KR102385194B1 - 반도체설비용 파이프 정온 가열장치 - Google Patents

반도체설비용 파이프 정온 가열장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102385194B1
KR102385194B1 KR1020200077202A KR20200077202A KR102385194B1 KR 102385194 B1 KR102385194 B1 KR 102385194B1 KR 1020200077202 A KR1020200077202 A KR 1020200077202A KR 20200077202 A KR20200077202 A KR 20200077202A KR 102385194 B1 KR102385194 B1 KR 102385194B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
constant temperature
coupling body
temperature heating
pipe
heat loss
Prior art date
Application number
KR1020200077202A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210158633A (ko
Inventor
조영태
Original Assignee
전주대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 전주대학교 산학협력단 filed Critical 전주대학교 산학협력단
Priority to KR1020200077202A priority Critical patent/KR102385194B1/ko
Publication of KR20210158633A publication Critical patent/KR20210158633A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102385194B1 publication Critical patent/KR102385194B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16LPIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L53/00Heating of pipes or pipe systems; Cooling of pipes or pipe systems
    • F16L53/30Heating of pipes or pipe systems
    • F16L53/35Ohmic-resistance heating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Pipe Accessories (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)

Abstract

본 발명은 파이프(10)의 외경을 감싸도록 형성하는 결합몸체(110); 상기 결합몸체(110)의 외측에 형성하는 삽입부(120); 상기 삽입부(120)의 내측에 삽입하여 상기 결합몸체(110)를 일정온도로 가열하는 정온 가열부재(130); 상기 정온 가열부재(130)의 외측면에 선 접촉하여 열손실을 방지하는 열손실 방지부재(140); 상기 열손실 방지부재(140)를 밀착시켜 상기 결합몸체(110)의 외측에 고정하는 고정부재(150);를 포함하는 반도체설비용 파이프 정온 가열장치를 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 파이프를 일정온도로 가열하여 온도변화로 발생하는 파우더의 고착현상을 최소화할 수 있는 효과를 갖는다. 특히 본 발명은 열손실을 최소화하고 파이프로 열을 원활하게 전달할 수 있는 효과를 갖는다. 또한, 본 발명은 파우더의 고착을 최소화하여 스크러버의 처리성능을 향상시킬 수 있음은 물론 유지보수 비용을 절감할 수 있는 효과를 갖는다.

Description

반도체설비용 파이프 정온 가열장치{Pipe constant temperature heating device for semiconductor equipment}
본 발명은 반도체설비용 파이프 정온 가열장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 제조공정에서 사용하는 파이프의 내부에 파우더의 고착을 방지할 수 있도록 하는 반도체설비용 파이프 정온 가열장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조공정에서 발생하는 유해가스 및 파우더를 처리하기 위해서 스크러버(Scrubber)를 사용한다.
이러한 유해가스 및 파우더는 통상 100℃이상으로 실온에 설치한 파이프를 통과하면서 온도변화 및 화학반응으로 파이프의 내경에 고착되면서 이송효율을 저하시키는 문제를 갖게 되었다.
특히 파이프의 온도가 낮아 파우더가 가장 많이 고착하므로 스크러버의 처리성능 저하는 물론 유지보수 비용이 상승하는 문제를 갖게 되었다.
한국등록실용신안 제20-0217509호(2001.03.15.) 한국공개특허 제10-2002-0031823호(2002.05.03.) 한국등록특허 제10-124436호(2013.03.18.) 한국등록특허 제10-1320927호(2013.11.25.) 한국공개특허 제10-2014-0058859호(2014.05.15.) 한국공개특허 제10-2015-0024754호(2015.03.09.)
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제를 해결하기 위해 안출한 것으로서,
본 발명은 파이프를 가열하여 일정온도로 유지할 수 있으므로 파우더의 고착을 최소화할 수 있는 반도체설비용 파이프 정온 가열장치를 제공함에 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명 반도체설비용 파이프 정온 가열장치(100)는,
파이프(10)의 외경을 감싸도록 형성하는 결합몸체(110); 상기 결합몸체(110)의 외측에 형성하는 삽입부(120); 상기 삽입부(120)의 내측에 삽입하여 상기 결합몸체(110)를 일정온도로 가열하는 정온 가열부재(130); 상기 정온 가열부재(130)의 외측면에 선 접촉하여 열손실을 방지하는 열손실 방지부재(140); 상기 열손실 방지부재(140)를 밀착시켜 상기 결합몸체(110)의 외측에 고정하는 고정부재(150);를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 결합몸체(110)는 다수개로 분할하되 일단에 결합돌기(111)를 형성하고, 타단에 결합홈(112)을 형성하는 것을 특징으로 한다.
한편, 상기 삽입부(120)는 상기 결합몸체(110)의 외측에 길이방향을 따라서 형성하여 상기 정온 가열부재(130)의 고정위치를 조절할 수 있는 것을 특징으로 한다.
특히 상기 정온 가열부재(130)는 PTC소자 또는 면상발열체를 사용하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 열손실 방지부재(140)는 하부에 상기 정온 가열부재(130)의 표면과 선 접촉할 수 있도록 형성하는 돌출부(141);를 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 결합몸체(110)를 외측을 빙둘러 형성하는 단열재(160);를 포함하는 것을 특징으로 한다.
아울러 상기 단열재(160)의 외측을 빙둘러 형성하는 단열커버(170);를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 파이프를 일정온도로 가열하여 온도변화로 발생하는 파우더의 고착현상을 최소화할 수 있는 효과를 갖는다.
특히 본 발명은 열손실을 최소화하고 파이프로 열을 원활하게 전달할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 파우더의 고착을 최소화하여 스크러버의 처리성능을 향상시킬 수 있음은 물론 유지보수 비용을 절감할 수 있는 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명 반도체설비용 파이프 정온 가열장치의 실시예를 나타내기 위한 분리 사시도.
도 2는 본 발명 반도체설비용 파이프 정온 가열장치의 실시예를 나타내기 위한 단면도.
도 3은 본 발명 반도체설비용 파이프 정온 가열장치의 다른 실시예를 나타내기 위한 단면도.
상기한 바와 같이 본 발명의 구성을 첨부한 도면에 의해 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명 반도체설비용 파이프 정온 가열장치의 실시예를 나타내기 위한 분리 사시도이고, 도 2는 본 발명 반도체설비용 파이프 정온 가열장치의 실시예를 나타내기 위한 단면도이며, 도 3은 본 발명 반도체설비용 파이프 정온 가열장치의 다른 실시예를 나타내기 위한 단면도를 도시한 것이다.
본 발명은 파이프(10)의 외경을 감싸도록 형성하는 결합몸체(110); 상기 결합몸체(110)의 외측에 형성하는 삽입부(120); 상기 삽입부(120)의 내측에 삽입하여 상기 결합몸체(110)를 일정온도로 가열하는 정온 가열부재(130); 상기 정온 가열부재(130)의 외측면에 선 접촉하여 열손실을 방지하는 열손실 방지부재(140); 상기 열손실 방지부재(140)를 밀착시켜 상기 결합몸체(110)의 외측에 고정하는 고정부재(150);를 포함한다.
특히 상기 결합몸체(110)는 상기 파이프(10)의 외경을 빙둘러 감싸도록 형성한다.
여기서 상기 결합몸체(110)는 설치 및 유지보수의 용이성을 위해서 다수개로 분할하되 일단에 결합돌기(111)를 형성하고, 타단에 결합홈(112)을 형성하여 일측의 결합몸체(110)의 결합돌기(111)를 타측의 결합몸체(110)의 결합홈(112)에 끼워서 서로 결합할 수 있다.
아울러 상기 삽입부(120)는 상기 결합몸체(110)의 외측에 길이방향을 따라서 형성하여 상기 정온 가열부재(130)의 고정위치를 조절함으로써 상기 결합몸체(110)의 표면으로 원활하게 열 전달할 수 있다.
그리고 상기 정온 가열부재(130)는 PTC(Positive Temperature Coefficient)소자 또는 PET(Polyethylene Terephthalate)필름에 카본블랙이 도포되어 제조된 면상발열체를 사용할 수 있다.
또한, 상기 열손실 방지부재(140)는 상기 정온 가열부재(130)의 작동으로 발생하는 열이 상기 결합몸체(110)로 전달되지 않고 외부로 손실되는 현상을 방지하는 역할을 수행한다.
이때 상기 열손실 방지부재(140)는 스테인리스, 세라믹, 질석 등과 같이 열전도율이 낮은 재질로 형성할 수 있다.
여기서 상기 열손실 방지부재(140)는 일정두께를 갖는 판재형상으로 상기 정온 가열부재(130)의 표면과 선 접촉하여 열 손실을 최소화할 수 있도록 형성하는 돌출부(141);를 포함한다.
그리고 상기 고정부재(150)는 상기 열손실 방지부재(140)를 밀착시키기 위해서 일정넓이를 갖도록 형성하고 볼트 등을 이용하여 상기 결합몸체(110)의 외측에 고정할 수 있다.
아울러 도 3에 도시한 바와 같이 상기 결합몸체(110)를 외측을 빙둘러 형성하는 단열재(160);를 포함하여 상기 결합몸체(110)의 열 손실을 최소화할 수 있다.
이때 상기 단열재(160)는 테프론 계열, 실리콘 계열, 열가소성 엘라스토머 계열, 기타 합성수지를 발포하여 제작할 수 있다.
또한, 상기 단열재(160)의 표면에 강성을 부여할 수 있도록 코팅물질을 도포할 수 있다.
그리고 도 3에 도시한 바와 같이 상기 단열재(160)의 외측을 빙둘러 형성하는 단열커버(170);를 포함하여 외측으로 방출하는 열 손실을 최소화할 수 있다.
이때 상기 단열커버(170)는 내부가 비어있는 중공형태로 진공분위기를 형성하며, 스테인리스, 세라믹, 질석 등과 같이 열전도율이 낮은 재질로 형성할 수 있다.
이처럼 상기와 같이 본 발명의 실시한 예에 대하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 권리범위는 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 실시한 예와 실질적으로 균등의 범위에 있는 것까지 본 발명의 권리범위가 포함되는 것은 당연하다.
10: 파이프
100: 본 발명 반도체설비용 파이프 정온 가열장치
110: 결합몸체 111: 결합돌기
112: 결합홈
120: 삽입부
130: 정온 가열부재
140: 열손실 방지부재 141: 돌출부
150: 고정부재
160: 단열재
170: 단열커버

Claims (7)

  1. 파이프(10)의 외경을 감싸도록 형성하는 결합몸체(110); 상기 결합몸체(110)의 외측에 형성하는 삽입부(120); 상기 삽입부(120)의 내측에 삽입하여 상기 결합몸체(110)를 일정온도로 가열하는 정온 가열부재(130); 상기 정온 가열부재(130)의 외측면에 선 접촉하여 열손실을 방지하는 열손실 방지부재(140); 상기 열손실 방지부재(140)를 밀착시켜 상기 결합몸체(110)의 외측에 고정하는 고정부재(150);를 포함하되, 상기 결합몸체(110)는 다수개로 분할하되 일단에 결합돌기(111)를 형성하고, 타단에 결합홈(112)을 형성하며, 상기 삽입부(120)는 상기 결합몸체(110)의 외측에 길이방향을 따라서 형성하여 상기 정온 가열부재(130)의 고정위치를 조절할 수 있는 것이고, 상기 정온 가열부재(130)는 PTC소자 또는 면상발열체를 사용하며, 상기 열손실 방지부재(140)는 하부에 상기 정온 가열부재(130)의 표면과 선 접촉할 수 있도록 형성하는 돌출부(141);를 포함하고, 상기 결합몸체(110)를 외측을 빙둘러 형성하는 단열재(160);를 포함하며, 상기 단열재(160)의 외측을 빙둘러 설치하되 내부가 비어있는 중공형태로 진공분위기를 형성하는 단열커버(170);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체설비용 파이프 정온 가열장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
KR1020200077202A 2020-06-24 2020-06-24 반도체설비용 파이프 정온 가열장치 KR102385194B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200077202A KR102385194B1 (ko) 2020-06-24 2020-06-24 반도체설비용 파이프 정온 가열장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200077202A KR102385194B1 (ko) 2020-06-24 2020-06-24 반도체설비용 파이프 정온 가열장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210158633A KR20210158633A (ko) 2021-12-31
KR102385194B1 true KR102385194B1 (ko) 2022-04-11

Family

ID=79177776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200077202A KR102385194B1 (ko) 2020-06-24 2020-06-24 반도체설비용 파이프 정온 가열장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102385194B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008287024A (ja) * 2007-05-17 2008-11-27 Murata Mach Ltd 定着装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200217509Y1 (ko) 2000-10-24 2001-03-15 한국엠에이티주식회사 파우더 고착 방지 수단을 구비한 배기가스 이송 파이프
KR20020031823A (ko) 2000-10-24 2002-05-03 김동수 파우더 고착 방지 수단을 구비한 배기가스 이송 파이프
KR20120039174A (ko) * 2010-10-15 2012-04-25 송해근 히팅 재킷
KR101271664B1 (ko) * 2010-11-16 2013-06-04 (주)에스케이아이 히팅층을 구비한 배관커버장치
KR101401853B1 (ko) 2012-11-07 2014-05-29 최성귀 반도체 제조장치의 히팅 파이프
KR101320927B1 (ko) 2012-12-11 2013-11-25 주식회사 엠아이 파우더 발생 억제 기능을 갖는 반도체 제조 장비
KR101551687B1 (ko) 2013-08-27 2015-09-09 (주)제이씨이노텍 반도체 제조설비의 진공펌프용 히팅장치
KR101805789B1 (ko) * 2015-12-28 2017-12-12 김용후 온수 보일러용 세라믹 히터

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008287024A (ja) * 2007-05-17 2008-11-27 Murata Mach Ltd 定着装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210158633A (ko) 2021-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102334333B1 (ko) 정온 가열기능을 구비한 반도체설비용 플랜지 클램프
US11852271B2 (en) Modular heater systems
KR20110033925A (ko) 저온 pecvd 적용을 위한 받침대 히터
CN105953029B (zh) 一种用于柔性管道加热的复合保温材料
US20040182324A1 (en) Method and apparatus for thermally insulating adjacent temperature controlled processing chambers
KR102385194B1 (ko) 반도체설비용 파이프 정온 가열장치
US10734246B2 (en) Heat shield for chamber door and devices manufactured using same
MY118674A (en) Process for forming molded heat dissipation devices.
GB2336893A (en) Flue ducting for atmospheric boilers
EP2253918A3 (en) Enclosure For Heat Transfer Devices, Methods Of Manufacture Thereof And Articles Comprising The Same
SE8405228L (sv) Vermeisolerat ledningsror
KR102338229B1 (ko) 면상 발열체를 이용한 히팅 파이프
KR100616191B1 (ko) 밀봉 o-링의 열보호를 향상시킨 마이크로파 플라즈마발생 장치
US8378264B2 (en) Heater for piping
JP2004324723A (ja) 配管接続構造及びヒータ内蔵シール部材
KR20020020827A (ko) 히터 장치
KR101024681B1 (ko) 단열 히트 재킷
JP2005327620A (ja) シーズヒータ及びその製造方法並びに加熱器
KR102466993B1 (ko) 정온 가열기능을 향상한 반도체설비의 밸브 가열장치
KR101530205B1 (ko) 반도체 소자의 제조장치
US20210123448A1 (en) Vacuum pump
KR102161842B1 (ko) 배기 디파우더 모듈의 삼방향 밸브 가열장치
KR101333233B1 (ko) 이송 챔버 인터페이스용 플로팅 슬릿 밸브
KR100680568B1 (ko) 단열 히터 재킷
US20020053357A1 (en) Exhaust gas delivering pipe with cleaning device

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant