KR102430188B1

KR102430188B1 - Sheet, tape and method of manufacturing semiconductor apparatus

Info

Publication number: KR102430188B1
Application number: KR1020170148641A
Authority: KR
Inventors: 류이치 기무라; 고지 시가; 나오히데 다카모토
Original assignee: 닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2016-11-14
Filing date: 2017-11-09
Publication date: 2022-08-08
Also published as: KR20180054462A; SG10201708895QA; TWI750246B; TW201833270A; CN108091604A; JP2018081953A; JP6812212B2; CN108091604B

Abstract

본 개시는, 경화 처리의 유무에 관계 없이 내구성이 우수한 마크를 부여하는 것이 가능한 시트를 제공한다.
본 개시의 시트는, 기재층 및 기재층 상에 위치하는 점착제층을 포함하는 다이싱 필름을 포함한다. 본 개시의 시트는, 점착제층 상에 위치하는 반도체 이면 보호 필름을 더 포함한다. 본 개시의 시트에 있어서, 반도체 이면 보호 필름에 있어서의 DSC 측정의 DSC 곡선으로 50℃ 내지 300℃에 출현하는 발열 피크의 발열량은 40J/g 이하이다.The present disclosure provides a sheet capable of imparting marks having excellent durability with or without curing treatment.
The sheet of the present disclosure includes a dicing film including a base layer and an adhesive layer positioned on the base layer. The sheet of the present disclosure further includes a semiconductor back surface protective film positioned on the pressure-sensitive adhesive layer. In the sheet of this indication, the calorific value of the exothermic peak appearing at 50 degreeC - 300 degreeC in the DSC curve of the DSC measurement in a semiconductor back surface protective film is 40 J/g or less.

Description

SHEET, TAPE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS

본 개시는, 시트와, 테이프와, 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a sheet, a tape, and a method of manufacturing a semiconductor device.

다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름을 반도체 장치 제조를 위하여 사용할 경우, 다이싱 필름상에 위치하는 반도체 이면 보호 필름과 반도체 웨이퍼를 접합하여, 반도체 이면 보호 필름을 경화하고, 경화 후 반도체 이면 보호 필름에 레이저로 마크를 부여하여, 반도체 웨이퍼를 다이싱하고, 경화 후 반도체 이면 보호 필름이 부착된 칩을 다이싱 필름으로부터 박리하는 경우가 있다.When the dicing film-integrated semiconductor back surface protective film is used for manufacturing a semiconductor device, the semiconductor back surface protective film positioned on the dicing film and the semiconductor wafer are bonded to cure the semiconductor back surface protective film, and after curing, apply to the semiconductor back protective film A semiconductor wafer is diced by providing a mark with a laser, and the chip|tip with a semiconductor back surface protective film after hardening may be peeled from a dicing film.

일본 특허 공개 제2011-9711호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2011-9711 일본 특허 공개 제2011-151360호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2011-151360 일본 특허 공개 제2011-151361호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2011-151361

이러한 공정을 거치는 방법으로는, 레이저 마킹에 앞서 반도체 이면 보호 필름을 경화시키기 위하여, 레이저 마크가 리플로우로 무너지기 어렵다.In the method of going through this process, in order to harden the semiconductor back surface protective film prior to laser marking, it is difficult for the laser mark to collapse due to reflow.

그러나, 이러한 방법에서는 반도체 이면 보호 필름의 경화 처리에 의해, 반도체 이면 보호 필름과 다이싱 필름의 박리력이 상승한다. 박리력의 상승은, 경화 후 반도체 이면 보호 필름이 부착된 칩의 픽업 불량을 초래한다.However, in such a method, the peeling force of a semiconductor back surface protective film and a dicing film rises by the hardening process of a semiconductor back surface protective film. An increase in peeling force causes a pickup failure of the chip to which the semiconductor back surface protective film is attached after curing.

본 개시는, 경화 처리의 유무에 관계 없이 내구성이 우수한 마크를 부여하는 것이 가능한 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 개시는, 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것도 목적으로 한다.An object of the present disclosure is to provide a sheet capable of imparting marks having excellent durability with or without curing treatment. Another object of the present disclosure is to provide a method for manufacturing a tape and a semiconductor device.

본 개시의 시트는, 기재층 및 기재층 상에 위치하는 점착제층을 포함하는 다이싱 필름을 포함한다. 본 개시의 시트는, 점착제층 상에 위치하는 반도체 이면 보호 필름을 더 포함한다. 본 개시의 시트에 있어서, 반도체 이면 보호 필름에 있어서의 DSC 측정의 DSC 곡선으로 50℃ 내지 300℃에 출현하는 발열 피크의 발열량은 40J/g 이하이다. 본 개시에서는, 반도체 이면 보호 필름의 경화가 리플로우로 실질적으로 진행하지 않고, 리플로우로 마크가 무너지는 경우가 없으므로, 내구성이 우수한 마크를 반도체 이면 보호 필름에 붙일 수 있다.The sheet of the present disclosure includes a dicing film including a base layer and an adhesive layer positioned on the base layer. The sheet of the present disclosure further includes a semiconductor back surface protective film positioned on the pressure-sensitive adhesive layer. In the sheet of this indication, the calorific value of the exothermic peak appearing at 50 degreeC - 300 degreeC in the DSC curve of the DSC measurement in a semiconductor back surface protective film is 40 J/g or less. In the present disclosure, since curing of the semiconductor back surface protective film does not substantially proceed with reflow and the mark does not collapse due to reflow, a mark having excellent durability can be affixed to the semiconductor back surface protective film.

본 개시의 시트에 있어서, 반도체 이면 보호 필름이 제1층을 포함하는 것이 바람직하다. 제1층은 경화된 층(이하, 「경화층」이라고 함)인 것이 바람직하다. 제1층에 있어서의 DSC 측정의 DSC 곡선으로 50℃ 내지 300℃에 출현하는 발열 피크의 발열량은 40J/g 이하이다.In the sheet of the present disclosure, the semiconductor back surface protective film preferably includes the first layer. It is preferable that a 1st layer is a hardened|cured layer (henceforth "hardened layer"). The calorific value of the exothermic peak appearing at 50°C to 300°C in the DSC curve of the DSC measurement in the first layer is 40 J/g or less.

본 개시의 시트에 있어서, 반도체 이면 보호 필름이 제2층을 포함하는 것이 바람직하다. 제2층은, 열경화 촉진 촉매를 포함하지 않는 것이 바람직하다. 제2층과 제1층을 반도체 이면 보호 필름이 포함하는 경우, 제1층이 점착제층과 제2층 사이에 위치하는 것이 바람직하다.In the sheet of the present disclosure, the semiconductor back surface protective film preferably includes the second layer. It is preferable that a 2nd layer does not contain a thermosetting acceleration|stimulation catalyst. When the semiconductor back surface protective film includes the second layer and the first layer, the first layer is preferably located between the pressure-sensitive adhesive layer and the second layer.

본 개시의 테이프는, 박리 라이너와, 박리 라이너 상에 위치하는 시트를 포함한다.The tape of the present disclosure includes a release liner and a sheet positioned on the release liner.

본 개시에서의 반도체 장치의 제조 방법은, 시트의 반도체 이면 보호 필름에, 개질 영역을 갖는 반도체 웨이퍼를 고정하는 공정과, 다이싱 필름을 확장함으로써 개질 영역을 기점으로 반도체 웨이퍼를 분단하는 공정을 포함한다.A method for manufacturing a semiconductor device in the present disclosure includes a step of fixing a semiconductor wafer having a modified region to a semiconductor back surface protective film of a sheet, and a step of dividing the semiconductor wafer with the modified region as a starting point by expanding a dicing film do.

도 1은 실시 형태 1에 있어서의 테이프의 개략 평면도.
도 2는 실시 형태 1에 있어서의 테이프의 일부의 개략 단면도.
도 3은 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치의 제조 공정의 개략 사시도.
도 4는 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도.
도 5는 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도.
도 6은 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도.
도 7은 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도.
도 8은 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도.
도 9는 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도.
도 10은 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도.
도 11은 변형예 1에 있어서의 시트의 개략 단면도.
도 12는 실시예 2에 있어서의 반도체 이면 보호 필름의 DSC차트.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic plan view of the tape in Embodiment 1. FIG.
Fig. 2 is a schematic cross-sectional view of a part of the tape in the first embodiment.
Fig. 3 is a schematic perspective view of a manufacturing process of the semiconductor device according to the first embodiment;
4 is a schematic cross-sectional view of a manufacturing process of the semiconductor device according to the first embodiment.
5 is a schematic cross-sectional view of a manufacturing process of the semiconductor device according to the first embodiment.
6 is a schematic cross-sectional view of a manufacturing process of the semiconductor device according to the first embodiment.
Fig. 7 is a schematic cross-sectional view of a manufacturing process of the semiconductor device according to the first embodiment;
Fig. 8 is a schematic cross-sectional view of a manufacturing process of the semiconductor device according to the first embodiment;
Fig. 9 is a schematic cross-sectional view of a manufacturing process of the semiconductor device according to the first embodiment;
Fig. 10 is a schematic cross-sectional view of a manufacturing process of the semiconductor device according to the first embodiment.
Fig. 11 is a schematic cross-sectional view of a sheet in Modification Example 1;
12 is a DSC chart of a semiconductor back surface protective film in Example 2. FIG.

이하에 실시 형태를 들어, 본 개시를 상세하게 설명하지만, 본 개시는 이들 실시 형태에만 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although embodiment is given and this indication is demonstrated in detail, this indication is not limited only to these embodiment.

실시 형태 1Embodiment 1

도 1에 도시된 바와 같이, 테이프(1)는, 박리 라이너(13)와, 박리 라이너(13) 상에 위치하는 시트(71a, 71b, 71c, ……, 71m)(이하, 「시트(71)」라고 총칭함)를 포함한다. 테이프(1)는 롤 형상을 이룰 수 있다. 시트(71a)와 시트(71b) 사이의 거리, 시트(71b)와 시트(71c) 사이의 거리, …… 시트(71l)와 시트(71m) 사이의 거리는 일정하다.As shown in Fig. 1, the tape 1 includes a release liner 13 and sheets 71a, 71b, 71c, ..., 71m positioned on the release liner 13 (hereinafter referred to as "sheet 71"). )”) are included. The tape 1 may form a roll shape. The distance between the sheet 71a and the sheet 71b, the distance between the sheet 71b and the sheet 71c, ... … The distance between the seat 71l and the seat 71m is constant.

박리 라이너(13)는 테이프 형상을 이룬다. 박리 라이너(13)는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름이다.The release liner 13 is in the form of a tape. The release liner 13 is, for example, a polyethylene terephthalate (PET) film.

도 2에 도시된 바와 같이, 시트(71)는 다이싱 필름(12)을 포함한다. 다이싱 필름(12)은 원반 형상을 이룬다. 다이싱 필름(12)은, 기재층(121)과, 기재층(121) 상에 위치하는 점착제층(122)을 포함한다. 기재층(121)은 원반 형상을 이룬다. 기재층(121)의 양면은, 제1 주면과 제2 주면으로 정의할 수 있다. 기재층(121)의 제1 주면은 점착제층(122)과 접하고 있다. 기재 ((121)의 두께는, 예를 들어 50㎛ 내지 150㎛이다. 기재층(121)은 폴리프로필렌층을 포함할 수 있다. 기재층(121)은, 폴리프로필렌층과 폴리프로필렌층 이외의 플라스틱층으로 이루어지는 것이 가능하다. 한편, 기재층(121)은, 폴리프로필렌 단층으로 이루어질 수도 있다. 기재층(121)은, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(이하, 「EVA」라고 함)층을 포함할 수 있다. 기재층(121)은, EVA층과 EVA층 이외의 플라스틱층으로 이루어지는 것이 가능하다. 기재층(121)은, EVA 단층으로 이루어질 수도 있다. 기재층(121)은, 에너지선을 투과하는 성질을 갖는 것이 바람직하다. 점착제층(122)은 원반 형상을 이룬다. 점착제층(122)의 양면은, 제1 주면과 제2 주면으로 정의할 수 있다. 점착제층(122)의 제1 주면은 반도체 이면 보호 필름(11)의 제1층(111)과 접하고 있다. 점착제층(122)의 제2 주면은 기재층(121)과 접하고 있다. 점착제층(122)의 두께는 바람직하게는 3㎛ 이상, 보다 바람직하게는 5㎛ 이상이다. 점착제층(122)의 두께는 바람직하게는 50㎛ 이하, 보다 바람직하게는 30㎛ 이하이다. 점착제층(122)을 구성하는 점착제는, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점점착제이다. 그 중에서도 아크릴계 점착제가 바람직하다. 아크릴계 점착제는, 예를 들어 (메트)아크릴산 알킬에스테르의 1종 혹은 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 중합체(단독 중합체 또는 공중합체)를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제일 수 있다.As shown in FIG. 2 , the sheet 71 includes a dicing film 12 . The dicing film 12 forms a disk shape. The dicing film 12 includes a base layer 121 and an adhesive layer 122 positioned on the base layer 121 . The base layer 121 forms a disk shape. Both surfaces of the base layer 121 may be defined as a first main surface and a second main surface. The first main surface of the base layer 121 is in contact with the pressure-sensitive adhesive layer 122 . The thickness of the base material 121 is, for example, 50 µm to 150 µm. The base material layer 121 may include a polypropylene layer. The base material layer 121 includes a polypropylene layer and a polypropylene layer other than the polypropylene layer. On the other hand, the base layer 121 may be made of a single polypropylene layer. The base layer 121 includes an ethylene-vinyl acetate copolymer (hereinafter referred to as "EVA") layer. The base layer 121 may be made of an EVA layer and a plastic layer other than the EVA layer. The base layer 121 may be made of a single layer of EVA. The base layer 121 may transmit energy rays It is desirable to have a penetrating property. The pressure-sensitive adhesive layer 122 has a disk shape. Both sides of the pressure-sensitive adhesive layer 122 may be defined as a first main surface and a second main surface. The first of the pressure-sensitive adhesive layer 122 The main surface is in contact with the first layer 111 of the semiconductor back surface protective film 11. The second main surface of the pressure-sensitive adhesive layer 122 is in contact with the base material layer 121. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 122 is preferably 3 µm or more, more preferably 5 µm or more.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 122 is preferably 50 µm or less, more preferably 30 µm or less. The pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer 122 is, for example, For example, it is an acrylic pressure-sensitive adhesive, a rubber-based pressure-sensitive adhesive.In particular, an acrylic pressure-sensitive adhesive is preferable.The acrylic pressure-sensitive adhesive is, for example, an acrylic polymer (homopolymer or copolymer using one or two or more types of (meth)acrylic acid alkyl ester as a monomer component). ) may be an acrylic pressure-sensitive adhesive having a base polymer.

점착제층(122)은 제1 부분(122A)을 포함할 수 있다. 제1 부분은 원반 형상을 이룰 수 있다. 제1 부분(122A)은 반도체 이면 보호 필름(11)과 접하고 있다. 제1 부분(122A)은, 제2 부분(122B)보다 단단하다. 제1 부분(122A)은, 에너지선에 의해 경화되어 있을 수 있다. 점착제층(122)은, 제1 부분(122A)을 둘러싸는 제2 부분(122B)을 더 포함할 수 있다. 제2 부분(122B)은 도넛판 형상을 이룰 수 있다. 제2 부분(122B)은, 에너지선에 의해 경화되는 성질을 가질 수 있다. 에너지선으로서 자외선 등을 들 수 있다. 제2 부분(122B)은, 도넛판 형상의 제1 영역과, 제1 영역을 둘러싸는 도넛판 형상의 제2 영역으로 이루어질 수 있다. 제2 부분(122B)의 제1 영역은, 반도체 이면 보호 필름(11)과 접한다. 한편, 제2 부분(122B)의 제2 영역은, 반도체 이면 보호 필름(11)과 접하지 않는다.The pressure-sensitive adhesive layer 122 may include a first portion 122A. The first portion may have a disk shape. The first portion 122A is in contact with the semiconductor back surface protective film 11 . The first portion 122A is harder than the second portion 122B. The first portion 122A may be cured by an energy ray. The pressure-sensitive adhesive layer 122 may further include a second portion 122B surrounding the first portion 122A. The second portion 122B may have a donut plate shape. The second portion 122B may have a property of being cured by an energy ray. Ultraviolet rays etc. are mentioned as an energy ray. The second portion 122B may include a donut plate-shaped first region and a donut plate-shaped second region surrounding the first region. The first region of the second portion 122B is in contact with the semiconductor back surface protective film 11 . On the other hand, the second region of the second portion 122B is not in contact with the semiconductor back surface protective film 11 .

시트(71)는 반도체 이면 보호 필름(11)을 포함한다. 반도체 이면 보호 필름(11)은 원반 형상을 이룬다. 반도체 이면 보호 필름(11)의 양면은, 제1 주면과 제2 주면으로 정의할 수 있다. 반도체 이면 보호 필름(11)의 제1 주면은, 박리 라이너(13)와 접하고 있다. 반도체 이면 보호 필름(11)의 제2 주면은 점착제층(122)과 접하고 있다.The sheet 71 includes a semiconductor back protective film 11 . The semiconductor back surface protective film 11 forms a disk shape. Both surfaces of the semiconductor back surface protective film 11 can be defined as a 1st main surface and a 2nd main surface. The first main surface of the semiconductor back surface protective film 11 is in contact with the release liner 13 . The second main surface of the semiconductor back surface protective film 11 is in contact with the pressure-sensitive adhesive layer 122 .

반도체 이면 보호 필름(11)의 두께는, 바람직하게는 2㎛ 이상, 보다 바람직하게는 4㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 6㎛ 이상, 특히 바람직하게는 10㎛ 이상이다. 반도체 이면 보호 필름(11)의 두께는, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 160㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 100㎛ 이하, 특히 바람직하게는 80㎛ 이하이다.The thickness of the semiconductor back surface protective film 11 becomes like this. Preferably it is 2 micrometers or more, More preferably, it is 4 micrometers or more, More preferably, it is 6 micrometers or more, Especially preferably, it is 10 micrometers or more. The thickness of the semiconductor back surface protective film 11 becomes like this. Preferably it is 200 micrometers or less, More preferably, it is 160 micrometers or less, More preferably, it is 100 micrometers or less, Especially preferably, it is 80 micrometers or less.

반도체 이면 보호 필름(11)에 있어서의 DSC 측정의 DSC 곡선으로 50℃ 내지 300℃에 출현하는 발열 피크의 발열량이 40J/g 이하인 것이 바람직하다. 발열량이 40J/g 이하이므로, 반도체 이면 보호 필름(11)의 경화가 리플로우로 실질적으로 진행하지 않고, 리플로우로 마크가 무너지는 경우가 없다. DSC 측정은, 질소 분위기 하에서, 승온 속도 10℃/분에 행할 수 있다. 발열량은, 실시예의 기재에 따라 구한다. 50℃ 내지 300℃에 복수의 발열 피크가 출현하는 경우에는, 이들 발열 피크의 합계 발열량이 「발열량」이다.It is preferable that the calorific value of the exothermic peak which appears at 50 degreeC - 300 degreeC in the DSC curve of the DSC measurement in the semiconductor back surface protective film 11 is 40 J/g or less. Since the calorific value is 40 J/g or less, curing of the semiconductor back surface protective film 11 does not substantially progress to reflow, and the mark does not collapse by reflow. The DSC measurement can be performed in a nitrogen atmosphere at a temperature increase rate of 10°C/min. A calorific value is calculated|required according to description of an Example. When a plurality of exothermic peaks appear at 50° C. to 300° C., the total calorific value of these exothermic peaks is “the calorific value”.

반도체 이면 보호 필름(11)은, 제1층(111)과 제2층(112)을 포함한다. 제1층(111)은, 점착제층(122)과 제2층(112) 사이에 위치한다. 제2층(112)은, 박리 라이너(13)와 제1층(111) 사이에 위치한다.The semiconductor back surface protective film 11 includes a first layer 111 and a second layer 112 . The first layer 111 is positioned between the pressure-sensitive adhesive layer 122 and the second layer 112 . The second layer 112 is positioned between the release liner 13 and the first layer 111 .

제1층(111)은 반도체 이면 보호 필름(11)을 포함한다. 제1층(111)은 원반 형상을 이룬다. 제1층(111)의 양면은, 제1 주면과 제2 주면으로 정의할 수 있다. 제1층(111)의 제1 주면은, 제2층(112)과 접하고 있다. 제1층(111)의 제2 주면은 점착제층(122)과 접하고 있다. 제1층(111)의 두께는, 예를 들어 1㎛ 내지 50㎛이다.The first layer 111 includes a semiconductor back surface protective film 11 . The first layer 111 has a disk shape. Both surfaces of the first layer 111 may be defined as a first main surface and a second main surface. The first main surface of the first layer 111 is in contact with the second layer 112 . The second main surface of the first layer 111 is in contact with the pressure-sensitive adhesive layer 122 . The thickness of the 1st layer 111 is 1 micrometer - 50 micrometers, for example.

제1층(111)은 경화층인 것이 바람직하다. 제1층(111)은, 성막 시의 가열로 경화시킬 수 있다. 제1층(111)은 레이저로 마크를 부여하기 위한 층일 수 있다.The first layer 111 is preferably a cured layer. The first layer 111 can be cured by heating during film formation. The first layer 111 may be a layer for imparting a mark with a laser.

제1층(111)에 있어서의 DSC 측정의 DSC 곡선으로 50℃ 내지 300℃에 출현하는 발열 피크의 발열량이 40J/g 이하이다. 발열량은, 열경화 촉진 촉매의 종류·열경화 촉진 촉매의 첨가량·성막 시의 가열 조건 등에서 조정할 수 있다.The calorific value of the exothermic peak appearing at 50°C to 300°C in the DSC curve of the DSC measurement in the first layer 111 is 40 J/g or less. The calorific value can be adjusted by the type of the thermosetting accelerating catalyst, the addition amount of the thermosetting accelerating catalyst, the heating conditions at the time of film formation, and the like.

제1층(111)은 유색인 것이 바람직하다. 유색이면, 다이싱 필름(12)과 반도체 이면 보호 필름(11)을 간단하게 구별할 수 있다. 제1층(111)은, 예를 들어 흑색, 청색, 적색 등의 짙은 색인 것이 바람직하다. 흑색이 특히 바람직하다. 레이저 마크를 시인하기 쉽기 때문이다.The first layer 111 is preferably colored. If it is colored, the dicing film 12 and the semiconductor back surface protective film 11 can be distinguished easily. It is preferable that the 1st layer 111 is a dark color, such as black, blue, and red, for example. Black color is particularly preferred. It is because it is easy to visually recognize a laser mark.

짙은 색이란, 기본적으로는, L*a*b* 표색계로 규정되는 L*가, 60 이하(0 내지 60)[바람직하게는 50 이하(0 내지 50), 더욱 바람직하게는 40 이하(0 내지 40)]가 되는 진한 색을 의미하고 있다.A dark color basically means that L* defined by the L*a*b* color system is 60 or less (0 to 60) [preferably 50 or less (0 to 50), more preferably 40 or less (0 to 40)], which means a dark color.

또한, 흑색이란, 기본적으로는, L*a*b* 표색계로 규정되는 L*가, 35 이하(0 내지 35)[바람직하게는 30 이하(0 내지 30), 더욱 바람직하게는 25 이하(0 내지 25)]가 되는 흑색계 색을 의미하고 있다. 또한, 흑색에 있어서, L*a*b* 표색계로 규정되는 a*나 b*는, 각각 L*의 값에 따라 적절히 선택할 수 있다. a*나 b*로서는, 예를 들어 양쪽 모두, -10 내지 10인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 -5 내지 5이며, 특히 -3 내지 3의 범위(그 중에서도 0 또는 거의 0)인 것이 적합하다.In addition, black basically means that L* defined by the L*a*b* color system is 35 or less (0 to 35) [preferably 30 or less (0 to 30), more preferably 25 or less (0) to 25)], which means a black color. In addition, in black, a* and b* prescribed|regulated by the L*a*b* color system can be suitably selected according to the value of L*, respectively. As a* and b*, it is preferable that both, for example, are -10 to 10, more preferably -5 to 5, and particularly suitable to be in the range of -3 to 3 (especially 0 or almost 0). do.

또한, L*a*b* 표색계로 규정되는 L*, a*, b*는, 색채 색차계(상품명 「CR-200」미놀타사제; 색채 색차계)를 사용하여 측정함으로써 구해진다. 또한, L*a*b* 표색계는, 국제 조명 위원회(CIE)가 1976년에 권장한 색 공간이며, CIE1976(L*a*b*) 표색계라고 칭해지는 색 공간을 의미하고 있다. 또한, L*a*b* 표색계는, 일본 공업 규격에서는, JIS Z 8729에 규정되어 있다.In addition, L*, a*, and b* prescribed|regulated by the L*a*b* color system are calculated|required by measuring using a color colorimeter (trade name "CR-200" manufactured by Minolta Corporation; colorimetric colorimeter). The L*a*b* color space is a color space recommended in 1976 by the International Commission on Illumination (CIE), and means a color space called the CIE1976 (L*a*b*) color space. In addition, the L*a*b* color space system is prescribed|regulated in JISZ8729 by Japanese Industrial Standards.

제1층(111)은 수지 성분을 포함할 수 있다. 제1층(111)에 있어서의 수지 성분의 함유량은, 바람직하게는 30중량％ 이상, 보다 바람직하게는 40중량％ 이상이다. 제1층(111)에 있어서의 수지 성분의 함유량은, 바람직하게는 80중량％ 이하, 보다 바람직하게는 70중량％ 이하이다.The first layer 111 may include a resin component. Content of the resin component in the 1st layer 111 becomes like this. Preferably it is 30 weight% or more, More preferably, it is 40 weight% or more. Content of the resin component in the 1st layer 111 becomes like this. Preferably it is 80 weight% or less, More preferably, it is 70 weight% or less.

수지 성분은, 열 가소성 수지와 열경화성 수지를 경화 전에 포함할 수 있다. 수지 성분 100중량％에 있어서의 열 가소성 수지의 함유량은, 바람직하게는 10중량％ 이상, 보다 바람직하게는 20중량％ 이상이다. 수지 성분 100중량％에 있어서의 열 가소성 수지의 함유량 상한은, 예를 들어 70중량％, 바람직하게는 50중량％, 보다 바람직하게는 40중량％이다. 열경화성 수지의 함유량은, 수지 성분 100중량％에 있어서, 바람직하게는 30중량％ 이상, 보다 바람직하게는 50중량％ 이상이다. 열경화성 수지의 함유량 상한은, 수지 성분 100중량％에 있어서, 예를 들어 90중량％, 바람직하게는 80중량％, 보다 바람직하게는 70중량％이다.The resin component may include a thermoplastic resin and a thermosetting resin before curing. Content of the thermoplastic resin in 100 weight% of resin components becomes like this. Preferably it is 10 weight% or more, More preferably, it is 20 weight% or more. The upper limit of the content of the thermoplastic resin in 100% by weight of the resin component is, for example, 70% by weight, preferably 50% by weight, and more preferably 40% by weight. Content of a thermosetting resin becomes like this in 100 weight% of resin components, Preferably it is 30 weight% or more, More preferably, it is 50 weight% or more. The upper limit of the content of the thermosetting resin is, for example, 90% by weight, preferably 80% by weight, and more preferably 70% by weight based on 100% by weight of the resin component.

열 가소성 수지로서는, 예를 들어 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열 가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET(폴리에틸렌테레프탈레이트)나 PBT(폴리부틸렌테레프탈레이트) 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지 또는 불소 수지 등을 들 수 있다. 열 가소성 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 그 중에서도, 아크릴 수지가 적합하다.Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, Thermoplastic polyimide resin, polyamide resin such as 6-nylon or 6,6-nylon, phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin such as PET (polyethylene terephthalate) or PBT (polybutylene terephthalate); A polyamideimide resin or a fluororesin, etc. are mentioned. A thermoplastic resin can be used individually or in combination of 2 or more types. Especially, an acrylic resin is suitable.

열경화성 수지로서는, 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 열경화성 수지는, 단독으로 또는 2종 이상 병용하여 사용할 수 있다. 열경화성 수지로서는, 특히, 반도체 칩을 부식시키는 이온성 불순물 등 함유가 적은 에폭시 수지가 적합하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지를 적합하게 사용할 수 있다.Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol resin, an amino resin, an unsaturated polyester resin, a polyurethane resin, a silicone resin, and a thermosetting polyimide resin. A thermosetting resin can be used individually or in combination of 2 or more types. As a thermosetting resin, especially the epoxy resin with little content, such as an ionic impurity which corrodes a semiconductor chip, is suitable. Moreover, as a hardening|curing agent of an epoxy resin, a phenol resin can be used suitably.

에폭시 수지로서는, 특별히 한정은 없고, 예를 들어 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 오르토크레졸노볼락형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지 또는 히단토인형 에폭시 수지, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 에폭시 수지 혹은 글리시딜아민형 에폭시 수지 등의 에폭시 수지를 사용할 수 있다.There is no limitation in particular as an epoxy resin, For example, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin , Biphenyl type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, fluorene type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, orthocresol novolak type epoxy resin, trishydroxyphenylmethane type epoxy resin, tetraphenylolethane type epoxy resin, etc. Epoxy resins, such as a bifunctional epoxy resin, a polyfunctional epoxy resin, a hydantoin type epoxy resin, a trisglycidyl isocyanurate type epoxy resin, or a glycidylamine type epoxy resin, can be used.

제1층(111)은, 25℃에서 액상의 에폭시 수지와, 25℃에서 고체상의 에폭시 수지를 경화 전에 포함할 수 있다. 이 경우, 작업성이 우수하다. 액상 에폭시 수지의 고체상 에폭시 수지에 대한 비의 값은, 예를 들어 0.4 이상, 바람직하게는 0.6 이상, 보다 바람직하게는 0.8 이상, 더욱 바람직하게는 1.0 이상이다. 여기서, 액상 에폭시 수지의 고체상 에폭시 수지에 대한 비는, 액상 에폭시 수지 함유량의 고체상 에폭시 수지 함유량에 대한 중량비이다.The first layer 111 may include a liquid epoxy resin at 25° C. and a solid epoxy resin at 25° C. before curing. In this case, workability is excellent. The value of the ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin is, for example, 0.4 or more, preferably 0.6 or more, more preferably 0.8 or more, and still more preferably 1.0 or more. Here, the ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin is a weight ratio of the liquid epoxy resin content to the solid epoxy resin content.

페놀 수지는, 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 페놀 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하다.A phenol resin acts as a hardening|curing agent of an epoxy resin, For example, novolak-type phenols, such as a phenol novolak resin, a phenol aralkyl resin, a cresol novolak resin, tert- butylphenol novolak resin, a nonylphenol novolak resin. Polyoxystyrene, such as resin, a resol type phenol resin, and polyparaoxystyrene, etc. are mentioned. A phenol resin can be used individually or in combination of 2 or more types. Among these phenol resins, a phenol novolak resin and a phenol aralkyl resin are particularly preferable.

에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어 에폭시 수지 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5당량 내지 2.0당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은, 0.8당량 내지 1.2당량이다.It is suitable to mix|blend so that the compounding ratio of an epoxy resin and a phenol resin may become 0.5 equivalent - 2.0 equivalent of the hydroxyl group in a phenol resin per 1 equivalent of the epoxy group in an epoxy resin, for example. More suitable is 0.8 equivalent to 1.2 equivalent.

제1층(111)은 열경화 촉진 촉매를 경화 전에 포함할 수 있다. 예를 들어, 아민계 경화 촉진제, 인계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 붕소계 경화 촉진제, 인-붕소계 경화 촉진제 등이다. 열경화 촉진 촉매의 함유량은, 수지 성분 100중량부에 대해 예를 들어 1 내지 100중량부이다.The first layer 111 may include a thermal curing accelerating catalyst before curing. For example, amine-based curing accelerators, phosphorus-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, boron-based curing accelerators, phosphorus-boron-based curing accelerators, and the like. Content of a thermosetting acceleration|stimulation catalyst is 1-100 weight part with respect to 100 weight part of resin components.

제1층(111)은 충전제를 포함할 수 있다. 무기 충전제가 적합하다. 무기 충전제는, 예를 들어 실리카, 클레이, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 알루미나, 산화베릴륨, 탄화규소, 질화규소, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 납, 주석, 아연, 팔라듐, 땜납 등이다. 충전제는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 그 중에서도, 실리카가 바람직하고, 용융 실리카가 특히 바람직하다. 무기 충전제의 평균 입경은 0.1㎛ 내지 80㎛인 범위 내인 것이 바람직하다. 무기 충전제의 평균 입경은, 예를 들어 레이저 회절형 입도 분포 측정 장치에 의해 측정할 수 있다.The first layer 111 may include a filler. Inorganic fillers are suitable. Inorganic fillers include, for example, silica, clay, gypsum, calcium carbonate, barium sulfate, alumina, beryllium oxide, silicon carbide, silicon nitride, aluminum, copper, silver, gold, nickel, chromium, lead, tin, zinc, palladium, solder. etc. A filler can be used individually or in combination of 2 or more types. Among them, silica is preferable, and fused silica is particularly preferable. It is preferable that the average particle diameter of an inorganic filler exists in the range of 0.1 micrometer - 80 micrometers. The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by, for example, a laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus.

제1층(111)에 있어서의 충전제의 함유량은, 바람직하게는 10중량％ 이상, 보다 바람직하게는 20중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 30중량％ 이상이다. 제1층(111)에 있어서의 충전제의 함유량은, 바람직하게는 70중량％ 이하, 보다 바람직하게는 60중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 50중량％ 이하이다.Content of the filler in the 1st layer 111 becomes like this. Preferably it is 10 weight% or more, More preferably, it is 20 weight% or more, More preferably, it is 30 weight% or more. Content of the filler in the 1st layer 111 becomes like this. Preferably it is 70 weight% or less, More preferably, it is 60 weight% or less, More preferably, it is 50 weight% or less.

제1층(111)은, 바람직하게는 착색제를 포함한다. 착색제는, 예를 들어 염료, 안료이다. 그 중에서도 염료가 바람직하고, 흑색 염료가 보다 바람직하다. 제1층(111)에 있어서의 착색제의 함유량은, 경화 전에 있어서, 바람직하게는 0.5중량％ 이상, 보다 바람직하게는 1중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 2중량％ 이상이다. 제1층(111)에 있어서의 착색제의 함유량은, 경화 전에 있어서, 바람직하게는 10중량％ 이하, 보다 바람직하게는 8중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 5중량％ 이하이다.The first layer 111 preferably contains a colorant. Colorants are, for example, dyes and pigments. Especially, dye is preferable and black dye is more preferable. Before hardening, content of the coloring agent in the 1st layer 111 becomes like this. Preferably it is 0.5 weight% or more, More preferably, it is 1 weight% or more, More preferably, it is 2 weight% or more. Before hardening, content of the coloring agent in the 1st layer 111 becomes like this. Preferably it is 10 weight% or less, More preferably, it is 8 weight% or less, More preferably, it is 5 weight% or less.

제1층(111)은, 다른 첨가제를 적절히 포함할 수 있다. 다른 첨가제로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제, 이온 트랩제, 증량제, 노화 방지제, 산화 방지제, 계면 활성제 등을 들 수 있다.The first layer 111 may appropriately contain other additives. As another additive, a flame retardant, a silane coupling agent, an ion trap agent, an extender, antioxidant, antioxidant, surfactant, etc. are mentioned, for example.

제2층(112)을, 반도체 이면 보호 필름(11)은 포함한다. 제2층(112)은 원반 형상을 이룬다. 제2층(112)의 양면은, 제1 주면과 제2 주면으로 정의할 수 있다. 제2층(112)의 제1 주면은, 박리 라이너(13)와 접하고 있다. 제2층(112)의 제2 주면은 제1층(111)과 접하고 있다. 제2층(112)의 두께는, 예를 들어 1㎛ 내지 50㎛이다.The second layer 112 is included in the semiconductor back surface protective film 11 . The second layer 112 has a disk shape. Both surfaces of the second layer 112 may be defined as a first main surface and a second main surface. The first main surface of the second layer 112 is in contact with the release liner 13 . The second main surface of the second layer 112 is in contact with the first layer 111 . The thickness of the second layer 112 is, for example, 1 µm to 50 µm.

제2층(112)은, 열경화성을 가질 수 있다. 제2층(112)은, 미경화의 층일 수 있다.The second layer 112 may have thermosetting properties. The second layer 112 may be an uncured layer.

제2층(112)에 있어서의 DSC 측정의 DSC 곡선으로 50℃ 내지 300℃에 출현하는 발열 피크의 발열량이 40J/g 이하이다.The calorific value of the exothermic peak appearing at 50°C to 300°C in the DSC curve of the DSC measurement in the second layer 112 is 40 J/g or less.

제2층(112)은 유색일 수 있다. 유색이면, 다이싱 필름(12)과 반도체 이면 보호 필름(11)을 간단하게 구별할 수 있다. 제2층(112)은, 예를 들어 흑색, 청색, 적색 등의 짙은 색인 것이 바람직하다. 흑색이 특히 바람직하다. 레이저 마크를 시인하기 쉽기 때문이다. L*a*b* 표색계로 규정되는 L*의 적합 범위는, 제1층(111)에 있어서의 L*의 적합 범위와 같다.The second layer 112 may be colored. If it is colored, the dicing film 12 and the semiconductor back surface protective film 11 can be distinguished easily. It is preferable that the 2nd layer 112 is dark colors, such as black, blue, and red, for example. Black color is particularly preferred. It is because it is easy to visually recognize a laser mark. The suitable range of L* defined by the L*a*b* color system is the same as the suitable range of L* in the first layer 111 .

제2층(112)은 수지 성분을 포함할 수 있다. 제2층(112)에 있어서의 수지 성분의 함유량은, 바람직하게는 30중량％ 이상, 보다 바람직하게는 40중량％ 이상이다. 제2층(112)에 있어서의 수지 성분의 함유량은, 바람직하게는 80중량％ 이하, 보다 바람직하게는 70중량％ 이하이다.The second layer 112 may include a resin component. Content of the resin component in the 2nd layer 112 becomes like this. Preferably it is 30 weight% or more, More preferably, it is 40 weight% or more. Content of the resin component in the 2nd layer 112 becomes like this. Preferably it is 80 weight% or less, More preferably, it is 70 weight% or less.

수지 성분은, 열 가소성 수지와 열경화성 수지를 포함할 수 있다. 수지 성분 100중량％에 있어서의 열 가소성 수지의 함유량은, 바람직하게는 10중량％ 이상, 보다 바람직하게는 20중량％ 이상이다. 수지 성분 100중량％에 있어서의 열 가소성 수지의 함유량 상한은, 예를 들어 70중량％, 바람직하게는 50중량％, 보다 바람직하게는 40중량％이다. 열경화성 수지의 함유량은, 수지 성분 100중량％에 있어서, 바람직하게는 30중량％ 이상, 보다 바람직하게는 50중량％ 이상이다. 열경화성 수지의 함유량 상한은, 수지 성분 100중량％에 있어서, 예를 들어 90중량％, 바람직하게는 80중량％, 보다 바람직하게는 70중량％이다.The resin component may include a thermoplastic resin and a thermosetting resin. Content of the thermoplastic resin in 100 weight% of resin components becomes like this. Preferably it is 10 weight% or more, More preferably, it is 20 weight% or more. The upper limit of the content of the thermoplastic resin in 100% by weight of the resin component is, for example, 70% by weight, preferably 50% by weight, and more preferably 40% by weight. Content of a thermosetting resin becomes like this in 100 weight% of resin components, Preferably it is 30 weight% or more, More preferably, it is 50 weight% or more. The upper limit of the content of the thermosetting resin is, for example, 90% by weight, preferably 80% by weight, and more preferably 70% by weight based on 100% by weight of the resin component.

제2층(112)은, 25℃에서 액상의 에폭시 수지와, 25℃에서 고체상의 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 이 경우, 작업성이 우수하다. 액상 에폭시 수지의 고체상 에폭시 수지에 대한 비의 값은, 예를 들어 0.4 이상, 바람직하게는 0.6 이상, 보다 바람직하게는 0.8 이상, 더욱 바람직하게는 1.0 이상이다. 여기서, 액상 에폭시 수지의 고체상 에폭시 수지에 대한 비는, 액상 에폭시 수지 함유량의 고체상 에폭시 수지 함유량에 대한 중량비이다.The second layer 112 may include a liquid epoxy resin at 25°C and a solid epoxy resin at 25°C. In this case, workability is excellent. The value of the ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin is, for example, 0.4 or more, preferably 0.6 or more, more preferably 0.8 or more, and still more preferably 1.0 or more. Here, the ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin is a weight ratio of the liquid epoxy resin content to the solid epoxy resin content.

제2층(112)은, 열경화 촉진 촉매를 포함하지 않는 것이 바람직하다. 열경화 촉진 촉매는, 예를 들어 아민계 경화 촉진제, 인계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 붕소계 경화 촉진제, 인-붕소계 경화 촉진제 등이다.It is preferable that the 2nd layer 112 does not contain a thermosetting acceleration|stimulation catalyst. The thermosetting accelerator catalyst is, for example, an amine-based curing accelerator, a phosphorus-based curing accelerator, an imidazole-based curing accelerator, a boron-based curing accelerator, or a phosphorus-boron-based curing accelerator.

제2층(112)은, 충전제를 포함할 수 있다. 무기 충전제가 적합하다. 무기 충전제는, 예를 들어 실리카, 클레이, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 알루미나, 산화베릴륨, 탄화규소, 질화규소, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 납, 주석, 아연, 팔라듐, 땜납 등이다. 충전제는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 그 중에서도, 실리카가 바람직하고, 용융 실리카가 특히 바람직하다. 무기 충전제의 평균 입경은 0.1㎛ 내지 80㎛인 범위 내인 것이 바람직하다. 무기 충전제의 평균 입경은, 예를 들어 레이저 회절형 입도 분포 측정 장치에 의해 측정할 수 있다.The second layer 112 may include a filler. Inorganic fillers are suitable. Inorganic fillers include, for example, silica, clay, gypsum, calcium carbonate, barium sulfate, alumina, beryllium oxide, silicon carbide, silicon nitride, aluminum, copper, silver, gold, nickel, chromium, lead, tin, zinc, palladium, solder. etc. A filler can be used individually or in combination of 2 or more types. Among them, silica is preferable, and fused silica is particularly preferable. It is preferable that the average particle diameter of an inorganic filler exists in the range of 0.1 micrometer - 80 micrometers. The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by, for example, a laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus.

제2층(112)에 있어서의 충전제의 함유량은, 바람직하게는 10중량％ 이상, 보다 바람직하게는 20중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 30중량％ 이상이다. 제2층(112)에 있어서의 충전제의 함유량은, 바람직하게는 70중량％ 이하, 보다 바람직하게는 60중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 50중량％ 이하이다.Content of the filler in the 2nd layer 112 becomes like this. Preferably it is 10 weight% or more, More preferably, it is 20 weight% or more, More preferably, it is 30 weight% or more. Content of the filler in the 2nd layer 112 becomes like this. Preferably it is 70 weight% or less, More preferably, it is 60 weight% or less, More preferably, it is 50 weight% or less.

제2층(112)은, 착색제를 포함할 수 있다. 착색제는, 예를 들어 염료, 안료이다. 그 중에서도 염료가 바람직하고, 흑색 염료가 보다 바람직하다. 제2층(112)에 있어서의 착색제의 함유량은, 바람직하게는 0.5중량％ 이상, 보다 바람직하게는 1중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 2중량％ 이상이다. 제2층(112)에 있어서의 착색제의 함유량은, 바람직하게는 10중량％ 이하, 보다 바람직하게는 8중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 5중량％ 이하이다.The second layer 112 may include a colorant. Colorants are, for example, dyes and pigments. Especially, dye is preferable and black dye is more preferable. Content of the coloring agent in the 2nd layer 112 becomes like this. Preferably it is 0.5 weight% or more, More preferably, it is 1 weight% or more, More preferably, it is 2 weight% or more. Content of the coloring agent in the 2nd layer 112 becomes like this. Preferably it is 10 weight% or less, More preferably, it is 8 weight% or less, More preferably, it is 5 weight% or less.

제2층(112)은, 다른 첨가제를 적절히 포함할 수 있다. 다른 첨가제로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제, 이온 트랩제, 증량제, 노화 방지제, 산화 방지제, 계면 활성제 등을 들 수 있다.The second layer 112 may appropriately contain other additives. As another additive, a flame retardant, a silane coupling agent, an ion trap agent, an extender, antioxidant, antioxidant, surfactant, etc. are mentioned, for example.

시트(71)는, 반도체 장치를 제조하기 위하여 사용할 수 있다. 여기에서는, 반도체 장치의 제조를 설명한다.The sheet 71 can be used for manufacturing a semiconductor device. Here, manufacture of a semiconductor device is demonstrated.

도 3에 나타낸 바와 같이, 조사 전 반도체 웨이퍼(4P)의 내부에 집광점을 맞추어, 격자상의 분할 예정 라인(4L)에 따라 레이저광(100)을 조사하고, 조사 전 반도체 웨이퍼(4P)에 개질 영역(41)을 형성하고, 반도체 웨이퍼(4)를 얻는다. 조사 전 반도체 웨이퍼(4P)로서는, 실리콘 웨이퍼, 실리콘 카바이트 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼 등을 들 수 있다. 화합물 반도체 웨이퍼로서는, 질화갈륨 웨이퍼 등을 들 수 있다.As shown in Fig. 3, a light-converging point is aligned inside the semiconductor wafer 4P before irradiation, and the laser beam 100 is irradiated along the grid-like division line 4L, and the semiconductor wafer 4P before irradiation is modified. A region 41 is formed, and a semiconductor wafer 4 is obtained. As the semiconductor wafer 4P before irradiation, a silicon wafer, a silicon carbide wafer, a compound semiconductor wafer, etc. are mentioned. As a compound semiconductor wafer, a gallium nitride wafer etc. are mentioned.

레이저광(100)의 조사 조건은, 예를 들어 이하의 조건의 범위 내에서 적절히 조정할 수 있다.The irradiation conditions of the laser beam 100 can be suitably adjusted within the range of the following conditions, for example.

(A) 레이저광(100)(A) laser light (100)

레이저광원 반도체 레이저 여기 Nd: YAG 레이저Laser light source Semiconductor laser excitation Nd: YAG laser

파장 1064㎚Wavelength 1064nm

레이저광 스폿 단면적 3.14×10^-8㎠Laser beam spot cross-sectional area 3.14×10 ^-8 ㎠

발진 형태 Q 스위치 펄스Oscillation type Q switch pulse

반복 주파수 100㎑ 이하Repetition frequency 100 kHz or less

펄스폭 1μs 이하Pulse width 1 μs or less

출력 1mJ 이하Output 1mJ or less

레이저광 품질 TEM00Laser light quality TEM00

편광 특성 직선 편광Polarization Characteristics Linear Polarization

(B) 집광용 렌즈(B) Condensing lens

배율 100배 이하Less than 100 times magnification

NA 0.55NA 0.55

레이저광 파장에 대한 투과율 100％ 이하100% or less transmittance to laser light wavelength

(C) 조사 전 반도체 웨이퍼(4P)가 적재되는 적재대의 이동 속도 280㎜/초 이하(C) Before irradiation, the moving speed of the mounting table on which the semiconductor wafer (4P) is loaded is 280 mm/sec or less

도 4에 나타낸 바와 같이, 반도체 웨이퍼(4)는 개질 영역(41)을 포함한다. 개질 영역(41)은, 다른 영역과 비교하여 취약하다. 반도체 웨이퍼(4)는, 반도체 칩(4A, 4B, 4C, ……, 4F)을 더 포함한다.As shown in FIG. 4 , the semiconductor wafer 4 includes a modified region 41 . The modified region 41 is weak compared to other regions. The semiconductor wafer 4 further includes semiconductor chips 4A, 4B, 4C, ..., 4F.

도 5에 나타낸 바와 같이, 테이프(1)로부터 박리 라이너(13)를 제거하고, 가열 테이블로 데워진 반도체 웨이퍼(4)를 롤로, 시트(71)의 반도체 이면 보호 필름(11)에 고정한다. 반도체 웨이퍼(4)의 고정은, 예를 들어 40℃ 이상, 바람직하게는 45℃ 이상, 보다 바람직하게는 50℃ 이상, 더욱 바람직하게는 55℃ 이상으로 행한다. 반도체 웨이퍼(4)를 고정은, 예를 들어 100℃ 이하, 바람직하게는 90℃ 이하로 행한다. 반도체 웨이퍼(4)의 고정 압력은, 예를 들어 1×10⁵Pa 내지 1×10⁷Pa이다. 롤 속도는, 예를 들어 10㎜/sec이다.As shown in FIG. 5 , the release liner 13 is removed from the tape 1 , and the semiconductor wafer 4 heated by the heating table is fixed to the semiconductor back surface protective film 11 of the sheet 71 with a roll. The semiconductor wafer 4 is fixed at, for example, 40°C or higher, preferably 45°C or higher, more preferably 50°C or higher, still more preferably 55°C or higher. The semiconductor wafer 4 is fixed, for example, at 100°C or lower, preferably at 90°C or lower. The fixing pressure of the semiconductor wafer 4 is, for example, 1×10 ⁵ Pa to 1×10 ⁷ Pa. The roll speed is, for example, 10 mm/sec.

반도체 웨이퍼(4) 부착의 시트(71)를 가열함으로써 반도체 이면 보호 필름(11)의 제2층(112)을 반도체 웨이퍼(4)에 밀착시킨다. 가열은, 예를 들어 40℃ 이상, 바람직하게는 60℃ 이상으로 행한다. 가열 온도의 상한은 예를 들어 200℃이다. 가열은, 예를 들어 10초 이상 행한다. 가열 시간의 상한은 예를 들어 10분이다. By heating the sheet 71 with the semiconductor wafer 4 , the second layer 112 of the semiconductor back surface protective film 11 is brought into close contact with the semiconductor wafer 4 . Heating is, for example, 40 degreeC or more, Preferably it is 60 degreeC or more. The upper limit of heating temperature is 200 degreeC, for example. Heating is performed for 10 seconds or more, for example. The upper limit of the heating time is, for example, 10 minutes.

반도체 이면 보호 필름(11)의 제1층(111)에 다이싱 필름(12) 너머로 레이저를 조사하고, 제1층(111)에 마크를 부여한다. 레이저는, 기체 레이저, 고체 레이저, 액체 레이저 등을 사용할 수 있다. 기체 레이저는, 예를 들어 탄산 가스 레이저(CO₂ 레이저), 엑시머 레이저(ArF 레이저, KrF 레이저, XeCl 레이저, XeF 레이저 등) 등이다. 고체 레이저는, 예를 들어 YAG 레이저(Nd: YAG 레이저 등), YVO₄ 레이저이다.A laser is irradiated to the 1st layer 111 of the semiconductor back surface protective film 11 over the dicing film 12, and the 1st layer 111 is provided with a mark. As the laser, a gas laser, a solid laser, a liquid laser, or the like can be used. The gas laser is, for example, a carbon dioxide laser (CO ₂ laser), an excimer laser (ArF laser, KrF laser, XeCl laser, XeF laser, etc.). The solid-state laser is, for example, a YAG laser (Nd: YAG laser or the like) or a YVO ₄ laser.

도 6에 나타낸 바와 같이, 밀어 올림 수단(33)으로 다이싱 필름(12)을 밀어올리고, 다이싱 필름(12)을 확장한다. 확장의 온도는, 바람직하게는 10℃ 이하, 보다 바람직하게는 0℃ 이하이다. 온도의 하한은 예를 들어 -20℃이다.As shown in FIG. 6, the dicing film 12 is pushed up by the pushing means 33, and the dicing film 12 is expanded. The temperature of the expansion is preferably 10°C or less, more preferably 0°C or less. The lower limit of the temperature is, for example, -20°C.

다이싱 필름(12)의 확장에 의해, 개질 영역(41)을 기점으로 반도체 웨이퍼(4)가 분단됨과 함께, 반도체 이면 보호 필름(11)도 분단된다. 이 결과, 분단 후 반도체 이면 보호 필름(11A)이 부착된 반도체 칩(4A)가 다이싱 필름(12) 상에 형성된다.With the expansion of the dicing film 12 , the semiconductor wafer 4 is divided from the modified region 41 as a starting point, and the semiconductor back surface protective film 11 is also divided. As a result, after division, the semiconductor chip 4A to which the semiconductor back surface protective film 11A was adhered is formed on the dicing film 12. As shown in FIG.

도 7에 나타낸 바와 같이, 밀어 올림 수단(33)을 하강시킨다. 이 결과, 다이싱 필름(12)에 느슨해짐이 발생한다. 느슨해짐은, 다이싱 필름(12)의 웨이퍼 고정 영역과 다이싱 링 고정 영역 사이에 발생한다.As shown in Fig. 7, the push-up means 33 is lowered. As a result, slack occurs in the dicing film 12 . Loosening occurs between the wafer holding region and the dicing ring holding region of the dicing film 12 .

도 8에 나타낸 바와 같이, 다이싱 필름(12)을 흡착 테이블(32)로 밀어올려 확장하고, 확장을 유지하면서 흡착 테이블(32)에 다이싱 필름(12)을 흡인 고정한다.As shown in FIG. 8 , the dicing film 12 is pushed up by the suction table 32 to expand, and the dicing film 12 is suctioned and fixed to the suction table 32 while maintaining the expansion.

도 9에 나타낸 바와 같이, 흡착 테이블(32)에 다이싱 필름(12)을 흡인 고정한 채, 흡착 테이블(32)을 하강시킨다.As shown in FIG. 9 , the suction table 32 is lowered while the dicing film 12 is sucked and fixed to the suction table 32 .

흡착 테이블(32)에 다이싱 필름(12)을 흡인 고정한 채, 다이싱 필름(12)의 느슨해짐에 열풍을 쏘이고, 느슨해짐을 제거한다. 열풍의 온도는, 바람직하게는 170℃ 이상, 보다 바람직하게는 180℃ 이상이다. 열풍 온도의 상한은, 예를 들어 240℃, 바람직하게는 220℃이다.While the dicing film 12 is sucked and fixed to the suction table 32, hot air is blown to the slack of the dicing film 12, and slack is removed. The temperature of hot air becomes like this. Preferably it is 170 degreeC or more, More preferably, it is 180 degreeC or more. The upper limit of the hot air temperature is, for example, 240°C, preferably 220°C.

점착제층(122)에 자외선을 조사하고, 점착제층(122)을 경화시킨다.UV is irradiated to the pressure-sensitive adhesive layer 122 to cure the pressure-sensitive adhesive layer 122 .

분단 후 반도체 이면 보호 필름(11A)이 부착된 반도체 칩(4A)을 다이싱 필름(12)으로부터 박리한다.After the division, the semiconductor chip 4A to which the semiconductor back surface protective film 11A is attached is peeled off from the dicing film 12 .

도 10에 나타낸 바와 같이, 분단 후 반도체 이면 보호 필름(11A)이 부착된 반도체 칩(4A)을, 플립 칩 본딩 방식(플립 칩 실장 방식)으로 피착체(6)에 고정한다. 구체적으로는, 반도체 칩(4A)의 회로면이 피착체(6)와 대향하는 형태로, 분단 후 반도체 이면 보호 필름(11A)이 부착된 반도체 칩(4A)을 피착체(6)에 고정한다. 예를 들어, 반도체 칩(4A)의 범프(51)를 피착체(6)의 도전재(땜납 등)(61)에 접촉시켜, 가압하면서 도전재(61)를 용융시킨다. 반도체 칩(4A)과 피착체(6) 사이에는 공극이 있다. 공극의 높이는 일반적으로 30㎛ 내지 300㎛ 정도이다. 고정 후는 공극 등의 세정을 행할 수 있다.As shown in FIG. 10 , the semiconductor chip 4A to which the semiconductor back surface protective film 11A is attached after division is fixed to the adherend 6 by a flip chip bonding method (flip chip mounting method). Specifically, the semiconductor chip 4A with the semiconductor back surface protective film 11A attached thereto is fixed to the adherend 6 after being divided in such a manner that the circuit surface of the semiconductor chip 4A faces the adherend 6 . . For example, the bump 51 of the semiconductor chip 4A is brought into contact with the conductive material (solder or the like) 61 of the adherend 6, and the conductive material 61 is melted while being pressed. There is a gap between the semiconductor chip 4A and the adherend 6 . The height of the pores is generally about 30 μm to 300 μm. After fixing, cleaning of voids and the like can be performed.

피착체(6)로서는, 리드 프레임이나 회로 기판(배선 회로 기판 등) 등의 기판을 사용할 수 있다. 이러한 기판의 재질로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 세라믹 기판이나, 플라스틱 기판을 들 수 있다. 플라스틱 기판으로서는, 예를 들어 에폭시 기판, 비스말레이미드트리아진 기판, 폴리이미드 기판 등을 들 수 있다.As the adherend 6, a substrate such as a lead frame or a circuit board (such as a wiring circuit board) can be used. Although it does not specifically limit as a material of such a board|substrate, A ceramic substrate and a plastic substrate are mentioned. As a plastic substrate, an epoxy board|substrate, a bismaleimide triazine board|substrate, a polyimide board|substrate etc. are mentioned, for example.

범프나 도전재의 재질로서는, 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 주석-납계 금속재, 주석-은계 금속재, 주석-은-구리계 금속재, 주석-아연계 금속재, 주석-아연-비스무트계 금속재 등의 땜납류(합금)이나, 금계 금속재, 구리계 금속재 등을 들 수 있다. 또한, 도전재(61)의 용융 시의 온도는, 통상 260℃ 정도이다.The material of the bump or the conductive material is not particularly limited, and for example, solders such as tin-lead metal material, tin-silver metal material, tin-silver-copper metal material, tin-zinc metal material, tin-zinc-bismuth metal material, etc. (alloy), a gold-type metal material, a copper-type metal material, etc. are mentioned. In addition, the temperature at the time of melting of the electrically conductive material 61 is about 260 degreeC normally.

반도체 칩(4A)과 피착체(6) 사이의 공극을 밀봉 수지로 밀봉한다. 통상 175℃로 60초간 내지 90초간의 가열을 행함으로써 밀봉 수지를 경화시킨다.The gap between the semiconductor chip 4A and the adherend 6 is sealed with a sealing resin. Usually, sealing resin is hardened by heating at 175 degreeC for 60 second - 90 second.

밀봉 수지로서는, 절연성을 갖는 수지(절연 수지)이면 특별히 제한되지 않는다. 밀봉 수지로서는, 탄성을 갖는 절연 수지가 보다 바람직하다. 밀봉 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지를 포함하는 수지 조성물 등을 들 수 있다. 또한, 에폭시 수지를 포함하는 수지 조성물에 의한 밀봉 수지로서는, 수지 성분으로서, 에폭시 수지 이외에, 에폭시 수지 이외의 열경화성 수지(페놀 수지 등)이나, 열 가소성 수지 등이 포함되어 있어도 된다. 또한, 페놀 수지로서는, 에폭시 수지의 경화제로서도 이용할 수 있다. 밀봉 수지의 형상은, 필름상, 태블릿상 등이다.It will not restrict|limit especially as long as it is resin (insulating resin) which has insulation as sealing resin. As sealing resin, the insulating resin which has elasticity is more preferable. As sealing resin, the resin composition etc. containing an epoxy resin are mentioned, for example. Moreover, as a sealing resin by the resin composition containing an epoxy resin, thermosetting resins (phenol resin etc.) other than an epoxy resin, a thermoplastic resin, etc. other than an epoxy resin may be contained as a resin component. Moreover, as a phenol resin, it can use also as a hardening|curing agent of an epoxy resin. The shape of the sealing resin is a film shape, a tablet shape, or the like.

이상의 방법에 의해 얻어진 반도체 장치(플립 칩 실장의 반도체 장치)는, 피착체(6)와, 피착체(6)에 고정된, 분단 후 반도체 이면 보호 필름(11A)이 부착된 반도체 칩(4A)을 포함한다.The semiconductor device (flip chip mounted semiconductor device) obtained by the above method includes an adherend 6 and a semiconductor chip 4A fixed to the adherend 6 and provided with a semiconductor back surface protective film 11A after division. includes

플립 칩 실장 방식으로 실장된 반도체 장치는, 다이 본딩 실장 방식으로 실장된 반도체 장치보다도, 얇고, 작다. 이로 인해, 각종 전자 기기·전자 부품 또는 그것들의 재료·부재로서 적합하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, 플립 칩 실장의 반도체 장치가 이용되는 전자 기기로서는, 소위 「휴대 전화」, 「PHS」, 소형의 컴퓨터(예를 들어, 소위 「PDA」(휴대 정보 단말기), 소위 「노트북 컴퓨터」, 소위 「넷북(상표)」, 소위 「웨어러블 컴퓨터」 등), 「휴대 전화」 및 컴퓨터가 일체화된 소형 전자 기기, 소위 「디지털 카메라(상표)」, 소위 「디지털 비디오 카메라」, 소형 텔레비전, 소형 게임기기, 소형 디지털 오디오 플레이어, 소위 「전자 수첩」, 소위 「전자 사전」, 소위 「전자 서적」용 전자 기기 단말기, 소형 디지털 타입의 시계 등의 모바일형 전자 기기(운반 가능한 전자 기기) 등을 들 수 있지만, 물론, 모바일형 이외(설치형 등)의 전자 기기(예를 들어, 소위 「데스크탑 퍼스널 컴퓨터」, 슬림형 텔레비전, 녹화·재생용 전자 기기(하드 디스크 리코더, DVD 플레이어 등), 프로젝터, 마이크로 머신 등) 등이어도 된다. 또한, 전자 부품 또는 전자 기기·전자 부품의 재료·부재로서는, 예를 들어 소위 「CPU」의 부재, 각종 기억 장치(소위 「메모리」, 하드 디스크 등)의 부재 등을 들 수 있다.A semiconductor device mounted by a flip chip mounting method is thinner and smaller than a semiconductor device mounted by a die bonding mounting method. For this reason, it can use suitably as various electronic devices, electronic components, or those materials and members. Specifically, as an electronic device in which a flip-chip mounted semiconductor device is used, a so-called "cellular phone", a "PHS", a small computer (eg, a so-called "PDA" (portable information terminal), a so-called "laptop computer") , so-called "netbook (trademark)", so-called "wearable computer", etc.), "mobile phone" and small electronic device integrated with a computer, so-called "digital camera (trademark)", so-called "digital video camera", small television, small size Mobile electronic devices (portable electronic devices) such as game devices, small digital audio players, so-called “electronic notebooks”, so-called “electronic dictionaries”, so-called “electronic books” terminals, and small digital watches Of course, electronic devices other than mobile type (installation type, etc.) etc.) may be used. Moreover, as a material and member of an electronic component or an electronic device/electronic component, the member of a so-called "CPU", the member of various storage devices (a so-called "memory", a hard disk, etc.), etc. are mentioned, for example.

변형예 1Variant 1

도 11에 나타낸 바와 같이, 반도체 이면 보호 필름(11)은 단층이다. 반도체 이면 보호 필름(11)의 적합한 구성 성분은 제2층(112)의 그것과 같다. 반도체 이면 보호 필름(11)에 있어서의 구성 성분의 적합한 함유량은 제2층(112)에 있어서의 구성 성분의 그것과 같다.11, the semiconductor back surface protective film 11 is a single layer. Suitable components of the semiconductor back surface protective film 11 are the same as those of the second layer 112 . The suitable content of the structural component in the semiconductor back surface protective film 11 is the same as that of the structural component in the 2nd layer 112.

변형예 2Variant 2

점착제층(122)의 제1 부분(122A)은, 에너지선에 의해 경화되는 성질을 갖는다. 점착제층(122)의 제2 부분(122B)도 에너지선에 의해 경화되는 성질을 갖는다. 변형예 2에서는, 분단 후 반도체 이면 보호 필름(11A)이 부착된 반도체 칩(4A)을 형성하는 공정 후에, 점착제층(122)에 에너지선을 조사해 분단 후 반도체 이면 보호 필름(11A)이 부착된 반도체 칩(4A)을 픽업한다. 에너지선을 조사하기 위하여, 분단 후 반도체 이면 보호 필름(11A)이 부착된 반도체 칩(4A)의 픽업이 용이하다.The first portion 122A of the pressure-sensitive adhesive layer 122 has a property of being cured by an energy ray. The second portion 122B of the pressure-sensitive adhesive layer 122 also has a property of being cured by an energy ray. In the modified example 2, after the step of forming the semiconductor chip 4A to which the semiconductor back surface protective film 11A is attached after division, the pressure-sensitive adhesive layer 122 is irradiated with energy rays and the semiconductor back surface protection film 11A is attached after division The semiconductor chip 4A is picked up. In order to irradiate an energy ray, it is easy to pick up the semiconductor chip 4A to which the semiconductor back surface protective film 11A is attached after division.

변형예 3Variant 3

점착제층(122)의 제1 부분(122A)은 에너지선에 의해 경화되고 있다. 점착제층(122)의 제2 부분(122B)도 에너지선에 의해 경화되고 있다.The first portion 122A of the pressure-sensitive adhesive layer 122 is being cured by an energy ray. The second portion 122B of the pressure-sensitive adhesive layer 122 is also cured by the energy ray.

변형예 4Variant 4

점착제층(122)의 제1 주면 전체가 반도체 이면 보호 필름(11)과 접하고 있다.The entire first main surface of the pressure-sensitive adhesive layer 122 is in contact with the semiconductor back surface protective film 11 .

(기타)(Etc)

변형예 1 내지 변형예 4 등은, 임의로 조합할 수 있다.Modifications 1 to 4 and the like can be arbitrarily combined.

이상과 같이, 실시 형태 1에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 시트(71)의 반도체 이면 보호 필름(11)에, 개질 영역(41)을 갖는 반도체 웨이퍼(4)를 고정하는 공정과, 반도체 웨이퍼(4) 부착의 시트(71)를 가열하는 공정과, 다이싱 필름(12)을 확장함으로써 개질 영역(41)을 기점으로 반도체 웨이퍼(4)를 분단하는 공정을 포함한다. 실시 형태 1에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 반도체 웨이퍼(4)를 분단하는 공정으로 형성된, 분단 후 반도체 이면 보호 필름(11A)이 부착된 반도체 칩(4A)을 다이싱 필름(12)으로부터 박리하는 공정을 더 포함한다. 실시 형태 1에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 시트(71)의 반도체 이면 보호 필름(11)에 반도체 웨이퍼(4)를 고정하는 공정과, 분단 후 반도체 이면 보호 필름(11A)이 부착된 반도체 칩(4A)을 다이싱 필름(12)으로부터 박리하는 공정 사이에, 반도체 이면 보호 필름(11)을 경화하는 공정을 포함하지 않는다.As mentioned above, the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on Embodiment 1 fixes the semiconductor wafer 4 which has the modified region 41 to the semiconductor back surface protective film 11 of the sheet|seat 71, A semiconductor wafer (4) A step of heating the attached sheet 71 and a step of dividing the semiconductor wafer 4 with the modified region 41 as a starting point by expanding the dicing film 12 are included. In the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment, a semiconductor chip 4A with a semiconductor back surface protective film 11A attached thereto, formed in a step of dividing the semiconductor wafer 4 after division, is peeled from the dicing film 12 . It further includes the process of The manufacturing method of the semiconductor device which concerns on Embodiment 1 is the process of fixing the semiconductor wafer 4 to the semiconductor back surface protective film 11 of the sheet|seat 71, The semiconductor chip with the semiconductor back surface protective film 11A after division. The process of hardening the semiconductor back surface protective film 11 is not included between the process of peeling (4A) from the dicing film 12.

실시예Example

이하에, 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 이 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등은, 특별히 한정적인 기재가 없는 한은, 본 발명의 범위를 그것들에만 한정하는 취지의 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in these examples are not intended to limit the scope of the present invention to only them unless otherwise limited.

원료·약품을 다음에 나타낸다.Raw materials and drugs are shown below.

아크릴산에스테르 공중합체(나가세 켐텍스사제 SG-P3)Acrylic acid ester copolymer (SG-P3 manufactured by Nagase Chemtex)

에폭시 수지 1(닛본 가야쿠사제 EPPN-501HY)Epoxy resin 1 (EPPN-501HY made by Nippon Kayaku Corporation)

에폭시 수지 2(도토 가세이사제 KI-3000-4)Epoxy resin 2 (KI-3000-4 made by Toto Chemical Co., Ltd.)

에폭시 수지 3(미쯔비시 가가꾸사제 jER YL980)Epoxy resin 3 (jER YL980 made by Mitsubishi Chemical Corporation)

페놀 수지(메이와 가세이사제 MEH7851-SS)Phenolic resin (MEH7851-SS manufactured by Meiwa Chemicals)

필러(아드마텍스사제 SO-25R 평균 입경 0.5㎛의 구상 실리카)Filler (SO-25R, spherical silica having an average particle diameter of 0.5 µm, manufactured by Admatex)

염료(오리엔트 가가꾸 고교사제 OIL BLACK BS)Dye (OIL BLACK BS made by Orient Chemical High School)

촉매(시코쿠 가세사제 큐어졸 2PZ)Catalyst (Curesol 2PZ manufactured by Shikoku Chemical Co., Ltd.)

실시예 1에서의 반도체 이면 보호 필름의 제작Preparation of semiconductor back surface protective film in Example 1

표 1에 따라 수지 조성물의 용액을 조제하고, 수지 조성물의 용액을 박리 라이너(미쯔비시 쥬시사 다이아호일 MRA50(실리콘 이형 처리한 두께 50㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름))에 도포하고, 건조하여, 반도체 이면 보호 필름을 얻었다. 구체적으로는, 아크릴산에스테르 공중합체(나가세 켐텍스사제 SG-P3)의 고형분-용제를 제외한 고형분-100중량부에 대해, 에폭시 수지 3(미쯔비시 가가꾸사제 jER YL980) 20중량부와, 에폭시 수지(도토 가세이사제 KI-3000-4) 50중량부와, 페놀 수지(메이와 가세이사제 MEH7851-SS) 75중량부와, 구상 실리카(아드마텍스사제 SO-25R 평균 입경 0.5㎛) 175중량부와, 염료(오리엔트 가가꾸 고교사제 OIL BLACK BS) 15중량부와, 촉매(시코쿠 가세사제 2PZ) 7중량부를 메틸에틸케톤에 용해하고, 고형분 농도 23.6중량％의 수지 조성물 용액을 조제했다. 수지 조성물의 용액을 박리 라이너(미쯔비시 쥬시사 다이아호일 MRA50)에 도포했다. 130℃에서 2분간 건조시켜, 반도체 이면 보호 필름을 얻었다.A solution of the resin composition was prepared according to Table 1, and the solution of the resin composition was applied to a release liner (Mitsubishi Jushi Corporation Diafoil MRA50 (polyethylene terephthalate film with a thickness of 50 µm subjected to silicone release treatment)), dried, and the back surface of the semiconductor A protective film was obtained. Specifically, with respect to the solid content of the acrylic acid ester copolymer (SG-P3 manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd.) - 100 parts by weight of the solid content excluding the solvent, 20 parts by weight of epoxy resin 3 (jER YL980 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) and an epoxy resin ( 50 parts by weight of KI-3000-4 manufactured by Toto Chemical Co., Ltd., 75 parts by weight of phenol resin (MEH7851-SS manufactured by Meiwa Chemicals), and 175 parts by weight of spherical silica (SO-25R, average particle diameter, 0.5 µm, manufactured by Admatex) and 15 parts by weight of a dye (OIL BLACK BS manufactured by Orient Chemical Co., Ltd.) and 7 parts by weight of a catalyst (2PZ manufactured by Shikoku Chemical Co., Ltd.) were dissolved in methyl ethyl ketone to prepare a resin composition solution having a solid content concentration of 23.6% by weight. A solution of the resin composition was applied to a release liner (Mitsubishi Jushi Corporation Diafoil MRA50). It was made to dry at 130 degreeC for 2 minutes, and the semiconductor back surface protective film was obtained.

실시예 2 내지 4·비교예 2에 있어서의 반도체 이면 보호 필름의 제작Preparation of the semiconductor back surface protective film in Examples 2-4 and the comparative example 2

레이저 마크층과 웨이퍼 마운트층을 제작해, 이들을, 100℃, 0.6MPa로 라미네이터에서 적층하여, 반도체 이면 보호 필름을 얻었다. 레이저 마크층은, 고형분 농도 23.6중량％의 수지 조성물 용액을 표 1에 따라 조제하고, 수지 조성물의 용액을 박리 라이너(미쯔비시 쥬시사 다이아호일 MRA50)에 도포하고, 130℃에서 2분간 건조함으로써 제작했다. 웨이퍼 마운트층은, 레이저 마크층과 같은 순서로 제작했다.The laser mark layer and the wafer mount layer were produced, these were laminated|stacked by the laminator at 100 degreeC, 0.6 MPa, and the semiconductor back surface protective film was obtained. The laser mark layer was prepared by preparing a resin composition solution having a solid content concentration of 23.6% by weight according to Table 1, applying the resin composition solution to a release liner (Mitsubishi Jushi Diafoil MRA50), and drying at 130° C. for 2 minutes. . The wafer mount layer was produced in the same order as the laser mark layer.

비교예 1에 있어서의 반도체 이면 보호 필름의 제작Preparation of the semiconductor back surface protective film in Comparative Example 1

고형분 농도 23.6중량％의 수지 조성물 용액을 표 1에 따라 조제하고, 수지 조성물의 용액을 박리 라이너(미쯔비시 쥬시사 다이아호일 MRA50)에 도포하고, 130℃에서 2분간 건조시켜, 반도체 이면 보호 필름을 얻었다.A resin composition solution having a solid content concentration of 23.6% by weight was prepared according to Table 1, and the resin composition solution was applied to a release liner (Mitsubishi Jushi Diafoil MRA50) and dried at 130° C. for 2 minutes to obtain a semiconductor back surface protective film. .

다이싱 필름의 제작Production of dicing film

냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산 2-에틸헥실(이하, 「2EHA」라고 함) 100중량부, 아크릴산-2-히드록시에틸(이하, 「HEA」라고 함) 19중량부, 과산화 벤조일 0.4중량부 및 톨루엔 80중량부를 넣고, 질소 기류 중에서 60℃에서 10시간 중합 처리를 하여, 아크릴계 중합체 A를 얻었다. 아크릴계 중합체 A에, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(이하,「MOI」라고 함) 12중량부를 추가하여, 공기 기류 중에서 50℃에서 60시간, 부가 반응 처리를 하고, 아크릴계 중합체 A’를 얻었다. 이어서, 아크릴계 중합체 A’100중량부(용제를 제외한 고형분)에 대해, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄사제) 2중량부 및 광중합 개시제(이르가큐어 369, 시바 스페셜티 케미컬즈사제)을 2중량부 추가하고, 고형분 농도 28％가 되도록 톨루엔을 추가하여, 점착제 용액을 얻었다. 점착제 용액을, PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 건조하여, 두께 10㎛의 점착제층을 형성했다. 계속해서, 점착제층의 노출면에, 두께 40㎛의 폴리프로필렌 필름을 접합하고, 23℃에서 72시간 보존하여, 다이싱 필름을 얻었다.100 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate (hereinafter referred to as "2EHA"), 2-hydroxyethyl acrylate (hereinafter referred to as "HEA") in a reaction vessel equipped with a cooling tube, a nitrogen introduction tube, a thermometer and a stirring device ) 19 parts by weight, 0.4 parts by weight of benzoyl peroxide, and 80 parts by weight of toluene were put, and polymerization was performed at 60° C. in a nitrogen stream for 10 hours to obtain an acrylic polymer A. To the acrylic polymer A, 12 parts by weight of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (hereinafter referred to as "MOI") was added, and an addition reaction treatment was performed at 50° C. for 60 hours in an air stream to obtain an acrylic polymer A'. . Next, 2 parts by weight of a polyisocyanate compound (trade name "Coronate L", manufactured by Nippon Polyurethane) and a photoinitiator (Irgacure 369, Ciba Specialty Chemicals) per 100 parts by weight of acrylic polymer A' (solid content excluding solvent) 2 parts by weight of (manufactured by the company) was added, toluene was added so that the solid content concentration might be 28%, and an adhesive solution was obtained. The adhesive solution was apply|coated on the silicone-treated surface of PET release liner, and it heat-dried at 120 degreeC for 2 minute(s), and the 10 micrometers-thick adhesive layer was formed. Then, the 40-micrometer-thick polypropylene film was bonded to the exposed surface of the adhesive layer, and it preserve|saved at 23 degreeC for 72 hours, and obtained the dicing film.

다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름의 제작Production of dicing film-integrated semiconductor back surface protective film

반도체 이면 보호 필름을, 다이싱 필름의 점착제층에 핸드 롤러로 적층하여, 다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름을 얻었다.The semiconductor back surface protective film was laminated|stacked on the adhesive layer of the dicing film with a hand roller, and the dicing film integrated semiconductor back surface protective film was obtained.

실시예Example 1· One· 비교예comparative example 1에 있어서의in 1 다이싱dicing 필름 일체형 All-in-one film 반도체 이면 보호Semiconductor backside protection 필름의 구조 film structure

실시예 1·비교예 1에 있어서의 다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름의 구조는, 도 11에 나타내는 그것과 같다. 실시예 1·비교예 1의 다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름은, 다이싱 필름과, 다이싱 필름의 점착제층 상에 위치하는 반도체 이면 보호 필름으로 이루어진다. 다이싱 필름은, 폴리프로필렌 필름과 점착제층으로 이루어진다.The structure of the dicing film integrated semiconductor back surface protective film in Example 1 and Comparative Example 1 is the same as that shown in FIG. The dicing film integrated semiconductor back surface protective film of Example 1 and Comparative Example 1 consists of a dicing film and the semiconductor back surface protective film located on the adhesive layer of the dicing film. A dicing film consists of a polypropylene film and an adhesive layer.

실시예Example 2 내지 4· 2 to 4 비교예comparative example 2에 있어서의in 2 다이싱dicing 필름 일체형 All-in-one film 반도체 이면 보호Semiconductor backside protection 필름의 구조 film structure

실시예 2 내지 4·비교예 2에 있어서의 다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름의 구조는, 도 2에 나타내는 그것과 같다. 실시예 2 내지 4·비교예 2의 다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름은, 다이싱 필름과, 다이싱 필름의 점착제층 상에 위치하는 반도체 이면 보호 필름으로 이루어진다. 다이싱 필름은, 폴리프로필렌 필름과 점착제층으로 이루어진다. 반도체 이면 보호 필름은, 레이저 마크층과 웨이퍼 마운트층으로 이루어진다. 레이저 마크층은, 도 2의 제1층(111)에 상당한다. 웨이퍼 마운트층은, 도 2의 제2층(112)에 상당한다.The structure of the dicing film integrated semiconductor back surface protective film in Examples 2-4 and the comparative example 2 is the same as that shown in FIG. The dicing film integrated semiconductor back surface protective film of Examples 2-4 and Comparative Example 2 consists of a dicing film and a semiconductor back surface protective film located on the adhesive layer of a dicing film. A dicing film consists of a polypropylene film and an adhesive layer. The semiconductor back surface protective film consists of a laser mark layer and a wafer mount layer. The laser mark layer corresponds to the first layer 111 in FIG. 2 . The wafer mount layer corresponds to the second layer 112 in FIG. 2 .

반도체 이면 보호 필름에 있어서의 발열량의 측정Measurement of calorific value in semiconductor back surface protective film

다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름의 반도체 이면 보호 필름을 박리하고, 반도체 이면 보호 필름으로부터 시료를 잘라냈다. 실시예 2 내지 4·비교예 2에 있어서는, 잘라내기 전후로, 레이저 마크층의 웨이퍼 마운트층에 대한 중량비가 변화하지 않도록, 시료를 잘라냈다. 시차 주사 열량계 DSC Q2000(TA인스트루먼츠사제)으로, 질소 분위기 하에서, 온도 범위-20℃ 내지 300℃, 승온 속도 10℃/분으로 DSC 측정했다. DSC차트에 있어서 50℃ 내지 300℃의 범위에 출현하는 발열 피크에 베이스 라인을 빼서, 발열량(J/g)을 산출했다(도 12 참조).The semiconductor back surface protective film of the dicing film integrated semiconductor back surface protective film was peeled, and the sample was cut out from the semiconductor back surface protective film. In Examples 2 to 4 and Comparative Example 2, samples were cut out before and after cutting so that the weight ratio of the laser mark layer to the wafer mount layer did not change. DSC measurement was carried out with a differential scanning calorimeter DSC Q2000 (manufactured by TA Instruments) in a nitrogen atmosphere at a temperature range of -20°C to 300°C and a temperature increase rate of 10°C/min. The base line was subtracted from the exothermic peak appearing in the range of 50°C to 300°C in the DSC chart to calculate the calorific value (J/g) (see Fig. 12).

실리콘 웨이퍼 박리력의 측정Measurement of Silicon Wafer Peel Force

반도체 이면 보호 필름으로부터 150㎜ 길이 10㎜ 폭의 시험편을 잘라, 시험편에 있어서의 한쪽 면에 점착 테이프(닛토덴코사제의 BT)를 핸드 롤러로 접합하여, 시험편에 있어서의 다른 쪽 면에, 70℃로 가열된 실리콘 미러 웨이퍼를 2kg 롤러로 접착했다. 시험편을, 점착 테이프와 함께 실리콘 웨이퍼로부터 180° 박리로 박리했을 때의 박리 하중(N/10㎜)을 오토그래프(시마즈 세이사쿠쇼사제)로 측정했다. 측정값 중 개시단 25㎜분과 종단 25㎜분을 제외한 100㎜분의 측정값을 채용하여, 박리 하중의 평균값을 구했다.A test piece of 150 mm length and 10 mm width was cut from the semiconductor back surface protective film, an adhesive tape (BT manufactured by Nitto Denko Corporation) was attached to one side of the test piece with a hand roller, and the other side of the test piece was 70 ° C. The heated silicon mirror wafer was adhered with a 2 kg roller. The peeling load (N/10mm) at the time of peeling a test piece by 180 degree peeling from a silicon wafer together with an adhesive tape was measured with the autograph (made by Shimadzu Corporation). The average value of peeling load was calculated|required by employ|adopting the measured value for 100 mm of the measured values excluding the 25 mm part of the start end and the part 25 mm of the end.

다이싱 필름 박리력의 측정Measurement of dicing film peel force

다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름으로부터 100㎜ 길이 20㎜ 폭의 시험편을 잘라냈다. 이 시험편은, 다이싱 필름과 다이싱 필름상에 위치하는 반도체 이면 보호 필름으로 이루어진다. 시험편의 반도체 이면 보호 필름에 점착 테이프(닛토덴코사제의 BT)를 핸드 롤러로 접합하여, 300mJ/㎠의 자외선을, 다이싱 필름의 폴리프로필렌 필름너머에서 점착제층에 조사했다. 반도체 이면 보호 필름을 다이싱 필름으로부터 박리하기 위한 박리 하중을, 오토그래프(시마즈 세이사쿠쇼제)를 사용한 인장 시험에서 구했다. 측정값 중 개시단 20㎜분과 종단부 20㎜분을 제외한 60㎜분의 측정값을 채용하여, 박리 하중의 평균값을 구했다.A test piece with a length of 100 mm and a width of 20 mm was cut out from the dicing film-integrated semiconductor back surface protective film. This test piece consists of a dicing film and a semiconductor back surface protective film located on the dicing film. An adhesive tape (BT made by Nitto Denko Corporation) was bonded to the semiconductor back surface protective film of the test piece with a hand roller, and ultraviolet rays of 300 mJ/cm 2 were irradiated to the pressure-sensitive adhesive layer through the polypropylene film of the dicing film. The peeling load for peeling a semiconductor back surface protective film from a dicing film was calculated|required by the tensile test using the autograph (made by Shimadzu Corporation). The average value of the peeling load was calculated|required by employ|adopting the measured value for 60 mm of the measured values excluding the 20 mm minute part of the start end and the end part 20 mm.

마운트성 평가Mountability evaluation

다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름의 반도체 이면 보호 필름상에 설치된 박리 라이너를 박리하고, 반도체 이면 보호 필름에 실리콘 웨이퍼(직경 8인치, 두께 0.6㎜의 실리콘 베어 미러 웨이퍼)를 70℃에서 롤 압착으로 접착했다. 실리콘 웨이퍼 박리력을 측정하고, 박리력이 5N/10㎜ 이상인 경우는 ○, 박리력이 3N/10㎜ 이상 5N/10㎜ 미만인 경우는 △, 박리력이 3N/10㎜ 미만인 경우는 ×로 판정했다.Peel off the release liner installed on the semiconductor back protective film of the dicing film integrated semiconductor back protective film, and roll a silicon wafer (8 inches in diameter, 0.6 mm thick silicon bare mirror wafer) onto the semiconductor back protective film by roll pressing at 70°C. glued The silicon wafer peeling force is measured, and when the peeling force is 5N/10mm or more, ○, when the peeling force is 3N/10mm or more and less than 5N/10mm, △, and when the peeling force is less than 3N/10mm, x is judged. did.

내리플로우 인자성 평가Reflow factor evaluation

다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름의 반도체 이면 보호 필름(실시예 2 내지 4·비교예 2에서는 웨이퍼 마운트층)에 실리콘 웨이퍼를 70℃에서 롤 압착으로 접착했다. 반도체 이면 보호 필름(실시예 2 내지 4·비교예 2에서는 레이저 마크층)에, MD-S9910(KEYENCE사제)으로, 레이저 파워 0.23W, 마킹 스피드300㎜/s, 주파수 10㎑의 조건에서 인자 레이저를 다이싱 필름 너머로 조사했다. 다이싱 필름의 폴리프로필렌 필름너머에서 300mJ/㎠의 자외선을 점착제층에 조사하고, 다이싱 필름을 박리했다. 리플로우 장치(다무라사제 TAP30-407PM)로, PIC/JEDEC-J-STD-020에 대응한 피크 온도 260℃ 조건으로 리플로우를 3회 행하고, 리플로우 전후의 인자 외관을 광학 현미경(KEYENCE사제 VHX-5600)으로 관찰했다. 인자 외관이 리플로우에서 현저하게 변화해 불명료해졌을 경우를 ×, 인자 외관이 리플로우에서 변화해 시인성이 악화되고 있는 경우를 △, 리플로우 전후로 인자 외관을 유지하고 있는 경우를 ○으로 했다.A silicon wafer was adhered to the semiconductor back surface protective film (the wafer mount layer in Examples 2 to 4 and Comparative Example 2) of the dicing film integrated semiconductor back surface protective film by roll pressing at 70°C. Printing laser on the semiconductor back surface protective film (laser mark layer in Examples 2 to 4 and Comparative Example 2) with MD-S9910 (manufactured by KEYENCE) under the conditions of a laser power of 0.23 W, a marking speed of 300 mm/s, and a frequency of 10 kHz. was irradiated through the dicing film. The pressure-sensitive adhesive layer was irradiated with ultraviolet rays of 300 mJ/cm 2 from the polypropylene film of the dicing film, and the dicing film was peeled off. Reflow was performed 3 times with a reflow device (TAP30-407PM manufactured by Tamura Corporation) under the condition of a peak temperature of 260°C corresponding to PIC/JEDEC-J-STD-020, and the print appearance before and after reflow was observed under an optical microscope (VHX manufactured by KEYENCE Corporation). -5600) was observed. The case where the printing appearance changed remarkably and became indistinct in the reflow was denoted by ×, the case in which the printing appearance changed in the reflow and visibility was deteriorated was denoted by △, and the case in which the printing external appearance was maintained before and after the reflow was denoted by (circle).

반도체 이면 보호 필름의 발열량이 40J/g 이하이면, 리플로우로 인자가 깨지는 적이 없었다(실시예 1 내지 4 참조). 한편, 반도체 이면 보호 필름의 발열량이 60J/g이면, 리플로우에서 인자가 깨졌다(비교예 2 참조).When the amount of heat generated by the protective film on the semiconductor back surface was 40 J/g or less, the printing was not broken by reflow (see Examples 1 to 4). On the other hand, if the amount of heat generated by the semiconductor back surface protective film was 60 J/g, printing was broken at reflow (refer to Comparative Example 2).

반도체 이면 보호 필름을, 레이저 마크층과 웨이퍼 마운트층으로 구성함으로써, 인자 리플로우 내성과 마운트성을 양립시킬 수 있었다(실시예 2 내지 3 참조).By composing the semiconductor back surface protective film with the laser mark layer and the wafer mount layer, it was possible to achieve both print reflow resistance and mountability (see Examples 2 to 3).

Claims

A dicing film comprising a base layer and an adhesive layer positioned on the base layer;
A semiconductor back surface protective film positioned on the pressure-sensitive adhesive layer,
The calorific value of the exothermic peak appearing at 50 ° C. to 300 ° C. in the DSC curve of the DSC measurement in the semiconductor back surface protective film is 40 J/g or less,
The semiconductor back surface protective film comprises a first layer,
The first layer is a cured layer,
The semiconductor back surface protective film further comprises a second layer,
wherein the second layer does not include a thermosetting accelerating catalyst.

delete

The sheet according to claim 1, wherein the exothermic peak that appears at 50°C to 300°C in the DSC curve of the DSC measurement in the first layer has a calorific value of 40 J/g or less.

delete

The sheet of claim 1, wherein the first layer is positioned between the pressure-sensitive adhesive layer and the second layer.

a release liner;
The sheet of claim 1 positioned on the release liner.
comprising, a tape.

A step of fixing a semiconductor wafer having a modified region to the semiconductor back surface protective film of the sheet according to any one of claims 1 to 5;
A step of dividing the semiconductor wafer from the modified region by expanding the dicing film
A method of manufacturing a semiconductor device comprising a.