KR102445009B1 - 터치 패널 및 터치 디바이스 - Google Patents

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Abstract

터치 패널은 기판, 융기 구조, 터치 감지 전극층, 및 주변 회로층을 포함한다. 상기 기판은 가시 영역 및 상기 가시 영역을 둘러싸는 경계 영역을 구비한다. 상기 융기 구조는 상기 기판 상에 배치되고 상기 경계 영역 내에 위치되며, 상기 융기 구조 및 상기 기판은 단차 영역을 구성한다. 상기 터치 감지 전극층은 상기 가시 영역 내에 배치되고, 부분적으로 상기 경계 영역 내로 연장하여 상기 융기 구조를 가로지르고 상기 단차 영역을 덮는다. 상기 주변 회로층은 상기 경계 영역 내에 배치되고, 적어도 상기 융기 구조 및 상기 단차 영역 상에서 상기 터치 감지 전극층과 중첩한다.

Description

터치 패널 및 터치 디바이스{TOUCH PANEL AND TOUCH DEVICE}
본 개시는 터치 패널 및 터치 디바이스에 관한 것이고, 특히 중첩 구조(overlapping structure)를 갖는 터치 패널 및 터치 디바이스에 관한 것이다.
최근, 사용자와 전자 디바이스 사이에 정보 통신 채널 역할을 하는 모바일 폰, 노트북 컴퓨터, 위성 내비게이션 시스템 및 디지털 오디오-시각 플레이어와 같은 휴대형 전자 제품에서 터치 패널이 널리 사용되고 있다.
터치 패널은 터치 전극 및 주변 회로를 포함하고, 상기 터치 전극 및 상기 주변 회로는 보통 주변 영역에서 서로 접촉하여 도전성 경로 또는 루프를 형성하며, 상기 도전성 경로 또는 루프에서는, 접촉 임피던스가 상기 터치 패널의 신호 전송 및 응답율에 영향을 미친다. 상기 접촉 임피던스는 상기 터치 전극과 상기 주변 회로 사이의 중첩 구역(overlapping area)에 의존한다. 일반적으로, 상기 접촉 임피던스는, 상기 중첩 구역이 커짐에 따라 낮아진다. 그러나, 상기 중첩 구역은 상기 터치 패널의 주변 영역의 크기에 직접 영향을 미치고, 좁은 베젤 제품에 대한 요구가 점차 증가함에 따라, 상기 주변 영역의 크기 요건을 충족시킬 수 있을 뿐만 아니라 상기 접촉 임피던스의 요건을 충족시킬 수 있는 터치 패널은 현재 검토할 가치가 있다.
본 개시의 몇몇 실시예에 따르면, 터치 패널은 기판, 융기 구조(raised structure), 터치 감지 전극층, 및 주변 회로층을 포함한다. 상기 기판은 가시 영역(visible region) 및 상기 가시 영역을 둘러싸는 경계 영역(border region)을 포함한다. 상기 융기 구조는 상기 기판 상에 배치되고 상기 경계 영역 내에 위치되며, 상기 융기 구조 및 상기 기판은 단차 영역(step area)을 구성한다. 상기 터치 감지 전극층은 상기 가시 영역 내에 배치되고, 부분적으로 상기 경계 영역 내로 연장하여 상기 융기 구조를 가로지르고 상기 단차 영역을 덮는다. 상기 주변 회로층은 상기 경계 영역 내에 배치되고, 적어도 상기 융기 구조 및 상기 단차 영역 상에서 상기 터치 감지 전극층과 중첩한다.
몇몇 실시예에 있어서, 상기 터치 감지 전극층은 매트릭스 및 상기 매트릭스 내에 분포된 복수 개의 금속 나노구조를 포함한다.
몇몇 실시예에 있어서, 상기 융기 구조는 금속 재료를 포함하고, 상기 금속 재료의 반응성(reactivity)은 상기 금속 나노구조의 반응성보다 크다.
몇몇 실시예에 있어서, 상기 융기 구조는 중앙 영역 및 이 중앙 영역을 둘러싸는 주변 영역을 구비하고, 상기 중앙 영역의 수직 두께는 상기 주변 영역의 수직 두께보다 크다.
몇몇 실시예에 있어서, 상기 터치 감지 전극층은 제1 부분 및 제2 부분을 구비하고, 상기 제1 부분은 상기 융기 구조의 중앙 영역을 덮고, 상기 제2 부분은 상기 융기 구조의 주변 영역 및 상기 단차 영역을 덮고, 상기 제1 부분은 상기 제2 부분에 연결된다.
몇몇 실시예에 있어서, 상기 터치 감지 전극층의 제2 부분은 상기 단차 영역에서 상기 기판과 접촉하여 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 상기 터치 감지 전극층은 복수의 금속 나노구조를 포함하고, 상기 터치 감지 전극층의 제2 부분 내에서의 상기 금속 나노구조의 밀도는 상기 터치 감지 전극층의 제1 부분 내에서의 상기 금속 나노구조의 밀도보다 크다.
몇몇 실시예에 있어서, 상기 터치 감지 전극층의 제1 부분 내에서의 상기 금속 나노구조의 밀도는 10% 내지 50%이고, 상기 터치 감지 전극층의 제2 부분 내에서의 상기 금속 나노구조의 밀도는 상기 터치 감지 전극층의 제1 부분 내에서의 상기 금속 나노구조의 밀도보다 7% 내지 18% 만큼 크다.
몇몇 실시예에 있어서, 상기 융기 구조의 최대 수직 두께는 2 ㎛ 내지 8 ㎛ 이다.
몇몇 실시예에 있어서, 상기 기판은 보호 커버이고, 상기 융기 구조는 차광 구조의 적어도 일부이다.
몇몇 실시예에 있어서, 상기 터치 감지 전극층는 상기 융기 구조 상에서 공형적으로(conformally) 연장한다.
몇몇 실시예에 있어서, 상기 터치 감지 전극층은 상기 주변 회로층에 중첩하여 중첩 구역을 형성한다.
본 개시의 몇몇 다른 실시예에 따르면, 터치 디바이스는 상기 터치 패널을 포함한다.
본 개시의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 터치 디바이스는 디스플레이, 휴대전화, 노트북, 태블릿, 웨어러블 디바이스, 카 디바이스 또는 편광기를 포함한다.
본 개시의 상기 실시예에 따르면, 본 개시의 상기 터치 패널은 상기 기판 및 상기 터치 감지 전극층 사이에 배치된 융기 구조를 갖고 있기 때문에, 상기 터치 감지 전극층과 상기 주변 회로층 사이의 상기 중첩 구역이 증대될 수 있어, 상기 터치 감지 전극층 및 상기 주변 회로층 사이의 접촉 임피던스가 감소될 수 있다. 따라서, 상기 터치 감지 전극층 및 상기 주변 회로층 사이의 전기적 중첩 안정성(electrical overlapping stability)이 향상될 수 있어, 상기 중첩을 위해 필요한 횡방향 공간이 감소될 수 있다. 그 결과, 상기 터치 패널의 상기 경계 영역의 횡방향 폭(lateral width)은 좁은 베젤 제품에 대한 사용자의 요구를 충족시키도록 감소될 수 있다.
본 개시는 첨부 도면을 참조로 한 다음의 실시예의 상세한 설명을 통해 보다 완전히 이해될 수 있다.
도 1은 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 터치 패널의 개략적인 상면도이다.
도 2는 도 1의 터치 패널의 영역(R1)을 도시하는 개략적인 부분 확대도이다.
도 3은 본 개시의 몇몇 실시예에 따른, a-a' 선을 따라 취한 도 2의 터치 패널의 개략적인 단면도이다
본 개시의 본 실시예를 상세히 참조하고, 그 예를 첨부 도면에 도시한다. 가능한 한, 도면 및 상세한 설명에서 동일 또는 유사한 부분을 지칭하기 위하여 동일한 참조 부호를 사용한다.
또한, "하측" 또는 "바닥" 및 "상측" 또는 "상단"과 같은 상대적인 용어를 사용하여, 도면에 도시한 것과 같이, 하나의 요소 및 다른 요소 사이의 관계를 설명할 수 있다. 상대적인 용어는 도면에 도시한 것 이외의 디바이스의 상이한 방향을 포함하도록 의도한 것임을 이해하여야 한다. 예컨대, 도면의 디바이스를 뒤집은 경우, 다른 요소의 "하측"에 있는 것으로서 설명한 요소는 다른 요소의 "상측"에 배향될 것이다. 따라서, 상기 예시적 용어 "하측"은 도면의 특정 배향에 따라, "하측" 및 "상측"의 배향을 포함할 수도 있다. 유사하게, 도면의 디바이스를 뒤집은 경우, 다른 요소 "밑"에 있는 것으로서 설명한 요소는 다른 요소의 "위"에 배향될 것이다. 따라서, 상기 예시적 용어 "밑"은 "위" 및 "밑"의 배향을 포함할 수 있다.
본 개시는 터치 패널을 제공하고, 상기 터치 패널은 기판 및 터치 감지 전극층 사이에 배치된 융기 구조를 구비한다. 상기 융기 구조의 구성을 통해, 상기 터치 감지 전극층 및 상기 주변 회로층 사이의 전기적 중첩 안정성이 향상될 수 있고, 상기 터치 패널의 경계 영역의 횡방향 폭은 좁은 베젤 제품에 대한 사용자의 요구를 충족시키도록 감소될 수 있다.
도 1은 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 터치 패널(100)의 개략적인 상면도이다. 도 2는 도 1의 터치 패널(100)의 영역(R1)을 도시하는 개략적인 부분 확대도이다. 도 3은 본 개시의 몇몇 실시예에 따른, a-a' 선을 따라 취한 도 2의 터치 패널(100)의 개략적인 단면도이다. 도 1 내지 도 3을 참조한다. 터치 패널(100)은 기판(110), 융기 구조(120), 터치 감지 전극층(130), 및 주변 회로층(140)을 포함한다. 기판(110)은 수평면(예컨대, X-축 및 Y-축에 의해 형성되는 평면)을 따라 연장하고, 가시 영역(VR) 및 상기 가시 영역(VR)을 둘러싸는 경계 영역(BR)을 구비한다. 본 실시예에서 터치 감지 전극층(130)이 X-축 전극을 포함하는 것으로 도시하고 있지만, 실제 디자인에서, 터치 감지 전극층(130)은 Y-축 전극도 포함할 수 있다. 또한, 터치 감지 전극층(130)의 전극 패턴은 본 개시에 제한되지 않는다.
몇몇 실시예에 있어서, 기판(110)은 예컨대, 경질의 투명 기판 또는 플렉시블 투명 기판일 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 기판(110)의 재료는 유리, 아크릴, 폴리비닐 클로라이드, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 시클로올레핀 폴리머, 시클로올레핀 코폴리머, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 무색 폴리이미드 또는 그 조합과 같은 투명 재료를 포함하지만, 이들 재료에 한정되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에 있어서, 기판(110)의 표면에서 전처리 단계를 수행할 수도 있다. 예컨대, 기판(110) 및 기타 층(예컨대, 기판(110) 위의 주변 회로층(140) 및/또는 터치 감지 전극층(130)) 사이에서의 접착을 증대시키기 위하여, 기판(110)의 표면에서 표면 개질 처리를 수행하거나 접착층 또는 수지층을 기판(110)의 표면에 추가 코팅한다.
몇몇 실시예에 있어서, 융기 구조(120)는 기판(110) 상에 배치되고 경계 영역(BR) 내에 위치한다. 융기 구조(120)는 수직으로 융기되어 있고(예컨대, Z-축을 따라), 융기 구조(120) 및 기판(110) 사이에 높이차가 존재한다. 이러한 높이차는 단차 영역(S)을 구성할 수 있다. 터치 감지 전극층(130)은 기판(110) 상에 배치되고, 가시 영역(VR) 내에 위치되며, 융기 구조(120)를 가로질러 단차 영역(S)을 덮도록 경계 영역(BR) 내로 부분 연장한다. 주변 회로층(140)은 기판(110) 상에 배치되고 경계 영역(BR) 내에 위치되며, 적어도 융기 구조(120) 및 단차 영역(S) 상에서 터치 감지 전극층(130)과 중첩한다. 몇몇 실시예에 있어서, 융기 구조(120), 터치 감지 전극층(130), 및 주변 회로층(140)은 기판(110) 상에 순차적으로 적층되어, 경계 영역(BR) 내에 위치된 중첩 구조(200)를 형성한다.
몇몇 실시예에 있어서, 터치 감지 전극층(130)은 주변 회로층(140)과 중첩하여 중첩 영역을 형성하고, 상기 중첩 영역은 중첩 구역을 구비한다. 이 실시예에서, 상기 중첩 영역은 평면시로(예컨대, 도 2의 보는 각도) 사각형이다. 보다 구체적으로, 본 실시예에서, 상기 중첩 영역은 평면시로, 길이(L1) 및 폭(W1)으로 형성된 사각형 영역이다.
터치 패널(100)이 동작 상태에 있을 때, 가시 영역(VR) 내에 위치한 터치 감지 전극층(130)은 사용자의 터치 동작을 감지하여 터치 감지 신호를 생성할 수 있고, 상기 터치 감지 신호는, 중첩 구조(200) 내의 터치 감지 전극층(130) 및 주변 회로층(140) 사이의 중첩 접촉을 통해, 후속 신호 처리를 위해 경계 영역(BR) 내에 위치한 주변 회로층(140)에 전송될 수 있다. 이하에서, 본 개시의 중첩 구조(200)를 상세히 설명한다.
도 3의 a-a'선을 따라 취한 단면도는 본 개시의 중첩 구조(200)의 단면도임을 이해하여야 한다. 즉 도 3은 도 2의 터치 패널(100)의 중첩 구조(200)를 보여주는 개략적인 단면도이다. 도 3을 참조한다. 몇몇 실시예에 있어서, 융기 구조(120)는 중앙 영역(122) 및 이 중앙 영역(122)을 둘러싸는 주변 영역(124)을 구비하고, Z축을 따른 중앙 영역(122)의 두께(T1)(수직 두께(T1)라고도 지칭한다)는 Z축을 따른 주변 영역(124)의 두께(T2)(수직 두께(T2)라고도 지칭한다)보다 크다. 예컨대, 융기 구조(120)의 두께는 중앙 영역(122)부터 주변 영역(124)까지 점감하고, 두께 감소의 정도는 중앙 영역(122)부터 주변 영역(124)까지 점증한다. 이러한 두께의 변화는 융기 구조(120)의 상측면을 볼록한 만곡면으로서 형성되도록 할 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 융기 구조(120)의 최대 수직 두께(TM)는, 터치 감지 전극층(130) 및 주변 회로층(140) 사이의 전기적 중첩 안정성을 향상시켜 터치 패널(100)의 경계 영역(BR)의 횡방향 폭(W2)을 감소시키기 위해(이는 이하에서 상세히 설명한다), 2 ㎛ 내지 8 ㎛이다. 몇몇 실시예에 있어서, 융기 구조(120)의 상단면(121)은 예컨대 매끄러운 만곡면(도 3 참조)일 수 있다. 몇몇 다른 실시예에서, 융기 구조(120)의 상단면(121)은 예컨대, 단차진(stepped) 형태 또는 웨이브(wave) 형태와 같은 규칙적인/불규칙적인 표면일 수 있다. 융기 구조(120)의 중앙 영역(122)의 수직 두께(T1)가 융기 구조(120)의 주변 영역(124)의 수직 두께(T2)보다 크기만 하다면, 상단면(121)의 임의의 윤곽(contour)은 본 개시의 범위 내에 속한다는 것을 이해하여야 한다. 몇몇 실시예에 있어서, 기판(110)이 터치 패널(100)의 보호 커버로서 역할을 하는 경우, 융기 구조(120)는 터치 패널(100)의 차광 구조의 적어도 일부일 수 있고, 예컨대 어두운 또는 불투명 포토레지스트 재료로 제조된다.
몇몇 실시예에 있어서, 터치 감지 전극층(130)은 X-축을 따라 전체 융기 구조(120)를 횡방향으로 가로지른다. 환언하면, 중첩 구조(200)에서, 기판(110) 상의 터치 감지 전극층(130)의 수직 투영은 기판(110) 상의 융기 구조(120)의 수직 투영을 완전히 덮는다. 구체적으로, 중첩 구조(200)에서, 터치 감지 전극층(130)은 제1 부분(132) 및 제1 부분(132)을 횡으로 둘러싸는 제2 부분(134)을 구비하고, 제1 부분(132)은 융기 구조(120)의 중앙 영역(122)을 덮고, 제2 부분(134)은 융기 구조(120)의 주변 영역(124) 및 단차 영역(S)을 덮는다. 제1 부분(132)은 제2 부분(134)에 연결되고, 제1 부분(132)의 가장 높은 위치(예컨대, 상단면)는 제2 부분(134)의 가장 높은 위치보다 높다. 또한, 터치 감지 전극층(130)의 제2 부분(134)은 단차 영역(S)에서 기판(110)과 접촉하여 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 융기 구조(120) 상에 위치한 터치 감지 전극층(130)은 융기 구조(120)의 상단면(121)의 윤곽에 따라 변동할 수 있다. 환언하면, 중첩 구조(200)에서, 터치 감지 전극층(130)의 윤곽은 융기 구조(120)의 상단면(121)의 윤곽에 의존할 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 터치 감지 전극층(130)은 융기 구조(120) 및 기판(110) 상에서 공형적으로 연장할 수 있다. 즉 중첩 구조(200)에서, 터치 감지 전극층(130)은 융기 구조(120)의 상단면(121)에 대해 균일하고 일정한 두께(T3)를 구비할 수 있고, 기판(110)과 접촉 상태의 터치 감지 전극층(130)은 기판(110)의 상단면(111)에 대해 균일하고 일정한 두께(T3)를 가질 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 터치 감지 전극층(130)의 두께(T3)는 30 nm 내지 120 nm일 수 있어, 터치 감지 전극층(130) 및 주변 회로층(140) 사이의 요구되는 전기적 중첩 안정성이 유지될 수 있고, 터치 패널(100)의 광학적 성질에 미치는 악영향을 방지할 수 있다. 상세하게는, 터치 감지 전극층(130)의 두께(T3)가 30 nm 미만일 경우, 과도하게 큰 표면 저항으로 인해 상기 신호 전송이 영향받을 수 있고, 터치 감지 전극층(130)의 두께(T3)가 120 nm보다 클 경우, 터치 패널(100)의 광학적 성질이 영향받을 수 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 터치 감지 전극층(130)은 매트릭스(136) 및 매트릭스(136) 내에 분포된 복수 개의 금속 나노와이어(금속 나노구조라고도 지칭)(138)를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 매트릭스(136)는 폴리머 또는 그 혼합물을 포함하여, 터치 감지 전극층(130)에 특정의 화학적, 기계적 및 광학적 성질을 부여할 수도 있다. 예컨대, 매트릭스(136)는 터치 감지 전극층(130) 및 융기 구조(120) 사이 및 터치 감지 전극층(130) 및 기판(110) 사이에 양호한 접착을 제공할 수 있다. 다른 예로서, 매트릭스(136)는 터치 감지 전극층(130)에 양호한 기계적 강도를 제공할 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 매트릭스(136)는 특정의 폴리머를 포함하고 있어, 터치 감지 전극층(130)은 스크래치 및 마멸(abrasion)에 대해 추가의 표면 보호 특성을 갖게 되어, 터치 감지 전극층(130)의 표면 강도를 증대시킨다. 상기 특정의 폴리머는, 예컨대, 폴리아크릴레이트, 에폭시 수지, 폴리우레탄, 폴리(실리콘-아클릴산(acrylic acid)), 폴리실록산, 폴리실란 또는 그 조합일 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 매트릭스(136)는 추가로, 가교제(crosslinking agents), 중합방지제(polymerization inhibitors), 안정제(stabilizers)(예컨대, 산화방지제 또는 자외선 안정제를 포함하지만 이들에 제한되는 것은 아니다), 계면활성제 또는 그 조합을 포함하여, 터치 감지 전극층(130)의 항자외선 성질(anti-ultraviolet property)을 향상시키고, 터치 감지 전극층(130)의 수명을 연장시킬 수 있다.
금속 나노와이어(138)는 은 나노와이어, 금 나노와이어, 구리 나노와이어, 니켈 나노와이어 또는 그 조합을 포함할 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다. 보다 구체적으로, 본원에서 사용하는 용어 "금속 나노와이어(138)"는 복수의 금속 원소, 금속 합금, 또는 금속 화합물(금속 산화물을 포함)을 포함하는 금속 와이어의 집합을 지칭하는 집합 명사이다. 몇몇 실시예에 있어서, 단일 금속 나노와이어의 단면 크기(예컨대, 단면의 지름)은 500 nm 미만일 수 있고, 바람직하게는 100 nm 미만일 수 있고, 보다 바람직하게는 50 nm 미만일 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 단일의 금속 나노와이어(138)는 큰 종횡비(즉, 상기 단면의 길이 대 지름)를 갖고 있다. 구체적으로, 단일 금속 나노와이어의 종횡비는 10 내지 100,000일 수 있다. 보다 상세하게는, 단일 금속 나노와이어의 상기 종횡비는 10보다 클 수 있고, 바람직하게는 50보다 클 수 있고, 보다 바람직하게는 100보다 클 수 있다. 더욱이, 실크, 파이버 또는 튜브와 같은 기타 용어 역시 상기한 단면 지름 및 종횡비를 가지며, 이 역시 본 개시의 범위 내에 속한다.
몇몇 실시예에 있어서, 융기 구조(120) 상의 주변 회로층(140)은 X-축을 따라 터치 감지 전극층(130)을 횡으로 가로지른다. 환언하면, 중첩 구조(200)에서, 주변 회로층(140)은, 터치 감지 전극층(130)에 전기적으로 접속하기 위하여, 터치 감지 전극층(130) 바로 위에 위치될 수 있고 터치 감지 전극층(130)을 덮을 수 있다. 터치 감지 전극층(130) 및 주변 회로층(140) 사이의 전기적 중첩을 통해, 터치 감지 신호가 방해 없이 터치 패널(100) 내에서 전송될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 주변 회로층(140)의 바닥면(143)은 터치 감지 전극층(130)의 상단면(131)의 윤곽을 따라 변동할 수 있다. 즉, 주변 회로층(140)의 바닥면(143)의 윤곽은 터치 감지 전극층(130)의 상단면(131)의 윤곽에 의존할 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 주변 회로층(140)은 위치에 따라 변동하는 수직 두께(T4)를 가질 수 있다. 상세하게는, 주변 회로층(140)의 수직 두께(T4)는 중첩 구조(200)의 중앙으로부터 주변까지 횡으로 점증할 수 있다. 몇몇 다른 실시예에서, 융기 구조(120)에 대응하는 주변 회로층(140)의 영역 역시 터치 감지 전극층(130)의 상단면(131)에 대해 균일하고 일정한 두께(T4)를 가질 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 주변 회로층(140)은 은, 구리-은 합금 또는 다른 적당한 전도성 재료를 포함할 수도 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 터치 감지 전극층(130) 및 주변 회로층(140) 사이의 전기적 중첩 안정성은 융기 구조(120)의 물리적 특성(예컨대, 융기 구조(120)의 형태, 수직 두께 등)에 의존할 수 있다. 환언하면, 융기 구조(120)의 물리적 특성을 조절함으로써, 터치 감지 전극층(130) 및 주변 회로층(140) 사이의 전기적 중첩 안정성은 더 향상될 수 있다. 구체적으로, 터치 감지 전극층(130)을 융기 구조(120) 상에 배치하면, 융기 구조(120)는 중간의 볼록 구조를 갖고 있기 때문에, 터치 감지 전극층(130)은 "아치 다리"와 유사한 형태로 형성될 수 있다. 따라서, 실제 중첩 구역은, 터치 감지 전극층(130)과 주변 회로층(140) 사이에 형성된 상기 중첩 구역의 크기[예컨대, 중첩 구역의 길이(L1) 및 폭(W1)]가 변하지 않은 채 남아 있다는 전제 하에서, 증대될 수 있다. 또한, 터치 감지 전극층(130) 내의 금속 나노와이어(138)는 중력 때문에 침강하여 단차 영역(S)에 모일 수 있다. 그 결과, 터치 감지 전극층(130)(특히, 터치 감지 전극층(130)의 제2 부분(134)) 및 주변 회로층(140) 사이의 접촉 임피던스가 감소될 수 있어, 터치 감지 전극층(130) 및 주변 회로층(140) 사이의 전기적 중첩 안정성을 향상시킨다.
상기한 바와 같이, 융기 구조(120)의 최대 수직 두께(TM)는 2 ㎛ 내지 8 ㎛일 수 있기 때문에, 터치 감지 전극층(130) 및 주변 회로층(140) 사이의 전기적 중첩 안정성이 향상될 수 있어, 터치 패널(100)의 경계 영역(BR)의 횡방향 폭(W2)이 감소된다. 상게하게는, 터치 감지 전극층(130)이 융기 구조(120) 상에 배치되는 경우, 융기 구조(120)의 최대 수직 두께(TM)가 2 ㎛ 미만이면, 터치 감지 전극층(130)은 "아치 다리"와 유사한 형태를 형성하지 못할 수도 있다. 따라서, 터치 감지 전극층(130)은 평면에 가까운 방식으로 기판(110) 상에 배치될 수 있어, 터치 감지 전극층(130)과 주변 회로층(140) 사이의 상기 중첩 구역은 효과적으로 증대될 수 없고, 금속 나노와이어(138)는 적절한 양만큼 침강하여 단차 영역(S)에 모일 수 없다. 그 결과, 터치 감지 전극층(130) 및 주변 회로층(140) 사이의 접촉 임피던스는 설계 요구조건을 충족할 수 없고, 상기 중첩 구역을 증대시키기 위해 더 큰 크기의 중첩 영역만이 설계될 수 있어, 터치 패널(100)의 경계 영역(BR)의 횡방향 폭(W2)은 감소될 수 없다. 다른 한편으로, 터치 감지 전극층(130)이 융기 구조(120) 상에 배치되는 경우, 융기 구조(120)의 최대 수직 두께(TM)가 8 ㎛ 보다 크면, 터치 감지 전극층(130) 내의 금속 나노와이어(138)는 과도하게 침강하고 모일 수 있어, 터치 감지 전극층(130)의 제1 부분(132) 및 주변 회로층(140) 사이의 전기적 중첩이 불안정해지고, 터치 감지 전극층(130)은 보다 높은 높이까지 상승할 필요가 있어, 전기적 고장에 이를 수 있다.
터치 감지 전극층(130) 내의 금속 나노와이어(138)는 융기 구조(120)의 물리적 특성의 영향을 받아 터치 감지 전극층(130)의 제2 부분(134) 내에 침강하여 모이기 때문에, 터치 감지 전극층(130)의 제2 부분(134) 내의 금속 나노와이어(138)의 밀도는 터치 감지 전극층(130)의 제1 부분(132) 내의 금속 나노와이어(138)의 밀도보다 크다. 본원에서 사용하는 용어 "밀도"는 단위 면적 당 터치 감지 전극층(130) 내에 포함된 금속 나노와이어(138)의 개수를 지칭한다는 것을 이해하여야 한다. 몇몇 실시예에 있어서, 터치 감지 전극층(130)의 제1 부분(132) 내의 금속 나노와이어(138)의 밀도는 10% 내지 50%일 수 있고, 바람직하게는 광학적 및 전기적 성질을 만족시키기 위하여 12% 내지 22%일 수 있으며, 터치 감지 전극층(130)의 제2 부분(134) 내의 금속 나노와이어(138)의 밀도는 터치 감지 전극층(130)의 제1 부분(132) 내의 금속 나노와이어(138)의 밀도보다 약 7% 내지 18%만큼 더 클 수 있다. 따라서, 터치 감지 전극층(130)은 양호한 전도도를 갖는 것이 보증되어, 터치 감지 전극층(130) 및 주변 회로층(140)은 양호한 전기적 중첩 안정성을 갖게 된다. 상세하게는, 상기 밀도는 터치 감지 전극층(130)의 표면 저항 및 터치 패널(100)의 전체 광학적 외관에 영향을 미친다. 상기 밀도가 너무 낮다면, 즉 금속 나노와이어(138)가 매트릭스(136) 내에 희박하게 분포된다면, 표면 저항이 과도하게 될 수 있고, 밀도가 너무 높다면, 즉 금속 나노와이어(138)가 매트릭스(136) 내에 빽빽하게 분포된다면, 광투과율이 감소되어 광학적 성질에 영향을 미칠 수도 있다. 상기 광항적 성질은 가시 영역(VR)의 광학적 성질을 지칭한다는 것을 이해하여야 하고, 가시 영역(VR) 내에 위치한 터치 감지 전극층(130) 및 경계 영역(BR) 내로 연장하는 터치 감지 전극층(130)은 전체적으로, 터치 패널(100)의 제조 중에 코팅에 의해 전 표면 상에 형성되기 때문에, 경계 영역(BR) 내에 위치한 터치 감지 전극층(130) 내의 금속 나노와이어(138)의 밀도(특히, 터치 감지 전극층(130)의 제1 부분(132) 내의 금속 나노와이어(138)의 밀도)는 실질상, 가시 영역(VR) 내에 위치한 터치 감지 전극층(130) 내의 금속 나노와이어(138)의 밀도와 유사하다는 것을 이해하여야 한다. 따라서, 상기 전체 표면 상에 터치 감지 전극층(130)을 전체적으로 코팅하는 상기 디자인 하에서, 경계 영역(BR) 내에 위치한 터치 감지 전극층(130) 내의 금속 나노와이어(138)의 밀도를 고려할 때, 터치 패널(100)의 가시 영역(VR)의 광학적 성질 역시 고려할 필요가 있다. 다른 한편으로, 금속 나노와이어(138)보다 전도도가 더 큰 금속 재료(예컨대, 구리)를 선택하여 융기 구조(120)를 형성할 수 있어, 상기 전체 중첩 구조(200)는 상기 금속 재료를 갖는 융기 구조(120) 때문에 전기적 중첩 안정성을 향상시킬 수 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 터치 감지 전극층(130) 및 주변 회로층(140) 사이의 전기적 중첩 안정성은 융기 구조(120)의 화학적 성질(예컨대, 상기 재료)에도 의존할 수 있다. 환언하면, 융기 구조(120)의 화학적 특성을 조절함으로써, 터치 감지 전극층(130) 및 주변 회로층(140) 사이의 전기적 중첩 안정성은 더 향상될 수 있다. 보다 구체적으로, 금속 나노와이어(138)의 반응성(reactivity)보다 큰 반응성(또는 화학적 반응성)을 갖는 금속 재료를 선택하여, 융기 구조(120)를 형성할 수 있어, 금속 나노와이어(138)가 주변 회로층(140) 및 융기 구조(120) 사이의 터치 감지 전극층(130) 내에 보다 쉽게 모일 수 있다. 따라서, 중첩 구조(200)의 터치 감지 전극층(130) 내의 금속 나노와이어(138)의 밀도가 증대되어, 터치 감지 전극층(130) 및 주변 회로층(140) 사이의 전기적 중첩 안정성을 향상시킨다. 예컨대, 금속 나노와이어(138)로서 은 나노와이어를 선택한 경우, 융기 구조(120)의 재료로서, 은의 반응성보다 큰 반응성을 갖는 금속(예컨대, 구리)을 선택할 수 있다.
보다 상세하게, 터치 감지 전극층(130)은 금속 나노와이어(138)를 포함하는 분산액의 코팅, 경화 및 건조 단계를 통해 형성할 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 분산액은 용매를 포함하고 있어, 금속 나노와이어(138)가 상기 용매 내에 균일하게 분산되어 있다. 구체적으로, 상기 용매는, 예컨대, 물, 알코올, 케톤, 에테르, 하이드로카본, 방향족 용매(벤젠, 톨루엔, 자일렌(xylene) 등) 또는 그 조합이다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 분산액은 금속 나노와이어(138) 및 상기 용매 사이의 양립성(compatibility) 및 상기 용매 내의 금속 나노와이어(138)의 안정성을 향상시키기 위하여, 첨가제, 계면활성제, 및/또는 결합제(binding agent)를 더 포함할 수도 있다. 구체적으로, 상기 첨가제, 계면활성제, 및/또는 결합제는, 예컨대, 카르복실메틸 셀룰로오스, 하이드록시에틸 셀룰로오스, 히프로멜로스(Hypromellose), 플루오로계면활성제(fluorosurfactant), 설포숙시네이트 설포네이트(sulfosuccinate sulfonate), 설페이트(sulfate), 인산염(phosphate), 디설포네이트(disulfonate) 또는 그 조합일 수 있다.
먼저, 상기 코팅 단계는 스크린 프린팅, 노즐 코팅 또는 롤러 코팅을 포함할 수도 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에 있어서, 기판(110)의 상단면(111) 및 융기 구조(120)의 상단면(121) 상에 금속 나노와이(138)를 포함하는 상기 분산액을 균일하게 코팅하기 위해 롤-투-롤 프로세스(roll-to-roll process)를 수행할 수도 있다. 융기 구조(120)는 중간의 볼록 구조를 갖고 있기 때문에, 아직 건조되지 않은, 상기 분산액 중의 금속 나노와이어(138)가 중력 때문에 침강하여 단차 영역(S) 부근의 분산액에 부분적으로 모일 것이다. 동시에, 융기 구조(120)의 상기 재료의 반응성이 금속 나노와이어(138)의 반응성보다 크다면, 상기 분산액 중의 금속 나노와이어(138)는, 융기 구조(120)의 재료의 영향을 받고, 융기 구조(120)에 비교적 가까운 위치에서 모일 것이다. 환언하면, 중첩 구조(200)의 주변(예컨대, 도 2에 도시한 가시 영역(VR))에 코팅된 상기 분산액 중의 금속 나노와이어(138)는, 중첩 구조(200)의 표면과 접촉하는 위치로 약간 이동하여 부분적으로 모일 것이다. 이어서, 상기 경화 및 건조 단계가 수행되어, 금속 나노와이어(138)가 기판(110)의 상단면(111) 및 융기 구조(120)의 상단면(121)에 고정되어, 터치 감지 전극층(130)을 형성할 수 있다.
전반적으로, 상기 코팅 단계에서, 상기 분산액 중의 금속 나노와이어(138)는 융기 구조(120)의 물리적 특성(예컨대, 수직 두께, 형태 및 전도도 등) 및 화학적 특성(예컨대, 상기 재료)의 영향을 받아, 특정 위치로 이동하여 모이게 되므로, 상기 경화 및 건조 단계를 수행한 후에, 금속 나노와이어(138)는 중첩 구조(200) 내에 위치된 터치 감지 전극층(130) 내에, 특히 터치 감지 전극층(130)의 제2 부분(134) 및 단차 영역(S)에서 빽빽하게 분포될 수 있다. 따라서, 터치 감지 전극층(130)(특히, 터치 감지 전극층(130)의 제2 부분(134)) 및 주변 회로층(140) 사이의 접촉 임피던스가 감소되어, 터치 감지 전극층(130) 및 주변 회로층(140) 사이의 전기적 중첩 안정성을 향상시킬 수 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 일차 코팅층(primary coating layer)이 금속 나노와이어(138) 위에 코팅될 수 있고, 이들은 기판(110) 및 융기 구조(120)에 고정된다. 이어서, 상기 일차 코팅층 및 금속 나노와이어(138)는 경화에 의해 복합 구조층으로 형성된다. 환언하면, 상기 경화된 일차 코팅층은 본 개시의 매트릭스(136) 역할을 하고, 상기 복합 구조층은 본 개시의 터치 감지 전극층(130) 역할을 한다. 상세하게는, 상기 폴리머 또는 그 혼합물이 코팅에 의해 금속 나노와이어(138) 상에 형성될 수 있고, 이어서, 상기 폴리머 또는 그 혼합물은 금속 나노와이어(138) 사이로 침투하여, 필러를 형성할 수 있으며, 이어서 상기 필러는 경화되어 매트릭스(136)를 형성한다. 따라서, 금속 나노와이어(138)가 매트릭스(136) 내에 매립될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 폴리머 또는 그 혼합물을 갖는 상기 일차 코팅층은 가열 및 베이킹(baking)에 의해 매트릭스(136) 내로 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 가열 및 베이킹의 온도는 60℃ 내지 150℃일 수 있다. 매트릭스(136) 및 금속 나노와이어(138) 사이의 상기 물리적 구조는 본 개시를 제한하고자 하는 것이 아님을 이해하여야 한다. 몇몇 실시예에 있어서, 매트릭스(136) 및 금속 나노와이어(138)는 두 층의 스택일 수 있다. 몇몇 다른 실시예에서, 매트릭스(136) 및 금속 나노와이어(138)는 서로 혼합되어 복합 구조층을 형성할 수도 있다. 몇몇 바람직한 실시예에서, 금속 나노와이어(138)는 매트릭스(136)에 매립되어 상기 복합 구조층을 형성한다.
본 개시의 터치 패널(100)은, 터치 기능이 있는 디스플레이와 같은 다른 전자 디바이스와 조립될 수 있다. 예컨대, 터치 패널(100)은 디스플레이 디바이스(예컨대, 액정 디스플레이 디바이스 또는 유기 발광 다이오드 디스플레이 디바이스)에 접합될 수 있고, 터치 패널(100) 및 상기 디스플레이 디바이스 사이를 접합하기 위해 광학 접착제 또는 기타 접착제를 사용할 수 있다. 본 개시의 터치 패널(100)은 또한, 휴대전화, 태블릿, 및 노트북과 같은 전자 디바이스에도 적용될 수 있고, 플렉시블 제품에도 적용될 수 있다. 본 개시의 터치 패널(100)은 또한 편광기(polarizer)에도 적용될 수 있다. 본 개시의 터치 패널(100)은 웨어러블 디바이스(예컨대, 시계, 안경, 스마트 의류 및 스마트 신발) 및 자동차 디바이스(예컨대, 대시보드, 운전 레코더, 후방 거울 및 윈도)에도 적용될 수 있다.
본 개시의 터치 패널은 상기 기판 및 상기 터치 감지 전극층 사이에 배치된 융기 구조를 구비하므로, 상기 터치 감지 전극층과 상기 주변 회로층 사이의 상기 중첩 구역이 증가될 수 있어, 상기 터치 감지 전극층 및 상기 주변 회로층 사이의 접촉 임피던스가 감소될 수 있다. 따라서, 상기 터치 감지 전극층 및 상기 주변 회로층 사이의 전기적 중첩 안정성이 향상될 수 있어, 상기 중첩을 위해 필요한 횡방향 공간이 감소될 수 있다. 그 결과, 상기 터치 패널의 상기 경계 영역의 횡방향 폭은 좁은 베젤 제품에 대한 사용자의 요구를 충족시키도록 감소될 수 있다.
본 개시를 실시예를 참조하여 꽤 상세히 설명하였지만, 다른 실시예 역시 가능하다. 따라서, 첨부한 청구항의 사상 및 범위는 본원에 포함된 실시예의 설명에 제한되어서는 않된다.
당업자에게는 본 개시의 범위 또는 사상을 벗어나지 않으면서 본 개시의 구조에 대한 다양한 변형 및 수정이 가능하다는 것이 명백하다. 상기한 내용에 비추어, 본 개시는 후술하는 청구항의 범위 내에 있는 것을 조건으로, 본 개시의 수정 및 변형을 포괄하는 것이 의도된다.

Claims (14)

  1. 가시 영역 및 이 가시 영역을 둘러싸는 경계 영역을 구비하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되고 상기 경계 영역 내에 위치되는 융기 구조로서, 상기 융기 구조와 상기 기판은 단차 영역(step area)을 구성하는 것인, 융기 구조;
    상기 가시 영역 내에 배치되고, 부분적으로 상기 경계 영역 내로 연장하여 상기 융기 구조를 가로지르고 상기 단차 영역을 덮는 터치 감지 전극층;
    상기 경계 영역 내에 배치되고, 적어도 상기 융기 구조 및 상기 단차 영역 상에서 상기 터치 감지 전극층과 중첩하는 주변 회로층
    을 포함하는 터치 패널.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 터치 감지 전극층은 매트릭스 및 이 매트릭스 내에 분포된 복수 개의 금속 나노구조를 포함하는 것인, 터치 패널.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 융기 구조는 금속 재료를 포함하고, 상기 금속 재료의 반응성은 상기 금속 나노구조의 반응성보다 큰 것인, 터치 패널.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 융기 구조는 중앙 영역 및 이 중앙 영역을 둘러싸는 주변 영역을 구비하고, 상기 중앙 영역의 수직 두께는 상기 주변 영역의 수직 두께보다 큰 것인, 터치 패널.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 터치 감지 전극층은 제1 부분 및 제2 부분을 구비하고, 상기 제1 부분은 상기 융기 구조의 중앙 영역을 덮고, 상기 제2 부분은 상기 융기 구조의 주변 영역 및 상기 단차 영역을 덮고, 상기 제1 부분은 상기 제2 부분에 연결된 것인, 터치 패널.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 터치 감지 전극층의 제2 부분은 상기 단차 영역에서 상기 기판과 접촉하여 있는 것인, 터치 패널.
  7. 청구항 5에 있어서, 상기 터치 감지 전극층은 복수의 금속 나노구조를 포함하고, 상기 터치 감지 전극층의 제2 부분 내에서의 상기 금속 나노구조의 밀도는 상기 터치 감지 전극층의 제1 부분 내에서의 상기 금속 나노구조의 밀도보다 큰 것인, 터치 패널.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 터치 감지 전극층의 제1 부분 내에서의 상기 금속 나노구조의 밀도는 10% 내지 50%이고, 상기 터치 감지 전극층의 제2 부분 내에서의 상기 금속 나노구조의 밀도는 상기 터치 감지 전극층의 제1 부분 내에서의 상기 금속 나노구조의 밀도보다 7% 내지 18% 만큼 더 큰 것인, 터치 패널.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 융기 구조의 최대 수직 두께는 2 ㎛ 내지 8 ㎛인 것인, 터치 패널.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 기판은 보호 커버이고, 상기 융기 구조는 차광 구조의 적어도 일부인 것인, 터치 패널.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 터치 감지 전극층는 상기 융기 구조 상에서 공형적으로(conformally) 연장하는 것인, 터치 패널.
  12. 청구항 1에 있어서, 상기 터치 감지 전극층은 상기 주변 회로층과 중첩하여 중첩 구역을 형성하는 것인, 터치 패널.
  13. 청구항 1의 터치 패널
    을 포함하는 터치 디바이스.
  14. 청구항 13에 있어서, 상기 터치 디바이스는 디스플레이, 휴대전화, 노트북, 태블릿, 웨어러블 디바이스, 카 디바이스 또는 편광기를 포함하는 것인, 터치 디바이스.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303252A (ja) * 1997-04-28 1998-11-13 Nec Kansai Ltd 半導体装置
US8094247B2 (en) * 2006-10-12 2012-01-10 Cambrios Technologies Corporation Nanowire-based transparent conductors and applications thereof
JP5730240B2 (ja) * 2011-04-25 2015-06-03 信越ポリマー株式会社 静電容量センサシートの製造方法及び静電容量センサシート
JP5750017B2 (ja) * 2011-09-28 2015-07-15 富士フイルム株式会社 配線構造体、配線構造体の製造方法、及びタッチパネル
TWI523180B (zh) * 2012-05-07 2016-02-21 友達光電股份有限公司 觸控面板、觸控顯示面板以及觸控顯示裝置
JP5803825B2 (ja) * 2012-06-28 2015-11-04 日立化成株式会社 静電容量結合方式タッチパネルおよびその製造方法
CN103838411A (zh) * 2012-11-27 2014-06-04 林志忠 触控面板
TW201430635A (zh) * 2013-01-18 2014-08-01 Wintek Corp 觸控面板
JP2014174738A (ja) * 2013-03-08 2014-09-22 Kyocera Corp 入力装置、表示装置、および電子機器
KR102166252B1 (ko) * 2013-12-20 2020-10-16 엘지디스플레이 주식회사 터치패널 및 이를 포함하는 표시장치
CN105573539B (zh) * 2014-10-17 2019-05-03 宸鸿光电科技股份有限公司 触控面板及其制造方法
KR102535271B1 (ko) * 2016-01-18 2023-05-23 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널 및 이를 구비한 표시 장치
CN106293255B (zh) * 2016-09-27 2017-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种触控基板及触控显示装置
TWI657361B (zh) * 2018-04-27 2019-04-21 友達光電股份有限公司 觸控顯示面板
CN111722743A (zh) * 2019-03-22 2020-09-29 英属维尔京群岛商天材创新材料科技股份有限公司 触控面板及其制作方法

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