TWI755889B

TWI755889B - 觸控模組

Info

Publication number: TWI755889B
Application number: TW109135493A
Authority: TW
Inventors: 劉琪斌; 方國龍; 陳亞梅; 許雅婷
Original assignee: 大陸商宸美（廈門）光電有限公司
Priority date: 2020-10-14
Filing date: 2020-10-14
Publication date: 2022-02-21
Also published as: TW202215212A

Abstract

本揭露涉及觸控技術領域，提供了一種觸控模組，包括基板、第一觸控感應層、金屬走線層及透明導電層。基板具有可視區及位於可視區周圍的周邊區。第一觸控感應層由基板的可視區延伸至周邊區。金屬走線層位於基板的周邊區，並與第一觸控感應層橫向地隔開。透明導電層位於基板的周邊區，並具有第一部分及第二部分，第一部分接觸第一觸控感應層，且第二部分接觸金屬走線層。

Description

觸控模組

本揭露涉及觸控技術領域，具體涉及具有低搭接阻抗的觸控模組。

近年來，隨著觸控技術的發展，由於透明導體可同時讓光穿過並提供適當的導電性，因此常應用於許多顯示或觸控相關的裝置中。一般而言，透明導體可為各種金屬氧化物，例如氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO)、氧化鎘錫(Cadmium Tin Oxide，CTO)或摻鋁氧化鋅(Aluminum-doped Zinc Oxide，AZO)。然而，這些金屬氧化物所製成的薄膜並無法滿足顯示裝置的可撓性需求。因此，現今發展出多種可撓性的透明導體，例如使用金屬奈米線等材料所製作的透明導體。

然而，以金屬奈米線製成的顯示或觸控裝置尚有許多需要解決的問題。舉例而言，當使用金屬奈米線製作觸控電極時，觸控電極常直接延伸至周邊區以與金屬走線進行電氣搭接。然而，由於金屬奈米線是以絲狀的型態分佈於觸控電極中，因此其與金屬走線之間的接觸面積小，無法有效地降低觸控電極與金屬走線之間的搭接阻抗。另一方面，由於金屬奈米線與金屬走線之間常自發性地發生電化學反應(例如，離子氧化還原反應)，因此使得金屬走線容易被氧化而造成觸控電極與金屬走線之間的搭接阻抗增加，導致需更大的搭接面積以降低觸控電極與金屬走線之間的搭接阻抗，不利於實現觸控模組的窄邊框需求，且易導致產品的可靠度不足。

為了克服觸控電極與金屬走線之間的高搭接阻抗問題，本揭露提供一種具有位於周邊區之透明導電層的顯示模組，所述透明導電層可電性連接位於可視區的觸控感應層以及位於周邊區的金屬走線層，以實現觸控感應層與金屬走線層之間的電氣搭接。藉此，可避免直接使用含有金屬奈米線的觸控感應層進行搭接，從而達到降低搭接阻抗的效果，以改善產品的可靠度並實現觸控模組之窄邊框的需求。

根據本揭露一些實施方式，觸控模組包括基板、第一觸控感應層、金屬走線層及透明導電層。基板具有可視區及位於可視區周圍的周邊區。第一觸控感應層由基板的可視區延伸至周邊區。金屬走線層位於基板的周邊區，並與第一觸控感應層橫向地隔開。透明導電層位於基板的周邊區，並具有第一部分及第二部分，第一部分接觸第一觸控感應層，且第二部分接觸金屬走線層。

在一些實施方式中，透明導電層的第一部分位於基板與第一觸控感應層之間，且透明導電層的第二部分位於基板與金屬走線層之間。

在一些實施方式中，透明導電層進一步延伸至基板的可視區。

在一些實施方式中，金屬走線層與第一觸控感應層以一橫向距離隔開，且橫向距離介於5 μm至15 μm之間。

在一些實施方式中，觸控模組還可包括至少一絕緣層，覆蓋金屬走線層的上表面，並延伸至第一觸控感應層與金屬走線層之間。

在一些實施方式中，延伸至第一觸控感應層與金屬走線層之間的絕緣層的寬度介於10μm至20μm之間。

在一些實施方式中，絕緣層進一步延伸以覆蓋金屬走線層的外側壁。

在一些實施方式中，透明導電層還具有位於第一部分與第二部分之間的第三部分，且第三部分接觸絕緣層。

在一些實施方式中，第一觸控感應層的外側壁與絕緣層的內側壁切齊。

在一些實施方式中，第一觸控感應層進一步延伸以覆蓋絕緣層的上表面。

在一些實施方式中，第一觸控感應層的外側壁與絕緣層的外側壁切齊。

在一些實施方式中，觸控模組還包括第二觸控感應層，位於基板的可視區，並位於基板與第一觸控感應層之間，且第二觸控感應層的材料與透明導電層的材料相同。

在一些實施方式中，透明導電層的材料包括氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鎘錫、摻鋁氧化鋅或其組合。

在一些實施方式中，第一觸控感應層包括基質及分佈於基質中的多個金屬奈米結構。

在一些實施方式中，觸控模組還包括光遮蔽層，位於基板與透明導電層之間。

在一些實施方式中，觸控模組還可包括一水氣阻絕層，橫向地延伸於第一觸控感應層、金屬走線層及透明導電層上，其中水氣阻絕層包括無機材料。

在一些實施方式中，無機材料包括矽氮化合物、矽氧化合物或其組合。

在一些實施方式中，水氣阻絕層延伸以覆蓋第一觸控感應層的外側壁及金屬走線層的外側壁。

在一些實施方式中，觸控模組還可進一步包括至少一塗層，位於水氣阻絕層與第一觸控感應層之間。

在一些實施方式中，水氣阻絕層進一步延伸以覆蓋塗層的外側壁。

以下將以圖式揭露本揭露之複數個實施方式，為明確地說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本揭露。也就是說，在本揭露部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的，因此不應用以限制本揭露。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。另外，為了便於讀者觀看，圖式中各元件的尺寸並非依實際比例繪示。

此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，若一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他組件的「下」側的組件將被定向在其他組件的「上」側。因此，示例性術語「下」可包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，若一個附圖中的裝置翻轉，被描述為在其它元件「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下面」可以包括上方和下方的取向。

請參閱第1A圖，其是根據本揭露內容一實施方式的觸控模組100的側視示意圖。本揭露內容的觸控模組100包括基板110、第一觸控感應層120、第二觸控感應層130、金屬走線層140以及透明導電層150。在一些實施方式中，基板110具有可視區DR以及位於可視區DR周圍的周邊區PR。第一觸控感應層120設置於基板110上，且由基板110的可視區DR延伸至周邊區PR。第二觸控感應層130設置於基板110與第一觸控感應層120之間，且位於基板110的可視區DR。金屬走線層140設置於基板110上，且位於基板110的周邊區PR，並與第一觸控感應層120橫向地隔開(亦即在水準方向上彼此間隔開來，詳細而言可先參閱第1B圖)。透明導電層150設置於基板110上，且位於基板110的周邊區PR，並連接位於可視區DR的第一觸控感應層120及位於周邊區PR的金屬走線層140，以實現兩者之間的電氣搭接。更詳細而言，透明導電層150具有第一部分152以及第二部分154，第一部分152接觸第一觸控感應層120，且第二部分154接觸金屬走線層140。在一些實施方式中，觸控模組100還可進一步包括顯示面板(未繪示)，以與基板110共同將上述各層夾置於其間，使得觸控模組100可進一步作為觸控顯示模組。在一些實施方式中，觸控模組100還可包括設置於基板110之周邊區PR且用於遮光的光遮蔽層170，其可以是由深色的光阻材料(例如，油墨)或其他不透光的金屬材料所形成。在一些實施方式中，觸控模組100還包括多個塗層160，塗層160可例如橫向地延伸於基板110上，並設置於基板110與第二觸控感應層130之間、第二觸控感應層130與第一觸控感應層120之間以及設置於第一觸控感應層120上以覆蓋第一觸控感應層120，但本揭露並不以此為限。本揭露藉由透明導電層150的設置來達到降低搭接阻抗的效果，以改善產品的可靠度並實現觸控模組100之窄邊框的需求。在以下敘述中，將進行更詳細的說明。

在一些實施方式中，第二觸控感應層130可沿著第一軸向(例如，x軸向)來設置，以將觸控模組100在第一軸向上的觸控感應訊號傳遞至周邊區PR以進行後續處理。換句話說，第二觸控感應層130可作為水準觸控感應電極。在一些實施方式中，第二觸控感應層130可例如是氧化銦錫導電層。在其他實施方式中，第二觸控感應層130可例如是氧化銦鋅、氧化鎘錫或摻鋁氧化鋅的導電層。由於上述材料皆具有極佳的透光率，因此當觸控模組100配置以作為觸控顯示模組時，上述材料不會影響觸控顯示模組100的光學性質(例如，光學透光度以及清晰度)。

在一些實施方式中，第一觸控感應層120可沿著第二軸向(例如，y軸向)來設置，以將觸控模組100在第二軸向上的觸控感應訊號傳遞至周邊區PR以進行後續處理。換句話說，第一觸控感應層120可作為垂直觸控感應電極。在一些實施方式中，第一觸控感應層120可包括基質以及分佈於基質中的複數個金屬奈米線(亦可稱為金屬奈米結構)。基質可包括聚合物或其混合物，從而賦予第一觸控感應層120特定的化學、機械以及光學特性。舉例而言，基質可提供第一觸控感應層120與其他層別之間良好的黏著性。舉另一例而言，基質亦可提供第一觸控感應層120良好的機械強度。在一些實施方式中，基質可包括特定的聚合物，以使第一觸控感應層120具有額外的抗刮擦及抗磨損的表面保護，從而提升第一觸控感應層120的表面強度。上述特定的聚合物可例如是聚丙烯酸酯、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯、聚矽氧、聚矽烷、聚(矽-丙烯酸)或其組合。在一些實施方式中，基質還可包括介面活性劑、交聯劑、穩定劑(例如包括但不限於抗氧化劑或紫外光穩定劑)、聚合抑制劑或上述任意之組合，從而提升第一觸控感應層120的抗紫外線性能並延長其使用壽命。

在一些實施方式中，金屬奈米線可包括但不限於奈米銀線(silver nanowires)、奈米金線(gold nanowires)、奈米銅線(copper nanowires)、奈米鎳線(nickel nanowires)或其組合。更詳細而言，本文中的「金屬奈米線」是一集合名詞，其是指包括多個金屬元素、金屬合金或金屬化合物(包括金屬氧化物)之金屬線的集合。此外，第一觸控感應層120中所包括之金屬奈米線的數量並不用以限制本揭露。由本揭露的於金屬奈米線具有極佳的透光率，因此當觸控模組100配置以作為觸控顯示模組時，金屬奈米線可在不影響觸控顯示模組100之光學性質的前提下提供第一觸控感應層120良好的導電性。

在一些實施方式中，單一金屬奈米線的截面尺寸(截面的直徑)可小於500 nm，較佳可小於100 nm，且更佳可小於50 nm，從而使得第一觸控感應層120具有較低的霧度(亦可稱為霾(haze))。詳細而言，當單一金屬奈米線的截面尺寸大於500 nm時，將使得單一金屬奈米線過粗，導致第一觸控感應層120的霧度過高，從而影響可視區DR在視覺上的清晰度。在一些實施方式中，單一金屬奈米線的縱橫比可介於10至100000之間，使得第一觸控感應層120可具有較低的電阻率、較高的透光率以及較低的霧度。詳細而言，當單一金屬奈米線的縱橫比小於10時，可能使得導電網路無法良好地形成，導致第一觸控感應層120具有過高的電阻率，也因此使得金屬奈米線須以更大的排列密度(即單位體積的第一觸控感應層120中所包括之金屬奈米線的數量)分佈於基質中方能提升第一觸控感應層120的導電性，從而導致第一觸控感應層120的透光率過低且霧度過高。應瞭解到，其他用語例如絲(silk)、纖維(fiber)或管(tube)等同樣可具有上述截面尺寸以及縱橫比，亦為本揭露所涵蓋之範疇。

在一些實施方式中，透明導電層150至少位於基板110的周邊區PR，其中基板110與第一觸控感應層120將透明導電層150的第一部分152夾置於其間，且基板110與金屬走線層140將透明導電層150的第二部分154夾置於其間。藉由使用透明導電層150來將在水準方向上相互隔開之金屬走線層140與第一觸控感應層120彼此連接，可實現金屬走線層140與第一觸控感應層120之間的電氣搭接。具體而言，第一觸控感應層120的感應訊號可透過透明導電層150傳遞至金屬走線層140，而金屬走線層140可透過軟性電路板(未繪示)進一步與外部電路元件連接，從而將觸控感應層220的感應訊號傳輸至外部積體電路，以進行後續處理。一般而言，第一觸控感應層120之橫向延伸的面積會大於金屬走線層140之橫向延伸的面積，因此在一些實施方式中，可將透明導電層150之第一部分152與第一觸控感應層120的接觸面積設置為大於透明導電層150之第二部分154與金屬走線層140的接觸面積，以提升透明導電層150與第一觸控感應層120之間的搭接穩定性，並較佳地減小觸控模組100之邊框的寬度。

在一些實施方式中，透明導電層150的材料可以是包括氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鎘錫、摻鋁氧化鋅或其組合的透明導電材料。在一些實施方式中，透明導電層150的材料可實質上與第二觸控感應層130的材料相同。在一些實施方式中，透明導電層150與第二觸控感應層130還可進一步於同一道製程中製作。舉例而言，可將具有上述透明導電材料的分散液或漿料以塗佈的方式形成於基板110上，並加以固化/乾燥，使透明導電材料整面地成型於基板110上方，並接著對成型於基板110上的透明導電材料進行圖案化步驟，使透明導電材料被定義出圖案，以在可視區DR製作出之具有圖案的第二觸控感應層130，並在周邊區PR製作出之具有圖案的透明導電層150。換句話說，本揭露的透明導電層150與第二觸控感應層130可實質上屬於同一個層別。藉此，可在製作第二觸控感應層130的同時一併製作透明導電層150，以降低製程工序並節省成本。另一方面，由於透明導電層150的材料具有極佳的透光率，因此在一些實施方式中，透明導電層150可進一步延伸至基板110的可視區DR (如第1A圖所示)以增加其與第一觸控感應層120的接觸面積，從而在不影響可視區DR的光學性質(例如，光學透光度以及清晰度)下提升透明導電層150與第一觸控感應層120之間的搭接穩定性。

由於本揭露是使用透明導電層150來進行第一觸控感應層120與金屬走線層140之間的電氣搭接，且透明導電層150的材料為氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鎘錫、摻鋁氧化鋅或其組合之反應性較低的金屬氧化物材料，因此當透明導電層150與金屬走線層140進行電氣搭接時，透明導電層150中的金屬氧化物材料不會與金屬走線層140中的金屬(例如，銅、鋁、銅合金、鋁合金或其組合)發生自發性的電化學反應(例如，離子氧化還原反應)，從而防止金屬走線層140的表面氧化，以提升透明導電層150與金屬走線層140之間的搭接穩定性；類似地，透明導電層150中的金屬氧化物材料亦不會與第一觸控感應層120中的金屬奈米線發生自發性的電化學反應，以提升透明導電層150與第一觸控感應層120之間的搭接穩定性。另一方面，由於金屬氧化物材料是緊密地堆疊於透明導電層150中(而非如同金屬奈米線是以絲狀的型態分佈於第一觸控感應層120中)，因此當透明導電層150與金屬走線層140之間進行電氣搭接時，可提升透明導電層150中之金屬氧化物材料與金屬走線層140中之金屬的接觸機會，從而降低透明導電層150與金屬走線層140之間的搭接阻抗，以提升搭接穩定性。根據上述，由於透明導電層150與第一觸控感應層120之間可具有良好的搭接穩定性，因此兩者之間的搭接面積不須太大，從而實現觸控模組100之窄邊框的需求並改善產品的可靠度。

第1B圖是根據本揭露內容一些實施方式之觸控模組100的區域R1的局部放大示意圖。請同時參閱第1A圖及第1B圖。在一些實施方式中，金屬走線層140與第一觸控感應層120是以一橫向距離L(亦即金屬走線層140的內側壁141與第一觸控感應層120的外側壁121之間的垂直距離)相互隔開，且所述橫向距離L介於5μm至15μm之間。如此一來，可確保金屬走線層140與第一觸控感應層120之間不會彼此接觸，並良好地實現觸控模組100之窄邊框的需求。詳細而言，當所述橫向距離L小於5 μm時，可能導致金屬走線層140與第一觸控感應層120因彼此距離過近而意外地接觸，從而造成金屬走線層140中的金屬與第一觸控感應層120中的金屬奈米線之間自發性地發生電化學反應，使得觸控模組100的搭接阻抗無法下降；而當所述橫向距離L大於15 μm時，可能導致觸控模組100之周邊區PR的寬度過大，從而造成觸控模組100無法良好地實現窄邊框的需求。

在一些實施方式中，觸控模組100還包括至少一絕緣層180，覆蓋金屬走線層140的上表面143 (亦即金屬走線層140背對於基板110的表面)，並延伸至第一觸控感應層120與金屬走線層140之間，以進一步確保第一觸控感應層120與金屬走線層140之間彼此隔開。在一些實施方式中，延伸至第一觸控感應層120與金屬走線層140間之絕緣層180的寬度W介於10 μm至20 μm之間，從而確保金屬走線層140與第一觸控感應層120之間不會彼此接觸，並良好地實現觸控模組100之窄邊框的需求。詳細而言，當所述寬度W小於10 μm時，可能導致金屬走線層140與第一觸控感應層120意外地穿過絕緣層180，以造成金屬走線層140中的金屬與第一觸控感應層120中的金屬奈米線之間彼此接觸而發生電化學反應，使得觸控模組100的搭接阻抗無法下降；而當所述寬度W大於20 μm時，可能導致觸控模組100之周邊區PR的寬度過大，從而造成觸控模組100無法良好地實現窄邊框的需求。在一些實施方式中，絕緣層180可完全地填滿第一觸控感應層120與金屬走線層140之間的間隙，亦即，前述金屬走線層140與第一觸控感應層120之間的橫向距離L可實質上等於絕緣層180的寬度W。

在一些實施方式中，延伸至第一觸控感應層120與金屬走線層140之間的絕緣層180還可進一步接觸透明導電層150。具體而言，透明導電層150具有位於第一部分152與第二部分154之間並連接第一部分152及第二部分154的第三部分156，且延伸至第一觸控感應層120與金屬走線層140之間的絕緣層180接觸透明導電層150的第三部分156。在一些實施方式中，絕緣層180是整面地覆蓋透明導電層150之第三部分156的上表面，也就是說，透明導電層150的第三部分156完全地被絕緣層180覆蓋且未裸露出來。在一些實施方式中，第一觸控感應層120之上表面123的高度大於金屬走線層140之上表面143的高度，且絕緣層180還可進一步沿著第一觸控感應層120的外側壁121延伸以覆蓋超出金屬走線層140之上表面143的第一觸控感應層120的外側壁121。在一些實施方式中，第一觸控感應層120的外側壁121與絕緣層180的內側壁185實質上切齊。在一些實施方式中，第一觸控感應層120之上表面123的高度大於絕緣層180之上表面183的高度。然而，本揭露並不以此為限制，在另一些實施方式中，第一觸控感應層120的上表面123亦可與絕緣層180的上表面183實質上齊平。在一些實施方式中，絕緣層180還可進一步沿著金屬走線層140的外側壁145延伸以整面地覆蓋金屬走線層140的外側壁145。

在一些實施方式中，絕緣層180的材料可為絕緣(非導電)的樹脂或其他有機材料。舉例而言，絕緣層180可包括聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯醇縮丁醛、聚碳酸酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、陶瓷、聚(苯乙烯磺酸)、聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)或上述任意之組合。在一些實施方式中，絕緣層180亦可包括但不限於以下任意聚合物：聚丙烯酸系樹脂(例如，聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯以及聚丙烯腈)；聚乙烯醇；聚酯(例如，聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯以及聚酯萘二甲酸)；具有高芳香度的聚合物(例如，酚醛樹脂或甲酚-甲醛、聚苯乙烯、聚醯亞胺、聚乙烯基甲苯、聚乙烯基二甲苯、聚碸、聚硫化物、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚伸苯基及聚苯基醚)；聚胺基甲酸酯；環氧樹脂；聚烯烴(例如，聚丙烯、聚甲基戊烯及環烯烴)；聚矽氧及其他含矽聚合物(例如，聚倍半氧矽烷及聚矽烷)；合成橡膠(例如，三元乙丙橡膠、乙丙橡膠及丁苯橡膠；含氟聚合物(例如，聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯以及聚六氟丙烯)；纖維素；聚氯乙烯；聚乙酸酯；聚降冰片烯；以及氟-烯烴與烴烯烴的共聚物。藉由上述絕緣之樹脂或其他有機材料的設置，使得第一觸控感應層120可透過絕緣層180有效地與金屬走線層140電性絕緣。

如前所述，觸控模組100可進一步包括多個塗層160，塗層160可設置於基板110與第二觸控感應層130之間、第二觸控感應層130與第一觸控感應層120之間以及設置於第一觸控感應層120上以覆蓋第一觸控感應層120，以達到保護、絕緣或黏著的效果。塗層160的材料可參照前述絕緣層180的材料，且在一些實施方式中，塗層160的材料可實質上與絕緣層180的材料相同。在一些實施方式中，設置於基板110與第二觸控感應層130之間的塗層160可稱為底塗層160a，且設置於第二觸控感應層130與第一觸控感應層120之間的塗層160亦可稱為中塗層160b，而設置於第一觸控感應層120上的塗層160亦可稱為上塗層160c。在一些實施方式中，底塗層160a可進一步延伸至位於周邊區PR之光遮蔽層170的內表面173 (亦即光遮蔽層170背對於基板110的表面)，並延伸至金屬走線層140、透明導電層150及絕緣層180各自的下表面(亦即金屬走線層140、透明導電層150以及絕緣層180面對於基板110的表面)。換句話說，部份的底塗層160a夾置於金屬走線層140、透明導電層150以及絕緣層180與光遮蔽層170之間。

在一些實施方式中，中塗層160b位於基板110的可視區DR中，且中塗層160b與絕緣層180可進一步於同一道製程中製作。舉例而言，可將前述絕緣的樹脂或其他有機材料以塗佈的方式形成於底塗層160a、第二觸控感應層130、透明導電層150以及金屬走線層140上，並加以固化/乾燥，以使所述樹脂或其他有機材料成型於基板110上方，並接著對所述樹脂或其他有機材料進行圖案化步驟，以使所述樹脂或其他有機材料可被定義出圖案，從而在可視區DR製作出之具有圖案的中塗層160b，並在周邊區PR製作出之具有圖案的絕緣層180，中塗層160b至少配置以保護第二觸控感應層130，而絕緣層180至少配置以保護金屬走線層140。換句話說，本揭露的中塗層160b與絕緣層180可實質上屬於同一個層別。藉此，可在製作中塗層160b的同時一併製作絕緣層180，以降低製程工序並節省成本。

在一些實施方式中，上塗層160c可橫向地延伸並覆蓋整個第一觸控感應層120。在一些實施方式中，上塗層160c可為兩層以上(例如，兩層)，但本揭露不以此為限制。在一些實施方式中，位於最底部之上塗層160c的外側壁161c可實質上與第一觸控感應層120的外側壁121切齊。在一些實施方式中，最底部之上塗層160c可與第一觸控感應層120形成複合結構而具有某些特定的化學、機械及光學特性。舉例而言，最底部之上塗層160c可提供所述複合結構與其他層別之間良好的黏著性。舉另一例而言，最底部之上塗層160c可提供所述複合結構良好的機械強度。在一些實施方式中，最底部之上塗層160c可包括特定的聚合物，以使所述複合結構具有額外的抗刮擦及抗磨損的表面保護，從而提升所述複合結構的表面強度。上述特定的聚合物可例如是聚丙烯酸酯、聚胺基甲酸酯、環氧樹脂、聚矽烷、聚矽氧、聚(矽-丙烯酸)或上述任意之組合。值得說明的是，雖本文的附圖將最底部之上塗層160c與第一觸控感應層120繪示為不同層，但在一些實施方式中，用於製作最底部之上塗層160c的材料在未固化前或在預固化的狀態下可以滲入第一觸控感應層120的金屬奈米線之間而形成填充物，因此當最底部之上塗層160c固化後，金屬奈米線亦可嵌入至最底部之上塗層160c中。

在一些實施方式中，位於最頂部之上塗層160c可進一步覆蓋最底部之上塗層160c的外側壁161c、第一觸控感應層120的外側壁121以及絕緣層180的上表面183，並沿著絕緣層180的外側壁181以及底塗層160a的外側壁161a延伸至光遮蔽層170的內表面173，從而由觸控模組100的側面來保護觸控模組100。在一些實施方式中，塗層160 (包括底塗層160a、中塗層160b及上塗層160c)的厚度H1可介於20 nm至10 μm之間、50 nm至200 nm之間、或30 nm至100 nm之間，從而達到良好的保護、絕緣或黏著的效果，並可避免觸控模組100整體的厚度過大。詳細而言，當塗層160的厚度H1小於上述下限值時，可能導致塗層160無法提供良好的保護、絕緣或黏著功能；而當塗層160的厚度H1大於上述上限值時，則可能導致觸控模組100整體的厚度過大，不利於製程且嚴重影響美觀。

在一些實施方式中，觸控模組100還可包括水氣阻絕層190，橫向地延伸於最頂部之上塗層160c上，並覆蓋整個最頂部之上塗層160c。另外，水氣阻絕層190進一步沿著最頂部之上塗層160c的外側壁161c延伸至光遮蔽層170的內表面173，以覆蓋最頂部之上塗層160c的外側壁161c，從而避免環境中的水氣從水氣入侵面入侵並攻擊電極(例如，第一觸控感應層120)。如此一來，可避免第一觸控感應層120中的金屬奈米線聚集或析出，並防止金屬走線層140的短路，以提升第一觸控感應層120在電性方面的靈敏度。在一些實施方式中，水氣阻絕層190可例如是共形地(conformally)形成於最頂部之上塗層160c的上表面及外側壁161c。在一些實施方式中，水氣阻絕層190可例如包括矽氮化合物(SiNx)、矽氧化合物或其組合的無機材料。舉例而言，矽氮化合物可以是氮化矽(Si ₃N ₄)，且矽氧化合物可以是二氧化矽(SiO ₂)。在其他實施方式中，水氣阻絕層190可例如是MgO-Al ₂O ₃-SiO ₂、Al2O ₃-SiO ₂、氧化鋁、富鋁紅柱石、MgO-Al ₂O ₃-SiO ₂-Li ₂O、碳化矽、碳纖維或其組合的無機材料。由於相較於樹脂或其他有機材料，無機材料具有較低的親水性，因此其可有效地避免環境中的水氣從水氣入侵面入侵並攻擊電極。另一方面，在一些實施方式中，光遮蔽層170還可進一步沿著水氣阻絕層190的外側壁延伸以覆蓋水氣阻絕層190的外側壁。

在一些實施方式中，水氣阻絕層190的厚度H2可介於30 nm至110 nm之間，從而達到良好的阻水效果，並避免觸控模組100整體的厚度過大。詳細而言，當水氣阻絕層190的厚度H2小於30nm時，可能導致環境中的水氣無法有效地被隔絕；而當水氣阻絕層190的厚度H2大於110nm時，則可能導致觸控模組100整體的厚度過大，不利製程且嚴重影響美觀。另外，藉由水氣阻絕層190之無機材料的選擇與水氣阻絕層190之厚度H2的搭配，可使得水氣阻絕層190達到較佳的阻水效果。舉一例而言，當單獨地使用矽氮化合物作為水氣阻絕層190的無機材料時，水氣阻絕層190的厚度H2可設置為約30nm。舉另一例而言，當同時使用矽氮化合物以及矽氧化合物作為水氣阻絕層190的無機材料時，水氣阻絕層190的厚度H2可設置為介於40nm至110nm之間，其中矽氮化合物與矽氧化合物可為疊層設置，且矽氮化合物層的厚度可介於10nm至30nm之間，而矽氧化合物層的厚度可介於30nm至80nm之間。

請參閱第2圖，其是根據本揭露內容一實施方式的觸控模組200的側視示意圖。第2圖之觸控模組200與第1A圖之觸控模組100的至少一差異在於：觸控模組200中的絕緣層280並未沿著金屬走線層240的外側壁245延伸至底塗層260a以整面地覆蓋金屬走線層240的外側壁245，且絕緣層280的外側壁281實質上與金屬走線層240的外側壁245切齊。換句話說，觸控模組200的絕緣層280僅覆蓋金屬走線層240的上表面243，並延伸至第一觸控感應層220與金屬走線層240之間。另一方面，觸控模組200的最頂部之上塗層260c還沿著金屬走線層240的外側壁245延伸至底塗層260a及光遮蔽層270，以整面地接觸並且覆蓋金屬走線層240的外側壁245。由於第2圖之觸控模組200相較於第1A圖之觸控模組100省去了側邊的絕緣層280，因此第2圖之觸控模組200可具有較小的寬度，從而較佳地實現產品之窄邊框的需求。

請參閱第3圖，其是根據本揭露內容一實施方式的觸控模組300的側視示意圖。第3圖之觸控模組300與第1A圖之觸控模組100的至少一差異在於：觸控模組300中的第一觸控感應層320進一步沿著絕緣層380的上表面383延伸以覆蓋絕緣層380的上表面383。在一些實施方式中，第一觸控感應層320的外側壁321還可實質上與絕緣層380的外側壁381切齊，也就是說，第一觸控感應層320是整面地覆蓋絕緣層380的上表面383。另一方面，最底部之上塗層360c亦可隨著第一觸控感應層320延伸以覆蓋絕緣層380的上表面383，且最底部之上塗層360c的外側壁361c可實質上與第一觸控感應層320的外側壁321及絕緣層380的外側壁381切齊。然而，在其他實施方式中，第一觸控感應層320及最底部之上塗層360c亦可僅覆蓋部分之絕緣層380的上表面383，也就是說，部分之絕緣層380的上表面383是直接接觸第一觸控感應層320，而部分之絕緣層380的上表面383則是直接接觸最頂部之上塗層360c。

請參閱第4圖，其是根據本揭露內容一實施方式的觸控模組400的側視示意圖。第4圖之觸控模組400與第1A圖之觸控模組100的至少一差異在於：觸控模組400中的最頂部之上塗層460c並未沿著絕緣層480的外側壁481以及底塗層460a的外側壁461a延伸至光遮蔽層470，且最頂部之上塗層460c的外側壁461c實質上與絕緣層480的外側壁481切齊。另一方面，觸控模組400的水氣阻絕層490還沿著最頂部之上塗層460c的外側壁461c、絕緣層480的外側壁481以及底塗層460a的外側壁461a延伸至光遮蔽層470，以整面地接觸並覆蓋最頂部之上塗層460c的外側壁461a、絕緣層480的外側壁481以及底塗層460a的外側壁461a。由於第4圖之觸控模組400相較於第1A圖之觸控模組100省去了側邊的最底部之上塗層460c，因此第4圖之觸控模組400可具有較小的寬度，從而較佳地實現產品之窄邊框的需求。

請參閱第5圖，其是根據本揭露內容一實施方式的觸控模組500的側視示意圖。第5圖之觸控模組500與第1A圖之觸控模組100的至少一差異在於：觸控模組500中的水氣阻絕層590取代第1A圖的最頂部之上塗層160c。換句話說，第5圖之觸控模組500中僅具有一層上塗層560c，且所述上塗層560c即為觸控模組500的最頂部之上塗層560c，而水氣阻絕層590直接覆蓋於所述最頂部之上塗層560c的表面。另外，水氣阻絕層590進一步沿著上塗層560c的外側壁561c、第一觸控感應層520的外側壁521、絕緣層580的上表面583與外側壁581以及底塗層560a的外側壁561a延伸以整面地接觸並覆蓋上塗層560c的外側壁561c、第一觸控感應層520的外側壁521、絕緣層580的上表面583與外側壁581以及底塗層560a的外側壁561a。在一些實施方式中，當絕緣層580未覆蓋金屬走線層540的外側壁545時，水氣阻絕層590還可進一步接觸並覆蓋金屬走線層540的外側壁545。由於第5圖之觸控模組500相較於第1A圖之觸控模組100省去了一層上塗層560c，因此第5圖之觸控模組500相較於第1A圖之觸控模組500可具有較小的厚度，從而達到產品薄型化的需求。另一方面，第5圖之觸控模組500還可具有較小的寬度，從而較佳地實現產品之窄邊框的需求。

綜上所述，本揭露提供一種具有位於周邊區之透明導電層的顯示模組，透明導電層可電性連接位於可視區的觸控感應層及位於周邊區的金屬走線層，以實現觸控感應層與金屬走線層的電氣搭接。藉由透明導電層的設置，可避免直接使用含有金屬奈米線的觸控感應層進行搭接，且藉由透明導電層之材料的選擇，還可防止觸控感應層中的金屬奈米線與金屬走線之間自發性地發生電化學反應。如此一來，可良好地達到降低搭接阻抗的效果，以改善產品的可靠度並實現觸控模組之窄邊框的需求。

雖然本揭露已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100,200,300,400,500:觸控模組 110,210,310,410,510:基板 120,220,320,420,520:第一觸控感應層 121,321,521:外側壁 123:上表面 130,230,330,430,530:第二觸控感應層 140,240,340,440,540:金屬走線層 141:內側壁 143,243:上表面 145,245,545:外側壁 150,250,350,450,550:透明導電層 152,252,352,452,552:第一部分 154,254,354,454,554:第二部分 156,256,356,456,556:第三部分 160,260,360,460,560:塗層 160a,260a,360a,460a,560a:底塗層 160b,260b,360b,460b,560b:中塗層 160c,260c,360c,460c,560c:上塗層 161a,161c,361c,461c,461a,561c:外側壁 170,270,370,470,570:光遮蔽層 173:內表面 180,280,380,480,580:絕緣層 181,281,381,481,581:外側壁 183,583:上表面 185:內側壁 190,290,390,490,590:水氣阻絕層 DR:顯示區 PR:周邊區 H1,H2:厚度 R1:區域 L:橫向距離 W:寬度

為讓本揭露之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1A圖是根據本揭露內容一些實施方式的觸控模組的側視示意圖；第1B圖是是根據本揭露內容一些實施方式之觸控模組的區域R1的局部放大示意圖；第2圖是根據本揭露內容另一些實施方式的觸控模組的側視示意圖；第3圖是根據本揭露內容另一些實施方式的觸控模組的側視示意圖；第4圖是根據本揭露內容另一些實施方式的觸控模組的側視示意圖；以及第5圖是根據本揭露內容另一些實施方式的觸控模組的側視示意圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100:觸控模組

110:基板

120:第一觸控感應層

130:第二觸控感應層

140:金屬走線層

150:透明導電層

152:第一部分

154:第二部分

160:塗層

160a:底塗層

160b:中塗層

160c:上塗層

161c:外側壁

170:光遮蔽層

173:內表面

180:絕緣層

190:水氣阻絕層

DR:顯示區

PR:周邊區

H1,H2:厚度

R1:區域

Claims

一種觸控模組，包括：一基板，具有一可視區及位於所述可視區周圍的一周邊區；一第一觸控感應層，由所述基板的所述可視區延伸至所述周邊區，其中所述第一觸控感應層包括多個金屬奈米結構；一金屬走線層，位於所述基板的所述周邊區，並與所述第一觸控感應層隔開；以及一透明導電層，位於所述基板的所述周邊區，其中所述透明導電層具有一第一部分及一第二部分，所述第一部分接觸所述第一觸控感應層，所述第二部分接觸所述金屬走線層，且所述透明導電層的材料為一金屬氧化物。
如請求項1所述的觸控模組，其中所述透明導電層的所述第一部分位於所述基板與所述第一觸控感應層之間，且所述透明導電層的所述第二部分位於所述基板與所述金屬走線層之間。
如請求項1所述的觸控模組，其中所述透明導電層進一步延伸至所述基板的所述可視區。
如請求項1所述的觸控模組，其中所述金屬走線層與所述第一觸控感應層以一橫向距離隔開，且所述橫向距離介於5μm至15μm之間。
如請求項1所述的觸控模組，還包括至少一絕緣層，覆蓋所述金屬走線層的一上表面，並延伸至所述第一觸控感應層與所述金屬走線層之間。
如請求項5所述的觸控模組，其中延伸至所述第一觸控感應層與所述金屬走線層之間的所述絕緣層的一寬度介於10μm至20μm之間。
如請求項5所述的觸控模組，其中所述絕緣層進一步延伸以覆蓋所述金屬走線層的一外側壁。
如請求項5所述的觸控模組，其中所述透明導電層還具有位於所述第一部分與所述第二部分之間的一第三部分，且所述第三部分接觸所述絕緣層。
如請求項5所述的觸控模組，其中所述第一觸控感應層的一外側壁與所述絕緣層的一內側壁切齊。
如請求項5所述的觸控模組，其中所述第一觸控感應層進一步延伸以覆蓋所述絕緣層的一上表面。
如請求項10所述的觸控模組，其中所述第一觸控感應層的一外側壁與所述絕緣層的一外側壁切齊。
如請求項1所述的觸控模組，還包括一第二觸控感應層，位於所述基板的所述可視區，並位於所述基板與所述第一觸控感應層之間，且所述第二觸控感應層的材料與所述透明導電層的材料相同。
如請求項1所述的觸控模組，其中所述金屬氧化物包括氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鎘錫、摻鋁氧化鋅或其組合。
如請求項1所述的觸控模組，其中所述第一觸控感應層更包括一基質，其中所述金屬奈米結構分佈於所述基質中。
如請求項1所述的觸控模組，還包括一光遮蔽層，位於所述基板與所述透明導電層之間。
如請求項1所述的觸控模組，還包括一水氣阻絕層，橫向地延伸於所述第一觸控感應層、所述金屬走線層及所述透明導電層上，其中所述水氣阻絕層包括一無機材料。
如請求項16所述的觸控模組，其中所述無機材料包括矽氮化合物(SiNx)、矽氧化合物或其組合。
如請求項16所述的觸控模組，其中所述水氣阻絕層延伸以覆蓋所述第一觸控感應層的一外側壁及所述金屬走線層的一外側壁。
如請求項16所述的觸控模組，還包括至少一塗層，位於所述水氣阻絕層與所述第一觸控感應層之間。
如請求項19所述的觸控模組，其中所述水氣阻絕層進一步延伸以覆蓋所述塗層的一外側壁。