KR102438469B1 - 코일의 활성화 및 방전을 위한 회로 장치 및 그 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 코일(140)을 활성화하고 방전하기 위한 회로 장치(100)에 관한 것이며, 상기 회로 장치는, 특히 4개의 다이오드들(D1, D2, D3, D4)을 구비한 정류기(110)와, 제1 저항기(R1)와, 반도체 스위치(150)와, 코일(140)을 포함하며, 정류기(110)는 제1 입력 단자(111) 및 제2 입력 단자(112)를 통해 AC 전압원(120)과 연결될 수 있으며, 코일(140)의 제1 단자(141)는 정류기(110)의 제1 출력 단자(115)와 연결되고 코일(140)의 제2 단자(142)는 반도체 스위치(150)를 통해 정류기(110)의 제2 출력 단자(116)와 연결되며, 반도체 스위치(150)의 제어 단자(153)는 제1 저항기(R1)를 통해 정류기(110)의 제1 출력 단자(115)와 연결되며, 코일(140)의 제2 단자(142)와 반도체 스위치(150)의 제어 단자(153) 사이에 접속되는 방전 유닛(130), 및 정류기(110)의 제2 출력 단자(116)와 반도체 스위치(150)의 제어 단자(153) 사이에 접속되는 제2 저항기(R2)가 제공된다. 또한, 본 발명은 코일(140)을 활성화하고 방전하기 위한 방법에 관한 것이다.

Description

코일의 활성화 및 방전을 위한 회로 장치 및 그 방법
본 발명은 정류기의 이용 하에 코일을 활성화(energizing)하고 방전하기 위한 회로 장치(circuit arrangement) 및 그 방법에 관한 것이다.
DC 솔레노이드들로서는, 예컨대 220/230V를 갖는 AC 전압에 부합하게 구성되어 있는 코일들 또는 자기 코일들 역시도 이용될 수 있다. 또한, 이런 경우, AC 전압에서부터 요구되는 DC 전압을 생성하기 위해, 그에 상응하게 상호 연결된 통상 4개의 다이오드들을 포함하는 정류기가 이용될 수 있다.
상기 코일들의 경우, 활성화 후에 코일 내 전류를 신속하게 소거시킬 필요가 있을 수 있으며, 다시 말해 코일을 신속하게 방전할 필요가 있을 수 있다. 이런 목적을 위해 DC 전압원을 이용할 때 보통 이용되는 억제 다이오드(suppressor diode)는 여기서는 그렇게 도움이 되지 않는데, 그 이유는 방전 전압이 일반적으로 1.4V로, 정류기 내의 다이오드들을 통해, 다시 말하면 직렬로 연결된 2개의 다이오드들을 경유한 전압 강하를 통해 제한되기 때문이다. 그 결과, 코일 내의 전류는 단지 비교적 느리게만 소멸될 수 있다.
보통 때처럼 억제 다이오드를 연결할 수 있도록 하기 위해 코일로부터 정류기, 대개는 저오옴인 정류기의 분리를 위해, 통상적인 스위칭 접점들이 이용될 수 있다. 그러나 상기 스위칭 접점들에서는 기계적 컴포넌트들로서 소정의 마모가 발생한다.
또한, 사이리스터들(Thyristor) 또는 이른바 트라이악들(Triac)도 이용될 수 있다. 상기 부품들에 의해 전류가 비록 차단될 수 있기는 하지만, 그러나 단지 제로 크로싱(zero corssing)에서만 차단될 수 있다. 이런 경우, AC 전압이 50Hz이고 오옴 부하가 이용되는 경우, 예컨대 단지 20㎳의 간격에서만 비활성화가 가능하다. 그에 따라, 유도 부하는 비활성화될 수 없는데, 그 이유는 전류의 제로 크로싱이 존재하지 않기 때문이다.
DE 196 48 899 A1호로부터는, 예컨대 코일과 정류기 사이에, AC 전압의 비활성화 시 코일에서부터 정류기 또는 이 정류기의 다이오드들을 경유하는 전류 흐름을 차단하는 전계효과 트랜지스터가 접속되어 있는 회로 장치가 공지되어 있다. 이런 경우, 그 대신, 전류는 코일에 대해 병렬로 연결된 배리스터(varistor)를 경유하여 흐른다. 대응하는 회로 장치들은 예컨대 DE 33 05 674 A1호 및 DE 101 58 318 B4호로부터 공지되어 있다.
본 발명에 따라서, 특허 독립 청구항들의 특징들을 포함하는, 코일을 활성화하고 방전하기 위한 회로 장치 및 그 방법이 제안된다. 바람직한 구현예들은 종속 청구항들 및 하기 기재내용의 대상이다.
본 발명에 따른 회로 장치는 코일을 비활성화하고 방전하기 위해 이용되며, 그리고 (예컨대 4개의) 정류 요소들, 예컨대 다이오드들을 구비한 정류기와, 제1 저항기(소자)와, 반도체 스위치, 예컨대 트랜지스터와, 코일을 포함한다. 상기 정류기의 경우, 정류 요소들은, 통상적인 방식으로, 정류기의 일측 출력 단자에, 정류기의 입력 단자들에 인가된 전압의 실제 극성과 무관하게, 항상 양의 전압이 인가되고 타측 출력 단자에는 그에 상응하게 음의 전압이 인가되는 방식으로 상호 연결될 수 있다. 이제 정류기는 제1 입력 단자 및 제2 입력 단자를 통해 AC 전압원과 연결될 수 있다. 코일의 제1 단자는 정류기의 제1 출력 단자와 연결되고 코일의 제2 단자는 반도체 스위치를 통해 정류기의 제2 출력 단자와 연결된다. 바람직하게 이용되는 MOSFET의 경우 게이트 단자(Gate terminal)인, 반도체 스위치의 제어 단자는, 이제, 제1 저항기를 통해 정류기의 제1 출력 단자와 연결된다. 이런 방식으로, 트랜지스터의 제어 단자에는, 코일의 활성화 시, 그에 상응하게 전압이 인가될 수 있으며, 그럼으로써 트랜지스터는 전도성으로 접속되게 되며, 이는 본원의 회로 장치를 이용한 코일의 활성화를 위해 필요하다.
또한, 이제는, 코일의 제2 단자와 반도체 스위치의 제어 단자 사이에 접속되는 방전 유닛, 및 정류기의 제2 출력 단자와 반도체 스위치의 제어 단자 사이에 접속되는 제2 저항기(소자)가 제공된다. 이제 전압원이 정류기로부터 분리된다면, 우선, 제어 단자 및 제1 저항기를 통한 반도체 스위치의 제어는 생략된다. 그에 따라, 반도체 스위치는 우선 더 이상 지속적으로 저오옴으로 활성화될 수 없다. 코일에서는, 초기 전압(original voltage)에 상반되는 유도 전압[자기 전압(self-voltage)]이 형성된다. 이런 경우, 반도체 스위치의 임계 전압 및 선택된 부하 유닛에 상응하게, 코일의 제2 단자에서 전위가 설정된다. 또한, 그에 상응하게, 제2 저항기에서, 그리고 그에 따라 반도체 스위치의 제어 단자에서 전압이 설정된다. 그에 따라, 반도체 스위치는 다시 전도성이 되지만, 그러나 정류기를 통한 전압 공급의 경우에 해당되는 것과 같은 정도의 저오옴으로는 전도성이 되지 않는다. 오히려 반도체 스위치를 통해 소거 전압이 설정된다. 그에 따라, 상기 전압 강하 동안 코일 내에 저장된 에너지가 소멸되게 하는 반도체 스위치를 통해 소거 전류가 흐른다. 그에 따라, 코일 내에 저장된 에너지는 대부분, 특히 90%보다 많이, 또는 99%보다 많이 소멸될 수 있다. 그에 따라 상기 반도체 스위치는 여타의 경우 통상적인 억제 다이오드의 임무를 담당 수행한다.
바람직하게 방전 유닛은, 코일의 제2 단자에서부터 반도체 스위치의 제어 단자의 방향으로 향하는 차단 방향을 갖는 하나 이상의 제1 제너 다이오드(Zener diode)를 포함한다. 이 경우, 하나 이상의 제1 제너 다이오드에 대해 직렬로 연결되는 적합한 저항기(소자) 역시도 생각해볼 수 있다. 이런 방식으로, 반도체 스위치에서 감소하는 전압이 바로 하나 이상의 제1 제너 다이오드의 항복 전압으로 조정되는 점이 달성될 수 있다. 또한, 이런 점에 한해, 적합하게는, 하나 이상의 제1 제너 다이오드의 항복 전압은, 반도체 스위치에서 감소하거나, 또는 특히 반도체 스위치를 위해 허용되는 기설정 전압보다 더 낮다. 비록 단일의 제1 제너 다이오드의 이용이 가능할지라도, 특히 비용의 이유에서, 복수의 (직렬로 연결된) 제1 제너 다이오드들 역시도 이용될 수 있다. 이런 경우, 개별 제1 제너 다이오드들의 항복 전압은 가산된다. 예컨대 하나의 MOSFET를 위해 허용 드레인-소스 전압이 500V인 경우, 각각 100V의 항복 전압, 다시 말해 총 400V의 항복 전압을 갖는 4개의 제1 제너 다이오드들을 생각해볼 수 있다.
또 다른 가능성으로서, 바람직하게는, 방전 유닛은 하나 이상의 제3 저항기(소자)를 포함한다. 이런 경우에, 제어 단자에 인가된 전압은 제2 저항기의 저항값 대 제3 저항기의 저항값의 비율을 통해 결정될 수 있다. 여기서 제3 저항기에 대한 저항값으로서는 예컨대 수 메가 오옴이 고려된다.
여전히 또 다른 가능성으로서, 바람직하게는, 방전 유닛은, 제4 저항기(소자)와; 코일의 제2 단자에서부터 반도체 스위치의 제어 단자의 방향으로 향하는 순방향을 갖는 다이오드를; 구비한 직렬 회로를 포함하며, 그 밖에도 제4 저항기와 다이오드 사이에 위치되는 단자와, 정류기의 제2 출력 단자 사이에 접속되는 제5 저항기(소자)도 제공된다. 이런 방식으로, 코일의 전류는 정류기로부터 AC 전압원의 분리 후에 (방전 유닛의 부분으로서의) 제4 저항기를 통해서뿐만 아니라 제5 저항기를 통해서도, 그리고 그 외에 제2 저항기를 통해서도 흐른다. 그에 따라 제어 단자에 인가되는 전압은 결정적으로 제5 저항기의 값 대 제4 저항기의 값의 비율을 통해 결정된다. 또한, 다이오드를 통해, 코일의 활성화 동안 전류가 제5 저항기를 경유하여 흐르는 점은 방지될 수 있다.
또한, 바람직하게, 본원의 회로 장치는, 정류기의 제2 출력 단자와 반도체 스위치의 제어 단자 사이에 접속되는 커패시터도 포함한다. 그에 따라, 커패시터는 제2 저항기에 대해 특히 병렬이다. 상기 커패시터를 통해, 코일의 활성화 동안 반도체 스위치의 제어 단자에 인가되는 전압은 평활화될 수 있으며, 이런 전압은 정류기를 통해 일반적으로 단지 반 사인파(half sinus wave)의 형태로만 존재한다. 또한, 그에 따라, 제어 단자로의 전압의 지속적인 공급도 보장된다.
바람직하게는, 본원의 회로 장치는, 그 밖에도, 순방향에서 정류기의 제2 출력 단자와 반도체 스위치의 제어 단자 사이에 접속되는 제2 제너 다이오드도 포함한다. 그에 따라, 제2 제너 다이오드는 제2 저항기에 대해 특히 병렬이다. 상기 제2 제너 다이오드를 통해, 코일의 활성화 동안 반도체 스위치의 제어 단자에 인가된 전압은 제한될 수 있다. 상기 제2 제너 다이오드를 위한 항복 전압으로서는 예컨대 10V의 값이 고려된다.
바람직하게 정류기의 제1 출력 단자는 양극 단자로서 형성되고, 정류기의 제2 출력 단자는 음극 단자로서 형성된다. 그 대안으로, 정류기의 제1 출력 단자는 음극 단자로서 형성될 수 있고 정류기의 제2 출력 단자는 양극 단자로서 형성될 수 있다. 이런 경우, 본원의 회로 장치의 나머지 부품들의 단자들은 그에 상응하게 구성될 수 있다. 제1 변형예의 경우, 반도체 스위치로서는 특히 N-채널 MOSFET가 이용될 수 있으며, 제2 변형예의 경우에서는 P-채널 MOSFET가 이용될 수 있다.
코일은 바람직하게는 솔레노이드밸브의 부분으로서 형성될 수 있다. 바로 솔레노이드밸브들의 경우, 신속한 스위칭 과정들을 실행할 수 있도록 하기 위해, 보통 코일의 신속한 방전이 의도된다.
본 발명에 따른 방법은 코일을 활성화하고 방전하기 위해 이용되며, 그리고 이와 동시에 본 발명에 따른 회로를 이용한다. 이 경우, 코일을 활성화하기 위해 정류기는 제1 입력 단자 및 제2 입력 단자를 통해 AC 전압원과 연결된다. 이런 경우, 코일을 방전하기 위해 정류기의 제1 입력 단자 및/또는 제2 입력 단자는 AC 전압원으로부터 분리된다. 바람직하게는, 코일의 활성화 및 방전은, 자신의 일부분으로서 코일이 형성되어 있는 솔레노이드밸브의 작동 동안 실행된다.
본 발명에 따른 방법의 장점들과 관련하여서는, 반복 설명을 피하기 위해, 본 발명에 따른 회로 장치에 대해 전술한 상술내용이 참조된다.
본 발명의 또 다른 장점들 및 구현예들은 본원의 명세서 및 첨부한 도면에서 분명하게 제시된다.
본 발명은 실시예들에 따라서 도면에 개략적으로 도시되어 있으며, 그리고 하기에서 도면을 참조하여 기술된다.
도 1은 바람직한 실시형태의 본 발명에 따른 회로 장치를 도시한 개략도이다.
도 2는 또 다른 바람직한 실시형태의 본 발명에 따른 회로 장치를 도시한 개략도이다.
도 3은 또 다른 바람직한 실시형태의 본 발명에 따른 회로 장치를 도시한 개략도이다.
도 4는 본 발명에 따르지 않는 방법과 비교하여 바람직한 실시형태의 본 발명에 따른 방법의 적용 시 전류 특성곡선을 개략적으로 나타낸 그래프이다.
도 1에는, 바람직한 실시형태의 본 발명에 따른 회로 장치가 개략적으로 도시되어 있다. 회로 장치(100)는, 제1 입력 단자(111) 및 제2 입력 단자(112)를 통해 AC 전압원(120)과 연결될 수 있고 여기서 마찬가지로 연결되어 있는 정류기(110)를 포함한다. AC 전압원은 여기서는 예시로서 스위칭 요소(121)에 의해 정류기(110)로부터 분리될 수 있다. AC 전압원(120)은 예컨대 230V의 전압을 공급할 수 있다.
정류기(110)는, 이제, 예시로서 정류기(110)의 제1 출력 단자(115)에 항상 양의 전압이 인가되고, 이와 반대로 정류기(110)의 제2 출력 단자(116)에는 항상 음의 전압이 인가되는 방식으로 배치되는 4개의 다이오드들(D1, D2, D3 및 D4)을 포함한다.
또한, 회로 장치(100)는, 제1 단자(141)를 통해 정류기(110)의 제1 출력 단자(115)와 연결되어 있는 코일(140)을 포함한다. 코일(140)은 제2 단자(142)를 통해 반도체 스위치(150)와 연결되어 있으며, 이런 경우 반도체 스위치(150)는 정류기(110)의 제2 출력 단자(116)와 연결된다. 따라서, 달리 말하면, 코일(140)의 제2 단자(142)는 반도체 스위치(150)를 통해 정류기(110)의 제2 출력 단자(116)와 연결된다.
반도체 스위치(150)는 여기서 예시로서 여기서 게이트 단자로서 형성된 제어 단자(153)를 포함하는 자기 차단식(self-locking) N-채널 MOSFET이다. 반도체 스위치(150)의 제어 단자(153)는 이제 제1 저항기(R1)를 통해 정류기(110)의 제1 출력 단자(115)와 연결된다.
또한, 회로 장치(100)는 제2 저항기(R2), 제2 제너 다이오드(Z2) 및 커패시터(C)를 포함하며, 상기 부품들 모두는 각각 정류기(100)의 제2 출력 단자(116)와, 그리고 반도체 스위치(150)의 제어 단자(153)와 연결된다. 그에 따라, 상기 부품들은 상호 간에 병렬로도 연결된다. 이 경우, 제2 제너 다이오드(Z2)는, 정류기(110)의 제2 출력 단자(116)에서부터 반도체 스위치(150)의 제어 단자(153)의 방향으로 향하는 순방향이 존재하는 방식으로 연결된다. 그에 상응하게 그 반대로는 제2 제너 다이오드(Z2)의 차단 방향으로 거동이 이루어진다.
또한, 이제는, 코일(140)의 제2 단자(142)와 반도체 스위치(150)의 제어 단자(153) 사이에 접속되는 방전 유닛(130)도 제공된다. 여기서 도시된 실시형태에서, 방전 유닛(130)은 직렬로 연결되는 4개의 제1 제너 다이오드들(Z11, Z12, Z13 및 Z14)과, 그 밖에도 그에 대해 직렬로 연결되는 하나의 저항기(R6)를 포함한다. 여기서 제너 다이오드들의 차단 방향은 코일(140)의 제2 단자(142)에서부터 반도체 스위치(150)의 제어 단자(153)의 방향으로 존재한다.
이제 회로 장치(100)가 코일(140)을 활성화하기 위해 이용된다면, 스위치(121)는 폐쇄될 수 있다. 이 경우, 정류기(110)의 제1 출력 단자(115)를 통해, 전압은 반도체 스위치(150)의 제어 단자(153)에 인가되거나, 또는 제어 단자(153)와, 여기서 반도체 스위치(150)의 정류기 측 단자인 반도체 스위치(150)의 소스 단자 사이에 인가된다. 그에 따라, 반도체 스위치(150)는 전도성이 되며, 그리고 전류가 코일(140)을 통해 흐를 수 있다.
이 경우, 커패시터(C)는 지속적으로 전압이 제어 단자(153)에 인가되게 하는데, 그 이유는 정류기(110)의 제1 출력 단자(115)에서 공급되는 전압이 일반적으로 단지 양의 반 사인파의 형태로만 존재하기 때문이다. 이와 반대로, 제2 제너 다이오드(Z2)는 제어 단자(153)에서 전압 제한을 제공한다. 이를 위해, 제2 제너 다이오드(Z2)의 항복 전압은 예컨대 10V일 수 있다.
이제 AC 전압원(120)이 스위칭 요소(121)를 개방하는 것을 통해 정류기(110)로부터 분리된다면, 우선 커패시터(C)는 제2 저항기(R2)를 통해 방전된다. 그에 따라, 반도체 스위치(150)는 고오옴이 되며, 그리고 반도체 스위치(150)의 드레인 단자에서, 여기서는 반도체 스위치(150)의 코일 측 단자에서 유도 전압은 곧바로 가파르게 상승하기 시작한다.
이제 상기 전압이 4개의 제1 제너 다이오드들(Z11, Z12, Z13 및 Z14)의 항복 전압 및 반도체 스위치의 임계 전압보다 더 높은 값에 도달하면, 그 즉시 반도체 스위치(150)의 제어 단자(153)는 전압을 공급받게 된다. 그에 따라, 반도체 스위치는 다시 전도성이 되게 되고, 반도체 스위치를 경유하여 감소하는 전압, 다시 말해 소스-드레인 전압은 제1 제너 다이오드들의 항복 전압의 값으로 조정된다. 그에 따라 소거 전류는 반도체 스위치를 경유하여 흐른다.
이 경우, 상기 전압은, 기설정 또는 허용 소스-드레인 전압이 상회되지 않도록 설정되어야 한다. 예컨대 500V MOSFET가 반도체 스위치로서 이용된다면, 값은 400V일 수 있다. 또한, 제1 제너 다이오드들의 체인은 단일의 제너 다이오드를 통해 대체될 수 있다. 그러나 비용에 더 효과적인 경우는 일반적으로 복수의 100V 제너 다이오드들로 이루어진 직렬 회로이다.
도입부에 이미 언급한 것처럼, 회로 장치(100)와 특히 정류기(110)의 극성은, 예컨대 반도체 스위치(150)로서 P-채널 MOSFET의 이용 및 나머지 부품들의 상응하게 매칭 하에, 반전될 수도 있다.
도 2에는, 또 다른 바람직한 실시형태의 본 발명에 따른 회로 장치가 개략적으로 도시되어 있다. 회로 장치(200)는 실질적으로 회로 장치(100)에 상응하며, 그런 까닭에 이에 대해서는 그에 해당하는 기재내용이 참조된다. 이 경우, 동일한 요소들에는 동일한 도면부호들이 부여된다.
그러나 회로 장치(100)와 달리, 회로 장치(200)의 경우, 이제, 여기서는 제3 저항기(R3)를 포함하는 다른 방전 유닛(230)이 제공된다. 제3 저항기(R3)는 수 MΩ의 값을 보유할 수 있으며, 예컨대 3.3MΩ를 생각해볼 수 있다. 이런 경우, 제1 및 제2 저항기(R1 및 R2)의 값들은 예컨대 220kΩ 및 50kΩ일 수 있다.
여기서 제어 단자(153)에서의 전압은 이제 제3 및 제2 저항기(R3 및 R2)의 값들의 비율을 통해 결정된다.
도 3에는, 또 다른 바람직한 실시형태의 본 발명에 따른 회로 장치가 개략적으로 도시되어 있다. 회로 장치(300)는 실질적으로 회로 장치(100)에 상응하며, 그런 까닭에 이에 대해서는 그에 해당하는 기재내용이 참조된다. 이 경우, 동일한 요소들에는 동일한 도면부호들이 부여된다.
그러나 회로 장치(100)와 달리, 회로 장치(300)의 경우, 이제, 여기서는 제4 저항기(R4) 및 다이오드(D5)를 포함하는 다른 방전 유닛(330)이 제공된다. 이 경우, 다이오드(D5)의 순방향은 코일(140)의 제2 단자(142)에서부터 반도체 스위치(150)의 제어 단자(153)의 방향으로 존재한다.
또한, 제4 저항기(R4)와 다이오드(D5) 사이에 위치되는 단자(331)와 정류기(110)의 제2 출력 단자(116) 사이에 접속되는 제5 저항기(R5)도 제공된다.
다이오드(D5)의 이용을 통해, 이제 제5 및 제4 저항기(R5 및 R4)로 이루어진 분압기는 더 저오옴이 되지만, 그러나 그에 반해 제어 단자(153)에서는 코일의 방전 동안 전압이 공급된다.
도 4에는, 본 발명에 따르지 않은 방법과 비교하여 바람직한 실시형태의 본 발명에 따른 방법의 적용 시 전류 특성곡선이 개략적으로 도시되어 있다. 이를 위해, 전류(I)는 시간(t)에 걸쳐서 표시되어 있다.
여기서는, 우선 코일의 활성화의 시작이 확인된다. 전류는 느리게 상승한다. 이런 경우, 활성화 동안, 전류는 적어도 평균적으로 일정하게 유지된다.
또한, 방전도 도시되어 있다. 이 경우, I1에 의해서는, 본 발명에 따른 회로 장치를 이용하지 않으면서, 코일이 단지 정류기의 2개의 다이오드들을 통해서만 방전될 때 발생하는 것과 같은 특성곡선이 도시되어 있다. 여기서 전류는 비교적 느리게 감소한다.
I2에 의해서는, 이제, 예컨대 도 1 내지 도 3과 관련하여 기술한 것과 같은 회로 장치들 중 어느 하나를 이용할 때의 특성곡선이 도시되어 있다. 여기서는, 상응하는 회로 장치를 통해 전류가 분명하게 더 빠르게 감소하는 점이 확인되는데, 그 이유는 전류가 정류기의 다이오드들을 경유한 최대 전압 강하를 통해 제한되지 않기 때문이다.
자명한 사실로서, 특성곡선은 여기서는 단지 개략적으로만 도시되어 있으며, 그리고 정확한 특성곡선은 회로 장치의 각각의 구체적인 구성에 따라서 상이해질 수 있다.

Claims (12)

  1. 정류기(110)와, 제1 저항기(R1)와, 반도체 스위치(150)와, 코일(140)을 포함하여, 코일(140)을 활성화하고 방전하기 위한 회로 장치이며,
    정류기(110)는 제1 입력 단자(111) 및 제2 입력 단자(112)를 통해 AC 전압원(120)과 연결될 수 있으며,
    코일(140)의 제1 단자(141)는 정류기(110)의 제1 출력 단자(115)와 연결되고 코일(140)의 제2 단자(142)는 반도체 스위치(150)를 통해 정류기(110)의 제2 출력 단자(116)와 연결되며,
    반도체 스위치(150)의 제어 단자(153)는 제1 저항기(R1)를 통해 정류기(110)의 제1 출력 단자(115)와 연결되는, 상기 회로 장치에 있어서,
    상기 코일(140)의 제2 단자(142)와 상기 반도체 스위치(150)의 제어 단자(153) 사이에 접속되는 방전 유닛(330), 및
    상기 정류기(110)의 제2 출력 단자(116)와 상기 반도체 스위치(150)의 제어 단자(153) 사이에 접속되는 제2 저항기(R2)가 제공되는 것을 특징으로 하고,
    상기 방전 유닛(330)은, 제4 저항기(R4)와; 상기 코일(140)의 제2 단자(142)에서부터 상기 반도체 스위치(150)의 제어 단자(153)의 방향으로 향하는 순방향을 갖는 다이오드(D5)를; 구비하며, 그 밖에도 상기 제4 저항기(R4)와 상기 다이오드(D5) 사이에 위치된 단자(331)와 상기 정류기(110)의 제2 출력 단자(116) 사이에 접속되는 제5 저항기(R5)도; 구비한 직렬 회로를 포함하는, 회로 장치.
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  6. 제1항에 있어서, 상기 정류기(110)의 제2 출력 단자(116)와 상기 반도체 스위치(150)의 제어 단자(153) 사이에 접속되는 커패시터(C)를 추가로 포함하는, 회로 장치.
  7. 제1항에 있어서, 순방향에서 상기 정류기(110)의 제2 출력 단자(116)와 상기 반도체 스위치(150)의 제어 단자(153) 사이에 접속되는 제2 제너 다이오드(Z2)를 추가로 포함하는, 회로 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 반도체 스위치(150)는 MOSFET로서 형성되는, 회로 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 정류기(110)의 제1 출력 단자(115)는 양극 단자로서 형성되고 상기 정류기(110)의 제2 출력 단자(116)는 음극 단자로서 형성되거나, 또는 상기 정류기의 제1 출력 단자는 음극 단자로서 형성되고 상기 정류기의 제2 출력 단자는 양극 단자로서 형성되는, 회로 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 코일(140)은 솔레노이드밸브의 부분으로서 형성되는, 회로 장치.
  11. 제1항에 따르는 회로 장치의 이용 하에 코일(140)을 활성화하고 방전하기 위한 코일의 활성화 및 방전하는 방법에 있어서,
    상기 코일(140)을 활성화하기 위해 정류기(110)는 제1 입력 단자(111) 및 제2 입력 단자(112)를 통해 AC 전압원(120)과 연결되며, 그리고
    상기 코일(140)을 방전하기 위해 상기 정류기(110)의 제1 입력 단자(111) 및/또는 제2 입력 단자(112)는 상기 AC 전압원(120)으로부터 분리되는, 코일의 활성화 및 방전하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 코일(140)의 활성화 및 방전은, 솔레노이드밸브의 부분으로서 상기 코일(140)이 형성되어 있는 상기 솔레노이드밸브의 작동 동안 실행되는, 코일의 활성화 및 방전하는 방법.
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