KR102458920B1 - 유체 공급 장치 - Google Patents

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손광원
장지은
최우영
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Abstract

본 발명의 기술적 사상은 제1 유체를 공급하는 제1 유체 소스; 제2 유체를 공급하는 제2 유체 소스; 상기 제1 유체 및 상기 제2 유체가 열 교환하도록 구성된 열 교환부; 상기 열 교환부를 통과한 상기 제1 유체를 회수하도록 구성된 제1 유체 회수 탱크; 및 상기 제1 유체를 상기 제1 유체 소스에서 상기 열 교환부를 거쳐 상기 제1 유체 회수 탱크로 전달하도록 구성된 제1 전달 배관;을 포함하고, 상기 열 교환부의 수직 레벨은 상기 제1 유체 회수 탱크의 수직 레벨보다 높은 것을 특징으로 하는 유체 공급 장치를 제공한다.

Description

유체 공급 장치{Fluid supply device}
본 발명의 기술적 사상은 유체 공급 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 제1 유체의 열 에너지를 이용하여 제2 유체를 가열하는 유체 공급 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해선 반도체 기판 또는 디스플레이 기판 상에 다층의 박막을 형성하는데 박막 형성에는 에칭 및 세정 공정이 필수적으로 채택되는 것이 일반적이다. 에칭 및 세정 공정에 있어서 기판의 이면에 증착된 질화막 등의 박막과 파티클 등은 후속 공정에서 이물질로 작용하게 된다. 이러한 기판 이면의 불필요한 박막 등과 같은 이물질은 기판 세정 장치를 이용하여 제거하게 된다. 이러한 세정 공정은, 반도체 기판 상의 오염물질을 화학적 반응에 의해 식각 또는 박리시키는 화학 용액 처리 공정, 화학 용액 처리 공정에 의해 약액 처리된 반도체 웨이퍼를 탈이온수(deionized water; DIW)로 세척하는 린스 공정, 및 린스 처리된 반도체 웨이퍼를 건조하는 건조 공정으로 이루어진다. 상기 탈이온수를 가열하기 위해, 여러가지 방식들이 제시되고 있다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는 열 교환을 이용한 유체 공급 장치를 제공하는 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상은 제1 유체를 공급하는 제1 유체 소스; 제2 유체를 공급하는 제2 유체 소스; 상기 제1 유체 및 상기 제2 유체가 열 교환하도록 구성된 열 교환부; 상기 열 교환부를 통과한 상기 제1 유체를 회수하도록 구성된 제1 유체 회수 탱크; 및 상기 제1 유체를 상기 제1 유체 소스에서 상기 열 교환부를 거쳐 상기 제1 유체 회수 탱크로 전달하도록 구성된 제1 전달 배관;을 포함하고, 상기 열 교환부의 수직 레벨은 상기 제1 유체 회수 탱크의 수직 레벨보다 높은 것을 특징으로 하는 유체 공급 장치를 제공한다.
또한, 본 발명의 기술적 사상은, 상기 과제를 해결하기 위하여, 제1 유체를 공급하는 제1 유체 소스; 제2 유체를 공급하는 제2 유체 소스; 상기 제2 유체를 가열하도록 구성되며, 상기 제1 유체 및 상기 제2 유체가 열 교환하도록 구성된 열 교환부; 상기 열 교환부를 통과한 상기 제1 유체를 회수하도록 구성된 제1 유체 회수 탱크; 상기 제1 유체를 상기 제1 유체 소스에서 상기 열 교환부를 거쳐 상기 제1 유체 회수 탱크로 전달하도록 구성된 제1 전달 배관; 상기 열 교환부와 상기 제1 유체 회수 탱크의 사이에 배치되며, 중력 방향으로 하향 연장된 상기 제1 전달 배관의 제1 부분, 수평 방향으로 연장된 상기 제1 전달 배관의 제2 부분 및 중력 방향의 반대 방향으로 상향 연장된 상기 제1 전달 배관의 제 3부분을 포함하는 제1 트랩; 및 상기 열 교환부와 상기 제1 유체 회수 탱크의 사이에 배치되며, 액체 상태의 제1 유체를 전달시키도록 구성된 제2 트랩;을 포함하고, 상기 열 교환부의 수직 레벨은 상기 제1 유체 회수 탱크의 수직 레벨보다 높은 것을 특징으로 하는 유체 공급 장치를 제공한다.
더 나아가, 본 발명의 기술적 사상은, 상기 과제를 해결하기 위하여, 제1 유체를 공급하는 제1 유체 소스; 제2 유체를 공급하는 제2 유체 소스; 제2 유체를 가열하도록 구성되며, 상기 제1 유체 및 상기 제2 유체가 열 교환하도록 구성된 열 교환부; 상기 열 교환부를 통과한 상기 제1 유체를 회수하도록 구성된 제1 유체 회수 탱크; 상기 열 교환부를 통과한 상기 제2 유체를 회수하도록 구성된 제2 유체 회수 탱크; 상기 제1 유체를 상기 제1 유체 소스에서 상기 열 교환부를 거쳐 상기 제1 유체 회수 탱크로 전달하도록 구성된 제1 전달 배관; 상기 제2 유체를 상기 제2 유체 소스에서 상기 열 교환부를 거쳐 상기 제2 유체 회수 탱크로 전달하도록 구성된 제2 전달 배관; 상기 열 교환부와 상기 제1 유체 회수 탱크의 사이에 배치되며, 상기 열 교환부와 상기 제1 유체 회수 탱크의 사이에 배치되며, 중력 방향으로 하향 연장된 상기 제1 전달 배관의 제1 부분, 수평 방향으로 연장된 상기 제1 전달 배관의 제2 부분 및 중력 방향의 반대 방향으로 상향 연장된 상기 제1 전달 배관의 제 3부분을 포함하는 제1 트랩; 상기 제1 트랩과 상기 제1 유체 회수 탱크의 사이에 배치되며, 액체 상태의 제1 유체를 전달시키도록 구성된 제2 트랩; 및 상기 제2 트랩 상에 배치되며, 상기 제1 유체를 제1 트랩에서 상기 제1 유체 회수 탱크로 전달하도록 구성된 바이패스 배관;을 포함하고, 상기 열 교환부의 수직 레벨은 상기 제1 유체 회수 탱크의 수직 레벨보다 높은 것을 특징으로 하는 유체 공급 장치를 제공한다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 유체 공급 장치는 제2 유체를 가열하기 위한 제1 유체를 중력을 이용하여 효과적으로 회수할 수 있다. 좀 더 자세하게, 제2 유체가 제1 유체의 열 에너지에 의해 가열되는 열 교환부의 수직 레벨이, 제1 유체가 회수되는 제1 유체 회수 탱크의 수직 레벨보다 높을 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 공급 장치의 구성을 나타내는 도면이고, 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 열 교환부의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 공급 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 공급 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 공급 장치의 구성을 나타내는 도면이고, 도 4b는 도 4a의 제2 트랩을 수직 방향에서 본 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 공급 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 공급 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상의 실시예들에 대해 상세히 설명한다. 도면 상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 공급 장치(10)의 구성을 나타내는 도면이고, 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 열 교환부(130)의 구성을 나타내는 도면이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 유체 공급 장치(10)는 제1 유체를 이용하여, 제2 유체의 온도를 조절하는 장치로서, 제1 유체 소스(110), 제1 전달 배관(120), 열 교환부(130), 제1 유체 회수 탱크(140), 제2 유체 소스(210), 제2 전달 배관(220) 및 제2 유체 회수 탱크(230)를 포함할 수 있다. 도 1a에서 F1은 제1 유체의 이동 경로를 나타내며, F2는 제2 유체의 이동 경로를 나타낸다.
제1 유체 소스(110)는 제1 유체 보관 탱크(미도시) 및 히터(미도시)를 포함할 수 있다. 제1 유체 보관 탱크는 제1 유체를 보관하기 위해 적당한 형태, 예를 들어, 용기 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 유체 보관 탱크에 보관된 제1 유체는 액체 상태로 보관될 수 있다. 히터는 제1 유체 보관 탱크의 내부에 보관된 제1 유체를 가열할 수 있다. 히터는 예를 들어, 제1 유체 보관 탱크의 내부에 제공될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에서, 히터는 제1 인입 전달 배관(120-1)에 장착되어, 제1 인입 전달 배관(120-1)을 따라 유동하는 제1 유체를 가열하도록 구성될 수 있다. 히터는 유도 가열 방식의 히터, 저항 가열 방식의 히터 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 히터는 유도 기전력을 이용하는 코일을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 히터는 내부에 발열체를 포함하는 자켓히터(jacket-heater)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 히터는 제1 유체를 기화시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 유체는 증류수를 포함할 수 있다.
제1 유체는 기화되어 열 교환부(130)에 입사될 수 있다. 제1 유체가 기화된 경우, 제1 유체는 상대적으로 많은 열 에너지를 가지고 있어, 제2 유체를 효과적으로 가열할 수 있다. 반대로, 제1 유체가 기화되지 않은 경우, 제1 유체는 상대적으로 작은 열 에너지를 가지고 있어, 제2 유체를 가열하기에 충분하지 않을 수 있다.
제1 전달 배관(120)은 제1 유체가 제1 유체 소스(110)에서 열 교환부(130)를 거쳐, 제1 유체 회수 탱크(140)로 전달될 수 있도록 구성될 수 있다. 제1 전달 배관(120)의 형상 역시 제1 유체를 전달하기 위해 적당한 형태, 예를 들어 원통형 형상을 가질 수 있다. 제1 전달 배관(120)은 제1 유체 소스(110)에서 열 교환부(130)의 사이에 배치된 제1 인입 전달 배관(120-1) 및 열 교환부(130)와 제1 유체 회수 탱크의 사이에 배치된 제1 배출 전달 배관(120-2)을 포함할 수 있다.
열 교환부(130)는 제1 유체 소스(110)와 연결되어 제1 유체를 공급받고, 제2 유체 소스(210)와 연결되어, 제2 유체를 공급받을 수 있다. 열 교환부(130) 내에 제공된 제1 유체와 제2 유체 사이에서 열 교환이 이루어질 수 있다. 즉, 기화된 제1 유체의 열 에너지에 의해, 제2 유체의 온도가 상승할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 열 교환부(130)를 통과하기 전의 제2 유체의 온도의 범위는 약 10 ℃ 내지 약 40 ℃ 일 수 있고, 열 교환부(130)를 통과한 제2 유체의 온도의 범위는 약 65 ℃ 내지 85 ℃ 일 수 있다.
열 교환부(130)는 제1 및 제2 유체 간에 열 교환이 이루어지도록 하는 열 교환기일 수 있다. 예를 들어, 열 교환기는 가열기, 예열기, 응축기, 증발기 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 열 교환기는 다관식 열 교환기(Shell&tube Heat Exchanger), 블록식 열 교환기(Block Type Heat Exchanger), 자켓식 열 교환기(Jaketed Type Heat Exchanger, 공냉식 열 교환기(Air Cooled Heat Exchanger), 스파이럴 열 교환기(Spiral Type Heat Exchanger), 판형식 열 교환기(Plate Heat Exchanger), 웰딩 열 교환기(Welded Heat Exchanger) 및/또는 플레이트 코일 열 교환기(Plate Coil Heat Exchanger)를 포함할 수 있다.
열 교환부(130)는 제1 유체 주입구(131), 제1 유체 배출구(132), 제1 유체 이동관(133), 제2 유체 주입구(134), 제2 유체 배출구(135) 및 제2 유체 이동관(136)을 포함할 수 있다. 제1 유체 이동관(133) 및/또는 제2 유체 이동관(136)은 지그재그 형상이 반복으로 형성될 수 있다. 따라서, 제1 유체와 제2 유체가 접촉하는 면적이 증가할 수 있다. 그러므로, 제1 유체 이동관(133) 및/또는 제2 유체 이동관(136)의 내부에서 이동되는 제1 유체와 제2 유체 간의 열 교환이 더욱 활발하게 이루어질 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 제1 유체 이동관(133) 및/또는 제2 유체 이동관(136)은 나선 형상으로 형성될 수 있다. 제1 유체 이동관(133) 및/또는 제2 유체 이동관(136)은 나선이 반복적으로 형성됨으로써 제1 유체와 제2 유체가 접촉하는 면적이 증가할 수 있다.
또한, 제1 유체 주입구(131)의 수직 레벨은 제1 유체 배출구(132)의 수직 레벨보다 더 높을 수 있다. 따라서, 열 교환부(130)의 내부에서 제1 유체가 효과적으로 제1 유체 배출구(132)로 전달될 수 있다.
제1 유체 회수 탱크(140)는 열 교환부(130)를 통과한 제1 유체를 회수할 수 있다. 제1 유체 회수 탱크(140)는 제1 유체를 회수하기 위해 적당한 형태, 예를 들어, 용기 형태를 가질 수 있다. 제1 유체는 열 교환부(130)를 통과한 직후, 또는 열 교환부(130)와 제1 유체 회수 탱크(140) 사이에서 상기 제1 유체의 온도가 낮아져 액화될 수 있다. 따라서, 제1 유체 회수 탱크(140)에 회수된 제1 유체는 액체 상태일 수 있다. 상기 제1 유체 회수 탱크(140)가 배치된 수평면은 기준평면(SF)로 정의될 수 있다.
본 명세서에서, 수직 방향(Z 방향)은 중력이 작용하는 방향을 의미할 수 있고, 수평 방향(X 방향 및/또는 Y 방향)은 상기 수직 방향(Z 방향)에 각각 수직한 방향을 의미할 수 있다. 더 나아가, 수평 방향(X 방향 및/또는 Y 방향)은 기준평면에 평행한 방향을 의미할 수 있다.
제2 유체 소스(210)는 제2 유체를 보관할 수 있다. 제2 유체 소스(210)는 제2 유체를 보관하기 위해 적당한 형태, 예를 들어, 용기 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 유체 소스(210)에 보관된 제2 유체는 액체 상태로 보관될 수 있다. 예를 들어, 제2 유체는 탈이온수(DIW, deionized water) 및/또는 초순수(UPW, ultrapure water)를 포함할 수 있다. 상기 제2 유체는 반도체 공정에서 사용될 수 있다.
제2 전달 배관(220)은 제2 유체가 제2 유체 소스(210)에서 열 교환부(130)를 거쳐, 제2 유체 회수 탱크(230)로 전달될 수 있도록 구성될 수 있다. 제2 전달 배관(220)의 형상 역시 제2 유체를 전달하기 위해 적당한 형태, 예를 들어 원통형 형상을 가질 수 있다. 제2 전달 배관(220)은 제2 유체 소스(210)에서 열 교환부(130)의 사이에 배치된 제2 인입 전달 배관(220-1) 및 열 교환부(130)와 제1 유체 회수 탱크의 사이에 배치된 제2 배출 전달 배관(220-2)을 포함할 수 있다.
제2 유체 회수 탱크(230)는 열 교환부(130)를 통과한 제2 유체를 회수할 수 있다. 제2 유체 회수 탱크(230)는 제2 유체를 회수하기 위해 적당한 형태, 예를 들어, 용기 형태를 가질 수 있다.
열 교환부(130)는 제1 유체 회수 탱크(140) 보다 높은 수직 레벨에 배치될 수 있다. 따라서, 열 교환부(130)를 통과한 제1 유체는 중력(gravity)에 의해 제1 유체 회수 탱크(140)로 전달될 수 있다. 따라서, 제1 유체는 효과적으로 회수될 수 있다.
일반적인 유체 공급 장치는 열 교환부와 제1 유체 회수 탱크 사이에 동력을 공급하는 펌프를 포함하여, 열 교환부의 제1 유체를 제1 유체 회수 탱크로 전달하였다. 따라서, 제1 유체를 회수하기 위해서, 외부의 동력이 유체 공급 장치에 공급되어야 했다.
반면, 본 실시예의 유체 공급 장치(10)는 열 교환부(130)를 제1 유체 회수 탱크(140) 보다 높은 수직 레벨에 배치할 수 있다. 따라서, 열 교환부(130)를 통과한 제1 유체는 중력에 의해 제1 유체 회수 탱크(140)로 전달될 수 있다. 따라서, 외부의 동력의 공급에 무관하게, 제1 유체는 제1 유체 회수 탱크(140)로 전달될 수 있다.
상기 가열된 제2 유체는 추후 반도체 설비의 공정 챔버로 전달될 수 있다. 상기 제2 유체를 이용하여, 세종 공정이 진행될 수 있다. 상기 세정 공정은, 반도체 기판 상의 오염물질을 화학적 반응에 의해 식각 또는 박리시키는 화학 용액 처리 공정, 화학 용액 처리 공정에 의해 약액 처리된 반도체 웨이퍼를 탈이온수로 세척하는 린스 공정, 및 린스 처리된 반도체 웨이퍼를 건조하는 건조 공정을 포함할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 공급 장치(10a)의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 유체 공급 장치(10a)는 제1 유체 소스(110), 제1 전달 배관(120), 열 교환부(130), 제1 유체 회수 탱크(140), 제1 트랩(150), 제2 유체 소스(210), 제2 전달 배관(220) 및 제2 유체 회수 탱크(230)를 포함할 수 있다. 도 2의 제1 유체 소스(110), 제1 전달 배관(120), 열 교환부(130), 제1 유체 회수 탱크(140), 제2 유체 소스(210), 제2 전달 배관(220) 및 제2 유체 회수 탱크(230)는 도 1a의 제1 유체 소스(110), 제1 전달 배관(120), 열 교환부(130), 제1 유체 회수 탱크(140), 제2 유체 소스(210), 제2 전달 배관(220) 및 제2 유체 회수 탱크(230)와 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 여기서는 제1 트랩(150)에 대해서만 설명하겠다.
제1 트랩(150)은 제1 유체의 온도를 낮추어, 제1 유체가 액화되도록 구성될 수 있다. 제1 트랩(150)은 열 교환부(130)와 제1 유체 회수 탱크(140)의 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 트랩(150)은 굴곡진 형상을 가져, 제1 트랩(150)의 하부에 액화된 제1 유체가 위치할 수 있다. 상기, 액화된 제1 유체에 의해, 상기 제1 트랩(150)을 통과하는 제1 유체의 온도가 감소될 수 있다.
즉, 제1 트랩(150)은 제1 전달 배관(120)의 굴곡진 부분으로 정의될 수 있다. 예를 들어, 제1 트랩(150)은 중력 방향으로 하향 연장된 제1 전달 배관(120)의 제1 부분, 수평 방향으로 연장된 제1 전달 배관(120)의 제2 부분, 및 중력 방향의 반대 방향으로 상향 연장된 제1 전달 배관(120)의 제3 부분을 포함하며, 제1 전달 배관(120)의 상기 제1 부분, 상기 제2 부분, 및 상기 제3 부분은 제1 전달 배관(120)에서의 제1 유체의 이동 방향을 따라 순차적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 트랩(150)은 열 교환부(130)의 수직 레벨과 제1 유체 회수 탱크(140)의 수직 레벨의 사이에 배치될 수 있다. 따라서, 열 교환부(130)에서 배출된 제1 유체는 중력을 통해 제1 트랩(150)으로 이동할 수 있으며, 제1 트랩(150)을 통과한 제1 유체는 제1 유체 회수 탱크(140)로 이동할 수 있다.
도 2에서, 예시적으로 제1 트랩(150)이‘U’형상을 가지는 것으로 도시하였으나, 제1 트랩(150)의 형상은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 제1 트랩(150)은 수직 레벨이 서로 다른 하단부와 상단부가 위치하고, 상기 상단부 및/또는 하단부에 제1 유체가 액체 상태로 보관될 수 있는 형상일 수 있다. 예를 들어, 제1 트랩(150)은 ‘J’, ‘V’및/또는‘W’형상을 가질 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 공급 장치(10b)의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 유체 공급 장치(10b)는 제1 유체 소스(110), 제1 전달 배관(120), 열 교환부(130), 제1 유체 회수 탱크(140), 제2 트랩(160), 제2 유체 소스(210), 제2 전달 배관(220) 및 제2 유체 회수 탱크(230)를 포함할 수 있다. 도 3의 제1 유체 소스(110), 제1 전달 배관(120), 열 교환부(130), 제1 유체 회수 탱크(140), 제2 유체 소스(210), 제2 전달 배관(220) 및 제2 유체 회수 탱크(230)는 도 1a의 제1 유체 소스(110), 제1 전달 배관(120), 열 교환부(130), 제1 유체 회수 탱크(140), 제2 유체 소스(210), 제2 전달 배관(220) 및 제2 유체 회수 탱크(230)와 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 여기서는 제2 트랩(160)에 대해서만 설명하겠다.
제2 트랩(160)은 액화된 제1 유체를 제1 유체 회수 탱크(140)로 전달시키고, 기화된 제1 유체가 제1 유체 회수 탱크(140)로 전달되지 않도록 구성될 수 있다. 따라서, 액화된 제1 유체가 제1 유체 회수 탱크(140)에 회수될 수 있다. 예를 들어, 제2 트랩(160)은 자유 플로트 트랩(free float trap)을 포함할 수 있다. 제2 트랩(160)은 열 교환부(130)와 제1 유체 회수 탱크(140)의 사이에 배치될 수 있다.
상기 제2 트랩(160)은 열 교환부(130)의 수직 레벨과 제1 유체 회수 탱크(140)의 수직 레벨의 사이의 수직 레벨에 배치될 수 있다. 따라서, 열 교환부(130)에서 배출된 제1 유체는 중력을 통해 제2 트랩(160)로 이동할 수 있으며, 제2 트랩(160)을 통과한 제1 유체는 제1 유체 회수 탱크(140)로 전달될 수 있다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 공급 장치(10c)의 구성을 나타내는 도면이고, 도 4b는 도 4a의 제2 트랩(160)을 수직 방향에서 본 도면이다.
도 4a를 참조하면, 유체 공급 장치(10c)는 제1 유체 소스(110), 제1 전달 배관(120), 열 교환부(130), 제1 유체 회수 탱크(140), 제2 트랩(160), 바이패스 배관(170), 제2 유체 소스(210), 제2 전달 배관(220) 및 제2 유체 회수 탱크(230)를 포함할 수 있다. 도 3의 제1 유체 소스(110), 제1 전달 배관(120), 열 교환부(130), 제1 유체 회수 탱크(140), 제2 트랩(160), 제2 유체 소스(210), 제2 전달 배관(220) 및 제2 유체 회수 탱크(230)는 도 1a의 제1 유체 소스(110), 제1 전달 배관(120), 열 교환부(130), 제1 유체 회수 탱크(140), 제2 트랩(160), 제2 유체 소스(210), 제2 전달 배관(220) 및 제2 유체 회수 탱크(230)와 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 여기서는 바이패스 배관(170)에 대해서만 설명하겠다.
바이패스 배관(170)은 열 교환부(130)를 통과한 제1 유체가 제1 유체 회수 탱크(140)에 우회하여 전달되도록 구성될 수 있다. 제1 전달 배관(120)은 제2 트랩(160)이 설치된 메인 배관과, 바이패스 배관인 바이패스 배관(170)을 포함할 수 있다. 제2 트랩(160)이 배치된 제1 전달 배관(120)의 전달 유량 이상의 제1 유체가 제1 전달 배관(120)에 전달된 경우, 바이패스 배관(170)은 오버 플로우된 제1 유체를 제1 유체 회수 탱크(140)에 전달할 수 있다. 바이패스 배관(170)은 열 교환부(130)와 제1 유체 회수 탱크(140)의 사이에 배치될 수 있다.
상기 바이패스 배관(170)은 열 교환부(130)의 수직 레벨과 제1 유체 회수 탱크(140)의 수직 레벨의 사이에 배치될 수 있다. 따라서, 열 교환부(130)에서 배출된 제1 유체는 중력을 통해 바이패스 배관(170)으로 이동할 수 있으며, 바이패스 배관(170)을 통과한 제1 유체는 제1 유체 회수 탱크(140)로 이동할 수 있다. 또한, 바이패스 배관(170)은 제2 트랩(160) 보다 높은 수직 레벨에 위치할 수 있다. 따라서, 제2 트랩(160)이 제1 유체의 유량을 감당하지 못하는 경우, 바이패스 배관(170)에 제1 유체가 흐를 수 있다. 만약, 바이패스 배관(170)이 제2 트랩(160) 보다 낮은 수직 레벨에 위치하는 경우, 제1 유체는 우선적으로 바이패스 배관(170)으로 전달될 수 있다. 제2 트랩(160)과 바이패스 배관(170)이 설치되는 경우, 바이패스 배관이 배치되지 않은 제1 배출 전달 배관(120-2)은 메인 배관이라 칭할 수 있다.
또한, 유체 공급 장치(10c)는 복수의 제2 트랩(160)을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 제2 트랩(160)이 배치된 제1 전달 배관(120)은 복수로 분기될 수 있다. 상기 제2 트랩(160)이 배치된 복수의 제1 전달 배관(120)은 실질적으로 동일한 수직 레벨을 가지며 병렬적으로 분기될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 공급 장치(10d)의 구성을 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 유체 공급 장치(10d)는 제1 유체 소스(110), 제1 전달 배관(120), 열 교환부(130), 제1 유체 회수 탱크(140), 제2 트랩(160), 바이패스 배관(170), 유량 센서(180), 제2 유체 소스(210), 제2 전달 배관(220) 및 제2 유체 회수 탱크(230)를 포함할 수 있다. 도 5의 제1 유체 소스(110), 제1 전달 배관(120), 열 교환부(130), 제1 유체 회수 탱크(140), 제2 트랩(160), 제2 유체 소스(210), 제2 전달 배관(220) 및 제2 유체 회수 탱크(230)는 도 4a의 제1 유체 소스(110), 제1 전달 배관(120), 열 교환부(130), 제1 유체 회수 탱크(140), 제2 트랩(160), 제2 유체 소스(210), 제2 전달 배관(220) 및 제2 유체 회수 탱크(230)와 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 여기서는 유량 센서(180)에 대해서만 설명하겠다.
유량 센서(180)는 제1 유체의 유량을 측정하여, 제1 전달 배관(120), 제2 트랩(160)의 작동의 이상 유무를 센싱할 수 있다. 유량 센서(180)는 제2 트랩(160)과 제1 유체 회수 탱크(140) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 유량 센서(180)는 제2 트랩(160)과 동일한 수직 레벨에 배치될 수 있다. 따라서, 유체 공급 장치(10d)의 구성부의 작동의 이상 유무는 용이하게 판단될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 전달 배관(120) 상의 유량이 기준에 설정한 유량의 범위에 포함되지 않은 경우, 제1 전달 배관(120) 및/또는 제2 트랩(160)이 불량인 것으로 판단할 수 있다.
제1 전달 배관(120)이 동일 수직 레벨을 가지며 복수로 분기되고, 각각의 제1 전달 배관(120)에 제2 트랩(160)이 배치되는 경우, 제2 트랩(160)과 제1 유체 회수 탱크(140) 사이에 유량 센서(180)가 배치될 수 있다. 상기 유량 센서(180)를 이용하여 제2 트랩(160)의 작동의 이상 유무가 판단될 수 있다. 상기 제2 트랩(160)과 유량 센서(180)는 동일한 수직 레벨에 배치될 수 있다.
도면에 도시되지는 않았지만, 바이패스 배관(도 4a의 170)이 배치된 경우, 바이패스 배관(도 4a의 170) 상에 유량 센서(180)가 배치될 수 있다. 따라서, 유량 센서(180)는 바이패스 배관(도 4a의 170)과 동일한 수직 레벨에 배치될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 공급 장치(10e)의 구성을 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, 유체 공급 장치(10e)는 제1 유체 소스(110), 제1 전달 배관(120), 열 교환부(130), 제1 유체 회수 탱크(140), 제1 트랩(150), 제2 트랩(160), 바이패스 배관(170), 유량 센서(180), 압력 조절기(190), 제2 유체 소스(210), 제2 전달 배관(220) 및 제2 유체 회수 탱크(230)를 포함할 수 있다.
제1 유체 소스(110)는 압력 조절기(190)를 더 포함할 수 있다. 압력 조절기(190)는 기화된 제1 유체의 압력을 조절할 수 있다. 따라서, 제1 유체는 열 교환부(130)에 적절한 압력으로 전달될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 유체는 약 1
Figure 112022019296432-pat00001
내지 약 3
Figure 112022019296432-pat00002
의 압력을 가지고 열 교환부(130)에 공급될 수 있다. 상기 압력 조절기(190)는 예를 들어, 펌프를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 압력 조절기(190)는 제1 인입 전달 배관(120-1)상에 배치될 수 있다.
제1 유체는 제1 유체 소스(110)에서 열 교환부(130)를 거쳐 제1 트랩(150)으로 전달될 수 있다. 제1 트랩(150)을 통과한 제1 유체는 제2 트랩(160)로 전달되거나 및/또는 바이패스 배관(170)으로 전달될 수 있다. 그 후, 제1 유체는 제1 유체 회수 탱크(140)로 이동할 수 있다. 따라서, 상기 제1 트랩(150)은 열 교환부(130)와 제2 트랩(160) 사이에 배치될 수 있다.
따라서, 열 교환부(130)는 제1 유체 회수 탱크(140), 제1 트랩(150), 제2 트랩(160), 바이패스 배관(170) 및 유량 센서(180) 보다 높은 수직 레벨에 위치할 수 있다. 따라서, 열 교환부(130)를 통과한 제1 유체는 제1 트랩(150), 제2 트랩(160), 바이패스 배관(170) 및/또는 유량 센서(180)를 통과하여 제1 유체 회수 탱크(140)로 이동할 수 있다.
또한, 바이패스 배관(170)은 제2 트랩(160) 보다 높은 수직 레벨에 위치할 수 있다. 그리고, 제2 트랩(160) 및 바이패스 배관(170)은 제1 유체 회수 탱크(140) 보다 높은 수직 레벨에 위치할 수 있다. 따라서, 제2 트랩(160) 및/또는 바이패스 배관(170)을 통과한 제1 유체는 제1 유체 회수 탱크(140)로 이동할 수 있다.
바이패스 배관(170)이 제2 트랩(160)보다 낮은 수직 레벨에 위치하는 경우, 바이패스 배관(170)에 흐르는 제1 유체의 유량은 제2 트랩(160)에 흐르는 제1 유체의 유량보다 클 수 있다. 따라서, 바이패스 배관(170)은 제2 트랩(160)보다 높은 수직 레벨에 위치할 수 있다.
따라서, 열 교환부(130), 제1 유체 회수 탱크(140), 제1 트랩(150), 제2 트랩(160), 바이패스 배관(170) 및 유량 센서(180) 중 가장 높은 수직 레벨에 위치하는 장치는 열 교환부(130)고, 가장 낮은 수직 레벨에 위치하는 장치는 제1 유체 회수 탱크(140)일 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따르면, 열 교환부(130)의 수직 레벨과 제1 유체 회수 탱크(140)의 수직 레벨의 차이(H1)는 약 0.5m 내지 약 5m일 수 있다. 또한, 제1 트랩(150)의 수직 레벨과 제1 유체 회수 탱크(140)의 수직 레벨의 차이(H2)는 약 0.05m 내지 약 0.5m일 수 있다. 제2 트랩(160)의 수직 레벨과 제1 유체 회수 탱크(140)의 수직 레벨의 차이(H3)는 약 0.1m 내지 약 2m일 수 있다. 바이패스 배관(170)의 수직 레벨과 제1 유체 회수 탱크(140)의 수직 레벨의 차이(H4)는 약 0.1m 내지 약 3m일 수 있다. 또한, 제2 트랩(160)의 수직 레벨과 바이패스 배관(170)의 수직 레벨과 제1 유체 회수 탱크(140)의 수직 레벨의 차이(H5)는 약 0.1m 내지 약 1m일 수 있다.
110: 제1 유체 소스 120: 제1 전달 배관
130: 열 교환부 140: 제1 유체 회수 탱크
150: 제1 트랩 160: 제2 트랩
170: 보조 배관 180: 유량 센서
210: 제2 유체 공급 탱크 220: 제2 전달 배관
230: 제2 유체 회수 탱크

Claims (10)

  1. 제1 유체를 공급하는 제1 유체 소스;
    제2 유체를 공급하는 제2 유체 소스;
    상기 제1 유체 및 상기 제2 유체가 열 교환하도록 구성된 열 교환부;
    상기 열 교환부를 통과한 상기 제1 유체를 회수하도록 구성된 제1 유체 회수 탱크; 및
    상기 제1 유체를 상기 제1 유체 소스에서 상기 열 교환부를 거쳐 상기 제1 유체 회수 탱크로 전달하도록 구성된 제1 전달 배관;을 포함하고,
    상기 열 교환부의 수직 레벨은 상기 제1 유체 회수 탱크의 수직 레벨보다 높고,
    상기 열 교환부와 상기 제1 유체 회수 탱크의 사이에 배치되며, 기체 상태의 상기 제1 유체를 차단하도록 구성된 보조 트랩;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유체 공급 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 열 교환부와 상기 제1 유체 회수 탱크의 사이에 배치되며, 중력 방향으로 하향 연장된 상기 제1 전달 배관의 제1 부분, 수평 방향으로 연장된 상기 제1 전달 배관의 제2 부분 및 중력 방향의 반대 방향으로 상향 연장된 상기 제1 전달 배관의 제 3부분을 포함하는 제1 트랩;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유체 공급 장치.
  3. 삭제
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 열 교환부는 상기 제1 유체가 주입되는 제1 유체 주입구와 상기 제1 유체가 배출되는 제1 유체 배출구를 포함하고,
    상기 제1 유체 주입구의 수직 레벨은 상기 제1 유체 배출구의 수직 레벨보다 높은 것을 특징으로 하는 유체 공급 장치.
  5. 제1 유체를 공급하는 제1 유체 소스;
    제2 유체를 공급하는 제2 유체 소스;
    상기 제2 유체를 가열하도록 구성되며, 상기 제1 유체 및 상기 제2 유체가 열 교환하도록 구성된 열 교환부;
    상기 열 교환부를 통과한 상기 제1 유체를 회수하도록 구성된 제1 유체 회수 탱크;
    상기 제1 유체를 상기 제1 유체 소스에서 상기 열 교환부를 거쳐 상기 제1 유체 회수 탱크로 전달하도록 구성된 제1 전달 배관;
    상기 열 교환부와 상기 제1 유체 회수 탱크의 사이에 배치되며, 중력 방향으로 하향 연장된 상기 제1 전달 배관의 제1 부분, 수평 방향으로 연장된 상기 제1 전달 배관의 제2 부분 및 중력 방향의 반대 방향으로 상향 연장된 상기 제1 전달 배관의 제 3부분을 포함하는 제1 트랩; 및
    상기 열 교환부와 상기 제1 유체 회수 탱크의 사이에 배치되며, 액체 상태의 제1 유체를 전달시키도록 구성된 제2 트랩;을 포함하고,
    상기 열 교환부의 수직 레벨은 상기 제1 유체 회수 탱크의 수직 레벨보다 높은 것을 특징으로 하는 유체 공급 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 트랩이 배치된 메인 배관보다 높은 수직 레벨 상에 배치되며, 상기 제1 유체를 제1 트랩에서 상기 제1 유체 회수 탱크로 전달하도록 구성된 바이패스(bypass) 배관;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유체 공급 장치.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 전달 배관 상에 배치되며, 상기 제1 유체의 유량을 측정하도록 구성된 유량 센서;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유체 공급 장치.
  8. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 전달 배관은 동일한 수직 레벨을 가지며 복수의 배관으로 병렬적으로 분기되고,
    상기 분기된 복수의 배관 각각에 상기 제2 트랩이 배치되는 것을 특징으로 하는 유체 공급 장치.
  9. 제1 유체를 공급하는 제1 유체 소스;
    제2 유체를 공급하는 제2 유체 소스;
    제2 유체를 가열하도록 구성되며, 상기 제1 유체 및 상기 제2 유체가 열 교환하도록 구성된 열 교환부;
    상기 열 교환부를 통과한 상기 제1 유체를 회수하도록 구성된 제1 유체 회수 탱크;
    상기 열 교환부를 통과한 상기 제2 유체를 회수하도록 구성된 제2 유체 회수 탱크;
    상기 제1 유체를 상기 제1 유체 소스에서 상기 열 교환부를 거쳐 상기 제1 유체 회수 탱크로 전달하도록 구성된 제1 전달 배관;
    상기 제2 유체를 상기 제2 유체 소스에서 상기 열 교환부를 거쳐 상기 제2 유체 회수 탱크로 전달하도록 구성된 제2 전달 배관;
    상기 열 교환부와 상기 제1 유체 회수 탱크의 사이에 배치되며, 상기 열 교환부와 상기 제1 유체 회수 탱크의 사이에 배치되며, 중력 방향으로 하향 연장된 상기 제1 전달 배관의 제1 부분, 수평 방향으로 연장된 상기 제1 전달 배관의 제2 부분 및 중력 방향의 반대 방향으로 상향 연장된 상기 제1 전달 배관의 제 3부분을 포함하는 제1 트랩;
    상기 제1 트랩과 상기 제1 유체 회수 탱크의 사이에 배치되며, 액체 상태의 제1 유체를 전달시키도록 구성된 제2 트랩; 및
    상기 제2 트랩 상에 배치되며, 상기 제1 유체를 제1 트랩에서 상기 제1 유체 회수 탱크로 전달하도록 구성된 바이패스 배관;을 포함하고,
    상기 열 교환부의 수직 레벨은 상기 제1 유체 회수 탱크의 수직 레벨보다 높은 것을 특징으로 하는 유체 공급 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 열 교환부의 수직 레벨과 상기 제1 유체 회수 탱크의 수직 레벨의 차이의 범위는 0.5m 내지 5m인 것을 특징으로 하는 유체 공급 장치.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59117999A (ja) * 1982-12-23 1984-07-07 Kyodo Sanso Kk 低温液化ガスの冷熱回収装置
KR101558426B1 (ko) * 2015-01-23 2015-10-12 (주)테키스트 냉매의 순환방향 전환이 가능한 열교환기를 이용한 반도체 제조 설비의 온도제어시스템
KR101842351B1 (ko) * 2016-06-10 2018-03-27 김남원 공정설비용 냉각유체의 온도 제어장치
KR102083264B1 (ko) * 2019-10-21 2020-03-02 권정선 흄 처리장치 및 이를 구비하는 반도체 공정 설비용 칠러
KR20210020523A (ko) * 2019-08-16 2021-02-24 주식회사 에프에스티 개도조절밸브 시스템을 구비하는 고온용 온도조절장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59117999A (ja) * 1982-12-23 1984-07-07 Kyodo Sanso Kk 低温液化ガスの冷熱回収装置
KR101558426B1 (ko) * 2015-01-23 2015-10-12 (주)테키스트 냉매의 순환방향 전환이 가능한 열교환기를 이용한 반도체 제조 설비의 온도제어시스템
KR101842351B1 (ko) * 2016-06-10 2018-03-27 김남원 공정설비용 냉각유체의 온도 제어장치
KR20210020523A (ko) * 2019-08-16 2021-02-24 주식회사 에프에스티 개도조절밸브 시스템을 구비하는 고온용 온도조절장치
KR102083264B1 (ko) * 2019-10-21 2020-03-02 권정선 흄 처리장치 및 이를 구비하는 반도체 공정 설비용 칠러

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