KR102429046B1 - A film for forming a protective film and a composite sheet for forming a protective film - Google Patents

A film for forming a protective film and a composite sheet for forming a protective film Download PDF

Info

Publication number
KR102429046B1
KR102429046B1 KR1020187023999A KR20187023999A KR102429046B1 KR 102429046 B1 KR102429046 B1 KR 102429046B1 KR 1020187023999 A KR1020187023999 A KR 1020187023999A KR 20187023999 A KR20187023999 A KR 20187023999A KR 102429046 B1 KR102429046 B1 KR 102429046B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
protective film
film
forming
meth
group
Prior art date
Application number
KR1020187023999A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190003460A (en
Inventor
리키야 고바시
요이치 이나오
Original Assignee
린텍 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 린텍 가부시키가이샤 filed Critical 린텍 가부시키가이샤
Priority to KR1020227026573A priority Critical patent/KR102577856B1/en
Publication of KR20190003460A publication Critical patent/KR20190003460A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102429046B1 publication Critical patent/KR102429046B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • B32B37/26—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with at least one layer which influences the bonding during the lamination process, e.g. release layers or pressure equalising layers
    • B32B2037/268—Release layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2305/00—Condition, form or state of the layers or laminate
    • B32B2305/72—Cured, e.g. vulcanised, cross-linked
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/538—Roughness
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/748—Releasability
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2310/00—Treatment by energy or chemical effects
    • B32B2310/08—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation
    • B32B2310/0806—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B32B2310/0831—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using UV radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Abstract

본 발명은 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 상기 보호막의 적어도 한쪽 표면(β)의 표면 조도(Ra)가 0.038㎛ 이상인 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a film for forming an energy ray-curable protective film in which the surface roughness (Ra) of at least one surface (β) of the protective film is 0.038 µm or more when the film for forming a protective film is irradiated with an energy ray to form a protective film.

Description

보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트A film for forming a protective film and a composite sheet for forming a protective film

본 발명은 보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트에 관한 것이다. The present invention relates to a film for forming a protective film and a composite sheet for forming a protective film.

본원은 2016년 4월 28일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2016-92009호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다. This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2016-92009 for which it applied to Japan on April 28, 2016, and uses the content here.

근래, 소위 페이스 다운(face down) 방식으로 불리는 실장법을 적용한 반도체 장치의 제조가 행해지고 있다. 페이스 다운 방식에 있어서는, 회로면 상에 범프 등의 전극을 갖는 반도체 칩이 사용되고, 상기 전극이 기판과 접합된다. 이 때문에, 반도체 칩의 회로면과는 반대측 이면은 노출될 수 있다. DESCRIPTION OF RELATED ART In recent years, manufacture of the semiconductor device to which the mounting method called a so-called face down method is applied is performed. In the face-down method, a semiconductor chip having electrodes such as bumps on a circuit surface is used, and the electrodes are joined to the substrate. For this reason, the back surface opposite to the circuit surface of the semiconductor chip can be exposed.

이 노출된 반도체 칩의 이면에는 보호막으로서, 유기 재료를 함유하는 수지막이 형성되고, 보호막이 형성된 반도체 칩으로서 반도체 장치에 도입될 수 있다. A resin film containing an organic material is formed on the back surface of this exposed semiconductor chip as a protective film, and can be introduced into a semiconductor device as a semiconductor chip on which the protective film is formed.

보호막은 다이싱 공정이나 패키징 후에 반도체 칩에 있어서 크랙이 발생하는 것을 방지하기 위해 이용된다. The protective film is used to prevent cracks from occurring in the semiconductor chip after the dicing process or packaging.

이러한 보호막을 형성하기 위해서는 예를 들면, 지지 시트 상에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름을 구비하여 이루어지는 보호막 형성용 복합 시트가 사용된다. 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는 보호막 형성용 필름이 경화에 의해 보호막을 형성 가능하며, 또한 지지 시트를 다이싱 시트로서 이용 가능하고, 보호막 형성용 필름과 다이싱 시트가 일체화된 것으로 하는 것이 가능하다. In order to form such a protective film, the composite sheet for protective film formation which comprises the film for protective film formation for forming a protective film on a support sheet is used, for example. In the composite sheet for forming a protective film, the film for forming a protective film can form a protective film by curing, and the support sheet can be used as a dicing sheet, and it is possible to integrate the film for forming a protective film and the dicing sheet.

이러한 보호막 형성용 복합 시트로는 예를 들면, 가열에 의해 경화함으로써 보호막을 형성하는 열경화성 보호막 형성용 필름을 구비한 것이, 지금까지 주로 이용되어 왔다. 이 경우, 예를 들면, 반도체 웨이퍼의 이면(전극 형성면과는 반대측 면)에 열경화성 보호막 형성용 필름에 의해 보호막 형성용 복합 시트를 첩부한 후 가열에 의해 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막으로 하고, 다이싱에 의해 반도체 웨이퍼를 보호막마다 분할하여 반도체 칩으로 한다. 그리고, 반도체 칩을 이 보호막이 첩부된 상태인 채로, 지지 시트로부터 떨어뜨려 픽업한다. 또한, 보호막 형성용 필름의 경화와 다이싱은 이와는 반대의 순서로 행해지는 경우도 있다. As such a composite sheet for forming a protective film, for example, what was provided with the film for forming a thermosetting protective film which forms a protective film by hardening by heating has been mainly used until now. In this case, for example, a composite sheet for forming a protective film is affixed with a film for forming a thermosetting protective film on the back surface (surface opposite to the electrode formation surface) of the semiconductor wafer, and then the film for forming a protective film is cured by heating to obtain a protective film, , the semiconductor wafer is divided for each protective film by dicing to obtain a semiconductor chip. And the semiconductor chip is removed from the support sheet and picked up with this protective film affixed. In addition, hardening and dicing of the film for protective film formation may be performed in the reverse order to this.

그러나, 열경화성 보호막 형성용 필름의 가열 경화에는 통상 수시간 정도로 장시간을 필요로 하기 때문에, 경화 시간의 단축이 요망되고 있다. 이에 대해, 자외선 등의 에너지선의 조사에 의해 경화 가능한 보호막 형성용 필름을 보호막의 형성에 사용하는 것이 검토되고 있다. 예를 들면, 박리 필름 상에 형성된 에너지선 경화형 보호막(특허문헌 1 참조), 고경도이면서 반도체 칩에 대한 밀착성이 우수한 보호막을 형성할 수 있는 에너지선 경화형 칩 보호용 필름(특허문헌 2 참조)이 개시되어 있다. However, since a long time is usually required for about several hours for heat hardening of the film for thermosetting protective film formation, shortening of hardening time is desired. On the other hand, using the film for protective film formation which can be hardened by irradiation of energy rays, such as an ultraviolet-ray, for formation of a protective film is examined. For example, an energy ray-curable protective film formed on a release film (see Patent Document 1) and an energy ray-curable chip protective film (see Patent Document 2) that can form a protective film with high hardness and excellent adhesion to a semiconductor chip are disclosed. has been

일본 특허 제5144433호 공보Japanese Patent No. 5144433 Publication 일본 공개특허공보 2010-031183호Japanese Patent Laid-Open No. 2010-031183

그러나, 특허문헌 1에 개시되어 있는 에너지선 경화형 보호막은 지지 시트에 대한 점착력이 적정한지 확실하지 않다. 또한, 특허문헌 2에 개시되어 있는 에너지선 경화형 칩 보호용 필름도, 지지 시트 상에 형성된 것이 개시되어 있지만, 지지 시트에 대한 점착력이 적정한지 확실하지 않다. 이와 같이, 특허문헌 1 및 2에 개시되어 있는 보호막 형성용 필름은 픽업 적성이 불명확하다. However, it is not certain whether the adhesive force with respect to the support sheet of the energy ray-curable protective film disclosed in patent document 1 is appropriate. Moreover, although it is disclosed that the film for energy ray hardening-type chip|tip protection disclosed by patent document 2 was also formed on a support sheet, it is not certain whether the adhesive force with respect to a support sheet is appropriate. Thus, the pick-up aptitude of the film for protective film formation currently disclosed by patent documents 1 and 2 is unclear.

이에, 본 발명은 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 이면에 보호막을 형성 가능하고, 양호한 픽업 적성을 갖는 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름 및 상기 보호막 형성용 필름을 구비한 보호막 형성용 복합 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다. Accordingly, the present invention is capable of forming a protective film on the back surface of a semiconductor wafer or semiconductor chip, and provides a film for forming an energy ray-curable protective film having good pickup aptitude, and a composite sheet for forming a protective film comprising the film for forming a protective film. do it with

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 상기 보호막의 적어도 한쪽 표면(β)의 표면 조도(Ra)가 0.038㎛ 이상인 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름을 제공한다. In order to solve the above problems, the present invention provides an energy ray-curable protective film in which the surface roughness (Ra) of at least one surface (β) of the protective film is 0.038 µm or more when the protective film is irradiated with energy rays to form a protective film film is provided.

본 발명의 보호막 형성용 필름에 있어서는, 상기 표면(β)의 표면 조도(Ra)가 1.5㎛ 이하인 것이 바람직하다. In the film for protective film formation of this invention, it is preferable that surface roughness (Ra) of the said surface (beta) is 1.5 micrometers or less.

또한, 본 발명은 상기 보호막 형성용 필름을 지지 시트 상에 구비하여 이루어지고, 상기 보호막 형성용 필름의 상기 표면(β)이 상기 지지 시트와 마주보고 있는 보호막 형성용 복합 시트를 제공한다. In addition, the present invention provides a composite sheet for forming a protective film, comprising the film for forming a protective film on a support sheet, wherein the surface (β) of the film for forming a protective film faces the support sheet.

본 발명에 의하면, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 이면에 보호막을 형성 가능하고, 양호한 픽업 적성을 갖는 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름을 구비한 보호막 형성용 복합 시트가 제공된다. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the composite sheet for protective film formation provided with the film for energy ray-curable protective film formation which can form a protective film on the back surface of a semiconductor wafer or a semiconductor chip, and has favorable pick-up ability is provided.

도 1은 본 발명의 보호막 형성용 복합 시트의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 보호막 형성용 복합 시트의 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 보호막 형성용 필름의 또 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows typically one Embodiment of the composite sheet for protective film formation of this invention.
It is sectional drawing which shows typically other embodiment of the composite sheet for protective film formation of this invention.
It is sectional drawing which shows typically still another embodiment of the film for protective film formation of this invention.

◇ 보호막 형성용 필름◇ Film for forming protective film

본 발명의 보호막 형성용 필름은 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름으로서, 상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 상기 보호막의 적어도 한쪽 표면(β)의 표면 조도(Ra)가 0.038㎛ 이상이다. The film for forming a protective film of the present invention is a film for forming an energy ray-curable protective film, and when the film for forming a protective film is irradiated with energy rays to form a protective film, the surface roughness (Ra) of at least one surface (β) of the protective film is 0.038 more than μm.

본 발명의 보호막 형성용 필름은 적어도 한쪽 표면에 제1 박리 필름을 갖고 있어도 되고, 다른 한쪽 표면에 제2 박리 필름을 추가로 갖고 있어도 된다. 본 발명의 보호막 형성용 필름은 롤상으로 권회된 장척상 필름으로서 제공할 수 있다. The film for protective film formation of this invention may have a 1st peeling film in at least one surface, and may further have a 2nd peeling film in the other surface. The film for protective film formation of this invention can be provided as a long film wound in roll shape.

도 3은 본 발명의 보호막 형성용 필름의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 3에서는 제1 박리 필름(15b), 보호막 형성용 필름(13(23)) 및 제2 박리 필름(15a)이 이 순서로 적층되어 있다. It is sectional drawing which shows typically one Embodiment of the film for protective film formation of this invention. In FIG. 3, the 1st peeling film 15b, the film 13 (23) for protective film formation, and the 2nd peeling film 15a are laminated|stacked in this order.

본 명세서에서는 보호막 형성용 필름에 있어서, 반도체 웨이퍼의 이면(즉, 회로면과는 반대측 표면)에 첩부하는 표면을 「표면(α)」라고 칭하고, 반도체 웨이퍼의 이면에 첩부되는 표면과는 반대측 표면을 「표면(β)」라고 칭하는 경우가 있다. In the present specification, in the film for forming a protective film, the surface affixed to the back surface of the semiconductor wafer (that is, the surface opposite to the circuit surface) is referred to as “surface (α)”, and the surface opposite to the surface affixed to the back surface of the semiconductor wafer. is sometimes referred to as a “surface (β)”.

본 발명의 보호막 형성용 필름은 그 적어도 한쪽 표면(β)의 표면 조도(Ra)가 0.038㎛ 이상인 것이 바람직하고, 1.5㎛ 이하인 것이 바람직하다. It is preferable that the surface roughness Ra of the at least one surface (beta) of the film for protective film formation of this invention is 0.038 micrometer or more, and it is preferable that it is 1.5 micrometers or less.

본 발명의 하나의 측면은 에너지선 경화성을 갖고, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름으로서, 상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 상기 보호막의 상기 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩에 첩부되는 측의 표면(α)과는 반대측 표면(β)의 표면 조도(Ra)가 0.038㎛ 이상인 보호막 형성용 필름에 관한 것이다. 상기 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩에 첩부되는 측의 표면(α)과는 반대측 표면(β)의 표면 조도(Ra)는 1.5㎛ 이하인 것이 바람직하다. One aspect of the present invention is a film for forming a protective film having energy ray curability and forming a protective film on the back surface of a semiconductor wafer or semiconductor chip, wherein the protective film is formed by irradiating an energy ray to the protective film forming film. It relates to the film for protective film formation in which the surface roughness Ra of the surface (beta) opposite to the surface (alpha) of the side affixed to the said semiconductor wafer or semiconductor chip is 0.038 micrometers or more. It is preferable that the surface roughness (Ra) of the surface (beta) opposite to the surface (alpha) on the side affixed to the said semiconductor wafer or semiconductor chip is 1.5 micrometers or less.

본 발명의 다른 측면은 제1 박리 필름과, 상기 제1 박리 필름에 직접 접촉하고, 에너지선 경화성을 갖는 보호막 형성용 필름을 구비한 보호막 형성용 시트로서, 상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 상기 보호막의 상기 제1 박리 필름에 직접 접촉하고 있는 측의 표면(β)의 표면 조도(Ra)가 0.038㎛ 이상인 보호막 형성용 시트에 관한 것이다. 상기 제1 박리 필름에 첩부되어 있는 측의 표면(β)의 표면 조도(Ra)는 1.5㎛ 이하인 것이 바람직하다. Another aspect of the present invention is a sheet for forming a protective film comprising a first release film and a film for forming a protective film that is in direct contact with the first release film and has energy ray curability, wherein the film for forming a protective film is irradiated with energy rays. It relates to a sheet for forming a protective film having a surface roughness (Ra) of 0.038 µm or more of the surface (β) of the protective film on the side in direct contact with the first release film when a protective film is obtained. It is preferable that the surface roughness Ra of the surface (beta) of the side affixed to the said 1st peeling film is 1.5 micrometers or less.

상기 보호막 형성용 필름의 표면(β)에 직접 접촉하고 있는 제1 박리 필름의 표면의 표면 조도(Ra)가 0.03∼2.0㎛인 것이 바람직하고, 0.05∼1.8㎛인 것이 보다 바람직하다. 이러한 표면 조도(Ra)를 갖는 박리 필름의 표면에 보호막 형성용 필름을 직접 적층함으로써, 상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 상기 보호막의 적어도 한쪽 표면(β)의 표면 조도(Ra)를 0.038㎛ 이상, 1.5㎛ 이하로 조정할 수 있다. 즉, 상기 보호막 형성용 필름의 제1 박리 필름이 첩부된 측과는 반대측 표면(α)을 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 이면에 첩부하고, 상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 보호막으로 하고, 상기 제1 박리 필름을 박리함으로써, 상기 보호막의 표면(β)의 표면 조도(Ra)를 0.038㎛ 이상, 1.5㎛ 이하로 조정할 수 있다. It is preferable that it is 0.03-2.0 micrometers, and, as for surface roughness Ra of the surface of the 1st peeling film directly contacting the surface (beta) of the said film for protective film formation, it is more preferable that it is 0.05-1.8 micrometers. By directly laminating the film for forming a protective film on the surface of the release film having such a surface roughness (Ra), when the film for forming a protective film is irradiated with an energy ray to form a protective film, the surface roughness of at least one surface (β) of the protective film (Ra) can be adjusted to 0.038 µm or more and 1.5 µm or less. That is, the surface (α) on the opposite side to the side to which the first release film of the film for forming a protective film is affixed is affixed to the back surface of a semiconductor wafer or semiconductor chip, and an energy beam is irradiated to the film for forming a protective film to form a protective film, By peeling the said 1st peeling film, the surface roughness Ra of the surface (beta) of the said protective film can be adjusted to 0.038 micrometer or more and 1.5 micrometers or less.

본 발명의 보호막 형성용 필름에 있어서, 상기 표면(β)의 표면 조도(Ra)는 0.038∼1.5㎛가 바람직하고, 0.04∼1.47㎛가 보다 바람직하고, 0.08∼1.47㎛가 보다 바람직하고, 0.8∼1.43㎛가 더욱 바람직하다. The film for forming a protective film of this invention WHEREIN: 0.038-1.5 micrometers is preferable, as for the surface roughness Ra of the said surface (beta), 0.04-1.47 micrometers is more preferable, 0.08-1.47 micrometers are more preferable, 0.8- 1.43 mu m is more preferable.

본 명세서에 있어서, 보호막 형성용 필름의 표면(β)의 표면 조도(Ra)는 실시예에 기재된 측정 방법에 따라 측정할 수 있다. In this specification, the surface roughness (Ra) of the surface (beta) of the film for protective film formation can be measured according to the measuring method described in an Example.

◇ 보호막 형성용 복합 시트◇ Composite sheet for forming a protective film

본 발명의 보호막 형성용 복합 시트는 지지 시트 상에 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름을 구비하여 이루어지고, 상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 상기 보호막의 적어도 한쪽 표면(β)의 표면 조도(Ra)가 0.038㎛ 이상이다. The composite sheet for forming a protective film of the present invention comprises a film for forming an energy ray-curable protective film on a supporting sheet, and when the film for forming a protective film is irradiated with energy rays to form a protective film, at least one surface of the protective film (β ) has a surface roughness (Ra) of 0.038 µm or more.

본 발명의 보호막 형성용 복합 시트에서는 상기 보호막 형성용 필름의 상기 표면(β)이 상기 지지 시트와 마주보고 있는 것이 바람직하다. In the composite sheet for forming a protective film of the present invention, it is preferable that the surface (β) of the film for forming a protective film faces the supporting sheet.

본 발명의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서의 상기 보호막 형성용 필름의 상기 표면(β)이 0.038㎛ 이상인 것이 바람직하고, 1.5㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서의 상기 보호막 형성용 필름에 있어서, 상기 표면(β)의 표면 조도(Ra)는 0.038∼1.5㎛가 바람직하고, 0.04∼1.47㎛가 보다 바람직하고, 0.08∼1.47㎛가 보다 바람직하고, 0.8∼1.43이 더욱 바람직하다. It is preferable that the said surface (beta) of the said film for protective film formation in the composite sheet for protective film formation of this invention is 0.038 micrometers or more, and it is preferable that it is 1.5 micrometers or less. Further, in the film for forming a protective film in the composite sheet for forming a protective film of the present invention, the surface roughness (Ra) of the surface (β) is preferably 0.038 to 1.5 µm, more preferably 0.04 to 1.47 µm, 0.08-1.47 micrometers are more preferable, and 0.8-1.43 are still more preferable.

상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 상기 보호막과 상기 지지 시트 사이의 점착력이 50∼1500mN/25㎜이어도 된다. When an energy ray is irradiated to the said film for protective film formation and it is set as a protective film, the adhesive force between the said protective film and the said support sheet may be 50-1500 mN/25 mm.

한편, 본 명세서에 있어서, 「보호막 형성용 필름」이란 경화 전인 것을 의미하고, 「보호막」이란 보호막 형성용 필름을 경화시킨 것을 의미한다. 또한, 보호막 형성용 복합 시트에 있어서의 보호막 형성용 필름의 표면(β)의 표면 조도(Ra)는 실시예에 기재된 측정 방법에 따라 측정할 수 있다. In addition, in this specification, a "film for protective film formation" means the thing before hardening, and a "protective film" means what hardened the film for protective film formation. In addition, the surface roughness Ra of the surface (beta) of the film for protective film formation in the composite sheet for protective film formation can be measured according to the measuring method as described in an Example.

상기 보호막 형성용 필름은 에너지선의 조사에 의해 경화되어, 보호막이 된다. 이 보호막은 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 이면(전극 형성면과는 반대측 면)을 보호하기 위한 것이다. 보호막 형성용 필름은 연질이며, 첩부 대상물에 용이하게 첩부할 수 있다. 그리고, 상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 상기 보호막의 적어도 한쪽 표면(β)의 표면 조도(Ra)가 0.038㎛ 이상임으로써, 본 발명의 보호막 형성용 복합 시트는 양호한 픽업 적성을 갖고, 예를 들면, 목적으로 하는 반도체 칩을 고선택적으로 픽업할 수 있으며, 이 때 반도체 칩의 균열 및 결함이 억제된다. 나아가서는, 보호막과 상기 지지 시트 사이의 점착력이 예를 들면 50∼1500mN/25㎜이 됨으로써 양호한 픽업 적성을 갖는다. The said film for protective film formation is hardened|cured by irradiation of an energy ray, and turns into a protective film. This protective film is for protecting the back surface (surface opposite to the electrode formation surface) of a semiconductor wafer or a semiconductor chip. The film for protective film formation is soft and can be affixed to a sticking target object easily. And when the protective film is irradiated with energy rays to form a protective film, the surface roughness (Ra) of at least one surface (β) of the protective film is 0.038 µm or more, so the composite sheet for forming a protective film of the present invention is a good pickup It has the aptitude and can pick up a target semiconductor chip highly selectively, for example, and cracks and defects of a semiconductor chip are suppressed at this time. Furthermore, when the adhesive force between a protective film and the said support sheet is set to 50-1500 mN/25 mm, for example, it has favorable pick-up aptitude.

또한, 본 발명의 보호막 형성용 복합 시트에서는 상기 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성이기 때문에, 열경화성 보호막 형성용 필름을 구비한 종래의 보호막 형성용 복합 시트의 경우보다, 단시간에서의 경화에 의해 보호막을 형성할 수 있다. Further, in the composite sheet for forming a protective film of the present invention, since the film for forming a protective film is energy ray-curable, the protective film is cured by curing in a shorter time than in the case of the conventional composite sheet for forming a protective film having a film for forming a thermosetting protective film. can be formed

본 발명에 있어서, 「에너지선」이란 전자파 또는 하전입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것을 의미하고, 그 예로서 자외선, 방사선, 전자선 등을 들 수 있다. In this invention, an "energy beam" means having an energy proton in an electromagnetic wave or a charged particle beam, and an ultraviolet-ray, a radiation, an electron beam, etc. are mentioned as an example.

자외선은 예를 들면, 자외선원으로서 고압 수은 램프, 퓨전 H 램프, 크세논램프, 블랙 라이트 또는 LED 램프 등을 사용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은 전자선 가속기 등에 의해 발생시킨 것을 조사할 수 있다. Ultraviolet rays can be irradiated by using, for example, a high-pressure mercury lamp, a fusion H lamp, a xenon lamp, a black light, an LED lamp, etc. as an ultraviolet-ray source. The electron beam can irradiate what was generated by an electron beam accelerator etc.

본 발명에 있어서, 「에너지선 경화성」이란 에너지선을 조사함으로써 경화되는 성질을 의미하고, 「비에너지선 경화성」이란 에너지선을 조사해도 경화되지 않는 성질을 의미한다. In the present invention, "energy ray curability" means a property that is hardened by irradiating an energy ray, and "non-energy ray curability" means a property that does not harden even when irradiated with an energy ray.

본 발명의 보호막 형성용 복합 시트의 사용 대상인 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 본 발명의 효과가 보다 현저히 얻어지는 점에서, 30∼1000㎛인 것이 바람직하고, 100∼300㎛인 것이 보다 바람직하다. Although the thickness of the semiconductor wafer or semiconductor chip which is the object of use of the composite sheet for protective film formation of this invention is not specifically limited, It is preferable that it is 30-1000 micrometers, and it is 100-300 micrometers from the point which the effect of this invention is acquired more notably. more preferably.

이하, 본 발명의 구성에 대해서, 상세히 설명한다. Hereinafter, the structure of this invention is demonstrated in detail.

◎ 지지 시트◎ Support sheet

상기 지지 시트는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 된다. 지지 시트가 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층의 구성 재료 및 두께는 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한 특별히 한정되지 않는다. The said support sheet may consist of one layer (single layer), and may consist of multiple layers of two or more layers. When a support sheet consists of multiple layers, the constituent material and thickness of these multiple layers may mutually be the same or different, and the combination of these multiple layers is not specifically limited unless the effect of this invention is impaired.

한편, 본 명세서에 있어서는 지지 시트의 경우로 한정되지 않으며, 「복수층이 서로 동일해도 상이해도 된다」란 「모든 층이 동일해도 되고, 모든 층이 상이해도 되고, 일부의 층만이 동일해도 된다」는 것을 의미하고, 또한 「복수층이 서로 상이하다」란 「각층의 구성 재료 및 두께의 적어도 한쪽이 서로 상이하다」는 것을 의미한다. In addition, in this specification, it is not limited to the case of a support sheet, "a plurality of layers may be the same or different from each other" means "all layers may be the same, all layers may be different, and only some layers may be the same" , and "a plurality of layers are different from each other" means "at least one of the constituent materials and thickness of each layer is different from each other."

바람직한 지지 시트로는 예를 들면, 기재 상에 점착제층이 직접 접촉하여 적층되어 이루어지는 것, 기재 상에 중간층을 개재하여 점착제층이 적층되어 이루어지는 것, 기재만으로 이루어지는 것 등을 들 수 있다. 본 발명에 있어서는 기재만으로 이루어지는 지지 시트가 바람직하다. Preferred support sheets include, for example, those in which the pressure-sensitive adhesive layer is laminated in direct contact with the substrate, those in which the pressure-sensitive adhesive layer is laminated on the substrate through an intermediate layer, and those formed only by the substrate. In this invention, the support sheet which consists only of a base material is preferable.

본 발명의 보호막 형성용 복합 시트의 예를 이러한 지지 시트의 종류마다, 이하, 도면을 참조하여 설명한다. 한편, 이하의 설명에서 사용하는 도면은 본 발명의 특징을 알기 쉽게 하기 위해, 편의상, 주요부가 되는 부분을 확대하여 나타내는 경우가 있으며, 각 구성 요소의 치수 비율 등이 실제와 동일하다고는 한정되지 않는다. The example of the composite sheet for protective film formation of this invention is demonstrated with reference to drawings below for every kind of such a support sheet. On the other hand, the drawings used in the following description may show enlarged parts of the main parts for convenience in order to make the characteristics of the present invention easy to understand, and the dimensional ratio of each component is not limited to the same as in reality. .

도 1은 본 발명의 보호막 형성용 복합 시트의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows typically one Embodiment of the composite sheet for protective film formation of this invention.

여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1C)는 점착제층을 구비하고 있지 않다. 즉, 보호막 형성용 복합 시트(1C)에 있어서는 지지 시트(10)가 기재(11)만으로 이루어진다. 그리고, 기재(11)의 한쪽 표면(11a)(지지 시트(10)의 한쪽 표면(10a))에 보호막 형성용 필름(13)이 적층되고, 보호막 형성용 필름(13)의 표면(13a)의 일부, 즉, 주연부 근방의 영역에 지그용 접착제층(16)이 적층되고, 보호막 형성용 필름(13)의 표면(13a) 중 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있지 않은 면과, 지그용 접착제층(16)의 표면(16a)(상면 및 측면)에 박리 필름(15)이 적층되어 있다. 1 C of composite sheets for protective film formation shown here are not equipped with the adhesive layer. That is, in 1 C of composite sheets for protective film formation, the support sheet 10 consists of the base material 11 only. And the film 13 for protective film formation is laminated|stacked on one surface 11a of the base material 11 (one surface 10a of the support sheet 10), and the surface 13a of the film 13 for protective film formation Part, that is, the adhesive layer 16 for a jig is laminated in a region near the periphery, and the surface 13a of the film 13 for forming a protective film on which the adhesive layer 16 for a jig is not laminated, and the jig A release film 15 is laminated on the surface 16a (upper surface and side surface) of the adhesive layer 16 .

보호막 형성용 복합 시트(1C)에 있어서, 경화 후의 보호막 형성용 필름(13)(즉, 보호막)과 지지 시트(10) 사이의 점착력, 다시 말하면 보호막과 기재(11) 사이의 점착력은 50∼1500mN/25㎜인 것이 바람직하다. In the composite sheet for forming a protective film 1C, the adhesive force between the protective film forming film 13 (that is, the protective film) and the support sheet 10 after curing, that is, the adhesive force between the protective film and the base material 11 is 50 to 1500 mN It is preferable that it is /25 mm.

도 1에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1C)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(13)의 표면(13a)에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로 지그용 접착제층(16)의 표면(16a) 중 상면이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다. 1C of composite sheet for protective film formation shown in FIG. 1 is the state from which the peeling film 15 was removed, and the back surface of a semiconductor wafer (not shown) is affixed to the surface 13a of the film 13 for protective film formation, The upper surface of the surface 16a of the adhesive bond layer 16 for furnace jigs is affixed to jigs, such as a ring frame, and is used.

도 2는 본 발명의 보호막 형성용 복합 시트의 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.It is sectional drawing which shows typically other embodiment of the composite sheet for protective film formation of this invention.

여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1D)는 지그용 접착제층(16)을 구비하고 있지 않은 점 이외에는, 도 1에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1C)와 동일한 것이다. 즉, 보호막 형성용 복합 시트(1D)에 있어서는 기재(11)의 한쪽 표면(11a)에 보호막 형성용 필름(13)이 적층되고, 보호막 형성용 필름(13)의 표면(13a)의 전면에 박리 필름(15)이 적층되어 있다. The composite sheet 1D for protective film formation shown here is the same thing as 1 C of composite sheets for protective film formation shown in FIG. 1 except the point which is not equipped with the adhesive bond layer 16 for jig|tools. That is, in the composite sheet 1D for protective film formation, the film 13 for protective film formation is laminated|stacked on one surface 11a of the base material 11, and peels on the whole surface of the surface 13a of the film 13 for protective film formation. Films 15 are laminated.

도 2에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1D)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(13)의 표면(13a) 중 중앙측의 일부의 영역에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로 보호막 형성용 필름(13)의 주연부 근방의 영역이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다. The composite sheet 1D for protective film formation shown in FIG. 2 is a state from which the peeling film 15 was removed, and among the surface 13a of the film 13 for protective film formation, it is a semiconductor wafer (not shown) in a part area|region on the central side. is affixed, and the region in the vicinity of the periphery of the film 13 for forming a protective film is affixed to a jig such as a ring frame and used.

이와 같이, 본 발명의 보호막 형성용 복합 시트는 지그용 접착제층을 구비한 것이어도 된다. 단, 통상은 도 1에 나타내는 바와 같이, 지그용 접착제층을 구비한 본 발명의 보호막 형성용 복합 시트로는, 보호막 형성용 필름 상에 지그용 접착제층을 구비한 것이 바람직하다. Thus, the composite sheet for protective film formation of this invention may be equipped with the adhesive bond layer for jig|tools. However, normally, as shown in FIG. 1, as a composite sheet for protective film formation of this invention provided with the adhesive bond layer for jigs, it is preferable that the adhesive bond layer for jigs was provided on the film for protective film formation.

본 발명의 보호막 형성용 복합 시트는 도 1∼3에 나타내는 것으로 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 도 1∼3에 나타내는 것의 일부의 구성이 변경 또는 삭제된 것이나, 지금까지 설명한 것에 추가로 다른 구성이 추가된 것이어도 된다. The composite sheet for forming a protective film of the present invention is not limited to that shown in Figs. 1 to 3, but within a range that does not impair the effects of the present invention, some configurations of those shown in Figs. 1 to 3 have been changed or deleted, but now In addition to what has been described above, other configurations may be added.

또한, 본 발명의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는 박리 필름과, 이 박리 필름과 직접 접촉하고 있는 층 사이에, 일부 간극이 발생되어 있어도 된다. Moreover, in the composite sheet for protective film formation of this invention, a part of clearance gap may generate|occur|produce between the peeling film and the layer in direct contact with this peeling film.

또한, 본 발명의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는 각층의 크기나 형상은 목적에 따라 임의로 조절할 수 있다.In addition, in the composite sheet for forming a protective film of the present invention, the size and shape of each layer can be arbitrarily adjusted according to the purpose.

지지 시트는 투명이어도 되고, 불투명이어도 되고, 목적에 따라 착색되어 있어도 된다. The support sheet may be transparent, may be opaque, and may be colored according to the objective.

그 중에서도 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성을 갖는 본 발명에 있어서는 지지 시트는 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다. Especially, in this invention in which the film for protective film formation has energy-beam sclerosis|hardenability, it is preferable for a support sheet to permeate|transmit an energy-beam.

예를 들면, 지지 시트에 있어서, 파장 375㎚인 광의 투과율은 30％ 이상인 것이 바람직하고, 50％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 70％ 이상인 것이 특히 바람직하다. 상기 광의 투과율이 이러한 범위임으로써, 지지 시트를 개재하여 보호막 형성용 필름에 에너지선(자외선)을 조사했을 때, 보호막 형성용 필름의 경화도가 보다 향상된다. For example, in the support sheet, the transmittance of light having a wavelength of 375 nm is preferably 30% or more, more preferably 50% or more, and particularly preferably 70% or more. When the transmittance|permeability of the said light is such a range and an energy ray (ultraviolet ray) is irradiated to the film for protective film formation through a support sheet, the hardening degree of the film for protective film formation improves more.

한편, 지지 시트에 있어서, 파장 375㎚인 광의 투과율의 상한값은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 95％로 하는 것이 가능하다. In addition, in a support sheet, although the upper limit of the transmittance|permeability of the light with a wavelength of 375 nm is not specifically limited, For example, it is possible to set it as 95 %.

또한, 지지 시트에 있어서, 파장 532㎚인 광의 투과율은 30％ 이상인 것이 바람직하고, 50％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 70％ 이상인 것이 특히 바람직하다. Further, in the support sheet, the transmittance of light having a wavelength of 532 nm is preferably 30% or more, more preferably 50% or more, and particularly preferably 70% or more.

상기 광의 투과율이 이러한 범위임으로써, 지지 시트를 개재하여 보호막 형성용 필름 또는 보호막에 레이저광을 조사하고, 이들에 인자했을 때, 보다 명료하게 인자할 수 있다. When the transmittance|permeability of the said light is this range, when a laser beam is irradiated to the film for protective film formation or a protective film through a support sheet, and it prints on these, it can print more clearly.

한편, 지지 시트에 있어서, 파장 532㎚인 광의 투과율의 상한값은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 95％로 하는 것이 가능하다. In addition, in a support sheet, although the upper limit of the transmittance|permeability of the light with a wavelength of 532 nm is not specifically limited, For example, it is possible to set it as 95 %.

또한, 지지 시트에 있어서, 파장 1064㎚인 광의 투과율은 30％ 이상인 것이 바람직하고, 50％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 70％ 이상인 것이 특히 바람직하다. 상기 광의 투과율이 이러한 범위임으로써, 지지 시트를 개재하여 보호막 형성용 필름 또는 보호막에 레이저광을 조사하고, 이들에 인자했을 때, 보다 명료하게 인자할 수 있다. Further, in the support sheet, the transmittance of light having a wavelength of 1064 nm is preferably 30% or more, more preferably 50% or more, and particularly preferably 70% or more. When the transmittance|permeability of the said light is this range, when a laser beam is irradiated to the film for protective film formation or a protective film through a support sheet, and it prints on these, it can print more clearly.

한편, 지지 시트에 있어서, 파장 1064㎚인 광의 투과율의 상한값은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 95％로 하는 것이 가능하다. In addition, in a support sheet, although the upper limit of the transmittance|permeability of the light with a wavelength of 1064 nm is not specifically limited, For example, it is possible to set it as 95 %.

다음으로, 지지 시트를 구성하는 각층에 대해서, 추가로 상세히 설명한다. Next, each layer constituting the support sheet will be further described in detail.

○ 기재○ Description

상기 기재는 시트상 또는 필름상이며, 그 구성 재료로는 예를 들면, 각종 수지를 들 수 있다. The said base material is a sheet form or a film form, and various resin is mentioned as the constituent material, for example.

상기 수지로는 예를 들면, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 등의 폴리에틸렌; 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 노르보르넨 수지 등의 폴리에틸렌 이외의 폴리올레핀; 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌-노르보르넨 공중합체 등의 에틸렌계 공중합체(모노머로서 에틸렌을 사용하여 얻어진 공중합체); 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체 등의 염화비닐계 수지(모노머로서 염화비닐을 사용하여 얻어진 수지); 폴리스티렌; 폴리시클로올레핀; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌이소프탈레이트, 폴리에틸렌-2,6-나프탈렌디카르복시레이트, 모든 구성 단위가 방향족 고리기를 갖는 전체 방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르; 2종 이상의 상기 폴리에스테르의 공중합체; 폴리(메타)아크릴산에스테르; 폴리우레탄; 폴리우레탄아크릴레이트; 폴리이미드; 폴리아미드; 폴리카보네이트; 불소 수지; 폴리아세탈; 변성 폴리페닐렌옥시드; 폴리페닐렌설파이드; 폴리술폰; 폴리에테르케톤 등을 들 수 있다. Examples of the resin include polyethylene such as low density polyethylene (LDPE), linear low density polyethylene (LLDPE), and high density polyethylene (HDPE); polyolefins other than polyethylene, such as polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, and norbornene resin; Ethylene-based copolymers such as ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid ester copolymer, ethylene-norbornene copolymer (copolymer obtained using ethylene as a monomer) ; vinyl chloride-based resins such as polyvinyl chloride and vinyl chloride copolymer (resin obtained using vinyl chloride as a monomer); polystyrene; polycycloolefin; polyesters such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene isophthalate, polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate, and wholly aromatic polyester in which all structural units have an aromatic ring group; a copolymer of two or more of the above polyesters; poly(meth)acrylic acid ester; Polyurethane; polyurethane acrylate; polyimide; polyamide; polycarbonate; fluororesin; polyacetal; modified polyphenylene oxide; polyphenylene sulfide; polysulfone; Polyether ketone etc. are mentioned.

또한, 상기 수지로는 예를 들면, 상기 폴리에스테르와 그 이외의 수지의 혼합물 등의 폴리머 알로이도 들 수 있다. 상기 폴리에스테르와 그 이외의 수지의 폴리머 알로이는 폴리에스테르 이외의 수지의 양이 비교적 소량인 것이 바람직하다. Moreover, as said resin, polymer alloys, such as a mixture of the said polyester and other resin, are also mentioned, for example. In the polymer alloy of the polyester and other resins, it is preferable that the amount of the resin other than the polyester is relatively small.

또한, 상기 수지로는 예를 들면, 지금까지 예시한 상기 수지의 1종 또는 2종 이상이 가교된 가교 수지; 지금까지 예시한 상기 수지의 1종 또는 2종 이상을 사용한 아이오노머 등의 변성 수지도 들 수 있다. Moreover, as said resin, For example, 1 type, or 2 or more types of the said resin exemplified so far are crosslinked crosslinked resins; Modified resins, such as an ionomer using 1 type(s) or 2 or more types of the said resin illustrated so far, are also mentioned.

한편, 본 명세서에 있어서, 「(메타)아크릴산」이란 「아크릴산」 및 「메타크릴산」의 양쪽을 포함하는 개념으로 한다. (메타)아크릴산과 유사한 용어에 대해서도 동일하다. In addition, in this specification, let "(meth)acrylic acid" be a concept including both "acrylic acid" and "methacrylic acid." The same is true for terms similar to (meth)acrylic acid.

기재를 구성하는 수지는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of resins constituting the substrate may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

기재는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되고, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다. The substrate may be composed of one layer (single layer), may be composed of two or more layers, and when composed of multiple layers, these multiple layers may be the same or different from each other, and the combination of these multiple layers is not particularly limited. does not

기재의 두께는 50∼300㎛인 것이 바람직하고, 60∼100㎛인 것이 보다 바람직하다. 기재의 두께가 이러한 범위임으로써, 상기 보호막 형성용 복합 시트의 가요성과, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩에 대한 첩부성이 보다 향상된다. It is preferable that it is 50-300 micrometers, and, as for the thickness of a base material, it is more preferable that it is 60-100 micrometers. When the thickness of a base material is such a range, the flexibility of the said composite sheet for protective film formation, and the sticking property with respect to a semiconductor wafer or a semiconductor chip improve more.

여기서, 「기재의 두께」란 기재 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 기재의 두께란 기재를 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다. Here, "thickness of a base material" means the thickness of the whole base material, for example, the thickness of the base material which consists of multiple layers means the thickness of the sum total of all the layers which comprise a base material.

본 명세서에 있어서, 「두께」란 접촉식 두께 측정기로, 대상물의 임의의 5개소를 측정하여, 그 평균으로 나타내는 값이다. In this specification, "thickness" is a value which measures 5 arbitrary places of an object with a contact-type thickness measuring machine, and shows the average.

기재는 두께의 정밀도가 높은 것, 즉, 부위에 상관없이 두께의 편차가 억제된 것이 바람직하다. 상술한 구성 재료 중 이러한 두께의 정밀도가 높은 기재를 구성하는 데에 사용 가능한 재료로는 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 이외의 폴리올레핀, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 에틸렌-초산비닐 공중합체 등을 들 수 있다. It is preferable that the base material has a high thickness accuracy, that is, a thickness variation is suppressed irrespective of the site. Among the above-mentioned constituent materials, materials usable for constituting a substrate having such a high precision in thickness include, for example, polyethylene, polyolefins other than polyethylene, polyethylene terephthalate, ethylene-vinyl acetate copolymer, and the like.

기재는 상기 수지 등의 주된 구성 재료 이외에 충전재, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 유기 윤활제, 촉매, 연화제(가소제) 등의 공지의 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다. The base material may contain various known additives such as fillers, colorants, antistatic agents, antioxidants, organic lubricants, catalysts and softeners (plasticizers) in addition to the main constituent materials such as the resin.

기재의 광학 특성은 앞서 설명한 지지 시트의 광학 특성을 만족시키도록 되어 있으면 된다. 즉, 기재는 투명해도 되고, 불투명해도 되고, 목적에 따라 착색되어 있어도 되고, 다른 층이 증착되어 있어도 된다. The optical properties of the substrate may satisfy the optical properties of the support sheet described above. That is, the base material may be transparent, may be opaque, may be colored according to the objective, and another layer may be vapor-deposited.

그리고, 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성을 갖는 본 발명에 있어서는, 기재는 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다. And in this invention in which the film for protective film formation has energy-beam sclerosis|hardenability, it is preferable for a base material to permeate|transmit an energy-beam.

기재는 그 위에 형성되는 점착제층 등의 다른 층과의 밀착성을 향상시키기 위해, 샌드블라스트 처리, 용제 처리 등에 의한 요철화 처리나, 코로나 방전 처리, 전자선 조사 처리, 플라즈마 처리, 오존·자외선 조사 처리, 화염 처리, 크롬산 처리, 열풍 처리 등의 산화 처리 등이 표면에 실시된 것이어도 된다. In order to improve the adhesion of the substrate with other layers such as the pressure-sensitive adhesive layer formed thereon, concavo-convex treatment by sandblasting treatment, solvent treatment, etc., corona discharge treatment, electron beam irradiation treatment, plasma treatment, ozone/ultraviolet irradiation treatment, The surface may be subjected to oxidation treatment such as flame treatment, chromic acid treatment, or hot air treatment.

또한, 기재는 표면이 프라이머 처리를 실시한 것이어도 된다. Moreover, the surface which gave the primer process of the base material may be sufficient as it.

또한, 기재는 대전 방지 코트층, 보호막 형성용 복합 시트를 서로 겹쳐서 보존할 때, 기재가 다른 시트에 접착하는 경우나, 기재가 흡착 테이블에 접착하는 것을 방지하는 층 등을 갖는 것이어도 된다. In addition, the base material may have an antistatic coating layer and a layer preventing the base material from adhering to the adsorption table when the composite sheet for forming a protective film is stacked on top of each other and stored.

이들 중에서도 기재는 다이싱시의 블레이드의 마찰에 의한 기재의 단편의 발생이 억제되는 점에서, 특히 표면이 전자선 조사 처리를 실시한 것이 바람직하다. Among these, it is preferable that the surface of a base material given electron beam irradiation treatment is especially preferable at the point which generation|occurrence|production of the fragmentation of the base material by the friction of the blade at the time of dicing is suppressed.

기재 표면의 표면 조도(Ra)는 상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 상기 보호막의 적어도 한쪽 표면(β)의 표면 조도(Ra)가 0.038㎛ 이상인 한 특별히 한정되지 않는다. The surface roughness (Ra) of the surface of the substrate is not particularly limited as long as the surface roughness (Ra) of at least one surface (β) of the protective film is 0.038 µm or more when the film for forming a protective film is irradiated with an energy ray to form a protective film.

본 발명의 하나의 측면으로서, 기재의 적어도 한쪽 표면의 표면 조도(Ra)가 0.03∼2.0㎛인 것이 바람직하고, 0.05∼1.8㎛인 것이 보다 바람직하다. 이러한 표면 조도(Ra)를 갖는 기재의 표면에, 박리 필름 상에 후술하는 보호막 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시켜 형성한 보호막 형성용 필름의 노출면(즉, 표면(β))을 첩합함으로써, 상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 상기 보호막의 적어도 한쪽 표면(β)의 표면 조도(Ra)를 0.038㎛ 이상, 1.5㎛ 이하로 조정할 수 있다. As one aspect of the present invention, the surface roughness (Ra) of at least one surface of the substrate is preferably 0.03 to 2.0 µm, more preferably 0.05 to 1.8 µm. The exposed surface (that is, the surface (β)) of the film for forming a protective film formed by coating a composition for forming a protective film to be described later on the release film on the surface of the substrate having such a surface roughness (Ra) and drying if necessary. By bonding together, when an energy ray is irradiated to the said film for protective film formation and it is set as a protective film, the surface roughness Ra of the at least one surface (beta) of the said protective film can be adjusted to 0.038 micrometer or more and 1.5 micrometers or less.

본 발명의 다른 측면으로서, 기재의 적어도 한쪽 표면의 표면 조도(Ra)가 0.05∼1.3㎛인 것이 바람직하다. 이러한 표면 조도(Ra)를 갖는 기재의 표면에, 박리 필름 상에 후술하는 보호막 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시켜 형성한 보호막 형성용 필름의 노출면(즉, 표면(β))을 첩합함으로써, 상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 상기 보호막의 적어도 한쪽 표면(β)의 표면 조도(Ra)를 0.038㎛ 이상, 0.9㎛ 이하로 조정할 수 있다. As another aspect of the present invention, it is preferable that the surface roughness (Ra) of at least one surface of the substrate is 0.05 to 1.3 µm. The exposed surface (that is, the surface (β)) of the film for forming a protective film formed by coating a composition for forming a protective film to be described later on the release film on the surface of the substrate having such a surface roughness (Ra) and drying if necessary. By bonding together, when an energy ray is irradiated to the said film for protective film formation and it is set as a protective film, the surface roughness Ra of the at least one surface (beta) of the said protective film can be adjusted to 0.038 micrometer or more and 0.9 micrometer or less.

본 발명의 또 다른 측면으로서, 기재의 적어도 한쪽 표면의 표면 조도(Ra)가 0.12㎛ 미만, 보다 바람직하게는 0.03㎛ 미만, 더욱 바람직하게는 0.020∼0.025㎛이어도 된다. 이러한 표면 조도(Ra)를 갖는 기재의 표면에, 적어도 한쪽 표면의 표면 조도(Ra)가 0.03∼2.0㎛인 제1 박리 필름의 상기 표면 조도를 갖는 표면 상에 후술하는 보호막 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시켜 보호막 형성용 필름을 형성하고, 상기 보호막 형성용 필름의 노출면에 제2 박리 필름을 첩합하고, 제1 박리 필름을 박리한 보호막 형성용 필름의 노출면(즉, 표면(β))을 첩합함으로써, 상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 상기 보호막의 적어도 한쪽 표면(β)의 표면 조도(Ra)를 0.038㎛ 이상, 0.9㎛ 이하로 조정할 수 있다. As another aspect of the present invention, the surface roughness (Ra) of at least one surface of the substrate may be less than 0.12 µm, more preferably less than 0.03 µm, still more preferably 0.020 to 0.025 µm. On the surface of the substrate having such a surface roughness (Ra), a composition for forming a protective film described later on the surface having the surface roughness of the first release film having a surface roughness (Ra) of at least one surface of 0.03 to 2.0 µm is coated, , dried as needed to form a film for forming a protective film, bonding a second release film to the exposed surface of the film for forming a protective film, and peeling the first release film to the exposed surface of the film for forming a protective film (that is, the surface ( β)), when irradiating an energy ray to the film for forming a protective film to form a protective film, the surface roughness (Ra) of at least one surface (β) of the protective film can be adjusted to 0.038 µm or more and 0.9 µm or less. .

본 발명의 추가로 다른 측면으로서, 기재의 적어도 한쪽 표면의 표면 조도(Ra)가 0.12㎛ 미만, 보다 바람직하게는 0.03㎛ 미만, 더욱 바람직하게는 0.020∼0.025㎛이어도 된다. 이러한 표면 조도(Ra)를 갖는 기재의 표면에, 제2 박리 필름 상에 후술하는 보호막 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시켜 보호막 형성용 필름을 형성하고, 상기 보호막 형성용 필름의 노출면에 적어도 한쪽 표면의 표면 조도(Ra)가 0.03∼2.0㎛인 제1 박리 필름의 상기 표면 조도를 갖는 표면을 첩합하고, 상기 제1 박리 필름을 박리한 보호막 형성용 필름의 노출면(즉, 표면(β))을 첩합함으로써, 상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 상기 보호막의 적어도 한쪽 표면(β)의 표면 조도(Ra)를 0.038㎛ 이상, 0.9㎛ 이하로 조정할 수 있다. As yet another aspect of the present invention, the surface roughness (Ra) of at least one surface of the substrate may be less than 0.12 µm, more preferably less than 0.03 µm, still more preferably 0.020 to 0.025 µm. A composition for forming a protective film, which will be described later, is coated on the surface of the substrate having such a surface roughness (Ra) on a second release film, and dried as necessary to form a film for forming a protective film, and the exposed surface of the film for forming a protective film The exposed surface of the protective film formation film from which the surface roughness (Ra) of at least one surface is 0.03-2.0 micrometers, the surface which has the said surface roughness of the 1st peeling film is pasted together, and the said 1st peeling film is peeled (that is, the surface By bonding (β)), the surface roughness (Ra) of at least one surface (β) of the protective film can be adjusted to 0.038 µm or more and 0.9 µm or less when irradiating the film for forming a protective film with an energy beam to form a protective film. have.

본 명세서에 있어서, 기재 표면의 표면 조도(Ra)는 실시예에 기재된 측정 방법에 따라 측정할 수 있다. In the present specification, the surface roughness (Ra) of the surface of the substrate may be measured according to the measurement method described in Examples.

기재는 공지의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 수지를 함유하는 기재는 상기 수지를 함유하는 수지 조성물을 성형함으로써 제조할 수 있다. The substrate can be prepared by a known method. For example, the base material containing a resin can be manufactured by shaping|molding the resin composition containing the said resin.

◎ 보호막 형성용 필름◎ Film for forming protective film

본 발명의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 상기 보호막의 적어도 한쪽 표면(β)의 표면 조도(Ra)가 0.038㎛ 이상임으로써, 보호막이 형성된 반도체 칩의 픽업시에 목적 외의 보호막이 형성된 반도체 칩의 픽업이 억제되고, 목적으로 하는 보호막이 형성된 반도체 칩을 고선택적으로 픽업할 수 있다. 또한, 상기 점착력이 상기 상한값 이하인 점에서, 보호막이 형성된 반도체 칩의 픽업시에 반도체 칩의 균열 및 결함이 억제된다. 또한, 보호막 형성용 필름을 경화하여 얻어진 보호막과 지지 시트 사이의 점착력은 50∼1500mN/25㎜인 것이 바람직하고, 52∼1450mN/25㎜, 나아가서는 53∼1430mN/25㎜인 것이 보다 바람직하다. 이와 같이, 추가로 상기 점착력이 특정한 범위 내인 점에서, 보호막 형성용 복합 시트는 보다 양호한 픽업 적성을 갖는다.In the composite sheet for forming a protective film of the present invention, when the protective film is irradiated with energy rays to form a protective film, the surface roughness (Ra) of at least one surface (β) of the protective film is 0.038 µm or more, so that the protective film is During pickup of the formed semiconductor chip, pick-up of a semiconductor chip on which an undesired protective film has been formed is suppressed, and a target semiconductor chip on which a protective film has been formed can be picked up with high selectivity. Moreover, since the said adhesive force is below the said upper limit, the crack and defect of a semiconductor chip are suppressed at the time of pick-up of the semiconductor chip in which the protective film was formed. Moreover, it is preferable that it is 50-1500 mN/25 mm, and, as for the adhesive force between the protective film obtained by hardening|curing the film for protective film formation, and a support sheet, it is more preferable that it is 52-1450 mN/25 mm, Furthermore, it is 53-1430 mN/25 mm. Thus, since the said adhesive force is in a specific range further, the composite sheet for protective film formation has more favorable pick-up aptitude.

한편, 본 발명에 있어서는 보호막 형성용 필름이 경화된 후이어도, 지지 시트 및 보호막 형성용 필름의 경화물(다시 말하면, 지지 시트 및 보호막)의 적층 구조가 유지되어 있는 한, 이 적층 구조체를 「보호막 형성용 복합 시트」라고 칭한다. On the other hand, in the present invention, even after the film for forming a protective film is cured, as long as the laminate structure of the support sheet and the cured product of the film for forming a protective film (that is, the support sheet and the protective film) is maintained, this laminated structure is referred to as a “protective film”. The composite sheet for formation" is called.

보호막과 지지 시트 사이의 점착력은 이하의 방법으로 측정할 수 있다. The adhesive force between a protective film and a support sheet can be measured by the following method.

즉, 폭이 25㎜이고 길이가 임의인 보호막 형성용 복합 시트를 그 보호막 형성용 필름에 의해 피착체에 첩부한다. That is, the composite sheet for protective film formation of which width is 25 mm and length is arbitrary is affixed to a to-be-adhered body with the film for protective film formation.

이어서, 에너지선을 조사하여 보호막 형성용 필름을 경화시키고, 보호막을 형성한 후, 피착체에 첩부되어 있는 이 보호막으로부터 지지 시트를 박리 속도 300㎜/min로 박리시킨다. 이 때의 박리는 보호막 및 지지 시트의 서로 접촉하고 있었던 면끼리가 180°의 각도를 이루도록, 지지 시트를 그 길이 방향(보호막 형성용 복합 시트의 길이 방향)으로 박리시키는 소위 180°박리로 한다. 그리고, 이 180°박리시의 하중(박리력)을 측정하여, 그 측정값을 상기 점착력(mN/25㎜)으로 한다. Next, after irradiating an energy ray to harden the film for protective film formation and forming a protective film, a support sheet is peeled from this protective film affixed to a to-be-adhered body at a peeling rate of 300 mm/min. The peeling at this time is called 180 degree peeling in which the support sheet is peeled in the longitudinal direction (longitudinal direction of the composite sheet for protective film formation) so that the mutually contacting surfaces of a protective film and a support sheet may make an angle of 180 degrees. And the load (peel force) at the time of this 180 degree peeling is measured, and let the measured value be the said adhesive force (mN/25mm).

측정에 제공되는 보호막 형성용 복합 시트의 길이는 점착력을 안정적으로 검출할 수 있는 범위이면 특별히 한정되지 않지만, 100∼300㎜인 것이 바람직하다. 또한, 측정시에는 보호막 형성용 복합 시트를 피착체에 첩부한 상태로 하고, 보호막 형성용 복합 시트의 첩부 상태를 안정화시키는 것이 바람직하다. Although the length of the composite sheet for protective film formation used for a measurement will not be specifically limited if it is a range which can detect adhesive force stably, It is preferable that it is 100-300 mm. In addition, at the time of a measurement, it is preferable to make the composite sheet for protective film formation into the state which affixed to to-be-adhered body, and to stabilize the pasted state of the composite sheet for protective film formation.

본 발명에 있어서, 보호막 형성용 필름과 상기 지지 시트 사이의 점착력은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 80mN/25㎜ 이상 등이어도 되지만, 100mN/25㎜ 이상인 것이 바람직하고, 150mN/25㎜ 이상인 것이 보다 바람직하고, 200mN/25㎜ 이상인 것이 특히 바람직하다. 상기 점착력이 100mN/25㎜ 이상인 점에서, 다이싱시 에 있어서, 보호막 형성용 필름과 지지 시트의 박리가 억제되고, 예를 들면, 이면에 보호막 형성용 필름을 구비한 반도체 칩의 지지 시트로부터의 비산이 억제된다. In the present invention, the adhesive force between the film for forming a protective film and the support sheet is not particularly limited, and for example, 80 mN/25 mm or more may be sufficient, but it is preferably 100 mN/25 mm or more, and 150 mN/25 mm or more. It is more preferable, and it is especially preferable that it is 200 mN/25 mm or more. Since the adhesive force is 100 mN/25 mm or more, at the time of dicing, peeling of the film for forming a protective film and the support sheet is suppressed, for example, from a support sheet of a semiconductor chip having a film for forming a protective film on the back surface. scattering is suppressed.

한편, 보호막 형성용 필름과 상기 지지 시트 사이의 점착력의 상한값은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 4000mN/25㎜, 3500mN/25㎜, 3000mN/25㎜ 등의 어느 것으로 할 수 있다. 단, 이들은 일 예이다. In addition, the upper limit of the adhesive force between the film for protective film formation and the said support sheet is not specifically limited, For example, any of 4000 mN/25 mm, 3500 mN/25 mm, 3000 mN/25 mm, etc. can be used. However, these are only examples.

보호막 형성용 필름과 지지 시트 사이의 점착력은 측정에 제공되는 보호막 형성용 필름의 에너지선의 조사에 의한 경화를 행하지 않는 점 이외에는, 상술한 보호막과 지지 시트 사이의 점착력과 동일한 방법으로 측정할 수 있다. The adhesive force between the film for forming a protective film and the support sheet can be measured in the same manner as the adhesive force between the protective film and the support sheet described above, except that the film for forming a protective film provided for measurement is not cured by irradiation with energy rays.

상술한 보호막과 지지 시트 사이의 점착력 및 보호막 형성용 필름과 지지 시트 사이의 점착력은 예를 들면, 보호막 형성용 필름의 함유 성분의 종류 및 양, 지지 시트에 있어서의 보호막 형성용 필름을 형성하는 층의 구성 재료, 이 층의 표면 상태 등을 조절함으로써, 적절히 조절할 수 있다. The above-described adhesive force between the protective film and the supporting sheet and the adhesive force between the protective film forming film and the supporting sheet are, for example, the type and amount of ingredients contained in the protective film forming film, and the layer forming the protective film forming film in the supporting sheet. It can be suitably adjusted by adjusting the constituent material of this layer, the surface state of this layer, etc.

예를 들면, 보호막 형성용 필름의 함유 성분의 종류 및 양은 후술하는 보호막 형성용 조성물의 함유 성분의 종류 및 양에 의해 조절할 수 있다. 그리고, 보호막 형성용 조성물의 함유 성분 중 예를 들면, 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 종류 및 함유량, 충전재(d)의 함유량, 또는 가교제(f)의 함유량을 조절함으로써, 보호막 또는 보호막 형성용 필름과 지지 시트 사이의 점착력을 보다 용이하게 조절할 수 있다. For example, the type and amount of the component contained in the film for forming a protective film can be adjusted by the type and amount of the component contained in the composition for forming a protective film, which will be described later. And, by adjusting the type and content of the polymer (b) which does not have an energy ray-curable group, content of a filler (d), or content of a crosslinking agent (f) among the components of the composition for protective film formation, for example, a protective film or a protective film The adhesive force between the forming film and the support sheet can be more easily adjusted.

지지 시트에 있어서의 보호막 형성용 필름을 형성하는 층이 기재인 경우에는 보호막 또는 보호막 형성용 필름과 지지 시트 사이의 점착력은 기재의 구성 재료 이외에, 기재의 표면 상태로도 조절할 수 있다. 그리고, 기재의 표면 상태는 예를 들면, 기재 외의 층과의 밀착성을 향상시키는 것으로서 앞서 든 표면 처리, 즉, 샌드 블라스트 처리, 용제 처리 등에 의한 요철화 처리; 코로나 방전 처리, 전자선 조사 처리, 플라즈마 처리, 오존·자외선 조사 처리, 화염 처리, 크롬산 처리, 열풍 처리 등의 산화 처리; 프라이머 처리 등의 어느 것을 실시함으로써, 조절할 수 있다. When the layer forming the film for forming a protective film in the support sheet is a base material, the adhesive force between the protective film or the film for forming a protective film and the support sheet can be adjusted not only with the constituent materials of the base material but also with the surface state of the base material. In addition, the surface state of the base material is, for example, an uneven treatment by the above-mentioned surface treatment, ie, sand blast treatment, solvent treatment, etc. as improving adhesion with a layer other than the base material; oxidation treatment such as corona discharge treatment, electron beam irradiation treatment, plasma treatment, ozone/ultraviolet irradiation treatment, flame treatment, chromic acid treatment, and hot air treatment; It can be adjusted by implementing any, such as a primer treatment.

보호막 형성용 필름은 에너지선 경화성을 갖고, 예를 들면, 에너지선 경화성 성분(a)을 함유하는 것을 들 수 있다. The film for protective film formation has energy-beam sclerosis|hardenability, for example, what contains an energy-beam curable component (a) is mentioned.

에너지선 경화성 성분(a)은 미경화인 것이 바람직하고, 점착성을 갖는 것이 바람직하고, 미경화이면서 점착성을 갖는 것이 보다 바람직하다. It is preferable that it is non-hardened, and, as for an energy ray-curable component (a), it is preferable to have adhesiveness, and it is more preferable to have adhesiveness while being non-hardened.

보호막 형성용 필름은 1층(단층)만이어도 되고, 2층 이상의 복수층이어도 되고, 복수층인 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다. One layer (single layer) may be sufficient as the film for protective film formation, and two or more layers may be sufficient as multiple layers, In the case of multiple layers, these multiple layers may mutually be same or different, and the combination of these multiple layers is not specifically limited.

보호막 형성용 필름의 두께는 1∼100㎛인 것이 바람직하고, 5∼75㎛인 것이 보다 바람직하고, 5∼50㎛인 것이 특히 바람직하다. 보호막 형성용 필름의 두께가 상기 하한값 이상인 점에서, 보호능이 보다 높은 보호막을 형성할 수 있다. 또한, 보호막 형성용 필름의 두께가 상기 상한값 이하인 점에서, 과잉한 두께가 되는 것이 억제된다. It is preferable that it is 1-100 micrometers, as for the thickness of the film for protective film formation, it is more preferable that it is 5-75 micrometers, It is especially preferable that it is 5-50 micrometers. Since the thickness of the film for protective film formation is more than the said lower limit, a protective film with a higher protective ability can be formed. Moreover, since the thickness of the film for protective film formation is below the said upper limit, becoming excessive thickness is suppressed.

여기서, 「보호막 형성용 필름의 두께」란 보호막 형성용 필름 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 보호막 형성용 필름의 두께란 보호막 형성용 필름을 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다. Here, "thickness of the film for protective film formation" means the thickness of the whole film for protective film formation, For example, the thickness of the film for protective film formation which consists of multiple layers is the thickness of the sum total of all the layers which comprise the film for protective film formation. means

보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막을 형성할 때의 경화 조건은 보호막이 충분히 그 기능을 발휘하는 정도의 경화도가 되는 한 특별히 한정되지 않으며, 보호막 형성용 필름의 종류에 따라, 적절히 선택하면 된다. The curing conditions for forming the protective film by curing the protective film for forming the protective film are not particularly limited as long as the protective film has a degree of hardening sufficient to exhibit its function, and may be appropriately selected according to the type of the protective film for forming the film.

예를 들면, 보호막 형성용 필름의 경화시에 있어서의 에너지선의 조도는 4∼280㎽/㎠인 것이 바람직하다. 그리고, 상기 경화시에 있어서의 에너지선의 광량은 3∼1000mJ/㎠인 것이 바람직하다. For example, it is preferable that the illumination intensity of the energy ray at the time of hardening of the film for protective film formation is 4-280 mW/cm<2>. And it is preferable that the light quantity of the energy ray at the time of the said hardening is 3-1000 mJ/cm<2>.

＜＜보호막 형성용 조성물＞＞<<The composition for forming a protective film>>

보호막 형성용 필름은 그 구성 재료를 함유하는 보호막 형성용 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 보호막 형성용 필름의 형성 대상면에 보호막 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 보호막 형성용 필름을 형성할 수 있다. 보호막 형성용 조성물 중의 상온에서 기화하지 않는 성분끼리의 함유량의 비율은 통상, 보호막 형성용 필름의 상기 성분끼리의 함유량의 비율과 동일해진다. 여기서, 「상온」이란 특별히 냉각시키거나, 가열하지 않은 온도, 즉 평상의 온도를 의미하고, 예를 들면, 15∼25℃의 온도 등을 들 수 있다. The film for protective film formation can be formed using the composition for protective film formation containing the constituent material. For example, the film for protective film formation can be formed in the target site|part by coating the composition for protective film formation on the formation target surface of the film for protective film formation, and drying as needed. The ratio of content of the components which do not vaporize at normal temperature in the composition for protective film formation becomes the same as the ratio of content of the said components of the film for protective film formation normally. Here, "room temperature" means a temperature that is not particularly cooled or heated, that is, a normal temperature, and examples thereof include a temperature of 15 to 25°C.

보호막 형성용 조성물의 도공은 공지의 방법으로 행하면 되고, 예를 들면, 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 롤 나이프 코터, 커텐 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 스크린 코터, 마이어 바 코터, 키스 코터 등의 각종 코터를 사용하는 방법을 들 수 있다. Coating of the composition for forming a protective film may be performed by a known method, for example, an air knife coater, a blade coater, a bar coater, a gravure coater, a roll coater, a roll knife coater, a curtain coater, a die coater, a knife coater, a screen coater, Methods using various coaters, such as a Meyer bar coater and a Keith coater, are mentioned.

보호막 형성용 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 보호막 형성용 조성물은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하고, 이 경우, 예를 들면, 70∼130℃에서 10초∼5분의 조건으로 건조시키는 것이 바람직하다. Although the drying conditions of the composition for protective film formation are not specifically limited, When the composition for protective film formation contains the solvent mentioned later, it is preferable to heat-dry, In this case, for example, at 70-130 degreeC, 10 second - 5 It is preferable to dry under the conditions of minutes.

＜보호막 형성용 조성물(IV-1)＞<Composition for forming a protective film (IV-1)>

보호막 형성용 조성물로는 예를 들면, 상기 에너지선 경화성 성분(a)을 함유하는 보호막 형성용 조성물(IV-1) 등을 들 수 있다. As a composition for protective film formation, the composition (IV-1) etc. for protective film formation containing the said energy-beam curable component (a) are mentioned, for example.

[에너지선 경화성 성분(a)][Energy-ray-curable component (a)]

에너지선 경화성 성분(a)은 에너지선의 조사에 의해 경화되는 성분이고, 보호막 형성용 필름에 조막성이나, 가요성 등을 부여하기 위한 성분이기도 하다. The energy-beam-curable component (a) is a component hardened|cured by irradiation of an energy-beam, and is also a component for providing film formability, flexibility, etc. to the film for protective film formation.

에너지선 경화성 성분(a)으로는 예를 들면, 에너지선 경화성기를 갖는 중량 평균 분자량이 80000∼2000000인 중합체(a1) 및 에너지선 경화성기를 갖는 분자량이 100∼80000인 화합물(a2)을 들 수 있다. 상기 중합체(a1)는 그 적어도 일부가 후술하는 가교제(f)에 의해 가교된 것이어도 되고, 가교되어 있지 않은 것이어도 된다. Examples of the energy ray-curable component (a) include a polymer (a1) having an energy ray-curable group and a weight average molecular weight of 80000 to 2000000, and a compound (a2) having an energy ray-curable group and a molecular weight of 100 to 80000. . The polymer (a1) may or may not be crosslinked at least partially by crosslinking with a crosslinking agent (f) described later.

한편, 본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량이란 특별히 언급하지 않는 한, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산값을 의미한다. In addition, in this specification, a weight average molecular weight means the polystyrene conversion value measured by the gel permeation chromatography (GPC) method, unless otherwise indicated.

(에너지선 경화성기를 갖는 중량 평균 분자량이 80000∼2000000인 중합체(a1))(Polymer (a1) having an energy ray-curable group and having a weight average molecular weight of 80000 to 2000000)

에너지선 경화성기를 갖는 중량 평균 분자량이 80000∼2000000인 중합체(a1) 로는 예를 들면, 다른 화합물이 갖는 기와 반응 가능한 관능기를 갖는 아크릴계 중합체(a11)와, 상기 관능기와 반응하는 기 및 에너지선 경화성 이중 결합 등의 에너지선 경화성기를 갖는 에너지선 경화성 화합물(a12)이 중합하여 이루어지는 아크릴계 수지(a1-1)을 들 수 있다. As the polymer (a1) having an energy ray-curable group and having a weight average molecular weight of 80000 to 2000000, for example, an acrylic polymer (a11) having a functional group capable of reacting with a group of another compound, and a group reactive with the functional group and energy ray-curable double The acrylic resin (a1-1) formed by superposing|polymerizing the energy-beam curable compound (a12) which has energy-beam curable groups, such as a bond, is mentioned.

다른 화합물이 갖는 기와 반응 가능한 상기 관능기로는 예를 들면, 수산기, 카르복시기, 아미노기, 치환 아미노기(아미노기의 1개 또는 2개의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환되어 이루어지는 기), 에폭시기 등을 들 수 있다. 단, 반도체 웨이퍼나 반도체 칩 등의 회로의 부식을 방지한다는 점에서는, 상기 관능기는 카르복시기 이외의 기인 것이 바람직하다. The functional group capable of reacting with the group of other compounds includes, for example, a hydroxyl group, a carboxy group, an amino group, a substituted amino group (a group in which one or two hydrogen atoms of the amino group are substituted with groups other than hydrogen atoms), an epoxy group, and the like. . However, it is preferable that the said functional group is groups other than a carboxy group from the point of preventing corrosion of circuits, such as a semiconductor wafer and a semiconductor chip.

이들 중에서도, 상기 관능기는 수산기인 것이 바람직하다. Among these, it is preferable that the said functional group is a hydroxyl group.

·관능기를 갖는 아크릴계 중합체(a11)-Acrylic polymer having a functional group (a11)

상기 관능기를 갖는 아크릴계 중합체(a11)로는 예를 들면, 상기 관능기를 갖는 아크릴계 모노머와, 상기 관능기를 갖지 않는 아크릴계 모노머가 공중합하여 이루어지는 것을 들 수 있고, 이들 모노머 이외에, 추가로 아크릴계 모노머 이외의 모노머(비아크릴계 모노머)가 공중합한 것이어도 된다. Examples of the acrylic polymer (a11) having the functional group include those obtained by copolymerization of an acrylic monomer having the functional group and an acrylic monomer not having the functional group. In addition to these monomers, monomers other than the acrylic monomer ( Non-acrylic monomers) may be copolymerized.

또한, 상기 아크릴계 중합체(a11)는 랜덤 공중합체이어도 되고, 블록 공중합체이어도 된다. In addition, a random copolymer may be sufficient as the said acrylic polymer (a11), and a block copolymer may be sufficient as it.

상기 관능기를 갖는 아크릴계 모노머로는 예를 들면, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 치환 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등을 들 수 있다. Examples of the acrylic monomer having a functional group include a hydroxyl group-containing monomer, a carboxyl group-containing monomer, an amino group-containing monomer, a substituted amino group-containing monomer, and an epoxy group-containing monomer.

상기 수산기 함유 모노머로는 예를 들면, (메타)아크릴산히드록시메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸, (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등의 (메타)아크릴산히드록시알킬; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 비(메타)아크릴계 불포화 알코올((메타)아크릴로일 골격을 갖지 않는 불포화 알코올) 등을 들 수 있다. As the hydroxyl group-containing monomer, for example, (meth) acrylate hydroxymethyl, (meth) acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth) acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth) acrylic acid 3-hydroxypropyl, (meth) ) hydroxyalkyl (meth)acrylates such as 2-hydroxybutyl acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate; Non-(meth)acrylic-type unsaturated alcohols (unsaturated alcohol which does not have a (meth)acryloyl skeleton), such as vinyl alcohol and allyl alcohol, etc. are mentioned.

상기 카르복시기 함유 모노머로는 예를 들면, (메타)아크릴산, 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복실산(에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노카르복실산); 푸마르산, 이타콘산, 말레산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복실산(에틸렌성 불포화 결합을 갖는 디카르복실산); 상기 에틸렌성 불포화 디카르복실산의 무수물; 2-카르복시에틸메타크릴레이트 등의 (메타)아크릴산카르복시알킬에스테르 등을 들 수 있다. Examples of the carboxyl group-containing monomer include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids (monocarboxylic acids having an ethylenically unsaturated bond) such as (meth)acrylic acid and crotonic acid; ethylenically unsaturated dicarboxylic acids (dicarboxylic acids having an ethylenically unsaturated bond) such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid, and citraconic acid; anhydrides of the ethylenically unsaturated dicarboxylic acids; (meth)acrylic acid carboxyalkyl esters, such as 2-carboxyethyl methacrylate, etc. are mentioned.

상기 관능기를 갖는 아크릴계 모노머는 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머가 바람직하고, 수산기 함유 모노머가 보다 바람직하다. A hydroxyl group-containing monomer and a carboxyl group-containing monomer are preferable, and, as for the acryl-type monomer which has the said functional group, a hydroxyl-containing monomer is more preferable.

상기 아크릴계 중합체(a11)를 구성하는 상기 관능기를 갖는 아크릴계 모노머는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of the acrylic monomers having the functional group constituting the acrylic polymer (a11) may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

상기 관능기를 갖지 않는 아크릴계 모노머로는 예를 들면, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산n-프로필, (메타)아크릴산이소프로필, (메타)아크릴산n-부틸, (메타)아크릴산이소부틸, (메타)아크릴산sec-부틸, (메타)아크릴산tert-부틸, (메타)아크릴산펜틸, (메타)아크릴산헥실, (메타)아크릴산헵틸, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산이소옥틸, (메타)아크릴산n-옥틸, (메타)아크릴산n-노닐, (메타)아크릴산이소노닐, (메타)아크릴산데실, (메타)아크릴산운데실, (메타)아크릴산도데실((메타)아크릴산라우릴이라고도 한다), (메타)아크릴산트리데실, (메타)아크릴산테트라데실((메타)아크릴산미리스틸이라고도 한다), (메타)아크릴산펜타데실, (메타)아크릴산헥사데실((메타)아크릴산팔미틸이라고도 한다), (메타)아크릴산헵타데실, (메타)아크릴산옥타데실((메타)아크릴산스테아릴이라고도 한다) 등의 알킬에스테르를 구성하는 알킬기가 탄소수가 1∼18인 사슬형 구조인 (메타)아크릴산알킬에스테르 등을 들 수 있다. As the acrylic monomer having no functional group, for example, (meth) methyl acrylate, (meth) ethyl acrylate, (meth) acrylate n-propyl, (meth) acrylate isopropyl, (meth) acrylate n-butyl, (meth) acrylate ) isobutyl acrylate, (meth) acrylate sec-butyl, (meth) acrylate tert-butyl, (meth) acrylate pentyl, (meth) acrylate hexyl, (meth) acrylate heptyl, (meth) acrylate 2-ethylhexyl, (meth) acrylate ) acrylate isooctyl, (meth) acrylic acid n-octyl, (meth) acrylic acid n-nonyl, (meth) acrylate isononyl, (meth) acrylate decyl, (meth) acrylate undecyl, (meth) acrylate dodecyl (( Also called lauryl (meth)acrylate), tridecyl (meth)acrylate, tetradecyl (meth)acrylate (also called myristyl (meth)acrylate), pentadecyl (meth)acrylate, hexadecyl (meth)acrylate ((meth)acrylate (also called palmityl acrylate), (meth) acrylate heptadecyl, (meth) acrylate octadecyl (also called (meth) stearyl (meth) acrylate), etc. having a chain structure with an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms ( meth)acrylic acid alkyl ester etc. are mentioned.

또한, 상기 관능기를 갖지 않는 아크릴계 모노머로는 예를 들면, (메타)아크릴산메톡시메틸, (메타)아크릴산메톡시에틸, (메타)아크릴산에톡시메틸, (메타)아크릴산에톡시에틸 등의 알콕시알킬기 함유 (메타)아크릴산에스테르; (메타)아크릴산페닐 등의 (메타)아크릴산아릴에스테르 등을 포함하는 방향족기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르; 비가교성 (메타)아크릴아미드 및 그 유도체; (메타)아크릴산 N,N-디메틸아미노에틸, (메타)아크릴산N,N-디메틸아미노프로필 등의 비가교성 3급 아미노기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 등도 들 수 있다. In addition, as an acryl-type monomer which does not have the said functional group, For example, alkoxyalkyl groups, such as (meth)acrylate methoxymethyl, (meth)acrylate methoxyethyl, (meth)acrylate ethoxymethyl, (meth)acrylate ethoxyethyl containing (meth)acrylic acid ester; (meth)acrylic acid esters having an aromatic group including (meth)acrylic acid aryl esters such as (meth)acrylic acid phenyl; non-crosslinkable (meth)acrylamide and its derivatives; (meth)acrylic acid ester etc. which have non-crosslinkable tertiary amino groups, such as (meth)acrylic-acid N,N- dimethylamino ethyl and (meth)acrylic-acid N,N- dimethylaminopropyl, etc. are mentioned.

상기 아크릴계 중합체(a11)를 구성하는 상기 관능기를 갖지 않는 아크릴계 모노머는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of the acrylic monomers having no functional group constituting the acrylic polymer (a11) may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.

상기 비아크릴계 모노머로는 예를 들면, 에틸렌, 노르보르넨 등의 올레핀; 초산비닐; 스티렌 등을 들 수 있다. Examples of the non-acrylic monomer include olefins such as ethylene and norbornene; vinyl acetate; Styrene etc. are mentioned.

상기 아크릴계 중합체(a11)를 구성하는 상기 비아크릴계 모노머는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of the non-acrylic monomers constituting the acrylic polymer (a11) may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.

상기 아크릴계 중합체(a11)에 있어서, 이를 구성하는 구성 단위의 전체 질량에 대한, 상기 관능기를 갖는 아크릴계 모노머로부터 유도된 구성 단위의 양의 비율(함유량)은 0.1∼50질량％인 것이 바람직하고, 1∼40질량％인 것이 보다 바람직하고, 3∼30질량％인 것이 특히 바람직하다. 상기 비율이 이러한 범위임으로써, 상기 아크릴계 중합체(a11)와 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)의 공중합에 의해 얻어진 상기 아크릴계 수지(a1-1)에 있어서, 에너지선 경화성기의 함유량은 제1 보호막의 경화의 정도를 바람직한 범위로 용이하게 조절 가능해진다. In the acrylic polymer (a11), it is preferable that the ratio (content) of the amount of the structural unit derived from the acrylic monomer having the functional group to the total mass of the structural units constituting it is 0.1 to 50 mass%, and 1 It is more preferable that it is -40 mass %, and it is especially preferable that it is 3-30 mass %. When the ratio is within this range, in the acrylic resin (a1-1) obtained by copolymerization of the acrylic polymer (a11) and the energy ray-curable compound (a12), the content of the energy ray-curable group is the amount of the first protective film. It becomes easy to adjust the degree of hardening in a preferable range.

상기 아크릴계 수지(a1-1)를 구성하는 상기 아크릴계 중합체(a11)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of the acrylic polymers (a11) constituting the acrylic resin (a1-1) may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.

보호막 형성용 조성물(IV-1)에 있어서, 아크릴계 수지(a1-1)의 함유량은 상기 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 총 질량에 대해 1∼40질량％인 것이 바람직하고, 2∼30질량％인 것이 보다 바람직하고, 3∼20질량％인 것이 특히 바람직하다. In the composition (IV-1) for protective film formation, it is preferable that content of the acrylic resin (a1-1) is 1-40 mass % with respect to the total mass of the said composition (IV-1) for protective film formation, 2-30 It is more preferable that it is mass %, and it is especially preferable that it is 3-20 mass %.

· 에너지선 경화성 화합물(a12)· Energy ray-curable compound (a12)

상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은 상기 아크릴계 중합체(a11)가 갖는 관능기와 반응 가능한 기로서, 이소시아네이트기, 에폭시기 및 카르복시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상을 갖는 것이 바람직하고, 상기 기로서 이소시아네이트기를 갖는 것이 보다 바람직하다. 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은 예를 들면, 상기 기로서 이소시아네이트기를 갖는 경우, 이 이소시아네이트기가 상기 관능기로서 수산기를 갖는 아크릴계 중합체(a11)의 이 수산기와 용이하게 반응한다. The energy ray-curable compound (a12) is a group capable of reacting with the functional group of the acrylic polymer (a11), and preferably has one or two or more selected from the group consisting of an isocyanate group, an epoxy group and a carboxy group, and as the group It is more preferable to have an isocyanate group. When the energy ray-curable compound (a12) has an isocyanate group as the group, the isocyanate group easily reacts with the hydroxyl group of the acrylic polymer (a11) having a hydroxyl group as the functional group.

상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은 1분자 중에 상기 에너지선 경화성기를 1∼5개 갖는 것이 바람직하고, 1∼3개 갖는 것이 보다 바람직하다. It is preferable to have 1-5 of the said energy-beam curable groups in 1 molecule, and, as for the said energy-beam-curable compound (a12), it is more preferable to have 1-3.

상기 에너지선 경화성 화합물(a12)로는 예를 들면, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 메타-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, 메타크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 1,1-(비스아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트; Examples of the energy ray-curable compound (a12) include 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl-α,α-dimethylbenzyl isocyanate, methacryloyl isocyanate, allyl isocyanate, 1,1- (bisacryloyloxymethyl)ethyl isocyanate;

디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물;Acryloyl monoisocyanate compound obtained by reaction of a diisocyanate compound or a polyisocyanate compound, and hydroxyethyl (meth)acrylate;

디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 폴리올 화합물과, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있다. The acryloyl monoisocyanate compound etc. which are obtained by reaction of a diisocyanate compound or a polyisocyanate compound, a polyol compound, and hydroxyethyl (meth)acrylate are mentioned.

이들 중에서도, 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트인 것이 바람직하다. Among these, it is preferable that the said energy-beam-curable compound (a12) is 2-methacryloyloxyethyl isocyanate.

상기 아크릴계 수지(a1-1)을 구성하는 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of the energy ray-curable compounds (a12) constituting the acrylic resin (a1-1) may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.

상기 아크릴계 수지(a1-1)에 있어서, 상기 아크릴계 중합체(a11)에서 유래하는 상기 관능기의 함유량에 대한, 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)에서 유래하는 에너지선 경화성기의 함유량의 비율은 20∼120몰％인 것이 바람직하고, 35∼100몰％인 것이 보다 바람직하고, 50∼100몰％인 것이 특히 바람직하다. 상기 함유량의 비율이 이러한 범위임으로써, 경화에 의해 형성된 보호막의 접착력이 보다 커진다. 또한, 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)이 1관능(상기 기를 1분자 중에 1개 갖는) 화합물인 경우에는 상기 함유량의 비율의 상한값은 100몰％가 되지만, 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)이 다관능(상기 기를 1분자 중에 2개 이상 갖는) 화합물인 경우에는 상기 함유량의 비율의 상한값은 100몰％를 초과하는 경우가 있다. In the acrylic resin (a1-1), the ratio of the content of the energy ray curable group derived from the energy ray curable compound (a12) to the content of the functional group derived from the acrylic polymer (a11) is 20 to 120 It is preferable that it is mol%, It is more preferable that it is 35-100 mol%, It is especially preferable that it is 50-100 mol%. When the ratio of the content is within such a range, the adhesive force of the protective film formed by curing becomes larger. In addition, when the energy ray-curable compound (a12) is a monofunctional compound (having one group per molecule), the upper limit of the content ratio is 100 mol%, but the energy ray-curable compound (a12) is In the case of a functional (having two or more groups in one molecule) compound, the upper limit of the content ratio may exceed 100 mol%.

상기 중합체(a1)의 중량 평균 분자량(Mw)은 100000∼2000000인 것이 바람직하고, 300000∼1500000인 것이 보다 바람직하다. It is preferable that it is 100000-200000, and, as for the weight average molecular weight (Mw) of the said polymer (a1), it is more preferable that it is 300,000-1500000.

상기 중합체(a1)가 그 적어도 일부가 가교제(f)에 의해 가교된 것인 경우, 상기 중합체(a1)는 상기 아크릴계 중합체(a11)를 구성하는 것으로서 설명한 상술한 모노머의 어느 것에도 해당되지 않으며, 또한 가교제(f)와 반응하는 기를 갖는 모노머가 중합하여, 상기 가교제(f)와 반응하는 기에 있어서 가교된 것이어도 되고, 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)에서 유래하는 상기 관능기와 반응하는 기에 있어서, 가교된 것이어도 된다. When the polymer (a1) is at least partly crosslinked by the crosslinking agent (f), the polymer (a1) does not correspond to any of the above-mentioned monomers described as constituting the acrylic polymer (a11), Further, a monomer having a group reactive with the crosslinking agent (f) is polymerized and may be crosslinked in a group reactive with the crosslinking agent (f), or in a group reactive with the functional group derived from the energy ray-curable compound (a12), It may be crosslinked.

보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 상기 중합체(a1)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The number of polymers (a1) contained in the composition (IV-1) for forming a protective film and the film for forming a protective film may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

(에너지선 경화성기를 갖는 분자량이 100∼80000인 화합물(a2))(Compound (a2) having an energy ray-curable group and having a molecular weight of 100 to 80000)

에너지선 경화성기를 갖는 분자량이 100∼80000인 화합물(a2)이 갖는 에너지선 경화성기로는 에너지선 경화성 이중 결합을 포함하는 기를 들 수 있고, 바람직한 것으로는 (메타)아크릴로일기, 비닐기 등을 들 수 있다. Examples of the energy-ray-curable group that the compound (a2) having an energy-beam-curable group has a molecular weight of 100 to 80000 include a group containing an energy-ray-curable double bond, and preferable examples include a (meth)acryloyl group, a vinyl group, and the like. can

상기 화합물(a2)은 상기의 조건을 만족하는 것이면, 특별히 한정되지 않지만, 에너지선 경화성기를 갖는 저분자량 화합물, 에너지선 경화성기를 갖는 에폭시 수지, 에너지선 경화성기를 갖는 페놀 수지 등을 들 수 있다. The compound (a2) is not particularly limited as long as it satisfies the above conditions. Examples of the compound (a2) include a low molecular weight compound having an energy ray curable group, an epoxy resin having an energy ray curable group, and a phenol resin having an energy ray curable group.

상기 화합물(a2) 중 에너지선 경화성기를 갖는 저분자량 화합물로는 예를 들면, 다관능의 모노머 또는 올리고머 등을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기를 갖는 아크릴레이트계 화합물이 바람직하다. Examples of the low molecular weight compound having an energy ray-curable group among the compound (a2) include a polyfunctional monomer or oligomer, and an acrylate-based compound having a (meth)acryloyl group is preferable.

상기 아크릴레이트계 화합물로는 예를 들면, 2-히드록시-3-(메타)아크릴로일옥시프로필메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 프로폭시화 에톡시화 비스페놀A 디(메타)아크릴레이트, 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시폴리에톡시)페닐]프로판, 에톡시화 비스페놀A 디(메타)아크릴레이트, 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시디에톡시)페닐]프로판, 9,9-비스[4-(2-(메타)아크릴로일옥시에톡시)페닐]플루오렌, 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시폴리프로폭시)페닐]프로판, 트리시클로데칸디메탄올디(메타)아크릴레이트(트리시클로데칸디메틸올디(메타)아크릴레이트라고도 한다), 1,10-데칸디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리테트라메틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시에톡시)페닐]프로판, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 에톡시화 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 2-히드록시-1,3-디(메타)아크릴옥시프로판 등의 2관능 (메타)아크릴레이트;Examples of the acrylate-based compound include 2-hydroxy-3-(meth)acryloyloxypropyl methacrylate, polyethylene glycol di(meth)acrylate, propoxylated ethoxylated bisphenol A di(meth). Acrylate, 2,2-bis[4-((meth)acryloxypolyethoxy)phenyl]propane, ethoxylated bisphenol A di(meth)acrylate, 2,2-bis[4-((meth)acryloxy diethoxy)phenyl]propane, 9,9-bis[4-(2-(meth)acryloyloxyethoxy)phenyl]fluorene, 2,2-bis[4-((meth)acryloxypolypropoxy) )phenyl]propane, tricyclodecanedimethanoldi(meth)acrylate (also called tricyclodecanedimethyloldi(meth)acrylate), 1,10-decanediol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol Di(meth)acrylate, 1,9-nonanediol di(meth)acrylate, dipropylene glycol di(meth)acrylate, tripropylene glycol di(meth)acrylate, polypropylene glycol di(meth)acrylate, Polytetramethylene glycol di(meth)acrylate, ethylene glycol di(meth)acrylate, diethylene glycol di(meth)acrylate, triethylene glycol di(meth)acrylate, 2,2-bis[4-(( Meth)acryloxyethoxy)phenyl]propane, neopentylglycol di(meth)acrylate, ethoxylated polypropylene glycol di(meth)acrylate, 2-hydroxy-1,3-di(meth)acryloxypropane, etc. of bifunctional (meth)acrylate;

트리스(2-(메타)아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, ε-카프로락톤 변성 트리스-(2-(메타)아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 에톡시화 글리세린트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메타)아크릴레이트, 에톡시화 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨폴리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 다관능 (메타)아크릴레이트;Tris(2-(meth)acryloxyethyl)isocyanurate, ε-caprolactone-modified tris-(2-(meth)acryloxyethyl)isocyanurate, ethoxylated glycerin tri(meth)acrylate, pentaerythritol Tri(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, ditrimethylolpropane tetra(meth)acrylate, ethoxylated pentaerythritol tetra(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipenta polyfunctional (meth)acrylates such as erythritol poly(meth)acrylate and dipentaerythritol hexa(meth)acrylate;

우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머 등의 다관능 (메타)아크릴레이트 올리고머 등을 들 수 있다. Polyfunctional (meth)acrylate oligomers, such as a urethane (meth)acrylate oligomer, etc. are mentioned.

상기 화합물(a2) 중 에너지선 경화성기를 갖는 에폭시 수지, 에너지선 경화성기를 갖는 페놀 수지로는 예를 들면, 「일본 공개특허공보 2013-194102호」의 단락 0043 등에 기재되어 있는 것을 사용할 수 있다. 이러한 수지는 후술하는 열경화성 성분(h)을 구성하는 수지에도 해당되지만, 본 발명에 있어서는 상기 화합물(a2)로서 취급한다. As an epoxy resin which has an energy-beam curable group among the said compound (a2), and a phenol resin which has an energy-beam curable group, what is described in Paragraph 0043 of "Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-194102" etc. can be used, for example. Although this resin also corresponds to resin which comprises the thermosetting component (h) mentioned later, in this invention, it handles as said compound (a2).

상기 화합물(a2)은 중량 평균 분자량이 100∼30000인 것이 바람직하고, 300∼10000인 것이 보다 바람직하다. It is preferable that weight average molecular weights are 100-30000, and, as for the said compound (a2), it is more preferable that it is 300-10000.

보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 상기 화합물(a2)은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of compounds (a2) contained in the composition (IV-1) for forming a protective film and the film for forming a protective film may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

[에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)][Polymer (b) having no energy ray-curable group]

보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름은 상기 에너지선 경화성 성분(a)으로서 상기 화합물(a2)을 함유하는 경우, 추가로 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)도 함유하는 것이 바람직하다. When the composition (IV-1) for forming a protective film and the film for forming a protective film contain the compound (a2) as the energy ray-curable component (a), it is preferable that the polymer (b) having no energy ray-curable group is also contained. desirable.

상기 중합체(b)는 그 적어도 일부가 가교제(f)에 의해 가교된 것이어도 되고, 가교되어 있지 않은 것이어도 된다. The polymer (b) may be one in which at least a part thereof is crosslinked with the crosslinking agent (f), or may not be crosslinked.

에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)로는 예를 들면, 아크릴계 중합체, 페녹시 수지, 우레탄 수지, 폴리에스테르, 고무계 수지, 아크릴우레탄 수지, 폴리비닐알코올(PVA), 부티랄 수지, 폴리에스테르우레탄 수지 등을 들 수 있다. Examples of the polymer (b) having no energy ray-curable group include acrylic polymer, phenoxy resin, urethane resin, polyester, rubber resin, acrylic urethane resin, polyvinyl alcohol (PVA), butyral resin, polyester urethane resin. and the like.

이들 중에서도, 상기 중합체(b)는 아크릴계 중합체(이하, 「아크릴계 중합체(b-1)」라고 약기하는 경우가 있다)인 것이 바람직하다. Among these, it is preferable that the said polymer (b) is an acrylic polymer (Hereinafter, it may abbreviate as "acrylic polymer (b-1)").

아크릴계 중합체(b-1)는 공지의 것이어도 되고, 예를 들면, 1종의 아크릴계 모노머의 단독 중합체이어도 되고, 2종 이상의 아크릴계 모노머의 공중합체이어도 되고, 1종 또는 2종 이상의 아크릴계 모노머와, 1종 또는 2종 이상의 아크릴계 모노머 이외의 모노머(비아크릴계 모노머)의 공중합체이어도 된다. The acrylic polymer (b-1) may be a well-known one, for example, may be a homopolymer of one type of acrylic monomer, may be a copolymer of two or more types of acrylic monomers, one type or two or more types of acrylic monomers; A copolymer of monomers (non-acrylic monomers) other than 1 type or 2 or more types of acrylic monomers may be sufficient.

아크릴계 중합체(b-1)를 구성하는 상기 아크릴계 모노머로는 예를 들면, (메타)아크릴산알킬에스테르, 고리형 골격을 갖는 (메타)아크릴산에스테르, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산에스테르, 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르, 치환 아미노기 함유 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다. 여기서, 「치환 아미노기」란 앞서 설명한 바와 같다. As the acrylic monomer constituting the acrylic polymer (b-1), for example, (meth)acrylic acid alkyl ester, (meth)acrylic acid ester having a cyclic skeleton, glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester, hydroxyl group-containing ( and meth)acrylic acid esters and substituted amino group-containing (meth)acrylic acid esters. Here, the "substituted amino group" is as described above.

상기 (메타)아크릴산알킬에스테르로는 예를 들면, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산n-프로필, (메타)아크릴산이소프로필, (메타)아크릴산n-부틸, (메타)아크릴산이소부틸, (메타)아크릴산sec-부틸, (메타)아크릴산tert-부틸, (메타)아크릴산펜틸, (메타)아크릴산헥실, (메타)아크릴산헵틸, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산이소옥틸, (메타)아크릴산n-옥틸, (메타)아크릴산n-노닐, (메타)아크릴산이소노닐, (메타)아크릴산데실, (메타)아크릴산운데실, (메타)아크릴산도데실((메타)아크릴산라우릴이라고도 한다), (메타)아크릴산트리데실, (메타)아크릴산테트라데실((메타)아크릴산미리스틸이라고도 한다), (메타)아크릴산펜타데실, (메타)아크릴산헥사데실((메타)아크릴산팔미틸이라고도 한다), (메타)아크릴산헵타데실, (메타)아크릴산옥타데실((메타)아크릴산스테아릴이라고도 한다) 등의 알킬에스테르를 구성하는 알킬기가, 탄소수가 1∼18인 사슬형 구조인 (메타)아크릴산알킬에스테르 등을 들 수 있다. Examples of the (meth)acrylic acid alkyl ester include (meth)methyl acrylate, (meth)ethyl acrylate, (meth)acrylate n-propyl, (meth)acrylate isopropyl, (meth)acrylate n-butyl, (meth)acrylate ) isobutyl acrylate, (meth) acrylate sec-butyl, (meth) acrylate tert-butyl, (meth) acrylate pentyl, (meth) acrylate hexyl, (meth) acrylate heptyl, (meth) acrylate 2-ethylhexyl, (meth) acrylate ) acrylate isooctyl, (meth) acrylic acid n-octyl, (meth) acrylic acid n-nonyl, (meth) acrylate isononyl, (meth) acrylate decyl, (meth) acrylate undecyl, (meth) acrylate dodecyl (( Also called lauryl (meth)acrylate), tridecyl (meth)acrylate, tetradecyl (meth)acrylate (also called myristyl (meth)acrylate), pentadecyl (meth)acrylate, hexadecyl (meth)acrylate ((meth)acrylate The alkyl group constituting the alkyl ester such as palmityl acrylate), heptadecyl (meth)acrylate, and octadecyl (meth)acrylate (also called stearyl (meth)acrylate) has a chain structure having 1 to 18 carbon atoms. (meth)acrylic acid alkylester etc. are mentioned.

상기 고리형 골격을 갖는 (메타)아크릴산에스테르로는 예를 들면, (메타)아크릴산이소보르닐, (메타)아크릴산디시클로펜타닐 등의 (메타)아크릴산시클로알킬에스테르; Examples of the (meth)acrylic acid ester having a cyclic skeleton include (meth)acrylic acid cycloalkyl esters such as (meth)acrylic acid isobornyl and (meth)acrylic acid dicyclopentanyl;

(메타)아크릴산벤질 등의 (메타)아크릴산아랄킬에스테르;(meth)acrylic acid aralkyl esters, such as (meth)acrylic acid benzyl;

(메타)아크릴산디시클로펜테닐에스테르 등의 (메타)아크릴산시클로알케닐에스테르;(meth)acrylic acid cycloalkenyl esters such as (meth)acrylic acid dicyclopentenyl ester;

(메타)아크릴산디시클로펜테닐옥시에틸에스테르 등의 (메타)아크릴산시클로알케닐옥시알킬에스테르 등을 들 수 있다. (meth)acrylic acid cycloalkenyloxyalkyl esters, such as (meth)acrylic-acid dicyclopentenyloxyethyl ester, etc. are mentioned.

상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산에스테르로는 예를 들면, (메타)아크릴산글리시딜 등을 들 수 있다. As said glycidyl group containing (meth)acrylic acid ester, (meth)acrylic acid glycidyl etc. are mentioned, for example.

상기 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르로는 예를 들면, (메타)아크릴산히드록시메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸, (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등을 들 수 있다. As the hydroxyl group-containing (meth)acrylic acid ester, for example, (meth)acrylic acid hydroxymethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 3-hydroxy propyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxybutyl, (meth)acrylic acid 3-hydroxybutyl, (meth)acrylic acid 4-hydroxybutyl, etc. are mentioned.

상기 치환 아미노기 함유 (메타)아크릴산에스테르로는 예를 들면, (메타)아크릴산N-메틸아미노에틸 등을 들 수 있다. As said substituted amino-group containing (meth)acrylic acid ester, (meth)acrylic-acid N-methylaminoethyl etc. are mentioned, for example.

아크릴계 중합체(b-1)를 구성하는 상기 비아크릴계 모노머로는 예를 들면, 에틸렌, 노르보르넨 등의 올레핀; 초산비닐; 스티렌 등을 들 수 있다. Examples of the non-acrylic monomer constituting the acrylic polymer (b-1) include olefins such as ethylene and norbornene; vinyl acetate; Styrene etc. are mentioned.

적어도 일부가 가교제(f)에 의해 가교된, 상기 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)로는 예를 들면, 상기 중합체(b) 중의 반응성 관능기가 가교제(f)와 반응한 것을 들 수 있다. Examples of the polymer (b) having no energy ray-curable group at least partially crosslinked with the cross-linking agent (f) include those in which the reactive functional group in the polymer (b) reacted with the cross-linking agent (f).

상기 반응성 관능기는 가교제(f)의 종류 등에 따라 적절히 선택하면 되고, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 가교제(f)가 폴리이소시아네이트 화합물인 경우에는 상기 반응성 관능기로는 수산기, 카르복시기, 아미노기 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, 이소시아네이트기와의 반응성이 높은 수산기가 바람직하다. 또한, 가교제(f)가 에폭시계 화합물인 경우에는 상기 반응성 관능기로는 카르복시기, 아미노기, 아미드기 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 에폭시기와의 반응성이 높은 카르복시기가 바람직하다. 단, 반도체 웨이퍼나 반도체 칩의 회로의 부식을 방지한다는 점에서는, 상기 반응성 관능기는 카르복시기 이외의 기인 것이 바람직하다. The reactive functional group may be appropriately selected according to the type of the crosslinking agent (f), and is not particularly limited. For example, when the crosslinking agent (f) is a polyisocyanate compound, the reactive functional group includes a hydroxyl group, a carboxy group, and an amino group, and among these, a hydroxyl group having high reactivity with an isocyanate group is preferable. In addition, when the crosslinking agent (f) is an epoxy compound, the reactive functional group includes a carboxy group, an amino group, an amide group, and the like, and among these, a carboxy group having high reactivity with an epoxy group is preferable. However, it is preferable that the said reactive functional group is a group other than a carboxy group from the point of preventing corrosion of the circuit of a semiconductor wafer or a semiconductor chip.

상기 반응성 관능기를 갖는 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)로는 예를 들면, 적어도 상기 반응성 관능기를 갖는 모노머를 중합시켜 얻어진 것을 들 수 있다. 아크릴계 중합체(b-1)의 경우이면, 이를 구성하는 모노머로서 든, 상기 아크릴계 모노머 및 비아크릴계 모노머의 어느 한쪽 또는 양쪽으로서, 상기 반응성 관능기를 갖는 것을 사용하면 된다. 예를 들면, 반응성 관능기로서 수산기를 갖는 상기 중합체(b)로는 예를 들면, 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르를 중합하여 얻어진 것을 들 수 있고, 이 이외에도, 앞서 든 상기 아크릴계 모노머 또는 비아크릴계 모노머에 있어서, 1개 또는 2개 이상의 수소 원자가 상기 반응성 관능기로 치환되어 이루어지는 모노머를 중합하여 얻어진 것을 들 수 있다. As a polymer (b) which does not have an energy-beam curable group which has the said reactive functional group, what was obtained by polymerizing the monomer which has at least the said reactive functional group is mentioned, for example. In the case of the acrylic polymer (b-1), one or both of the acrylic monomer and the non-acrylic monomer may be used as a monomer constituting the acrylic polymer (b-1), having the reactive functional group. For example, the polymer (b) having a hydroxyl group as a reactive functional group includes, for example, those obtained by polymerization of a hydroxyl group-containing (meth)acrylic acid ester. In addition to this, in the above-mentioned acrylic monomer or non-acrylic monomer , those obtained by polymerizing a monomer in which one or two or more hydrogen atoms are substituted with the reactive functional group.

반응성 관능기를 갖는 상기 중합체(b)에 있어서, 이를 구성하는 구성 단위의 전체 질량에 대한, 반응성 관능기를 갖는 모노머로부터 유도된 구성 단위의 양의 비율(함유량)은 1∼25질량％인 것이 바람직하고, 2∼20질량％인 것이 보다 바람직하다. 상기 비율이 이러한 범위임으로써, 상기 중합체(b)에 있어서, 가교의 정도가 보다 바람직한 범위가 된다. In the polymer (b) having a reactive functional group, the ratio (content) of the amount of the structural unit derived from the monomer having the reactive functional group to the total mass of the structural unit constituting it is preferably 1 to 25% by mass, , it is more preferable that it is 2-20 mass %. When the said ratio is in such a range, in the said polymer (b), the degree of crosslinking becomes a more preferable range.

에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 중량 평균 분자량(Mw)은 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 조막성이 보다 양호해지는 점에서, 10000∼2000000인 것이 바람직하고, 100000∼1500000인 것이 보다 바람직하다. It is preferable that the weight average molecular weight (Mw) of the polymer (b) which does not have an energy ray-curable group is 10000-200000, and it is 100000-150000 from the point which the film-formability of the composition for protective film formation (IV-1) becomes more favorable. more preferably.

보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The composition (IV-1) for forming a protective film and the polymer (b) having no energy ray-curable group contained in the film for forming a protective film may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, these combinations and ratios are can be chosen arbitrarily.

보호막 형성용 조성물(IV-1)로는 상기 중합체(a1) 및 상기 화합물(a2)의 어느 한쪽 또는 양쪽을 함유하는 것을 들 수 있다. 그리고, 보호막 형성용 조성물(IV-1)은 상기 화합물(a2)을 함유하는 경우, 추가로 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)도 함유하는 것이 바람직하고, 이 경우, 추가로 상기 (a1)을 함유하는 것도 바람직하다. 또한, 보호막 형성용 조성물(IV-1)은 상기 화합물(a2)을 함유하지 않고, 상기 중합체(a1) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)를 함께 함유하고 있어도 된다. Examples of the composition (IV-1) for forming a protective film include those containing either or both of the polymer (a1) and the compound (a2). In addition, when the composition (IV-1) for forming a protective film contains the compound (a2), it is preferable to further contain a polymer (b) having no energy ray-curable group, and in this case, further (a1) It is also preferable to contain In addition, the composition (IV-1) for protective film formation does not contain the said compound (a2), but may contain the said polymer (a1) and the polymer (b) which do not have an energy-beam curable group together.

보호막 형성용 조성물(IV-1)이 상기 중합체(a1), 상기 화합물(a2) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)를 함유하는 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1) 에 있어서, 상기 화합물(a2)의 함유량은 상기 중합체(a1) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 총 함유량 100질량부에 대해, 10∼400질량부인 것이 바람직하고, 30∼350질량부인 것이 보다 바람직하다. When the composition (IV-1) for forming a protective film contains the polymer (a1), the compound (a2), and the polymer (b) having no energy ray-curable group, in the composition (IV-1) for forming a protective film, the It is preferable that it is 10-400 mass parts, and, as for content of a compound (a2), it is more preferable that it is 30-350 mass parts with respect to 100 mass parts of total content of the said polymer (a1) and the polymer (b) which does not have an energy-beam curable group. .

보호막 형성용 조성물(IV-1)에 있어서, 용매 이외의 성분의 총 함유량에 대한, 상기 에너지선 경화성 성분(a) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 합계 함유량의 비율(즉, 보호막 형성용 필름의 상기 에너지선 경화성 성분(a) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 합계 함유량)은, 5∼90질량％인 것이 바람직하고, 10∼80질량％인 것이 보다 바람직하고, 15∼70질량％인 것이 특히 바람직하다. 상기 합계 함유량의 비율이 이러한 범위임으로써, 보호막 형성용 필름의 에너지선 경화성이 보다 양호해진다. In the composition (IV-1) for forming a protective film, the ratio of the total content of the energy ray-curable component (a) and the polymer (b) having no energy ray-curable group to the total content of components other than the solvent (that is, the protective film) It is preferable that it is 5-90 mass %, and, as for the total content of the said energy-beam curable component (a) of the film for formation and the polymer (b) which does not have an energy-beam curable group), it is more preferable that it is 10-80 mass %, It is especially preferable that it is 15-70 mass %. When the ratio of the said total content is such a range, the energy-beam sclerosis|hardenability of the film for protective film formation becomes more favorable.

본 발명의 하나의 측면은 상기 용매 이외의 성분의 총 함유량에 대한, 상기 에너지선 경화성 성분(a) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 합계 함유량의 비율이 78∼92질량％인 것이 바람직하고, 82∼91질량％인 것이 보다 바람직하고, 84∼90질량％인 것이 더욱 바람직하다. One aspect of the present invention is that the ratio of the total content of the energy ray-curable component (a) and the polymer (b) having no energy ray-curable group to the total content of components other than the solvent is 78 to 92 mass% It is preferable, It is more preferable that it is 82-91 mass %, It is still more preferable that it is 84-90 mass %.

보호막 형성용 조성물(IV-1)이 상기 에너지선 경화성 성분(a) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)를 함유하는 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름에 있어서, 상기 중합체(b)의 함유량은 에너지선 경화성 성분(a)의 함유량 100질량부에 대해, 3∼160질량부인 것이 바람직하고, 6∼130질량부인 것이 보다 바람직하다. 상기 중합체(b)의 상기 함유량이 이러한 범위임으로써, 보호막 형성용 필름의 에너지선 경화성이 보다 양호해진다. When the composition (IV-1) for forming a protective film contains the energy ray-curable component (a) and the polymer (b) having no energy ray-curable group, in the composition (IV-1) for forming a protective film and the film for forming a protective film , It is preferable that it is 3-160 mass parts with respect to content of 100 mass parts of energy-beam sclerosing|hardenable component (a), and, as for content of the said polymer (b), it is more preferable that it is 6-130 mass parts. When the said content of the said polymer (b) is such a range, the energy-beam sclerosis|hardenability of the film for protective film formation becomes more favorable.

보호막 형성용 조성물(IV-1)은 에너지선 경화성 성분(a), 에너지선 경화성 기를 갖지 않는 중합체(b) 이외에, 목적에 따라, 광중합 개시제(c), 충전재(d), 커플링제(e), 가교제(f), 착색제(g), 열경화성 성분(h), 및 범용 첨가제(z)로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상을 함유하고 있어도 된다. 예를 들면, 상기 에너지선 경화성 성분(a) 및 열경화성 성분(h)을 함유하는 보호막 형성용 조성물(IV-1)을 사용함으로써, 형성되는 보호막 형성용 필름은 가열에 의해 피착체에 대한 접착력이 향상되고, 이 보호막 형성용 필름으로부터 형성된 보호막의 강도도 향상된다. The composition (IV-1) for forming a protective film contains, in addition to the energy ray-curable component (a) and the polymer (b) not having an energy ray-curable group, a photopolymerization initiator (c), a filler (d), and a coupling agent (e) depending on the purpose. , a crosslinking agent (f), a colorant (g), a thermosetting component (h), and a general-purpose additive (z) may contain one or two or more selected from the group consisting of. For example, by using the composition (IV-1) for forming a protective film containing the energy ray-curable component (a) and the thermosetting component (h), the formed film for forming a protective film has an adhesive strength to an adherend by heating. It improves and the intensity|strength of the protective film formed from this film for protective film formation also improves.

[광중합 개시제(c)][Photoinitiator (c)]

광중합 개시제(c)로는 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈 등의 벤조인 화합물; 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등의 아세토페논 화합물; 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물; 벤질페닐술피드, 테트라메틸티우람모노술피드 등의 술피드 화합물; 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨 화합물; 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물; 티타노센 등의 티타노센 화합물; 티옥산톤 등의 티옥산톤 화합물; 벤조페논, 2-(디메틸아미노)-1-(4-모르폴리노페닐)-2-벤질-1-부타논, 에타논,1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-,1-(O-아세틸옥심) 등의 벤조페논 화합물; 퍼옥사이드 화합물; 디아세틸 등의 디케톤 화합물; 벤질; 디벤질; 2,4-디에틸티옥산톤; 1,2-디페닐메탄; 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로판온; 2-클로로안트라퀴논 등을 들 수 있다. Examples of the photopolymerization initiator (c) include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, methyl benzoin benzoate, benzoin dimethyl ketal, and the like. benzoin compounds; acetophenone compounds such as acetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one and 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one; acylphosphine oxide compounds such as bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide and 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide; sulfide compounds such as benzylphenyl sulfide and tetramethylthiuram monosulfide; α-ketol compounds such as 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone; azo compounds such as azobisisobutyronitrile; titanocene compounds such as titanocene; thioxanthone compounds such as thioxanthone; Benzophenone, 2-(dimethylamino)-1-(4-morpholinophenyl)-2-benzyl-1-butanone, ethanone, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H benzophenone compounds such as -carbazol-3-yl]-,1-(O-acetyloxime); peroxide compounds; diketone compounds such as diacetyl; benzyl; dibenzyl; 2,4-diethylthioxanthone; 1,2-diphenylmethane; 2-hydroxy-2-methyl-1-[4-(1-methylvinyl)phenyl]propanone; 2-chloroanthraquinone etc. are mentioned.

또한, 광중합 개시제(c)로는 예를 들면, 1-클로로안트라퀴논 등의 퀴논 화합물; 아민 등의 광증감제 등을 사용할 수도 있다. Moreover, as a photoinitiator (c), For example, Quinone compounds, such as 1-chloroanthraquinone; Photosensitizers, such as an amine, etc. can also be used.

보호막 형성용 조성물(IV-1)이 함유하는 광중합 개시제(c)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of photoinitiators (c) contained in the composition (IV-1) for protective film formation may be one, and two or more types may be sufficient as them, and in the case of two or more types, these combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

광중합 개시제(c)를 사용하는 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1)에 있어서, 광중합 개시제(c)의 함유량은 에너지선 경화성 화합물(a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼10질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.05∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. When using a photoinitiator (c), in the composition (IV-1) for protective film formation, content of a photoinitiator (c) is 0.01-20 mass parts with respect to content of 100 mass parts of energy ray-curable compound (a) It is preferable, It is more preferable that it is 0.03-10 mass parts, It is especially preferable that it is 0.05-5 mass parts.

[충전재(d)][Filling material (d)]

보호막 형성용 필름이 충전재(d)를 함유함으로써, 보호막 형성용 필름을 경화하여 얻어진 보호막은 열팽창 계수의 조정이 용이해지고, 이 열팽창 계수를 보호막의 형성 대상물에 대해 최적화시킴으로써, 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다. 또한, 보호막 형성용 필름이 충전재(d)를 함유함으로써, 보호막의 흡습율을 저감시키거나, 방열성을 향상시킬 수도 있다. When the film for forming a protective film contains the filler (d), the protective film obtained by curing the film for forming a protective film can easily adjust the coefficient of thermal expansion, and by optimizing this coefficient of thermal expansion for the object to be formed of the protective film, a composite sheet for forming a protective film The reliability of the package obtained by using it improves more. Moreover, when the film for protective film formation contains a filler (d), the moisture absorption of a protective film can be reduced or heat dissipation can also be improved.

충전재(d)로는 예를 들면, 열전도성 재료로 이루어지는 것을 들 수 있다. As a filler (d), what consists of a thermally conductive material is mentioned, for example.

충전재(d)는 유기 충전재 및 무기 충전재의 어느 것이어도 되지만, 무기 충전재인 것이 바람직하다. Although any of an organic filler and an inorganic filler may be sufficient as a filler (d), it is preferable that it is an inorganic filler.

바람직한 무기 충전재로는 예를 들면, 실리카, 알루미나, 탤크, 탄산칼슘, 티탄 화이트, 벵갈라, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말; 이들 무기 충전재를 구형화한 비즈; 이들 무기 충전재의 표면 개질품; 이들 무기 충전재의 단결정 섬유; 유리 섬유 등을 들 수 있다. Preferred inorganic fillers include, for example, powders such as silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, bengala, silicon carbide, and boron nitride; beads obtained by spheroidizing these inorganic fillers; surface-modified products of these inorganic fillers; single crystal fibers of these inorganic fillers; Glass fiber etc. are mentioned.

이들 중에서도, 무기 충전재는 실리카 또는 알루미나인 것이 바람직하고, 표면을 에폭시기로 수식한 실리카가 보다 바람직하다. Among these, it is preferable that an inorganic filler is silica or an alumina, and the silica which modified the surface with the epoxy group is more preferable.

충전재(d)의 평균 입자 직경은 특별히 한정되지 않지만, 0.01∼20㎛인 것이 바람직하고, 0.1∼15㎛인 것이 보다 바람직하고, 0.3∼10㎛인 것이 특히 바람직하다. 또한, 본 발명의 하나의 측면은 충전재(d)의 평균 입자 직경이 0.05∼0.1㎛이다. 충전재(d)의 평균 입자 직경이 이러한 범위임으로써, 보호막의 형성 대상물에 대한 접착성을 유지하면서, 보호막의 광투과율의 저하를 억제할 수 있다. Although the average particle diameter of a filler (d) is not specifically limited, It is preferable that it is 0.01-20 micrometers, It is more preferable that it is 0.1-15 micrometers, It is especially preferable that it is 0.3-10 micrometers. Further, in one aspect of the present invention, the average particle diameter of the filler (d) is 0.05 to 0.1 μm. The fall of the light transmittance of a protective film can be suppressed, maintaining the adhesiveness with respect to the formation object of a protective film because the average particle diameter of a filler (d) is such a range.

한편, 본 명세서에 있어서 「평균 입자 직경」이란 특별히 언급하지 않는 한, 레이저 회절 산란법에 의해 구해진 입도 분포 곡선에 있어서의 적산값 50％에서의 입자 직경(D50)의 값을 의미한다. In addition, in this specification, unless otherwise indicated, "average particle diameter" means the value of particle diameter (D50) at 50 % of the integrated value in the particle size distribution curve calculated|required by the laser diffraction scattering method.

보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 충전재(d)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of fillers (d) which the composition (IV-1) for protective film formation and the film for protective film formation contain may be one, or two or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, these combinations and ratio can be selected arbitrarily.

충전재(d)를 사용하는 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 충전재(d)의 함유량의 비율(즉, 보호막 형성용 필름의 충전재(d)의 함유량)은 5∼83질량％인 것이 바람직하고, 7∼78질량％인 것이 보다 바람직하다. 충전재(d)의 함유량이 이러한 범위임으로써, 상기의 열팽창 계수의 조정이 보다 용이해진다. When the filler (d) is used, in the composition (IV-1) for forming a protective film, the ratio of the content of the filler (d) to the total content of all components other than the solvent (that is, the filler (d) in the film for forming a protective film ), it is preferable that it is 5-83 mass %, and, as for content), it is more preferable that it is 7-78 mass %. When content of a filler (d) is such a range, adjustment of said thermal expansion coefficient becomes easier.

본 발명의 하나의 측면으로서, 충전재(d)의 함유량이 보호막 형성용 필름의 질량에 대해 4∼15질량％인 것이 바람직하고, 4∼10질량％인 것이 보다 바람직하다. As one aspect of this invention, it is preferable that it is 4-15 mass % with respect to the mass of the film for protective film formation, and, as for content of a filler (d), it is more preferable that it is 4-10 mass %.

본 발명의 다른 측면으로서, 충전재(d)의 평균 입자 직경이 0.05∼0.1㎛일 때, 충전재(d)의 함유량이 보호막 형성용 필름의 질량에 대해 4∼15질량％인 것이 바람직하고, 4∼10질량％인 것이 보다 바람직하다. As another aspect of this invention, when the average particle diameter of a filler (d) is 0.05-0.1 micrometer, it is preferable that content of a filler (d) is 4-15 mass % with respect to the mass of the film for protective film formation, 4 to It is more preferable that it is 10 mass %.

[커플링제(e)][Coupling agent (e)]

커플링제(e)로서, 무기 화합물 또는 유기 화합물과 반응 가능한 관능기를 갖는 것을 사용함으로써, 보호막 형성용 필름의 피착체에 대한 접착성 및 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 커플링제(e)를 사용함으로써, 보호막 형성용 필름을 경화하여 얻어진 보호막은 내열성을 저해시키지 않고 내수성이 향상된다. By using as a coupling agent (e) what has a functional group which can react with an inorganic compound or an organic compound, the adhesiveness and adhesiveness with respect to the to-be-adhered body of the film for protective film formation can be improved. Moreover, water resistance improves the protective film obtained by hardening|curing the film for protective film formation by using a coupling agent (e), without impairing heat resistance.

커플링제(e)는 에너지선 경화성 성분(a), 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b) 등이 갖는 관능기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 실란 커플링제인 것이 보다 바람직하다. It is preferable that it is a compound which has a functional group which can react with the functional group which the energy ray-curable component (a), a polymer (b) which does not have an energy-beam curable group, etc. have, and, as for a coupling agent (e), it is more preferable that it is a silane coupling agent.

바람직한 상기 실란 커플링제로는 예를 들면, 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필트리에톡시실란, 3-글리시딜옥시메틸디에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸아미노)프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸아미노)프로필메틸디에톡시실란, 3-(페닐아미노)프로필트리메톡시실란, 3-아닐리노프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라술판, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 이미다졸실란 등을 들 수 있다. Preferred silane coupling agents include, for example, 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltriethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltriethoxysilane, and 3-glycidyloxypropyltriethoxysilane. Cydyloxymethyldiethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-( 2-aminoethylamino)propyltrimethoxysilane, 3-(2-aminoethylamino)propylmethyldiethoxysilane, 3-(phenylamino)propyltrimethoxysilane, 3-anilinopropyltrimethoxysilane, 3 -Ureidopropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis(3-triethoxysilylpropyl)tetrasulfane, methyltrimethoxysilane, methyltri Ethoxysilane, vinyl trimethoxysilane, vinyl triacetoxysilane, imidazole silane, etc. are mentioned.

보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 커플링제(e)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of coupling agents (e) which the composition (IV-1) for protective film formation and the film for protective film formation contain may be one, or two or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, these combinations and ratio can be selected arbitrarily.

커플링제(e)를 사용하는 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름에 있어서, 커플링제(e)의 함유량은 에너지선 경화성 성분(a) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 총 함유량 100질량부에 대해, 0.03∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.05∼10질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.1∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 커플링제(e)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상인 점에서, 충전재(d)의 수지에 대한 분산성의 향상이나, 보호막 형성용 필름의 피착체와의 접착성의 향상 등, 커플링제(e)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 또한, 커플링제(e)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하인 점에서, 아웃 가스의 발생이 보다 억제된다. When a coupling agent (e) is used, in the composition (IV-1) for forming a protective film and the film for forming a protective film, the content of the coupling agent (e) is an energy ray-curable component (a) and a polymer having no energy ray-curable group. It is preferable that it is 0.03-20 mass parts with respect to 100 mass parts of total content of (b), It is more preferable that it is 0.05-10 mass parts, It is especially preferable that it is 0.1-5 mass parts. Since the said content of a coupling agent (e) is more than the said lower limit, the improvement of the dispersibility with respect to resin of a filler (d), the improvement of adhesiveness with the to-be-adhered body of the film for protective film formation, etc. In using a coupling agent (e) effect is obtained more significantly. Moreover, since the said content of a coupling agent (e) is below the said upper limit, generation|occurrence|production of an outgas is suppressed more.

[가교제(f)][Crosslinking agent (f)]

가교제(f)를 사용하여, 상술한 에너지선 경화성 성분(a)이나 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)를 가교함으로써, 보호막 형성용 필름의 초기 접착력 및 응집력을 조절할 수 있다. By using the crosslinking agent (f) to crosslink the above-described energy ray-curable component (a) or the polymer (b) having no energy ray-curable group, the initial adhesive force and cohesive force of the film for forming a protective film can be adjusted.

가교제(f)로는 예를 들면, 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 이민 화합물, 금속 킬레이트계 가교제(금속 킬레이트 구조를 갖는 가교제), 아지리딘계 가교제(아지리디닐기를 갖는 가교제) 등을 들 수 있다. Examples of the crosslinking agent (f) include an organic polyvalent isocyanate compound, an organic polyvalent imine compound, a metal chelate crosslinking agent (crosslinking agent having a metal chelate structure), and an aziridine crosslinking agent (crosslinking agent having an aziridinyl group).

상기 유기 다가 이소시아네이트 화합물로는 예를 들면, 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물 및 지환족 다가 이소시아네이트 화합물(이하, 이들 화합물을 포괄하여 「방향족 다가 이소시아네이트 화합물 등」이라고 약기하는 경우가 있다); 상기 방향족 다가 이소시아네이트 화합물 등의 삼량체, 이소시아누레이트체 및 어덕트체; 상기 방향족 다가 이소시아네이트 화합물 등과 폴리올 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄 프리폴리머 등을 들 수 있다. 상기 「어덕트체」는 상기 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물 또는 지환족 다가 이소시아네이트 화합물과, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 트리메틸올프로판 또는 피마자유 등의 저분자 활성 수소 함유 화합물의 반응물을 의미하고, 그 예로는 후술하는 바와 같은 트리메틸올프로판의 자일릴렌디이소시아네이트 부가물 등을 들 수 있다. 또한, 「말단 이소시아네이트 우레탄 프리폴리머」란, 우레탄 결합을 가짐과 함께, 분자의 말단부에 이소시아네이트기를 갖는 프리폴리머를 의미한다. As said organic polyhydric isocyanate compound, For example, an aromatic polyhydric isocyanate compound, an aliphatic polyhydric isocyanate compound, and an alicyclic polyvalent isocyanate compound (Hereinafter, these compounds are collectively abbreviated as "aromatic polyvalent isocyanate compound etc."); a trimer, an isocyanurate body, and an adduct body, such as the said aromatic polyhydric isocyanate compound; The terminal isocyanate urethane prepolymer etc. which are obtained by making the said aromatic polyhydric isocyanate compound etc. react with a polyol compound are mentioned. The "adduct body" is a reaction product of the aromatic polyvalent isocyanate compound, aliphatic polyvalent isocyanate compound, or alicyclic polyvalent isocyanate compound, and a low-molecular active hydrogen-containing compound such as ethylene glycol, propylene glycol, neopentyl glycol, trimethylolpropane or castor oil. , and examples thereof include xylylene diisocyanate adducts of trimethylolpropane, which will be described later. In addition, "terminal isocyanate urethane prepolymer" means a prepolymer which has a urethane bond and has an isocyanate group in the terminal part of a molecule|numerator.

상기 유기 다가 이소시아네이트 화합물로서, 보다 구체적으로는 예를 들면, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트; 2,6-톨릴렌디이소시아네이트; 1,3-자일릴렌디이소시아네이트; 1,4-자일렌디이소시아네이트; 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트; 디페닐메탄-2,4'-디이소시아네이트; 3-메틸디페닐메탄디이소시아네이트; 헥사메틸렌디이소시아네이트; 이소포론디이소시아네이트; 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트; 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트; 트리메틸올프로판 등의 폴리올의 전부 또는 일부의 수산기에 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 및 자일릴렌디이소시아네이트의 어느 1종 또는 2종 이상이 부가된 화합물; 리신디이소시아네이트 등을 들 수 있다. As said organic polyhydric isocyanate compound, More specifically, For example, 2, 4- tolylene diisocyanate; 2,6-tolylene diisocyanate; 1,3-xylylene diisocyanate; 1,4-xylene diisocyanate; diphenylmethane-4,4'-diisocyanate; diphenylmethane-2,4'-diisocyanate; 3-methyldiphenylmethane diisocyanate; hexamethylene diisocyanate; isophorone diisocyanate; dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate; dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate; Compounds in which any one or two or more of tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and xylylene diisocyanate were added to all or some hydroxyl groups of polyols such as trimethylolpropane; Lysine diisocyanate etc. are mentioned.

상기 유기 다가 이민 화합물로는 예를 들면, N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 테트라메틸올메탄-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, N,N'-톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복시아미드)트리에틸렌멜라민 등을 들 수 있다.Examples of the organic polyvalent imine compound include N,N'-diphenylmethane-4,4'-bis(1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane-tri-β-aziridinylpropionate, tetramethylolmethane-tri-β-aziridinyl propionate, N,N'-toluene-2,4-bis(1-aziridinecarboxamide)triethylenemelamine, etc. are mentioned.

가교제(f)로서 유기 다가 이소시아네이트 화합물을 사용하는 경우, 에너지선 경화성 성분(a) 또는 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)로는 수산기 함유 중합체를 사용하는 것이 바람직하다. 가교제(f)가 이소시아네이트기를 갖고, 에너지선 경화성 성분(a) 또는 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)가 수산기를 갖는 경우, 가교제(f)와 에너지선 경화성 성분(a) 또는 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 반응에 의해, 보호막 형성용 필름에 가교 구조를 간편하게 도입할 수 있다. When using an organic polyhydric isocyanate compound as a crosslinking agent (f), it is preferable to use a hydroxyl-containing polymer as an energy-beam curable component (a) or a polymer (b) which does not have an energy-beam curable group. When the crosslinking agent (f) has an isocyanate group, and the energy ray-curable component (a) or the polymer (b) not having an energy ray-curable group has a hydroxyl group, the cross-linking agent (f) and the energy ray-curable component (a) or energy ray-curable group By reaction of the polymer (b) which does not have, a crosslinked structure can be easily introduce|transduced into the film for protective film formation.

보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 가교제(f)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of crosslinking agents (f) contained in the composition (IV-1) for forming a protective film and the film for forming a protective film may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

가교제(f)를 사용하는 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1)에 있어서, 가교제(f)의 함유량은 에너지선 경화성 성분(a) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 총 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼10질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.5∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 가교제(f)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상인 점에서, 가교제(f)를 사용함으로써 효과가 보다 현저히 얻어진다. 또한, 가교제(f)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하인 점에서, 가교제(f)의 과잉 사용이 억제된다. When a crosslinking agent (f) is used, in the composition (IV-1) for forming a protective film, the content of the crosslinking agent (f) is 100 total content of the energy ray-curable component (a) and the polymer (b) having no energy ray-curable group It is preferable that it is 0.01-20 mass parts with respect to mass part, It is more preferable that it is 0.1-10 mass parts, It is especially preferable that it is 0.5-5 mass parts. Since the said content of a crosslinking agent (f) is more than the said lower limit, an effect is acquired more remarkably by using a crosslinking agent (f). Moreover, since the said content of a crosslinking agent (f) is below the said upper limit, excessive use of a crosslinking agent (f) is suppressed.

[착색제(g)][Colorant (g)]

착색제(g)로는 예를 들면, 무기계 안료, 유기계 안료, 유기계 염료 등 공지의 것을 들 수 있다. As a coloring agent (g), well-known things, such as an inorganic type pigment, an organic type pigment, and organic type dye, are mentioned, for example.

상기 유기계 안료 및 유기계 염료로는 예를 들면, 아미늄계 색소, 시아닌계 색소, 메로시아닌계 색소, 크로코늄계 색소, 스쿠아릴륨계 색소, 아즈레늄계 색소, 폴리메틴계 색소, 나프토퀴논계 색소, 피릴륨계 색소, 프탈로시아닌계 색소, 나프탈로시아닌계 색소, 나프토락탐계 색소, 아조계 색소, 축합 아조계 색소, 인디고계 색소, 페리논계 색소, 페릴렌계 색소, 디옥사진계 색소, 퀴나크리돈계 색소, 이소인돌리논계 색소, 퀴노프탈론계 색소, 피롤계 색소, 티오인디고계 색소, 금속 착체계 색소(금속 착염 염료), 디티올금속 착체계 색소, 인돌페놀계 색소, 트리아릴메탄계 색소, 안트라퀴논계 색소, 나프톨계 색소, 아조메틴계 색소, 벤즈이미다졸론계 색소, 피란트론계 색소 및 스렌계 색소 등을 들 수 있다. The organic pigments and organic dyes include, for example, aminium pigments, cyanine pigments, merocyanine pigments, croconium pigments, squarylium pigments, azrenium pigments, polymethine pigments, and naphthoquinone pigments. , pyrylium pigment, phthalocyanine pigment, naphthalocyanine pigment, naphtholactam pigment, azo pigment, condensed azo pigment, indigo pigment, perinone pigment, perylene pigment, dioxazine pigment, quinacridone pigment, Isoindolinone pigment, quinophthalone pigment, pyrrole pigment, thioindigo pigment, metal complex pigment (metal complex dye), dithiol metal complex pigment, indole phenol pigment, triarylmethane pigment, anthra A quinone type pigment|dye, a naphthol type pigment|dye, an azomethine type pigment|dye, a benzimidazolone type pigment|dye, a pyranthrone type pigment|dye, a srene type pigment|dye, etc. are mentioned.

상기 무기계 안료로는 예를 들면, 카본 블랙, 코발트계 색소, 철계 색소, 크롬계 색소, 티탄계 색소, 바나듐계 색소, 지르코늄계 색소, 몰리브덴계 색소, 루테늄계 색소, 백금계 색소, ITO(인듐주석옥사이드)계 색소, ATO(안티몬주석옥사이드)계 색소 등을 들 수 있다. Examples of the inorganic pigments include carbon black, cobalt pigments, iron pigments, chromium pigments, titanium pigments, vanadium pigments, zirconium pigments, molybdenum pigments, ruthenium pigments, platinum pigments, ITO (indium pigments). A tin oxide) type pigment|dye, ATO (antimony tin oxide) type pigment|dye, etc. are mentioned.

보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 착색제(g)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The number of colorants (g) contained in the composition (IV-1) for forming a protective film and the film for forming a protective film may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

착색제(g)를 사용하는 경우, 보호막 형성용 필름의 착색제(g)의 함유량은 목적에 따라 적절히 조절하면 된다. 예를 들면, 보호막은 레이저 조사에 의해 인자가 실시되는 경우가 있으며, 보호막 형성용 필름의 착색제(g)의 함유량을 조절하고, 보호막의 광투과성을 조절함으로써, 인자 시인성을 조절할 수 있다. 이 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 착색제(g)의 함유량의 비율(즉, 보호막 형성용 필름의 착색제(g)의 함유량)은 0.1∼10질량％인 것이 바람직하고, 0.4∼7.5질량％인 것이 보다 바람직하고, 0.8∼5질량％인 것이 특히 바람직하다. 착색제(g)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상인 점에서, 착색제(g)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 또한, 착색제(g)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하인 점에서, 착색제(g)의 과잉 사용이 억제된다. When using a coloring agent (g), what is necessary is just to adjust content of the coloring agent (g) of the film for protective film formation suitably according to the objective. For example, printing of a protective film may be performed by laser irradiation, and printing visibility can be adjusted by adjusting content of the coloring agent (g) of the film for protective film formation, and adjusting the light transmittance of a protective film. In this case, in the composition (IV-1) for forming a protective film, the ratio of the content of the colorant (g) to the total content of all components other than the solvent (that is, the content of the colorant (g) in the film for forming a protective film) is 0.1 It is preferable that it is -10 mass %, It is more preferable that it is 0.4-7.5 mass %, It is especially preferable that it is 0.8-5 mass %. Since the said content of a coloring agent (g) is more than the said lower limit, the effect by using a coloring agent (g) is acquired more remarkably. Moreover, since the said content of a coloring agent (g) is below the said upper limit, excessive use of a coloring agent (g) is suppressed.

[열경화성 성분(h)][thermosetting component (h)]

보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 열경화성 성분(h)은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of thermosetting components (h) contained in the composition (IV-1) for forming a protective film and the film for forming a protective film may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

열경화성 성분(h)으로는 예를 들면, 에폭시계 열경화성 수지, 열경화성 폴리이미드, 폴리우레탄, 불포화 폴리에스테르, 실리콘 수지 등을 들 수 있고, 에폭시계 열경화성 수지가 바람직하다. Examples of the thermosetting component (h) include an epoxy-based thermosetting resin, a thermosetting polyimide, a polyurethane, an unsaturated polyester, and a silicone resin, and an epoxy-based thermosetting resin is preferable.

(에폭시계 열경화성 수지)(epoxy thermosetting resin)

에폭시계 열경화성 수지는 에폭시 수지(h1) 및 열경화제(h2)로 이루어진다. The epoxy-based thermosetting resin is composed of an epoxy resin (h1) and a thermosetting agent (h2).

보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 에폭시계 열경화성 수지는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of epoxy-based thermosetting resins contained in the composition (IV-1) for forming a protective film and the film for forming a protective film may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

·에폭시 수지(h1)・Epoxy resin (h1)

에폭시 수지(h1)로는 공지의 것을 들 수 있고, 예를 들면, 다관능계 에폭시 수지, 비페닐 화합물, 비스페놀A 디글리시딜에테르 및 그 수첨물, 오쏘크레졸노볼락에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지 등, 2관능 이상인 에폭시 화합물을 들 수 있다. A well-known thing is mentioned as an epoxy resin (h1), For example, polyfunctional epoxy resin, a biphenyl compound, bisphenol A diglycidyl ether and its hydrogenated product, ortho cresol novolac epoxy resin, dicyclopentadiene. Bifunctional or more than bifunctional epoxy compounds, such as a type|mold epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, a bisphenol A type|mold epoxy resin, a bisphenol F type|mold epoxy resin, and a phenylene skeleton type|mold epoxy resin, are mentioned.

에폭시 수지(h1)로는 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 사용해도 된다. 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지는 불포화 탄화수소기를 갖지 않는 에폭시 수지보다 아크릴계 수지와의 상용성이 높다. 이 때문에, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 사용함으로써, 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 향상된다. As the epoxy resin (h1), an epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group may be used. The epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group has higher compatibility with the acrylic resin than the epoxy resin having no unsaturated hydrocarbon group. For this reason, the reliability of the package obtained using the composite sheet for protective film formation improves by using the epoxy resin which has an unsaturated hydrocarbon group.

불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지로는 예를 들면, 다관능계 에폭시 수지의 에폭시기의 일부가 불포화 탄화수소기를 갖는 기로 변환되어 이루어지는 화합물을 들 수 있다. 이러한 화합물은 예를 들면, 에폭시기에 (메타)아크릴산 또는 그 유도체를 부가 반응시킴으로써 얻어진다. As the epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group, for example, a compound in which a part of the epoxy groups of the polyfunctional epoxy resin is converted into a group having an unsaturated hydrocarbon group is exemplified. Such a compound is obtained, for example, by addition-reacting (meth)acrylic acid or its derivative(s) to an epoxy group.

또한, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지로는 예를 들면, 에폭시 수지를 구성하는 방향 고리 등에 불포화 탄화수소기를 갖는 기가 직접 결합된 화합물 등을 들 수 있다. Moreover, as an epoxy resin which has an unsaturated hydrocarbon group, the compound etc. which the group which has an unsaturated hydrocarbon group directly couple|bonded with the aromatic ring which comprises an epoxy resin etc. are mentioned, for example.

불포화 탄화수소기는 중합성을 갖는 불포화기이고, 그 구체적인 예로는 에테닐기(비닐기라고도 한다), 2-프로페닐기(알릴기라고도 한다), (메타)아크릴로일기, (메타)아크릴아미드기 등을 들 수 있고, 아크릴로일기가 바람직하다. The unsaturated hydrocarbon group is an unsaturated group having polymerizability, and specific examples thereof include an ethenyl group (also called a vinyl group), a 2-propenyl group (also called an allyl group), a (meth)acryloyl group, and a (meth)acrylamide group. These are mentioned, and an acryloyl group is preferable.

에폭시 수지(h1)의 수평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 보호막 형성용 필름의 경화성 및 보호막의 강도 및 내열성의 점에서, 300∼30000인 것이 바람직하고, 400∼10000인 것이 보다 바람직하고, 500∼3000인 것이 특히 바람직하다. Although the number average molecular weight of an epoxy resin (h1) is not specifically limited, From the point of sclerosis|hardenability of the film for protective film formation, the intensity|strength of a protective film, and heat resistance, it is preferable that it is 300-30000, It is more preferable that it is 400-10000, It is 500- 3000 is particularly preferred.

본 명세서에 있어서, 「수평균 분자량」은 특별히 언급하지 않는 한, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 표준 폴리스티렌 환산의 값으로 나타내는 수평균 분자량을 의미한다. In this specification, unless otherwise indicated, "number average molecular weight" means the number average molecular weight represented by the value of standard polystyrene conversion measured by the gel permeation chromatography (GPC) method.

에폭시 수지(h1)의 에폭시 당량은 100∼1000g/eq인 것이 바람직하고, 150∼800g/eq인 것이 보다 바람직하다. It is preferable that it is 100-1000 g/eq, and, as for the epoxy equivalent of an epoxy resin (h1), it is more preferable that it is 150-800 g/eq.

본 명세서에 있어서, 「에폭시 당량」이란 1그램당량의 에폭시기를 포함하는 에폭시 화합물의 그램수(g/eq)를 의미하고, JIS K 7236:2001의 방법에 따라 측정할 수 있다. In this specification, "epoxy equivalent" means the number of grams (g/eq) of an epoxy compound containing 1 gram equivalent of an epoxy group, and can be measured according to the method of JISK7236:2001.

에폭시 수지(h1)는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 되고, 2종 이상을 병용하는 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. An epoxy resin (h1) may be used individually by 1 type, may use 2 or more types together, and when using 2 or more types together, these combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

· 열경화제(h2)· Thermosetting agent (h2)

열경화제(h2)는 에폭시 수지(h1)에 대한 경화제로서 기능한다. The thermosetting agent (h2) functions as a curing agent for the epoxy resin (h1).

열경화제(h2)로는 예를 들면, 1분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다. 상기 관능기로는 예를 들면, 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복시기, 산기가 무수물화된 기 등을 들 수 있고, 페놀성 수산기, 아미노기, 또는 산기가 무수물화된 기인 것이 바람직하고, 페놀성 수산기 또는 아미노기인 것이 보다 바람직하다. As a thermosetting agent (h2), the compound which has two or more functional groups which can react with an epoxy group in 1 molecule is mentioned, for example. Examples of the functional group include a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, and a group in which an acid group is anhydrideized, and a phenolic hydroxyl group, an amino group, or a group in which an acid group is anhydrideized is preferable, and a phenolic hydroxyl group, an amino group, or a group in which an acid group is anhydrized is preferable. It is more preferable that it is a hydroxyl group or an amino group.

열경화제(h2) 중 페놀성 수산기를 갖는 페놀계 경화제로는 예를 들면, 다관능 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지, 아랄킬페놀 수지 등을 들 수 있다. Among the thermosetting agents (h2), examples of the phenolic curing agent having a phenolic hydroxyl group include polyfunctional phenolic resins, biphenols, novolak-type phenolic resins, dicyclopentadiene-based phenolic resins, and aralkylphenol resins. have.

열경화제(h2) 중 아미노기를 갖는 아민계 경화제로는 예를 들면, 디시안디 아미드(이하, 「DICY」라고 약기하는 경우가 있다) 등을 들 수 있다. Among the thermosetting agents (h2), examples of the amine-based curing agent having an amino group include dicyandiamide (hereinafter, sometimes abbreviated as “DICY”).

열경화제(h2)는 불포화 탄화수소기를 갖는 것이어도 된다. The thermosetting agent (h2) may have an unsaturated hydrocarbon group.

불포화 탄화수소기를 갖는 열경화제(h2)로는 예를 들면, 페놀 수지의 수산기의 일부가 불포화 탄화수소기를 갖는 기로 치환되어 이루어지는 화합물, 페놀 수지의 방향 고리에 불포화 탄화수소기를 갖는 기가 직접 결합되어 이루어지는 화합물 등을 들 수 있다. Examples of the thermosetting agent (h2) having an unsaturated hydrocarbon group include a compound in which a part of the hydroxyl group of the phenol resin is substituted with a group having an unsaturated hydrocarbon group, a compound in which a group having an unsaturated hydrocarbon group is directly bonded to the aromatic ring of the phenol resin, etc. can

열경화제(h2)에 있어서의 상기 불포화 탄화수소기는 상술한 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지에 있어서의 불포화 탄화수소기와 동일한 것이다. The said unsaturated hydrocarbon group in a thermosetting agent (h2) is the same thing as the unsaturated hydrocarbon group in the epoxy resin which has the above-mentioned unsaturated hydrocarbon group.

열경화제(h2)로서 페놀계 경화제를 사용하는 경우에는 보호막의 지지 시트로부터의 박리성이 향상되는 점에서, 열경화제(h2)는 연화점 또는 유리 전이 온도가 높은 것이 바람직하다. When a phenolic curing agent is used as the thermal curing agent (h2), the thermal curing agent (h2) preferably has a high softening point or glass transition temperature from the viewpoint of improving the peelability of the protective film from the supporting sheet.

본 명세서에 있어서 「유리 전이 온도」란 시차 주사 열량 측정기를 사용하여, 시료의 DSC 곡선을 측정하고, 얻어진 DSC 곡선의 변곡점의 온도로 나타낸다. In this specification, a "glass transition temperature" is shown by the temperature of the inflection point of the DSC curve obtained by measuring the DSC curve of a sample using a differential scanning calorimeter.

열경화제(h2) 중 예를 들면, 다관능 페놀 수지, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지, 아랄킬페놀 수지 등의 수지 성분의 수평균 분자량은 300∼30000인 것이 바람직하고, 400∼10000인 것이 보다 바람직하고, 500∼3000인 것이 특히 바람직하다. Among the thermosetting agents (h2), for example, the number average molecular weight of a resin component such as a polyfunctional phenol resin, a novolak-type phenol resin, a dicyclopentadiene-based phenol resin, and an aralkyl phenol resin is preferably 300 to 30000, It is more preferable that it is 400-10000, and it is especially preferable that it is 500-3000.

열경화제(h2) 중 예를 들면, 비페놀, 디시안디아미드 등의 비수지 성분의 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 60∼500인 것이 바람직하다. Although the molecular weight of non-resin components, such as a biphenol and dicyandiamide among the thermosetting agents (h2), is not specifically limited, For example, it is preferable that it is 60-500.

열경화제(h2)는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 되고, 2종 이상을 병용하는 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. A thermosetting agent (h2) may be used individually by 1 type, may use 2 or more types together, and when using 2 or more types together, these combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

열경화성 성분(h)을 사용하는 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름에 있어서, 열경화제(h2)의 함유량은 에폭시 수지(h1)의 함유량 100질량부에 대해 0.01∼20질량부인 것이 바람직하다. When using a thermosetting component (h), the composition (IV-1) for protective film formation and the film for protective film formation WHEREIN: Content of a thermosetting agent (h2) is 0.01-20 with respect to content of 100 mass parts of epoxy resin (h1). It is preferable that it is a mass part.

열경화성 성분(h)을 사용하는 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름에 있어서, 열경화성 성분(h)의 함유량(예를 들면, 에폭시 수지(h1) 및 열경화제(h2)의 총 함유량)은 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 함유량 100질량부에 대해 1∼500질량부인 것이 바람직하다. When a thermosetting component (h) is used, in the composition (IV-1) for protective film formation and the film for protective film formation, content of the thermosetting component (h) (for example, an epoxy resin (h1) and a thermosetting agent (h2)) It is preferable that the total content of) is 1-500 mass parts with respect to content 100 mass parts of the polymer (b) which does not have an energy-beam curable group.

[범용 첨가제(z)][Universal Additive (z)]

범용 첨가제(z)는 공지의 것이어도 되고, 목적에 따라 임의로 선택할 수 있으며, 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 것으로는 예를 들면, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 게터링제 등을 들 수 있다. Although the general-purpose additive (z) may be a well-known thing, it can select arbitrarily according to the objective, Although it does not specifically limit, As a preferable thing, a plasticizer, an antistatic agent, antioxidant, a gettering agent, etc. are mentioned, for example.

보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름이 함유되는 범용 첨가제(z)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of general-purpose additives (z) containing the composition (IV-1) for forming a protective film and the film for forming a protective film may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

범용 첨가제(z)를 사용하는 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름의 범용 첨가제(z)의 함유량은 특별히 한정되지 않으며, 목적에 따라 적절히 선택하면 된다. When using a general-purpose additive (z), content of the composition (IV-1) for protective film formation and the general-purpose additive (z) of the film for protective film formation is not specifically limited, What is necessary is just to select suitably according to the objective.

[용매][menstruum]

보호막 형성용 조성물(IV-1)은 추가로 용매를 함유하는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 보호막 형성용 조성물(IV-1)은 취급성이 양호해진다. It is preferable that the composition (IV-1) for protective film formation further contains a solvent. The handleability of the composition (IV-1) for protective film formation containing a solvent becomes favorable.

상기 용매는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 것으로는 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등의 탄화 수소; 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 이소부틸알코올(2-메틸프로판-1-올이라고도 한다), 1-부탄올 등의 알코올; 초산에틸 등의 에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤; 테트라히드로푸란 등의 에테르; 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드(아미드 결합을 갖는 화합물) 등을 들 수 있다. Although the said solvent is not specifically limited, As a preferable thing, For example, Hydrocarbons, such as toluene and xylene; alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol, isobutyl alcohol (also referred to as 2-methylpropan-1-ol), and 1-butanol; esters such as ethyl acetate; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; ethers such as tetrahydrofuran; and amides (compounds having an amide bond) such as dimethylformamide and N-methylpyrrolidone.

보호막 형성용 조성물(IV-1)이 함유하는 용매는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of solvents contained in the composition (IV-1) for forming a protective film may be one, two or more types, and in the case of two or more types, these combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

보호막 형성용 조성물(IV-1)이 함유하는 용매는 보호막 형성용 조성물(IV-1) 중의 함유 성분을 보다 균일하게 혼합할 수 있는 점에서, 메틸에틸케톤, 톨루엔 또는 초산에틸 등인 것이 바람직하다. The solvent contained in the composition (IV-1) for forming a protective film is preferably methyl ethyl ketone, toluene, ethyl acetate, or the like from the viewpoint of more uniformly mixing the components contained in the composition (IV-1) for forming a protective film.

본 발명의 하나의 측면은 보호막 형성용 조성물(IV-1)이 에너지선 경화성 성분(a2)으로서, 트리시클로데칸디메틸올디아크릴레이트(함유량: 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 37∼45질량％, 보다 바람직하게는 40∼43질량％)를; 중합체(b)로서, 아크릴산부틸 유래의 구성 단위(아크릴계 수지의 질량에 대해 8∼12질량％, 보다 바람직하게는 10질량％), 아크릴산메틸 유래의 구성 단위(아크릴계 수지의 질량에 대해 68∼72질량％, 보다 바람직하게는 70질량％), 메타크릴산글리시딜 유래의 구성 단위(아크릴계 수지의 질량에 대해 3∼7질량％, 보다 바람직하게는 5질량％) 및 아크릴산-2-히드록시에틸 유래의 구성 단위(아크릴계 수지의 질량에 대해 13∼17질량％, 보다 바람직하게는 15질량％)로 이루어지는 아크릴계 수지(함유량: 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 41∼50질량％, 보다 바람직하게는 44∼47질량％)를; 광중합 개시제(c)로서, 2-(디메틸아미노)-1-(4-모르폴리노페닐)-2-벤질-1-부타논(함유량: 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 0.2∼1.1질량％, 보다 바람직하게는 0.6∼0.64질량％) 및 에타논,1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-,1-(O-아세틸옥심)(함유량: 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 0.2∼1.1질량％, 보다 바람직하게는 0.6∼0.64질량％)을; 충전재(d)로서, 실리카 필러(표면 수식기: 에폭시기)(함유량: 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 2.1∼13.5질량％, 보다 바람직하게는 4.2∼10질량％)를; 커플링제(e)로서, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란(함유량: 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 0.4∼1.5질량％, 보다 바람직하게는 0.8∼0.86질량％)을; 및 착색제(g)로서, 프탈로시아닌계 청색 색소, 이소인돌리논계 황색 색소 및 안트라퀴논계 적색 색소와, 스티렌아크릴 수지를 포함하는 안료(함유량: 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 2.0∼6.25질량％, 보다 바람직하게는 4.0∼4.3질량％)를 포함한다(단, 각 성분의 함유량의 합은 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 100질량％를 초과하지 않는다).One aspect of the present invention is that the composition for forming a protective film (IV-1) is the energy ray-curable component (a2), and tricyclodecanedimethylol diacrylate (content: total mass of the solid content of the composition (IV-1) for forming a protective film) 37 to 45 mass%, more preferably 40 to 43 mass%); As the polymer (b), a structural unit derived from butyl acrylate (8 to 12% by mass, more preferably 10% by mass relative to the mass of the acrylic resin), a structural unit derived from methyl acrylate (68 to 72 based on the mass of the acrylic resin) mass %, more preferably 70 mass %), a structural unit derived from glycidyl methacrylate (3-7 mass % with respect to the mass of the acrylic resin, more preferably 5 mass %) and acrylic acid-2-hydroxy Acrylic resin (content: 41 with respect to the total mass of solid content of the composition (IV-1) for protective film formation) which consists of ethyl-derived structural unit (13-17 mass % with respect to the mass of acrylic resin, More preferably, 15 mass %) -50 mass %, More preferably 44-47 mass %); As the photopolymerization initiator (c), 2-(dimethylamino)-1-(4-morpholinophenyl)-2-benzyl-1-butanone (content: total mass of solid content of the composition (IV-1) for forming a protective film) 0.2 to 1.1% by mass, more preferably 0.6 to 0.64% by mass) and ethanone, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-,1 -(O-acetyloxime) (content: 0.2-1.1 mass % with respect to the total mass of solid content of the composition for protective film formation (IV-1), More preferably, 0.6-0.64 mass %); As the filler (d), silica filler (surface modifying group: epoxy group) (content: 2.1 to 13.5 mass%, more preferably 4.2 to 10 mass%, based on the total mass of the solid content of the composition (IV-1) for forming a protective film) cast; As coupling agent (e), 3-methacryloxypropyl trimethoxysilane (content: 0.4-1.5 mass % with respect to the total mass of solid content of the composition for protective film formation (IV-1), More preferably, 0.8-0.86 mass %)second; and a pigment comprising a phthalocyanine-based blue pigment, an isoindolinone-based yellow pigment and an anthraquinone-based red pigment, and a styrene acrylic resin as the colorant (g) (content: total mass of the solid content of the composition (IV-1) for forming a protective film) 2.0 to 6.25 mass %, more preferably 4.0 to 4.3 mass %) (however, the sum of the content of each component is 100 mass % with respect to the total mass of the solid content of the composition (IV-1) for forming a protective film) does not exceed).

＜＜보호막 형성용 조성물의 제조 방법＞＞<<The manufacturing method of the composition for protective film formation>>

보호막 형성용 조성물(IV-1) 등의 보호막 형성용 조성물은 이를 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다. A composition for forming a protective film, such as the composition (IV-1) for forming a protective film, is obtained by blending each component constituting the composition.

각 성분의 배합시에 있어서의 첨가 순서는 특별히 한정되지 않으며, 2종 이상의 성분을 동시에 첨가해도 된다. The order of addition at the time of mixing|blending each component is not specifically limited, You may add 2 or more types of components simultaneously.

용매를 사용하는 경우에는 용매를 용매 이외의 어느 배합 성분과 혼합하여 이 배합 성분을 미리 희석해 둠으로써 사용해도 되고, 용매 이외의 어느 배합 성분을 미리 희석해 두지 않고, 용매를 이들 배합 성분과 혼합함으로써 사용해도 된다. When a solvent is used, the solvent may be mixed with any compounding component other than the solvent and this compounding component may be used by diluting in advance, and the solvent may be mixed with these compounding components without diluting any compounding component other than the solvent in advance. You may use it by

배합시에 각 성분을 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 교반자 또는 교반 날개 등을 회전시켜서 혼합하는 방법; 믹서를 사용하여 혼합하는 방법; 초음파를 가하여 혼합하는 방법 등 공지의 방법으로부터 적절히 선택하면 된다. The method of mixing each component at the time of mixing|blending is not specifically limited, The method of rotating and mixing a stirrer, a stirring blade, etc.; How to mix using a mixer; What is necessary is just to select suitably from well-known methods, such as a method of adding ultrasonic waves and mixing.

각 성분의 첨가 및 혼합시의 온도 및 시간은 각 배합 성분이 열화되지 않는 한 특별히 한정되지 않으며, 적절히 조절하면 되지만, 온도는 15∼30℃인 것이 바람직하다. The temperature and time at the time of addition and mixing of each component are not particularly limited as long as each compounding component does not deteriorate, and may be appropriately adjusted, but the temperature is preferably 15 to 30°C.

본 발명의 보호막 형성용 복합 시트와 동일하게, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 회로면과는 반대측 이면에 첩부되는 것이며, 지지 시트 상에 접착성을 나타내는 층을 구비한 복합 시트로는 다이싱 다이 본딩 시트가 있다. Similar to the composite sheet for forming a protective film of the present invention, it is affixed on the back surface opposite to the circuit surface of a semiconductor wafer or semiconductor chip. there is

그러나, 다이싱 다이 본딩 시트가 구비하는 접착제층은 반도체 칩과 함께 지지 시트로부터 픽업된 후, 이 반도체 칩을 기판, 리드 프레임, 또는 다른 반도체 칩 등에 부착할 때의 접착제로서 기능한다. 한편, 본 발명의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서의 보호막 형성용 필름은 반도체 칩과 함께 지지 시트로부터 픽업되는 점에서는 상기 접착제층과 동일하지만, 최종적으로는 경화에 의해 보호막이 되고, 첩부되어 있는 반도체 칩의 이면을 보호하는 기능을 갖는다. 이와 같이, 본 발명에 있어서의 보호막 형성용 필름은 다이싱 다이 본딩 시트에 있어서의 접착제층과는 용도가 상이하고, 요구되는 성능도 당연히 상이하다. 그리고, 이 용도의 차이를 반영하여, 보호막 형성용 필름은 통상, 다이싱 다이 본딩 시트에 있어서의 접착제층과 비교하면, 견고하고, 픽업이 어려운 경향이 있다. 따라서, 다이싱 다이 본딩 시트에 있어서의 접착제층을 그대로 보호막 형성용 복합 시트에 있어서의 보호막 형성용 필름으로서 전용하는 것은 통상, 곤란하다. 본 발명의 보호막 형성용 복합 시트는 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름을 구비한 것으로는, 보호막이 형성된 반도체 칩의 픽업 적성에 관하여, 종래에 없는 매우 우수한 것이다. However, the adhesive layer provided in the dicing die bonding sheet functions as an adhesive when the semiconductor chip is picked up from the support sheet together with the semiconductor chip and then the semiconductor chip is attached to a substrate, lead frame, or other semiconductor chip. On the other hand, the film for forming a protective film in the composite sheet for forming a protective film of the present invention is the same as the above adhesive layer in that it is picked up from the support sheet together with the semiconductor chip, but ultimately becomes a protective film by curing and is affixed to the semiconductor. It has a function of protecting the back side of the chip. Thus, the film for protective film formation in this invention differs in a use from the adhesive bond layer in a dicing die-bonding sheet|seat, and the performance calculated|required also differs naturally. And compared with the adhesive bond layer in a dicing die bonding sheet|seat normally, the film for protective film formation reflects the difference of this use, and there exists a tendency for pick-up difficult. Therefore, it is usually difficult to divert the adhesive bond layer in a dicing die-bonding sheet as it is as a film for protective film formation in the composite sheet for protective film formation. The composite sheet for protective film formation of this invention is a thing equipped with the film for energy ray-curable protective film formation, It is a thing which is not conventionally excellent about the pick-up aptitude of the semiconductor chip with a protective film.

◇ 보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트의 제조 방법◇ Manufacturing method of film for forming protective film and composite sheet for forming protective film

＜보호막 형성용 필름의 제조 방법(1)＞<The manufacturing method (1) of the film for protective film formation>

본 발명의 보호막 형성용 필름의 제조 방법의 제1 양태는 박리 필름(제2 박리 필름이라고 칭하는 경우가 있다) 상에 보호막 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시켜 보호막 형성용 필름을 형성하고, 상기 보호막 형성용 필름의 노출면(즉, 표면(β))에 적어도 한쪽 표면의 표면 조도(Ra)가 0.03∼2.0㎛인 제1 박리 필름의 상기 표면 조도를 갖는 표면을 첩합함으로써 제조할 수 있다. A first aspect of the method for producing a film for forming a protective film of the present invention is to apply a composition for forming a protective film on a release film (sometimes referred to as a second release film) and, if necessary, dry it to form a film for forming a protective film, , It can be produced by bonding the surface having the surface roughness of the first release film having a surface roughness (Ra) of at least one surface of 0.03 to 2.0 µm to the exposed surface (that is, the surface (β)) of the film for forming a protective film. have.

이 경우, 상기 제1 박리 필름의 표면의 표면 조도(Ra)가 0.03∼1.8㎛인 것이 바람직하다. In this case, it is preferable that the surface roughness (Ra) of the surface of the said 1st peeling film is 0.03-1.8 micrometers.

본 명세서에 있어서, 박리 필름을 구비한 보호막 형성용 필름을 「보호막 형성용 시트」라고 칭하는 경우가 있다. In this specification, the film for protective film formation provided with the peeling film may be called "the sheet|seat for protective film formation."

＜보호막 형성용 필름의 제조 방법(2)＞<The manufacturing method (2) of the film for protective film formation>

본 발명의 보호막 형성용 필름의 제조 방법의 제2 양태는 적어도 한쪽 표면의 표면 조도(Ra)가 0.03∼2.0㎛인 박리 필름(제1 박리 필름이라고 칭하는 경우가 있다)의 상기 표면 조도를 갖는 표면 상에 보호막 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써 제조할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 박리 필름의 표면의 표면 조도(Ra)가 0.03∼1.8㎛인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 보호막 형성용 필름은 상기와 같이 제조한 보호막 형성용 필름에 있어서, 상기 제1 박리 필름을 첩부한 표면과는 반대측 표면(즉, 표면(α))에 다른 박리 필름(제2 박리 필름이라고 칭하는 경우가 있다)을 첩부해도 된다. A second aspect of the method for producing a film for forming a protective film of the present invention is a release film (sometimes referred to as a first release film) having a surface roughness (Ra) of 0.03 to 2.0 µm on at least one surface having the above-mentioned surface roughness It can manufacture by coating the composition for protective film formation on it, and drying as needed. In this case, it is preferable that the surface roughness (Ra) of the surface of the said 1st peeling film is 0.03-1.8 micrometers. In addition, the film for forming a protective film of the present invention, in the film for forming a protective film produced as described above, is a release film (second You may affix a peeling film).

본 명세서에 있어서, 박리 필름을 구비한 보호막 형성용 필름을 「보호막 형성용 시트」라고 칭하는 경우가 있다. In this specification, the film for protective film formation provided with the peeling film may be called "the sheet|seat for protective film formation."

본 발명의 하나의 측면은 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성 성분(a2)으로서, 트리시클로데칸디메틸올디아크릴레이트(함유량: 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 37∼45질량％, 보다 바람직하게는 40∼43질량％)를; 중합체(b)로서 아크릴산부틸 유래의 구성 단위(아크릴계 수지의 질량에 대해 8∼12질량％, 보다 바람직하게는 10질량％), 아크릴산메틸 유래의 구성 단위(아크릴계 수지의 질량에 대해 68∼72질량％, 보다 바람직하게는 70질량％), 메타크릴산글리시딜 유래의 구성 단위(아크릴계 수지의 질량에 대해 3∼7질량％, 보다 바람직하게는 5질량％) 및 아크릴산-2-히드록시에틸 유래의 구성 단위(아크릴계 수지의 질량에 대해 13∼17질량％, 보다 바람직하게는 15질량％)로 이루어지는 아크릴계 수지(함유량: 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 41∼50질량％, 보다 바람직하게는 44∼47질량％)를; 광중합 개시제(c)로서, 2-(디메틸아미노)-1-(4-모르폴리노페닐)-2-벤질-1-부타논(함유량: 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 0.2∼1.1질량％, 보다 바람직하게는 0.6∼0.64질량％) 및 에타논,1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-,1-(O-아세틸옥심)(함유량: 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 0.2∼1.1질량％, 보다 바람직하게는 0.6∼0.64질량％)을; 충전재(d)로서 실리카 필러(표면 수식기: 에폭시기)(함유량: 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 2.1∼13.5질량％, 보다 바람직하게는 4.2∼10질량％)를; 커플링제(e)로서, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란(함유량: 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 0.4∼1.5질량％, 보다 바람직하게는 0.8∼0.86질량％)을; 및 착색제(g)로서 프탈로시아닌계 청색 색소, 이소인돌리논계 황색 색소 및 안트라퀴논계 적색 색소와, 스티렌아크릴 수지를 포함하는 안료(함유량: 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 2.0∼6.25질량％, 보다 바람직하게는 4.0∼4.3질량％)를 포함한다(단, 각 성분의 함유량의 합은 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 100질량％를 초과하지 않는다). One aspect of the present invention is that the film for forming a protective film is an energy ray-curable component (a2), tricyclodecanedimethylol diacrylate (content: 37 to 45 with respect to the total mass of the solid content of the composition (IV-1) for forming a protective film) mass%, more preferably 40 to 43 mass%); As the polymer (b), a structural unit derived from butyl acrylate (8 to 12% by mass, more preferably 10% by mass relative to the mass of the acrylic resin), a structural unit derived from methyl acrylate (68 to 72% by mass relative to the mass of the acrylic resin) %, more preferably 70% by mass), a structural unit derived from glycidyl methacrylate (3-7% by mass, more preferably 5% by mass relative to the mass of the acrylic resin) and acrylic acid-2-hydroxyethyl The acrylic resin (content: 41 to the total mass of the solid content of the composition (IV-1) for forming a protective film) consisting of derived structural units (13 to 17 mass %, more preferably 15 mass % with respect to the mass of the acrylic resin) 50 mass %, More preferably 44-47 mass %); As the photopolymerization initiator (c), 2-(dimethylamino)-1-(4-morpholinophenyl)-2-benzyl-1-butanone (content: total mass of solid content of the composition (IV-1) for forming a protective film) 0.2 to 1.1% by mass, more preferably 0.6 to 0.64% by mass) and ethanone, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-,1 -(O-acetyloxime) (content: 0.2-1.1 mass % with respect to the total mass of solid content of the composition for protective film formation (IV-1), More preferably, 0.6-0.64 mass %); Silica filler (surface modifier: epoxy group) (content: 2.1 to 13.5 mass %, more preferably 4.2 to 10 mass % with respect to the total mass of the solid content of the composition (IV-1) for forming a protective film) as the filler (d) ; As coupling agent (e), 3-methacryloxypropyl trimethoxysilane (content: 0.4-1.5 mass % with respect to the total mass of solid content of the composition for protective film formation (IV-1), More preferably, 0.8-0.86 mass %)second; and a pigment containing a phthalocyanine-based blue pigment, an isoindolinone-based yellow pigment, and an anthraquinone-based red pigment as a colorant (g), and a styrene acrylic resin (content: based on the total mass of the solid content of the composition (IV-1) for forming a protective film) 2.0 to 6.25 mass%, more preferably 4.0 to 4.3 mass%) (however, the sum of the content of each component is 100 mass% with respect to the total mass of the solid content of the composition (IV-1) for forming a protective film) do not exceed).

＜보호막 형성용 복합 시트의 제조 방법(1)＞<The manufacturing method (1) of the composite sheet for protective film formation>

본 발명의 보호막 형성용 복합 시트의 제조 방법의 제1 양태를 이하에 설명한다. The 1st aspect of the manufacturing method of the composite sheet for protective film formation of this invention is demonstrated below.

적어도 한쪽 표면의 표면 조도(Ra)가 0.03∼2.0㎛인 박리 필름(제1 박리 필름이라고 칭하는 경우가 있다)의 상기 표면 조도를 갖는 표면 상에 보호막 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써 보호막 형성용 필름을 형성하고, 상기 보호막 형성용 필름의 노출면에 제2 박리 필름을 첩합한다. By coating a composition for forming a protective film on the surface having the above-mentioned surface roughness of a release film (sometimes referred to as a first release film) having a surface roughness (Ra) of at least one surface of 0.03 to 2.0 µm, and drying if necessary. The film for protective film formation is formed, and a 2nd peeling film is bonded together on the exposed surface of the said film for protective film formation.

상기 제1 박리 필름을 박리한 보호막 형성용 필름의 노출면(즉, 표면(β))을 지지 시트인 기재의 표면에 첩합함으로써 제조할 수 있다. 상기 기재의 표면의 표면 조도(Ra)는 특별히 한정되지 않지만, 상기 표면 조도(Ra)가 예를 들면, 0.12㎛ 미만, 보다 바람직하게는 0.03㎛ 미만, 더욱 바람직하게는 0.020∼0.025㎛인 평활한 면에 첩합하는 것이 바람직하다. It can manufacture by bonding the exposed surface (namely, surface (beta)) of the film for protective film formation which peeled the said 1st peeling film to the surface of the base material which is a support sheet. The surface roughness (Ra) of the surface of the substrate is not particularly limited, and the surface roughness (Ra) is, for example, less than 0.12 µm, more preferably less than 0.03 µm, even more preferably 0.020 to 0.025 µm. It is preferable to bond together to a surface.

＜보호막 형성용 복합 시트의 제조 방법(2)＞<The manufacturing method (2) of the composite sheet for protective film formation>

본 발명의 보호막 형성용 복합 시트의 제조 방법의 제2 양태를 이하에 설명한다. The 2nd aspect of the manufacturing method of the composite sheet for protective film formation of this invention is demonstrated below.

제2 박리 필름 상에 보호막 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시켜 보호막 형성용 필름을 형성하고, 상기 보호막 형성용 필름의 노출면에 적어도 한쪽 표면의 표면 조도(Ra)가 0.03∼2.0㎛인 제1 박리 필름의 상기 표면 조도를 갖는 표면을 첩합한다. The composition for forming a protective film is coated on the second release film and, if necessary, dried to form a film for forming a protective film, and the surface roughness (Ra) of at least one surface of the exposed surface of the film for forming a protective film is 0.03 to 2.0 µm. The surface which has the said surface roughness of a phosphorus 1st peeling film is pasted together.

상기 제1 박리 필름을 박리한 보호막 형성용 필름의 노출면(즉, 표면(β))을 지지 시트인 기재의 표면에 첩합함으로써 제조할 수 있다. 상기 기재의 표면의 표면 조도(Ra)는 특별히 한정되지 않지만, 상기 표면 조도(Ra)가 예를 들면, 0.12㎛ 미만, 보다 바람직하게는 0.03㎛ 미만, 더욱 바람직하게는 0.020∼0.025㎛인 평활한 면에 첩합하는 것이 바람직하다. It can manufacture by bonding the exposed surface (namely, surface (beta)) of the film for protective film formation which peeled the said 1st peeling film to the surface of the base material which is a support sheet. The surface roughness (Ra) of the surface of the substrate is not particularly limited, and the surface roughness (Ra) is, for example, less than 0.12 µm, more preferably less than 0.03 µm, even more preferably 0.020 to 0.025 µm. It is preferable to bond together to a surface.

＜보호막 형성용 복합 시트의 제조 방법(3)＞<The manufacturing method (3) of the composite sheet for protective film formation>

본 발명의 보호막 형성용 복합 시트의 제조 방법의 제3 양태를 이하에 설명한다. The 3rd aspect of the manufacturing method of the composite sheet for protective film formation of this invention is demonstrated below.

박리 필름 상에 보호막 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시켜 보호막 형성용 필름을 형성한다. The composition for protective film formation is coated on a peeling film, and it is made to dry as needed, and the film for protective film formation is formed.

상기 보호막 형성용 필름의 노출면(즉, 표면(β))을 적어도 한쪽 표면의 표면 조도(Ra)가 0.03∼2.0㎛, 보다 바람직하게는 0.05∼1.8㎛, 더욱 바람직하게는 0.05∼1.3㎛인 표면 조도(Ra)를 갖는 기재의 상기 표면 조도(Ra)인 표면에 첩합함으로써 제조할 수 있다. The surface roughness (Ra) of at least one surface of the exposed surface (that is, the surface (β)) of the film for forming a protective film is 0.03 to 2.0 µm, more preferably 0.05 to 1.8 µm, still more preferably 0.05 to 1.3 µm. It can manufacture by bonding to the surface which is the said surface roughness (Ra) of the base material which has surface roughness (Ra).

본 발명의 보호막 형성용 복합 시트는 상술한 각층을 대응되는 위치 관계가 되도록 순차 적층함으로써 제조할 수 있다. 각층의 형성 방법은 앞서 설명한 바와 같다. The composite sheet for forming a protective film of the present invention can be produced by sequentially laminating the above-described layers so as to have a corresponding positional relationship. A method of forming each layer is the same as described above.

연속되는 2층의 적층 구조를 형성하는 경우에는, 제1 조성물로부터 형성된 층 위에 추가로 제2 조성물을 도공하여 새롭게 층을 형성하는 것이 가능하다. 단, 이들 2층 중 나중에 적층하는 층은 다른 박리 필름 상에 상기 제2 조성물을 사용하여 미리 형성해 두고, 이 형성된 층의 상기 박리 필름과 접촉하고 있는 측과는 반대측 노출면을 이미 형성된 나머지 층의 노출면과 첩합함으로써, 연속되는 2층의 적층 구조를 형성하는 것이 바람직하다. 이 때, 상기 제2 조성물은 박리 필름의 박리 처리면에 도공하는 것이 바람직하다. 박리 필름은 적층 구조의 형성 후 필요에 따라 제거하면 된다. In the case of forming a continuous two-layer laminate structure, it is possible to form a new layer by further coating the second composition on the layer formed from the first composition. However, among these two layers, the layer to be laminated later is previously formed using the second composition on another release film, and the exposed surface of the formed layer opposite to the side in contact with the release film is applied to the remaining layer already formed. It is preferable to form the laminated structure of two continuous layers by bonding together with an exposed surface. At this time, it is preferable to apply the said 2nd composition to the peeling process surface of a peeling film. What is necessary is just to remove a peeling film as needed after formation of a laminated structure.

박리 필름은 목적으로 하는 적층 구조를 형성 후의 임의의 타이밍으로 제거하면 된다. What is necessary is just to remove a peeling film at arbitrary timings after formation of the laminated structure made into the objective.

이와 같이, 보호막 형성용 복합 시트를 구성하는 기재 이외의 층은 모두, 박리 필름 상에 미리 형성해 두고, 목적으로 하는 층의 표면에 첩합하는 방법으로 적층할 수 있기 때문에, 필요에 따라 이러한 공정을 채용하는 층을 적절히 선택하여, 보호막 형성용 복합 시트를 제조하면 된다. In this way, since all layers other than the base material constituting the composite sheet for forming a protective film can be laminated by a method of forming in advance on the release film and bonding them to the surface of the target layer, such a process is adopted as necessary. What is necessary is just to select the layer to use suitably and to manufacture the composite sheet for protective film formation.

또한, 보호막 형성용 복합 시트는 통상, 그 지지 시트와는 반대측 최표층(예를 들면, 보호막 형성용 필름)의 표면에 박리 필름이 첩합된 상태로 보관된다. 따라서, 이 박리 필름(바람직하게는, 그 박리 처리면) 상에, 보호막 형성용 조성물 등의 최표층을 구성하는 층을 형성하기 위한 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 박리 필름 상에 최표층을 구성하는 층을 형성해 두고, 이 층의 박리 필름과 접촉하고 있는 측과는 반대측 노출면 상에 나머지 각층(예를 들면, 지지 시트인 기재)을 상술한 어느 방법으로 적층하고, 박리 필름을 제거하지 않고 첩합한 상태인 채로 함으로써도, 보호막 형성용 복합 시트가 얻어진다. In addition, the composite sheet for protective film formation is normally stored in the state by which the peeling film was pasted on the surface of the outermost layer (for example, film for protective film formation) on the opposite side to the support sheet. Therefore, on this release film (preferably, the release-treated surface thereof), a composition for forming a layer constituting the outermost layer, such as a composition for forming a protective film, is coated and, if necessary, dried, so that the most A layer constituting the surface layer is formed, and the remaining layers (for example, a substrate serving as a support sheet) are laminated on the exposed surface opposite to the side in contact with the release film of this layer by any of the methods described above, and the release film is The composite sheet for protective film formation is obtained also by setting it as the state bonded together without removing.

◇ 보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트의 사용 방법◇ How to use a film for forming a protective film and a composite sheet for forming a protective film

본 발명의 보호막 형성용 필름 또는 보호막 형성용 시트는 예를 들면, 이하에 나타내는 방법으로 사용할 수 있다. The film for protective film formation or the sheet|seat for protective film formation of this invention can be used by the method shown below, for example.

즉, 반도체 웨이퍼의 이면(전극 형성면과는 반대측 면)에 보호막 형성용 시트의 제1 박리 필름을 갖는 면과는 반대측 표면(α)을 그 보호막 형성용 필름에 의해 첩부한다. 이어서, 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여, 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막으로 한다. 이어서, 제1 박리 필름을 박리하여, 상기 보호막의 노출면(표면(β))을 지지 시트에 첩부하고, 다이싱에 의해, 반도체 웨이퍼를 보호막마다 분할하여 반도체 칩으로 한다. 그리고, 반도체 칩을 이 보호막이 첩부된 상태인 채로(즉, 보호막이 형성된 반도체 칩으로서), 지지 시트로부터 떨어뜨려 픽업한다. 본 명세서에 있어서는, 상기 지지 시트는 기재만으로 이루어지는 지지 시트가 바람직하다. 여기서, 지지 시트로는 본 발명의 보호막 형성용 복합 시트로 사용되는 지지 시트를 적용할 수 있다. That is, on the back surface (surface opposite to the electrode formation surface) of a semiconductor wafer, the surface (alpha) opposite to the surface which has the 1st peeling film of the sheet|seat for protective film formation is affixed with the film for protective film formation. Next, an energy ray is irradiated to the film for protective film formation, the film for protective film formation is hardened, and it is set as a protective film. Next, the 1st peeling film is peeled, the exposed surface (surface (beta)) of the said protective film is affixed to a support sheet, and a semiconductor wafer is divided|segmented for every protective film by dicing, and it is set as a semiconductor chip. And the semiconductor chip is removed from the support sheet and picked up with this protective film affixed (namely, as a semiconductor chip with a protective film). In this specification, it is preferable that the said support sheet consists of only a base material. Here, as the support sheet, the support sheet used as the composite sheet for forming a protective film of the present invention may be applied.

이후는 종래법과 동일한 방법으로, 얻어진 보호막이 형성된 반도체 칩의 반도체 칩을 기판의 회로면에 플립 칩 접속한 후, 반도체 패키지로 한다. 그리고, 이 반도체 패키지를 사용하여, 목적으로 하는 반도체 장치를 제작하면 된다. Thereafter, in the same manner as in the conventional method, the obtained semiconductor chip of the semiconductor chip provided with the protective film is flip-chip connected to the circuit surface of the substrate, and then, a semiconductor package is obtained. And what is necessary is just to produce the target semiconductor device using this semiconductor package.

본 발명의 보호막 형성용 복합 시트는 예를 들면, 이하에 나타내는 방법으로 사용할 수 있다. The composite sheet for protective film formation of this invention can be used by the method shown below, for example.

즉, 반도체 웨이퍼의 이면(전극 형성면과는 반대측 면)에, 보호막 형성용 복합 시트를 그 보호막 형성용 필름에 의해 첩부한다. 이어서, 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여, 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막으로 한다. 이어서, 다이싱에 의해, 반도체 웨이퍼를 보호막마다 분할하여 반도체 칩으로 한다. 그리고, 반도체 칩을 이 보호막이 첩부된 상태인 채로(즉, 보호막이 형성된 반도체 칩으로서), 지지 시트로부터 떨어뜨려 픽업한다. That is, the composite sheet for protective film formation is affixed with the film for protective film formation on the back surface (surface opposite to an electrode formation surface) of a semiconductor wafer. Next, an energy ray is irradiated to the film for protective film formation, the film for protective film formation is hardened, and it is set as a protective film. Next, the semiconductor wafer is divided for each protective film by dicing to obtain a semiconductor chip. And the semiconductor chip is removed from the support sheet and picked up with this protective film affixed (namely, as a semiconductor chip with a protective film).

이후는 종래법과 동일한 방법으로, 얻어진 보호막이 형성된 반도체 칩의 반도체 칩을 기판의 회로면에 플립 칩 접속한 후, 전체를 수지에 의해 봉지함으로써, 반도체 패키지로 한다. 그리고, 이 반도체 패키지를 사용하여, 목적으로 하는 반도체 장치를 제작하면 된다. Thereafter, in the same manner as in the conventional method, the obtained semiconductor chip of the semiconductor chip with a protective film is flip-chip connected to the circuit surface of the substrate, and then the entirety is sealed with resin to obtain a semiconductor package. And what is necessary is just to produce the target semiconductor device using this semiconductor package.

한편, 여기서는 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막으로 하고 나서, 다이싱을 행하는 경우에 대해서 설명했지만, 본 발명의 보호막 형성용 복합 시트를 사용하는 경우, 이들의 공정을 행하는 순서는 반대이어도 된다. 즉, 반도체 웨이퍼의 이면에 보호막 형성용 복합 시트를 첩부한 후, 다이싱에 의해 반도체 웨이퍼를 보호막 형성용 필름마다 분할하여 반도체 칩으로 한다. 이어서, 분할된 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여, 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막으로 한다. 이후는 상기와 동일하게, 보호막이 형성된 반도체 칩을 지지 시트로부터 떨어뜨려 픽업하고, 목적으로 하는 반도체 장치를 제작하면 된다. In addition, although the case where dicing is performed after hardening the film for protective film formation to make a protective film was demonstrated here, when using the composite sheet for protective film formation of this invention, the order of performing these processes may be reversed. That is, after affixing the composite sheet for protective film formation on the back surface of a semiconductor wafer, a semiconductor wafer is divided|segmented for every film for protective film formation by dicing, and it is set as a semiconductor chip. Next, an energy ray is irradiated to the divided film for protective film formation, the film for protective film formation is hardened, and it is set as a protective film. After that, similarly to the above, the semiconductor chip provided with the protective film is removed from the support sheet and picked up, and what is necessary is just to produce the target semiconductor device.

실시예Example

이하, 구체적 실시예에 의해, 본 발명에 대해서 보다 상세히 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 나타내는 실시예로 한정되는 것은 결코 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of specific examples. However, this invention is by no means limited to the Example shown below.

보호막 형성용 조성물의 제조에 사용한 성분을 이하에 나타낸다.The component used for manufacture of the composition for protective film formation is shown below.

·에너지선 경화성 성분・Energy-ray-curable ingredients

(a2)-1: 트리시클로데칸디메틸올디아크릴레이트(닛폰 화약사 제조 「KAYARAD R-684」, 2관능 자외선 경화성 화합물, 분자량 304)(a2)-1: tricyclodecane dimethylol diacrylate ("KAYARAD R-684" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., bifunctional ultraviolet curable compound, molecular weight 304)

·에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체Polymers without energy ray-curable groups

(b)-1: 아크릴산부틸(이하, 「BA」라고 약기한다)(10질량부), 아크릴산메틸(이하, 「MA」라고 약기한다)(70질량부), 메타크릴산글리시딜(이하, 「GMA」라고 약기한다)(5질량부) 및 아크릴산-2-히드록시에틸(이하, 「HEA」라고 약기한다)(15질량부)을 공중합하여 이루어지는 아크릴계 수지(중량 평균 분자량 300000, 유리 전이 온도 －1℃).(b)-1: butyl acrylate (hereinafter, abbreviated as “BA”) (10 parts by mass), methyl acrylate (hereinafter, abbreviated as “MA”) (70 parts by mass), glycidyl methacrylate (hereinafter, abbreviated as “MA”) , abbreviated as "GMA") (5 parts by mass) and acrylic acid-2-hydroxyethyl (hereinafter, abbreviated as "HEA") (15 parts by mass) of an acrylic resin (weight average molecular weight 300000, glass transition) temperature -1°C).

·광중합 개시제・Photoinitiator

(c)-1: 2-(디메틸아미노)-1-(4-모르폴리노페닐)-2-벤질-1-부타논(BASF사 제조 「Irgacure(등록상표) 369」)(c)-1: 2-(dimethylamino)-1-(4-morpholinophenyl)-2-benzyl-1-butanone (“Irgacure® 369” manufactured by BASF)

(c)-2: 에타논,1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-,1-(O-아세틸옥심)(BASF사 제조 「Irgacure(등록상표) OXE02」)(c)-2: Ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -, 1- (O-acetyloxime) (BASF Corporation "Irgacure" (registered trademark) OXE02”)

·충전재·filling

(d)-1: 실리카 필러(표면 수식기: 에폭시기)(평균 입자 직경 0.1㎛)(d)-1: Silica filler (surface modifier: epoxy group) (average particle diameter 0.1 µm)

(d)-2: 실리카 필러(표면 수식기: 에폭시기)(평균 입자 직경 0.05㎛)(d)-2: silica filler (surface modifying group: epoxy group) (average particle diameter of 0.05 µm)

·커플링제・Coupling agent

(e)-1: 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란(신에츠 화학 공업사 제조 「KBM-503」, 실란 커플링제)(e)-1: 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane ("KBM-503" manufactured by Shin-Etsu Chemical Industries, Ltd., silane coupling agent)

·착색제·coloring agent

(g)-1: 프탈로시아닌계 청색 색소(Pigment Blue 15:3) 32질량부와, 이소인돌리논계 황색 색소(Pigment Yellow 139) 18질량부와, 안트라퀴논계 적색 색소(Pigment Red 177) 50질량부를 혼합하여, 상기 3종의 색소의 합계량/스티렌아크릴 수지량＝1/3(질량비)이 되도록 안료화하여 얻어진 안료.(g)-1: 32 parts by mass of a phthalocyanine-based blue pigment (Pigment Blue 15:3), 18 parts by mass of an isoindolinone-based yellow pigment (Pigment Yellow 139), and 50 parts by mass of an anthraquinone-based red pigment (Pigment Red 177) The pigment obtained by mixing parts and making it pigment so that it may become the total amount/styrene acrylic resin amount = 1/3 (mass ratio) of the said three types of pigment|dye.

[실시예 1][Example 1]

＜보호막 형성용 복합 시트의 제조＞<Production of the composite sheet for forming a protective film>

(보호막 형성용 조성물(IV-1)의 제조)(Preparation of composition (IV-1) for forming a protective film)

에너지선 경화성 성분((a2)-1)(20질량부), 중합체((b)-1)(22질량부), 광중합 개시제((c)-1)(0.3질량부), 광중합 개시제((c)-2)(0.3질량부), 충전재((d)-1)(2질량부, 즉, 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 4.3질량％), 커플링제((e)-1)(0.4질량부) 및 착색제((g)-1)(2질량부)을 메틸에틸케톤에 용해 또는 분산시켜, 23℃에서 교반함으로써, 고형분 농도가 50질량％인 보호막 형성용 조성물(IV-1)을 조제했다. Energy ray-curable component ((a2)-1) (20 parts by mass), polymer ((b)-1) (22 parts by mass), photoinitiator ((c)-1) (0.3 parts by mass), photoinitiator (( c)-2) (0.3 parts by mass), filler ((d)-1) (2 parts by mass, ie, 4.3% by mass relative to the total mass of the solid content of the composition (IV-1) for forming a protective film), a coupling agent ( (e)-1) (0.4 parts by mass) and a colorant ((g)-1) (2 parts by mass) are dissolved or dispersed in methyl ethyl ketone and stirred at 23°C to form a protective film having a solid content concentration of 50% by mass A composition (IV-1) was prepared.

(보호막 형성용 복합 시트의 제조)(Manufacture of a composite sheet for forming a protective film)

폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름의 편면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리된 박리 필름(린텍사 제조 「SP-PET381031」, 두께 38㎛)의 상기 박리 처리면에 상기에서 얻어진 보호막 형성용 조성물(IV-1)을 나이프 코터에 의해 도공하고, 100℃에서 2분 건조시킴으로써, 두께 25㎛의 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름((13)-1)을 제작했다. The composition (IV-1) for forming a protective film obtained above was applied to the release-treated surface of a release film (“SP-PET381031” manufactured by Lintec, 38 µm thick) in which one side of the polyethylene terephthalate film was released by silicone treatment. The 25-micrometer-thick film ((13)-1) for energy-beam curable protective film formation was produced by coating with a knife coater and drying at 100 degreeC for 2 minutes.

이어서, 표면 조도(Ra)가 1.3㎛인 폴리프로필렌계 필름(두께 80㎛)의 기재인 지지 시트((10)-1)의 상기 표면 조도(Ra)를 갖는 면에 상기에서 얻어진 보호막 형성용 필름((13)-1)의 노출면을 첩합하여, 기재, 보호막 형성용 필름((13)-1) 및 박리 필름이 이들 두께 방향에 있어서 이 순서로 적층되어 이루어지는 보호막 형성용 복합 시트를 제작했다. Next, the protective film formation film obtained above on the surface having the surface roughness (Ra) of the support sheet (10)-1, which is the base material of the polypropylene-based film (thickness 80 µm) having a surface roughness (Ra) of 1.3 µm. The exposed surfaces of ((13)-1) were pasted together, and the composite sheet for protective film formation in which a base material, the film for protective film formation ((13)-1), and a peeling film were laminated|stacked in this order in these thickness directions was produced. .

[실시예 2][Example 2]

＜보호막 형성용 복합 시트의 제조＞<Production of the composite sheet for forming a protective film>

실시예 1에서 사용한 표면 조도(Ra)가 1.3㎛인 폴리프로필렌계 필름(두께 80㎛)의 기재인 지지 시트((10)-1)을 표면 조도(Ra)가 0.05㎛인 폴리프로필렌계 필름(두께 80㎛)의 기재인 지지 시트((10)-2)로 바꾸고, 그 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 보호막 형성용 필름((13)-1)과 보호막 형성용 시트를 제작했다. The support sheet ((10)-1), which is the base material of the polypropylene-based film (thickness 80 μm) having a surface roughness (Ra) of 1.3 μm used in Example 1, was applied to a polypropylene-based film having a surface roughness (Ra) of 0.05 μm ( 80 µm in thickness) was replaced with a support sheet ((10)-2) serving as a base material, and except that, a film for forming a protective film ((13)-1) and a sheet for forming a protective film were produced in the same manner as in Example 1.

[실시예 3][Example 3]

＜보호막 형성용 복합 시트의 제조＞<Production of the composite sheet for forming a protective film>

실시예 1에서 사용한 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 충전재((d)-1)(2질량부, 즉, 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 4.3질량％)을 충전재((d)-2)(5질량부, 즉, 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 10질량％)로 바꾸고, 그 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 보호막 형성용 필름((13)-2)와 보호막 형성용 시트를 제작했다. Filler ((d)-1) of the composition (IV-1) for forming a protective film used in Example 1 (2 parts by mass, that is, 4.3 mass % with respect to the total mass of the solid content of the composition (IV-1) for forming a protective film) was replaced with a filler ((d)-2) (5 parts by mass, that is, 10 mass % with respect to the total mass of the solid content of the composition (IV-1) for forming a protective film), except that it was carried out in the same manner as in Example 1 to form a protective film. The film ((13)-2) for use and the sheet|seat for protective film formation were produced.

[실시예 4][Example 4]

＜보호막 형성용 시트의 제조＞<Production of sheet for forming a protective film>

표면 조도(Ra)가 1.8㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름(두께 80㎛)인 제1 박리 필름의 상기 표면 조도(Ra)를 갖는 표면에 실시예 1에서 사용한 보호막 형성용 조성물(IV-1)을 나이프 코터에 의해 도공하고, 100℃에서 2분 건조시킴으로써, 두께 25㎛의 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름((13)-1)을 제작했다. The composition (IV-1) for forming a protective film used in Example 1 was applied to the surface having the surface roughness (Ra) of the first release film, which is a polyethylene terephthalate film (thickness: 80 µm) having a surface roughness (Ra) of 1.8 µm. The 25-micrometer-thick film ((13)-1) for energy-beam curable protective film formation was produced by coating with a knife coater and drying at 100 degreeC for 2 minutes.

이어서, 폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름의 편면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리된 제2 박리 필름(린텍사 제조 「SP-PET381031」, 두께 38㎛)의 상기 박리 처리면에 상기에서 얻어진 보호막 형성용 필름((13)-1)의 노출면을 첩합하여, 제1 박리 필름, 보호막 형성용 필름((13)-1) 및 제2 박리 필름이 이들 두께 방향에 있어서 이 순서로 적층되어 이루어지는 보호막 형성용 시트를 제작했다. Next, the film for forming a protective film (( 13) A sheet for forming a protective film in which the exposed surfaces of 1) are bonded together and the first release film, the film for forming a protective film ((13)-1) and the second release film are laminated in this order in these thickness directions. made

[비교예 1][Comparative Example 1]

＜보호막 형성용 복합 시트의 제조＞<Production of the composite sheet for forming a protective film>

실시예 1에서 사용한 표면 조도(Ra)가 1.3㎛인 폴리프로필렌계 필름(두께 80㎛)의 기재인 지지 시트((10)-1)을 표면 조도(Ra)가 0.025㎛인 폴리프로필렌계 필름(두께 80㎛)의 기재인 지지 시트((10)-3)으로 바꾸고, 그 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 보호막 형성용 필름((13)-1)과, 보호막 형성용 시트를 제작했다. The support sheet ((10)-1), which is a base material for a polypropylene-based film (thickness 80 μm) having a surface roughness (Ra) of 1.3 μm used in Example 1, was applied to a polypropylene-based film having a surface roughness (Ra) of 0.025 μm ( 80 µm in thickness) was replaced with a support sheet ((10)-3) as a base material, and except for that, a film for forming a protective film ((13)-1) and a sheet for forming a protective film were produced in the same manner as in Example 1.

[비교예 2][Comparative Example 2]

＜보호막 형성용 복합 시트의 제조＞<Production of the composite sheet for forming a protective film>

실시예 1에서 사용한 표면 조도(Ra)가 1.3㎛인 폴리프로필렌계 필름(두께 80㎛)의 기재인 지지 시트((10)-1)을 표면 조도(Ra)가 0.020㎛인 폴리프로필렌계 필름(두께 80㎛)의 기재인 지지 시트((10)-4)로 바꾸고, 그 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 보호막 형성용 필름((13)-1)과, 보호막 형성용 시트를 제작했다. The support sheet ((10)-1), which is the base material of the polypropylene-based film (thickness 80 μm) having a surface roughness (Ra) of 1.3 μm used in Example 1, was applied to a polypropylene-based film having a surface roughness (Ra) of 0.020 μm ( 80 µm in thickness) was replaced with a support sheet ((10)-4) as a base material, and except for that, a film for forming a protective film ((13)-1) and a sheet for forming a protective film were produced in the same manner as in Example 1.

[비교예 3][Comparative Example 3]

＜보호막 형성용 복합 시트의 제조＞<Production of the composite sheet for forming a protective film>

실시예 1에서 사용한 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 충전재((d)-1)(2질량부, 즉, 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 4.3질량％)을 충전재((d)-2)(5질량부, 즉, 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 10질량％)로 바꾸고, 또한, 실시예 1에서 사용한 표면 조도(Ra)가 1.3㎛인 폴리프로필렌계 필름(두께 80㎛)의 기재인 지지 시트((10)-1)을 표면 조도(Ra)가 0.025㎛인 폴리프로필렌계 필름(두께 80㎛)의 기재인 지지 시트((10)-3)으로 바꾸고, 그 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 보호막 형성용 필름((13)-2)와, 보호막 형성용 시트를 제작했다. Filler ((d)-1) of the composition (IV-1) for forming a protective film used in Example 1 (2 parts by mass, that is, 4.3 mass % with respect to the total mass of the solid content of the composition (IV-1) for forming a protective film) was replaced with a filler ((d)-2) (5 parts by mass, that is, 10 mass % with respect to the total mass of the solid content of the composition (IV-1) for forming a protective film), and the surface roughness (Ra) used in Example 1 ) of the support sheet (10)-1, which is a base material of a polypropylene film (thickness 80 µm) having a surface roughness (Ra) of 0.025 µm, a support sheet as a base material of a polypropylene film (thickness 80 µm) It changed to ((10)-3), except that it carried out similarly to Example 1, and produced the film for protective film formation ((13)-2) and the sheet|seat for protective film formation.

＜보호막 형성용 시트 및 보호막 형성용 복합 시트의 평가＞<Evaluation of the sheet for forming a protective film and the composite sheet for forming a protective film>

(표면 조도(Ra)의 측정)(Measurement of surface roughness (Ra))

광간섭식 표면 형상 측정 장치(Veeco Metrology Group사 제조, 제품명 「WYKO WT1100」)를 사용하여, PSI 모드로 배율 10배에서, 측정 대상의 표면의 표면 조도(Ra)를 측정했다. The surface roughness (Ra) of the surface of the measurement object was measured at 10 times the magnification in PSI mode using the optical interference type surface shape measuring apparatus (The product made by Veeco Metrology Group, product name "WYKO WT1100").

실시예 1∼3 및 비교예 1∼3의 보호막 형성용 복합 시트에 대해서는 지지 시트인 기재에 첩합되어 있는 보호막 형성용 필름의 표면을 표면(β)로 하고, 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막으로 한 후, 지지 시트인 기재로부터 보호막을 박리하여, 상기 보호막의 상기 표면(β)의 표면 조도(Ra)를 측정했다. 또한, 지지 시트인 기재의 표면 조도(Ra)에 대해서는 보호막 형성용 필름을 첩합하기 전에 측정했다. For the composite sheets for forming a protective film of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3, the surface of the film for forming a protective film bonded to the substrate serving as the support sheet is the surface (β), and curing the film for forming a protective film to form a protective film Then, the protective film was peeled from the base material which is a support sheet, and the surface roughness (Ra) of the said surface (beta) of the said protective film was measured. In addition, about the surface roughness (Ra) of the base material which is a support sheet, it measured before bonding the film for protective film formation.

그 결과를 표 1에 나타낸다.The results are shown in Table 1.

(픽업시에 있어서의 실리콘 칩의 균열·결함의 억제)(Suppression of cracks and defects of the silicon chip at the time of pickup)

(1) 8인치 실리콘 웨이퍼(두께 100㎛)의 ＃2000 연마면에 실시예 1∼3 및 비교예 1∼3에서 얻어진 보호막 형성용 복합 시트를 그 보호막 형성용 필름의 노출면(즉, 표면(α))에 의해 첩부하고, 추가로 이 시트를 링 프레임에 고정하여, 30분 정치했다. (1) The composite sheet for forming a protective film obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 was applied to the #2000 polished surface of an 8-inch silicon wafer (thickness 100 µm) on the exposed surface (ie, surface ( α)), the sheet was further fixed to the ring frame, and left still for 30 minutes.

이어서, 자외선 조사 장치(린텍사 제조 「RAD2000m/8」)를 사용하여, 조도 195㎽/㎠, 광량 170mJ/㎠의 조건으로, 상기 지지 시트측으로부터 보호막 형성용 복합 시트에 자외선을 조사함으로써, 상기 보호막 형성용 필름을 경화시켜, 보호막으로 했다. Next, using an ultraviolet irradiation device (“RAD2000m/8” manufactured by Lintec Co., Ltd.), under the conditions of an illuminance of 195 mW/cm 2 and a light amount of 170 mJ/cm 2 , the composite sheet for forming a protective film is irradiated with ultraviolet rays from the support sheet side, The film for protective film formation was hardened and it was set as the protective film.

이어서, 다이싱 블레이드를 사용하여, 실리콘 웨이퍼를 보호막마다 다이싱하여 개편화하고, 5㎜×5㎜의 실리콘 칩을 얻었다. Next, using a dicing blade, the silicon wafer was diced for every protective film and separated into pieces to obtain a silicon chip of 5 mm x 5 mm.

이어서, 다이 본더(캐논 머시너리사 제조 「BESTEM-D02」)를 사용하여, 20개의 보호막이 형성된 실리콘 칩을 픽업했다. 이 때, 실리콘 칩의 균열 및 결함의 유무를 육안으로 확인하여, 균열 및 결함이 전혀 없었던 경우를 「○」라고 판정하고, 균열 또는 결함이 약간이라도 있었을 경우를 「×」라고 판정하여, 픽업 적성을 평가했다. Next, the silicon chip with 20 protective films was picked up using the die bonder ("BESTEM-D02" by Canon Machinery Co., Ltd.). At this time, the presence or absence of cracks and defects of the silicon chip is visually checked, and the case where there are no cracks or defects is judged as "○", and the case where there are even some cracks or defects is judged as "x", pick-up aptitude evaluated.

그 결과를 표 1에 나타낸다. The results are shown in Table 1.

(2) 8인치 실리콘 웨이퍼(두께 100㎛)의 ＃2000 연마면에 실시예 4에서 얻어진 보호막 형성용 시트의 제2 박리 필름을 박리하여, 보호막 형성용 필름((13)-1)의 노출면(즉, 표면(α))에 의해 첩부하고, 추가로 이 시트의 제1 박리 필름을 박리하여, 보호막 형성용 필름의 노출면(즉, 표면(β))을 비교예 2에서 사용한 지지 시트((10)-3)에 첩합하고 이를 링 프레임에 고정하여, 30분 정치했다. (2) The 2nd release film of the protective film formation sheet obtained in Example 4 was peeled off on the #2000 polished surface of an 8-inch silicon wafer (thickness 100 micrometers), and the exposed surface of the protective film formation film ((13)-1) (i.e., the surface (α)), the first release film of the sheet was further peeled off, and the exposed surface (i.e., the surface (β)) of the film for forming a protective film was used in Comparative Example 2 ( (10)-3) was bonded, this was fixed to the ring frame, and it left still for 30 minutes.

그 후의 공정은 상기 (1)에 기재된 공정과 동일하게 하여 20개의 보호막이 형성된 실리콘 칩을 픽업했다. The subsequent process was carried out similarly to the process described in said (1), and the silicon chip with 20 protective films was picked up.

그 결과를 표 2에 나타낸다.The results are shown in Table 2.

Figure 112018082580499-pct00001
Figure 112018082580499-pct00001

Figure 112018082580499-pct00002
Figure 112018082580499-pct00002

상기 결과로부터 명백한 바와 같이, 실시예 1∼3의 보호막 형성용 복합 시트 또는 실시예 4의 보호막 형성용 시트를 사용한 경우, 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 상기 보호막의 표면(β)의 표면 조도(Ra)가 0.038㎛ 이상이면, 픽업시에 있어서 실리콘 칩의 균열 및 결함이 억제되어 있고, 그 밖의 문제도 발견되지 않고, 픽업 적성이 우수했다. As is clear from the above results, when the composite sheet for forming a protective film of Examples 1 to 3 or the sheet for forming a protective film of Example 4 is used, when the film for forming a protective film is irradiated with energy rays to form a protective film, the surface of the protective film When the surface roughness (Ra) of (β) was 0.038 µm or more, cracks and defects of the silicon chip were suppressed at the time of pickup, and other problems were not found, and the pickup ability was excellent.

이에 비해, 비교예 1∼3의 보호막 형성용 복합 시트를 사용한 경우, 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 상기 보호막의 표면(β)의 표면 조도(Ra)가 0.038㎛ 미만이면, 픽업시에 있어서 실리콘 칩의 균열 및 결함이 억제되지 않고, 픽업 적성이 열악했다. On the other hand, when the composite sheet for forming a protective film of Comparative Examples 1 to 3 is used, the surface roughness (Ra) of the surface (β) of the protective film is less than 0.038 μm when the film for forming a protective film is irradiated with energy rays to form a protective film. On the other hand, at the time of pickup, cracks and defects of the silicon chip were not suppressed, and pickup aptitude was poor.

상기 양태에서는 기재 상에 직접 보호막 형성용 필름이 적층되고 있으므로, 상기 보호막 형성용 필름을 경화하여 보호막으로 했을 때, 상기 보호막과 기재의 계면이 특정 범위에서 조면화됨으로써, 상기 보호막과 기재의 점착력이 적절히 조정되어 픽업성이 향상됐기 때문이라고 추측된다. 이 경우, 지지 시트가 기재만으로 이루어짐으로써, 상기 보호막의 조면화 효과가 나타나기 용이하므로 바람직하다. In the above embodiment, since the film for forming a protective film is directly laminated on the substrate, when the film for forming a protective film is cured to form a protective film, the interface between the protective film and the substrate is roughened in a specific range, so that the adhesive strength between the protective film and the substrate is It is estimated that it is because it was adjusted appropriately and the pick-up property improved. In this case, since the support sheet is made of only the base material, the roughening effect of the protective film is easily exhibited, which is preferable.

본 발명은 반도체 장치의 제조에 이용 가능하다. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is applicable to the manufacture of semiconductor devices.

1C, 1D : 보호막 형성용 복합 시트
10 : 지지 시트
10a : 지지 시트의 표면
11 : 기재
11a : 기재의 표면
13, 23 : 보호막 형성용 필름
13a, 23a : 보호막 형성용 필름의 표면
15 : 박리 필름
16 : 지그용 접착제층
16a : 지그용 접착제층의 표면1C, 1D: Composite sheet for forming a protective film
10: support sheet
10a: surface of support sheet
11: description
11a: the surface of the substrate
13, 23: film for forming a protective film
13a, 23a: the surface of the film for forming a protective film
15: release film
16: adhesive layer for jig
16a: surface of adhesive layer for jig

Claims (8)

에너지선 경화성 보호막 형성용 필름으로서,
상기 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성 성분(a) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)를 포함하고, 상기 에너지선 경화성 성분(a) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 합계 함유량이, 상기 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대해 78∼92질량％이며,
상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 상기 보호막의 적어도 한쪽 표면(β)의 표면 조도(Ra)가 0.038㎛ 이상 1.5㎛ 이하인 보호막 형성용 필름.A film for forming an energy ray-curable protective film, comprising:
The film for forming a protective film contains an energy ray-curable component (a) and a polymer (b) not having an energy ray-curable group, and the total content of the energy ray-curable component (a) and a polymer (b) not having an energy ray-curable group This is 78 to 92 mass% with respect to the total mass of the film for forming a protective film,
When an energy ray is irradiated to the said film for protective film formation and it is set as a protective film, the surface roughness (Ra) of at least one surface (beta) of the said protective film is 0.038 micrometer or more and 1.5 micrometers or less. 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름으로서,
상기 보호막 형성용 필름이 추가로 충전재(d)를 포함하고, 상기 충전재(d)의 함유량이, 상기 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대해 4∼15질량％이고,
상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 상기 보호막의 적어도 한쪽 표면(β)의 표면 조도(Ra)가 0.038㎛ 이상 1.5㎛ 이하인 보호막 형성용 필름.A film for forming an energy ray-curable protective film, comprising:
The said film for protective film formation further contains a filler (d), and content of the said filler (d) is 4-15 mass % with respect to the total mass of the said film for protective film formation,
When an energy ray is irradiated to the said film for protective film formation and it is set as a protective film, the surface roughness (Ra) of at least one surface (beta) of the said protective film is 0.038 micrometer or more and 1.5 micrometers or less. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020187023999A 2016-04-28 2017-04-25 A film for forming a protective film and a composite sheet for forming a protective film KR102429046B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020227026573A KR102577856B1 (en) 2016-04-28 2017-04-25 Film for forming protective film, and composite sheet for forming protective film

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016092009 2016-04-28
JPJP-P-2016-092009 2016-04-28
PCT/JP2017/016259 WO2017188201A1 (en) 2016-04-28 2017-04-25 Film for forming protective film, and composite sheet for forming protective film

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227026573A Division KR102577856B1 (en) 2016-04-28 2017-04-25 Film for forming protective film, and composite sheet for forming protective film

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190003460A KR20190003460A (en) 2019-01-09
KR102429046B1 true KR102429046B1 (en) 2022-08-04

Family

ID=60160443

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187023999A KR102429046B1 (en) 2016-04-28 2017-04-25 A film for forming a protective film and a composite sheet for forming a protective film
KR1020227026573A KR102577856B1 (en) 2016-04-28 2017-04-25 Film for forming protective film, and composite sheet for forming protective film

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227026573A KR102577856B1 (en) 2016-04-28 2017-04-25 Film for forming protective film, and composite sheet for forming protective film

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6938476B2 (en)
KR (2) KR102429046B1 (en)
CN (1) CN108604542B (en)
TW (1) TWI778960B (en)
WO (1) WO2017188201A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7457513B2 (en) 2020-02-03 2024-03-28 リンテック株式会社 PRODUCTION METHOD OF PROTECTIVE FILM-FORMING FILM, COMPOSITE SHEET FOR PROTECTIVE FILM-FORMING, AND APPARATUS

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004214288A (en) * 2002-12-27 2004-07-29 Lintec Corp Protection film forming sheet for chip
JP2011516658A (en) * 2008-03-31 2011-05-26 ヘンケル コーポレイション Multilayer UV curable adhesive film
JP2011204806A (en) * 2010-03-24 2011-10-13 Nitto Denko Corp Processing method of wafer
WO2014155756A1 (en) * 2013-03-26 2014-10-02 リンテック株式会社 Adhesive sheet, composite sheet for forming protective film, and method for manufacturing chip with protective film
WO2015193990A1 (en) * 2014-06-18 2015-12-23 リンテック株式会社 Dicing-sheet base film and dicing sheet

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5144433B1 (en) 1970-02-02 1976-11-29
JP2010031183A (en) 2008-07-30 2010-02-12 Furukawa Electric Co Ltd:The Energy ray hardening type chip protecting film
JP5144433B2 (en) * 2008-08-28 2013-02-13 古河電気工業株式会社 Chip protection film
JP5412347B2 (en) * 2009-07-03 2014-02-12 日東電工株式会社 Laminated film and adhesive tape
US20110020637A1 (en) * 2009-07-03 2011-01-27 Nitto Denko Corporation Laminated film and pressure-sensitive adhesive tape
CN102482546B (en) * 2009-09-29 2015-11-25 琳得科株式会社 Tackiness agent and adhesive sheet
JP5465284B2 (en) * 2012-07-19 2014-04-09 日東電工株式会社 Flip chip type semiconductor back film and dicing tape integrated semiconductor back film
TWI637439B (en) * 2012-12-14 2018-10-01 琳得科股份有限公司 Protective film forming film
KR20160039188A (en) * 2013-08-01 2016-04-08 린텍 가부시키가이샤 Protective film formation-use composite sheet
SG11201609543VA (en) 2014-05-23 2016-12-29 Lintec Corp Composite sheet for forming protective film
SG11201701272UA (en) * 2014-08-22 2017-04-27 Lintec Corp Protective coating-forming sheet and method for manufacturing semiconductor chip provided with protective coating
JP6826803B2 (en) * 2014-08-26 2021-02-10 中国塗料株式会社 A photocurable resin composition, a cured film and antiglare film formed from the composition, an image display device, and a method for producing the cured film and antiglare film.

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004214288A (en) * 2002-12-27 2004-07-29 Lintec Corp Protection film forming sheet for chip
JP2011516658A (en) * 2008-03-31 2011-05-26 ヘンケル コーポレイション Multilayer UV curable adhesive film
JP2011204806A (en) * 2010-03-24 2011-10-13 Nitto Denko Corp Processing method of wafer
WO2014155756A1 (en) * 2013-03-26 2014-10-02 リンテック株式会社 Adhesive sheet, composite sheet for forming protective film, and method for manufacturing chip with protective film
WO2015193990A1 (en) * 2014-06-18 2015-12-23 リンテック株式会社 Dicing-sheet base film and dicing sheet

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220113548A (en) 2022-08-12
CN108604542A (en) 2018-09-28
TW201806978A (en) 2018-03-01
CN108604542B (en) 2022-10-28
JP6938476B2 (en) 2021-09-22
KR20190003460A (en) 2019-01-09
JPWO2017188201A1 (en) 2019-03-07
TWI778960B (en) 2022-10-01
KR102577856B1 (en) 2023-09-12
WO2017188201A1 (en) 2017-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102445532B1 (en) Composite sheet for forming a protective film
KR102581057B1 (en) Film for forming protective coat and composite sheet for forming protective coat
KR102376021B1 (en) Method for manufacturing a semiconductor chip having a composite sheet for forming a protective film and a protective film formed thereon, and a method for manufacturing a semiconductor device
KR102303923B1 (en) A film for forming a protective film, a composite sheet for forming a protective film, and a method for manufacturing a semiconductor chip
KR102456771B1 (en) A film for forming a protective film and a composite sheet for forming a protective film
KR102472267B1 (en) Method for manufacturing a semiconductor chip with a protective film and method for manufacturing a semiconductor device
KR102407322B1 (en) A film for forming a protective film and a composite sheet for forming a protective film
JPWO2019082977A1 (en) Method for manufacturing protective film forming film, protective film forming composite sheet, and semiconductor chip
KR102448152B1 (en) A film for forming a protective film, a composite sheet for forming a protective film, and a method for manufacturing a semiconductor chip
KR102429046B1 (en) A film for forming a protective film and a composite sheet for forming a protective film
KR102596665B1 (en) Film for forming a protective film, composite sheet for forming a protective film, inspection method and identification method
KR102441649B1 (en) Composite sheet for forming a protective film
KR102420719B1 (en) Film for forming protective film, and composite sheet for forming protective film
KR102316045B1 (en) A film for forming a protective film and a composite sheet for forming a protective film
KR102328791B1 (en) Composite sheet for forming a protective film
KR102410096B1 (en) Manufacturing method of semiconductor chip with protective film and manufacturing method of semiconductor device
KR102445025B1 (en) A film for forming a protective film and a composite sheet for forming a protective film
KR102332694B1 (en) A film for forming a protective film and a composite sheet for forming a protective film
KR20220135155A (en) Protective film forming film, composite sheet for forming protective film, and method of manufacturing chip having protective film
KR20220135156A (en) Protective film forming film, protective film-forming composite sheet, and manufacturing method for chips with protective film
KR20220135154A (en) Protective film forming film, composite sheet for forming protective film, and method of manufacturing chip having protective film

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant