KR102463012B1 - 화소 회로 및 이를 이용한 화소 회로의 구동방법 - Google Patents

화소 회로 및 이를 이용한 화소 회로의 구동방법 Download PDF

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Abstract

제1 화소는, 제1 주사선에 연결된 제어전극, 제1 발광소자의 일단에 연결된 제2 전극, 및 제1 초기화 전원에 연결된 제1 전극으로 형성된 제2 트랜지스터를 포함하고, 제2 화소는, 상기 제1 주사선에 연결된 제어전극, 상기 제2 발광소자의 일단에 연결된 제2 전극, 및 상기 제1 초기화 전원에 연결된 제1 전극으로 형성된 제4 트랜지스터를 포함한다.

Description

화소 회로 및 이를 이용한 화소 회로의 구동방법{PIXEL CIRCUIT AND DRIVING METHOD FOR PIXEL CIRCUIT USING THE SAME}
화소 회로 및 이를 이용한 화소 회로의 구동방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 유기발광 다이오드를 이용한 화소회로에 관한 기술이다.
일반적으로 평판 유기 발광 표시장치 중 일반적으로 유기 발광 다이오드(OLED: Organic Light EMitting Diode)를 이용한 유기 발광 표시장치는 유기 물질의 전계 발광 현상을 이용한 평판형 디스플레이 장치를 말한다. 유기 발광 다이오드는 전극으로부터 전자와 홀이 주입되고 주입된 전자와 홀이 여기(Excitation) 상태를 거쳐 결합하는 메커니즘을 이용하여 발광한다.
유기 발광 표시장치는 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 부피와 무게를 줄일 수 있고, 빠른 응답속도를 가짐과 동시에 낮은 소비전력으로 구동되고 발광효율, 휘도 및 시야각이 뛰어난 장점이 있어 휴대용 단말기 또는 대형 텔레비전 등의 전자 제품에 사용된다.
유기 발광 표시장치는 복수의 데이터 선에 데이터 신호를 전달하는 데이터 구동부, 복수의 주사선에 주사 신호를 순차적으로 전달하는 주사 구동부, 복수의 주사선 및 복수의 데이터 선에 접속되는 복수의 화소를 포함한다. 각 화소는 해당 데이터 신호에 대응하는 전류를 유기 발광 다이오드에 공급하고, 유기 발광 다이오드는 공급되는 전류 량에 따라 발광 한다.
종래 이러한 유기 발광 표시장치의 화소 회로는, 하나의 화소에 필요한 주사선 및 초기화 배선이 증가함에 따라 고해상도 구현이 어렵다는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 실시 예에 따른 화소 회로 및 이를 이용한 화소 회로의 구동방법은, 화소 회로에 필요한 주사선 및 초기화 배선을 공용으로 사용하여 고해상도 화소를 구현하기 위함이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 본 발명의 기재로부터 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
실시 예에 따른 화소 회로는, 제1 화소 및 제2 화소를 포함하고 상기 제1 화소는, 제어 전극과 제2전극 사이의 전압에 대응하는 제1 전류가 제1전극에 흐르며, 상기 제2 전극은 제1 전원에 연결된 제1 트랜지스터; 상기 제1 트랜지스터의 상기 제1 전극에 연결된 일단, 및 제2 전원에 연결된 타단을 포함하고, 상기 제1 전류에 의해 발광하는 제1 발광소자; 및 제1 주사선에 연결된 제어전극, 상기 제1 발광소자의 일단에 연결된 제2 전극, 및 제1 초기화 전원에 연결된 제1 전극으로 형성된 제2 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 화소는, 제어 전극과 제2전극 사이의 전압에 대응하는 제2 전류가 제2전극에 흐르며, 상기 제2 전극은 제1 전원에 연결된 제3 트랜지스터; 상기 제3 트랜지스터의 상기 제1 전극에 연결된 일단, 및 상기 제2 전원에 연결된 타단을 포함하고, 상기 제2 전류에 의해 발광하는 제2 발광소자; 및 상기 제1 주사선에 연결된 제어전극, 상기 제2 발광소자의 일단에 연결된 제2 전극, 및 상기 제1 초기화 전원에 연결된 제1 전극으로 형성된 제4 트랜지스터를 포함한다.
또한, 실시 예에 따른 제1 화소는, 제2 주사선에 연결된 제어전극, 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극과 연결된 제2 전극, 및 제2 초기화 전원에 연결된 제1 전극을 포함하는 제5 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 화소는, 제3 주사선에 연결된 제어전극, 상기 제3 트랜지스터의 제어 전극과 연결된 제2 전극, 및 상기 제2 초기화 전원에 연결된 제1 전극을 포함하는 제6 트랜지스터를 포함한다.
또한, 실시 예에 따른 제1화소의 상기 제 2 주사선과 상기 제2 화소의 상기 제3 주사선은 서로 연결된다.
또한, 실시 예에 따른 제1 화소는, 제3 주사선에 연결된 제어전극, 대응하는 데이터 선에 연결된 제2 전극, 및 상기 제1 트랜지스터의 제2 전극에 연결된 제1 전극을 포함하는 제 7 트랜지스터; 및 상기 제3 주사선에 연결된 제어전극, 상기 제1 트랜지스터의 제어전극에 연결된 제2 전극, 및 상기 제1 트랜지스터의 제1 전극에 연결된 제1 전극을 포함하는 제8 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 화소는, 제4 주사선에 연결된 제어전극, 대응하는 데이터 선에 연결된 제2 전극, 및 상기 제1 트랜지스터의 제2 전극에 연결된 제1 전극을 포함하는 제 9 트랜지스터; 및 상기 제4 주사선에 연결된 제어전극, 상기 제1 트랜지스터의 제어전극에 연결된 제2 전극, 및 상기 제1 트랜지스터의 제1 전극에 연결된 제1 전극을 포함하는 제10 트랜지스터를 포함한다.
또한, 실시 예에 따른 화소 회로의 구동 방법에 있어서, 제1 화소는, 제어 전극과 제2전극 사이의 전압에 대응하는 제1 전류가 제1전극에 흐르며 상기 제2 전극은 제1 전원에 연결된 제1트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터의 상기 제1 전극에 연결된 일단과 제2 전원에 연결된 타단을 포함하고 상기 제1 전류에 의해 발광하는 제1 발광소자, 및 제1 주사선에 연결된 제어전극과 상기 제1 발광소자의 일단에 연결된 제2 전극과 제1 초기화 전원에 연결된 제1 전극으로 형성된 제2 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 화소는, 제어 전극과 제2전극 사이의 전압에 대응하는 제2 전류가 제2전극에 흐르며 상기 제2 전극은 제1 전원에 연결된 제3 트랜지스터, 상기 제3 트랜지스터의 상기 제1 전극에 연결된 일단과 상기 제2 전원에 연결된 타단을 포함하고 상기 제2 전류에 의해 발광하는 제2 발광소자, 및 상기 제1 주사선에 연결된 제어전극과 상기 제2 발광소자의 일단에 연결된 제2 전극과 상기 제1 초기화 전원에 연결된 제1 전극으로 형성된 제4 트랜지스터를 포함하고, 화소 회로의 구동 방법은, 상기 제1 주사선에 제1 주사신호가 인가되는 단계; 상기 제1 발광소자의 상기 일단에 상기 제1 초기화 전원이 인가되는 단계; 상기 제2 발광소자의 상기 일단에 각각 상기 제1 초기화 전원이 인가되는 단계를 포함한다.
또한, 실시 예에 따른 화소 회로의 구동 방법의 제2 화소는, 제3 주사선에 연결된 제어전극, 상기 제3 트랜지스터의 제어 전극과 연결된 제2 전극, 및 상기 제2 초기화 전원에 연결된 제1 전극을 포함하는 제5 트랜지스터를 포함하고, 상기 화소 회로는, 제어 전극과 제2전극 사이의 전압에 대응하는 제1 전류가 제1전극에 흐르며 상기 제2 전극은 상기 제1 전원에 연결된 제6 트랜지스터, 상기 제3 주사선에 연결된 제어전극, 상기 제6 트랜지스터의 제어 전극과 연결된 제2 전극, 및 상기 제2 초기화 전원에 연결된 제1 전극을 포함하는 제7 트랜지스터를 포함하고, 상기 제3 주사선에 제3 주사 신호가 인가되는 단계; 상기 제3 트랜지스터의 상기 제어 전극에 상기 제2 초기화 전원이 인가되는 단계; 및 상기 제5 트랜지스터의 상기 제어 전극에 상기 제2 초기화 전원이 인가되는 단계를 포함한다.
실시 예에 따른 화소 회로 및 이를 이용한 화소 회로의 구동방법은 화소 회로에 필요한 주사선 및 초기화 배선을 공용을 사용하여 고해상도 화소 구현이 가능하다는 효과가 있다.
도 1은 실시 예에 따른 화소 회로의 회로도이다.
도 2 및 도 3은 도 1에 도시한 화소 회로의 배치도이다.
도 4는 도 2 및 도 3의 II-II선을 따른 단면도이다.
도 5는 실시 예에 따른 화소 회로의 구동 타이밍도이다.
도 6은 다른 실시 예에 따른 화소 회로이다.
도 7은 도 6의 다른 실시 예에 따른 화소 회로의 구동 타이밍도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 동일하거나 유사한 구성요소에는 동일, 유사한 도면 부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 명세서에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 실시 예에 따른 화소 회로의 회로도이다.
이하, 도 1을 이용하여 실시 예에 따른 화소 회로(1)에 대해서 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 화소 회로(1)는 제1 화소(PX1)와 제2 화소(PX2)를 포함한다.
먼저, 제1 화소(PX1)에 대해서 설명한다.
제1 화소(PX1)는 복수의 트랜지스터(T11, T12, T13, T14, T15, T16, T17), 복수의 트랜지스터(T11, T12, T13, T14, T15, T16, T17)에 선택적으로 연결되는 복수의 배선(GW1, GI1, GB12, EM1, Vin1, Vin2, DA, ELVDD), 제1 커패시터(Cst1), 및 제1 유기 발광소자(OLED1)를 포함한다.
복수의 트랜지스터(T11, T12, T13, T14, T15, T16, T17)는 제1 트랜지스터(T11), 제2 트랜지스터(T12), 제3 트랜지스터(T13), 제4 트랜지스터(T14), 제5 트랜지스터(T15), 제6 트랜지스터(T16), 제7 트랜지스터(T17)를 포함한다.
제1 트랜지스터(T11)의 게이트 전극은 제3 트랜지스터(T13)의 드레인 전극 및 제4 트랜지스터(T14)의 드레인 전극에 연결되어 있고, 소스 전극은 제2 트랜지스터(T12)의 드레인 전극 및 제5 트랜지스터(T15)의 드레인 전극에 연결되어 있고, 드레인 전극은 제3 트랜지스터(T13)의 소스 전극 및 제6 트랜지스터(T16)의 소스 전극에 연결되어 있다.
제2 트랜지스터(T12)의 게이트 전극은 제1 스캔선(GW1)과 연결되어 있고, 소스 전극은 데이터선(DA1)과 연결되어 있으며, 드레인 전극은 제1 트랜지스터(T11)의 소스 전극과 연결되어 있다.
제3 트랜지스터(T13)의 게이트 전극은 제1 스캔선(GW1)과 연결되어 있고, 소스 전극은 제1 트랜지스터(T11)의 드레인 전극과 연결되어 있으며, 드레인 전극은 제1 트랜지스터(T11)의 게이트 전극과 연결되어 있다.
제4 트랜지스터(T14)의 게이트 전극은 제2 스캔선(GI1)과 연결되어 있고, 소스 전극은 제1 초기화 전원선(Vin1)과 연결되어 있으며, 드레인 전극은 제1 트랜지스터(T11)의 게이트 전극과 연결되어 있다.
제5 트랜지스터(T15)의 게이트 전극은 제1 발광 제어선(EM1)과 연결되어 있고, 소스 전극은 구동 전원선(ELVDD)과 연결되어 있으며, 드레인 전극은 제1 트랜지스터(T11)의 소스 전극과 연결되어 있다.
제6 트랜지스터(T16)의 게이트 전극(G16)은 제1 발광 제어선(EM1)과 연결되어 있으며, 소스 전극(S16)은 제1 트랜지스터(T11)의 드레인 전극과 연결되어 있으며, 드레인 전극(D16)은 제7 트랜지스터(T17)의 소스 전극(S17)과 연결되어 있다.
제7 트랜지스터(T17)의 게이트 전극(G17)은 제3 스캔선(GB12)과 연결되어 있고, 소스 전극(S7)은 제1 유기 발광소자(OLED1)의 제1 전극과 연결되어 있으며, 드레인 전극(D17)은 제 2초 기화 전원선(Vin2)과 연결되어 있다.
복수의 배선들은 제2 트랜지스터(T12)의 게이트 전극 및 제3 트랜지스터(T13)의 게이트 전극 각각에 제1 주사 신호를 전달하는 제1 스캔선(GW1), 제4 트랜지스터(T14)의 게이트 전극에 제2 주사 신호를 전달하는 제2 스캔선(GI1), 제7 트랜지스터(T17)의 게이트 전극(G17)에 제3 주사 신호를 전달하는 제3 스캔선(GB12), 제5 트랜지스터(T15)의 게이트 전극 및 제6 트랜지스터(T16)의 게이트 전극(G16) 각각에 제1 발광 제어 신호를 전달하는 제1 발광 제어선(EM1), 제2 트랜지스터(T12)의 소스 전극에 데이터 신호를 전달하는 데이터선(DA1)을 포함한다.
또한, 복수의 배선들은 제1 커패시터(Cst1)의 일 전극 및 제5 트랜지스터(T15)의 소스 전극 각각에 구동 신호를 공급하는 구동 전원선(ELVDD), 제4 트랜지스터(T14)의 소스 전극에 제1 초기화 신호를 공급하는 제1 초기화 전원선(Vin1), 및 제7 트랜지스터(T17)의 드레인 전극(D17)에 제2 초기화 신호를 공급하는 제2 초기화 전원선(Vin2)을 포함한다.
제1 커패시터(Cst1)는 구동 전원선(ELVDD)과 연결된 일 전극 및 제1 트랜지스터 (T11)의 게이트 전극 및 제3 트랜지스터(T3)의 드레인 전극과 연결된 타 전극을 포함한다.
제1 유기 발광소자(OLED1)는 제1 전극, 제2 전극, 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함한다. 제1 유기 발광소자(OLED1)의 제1 전극은 제7 트랜지스터(T17)의 소스 전극(S7) 및 제6 트랜지스터(T16)의 드레인 전극(D16)과 각각 연결되어 있으며, 제2 전극은 공통 신호가 전달되는 공통 전원선(ELVSS)과 연결된다.
다음, 제2 화소(PX2)에 대해서 설명한다.
제2 화소(PX2)는 복수의 트랜지스터(T21, T22, T23, T24, T25, T26, T27), 복수의 트랜지스터(T21, T22, T23, T24, T25, T26, T27)에 선택적으로 연결되는 복수의 배선(GW2, GI2, GB12, EM2, Vin1, Vin2, DA, ELVDD), 제2 커패시터(Cst2), 및 제2 유기 발광소자(OLED2)를 포함한다.
복수의 트랜지스터(T21, T22, T23, T24, T25, T26, T27)는 제8 트랜지스터(T21), 제9 트랜지스터(T22), 제10 트랜지스터(T23), 제11 트랜지스터(T24), 제12 트랜지스터(T25), 제13 트랜지스터(T26), 제14 트랜지스터(T27)를 포함한다.
제8 트랜지스터(T21)의 게이트 전극은 제10 트랜지스터(T23)의 드레인 전극 및 제11 트랜지스터(T24)의 드레인 전극에 연결되어 있고, 소스 전극은 제12 트랜지스터(T25)의 드레인 전극 및 제9 트랜지스터(T22)의 드레인 전극에 연결되어 있고, 드레인 전극은 제10 트랜지스터(T23)의 소스 전극 및 제13 트랜지스터(T26)의 소스 전극에 연결되어 있다.
제9 트랜지스터(T22)의 게이트 전극은 제4 스캔선(GW2)과 연결되어 있고, 소스 전극은 데이터선(DA2)과 연결되어 있으며, 드레인 전극은 제8 트랜지스터(T21)의 소스 전극과 연결되어 있다.
제10 트랜지스터(T23)의 게이트 전극은 제4 스캔선(GW2)과 연결되어 있고, 소스 전극은 제8 트랜지스터(T21)의 드레인 전극과 연결되어 있으며, 드레인 전극은 제8 트랜지스터(T21)의 게이트 전극과 연결되어 있다.
제11 트랜지스터(T24)의 게이트 전극은 제5 스캔선(GI2)과 연결되어 있고, 소스 전극은 제1 초기화 전원선(Vin1)과 연결되어 있으며, 드레인 전극은 제8 트랜지스터(T21)의 게이트 전극과 연결되어 있다.
제12 트랜지스터(T25)의 게이트 전극은 제2 발광 제어선(EM2)과 연결되어 있고, 소스 전극은 구동 전원선(ELVDD)과 연결되어 있으며, 드레인 전극은 제8 트랜지스터(T21)의 소스 전극과 연결되어 있다.
제13 트랜지스터(T26)의 게이트 전극(G26)은 제2 발광 제어선(EM2)과 연결되어 있으며, 소스 전극(S26)은 제8 트랜지스터(T21)의 드레인 전극과 연결되어 있으며, 드레인 전극(D26)은 제14 트랜지스터(T27)의 소스 전극(S17)과 연결되어 있다.
제14 트랜지스터(T27)의 게이트 전극(G17)은 제3 스캔선(GB12)과 연결되어 있고, 소스 전극(S7)은 제2 유기 발광소자(OLED2)의 제1 전극과 연결되어 있으며, 드레인 전극(D17)은 제 2초 기화 전원선(Vin2)과 연결되어 있다.
복수의 배선들은 제9 트랜지스터(T22)의 게이트 전극 및 제10 트랜지스터(T23)의 게이트 전극 각각에 제4 주사 신호를 전달하는 제4 스캔선(GW2), 제11 트랜지스터(T24)의 게이트 전극에 제5 주사 신호를 전달하는 제5 스캔선(GI2), 제14 트랜지스터(T27)의 게이트 전극(G17)에 제3 주사 신호를 전달하는 제3 스캔선(GB12), 제12 트랜지스터(T25)의 게이트 전극 및 제13 트랜지스터(T26)의 게이트 전극(G26) 각각에 제2 발광 제어 신호를 전달하는 제2 발광 제어선(EM2), 제9 트랜지스터(T22)의 소스 전극에 데이터 신호를 전달하는 데이터선(DA2)을 포함한다.
또한, 복수의 배선들은 제2 커패시터(Cst2)의 일 전극 및 제12 트랜지스터(T25)의 소스 전극 각각에 구동 신호를 공급하는 구동 전원선(ELVDD), 제11 트랜지스터(T24)의 소스 전극에 제1 초기화 신호를 공급하는 제1 초기화 전원선(Vin1), 및 제14 트랜지스터(T27)의 드레인 전극(D27)에 제2 초기화 신호를 공급하는 제2 초기화 전원선(Vin2)을 포함한다.
제2 커패시터(Cst2)는 구동 전원선(ELVDD)과 연결된 일 전극 및 제8 트랜지스터(T21)의 게이트 전극 및 제3 트랜지스터(T3)의 드레인 전극과 연결된 타 전극을 포함한다.
제2 유기 발광소자(OLED2)는 제1 전극, 제2 전극, 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함한다. 제2 유기 발광소자(OLED2)의 제1 전극은 제14 트랜지스터(T27)의 소스 전극(S7) 및 제13 트랜지스터(T26)의 드레인 전극(D26)과 각각 연결되어 있으며, 제2 전극은 공통 신호가 전달되는 공통 전원선(ELVSS)과 연결된다.
따라서, 제1 화소(PX1)와 제2 화소(PX2)는 제3 스캔선(GB12)을 공유하여 두 개의 화소(PX1, PX2)를 5개의 스캔선(GW1, GI1, GB12, GW2, GI2)으로 구동 가능하다.
도 2 및 도 3은 도 1에 도시한 화소 회로의 배치도이다.
도 4는 도 2 및 도 3의 II-II선에 따른 단면도이다.
이하, 도 2 내지 도 4를 이용하여 실시 예에 따른 화소 회로의 배치에 대해서 설명한다. 이하에서 설명하는 서로 다른 층에 위치하는 구성들 사이에는 절연층들이 위치하며, 이 절연층은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물 등의 무기 절연층 또는 유기 절연층일 수 있다. 또한, 이 절연층들은 단층 또는 복층으로 형성될 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, V-V선을 경계로 도 1의 화소회로(1)를 양분하여 도 2 및 도 3에 도시한 것이다.
제1 화소(PX1)는 기판(SUB), 복수의 트랜지스터(T11-T17), 복수의 배선(GW1, GI1, GB12, EM1, Vin1, Vin2, DA, ELVDD), 제1 커패시터(Cst1), 및 제1 유기 발광소자(OLED1)를 포함한다. 제1 커패시터(Cst1), 및 제1 유기 발광소자(OLED1)를 포함한다. 제2 화소(PX2)는 기판(SUB), 복수의 트랜지스터(T21-T27), 복수의 배선(GW2, GI2, GB12, EM2, Vin1, Vin2, DA, ELVDD), 제2 커패시터(Cst2), 및 제2 유기 발광소자(OLED2)를 포함한다.
제1 화소(PX1)의 복수의 트랜지스터(T11-T15), 및 복수의 배선(GW1, GI1, EM1, DA, ELVDD)과 제2 화소(PX2)의 복수의 트랜지스터(T21-T25), 및 복수의 배선(GW2, GI2, EM2, DA, ELVDD)의 구성은 도 1을 참조로 상술한 바와 동일하므로 생략한다.
기판(SUB)은 유리, 석영, 세라믹, 사파이어, 플라스틱, 금속 등으로 형성될 수 있다.
제1 초기화 전원선(Vin1)은 제1 유기 발광소자(OLED1)가 패턴을 분리하여 좌우 배선을 형성되어 있다. 제2 초기화 전원선(Vin2)은 제2 유기 발광소자(OLED2)의 패턴을 분리하여 좌우 배선을 형성되어 있다. 제6 트랜지스터(T16)는 기판(SUB) 상에 위치하며, 액티브 패턴(A16) 및 게이트 전극(G16)을 포함한다.
액티브 패턴(A16)은 소스 전극(S16), 채널(C16), 드레인 전극(D16)을 포함한다. 소스 전극(S16)은 제1 트랜지스터(T11)의 드레인 전극과 연결되어 있으며, 드레인 전극(D16)은 컨택홀을 통해 제1 유기 발광 소자(OLED1)의 제1 전극(E11)과 연결되어 있다. 게이트 전극(G16)과 중첩하는 액티브 패턴(A16)의 채널 영역인 채널(C16)은 소스 전극(S16)과 드레인 전극(D16) 사이에 위치하고 있다.
액티브 패턴(A16)의 채널(C16)은 N형 불순물 또는 P형 불순물로 채널 도핑될 수 있으며, 소스 전극(S16) 및 드레인 전극(D16) 각각은 채널(C16)을 사이에 두고 이격되어 채널(C16)에 도핑된 도핑 불순물과 반대 타입의 도핑 불순물이 도핑될 수 있다.
액티브 패턴(A16)은 액티브 패턴(A17), 액티브 패턴(A27), 및 액티브 패턴(A26)과 동일한 층에 위치하며, 액티브 패턴(A17), 액티브 패턴(A27), 및 액티브 패턴(A26)과 동일한 재료로 형성되며, 액티브 패턴(A16)은 액티브 패턴(A17), 액티브 패턴(A27), 및 액티브 패턴(A26)과 일체로 형성되어 있다.
게이트 전극(G16)은 액티브 패턴(A16)의 채널(C16) 상에 위치하고 있으며, 제1 발광 제어선(EM1)과 일체로 형성되어 있다.
제7 트랜지스터(T17)는 기판(SUB) 상에 위치하며, 액티브 패턴(A17) 및 게이트 전극(G17)을 포함한다.
액티브 패턴(A17)은 소스 전극(S17), 채널(C17), 드레인 전극(D17)을 포함한다. 소스 전극(S17)은 제1유기 발광 소자(OLED1)의 제1 전극(E11)과 연결되어 있으며, 드레인 전극(D17)은 컨택홀을 통하여 제 2초기화 전원선(Vin2)과 연결되어 있다. 게이트 전극(G17)과 중첩하는 액티브 패턴(A17)의 채널 영역인 채널(C17)은 소스 전극(S17)과 드레인 전극(D17) 사이에 위치하고 있다.
액티브 패턴(A17)의 채널(C17)은 N형 불순물 또는 P형 불순물로 채널 도핑될 수 있으며, 소스 전극(S17) 및 드레인 전극(D17) 각각은 채널(C17)을 사이에 두고 이격되어 채널(C17)에 도핑된 도핑 불순물과 반대 타입의 도핑 불순물이 도핑될 수 있다. 액티브 패턴(A17)은 액티브 패턴(A16), 액티브 패턴(A27), 및 액티브 패턴(A26)과 동일한 층에 위치하며, 액티브 패턴(A16), 액티브 패턴(A27), 및 액티브 패턴(A26)과 동일한 재료로 형성되며, 액티브 패턴(A17)은 액티브 패턴(A16), 액티브 패턴(A27), 및 액티브 패턴(A26)과 일체로 형성되어 있다.
게이트 전극(G17)은 액티브 패턴(A17)의 채널(C17) 상에 위치하고 있으며, 제3 스캔선(GB12)과 일체로 형성되어 있다.
제1 유기 발광 소자(OLED1)는 제1 전극(E11), 유기 발광층(OL1), 제2 전극(E12)을 포함한다. 제1 전극(E11)은 컨택홀을 통해 제6 트랜지스터(T16)의 드레인 전극(D16)과 연결되어 있다. 유기 발광층(OL1)은 제1 전극(E11)과 제2 전극(E12) 사이에 위치하고 있다. 제2 전극(E12)은 유기 발광층(OL1) 상에 위치하고 있다. 제1 전극(E11) 및 제2 전극(E12) 중 하나 이상의 전극은 광 투과성 전극, 광 반사성 전극, 광 반투과성 전극 중 어느 하나 이상일 수 있으며, 유기 발광층(OL1)으로부터 발광된 빛은 제1 전극(E11) 및 제2 전극(E12) 어느 하나 이상의 전극 방향으로 방출될 수 있다.
제1 유기 발광 소자(OLED1) 상에는 제1유기 발광 소자(OLED1)를 덮는 캡핑층(capping layer)이 위치할 수 있으며, 이 캡핑층을 사이에 두고 제1 유기 발광 소자(OLED1) 상에는 박막 봉지층(thin film encapsulation)이 위치하거나, 또는 봉지 기판이 위치할 수 있다.
제14 트랜지스터(T27)는 기판(SUB) 상에 위치하며, 액티브 패턴(A27) 및 게이트 전극(G27)을 포함한다.
액티브 패턴(A27)은 소스 전극(S27), 채널(C27), 드레인 전극(D27)을 포함한다. 소스 전극(S27)은 제2 유기 발광 소자(OLED2)의 제1 전극(E21)과 연결되어 있으며, 드레인 전극(D27)은 컨택홀을 통하여 제 2초기화 전원선(Vin2)과 연결되어 있다. 게이트 전극(G27)과 중첩하는 액티브 패턴(A27)의 채널 영역인 채널(C27)은 소스 전극(S27)과 드레인 전극(D27) 사이에 위치하고 있다.
액티브 패턴(A27)의 채널(C27)은 N형 불순물 또는 P형 불순물로 채널 도핑될 수 있으며, 소스 전극(S27) 및 드레인 전극(D27) 각각은 채널(C27)을 사이에 두고 이격되어 채널(C27)에 도핑된 도핑 불순물과 반대 타입의 도핑 불순물이 도핑될 수 있다. 액티브 패턴(A27)은 액티브 패턴(A26), 액티브 패턴(A17), 및 액티브 패턴(A16)과 동일한 층에 위치하며, 액티브 패턴(A26), 액티브 패턴(A16), 및 액티브 패턴(A17)과 동일한 재료로 형성되며, 액티브 패턴(A27)은 액티브 패턴(A26), 액티브 패턴(A16), 및 액티브 패턴(A17)과 일체로 형성되어 있다.
게이트 전극(G27)은 액티브 패턴(A27)의 채널(C27) 상에 위치하고 있으며, 제3 스캔선(GB12)과 일체로 형성되어 있다.
제13 트랜지스터(T26)는 기판(SUB) 상에 위치하며, 액티브 패턴(A26) 및 게이트 전극(G26)을 포함한다.
액티브 패턴(A26)은 소스 전극(S26), 채널(C26), 드레인 전극(D26)을 포함한다. 소스 전극(S26)은 제8 트랜지스터(T21)의 드레인 전극과 연결되어 있으며, 드레인 전극(D26)은 컨택홀을 통해 제2 유기 발광 소자(OLED2)의 제1 전극(E21)과 연결되어 있다. 게이트 전극(G26)과 중첩하는 액티브 패턴(A26)의 채널 영역인 채널(C26)은 소스 전극(S26)과 드레인 전극(D26) 사이에 위치하고 있다.
액티브 패턴(A26)의 채널(C26)은 N형 불순물 또는 P형 불순물로 채널 도핑될 수 있으며, 소스 전극(S26) 및 드레인 전극(D26) 각각은 채널(C26)을 사이에 두고 이격되어 채널(C26)에 도핑된 도핑 불순물과 반대 타입의 도핑 불순물이 도핑될 수 있다.
액티브 패턴(A26)은 액티브 패턴(A27), 액티브 패턴(A16), 및 액티브 패턴(A17)과 동일한 층에 위치하며, 액티브 패턴(A27), 액티브 패턴(A16), 및 액티브 패턴(A17)과 동일한 재료로 형성되며, 액티브 패턴(A26)은 액티브 패턴(A27), 액티브 패턴(A16), 및 액티브 패턴(A17)과 일체로 형성되어 있다.
게이트 전극(G26)은 액티브 패턴(A26)의 채널(C26) 상에 위치하고 있으며, 제2 발광 제어선(EM2)과 일체로 형성되어 있다.
제2 유기 발광 소자(OLED2)는 제1 전극(E21), 유기 발광층(OL2), 제2 전극(E22)을 포함한다. 제1 전극(E21)은 컨택홀을 통해 제13 트랜지스터(T26)의 드레인 전극(D26)과 연결되어 있다. 유기 발광층(OL2)은 제1 전극(E21)과 제2 전극(E22) 사이에 위치하고 있다. 제2 전극(E22)은 유기 발광층(OL2) 상에 위치하고 있다. 제1 전극(E21) 및 제2 전극(E22) 중 하나 이상의 전극은 광 투과성 전극, 광 반사성 전극, 광 반투과성 전극 중 어느 하나 이상일 수 있으며, 유기 발광층(OL2)으로부터 발광된 빛은 제1 전극(E21) 및 제2 전극(E22) 어느 하나 이상의 전극 방향으로 방출될 수 있다.
제2 유기 발광 소자(OLED2) 상에는 제2 유기 발광 소자(OLED2)를 덮는 캡핑층(capping layer)이 위치할 수 있으며, 이 캡핑층을 사이에 두고 제2 유기 발광 소자(OLED2) 상에는 박막 봉지층(thin film encapsulation)이 위치하거나, 또는 봉지 기판이 위치할 수 있다.
제3 스캔선(GB12)은 제7 트랜지스터(T17)의 액티브 패턴(A17) 및 제 14 트랜지스터(T27)의 액티브 패턴(A27) 상에 위치하며, 제7 트랜지스터(T17)의 게이트 전극(G17) 및 제 14 트랜지스터(T27)의 게이트 전극(G27)과 일체로 형성되어 있다.
제2 초기화 전원 라인(Vin2)은 컨택홀(CNT)을 통해 제7 트랜지스터(T17)의 드레인 전극(D17) 및, 제 14 트랜스터(T27)의 드레인 전극(D27)과 연결되어 있다. 제2 초기화 전원 라인(Vin2)은 제1 유기 발광 소자(OLED1)의 제1 전극(E11) 및 제2 유기 발광 소자(OLED2)의 제1 전극(E21)과 동일한 층에 위치하여 동일한 재료로 형성되어 있다.
도 5는 실시 예에 따른 화소 회로의 구동 타이밍도이다.
이하, 도 1 및 도 5를 이용하여 실시 예에 따른 화소회로의 동작에 대해서 설명한다.
시점(t1)에서, 디스 에이블 레벨의 제1 발광 제어신호(EM[1])가 제5 트랜지스터(T15) 및 제6 트랜지스터(T16)에 인가되어 제5트랜지스터(T15) 및 제6 트랜지스터(T16)는 턴-오프 된다. 또한, 디스 에이블 레벨의 제2 발광 제어신호(EM[2])가 제 12트랜지스터(T25) 및 제13 트랜지스터(T26)에 인가되어 12트랜지스터(T25) 및 제13 트랜지스터(T26)는 턴-오프 된다.
시점(t2)에서, 인에이블 레벨의 제2 스캔신호(GI[1])가 제2 스캔선(GI1)를 통해 제4 트랜지스터(T14)의 게이트 전극에 인가되어 제4 트랜지스터(T14)가 턴-온 된다. 턴-온 된 제4 트랜지스터(T14)를 통해 제1 트랜지스터(T11)의 게이트 전극에 제1 초기화 전원선(Vin1)이 연결되어 제1 트랜지스터(T11)가 초기화된다.
시점(t3)에서, 인에이블 레벨의 제1 스캔신호(GW[1])가 제1 스캔선(GW1)를 통해 제2 트랜지스터(T12) 및 제3 트랜지스터(T13)의 게이트 전극에 각각 인가되어 제2 트랜지스터(T12) 및 제3 트랜지스터(T13)가 각각 턴-온 된다. 턴-온 된 제2 트랜지스터(T12)를 통해 제1 화소(PX1)에 대응하는 데이터 전압이 제1 커패시터(Cst1)의 타 전극에 인가되어 데이터 전압과 구동 전압의 차이가 제1 커패시터(Cst1)에 충전된다. 턴-온된 제3 트랜지스터(T13)에 의해 제1 트랜지터(T11)의 게이트 전극과 드레인 전극이 연결되어 제1 트랜지스터(T11)는 다이오드연결된다.
또한, 인에이블 레벨의 제5 스캔신호(GI[2])가 제5 스캔선(GI2)을 통해 제11 트랜지스터(T24)의 게이트 전극에 인가되어 제11 트랜지스터(T24)가 턴-온 된다. 턴-온 된 제11 트랜지스터(T24)를 통해 제8 트랜지스터(T21)의 게이트 전극에 제1 초기화 전원선(Vin1)이 연결되어 제8 트랜지스터(T21)가 초기화된다.
시점(t4)에서, 인에이블 레벨의 제2 스캔신호(GW[2])가 제4 스캔선(GW2)을 통해 제9 트랜지스터(T22) 및 제10 트랜지스터(T23)의 게이트 전극에 각각 인가되어 제9 트랜지스터(T22) 및 제10 트랜지스터(T23)가 각각 턴-온 된다. 턴-온 된 제9 트랜지스터(T22)를 통해 제2 화소(PX2)에 대응하는 데이터 전압이 제2 커패시터(Cst2)의 타 전극에 인가되어 데이터 전압과 구동 전압의 차이가 제2 커패시터(Cst2)에 충전된다. 턴-온된 제10 트랜지스터(T23)에 의해 제8 트랜지스터(T21)의 게이트 전극과 드레인 전극이 연결되어 제9 트랜지스터(T21)는 다이오드연결된다.
시점(t5)에서, 인에이블 레벨의 제3 스캔 신호(GB[12])가 제3 스캔선(GB12)을 통해 제7 트랜지스터(T17) 및 제 14트랜지스터(T27)의 게이트 전극에 각각 인가되어 제7 트랜지스터(T17) 및 제 14트랜지스터(T27)가 턴-온 된다. 턴-온 된 제7 트랜지스터(T17)를 통해 제2 초기화 전원선(Vin2)과 제1 유기 발광소자(OLED1)의 제 1 전극이 연결되고, 제1 유기 발광소자(OLED1)의 제1 전극이 초기화 된다.
또한, 턴-온 된 제14 트랜지스터(T27)를 통해 제2 초기화 전원선(Vin2)과 제2 유기 발광소자(OLED2)의 제 1 전극이 연결되고, 제2 유기 발광소자(OLED2)의 제1 전극이 초기화 된다.
시점(t6)에서 인에이블 레벨의 제1 발광 제어신호(EM[1])가 제5 트랜지스터(T15) 및 제6 트랜지스터(T16)에 인가되어 제5트랜지스터(T15) 및 제6 트랜지스터(T16)는 턴-온 된다. 턴-온 된 제5트랜지스터(T15) 및 제6 트랜지스터(T16)를 통해 구동 전원선(ELVDD)로부터 공통 전원선(ELVSS)을 연결하는 경로가 형성된다. 형성된 경로를 통해 제1 커패시터(Cst1)에 충전된 전압에 대응하는 구동 전류(Id1)가 제1 유기 발광소자(OLED1)에 흐르게 되고, 제1 유기 발광소자(OLED1)는 발광한다.
또한, 인에이블 레벨의 제2 발광 제어신호(EM[2])가 제 12트랜지스터(T25) 및 제13 트랜지스터(T26)에 인가되어 제12트랜지스터(T25) 및 제13 트랜지스터(T26)는 턴-온 된다. 턴-온 된 제12트랜지스터(T25) 및 제13 트랜지스터(T26)를 통해 구동 전원선(ELVDD)로부터 공통 전원선(ELVSS)을 연결하는 경로가 형성된다. 형성된 경로를 통해 제2 커패시터(Cst2)에 충전된 전압에 대응하는 구동 전류(Id2)가 제2 유기 발광소자(OLED2)에 흐르게 되고, 제2 유기 발광소자(OLED2)는 발광한다.
도 6 및 도 7은 다른 실시 예에 따른 화소 회로이다.
이하, 도 6 및 도 7을 이용하여 다른 실시 예에 따른 화소 회로(2)의 구성에 대해서 설명한다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 다른 실시 예에 따른 화소 회로(2)는 제1 화소(PX1)내지 제4 화소(PX4)를 포함한다.
다른 실시 예에 따른 화소 회로(2)는 도 1의 실시 예에 따른 화소 회로(1)와 비교하여 제3 화소(PX3)와 제4 화소(PX4)는 제12 스캔선(GB34)을 공유하는 구성이 상이다. 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였고, 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
먼저, 제1 화소(PX1)에 대해서 설명한다.
도 6을 참조하면, 제1 화소(PX1)는 복수의 트랜지스터(T11, T12, T13, T14, T15, T16, T17), 복수의 트랜지스터(T11, T12, T13, T14, T15, T16, T17)에 선택적으로 연결되는 복수의 배선(GW1, GI1, GB12, EM1, Vin1, Vin2, DA1, ELVDD), 제1 커패시터(Cst1), 및 제1 유기 발광소자(OLED1)를 포함한다.
제1 화소(PX1)에 대한 설명은 도 1을 참조하여 상술한 바와 동일하므로 생략한다.
다음, 제2 화소(PX2)에 대해서 설명한다.
제2 화소(PX2)는 복수의 트랜지스터(T21, T22, T23, T24, T25, T26, T27), 복수의 트랜지스터(T21, T22, T23, T24, T25, T26, T27)에 선택적으로 연결되는 복수의 배선(GW2, GI23, GB12, EM2, Vin1, Vin2, DA2, ELVDD), 제2 커패시터(Cst2), 및 제2 유기 발광소자(OLED2)를 포함한다.
복수의 트랜지스터(T21, T22, T23, T24, T25, T26, T27)는 제8 트랜지스터(T21), 제9 트랜지스터(T22), 제10 트랜지스터(T23), 제11 트랜지스터(T24), 제12 트랜지스터(T25), 제13 트랜지스터(T26), 제14 트랜지스터(T27)를 포함한다.
제8 트랜지스터(T21), 제9 트랜지스터(T22), 제10 트랜지스터(T23), 제12 트랜지스터(T25), 제13 트랜지스터(T26), 제14 트랜지스터(T27), 제2 커패시터(Cst2), 및 제2 유기 발광소자(OLED2)에 대한 설명은 도 1을 참조하여 상술한 바와 동일하므로 생략한다.
제11 트랜지스터(T24)의 게이트 전극은 제10 스캔선(GI23)과 연결되어 있고, 소스 전극은 제1 초기화 전원선(Vin1)과 연결되어 있으며, 드레인 전극은 제8 트랜지스터(T21)의 게이트 전극과 연결되어 있다.
복수의 배선들은 제9 트랜지스터(T22)의 게이트 전극 및 제10 트랜지스터(T23)의 게이트 전극 각각에 제4 주사 신호를 전달하는 제9 스캔선(GW2_2), 제11 트랜지스터(T24)의 게이트 전극에 제5 주사 신호를 전달하는 제10 스캔선(GI23), 제14 트랜지스터(T27)의 게이트 전극(G17)에 제3 주사 신호를 전달하는 제8 스캔선(GB12_2), 제12 트랜지스터(T25)의 게이트 전극 및 제13 트랜지스터(T26)의 게이트 전극(G26) 각각에 제2 발광 제어 신호를 전달하는 제2 발광 제어선(EM2), 제9 트랜지스터(T22)의 소스 전극에 데이터 신호를 전달하는 데이터선(DA2)을 포함한다.
또한, 복수의 배선들은 제2 커패시터(Cst2)의 일 전극 및 제12 트랜지스터(T25)의 소스 전극 각각에 구동 신호를 공급하는 구동 전원선(ELVDD), 제11 트랜지스터(T24)의 소스 전극에 제1 초기화 신호를 공급하는 제1 초기화 전원선(Vin1), 및 제14 트랜지스터(T27)의 드레인 전극(D27)에 제2 초기화 신호를 공급하는 제2 초기화 전원선(Vin2)을 포함한다.
다음, 제 3화소(PX3)에 대해서 설명한다.
도 7을 참조하면, 제3 화소(PX3)는 복수의 트랜지스터(T31, T32, T33, T34, T35, T36, T37), 복수의 트랜지스터(T31, T32, T33, T34, T35, T36, T37)에 선택적으로 연결되는 복수의 배선(GW3, GI23, GB34, EM3, Vin1, Vin2, DA3, ELVDD), 제3 커패시터(Cst3), 및 제3 유기 발광소자(OLED3)를 포함한다.
복수의 트랜지스터(T31, T32, T33, T34, T35, T36, T37)는 제15 트랜지스터(T31), 제16 트랜지스터(T32), 제17 트랜지스터(T33), 제18 트랜지스터(T34), 제19 트랜지스터(T35), 제20 트랜지스터(T36), 제21 트랜지스터(T37)를 포함한다.
제15 트랜지스터(T31)의 게이트 전극은 제17 트랜지스터(T33)의 드레인 전극 및 제18 트랜지스터(T34)의 드레인 전극에 연결되어 있고, 소스 전극은 제16 트랜지스터(T32)의 드레인 전극 및 제19 트랜지스터(T35)의 드레인 전극에 연결되어 있고, 드레인 전극은 제17 트랜지스터(T33)의 소스 전극 및 제20 트랜지스터(T36)의 소스 전극에 연결되어 있다.
제16 트랜지스터(T32)의 게이트 전극은 제6 스캔선(GW1_2)과 연결되어 있고, 소스 전극은 데이터선(DA3)과 연결되어 있으며, 드레인 전극은 제15 트랜지스터(T31)의 소스 전극과 연결되어 있다.
제17 트랜지스터(T33)의 게이트 전극은 제6 스캔선(GW1_2)과 연결되어 있고, 소스 전극은 제15 트랜지스터(T31)의 드레인 전극과 연결되어 있으며, 드레인 전극은 제15 트랜지스터(T31)의 게이트 전극과 연결되어 있다.
제18 트랜지스터(T34)의 게이트 전극은 제7 스캔선(GI1_2)과 연결되어 있고, 소스 전극은 제1 초기화 전원선(Vin1)과 연결되어 있으며, 드레인 전극은 제15 트랜지스터(T31)의 게이트 전극과 연결되어 있다.
제19 트랜지스터(T35)의 게이트 전극은 제3 발광 제어선(EM3)과 연결되어 있고, 소스 전극은 구동 전원선(ELVDD)과 연결되어 있으며, 드레인 전극은 제15 트랜지스터(T31)의 소스 전극과 연결되어 있다.
제20 트랜지스터(T36)의 게이트 전극은 제3 발광 제어선(EM3)과 연결되어 있으며, 소스 전극은 제15 트랜지스터(T31)의 드레인 전극과 연결되어 있으며, 드레인 전극은 제21 트랜지스터(T37)의 소스 전극과 연결되어 있다.
제21 트랜지스터(T37)의 게이트 전극은 제8 스캔선(GB12_2)과 연결되어 있고, 소스 전극은 제3 유기 발광소자(OLED3)의 제1 전극과 연결되어 있으며, 드레인 전극은 제 2초기화 전원선(Vin2)과 연결되어 있다.
복수의 배선들은 제16 트랜지스터(T32)의 게이트 전극 및 제17 트랜지스터(T33)의 게이트 전극 각각에 제1 주사 신호를 전달하는 제11 스캔선(GW3), 제18 트랜지스터(T34)의 게이트 전극에 제2 주사 신호를 전달하는 제10 스캔선(GI23), 제21 트랜지스터(T37)의 게이트 전극(G17)에 제3 주사 신호를 전달하는 제12 스캔선(GB34), 제19 트랜지스터(T35)의 게이트 전극 및 제20 트랜지스터(T36)의 게이트 전극 각각에 제1 발광 제어 신호를 전달하는 제3 발광 제어선(EM3), 제16 트랜지스터(T32)의 소스 전극에 데이터 신호를 전달하는 데이터선(DA3)을 포함한다.
또한, 복수의 배선들은 제3 커패시터(Cst3)의 일 전극 및 제19 트랜지스터(T35)의 소스 전극 각각에 구동 신호를 공급하는 구동 전원선(ELVDD), 제18 트랜지스터(T34)의 소스 전극에 제1 초기화 신호를 공급하는 제1 초기화 전원선(Vin1), 및 제21 트랜지스터(T37)의 드레인 전극(D17)에 제2 초기화 신호를 공급하는 제2 초기화 전원선(Vin2)을 포함한다.
제3 커패시터(Cst3)는 구동 전원선(ELVDD)과 연결된 일 전극 및 제15 트랜지스터(T31)의 게이트 전극 및 제18 트랜지스터(T34)의 드레인 전극과 연결된 타 전극을 포함한다.
제3 유기 발광소자(OLED3)는 제1 전극, 제2 전극, 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함한다. 제3 유기 발광소자(OLED3)의 제1 전극은 제21 트랜지스터(T37)의 소스 전극 및 제20 트랜지스터(T36)의 드레인 전극과 각각 연결되어 있으며, 제2 전극은 공통 신호가 전달되는 공통 전원선(ELVSS)과 연결된다.
다음, 제4 화소(PX4)에 대해서 설명한다.
제4 화소(PX4)는 복수의 트랜지스터(T41, T42, T43, T44, T45, T46, T47), 복수의 트랜지스터(T41, T42, T43, T44, T45, T46, T47)에 선택적으로 연결되는 복수의 배선(GW4, GI45, GB34, EM4, Vin1, Vin2, DA4, ELVDD), 제4 커패시터(Cst4), 및 제4 유기 발광소자(OLED4)를 포함한다.
복수의 트랜지스터(T41, T42, T43, T44, T45, T46, T47)는 제22 트랜지스터(T41), 제23 트랜지스터(T42), 제24 트랜지스터(T43), 제25 트랜지스터(T44), 제26 트랜지스터(T45), 제27 트랜지스터(T46), 제28 트랜지스터(T47)를 포함한다.
제22 트랜지스터(T41)의 게이트 전극은 제24 트랜지스터(T43)의 드레인 전극 및 제25 트랜지스터(T44)의 드레인 전극에 연결되어 있고, 소스 전극은 제26 트랜지스터(T45)의 드레인 전극 및 제23 트랜지스터(T42)의 드레인 전극에 연결되어 있고, 드레인 전극은 제24 트랜지스터(T43)의 소스 전극 및 제27 트랜지스터(T46)의 소스 전극에 연결되어 있다.
제23 트랜지스터(T42)의 게이트 전극은 제13 스캔선(GW4)과 연결되어 있고, 소스 전극은 데이터선(DA4)과 연결되어 있으며, 드레인 전극은 제22 트랜지스터(T41)의 소스 전극과 연결되어 있다.
제24 트랜지스터(T43)의 게이트 전극은 제13 스캔선(GW4)과 연결되어 있고, 소스 전극은 제22 트랜지스터(T41)의 드레인 전극과 연결되어 있으며, 드레인 전극은 제22 트랜지스터(T41)의 게이트 전극과 연결되어 있다.
제25 트랜지스터(T44)의 게이트 전극은 제14 스캔선(GI45)과 연결되어 있고, 소스 전극은 제1 초기화 전원선(Vin1)과 연결되어 있으며, 드레인 전극은 제22 트랜지스터(T41)의 게이트 전극과 연결되어 있다.
제26 트랜지스터(T45)의 게이트 전극은 제4 발광 제어선(EM4)과 연결되어 있고, 소스 전극은 구동 전원선(ELVDD)과 연결되어 있으며, 드레인 전극은 제22 트랜지스터(T41)의 소스 전극과 연결되어 있다.
제27 트랜지스터(T46)의 게이트 전극은 제4 발광 제어선(EM4)과 연결되어 있으며, 소스 전극은 제22 트랜지스터(T41)의 드레인 전극과 연결되어 있으며, 드레인 전극은 제28 트랜지스터(T47)의 소스 전극(S17)과 연결되어 있다.
제28 트랜지스터(T47)의 게이트 전극(G17)은 제12 스캔선(GB34)과 연결되어 있고, 소스 전극은 제4 유기 발광소자(OLED4)의 제1 전극과 연결되어 있으며, 드레인 전극은 제 2초기화 전원선(Vin2)과 연결되어 있다.
복수의 배선들은 제23 트랜지스터(T42)의 게이트 전극 및 제24 트랜지스터(T43)의 게이트 전극 각각에 제4 주사 신호를 전달하는 제13 스캔선(GW4), 제25 트랜지스터(T44)의 게이트 전극에 제5 주사 신호를 전달하는 제14 스캔선(GI45), 제28 트랜지스터(T47)의 게이트 전극에 제3 주사 신호를 전달하는 제12 스캔선(GB34), 제26 트랜지스터(T45)의 게이트 전극 및 제27 트랜지스터(T46)의 게이트 전극 각각에 제4 발광 제어 신호를 전달하는 제4 발광 제어선(EM4), 제23 트랜지스터(T42)의 소스 전극에 데이터 신호를 전달하는 데이터선(DA4)을 포함한다.
또한, 복수의 배선들은 제4 커패시터(Cst4)의 일 전극 및 제26 트랜지스터(T45)의 소스 전극 각각에 구동 신호를 공급하는 구동 전원선(ELVDD), 제25 트랜지스터(T44)의 소스 전극에 제1 초기화 신호를 공급하는 제1 초기화 전원선(Vin1), 및 제28 트랜지스터(T47)의 드레인 전극(D27)에 제2 초기화 신호를 공급하는 제2 초기화 전원선(Vin2)을 포함한다.
제4 커패시터(Cst4)는 구동 전원선(ELVDD)과 연결된 일 전극 및 제22 트랜지스터(T41)의 게이트 전극 및 제24 트랜지스터(T43)의 드레인 전극과 연결된 타 전극을 포함한다.
제4 유기 발광소자(OLED4)는 제1 전극, 제2 전극, 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함한다. 제4 유기 발광소자(OLED4)의 제1 전극은 제28 트랜지스터(T47)의 소스 전극 및 제27 트랜지스터(T46)의 드레인 전극(D26)과 각각 연결되어 있으며, 제2 전극은 공통 신호가 전달되는 공통 전원선(ELVSS)과 연결된다.
따라서, 따라서, 제1 화소(PX1)와 제2 화소(PX2)는 제8 스캔선(GB12_2)을 공유하고, 제3 화소(PX3)와 제4 화소(PX4)는 제10 스캔선(GI23)을 공유한다. 그러므로, 제1 내지 제4 화소(PX1-PX4)를 8 개의 스캔선(GW1, GI1, GB12, GW2, GI23, GW3, GB34, GW4)로 구동 가능 한다.
도 8은 도 6 및 도 7의 다른 실시 예에 따른 화소 회로의 구동 타이밍도이다.
시점(t1)에서, 디스 에이블 레벨의 제1 발광 제어신호(EM[1])가 제5 트랜지스터(T15) 및 제6 트랜지스터(T16)에 인가되어 제5트랜지스터(T15) 및 제6 트랜지스터(T16)는 턴-오프 된다. 또한, 디스 에이블 레벨의 제2 발광 제어신호(EM[2])가 제 12트랜지스터(T25) 및 제13 트랜지스터(T26)에 인가되어 제12 트랜지스터(T25) 및 제13 트랜지스터(T26)는 턴-오프 된다.
시점(t2)에서, 디스 에이블 레벨의 제3 발광 제어신호(EM[3])가 제 19트랜지스터(T35) 및 제20 트랜지스터(T36)에 인가되어 제19트랜지스터(T35) 및 제20 트랜지스터(T36)는 턴-오프 된다. 또한, 디스 에이블 레벨의 제4 발광 제어신호(EM[4])가 제 26트랜지스터(T45) 및 제27 트랜지스터(T46)에 인가되어 제26 트랜지스터(T45) 및 제27 트랜지스터(T46)는 턴-오프 된다.
시점(t2)에서, 인에이블 레벨의 제7 스캔신호(GI[1_2])가 제7 스캔선(GI1_2)를 통해 제4 트랜지스터(T14)의 게이트 전극에 인가되어 제4 트랜지스터(T14)가 턴-온 된다. 턴-온 된 제4 트랜지스터(T14)를 통해 제1 트랜지스터(T11)의 게이트 전극에 제1 초기화 전원이 인가되어 제1 트랜지스터(T11)가 초기화된다.
시점(t3)에서, 인에이블 레벨의 제10 스캔신호(GI[23])가 제10 스캔선(GI23)를 통해 제11트랜지스터(T24) 및 제18 트랜지스터(T34)의 게이트 전극에 각각 인가되어 제11트랜지스터(T24) 및 제18 트랜지스터(T34)가 각각 턴-온 된다.
턴-온 된 제11 트랜지스터(T24)를 통해 제8 트랜지스터(T21)의 게이트 전극에 제1 초기화 전원선(Vin1)이 연결되어 제8 트랜지스터(T21)가 초기화된다. 또한, 턴-온 된 제18 트랜지스터(T34)를 통해 제15 트랜지스터(T31)의 게이트 전극에 제1 초기화 전원선(Vin1)이 연결되어 제15 트랜지스터(T31)가 초기화된다.
시점(t4)에서, 인에이블 레벨의 제6 스캔신호(GW[1_2])가 제6 스캔선(GW1_2)를 통해 제2 트랜지스터(T12) 및 제3 트랜지스터(T13)의 게이트 전극에 각각 인가되어 제2 트랜지스터(T12) 및 제3 트랜지스터(T13)가 각각 턴-온 된다. 턴-온 된 제2 트랜지스터(T12)를 통해 제1 화소(PX1)에 대응하는 데이터 전압이 제1 커패시터(Cst1)의 타 전극에 인가되어 데이터 전압과 구동 전압의 차이가 제1 커패시터(Cst1)에 충전된다. 턴-온된 제3 트랜지스터(T13)에 의해 제1 트랜지터(T11)의 게이트 전극과 드레인 전극이 연결되어 제1 트랜지스터(T11)는 다이오드연결된다.
또한, 인에이블 레벨의 제9 스캔신호(GW[2_2])가 제9 스캔선(GW2_2)를 통해 제9 트랜지스터(T22) 및 제10 트랜지스터(T23)의 게이트 전극에 각각 인가되어 제9 트랜지스터(T22) 및 제10 트랜지스터(T23)가 각각 턴-온 된다. 턴-온 된 제9 트랜지스터(T22)를 통해 제2 화소(PX2)에 대응하는 데이터 전압이 제2 커패시터(Cst2)의 타 전극에 인가되어 데이터 전압과 구동 전압의 차이가 제2 커패시터(Cst2)에 충전된다. 턴-온된 제10 트랜지스터(T23)에 의해 제8 트랜지스터(T21)의 게이트 전극과 드레인 전극이 연결되어 제8 트랜지스터(T21)는 다이오드 연결된다.
시점(t5)에서, 인에이블 레벨의 제11 스캔신호(GW[3])가 제11 스캔선(GW3)를 통해 제16 트랜지스터(T32) 및 제17 트랜지스터(T33)의 게이트 전극에 각각 인가되어 제16 트랜지스터(T32) 및 제17 트랜지스터(T33)가 각각 턴-온 된다. 턴-온 된 제16 트랜지스터(T32)를 통해 제3 화소(PX3)에 대응하는 데이터 전압이 제3 커패시터(Cst3)의 타 전극에 인가되어 데이터 전압과 구동 전압의 차이가 제3 커패시터(Cst3)에 충전된다. 턴-온된 제17 트랜지스터(T33)에 의해 제15 트랜지터(T31)의 게이트 전극과 드레인 전극이 연결되어 제15 트랜지스터(T31)는 다이오드 연결된다.
또한, 인에이블 레벨의 제14 스캔신호(GI[45])가 제14 스캔선(GI45)을 통해 제25 트랜지스터(T44)의 게이트 전극에 인가되어 제25 트랜지스터(T44)가 턴-온 된다. 턴-온 된 제25 트랜지스터(T44)를 통해 제22 트랜지스터(T41)의 게이트 전극에 제1 초기화 전원선(Vin1)이 연결되어 제22 트랜지스터(T41)가 초기화된다.
시점(t6)에서, 인에이블 레벨의 제8 스캔 신호(GB[12])가 제8 스캔선(GB12_2)을 통해 제7 트랜지스터(T17) 및 제 14트랜지스터(T27)의 게이트 전극에 각각 인가되어 제7 트랜지스터(T17) 및 제 14트랜지스터(T27)가 턴-온 된다. 턴-온 된 제7 트랜지스터(T17)를 통해 제2 초기화 전원선(Vin2)과 제1 유기 발광소자(OLED1)의 제 1 전극이 연결되고, 제1 유기 발광소자(OLED1)의 제1 전극이 초기화된다. 턴-온 된 제14 트랜지스터(T27)를 통해 제2 초기화 전원선(Vin2)과 제2 유기 발광소자(OLED2)의 제 1 전극이 연결되고, 제2 유기 발광소자(OLED2)의 제1 전극이 초기화된다.
또한, 인에이블 레벨의 제13 스캔신호(GW[4])가 제13 스캔선(GW4)를 통해 제23 트랜지스터(T42) 및 제24 트랜지스터(T43)의 게이트 전극에 각각 인가되어 제23 트랜지스터(T42) 및 제24 트랜지스터(T43)가 각각 턴-온 된다. 턴-온 된 제23 트랜지스터(T42)를 통해 제4 화소(PX4)에 대응하는 데이터 전압이 제4 커패시터(Cst4)의 타 전극에 인가되어 데이터 전압과 구동 전압의 차이가 제4 커패시터(Cst4)에 충전된다. 턴-온된 제24 트랜지스터(T43)에 의해 제22 트랜지터(T41)의 게이트 전극과 드레인 전극이 연결되어 제22 트랜지스터(T41)는 다이오드 연결된다.
시점(t7)에서, 인에이블 레벨의 제1 발광 제어신호(EM[1])가 제5 트랜지스터(T15) 및 제6 트랜지스터(T16)에 인가되어 제5트랜지스터(T15) 및 제6 트랜지스터(T16)는 턴-온 된다. 턴-온 된 제5트랜지스터(T15) 및 제6 트랜지스터(T16)를 통해 구동 전원선(ELVDD)로부터 공통 전원선(ELVSS)을 연결하는 경로가 형성된다. 형성된 경로를 통해 제1 커패시터(Cst1)에 충전된 전압에 대응하는 구동 전류(Id1)가 제1 유기 발광소자(OLED1)에 흐르게 되고, 제1 유기 발광소자(OLED1)는 발광한다.
또한, 인에이블 레벨의 제2 발광 제어신호(EM[2])가 제 12트랜지스터(T25) 및 제13 트랜지스터(T26)에 인가되어 제12트랜지스터(T25) 및 제13 트랜지스터(T26)는 턴-온 된다. 턴-온 된 제12트랜지스터(T25) 및 제13 트랜지스터(T26)를 통해 구동 전원선(ELVDD)로부터 공통 전원선(ELVSS)을 연결하는 경로가 형성된다. 형성된 경로를 통해 제2 커패시터(Cst2)에 충전된 전압에 대응하는 구동 전류(Id2)가 제2 유기 발광소자(OLED2)에 흐르게 되고, 제2 유기 발광소자(OLED2)는 발광한다.
시점(t8)에서, 인에이블 레벨의 제12 스캔 신호(GB[34])가 제12 스캔선(GB34)을 통해 제21 트랜지스터(T37) 및 제 28트랜지스터(T47)의 게이트 전극에 각각 인가되어 제21 트랜지스터(T37) 및 제 28트랜지스터(T47)가 턴-온 된다. 턴-온 된 제21 트랜지스터(T37)를 통해 제2 초기화 전원선(Vin2)과 제3 유기 발광소자(OLED3)의 제 1 전극이 연결되어 제3 유기 발광소자(OLED3)의 제1 전극이 초기화된다. 턴-온 된 제28 트랜지스터(T47)를 통해 제2 초기화 전원선(Vin2)과 제4 유기 발광소자(OLED4)의 제 1 전극이 연결되고, 제4 유기 발광소자(OLED4)의 제1 전극이 초기화된다.
시점(t9)에서, 인에이블 레벨의 제3 발광 제어신호(EM[3])가 제 19트랜지스터(T35) 및 제20 트랜지스터(T36)에 인가되어 제19트랜지스터(T20) 및 제20 트랜지스터(T36)는 턴-온 된다. 턴-온 된 제19트랜지스터(T20) 및 제20 트랜지스터(T36)를 통해 구동 전원선(ELVDD)로부터 공통 전원선(ELVSS)을 연결하는 경로가 형성된다. 형성된 경로를 통해 제3 커패시터(Cst3)에 충전된 전압에 대응하는 구동 전류(Id3)가 제3 유기 발광소자(OLED3)에 흐르게 되고, 제3 유기 발광소자(OLED3)는 발광한다.
또한, 인에이블 레벨의 제4 발광 제어신호(EM[4])가 제 26트랜지스터(T45) 및 제27 트랜지스터(T46)에 인가되어 제26트랜지스터(T45) 및 제27 트랜지스터(T46)는 턴-온 된다. 턴-온 된 제26 트랜지스터(T45) 및 제27 트랜지스터(T46)를 통해 구동 전원선(ELVDD)로부터 공통 전원선(ELVSS)을 연결하는 경로가 형성된다. 형성된 경로를 통해 제4 커패시터(Cst4)에 충전된 전압에 대응하는 구동 전류(Id4)가 제4 유기 발광소자(OLED4)에 흐르게 되고, 제4 유기 발광소자(OLED4)는 발광한다.
이상에서 본 발명의 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다. 따라서, 상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니 되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.

Claims (6)

  1. 제1 화소, 및 제2 화소를 포함하는 화소 회로로서,
    상기 제1 화소는,
    제어 전극과 제2전극 사이의 전압에 대응하는 제1 전류가 제1전극에 흐르며, 상기 제2 전극은 제1 전원에 연결된 제1 트랜지스터;
    상기 제1 트랜지스터의 상기 제1 전극에 연결된 일단, 및 제2 전원에 연결된 타단을 포함하고, 상기 제1 전류에 의해 발광하는 제1 발광소자;
    제1 주사선에 연결된 제어전극, 상기 제1 발광소자의 일단에 연결된 제2 전극, 및 제1 초기화 전원에 연결된 제1 전극으로 형성된 제2 트랜지스터; 및
    제4 주사선에 연결된 제어전극, 대응하는 데이터 선에 연결된 제2 전극, 및 상기 제1 트랜지스터의 제2 전극에 연결된 제1 전극을 포함하는 제7 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제2 화소는,
    제어 전극과 제2전극 사이의 전압에 대응하는 제2 전류가 제1전극에 흐르며, 상기 제2 전극은 제1 전원에 연결된 제3 트랜지스터;
    상기 제3 트랜지스터의 상기 제1 전극에 연결된 일단, 및 상기 제2 전원에 연결된 타단을 포함하고, 상기 제2 전류에 의해 발광하는 제2 발광소자;
    상기 제1 주사선에 연결된 제어전극, 상기 제2 발광소자의 일단에 연결된 제2 전극, 및 상기 제1 초기화 전원에 연결된 제1 전극으로 형성된 제4 트랜지스터; 및
    제5 주사선에 연결된 제어전극, 대응하는 데이터 선에 연결된 제2 전극, 및 상기 제3 트랜지스터의 제2 전극에 연결된 제1 전극을 포함하는 제9 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제4 주사선과 상기 제5 주사선은 상이한 주사선인 화소 회로.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 화소는,
    제2 주사선에 연결된 제어전극, 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극과 연결된 제2 전극, 및 제2 초기화 전원에 연결된 제1 전극을 포함하는 제5 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제2 화소는,
    제3 주사선에 연결된 제어전극, 상기 제3 트랜지스터의 제어 전극과 연결된 제2 전극, 및 상기 제2 초기화 전원에 연결된 제1 전극을 포함하는 제6 트랜지스터를 포함하는 화소 회로.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 화소의 상기 제2 주사선과 상기 제2 화소의 상기 제3 주사선은 서로 연결된 화소 회로.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 화소는,
    상기 제4 주사선에 연결된 제어전극, 상기 제1 트랜지스터의 제어전극에 연결된 제2 전극, 및 상기 제1 트랜지스터의 제1 전극에 연결된 제1 전극을 포함하는 제8 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제2 화소는,
    상기 제5 주사선에 연결된 제어전극, 상기 제3 트랜지스터의 제어전극에 연결된 제2 전극, 및 상기 제3 트랜지스터의 제1 전극에 연결된 제1 전극을 포함하는 제10 트랜지스터를 포함하는 화소 회로.
  5. 제어 전극과 제2 전극 사이의 전압에 대응하는 제1 전류가 제1 전극에 흐르며 상기 제2 전극은 제1 전원에 연결된 제1트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터의 상기 제1 전극에 연결된 일단과 제2 전원에 연결된 타단을 포함하고 상기 제1 전류에 의해 발광하는 제1 발광소자, 제1 주사선에 연결된 제어전극과 상기 제1 발광소자의 일단에 연결된 제2 전극과 제1 초기화 전원에 연결된 제1 전극으로 형성된 제2 트랜지스터, 및 제4 주사선에 연결된 제어전극, 대응하는 데이터 선에 연결된 제2 전극, 및 상기 제1 트랜지스터의 제2 전극에 연결된 제1 전극을 포함하는 제7 트랜지스터를 포함하는 제1 화소, 및 제어 전극과 제2전극 사이의 전압에 대응하는 제2 전류가 제1전극에 흐르며 상기 제2 전극은 제1 전원에 연결된 제3 트랜지스터, 상기 제3 트랜지스터의 상기 제1 전극에 연결된 일단과 상기 제2 전원에 연결된 타단을 포함하고 상기 제2 전류에 의해 발광하는 제2 발광소자, 상기 제1 주사선에 연결된 제어전극과 상기 제2 발광소자의 일단에 연결된 제2 전극과 상기 제1 초기화 전원에 연결된 제1 전극으로 형성된 제4 트랜지스터, 및 제5 주사선에 연결된 제어전극, 대응하는 데이터 선에 연결된 제2 전극, 및 상기 제3 트랜지스터의 제2 전극에 연결된 제1 전극을 포함하는 제9 트랜지스터를 포함하는 제2 화소를 포함하고, 상기 제4 주사선과 상기 제5 주사선은 상이한 주사선인 화소 회로의 구동방법으로서,
    상기 제1 주사선에 제1 주사신호가 인가되는 단계;
    상기 제1 발광소자의 상기 일단에 상기 제1 초기화 전원이 인가되는 단계; 및
    상기 제2 발광소자의 상기 일단에 각각 상기 제1 초기화 전원이 인가되는 단계를 포함하는 화소 회로의 구동방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 화소는, 제2 주사선에 연결된 제어전극, 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극과 연결된 제2 전극, 및 제2 초기화 전원에 연결된 제1 전극을 포함하는 제5 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제2 화소는, 제3 주사선에 연결된 제어전극, 상기 제3 트랜지스터의 제어 전극과 연결된 제2 전극, 및 상기 제2 초기화 전원에 연결된 제1 전극을 포함하는 제6 트랜지스터를 포함하되, 상기 제1 화소의 제2 주사선과 상기 제2 화소의 상기 제3 주사선은 서로 연결되어 있고,
    상기 제3 주사선에 제3 주사 신호가 인가되는 단계;
    상기 제1 트랜지스터의 상기 제어 전극에 상기 제2 초기화 전원이 인가되는 단계; 및
    상기 제3 트랜지스터의 상기 제어 전극에 상기 제2 초기화 전원이 인가되는 단계를 포함하는 화소 회로의 구동방법.
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