KR102438822B1 - 설계 파일 또는 검사 이미지를 이용한 자동 디스큐 - Google Patents
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Abstract
SEM 리뷰와 같은 이미지 리뷰에 대한 디스큐는 검사 좌표계와 리뷰 좌표계를 정렬시킨다. 디스큐는 설계 파일 또는 검사 이미지를 이용하여 자동화될 수 있다. 리뷰 툴과 통신하는 제어기는 설계 파일 또는 검사 이미지와 같은 웨이퍼의 파일을 리뷰 툴로부터의 상기 웨이퍼의 이미지와 정렬시키고; 상기 파일의 정렬 사이트를 상기 리뷰 툴로부터의 이미지의 정렬 사이트와 비교하고; 상기 파일의 정렬 사이트의 좌표와 상기 리뷰 툴로부터의 이미지의 정렬 사이트의 좌표의 디스큐 변환을 발생할 수 있다. 상기 웨이퍼의 이미지는 결함을 내포하지 않을 수 있다.
Description
관련 출원에 대한 상호 참조
이 출원은 2016년 2월 4일자 출원된 인도 출원 제201641004030호 및 2016년 3월 17일자 출원된 미국 출원 제62/309,623호에 대한 우선권을 주장하며, 상기 출원들의 내용은 여기에서의 참조에 의해 본원에 통합된다.
발명의 분야
본 발명은 반도체 웨이퍼 리뷰 및 분석에 관한 것이다.
웨이퍼 검사 시스템은 반도체 제조업자가 제조 공정 중에 발생하는 결함들을 검출함으로써 집적회로(IC) 칩 수율을 증가 및 유지하는데 도움을 준다. 검사 시스템의 한가지 목적은 제조 공정이 사양을 충족시키는지 모니터링하기 위한 것이다. 검사 시스템은 제조 공정이 기확립된 기준의 범위 밖에 있는 경우 문제점 및/또는 문제점의 근원을 표시하고, 이 경우 반도체 제조업자는 상기 문제점 및/또는 문제점의 근원을 처리할 수 있다.
반도체 제조 산업이 진화함에 따라 수율 관리 및 특히 계측 및 검사 시스템에 대한 수요가 더 커지고 있다. 임계 치수가 점점 작아지는 한편 웨이퍼 크기는 증대하고 있다. 경제는 고수율, 고부가가치 생산을 달성하는 데 소요되는 시간을 줄이도록 산업을 주도하고 있다. 따라서 수율 문제를 검출하는 것으로부터 그 문제점을 해결하는 것까지의 총 시간을 최소화하는 것이 반도체 제조업자의 투자 수익을 결정한다.
반도체 제조업자는 검사 중에 플래그되는 영역과 같은 웨이퍼 또는 반도체 소자의 영역으로부터의 이미지 또는 결과들을 리뷰할 필요가 있다. 이것은 상기 이미지 또는 결과들이 검사 이미지에 또는 설계 파일에 쉽게 정렬되지 않을 수 있기 때문에 난제이다. 이것은 각종 이미지, 결과 또는 설계 파일들이 다른 좌표계를 이용하기 때문에 또한 난제이다. 예를 들면, 주사 전자 현미경(scanning electron microscope, SEM) 리뷰 툴의 사용자는 SEM으로부터의 이미지를 검사 이미지와 정렬시킬 필요가 있다. 이것은 수동 디스큐(deskew), 오프셋 보정 또는 자동 디스큐를 통하여 달성될 수 있지만, 이 기법들은 각각 단점이 있다.
수동 디스큐의 경우, 검사 툴에 의해 주어진 위치는 SEM과 같은 리뷰 툴에서 리뷰되고 결함의 실제 위치가 마킹된다. 이 기법에 대해서는 실제 결함만이 사용될 수 있다. 무결함 소자 또는 웨이퍼의 무결함 부분이 있는 반도체 제조 환경에서는 수동 디스큐가 작동하지 않을 것이다. 명령 위치와 실제 결함 위치 간의 오프셋이 계산된다. 계산되는 오프셋은 리뷰 좌표계와 검사 좌표계 사이의 병진, 회전, 스케일링 및 비직교성이다. 디스큐 변환(deskew transform)이 발생되고, 이것은 그 다음에 특정 스캔의 주어진 결함 좌표의 모든 결함 위치에 적용된다. 발생된 디스큐 변환은 캐시에 저장되어 추가의 레시피 작업 실행에 사용될 수 있다.
수동 디스큐는 복수의 단점을 갖는다. 수동 디스큐는 사용자가 전체 웨이퍼에서 실제 결함들을 조사할 필요가 있기 때문에 지루하고 시간 소모적인 기법이다. 이러한 결함들은 보여지는 특정 크기 역치보다 더 커야 한다. 디스큐 통과의 수행 및 디스큐에 걸리는 시간은 사용자의 지식 및 경험에 의존한다. 수동 디스큐는 웨이퍼 전역에서 특정 크기를 가진 실제 결함들의 존재를 필요로 한다. 만일 결함이 너무 작으면, 디스큐 오차를 수용하기 위해 필요한 더 높은 시야(field of view, FOV)에서 결함을 발견하기가 어렵다. 매우 큰 결함은 큰 결함의 어느 부분이 검사 시스템에 의해 플래그되는지 사용자가 알지 못하기 때문에 사용할 수 없다. 더 나아가, 높은 SEM 비가시(SEM non-visible, SNV) 속도 검사에서 실제 결함들은 발견하기가 매우 어렵고 수동 검사를 실시할 수 없다.
오프셋 보정의 경우, 다수의 실제 결함들이 수동으로 마킹되고 명령 위치와 실제 결함 위치 간의 병진 오프셋이 소프트웨어에 의해 계산된다. 오프셋 보정은 무결함 소자 또는 웨이퍼의 무결함 부분이 있는 반도체 제조 환경에서 작동하지 않을 것이다. 계산되는 병진 오프셋은 리뷰 좌표계와 검사 좌표계 사이의 평균 병진 오프셋을 계산하기 위해 사용된다. 오프셋 보정은 2개의 좌표계 사이의 병진 오프셋만을 보정할 수 있다. 오프셋 보정은 수동 디스큐의 다른 모든 단점들을 갖는다. 더 나아가, 오프셋 보정은 병진 오프셋만을 보정할 수 있다. 리뷰 좌표계와 검사 좌표계 사이의 다른 오차들은 무시된다.
자동 디스큐는 결함들을 수동으로 마킹하지 않는다. 그 대신에, 결함 위치는 결함 검사 알고리즘을 이용하여 자동으로 검출된다. 수동 디스큐와 유사하게, 병진, 회전, 스케일링 및 비직교성 오프셋이 계산된다. 그러나 이 디스큐 해법은 강하지 않고 자주 실패한다. 예를 들면, 자동 디스큐는 층에서의 포착 속도가 충분하지 않을 때 실패할 수 있다. 다른 예로서, 결함 사이트 이미지를 가진 하나 이상의 참조 이미지가 필요하고, 이것은 복잡도를 증가시키고 고장률을 증가시킬 수 있다. 자동 디스큐는 신뢰성 문제 때문에 상업적 용도가 제한될 것으로 보여진다. 수동 디스큐와 같이, 자동 디스큐는 웨이퍼 전역에서 특정 크기의 결함들의 존재를 요구한다. 자동 디스큐는 무결함 소자 또는 웨이퍼의 무결함 부분이 있는 반도체 제조 환경에서 작동하지 않을 것이다. 더 나아가, 이 디스큐 기법은 높은 SNV 속도 검사에서 실시할 수 없다.
그러므로 개선된 디스큐 기법이 필요하다.
제1 실시형태에서 시스템이 제공된다. 시스템은 리뷰 툴, 하나 이상의 참조 파일을 저장하는 전자 데이터 기억 유닛, 및 상기 리뷰 툴과 전자 통신하는 제어기를 포함한다. 리뷰 툴은 웨이퍼를 홀드하도록 구성된 스테이지 및 웨이퍼의 이미지를 발생하도록 구성된 이미지 발생 시스템을 포함한다. 제어기는 상기 리뷰 툴로부터 웨이퍼의 이미지를 수신하고; 웨이퍼 이미지 내의 하나 이상의 정렬 사이트를 식별하고; 상기 리뷰 툴로부터의 상기 웨이퍼 이미지에 대응하는 참조 파일을 상기 전자 데이터 기억 유닛으로부터 수신하고; 웨이퍼상의 적어도 하나의 다이 코너를 마킹하고; 참조 파일 내의 하나 이상의 정렬 사이트를 상기 리뷰 툴로부터의 이미지 내의 하나 이상의 정렬 사이트와 비교하고; 상기 하나 이상의 정렬 사이트에 기초하여 웨이퍼의 이미지에 대응하는 디스큐 변환을 발생하도록 구성된다. 각각의 참조 파일은 하나 이상의 정렬 사이트를 갖는다. 제어기는 프로세서, 및 상기 프로세서 및 상기 전자 데이터 기억 유닛과 전자 통신하는 통신 포트를 포함할 수 있다. 리뷰 툴은 주사 전자 현미경일 수 있다. 참조 파일은 예를 들면 설계 파일 또는 웨이퍼의 검사 이미지일 수 있다. 웨이퍼의 이미지는 3-50㎛의 크기를 가진 결함을 내포하지 않을 수 있다.
이미지 발생 시스템은 전자빔, 광대역 플라즈마 또는 레이저 중의 적어도 하나를 이용하여 웨이퍼의 이미지를 발생하도록 구성될 수 있다.
제어기는 웨이퍼의 이미지에 디스큐 변환을 적용하도록 또한 구성될 수 있다. 제어기는 디스큐 변환이 적용된 후 리뷰 툴로부터의 웨이퍼의 이미지와 설계 파일이 정렬된 채 유지되는지를 입증(validate)하도록 또한 구성될 수 있다.
제2 실시형태에서, 방법이 제공된다. 이 방법은 리뷰 툴의 스테이지 위에 웨이퍼를 로딩하는 단계와; 상기 리뷰 툴로부터 하나 이상의 정렬 사이트를 가진 웨이퍼의 이미지를 수신하는 단계와; 웨이퍼에 대응하는 설계 파일을 제어기에서 수신하는 단계와; 웨이퍼상의 적어도 하나의 다이 코너를 마킹하는 단계와; 설계 파일의 하나 이상의 정렬 사이트를 상기 리뷰 툴로부터의 이미지의 하나 이상의 정렬 사이트와 상기 제어기를 이용하여 비교하는 단계와; 상기 하나 이상의 정렬 사이트에 기초하여 상기 웨이퍼의 이미지에 대응하는 디스큐 변환을 상기 제어기를 이용하여 발생하는 단계를 포함한다. 설계 파일은 하나 이상의 정렬 사이트를 갖는다. 상기 리뷰 툴로부터의 웨이퍼의 이미지는 주사 전자 현미경 이미지일 수 있다. 웨이퍼의 이미지는 3-50㎛의 크기를 가진 결함을 내포하지 않을 수 있다.
상기 방법은 상기 제어기를 이용하여 상기 이미지에 디스큐 변환을 적용하는 단계를 또한 포함할 수 있다. 상기 방법은 디스큐 변환을 적용한 후 상기 리뷰 툴로부터의 웨이퍼의 이미지와 상기 설계 파일이 정렬된 채 유지되는지를 상기 제어기를 이용하여 입증하는 단계를 또한 포함할 수 있다.
제3 실시형태에서, 방법이 제공된다. 이 방법은 리뷰 툴의 스테이지 위에 웨이퍼를 로딩하는 단계와; 상기 리뷰 툴로부터 웨이퍼의 이미지를 수신하는 단계와; 웨이퍼에 대응하는 검사 이미지를 제어기에서 수신하는 단계와; 웨이퍼상의 적어도 하나의 다이 코너를 마킹하는 단계와; 검사 이미지의 정렬 사이트를 상기 리뷰 툴로부터의 이미지의 정렬 사이트와 상기 제어기를 이용하여 비교하는 단계와; 상기 하나 이상의 정렬 사이트에 기초하여 상기 웨이퍼의 이미지에 대응하는 디스큐 변환을 상기 제어기를 이용하여 발생하는 단계를 포함한다. 상기 리뷰 툴로부터의 웨이퍼의 이미지는 주사 전자 현미경 이미지일 수 있다. 웨이퍼의 이미지는 3-50㎛의 크기를 가진 결함을 내포하지 않을 수 있다.
상기 방법은 상기 제어기를 이용하여 상기 웨이퍼의 이미지에 디스큐 변환을 적용하는 단계를 또한 포함할 수 있다. 상기 방법은 디스큐 변환을 적용한 후 상기 리뷰 툴로부터의 웨이퍼의 이미지와 상기 검사 이미지가 정렬된 채 유지되는지를 상기 제어기를 이용하여 입증하는 단계를 또한 포함할 수 있다. 상기 방법은 상기 리뷰 툴로부터의 웨이퍼의 이미지상의 적어도 하나의 디스큐 사이트를 수동으로 마킹하는 단계와, 상기 검사 이미지와 상기 리뷰 툴로부터의 이미지 간의 오프셋을 상기 마킹된 디스큐 사이트에 기초하여 계산하는 단계를 또한 포함할 수 있다.
본 발명의 특징 및 목적을 더 잘 이해하기 위해, 첨부 도면과 함께하는 이하의 상세한 설명을 참조하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 결함 리뷰 툴의 블록도이다.
도 2는 오프셋을 보이는 디스큐 없는 예를 보인 도이다.
도 3은 결함 위치에서 수동 디스큐를 한 도 2의 예를 보인 도이다.
도 4는 본 발명에 따른 실시형태를 이용하여 정렬 사이트에서 자동 디스큐를 한 도 2의 예를 보인 도이다.
도 5는 제1 정렬 사이트를 이용한 예시적인 결과를 보인 도이다.
도 6은 제2 정렬 사이트를 이용한 예시적인 결과를 보인 도이다.
도 7은 도 5 및 도 6의 제1 및 제2 정렬 사이트를 이용한 예시적인 결과를 보인 도이다.
도 8은 설계 클립에서 예시적인 정렬 사이트를 보인 도이다.
도 9는 도 8의 정렬 사이트의 예시적인 SEM 이미지를 보인 도이다.
도 10은 본 발명에 따른 제1 실시형태의 흐름도이다.
도 11은 본 발명에 따른 제2 실시형태의 흐름도이다.
도 12는 예시적인 디스큐 변환을 보인 도이다.
도 1은 본 발명에 따른 결함 리뷰 툴의 블록도이다.
도 2는 오프셋을 보이는 디스큐 없는 예를 보인 도이다.
도 3은 결함 위치에서 수동 디스큐를 한 도 2의 예를 보인 도이다.
도 4는 본 발명에 따른 실시형태를 이용하여 정렬 사이트에서 자동 디스큐를 한 도 2의 예를 보인 도이다.
도 5는 제1 정렬 사이트를 이용한 예시적인 결과를 보인 도이다.
도 6은 제2 정렬 사이트를 이용한 예시적인 결과를 보인 도이다.
도 7은 도 5 및 도 6의 제1 및 제2 정렬 사이트를 이용한 예시적인 결과를 보인 도이다.
도 8은 설계 클립에서 예시적인 정렬 사이트를 보인 도이다.
도 9는 도 8의 정렬 사이트의 예시적인 SEM 이미지를 보인 도이다.
도 10은 본 발명에 따른 제1 실시형태의 흐름도이다.
도 11은 본 발명에 따른 제2 실시형태의 흐름도이다.
도 12는 예시적인 디스큐 변환을 보인 도이다.
비록 청구된 주제를 소정 실시형태와 관련하여 설명하지만, 여기에서 설명하는 이익 및 특징을 모두 제공하지 않는 실시형태를 포함한 다른 실시형태도 본 발명의 범위 내에 포함된다. 각종의 구조적, 논리적, 처리 단계 및 전자적 변화가 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 이루어질 수 있다. 따라서 발명의 범위는 첨부된 특허 청구범위에 의해서만 규정된다.
여기에서 개시하는 실시형태는 SEM 리뷰와 같은 이미지 리뷰에 대한 디스큐를 수행한다. 디스큐는 SEM 툴에서 리뷰하는 동안 보여지는 결함 위치 정확도(defect location accuracy, DLA)를 줄이기 위해 검사 좌표계와 리뷰 좌표계를 정렬한다. 디스큐는 설계 파일 또는 검사 이미지와 같은 참조 파일을 이용하여 자동화될 수 있다.
여기에서 개시하는 디스큐 기법의 실시형태는 종래 기법의 단점들을 회피한다. 먼저, 웨이퍼의 이미지를 검사 이미지 또는 설계 파일과 정렬시킴으로써 오프셋이 계산될 수 있다. 이것은 자동 디스큐에서 고장을 야기할 수 있었던 결함 검출 알고리즘의 사용을 줄일 수 있다. 웨이퍼의 단일 이미지만이 필요할 수 있고, 이로써 복잡도를 감소시키고 신뢰도를 개선한다. 결함들은 이 기법을 적용함에 있어서 요구되지 않고, 따라서 응용성이 증가한다. 자동 디스큐는 실제 결함에 의존하지만, 이 기법은 항상 결함일 필요가 없는 독특한 사이트를 이용할 수 있다. 독특한 사이트는 웨이퍼 전역에서 더 쉽게 발견될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 결함 리뷰 툴(100)의 블록도이다. 결함 리뷰 툴(100)은 웨이퍼(103) 또는 다른 워크피스를 홀드하도록 구성된 스테이지(104)를 포함한다. 스테이지(100)는 1개, 2개 또는 3개의 축을 따라 이동하거나 회전하도록 구성될 수 있다.
결함 리뷰 툴(100)은 웨이퍼(103) 표면의 이미지를 발생하도록 구성된 이미지 발생 시스템(101)을 또한 포함한다. 이미지는 웨이퍼(103)의 특정 층에 대한 것일 수 있다. 이 예에서, 이미지 발생 시스템(101)은 웨이퍼(103)의 이미지를 발생하기 위한 전자빔(102)을 생성한다. 광대역 플라즈마 또는 레이저 스캐닝을 이용하는 것과 같은 다른 이미지 발생 시스템(101)도 가능하다.
여기에서 사용하는 용어 "웨이퍼"는 일반적으로 반도체 또는 비반도체 물질로 형성된 기판을 말한다. 그러한 반도체 또는 비반도체 물질의 예로는, 비제한적으로, 단결정 실리콘, 질화 갈륨, 비화 갈륨, 인화 인듐, 사파이어 및 유리가 있다. 그러한 기판은 반도체 제조 설비에서 일반적으로 발견되고 및/또는 처리될 수 있다.
웨이퍼는 기판 위에 형성된 하나 이상의 층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 그러한 층은, 비제한적으로, 포토레지스트, 유전체 물질, 도전성 물질 및 반도체 물질을 포함할 수 있다. 많은 다른 유형의 이러한 층들이 업계에 공지되어 있고, 여기에서 사용하는 용어 웨이퍼는 모든 유형의 이러한 층을 포함한 웨이퍼를 포괄하는 것으로 의도된다.
웨이퍼 위에 형성된 하나 이상의 층은 패턴화 또는 비패턴화될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼는 반복 가능한 패턴화 특징 또는 주기적 구조물을 각각 가진 복수의 다이를 포함할 수 있다. 이러한 물질 층의 형성 및 처리에 의해 궁극적으로 완성된 소자를 제조할 수 있다. 많은 다른 유형의 소자들이 웨이퍼 위에 형성될 수 있고, 여기에서 사용하는 용어 웨이퍼는 업계에 공지된 임의 유형의 소자가 제조되는 웨이퍼를 포괄하는 것으로 의도된다.
특정 예로서, 결함 리뷰 툴(100)은 주사 전자 현미경(scanning electron microscope, SEM)의 일부이거나 SEM이다. 웨이퍼(103)의 이미지는 집속 전자빔(102)으로 웨이퍼(303)를 스캔함으로써 발생된다. 전자들은 웨이퍼(103)의 표면 토포그래피 및 조성에 대한 정보를 내포한 신호를 생성하기 위해 사용된다. 전자빔(102)은 래스터 스캔 패턴으로 스캔될 수 있고, 전자빔(102)의 위치는 검출된 신호와 결합하여 이미지를 생성할 수 있다.
결함 리뷰 툴(100)은 제어기(105)와 통신한다. 예를 들면, 제어기(105)는 결함 리뷰 툴(100)의 이미지 발생 시스템(101) 또는 다른 컴포넌트와 통신할 수 있다. 제어기(105)는 프로세서(106), 프로세서(106)와 전자 통신하는 전자 데이터 기억 유닛(107), 및 프로세서(106)와 전자 통신하는 통신 포트(108)를 포함할 수 있다. 제어기(105)는 실제로 하드웨어, 소프트웨어 및 펌웨어의 임의 조합에 의해 구현될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 또한, 여기에서 설명하는 바와 같은 그 기능은 하나의 유닛에 의해 수행될 수 있고, 또는 하드웨어, 소프트웨어 및 펌웨어의 임의 조합에 의해 각각 구현될 수 있는 다른 컴포넌트들 사이에 나누어질 수 있다. 제어기(105)가 여기에서 설명하는 각종 방법 및 기능들을 구현하기 위한 프로그램 코드 또는 명령어는 전자 데이터 기억 유닛(107) 내의 메모리, 제어기(105) 내의 메모리, 제어기(105) 외부의 메모리 또는 이들의 조합과 같은 제어기 판독가능 기억 매체에 저장될 수 있다.
제어기(105)는 제어기(105)가 이미징 장치(101)로부터의 출력과 같은 결함 리뷰 툴(100)에 의해 발생된 출력을 수신할 수 있도록 임의의 적당한 방법으로(예를 들면, "유선" 및/또는 "무선" 전송 매체를 포함할 수 있는 하나 이상의 전송 매체를 통해) 결함 리뷰 툴(100)의 각종 컴포넌트에 결합될 수 있다. 제어기(105)는 상기 출력을 이용하여 다수의 기능을 수행하도록 구성될 수 있다. 예를 들면, 제어기(105)는 상기 출력을 이용하여 웨이퍼(103)상의 결함들을 리뷰하도록 구성될 수 있다. 다른 예로서, 제어기(105)는 상기 출력에서 결함 리뷰를 수행하지 않고 상기 출력을 전자 데이터 기억 유닛(107) 또는 다른 기억 매체에 전송하도록 구성될 수 있다. 제어기(105)는 여기에서 설명한 것처럼 또한 구성될 수 있다.
여기에서 설명하는 제어기(105), 다른 시스템 또는 다른 서브시스템은 퍼스널 컴퓨터 시스템, 이미지 컴퓨터, 메인프레임 컴퓨터 시스템, 워크스테이션, 네트워크 기기, 인터넷 기기 또는 다른 장치를 포함한 다양한 형태를 취할 수 있다. 일반적으로, 용어 "제어기"는 메모리 매체로부터의 명령어를 실행하는 하나 이상의 프로세서를 구비한 임의의 장치를 포괄하는 것으로 넓게 정의될 수 있다. 서브시스템 또는 시스템은 병렬 프로세서와 같은 업계에 공지된 임의의 적당한 프로세서를 또한 포함할 수 있다. 게다가 서브시스템 또는 시스템은 독립형 또는 네트워크형 툴로서 고속 처리 능력이 있는 플랫폼 및 소프트웨어를 포함할 수 있다.
만일 시스템이 2개 이상의 서브시스템을 포함하면, 이미지, 데이터, 정보, 명령어 등이 서브시스템들 간에 전송될 수 있도록 상이한 서브시스템들이 서로 결합될 수 있다. 예를 들면, 하나의 서브시스템은 업계에 공지된 임의의 적당한 유선 및/또는 무선 전송 매체를 포함한 임의의 적당한 전송 매체에 의해 추가의 서브시스템에 결합될 수 있다. 2개 이상의 이러한 서브시스템이 공유형 컴퓨터 판독가능 기억 매체(도시 생략)에 의해 또한 효과적으로 결합될 수 있다.
추가의 실시형태는 여기에서 설명하는 것처럼 웨이퍼상의 비정상을 식별하거나 호환/비호환을 검출하는 컴퓨터 구현 방법을 수행하기 위해 제어기에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체와 관련된다. 특히, 도 1에 도시된 것처럼, 전자 데이터 기억 유닛(107) 또는 다른 기억 매체는 제어기(105)에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체를 내포할 수 있다. 컴퓨터 구현 방법은 여기에서 설명하는 임의 방법의 임의 단계를 포함할 수 있다.
여기에서 설명한 것과 같은 방법을 구현하는 프로그램 명령어는 전자 데이터 기억 유닛(107) 또는 다른 기억 매체와 같은 컴퓨터 판독가능 매체에 저장될 수 있다. 컴퓨터 판독가능 매체는 자기 또는 광디스크, 자기 테이프, 또는 업계에 공지된 임의의 다른 적당한 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체와 같은 기억 매체일 수 있다.
프로그램 명령어는 다른 무엇보다도 절차 기반 기법, 컴포넌트 기반 기법 및/또는 객체 기반 기법을 포함한 임의의 각종 방법으로 구현될 수 있다. 예를 들면, 프로그램 명령어는 액티브X 컨트롤, C++ 오브젝트, 자바빈스, 마이크로소프트 파운데이션 클래시스("MFC"), SSE(Streaming SIMD Extension), 또는 바람직한 다른 기술 또는 방법을 이용하여 구현될 수 있다.
제어기(105)는 여기에서 설명한 임의의 실시형태에 따라 구성될 수 있다. 예를 들면, 제어기(105)는 도 10 또는 도 11의 일부 단계 또는 모든 단계를 수행하도록 프로그램될 수 있다. 예로서, 제어기는 리뷰 툴로부터 웨이퍼의 이미지를 수신하고; 이미지 내의 하나 이상의 정렬 사이트를 식별하고; 상기 리뷰 툴로부터의 상기 웨이퍼 이미지에 대응하는 참조 파일을 전자 데이터 기억 유닛으로부터 수신하고; 웨이퍼의 참조 파일을 리뷰 툴로부터의 웨이퍼 이미지에 정렬시키고(예를 들면, 웨이퍼상의 적어도 하나의 다이 코너를 마킹함); 참조 파일 내의 하나 이상의 정렬 사이트를 상기 리뷰 툴로부터의 이미지 내의 하나 이상의 정렬 사이트와 비교하고; 상기 하나 이상의 정렬 사이트에 기초하여 웨이퍼의 이미지에 대응하는 디스큐 변환을 발생하도록 구성된다. 상기 전자 데이터 기억 유닛은 설계 파일 또는 검사 이미지와 같은 하나 이상의 참조 파일을 내포할 수 있다.
비록 공정 제어 시스템의 일부로서 설명하였지만, 여기에서 설명한 제어기(105)는 검사 시스템과 함께 사용하도록 구성될 수 있다. 다른 실시형태에서, 여기에서 설명한 제어기(105)는 계측 시스템과 함께 사용하도록 구성될 수 있다. 따라서 여기에서 설명한 실시형태들은 다른 응용에 다소 적합한 상이한 이미징 능력을 가진 시스템용으로 여러 가지 방법으로 고쳐질 수 있는 분류의 일부 구성을 설명한다.
도 10은 설계 클립을 이용하여 디스큐 변환을 발생하는 제1 실시형태의 흐름도이다. 설계 클립은 소자의 물리적 레이아웃을 내포한 설계 파일의 일부이다. 예를 들면, 예시적인 설계 클립 및 대응하는 SEM 이미지에 대하여 도 8 및 도 9를 참조한다.
고급 검사 툴에서의 검사 스캔을 위하여, 설계 파일 또는 물리적 레이아웃 파일은 패턴 전역에서의 특별히 식별된 정렬 타겟 또는 참조 구조물을 이용하여 웨이퍼와 밀접하게 정렬된다. 이러한 정렬 사이트 또는 참조 구조물은 수동으로 마킹되거나 자동으로 식별될 수 있다. 웨이퍼마다 또는 다이마다 하나 이상의 정렬 사이트 또는 참조 구조물이 있을 수 있다. 이러한 검사를 위하여 웨이퍼와 설계는 서로 밀접하게 정렬된다. 그러므로 검사 좌표계에서의 위치에 대한 설계 클립은 고 정확도로 추출될 수 있다.
방법(200)에서, 웨이퍼가 리뷰 툴의 스테이지 위에 로드된다(201). 리뷰 툴은 예를 들면 결함 리뷰 툴(100)일 수 있다. 예로서, 리뷰 툴은 SEM 일 수 있다. 하나 이상의 정렬 사이트를 가진 웨이퍼의 리뷰 툴로부터의 이미지가 수신될 수 있다. 제어기는 하나 이상의 정렬 사이트를 가진 웨이퍼에 대응하는 설계 파일을 수신할 수 있다.
설계 파일은 다이 코너를 마킹함으로써 리뷰 툴로부터의 이미지에 정렬된다(202). 예를 들면, 검사 툴은 설계 파일을 검사 좌표계와 정렬시킬 수 있다. 적어도 하나의 다이 코너의 마킹은 이미지와 설계 파일 간의 조악한 초기 정렬을 제공할 수 있다. 독특한 사이트의 검사 좌표 위치에서의 설계 클립은 이 기법을 이용하여 포착될 수 있다. 다이 코너는 사용자에 의해 수동으로, 또는 다이 코너 이미지 또는 참조로서 검사 툴로부터의 임의의 다른 독특한 사이트 이미지를 이용하여 자동으로 마킹될 수 있다.
다이 코너가 마킹된 후에 추가의 조악한 정렬 단계가 또한 수행될 수 있다. 예를 들면, 설계 파일과 이미지가 이미지 정렬 알고리즘을 이용해서 또는 사용자에 의해 수동으로 정렬될 수 있다.
설계 파일의 정렬 사이트는 이미지의 정렬 사이트와 비교된다(203). 설계 파일과 이미지는 동일한 좌표계를 이용할 수 있다. 설계 파일의 정렬 사이트는 자동으로(예를 들면, 이미지 정렬 알고리즘 또는 다른 기법을 이용해서) 또는 수동으로 정렬 사이트의 이미지와 상관될 수 있고, 수동인 경우 사용자는 설계 파일과 이미지 사이의 공통 지점을 마킹한다.
설계 파일의 정렬 사이트의 좌표와 리뷰 툴로부터의 이미지의 정렬 사이트의 좌표의 디스큐 변환이 발생된다(204). 디스큐 오프셋은 설계 클립을 독특한 정렬 사이트와 상관시킴으로써 또는 웨이퍼 전역의 다른 참조 구조물을 상기 독특한 사이트에 대한 검사 좌표에서 리뷰 툴에 포착된 이미지와 상관시킴으로써 계산될 수 있다. 디스큐 변환은 실제 결함에 의존하지 않고 발생될 수 있다. 따라서 무결함 소자 또는 특징들을 디스큐를 위해 사용할 수 있다. 예로서, 웨이퍼의 이미지는 3-50㎛의 크기를 가진 임의의 결함을 내포하지 않을 수 있다. 이러한 결함들은 눈에 보이는 결함 또는 예컨대 SEM과 같은 결함 리뷰 툴을 이용하여 발견할 수 있는 다른 결함일 수 있다.
디스큐 변환은 리뷰 좌표계와 검사 좌표계 간의 웨이퍼 수준 컨버전 변환일 수 있고, 이것은 리뷰 좌표계와 검사 좌표계 간의 병진, 회전, 스케일링 및/또는 비직교성 오프셋의 보정을 통합한다. 도 12는 예시적인 디스큐 변환을 보인 것이다. mx와 my는 스케일링을 다루고, θ의 함수는 회전을 다루고, ψ의 함수는 비직교성을 다루고, xt와 yt는 병진을 다룬다.
상기 독특한 사이트는 수동으로 선택될 수 있고, 어느 영역이 검사되었는지에 기초하여 선택될 수 있고, 및/또는 알고리즘을 이용하여 선택될 수 있다. 독특한 사이트는 소자 컴포넌트일 수 있다. 예로서, 독특한 사이트는 다이와 레티클 사이를 교차하는 균열선(scribe line) 또는 스트릿일 수 있다. 다른 예로서, 독특한 사이트는 정적 랜덤 액세스 메모리(SRAM) 셀 코너일 수 있다. 독특한 사이트는 사이트들 사이의 1㎛까지의 모든 값 및 범위를 포함해서 3-50㎛의 크기를 가질 수 있고, 다른 크기 또는 치수도 가능하다.
디스큐 오프셋을 계산하기 위해, 하나 이상의 독특한 정렬 사이트 또는 참조 구조물을 사용할 수 있다. 이러한 정렬 사이트 또는 참조 구조물은 검사 툴에서의 설계와 웨이퍼 간의 정렬을 위해 사용하는 것과 동일하거나 다를 수 있다.
디스큐 오프셋 계산은 설계 클립과 리뷰 이미지의 자동 또는 수동 보정을 이용하여 수행될 수 있다.
디스큐 변환은 예를 들면 제어기를 이용하여 이미지에 적용될 수 있다. 그 다음에 제어기는 리뷰 툴로부터의 웨이퍼의 이미지와 설계 파일이 정렬되는지 또는 정렬된 채 유지되는지 입증할 수 있다.
도 10의 디스큐 변환은 자동으로 수행될 수 있다.
개념 증명의 실험을 웨이퍼 대 설계 정렬을 위해 검사 툴에서 사용한 단일 및 복수 정렬 사이트를 이용하여 디스큐 오프셋을 계산함으로써 행하였다. 이러한 정렬 사이트는 정렬을 위해 사용되도록 독특한 사이트로서 검사 툴에서 알고리즘에 의해 자동으로 식별되었다. 검사 레시피가 검사 툴에서 설정되었고, 스캔이 이루어졌다. 알고리즘이 독특한 정렬 사이트를 자동으로 발견하였고 스캔 중에 상기 정렬 사이트를 이용하여 웨이퍼 대 설계를 자동으로 정렬하였다. 검사 중에 사용한 독특한 정렬 사이트에서의 설계 클립이 추출되었다. 독특한 정렬 사이트가 검사 결과에 추가의 결함으로서 추가되었다. 검사 결과와 웨이퍼를 SEM 툴에 로딩하였다. 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같은 3가지의 다른 경우에 대하여 리뷰를 행하였다. 이 경우들은 디스큐가 없는 경우(도 2), 수동 디스큐를 한 경우(도 3) 및 자동 디스큐를 한 경우(도 4)이었다. 디스큐가 없는 경우(도 2)는 오프셋을 보인다. 자동 디스큐는 도 10에 도시된 방법을 이용하여 정렬 사이트에서의 설계 클립을 대응하는 SEM 이미지와 상관시켰다. 결함들에 대한 산점도(scatter plot)가 발생되었고 결과들을 비교하였다.
도 2는 임의의 디스큐 단계 없이 이루어진 작업에 대한 산점도이다. 여기에서는 디스큐 보정이 없기 때문에 결함 위치에서의 오프셋이 산점도에 나타난다. 도 3은 수동 디스큐와 함께 행하여진 작업에 대한 산점도이다. 수동 디스큐 중에, 검사 좌표계와 리뷰 좌표계 간의 오프셋은 사용자가 실제 결함들을 수동으로 마킹함으로써 보정된다. 이것은 종래의 방법이다. 도 4는 도 10에 도시된 바와 같이 독특한 사이트 SEM 이미지와 설계 파일을 정렬시킴으로써 자동으로 계산된 오프셋에 의해 발생된 디스큐 변환을 이용하여 행한 작업에 대한 산점도이다. 이 산점도는 수동 디스큐의 산점도와 유사하다. 따라서 여기에서 개시하는 기법은 수동 디스큐만큼 효과적인 것으로 확인되지만 더 빠르다. 수동 디스큐와 달리, 여기에서 개시되는 기법은 결함의 존재를 요구하지 않는다.
반복성을 체크하기 위해, 다른 정렬 사이트에 대해서 및 양측 정렬 사이트를 함께 이용해서 실험을 반복하였다. 디스큐가 없는 경우의 오프셋은 모든 경우에서 제거되었다. 그 결과를 도 5-7에 나타내었다. 복수의 정렬 사이트를 사용한 경우 결과가 개선되지만 단일 정렬 사이트로도 디스큐 변환을 위해 충분할 수 있다.
도 11은 광학 이미지 정렬을 위해 리뷰 이미지를 이용하여 디스큐를 발생하는 제2 실시형태의 흐름도이다. 디스큐 오프셋은 검사 툴에서 포착된 검사 이미지를 리뷰 툴에서 웨이퍼의 동일 위치에 대하여 포착된 이미지와 정렬함으로써 계산될 수 있다. 이 방법을 위해 선택된 사이트는 하나 이상의 독특한 정렬 사이트 또는 도 10의 실시형태에서 선택된 참조 구조물일 수 있다.
도 11의 실시형태를 위하여 하나 이상의 정렬 사이트, 적어도 하나의 다이 코너 위치, 및 디스큐 오프셋 계산을 위해 선택된 위치들에 대한 적어도 하나의 광학 이미지가 제공된다. 예를 들면, 상기 정렬 사이트, 다이 코너 위치 및 광학 이미지는 검사 툴에 의해 발생되거나 제공된다.
방법(300)에서, 웨이퍼가 리뷰 툴의 스테이지 위에 로드된다(301). 리뷰 툴은 예를 들면 결함 리뷰 툴(100)일 수 있다. 예로서, 리뷰 툴은 SEM 일 수 있다. 리뷰 툴로부터의 웨이퍼의 이미지가 수신될 수 있다. 제어기는 웨이퍼에 대응하는 검사 이미지를 수신할 수 있다.
웨이퍼상의 적어도 하나의 다이 코너가 마킹된다(302). 예로서, 다이 코너는 자동으로 마킹된다. 마킹된 다이 코너는 리뷰 툴 및 검사 툴의 좌표계가 정렬될 수 있게 한다. 예를 들면, 다이 코너는 검사 툴에서 먼저 마킹될 수 있다. 그 다음에 동일한 다이 코너가 리뷰 툴에서 마킹될 수 있다. 다이 코너는 수동으로 마킹되거나, 또는 다이 코너 이미지 또는 참조로서 검사 툴로부터의 다른 독특한 사이트 이미지를 이용하여 자동으로 마킹될 수 있다.
리뷰 이미지에 대한 검사 이미지의 초기 정렬은 초기에 단계 302에서와 같이 적어도 하나의 다이 코너를 마킹하기 위해 행하여질 수 있고, 또는 디스큐 변환 계산에서 검사 이미지와 리뷰 이미지 간의 오프셋 계산을 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 검사 정렬 사이트가 패턴 정합을 위해 사용될 수 있다.
도 10의 실시형태에서와 같이, 다이 코너를 마킹하는 것 외에 추가의 조악한 정렬 기법이 수행될 수 있다.
검사 이미지의 정렬 사이트는 리뷰 툴로부터의 이미지의 정렬 사이트와 비교된다(303). 이미지들은 동일한 좌표계를 이용할 수 있다. 정렬 사이트에서의 검사 이미지와 리뷰 이미지는 패턴 정합 알고리즘을 이용하여 자동으로 또는 사용자에 의해 수동으로 비교될 수 있다. 이 비교로부터의 출력은 웨이퍼 전역에서의 검사 이미지와 리뷰 이미지 간의 오프셋일 것이고, 이것은 디스큐 변환 계산을 위해 사용될 수 있다.
검사 이미지의 정렬 사이트의 좌표와 리뷰 툴로부터의 이미지의 정렬 사이트의 좌표의 디스큐 변환이 발생된다(304). 디스큐 오프셋은 검사 이미지를 독특한 정렬 사이트와 상관시킴으로써 또는 웨이퍼 전역의 다른 참조 구조물을 상기 독특한 사이트에 대한 검사 좌표에서 리뷰 툴에 포착된 이미지와 상관시킴으로써 계산될 수 있다. 예를 들면 도 12를 참조한다. 디스큐 변환은 실제 결함에 의존하지 않고 발생될 수 있다. 따라서 무결함 소자 또는 특징들을 디스큐를 위해 사용할 수 있다. 예로서, 웨이퍼의 이미지는 3-50㎛의 크기를 가진 임의의 결함을 내포하지 않을 수 있다. 이러한 결함들은 눈에 보이는 결함 또는 예컨대 SEM과 같은 결함 리뷰 툴을 이용하여 발견할 수 있는 다른 결함일 수 있다.
디스큐 변환은 예를 들면 제어기를 이용해서 리뷰 이미지에 적용될 수 있다. 제어기는 그 다음에 리뷰 툴로부터의 웨이퍼의 이미지 및 설계 파일이 정렬되는지 또는 정렬된 채 유지되는지를 입증할 수 있다.
만일 자동 패턴 정합이 실패하면, 사용자는 오프셋의 수동 계산을 위해 디스큐 사이트를 수동으로 마킹할 수 있다. 디스큐 변환이 리뷰 툴로부터의 이미지에 검사 이미지를 정렬시키지 않았다고 결정될 수 있다. 적어도 하나의 디스큐 사이트는 수동으로 마킹된다. 그 다음에 리뷰 툴로부터의 이미지에 대한 검사 이미지 간의 오프셋이 계산된다.
도 11의 디스큐 변환은 자동으로 수행될 수 있다.
도 10 및 도 11의 실시형태에 대하여, 디스큐 변환의 성공이 평가될 수 있다. 예를 들면, 디스큐 계산을 위해 사용된 각 정렬 사이트 오프셋에 대한 디스큐 변환의 수렴을 표시하는 디스큐 변환에 대하여 정의되는 점수가 있을 수 있다.
도 10 또는 도 11의 실시형태에서, 웨이퍼는 리뷰 툴에 로드된 후 정렬될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼는 스테이지에서 정렬될 수 있다.
리뷰 공정은 도 10 또는 도 11의 디스큐 변환이 발생된 후에 행하여질 수 있다. 결함 또는 다른 관심 있는 사이트는 디스큐 변환 후에 리뷰 툴을 이용하여 리뷰될 수 있다.
예로서, 결함 사이트를 이용하지 않을 수 있는 도 10 또는 도 11의 자동 디스큐 공정을 이용하여 완전한 아핀(affine) 변환을 계산할 수 있다. 아핀 변환은 검사 좌표계와 리뷰 좌표계 간의 디스큐 변환일 수 있다.
도 10 및 도 11의 실시형태를 실시하기 전에, 리뷰 툴이 설정될 수 있다. 이것은 검사 소스 및 웨이퍼의 로딩, 정렬 설정, 다이 코너 마킹, 테스트 파라미터 설정 및/또는 레시피 세이브를 수반할 수 있다.
도 10 및 도 11에 도시된 실시형태는 결함과 무관하게 수행될 수 있다. 임의의 독특한 정렬 사이트를 디스큐를 위해 사용할 수 있다. 결함에 대한 의존성은 디스큐 공정의 자동화를 금지하고 고 SNV 속도 검사에서 디스큐를 실시할 수 없게 한다. 더 나아가 결함에 대한 신뢰는 실패로 이어질 수 있다. 설계 클립 또는 검사 이미지와 대응하는 리뷰 이미지(예를 들면, SEM 이미지)의 상관성은 설계 파일이 웨이퍼에 인쇄된 패턴들을 내포하기 때문에 동일한 제한을 받지 않는다. 독특한 정렬 사이트 또는 참조 구조물은 디스큐를 위해 사용되고, 이것은 디스큐 변환의 자동 상관 및/또는 계산을 가능하게 한다. 도 10 및 도 11에 도시된 실시형태는 또한 수동 디스큐보다 빠르고 인간의 과오에 덜 영향을 받는다.
스케일링은 해상도를 실질적으로 정합시키기 위해 대응하는 이미지 중의 하나 또는 둘 다에서 수행될 수 있다.
여기에서 설명한 실시형태는 임의의 수동 디스큐 또는 오프셋 보정 단계를 설정 흐름으로부터 제거할 수 있다. 자동 디스큐 단계는 런 모드에서 리뷰 작업 전에 실행될 수 있다. 디스큐를 위해 선택된 독특한 정렬 사이트 또는 참조 구조물에서 설계 클립의 가용성에 따라서, 디스큐 방법은 자동으로 선택될 수 있다. 따라서 도 10의 실시형태 또는 도 11의 실시형태는 설계 클립의 가용성에 따라 선택될 수 있다.
방법의 각 단계는 여기에서 설명한 것처럼 수행될 수 있다. 상기 방법들은 또한 여기에서 설명한 이미지 취득 서브시스템 및/또는 컴퓨터 서브시스템(들) 또는 시스템(들)에 의해 수행될 수 있는 임의의 다른 단계(들)을 포함할 수 있다. 단계들은 여기에서 설명한 임의의 실시형태에 따라 구성된 하나 이상의 컴퓨터 시스템에 의해 수행될 수 있다. 또한, 전술한 방법들은 여기에서 설명한 임의의 시스템 실시형태에 의해 수행될 수 있다.
여기에서 설명한 실시형태들은 레티클과 같은 다른 시료로부터의 이미지를 디스큐하도록 구성될 수 있다. 예를 들면, 여기에서 설명한 실시형태들은 마스크 검사, 웨이퍼 검사 또는 웨이퍼 계측 용도로 구성될 수 있다. 특히, 여기에서 설명한 실시형태들은 광대역 플라즈마 검사 툴, 전자빔 검사 툴 또는 결함 리뷰 툴, 마스크 검사 툴, 가상 검사 툴 등과 같은 출력 취득 서브시스템의 컴포넌트이거나 상기 출력 취득 서브시스템에 결합된 컴퓨터 노드 또는 컴퓨터 클러스터에 설치될 수 있다. 이 방식으로, 여기에서 설명한 실시형태들은 비제한적으로 웨이퍼 검사, 마스크 검사, 전자빔 검사 및 리뷰, 계측 등을 포함한 다양한 응용에 사용될 수 있는 출력을 발생할 수 있다. 제어기는 실제 출력을 발생하는 시료에 기초하여 전술한 바와 같이 수정될 수 있다.
비록 본 발명을 하나 이상의 특정 실시형태와 관련하여 설명하였지만, 본 발명의 다른 실시형태들도 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 이루어질 수 있다는 것을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명은 첨부된 특허 청구범위 및 그 적당한 해석에 의해서만 제한되는 것으로 간주된다.
Claims (20)
- 시스템으로서,
웨이퍼를 홀드하도록 구성된 스테이지 및 상기 웨이퍼의 이미지를 발생하도록 구성된 이미지 발생 시스템을 포함한 리뷰 툴과;
하나 이상의 정렬 사이트를 각각 가진 하나 이상의 참조 파일이 저장된 전자 데이터 기억 유닛과;
상기 리뷰 툴과 전자 통신하는 제어기
를 포함하고,
상기 제어기는,
상기 리뷰 툴로부터 상기 웨이퍼의 이미지를 수신하고;
상기 웨이퍼의 이미지 내의 하나 이상의 정렬 사이트를 식별하고;
상기 리뷰 툴로부터의 상기 웨이퍼의 이미지에 대응하는 참조 파일을 상기 전자 데이터 기억 유닛으로부터 수신하고;
상기 웨이퍼 상의 적어도 하나의 다이 코너를 마킹하고;
상기 참조 파일 내의 하나 이상의 정렬 사이트를 상기 리뷰 툴로부터의 이미지 내의 하나 이상의 정렬 사이트와 비교하고;
상기 하나 이상의 정렬 사이트에 기초하여 상기 웨이퍼의 이미지에 대응하는 디스큐 변환(deskew transform)을 발생시키고;
상기 웨이퍼의 이미지에 상기 디스큐 변환을 적용하고; 그리고
상기 디스큐 변환이 적용된 후, 상기 디스큐 변환을 계산하기 위해 사용된 정렬 사이트 오프셋에 대한 상기 디스큐 변환의 수렴을 평가함으로써, 상기 리뷰 툴로부터의 상기 웨이퍼의 이미지와 상기 참조 파일이 정렬된 채 유지되는지를 입증(validate)하도록
구성된 것인 시스템. - 제1항에 있어서, 상기 제어기는, 프로세서, 및 상기 프로세서와 상기 전자 데이터 기억 유닛과 전자 통신하는 통신 포트를 포함한 것인 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 리뷰 툴은 주사 전자 현미경인 것인 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 이미지 발생 시스템은 전자빔, 광대역 플라즈마, 또는 레이저 중의 적어도 하나를 이용하여 상기 웨이퍼의 이미지를 발생하도록 구성된 것인 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 참조 파일은 상기 웨이퍼에 대응하는 설계 파일인 것인 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 참조 파일은 상기 웨이퍼의 검사 이미지인 것인 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼의 이미지는 3㎛ 내지 50㎛의 크기를 가진 결함을 내포하지 않은 것인 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 디스큐 변환은, 스케일링, 회전, 비직교성, 및 병진(translation)을 어드레싱하는 것인 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 디스큐 변환은, 3㎛ 보다 작거나 50㎛ 보다 큰 크기를 갖는 결함들을 갖는 디바이스들 또는 피쳐들에만 기초하는 것인 시스템.
- 방법으로서,
리뷰 툴의 스테이지 상에 웨이퍼를 로딩하는 단계와;
상기 리뷰 툴로부터, 하나 이상의 정렬 사이트를 가진 상기 웨이퍼의 이미지를 수신하는 단계와;
제어기에서, 상기 웨이퍼에 대응하는 설계 파일 - 상기 설계 파일은 하나 이상의 정렬 사이트를 가짐 - 을 수신하는 단계와;
상기 웨이퍼 상의 적어도 하나의 다이 코너를 마킹하는 단계와;
상기 제어기를 이용하여, 상기 설계 파일의 상기 하나 이상의 정렬 사이트를 상기 리뷰 툴로부터의 이미지의 하나 이상의 정렬 사이트와 비교하는 단계와;
상기 제어기를 이용하여, 상기 하나 이상의 정렬 사이트에 기초하여 상기 웨이퍼의 이미지에 대응하는 디스큐 변환을 발생시키는 단계와;
상기 제어기를 이용하여 상기 웨이퍼의 상기 이미지에 상기 디스큐 변환을 적용하는 단계와;
상기 제어기를 이용하여, 상기 디스큐 변환이 적용된 후, 상기 디스큐 변환을 계산하기 위해 사용된 정렬 사이트 오프셋에 대한 상기 디스큐 변환의 수렴을 평가함으로써, 상기 리뷰 툴로부터의 상기 웨이퍼의 이미지와 상기 설계 파일이 정렬된 채 유지되는지를 입증하는 단계
를 포함하는 방법. - 제10항에 있어서, 상기 리뷰 툴로부터의 상기 웨이퍼의 이미지는 주사 전자 현미경 이미지인 것인 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 웨이퍼의 이미지는 3㎛ 내지 50㎛의 크기를 가진 결함을 내포하지 않은 것인 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 디스큐 변환은, 스케일링, 회전, 비직교성, 및 병진을 어드레싱하는 것인 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 디스큐 변환은, 3㎛ 보다 작거나 50㎛ 보다 큰 크기를 갖는 결함들을 갖는 디바이스들 또는 피쳐들에만 기초하는 것인 방법.
- 방법으로서,
리뷰 툴의 스테이지 상에 웨이퍼를 로딩하는 단계와;
상기 리뷰 툴로부터 상기 웨이퍼의 이미지를 수신하는 단계와;
제어기에서, 상기 웨이퍼에 대응하는 검사 이미지를 수신하는 단계와;
상기 웨이퍼 상의 적어도 하나의 다이 코너를 마킹하는 단계와;
상기 제어기를 이용하여, 상기 검사 이미지의 정렬 사이트를 상기 리뷰 툴로부터의 이미지의 정렬 사이트와 비교하는 단계와;
상기 제어기를 이용하여, 하나 이상의 정렬 사이트에 기초하여 상기 웨이퍼의 이미지에 대응하는 디스큐 변환을 발생시키는 단계와;
상기 제어기를 이용하여 상기 웨이퍼의 상기 이미지에 상기 디스큐 변환을 적용하는 단계와;
상기 제어기를 이용하여, 상기 디스큐 변환이 적용된 후, 상기 디스큐 변환을 계산하기 위해 사용된 정렬 사이트 오프셋에 대한 상기 디스큐 변환의 수렴을 평가함으로써, 상기 리뷰 툴로부터의 상기 웨이퍼의 이미지와 상기 검사 이미지가 정렬된 채 유지되는지를 입증하는 단계
를 포함하는 방법. - 제15항에 있어서, 상기 리뷰 툴로부터의 상기 웨이퍼의 이미지 상의 적어도 하나의 디스큐 사이트를 수동으로 마킹하는 단계와;
상기 검사 이미지와 상기 리뷰 툴로부터의 이미지 간의 오프셋을 상기 마킹된 디스큐 사이트에 기초하여 계산하는 단계
를 더 포함한 방법. - 제15항에 있어서, 상기 리뷰 툴로부터의 상기 웨이퍼의 이미지는 주사 전자 현미경 이미지인 것인 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 웨이퍼의 이미지는 3㎛ 내지 50㎛의 크기를 가진 결함을 내포하지 않은 것인 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 디스큐 변환은, 스케일링, 회전, 비직교성, 및 병진을 어드레싱하는 것 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 디스큐 변환은, 3㎛ 보다 작거나 50㎛ 보다 큰 크기를 갖는 결함들을 갖는 디바이스들 또는 피쳐들에만 기초하는 것인 방법.
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