KR102402982B1 - split sputtering target - Google Patents

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Abstract

실시 형태의 일 양태에 관한 분할 스퍼터링 타깃(1)은, 복수의 타깃재(10)를 기재(20)에 접합하여 형성되는 분할 스퍼터링 타깃(1)이며, 복수의 타깃재(10)가 간격을 두고 배치됨으로써 형성되는 분할부(40) 중, 적어도 일부의 분할부(40)에 배치되는 한 쌍의 타깃재(10)의 측면(11)의 적어도 일부에는 각각 평탄면(12)이 형성되고, 분할부(40)에서 대향하는 평탄면(12)끼리의 간격은, 기재(20)에 가장 가까운 부분의 간격(Lb)보다 기재(20)에 가장 먼 부분의 간격(Lt) 쪽이 크고, 평탄면(12)의 표면 조도 Ra가 0.3㎛ 이하이다.The division|segmentation sputtering target 1 which concerns on one aspect of embodiment is the division|segmentation sputtering target 1 formed by bonding the some target material 10 to the base material 20, The some target material 10 is a space|interval. A flat surface 12 is formed on at least a portion of the side surface 11 of a pair of target materials 10 disposed in at least a part of the divided portion 40 among the divided portions 40 formed by placing and disposed, respectively, The distance between the flat surfaces 12 opposing in the division part 40 is larger in the distance Lt of the part furthest to the base 20 than the gap Lb in the part closest to the base 20, and is flat. The surface roughness Ra of the surface 12 is 0.3 micrometer or less.

Description

분할 스퍼터링 타깃split sputtering target

개시의 실시 형태는, 분할 스퍼터링 타깃에 관한 것이다.Embodiment of the indication relates to a division|segmentation sputtering target.

종래, 평면상으로 나열한 복수의 타깃재를, 접합재를 사용하여 기재에 접합하여 형성되는 분할 스퍼터링 타깃이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).DESCRIPTION OF RELATED ART Conventionally, the division|segmentation sputtering target formed by bonding several target materials arranged in a plane to a base material using a bonding material is known (for example, refer patent document 1).

일본 특허 공개 제2004-315931호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2004-315931

그러나 종래의 분할 스퍼터링 타깃에 있어서, 복수의 타깃재가 간격을 두고 배치됨으로써 형성되는 분할부에서는, 타깃재의 측면에 접합재가 부착되기 쉽다. 그리고 이러한 접합재가 타깃재의 측면에 부착된 경우, 스퍼터링 성막 시에 메탈 파티클의 원인이 되는 경우가 있다.However, in the conventional division|segmentation sputtering target WHEREIN: In the division|segmentation part formed by arrange|positioning several target materials at intervals, a bonding material adheres easily to the side surface of a target material. And when such a bonding material adheres to the side surface of a target material, it may become a cause of metal particles at the time of sputtering film-forming.

한편, 분할부에서 대향하는 타깃재의 측면끼리의 간격은 좁고, 또한 타깃재의 측면은 기재로부터 수직으로 기립하여 있다는 점에서, 이러한 측면을 상방으로부터 시인하는 것은 곤란하다. 따라서, 타깃재의 측면에 대한 접합재의 부착 상태를 확인하는 것이 곤란하였다. 또한, 타깃재의 측면에 강고하게 부착되어 있는 접합재는 용이하게 제거할 수 없다는 점에서, 측면에 부착되어 있는 접합재에 기인하여, 성막 시에 메탈 파티클이 발생할 우려가 있었다.On the other hand, since the space|interval between the side surfaces of the target material which opposes in a division|segmentation part is narrow, and the side surface of a target material stands perpendicularly|vertically from a base material, it is difficult to visually recognize this side surface from upper direction. Therefore, it was difficult to confirm the adhesion state of the bonding material with respect to the side surface of a target material. Moreover, since the bonding material adhered firmly to the side surface of a target material cannot be easily removed, it originates in the bonding material adhered to the side surface, and there existed a possibility that metal particles might generate|occur|produce at the time of film-forming.

실시 형태의 일 양태는, 상기에 비추어 이루어진 것이며, 분할부에서 대향하는 타깃재의 측면에 대한 접합재의 부착 상태를 용이하게 확인할 수 있고, 또한 분할부에서 대향하는 타깃재의 측면에 부착되어 있는 접합재를 용이하게 제거할 수 있는 분할 스퍼터링 타깃을 제공하는 것을 목적으로 한다.One aspect of the embodiment is made in view of the above, and the state of attachment of the bonding material to the side surface of the target material opposing in the division portion can be easily confirmed, and the bonding material adhered to the side surface of the target material facing in the division portion can be easily removed An object of the present invention is to provide a split sputtering target that can be easily removed.

실시 형태의 일 양태에 관한 분할 스퍼터링 타깃은, 복수의 타깃재를 기재에 접합하여 형성되는 분할 스퍼터링 타깃이며, 상기 복수의 타깃재가 간격을 두고 배치됨으로써 형성되는 분할부 중, 적어도 일부의 상기 분할부에 배치되는 한 쌍의 상기 타깃재의 측면의 적어도 일부에는 각각 평탄면이 형성되고, 상기 분할부에서 대향하는 상기 평탄면끼리의 간격은, 상기 기재에 가장 가까운 부분의 간격보다 상기 기재에 가장 먼 부분의 간격 쪽이 크고, 상기 평탄면의 표면 조도 Ra가 0.3㎛ 이하이다.The division|segmentation sputtering target which concerns on one aspect of embodiment is a division|segmentation sputtering target formed by bonding a plurality of target materials to a base material, Among the division|segmentation parts formed by the said some target material being arrange|positioned at intervals, at least one part said division|segmentation part Flat surfaces are respectively formed on at least part of the side surfaces of the pair of target materials disposed in is larger, and the surface roughness Ra of the flat surface is 0.3 µm or less.

실시 형태의 일 양태에 의하면, 분할부에서 대향하는 타깃재의 측면에 대한 접합재의 부착 상태를 용이하게 확인할 수 있고, 또한 분할부에서 대향하는 타깃재의 측면에 부착되어 있는 접합재를 용이하게 제거할 수 있는 분할 스퍼터링 타깃을 제공할 수 있다.According to one aspect of the embodiment, the state of attachment of the bonding material to the side surface of the target material facing in the division portion can be easily confirmed, and the bonding material adhering to the side surface of the target material facing in the division portion can be easily removed A split sputtering target can be provided.

도 1은 실시 형태에 관한 분할 스퍼터링 타깃의 사시도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 A-A선의 화살표 방향으로 본 단면도이다.
도 3은 실시 형태의 변형예 1에 관한 분할부의 단면 형상을 도시하는 확대 단면도이다.
도 4는 실시 형태의 변형예 2에 관한 분할부의 단면 형상을 도시하는 확대 단면도이다.
도 5는 실시 형태의 변형예 3에 관한 분할부의 단면 형상을 도시하는 확대 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a perspective view of the division|segmentation sputtering target which concerns on embodiment.
Fig. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA shown in Fig. 1 in the direction of the arrow.
3 is an enlarged cross-sectional view showing a cross-sectional shape of a divided portion according to Modification Example 1 of the embodiment.
4 is an enlarged cross-sectional view showing a cross-sectional shape of a divided portion according to a second modification of the embodiment.
5 is an enlarged cross-sectional view showing a cross-sectional shape of a divided portion according to a third modification of the embodiment.

[실시 형태][Embodiment]

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 분할 스퍼터링 타깃의 실시 형태에 대해 설명한다. 또한, 도면에 있어서의 각 요소의 치수의 관계, 각 요소의 비율 등은, 현실과 상이한 경우가 있다. 또한, 도면의 상호간에 있어서도, 서로의 치수의 관계나 비율이 상이한 부분이 포함되어 있는 경우가 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, with reference to an accompanying drawing, embodiment of the division|segmentation sputtering target disclosed by this application is described. In addition, the relationship between the dimensions of each element in a drawing, the ratio of each element, etc. may differ from reality. Moreover, also in each of the drawings, there is a case where the relationship and the ratio of the dimensions are different from each other.

먼저, 도 1을 참조하여 실시 형태에 관한 분할 스퍼터링 타깃(1)의 개략을 설명한다. 도 1은, 실시 형태에 관한 분할 스퍼터링 타깃(1)의 사시도이다.First, with reference to FIG. 1, the outline of the division|segmentation sputtering target 1 which concerns on embodiment is demonstrated. 1 : is a perspective view of the division|segmentation sputtering target 1 which concerns on embodiment.

분할 스퍼터링 타깃(1)은, 복수의 타깃재(10)와, 기재(20)와, 접합재(30)를 갖는다. 그리고 기재(20) 상에 복수의 타깃재(10)가 나열되어 배치되고, 이러한 타깃재(10)와 기재(20)가 접합재(30)에 의해 접합되어, 분할 스퍼터링 타깃(1)이 형성된다.The division sputtering target 1 has the some target material 10, the base material 20, and the bonding material 30. And a plurality of target materials 10 are arranged in a row on the base material 20, these target materials 10 and the base material 20 are joined by the bonding material 30, and the division|segmentation sputtering target 1 is formed. .

복수의 타깃재(10)는, 예를 들어 각각 대략 동일 치수의 평판상으로 형성된다. 타깃재(10)는, 예를 들어 평면에서 보아 직사각 형상으로 형성되고, 기재(20) 상에 소정의 간격을 두고 나열되어 배치된다.The some target material 10 is formed in the flat shape of each substantially the same dimension, for example. The target material 10 is formed in a rectangular shape in planar view, for example, and is arrange|positioned in a line on the base material 20 at predetermined intervals.

예를 들어, 도 1에서는, 6매의 타깃재(10)가 매트릭스 형상으로 나열되어 배치되어 있다. 또한, 복수의 타깃재(10)는 매트릭스 형상으로 배치될 필요는 없고, 예를 들어 1열로 나열되어 배치되어도 된다.For example, in FIG. 1, the target material 10 of 6 sheets is lined up in a matrix shape, and it is arrange|positioned. In addition, the some target material 10 does not need to be arrange|positioned in matrix shape, for example, may be arranged in one row and may be arrange|positioned.

타깃재(10)의 재질은, 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide)이다. 한편, 타깃재(10)의 재질은 ITO에 한정되지 않고, IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)나 AZO(Aluminum Zinc Oxide) 등을 사용할 수 있다.The material of the target material 10 is ITO(Indium Tin Oxide), for example. In addition, the material of the target material 10 is not limited to ITO, IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), AZO (Aluminum Zinc Oxide), etc. can be used.

기재(20)는, 원하는 분할 스퍼터링 타깃(1)의 치수에 대응하는 형상을 갖는다. 기재(20)의 재질은, 예를 들어 도전성이나 열전도성이 우수한 구리나 인산구리, 티타늄, 알루미늄, 스테인리스 등이다.The base material 20 has a shape corresponding to the dimension of the desired division|segmentation sputtering target 1 . The material of the base material 20 is copper, copper phosphate, titanium, aluminum, stainless steel, etc. which are excellent in electroconductivity and thermal conductivity, for example.

접합재(30)는, 타깃재(10)와 기재(20)를 접합한다. 접합재(30)에는, 예를 들어 인듐이나 주석 등을 주성분으로 하는 땜납재를 사용할 수 있다. 예를 들어, 타깃재(10)에 ITO를 사용하는 경우, 접합재(30)에는 인듐을 사용하면 된다.The bonding material 30 bonds the target material 10 and the base material 20 together. For the bonding material 30 , for example, a solder material containing indium, tin, or the like as a main component can be used. For example, when using ITO for the target material 10, what is necessary is just to use indium for the bonding material 30.

여기서, 도 1에 도시하는 바와 같이, 분할 스퍼터링 타깃(1)에는, 타깃재(10)끼리가 일정 간격을 두고 배치됨으로써, 인접하는 한 쌍의 타깃재(10) 사이에 분할부(40)가 형성된다. 계속해서, 이러한 분할부(40)의 상세한 구성에 대해, 도 2를 참조하면서 설명한다.Here, as shown in FIG. 1, in the division|segmentation sputtering target 1, the division|segmentation part 40 between a pair of adjoining target materials 10 by the target material 10 comrades being spaced apart and arrange|positioned is is formed Then, the detailed structure of such a division|segmentation part 40 is demonstrated, referring FIG.

도 2는, 도 1에 나타낸 A-A선의 화살표 방향으로 본 단면도이며, 분할부(40) 및 그 근방에 대해 확대한 확대 단면도이다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 분할부(40)에서는, 인접하는 한 쌍의 타깃재(10)의 측면(11)끼리가 대향하고 있다.Fig. 2 is a cross-sectional view taken along the line A-A shown in Fig. 1 in the direction of the arrow, and is an enlarged enlarged cross-sectional view of the dividing portion 40 and its vicinity. As shown in FIG. 2, in the division|segmentation part 40, side surface 11 comrades of a pair of adjoining target materials 10 oppose.

여기서, 실시 형태에서는, 이러한 대향하는 양쪽의 측면(11)의 적어도 일부에, 각각 평탄면(12)이 형성되어 있다. 도 2에서는, 대향하는 측면(11)의 전체에, 각각 평탄면(12)이 형성되어 있다.Here, in embodiment, the flat surface 12 is formed in at least a part of these opposing both side surfaces 11, respectively. In FIG. 2 , flat surfaces 12 are formed on the whole of the opposite side surfaces 11 , respectively.

그리고 분할부(40)에서 대향하는 평탄면(12)끼리의 간격은, 기재(20)에 가장 가까운 부분의 간격 Lb보다, 기재(20)에 가장 먼 부분의 간격 Lt 쪽이 크다. 또한, 간격 Lt는, 평탄면(12)에 있어서 기재(20)로부터 가장 먼 상단부(12a)끼리의 거리이고, 간격 Lb는, 평탄면(12)에 있어서 기재(20)로부터 가장 가까운 하단부(12b)끼리의 거리이다. 바꾸어 말하면, 분할부(40)에 있어서, 평탄면(12)끼리에 의해 형성되는 간극은, 상방을 향해 끝으로 갈수록 넓어지는 형상으로 개방되어 있다.And the space|interval Lt of the part furthest from the base material 20 is larger than the space|interval Lb of the part closest to the base material 20 as for the space|interval between the flat surfaces 12 comrades facing in the division part 40. In addition, the space|interval Lt is the distance between the upper end parts 12a comrades furthest from the base material 20 in the flat surface 12, and the space|interval Lb is the lower end part 12b closest from the base material 20 in the flat surface 12. ) is the distance between In other words, in the division|segmentation part 40, the clearance gap formed by the flat surfaces 12 comrades is open|released in the shape which widens toward the top toward the end.

이에 의해, 상방으로부터 시인할 때, 측면(11)(평탄면(12))의 시인을 용이하게 할 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따르면, 분할부(40)에서 대향하는 타깃재(10)의 측면(11)에 대한 접합재(30)의 부착 상태를 용이하게 확인할 수 있다.Thereby, when visually recognizing from upper direction, the visual recognition of the side surface 11 (flat surface 12) can be made easy. Therefore, according to embodiment, the attachment state of the bonding material 30 with respect to the side surface 11 of the target material 10 opposing in the division|segmentation part 40 can be confirmed easily.

실시 형태에서는 또한, 평탄면(12)의 표면 조도 Ra가 0.3㎛ 이하이다. 또한, 이러한 표면 조도는 산술 평균 조도 Ra이며, 이하의 기재도 마찬가지이다. 이와 같이, 평탄면(12)을, 표면 조도 Ra를 0.3㎛ 이하로 가공함으로써, 평탄면(12)에 부착된 접합재(30)를 용이하게 제거할 수 있다.Furthermore, in embodiment, surface roughness Ra of the flat surface 12 is 0.3 micrometer or less. In addition, this surface roughness is arithmetic mean roughness Ra, and the following description is also the same. In this way, by processing the flat surface 12 to a surface roughness Ra of 0.3 µm or less, the bonding material 30 adhering to the flat surface 12 can be easily removed.

왜냐하면, 평탄면(12)의 표면 조도 Ra를 0.3㎛ 이하로 함으로써, 평탄면(12) 표면에서의 투묘 효과(앵커 효과)를 저감시킬 수 있어, 평탄면(12)에 대한 접합재(30)의 부착력을 저감시킬 수 있기 때문이다.Because, by setting the surface roughness Ra of the flat surface 12 to 0.3 µm or less, the anchoring effect (anchor effect) on the surface of the flat surface 12 can be reduced, and the bonding material 30 to the flat surface 12 is This is because the adhesive force can be reduced.

즉, 실시 형태에서는, 기재(20)에 가장 가까운 부분의 간격 Lb보다 기재(20)에 가장 먼 부분의 간격 Lt 쪽을 크게 함과 함께, 평탄면(12)의 표면 조도 Ra를 0.3㎛ 이하로 함으로써, 분할부(40)에서 대향하는 타깃재(10)의 측면(11)에 대한 접합재(30)의 부착 상태를 용이하게 확인할 수 있고, 또한 분할부(40)에서 대향하는 타깃재(10)의 측면(11)에 부착되어 있는 접합재(30)를 용이하게 제거할 수 있다. 따라서, 실시 형태에 의한 분할 스퍼터링 타깃(1)을 사용하면, 스퍼터링 성막을 장기간 안정적으로 실시할 수 있다.That is, in embodiment, while making the space|interval Lt of the part furthest to the base material 20 larger than the space|interval Lb of the part closest to the base material 20, the surface roughness Ra of the flat surface 12 is set to 0.3 micrometer or less. By doing so, the attachment state of the bonding material 30 to the side surface 11 of the target material 10 which opposes in the division part 40 can be confirmed easily, and the target material 10 which opposes in the division part 40 further The bonding material 30 attached to the side surface 11 of the can be easily removed. Therefore, if the division|segmentation sputtering target 1 by embodiment is used, sputtering film-forming can be performed stably for a long period of time.

또한, 분할부(40)에 있어서, 기재(20)에 가장 먼 부분의 간격 Lt와, 기재(20)에 가장 가까운 부분의 간격 Lb의 차는, 0.1㎜ 이상인 것이 바람직하다. 이에 의해, 평탄면(12)끼리에 의해 형성되는 간극은, 상방을 향해 끝으로 갈수록 더 넓어지는 형상이 된다는 점에서, 분할부(40)에서 대향하는 타깃재(10)의 측면(11)에 대한 접합재(30)의 부착 상태를 더욱 용이하게 확인할 수 있다.Moreover, in the division|segmentation part 40, it is preferable that the difference between the space|interval Lt of the part furthest to the base material 20, and the space|interval Lb of the part closest to the base material 20 is 0.1 mm or more. Thereby, since the gap formed by the flat surfaces 12 comrades has a shape that becomes wider toward the top toward the end, it is in the side surface 11 of the target material 10 opposing in the division part 40. It is possible to more easily check the state of attachment of the bonding material 30 to each other.

또한, 기재(20)에 가장 먼 부분의 간격 Lt와, 기재(20)에 가장 가까운 부분의 간격 Lb의 차는, 0.2㎜ 이상이면 보다 바람직하고, 0.3㎜ 이상이면 더욱 바람직하다.Moreover, the difference between the space|interval Lt of the part furthest to the base material 20 and the space|interval Lb of the part closest to the base material 20 is more preferable in it being 0.2 mm or more, and still more preferable in it being 0.3 mm or more.

또한, 분할부(40)에 있어서, 기재(20)에 가장 먼 부분의 간격 Lt는, 0.2㎜ 이상 0.7㎜ 이하이면 되고, 0.3㎜ 이상 0.6㎜ 이하이면 더 좋다. 또한, 기재(20)에 가장 가까운 부분의 간격 Lb는, 0.1㎜ 이상 0.5㎜ 이하이면 되고, 0.1㎜ 이상 0.3㎜ 이하이면 더 좋다.Moreover, in the division|segmentation part 40, the space|interval Lt of the part furthest from the base material 20 may just be 0.2 mm or more and 0.7 mm or less, and it is better if it is 0.3 mm or more and 0.6 mm or less. In addition, the space|interval Lb of the part closest to the base material 20 may just be 0.1 mm or more and 0.5 mm or less, and it is more preferable in it being 0.1 mm or more and 0.3 mm or less.

간격 Lt 및 간격 Lb를 상기한 간격으로 설정함으로써, 상방으로부터의 측면(11)(평탄면(12))의 시인성을 확보함과 함께, 분할부(40)로부터 상방으로 노출되는 접합재(30)의 면적을 저감시킬 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따르면, 분할 스퍼터링 타깃(1)을 스퍼터링 성막할 때, 분할부(40)로부터 노출되는 접합재(30)가 불순물로 되는 것을 억제할 수 있다.By setting the interval Lt and the interval Lb to the above intervals, the visibility of the side surface 11 (flat surface 12) from above is ensured, and the bonding material 30 exposed upward from the dividing portion 40 is area can be reduced. Therefore, according to embodiment, when sputtering film-forming the division|segmentation sputtering target 1, it can suppress that the bonding material 30 exposed from the division|segmentation part 40 turns into an impurity.

또한, 실시 형태에서는, 평탄면(12)을, 표면 조도 Ra를 0.3㎛ 이하로 가공함으로써, 상술한 바와 같이 평탄면(12)에서의 투묘 효과를 저감시킬 수 있다는 점에서, 평탄면(12)에 접합재(30)가 부착되는 것을 억제할 수 있다.Further, in the embodiment, by processing the flat surface 12 with a surface roughness Ra of 0.3 µm or less, the anchoring effect on the flat surface 12 can be reduced as described above, and the flat surface 12 is It is possible to suppress the bonding material 30 from adhering to the .

이에 의해, 스퍼터링 성막 시에 측면(11)(평탄면(12))에 부착된 접합재(30)에 기인하는 메탈 파티클의 발생을 억제할 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따르면, 분할 스퍼터링 타깃(1)에 의한 스퍼터링 성막을 안정적으로 실시할 수 있다.Thereby, generation|occurrence|production of the metal particle resulting from the bonding material 30 adhering to the side surface 11 (flat surface 12) at the time of sputtering film-forming can be suppressed. Therefore, according to embodiment, sputtering film-forming by the division|segmentation sputtering target 1 can be performed stably.

또한, 평탄면(12)의 표면 조도 Ra는, 0.1㎛ 이하이면 더 좋고, 0.001㎛ 이상 0.05㎛ 이하이면 더욱 좋다. 이와 같이, 평탄면(12)의 표면 조도 Ra를 보다 작게 함으로써, 평탄면(12)에 접합재(30)가 부착되는 것을 더욱 억제할 수 있다. 또한, 표면 조도 Ra를 0.001㎛ 이상으로 설정함으로써, 가공 비용의 상승을 억제할 수 있다는 점에서, 분할 스퍼터링 타깃(1)의 제조 비용의 상승을 억제할 수 있다.Moreover, the surface roughness Ra of the flat surface 12 is more preferable in it being 0.1 micrometer or less, and still more preferable in it being 0.001 micrometer or more and 0.05 micrometer or less. As described above, by making the surface roughness Ra of the flat surface 12 smaller, it is possible to further suppress adhesion of the bonding material 30 to the flat surface 12 . Moreover, by setting surface roughness Ra to 0.001 micrometer or more, the raise of the manufacturing cost of the division|segmentation sputtering target 1 can be suppressed from the point which can suppress an increase in processing cost.

또한, 실시 형태에서는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 측면(11)을 단면에서 본 경우, 평탄면(12)과, 기재(20)에 접합되는 타깃재(10)의 접합면(13)이 이루는 각도 θ가 90°보다 작으면 된다. 즉, 대향하는 양쪽의 평탄면(12)을 각각 상방으로부터 시인 가능한 방향으로 경사지게 하면 된다.In addition, in embodiment, as shown in FIG. 2, when the side surface 11 is seen in cross section, the flat surface 12 and the joint surface 13 of the target material 10 joined to the base material 20 are What is necessary is just to make the angle θ smaller than 90°. That is, what is necessary is just to incline the flat surfaces 12 of both sides which oppose, respectively in the direction recognizable from upper direction.

이에 의해, 평탄면(12)의 상단부(12a)에 형성되는 코너부를 둔각으로 할 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따르면, 상단부(12a)에 형성되는 코너부에 균열이 발생하기 어렵게 할 수 있다는 점에서, 분할 스퍼터링 타깃(1)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Thereby, the corner part formed in the upper end part 12a of the flat surface 12 can be made into an obtuse angle. Therefore, according to the embodiment, the reliability of the divided sputtering target 1 can be improved in that it can be made difficult to generate cracks in the corner portion formed in the upper end portion 12a.

또한, 평탄면(12)의 상단부(12a)에 형성되는 코너부를 둔각으로 함으로써, 스퍼터링 성막 시에, 이러한 코너부로부터 발생하는 아킹 현상을 억제할 수 있다. 왜냐하면, 이러한 아킹 현상은, 스퍼터링 성막 시, 타깃재(10)의 코너부에서 전하가 집중됨으로써 발생하는데, 이러한 코너부를 둔각으로 함으로써, 전하의 집중을 억제할 수 있기 때문이다. 따라서, 실시 형태에 따르면, 분할 스퍼터링 타깃(1)에 의한 스퍼터링 성막을 안정적으로 실시할 수 있다.Moreover, by making the corner part formed in the upper end part 12a of the flat surface 12 into an obtuse angle, the arcing phenomenon which generate|occur|produces from such a corner part at the time of sputtering film-forming can be suppressed. This is because such an arcing phenomenon occurs when electric charges are concentrated at the corners of the target material 10 during sputtering film formation. Therefore, according to embodiment, sputtering film-forming by the division|segmentation sputtering target 1 can be performed stably.

또한, 대향하는 양쪽의 평탄면(12)에 있어서, 한쪽 평탄면(12)에 있어서의 각도 θ와, 다른 쪽 평탄면(12)에 있어서의 각도 θ는, 동일한 각도여도 되고 상이한 각도여도 된다.In addition, in both flat surfaces 12 which oppose, the angle (theta) in one flat surface 12 and the angle (theta) in the other flat surface 12 may be the same angle or different angles may be sufficient as them.

또한, 반드시 대향하는 양쪽의 평탄면(12)을 모두 경사지게 할 필요는 없다. 예를 들어, 도 3에 도시하는 바와 같이, 한쪽(도 3에 있어서의 좌측) 평탄면(12)만을 경사지게 함과 함께, 다른 쪽(도 3에 있어서의 우측) 평탄면(12)을 접합면(13)으로부터 대략 수직으로 기립하도록 형성해도 된다. 도 3은 실시 형태의 변형예 1에 관한 분할부(40)의 단면 형상을 도시하는 확대 단면도이다.In addition, it is not necessarily necessary to incline both the flat surfaces 12 on both sides of the opposing side. For example, as shown in FIG. 3, while making only one (left side in FIG. 3) flat surface 12 incline, the other (right side in FIG. 3) flat surface 12 is a bonding surface. You may form so that it may stand up substantially perpendicularly|vertically from (13). 3 : is an enlarged sectional drawing which shows the cross-sectional shape of the division|segmentation part 40 which concerns on the modification 1 of embodiment.

도 3에 도시하는 바와 같은 단면 형상으로 분할부(40)를 구성한 경우라도, 평탄면(12)끼리에 의해 형성되는 간극은 비스듬히 상방을 향해 끝으로 갈수록 넓어지는 형상으로 형성되어 있다는 점에서, 실시 형태와 마찬가지로, 측면(11)(평탄면(12))의 시인을 용이하게 할 수 있다.Even when the divided portion 40 is configured in a cross-sectional shape as shown in Fig. 3, the gap formed by the flat surfaces 12 comrades is formed in a shape that becomes wider toward the end obliquely upward. Similar to the shape, the visibility of the side surface 11 (flat surface 12) can be facilitated.

도 4는, 실시 형태의 변형예 2에 관한 분할부(40)의 단면 형상을 도시하는 확대 단면도이다. 이러한 변형예 2에서는, 평탄면(12)과 접합면(13) 사이의 측면(11)에, 접합면(13)으로부터 수직으로 기립하는 수직면(14)이 형성되어 있다. 즉, 변형예 2에서는, 측면(11)이 상측의 평탄면(12)과 하측의 수직면(14)을 갖고, 이러한 평탄면(12)과 수직면(14) 사이에, 평탄면(12)의 하단부(12b)가 배치되어 있다.4 : is an enlarged sectional view which shows the cross-sectional shape of the division|segmentation part 40 which concerns on the modification 2 of embodiment. In this modified example 2, the vertical surface 14 which stands perpendicularly|vertically from the bonding surface 13 is formed in the side surface 11 between the flat surface 12 and the bonding surface 13. As shown in FIG. That is, in the second modification, the side surface 11 has an upper flat surface 12 and a lower vertical surface 14 , and between the flat surface 12 and the vertical surface 14 , the lower end of the flat surface 12 . (12b) is arranged.

이러한 변형예 2에서도, 평탄면(12)의 하단부(12b)끼리의 간격 Lb보다 상단부(12a)끼리의 간격 Lt 쪽을 크게 함으로써, 분할부(40)에서 대향하는 타깃재(10)의 측면(11)에 대한 접합재(30)의 부착 상태를 용이하게 확인할 수 있다.Also in this modified example 2, by making the space|interval Lt side between upper end parts 12a comrades larger than the space|interval Lb between lower end parts 12b of the flat surface 12, the side surface of the target material 10 which opposes in the division part 40 ( 11), the attachment state of the bonding material 30 can be easily confirmed.

또한, 변형예 2에서는, 타깃재(10)의 두께 Ta에 대한 수직면(14)의 높이 Tp의 비율을 0.2 이하로 하면 된다. 이에 의해, 평탄면(12)끼리에 의해 형성되는 끝으로 갈수록 넓어지는 형상의 간극의 크기를, 수직면(14)을 시인할 수 있을 정도로 충분히 확보할 수 있다.In addition, in the modification 2, what is necessary is just to make the ratio of the height Tp of the perpendicular|vertical surface 14 with respect to thickness Ta of the target material 10 0.2 or less. Thereby, the size of the gap of the shape that is widened toward the end formed by the flat surfaces 12 comrades can be sufficiently secured to the extent that the vertical surface 14 can be visually recognized.

또한, 변형예 2에 있어서, 수직면(14)과 접합면(13)은 반드시 수직일 필요는 없고, 수직면(14)과 접합면(13)이 이루는 각도가 90°±3°의 범위 내이면 된다.In addition, in the second modification, the vertical surface 14 and the bonding surface 13 do not necessarily have to be perpendicular, and the angle between the vertical surface 14 and the bonding surface 13 may be within the range of 90°±3°. .

도 5는, 실시 형태의 변형예 3에 관한 분할부(40)의 단면 형상을 도시하는 확대 단면도이다. 이러한 변형예 3에서는, 평탄면(12)과 스퍼터면(15) 사이의 측면(11)에, 모따기부(16)가 형성되어 있다. 즉, 변형예 3에서는, 측면(11)이 하측의 평탄면(12)과 상측의 모따기부(16)를 갖고, 이러한 평탄면(12)과 모따기부(16) 사이에, 평탄면(12)의 상단부(12a)가 배치되어 있다.5 : is an enlarged cross-sectional view which shows the cross-sectional shape of the division part 40 which concerns on the 3rd modified example of embodiment. In this modified example 3, the chamfer 16 is formed in the side surface 11 between the flat surface 12 and the sputtering surface 15. As shown in FIG. That is, in the third modified example, the side surface 11 has a lower flat surface 12 and an upper chamfered portion 16, and between the flat surface 12 and the chamfered portion 16, the flat surface 12 is of the upper end 12a is disposed.

이러한 변형예 3에서도, 평탄면(12)의 하단부(12b)끼리의 간격 Lb보다 상단부(12a)끼리의 간격 Lt 쪽을 크게 함으로써, 분할부(40)에서 대향하는 타깃재(10)의 측면(11)에 대한 접합재(30)의 부착 상태를 용이하게 확인할 수 있다.Also in this modified example 3, the side surface of the target material 10 which opposes in the division|segmentation part 40 by making the space|interval Lt side between upper end parts 12a comrades larger than the space|interval Lb between lower end parts 12b of the flat surface 12 ( 11), the attachment state of the bonding material 30 can be easily confirmed.

또한, 변형예 3에서는, 평탄면(12)의 상측에 모따기부(16)를 형성함으로써, 평탄면(12)의 상단부(12a)에 형성되는 코너부를 더욱 둔각으로 할 수 있다. 따라서, 변형예 3에 의하면, 상단부(12a)에 형성되는 코너부에 균열이 더욱 발생하기 어렵게 할 수 있다. 또한, 스퍼터링 성막 시에, 이러한 코너부로부터 발생하는 아킹 현상을 더욱 억제할 수 있다.Further, in the third modification, by forming the chamfer 16 on the upper side of the flat surface 12 , the corner portion formed in the upper end 12a of the flat surface 12 can be further made obtuse. Therefore, according to the third modified example, it is possible to make it more difficult to generate cracks in the corner portion formed in the upper end portion 12a. Moreover, the arcing phenomenon which arises from such a corner part at the time of sputtering film-forming can further be suppressed.

또한, 변형예 2에 나타낸 수직면(14)과, 변형예 3에 나타낸 모따기부(16)를 모두 타깃재(10)의 측면(11)에 형성해도 된다. 즉, 측면(11)을 상방으로부터 차례로 모따기부(16), 평탄면(12), 수직면(14)으로 되도록 형성해도 된다. 또한, 이 경우, 모따기부(16)와 평탄면(12) 사이에 평탄면(12)의 상단부(12a)가 배치되고, 수직면(14)과 평탄면(12) 사이에 평탄면(12)의 하단부(12b)가 배치된다.Moreover, you may form both the vertical surface 14 shown in the modified example 2, and the chamfer 16 shown in the 3rd modified example in the side surface 11 of the target material 10. As shown in FIG. That is, you may form so that the side surface 11 may become the chamfer 16, the flat surface 12, and the vertical surface 14 sequentially from upper direction. Further, in this case, the upper end 12a of the flat surface 12 is disposed between the chamfered portion 16 and the flat surface 12 , and the flat surface 12 is disposed between the vertical surface 14 and the flat surface 12 . The lower end 12b is disposed.

지금까지 설명한 실시 형태 및 변형예에서는, 타깃재(10)에 형성되는 분할부(40)의 적어도 일부에, 상술한 평탄면(12)을 형성하면 된다. 이에 의해, 이러한 평탄면(12)을 형성한 분할부(40)에 있어서, 측면(11)에 대한 접합재(30)의 부착 상태를 용이하게 확인할 수 있다.What is necessary is just to form the above-mentioned flat surface 12 in at least one part of the division|segmentation part 40 formed in the target material 10 in embodiment and the modified example demonstrated so far. Thereby, in the divided part 40 in which the flat surface 12 was formed, the attachment state of the bonding material 30 to the side surface 11 can be confirmed easily.

또한, 타깃재(10)에 형성되는 분할부(40) 전부에, 상술한 평탄면(12)을 형성하면 더욱 좋다. 이에 의해, 타깃재(10)의 분할부(40) 전부에 있어서, 측면(11)에 대한 접합재(30)의 부착 상태를 용이하게 확인할 수 있고, 또한 분할부(40) 전부에 있어서, 측면(11)에 부착되어 있는 접합재(30)를 용이하게 제거할 수 있다.Moreover, it is better if the above-mentioned flat surface 12 is formed in all the division|segmentation parts 40 formed in the target material 10. As shown in FIG. Thereby, in all the division|segmentation part 40 of the target material 10, the attachment state of the bonding material 30 with respect to the side surface 11 can be confirmed easily, Moreover, in all division|segmentation part 40, the side surface ( The bonding material 30 attached to 11) can be easily removed.

또한, 타깃재(10)에 형성되는 분할부(40)에서 대향하는 평탄면(12) 전부를, 각각 상방으로부터 시인 가능한 방향으로 경사지게 하면 된다. 이에 의해, 모든 평탄면(12)의 상단부(12a)에 형성되는 코너부를 둔각으로 할 수 있어, 타깃재(10)의 분할부(40) 전부에 있어서, 상단부(12a)에 형성되는 코너부에 균열이 발생하기 어렵게 할 수 있다는 점에서, 분할 스퍼터링 타깃(1)의 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.Moreover, what is necessary is just to incline all the flat surfaces 12 opposing in the division|segmentation part 40 formed in the target material 10 in the direction visually visible from upper direction, respectively. Thereby, the corner part formed in the upper end part 12a of all the flat surfaces 12 can be made into an obtuse angle, In all the division|segmentation parts 40 of the target material 10, WHEREIN: In the corner part formed in the upper end part 12a The reliability of the divided sputtering target 1 can be further improved in that it can be made difficult to generate|occur|produce a crack.

또한, 스퍼터링 성막 시의 아킹 현상을 더욱 억제할 수 있다는 점에서, 분할 스퍼터링 타깃(1)에 의한 스퍼터링 성막을 더욱 안정적으로 실시할 수 있다.Moreover, since the arcing phenomenon at the time of sputtering film-forming can further suppress, sputtering film-forming by the division|segmentation sputtering target 1 can be performed more stably.

실시예Example

[실시예 1][Example 1]

BET(Brunauer-Emmett-Teller)법에 의해 측정된 비표면적(BET 비표면적)이 5㎡/g인 SnO2 분말 10질량％와, BET 비표면적이 5㎡/g인 In2O3 분말 90질량％를 배합하고, 포트 내에서 지르코니아 볼에 의해 볼 밀 혼합하여, 원료 분말을 조제하였다.10% by mass of SnO 2 powder having a specific surface area (BET specific surface area) of 5 m 2 /g, and 90 mass of In 2 O 3 powder having a BET specific surface area of 5 m 2 /g, measured by the Brunauer-Emmett-Teller (BET) method % was blended, and ball mill mixing was performed with zirconia balls in a pot to prepare a raw material powder.

이 포트에, 원료 분말 100질량％에 대해 0.3질량％의 아크릴 에멀젼 바인더와, 0.5질량％의 폴리카르복실산 암모늄과, 20질량％의 물을 각각 첨가하고, 볼 밀 혼합하여 슬러리를 조제하였다. 다음으로, 조제된 슬러리를, 필터를 끼운 금속제의 형에 흘려 넣고, 배수하여 성형체를 얻었다.To this pot, 0.3 mass % of an acrylic emulsion binder, 0.5 mass % of ammonium polycarboxylate, and 20 mass % of water were added with respect to 100 mass % of raw material powder, respectively, and it ball mill-mixed, and prepared the slurry. Next, the prepared slurry was poured into a metal mold fitted with a filter, and drained to obtain a molded body.

이 성형체를 상온으로부터의 승온 속도 300℃/h로 1600℃까지 가열하고, 12시간 유지한 후, 강온 속도 50℃/h로 냉각함으로써 성형체의 소성을 행하여, 소성체를 제작하였다. 또한, 이러한 소성체를 소정의 사이즈로 절단하였다.The molded body was heated to 1600°C at a temperature increase rate of 300°C/h from room temperature, held for 12 hours, and then cooled at a temperature-fall rate of 50°C/h to bake the molded body, thereby producing a fired body. In addition, this fired body was cut to a predetermined size.

얻어진 소성체를 연삭 가공하여, 두께 8㎜의 ITO 타깃재(10)를 2매 얻었다. 양 타깃재(10)의 측면을 절단하고, θ＝89.6°의 경사를 갖는 측면(11)을 마련하였다. 다음으로, 양 타깃재(10)의 측면(11)을 미츠이 겐사쿠 도이시 가부시키가이샤 제조의 #1000의 지석으로 연삭하고, 또한 가부시키가이샤 노리타케 컴퍼니 리미티드 제조 다이아몬드 연마 패드 #5000으로 표면 조도 Ra가 0.02㎛ 이하로 되도록 연마하여, 평탄면(12)을 형성하였다. 표면 조도 Ra는 가부시키가이샤 미츠토요 제조 표면 조도 측정기를 사용하여 측정하였다.The obtained sintered body was grind-processed, and the ITO target material 10 of thickness 8mm was obtained 2 sheets. The side surfaces of both target materials 10 were cut|disconnected, and the side surface 11 which has the inclination of (theta)=89.6 degrees was provided. Next, the side surfaces 11 of both target materials 10 were ground with a #1000 grindstone manufactured by Mitsui Gensaku Doishi Co., Ltd., and surface roughened with diamond polishing pad #5000 manufactured by Noritake Company Limited. The flat surface 12 was formed by grinding so that Ra was 0.02 mu m or less. The surface roughness Ra was measured using the surface roughness measuring instrument manufactured by Mitsutoyo Corporation.

다음으로, 얻어진 2매의 타깃재(10)를, 구리제의 기재(20)에 나열하여 접합하여, 분할 스퍼터링 타깃(1)을 얻었다. 또한, 이러한 접합재(30)에는 인듐을 사용하여, 기재(20)에 가장 먼 부분의 간격 Lt가 0.2㎜가 되고, 기재(20)에 가장 가까운 부분의 간격 Lb가 0.1㎜가 되도록(즉, Lt－Lb＝0.1㎜) 기재(20) 상에 나열하여 배치하였다.Next, the target material 10 of 2 obtained sheets was lined up and joined to the base material 20 made from copper, and the division|segmentation sputtering target 1 was obtained. In addition, indium is used for the bonding material 30 so that the distance Lt of the portion furthest to the base material 20 is 0.2 mm, and the distance Lb of the portion closest to the base material 20 is 0.1 mm (that is, Lt -Lb = 0.1 mm) It arrange|positioned on the base material 20 and arrange|positioned.

[실시예 2∼33][Examples 2-33]

실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 ITO 타깃재(10)를 2매 얻었다. 양 타깃재(10)의, 평탄면(12)과 접합면(13)의 각도 θ, 및 평탄면(12)의 표면 조도 Ra가 표 1의 수치가 되도록 가공하였다. 또한, 양 타깃재(10)를, 기재(20)에 가장 먼 부분의 간격 Lt 및 기재(20)에 가장 가까운 부분의 간격 Lb, 또한 Lt－Lb가 표 1의 수치가 되도록 기재(20) 상에 나열하여 접합하여, 분할 스퍼터링 타깃(1)을 얻었다.Two ITO target materials 10 were obtained by the method similar to Example 1. It processed so that the angle (theta) of the flat surface 12 and the bonding surface 13 of both target materials 10, and surface roughness Ra of the flat surface 12 might become the numerical value of Table 1. Moreover, both target materials 10 are placed on the base material 20 so that the space|interval Lt of the part furthest to the base material 20, the space|interval Lb of the part closest to the base material 20, and Lt-Lb may become the numerical values of Table 1. It was lined up and joined, and the division|segmentation sputtering target 1 was obtained.

[비교예 1][Comparative Example 1]

실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 ITO 타깃재(10)를 2매 얻었다. 양 타깃재(10)의, 평탄면(12)과 접합면(13)의 각도 θ＝90°, 및 평탄면(12)의 표면 조도 Ra가 0.02㎛ 이하가 되도록 가공하였다. 또한, 양 타깃재(10)를 기재(20)에 가장 먼 부분의 간격 Lt가 0.5㎜가 되고, 기재(20)에 가장 가까운 부분의 간격 Lb가 0.5㎜가 되도록(즉, Lt－Lb는 제로) 기재(20) 상에 나열하여 접합하여, 분할 스퍼터링 타깃(1)을 얻었다.Two ITO target materials 10 were obtained by the method similar to Example 1. It processed so that the angle (theta)=90 degree of the flat surface 12 and the bonding surface 13 of both target materials 10, and surface roughness Ra of the flat surface 12 might be set to 0.02 micrometer or less. Moreover, so that the space|interval Lt of the part furthest from the base material 20 of both target materials 10 becomes 0.5 mm, and the space|interval Lb of the part closest to the base material 20 becomes 0.5 mm (namely, Lt-Lb is zero) ) It was lined up and joined on the base material 20, and the division|segmentation sputtering target 1 was obtained.

[비교예 2][Comparative Example 2]

실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 ITO 타깃재(10)를 2매 얻었다. 양 타깃재(10)의, 평탄면(12)과 접합면(13)의 각도 θ가 표 1의 수치가 되도록, 또한 평탄면(12)의 표면 조도 Ra가 0.4㎛가 되도록 가공하였다. 또한, 양 타깃재(10)를, 기재(20)에 가장 먼 부분의 간격 Lt 및 기재(20)에 가장 가까운 부분의 간격 Lb, 또한 Lt－Lb가 표 1의 수치가 되도록 기재(20) 상에 나열하여 접합하여, 분할 스퍼터링 타깃(1)을 얻었다.Two ITO target materials 10 were obtained by the method similar to Example 1. It was processed so that the angle (theta) of the flat surface 12 and the joint surface 13 of both target materials 10 might be set to the numerical value of Table 1, and surface roughness Ra of the flat surface 12 might be set to 0.4 micrometer. Moreover, both target materials 10 are placed on the base material 20 so that the space|interval Lt of the part furthest to the base material 20, the space|interval Lb of the part closest to the base material 20, and Lt-Lb may become the numerical values of Table 1. It was lined up and joined, and the division|segmentation sputtering target 1 was obtained.

계속해서, 상기에서 얻어진 실시예 1∼33 및 비교예 1, 2의 분할 스퍼터링 타깃(1)에 있어서의 분할부(40)의 시인성을 눈으로 보고 평가하였다. 평가 기준은 다음과 같다.Then, the visibility of the division|segmentation part 40 in Examples 1-33 obtained above and the division|segmentation sputtering target 1 of Comparative Examples 1 and 2 was visually evaluated. The evaluation criteria are as follows.

◎: 시인성이 매우 좋다◎: Very good visibility

○: 시인성이 좋다○: good visibility

△: 시인성이 약간 나쁘다△: Visibility is slightly poor

×: 시인성이 나쁘다x: visibility is bad

계속해서, 실시예 1∼33 및 비교예 1, 2의 분할 스퍼터링 타깃(1)에 대해, 분할부(40)의 측면(11)에 부착된 인듐의 제거 작업을 행하였다. 이러한 제거 작업은, 분할부(40)를 눈으로 확인하면서, 인듐이 부착되었다고 확인된 개소에 대해 금속제의 주걱을 사용하여 행하였다.Then, with respect to the division|segmentation sputtering target 1 of Examples 1-33 and Comparative Examples 1 and 2, the removal operation|work of the indium adhering to the side surface 11 of the division|segmentation part 40 was performed. This removal operation was performed using the metal spatula with respect to the location confirmed that indium had adhered, visually confirming the division|segmentation part 40.

계속해서, 실시예 1∼33 및 비교예 1, 2의 분할 스퍼터링 타깃(1)으로부터, 2매의 타깃재(10)를 박리하여, 측면(11)에 대해 인듐이 어느 정도 부착되어 있는지를 눈으로 보고 평가하였다. 평가 기준은 다음과 같다.Then, from the division|segmentation sputtering target 1 of Examples 1-33 and Comparative Examples 1 and 2, the target material 10 of 2 sheets is peeled, and how much indium adheres with respect to the side surface 11 is observed. reported and evaluated. The evaluation criteria are as follows.

◎: In 부착 없음◎: No In Attachment

○: 약간의 In 부착 있음○: There is some In adhesion

△: 소량의 In 부착 있음△: There is a small amount of In adhesion

×: 다량의 In 부착 있음×: A large amount of In is attached

상술한 실시예 1∼33 및 비교예 1, 2에 있어서의, 타깃재(10)의 두께 Ta와, 기재(20)에 가장 먼 부분의 간격 Lt와, 기재(20)에 가장 가까운 부분의 간격 Lb와, Lt－Lb와, 타깃 1 및 타깃 2에 있어서의 평탄면(12)과 접합면(13)의 각도 θ와, 분할부(40)에 대한 시인성의 평가 결과와, 측면(11)에 대한 인듐의 부착량의 평가 결과를 표 1에 나타낸다.In Examples 1-33 and Comparative Examples 1 and 2 mentioned above, thickness Ta of the target material 10, the space|interval Lt of the part furthest to the base material 20, and the space|interval of the part closest to the base material 20 Lb, Lt-Lb, the angle θ of the flat surface 12 and the joint surface 13 in the target 1 and the target 2, the evaluation result of the visibility with respect to the division part 40, and the side surface 11 Table 1 shows the evaluation result of the adhesion amount of indium to.

Figure 112019097496908-pct00001
Figure 112019097496908-pct00001

분할부(40)에 있어서 간격 Lb와 간격 Lt가 동일한 비교예 1과, 분할부(40)에 있어서 간격 Lb보다 간격 Lt 쪽이 큰 실시예 1∼33의 비교로부터, 간격 Lb보다 간격 Lt 쪽을 크게함으로써 분할부(40)의 시인성을 향상시킬 수 있다.From the comparison of Comparative Example 1 in which the interval Lb and the interval Lt in the dividing section 40 are the same, and in Examples 1-33 in which the interval Lt is larger than the interval Lb in the dividing section 40, the interval Lt is smaller than the interval Lb. By enlarging it, the visibility of the division|segmentation part 40 can be improved.

또한, 평탄면(12)의 표면 조도 Ra가 0.3㎛보다 큰 비교예 2와, 평탄면(12)의 표면 조도 Ra가 0.3㎛ 이하인 실시예 1∼33의 비교로부터, 평탄면(12)의 표면 조도 Ra를 0.3㎛ 이하로 함으로써, 분할부(40)에서 대향하는 타깃재(10)의 측면(11)에 부착되어 있는 접합재(30)(인듐)를 용이하게 제거할 수 있다.Further, from the comparison of Comparative Example 2 in which the surface roughness Ra of the flat surface 12 is greater than 0.3 µm and Examples 1-33 in which the surface roughness Ra of the flat surface 12 is 0.3 µm or less, the surface of the flat surface 12 is By making roughness Ra into 0.3 micrometer or less, the bonding material 30 (indium) adhering to the side surface 11 of the target material 10 opposing in the division|segmentation part 40 can be removed easily.

또한, 비교예 1은, 평탄면(12)의 표면 조도 Ra는 0.3㎛ 이하였지만, 분할부(40)의 시인성이 나쁘다는 점에서, 측면(11)에 부착된 접합재(30)(인듐)를 확인하는 것이 곤란하였다. 이에 의해, 접합재(30)를 용이하게 제거할 수 없어, 측면(11)에 다량의 접합재(30)가 부착되어 있었다.In Comparative Example 1, the surface roughness Ra of the flat surface 12 was 0.3 µm or less, but since the visibility of the divided portion 40 was poor, the bonding material 30 (indium) attached to the side surface 11 was removed. It was difficult to confirm. Accordingly, the bonding material 30 could not be easily removed, and a large amount of the bonding material 30 was adhered to the side surface 11 .

이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명하였지만, 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 그 취지를 일탈하지 않는 한에 있어서 다양한 변경이 가능하다. 예를 들어, 실시 형태에서는 평판 형상의 분할 스퍼터링 타깃에 대해 기재하였지만, 원통 형상의 분할 스퍼터링 타깃에 대해 상술한 실시 형태의 기술을 적용해도 된다.As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to embodiment mentioned above, Unless it deviates from the meaning, various changes are possible. For example, in embodiment, although it described about the flat-plate-shaped division|segmentation sputtering target, you may apply the technique of embodiment mentioned above with respect to the cylindrical division|segmentation sputtering target.

이상과 같이, 실시 형태에 관한 분할 스퍼터링 타깃(1)은, 복수의 타깃재(10)를 기재(20)에 접합하여 형성되는 분할 스퍼터링 타깃(1)이며, 복수의 타깃재(10)가 간격을 두고 배치됨으로써 형성되는 분할부(40) 중 적어도 일부의 분할부(40)에 배치되는 한 쌍의 타깃재(10)의 측면(11)의 적어도 일부에는 각각 평탄면(12)이 형성된다. 그리고 분할부(40)에서 대향하는 평탄면(12)끼리의 간격은, 기재(20)에 가장 가까운 부분의 간격 Lb보다 기재(20)에 가장 먼 부분의 간격 Lt 쪽이 크고, 평탄면(12)의 표면 조도 Ra가 0.3㎛ 이하이다. 이에 의해, 분할부(40)에서 대향하는 타깃재(10)의 측면(11)에 대한 접합재(30)의 부착 상태를 용이하게 확인할 수 있고, 또한 분할부(40)에서 대향하는 타깃재(10)의 측면(11)에 부착되어 있는 접합재(30)를 용이하게 제거할 수 있다.As mentioned above, the division|segmentation sputtering target 1 which concerns on embodiment is the division|segmentation sputtering target 1 formed by bonding the some target material 10 to the base material 20, The some target material 10 is a space|interval A flat surface 12 is respectively formed on at least a portion of the side surface 11 of the pair of target materials 10 disposed in the division portion 40 of at least a portion of the division portion 40 formed by being disposed. And the distance between the flat surfaces 12 opposing in the division part 40 is larger than the space|interval Lb of the part closest to the base material 20, the space|interval Lt of the part furthest to the base material 20 is larger, and the flat surface 12 ) has a surface roughness Ra of 0.3 µm or less. Thereby, the attachment state of the bonding material 30 with respect to the side surface 11 of the target material 10 which opposes in the division part 40 can be confirmed easily, and the target material 10 which opposes in the division part 40 further ), the bonding material 30 attached to the side surface 11 can be easily removed.

또한, 실시 형태에 관한 분할 스퍼터링 타깃(1)에 있어서, 평탄면(12)끼리에 의해 형성되는 기재(20)에 가장 먼 부분의 간격 Lt와, 평탄면(12)끼리에 의해 형성되는 기재(20)에 가장 가까운 부분의 간격 Lb의 차가 0.1㎜ 이상이다. 이에 의해, 분할부(40)에서 대향하는 타깃재(10)의 측면(11)에 대한 접합재(30)의 부착 상태를 더욱 용이하게 확인할 수 있다.Moreover, in the division|segmentation sputtering target 1 which concerns on embodiment, the space|interval Lt of the part furthest to the base material 20 formed by the flat surfaces 12 comrades, and the base material formed by the flat surfaces 12 comrades ( 20), the difference in the distance Lb between the parts closest to it is 0.1 mm or more. Thereby, the attachment state of the bonding material 30 with respect to the side surface 11 of the target material 10 opposing in the division|segmentation part 40 can be confirmed more easily.

또한, 실시 형태에 관한 분할 스퍼터링 타깃(1)에 있어서, 측면(11)에는, 평탄면(12)과 기재(20)에 접합되는 접합면(13) 사이에, 접합면(13)으로부터 대략 수직으로 기립하는 수직면(14)이 더 형성되고, 타깃재(10)의 두께 Ta에 대한 수직면(14)의 높이 Tp의 비율이 0.2 이하이다. 이에 의해, 평탄면(12)끼리에 의해 형성되는 끝으로 갈수록 넓어지는 형상의 간극의 크기를, 수직면(14)을 시인할 수 있을 정도로 충분히 확보할 수 있다.Moreover, in the division sputtering target 1 which concerns on embodiment, in the side surface 11, between the bonding surface 13 joined to the flat surface 12 and the base material 20, substantially perpendicular|vertical from the bonding surface 13. The vertical surface 14 which stands by is further formed, and the ratio of the height Tp of the vertical surface 14 with respect to the thickness Ta of the target material 10 is 0.2 or less. Thereby, the size of the gap of the shape that is widened toward the end formed by the flat surfaces 12 comrades can be sufficiently secured to the extent that the vertical surface 14 can be visually recognized.

또한, 실시 형태에 관한 분할 스퍼터링 타깃(1)에 있어서, 평탄면(12)끼리에 의해 형성되는 기재(20)에 가장 먼 부분의 간격 Lt가 0.2㎜ 이상 0.7㎜ 이하이고, 평탄면(12)끼리에 의해 형성되는 기재(20)에 가장 가까운 부분의 간격 Lb가 0.1㎜ 이상 0.5㎜ 이하이다. 이에 의해, 분할 스퍼터링 타깃(1)을 스퍼터링 성막할 때, 분할부(40)로부터 노출되는 접합재(30)가 불순물로 되는 것을 억제할 수 있다.Moreover, in the division|segmentation sputtering target 1 which concerns on embodiment, the space|interval Lt of the part furthest to the base material 20 formed by the flat surfaces 12 comrades is 0.2 mm or more and 0.7 mm or less, and the flat surface 12 The space|interval Lb of the part closest to the base material 20 formed by each other is 0.1 mm or more and 0.5 mm or less. Thereby, when sputtering film-forming the division|segmentation sputtering target 1, it can suppress that the bonding material 30 exposed from the division|segmentation part 40 turns into an impurity.

또한, 실시 형태에 관한 분할 스퍼터링 타깃(1)에 있어서, 평탄면(12)끼리에 의해 형성되는 기재(20)에 가장 먼 부분의 간격 Lt가 0.3㎜ 이상 0.6㎜ 이하이고, 평탄면(12)끼리에 의해 형성되는 기재(20)에 가장 가까운 부분의 간격 Lb가 0.1㎜ 이상 0.3㎜ 이하이다. 이에 의해, 분할 스퍼터링 타깃(1)을 스퍼터링 성막할 때, 분할부(40)로부터 노출되는 접합재(30)가 불순물로 되는 것을 더욱 억제할 수 있다.Moreover, in the division|segmentation sputtering target 1 which concerns on embodiment, the space|interval Lt of the part furthest to the base material 20 formed by the flat surfaces 12 comrades is 0.3 mm or more and 0.6 mm or less, and the flat surface 12 The space|interval Lb of the part closest to the base material 20 formed by each other is 0.1 mm or more and 0.3 mm or less. Thereby, when sputtering film-forming of the division|segmentation sputtering target 1, it can further suppress that the bonding material 30 exposed from the division|segmentation part 40 becomes an impurity.

또한, 실시 형태에 관한 분할 스퍼터링 타깃(1)에 있어서, 평탄면(12)의 표면 조도 Ra가 0.1㎛ 이하이다. 이에 의해, 평탄면(12)에 접합재(30)가 부착되는 것을 더욱 억제할 수 있다.Moreover, in the division|segmentation sputtering target 1 which concerns on embodiment, surface roughness Ra of the flat surface 12 is 0.1 micrometer or less. Thereby, it is possible to further suppress adhesion of the bonding material 30 to the flat surface 12 .

또한, 실시 형태에 관한 분할 스퍼터링 타깃(1)에 있어서, 평탄면(12)의 표면 조도 Ra가 0.001㎛ 이상 0.05㎛ 이하이다. 이에 의해, 평탄면(12)에 접합재(30)가 부착되는 것을 더욱 억제할 수 있다.Moreover, in the division|segmentation sputtering target 1 which concerns on embodiment, surface roughness Ra of the flat surface 12 is 0.001 micrometer or more and 0.05 micrometer or less. Thereby, it is possible to further suppress adhesion of the bonding material 30 to the flat surface 12 .

또한, 실시 형태에 관한 분할 스퍼터링 타깃(1)에 있어서, 모든 분할부(40)에 배치되는 타깃재(10)의 측면(11)의 적어도 일부에는 평탄면(12)이 형성되고, 모든 분할부(40)에서 대향하는 평탄면(12)끼리의 간격은, 기재(20)에 가장 가까운 부분의 간격 Lb보다 기재(20)에 가장 먼 부분의 간격 Lt 쪽이 크고, 평탄면(12)의 표면 조도 Ra가 0.3㎛ 이하이다. 이에 의해, 타깃재(10)의 분할부(40) 전부에 있어서, 측면(11)에 대한 접합재(30)의 부착 상태를 용이하게 확인할 수 있고, 또한 타깃재(10)의 측면(11)에 부착되어 있는 접합재(30)를 용이하게 제거할 수 있다.Moreover, in the division|segmentation sputtering target 1 which concerns on embodiment, the flat surface 12 is formed in at least one part of the side surface 11 of the target material 10 arrange|positioned in all the division|segmentation parts 40, and all division|segmentation parts. In (40), the spacing between the opposing flat surfaces 12 is larger than the spacing Lb of the portion closest to the substrate 20, and the spacing Lt of the portion furthest to the substrate 20 is larger, and the surface of the flat surface 12 is Roughness Ra is 0.3 micrometer or less. Thereby, in all the division|segmentation parts 40 of the target material 10, the attachment state of the bonding material 30 with respect to the side surface 11 can be confirmed easily, and also on the side surface 11 of the target material 10. The attached bonding material 30 can be easily removed.

또한, 실시 형태에 관한 분할 스퍼터링 타깃(1)에 있어서, 모든 분할부(40)에 배치되는 타깃재(10)의 측면(11)의 적어도 일부에는 평탄면(12)이 형성되고, 모든 분할부(40)에 있어서, 평탄면(12)끼리에 의해 형성되는 기재(20)에 가장 먼 부분의 간격 Lt와, 평탄면(12)끼리에 의해 형성되는 기재(20)에 가장 가까운 부분의 간격 Lb의 차가 0.1㎜ 이상이다. 이에 의해, 타깃재(10)의 분할부(40) 전부에 있어서, 타깃재(10)의 측면(11)에 대한 접합재(30)의 부착 상태를 더욱 용이하게 확인할 수 있다.Moreover, in the division|segmentation sputtering target 1 which concerns on embodiment, the flat surface 12 is formed in at least one part of the side surface 11 of the target material 10 arrange|positioned in all the division|segmentation parts 40, and all division|segmentation parts. In (40), the space|interval Lt of the part furthest to the base material 20 formed by the flat surfaces 12 comrades, and the space|interval Lb of the part closest to the base material 20 formed by the flat surfaces 12 comrades. difference of 0.1 mm or more. Thereby, in all the division|segmentation parts 40 of the target material 10, the attachment state of the bonding material 30 with respect to the side surface 11 of the target material 10 can be confirmed still more easily.

더 한층의 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 양태는, 이상과 같이 나타내면서 기술한 특정한 상세 및 대표적인 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 첨부의 청구범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위로부터 일탈하는 일 없이, 다양한 변경이 가능하다.Further effects and modifications can be easily derived by those skilled in the art. For this reason, the more extensive aspect of this invention is not limited to the specific detail and typical embodiment which were described, showing as mentioned above. Accordingly, various modifications are possible without departing from the spirit or scope of the general inventive concept defined by the appended claims and their equivalents.

1 : 분할 스퍼터링 타깃
10 : 타깃재
11 : 측면
12 : 평탄면
12a : 상단부
12b : 하단부
13 : 접합면
14 : 수직면
15 : 스퍼터면
16 : 모따기부
20 : 기재
30 : 접합재
40 : 분할부
Lt, Lb : 간격
Ta : 두께
Tp : 높이1: Split sputtering target
10: target material
11: side
12: flat surface
12a: upper part
12b: lower part
13: joint surface
14: vertical plane
15: sputter surface
16: chamfer
20: description
30: bonding material
40: division
Lt, Lb: spacing
Ta: thickness
Tp: height

Claims (9)

복수의 타깃재를 기재에 접합하여 형성되는 분할 스퍼터링 타깃이며,
상기 복수의 타깃재가 간격을 두고 배치됨으로써 형성되는 분할부 중, 적어도 일부의 상기 분할부에 배치되는 한 쌍의 상기 타깃재의 측면의 적어도 일부에는 각각 평탄면이 형성되고,
상기 분할부에서 대향하는 상기 평탄면끼리의 간격은, 상기 기재에 가장 가까운 부분의 간격보다 상기 기재에 가장 먼 부분의 간격 쪽이 크고,
상기 평탄면의 표면 조도 Ra가 0.3㎛ 이하인
분할 스퍼터링 타깃.It is a split sputtering target formed by bonding a plurality of target materials to a substrate,
A flat surface is respectively formed on at least a portion of the side surfaces of the pair of target materials disposed in at least some of the divided portions formed by arranging the plurality of target materials at intervals,
The distance between the flat surfaces facing each other in the division part is larger than the distance between the part closest to the base material and the distance between the part furthest to the base material,
When the surface roughness Ra of the flat surface is 0.3 μm or less
Split sputtering target. 제1항에 있어서,
상기 평탄면끼리에 의해 형성되는 상기 기재에 가장 먼 부분의 간격과, 상기 평탄면끼리에 의해 형성되는 상기 기재에 가장 가까운 부분의 간격의 차가 0.1㎜ 이상인
분할 스퍼터링 타깃.According to claim 1,
The difference between the distance between the portion furthest to the substrate formed by the flat surfaces and the portion closest to the substrate formed by the flat surfaces is 0.1 mm or more
Split sputtering target. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 측면에는, 상기 평탄면과 상기 기재에 접합되는 접합면 사이에, 상기 접합면으로부터 90°± 3°로 기립하는 수직면이 더 형성되고,
상기 타깃재의 두께에 대한 상기 수직면의 높이의 비율이 0.2 이하인
분할 스퍼터링 타깃.3. The method of claim 1 or 2,
On the side surface, between the flat surface and the bonding surface bonded to the substrate, a vertical surface standing at 90 ° ± 3 ° from the bonding surface is further formed,
The ratio of the height of the vertical plane to the thickness of the target material is 0.2 or less
Split sputtering target. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 평탄면끼리에 의해 형성되는 상기 기재에 가장 먼 부분의 간격이 0.2㎜ 이상 0.7㎜ 이하이고,
상기 평탄면끼리에 의해 형성되는 상기 기재에 가장 가까운 부분의 간격이 0.1㎜ 이상 0.5㎜ 이하인
분할 스퍼터링 타깃.3. The method of claim 1 or 2,
The distance between the part furthest to the base material formed by the flat surfaces is 0.2 mm or more and 0.7 mm or less,
The distance between the portions closest to the substrate formed by the flat surfaces is 0.1 mm or more and 0.5 mm or less.
Split sputtering target. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 평탄면끼리에 의해 형성되는 상기 기재에 가장 먼 부분의 간격이 0.3㎜ 이상 0.6㎜ 이하이고,
상기 평탄면끼리에 의해 형성되는 상기 기재에 가장 가까운 부분의 간격이 0.1㎜ 이상 0.3㎜ 이하인
분할 스퍼터링 타깃.3. The method of claim 1 or 2,
The distance between the part furthest from the base material formed by the flat surfaces is 0.3 mm or more and 0.6 mm or less,
The distance between the portion closest to the substrate formed by the flat surfaces is 0.1 mm or more and 0.3 mm or less.
Split sputtering target. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 평탄면의 표면 조도 Ra가 0.1㎛ 이하인
분할 스퍼터링 타깃.3. The method of claim 1 or 2,
When the surface roughness Ra of the flat surface is 0.1 μm or less
Split sputtering target. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 평탄면의 표면 조도 Ra가 0.001㎛ 이상 0.05㎛ 이하인
분할 스퍼터링 타깃.3. The method of claim 1 or 2,
The surface roughness Ra of the flat surface is 0.001 μm or more and 0.05 μm or less
Split sputtering target. 제1항 또는 제2항에 있어서,
모든 상기 분할부에 배치되는 상기 타깃재의 상기 측면의 적어도 일부에는 상기 평탄면이 형성되고,
모든 상기 분할부에서 대향하는 상기 평탄면끼리의 간격은, 상기 기재에 가장 가까운 부분의 간격보다 상기 기재에 가장 먼 부분의 간격 쪽이 크고,
상기 평탄면의 표면 조도 Ra가 0.3㎛ 이하인
분할 스퍼터링 타깃.3. The method of claim 1 or 2,
The flat surface is formed on at least a portion of the side surface of the target material disposed in all the divided portions,
The distance between the flat surfaces facing each other in all the divided parts is larger than the distance between the part closest to the base material and the distance between the part furthest to the base material,
When the surface roughness Ra of the flat surface is 0.3 μm or less
Split sputtering target. 제1항 또는 제2항에 있어서,
모든 상기 분할부에 배치되는 상기 타깃재의 상기 측면의 적어도 일부에는 상기 평탄면이 형성되고,
모든 상기 분할부에 있어서, 상기 평탄면끼리에 의해 형성되는 상기 기재에 가장 먼 부분의 간격과, 상기 평탄면끼리에 의해 형성되는 상기 기재에 가장 가까운 부분의 간격의 차가 0.1㎜ 이상인
분할 스퍼터링 타깃.3. The method of claim 1 or 2,
The flat surface is formed on at least a portion of the side surface of the target material disposed in all the divided portions,
In all the divided portions, the difference between the distance between the portion furthest to the substrate formed by the flat surfaces and the portion closest to the substrate formed by the flat surfaces is 0.1 mm or more
Split sputtering target.
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