CN108604560B - 使用设计文件或检查图像自动抗扭斜 - Google Patents

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Abstract

针对图像检视(例如SEM检视)的抗扭斜对准检查与检视坐标系。可使用设计文件或检查图像来自动进行抗扭斜。与检视工具通信的控制器可将所述晶片的文件(例如设计文件或检查图像)与来自所述检视工具的所述晶片的图像对准；比较所述文件的对准位点与来自所述检视工具的所述图像的对准位点；及产生所述文件的所述对准位点的坐标及来自所述检视工具的所述图像的对准位点的坐标的抗扭斜变换。所述晶片的所述图像可不含有缺陷。

Description

使用设计文件或检查图像自动抗扭斜
相关申请案的交叉参考
本申请主张2016年2月4日申请的第201641004030号印度申请及2016年3月17 日申请的第62/309,623号美国申请的优先权，所述申请的揭示内容特此以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及半导体晶片检视及分析。
背景技术
晶片检查系统通过检测在制程期间发生的缺陷来帮助半导体制造商增加并维持集成电路(IC)芯片良率。检查系统的一个目的在于监测制造程序是否符合规范。如果制程在半导体制造商可随后解决的已建立规范的范畴之外，那么检查系统指示问题及/或问题来源。
半导体制造工业的发展对良率管理，尤其是计量及检查系统提出了越来越高的要求。关键尺寸正在缩小，而晶片大小正在增加。经济学正在推动行业减少达成高良率、高价值生产的时间。因此，将从检测良率问题到解决所述问题的总时间最小化决定了半导体制造商的投资回报率。
半导体制造商需要检视来自晶片或半导体装置的一个区域的图像或结果，例如在检查期间标记的区域。这具有挑战性，因为图像或结果可能不容易与检查图像或设计文件对准。这具有挑战性，还因为各种图像、结果或设计文件可能使用不同的坐标系。例如，扫描电子显微镜(SEM)检视工具的用户可能需要将来自SEM的图像与检查图像对准。这可通过手动抗扭斜、偏移校正或自动抗扭斜来达成，但这些技术都具有缺点。
就手动抗扭斜来说，在例如SEM的检视工具上查看由检查工具给出的位置，并且标记缺陷的实际位置。仅真实缺陷可用于此技术。在具有无缺陷装置或晶片的无缺陷部件的半导体制造设置中，手动抗扭斜不起作用。计算命令位置与实际缺陷位置之间的偏移。所计算偏移是检视与检查坐标系之间的平移、旋转、按比例调整及非正交性。抗扭斜变换产生，然后将其应用于特定扫描的给定缺陷坐标的所有缺陷位置。所产生的抗扭斜变换可存储在高速缓冲存储器中，其可用于进一步配方作业运行。
手动抗扭斜具有多个缺点。手动抗扭斜是一种冗长且耗时的技术，这是因为用户需要跨整个晶片搜寻真实缺陷。这些缺陷可能需要大于特定大小阈值才能是可见的。执行抗扭斜过程及抗扭斜所用的时间取决于用户的知识及经验。手动抗扭斜需要整个晶片中存在具有特定大小的真实缺陷。如果缺陷过小，那么难以在较高视场(FOV)中找到，这可能是适应抗扭斜误差所需要的。不能使用极大缺陷，这是因为用户不知道检查系统标记大缺陷的哪一部分。此外，在高SEM不可见(SNV)速率检查中，极难找到真实缺陷，且手动抗扭斜是不切实际的。
就偏移校正来说，手动标记若干真实缺陷，并且由软件计算命令位置与实际缺陷位置之间的平移偏移。在具有无缺陷装置或晶片的无缺陷部件的半导体制造设置中，偏移校正将不起作用。所计算的平移偏移用于计算检视与检查坐标系之间的平均平移偏移。偏移校正仅可校正两个坐标系之间的平移偏移。偏移校正具有手动抗扭斜的所有其它缺点。此外，偏移校正仅校正平移偏移。检视与检查坐标系之间的其它误差被忽略。
自动抗扭斜不会手动标记缺陷。相反，其使用缺陷检测算法自动检测缺陷位置。与手动抗扭斜类似，计算平移、检测旋转、按比例调整及非正交偏移。然而，此抗扭斜解决方案不稳固且经常失效。例如，如果层上的俘获率不足，那么自动抗扭斜可失效。在另一个实例中，缺陷位点图像需要一或多个参考图像，这将增加复杂性且可增大失效率。归因于可靠性问题，已发现自动抗扭斜的商业用途有限。与手动抗扭斜类似，自动抗扭斜需要晶片中存在特定大小的缺陷。在具有无缺陷装置或晶片的无缺陷部件的半导体制造设置中，自动抗扭斜将不起作用。此外，此抗扭斜技术在高SNV速率检查上是不切实际的。
因此，需要改进抗扭斜技术。
发明内容
在第一实施例中，提供一种系统。系统包括：检视工具；电子数据存储单元，其中存储一或多个参考文件；及控制器，其与所述检视工具电子通信。所述检视工具包含经配置以固持晶片的载物台，及经配置以产生所述晶片的图像的图像产生系统。所述控制器经配置以从所述检视工具接收所述晶片的所述图像；识别所述晶片的所述图像中的一或多个对准位点；从所述电子数据存储单元接收对应于来自所述检视工具的所述晶片的所述图像的参考文件；标记所述晶片上的至少一个裸片隅角；将所述参考文件中的一或多个对准位点与来自所述检视工具的所述图像中的一或多个对准位点比较；及基于所述一或多个对准位点产生对应于所述晶片的所述图像的抗扭斜变换。各参考文件具有一或多个对准位点。所述控制器可包含处理器，及与所述处理器和所述电子数据存储单元电子通信的通信端口。所述检视工具可为扫描电子显微镜。所述参考文件可为(例如)所述晶片的设计文件或检查图像。所述晶片的所述图像可不含有具有3μm到50μm的大小的缺陷。
图像产生系统可经配置以使用电子束、宽带等离子体或激光中的至少一者来产生所述晶片的所述图像。
控制器可进一步经配置以对晶片的图像应用抗扭斜变换。控制器还可进一步经配置以验证来自检视工具的晶片的图像与设计文件在应用抗扭斜变换之后保持对准。
在第二实施例中，提供一种方法。所述方法包含将晶片装载于检视工具的载物台上；从所述检视工具接收具有一或多个对准位点的所述晶片的图像；在控制器处接收对应于所述晶片的设计文件；标记所述晶片上的至少一个裸片隅角；使用所述控制器比较所述设计文件的所述一或多个对准位点与来自所述检视工具的所述图像的所述一或多个对准位点；及基于所述一或多个对准位点，使用所述控制器产生对应于所述晶片的所述图像的抗扭斜变换。所述设计文件具有一或多个对准位点。来自所述检视工具的所述晶片的所述图像可为扫描电子显微镜图像。所述晶片的所述图像可不含有具有3μm到50μm 的大小的缺陷。
所述方法可进一步包括使用控制器对图像应用抗扭斜变换。所述方法可进一步包括使用控制器验证来自检视工具的晶片的图像与设计文件在应用抗扭斜变换之后保持对准。
在第三实施例中，提供一种方法。所述方法包括将晶片装载于检视工具的载物台上；从所述检视工具接收所述晶片的图像；在控制器处接收对应于所述晶片的检查图像；标记所述晶片上的至少一个裸片隅角；使用所述控制器比较所述检查图像的对准位点与来自所述检视工具的所述图像的对准位点；及基于所述一或多个对准位点，使用所述控制器产生对应于所述晶片的所述图像的抗扭斜变换。来自所述检视工具的所述晶片的所述图像可为扫描电子显微镜图像。所述晶片的所述图像可不含有具有3μm到50μm的大小的缺陷。
所述方法可进一步包括使用控制器将抗扭斜变换应用于晶片的图像。所述方法还可进一步包括使用控制器验证来自检视工具的晶片的图像与检查图像在应用抗扭斜变换之后保持对准。所述方法还可进一步包含手动标记来自检视工具的晶片的图像上的至少一个抗扭斜位点，及基于所标记的抗扭斜位点计算检查图像与来自检视工具的图像之间的偏移。
附图说明
为更全面地理解本发明的性质及目的，应参考结合随附图式的以下详细描述，其中：
图1是根据本发明的缺陷检视工具的方块图；
图2是展示偏移的不具有抗扭斜的实例；
图3是在缺陷位置处具有手动抗扭斜的图2的实例；
图4是使用根据本发明的实施例的在对准位点处具有自动抗扭斜的图2的实例；
图5展示使用第一对准位点的示范性结果；
图6展示使用第二对准位点的示范性结果；
图7展示使用图5及6的第一对准位点及第二对准位点的示范性结果；
图8展示设计片段中的示范性对准；
图9展示图8的对准位点的示范性SEM图像；
图10是根据本发明的第一实施例的流程图；
图11是根据本发明的第二实施例的流程图；及
图12说明示范性抗扭斜变换。
具体实施方式
尽管将根据某些实施例描述所主张的主题，但包含不提供本文中所阐述的所有益处及特征的实施例的其它实施例也在本发明的范畴内。在不背离本发明的范畴的情况下，可做出各种结构、逻辑、程序步骤及电子改变。据此，本发明的范畴仅通过参考随附权利要求书来界定。
本文所揭示的实施例执行用于图像检视(例如SEM检视)的抗扭斜。抗扭斜对准检查与检视坐标系，以降低在SEM工具上检视期间出现的缺陷位置精度(DLA)。可使用参考文件(例如设计文件或检查图像)来自动进行抗扭斜。
本文所揭示的抗扭斜技术的实施例避免了现有技术的缺点。首先，可通过使晶片的图像与检查图像或设计文件对准来计算偏移。此可减少缺陷检测算法的使用，所述算法已导致自动抗扭斜校正失效。可能仅需要晶片的单个图像，这将降低复杂性并提高可靠性。这些技术不需要缺陷来起作用，这将增加适用性。尽管自动抗扭斜依赖于真实缺陷，但这些技术可使用独有位点，独有位点不必总为缺陷。可更容易地跨晶片发现独有位点。
图1是根据本发明的缺陷检视工具100的框图。缺陷检视工具100包含经配置以固持晶片103或其它工件的载物台104。载物台104可经配置以在一个、两个或三个轴上移动或旋转。
缺陷检视工具100还包含经配置以产生晶片103的表面的图像的图像产生系统101。图像可针对晶片103的特定层。在此实例中，图像产生系统101产生电子束102以产生晶片103的图像。其它图像产生系统101是可行的，例如使用宽带等离子体或激光扫描的图像产生系统。
如本文中所使用，术语“晶片”通常指由半导体或非半导体材料形成的基板。此类半导体或非半导体材料的实例包含(但不限于)：单晶硅、氮化镓、砷化镓、磷化铟、蓝宝石及玻璃。通常可在半导体制造设施中找到及/或处理此类基板。
晶片可包含在基板上形成的一或多个层。例如，此类层可包含(但不限于)：光阻剂、介电材料、导电材料及半导体材料。此项技术中已知诸多不同类型的此类层，且如本文中所使用的术语晶片希望涵盖包含所有类型的此类层的晶片。
在晶片上形成的一或多个层可为经图案化的或未经图案化的。例如，晶片可包含多个裸片，各裸片具有可重复图案化的特征或周期性结构。此类材料层的形成及处理可最终产生完整装置。可在晶片上形成诸多不同类型的装置，且如本文所使用的术语晶片希望涵盖在其上制造此项技术中已知的任何类型的装置的晶片。
在特定实例中，缺陷检视工具100是扫描电子显微镜(SEM)的部分或是扫描电子显微镜(SEM)。通过用聚焦电子束102扫描晶片103来产生晶片103的图像。使用电子产生含有关于晶片103的表面形貌及组成的信息的信号。可在光栅扫描图案中扫描电子束 102，且电子束102的位置可与所检测信号组合以产生图像。
缺陷检视工具100与控制器105通信。例如，控制器105可与图像产生系统101或缺陷检视工具100的其它组件通信。控制器105可包含处理器106、与处理器106电子通信的电子数据存储单元107及与处理器106电子通信的通信端口108。应了解，在实践中可通过硬件、软件及固件的任何组合来实施控制器105。此外，本文中所描述的其功能可由一个单元执行，或者在不同组件当中划分，不同组件中的每一者可继而通过硬件、软件及固件的任何组合来实施。用于控制器105实施本文中所描述的各种方法及功能的程序代码或指令可存储在控制器可读存储媒体(例如，电子数据存储单元107中的存储器)中、在控制器105内、在控制器105外部或其组合。
控制器105可以任何适合方式(例如，经由一或多个传输媒体，其可包含“有线”及/或“无线”传输媒体)耦合到缺陷检视工具100的组件，使得控制器105可接收由缺陷检视工具100产生的输出，例如，来自成像装置101的输出。控制器105可经配置以使用输出执行数个功能。例如，控制器105可经配置以使用输出检视晶片103上的缺陷。在另一个实例中，控制器105可经配置以将输出发送到电子数据存储单元107或另一个存储媒体，而不对输出执行缺陷检视。控制器105可进一步如本文中所描述般进行配置。
本文描述的控制器105、其它(若干)系统或其它(若干)子系统可采用各种形式，其包含个人计算机系统、图像计算机、大型计算机系统、工作站、网络设备、因特网设备或其它装置。一般来说，术语“控制器”可被广义地定义以涵盖具有执行来自存储器媒体的指令的一或多个处理器的任何装置。(若干)子系统或(若干)系统还可包含此项技术中已知的任何适合处理器，例如并行处理器。另外，(若干)子系统或(若干)系统可包含具有高速处理及软件的平台以作为独立或联网的工具。
如果系统包含一个以上子系统，那么不同子系统可彼此耦合使得可在子系统之间发送图像、数据、信息、指令等等。例如，一个子系统可通过任何适合的传输媒体耦合至额外(若干)子系统，传输媒体可包含此项技术中已知的任何适合的有线及/或无线传输媒体。两个或更多个此类子系统还可通过共享计算机可读存储媒体(图中未展示)有效地耦合。
额外实施例涉及一种存储可在控制器上执行的程序指令的非暂时性计算机可读媒体，所述控制器用于执行识别晶片上的异常或检测顺应性/非顺应性的计算机实施方法，如本文所揭示。特定来说，如图1中所展示，电子数据存储单元107或其它存储媒体可含有非暂时性计算机可读媒体，其包含在控制器105上可执行的程序指令。计算机实施的方法可包含本文中所描述的任何(若干)方法的任何(若干)步骤。
实施例如本文中所描述的方法的程序指令可存储在计算机可读媒体上，例如存储在电子数据存储单元107或其它存储媒体中。计算机可读媒体可为存储媒体，例如磁盘或光盘、磁带或此项技术已知的任何其它适合的非暂时性计算机可读媒体。
可依各种方式中的任一种实施程序指令，其包含基于程序的技术、基于组件的技术及/或面向对象的技术等等。例如，可根据需要使用ActiveX控制件、C++对象、JavaBeans、微软基础类(“MFC”)、SSE(串流SIMD扩展)，或其它技术或方法来实施程序指令。
可根据本文中所描述的实施例中的任一者来配置控制器105。例如，控制器105可经编程以执行图10或图11的一些或全部步骤。在一个例子中，控制器经配置以：从检视工具接收晶片的图像；识别所述图像中的一或多个对准位点；从电子数据存储单元接收对应于来自检视工具的晶片的图像的参考文件；将晶片的参考文件与来自检视工具的晶片的图像对准(例如，标记晶片上的至少一个裸片隅角)；比较参考文件中的一或多个对准位点与来自检视工具的图像中的一或多个对准位点；及基于所述一或多个对准位点产生对应于晶片的图像的抗扭斜变换。电子数据存储单元可含有一或多个参考文件，例如设计文件或检查图像。
虽然本文中所描述的控制器105被揭示为程序控制系统的部分，但其可经配置以与检查系统一起使用。在另一个实施例中，本文中所描述的控制器105可经配置以与计量系统一起使用。因此，如本文所揭示的实施例描述用于分类的一些配置，所述配置可通过数种方式针对具有不同成像能力的系统来定制，所述系统或多或少适合于不同应用。
图10是使用设计片段产生抗扭斜变换的第一实施例的流程图。设计片段是含有装置的物理布局的设计文件的部分。例如，针对示范性设计片段及对应SEM图像，参见图8及9。
就高级检查工具上的检查扫描来说，使用特定识别的对准目标或跨图案的参考结构来使设计文件或物理布局文件与晶片紧密对准。这些对准位点或参考结构可被手动标记或自动识别。每一晶片或每一裸片可存在一或多个对准位点或参考结构。就此类检查来说，晶片及设计彼此紧密对准。因此，能够高精度地针对检查坐标系中的位置提取设计片段。
在方法200中，将晶片装载201于检视工具的载物台上。检视工具可为(例如)缺陷检视工具100。在一个例子中，检视工具可为SEM。可接收来自检视工具的具有一或多个对准位点的晶片的图像。控制器可接收对应于具有一或多个对准位点的晶片的设计文件。
通过标记裸片隅角来将设计文件与来自检视工具的图像对准202。例如，检查工具可将设计文件与检查坐标系对准。标记至少一个裸片隅角可提供图像与设计文件之间的粗略初始对准。可使用此技术俘获独有位点的检查坐标位置处的设计片段。裸片隅角可由用户手动标记或者使用裸片隅角图像或来自检查工具的任何其它独有位点图像作为参考来自动标记。
在标记裸片隅角之后，还可执行额外的粗略对准步骤。例如，可使用图像对准算法对准设计文件与图像或者由用户手动对准。
比较203设计文件的对准位点与图像的对准位点。设计文件及图像可使用相同坐标系。设计文件中的对准位点可自动地(例如，使用图像对准算法或另一种技术)或者在用户在设计文件与图像之间标记公共点时手动地与对准位点的图像相关联。
产生204设计文件的对准位点的坐标及来自检视工具的图像的对准位点的坐标的抗扭斜变换。可通过将设计片段与跨晶片的独有对准位点或其它参考结构相关联来计算抗扭斜偏移，其中在检视工具中，在所述独有位点的检查坐标处抓取图像。可在不依赖于真实缺陷的情况下产生抗扭斜变换。因此，无缺陷装置或特征可用于抗扭斜。在一个实例中，晶片的图像可不含有具有3μm到50μm的大小的任何缺陷。这些缺陷可为可见缺陷或为能够使用(例如)缺陷检视工具(例如SEM)找到的其它缺陷。
抗扭斜变换可为检视与检查坐标系之间的晶片级转换变换，其并入对检视与检查坐标系之间的平移、旋转、按比例调整及/或非正交偏移的校正。图12说明示范性抗扭斜变换。mx及my表示按比例调整，θ的函数表示旋转，ψ的函数表示非正交，且xt及yt表示平移。
可手动选择、基于检查哪些区域来选择及/或使用算法选择独有位点。独有位点可为装置组件。在一个实例中，独有位点可为在裸片与倍缩光罩之间交叉的划线或道。在另一个实例中，独有位点可为静态随机存取存储器(SRAM)单元隅角。独有位点可具有3μm 到50μm的大小，包含其间精确到1μm的所有的所有值及范围，但其它大小或尺寸是可行的。
为计算抗扭斜偏移，可使用一或多个独有对准位点或参考结构。此等对准位点或参考结构可相同于或不同于用于晶片与检查工具上的设计之间的对准的对准位点或参考结构。
可使用设计片段与检视图像的自动或手动关联来执行抗扭斜偏移计算。
可(例如)使用控制器将抗扭斜变换应用于图像。接着，控制器可验证来自检视工具的晶片的图像与设计文件对准或保持对准。
可自动执行图10的抗扭斜变换。
概念验证实验是通过使用检查工具上用于晶片与设计对准的单个及多个对准位点来计算抗扭斜偏移来进行。这些对准位点被检查工具上的算法自动识别为用于对准的独有位点。在检查工具上设置检查配方且进行扫描。算法自动找到独有对准位点，且在扫描期间使用这些对准位点自动对准晶片与设计。提取检查期间所使用的独有对准位点处的设计片段。新增独有对准位点以作为检查结果的额外缺陷。将检查结果及晶片装载到 SEM工具中。针对三种不同情况进行检视，如图2到4中所说明。这些情况是没有抗扭斜(图2)、手动抗扭斜(图3)及自动抗扭斜(图4)。没有抗扭斜(图2)展示偏移。自动抗扭斜使用图10中所说明的方法来将对准位点处的设计片段与对应SEM图像相关联。产生缺陷的散点图，且比较结果。
图2是不具有任何抗扭斜步骤的作业运行的散点图。由于此处不进行抗扭斜校正，因此在散点图中缺陷位置偏移。图3是具有手动抗扭斜的作业运行的散点图。在手动抗扭斜期间，通过用户手动标记真实缺陷来校正检查与检视坐标系之间的偏移。此为习知方法。图4是使用抗扭斜变换的作业运行的散点图，所述抗扭斜变换是通过将独有位点 SEM图像与图10中所揭示的设计文件对准而自动计算的偏移产生的。此散点图类似于手动抗扭斜的散点图。因此，本文中所揭示的技术被验证为与手动抗扭斜一样有效，但更快。与手动抗扭斜不同，本文中所揭示的技术不需要存在缺陷。
为核查重复性，对另一个对准位点重复实验，且一起使用两个对准位点。在所有情况中，移除不具有抗扭斜的偏移。结果示于图5到7。使用多个对准位点可改进结果，但单个对准位点可足以用于抗扭斜变换。
图11是使用检视图像与光学图像对准来产生抗扭斜的第二实施例的流程图。可通过将在检查工具上抓取的检查图像与在检视工具上跨晶片的相同位置处抓取的图像对准来计算抗扭斜偏移。为此方法选择的位点可为如图10的实施例中所选择的一或多个独有对准位点或参考结构。
就图11的实施例来说，提供一或多个对准位点、至少一个裸片隅角位置及用于针对抗扭斜偏移计算所选择的位置的至少一个光学图像。例如，对准位点、裸片隅角位置及光学图像由检查工具产生或提供。
在方法300中，将晶片装载301于检视工具的载物台上。检视工具可为(例如)缺陷检视工具100。在一个例子中，检视工具可为SEM。可接收来自检视工具的晶片的图像。控制器可接收对应于晶片的检查图像。
将晶片上的至少一个裸片隅角标记为302。在一个实例中，自动标记裸片隅角。被标记的裸片隅角使检视工具的坐标系与检查工具能够对准。例如，可首先在检查工具上标记裸片隅角。然后可在检视工具上标记相同裸片隅角。裸片隅角可手动标记，或者可使用裸片隅角图像或来自检查工具的其它独有位点图像作为参考来自动标记。
可进行检查图像与检视图像的初始对准以(例如，在步骤302中)初步标记至少一个裸片隅角，或可将所述初始对准用于在抗扭斜变换计算中计算检查图像与检视图像之间的偏移。例如，检查对准位点可用于图案匹配。
就图10的实施例来说，可执行除标记裸片隅角之外的额外粗略对准技术。
将检查图像的对准位点与来自检视工具的图像的对准位点进行比较303。图像可使用相同坐标系。可使用图案匹配算法自动比较或由用户手动比较检查图像与对准位点处的检视图像。此比较的输出将为跨晶片的检查图像与检视图像之间的偏移，其可用于抗扭斜变换计算。
产生检查图像的对准位点的坐标及来自检视工具的图像的对准位点的坐标的抗扭斜变换304。可通过将检查图像与独有对准位点或跨晶片的其它参考结构相关联来计算抗扭斜偏移，其中在检视工具中，在针对检查位点的检查坐标处抓取图像。例如，参见图12。可在不依赖于真实缺陷的情况下产生抗扭斜变换。因此，无缺陷装置或特征可用于抗扭斜。在一个实例中，晶片的图像可不含有具有3μm到50μm的大小的缺陷。这些缺陷可为可见缺陷或为能够使用(例如)缺陷检视工具(例如SEM)找到的其它缺陷。
可(例如)使用控制器将抗扭斜变换应用于检视图像。接着，控制器可验证来自检视工具的晶片的图像与设计文件对准或保持对准。
如果自动图案匹配失效，那么用户可手动标记抗扭斜位点以用于手动计算偏移。可确定抗扭斜变换未将检查图像与来自检视工具的图像对准。已手动标记至少一个抗扭斜位点。接着，计算检查图像与来自检视工具的图像之间的偏移。
可自动执行图11的抗扭斜变换。
就图10及11的实施例来说，可评估抗扭斜变换的成功。例如，可针对抗扭斜变换定义表示抗扭斜变换的收敛的分数，其中各对准位点偏移用于抗扭斜计算。
在图10或图11的实施例中，可将晶片装载至检视工具中之后对准所述晶片。例如，可在载物台上对准晶片。
可在图10或图11的抗扭斜变换之后进行检视程序。可在抗扭斜变换之后使用检视工具检视缺陷或其它所关注位点。
在一个例子中，图10或图11的自动抗扭斜程序(其可不使用缺陷位点)可用于计算完整仿射变换。所述仿射变换可为检查与检视坐标系之间的抗扭斜变换。
可在运行图10及11的实施例之前设置检视工具。这可涉及装载检查源及晶片、对准设置、裸片隅角标记、测试参数设置及/或保存配方。
可独立于缺陷执行图10及11中所揭示的实施例。可将任何独有对准位点用于抗扭斜。对缺陷的依赖将阻止抗扭斜程序自动化，且使抗扭斜在高SNV速率检查上是不切实际的。此外，对缺陷的依赖可导致失效。设计片段或检查图像与对应检视图像(例如， SEM图像)的相关性未受相同限制，这是因为设计文件含有印刷在晶片上的图案。将独有对准位点或参考结构用于抗扭斜，这使得抗扭斜变换能够自动相关联及/或计算。此外，图10及11中所揭示的实施例比手动抗扭斜更快，且较不易发生人为失误。
可对一个或两个对应图像执行按比例调整以实质上匹配分辨率。
本文中所描述的实施例可从设置流程移除任何手动抗扭斜或偏移校正步骤。可在运行模式下的检视作业之前执行自动抗扭斜步骤。可取决于独有对准位点处的设计片段的可用性或针对抗扭斜选择的参考结构而自动选择抗扭斜方法。因此，可取决于设计片段的可用性来选择图10的实施例或图11的实施例。
可如本文中所进一步描述的那样进行所述方法的步骤中的每一者。所述方法还可包含可由本文中所描述的图像获取子系统及/或(若干)计算机子系统或(若干)系统执行的任何其它(若干)步骤。所述步骤由一或多个计算机系统执行，所述一或多个计算机系统可根据本文中所描述的实施例中的任一者来配置。另外，上述方法可由本文中所描述的系统实施例中的任一者来执行。
本文所揭示的实施例可经配置以用于来自其它样本(例如倍缩光罩)的图像的抗扭斜。例如，本文中所描述的实施例可经配置以用于遮罩检查、晶片检查或晶片计量的目的。特定来说，本文中所描述的实施例可安装在计算机节点或计算机集群上，所述计算机节点或计算机集群是输出获取子系统的组件或耦合到所述输出获取子系统，例如宽带等离子体检查工具、电子束检查工具或缺陷检视工具、遮罩检查工具、虚拟检查工具等等。以此方式，本文中所描述的实施例可产生可用于各种应用的输出，所述应用包含(但不限于)晶片检查、遮罩检查、电子束检查及检视、计量等等。可基于将产生实际输出的样本而如上文所描述的那样修改控制器。
虽然已相对于一或多个特定实施例描述本发明，但应了解，在不背离本发明的范畴的情况下，可进行本发明的其它实施例。因此，本发明被视为仅受到随附权利要求书及其合理解释的限制。

Claims (20)

1.一种用于半导体晶片检视及分析的系统，其包括：
检视工具，其中所述检视工具包含：
载物台，其经配置以固持晶片；及
图像产生系统，其经配置以产生所述晶片的图像；
电子数据存储单元，其中存储一或多个参考文件，各参考文件具有一或多个对准位点；及
控制器，其与所述检视工具电子通信，其中所述控制器经配置以：
从所述检视工具接收所述晶片的所述图像；
识别所述晶片的所述图像中的一或多个对准位点；
从所述电子数据存储单元接收对应于来自所述检视单元的所述晶片的所述图像的参考文件；
标记所述晶片上的至少一个裸片隅角；
比较所述参考文件中的一或多个对准位点与来自所述检视工具的所述图像中的一或多个对准位点；
基于所述一或多个对准位点产生对应于所述晶片的所述图像的抗扭斜变换，所述抗扭斜变换是检视坐标系与检查坐标系之间的晶片级转换变换；
将所述抗扭斜变换应用于所述晶片的所述图像；以及
通过使用用于计算所述抗扭斜变换的对准位点偏移评估所述抗扭斜变换的收敛，来验证来自所述检视工具的所述晶片的所述图像与所述参考文件在应用所述抗扭斜变换之后保持对准。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器包含处理器及与所述处理器和所述电子数据存储单元电子通信的通信端口。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述检视工具是扫描电子显微镜。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述图像产生系统经配置以使用电子束、宽带等离子体或激光中的至少一者产生所述晶片的所述图像。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述参考文件是设计文件。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述参考文件是所述晶片的检查图像。
7.根据权利要求1所述的系统，其中所述晶片的所述图像不含有具有3μm到50μm的大小的缺陷。
8.根据权利要求1所述的系统，其中所述抗扭斜变换表示按比例调整、旋转、非正交、及平移。
9.根据权利要求1所述的系统，其中所述抗扭斜变换仅基于具有小于3μm或大于50μm的大小的缺陷的装置或特征。
10.一种用于半导体晶片检视及分析的方法，其包括：
将晶片装载于检视工具的载物台上；
从所述检视工具接收具有一或多个对准位点的所述晶片的图像；
在控制器处接收对应于所述晶片的设计文件，所述设计文件具有一或多个对准位点；
标记所述晶片上的至少一个裸片隅角；
使用所述控制器比较所述设计文件的所述一或多个对准位点与来自所述检视工具的所述图像的所述一或多个对准位点；
使用所述控制器，基于所述一或多个对准位点产生对应于所述晶片的所述图像的抗扭斜变换，所述抗扭斜变换是检视坐标系与检查坐标系之间的晶片级转换变换；
使用所述控制器将所述抗扭斜变换应用于所述晶片的所述图像；以及
通过使用用于计算所述抗扭斜变换的对准位点偏移评估所述抗扭斜变换的收敛，来使用所述控制器验证来自所述检视工具的所述晶片的所述图像与所述设计文件在应用所述抗扭斜变换之后保持对准。
11.根据权利要求10所述的方法，其中来自所述检视工具的所述晶片的所述图像是扫描电子显微镜图像。
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述晶片的所述图像不含有具有3μm到50μm的大小的缺陷。
13.根据权利要求10所述的方法，其中所述抗扭斜变换表示按比例调整、旋转、非正交、及平移。
14.根据权利要求10所述的方法，其中所述抗扭斜变换仅基于具有小于3μm或大于50μm的大小的缺陷的装置或特征。
15.一种用于半导体晶片检视及分析的方法，其包括：
将晶片装载于检视工具的载物台上；
从所述检视工具接收所述晶片的图像；
在控制器处接收对应于所述晶片的检查图像；
标记所述晶片上的至少一个裸片隅角；
使用所述控制器比较所述检查图像的一或多个对准位点与来自所述检视工具的所述图像的一或多个对准位点；
使用所述控制器，基于所述一或多个对准位点产生对应于所述晶片的所述图像的抗扭斜变换，所述抗扭斜变换是检视坐标系与检查坐标系之间的晶片级转换变换；
使用所述控制器将所述抗扭斜变换应用于所述晶片的所述图像；以及
通过使用用于计算所述抗扭斜变换的对准位点偏移评估所述抗扭斜变换的收敛，来使用所述控制器验证来自所述检视工具的所述晶片的所述图像与所述检查图像在应用所述抗扭斜变换之后保持对准。
16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：
手动标记来自所述检视工具的所述晶片的所述图像上的至少一个抗扭斜位点；及
基于被标记的至少一个抗扭斜位点计算所述检查图像与来自所述检视工具的所述图像之间的偏移。
17.根据权利要求15所述的方法，其中来自所述检视工具的所述晶片的所述图像是扫描电子显微镜图像。
18.根据权利要求15所述的方法，其中所述晶片的所述图像不含有具有3μm到50μm的大小的缺陷。
19.根据权利要求15所述的方法，其中所述抗扭斜变换表示按比例调整、旋转、非正交、及平移。
20.根据权利要求15所述的方法，其中所述抗扭斜变换仅基于具有小于3μm或大于50μm的大小的缺陷的装置或特征。
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