발생시키는 플라스마 발생기를 포함해도 좋다.
상기 플라스마 발생기는, 상기 가스 공급부의 주위의 복수 개소에 마련되어도 좋다.
상기 스테이지는, 상기 지지면을 냉각 가능한 냉각원을 가져도 좋다.
상기 천판은, 상기 윈도우부를 지지하는 프레임부와, 상기 프레임부를 가열하는 가열원을 더욱 가져도 좋다.
상기 조사원은 자외선 램프이어도 좋다.
본 발명의 일 형태에 따른 성막방법은, 상기 가스 공급부에서 상기 지지면으로 지지된 기판 상에 원료가스를 공급함으로써, 상기 기판 상에 에너지선 경화수지를 퇴적시키는 것을 포함한다.
상기 조사원에서 상기 윈도우부를 통해 에너지선을 조사함으로써, 상기 에너지선 경화수지의 경화물층이 형성된다.
상기 천판에 부착한 에너지선 경화수지가 클리닝 가스로 제거된다.
이상 서술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 생산성 향상을 도모할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 성막장치를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는, 상기 성막장치에 있어서의 플라스마 발생기의 배치예를 나타내는 가스 공급부의 개략 평면도이다.
도 3은, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 성막장치를 나타내는 개략 단면도이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태를 설명한다.
도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 성막장치(100)를 나타내는 개략 단면도이다. 도에 있어서, X축 방향 및 Y축 방향은 서로 직교하는 수평방향을 나타내고, Z축 방향은 X축 방향 및 Y축 방향으로 직교하는 방향을 나타낸다.
성막장치(100)는 기판 상에 에너지선 경화수지인 자외선 경화수지로 이루어지는 층을 형성하기 위한 성막장치로서 구성되어 있다. 성막장치(100)는 자외선 경화수지를 포함하는 원료가스를 기판(W) 상에 공급한 후, 기판(W) 상에 자외선을 조사하여 자외선 경화수지층을 형성하기 위한 장치이다.
［성막장치］
성막장치(100)는 챔버(10)를 구비한다. 챔버(10)는 챔버 본체(11)와, 챔버 본체(11)의 개구부(11a)를 기밀하게 폐색하는 천판(12)을 가진다.
성막장치(100)는 스테이지(15)와, 광원 유닛(20)과, 가스 공급부(30)와, 클리닝 유닛(40)을 더욱 구비한다.
(챔버)
챔버 본체(11)는 상부가 개구하는 금속제의 직방체 형상의 진공용기이며, 내부에 성막실(13)을 가진다. 성막실(13)은 챔버 본체(11)의 저부에 접속된 진공 배기계(19)를 통해 소정의 감압 분위기로 배기 또는 유지하는 것이 가능하도록 구성된다.
천판(12)은 자외선(UV)을 투과시키는 윈도우부(121)와, 윈도우부(121)를 지지하는 프레임부(122)를 가진다. 윈도우부(121)는 석영유리 등의 자외선 투과성 재료로 구성되며, 프레임부(122)는 알루미늄 합금 등의 금속재료로 구성된다. 윈도우부(121)의 수는 특별히 한정되지 않고, 2이상이어도 좋고, 단수여도 좋다.
(스테이지)
스테이지(15)는 성막실(13)에 배치된다. 스테이지(15)는 기판(W)을 지지하는 지지면(151a)을 가지는 스테이지 본체(151)를 가진다.
스테이지(15)는 지지면(151a)을 소정 온도 이하로 냉각하는 것이 가능한 냉각원(153)을 가진다. 냉각원(153)은 예를 들면, 스테이지 본체(151)에 내장된 냉각수 등의 냉각매체가 순환하는 냉각 재킷(jacket)으로 구성된다. 냉각원(153)에 의한 지지면(151a)의 냉각 온도는, 후술하는 원료가스 중 자외선 경화수지를 응축시키는데 충분한 적정 온도로 설정된다. 또한, 상기 소정 온도 이하로 냉각된 기판(W)이 성막실(13)에 반송되도록 구성되어도 좋다.
기판(W)은 유리 기판이지만, 반도체 기판이어도 좋다. 기판의 형상이나 크기는 특별히 한정되지 않고, 구형(矩形)이어도 좋고 원형이어도 좋다. 기판(W)의 성막면에는 미리 소자가 형성되어 있어도 좋다. 이 경우, 기판(W)에 성막되는 수지층은, 상기 소자의 보호막으로서 기능한다.
(광원 유닛)
광원 유닛(20)은 커버(21)와, 조사원(22)을 가진다. 커버(21)는 천판(12) 상에 배치되며, 조사원(22)을 수용하는 광원실(23)을 가진다. 광원실(23)은 예를 들면, 대기 분위기이다. 조사원(22)은 스테이지(15)의 지지면(151a)을 향해 천판(12)의 윈도우부(121)를 통해 에너지선으로서의 자외선(UV)을 조사하는 광원이며, 전형적으로는, 자외선 램프로 구성된다. 이에 한정되지 않고, 조사원(22)에는 자외선(UV)을 발광하는 복수의 LED(Light Emitting Diode)가 매트릭스 형상으로 배열된 광원 모듈이 채용되어도 좋다.
(가스 공급부)
가스 공급부(30)는 자외선(UV)의 조사를 받고, 경화하는 수지(자외선 경화수지)를 포함하는 원료가스를 성막실(13)로 공급한다. 가스 공급부(30)는 임의로 구성 가능하고, 본 실시형태에서는 샤워 플레이트(31)와, 공간부(32)를 가진다.
샤워 플레이트(31)는 구형의 판 형상을 가지며, 면내에 복수의 가스 공급공(311)을 가진다. 복수의 가스 공급공(311)은 샤워 플레이트(31)를 두께 방향으로 관통하여, 공간부(32)와 성막실(13)을 서로 연통시킨다. 샤워 플레이트(31)는 석영유리 등의 자외선 투과성 재료로 구성된다. 샤워 플레이트(31)는 적정의 고정부재를 통해 챔버 본체(11)의 내벽면에 고정된다.
공간부(32)는 천판(12)과 샤워 플레이트(31) 사이에 형성된다. 공간부(32)에는, 원료가스 생성부(101)를 통해 상기 원료가스가 도입된다.
자외선 경화수지 재료로는, 예를 들면, 아크릴계 수지를 이용할 수 있다. 또한, 상기 수지에는 중합 개시제 등을 첨가하여 이용하는 것도 가능하다. 이러한 수지를 포함하는 원료가스는 챔버(10)의 외부에 설치되는 원료가스 생성부(101)에 의해 생성된다. 원료가스 생성부(101)는 배관(130)을 통해, 가스 공급부(30)의 공간부(32)로 상기 수지를 포함하는 원료가스를 도입한다.
원료가스 생성부(101)는 수지 재료 공급라인(110)과, 기화기(120)와, 배관(130)을 가진다.
수지 재료 공급라인(110)은 액상의 수지재료가 충전된 탱크(111)와, 탱크(111)에서 수지 재료를 기화기(120)로 반송하는 배관(112)을 가진다. 탱크(111)에서 기화기(120)로의 수지 재료의 반송으로는, 예를 들면, 질소 등의 불활성 가스로 이루어지는 캐리어 가스가 이용된다. 또한, 배관(112)에는 밸브(V1)나, 도시하지 않는 액체 유량 제어기 등을 장착하는 것도 가능하다.
기화기(120)에서 생성된 원료가스는 배관(130)을 통해 가스 공급부(30)의 공간부(32)로 공급된다. 배관(130)에는 밸브(V2)가 장착되어 있고, 공간부(32)로의 가스 유입이 조절 가능하다. 더욱, 도시하지 않는 유량 제어기를 장착함으로써, 공간부(32)로 유입하는 가스의 유량을 제어하는 것도 가능하다.
가스 공급부(30)는 더욱이, 천판(12)의 프레임부(122)를 가열하는 제1의 가열원(341)과, 샤워 플레이트(31)를 가열하는 제2의 가열원(342)을 가진다.
제1의 가열원(341)은 천판(12)의 프레임부(122)에 내장된 온수 통로로 구성된다. 제2의 가열원(342)은 샤워 플레이트(31)의 표면에 고정된 히터로 구성된다. 제2의 가열원(342)은 도시하는 바와 같이, 샤워 플레이트(31)의 성막실(13)에 대향하는 면에 장착되어도 좋고, 공간부(32)에 대향하는 면에 장착되어도 좋다.
제1의 가열원(341) 및 제2의 가열원(342)은 공간부(32)로 도입된 원료가스에 포함되는 수지 재료가 공간부(32)의 내벽에 부착하는 것을 방지하기 위한 것이며, 해당 수지 재료의 기화 온도 이상의 적정 온도로 가스 공급부(30)를 가열하는 것이 가능하도록 구성된다. 덧붙여, 가스 공급부(30)에 근접하는 챔버(10)의 상부(개구부(11a))에도, 제3의 가열원(343)으로서, 예를 들면 카트리지 히터나 온수 통로가 마련되어도 좋다.
상기에서 설명한 바와 같이, 가스 공급부(30)는 제1의 가열원(341), 제2의 가열원(342) 및 제3의 가열원(343)에 의해 원료가스 중 수지 재료의 기화 온도 이상으로 유지된다. 그런데, 예를 들면, 천판(12)의 윈도우부(121) 등, 전열 효율이 비교적 낮은 영역은 충분한 온도로 가열되지 않고, 수지성분이 응축, 부착하는 일이 있다. 그리고, 성막시간(기판의 처리 매수)의 증대에 따라, 공간부(32)의 내면에 수지가 부착하는 영역이나 그 두께가 증가함으로써, 가스 공급부(30)를 투과하는 자외선 광량이 저하하여, 스테이지(15) 상의 기판(W)에 충분한 양의 자외선을 조사할 수 없는 경우가 있다.
여기서, 본 실시형태에서는, 천판(12), 샤워 플레이트(31), 챔버 본체(11)의 개구부(11a) 등에 부착한 원료가스 중의 수지성분을 제거하기 위한 클리닝 유닛(40)을 구비한다.
(클리닝 유닛)
클리닝 유닛(40)은 챔버(10)에 접속되어, 공간부(32)로 클리닝 가스를 도입한다. 본 실시형태에 있어서, 클리닝 유닛(40)은 클리닝 가스로서 산소 플라스마를 발생시키는 플라스마 발생기(41)를 포함한다.
플라스마 발생기(41)는 ICP 플라스마 장치, ECR 플라스마 장치, 헬리콘파 플라스마 발생장치 등, 산소 플라스마를 생성하는 것이 가능한 장치라면 특별히 한정되지 않는다. 산소 플라스마의 생성 가스로는, 예를 들면, 산소 혹은 산소와 아르곤의 혼합 가스가 이용된다. 생성된 산소 플라스마(산소 래디컬)는 배관(42)을 통해 가스 공급부(30)의 공간부(32)로 도입되고, 천판(12), 샤워 플레이트(31), 챔버 본체(11)의 개구부(11a) 등에 부착한 수지를 분해(회화(灰化)), 제거한다. 배관(42)에는 밸브(V3)가 장착되어 있고, 성막 중은 밸브(V3)가 닫혀져 있음으로써, 플라스마 발생기(41) 안으로의 원료가스의 침입이 저지된다.
플라스마 발생기(41)는 복수 설치되지만, 단수여도 좋다. 본 실시형태에 있어서 플라스마 발생기(41)는 가스 공급부(30)의 주위의 복수 개소에 마련된다. 플라스마 발생기(41)의 설치수나 설치장소는 특별히 한정되지 않고, 공간부(32)의 크기나 형상에 따라 임의로 설정하는 것이 가능하다.
도 2는, 플라스마 발생기(41)의 배치예를 나타내는 가스 공급부(30)의 개략 평면도이다. 동일한 도면에 나타내는 바와 같이, 플라스마 발생기(41)는 가스 공급부(30)의 한 변을 따라 배치되는 한 쌍의 제1 플라스마 발생기(411)와, 상기 한 변에 인접하는 다른 2변에 각각 배치되는 제2 플라스마 발생기(412)를 포함한다. 제1 플라스마 발생기(411)는 서로 인접하여 배치됨으로써, 공간부(32)의 거의 전영역을 향해 산소 플라스마를 조사한다. 한편, 제2 플라스마 발생기(412)는 서로 오프셋하여 배치됨으로써, 제1 플라스마 발생기(41)로부터의 산소 플라스마의 상류측 및 하류측에 위치하는 공간부(32) 내의 영역에 산소 플라스마를 조사한다. 이로 인해, 각각의 플라스마 발생기(41)에서 조사되는 산소 플라스마의 직진성이 높은 경우라도, 공간부(32)의 모든 영역에 충분한 양의 산소 플라스마를 도입할 수 있다.
플라스마 발생기(41)가 가스 공급부(30)의 외부에 배치됨으로써, 공간부(32)의 내부에서 산소 플라스마를 직접 발생시키는 경우와 비교하여, 장치 구성의 간소화를 도모할 수 있다. 또한, 플라스마 발생기(41)를 복수 구비함으로써, 공간부(32)로 충분한 양의 산소 플라스마를 공급할 수 있다.
성막장치(100)는 제어부(50)를 더욱 구비한다. 제어부(50)는 전형적으로는, 컴퓨터로 구성되며, 성막장치(100)의 각 부를 제어한다.
［성막방법］
이어서, 이상과 같이 구성되는 본 실시형태의 성막장치(100)를 이용한 성막방법에 대해 설명한다.
(성막공정)
성막공정으로는, 자외선 경화수지를 포함하는 원료가스의 공급공정과, 자외선 수지층의 경화공정을 가진다.
성막공정에서는, 성막실(13)은 진공 배기계(19)에 의해 소정의 진공도로 조압(調壓)되며, 기판(W)은 소정 온도 이하로 냉각된 지지면(151a)에 배치되어 있다. 가스 공급부(30)는 제1 내지 제3의 가열원(341~343)에 의해 자외선 경화수지의 기화 온도 이상의 온도로 가열된다.
원료가스의 공급공정에서는, 원료가스 생성부(101)에서 생성된 자외선 경화수지를 포함하는 원료가스가, 배관(130)을 통해 가스 공급부(30)로 도입된다. 가스 공급부(30)에 도입된 원료가스는 공간부(32)에서 확산하며, 샤워 플레이트(31)의 복수의 가스 공급공(311)을 통해 스테이지(15) 상의 기판(W) 전면에 공급된다. 기판(W)의 표면에 공급된 원료가스 중, 자외선 경화수지는 그 응축온도 이하의 온도로 냉각된 기판(W)의 표면에서 응축하고, 퇴적한다.
자외선 경화수지의 경화공정에서는, 원료가스의 공급이 정지하고, 광원 유닛(20)의 조사원(22)으로부터 스테이지(15)의 지지면(151a)을 향해 자외선(UV)이 조사된다. 가스 공급부(30)는 자외선을 투과시키는 재료로 구성되어 있으므로, 가스 공급부(30)를 통해 지지면(151a) 상의 기판(W)으로 충분한 양의 자외선(UV)이 조사된다. 이로 인해, 기판(W) 상에 자외선 경화수지의 경화물층이 형성된다.
경화공정의 완료 후, 기판(W)은 성막실(13)로부터 반출되어 새롭게 미성막의 기판(W)이 성막실로 반입된다. 그리고, 상술한 각 공정이 마찬가지로 실시된다. 이로 인해, 한 대의 성막장치로 기판(W) 상에 소정 두께의 자외선 경화수지층을 형성할 수 있다.
이상과 같은 성막처리를 반복하여 실시함으로써, 가스 공급부(30)의 공간부(32)에는 원료가스 중의 수지성분이 서서히 퇴적하여, 천판(12)의 윈도우부(121)나 샤워 플레이트(31)의 자외선 투과율을 저하시키는 경우가 있다. 여기서, 본 실시형태에서는 클리닝 유닛(40)을 이용한 공간부(32)의 클리닝 처리가 실시된다.
(클리닝 공정)
클리닝 공정은 원료가스의 공급이 정지한 상태에서 실시된다. 각 플라스마 발생기(41(411, 412))에 있어서 발생한 산소 플라스마(산소 래디컬)는 배관(42)을 통해 가스 공급부(30)의 공간부(32)로 도입된다. 공간부(32)의 내면(천판(12), 샤워 플레이트(31), 챔버 본체(11)의 개구부(11a))에 부착한 자외선 경화수지의 탄소는, 산소 래디컬과 결합하여 CO2로서 기화하고, 분해된다. 분해한 자외선 경화수지는 성막실(13)을 통해 진공 배기계(19)에 의해 배기된다.
이러한 클리닝 처리가 정기적으로 실시됨으로써, 공간부(32)에 퇴적한 자외선 경화수지가 제거되며, 혹은, 공간부(32)에 퇴적하는 자외선 경화수지의 양이 저하한다. 특히, 천판(12)의 윈도우부(121) 등 가열원에 의해 직접 가열되지 않는 부위에서의 수지의 퇴적이 효과적으로 억제되므로, 장시간에 걸쳐 안정된 자외선의 투과량이 유지된다. 이로 인해, 성막해야 할 기판의 처리 매수가 증가하므로, 생산성이 뛰어난 성막장치를 제공할 수 있다.
이상과 같이 본 실시형태에 따르면, 천판(12), 샤워 플레이트(31), 챔버 본체(11)의 개구부(11a)에 부착한 자외선 경화수지를 제거하는 것이 가능한 클리닝 유닛을 구비하고 있으므로, 장기간에 걸쳐 가스 공급부(30)를 투과하는 자외선의 광량을 충분히 확보하는 것이 가능하게 되며, 이로 인해 생산성 향상을 도모할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 따르면, 성막실(13)의 진공상태를 지지한 상태에서 천판(12) 등의 클리닝 처리를 실시할 수 있으므로, 성막실(13)을 대기에 개방하지 않고, 성막처리 사이로 상기 클리닝 처리를 실시할 수 있다. 더욱이, 수지 등, 손상시키기 쉬운 부품의 제거작업을 클리닝 가스의 플라스마를 이용한 애싱처리로 이루어지므로, 수지의 부착면을 손상시키지 않고 수지를 제거할 수 있다.
［다른 실시형태］
이상의 실시형태에서는, 가스 공급부(30)를 샤워 플레이트(31)에서 구성하였으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 3에 나타내는 바와 같이, 가스 공급부(30')로서 천판(12)과 스테이지(15) 사이에 배치된 복수의 가스 공급 배관(33)이 채용되어도 좋다.
가스 공급 배관(33)은, Y축방향으로 연재하고, X축방향으로 등간격으로 배열된다. 가스 공급 배관(33)의 주면부에는 스테이지(15) 상의 기판(W)을 향해 원료가스를 토출하는 복수의 가스 공급공이 마련된다. 이러한 구성에 의해, 기판(W)의 표면 전역에 균일하게 원료가스를 공급하며, 더욱이 자외선(UV)을 조사할 수 있다.
이 경우, 플라스마 발생기(41)는 천판(12)과 가스 공급 배관(33) 사이에 클리닝 가스로서의 산소 플라스마를 도입한다. 이로 인해, 천판(12), 가스 공급 배관(33)에 부착한 수지를 제거할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 상술한 실시형태에만 한정되지 않고, 각 종 변경을 추가할 수 있음은 물론이다.
예를 들면, 이상의 실시형태에서는, 클리닝 유닛으로서 가스 공급부(30)의 공간부(32)에 산소 플라스마를 도입 가능한 플라스마 발생기를 이용하였으나, 이에 한정되지 않고, 공간부(32)의 내부에서 산소 플라스마를 직접 발생시키는 것이 가능한 플라스마원이 클리닝 유닛으로 구비되어도 좋다.
또한, 클리닝 가스로서 산소 플라스마가 채용되었으나, 클리닝 가스의 종류는 에너지선 경화수지의 종류에 따라 적절히 설정 가능하다.
또한, 이상의 실시형태에서는, 에너지선이 자외선의 예를 나타내었으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 13MHz, 27MHz 정도의 고주파 전원에서 발생되는 전자파를 이용하는 것도 가능하다. 이 경우, 조사원은 발진기 등으로 할 수 있다. 또한, 에너지선을 전자빔으로 하고, 조사원을 전자빔원으로 하는 것도 가능하다.
더욱이, 이상의 실시형태에 따른 성막장치를, 예를 들면, 복수의 챔버를 가지는 인라인식 혹은 클러스터식의 성막장치의 일부로 이용하는 것도 가능하다. 이러한 장치를 이용함으로써, 발광소자와 같은 복수의 층을 가지는 소자 등을 제작하는 것이 보다 용이하게 된다. 또한, 이러한 장치에 의해 저비용화, 공간 절약화 및 새로운 생산성 향상을 실현할 수 있다.
10: 챔버
11: 챔버 본체
12: 천판
13: 성막실
15: 스테이지
20: 광원 유닛
22: 조사원
30, 30＇: 가스 공급부
31: 샤워 플레이트
32: 공간부
40: 클리닝 유닛
41, 411, 412: 플라스마 발생기
100: 성막장치
151a: 지지면
121: 윈도우부
122: 프레임부
311: 가스 공급공
341: 제1의 가열원

Claims (8)

  1. 성막실을 가지는 챔버 본체와, 윈도우부를 가지며 상기 챔버 본체에 장착된 천판을 가지는 챔버와,
    상기 성막실에 배치되어 기판을 지지하는 지지면을 가지는 스테이지와,
    상기 천판에 설치되어, 상기 윈도우부를 통해 에너지선을 상기 지지면으로 조사하는 조사원을 가지는 광원 유닛과,
    상기 에너지선의 조사를 받아 경화하는 에너지선 경화수지를 포함하는 원료가스를 상기 성막실로 공급하는 가스 공급부와,
    상기 챔버에 접속되어, 상기 천판에 부착한 상기 에너지선 경화수지를 제거하는 클리닝 가스를 상기 성막실로 도입하는 클리닝 유닛,
    을 구비하고,
    상기 클리닝 유닛은,
    클리닝 가스로서 산소 플라스마를 발생시키는 제1 플라스마 발생기와 제2 플라스마 발생기를 포함하고,
    상기 제1 플라스마 발생기는 서로 인접하여 배치됨으로써, 상기 가스 공급부의 공간부의 전영역을 향해 상기 산소 플라스마를 조사하고,
    상기 제2 플라스마 발생기는 서로 오프셋하여 배치됨으로써, 상기 제1 플라스마 발생기로부터의 상기 산소 플라스마의 상류측 및 하류측에 위치하는 상기 공간부 내의 영역에 상기 산소 플라스마를 조사하는
    성막장치.
  2. 제1항에 기재된 성막장치로,
    상기 가스 공급부는 상기 천판에 대향하여 배치되어 상기 에너지선을 투과시키는 재료로 구성된 샤워 플레이트와, 상기 천판과 상기 샤워 플레이트 사이에 형성되어 상기 원료가스가 도입되는 상기 공간부를 가지며,
    상기 클리닝 유닛은, 상기 클리닝 가스를 상기 공간부로 도입하는,
    성막장치.
  3. 삭제
  4. 제1항 또는 제2항에 기재된 성막장치로,
    상기 제1 플라스마 발생기 또는 상기 제2 플라스마 발생기는 상기 챔버의 주위의 복수 개소에 마련되는,
    성막장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 기재된 성막장치로,
    상기 스테이지는 상기 지지면을 냉각 가능한 냉각원을 가지는,
    성막장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 기재된 성막장치로,
    상기 천판은 상기 윈도우부를 지지하는 프레임부와, 상기 프레임부를 가열하는 가열원을 더욱 가지는,
    성막장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 기재된 성막장치로,
    상기 조사원은 자외선 램프인,
    성막장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 기재된 성막장치를 이용한 성막방법으로,
    상기 가스 공급부에서 상기 지지면으로 지지된 기판 상에 원료가스를 공급함으로써, 상기 기판 상에 에너지선 경화수지를 퇴적시키고,
    상기 조사원에서 상기 윈도우부를 통해 에너지선을 조사함으로써, 상기 에너지선 경화수지의 경화물층을 형성하고,
    상기 천판에 부착한 에너지선 경화수지를 클리닝 가스로 제거하는,
    성막방법.
KR1020207035141A 2018-12-03 2019-09-10 성막장치 및 성막방법 KR102469600B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-226772 2018-12-03
JP2018226772 2018-12-03
PCT/JP2019/035460 WO2020115980A1 (ja) 2018-12-03 2019-09-10 成膜装置および成膜方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210006957A KR20210006957A (ko) 2021-01-19
KR102469600B1 true KR102469600B1 (ko) 2022-11-22

Family

ID=70975029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207035141A KR102469600B1 (ko) 2018-12-03 2019-09-10 성막장치 및 성막방법

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7117396B2 (ko)
KR (1) KR102469600B1 (ko)
CN (1) CN112424389A (ko)
TW (1) TWI784203B (ko)
WO (1) WO2020115980A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024117814A1 (ko) * 2022-11-30 2024-06-06 주식회사 비아트론 반도체 기판의 프리크리닝 장치 및 이를 이용한 프리크리닝 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008088483A (ja) 2006-09-29 2008-04-17 Tokyo Electron Ltd 蒸着装置およびその運転方法
JP2012162806A (ja) 2001-12-12 2012-08-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd クリーニング方法
JP2013064187A (ja) * 2011-09-20 2013-04-11 Ulvac Japan Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP2015529395A (ja) * 2012-08-23 2015-10-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Ｕｖチャンバを洗浄するための方法及びハードウェア

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1281891C (zh) * 2003-11-12 2006-10-25 中国科学院力学研究所 等离子体增强裂解有机废弃物的方法和等离子体炉
JP4035568B2 (ja) * 2004-11-29 2008-01-23 株式会社エーイーティー 大気圧大面積プラズマ発生装置
US7789965B2 (en) * 2006-09-19 2010-09-07 Asm Japan K.K. Method of cleaning UV irradiation chamber
JP5501807B2 (ja) * 2009-03-31 2014-05-28 東京エレクトロン株式会社 処理装置
CN203179834U (zh) * 2013-02-05 2013-09-04 珠海宝丰堂电子科技有限公司 等离子处理装置
CN103747607A (zh) * 2013-12-24 2014-04-23 苏州市奥普斯等离子体科技有限公司 一种远区等离子体喷枪装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012162806A (ja) 2001-12-12 2012-08-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd クリーニング方法
JP2008088483A (ja) 2006-09-29 2008-04-17 Tokyo Electron Ltd 蒸着装置およびその運転方法
JP2013064187A (ja) * 2011-09-20 2013-04-11 Ulvac Japan Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP2015529395A (ja) * 2012-08-23 2015-10-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Ｕｖチャンバを洗浄するための方法及びハードウェア

Also Published As

Publication number Publication date
CN112424389A (zh) 2021-02-26
KR20210006957A (ko) 2021-01-19
TW202035754A (zh) 2020-10-01
JPWO2020115980A1 (ja) 2021-09-02
JP7117396B2 (ja) 2022-08-12
WO2020115980A1 (ja) 2020-06-11
TWI784203B (zh) 2022-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102648956B1 (ko) 플라즈마 처리 장치의 부품의 클리닝 방법
KR20230136584A (ko) 다공성 베플을 갖는 저 볼륨 샤워헤드
KR20120080544A (ko) 포커스 링 및 이 포커스 링을 구비하는 기판 처리 장치
KR20070004975A (ko) 저 유전체 상수(κ) 필름의 후처리 방법
KR102650948B1 (ko) 플라즈마 처리 장치의 부품의 클리닝 방법
JP2009157355A (ja) レジスト除去方法及びその装置
CN104813746A (zh) 等离子体处理装置以及方法
JP2009141028A (ja) シャワーヘッド及びレジスト除去装置
KR102469600B1 (ko) 성막장치 및 성막방법
JP2014053136A (ja) 大気圧プラズマ処理装置
WO2008097462A1 (en) Plenum reactor system
US11495456B2 (en) Ozone for selective hydrophilic surface treatment
JP6959454B2 (ja) 成膜装置
US20210127497A1 (en) Plasma Ashing for Coated Devices
JP2020147787A (ja) 成膜装置
JP2008159802A (ja) プラズマドーピング方法及び装置
JP7093850B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
JP2008218877A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2016219656A (ja) 光処理装置および光処理方法
JP2017017070A (ja) 光処理装置および光処理方法
JP6681228B2 (ja) エッチング装置及びエッチング方法
JPS60253212A (ja) 気相成長装置
JP2010056197A (ja) 基板処理装置
JPH05326530A (ja) 化合物半導体基板の熱処理方法
JPH0598447A (ja) 光ｃｖｄ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant