CN106827716A - 一种薄型可挠性覆铜板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及挠性线路板领域,尤其涉及一种薄型可挠性覆铜板及其制备方法。其技术方案为:一种薄型可挠性覆铜板及其制备方法,包括从上至下依次设置的上铜箔、用于导磁和防止电磁干扰的EMI薄膜、下铜箔,上铜箔、EMI薄膜、下铜箔均为卷式,EMI薄膜与上铜箔之间和EMI薄膜与下铜箔之间均涂布有胶粘剂,胶粘剂为环氧胶、丙烯酸热熔胶、热塑性PI树脂的一种。本发明的制备方法采用卷式生产,通过先后在EMI薄膜的两面涂布胶粘剂、压合铜箔、固化,或者从上到下依次涂布、压合过程进行生产。本发明提供了一种采用卷式生产的厚度更薄、压合更加均匀、导磁或屏蔽均匀性高的可挠性覆铜板及其制备方法,解决了现有覆铜板导磁或屏蔽均匀性差、厚度较厚的问题。
Description
技术领域
本发明涉及挠性线路板领域,尤其涉及一种薄型可挠性覆铜板及其制备方法。
背景技术
柔性印制线路板(FPC)与传统的刚性印制线路板(PCB)相比,具有许多优点:1)具有非常薄的绝缘厚度;2)可以大大降低封装尺寸和封装重量,在当今电子产品的轻、薄、短、小潮流的流行中,许许多多的便携式电子产品小型化的要求,如果不用柔性印制板几乎无法布线,如照相机、摄像机、移动电话、笔记本电脑、液晶电视等;3)非常容易实现三维布线,有效降低布线的占用空间;4)大大降低组装成本;5)容易实现电子线路的高密度化、精细化和功能化;6)在狭小空间进行大量布线时具有更高的可靠性和机动性,特别是在需要反复弯曲的场合,柔性印制线路板具有更长的弯曲寿命。
柔性印制线路板(FPC),无论在民用技术产品还是在军用技术产品中均具有广泛的应用领域,如手机、照相机、摄像机、液晶电视、电话机、传真机、复印机、打印机、掌上电脑、CD唱机、笔记本电脑、软盘驱动器、硬盘驱动器、人造卫星、导弹、喷气战斗机、歼击机、预警机等。一般情况下,柔性印制线路板(FPC)是由绝缘膜与导电金属箔通过粘合剂粘结压合而成的复合膜经过刻蚀、清洗等特殊工艺加工而成的。因此,柔性覆铜箔板(FCCL)是FPC前道工序的产物。
通常情况下,FCCL是由基膜、粘合剂和导电金属箔组成。基膜常常是聚酯薄膜或聚酰亚胺薄膜;粘合剂常常是环氧树脂类或丙烯酸酯类粘合剂;导电金属箔常常是铜箔或铝箔。现有的柔性覆铜箔板(FCCL)为片式加工生产,即将基膜、导电金属箔先切成片,再通过胶粘剂进行贴合压制。现有的柔性覆铜箔板(FCCL)主要有以下几种结构形式:1)EMI+BS+基础FCCL+BS+EMI;2)EMI+BS+CVL+基础FCCL+CVL+BS+EMI;3)FRCC+TPI胶膜层+EMI+TPI胶膜层+FRCC;4)CU+TPI胶膜层+EMI+TPI胶膜层+CU:;5)FRCC+EMI+FRCC;6)CU+BS+EMI+BS+CU;7)CU+BS+EMI+TPI胶膜层+EMI+BS+CU;8)FRCC+EMI+TPI胶膜层+EMI+FRCC。以上八种结构均为片式生产,其中TPI胶膜层由TPI胶、PI、TPI胶依次涂布组成。
在采用片式方式进行柔性覆铜箔板的加工时,很难将各层材料压合均匀,厚度尺寸公差仅能做到±5μm,导致柔性覆铜箔板的屏蔽或导磁均匀性差。为了保证片式加工柔性覆铜箔板的性能,只能增加产品各材料层的厚度,各材料层的厚度能力如下:EMI层厚度能力:Min 20um;BS层厚度能力:Min 10um;铜箔/金属层厚度能力:Min 9um;TPI胶膜层厚度能力:Min 20um,胶粘剂层Min6um,PI层Min8um;FRCC厚度能力:Min 19um,胶粘剂层Min 10um,Cu层Min 9um;基础FCCL厚度能力:Min 30um,胶粘剂+PI层Min12um,Cu Min 9um。以上厚度均较厚,使得加工后的产品的最小厚度仅能达到58μm,不利于产品的薄型化要求。片式生产时的TPI胶膜层由TPI胶、PI、TPI胶依次涂布组成,而不能仅适用TPI胶,这样相应增加了产品的厚度,增加了压合不均匀性的可能。
发明内容
本发明克服了现有技术的不足,提供一种采用卷式生产的厚度更薄、压合更加均匀、导磁或屏蔽均匀性高的可挠性覆铜板及其制备方法,解决了现有覆铜板导磁或屏蔽均匀性差、厚度较厚、生产工艺复杂的问题。
为解决上述的技术问题,本发明采用以下技术方案:
一种薄型可挠性覆铜板,包括从上至下依次设置的上铜箔、用于导磁和防止电磁干扰的EMI薄膜、下铜箔,上铜箔、EMI薄膜、下铜箔均为卷式,EMI薄膜与上铜箔之间和EMI薄膜与下铜箔之间均涂布有胶粘剂,胶粘剂为环氧胶、丙烯酸热熔胶、热塑性PI树脂的一种。
作为本发明的优选方案,所述上铜箔和下铜箔的厚度能力均为最薄6μm,即上铜箔和下铜箔的最小厚度可达到6μm;所述胶粘剂的厚度能力为最薄3μm;所述EMI薄膜的厚度能力为最薄5μm,即EMI薄膜的最小厚度可达到5μm。
作为本发明的优选方案,所述EMI薄膜为导电胶膜、高阻体、金属箔的一种。
作为本发明的优选方案,所述胶粘剂为热塑性PI树脂。
一种薄型可挠性覆铜板的制备方法,包括以下步骤:
1)第一次涂布:将EMI薄膜(2)卷在卷筒上,转动滚筒的过程中在EMI薄膜(2)的上表面涂布胶粘剂(4);
2)第一次压合:将卷在另一个滚筒上的上铜箔(1)与完成步骤1)后的EMI薄膜(2)压合在一起;
3)预固化或固化:将完成步骤2)后的半成品进行高温或高压处理,其中,高温处理的温度范围为50-200℃,高压工艺的压力范围为0-100Kgf/cm2;
4)第二次涂布:在EMI薄膜(2)的下表面涂布胶粘剂(4);
5)第二次压合:将下铜箔(3)与完成步骤4)后的半成品压合在一起;
6)固化:将完成步骤5)后的半成品进行高温或高压处理,其中,高温处理的温度范围为80-250℃,高压工艺的压力范围为0-200Kgf/cm2。
一种薄型可挠性覆铜板的制备方法,包括以下步骤:
1)第一次涂布:将上铜箔(1)卷在滚筒,转动滚筒的过程中在上铜箔(1)底部涂布胶粘剂(4);
2)预固化或固化:将涂布后的半成品进行高温或高压处理,其中,高温处理的温度范围为50-200℃,高压工艺的压力范围为0-100Kgf/cm2;
3)第二次涂布:在上铜箔(1)涂布有胶粘剂(4)的一面再涂布EMI材料,EMI材料形成EMI薄膜(2);
4)压合:在高温高压条件下对步骤3)的半成品进行压合;
5)第三次涂布:在EMI薄膜(2)的下表面涂布胶粘剂(4);
6)固化:将完成步骤5)后的半成品进行高温或高压处理,其中,高温处理的温度范围为80-250℃,高压工艺的压力范围为0-200Kgf/cm2。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1、本发明的铜箔和EMI薄膜均为卷式,当加工产品时,将材料从卷筒上转出,在材料表面涂布胶粘剂或压合各材料层。这种方式生产时,压合的力度、均匀性都更高,从而可相应减小各层的厚度也能保证产品的性能;胶粘剂只需使用单层的,而不需要采用由TPI胶、PI、TPI胶依次涂布的TPI胶膜层,进一步减小了产品的厚度,本发明的产品最小厚度可达到23μm。本发明较传统挠性覆铜板产品厚度更薄,并相应使得厚度能均匀,厚度均匀性可达到±2μm,从而产品的屏蔽或导磁均匀性更佳。
2、铜箔的最小厚度可达到6μm,EMI薄膜的最小厚度可达到5μm,各材料的厚度减小,使得产品的整体厚度相应减小,顺应电子产品薄型化发展趋势。
3、EMI薄膜为导电胶膜、高阻体、金属箔的一种,使得EMI薄膜可具有良好导磁功能和屏蔽效果。胶粘剂为热塑性PI树脂,使得产品耐热性更好,平整度更高。
4、本发明的第一种生产方法中,先将EMI薄膜的一面涂布胶粘剂、压合铜箔、固化,在进行EMI薄膜另一面的涂布胶粘剂、压合铜箔、固化。这样两次分别进行,可以增加压合效果,提高产品厚度均匀性。卷式生产过程始终连续进行,可大大提高生产效率,且无需多道高温压合流程,能耗低。卷式生产可降低各材料层的厚度,从而降低产品整体厚度并提高产品厚度均匀性,使得产品屏蔽或导磁均匀性更高。
5、与本发明的第一种生产方法不同,本发明的第二种生产方法采用从上到下依次涂布、压合过程进行生产,仍保留两次压合,并达到与第一种生产方式一样的效果。第二种方法中,EMI的添加采用EMI流体的形式进行涂布,方便操作。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
图中,1-上铜箔,2-EMI薄膜,3-下铜箔,4-胶粘剂。
具体实施方式
下面结合附图,对本发明作详细的说明。
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
实施例一
如图1所示,本发明包括从上至下依次设置的上铜箔1、用于导磁和防止电磁干扰的EMI薄膜2、下铜箔3,上铜箔1、EMI薄膜2、下铜箔3均为卷式,EMI薄膜2与上铜箔1之间和EMI薄膜2与下铜箔3之间均涂布有胶粘剂4,胶粘剂4为环氧胶、丙烯酸热熔胶、热塑性PI树脂的一种。本发明的铜箔和EMI薄膜2均为卷式,当加工产品时,将材料从卷筒上转出,在材料表面涂布胶粘剂4或压合各材料层。这种方式生产时,压合的力度、均匀性都更高,从而可相应减小各层的厚度也能保证产品的性能;胶粘剂4只需使用单层的,而不需要采用由TPI胶、PI、TPI胶依次涂布的TPI胶膜层,进一步减小了产品的厚度,本发明的产品最小厚度可达到23μm。本发明较传统挠性覆铜板产品厚度更薄,并相应使得厚度能均匀,厚度均匀性可达到±2μm,从而产品的屏蔽或导磁均匀性更佳。
实施例二
在实施例一的基础上,所述上铜箔1和下铜箔3的厚度能力均为最薄6μm;所述胶粘剂4的厚度能力为最薄3μm;所述EMI薄膜2的厚度能力为最薄5μm。铜箔的最小厚度可达到6μm,EMI薄膜2的最小厚度可达到5μm,各材料的厚度减小,使得产品的整体厚度相应减小,顺应电子产品薄型化发展趋势。
实施例三
在实施例一或二的基础上,所述EMI薄膜2为导电胶膜、高阻体、金属箔的一种,使得EMI薄膜2可具有良好导磁功能和屏蔽效果。所述胶粘剂4为热塑性PI树脂,使得产品耐热性更好,平整度更高。
实施例四
一种薄型可挠性覆铜板的制备方法,包括以下步骤:
1)第一次涂布:将EMI薄膜2卷在卷筒上,转动滚筒的过程中在EMI薄膜2的上表面涂布胶粘剂4;
2)第一次压合:将卷在另一个滚筒上的上铜箔1与完成步骤1)后的EMI薄膜2压合在一起;
3)预固化或固化:将完成步骤2)后的半成品进行高温或高压处理,其中,高温处理的温度范围为50-200℃,高压工艺的压力范围为0-100Kgf/cm2;
4)第二次涂布:在EMI薄膜2的下表面涂布胶粘剂4;
5)第二次压合:将下铜箔3与完成步骤4)后的半成品压合在一起;
6)固化:将完成步骤5)后的半成品进行高温或高压处理,其中,高温处理的温度范围为80-250℃,高压工艺的压力范围为0-200Kgf/cm2。
本发明的第一种生产方法中,先将EMI薄膜2的一面涂布胶粘剂4、压合铜箔、固化,在进行EMI薄膜2另一面的涂布胶粘剂4、压合铜箔、固化。这样两次分别进行,可以增加压合效果,提高产品厚度均匀性。卷式生产过程始终连续进行,可大大提高生产效率,且无需多道高温压合流程,能耗低。卷式生产可降低各材料层的厚度,从而降低产品整体厚度并提高产品厚度均匀性,使得产品屏蔽或导磁均匀性更高。
实施例五
一种薄型可挠性覆铜板的制备方法,包括以下步骤:
1)第一次涂布:将上铜箔1卷在滚筒,转动滚筒的过程中在上铜箔1底部涂布胶粘剂4;
2)预固化或固化:将涂布后的半成品进行高温或高压处理,其中,高温处理的温度范围为50-200℃,高压工艺的压力范围为0-100Kgf/cm2;
3)第二次涂布:在上铜箔1涂布有胶粘剂4的一面再涂布EMI材料,EMI材料形成EMI薄膜2;
4)压合:在高温高压条件下对步骤3)的半成品进行压合;
5)第三次涂布:在EMI薄膜2的下表面涂布胶粘剂4;
6)固化:将完成步骤5)后的半成品进行高温或高压处理,其中,高温处理的温度范围为80-250℃,高压工艺的压力范围为0-200Kgf/cm2。
与实施例四的第一种生产方法不同,本实施例采用从上到下依次涂布、压合过程进行生产,仍保留两次压合,并达到与第一种生产方式一样的效果。本实施例,EMI的添加采用EMI流体的形式进行涂布,方便操作。
Claims (6)
1.一种薄型可挠性覆铜板,其特征在于,包括从上至下依次设置的上铜箔(1)、用于导磁和防止电磁干扰的EMI薄膜(2)、下铜箔(3),上铜箔(1)、EMI薄膜(2)、下铜箔(3)均为卷式,EMI薄膜(2)与上铜箔(1)之间和EMI薄膜(2)与下铜箔(3)之间均涂布有胶粘剂(4),胶粘剂(4)为环氧胶、丙烯酸热熔胶、热塑性PI树脂的一种。
2.根据权利要求1所述的一种薄型可挠性覆铜板,其特征在于,所述上铜箔(1)和下铜箔(3)的厚度能力均为最薄6μm;所述胶粘剂(4)的厚度能力为最薄3μm;所述EMI薄膜(2)的厚度能力为最薄5μm。
3.根据权利要求1或2所述的一种薄型可挠性覆铜板,其特征在于,所述EMI薄膜(2)为导电胶膜、高阻体、金属箔的一种。
4.根据权利要求1或2所述的一种薄型可挠性覆铜板,其特征在于,所述胶粘剂(4)为热塑性PI树脂。
5.一种薄型可挠性覆铜板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)第一次涂布:将EMI薄膜(2)卷在卷筒上,转动滚筒的过程中在EMI薄膜(2)的上表面涂布胶粘剂(4);
2)第一次压合:将卷在另一个滚筒上的上铜箔(1)与完成步骤1)后的EMI薄膜(2)压合在一起;
3)预固化或固化:将完成步骤2)后的半成品进行高温或高压处理,其中,高温处理的温度范围为50-200℃,高压工艺的压力范围为0-100Kgf/cm2;
4)第二次涂布:在EMI薄膜(2)的下表面涂布胶粘剂(4);
5)第二次压合:将下铜箔(3)与完成步骤4)后的半成品压合在一起;
6)固化:将完成步骤5)后的半成品进行高温或高压处理,其中,高温处理的温度范围为80-250℃,高压工艺的压力范围为0-200Kgf/cm2。
6.一种薄型可挠性覆铜板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)第一次涂布:将上铜箔(1)卷在滚筒,转动滚筒的过程中在上铜箔(1)底部涂布胶粘剂(4);
2)预固化或固化:将涂布后的半成品进行高温或高压处理,其中,高温处理的温度范围为50-200℃,高压工艺的压力范围为0-100Kgf/cm2;
3)第二次涂布:在上铜箔(1)涂布有胶粘剂(4)的一面再涂布EMI材料,EMI材料形成EMI薄膜(2);
4)压合:在高温高压条件下对步骤3)的半成品进行压合;
5)第三次涂布:在EMI薄膜(2)的下表面涂布胶粘剂(4);
6)固化:将完成步骤5)后的半成品进行高温或高压处理,其中,高温处理的温度范围为80-250℃,高压工艺的压力范围为0-200Kgf/cm2。
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