KR102458949B1 - 연성 인쇄회로기판용 기재 - Google Patents

연성 인쇄회로기판용 기재 Download PDF

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Abstract

실시예에 따른 연성 인쇄회로기판용 기재는, TAHQ 또는 BP-TME의 에스테르기를 가지는 산무수물의 제 1 물질; 및 m-톨리딘(m-Tolidine) 및 굴곡성 다이아민(Diamine) 중 적어도 하나의 제 2 물질을 포함한다.

Description

연성 인쇄회로기판용 기재{BASE FILM FOR FELXIBLE PRINTED CIRCUIT SUBSTRATE}
실시예는 연성 인쇄회로기판용 기재에 관한 것이다.
사회의 발전과 더불어 가전제품의 소형화가 진행되고 있다. 가전제품의 소형화에는 연성 인쇄회로기판(FPCB)의 존재를 빼놓을 수 없다. 가전제품의 메인보드에는 리지드한 인쇄회로기판(PCB)이 사용되었는데, 여러가지 기능을 부여하기 위해 많은 부품과 메인보드와 접속해야 할 필요가 있다.
이때 소형화에 기여하는 것이 연성 인쇄회로기판이다. 최근에는 옥외에서도 무선을 사용하여 인터넷에 접속하는 것이 가능하며, 노트북 컴퓨터, 스마트폰에는 전파 수신 기능이 표준으로 갖춰져 있다. 또한, 통신 기술의 발전으로 인터넷 접속 속도도 빨라졌다. 현재는 4G에서 5G로의 이행기이며, 향후 GHz대를 사용하여 새로운 고속 통신을 사용하는 시대가 열리고 있다.
종래에는 연성 인쇄회로기판의 기재로서 폴리이미드(PI)가 사용되었더.
폴리이미드((Polyimide) 연성동박기판(Flexible Copper Clad Laminate, [0003] FCCL)은 양호한 사이즈 안정성, 내열성, 열팽창계수, 기계적 강도와 저항 절연성을 구비하고 있어, 전자 산업에 대량으로 적용되고 있다. 그러나, 폴리이미드는 높은 유전상수, 높은 손실인자 등의 특성을 가지고 있어 고주파 기판의 절연층으로서 적합하지 않은 문제점이 있다
이에 따라, 종래에는 고주파 신호의 연성 인쇄회로기판으로서 액정고분자막(Liquid Crystal Polymer, LCP)에 동박을 압착하여 제조하였다.
그러나, LCP의 독특한 분자 구조 특성으로 인해 과다한 순향성 배열이 발생하여 가로방향의 기계적 성질의 불량을 초래하기 쉬우며, LCP 박막 가공 및 제품 적용이 심각한 제약을 받는다는 문제점이 있다.
또한, LCP의 독특한 분자 구조 특성으로 인해 그 고분자의 유리전이온도(Tg)와 용융점(Tm)이 근접해져 LCP를 적용한 연성 인쇄회로기판의 열압착 공정에서 사이즈 안정성을 제어하기 쉽지 않은 문제점이 있다
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있는 연성 인쇄회로기판의 기재가 요구된다.
실시예는 연성 인쇄회로기판용 기재에 대한 것으로서, 폴리이미드의 이미드기와 에스테르기의 비율을 최적화함으로써, 연성 인쇄회로기판에 필요한 물성 특성을 충족시킬 수 있는 연성 인쇄회로기판용 기재를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 연성 인쇄회로기판용 기재는, TAHQ 또는 BP-TME의 에스테르기를 가지는 산무수물의 제 1 물질; 및 m-톨리딘(m-Tolidine) 및 굴곡성 다이아민(Diamine) 중 적어도 하나의 제 2 물질을 포함한다.
실시예에 따른 폴리이미드 기재는 이미드기를 포함하는 물질들의 몰% 비율을 제어하여, 폴리이미드 기재의 열팽창 계수를 가소할 수 있다.
즉, 폴리이미드 기재의 열팽창 계수를 회로 패턴 예를 들어, 구리의 열팽창 계수와 유사하게 제어할 수 있다.
이에 따라, 실시에 따른 폴리이미드 기재를 포함하는 연성 인쇄회로기판은 회로패턴과의 향상된 사이즈(치수) 안정성 및 접착력을 가질 수 있다.
또한, 실시예에 따른 폴리이미드 기재는 낮은 저유전율, 저유전 정접을 가지므로, 고주파 신호를 전달하는 전자 디바이스에 적용되어도 고주파 신호에 따른 신호 손실을 저감할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 연성 인쇄회로기판의 단면도를 도시한 도면이다.
도 2는 실시예에 따른 연성 인쇄회로기판의 단면도를 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, “A 및(와) B, C중 적어도 하나(또는 한개이상)”로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나이상을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 한정되지 않는다.
그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속＇되는 경우도 포함할 수 있다.
또한, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다.
또한 “상(위) 또는 하(아래)”으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도 1을 참조하여, 실시예에 따른 연성 인쇄회로기판을 설명한다. 실시예에 따른 연성 인쇄회로기판은 24㎓ 내지 100㎓의 고주파 신호를 전달하는 안테나 및 케이블에 적용될 수 있다.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 연성 인쇄회로기판은 기재(100), 회로 패턴(200) 및 보호층(300)을 포함할 수 있다.
상기 기재(100)은 리지드(rigid)하거나 또는 플렉서블(flexible)할 수 있다.
상기 기재(100)는 투명, 반투명 또는 불투명한 기판을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(100)은 수지 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 기재(100)는 절연 물질을 포함할 수 있다. 바람직하게, 상기 기재(100)는 폴리이미드(Polyimide, PI)를 포함할 수 있다.
상기 기재(100)의 두께는 125㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 기재(100)의 두께는 25㎛ 내지 125㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 기재(100)의 두께는 50㎛ 내지 100㎛일 수 있다.
상기 기재(100)의 두께가 25㎛ 미만인 경우, 상기 기재(100)의 강도가 저하되어 상기 기재(100)의 의해 지지되는 회로 패턴(200) 및 보호층(300)의 지지력이 저하될 수 있다.
또한, 상기 기재(100)의 두께가 125㎛를 초과하는 경우, 상기 기재(100)의 두께 증가에 의해 상기 플렉서블 인쇄회로기판의의 전체적인 절곡성 및 굴곡성이 저하될 수 있다.
또한, 상기 기재(100)는 적어도 하나의 작용기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 기재(100)는 에스테르기 및 이미드기 중 적어도 하나의 작용기를 포함할 수 있다. 즉, 상기 기재(100)는 에스테르기를 포함하는 제 1 물질 및 이미드기를 포함하는 제 2 물질 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 기재 조성물일 수 있다.
상기 기재(100)는 상기 에스테르기를 포함하는 제 1 물질과 상기 이미드기를 포함하는 제 2 물질의 몰%를 제어하여 저유전을 가지고, 낮은 열팽창계수 및 유리전인온도를 가질 수 있다.
상기 기재(100)에 포함되는 제 1 물질 및 제 2 물질에 대해서는 이하에서 상세하게 설명한다.
상기 회로 패턴(200)은 상기 기재(100) 상에 배치될 수 있다. 상기 회로 패턴(200)은 상기 기재(100) 상에 배치되어, 상기 플렉서블 인쇄회로기판에서, 전류 또는 신호가 이동하는 배선 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 상기 회로 패턴(200)에는 24㎓ 내지 100㎓의 고주파 신호가 이동할 수 있다.
이에 따라, 상기 회로 패턴(200)은 전기 전도성이 높은 금속 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 회로패턴(200)은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 구리(Cu) 및 아연(Zn) 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속 물질로 형성될 수 있다.
또는, 상기 회로패턴(200)은 본딩력이 우수한 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 구리(Cu), 아연(Zn) 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속 물질을 포함하는 페이스트 또는 솔더 페이스트로 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 회로 패턴(200)은 전기전도성이 높으면서 가격이 비교적 저렴한 구리(Cu)로 형성될 수 있다.
상기 회로패턴(200)은 통상적인 인쇄회로기판의 제조 공정인 어디티브 공법(Additive process), 서브트렉티브 공법(Subtractive Process), MSAP(Modified Semi Additive Process) 및 SAP(Semi Additive Process) 공법 등으로 가능하며 여기에서는 상세한 설명은 생략한다.
상기 회로 패턴(200)은 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 회로 패턴(200)은 제 1 금속층(201) 및 제 2 금속층(202)을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 회로 패턴(200)은 상기 기판(100) 상에 배치되는 제 1 금속층(201) 및 상기 제 1 금속층(201) 상에 배치되는 제 2 금속층(202)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 도금층(201)은 무전해 도금을 통해 형성될 수 있다, 즉, 상기 제 1 금속층(201)은 상기 회로 패턴(200)의 전해 도금을 위한 시드층일 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 금속층(201)의 두께는 상기 제 2 금속층(202)의 두께보다 작을 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 금속층(201)의 두께는 300㎚ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 금속층(201)의 두께는 10㎚ 내지 300㎚일 수 있다. 상기 제 1 금속층(201)의 두께가 10㎚ 미만인 경우, 이후에 전해 도금을 통한 도금 공정을 통해 제 2 금속층(202)을 형성하기 어려울 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(201)의 두께가 300㎚ 초과인 경우, 상기 제 1 금속층(201)의 형성을 위한 공정 시간이 증가하여 공정 효율이 저하될 수 있다.
상기 제 1 금속층(201)은 구리(Cu) 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 금속층(201)이 니켈(Ni) 또는 크롬(Cr) 등 자성 손실을 발생하는 물질을 포함하지 않으므로, 상기 회로 패턴(200)의 신호 손실을 감소시킬 수 있다.
상기 제 2 금속층(202)은 상기 제 1 금속층(201) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(202)은 상기 제 1 금속층(201)과 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(202)은 구리(Cu)를 포함할 수 있다.
상기 제 2 금속층(202)은 전해도금을 통해 형성될 수 있다. 상기 제 2 금속층(202)의 두께는 상기 제 1 금속층(201)의 두께보다 클 수 있다.
상기 제 1 금속층(201) 및 상기 제 2 금속층(202)에 의해 형성되는 상기 회로 패턴(200)의 두께는 3㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 회로 패턴(200)의 두께는 0.3㎛ 내지 3㎛일 수 있다.
상기 보호층(300)은 상기 회로 패턴(200) 상에 배치될 수 있다. 상기 보호층(300)은 상기 회로 패턴(200) 상에 배치되어, 상기 회로 패턴(200)을 외부의 충격 등으로부터 보호할 수 있다. 즉, 상기 보호층(300)은 상기 플렉서블 인쇄회로기판의 최외측에 배치되는 커버일 수 있다.
상기 보호층(300)은 앞서 설명한 상기 기재(100)과 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 보호층(300)은 투명, 반투명 또는 불투명할 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(300)은 수지를 포함할 수 있다, 또한, 상기 보호층(300)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(300)은 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 프로필렌 글리콜(propylene glycol, PPG) 폴리 카보네이트(PC) 등을 포함할 수 있다.
상기 보호층(300)의 두께는 200㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 보호층(300)의 두께는 5㎛ 내지 200㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 보호층(300)의 두께는 50㎛ 내지 100㎛일 수 있다.
상기 보호층(300)의 두께가 5㎛ 미만인 경우, 상기 보호층(300)의 형상 유지가 어려워 공정 효율이 저하될 수 있고, 상기 보호층(300)에 의해 상기 회로 패턴(200)을 효과적으로 보호할 수 없다.
또한, 상기 보호층(300)의 두께가 200㎛를 초과하는 경우, 상기 보호층(300)의 두께 증가에 의해 상기 플렉서블 인쇄회로기판의 전체적인 절곡성 및 굴곡성이 저하될 수 있다.
앞서 설명하였듯이, 상기 기재(100)는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 기재(100)는 폴리이미드 수지 조성물에 의해 형성되는 폴리이미드를 포함할 수 있다.
상기 폴리이미드 수지 조성물은 제 1 물질 및 제 2 물질을 포함할 수 있다. 즉, 상기 기재(100)는 상기 제 1 물질 및 제 2 물질 중 적어도 하나를 포함하는 폴리이미드 수지 조성물에 의해 형성될 수 있다. 즉, 상기 기재(100)는 상기 제 1 물질 및 제 2 물질을 포함하는 폴리이미드 수지 조성물에 의해 형성될 수 있다.
상기 제 1 물질은 에스테르기를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 물질은 4,4'-비페닐비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물)(TAHQ) 및 BP-TME(4,4'-bis(1,3-dioxo-1,3-dihydroisobenzofuran-5-ylcarbonyloxy)biphenyl) 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 2 물질은 이미기드를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 물질은 m-톨리딘(m-Tolidine) 또는 굴곡성 다이아민(Diamine) 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 이때, 상기 다이아민은 4,4'-옥시디아닐린(4,4 ODA), 3,4'-옥시디아닐린(3,4 ODA), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠 (TPE-R), 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠 (TPE-Q), 3,3 APB(1,3'-Bis (3-aminophenoxy) benzene) 및 4,4 BAPP(2,2-Bis [4-(4-aminophenoxy)phenyl] propane) 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
상기 폴리이미드 수지 조성물은 상기 제 1 물질을 100몰%로 포함하고, 상기 제 2 물질을 100몰%로 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 2 물질은 m-톨리딘(m-Tolidine) 또는 굴곡성 다이아민(Diamine) 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 물질은 m-톨리딘(m-Tolidine)만을 포함할 수 있다. 또는, 상기 제 2 물질은 m-톨리딘(m-Tolidine) 및 굴곡성 다이아민(Diamine)을 포함할 수 있다.
상기 m-톨리딘(m-Tolidine) 및 상기 굴곡성 다이아민(Diamine)은 서로 다른 몰%로 포함될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 물질은 상기 m-톨리딘(m-Tolidine)의 몰%가 상기 굴곡성 다이아민(Diamine)의 몰%보다 클 수 있다.
자세하게, 상기 m-톨리딘(m-Tolidine)은 상기 제 2 물질 전체(100몰%)에 대해 70 몰% 내지 100 몰%로 포함될 수 있다. 즉, 상기 제 2 물질이 상기 m-톨리딘(m-Tolidine)만을 포함하는 경우, 상기 m-톨리딘(m-Tolidine)은 100 몰%로 포함될 수 있다. 또한, 상기 제 2 물질이 상기 m-톨리딘(m-Tolidine) 및 상기 굴곡성 다이아민(Diamine)을 포함하는 경우, 상기 m-톨리딘(m-Tolidine)은 상기 제 2 물질 전체에 대해 70 몰% 내지 100 몰% 미만으로 포함될 수 있다.
또한, 상기 굴곡성 다이아민(Diamine)은 상기 제 2 물질 전체(100몰%)에 대해 0 몰% 내지 30 몰%로 포함될 수 있다. 즉, 상기 제 2 물질이 상기 m-톨리딘(m-Tolidine)만을 포함하는 경우, 상기 굴곡성 다이아민(Diamine)은 0 몰%로 포함될 수 있다. 또한, 상기 제 2 물질이 상기 m-톨리딘(m-Tolidine) 및 상기 굴곡성 다이아민(Diamine)을 포함하는 경우, 상기 굴곡성 다이아민(Diamine)은 상기 제 2 물질 전체에 대해 0 몰% 초과 내지 30 몰%로 포함될 수 있다.
상기 m-톨리딘(m-Tolidine) 및 상기 굴곡성 다이아민(Diamine)의 몰%가 상기 범위를 벗어나는 경우, 상기 폴리이미드 수지 조성물에 의해 형성되는 폴리이미드 기재의 열팽창계수가 증가되고, 이에 의해, 상기 기재와 상기 동박 즉 회로 패턴과의 열챙창계수 차이가 증가되어 상기 기재의 사이즈 안정성이 저하될 수 있다.
한편, 상기 기재(100)와 상기 보호층(300) 사이에는 접착층(400)이 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 접착층(400)은 상기 기재(100)의 일면 및 상기 일면과 반대되는 타면 중 적어도 하나의 면 상에 배치될 수 있다.
즉, 상기 회로 패턴(200)이 상기 기재(100)의 일면 상에만 배치되는 경우, 상기 접착층(400)은 상기 기재(100)의 일면 상에만 배치되고, 상기 회로 패턴(200)이 상기 기재(100)의 일면 및 타면에 모두 배치되는 경우, 상기 접착층(400)은 상기 기재(100)의 일면 및 타면에 모두 배치될 수 있다.
상기 접착층(400)은 폴리이미드 수지 조성물을 포함할 수 잇다. 자세하게, 상기 접착층(400)은 상기 기재(100)와 조성이 다른 수지 조성물을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 접착층(400)은 PMDA, sBPDA를 포함하는 산무수물 및 4,4BAPP를 포함하는 다이아민을 포함할 수 있다.
이하, 실시예들 및 비교예들에 따른 기재 제조방법을 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 이러한 제조예는 본 발명을 좀더 상세하게 설명하기 위하여 예시로 제시한 것에 불과하다. 따라서 본 발명이 이러한 제조예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
1L의 유리 반응용기에 질소를 도입하였다. 이후, 유리 반응 용기에 디메틸아세트아미드(DMAc)를 투입한 후 교반하였다.
이어서, m-톨리딘(m-Tolidine)을 투입하여 완전히 용해될 때까지 교반하였다. 이어서, BP-TME를 투입하고 50℃ 온도까지 승온시켰다. 이어서 고형분 농도 16wt%를 BP-TME/m-Tolidine=1의 몰비로 교반을 계속하여, 최종 점도가 2000 poise인 폴리아믹산 용액을 얻었다.
이어서, 폴리아믹산 용액을 유리 기판에 도포하고, 160℃에서 5분간 건조한 후, 유리 기판에서 떼어내 텐터 고정 기판에 고정하여 160℃에서 5분, 180℃에서 5분, 220℃에서 5분 유지 후, 220℃로 설정한 전기로에 투입하여 450℃까지 승온시켜 450℃에서 3분간 건조 유지해 폴리이미드 기재를 제조하였다.
실시예 2
m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 90 몰% 및 4,4 ODA를 10 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.
실시예 3
m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 80 몰% 및 4,4 ODA를 20 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.
실시예 4
m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 70 몰% 및 4,4 ODA를 30 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.
실시예 5
m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 90 몰% 및 3,4 ODA를 10 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.
실시예 6
m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 90 몰% 및 TPE-R을 10 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.
실시예 7
m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 90 몰% 및 APB를 10 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.
실시예 8
m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 90 몰% 및 4, 4 BAPP를 10 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.
실시예 9
BP-TME을 투입하지 않고 TAHQ룰 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.
실시예 10
BP-TME을 투입하지 않고 TAHQ룰 투입하고, m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 90 몰% 및 4,4 ODA를 10 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.
실시예 11
BP-TME을 투입하지 않고 TAHQ룰 투입하고, m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 97 몰% 및 3,4 ODA를 3 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.
실시예 12
BP-TME을 투입하지 않고 TAHQ룰 투입하고, m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 97 몰% 및 TPE-R을 3 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.
실시예 13
BP-TME을 투입하지 않고 TAHQ룰 투입하고, m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 97 몰% 및 APB를 3 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.
실시예 14
BP-TME을 투입하지 않고 TAHQ룰 투입하고, m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 97 몰% 및 4,4 BAPP를 3 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.
비교예 1
m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 60 몰% 및 4,4 ODA를 40 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.
비교예 2
m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 20 몰% 및 4,4 ODA를 80 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.
비교예 3
m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, 4,4 ODA를 100 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.
비교예 4
BP-TME을 투입하지 않고 TAHQ룰 투입하고, m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 60 몰% 및 4,4 ODA를 40 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.
비교예 5
BP-TME을 투입하지 않고 TAHQ룰 투입하고, m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 20 몰% 및 4,4 ODA를 80 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.
비교예 6
BP-TME을 투입하지 않고 TAHQ룰 투입하고, m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, 4,4 ODA를 100 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.
비교예 7
BP-TME을 투입하지 않고 PMDA룰 투입하고, m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, 4,4 ODA를 100 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.
Dk Df 열팽창계수
(ppm/℃)		 유리전이온도
(℃)
실시예1 3.2 0.0027 10 350
실시예2 3.2 0.0027 13 350
실시예3 3.2 0.0027 16 350
실시예4 3.2 0.0027 19 350
실시예5 3.2 0.0027 19 350
실시예6 3.2 0.0027 19 350
실시예7 3.2 0.0027 19 350
실시예8 3.2 0.0027 19 350
실시예9 3.1 0.0035 16 350
실시예10 3.1 0.0035 19 350
실시예11 3.1 0.0035 19 350
실시예12 3.1 0.0035 19 350
실시예13 3.1 0.0035 19 350
실시예14 3.1 0.0035 19 350
비교예1 3.2 0.0027 40 350
비교에2 3.2 0.0027 55 350
비교예3 3.2 0.0027 70 350
비교예4 3.1 0.0035 60 350
비교예5 3.1 0.0035 80 350
비교예6 3.1 0.0035 100 350
비교예7 3.3 0.01 40 340
표 1을 참조하면, 실시예 1 내지 실시예 14에 따른 폴리이미드 기재는 비교예 1 내지 비교예 7에 따른 폴리이미드 기재에 비해 낮은 열팽창 계수를 가지는 것을 알 수 있다.
즉, 실시예 1 내지 실시예 14에 따른 폴리이미드 기재는 회로 패턴으로 사용되는 구리의 열팽창 계수(18ppm/℃)와 유사한 열팽창 계수 값을 가지는 것을 알 수 있다.
즉, 실시예 1 내지 실시예 14에 따른 폴리이미드 기재와 회로패턴의 열팽창 계수 차이는 비교예 1 내지 비교예 7에 따른 폴리이미드 기재와 회로패턴의 열팽창 계수 차이에 비해 작은 것을 알 수 있다.
이에 따라, 실시예 1 내지 실시예 14에 따른 폴리이미드 기재를 포함하는 연성 인쇄회로기판은 회로패턴과의 향상된 사이즈(치수) 안정성 및 접착력을 가질 수 있다.
또한, 실시예 1 내지 실시예 14에 따른 폴리이미드 기재는 낮은 저유전율, 저유전 정접을 가지므로, 고주파 신호를 전달하는 전자 디바이스에 적용되어도 고주파 신호에 따른 신호 손실을 저감할 수 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (5)

  1. 구리 회로 패턴이 배치되는 연성 인쇄회로기판용 기재로서,
    TAHQ 또는 BP-TME의 에스테르기를 가지는 산무수물의 제 1 물질; 및
    m-톨리딘(m-Tolidine) 및 굴곡성 다이아민(Diamine)을 포함하는 제 2 물질을 포함하고,
    상기 제 1 물질은 100 몰%로 포함되고, 상기 제 2 물질은 100 몰%로 포함되고,
    상기 m-톨리딘(m-Tolidine)은 상기 제 2 물질 전체(100몰%)에 대해 70 몰% 내지 90 몰%로 포함되고,
    상기 굴곡성 다이아민은 상기 제 2 물질 전체(100몰%)에 대해 10 몰% 내지 30 몰%로 포함되고,
    열팽창계수가 13 ppm/℃ 내지 19 ppm/℃인 연성 인쇄회로기판용 기재.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 굴곡성 다이아민은 4,4 ODA, 3,4 ODA, TPE-R, TPE-Q, 3,3 APB 및 4,4 BAPP 중 적어도 하나를 포함하는 연성 인쇄회로기판용 기재.
  4. 제 1항 또는 제 3항의 연성 인쇄회로기판용 기재를 포함하는 연성 인쇄회로기판.
  5. TAHQ 또는 BP-TME의 에스테르기를 가지는 산무수물의 제 1 물질; 및 m-톨리딘(m-Tolidine) 및 굴곡성 다이아민(Diamine)을 포함하는 제 2 물질을 포함하는 연성 인쇄회로기판용 기재;
    상기 연성 인쇄회로기판용 기재 상에 배치되고, 구리를 포함하는 회로 패턴; 및
    상기 연성 인쇄회로기판용 기재의 일면 및 타면 중 적어도 하나의 면 상에 배치되고, PMDA, sBPDA를 포함하는 산무수물; 및 4,4BAPP를 포함하는 다이아민을 포함하는 접착층을 포함하고,
    상기 제 1 물질은 100몰%로 포함되고, 상기 제 2 물질은 100몰%로 포함되고,
    상기 m-톨리딘(m-Tolidine)은 상기 제 2 물질 전체(100몰%)에 대해 70 몰% 내지 90 몰%로 포함되고,
    상기 굴곡성 다이아민은 상기 제 2 물질 전체(100몰%)에 대해 10 몰% 내지 30 몰%로 포함되고,
    상기 연성 인쇄회로기판용 기재는 열팽창계수가 13 ppm/℃ 내지 19 ppm/℃인 연성 인쇄회로기판.
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