KR101530205B1 - 반도체 소자의 제조장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 공정 챔버의 내부로 공급되는 공정 가스의 온도를 균일하게 유지시킬 수 있도록 한 반도체 소자의 제조장치에 관한 것으로, 반도체 소자의 제조장치는 기판 상에 반도체 소자의 제조 공정을 수행하기 위한 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 공정 가스를 공급하는 가스 배관; 상기 가스 배관에 형합되도록 설치되어 상기 가스 배관을 감싸는 복수의 배관 열 전달수단; 및 상기 복수의 배관 열 전달수단 각각을 감싸도록 설치된 복수의 배관 가열수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
공정 챔버, 공정 가스, 가스 배관, 가열수단, 열 전달 수단

Description

반도체 소자의 제조장치{MANUFACTURING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 반도체 소자의 제조장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 공정 챔버의 내부로 공급되는 공정 가스의 온도를 균일하게 유지시킬 수 있도록 한 반도체 소자의 제조장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 기판(또는 웨이퍼) 상에 포토리소그래피, 식각, 애싱, 확산, 화학기상증착, 이온주입 및 금속증착 등의 공정을 반복적으로 수행하여 적어도 하나 이상의 도전층, 반도체층, 부도체층 등을 조합되게 적층하는 과정을 통해 제조된다.
상술한 반도체 소자의 제조공정 중 식각, 애싱, 확산, 화학기상증착, 또는 금속증착 등을 포함하는 박막 형성 공정은 기판이 놓이는 공정챔버 내부에 공정가스를 공급하고, 이들 공정가스를 플라즈마 상태로 변환시키거나 고온 분위기에서 기판 상에 원하는 반응이 이루어지도록 한다.
이러한 박막 형성 공정에서는 원활한 박막 형성 및 파티클의 발생을 방지하기 위하여, 공정 챔버에 접속되는 가스 배관을 전열선이 내장된 복수의 전열 테이프로 감싸고, 각 전열 테이프에서 발생되는 열을 이용하여 가스 배관을 통해 공정 챔버로 공급되는 공정 가스를 일정한 온도를 가열한다. 이때, 가스 라인을 감싸는 전열 테이프는 복수의 케이블 타이에 의해 가스 라인의 외면에 고정된다.
그러나, 종래의 공정 가스 가열 방법은 다음과 같은 문제점이 있다.
첫째, 전열 테이프로 가스 배관의 전체를 가열하더라도 전열 테이프에 내장된 전열선의 배치 구조에 부분적으로 미세한 온도 차가 발생됨으로써 공정 가스의 온도가 균일하지 못하다는 문제점이 있다.
둘째, 가스 배관에 설치되는 복수의 전열 테이프들의 경계부에서 온도 차가 발생됨으로써 공정 가스의 온도가 균일하지 못하다는 문제점이 있다.
셋째, 케이블 타이로 전열 테이프를 가스 배관에 고정함으로써 전열 테이프와 가스 배관 사이의 틈으로 인하여 가스 배관을 효율적으로 가열하지 못한다는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 공정 챔버의 내부로 공급되는 공정 가스의 온도를 균일하게 유지시킬 수 있도록 한 반도체 소자의 제조장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치는 기판 상에 반도체 소자의 제조 공정을 수행하기 위한 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 공정 가스를 공급하는 가스 배관; 상기 가스 배관에 형합되도록 설치되어 상기 가스 배관을 감싸는 복수의 배관 열 전달수단; 및 상기 복수의 배관 열 전달수단 각각을 감싸도록 설치된 복수의 배관 가열수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 각 배관 가열수단은 상기 인접한 2개의 배관 열 전달수단들의 사이를 포함하도록 설치되는 것을 특징으로 한다.
상기 각 배관 가열수단은 상기 인접한 적어도 2개의 배관 열 전달수단들을 감싸는 것을 특징으로 한다.
상기 각 배관 열 전달수단은 상기 가스 배관에 형합되도록 2분할된 제 1 및 제 2 블록으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 각 배관 열 전달수단은 알루미늄, 구리, 은, 마그네슘, 또는 티타늄과 같은 금속재질이거나, 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 질화 붕소, 질화 규소, 탄화 규소, 실리콘 나이트라이드 또는 탄화 알루미늄의 세라믹 재질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 각 배관 가열수단은 제 1 및 제 2 시트 사이에 마련된 전열수단를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 전열수단은 나선 형태, 지그재그 형태 또는 메쉬 형태를 가지도록 형성된 전열선을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치는 상기 가스 배관의 외면으로부터 일정한 간격으로 돌출된 복수의 제 1 돌출부; 및 상기 복수의 제 1 돌출부와 형합되도록 상기 각 배관 열 전달수단의 내면으로부터 일정한 간격으로 돌출된 복수의 제 2 돌출부를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치는 상기 가스 배관에 설치되어 상기 공정 가스의 공급을 제어하는 가스 밸브; 상기 가스 밸브에 형합되도록 설치된 밸브 열 전달수단; 및 상기 밸브 열 전달수단을 감싸도록 설치된 밸브 가열수단을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 밸브 열 전달수단은 상기 가스 밸브에 형합되도록 2분할된 제 1 및 제 2 블록으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 밸브 열 전달수단은 알루미늄, 구리, 은, 마그네슘, 또는 티타늄과 같은 금속재질이거나, 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 질화 붕소, 질화 규소, 탄화 규소, 실리콘 나이트라이드 또는 탄화 알루미늄의 세라믹 재질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이 본 발명은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 가스 배관과 배관 가열수단 사이에 배관 열 전달수단을 배치함으로써 가스 배관의 열 전달 면적을 높여 가스 배관의 온도를 일정하고 균일하게 유지시킬 수 있다는 효과가 있다.
둘째, 복수의 배관 가열수단을 복수의 배관 열 전달수단들과 엇갈리도록 배치함으로써 배관 가열수단들 사이의 온도 편차를 방지할 수 있다는 효과가 있다.
셋째, 밸브 열 전달수단 및 밸브 가열수단을 통해 가스 밸브의 온도를 일정하고 균일하게 유지시킴으로써 공정 챔버에 공급되는 공정 가스의 온도를 일정하고 균일하게 유지시킬 수 있다는 효과가 있다.
넷째, 가스 배관에 형성되는 돌출부를 통해 가스 배관의 열 전달 면적을 증가시킴으로써 가스 배관의 온도를 더욱 일정하고 균일하게 유지시킬 수 있다는 효과가 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치는 기판 상에 반도체 소자의 제조 공정을 수행하기 위한 공정 챔버(100); 공정 챔버(100)에 연통되어 공정 챔버(100)의 내부에 공정 가스를 공급하기 위한 가스 배관(200); 및 가스 배관(200)에 형합되도록 설치된 복수의 배관 열 전달수단(300); 및 배관 열 전달수단(300)을 감싸도록 설치되어 각 배관 열 전달수단(300)을 통해 가스 배관(200)의 온도를 일정한 온도를 유지시키는 복수의 배관 가열수단(400)을 포함하여 구성된다.
공정 챔버(100)는 외부의 기판 반송장치(미도시)에 의해 로딩되는 기판(또는 웨이퍼) 상에 포토리소그래피, 식각, 애싱, 확산, 화학기상증착, 이온주입 및 금속증착 등의 박막 형성 공정을 수행한다. 이때, 공정 챔버(100)는 가스 배관(200)을 통해 공급되는 가열된 공정 가스를 플라즈마 상태로 변환시키거나 고온 분위기에서 기판 상에 원하는 반응이 이루어지도록 한다.
가스 배관(200)은 공정 챔버(100)에 연통되어 외부의 가스 공급장치(미도시)로부터 공급되는 공정 가스를 공정 챔버(100)의 내부로 공급한다. 이때, 가스 배관(200)은 공정 챔버(100)에 연통되는 부분에 따라 적어도 하나의 굴곡을 가질 수 있다. 여기서, 가스 배관(200)은 공정 가스에 의해 손상되지 않는 내열성 및 내화학성 재질로써 스테인리스(SUS) 등과 같은 재질로 형성될 수 있다.
복수의 열 전달수단(300) 각각은 가스 배관(200) 전체의 외면에 형합되도록 복수로 설치되어 배관 가열수단(400)에 의해 발생되는 열을 가스 배관(200)으로 전달함으로써 가스 배관(200)의 온도를 일정한 온도로 유지시킨다. 이때, 가스 배관(200)이 직선 구간일 경우 복수의 열 전달수단(300) 각각 역시 직선 형태의 원통 형태로 형성되어 가스 배관(200)에 형합되고, 가스 배관(200)이 굴곡(엘보 형태) 구간일 경우 복수의 열 전달수단(300) 각각 역시 굴곡 형태로 형성되어 가스 배 관(200)에 형합된다.
일 실시 예에 있어서, 복수의 열 전달수단(300) 각각은, 도 2에 도시된 바와 같이, 일정한 길이를 가짐과 아울러 가스 배관(200)의 형태에 대응되도록 2분할되어 가스 배관(200)에 형합되는 제 1 및 제 2 열 전달 블록(302, 304)을 포함하여 구성된다.
제 1 및 제 2 열 전달 블록(302, 304) 각각은 가스 배관(200)의 외면 원주와 동일한 원주를 가지는 내면과 가스 배관(200)의 외면 원주보다 큰 원주를 가지는 외면을 갖는다. 이때, 효율적인 열 전달을 위하여, 제 1 및 제 2 열 전달 블록(302, 304) 각각의 내면 원주와 가스 배관(200)의 외면 원주는 0.1mm 이하의 가공오차를 가지는 것이 바람직하다. 그리고, 제 1 및 제 2 열 전달 블록(302, 304) 각각은 열전도성이 높은 재질로 이루어진다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 열 전달 블록(302, 304)은 알루미늄, 구리, 은, 마그네슘, 또는 티타늄과 같은 금속재질, 또는 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 질화 붕소, 질화 규소, 탄화 규소, 실리콘 나이트라이드 또는 탄화 알루미늄의 세라믹 재질로 이루어질 수 있다.
한편, 복수의 배관 열 전달수단(300)은 가스 배관(200)의 외면을 감싸도록 형합되는 제 1 및 제 2 열 전달 블록(302, 304)을 고정시키기 위한 고온용 테이프(306)를 더 포함하여 구성될 수 있다.
고온용 테이프(306)는 제 1 및 제 2 열 전달 블록(302, 304)을 감싸도록 부착됨으로써 제 1 및 제 2 열 전달 블록(302, 304)을 가스 배관(200)의 외면에 고정시킨다. 또한, 고온용 테이프(306)는 가스 배관(200)에 설치되는 복수의 배관 열 전달수단(300)들 사이의 경계부를 감싸도록 부착되어 복수의 배관 열 전달수단(300)들 사이의 경계부에 틈이 발생하지 않도록 한다.
이와 같은, 복수의 열 전달수단(300) 각각은 가스 배관(200)에 전달되는 열 전달 면적을 크게 높임으로써 가스 배관(200)의 온도를 일정하고 균일하게 유지시킬 수 있도록 한다.
복수의 배관 가열수단(400) 각각은, 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 배관 열 전달수단(300)을 감싸도록 설치되어 외부로부터 공급되는 전원에 의해 열을 발생함으로써 각 배관 열 전달수단(300)을 일정한 온도로 유지시킨다. 이러한, 복수의 배관 가열수단(400) 각각은, 도 3에 도시된 바와 같이, 인접한 배관 열 전달수단(300)의 경계부에서 발생되는 온도 차를 방지하기 위하여 인접한 배관 열 전달수단(300)의 경계부에 중첩되도록 설치된다. 이때, 각 배관 가열수단(400)은 복수의 열 전달수단(300) 각각과 동일한 형태를 가지며, 복수의 배관 가열수단(400) 각각의 가운데 부분은 인접한 배관 열 전달수단(300)의 경계부에 중첩되도록 설치되는 것이 바람직하다.
이와 같은, 복수의 배관 가열수단(400) 각각은, 도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 시트(410, 420) 사이에 마련된 전열수단(430)을 포함하여 구성될 수 있다.
전열수단(430)은 전원단자(440)를 통해 부로부터 공급되는 전원에 의해 열을 발생하여 배관 열 전달수단(300)을 일정한 온도로 가열함으로써 가스 배관(200)의 온도를 일정하게 유지시킨다. 이를 위해, 전열수단(430)은 나선 형태, 지그재그 형태 또는 메쉬 형태를 가지도록 형성된 전열선이 될 수 있다. 이때, 가스 배관(200)은 100 내지 180℃ 범위의 온도로 설정될 수 있다.
그리고, 제 1 및 제 2 시트(410, 420) 각각은 실리카 섬유, 유리 섬유, 폴리에스터(Polyester) 섬유, 알루미나(Alumina) 섬유, 세라믹(Ceramics) 섬유 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
이와 같은, 각 배관 가열수단(400)은 제 2 시트(420)에 설치된 적어도 하나의 버튼(Button) 또는 적어도 하나의 벨크로(Velcro) 또는 적어도 하나의 케이블 타이 등과 같은 체결수단(450)의 체결에 의해 각 배관 열 전달수단(300)을 감싸도록 고정된다.
상술한 바와 같은, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치는 가스 배관(200)과 배관 가열수단(400) 사이에 배관 열 전달수단(300)을 배치함으로써 가스 배관(200)의 열 전달 면적을 높여 가스 배관(200)의 온도를 일정하고 균일하게 유지시킬 수 있다.
한편, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 가스 배관(200)에 설치되어 공정 가스의 공급을 제어하는 가스 밸브(500); 가스 밸브(500)의 외면과 형합되도록 설치된 밸브 열 전달수단(600); 및 밸브 열 전달수단(600)을 감싸도록 설치되어 밸브 열 전달수단(300)을 통해 가스 밸브(500)의 온도를 일정한 온도를 유지시키는 밸브 가열수단(700)을 더 포함하여 구성된다.
가스 밸브(500)는 가스 배관(200)에 접속되어 제어장치(미도시)의 제어에 따 라 개폐되어 공정 챔버(100)로 공급되는 공정 가스의 공급을 제어한다.
밸브 열 전달수단(600)은 가스 밸브(500)의 외면에 형합되도록 설치되어 밸브 가열수단(700)에 의해 발생되는 열을 가스 밸브(500)로 전달함으로써 가스 밸브(500)의 온도를 일정한 온도로 유지시킨다.
일 실시 예에 있어서, 밸브 열 전달수단(600)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 가스 배관(200)의 형태에 대응되도록 2분할되어 가스 밸브(500)에 형합되는 제 1 및 제 2 밸브 블록(602, 604)을 포함하여 구성된다.
제 1 및 제 2 밸브 블록(602, 604) 각각은 가스 밸브(500)의 외면 형상과 동일한 형상을 가지는 내면과 가스 밸브(500)의 외면 형상보다 큰 형상을 가지는 외면을 갖는다. 이때, 효율적인 열 전달을 위하여, 제 1 및 제 2 밸브 블록(602, 604) 각각의 내면과 가스 밸브(500)의 외면은 0.1mm 이하의 가공오차를 가지는 것이 바람직하다. 그리고, 제 1 및 제 2 밸브 블록(602, 604) 각각은 열전도성이 높은 재질로 이루어진다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 밸브 블록(602, 604)은 알루미늄, 구리, 은, 마그네슘, 또는 티타늄과 같은 금속재질, 또는 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 질화 붕소, 질화 규소, 탄화 규소, 실리콘 나이트라이드 또는 탄화 알루미늄의 세라믹 재질로 이루어질 수 있다.
한편, 복수의 밸브 열 전달수단(600)은 가스 밸브(500)의 외면을 감싸도록 형합되는 제 1 및 제 2 밸브 블록(602, 604)을 고정시키기 위한 고온용 테이프(606)를 더 포함하여 구성될 수 있다.
고온용 테이프(606)는 제 1 및 제 2 밸브 블록(602, 604)을 감싸도록 부착됨 으로써 제 1 및 제 2 밸브 블록(602, 604)을 가스 밸브(500)의 외면에 고정시킨다. 또한, 고온용 테이프(606)는 가스 배관(200)에 설치되는 배관 열 전달수단(300)과 밸브 열 전달수단(600) 사이의 경계부를 감싸도록 더 부착됨으로써 이들 경계부에 틈이 발생되지 않도록 하여 가스 밸브(500)와 가스 배관(200) 사이의 경계부에서 발생되는 온도 차를 방지한다.
이와 같은, 밸브 열 전달수단(600)은 가스 밸브(500)에 전달되는 열 전달 면적을 크게 높임으로써 가스 밸브(500)의 온도를 일정하고 균일하게 유지시킬 수 있도록 한다.
밸브 가열수단(700)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 밸브 열 전달수단(600)의 외면과 동일한 형태로 제작되어 외부로부터 공급되는 전원에 의해 열을 발생함으로써 밸브 열 전달수단(600)을 일정한 온도로 유지시킨다.
일 실시 예에 따른 밸브 가열수단(700)은 제 1 및 제 2 가열수단(702, 704)로 분할된 구조를 가질 수 있다.
제 1 및 제 2 가열수단(702, 704) 각각은 밸브 열 전달수단(600)에 상하로 설치되고, 제 1 가열수단(702)에 설치된 버튼 또는 벨크로를 포함하는 체결수단(750)의 체결에 의해 밸브 열 전달수단(600)을 감싸도록 고정된다.
그리고, 제 1 및 제 2 가열수단(702, 704) 각각은 도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 시트(410, 420) 사이에 마련된 전열수단(430)을 포함하여 구성될 수 있다. 이러한, 제 1 및 제 2 가열수단(702, 704) 각각은 전원단자(742, 744)를 통해 외부로부터 공급되는 전원에 의해 열을 발생하여 밸브 열 전달수단(600)을 일정 한 온도로 가열함으로써 가스 밸브(500)의 온도를 일정하게 유지시킨다.
다른 실시 예에 따른 밸브 가열수단(700)은 분할 구조가 아닌 일체화된 구조를 가지도록 형성될 수 있다.
한편, 배관 가열수단(400)은 가스 배관(200)에 설치되는 배관 열 전달수단(300)과 밸브 열 전달수단(600) 사이의 경계부에 중첩되도록 설치됨으로써 가스 밸브(500)와 가스 배관(200) 사이의 경계부에서 발생되는 온도 차를 방지한다.
상술한 바와 같은, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치는 밸브 열 전달수단(600)과 밸브 가열수단(700)을 통해 가스 밸브(200)의 온도를 일정하고 균일하게 유지시킬 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치는 가스 배관(200) 및 가스 밸브(500)를 포함하는 가스 공급라인 전체 또는 일부를 열 전달수단(300, 600)으로 감쌈으로써 공정 챔버(100)로 공급되는 공정 가스의 온도를 일정하고 균일하게 유지시킬 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치는 가스 배관(200)에 형성되는 복수의 제 1 돌출부(210); 및 각 제 1 돌출부(210)와 형합되도록 배관 열 전달수단(300)에 형성되는 복수의 제 2 돌출부(310)를 더 포함하여 구성될 수 있다.
복수의 제 1 돌출부(210)는 가스 배관(200) 외면으로부터 일정한 높이로 돌 출됨과 아울러 일정한 간격을 가지도록 형성된다. 이러한, 복수의 제 1 돌출부(210)는 가스 배관(200)과 배관 열 전달수단(300)간의 열 전달 면적을 증가시킨다. 이때, 복수의 제 1 돌출부(210) 각각은 균일한 전달을 위하여 동일한 폭을 가짐과 아울러 폭에 대응되는 간격을 가지도록 형성되는 것이 바람직하다.
복수의 제 2 돌출부(310)는 배관 열 전달수단(300)의 제 1 및 제 2 열 전달 블록(302, 304) 각각의 내면으로부터 일정한 높이로 돌출됨과 아울러 일정한 간격을 가지도록 형성된다. 이러한, 복수의 제 2 돌출부(310) 각각은 가스 배관(200)에 형성된 복수의 제 1 돌출부(210) 각각에 형합된다. 이때, 복수의 제 2 돌출부(310) 각각은 복수의 제 1 돌출부(210)와 동일한 폭과 간격을 가지도록 형성된다.
이와 같은, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치는 가스 배관(200)과 배관 열 전달수단(300) 각각에 형성된 복수의 돌출부(210, 320)를 통해 열 전달 면적을 증가시킴으로써 가스 배관(200)의 온도를 더욱 균일하고 일정하게 유지시킬 수 있다.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치에 있어서, 배관 열 전달수단의 여러 가지 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
일 실시 예에 있어서, 도 7에 도시된 바와 같이, 배관 열 전달수단(300)은 열전도성이 높은 재질로 이루어져 메쉬(Mesh) 형태를 가지도록 형성되어 가스 배관(200)을 감싸도록 설치될 수 있다.
다른 실시 예에 있어서, 도 8에 도시된 바와 같이, 배관 열 전달부재(300)는 열전도성이 높은 재질로 이루어져 얽힌 형태를 가지도록 복수의 층으로 적층되어 가스 배관(200)을 감싸도록 설치될 수 있다.
다른 실시 예에 있어서, 도 9에 도시된 바와 같이, 배관 열 전달부재(300)는 열전도성이 높은 재질로 이루어져 불규칙적으로 헝클어진 형태(또는 요철 형태)를 가지도록 형성되어 가스 배관(200)을 감싸도록 설치될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 가스 배관, 배관 열 전달수단, 및 배관 가열수단을 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 배관 열 전달수단과 배관 가열수단의 배치구조를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 배관 가열수단을 설명하기 위한 사시도이다.
도 5는 도 1에 도시된 가스 밸브, 밸브 열 전달수단, 및 밸브 가열수단을 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치에 있어서, 가스 배관과 배관 열 전달수단을 설명하기 위한 도면이다.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치에 있어서, 배관 열 전달수단의 여러 가지 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호설명 >
100: 공정 챔버 200: 가스 배관
210: 제 1 돌출부 300: 배관 열 전달수단
302, 304: 열 전달 블록 400: 배관 가열수단
500: 가스 밸브 600: 밸브 열 전달수단
700: 밸브 가열수단

Claims (11)

  1. 기판 상에 반도체 소자의 제조 공정을 수행하기 위한 공정 챔버;
    상기 공정 챔버에 공정 가스를 공급하는 가스 배관;
    상기 가스 배관에 형합되도록 설치되어 상기 가스 배관을 감싸는 복수의 배관 열 전달수단;
    상기 복수의 배관 열 전달수단 각각을 감싸는 복수의 배관 가열수단;
    상기 가스 배관의 외면으로부터 일정 간격으로 돌출된 복수의 제 1 돌출부; 및
    상기 복수의 제 1 돌출부와 형합되도록 상기 각 배관 열 전달수단의 내면으로부터 일정 간격으로 돌출된 복수의 제 2 돌출부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 각 배관 열 전달수단은 상기 가스 배관에 형합되도록 2분할된 제 1 및 제 2 블록으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 각 배관 열 전달수단은 알루미늄, 구리, 은, 마그네슘, 티타늄, 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 질화 붕소, 질화 규소, 탄화 규소, 실리콘 나이트라이드, 및 탄화 알루미늄 중 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 각 배관 가열수단은 제 1 및 제 2 시트 사이에 마련된 전열수단을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 전열수단은 나선 형태, 지그재그 형태 또는 메쉬 형태를 가지도록 형성된 전열선을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조장치.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 배관에 설치된 가스 밸브;
    상기 가스 밸브를 감싸는 밸브 열 전달수단; 및
    상기 밸브 열 전달수단을 감싸는 밸브 가열수단을 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조장치.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
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