CN111867242A - 一种高频线路板新型材料层结构的压合成型方法及其制品 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种高频线路板新型材料层结构的压合成型方法，包括以下步骤：(1)在薄膜上涂布半固化薄膜，形成TPI薄膜；(2)将铜箔放到TPI薄膜上热压，半固化薄膜固化与薄膜合为一体，形成合成薄膜；(3)在薄膜另一表面涂覆一层半固化高频材料，形成高频线路板新型材料层结构。本发明还公开了实施上述方法制备出的高频线路板新型材料层结构。制作出的高频线路板新型材料层结构具有高速传输高频信号的性能，可适应当前从无线网络到终端应用的高频高速趋势，特别适用于5G和6G科技产品；可作为线路板的制作材料，制作出单层线路板、多层柔性线路板与多层软硬结合板等线路板结构，给线路板的后续制作带来很大的便利性，简化工序。

Description

一种高频线路板新型材料层结构的压合成型方法及其制品

技术领域

本发明涉及线路板领域，尤其涉及一种高频线路板新型材料层结构的压合成型方法及其制品。

背景技术

目前，从通信网络到终端应用，通信频率全面高频化，高速大容量应用层出不穷。近年来随着无线网络从4G向5G和6G过渡，网络频率不断提升。根据相关资料中显示的5G和6G发展路线图，未来通信频率将分两个阶段进行提升。第一阶段的目标是在2020年前将通信频率提升到6GHz，第二阶段的目标是在2020年后进一步提升到30-60GHz。在市场应用方面，智能手机等终端天线的信号频率不断提升，高频应用越来越多，高速大容量的需求也越来越多。为适应当前从无线网络到终端应用的高频高速趋势，软板作为终端设备中的天线和传输线，亦将迎来技术升级。

传统软板具有由铜箔、绝缘基材、覆盖层等构成的多层结构，使用铜箔作为导体电路材料，PI膜作为电路绝缘基材，PI膜和环氧树脂粘合剂作为保护和隔离电路的覆盖层，经过一定的制程加工成PI软板。由于绝缘基材的性能决定了软板最终的物理性能和电性能，为了适应不同应用场景和不同功能，软板需要采用各种性能特点的基材。目前应用较多的软板基材主要是聚酰亚胺(PI)，但是由于PI基材的介电常数和损耗因子较大、吸潮性较大、可靠性较差，因此PI软板的高频传输损耗严重、结构特性较差，已经无法适应当前的高频高速趋势。因此，随着新型5G和6G科技产品的出现，现有线路板的信号传输频率与速度已经难以满足5G和6G科技产品的要求。

同时，在制备工艺上，不管是传统的多层柔性线路板，还是多层软硬结合板，普遍存在工艺流程多，制作复杂，成本高，在线路板性能方面，耗电及信号传输损耗增大等问题。

发明内容

针对上述不足，本发明的目的在于提供一种高频线路板新型材料层结构的压合成型方法及其制品，制作出的高频线路板新型材料层结构具有高频特性，具有高速传输高频信号的性能，可适应当前从无线网络到终端应用的高频高速趋势，特别适用于新型5G和6G科技产品；这种高频线路板新型材料层结构作为一个整体结构，在后续线路板的制作工序中，可以作为线路板的制作材料，制作出单层线路板、多层柔性线路板与多层软硬结合板等线路板结构，给线路板的后续制作带来很大的便利性，简化制作工序，加快线路板制作速度，降低生产成本。

本发明为达到上述目的所采用的技术方案是：

一种高频线路板新型材料层结构的压合成型方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在薄膜至少一表面上涂布一层半固化薄膜，形成TPI薄膜；

(2)将TPI薄膜放到压合机上，将铜箔放到TPI薄膜上，且铜箔与半固化薄膜接触；然后，启动压合机，以不高于400℃的热压温度热压，具体的，以200℃-400℃的温度、不高于600psi的压力热压10-60min；热压后，半固化薄膜固化，与薄膜合为一体，形成合成薄膜；

(3)在合成薄膜背离铜箔的表面上涂覆上一层半固化高频材料，形成高频线路板新型材料层结构。

作为本发明的进一步改进，所述步骤(3)还包括以下步骤：在半固化高频材料背面上敷上离型纸或PET离型膜。

作为本发明的进一步改进，在所述步骤(1)中，所述薄膜为PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜与PTFE薄膜中的任意一种。

作为本发明的进一步改进，在所述步骤(1)中，所述半固化薄膜为PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜与PTFE薄膜中的任意一种。

作为本发明的进一步改进，在所述步骤(3)中，所述半固化高频材料为MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜、PTFE薄膜或Low-Dk高频功能胶。

作为本发明的进一步改进，所述Low-Dk高频功能胶通过在Adhesive胶中添加铁弗龙或LCP材料获得。

作为本发明的进一步改进，在所述半固化高频材料中添加离子捕捉剂，获得具有抗铜离子迁移功能的半固化高频材料。

作为本发明的进一步改进，所述步骤(3)还包括以下步骤：在半固化高频材料背面上热压上铜箔，半固化高频材料固化，与合成薄膜合为一体，形成线路板新型双面材料层结构。

作为本发明的进一步改进，所述半固化高频材料与薄膜的材料相同。

作为本发明的进一步改进，在所述步骤(3)中，所述半固化高频材料与薄膜中至少有一者中添加有有色填充剂。

作为本发明的进一步改进，所述有色填充剂为碳化物。

作为本发明的进一步改进，在所述步骤(3)中，所述半固化高频材料与薄膜均为透明层。

实施上述方法制备出的高频线路板新型材料层结构，其特征在于，包括由上至下依次层叠设置的一上铜箔层、一合成薄膜层与一半固化高频材料层。

作为本发明的进一步改进，所述合成薄膜层为PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜与PTFE薄膜中的任意一种。

作为本发明的进一步改进，所述半固化高频材料层为MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜、PTFE薄膜、Low-Dk高频功能胶、或具有抗铜离子迁移功能的半固化高频材料。

作为本发明的进一步改进，在所述半固化高频材料层背面上设置有一离型纸或一PET离型膜。

作为本发明的进一步改进，在所述半固化高频材料层背面上热压有一下铜箔层，该半固化高频材料层与合成薄膜层材料相同，且该半固化高频材料层与合成薄膜层合为一体。

作为本发明的进一步改进，所述半固化高频材料层与合成薄膜层中至少有一者为有色层。

作为本发明的进一步改进，所述半固化高频材料层与合成薄膜层均为透明层。

本发明的有益效果为：

(1)通过压合工艺制作高性能高频线路板新型材料层结构，制备出的这种高频线路板新型材料层结构作为一个整体结构，在后续线路板的制作工序中，可以作为线路板的制作材料，经过后续与其他材料或线路板的直接热压等工序，即可制作出单层线路板、多层柔性线路板与多层软硬结合板等线路板结构，给线路板的后续制作带来很大的便利性，简化制作工序，加快线路板制作速度，缩短产品加工时间，提升制程加工能力，降低生产成本；而且，优化了产品结构，提升产品性能。

(2)采用MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜或PTFE薄膜代替传统的PI薄膜，作为制备高频线路板新型材料层结构所需基材，不但可提高线路板整体性能的稳定性与尺寸稳定性，具有高耐热特性，而且具有高频特性，可传输高频信号、及加快高频信号的传输速度，实现高频信号的高速传输，耗电量及高频信号传输损耗低，提高线路板的信号传输性能，可适应当前从无线网络到终端应用的高频高速趋势，特别适用于新型5G和6G科技产品。

(3)采用半固化高频材料代替传统的半固化Adhesive胶，半固化高频材料具体可以为MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜、PTFE薄膜、Low-Dk高频功能胶、或具有抗铜离子迁移功能的半固化高频材料，使得制备出的高频线路板新型材料层结构具有高耐热特性及高频特性，可传输高频信号、及加快高频信号的传输速度，实现高频信号的高速传输，耗电量及高频信号传输损耗低，进一步提高线路板的信号传输性能，可适应当前从无线网络到终端应用的高频高速趋势，特别适用于新型5G和6G科技产品。

上述是发明技术方案的概述，以下结合附图与具体实施方式，对本发明做进一步说明。

附图说明

图1为实施例一中的结构剖面图；

图2为实施例二中的结构剖面图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达到预定目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对本发明的具体实施方式详细说明。

实施例一：

本实施例提供一种高频线路板新型材料层结构的压合成型方法，包括以下步骤：

(1)在薄膜至少一表面上涂布一层半固化薄膜，形成TPI薄膜；具体的，可以在薄膜上表面与下表面的至少一表面上涂布一层半固化薄膜；

(2)将TPI薄膜放到压合机上，将铜箔放到TPI薄膜上，且铜箔与半固化薄膜接触；然后，启动压合机，以不高于400℃的热压温度热压，具体的，以200℃-400℃的温度、不高于600psi的压力热压10-60min，优选的，压力为400-600psi；热压后，半固化薄膜固化，与薄膜合为一体，形成合成薄膜；

(3)在合成薄膜背离铜箔的表面上涂覆上一层半固化高频材料，形成高频线路板新型材料层结构。

在本实施例中，所述步骤(3)还包括以下步骤：在半固化高频材料背面上敷上离型纸或PET离型膜，由此获得线路板单面材料层结构，由离型纸或PET离型膜，对半固化高频材料进行保护。

本实施例制备出的高频线路板新型材料层结构，在后期工序中，只要在铜箔上成型线路，然后在成型了线路的铜箔上依次热压上一层PI膜与一层胶，即可形成单层线路板。

同时，在铜箔上成型线路后，将本实施例制备出的高频线路板新型材料层结构进行多组叠加压合，即可形成多层柔性线路板。在具体压合时，第一组高频线路板新型材料层结构的半固化高频材料与第二组高频线路板新型材料层结构中成型了线路的铜箔压合在一起即可。

同时，将高频线路板新型材料层结构整体热压到双面带胶的玻纤布上，然后在玻纤布远离高频线路板新型材料层结构一侧面上热压上铜箔，再在铜箔上成型线路，即可形成多层软硬结合板，玻纤布双面带的胶为抗铜离子迁移胶与Low-Dk高频功能胶两种胶中的至少一种。

当然，还可以将高频线路板新型材料层结构直接热压到其他线路板上，高频线路板新型材料层结构上的半固化高频材料与其他线路板接触热压结合为一体。

本实施例采用TPI膜作为中介产生的粘结力将薄膜与铜箔热压在一起，TPI膜为热塑性聚酰亚胺薄膜，其具有优异的耐热性能、超强的尺寸稳定性、优异的力学性能、良好的阻燃性、优良的电绝缘性能和尺寸稳定性、优良的耐油性和耐溶剂性、良好的耐辐射性能。在半固化薄膜上热压上铜箔之后，半固化薄膜固化，与薄膜合为一体结构，形成合成薄膜。

具体的，在所述步骤(1)中，所述薄膜为PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜与PTFE薄膜中的任意一种。所述半固化薄膜为PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜与PTFE薄膜中的任意一种。PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜与PTFE薄膜的特性与优点分别为：

PI薄膜为聚酰亚胺薄膜(PolyimideFilm)，是性能良好的薄膜类绝缘材料，由均苯四甲酸二酐(PMDA)和二胺基二苯醚(DDE)在强极性溶剂中经缩聚并流延成膜再经亚胺化而成。PI薄膜具有优良的耐高低温性、电气绝缘性、粘结性、耐辐射性、耐介质性，能在-269℃～280℃的温度范围内长期使用，短时可达到400℃的高温。玻璃化温度分别为280℃(Upilex R)、385℃(Kapton)和500℃以上(Upilex S)。20℃时拉伸强度为200MPa，200℃时大于100MPa。特别适宜用作柔性线路板的基材。

MPI(Modified PI)为改性聚酰亚胺，即对聚酰亚胺(PI)的配方进行改进而成。MPI因为是非结晶性的材料，所以操作温度宽，在低温压合铜箔下易操作，表面能够与铜易结合，且价格便宜。具体为，改善了氟化物配方，因此MPI薄膜可传输10-15GHz的高频信号。采用MPI薄膜作为本实施例制备高频线路板新型材料层结构所需基材，特别适用于制备柔性线路板，达到高速、平稳接收及传送信息的目的，终端应用如5G和6G手机、高频信号传输领域、自动驾驶、雷达、云服务器和智能家居等。

通过测速，MPI薄膜的技术指标为：

由上述可知，MPI薄膜具有以下特性：

(1)低Dk值、低Df值；

(2)优异的耐热老化性；

(3)优异的尺寸稳定性；

(4)优良的耐化性。

因此，采用MPI薄膜作为本实施例制备高频线路板新型材料层结构所需基材，不但可提高线路板整体性能的稳定性与尺寸稳定性，而且可传输高频信号、及加快高频信号的传输速度，降低耗电量及高频信号传输损耗，提高线路板的信号传输性能，可适应当前从无线网络到终端应用的高频高速趋势，特别适用于新型5G和6G科技产品。

LCP全称为液晶高分子聚合物(Liquid Crystal Polymer)，是一种新型热塑性有机材料，在熔融态时一般呈现液晶性。LCP薄膜为液晶聚合物薄膜，LCP薄膜具备高强度、高刚性、耐高温、热稳定性、可弯折性、尺寸稳定性、良好的电绝缘性等性能，相较于PI薄膜，具备更好的耐水性，因此是一种比PI薄膜更优异的薄膜型材料。LCP薄膜可在保证较高可靠性的前提下实现高频高速软板。LCP薄膜具有以下优异的电学特征：

(1)在高达110GHz的全部射频范围几乎能保持恒定的介电常数，一致性好，介电常数Dk值具体为2.9；

(2)正切损耗非常小，仅为0.002，即使在110GHz时也只增加到0.0045，非常适合毫米波应用；

(3)热膨胀特性非常小，可作为理想的高频封装材料。

采用LCP薄膜作为本实施例制备高频线路板新型材料层结构所需基材，不但可提高线路板整体性能的稳定性与尺寸稳定性，而且由于LCP薄膜整体更平滑，LCP薄膜材料介质损耗与导体损耗更小，同时具备灵活性、密封性，可传输高频信号、及加快高频信号的传输速度，提高线路板的信号传输性能，可适应当前从无线网络到终端应用的高频高速趋势。

具体的，可有效提高线路板在工作状态中传达中心区域(芯片)下达指令的速度，快速的传递至各个部件，使设备(如手机、通讯基站设备)快速运作，而没有迟钝及死机卡死等现象出现，通讯过程整体流畅。因此，LCP薄膜具有很好的制造高频器件应用前景，特别适用于新型5G和6G科技产品。

同时，采用LCP薄膜作为基材制成的LCP软板，具有更好的柔性性能，相比PI软板可进一步提高空间利用率。柔性电子可利用更小的弯折半径进一步轻薄化，因此对柔性的追求也是小型化的体现。以电阻变化大于10％为判断依据，同等实验条件下，LCP软板相比传统的PI软板可以耐受更多的弯折次数和更小的弯折半径，因此LCP软板具有更好的柔性性能和产品可靠性。优良的柔性性能使LCP软板可以自由设计形状，从而充分利用智能手机中的狭小空间，进一步提高空间利用效率。

因此，采用LCP薄膜作为基材可制成小型化的高频高速LCP软板。

TFP是一种独特的热塑性材料，相较于常规的PI材料，具有以下特性：

(1)低介电常数：低Dk值，Dk值具体为2.5-2.55；而常规PI的Dk值为3.2；因此，信号传播速度快，厚度更薄，间隔更紧密，功率处理能力更高；

(2)超低的材料损耗；

(3)超高温性能，可耐受300℃的高温；

(4)吸湿率相对较低。

具体的，TFP是高频材料的通称，属于低介电常数材料(很多种类TPX、TPFE也是属于这类型)。Low-Dk材料有很多种，而且比LCP材料更好，TFP的定义是：Low-Dk材料中比LCP材料性能低的材料。

因此，采用TFP薄膜作为本实施例制备高频线路板新型材料层结构所需基材，不但可提高线路板整体性能的稳定性与尺寸稳定性，具有高耐热特性，而且可传输高频信号、及加快高频信号的传输速度，降低耗电量及高频信号传输损耗，提高线路板的信号传输性能，可适应当前从无线网络到终端应用的高频高速趋势，特别适用于新型5G和6G科技产品。

PTFE，中文名：聚四氟乙烯(Poly tetra fluoroethylene，简写为PTFE)，别称：特富龙、特氟龙、铁氟龙、陶氟隆、德氟隆。聚四氟乙烯(PTFE)具有优异的介电性能，耐化学腐蚀，耐热，阻燃，高频率范围内介电常数和介电损耗小且变化小。主要性能如下：

1、电气性能

(1)介电常数：2.1；

(2)介电损耗：5×10^-4；

(3)体积电阻：1018Ω·cm；

2、化学性能：耐酸碱、耐有机溶剂、抗氧化；

3、热稳定性：在-200℃～260℃温度范围内长期工作；

4、阻燃性：UL94V-0；

5、耐候性：户外20年以上不会有机械性能的明显损失。

因此，采用PTFE薄膜作为本实施例制备高频线路板新型材料层结构所需基材，不但可提高线路板整体性能的稳定性与尺寸稳定性，而且可传输高频信号、及加快高频信号的传输速度，降低耗电量及高频信号传输损耗，提高线路板的信号传输性能，可适应当前从无线网络到终端应用的高频高速趋势，特别适用于新型5G和6G科技产品。

5G和6G基站的集成化使得高频覆铜板的需求增长迅速，聚四氟乙烯作为5G和6G高频高速覆铜板的主流高频基材之一，在5G和6G时代将迎来巨大的市场增长。

由此可知，采用上述PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜、PTFE薄膜五者中任意一者作为本实施例制备高频线路板新型材料层结构所需基材，都特别适合于柔性线路板，特别是MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜与PTFE薄膜，不但可以提高柔性线路板的整体性能，还具有高频特性，可大幅加快高频信号的传输，实现高频信号的高速传输，降低耗电量及高频信号传输损耗，特别适用于新型5G和6G科技产品。

具体的，在所述步骤(3)中，所述半固化高频材料为MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜、PTFE薄膜、Low-Dk高频功能胶、或具有抗铜离子迁移功能的半固化高频材料。

由上述可知，MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜与PTFE薄膜均为可加快信号传输频率与速度，传输高频信号，提高线路板信号传输性能的高频薄膜材料，不但可以提高柔性线路板的整体性能，还具有高频特性，可大幅加快高频信号的传输，实现高频信号的高速传输，特别适用于新型5G和6G科技产品。

而对于Low-Dk高频功能胶，通过在常规Adhesive胶中添加铁弗龙或LCP材料获得。使得半固化Low-Dk高频功能胶内部分子分布更紧密、均匀，且不消耗能量，Low-Dk高频功能胶具有提高信号传输频率、及抗磁性干扰功能，以提高电路板的信号传输性能，具体的，可有效提高电路板在工作状态中传达中心区域(芯片)下达指令的速度，快速的传递至各个部件，使设备(如手机、通讯基站设备)快速运作，而没有迟钝及死机卡死等现象出现，使新型5G和6G科技产品通讯过程整体流畅。

而对于具有抗铜离子迁移功能的半固化高频材料，其通过在半固化高频材料中添加离子捕捉剂获得。在半固化高频材料中添加离子捕捉剂时，离子捕捉剂的添加量为10％，即离子捕捉剂的添加量为总质量的10％。离子捕捉剂可选用IXE-100、IXE-700F等型号，离子捕捉剂具有捕获铜离子的能力，可有效抑制铜离子从线路与线路之间迁移，往半固化高频材料中添加离子捕捉剂后，离子捕捉剂对半固化高频材料的原有性能无影响，反而可以提高半固化高频材料的性能稳定性。由此，使得半固化高频材料同时具有高速传输高频信号与抗铜离子迁移性能。

而对于上述提及的玻纤布双面带的胶为抗铜离子迁移胶，抗铜离子迁移胶通过在Adhesive胶中添加离子捕捉剂试剂，然后再高度提纯获得。具体的，液态Adhesive胶可以为常规Adhesive胶，例如，常规的黏合剂、黏着剂等；离子捕捉剂的添加量为10％，即离子捕捉剂的添加量为抗铜离子迁移胶总质量的10％。离子捕捉剂可选用IXE-100、IXE-700F等，离子捕捉剂具有捕获铜离子的能力，可有效抑制铜离子从线路与线路之间迁移，往Adhesive胶中添加离子捕捉剂后，离子捕捉剂对Adhesive胶的性能无影响，反而可以提高Adhesive胶的性能稳定性。常规的Adhesive胶中含有氧化硅、mek(甲乙酮)、氟化硅偶合剂、硅烷偶合剂、环氧树脂、丁腈橡胶、磷腈阻燃剂(SPB-100)、增粘剂、增塑剂等，通过高度提纯工艺后，可使Adhesive胶中的环氧树脂成分的纯度提高，则线路与线路之间的铜离子从Adhesive胶中迁移的可能性明显降低，起到抗铜离子迁移的目的。具体的，常规Adhesive胶中两两成分之间具有一定的间隙，铜离子可通过间隙发生迁移，而对常规Adhesive胶进行提纯环氧树脂浓度提高后，别的成分浓度明显降低，环氧树脂与别的成分之间存在的间隙大幅减小，由此，可供铜离子迁移的间隙减小，从而达到抗铜离子迁移的目的。由于抗铜离子迁移胶具有低粒子材料抗铜离子迁移功能，可有效保证在工作状态中线路能够安全有效工作，线路与线路之间不会出现离子迁移现象，防止在设备使用过程中出现线路与线路之间导通碰撞造成电路短路及燃烧起火爆炸等危险，从而线路起到很好的防护及保护作用。

在本实施例中，所述薄膜与半固化高频材料可以为同一种材质，也可以为不同种材质。例如：薄膜与半固化高频材料都为薄膜类，或者薄膜为薄膜类，半固化高频材料为胶类。当薄膜与半固化高频材料都为薄膜类时，最优方式为，薄膜与半固化高频材料都为MPI薄膜，或薄膜与半固化高频材料都为LCP薄膜，或薄膜与半固化高频材料都为TFP薄膜、或薄膜与半固化高频材料都为PTFE薄膜。

在所述步骤(3)中，所述半固化高频材料与薄膜可以为材料本身的颜色，也可以为透明色，即均为透明材料，由此做成的线路板特别适用于透明显示屏中。

当然，还可以在所述半固化高频材料与薄膜中至少有一者中添加有有色填充剂。具体的，有色填充剂可以为碳化物或其他有色填充剂。半固化高频材料(具体可以为MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜、PTFE薄膜、Low-Dk高频功能胶、或具有抗铜离子迁移功能的半固化高频材料)与薄膜(具体可以为PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜与PTFE薄膜中的任意一种)中添加了有色填充剂之后，可呈现出黑色。不管是将本实施例制备出的线路板材料层结构制作成单层线路板、多层柔性线路板，还是多层软硬结合板，黑色的半固化高频材料与薄膜对线路都具有遮挡作用，可防止内部线路暴露出来，防止外人从外部看到内部线路，起到隐蔽及保护线路板上线路的作用；同时，对于有杂质或瑕疵的线路板或线路，起到遮瑕的作用。

本实施例还提供了实施上述方法制备出的高频线路板新型材料层结构，如图1所示，包括由上至下依次层叠设置的一上铜箔层1、合成薄膜层2与一半固化高频材料层3。

具体的，所述合成薄膜层2为PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜与PTFE薄膜中的任意一种。采用PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜与PTFE薄膜五者中任意一者作为本实施例线路板席新型材料层结构的基材，都特别适合于柔性线路板，特别是MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜与PTFE薄膜，不但可以提高柔性线路板的整体性能，还具有高频特性，可大幅加快高频信号的传输，实现高频信号的高速传输，特别适用于新型5G和6G科技产品。

具体的，所述半固化高频材料层3为MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜、PTFE薄膜、Low-Dk高频功能胶、或具有抗铜离子迁移功能的半固化高频材料。MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜、PTFE薄膜与Low-Dk高频功能胶均可加快信号传输频率与速度，传输高频信号，提高线路板信号传输性能，不但可以提高柔性线路板的整体性能，还具有高频特性，可大幅加快高频信号的传输，实现高频信号的高速传输，特别适用于新型5G和6G科技产品。而具有抗铜离子迁移功能的半固化高频材料同时具有高速传输高频信号与抗铜离子迁移性能。

在本实施例中，所述合成薄膜层2与半固化高频材料层3可以为同一种材质，也可以为不同种材质。例如：合成薄膜层2与半固化高频材料层3都为薄膜类，或者合成薄膜层2为薄膜类，半固化高频材料层3为胶类。当合成薄膜层2与半固化高频材料层3都为薄膜类时，最优方式为，合成薄膜层2与半固化高频材料层3都为MPI薄膜，或合成薄膜层2与半固化高频材料层3都为LCP薄膜，或合成薄膜层2与半固化高频材料层3都为TFP薄膜，或合成薄膜层2与半固化高频材料层3都为PTFE薄膜。

具体的，所述半固化高频材料层3与合成薄膜层2中至少有一者为有色层。具体可以为黑色，有色层对内部线路起到遮挡、保护、遮瑕等作用。

具体的，所述半固化高频材料层3与合成薄膜层2均为透明层，由此做成的线路板特别适用于透明显示屏中。

本实施例在所述半固化高频材料层3背面上设置有离型层5，该离型层5为离型纸或PET离型膜，对半固化高频材料层3进行保护，在后续加工时，将离型层5剥离即可。

实施例二:

本实施例与实施例一的主要区别在于：所述步骤(3)还包括以下步骤：在半固化高频材料背面上热压上铜箔，半固化高频材料固化，与合成薄膜合为一体，形成线路板新型双面材料层结构。而不在半固化高频材料背面上敷上离型纸或PET离型膜。

同时，本实施例所述半固化高频材料与薄膜的材料相同。因此，在所述薄膜为PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜与PTFE薄膜中的任意一种的情况下，半固化高频材料也为相对应的材料。例如：薄膜与半固化高频材料都为MPI薄膜，或薄膜与半固化高频材料都为LCP薄膜，或薄膜与半固化高频材料都为TFP薄膜，或薄膜与半固化高频材料都为PTFE薄膜。

因此，由上述方法可制备出高频线路板双面新型材料层结构，在所述半固化高频材料层3背面上热压上了一下铜箔层5，如图2所示，形成线路板新型双面材料层结构。同时，该半固化高频材料层3与合成薄膜层2材料相同，均为薄膜类。由于热压上了下铜箔层5，则半固化高频材料层3固化，与合成薄膜层2合为一体，即合为合成薄膜层2'。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明的技术范围作任何限制，故采用与本发明上述实施例相同或近似的技术特征，而得到的其他结构，均在本发明的保护范围之内。

Claims (21)

1.一种高频线路板新型材料层结构的压合成型方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在薄膜至少一表面上涂布一层半固化薄膜，形成TPI薄膜；

(2)将TPI薄膜放到压合机上，将铜箔放到TPI薄膜上，且铜箔与半固化薄膜接触；然后，启动压合机热压；热压后，半固化薄膜固化，与薄膜合为一体，形成合成薄膜；

(3)在合成薄膜背离铜箔的表面上涂覆上一层半固化高频材料，形成高频线路板新型材料层结构。

2.根据权利要求1所述的高频线路板新型材料层结构的压合成型方法，其特征在于，在所述步骤(2)中，热压温度不高于400℃。

3.根据权利要求2所述的高频线路板新型材料层结构的压合成型方法，其特征在于，在所述步骤(2)中，以200℃-400℃的温度、不高于600psi的压力热压10-60min。

4.根据权利要求1所述的高频线路板新型材料层结构的压合成型方法，其特征在于，所述步骤(3)还包括以下步骤：在半固化高频材料背面上敷上离型纸或PET离型膜。

5.根据权利要求1所述的高频线路板新型材料层结构的压合成型方法，其特征在于，在所述步骤(1)中，所述薄膜为PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜与PTFE薄膜中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的高频线路板新型材料层结构的压合成型方法，其特征在于，在所述步骤(1)中，所述半固化薄膜为PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜与PTFE薄膜中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的高频线路板新型材料层结构的压合成型方法，其特征在于，在所述步骤(3)中，所述半固化高频材料为MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜、PTFE薄膜或Low-Dk高频功能胶。

8.根据权利要求7所述的高频线路板新型材料层结构的压合成型方法，其特征在于，所述Low-Dk高频功能胶通过在Adhesive胶中添加铁弗龙或LCP材料获得。

9.根据权利要求7所述的高频线路板新型材料层结构的压合成型方法，其特征在于，在所述半固化高频材料中添加离子捕捉剂，获得具有抗铜离子迁移功能的半固化高频材料。

10.根据权利要求5所述的高频线路板新型材料层结构的压合成型方法，其特征在于，所述步骤(3)还包括以下步骤：在半固化高频材料背面上热压上铜箔，半固化高频材料固化，与合成薄膜合为一体，形成线路板新型双面材料层结构。

11.根据权利要求10所述的高频线路板新型材料层结构的压合成型方法，其特征在于，所述半固化高频材料与薄膜的材料相同。

12.根据权利要求1所述的高频线路板新型材料层结构的压合成型方法，其特征在于，在所述步骤(3)中，所述半固化高频材料与薄膜中至少有一者中添加有有色填充剂。

13.根据权利要求12所述的高频线路板新型材料层结构的压合成型方法，其特征在于，所述有色填充剂为碳化物。

14.根据权利要求1所述的高频线路板新型材料层结构的压合成型方法，其特征在于，在所述步骤(3)中，所述半固化高频材料与薄膜均为透明层。

15.实施权利要求1至14中任一所述方法制备出的高频线路板新型材料层结构，其特征在于，包括由上至下依次层叠设置的一上铜箔层、一合成薄膜层与一半固化高频材料层。

16.根据权利要求15所述的高频线路板新型材料层结构，其特征在于，所述合成薄膜层为PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜与PTFE薄膜中的任意一种。

17.根据权利要求15所述的高频线路板新型材料层结构，其特征在于，所述半固化高频材料层为MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜、PTFE薄膜、Low-Dk高频功能胶、或具有抗铜离子迁移功能的半固化高频材料。

18.根据权利要求15所述的高频线路板新型材料层结构，其特征在于，在所述半固化高频材料层背面上设置有一离型纸或一PET离型膜。

19.根据权利要求16所述的高频线路板新型材料层结构，其特征在于，在所述半固化高频材料层背面上热压有一下铜箔层，该半固化高频材料层与合成薄膜层材料相同，且该半固化高频材料层与合成薄膜层合为一体。

20.根据权利要求15所述的高频线路板新型材料层结构，其特征在于，所述半固化高频材料层与合成薄膜层中至少有一者为有色层。

21.根据权利要求15所述的高频线路板新型材料层结构，其特征在于，所述半固化高频材料层与合成薄膜层均为透明层。

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