KR102414479B1 - 광학 장치 조정 방법 - Google Patents

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Abstract

가동형 구성요소(326, 700), 기준 구성요소(318, 346, 702) 및 광학적 구성요소(202, 706)를 포함하는 광학 장치(200), 특히 리소그래피 장비(100A, 100B)를 조정하기 위한 방법이며, 가동형 구성요소(326, 700)는 기계적인 동작적 연결(328, 704)에 의해서 광학적 구성요소(202, 706)에 연결되고, 상기 방법은: a) 가동형 구성요소(326, 700)를 기준 구성요소(318, 346, 702)에 대해서 기계적으로 규정된 위치(NP) 내에 고정하는 단계(S1), b) 광학적 측정 결과(OM)를 획득하기 위해서 광학적 구성요소(202, 706)를 광학적으로 측정하는 단계(S2), 및 c) 광학적 측정 결과(OM)에 따라서 광학 장치(200)를 조정하는 단계(S8)를 포함한다.

Description

광학 장치 조정 방법{METHOD FOR ADJUSTING AN OPTICAL DEVICE}
본 발명은 광학 장치를 조정하기 위한, 특히 리소그래피 장비를 조정하기 위한 방법에 관한 것이다.
마이크로리소그래피는, 예를 들어 집적 회로와 같은, 마이크로구조화된(microstructured) 구성요소를 생산하기 위해서 이용된다. 마이크로리소그래피 프로세스는 조사 시스템(illumination system) 및 투사 시스템을 포함하는 리소그래피 장비로 실시된다. 이러한 경우에, 조사 시스템에 의해서 조사되는 마스크(레티클)의 화상이 투사 시스템에 의해서 감광성 층(포토레지스트)으로 코팅되고 투사 시스템의 화상 평면 내에 배열된 기재(예를 들어, 규소 웨이퍼) 상으로 투사된다.
집적 회로 생산에서의 보다 더 작은 구조물에 대한 요구에 의해서, 0.1 nm 내지 30 nm, 특히 13.5 nm의 파장을 가지는 광을 이용하는 EUV 리소그래피 장비가 현재 개발 중에 있다. 그러한 EUV 리소그래피 장비에서, 이러한 파장을 가지는 광을 대부분의 재료가 많이 흡수함에 따라, 반사적 광학 유닛, 말하자면 거울이 - 종래와 같은 - 굴절적 광학 유닛, 말하자면 렌즈 요소 대신에 이용되어야 한다.
그러한 거울은 소위 면 거울(facet mirror)로 구현될 수 있고, 그러한 면 거울은 종종 각각의 경우에 수백개의 면을 갖는다. 각각의 면에는 구동 장치, 예를 들어 로렌츠(Lorentz) 작동기가 할당되고, 그러한 작동기의 도움으로 각각의 면을 기울일 수 있다. 이러한 경우에, 전자기적 작동기는, 면을 또한 이송하는, 구동 플런저 상에 제공된 자석 요소를 작동시킨다. 장착 및 제조 공차의 결과로, 구동 장치의 구성요소를 서로 정렬시키는 것이 복잡하다.
DE 10 2014 216 075 A1는 거울 본체를 가지는 적어도 하나의 개별적인 거울, 샤프트, 이송 구조물 및 작동기를 포함하는 거울 배열체를 설명하고, 그러한 거울 본체는 샤프트에 연결되고 편향 가능한 방식으로 이송 구조물로부터 현수되며, 작동기는, 샤프트 상에 배열되고 전기장 및/또는 자기장을 생성하는, 피동 요소(driven element) 및 거울 본체를 편향시키기 위해서 피동 요소에 제1 힘을 인가하는 구동 시스템을 가지며, 거울 본체의 편향된 상태에서, 샤프트의 비-편향 위치로 지향되는 복원력이 샤프트 상에 작용하고, 개별적인 거울은 전기장 및/또는 자기장을 스크리닝하기 위한 스크리닝 요소(screening element) 및 복원력에 부가되는 제2 힘을 생성하기 위한 보상 시스템을 더 구비한다.
DE 10 2012 223 034 A1은 이송 구조물 및 그에 의해서 이송되는 복수의 개별적으로 조정 가능한 거울 면을 가지는 면 거울을 포함하는 마이크로리소그래픽 투사 노광 장비의 조사 시스템을 개시한다. 굴곡부를 통해서, 거울 면이 2개의 직교적인 축을 중심으로 기울어질 수 있는 방식으로, 거울 면이 이송 구조물에 연결된다. 거울 면은 서로 상대적으로 이동되지 않게(rigidly) 작동 막대에 추가적으로 연결되고, 그에 따라 거울 면은 작동기의 작동 막대의 편향에 의해서 축을 중심으로 기울어진다. 각각의 굴곡부는, 작동 막대 주위에 배열되고 일 단부가 이송 구조물에 고정되고 타 단부가 거울 면에 또는 거울 면에 서로 상대적으로 이동되지 않게 연결된 부분에 고정되는, 적어도 3개의 이음매 다리부(joint leg)를 포함하며, 이음매 다리부는 작동 막대의 편향시에 굽혀진다.
WO 2014/060169 A1은 복수의 조정 가능한 거울을 포함하는 리소그래피 장비를 설명한다. 각각의 거울은 가동형 구성요소 및 하우징을 가지는 작동기에 의해서 구동될 수 있다. 작동기의 도움으로, 각각의 거울은 2의 자유도로 하우징에 대해서 기울어질 수 있다.
이러한 배경에 대해서, 본 발명의 목적은 광학 장치를 조정하기 위한 개선된 방법을 제공하는 것이다.
따라서, 가동형 구성요소, 기준 구성요소 및 광학적 구성요소를 포함하는 광학 장치, 특히 리소그래피 장비를 조정하기 위한 방법이 제시되고, 가동형 구성요소는 기계적인 동작적 연결로 광학적 구성요소에 연결된다. 그러한 방법은 이하의 단계를 포함한다: a) 가동형 구성요소를 기준 구성요소에 대해서 기계적으로 규정된 위치에 고정하는 단계, b) 광학적 측정 결과를 획득하기 위해서 광학적 구성요소를 광학적으로 측정하는 단계, 및 c) 광학적 측정 결과에 따라서 광학 장치를 조정하는 단계.
광학 장치를 조정하는 것에 의해서 달성되는 것은, 광학적 구성요소의 광학적 유효 표면의 광학적 영의 위치(zero position) 및 가동형 구성요소의 영의 위치, 즉 기계적 영의 위치가 동시에 획득될 수 있다는 것이다. 말하자면, 광학적 영의 위치를 획득하기 위해서 가동형 구성요소가 미리 편향될 필요가 없다. 결과적으로, 광학적 영의 위치를 획득하기 위해서 조정력을 가동형 구성요소에 인가할 필요가 없다. 결과적으로, 광학적 구성요소가 기울어질 수 있는 획득 가능한 각도 범위가 최대화되거나, 가동형 구성요소를 구동하기 위한 작동기의 상응하는 에너지 소비가 최소화된다.
광학 장치가 면 거울일 수 있다. 광학적 유효 표면은 EUV 복사선 또는 DUV 복사선을 반사하도록 구성될 수 있다. 바람직하게, 가동형 구성요소가 자석 요소로서(즉, 영구-자석 재료 또는 자화 가능한 재료로 이루어진 요소로서) 구현된다. 이러한 경우에, (고진공이 유지되는) 공기 간극을 통해서 자석 요소를 작동시키도록, 다시 말해서, 그러한 자석 요소를 공간적으로 이동시키도록, 그리고 기계적인 동작적 연결에 의해서 광학적 구성요소를 조정하도록 구성되는 전자기적 작동기가 바람직하게 제공된다. 이러한 광학적 구성요소의 작동은 특히 리소그래피 장비의 (예를 들어, 동작 광을 이용한 웨이퍼의 노광을 위한) 노광 동작에서 실시된다. 임의의 다른 작동기, 예를 들어 압전작동기가 또한 전자기적 작동기 대신에 이용될 수 있다.
"기계적인 동작적 연결"은, 가동형 구성요소의 이동을 광학적 구성요소에 전달하는 그러한 연결을 의미한다. 광학 장치가 조정된다는 사실은, 예를 들어, 단계 b)에서 확인되는, 설정점 빔 오프셋으로부터의 실제 빔 오프셋의 편차가 감소되는 및/또는 전자기적 작동기에 대한 가동형 구성요소의 정렬 및/또는 배치가 변경되는 효과를 달성하기 위해서, 가동형 구성요소, 특히 자석 요소의 자기적 성질이 변경된다는 것을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 광학 장치는 또한, 예를 들어, 광학적 구성요소, 특히 면, 복원 스프링, 자기적 증폭 링, 및/또는 전자기적 작동기 자체와 같은, 광학 장치의 다른 구성요소의 수정에 의해서 또한 영향을 받을 수 있다. 광학적 구성요소를 기울이기 위해서, 복수의 별개로 에너지화될 수 있는 코일(energizable coil)을 포함할 수 있는 전자기적 작동기는, 영구 자석일 수 있는 가동형 구성요소에 조정력을 인가한다. 조정력이 커질수록, 가동형 구성요소가 더 편향된다. 예를 들어, 가동형 구성요소가 편향되지 않고 전자기적 작동기에 대해서 대칭적으로 배치되는 경우에, 조정력은 최소가 된다. 이러한 경우에, 가동형 구성요소의 대칭 축은 전자기적 작동기의 대칭 축과 동축적으로 정렬될 수 있다. 다시 말해서, 가동형 구성요소가 기계적 영의 위치에 배치된다.
일 실시예에 따라서, 단계 a)에서의 고정을 위해서 도구가 제공되고, 그러한 도구는 광학적 구성요소를 기준 구성요소에 대해서 기계적으로 고정한다.
도구는 바람직하게 단계 b) 이후에 다시 제거된다. 바람직하게, 도구의 도움으로 기계적 영의 위치 내에서 고정하기 위한 목적을 위해서, 가동형 구성요소는 이송부 판 내에 제공된 천공부에 대해서 정렬된다. 도구는 슬리브의 형상일 수 있다. 천공부의 대칭 축은 이송부 판 상에 제공된 인터페이스와 바람직하게 정렬된다. 결과적으로, 가동형 구성요소를 전자기적 작동기에 대해서 직접적으로 정렬시킬 필요가 없다. 이는 방법의 실시를 단순화하고 가속한다.
추가적인 실시예에 따라서, 단계 b)는 광학적 구성요소의 실제 빔 오프셋을 검출하는 것을 포함하고, 검출된 실제 빔 오프셋은 설정점 빔 오프셋과 비교되며, 광학 장치를 조정하는 것이 비교 결과에 따라서 실시된다.
검출 장치는 실제 빔 오프셋을 확인하기 위해서 이용될 수 있다. 검출 장치는 예를 들어 연마-유리 스크린(ground-glass screen) 및/또는 전자적 칩을 포함할 수 있다. 특히 CMOS 또는 CCD 칩이 전자적 칩으로서 이용될 수 있다. 실제 빔 오프셋은, 특히 연마-유리 스크린의 이용으로, 광의 점으로서 보일 수 있다. 이어서, 이에 상응하여, 설정점 빔 오프셋은, 특히 연마-유리 스크린 상의 기준점이다. 광학적 구성요소의 광학적 유효 표면의 광학적 영의 위치에서, 설정점 빔 오프셋으로부터의 실제 빔 오프셋의 편차는 미리 결정된 공차 범위 이내이다. 미리 결정된 공차 범위는 제1 공간적 방향 및 제2 공간적 방향 각각에 대해서 예를 들어 50 ㎛일 수 있다. 설정점 빔 오프셋으로부터의 실제 빔 오프셋의 편차가 미리 결정된 공차 범위 이내가 될 때까지, 방법 단계가 복수의 반복 루프로 실행될 수 있다.
바람직하게, 설정점 빔 오프셋으로부터의 실제 빔 오프셋의 편차는 광학적 측정 방법의 도움으로 확인되며, 제1 공간적 방향을 따른 설정점 빔 오프셋으로부터의 실제 빔 오프셋의 제1 편차 및 제2 공간적 방향을 따른 설정점 빔 오프셋으로부터의 실제 빔 오프셋의 제2 편차가 광학적 측정 방법의 도움으로 확인된다. 설정점 빔 오프셋으로부터의 실제 빔 오프셋의 편차를 확인하기 위해서 가시광선 파장 범위 내의 광이 바람직하게 이용된다. 특히, (가시 광선을 이용한 모듈 품질평가(MoVIS)를 위한 측정 기계로 지칭되는) 적합한 검출 장치가 이러한 목적을 위해서 이용될 수 있다. 제1 편차 및 제2 편차에 대해서, 상이한 값들을 확인할 수 있고 상이한 허용 가능한 공차 범위들을 규정할 수 있다.
추가적인 실시예에 따라서, 단계 c)에서 조정하는 것은 광학 장치의 적어도 하나의 구성요소의, 특히 기계적 프로세싱에 의한 기하형태, 배향 및/또는 위치, 경직성, 전기장 및/또는 자기장을 변화시키는 것을 포함한다.
특히, 자기적 증폭 링의 재료, 형상 및/또는 위치, 자석 요소의 자화 강도, 정렬, 형상 및/또는 위치, 면의 형상, 위치 및/또는 기울기, 작동기의 위치 및/또는 작동기의 코일의 동작점, 및/또는 광학 장치를 조정하기 위한 복원 스프링의 경직성을 변경할 수 있다.
추가적인 실시예에 따라서, 적어도 하나의 구성요소는 가동형 구성요소, 광학적 구성요소, 자기적 증폭 링, 가동형 구성요소를 작동시키기 위한 작동기, 가동형 구성요소를 복원하기 위한 복원 스프링, 및/또는 기계적인 동작적 연결에 포함되는 그러한 구성요소이다.
예로서, 증폭 링의 직경이 적응될 수 있다. 또한, 증폭 링이 기울어지거나 회전될 수 있다. 특히, 제1 공간적 방향, 제2 공간적 방향 및/또는 제3 공간적 방향으로 증폭 링을 변위시키는 것에 의해서, 증폭 링의 위치가 적응될 수 있다. 제1 공간적 방향, 제2 공간적 방향 및/또는 제3 공간적 방향을 중심으로 증폭 링을 기울이는 것에 의해서, 증폭 링의 배향이 적응될 수 있다. 예로서, 광학적 구성요소, 특히 면이 기계적으로 프로세스될 수 있다. 특히 광학적 유효 표면이 연마될 수 있다. 또한, 구동 장치의 구동 플런저에 대한 광학적 구성요소의 기울기를 설정할 수 있다. 예를 들어, 전자기적 작동기가 기울어지거나 변위될 수 있다.
추가적인 실시예에 따라서, 가동형 구성요소의 배향 및/또는 위치를 변경하기 위해서, 이격부 요소가 가동형 구성요소와 기계적인 동작적 연결의 구동 플런저 사이에 삽입된다.
이격부 요소가 이격부 와셔 또는 소위 이격부일 수 있다. 예를 들어, 이격부 요소가 구동 플런저에 나사 결합될 수 있다. 전자기적 작동기의 조정력에 의한 가동형 구성요소의 편향시에 광학적 구성요소가 기울어지도록, 구동 플런저의 도움으로 가동형 구성요소가 광학적 구성요소에 결합된다. 특히, 이러한 경우에, 광학적 구성요소는 회전 축으로서 제1 공간적 방향을 중심으로 그리고 제2 공간적 방향을 중심으로 기울어질 수 있다. 광학적 유효 표면은 구동 플런저로부터 멀어지는 쪽으로 대면된다.
바람직하게, 이격부 요소의 삽입에 의해서 구동 플런저의 대칭 축이 구동 장치의 대칭 축에 대해서 이동되고 및/또는 기울어진다. 구동 장치의 대칭 축은 전자기적 작동기의 대칭 축에 상응할 수 있다. 특히, 구동 플런저의 대칭 축이 가동형 구성요소의 대칭 축에 대해서 이동되고 및/또는 기울어진다. 그러한 대칭 축들이 제1 공간적 방향 및/또는 제2 공간적 방향으로 서로에 대해서 이동될 수 있고 및/또는 제1 공간적 방향 및/또는 제2 공간적 방향을 중심으로 서로에 대해서 기울어질 수 있다. 제1 공간적 방향 및/또는 제2 공간적 방향을 따른 이동 거리는 이러한 경우에 바람직하게 몇 ㎛ 이다. 제1 공간적 방향 및/또는 제2 공간적 방향을 중심으로 하는 기울기 각도가 1도의 몇몇 분수 내지 몇 도일 수 있다.
추가적인 실시예에 따라서, 가동형 구성요소의 배향 및/또는 위치가 변경되는 방식으로, 이격부 요소의 기하형태가 적응된다.
이격부 요소가 가공에 의해서 프로세스될 수 있다. 바람직하게, 가동형 구성요소가 기계적 영의 위치 내에 고정되기 전에, 광학적 유효 표면의 설정점 빔 오프셋으로부터의 실제 빔 오프셋의 편차를 확인하기 위해서, 이격부 요소의 미리 제조된 표준 블랭크가 가동형 구성요소와 구동 플런저 사이에 삽입되고, 설정점 빔 오프셋으로부터의 실제 빔 오프셋의 편차가 확인된 후에, 표준 블랭크를 기계적으로 프로세스하여 이격부 요소를 생성하거나, 설정점 빔 오프셋으로부터의 실제 빔 오프셋의 편차가 확인된 후에, 표준 블랭크가 이격부 요소에 의해서 대체된다.
즉, 편차가 확인된 후에, 표준 블랭크는 특별하게 제조된 이격부 요소에 의해서 대체될 수 있다. 표준 블랭크는 예를 들어 구리 시트일 수 있다. 표준 블랭크 대신에, 이격부 요소를 생산하기 위한 일부 다른 반가공 제품을 또한 이용할 수 있다. 이러한 경우에, 표준 블랭크가 많은 횟수로 이용될 수 있다. 표준 블랭크는 예를 들어 가공에 의해서, 특히 CNC 기계 도구의 도움으로 프로세스될 수 있다.
바람직하게, 광학 장치를 조정할 때, 확인된 편차에 따라서, 광학적 유효 표면에 대한 가동형 구성요소의 위치 및/또는 배향이 적응되고, 및/또는 확인된 편차에 따라서, 가동형 구성요소가 비대칭적으로 자화되고 및/또는 그 기하형태가 변경된다. 결과적으로, 특히, 광학적 유효 표면의 광학적 영의 위치를 획득하기 위해서 조정력을 인가할 필요가 없다. 가동형 구성요소가 비대칭적으로 자화된다면, 영의 위치 내의 가동형 구성요소가 전자기적 작동기에 대해서 반드시 중심에 정렬될 필요가 없을 수 있다. 바람직하게, 실제 빔 오프셋이 설정점 빔 오프셋에 상응하도록 또는 설정점 빔 오프셋으로부터의 실제 빔 오프셋의 편차가 적어도 미리 결정된 공차 범위 이내가 되도록, 가동형 구성요소의 위치 및/또는 배향이 적응된다.
특히, 가동형 구성요소가 제1 공간적 방향, 제2 공간적 방향 및/또는 제3 공간적 방향을 따라서 광학적 유효 표면에 대해서 변위된다는 사실에 의해서 광학적 유효 표면에 대한 가동형 구성요소의 위치가 적응되고, 및/또는 가동형 구성요소가 제1 공간적 방향, 제2 공간적 방향 및/또는 제3 공간적 방향을 중심으로 광학적 유효 표면에 대해서 기울어진다는 사실에 의해서 광학적 유효 표면에 대한 가동형 구성요소의 배향이 적응된다.
가동형 구성요소의 위치는, 특히, 제1 공간적 방향 또는 x-축, 제2 공간적 방향 또는 y-축 및 제3 공간적 방향 또는 z-축에 대한, 가동형 구성요소의 좌표 또는 가동형 구성요소 상에 제공된 측정점의 좌표를 의미하는 것으로 이해하여야 한다. 가동형 구성요소의 배향은, 특히, 3개의 공간적 방향에 대한 가동형 구성요소의 기울기를 의미하는 것으로 이해하여야 한다. 즉, 가동형 구성요소는 제1 공간적 방향, 제2 공간적 방향 및/또는 제3 공간적 방향을 중심으로 기울어질 수 있다. 이는 광학적 유효 표면에 대한 가동형 구성요소의 위치 및/또는 배향에 대한 6의 자유도를 초래한다.
추가적인 실시예에 따라서, 가동형 구성요소가 자석 요소이고, 그러한 자석 요소는 바람직하게 전자기적 작동기의 도움으로 이동될 수 있다.
추가적인 실시예에 따라서, 기준 구성요소는 이송부 판이고, 그러한 이송부 판 상에는 가동형 구성요소가 장착되고, 및/또는 기준 구성요소는 전자기적 작동기의 필드(field)의 증폭을 위한 자기적 증폭 링이다.
바람직하게, 확인된 편차에 따라 광학적 유효 표면에 대한 가동형 구성요소의 위치 및/또는 배향을 적응시키는 프로세스 이전에 또는 이후에, 자기적 증폭 링이 이송부 판의 천공부 상에 또는 그 내부에 장착된다. 증폭 링이 천공부 내로 나사결합될 수 있거나 이송부 판 상으로 클램핑될 수 있다. 증폭 링은 또한 후방 철 링(back iron ring)으로 지칭될 수 있다. 증폭 링은 천공부를 가지고, 천공부를 통해서 구동 플런저가 유도된다. 천공부는 증폭 링 상에서 편심적으로 배열될 수 있고 및/또는 타원형일 수 있다.
추가적인 실시예에 따라서, 전자기적 작동기는 작동기 판에 의해서 유지되고, 작동기 판은 바람직하게 인터페이스의 도움으로 이송부 판에 대해서 배치된다.
추가적인 실시예에 따라서, 광학적 구성요소가 광-반사 구성요소, 특히 면이다.
추가적인 실시예에 따라서, 단계 c) 전에 광학 장치가 촉각적으로 측정되고, 단계 c)에서 광학적 측정 결과 및 촉각적 측정 결과에 따라서 광학 장치가 조정된다.
바람직하게, 전자기적 작동기에 대한 가동형 구성요소의 설정점 위치로부터의 실제 위치의 편차가 촉각적 측정 방법의 도움으로 확인되며, 전자기적 작동기에 대한 가동형 구성요소의 위치 및/또는 배향은 확인된 편차에 따라서 적응된다. 좌표 측정 기계가 촉각적 측정 방법을 위해서 이용될 수 있다. 좌표 측정 기계는 좌표 측정 기술의 원리를 기초로 하고 공간적 좌표를 측정하기에 적합한 측정 시스템을 포함한다. 그러한 기계는 측정 헤드 시스템을 포함할 수 있고, 그 측정 범위는 증분적인 변위 또는 각도 센서 기술을 가지는 이동 또는 배치 시스템에 의해서 확장된다. 촉각적 측정 방법은 바람직하게 광학적 측정 방법에 부가하여 실시된다.
특히, 구동 장치의 이송부 판 상에 제공된 인터페이스에 대한 가동형 구성요소의 설정점 위치로부터의 실제 위치의 편차가 촉각적 측정 방법의 도움으로 확인된다. 인터페이스는 예를 들어 끼워맞춤 핀일 수 있다. 전자기적 작동기는 바람직하게 구동 장치의 작동기 판 상에 제공된다. 유사하게, 인터페이스가 작동기 판 상에 제공되고, 전자기적 작동기는 전술한 인터페이스에 대해서 정렬된다. 인터페이스의 도움으로, 이송부 판 및 작동기 판이 3개의 공간적 방향을 따라 규정된 방식으로 서로에 대해서 정렬될 수 있다. 인터페이스에 대한 전자기적 작동기의 배치가 알려지거나 규정되기 때문에, 전자기적 작동기에 대한 가동형 구성요소의 실제 위치를 직접적으로 확인할 필요가 없다. 이는 방법을 단순화한다.
추가적인 실시예에 따라서, 방법은: 계산 결과를 획득하기 위해서 가상 장착 모델에서 광학적 측정 결과 및 촉각적 측정 결과를 계산하는 단계를 더 포함하고, 단계 c)에서 계산 결과에 따라서 광학 장치가 조정된다.
바람직하게, 광학적 유효 표면에 대한 가동형 구성요소의 위치 및/또는 배향을 그리고 동시에 전자기적 작동기에 대한 가동형 구성요소의 위치 및/또는 배향을 적응시키기 위해서, 가동형 구성요소의 장착 모델과 관련하여, 광학적 유효 표면으로부터의 설정점 빔 오프셋으로부터의 실제 빔 오프셋의 확인된 편차 및 전자기적 작동기에 대한 가동형 구성요소의 설정점 위치로부터의 실제 위치의 확인된 편차가 계산된다. 이격부 요소의 요구되는 3-차원적 기하형태가 가상 장착 모델의 도움으로 결정될 수 있다. 가상 장착 모델은 예를 들어 벡터 계산을 포함할 수 있다.
특히, 촉각적 측정 방법의 도움으로, 구동 장치의 대칭 축에 평행하게 배향된, 제3 공간적 방향을 따른 가동형 구성요소의 설정점 위치로부터의 실제 위치의 편차가 확인되고, 및/또는 제1 공간적 방향 및 제2 공간적 방향을 따른 가동형 구성요소의 설정점 위치로부터의 실제 위치의 각각의 편차가 촉각적 측정 방법의 도움으로 확인된다. 결과적으로, 기능을 위해서, 즉 가동형 구성요소의 편향을 위해서 최적인 가동형 구성요소와 전자기적 작동기 사이의 거리가 확인될 수 있고 설정될 수 있다. 이격부 요소는 제3 공간적 방향으로 상응하게 적응된다.
추가적인 실시예에 따라서, 촉각적 측정은 광학 장치의 2개의 구성요소 사이의, 특히 가동형 구성요소와 기준 구성요소 및/또는 적어도 하나의 인터페이스 사이의 거리를 검출하는 것을 포함한다.
추가적인 실시예에 따라서, 단계 b)에서 광학적으로 측정하는 것은 적어도 제1 공간적 방향 및 제1 공간적 방향에 직교하는 제2 공간적 방향으로 실시되고, 촉각적 측정은, 적어도, 제1 및 제2 공간적 방향에 직교하는 제3 공간적 방향으로 실시되고, 촉각적 측정이 바람직하게 제1 및 제2 공간적 방향으로 부가적으로 실시된다.
바람직하게, 광학적 측정 결과가 규정된 공차 범위 이내가 될 때까지, 단계 a) 내지 c)가 반복된다.
또한, 광학 장치를 조정하기 위한, 특히 리소그래피 장비를 조정하기 위한 방법이 제시된다. 이러한 방법은 이하의 단계를 포함한다: a) 광학적 측정 결과를 획득하기 위해서 광학 장치를 광학적으로 측정하는 단계, b) 촉각적 측정 결과를 획득하기 위해서 광학 장치를 촉각적 측정하는 단계, 및 c) 광학적 측정 결과 및 촉각적 측정 결과에 따라서 광학 장치를 조정하는 단계.
EUV 는 "극자외선"을 나타내고, 0.1 nm 내지 30 nm의 동작 광의 파장을 지칭한다. DUV 는 "심자외선"을 나타내고, 30 nm 내지 250 nm의 동작 광의 파장을 지칭한다.
본 발명의 추가적으로 가능한 구현예는 또한, 예시적인 실시예에 대한 전술한 또는 후술되는 특징부 또는 실시예의 명백하게 언급되지 않은 조합을 포함한다. 이러한 경우에, 당업자는 본 발명의 각각의 기본적인 형태에 대한 개선 또는 보완으로서 개별적인 양태를 부가할 수 있을 것이다.
본 발명의 추가적인 유리한 구성 및 양태가 종속항의 대상이며, 또한, 후술되는 본 발명의 예시적인 실시예의 대상이다. 이하의 문맥에서, 본 발명은 첨부 도면을 참조한 바람직한 실시예를 기초로 더 구체적으로 설명된다.
도 1a는 EUV 리소그래피 장비의 개략도를 도시한다.
도 1b는 DUV 리소그래피 장비의 개략도를 도시한다.
도 2는 도 1a 또는 도 1b에 따른 리소그래피 장비를 위한 광학 장치의 일 실시예의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 3은 도 2에 따른 광학 장치의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 4는 도 2에 따른 광학 장치의 개략적인 사시도를 도시한다.
도 5는 도 2에 따른 광학 장치의 추가적인 개략적 단면도를 도시한다.
도 6는 도 2에 따른 광학 장치의 추가적인 개략적 단면도를 도시한다.
도 7은 도 2에 따른 광학 장치를 조정하기 위한 방법의 일 실시예의 개략적인 블록도를 도시한다.
도 8은 도 7에 따른 방법의 추가적인 개략도를 도시한다.
도 9는 도 2에 따른 광학 장치의 매우 단순화된 개략도를 도시한다.
도면에서, 반대되는 내용이 없는 한, 동일한 또는 기능적으로 동일한 요소에 동일한 참조 부호가 제공된다. 본 경우에 참조 부호가 복수의 참조 선(reference line)을 가지는 경우에, 이는 상응하는 요소가 복수로 존재한다는 것을 의미한다. 은폐된 상세 부분을 가리키는 참조 부호 선은 파선 방식으로 도시된다. 또한, 도면 내의 도시 내용이 반드시 실제 축척으로 도시된 것이 아님을 주목하여야 한다.
도 1a는, 빔 성형 및 조사 시스템(102) 그리고 투사 시스템(104)을 포함하는 EUV 리소그래피 장비(100A)의 개략도를 도시한다. 이러한 경우에, EUV 는 "극자외선"을 나타내고, 0.1 nm 내지 30 nm의 동작 광의 파장을 지칭한다. 빔 성형 및 조사 시스템(102) 그리고 투사 시스템(104)은 각각 진공 하우징(미도시) 내에 제공되고, 각각의 진공 하우징은 배기 장치(미도시)의 도움으로 배기된다. 진공 하우징은 기계실(미도시)에 의해서 둘러싸이고, 그러한 기계실 내에는 광학 요소를 기계적으로 이동 또는 설정하기 위한 구동 장치가 제공된다. 전기 제어기 및 기타가 또한 이러한 기계실 내에 추가적으로 제공될 수 있다.
EUV 리소그래피 장비(100A)는 EUV 광원(106A)을 포함한다. 예로서, EUV 범위(극자외선 범위) 내의 즉, 예를 들어 5 nm 내지 20 nm의 파장 범위 내의 복사선(108A)을 방출하는 플라즈마원(또는 싱크로트론)이 EUV 광원(106A)으로서 제공될 수 있다. 빔 성형 및 조사 시스템(102)에서, EUV 복사선(108A)이 포커스되고, 희망 동작 파장이 EUV 복사선(108A)으로부터 필터링된다. EUV 광원(106A)에 의해서 생성된 EUV 복사선(108A)은 공기를 통한 비교적 작은 투과도를 가지며, 그러한 이유로 빔 성형 및 조사 시스템(102) 내의 그리고 투사 시스템(104) 내의 빔 안내 공간이 배기된다.
도 1a에 도시된 빔 성형 및 조사 시스템(102)은 5개의 거울(110, 112, 114, 116, 118)을 갖는다. 빔 성형 및 조사 시스템(102)을 통과한 후에, EUV 복사선(108A)이 포토마스크(레티클로 지칭됨)(120) 상으로 안내된다. 유사하게, 포토마스크(120)가 반사적 광학 요소로서 형성되고 시스템(102, 104) 외측에 배열될 수 있다. 또한, EUV 복사선(108A)이 거울(122)에 의해서 포토마스크(120) 상으로 지향될 수 있다. 포토마스크(120)는 투사 시스템(104)에 의해서 감소된 양식으로 웨이퍼(124) 또는 기타 상으로 화상화되는 구조물을 갖는다.
투사 시스템(104)(또한 투사 렌즈로서 지칭됨)은 포토마스크(120)를 웨이퍼(124) 상으로 화상화하기 위한 6개의 거울(M1 내지 M6)을 포함한다. 이러한 경우에, 투사 시스템(104)의 개별적인 거울(M1 내지 M6)이 투사 시스템(104)의 광학 축(126)에 대해서 대칭적으로 배열될 수 있다. EUV 리소그래피 시스템(100A)의 거울의 수가 도시된 수로 제한되지 않는다는 것을 주목하여야 한다. 그보다 많거나 적은 수의 거울이 또한 제공될 수 있다. 또한, 빔 성형을 위해서, 거울이 일반적으로 그 전방 측면에서 곡선화된다.
도 1b는, 빔 성형 및 조사 시스템(102) 그리고 투사 시스템(104)을 포함하는 DUV 리소그래피 장비(100B)의 개략도를 도시한다. 이러한 경우에, DUV 는 "심자외선"을 나타내고, 30 nm 내지 250 nm의 동작 광의 파장을 지칭한다. 빔 성형 및 조사 시스템(102) 그리고 투사 시스템(104)은 - 도 1a에 대해서 이미 설명한 바와 같이 - 진공 하우징 내에 배열되고, 및/또는 상응하는 구동 장치를 가지는 기계실에 의해서 둘러싸인다.
DUV 리소그래피 장비(100B)는 DUV 광원(106B)을 포함한다. 예를 들어, 193 nm에서 DUV 범위 내의 복사선(108B)을 방출하는 ArF 엑시머 레이저가 예를 들어 DUV 광원(106B)으로서 제공될 수 있다.
도 1b에 도시된 빔 성형 및 조사 시스템(102)은 DUV 복사선(108B)을 포토마스크(120) 상으로 안내한다. 포토마스크(120)가 투과적 광학 요소로서 구현되고 시스템(102, 104) 외측에 배열될 수 있다. 포토마스크(120)는 투사 시스템(104)에 의해서 감소된 양식으로 웨이퍼(124) 또는 기타 상으로 화상화되는 구조물을 갖는다.
투사 시스템(104)은 포토마스크(120)를 웨이퍼(124) 상으로 화상화하기 위한 복수의 렌즈 요소(128) 및/또는 거울(130)을 갖는다. 이러한 경우에, 투사 시스템(104)의 개별적인 렌즈 요소(128) 및/또는 거울(130)이 투사 시스템(104)의 광학 축(126)과 관련하여 대칭적으로 배열될 수 있다. DUV 리소그래피 시스템(100B)의 렌즈 요소 및 거울의 수가 도시된 수로 제한되지 않는다는 것을 주목하여야 한다. 그보다 많거나 적은 수의 렌즈 요소 및/또는 거울이 또한 제공될 수 있다. 또한, 빔 성형을 위해서, 거울이 일반적으로 그 전방 측면에서 곡선화된다.
마지막 렌즈 요소(128)와 웨이퍼(124) 사이의 공기 간극이, 1 초과의 굴절률을 가지는 액체 매체(132)에 의해서 대체될 수 있다. 액체 매체가 예를 들어 고순도 물일 수 있다. 그러한 구성은 또한 침잠형 리소그래피로 지칭되고, 증가된 포토리소그래픽 해상도를 갖는다.
도 2는 리소그래피 장비(100A, 100B)를 위한 광학 장치(200)의 일 실시예의 개략적인 평면도를 도시한다. 광학 장치(200)가 바람직하게 면 거울이다. 면 거울은 이하에서 참조 부호 '200'으로 표시된다. 면 거울(200)은 빔 성형 및 조사 시스템(102) 또는 투사 시스템(104)의 일부일 수 있다. 예로서, 거울(110, 112, 114, 116, 118 또는 M1 내지 M6)이 각각 하나의 그러한 면 거울(200)로서 구현될 수 있다. 면 거울(200)은 선형적으로 배열된 복수의 면(202)을 포함한다. 면(202)은 원호형으로 또는 낫-형상 양식으로 곡선화된다. 면(202)은 또한 다각형, 예를 들어 육각형일 수 있다. 도 2는 적은 수의 면(202) 만을 도시한다. 예로서, 면 거울(200)이 수백 내지 수천 개의 면(202)을 포함할 수 있다. 각각의 면(202)이 기울어질 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 각각의 면(202)은 광학적 유효 표면(204)을 갖는다. 광학적 유효 표면(204)은 예를 들어 EUV 복사선(108A) 또는 DUV 복사선(108B)을 반사하도록 구성된다. 또한, 면 거울(200)은 복수의 구동 장치(300)를 포함한다.
각각의 면(202)이 구동 장치(300) 중 하나에 할당되고, 구동 장치(300)의 도움으로 각각의 면(202)이 기울어질 수 있다. 구동 장치(300)가 또한 모터로서 지칭될 수 있다.
천공부(304)가 면 거울(200)의 작동기 판(302) 내에 제공된다. 천공부(304)는 작동기 판(302)을 관통하는 원형 홀로서 구현될 수 있다. 천공부(304)는 또한 원형 횡단면 형상으로부터 벗어나는 기하형태를 가질 수 있다. 각각의 천공부(304)는 중심 축 또는 대칭 축(306)을 포함하고, 그러한 축에 대해서 천공부(304)가 대칭적으로, 특히 회전 대칭적으로 구축된다. 천공부(304)의 대칭 축(306)은 동시에 구동 장치(300)의 중심 축 또는 대칭 축이다.
구동 장치(300)의 전자기적 작동기(308), 특히 로렌츠 작동기가 천공부(304) 내에 배열된다. 전자기적 작동기(308)가 복수의, 예를 들어 4개의 코일을 가질 수 있고, 그러한 코일은 서로 별개로 에너지화될 수 있다. 전자기적 작동기(308)는 중심 축 또는 대칭 축(310)에 대해서 회전 대칭적으로 구현된다. 코일들은 대칭 축(310) 주위로 균일하게 분포되는 방식으로 배열된다. 각각의 대칭 축(310)은 구동 장치(300)의 대칭 축(306)에 대해서 동축적으로 정렬될 수 있다. 동축적이라는 것은, 대칭 축(306)이 대칭 축(310)에 상응한다는 것을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 예로서, 전자기적 작동기(308)가 고정 링(312)의 도움으로 천공부(304) 내에 고정된다.
인터페이스(314, 316)가 작동기 판(302) 상에 제공된다. 인터페이스(314, 316)의 수는 임의적이다. 인터페이스(314, 316)는 예를 들어 끼워맞춤 핀 또는 끼워맞춤 스프링으로서 구현될 수 있다. 작동기 판(302)의 생산 중에, 천공부(304)가 인터페이스(314, 316)에 대해서 배치되거나, 그와 반대가 된다. 즉, 제1 공간적 방향(x) 및 제1 공간적 방향(x)과 상이한 제2 공간적 방향(y)을 따른 인터페이스(314, 316)에 대한 각각의 천공부(304)의 각각의 대칭 축(306)의 위치를 알 수 있고 생산 공학에 의해서 지배되는 공차 이내가 된다.
면 거울(200)은 중력 방향(g)에 대해서 작동기 판(302)의 아래에 배열되는 이송부 판(318)을 더 포함한다. 면 거울(200)의 공간적 배열에 따라서, 이송부 판(318)이 또한 중력 방향(g)에 대해서 작동기 판(302)의 위에 배열될 수 있다.
유사하게, 이송부 판(318)은 인터페이스(320, 322)를 포함한다. 이송부 판(318)의 인터페이스(320, 322)는 작동기 판(302)의 인터페이스(314, 316)에 상응한다. 즉, 인터페이스(320, 322)가 인터페이스(314, 316) 내로 결합되거나, 그 반대가 된다. 인터페이스(320, 322)의 수는 임의적이다. 바람직하게, 작동기 판(302)의 인터페이스(314, 316)의 수가 이송부 판(318)의 인터페이스(320, 322)의 수에 상응한다. 인터페이스(314, 316, 320, 322)의 도움으로, 작동기 판(302) 및 이송부 판(318)이 제1 공간적 방향(x), 제2 공간적 방향(y), 그리고 제1 공간적 방향(x) 및 제2 공간적 방향(y)과 상이한 제3 공간적 방향(z)에 대해서, 서로 상대적으로 배치될 수 있다. 즉, 인터페이스(320, 322)는 이송부 판(318) 상에서, 작동기 판(302)에 대해서 또는 전자기적 작동기(308) 또는 대칭 축(306)에 대해서 이송부 판(318) 상에 제공된, 구동 장치(300)의 구성요소의 배치를 위한 기준으로서의 역할을 한다. 제1 공간적 방향(x)이 또한 x-축 방향으로 지칭될 수 있고, 제2 공간적 방향(y)은 또한 y-축으로서 지칭될 수 있으며, 제3 공간적 방향은 또한 z-축으로서 지칭될 수 있다.
이송부 판(318)은 복수의 천공부(324)를 가지고, 각각의 구동 장치(300)가 천공부(324)에 할당된다. 천공부(324)가 원형 홀로서 구현될 수 있다. 그러나, 천공부(324)가 또한 상이한 횡단면 기하형태를 가질 수 있다. 각각의 천공부(324)가 중심 축 또는 대칭 축(325)에 할당된다. 이상적으로, 각각의 구동 장치(300)에서, 대칭 축(306, 310, 325)이 서로 동축적으로 배치된다.
각각의 구동 장치(300)는 자석 요소(326)를 더 포함한다. 자석 요소(326)는 바람직하게 영구 자석으로 구현된다. 자석 요소(326)는 적어도 하나의 자기적 북극 및 적어도 하나의 자기적 남극을 포함한다. 자석 요소(326)는 중심 축 또는 대칭 축(327)을 포함하고, 그러한 축에 대해서 자석 요소(326)가 대칭적으로, 특히 회전 대칭적으로 구축된다. 자석 요소(326)는 디스크-형상이고 원형 기하형태를 가질 수 있다. 대안적으로, 자석 요소(326)는 또한 상이한 기하형태를 가질 수 있다. 이상적으로, 대칭 축(327)은 대칭 축(306, 310, 325)에 대해서 동축적으로 배열된다.
자석 요소(326)는 구동 플런저(328)에 연결된다. 자석 요소(326)는 형상결합 결속 방식으로 구동 플런저(328)에 연결될 수 있다. 형상결합 결속 연결은, 서로의 내외로 또는 서로 앞뒤로 결합되는 적어도 2개의 연결 협력부의 결과로서 발생된다. 예로서, 자석 요소(326)가 구동 플런저(328)에 나사 결합되거나 클립 결합된다. 결과적으로, 자석 요소(326)는 구동 플런저(328)로부터 용이하게 분리될 수 있고 그에 다시 연결될 수 있다.
면(202)이 구동 플런저(328)의 일 단부에 제공된다. 면(202)은 형상결합 결속 방식으로 또는 접합적으로(cohesively) 구동 플런저(328)에 연결될 수 있다. 접합적 연결의 경우에, 연결 협력부들이 원자 또는 분자력에 의해서 함께 유지된다. 접합적 연결은, 연결 수단의 파괴에 의해서만 분리될 수 있는 비-해제 가능 연결이다. 예로서, 면(202)이 구동 플런저(328)에 접착적으로 결합될 수 있다.
자석 요소(326)는 면(202)으로부터 먼 쪽으로 대면되는 구동 플런저(328)의 단부에 배열된다. 그에 따라, 자석 요소(326)는 구동 플런저(328)의 도움으로 면(202)에 결합된다. 구동 플런저(328)는 막대의 형태로 그리고 이송부 판(318)의 천공부(324)를 통해서 중앙에서 유도된다. 구동 플런저(328)는 중심 축 또는 대칭 축(330)을 가질 수 있다. 이상적으로, 대칭 축(330)은 대칭 축(306, 310, 325, 327)에 대해서 동축적으로 정렬된다. 자석 요소(326)는 예를 들어 작동기 판(302)과 이송부 판(318) 사이에 배열된다.
도 3의 배향에서, 면(202)은 중력 방향(g)에 대해서 이송부 판(318)의 아래에 배치된다. 면(202)은 특히 굴곡부 형태의, 복원 스프링(332, 334)의 도움으로, 이송부 판(318)으로부터 현수되거나 이송부 판(318) 상에서 지지된다. 면(202) 당 복원 스프링(332, 334)의 수는 임의적이다. 예로서, 면(202) 당 2개, 3개, 4개, 또는 그 초과의 복원 스프링(332, 334)을 제공할 수 있다. 복원 스프링(332, 334)은 면(202)에 또는 면 측면 상의 구동 플런저(328)에 고정적으로 연결된다. 접합적 또는 형상결합식 결속 연결이 제공될 수 있다.
면(202)으로부터 먼 쪽으로 대면되는 복원 스프링(332, 334)의 단부에서, 복원 스프링이 이송부 판(318)에 고정적으로 결합된다. 고정 링(336)이 이러한 목적을 위해서 제공될 수 있다. 복원 스프링(332, 334)이 고정 링(336)에 고정적으로 연결된다. 고정 링(336)은 중앙 천공부(338)를 가지고, 그러한 천공부를 통해서 구동 플런저(328)가 유도된다. 이격부 판(340)이 고정 링(336)과 이송부 판(318) 사이에 제공될 수 있다. 고정 링(336)은 이송부 판(318)의 전방 측면(342) 상에 제공된다. 전방 측면(342)은 작동기 판(302)로부터 먼 쪽으로 대면된다.
작동기 판(302)과 대면되는 이송부 판(318)의 후방 측면(344)에서, 구동 장치(300)가 자기적 증폭 링(346)을 갖는다. 증폭 링(346)은 자기장 증폭을 위한 역할을 한다. 증폭 링(346)은 또한 후방 철 링(BIR)으로 지칭될 수 있다. 증폭 링(346)은 중앙 천공부(348)를 가지고, 그러한 천공부를 통해서 구동 플런저(328)가 유도된다. 천공부(348)가 원형 또는 바람직하게 타원형일 수 있다. 증폭 링(346)이 천공부(324)에 대해서 중앙에 정렬된다. 즉, 증폭 링(346)의 중심 축 또는 대칭 축(349)이 대칭 축(325)에 대해서 동축적으로 배열되도록, 증폭 링(346)이 배치된다. 예로서, 증폭 링(346)이 천공부(324) 내로 나사 결합될 수 있다.
면(202)이 구동 장치(300)의 도움으로 기울어질 수 있다. 특히, 면(202)은 전자기적 작동기(308)의 코일의 상응하는 에너지화에 의해서 구동 장치(300)의 도움으로, 도 3에 도시된 영의 위치(NP)로부터 제1 공간적 방향(x)을 중심으로 그리고 제2 공간적 방향(y)을 중심으로 기울어질 수 있다. 이러한 경우에, 면(202)은 복원 스프링(332, 334)의 도움으로 영의 위치(NP)로 복원된다. 면(202)의 광학적 유효 표면(204)의 광학적 영의 위치로부터의 경계로서 기계적 영의 위치(NP)로 또한 지칭될 수 있는 영의 위치(NP)에서, 구동 장치(300)가 대칭적으로 정렬된다. 즉, 이상적으로, 대칭 축(306, 310, 325, 327, 330, 349)이 동축적으로 배치된다. 복원 스프링(332, 334)의 복원력에 의해서, 구동 장치(300)의 필요 조정력이 구동 플런저(328)의 편향에 비례한다. 기계적 영의 위치(NP)가 또한 기계적 영의 위치, 기계적 중립 위치, 기계적 중립 장소 또는 기계적으로 규정된 장소로서 지칭될 수 있다.
면 거울(200)의 동작 중에, 각각의 구동 장치(300)의 도움으로, 면(202)이 기울어진다. 구동 장치(300)의 기능에 있어서 중요한 것은 편향이고, 다시 말해서 구동 플런저(328)가 기울어질 수 있는 각도 범위이다. 이용 가능한 구조적 공간 즉, 구동 플런저(328)의 길이, 고정 링(336) 내의 천공부(338)의 치수, 이송부 판(318) 내의 천공부(324)의 치수, 및/또는 증폭 링(346) 내의 천공부(348)의 치수 그리고 또한 전기적 및 자기적 성질로 인해서, 구동 장치(300)의 조정력이 제한된다. 그러나, 사용하고자 하는 조정력은 구동 플런저(328)의 획득된 각도 범위에 비례한다. 즉, 구동 플런저(328)의 편향이 클수록, 조정력이 커진다. 구동 플런저(328)의 편향이 클수록, 전자기적 작동기(308)의 코일을 에너지화하는데 필요한 전류가 커진다. 이는 전자기적 작동기(308)의 심각한 가열을 초래할 수 있다.
장착 및 제조 공차의 결과로서, 구동 장치(300)의 구성요소, 즉 면(202), 작동기 판(302), 이송부 판(318), 전자기적 작동기(308), 자석 요소(326), 구동 플런저(328), 및 증폭 링(346)이 실제로 서로 최적으로 정렬될 수 없거나, 매우 큰 기술적 복잡성으로만 정렬될 수 있다. 구동 장치(300)의 결과적인 비대칭성은, 자석 요소(326)가 전자기적 작동기(308)에 대해서 동축적으로 정렬될 때에도, 실제 빔 오프셋(IA)이 설정점 빔 오프셋(SA)에 상응하는, 면(202)의 광학적 영의 위치가 획득될 수 없는 효과를 갖는다. 즉, 광학적 영의 위치를 획득하기 위해서, 구동 플런저(328)가 미리 편향되어야 하고, 그 결과로서 자석 요소(326)는 구동 장치(300) 내에서 더 이상 중앙에 센터링되지 않는다. 다시 말해서, 광학적 영의 위치를 획득하기 위해서, 자석 요소(326)가 기계적 영의 위치(NP)로부터 편향된다. 이러한 효과는 구동 장치(300)에 의해서 인가되는 조정력을 부가적으로 증가시키거나, 주어진 조정력을 위해서 구동 플런저(328)가 기울어질 수 있는 각도 범위를 감소시킨다.
도 4에 도시된 바와 같이, 구동 장치(300)의 장착 후에, 실제 빔 오프셋(IA)은 면(202)의 광학적 유효 표면(204)의 설정점 빔 오프셋(SA)으로부터 벗어난다. 설정점 빔 오프셋(SA)으로부터의 실제 빔 오프셋(IA)의 편차를 확인하기 위해서, 예를 들어, 가시 광선의 광 빔(L)이 면(202)의 광학적 유효 표면(204) 상으로 지향되고 그로부터 검출 장치(400)의 방향으로 반사된다.
검출 장치(400)는 예를 들어 연마-유리 스크린 및/또는 전자적 칩을 포함할 수 있다. 특히 CMOS 또는 CCD 칩이 전자적 칩으로서 이용될 수 있다. 실제 빔 오프셋(IA)은 특히 연마-유리 스크린의 이용으로, 광의 점으로서 보일 수 있다. 이어서, 이에 상응하여, 설정점 빔 오프셋(SA)은 특히 연마-유리 스크린 상에서 기준점이 된다. 실제 빔 오프셋은 각각 편차(Δx, Δy) 만큼 제1 공간적 방향(x) 및 제2 공간적 방향(y) 모두로 설정점 빔 오프셋(SA)으로부터 벗어날 수 있다. 이상적으로, 자석 요소(326)의 기계적 영의 위치(NP)에서 즉, 전자기적 작동기(308)의 대칭 축(310) 및 자석 요소(326)의 대칭 축(327)이 동축적인 경우에, 실제 빔 오프셋(IA)이 설정점 빔 오프셋(SA)에 상응하거나, 설정점 빔 오프셋(SA)으로부터의 실제 빔 오프셋(IA)의 편차가 미리 결정된 공차 범위 이내가 된다. 다시 말해서, 이어서, 면(202)의 광학적 유효 표면(204)이 그 광학적 영의 위치 내에 배치된다. 미리 결정된 공차 범위가 제1 공간적 방향(x) 및 제2 공간적 방향(y) 모두에 대해서 예를 들어 50 ㎛일 수 있다.
설정점 빔 오프셋(SA)으로부터의 실제 빔 오프셋(IA)의 편차를 감소시키기 위해서, 전술한 바와 같이, 구동 장치(300)의 도움으로 구동 플런저(328)에 결합된 면(202)이 광학적 영의 위치로 기울어지게 할 수 있다. 광학적 영의 위치를 획득하기 위해서, 자석 요소(326)가 중앙의 기계적 영의 위치(NP)의 외측으로 변위된다. 결과적으로, 첫 번째로, 구동 장치(300)가 이동될 수 있는 각도 범위가 감소되고, 두 번째로, 이미 광학적 영의 위치에서, 전자기적 작동기(308)의 도움으로 조정력이 자석 요소(326)에 인가된다.
전술한 효과를 피하기 위해서 또는 적어도 감소시키기 위해서, 광학 장치(200) 또는 면(202)의 구동 장치(300)를 조정하는 방법이 제시된다. 도 5에 도시된 바와 같이, 이러한 목적을 위해서, 첫 번째로 증폭 링(346)이 제거되고 자석 요소(326)가 슬리브-형상의 도구(500)의 도움으로 기계적 영의 위치(NP) 내에 배치된다. 이러한 경우에, 자석 요소는 이송부 판(318)에 대해서, 특히 천공부(324) 중 하나에 대해서, 또는 인터페이스(320)에 대해서 고정된다. 도구(500)의 도움으로, 자석 요소(326)가 3개의 공간적 방향(x, y, z) 모두에 고정된다. 특히, 이러한 경우에, 자석 요소(326)의 대칭 축(327)이 천공부(324)의 대칭 축(325)에 대해서 동축적으로 배치된다. 대안적으로, 증폭 링(346)이 탈착되지 않을 수 있다. 이러한 경우에, 도구(500)는 자석 요소(326)를 증폭 링(346)에 대해서 배치 및 고정하도록 구성된다.
천공부(324)의 대칭 축(325)이 인터페이스(320, 322)에 대해서 정렬되기 때문에, 또는 제1 공간적 방향(x) 및 제2 공간적 방향(y)과 관련한 인터페이스(320, 322)에 대한 대칭 축(325)의 위치가 알려져 있고 인터페이스(314, 316)에 대한 전자기적 작동기(308)의 위치가 규정되었기 때문에, 도구(500)의 도움으로 자석 요소(326)를 이송부 판(318)에 대해서 또는 천공부(324)에 대해서 고정하는 것으로 충분하다. 즉, 자석 요소(326)가 도구(500)의 도움으로 천공부(324)의 대칭 축(325)에 대해서 대칭적으로 정렬될 수 있다.
그 후에, 자석 요소(326)가 기계적 영의 위치(NP) 내에서 고정된 상태에서, 광학적 유효 표면(204)의 설정점 빔 오프셋(SA)으로부터의 실제 빔 오프셋(IA)의 편차가 확인된다. 설정점 빔 오프셋(SA)으로부터의 실제 빔 오프셋(IA)의 편차의 이러한 확인은 광학적 측정 방법의 도움으로 실시된다. 이러한 목적을 위해서, 검출 장치(400)가, 예를 들어, 광 빔(L)을 광학적 유효 표면(204) 상으로 방출할 수 있고, 광 빔(L)은 광학적 유효 표면(204)으로부터 검출 장치(400)로 다시 반사된다. 이러한 경우에, 설정점 빔 오프셋(SA)으로부터의 실제 빔 오프셋(IA)의 편차가 제1 공간적 방향(x) 및 제2 공간적 방향(y) 모두를 따라 확인된다.
또한, 기계적 영의 위치(NP)에서, 인터페이스(320, 322) 중 하나에 대한 자석 요소(326)의 배향이 촉각적 측정 방법에 의해서, 예를 들어 좌표 측정 기계의 도움으로, 확인된다. 결과적으로, 특히 제3 공간적 방향(z)을 따른 전자기적 작동기(308)에 대한 자석 요소(326)의 위치를 확인할 수 있다. 또한, 제1 공간적 방향(x) 및 제2 공간적 방향(y)을 따른 전자기적 작동기(308)에 대한 자석 요소(326)의 위치를 또한 확인할 수 있다. 이러한 경우에, 촉각적 측정 방법의 도움으로, 예를 들어 제1 공간적 방향을 따른 거리(Ax) 및 제2 공간적 방향(y)을 따른 거리(Ay) 및/또는 제3 공간적 방향(z)을 따른 거리(Az)를 검출할 수 있다(도 4 및 도 5). 거리(Ax, Ay, Az)는 예를 들어 자석 요소(326)와 인터페이스(320, 322) 중 하나 사이에서 확인될 수 있다.
광학적 측정 방법 및 촉각적 측정 방법의 도움으로 확인된 측정 값을 기초로, 자석 요소(326)에 대한 가상 장착 모델이 후속하여 확인된다. 그 후에, 그러한 가상 장착 모델을 기초로, 설정점 빔 오프셋(SA)으로부터의 실제 빔 오프셋(IA)의 편차가 감소되도록, 자석 요소(326)가 영향을 받는다. 이러한 경우에, 제1 공간적 방향(x) 및 제2 공간적 방향(y) 모두에서 각각의 경우, 미리 결정된 공차, 예를 들어, 각각 50 ㎛의 편차를 따르도록, 편차가 감소된다. 특히, 면(202)의 광학적 유효 표면(204)이 그 광학적 영의 위치 내에 배치될 때, 구동 장치(300)가 조정력을 인가하지 않거나 적어도 최소의 조정력을 인가하도록, 자석 요소(326)가 영향을 받는다.
구동 장치(300)는 예를 들어 비대칭적으로 자화된 자석 요소(326)에 의해서 영향을 받을 수 있다. 결과적으로, 면(202)의 광학적 유효 표면(204)의 광학적 영의 위치를 획득하기 위한 조정력이 인가되지 않는다. 그러나, 이어서, 자석 요소(326)는 기계적 영의 위치(NP) 내에서 전자기적 작동기(308)에 대해서 중앙에 정렬될 필요가 없다.
대안적으로 또는 부가적으로, 구동 장치(300)에 영향을 미치기 위해서, 증폭 링(346)의 기하형태, 재료, 위치 및/또는 배향이 적응될 수 있다. 또한, 확인된 편차에 따라서, 면(202)의 기하형태, 위치 및/또는 기울기를 또한 적응시킬 수 있고 및/또는 전자기적 작동기(308)의 위치 및/또는 전자기적 작동기(308)의 코일의 동작 지점을 적응시킬 수 있다. 또한, 복원 스프링(332, 334)의 경직성 및/또는 기하형태가 적응될 수 있다.
바람직하게, 그러나, 구동 장치(300)에 영향을 미칠 때, 실제 빔 오프셋(IA)이 설정점 빔 오프셋(SA)에 상응하도록 또는 설정점 빔 오프셋(SA)으로부터의 실제 빔 오프셋(IA)의 편차가 적어도 미리 결정된 공차 범위 내에 놓이도록, 광학적 유효 표면(204)에 대한 자석 요소(326)의 위치 및/또는 배향이 적응된다. 미리 결정된 공차 범위는 제1 공간적 방향(x) 및 제2 공간적 방향(y) 각각에서 예를 들어 50 ㎛일 수 있다. 또한, 비대칭적 자화가 또한 실시될 수 있다.
자석 요소(326)의 위치는, 제1 공간적 방향(x), 제2 공간적 방향(y) 및 제3 공간적 방향(z)에 대한 자석 요소(326)의 좌표 또는 자석 요소(326) 상에 제공된 측정 점의 좌표를 의미하는 것으로 이해하여야 한다. 자석 요소(326)의 배향은, 3개의 공간적 방향(x, y, z)에 대한 자석 요소의 기울기를 의미하는 것으로 이해하여야 한다. 즉, 자석 요소(326)는 제1 공간적 방향(x), 제2 공간적 방향(y) 및/또는 제3 공간적 방향(z)을 중심으로 기울어질 수 있다. 이는 광학적 유효 표면(204)에 대한 자석 요소(326)의 위치 및/또는 배향에 대한 6의 자유도를 초래한다.
또한, 제3 공간적 방향(z)과 관련하여, 자석 요소(326)가 구동 장치(300)의 기능에 필요한 전자기적 작동기(308)로부터의 거리에 배열되도록, 전자기적 작동기(308)에 대한 자석 요소(326)의 위치 및/또는 배향이 적응된다. 이러한 경우에, 제3 공간적 방향(z)을 따라 달성하고자 하는 공차 범위는 예를 들어 30 ㎛일 수 있다.
자석 요소(326)의 위치 및/또는 배향을 적응시키는 것은, 예를 들어, 구동 플런저(328)와 자석 요소(326) 사이에 삽입된, 도 6에 도시된, 이격부 요소(350)에 의해서 실시될 수 있다. 이러한 목적을 위해서, 자석 요소(326)를 영의 위치(NP) 내에 고정하기 전에, 미리 제조된 표준 블랭크(352)(도 5)가 자석 요소(326)와 구동 플런저(328) 사이에 삽입된다. 표준 블랭크(352)는 예를 들어 구리 시트일 수 있다.
전자기적 작동기(308)에 대한 자석 요소(326)의 설정점 빔 오프셋(SA)으로부터의 실제 빔 오프셋(IA)의 편차 및 설정점 위치로부터의 실제 위치의 편차를 확인하는 것에 이어서, 표준 블랭크(352)를 어떻게 적응시킬지, 특히 평가할지를 확인하는 것이 후속된다. 이러한 목적을 위해서, 전술한 가상 장착 모델이 계산된다.
그 후에, 표준 블랭크(352)가 구동 장치(300)로부터 탈착되고 예를 들어 기계 도구, 특히 CNC 기계 도구 상에서 재료-제거 방식으로 프로세스된다. 이러한 경우에, 재료는 제1 공간적 방향(x), 제2 공간적 방향(y) 및/또는 제3 공간적 방향(z)을 따라서 표준 블랭크(352)로부터 기계적으로 제거된다. 대안적으로, 표준 블랭크(352) 대신에, 이격부 요소(350)를 생산하기 위한 일부 다른 반가공 제품을 또한 이용할 수 있다. 예를 들어, 표준 블랭크(352)가 제3 공간적 방향(z)으로 그 두께가 너무 얇아서 표준 블랭크를 재료-제거 방식으로 추가적으로 프로세스할 수 없는 경우.
표준 블랭크(352) 또는 일부 다른 반가공 제품의 프로세스 이후에, 이격부 요소(350)가 완성된다. 그 후에, 도 6에 도시된 바와 같이, 이격부 요소(350)가 구동 장치(300) 내로 다시 통합된다. 제1 공간적 방향(x), 제2 공간적 방향(y) 및/또는 제3 공간적 방향(z)을 따른 이격부 요소(350)의 프로세싱은, 자석 요소(326)가 그 기계적 영의 위치(NP)에 위치될 때 즉, 구동 장치(300)가 최소 조정력을 인가할 때, 구동 플런저(328)가 자석 요소(326)에 대해서 용이하게 변위되고 및/또는 기울어질 수 있다는 효과를 갖는다. 결과적으로, 광학적 유효 표면(204)의 광학적 영의 위치 및 자석 요소(326)의 기계적 영의 위치(NP)가 동시에 획득될 수 있다는 것이 달성된다.
이어서, 구동 플런저(328)의 대칭 축(330)이 제1 공간적 방향(x) 및 제2 공간적 방향(y)으로 자석 요소(326)의 대칭 축(327)에 대해서 또는 대칭 축(306 또는 310)에 대해서 변위될 수 있고, 그에 따라 대칭 축(327, 330)은 더 이상 서로에 대해서 동축적으로 배치되지 않는다. 또한, 대칭 축(330)은 제1 공간적 방향(x) 및/또는 제2 공간적 방향(y)을 중심으로 대칭 축(327)에 대해서 기울어질 수 있다. 도 6은 제1 공간적 방향(x)을 중심으로 하는 대칭 축(330)의 매우 과장된 기울기 및 제2 공간적 방향(y)을 따른 대칭 축(330)의 매우 과장된 변위를 도시한다.
구동 플런저(328)의 경사에 의해서 달성될 수 있는 것은, 첫 번째로, 자석 요소(326)가 전자기적 작동기(308)의 대칭 축(310)에 대해서 정확히 중앙에 정렬되고 동시에 실제 빔 오프셋(IA)이 설정점 빔 오프셋(SA)에 상응하거나 미리 결정된 공차 범위 이내가 된다는 것이다. 또한, 제3 공간적 방향(z)으로 표준 블랭크(352)를 적응시키는 것에 의해서 달성될 수 있는 것은, 자석 요소(326)와 전자기적 작동기(308) 사이의 거리가, 구동 장치(300)의 기능에 최적인 값을 가질 것이라는 것이다.
도 7은 자석 요소(326)에 영향을 가하는 것을 기초로 광학 장치(200) 또는 구동 장치(300)를 조정하기 위한 방법의 일 실시예의 개략적 블록도를 도시한다. 단계(S1)에서, 자석 요소(326)는 기계적 영의 위치(NP) 내에 고정된다. 이러한 경우에, 자석 요소(326)는 예를 들어 이송부 판(318), 증폭 링(346) 또는 인터페이스(314, 316, 320, 322)에 대해서 고정될 수 있다. 자석 요소(326)를 고정하는 것은 바람직하게 작동기 판(302)이 탈착된 상태에서 실시되고, 도구(500)는 자석 요소(326)를 천공부(324)에 대해서 또는 증폭 링(346)에 대해서 센터링시킨다.
단계(S2)에서, 면(202)이 광학적으로 측정된다. 특히, 면(202)의 광학적 유효 표면(204)의 설정점 빔 오프셋(SA)으로부터의 실제 빔 오프셋(IA)의 편차가 확인된다. 이는 검출 장치(400)의 도움으로 실시될 수 있다. 이러한 경우에, 설정점 빔 오프셋(SA)으로부터의 실제 빔 오프셋(IA)의 편차가 제1 공간적 방향(x) 및 제2 공간적 방향(y)을 따라 확인된다.
단계(S3)에서, 고정된 자석 요소(326)에 대해서 촉각적 측정을 실시한다. 좌표 측정 기계가 이러한 목적을 위해서 이용될 수 있다. 이러한 목적을 위해서, 전자기적 작동기(308)에 대한 제1 공간적 방향(x), 제2 공간적 방향(y) 및/또는 제3 공간적 방향(z)의 편차는, 바람직하게, 모든 인터페이스(314, 316, 320, 322)를 고려하여 결정된다. 이러한 경우에, 특히, 추후에 최적의 거리(a)를 설정하기 위해서, 전자기적 작동기(308)에 대한 제3 공간적 방향(z)을 따른 자석 요소(326)의 편차가 확인된다.
단계(S4)에서, 광학적 측정 방법 및 촉각적 측정 방법에 의해서 확인된 측정 값을 기초로, 자석 요소(326)에 대한 가상 장착 모델(600)(도 8)이 확인된다.
단계(S5)에서, 자석 요소(326)에 영향을 미치는 것이 필요한지의 여부, 다시 말해서 자석 요소(326)의 위치 및/또는 배향의 적응이 필요한지의 여부에 대한 결정이 이루어진다. 적응이 필요치 않다면, 증폭 링(346)이 단계(S6)에서 장착된다. 증폭 링(346)은 또한 단계(S1) 이전에 또는 도중에 미리 장착될 수 있다. 또한, 자석 요소(326)의 고정이 단계(S7)에서 취소될 수 있다.
구동 장치(300)의 조정이 필요하다면, 단계(S8)에서, 예를 들어, 전자기적 작동기(308)의 도움으로 설정점 빔 오프셋(SA)으로부터의 실제 빔 오프셋(IA)의 편차가 감소되고 동시에 최소 조정력이 자석 요소(326)로 인가되는 방식으로 자석 요소(326)가 영향을 받는다. 단계(S8)는 단계(S7) 이전에 또는 이후에 실시될 수 있다. 특히, 자석 요소(326)는 그 위치 및/또는 배향과 관련하여 적응된다. 이러한 목적을 위해서, 개별적으로 적응된 이격부 요소(350)가 이용 가능해지도록, 예를 들어 CNC 기계 도구의 도움으로 가공에 의해서 표준 블랭크(352)가 프로세스된다. 대안적으로, 표준 블랭크(352)는 특별하게 제조된 이격부 요소(350)에 의해서 대체될 수 있다. 이어서, 표준 블랭크(352)가 복수로 이용될 수 있다.
단계(S9)에서, 완성된 이격부 요소(350)가 장착된다. 단계(S9) 이후에, 필요 공차를 따르는 범위까지 설정점 빔 오프셋(SA)으로부터의 실제 빔 오프셋(IA)의 편차가 감소될 때까지, 단계(S1 내지 S9)가 반복된다.
이에 대해서 보충적으로 도 8에 도시된 바와 같이, 참조 부호 'OM'으로 제공된, 단계(S2)에서 검출된 광학적 측정 결과, 및 참조 부호'TM'으로 제공된, 단계(S3)에서 검출된 촉각적 측정 결과가 가상 장착 모델(600)과 관련하여 계산되어 계산 결과(VE)를 제공하고, 그러한 계산 결과를 기초로 조정 단계(S8)가 실시된다.
도 9는, 이하에서 광학 장치(200)로 지칭되는, 면 거울(200)의 크게 단순화된 개략도를 도시한다. 광학 장치(200)가 가동형 구성요소(700)를 포함한다. 가동형 구성요소(700)가 면(202)일 수 있다. 광학 장치(200)가 기준 구성요소(702)를 더 포함한다. 기준 구성요소(702)는 이송부 판(318), 이송부 판(318) 내에 제공된 천공부(324) 중 하나, 또는 인터페이스(314, 316, 320, 322) 중 하나 일 수 있다.
가동형 구성요소(700)는 기계적인 동작적 연결(704)의 도움으로 광학적 구성요소(706)에 결합된다. 광학적 구성요소(706)는 바람직하게 광-반사 구성요소이다. 특히, 광학적 구성요소(706)가 면(202)일 수 있다. 기계적인 동작적 연결(704)은 구동 플런저(328)일 수 있거나 구동 플런저(328)를 포함할 수 있다. 또한, 광학 장치(200)는 전자기적 작동기(308)일 수 있는 작동기(707)를 포함한다. 작동기(707)는 필드(708), 특히 자기장의 도움으로 가동형 구성요소(700)에 동작적으로 연결될 수 있다.
도 7에 도시된 방법은 광학 장치(200)의 조정을 위해서 이용된다. 이러한 경우에, 가동형 구성요소(700)는 단계(S1)에서, 기준 구성요소(702)에 대한 기계적으로 규정된 위치에서, 특히 영의 위치(NP)에서 고정된다. 단계(S2)에서, 광학적 측정 결과(OM)를 획득하기 위해서, 광학적 구성요소(706)가 광학적으로 측정된다. 단계(S8)에서, 광학적 측정 결과(OM)에 따라서, 광학 장치(200)가 조정된다.
단계(S1)에서의 고정의 목적을 위해서, 고정 시스템(710)의 도움으로 가동형 구성요소(700)가 기준 구성요소(702)에 대해서 고정된다. 도구(500)는 이러한 목적을 위해서 제공될 수 있고, 그러한 도구는 광학적 구성요소(706)를 기준 구성요소(702)에 대해서 기계적으로 고정한다. 도구(500)는 다시 단계(S3) 이후에 또는 단계(S5) 이후에 제거된다.
단계(S2)는 광학적 구성요소(706)의 실제 빔 오프셋(IA)을 검출하는 것을 포함할 수 있고, 검출된 실제 빔 오프셋(IA)은 설정점 빔 오프셋(SA)과 비교되며, 광학 장치(200)를 조정하는 것이 비교 결과에 따라서 실시된다.
단계(S8)에서 조정하는 것은 광학 장치(200)의 적어도 하나의 구성요소의, 특히 기계적 프로세싱에 의한 기하형태, 배향 및/또는 위치, 경직성, 전기장 및/또는 자기장(708)을 변화시키는 것을 포함한다. 적어도 하나의 구성요소가 가동형 구성요소(700), 광학적 구성요소(706), 자기적 증폭 링(346), 가동형 구성요소(700)를 작동시키기 위한 전자기적 작동기(308), 가동형 구성요소(700)를 복원하기 위한 복원 스프링(332, 334) 또는 복원 스프링(332, 334) 중 하나, 및/또는 기계적인 동작적 연결(704)에 포함되는 그러한 구성요소일 수 있다. 예로서, 구동 플런저(328)가 기계적인 동작적 연결(704)에 포함된다.
가동형 구성요소(700)의 배향 및/또는 위치를 변경하기 위해서, 이격부 요소(350)가 가동형 구성요소와 기계적인 동작적 연결의 구동 플런저(328) 사이에 삽입된다. 가동형 구성요소(700)의 배향 및/또는 위치가 변경되는 방식으로, 이격부 요소(350)의 기하형태가 바람직하게 적응된다. 바람직하게, 가동형 구성요소(700)가 자석 요소(326)이고, 그러한 자석 요소(326)는 바람직하게 전자기적 작동기(308)의 도움으로 이동될 수 있다.
기준 구성요소(702)는 바람직하게, 가동형 구성요소(700)가 상부에 장착되는 이송부 판(318)이고, 및/또는 기준 구성요소(702)는 전자기적 작동기(308)의 자기장(708)을 증폭하기 위한 자기적 증폭 링(346)이다. 바람직하게, 전자기적 작동기(308)는 작동기 판(302)에 의해서 유지되고, 작동기 판(302)은 바람직하게 인터페이스(314, 316, 320, 322)의 도움으로 이송부 판(318)에 대해서 배치된다.
단계(S8) 이전에, 광학 장치(200)에 촉각적 측정이 실시되고, 단계(S8)에서, 도 8에 도시된 바와 같이, 광학적 측정 결과(OM) 및 촉각적 측정 결과(TM)에 따라서, 광학 장치(200)가 조정된다. 방법은 또한 계산 결과(VE)를 획득하기 위해서 가상 장착 모델(600) 내에서 광학적 측정 결과(OM) 및 촉각적 측정 결과(TM)를 계산하는 단계를 포함하며, 광학 장치(200)는 단계(S8)에서 계산 결과(VE)에 따라서 조정된다.
촉각적 측정은 또한 광학 장치(200)의 2개의 구성요소 사이의, 특히 가동형 구성요소(700)와 기준 구성요소(702) 사이의 및/또는 가동형 구성요소(700)와 인터페이스(314, 316, 320, 322) 중 적어도 하나 사이의 거리(Ax, Ay, Az)를 검출하는 것을 포함할 수 있다.
단계(S2)에서 광학적 측정은 제1 공간적 방향(x) 및 제1 공간적 방향(x)에 직교하는 제2 공간적 방향(y)으로 실시되고, 촉각적 측정은, 적어도, 제1 및 제2 공간적 방향(x, y)에 직교하는 제3 공간적 방향(z)으로 실시되고, 촉각적 측정이 바람직하게 제1 및 제2 공간적 방향(x, y)으로 부가적으로 실시된다.
방법은 광학적 측정 결과(OM)를 획득하기 위해서 광학 장치(200)를 광학적으로 측정하는 단계(S2), 촉각적 측정 결과(TM)를 획득하기 위해서 광학 장치(200)에 대해서 촉각적 측정을 실시하는 단계(S3), 및 광학적 측정 결과(OM) 및 촉각적 측정 결과(TM)에 따라서 광학 장치(200)를 조정하는 단계(S8)를 포함할 수 있다.
비록 여기에서 바람직한 예시적 실시예를 기초로 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 그러한 것으로 제한되지 않고, 다양한 방식으로 수정될 수 있다.
100A EUV 리소그래피 장비
100B DUV 리소그래피 장비
102 빔 성형 및 조사 시스템
104 투사 시스템
106A EUV 광원
106B DUV 광원
108A EUV 복사선
108B DUV 복사선
110 거울
112 거울
114 거울
116 거울
118 거울
120 포토마스크
122 거울
124 웨이퍼
126 광학적 축
128 렌즈 요소
130 거울
132 침잠 액체
200 광학 장치/면 거울
202 면
204 표면
300 구동 장치
302 작동기 판
304 천공부
306 대칭 축
308 작동기
310 대칭 축
312 고정 링
314 인터페이스
316 인터페이스
318 이송부 판
320 인터페이스
322 인터페이스
324 천공부
325 대칭 축
326 자석 요소
327 대칭 축
328 구동 플런저
330 대칭 축
332 복원 스프링
334 복원 스프링
336 고정 링
338 천공부
340 이격부 판
342 전방 측면
344 후방 측면
346 증폭 링
348 천공부
349 대칭 축
350 이격부 요소
352 표준 블랭크
400 검출 장치
500 도구
600 가상 장착 모델
700 가동형 구성요소
702 기준 구성요소
704 기계적인 동작적 연결
706 광학적 구성요소
707 작동기
708 필드
710 고정 시스템
a 거리
Ax 거리
Ay 거리
Az 거리
g 중력 방향
IA 실제 빔 오프셋
L 광 빔
M1 거울
M2 거울
M3 거울
M4 거울
M5 거울
M6 거울
NP 영의 위치
OM 광학적 측정 결과
SA 설정점 빔 오프셋
S1 단계
S2 단계
S3 단계
S4 단계
S5 단계
S6 단계
S7 단계
S8 단계
S9 단계
TM 촉각적 측정 결과
VE 계산 결과
x 공간적 방향
y 공간적 방향
z 공간적 방향
Δx 편차
Δy 편차

Claims (16)

  1. 가동형 구성요소(326, 700), 기준 구성요소(318, 346, 702) 및 광학적 구성요소(202, 706)를 포함하는 광학 장치(200)를 조정하기 위한 방법이며, 상기 가동형 구성요소(326, 700)는 기계적인 동작적 연결(328, 704)에 의해서 상기 광학적 구성요소(202, 706)에 연결되고, 상기 방법은:
    a) 상기 가동형 구성요소(326, 700)를 상기 기준 구성요소(318, 346, 702)에 대해서 기계적으로 규정된 위치(NP) 내에서 고정하는 단계(S1),
    b) 광학적 측정 결과(OM)를 획득하기 위해서, 상기 광학적 구성요소(202, 706)를 광학적으로 측정하는 단계(S2), 및
    c) 상기 광학적 측정 결과(OM)에 따라서, 상기 광학 장치(200)를 조정하는 단계(S8)를 포함하는, 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 단계 a)에서의 고정을 위해서 도구(500, 701)가 제공되고, 상기 도구는 상기 광학적 구성요소(202, 706)를 상기 기준 구성요소(318, 346, 702)에 대해서 기계적으로 고정하는, 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 단계 b)는 상기 광학적 구성요소(202, 706)의 실제 빔 오프셋(IA)을 검출하는 것을 포함하고, 상기 검출된 실제 빔 오프셋(IA)은 설정점 빔 오프셋(SA)과 비교되며, 상기 광학 장치(200)를 조정하는 단계가 상기 비교 결과에 따라서 실시되는, 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 단계 c)에서 조정하는 것은 상기 광학 장치(200)의 적어도 하나의 구성요소(202, 308, 326, 328, 346, 700, 704, 706, 707)의 기하형태, 배향 및 위치 중 적어도 어느 하나, 경직성, 전기장 및 자기장(708) 중 적어도 어느 하나를 변화시키는 것을 포함하는, 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 구성요소가 상기 가동형 구성요소(326, 700), 상기 광학적 구성요소(202, 706), 자기적 증폭 링(346), 상기 가동형 구성요소(326, 700)를 작동시키기 위한 작동기(308, 707), 상기 가동형 구성요소(326, 700)를 복원하기 위한 복원 스프링(332, 334), 또는 상기 기계적인 동작적 연결(328, 704)에 포함되는 구성요소인, 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 가동형 구성요소(326, 700)의 배향 및 위치 중 적어도 어느 하나를 변경하기 위해서, 이격부 요소(350)가 상기 가동형 구성요소와 상기 기계적인 동작적 연결(704)의 구동 플런저(328) 사이에 삽입되는, 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 가동형 구성요소(326, 700)의 배향 및 위치 중 적어도 어느 하나가 변경되는 방식으로, 상기 이격부 요소(350)의 기하형태가 적응되는, 방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 가동형 구성요소(700)가 자석 요소(326)이고, 상기 자석 요소(326)는 전자기적 작동기(308)의 도움으로 이동될 수 있는, 방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기준 구성요소(702)가 이송부 판(318)이고 상기 이송부 판(318) 상에는 상기 가동형 구성요소(326, 700)가 장착되거나, 상기 기준 구성요소(702)가 전자기적 작동기(308)의 필드(708)의 증폭을 위한 자기적 증폭 링(346)인, 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 전자기적 작동기(308)는 작동기 판(302)에 의해서 유지되고, 상기 작동기 판(302)은 인터페이스(314, 316, 320, 322)의 도움으로 상기 이송부 판(318)에 대해서 배치되는, 방법.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 광학적 구성요소(706)가 광-반사 구성요소인, 방법.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 단계 c) 이전에, 상기 광학 장치(200)에 대해서 촉각적 측정이 실시되고(S3), 상기 단계 c)에서 상기 광학적 측정 결과(OM) 및 상기 촉각적 측정 결과(TM)에 따라서 상기 광학 장치(200)가 조정되는(S8), 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    계산 결과(VE)를 획득하기 위해서 가상 장착 모델(600) 내에서 광학적 측정 결과(OM) 및 촉각적 측정 결과(TM)를 계산하는 단계(S4)를 더 포함하고, 단계 c)에서, 상기 광학 장치(200)가 상기 계산 결과(VE)에 따라서 조정되는, 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 촉각적 측정은 상기 광학 장치(200)의 2개의 구성요소(314, 316, 318, 320, 322, 326, 346, 700, 702) 사이의 거리(Ax, Ay, Az)를 검출하는 것을 포함하는, 방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 단계 b)에서의 광학적 측정은 적어도 제1 공간적 방향 및 상기 제1 공간적 방향(x)에 직교하는 제2 공간적 방향(y)으로 실시되고, 상기 촉각적 측정은 상기 제1 및 제2 공간적 방향(x, y)에 직교하는 제3 공간적 방향(z)으로 실시되고, 상기 촉각적 측정이 제1 및 제2 공간적 방향(x, y)으로 부가적으로 실시되는, 방법.
  16. 삭제
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018205714A1 (de) * 2018-04-16 2019-10-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren, messsystem und lithographieanlage
DE102018218110A1 (de) * 2018-10-23 2020-04-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Abstandshalter, optisches system und lithographieanlage
DE102018130290A1 (de) * 2018-11-29 2020-06-04 Asml Netherlands B.V. Aktuatoreinrichtung und Projektionsbelichtungsanlage
DE102019202868A1 (de) * 2019-03-04 2020-09-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Aktuatoreinrichtung und Verfahren zur Ausrichtung eines optischen Elements, optische Baugruppe sowie Projektionsbelichtungsanlage
CN109814254A (zh) * 2019-03-29 2019-05-28 李胜保 一种激光扫描振镜装置及扫描镜的摆动方法
DE102019218925A1 (de) * 2019-12-05 2021-06-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur montage eines optischen systems
CN113467378B (zh) * 2021-07-15 2024-03-29 苏州谋迅智能科技有限公司 Cnc时间轴对正的方法
DE102021213168A1 (de) * 2021-11-23 2023-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001108877A (ja) 1999-10-08 2001-04-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学ユニットの調整方法、光学ユニットの調整装置
US20050111067A1 (en) 2003-01-24 2005-05-26 Andreas Seifert Method for the production of a facetted mirror
JP2006349942A (ja) 2005-06-15 2006-12-28 Tamron Co Ltd 像振れ補正装置及びそれを備えた撮像装置
JP2010107880A (ja) 2008-10-31 2010-05-13 Mitsubishi Electric Corp 光学調整装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10136388A1 (de) * 2001-07-26 2003-02-13 Zeiss Carl System zum Vermessen eines optischen Systems, insbesondere eines Objektives
US7598688B2 (en) * 2006-06-22 2009-10-06 Orbotech Ltd Tilting device
EP2511765B1 (de) * 2007-02-06 2019-04-03 Carl Zeiss SMT GmbH Regelvorrichtung zur Regelung einer flächigen Anordnung individuell ansteuerbarer Strahlablenkungselemente in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
WO2009018854A1 (en) * 2007-08-06 2009-02-12 Coles, Stephen Method and apparatus for construction of modular galvano motor scanning heads
US9164401B2 (en) * 2008-09-30 2015-10-20 Asml Netherlands B.V. Projection system and lithographic apparatus
KR101058648B1 (ko) * 2009-02-16 2011-08-22 삼성전자주식회사 카메라 렌즈 모듈의 렌즈 조립체 정렬 장치
JP6093753B2 (ja) * 2011-03-23 2017-03-08 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖミラー機構、ｅｕｖミラー機構を備えた光学系、及びｅｕｖミラー機構を備えた光学系を操作する方法
JP5960806B2 (ja) * 2011-06-21 2016-08-02 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー ファセットミラーデバイス
DE102012209412A1 (de) * 2012-06-04 2013-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Verfahren und optische Messvorrichtung zum Messen von Winkellagen von Facetten zumindest eines Facettenspiegels für EUV-Anwendungen
NL2011456A (en) 2012-10-15 2014-04-16 Asml Netherlands Bv Actuation mechanism, optical apparatus, lithography apparatus and method of manufacturing devices.
DE102012223034A1 (de) 2012-12-13 2013-12-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem einer Mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102013004738A1 (de) * 2013-03-12 2014-10-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur zielgerichteten Justierung von optischen Bauelementen zu einer Bezugsachse
DE102014216075A1 (de) 2014-08-13 2015-10-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelanordnung und optisches System mit einer solchen Spiegelanordnung

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001108877A (ja) 1999-10-08 2001-04-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学ユニットの調整方法、光学ユニットの調整装置
US20050111067A1 (en) 2003-01-24 2005-05-26 Andreas Seifert Method for the production of a facetted mirror
JP2006349942A (ja) 2005-06-15 2006-12-28 Tamron Co Ltd 像振れ補正装置及びそれを備えた撮像装置
JP2010107880A (ja) 2008-10-31 2010-05-13 Mitsubishi Electric Corp 光学調整装置

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