KR101333233B1 - 이송 챔버 인터페이스용 플로팅 슬릿 밸브 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 일반적으로 챔버와 인터페이싱하기 위한 플로팅 슬릿 밸브를 포함한다. 플로팅 슬릿 밸브는 챔버와 같은 또 다른 대상물에 대해 이동 또는 "플로팅"한다. 슬릿 밸브는 두 개의 챔버들 사이에 결합될 수 있다. 슬릿 밸브와 결합되는 챔버가 가열될 때, 슬릿 밸브는 또한 전도에 의해 가열될 수 있다. 슬릿 밸브가 가열될 때, 열 팽창될 수 있다. 진공이 챔버 내에 취입되면, 슬릿 밸브는 진공 편향에 의해 변형될 수 있다. 챔버와 슬릿 밸브 사이에 저 마찰 재료 스페이서를 배치함으로써, 슬릿 밸브는 열 팽창/수축 및/또는 진공 편향 동안 챔버와 접촉하지 않을 수 있어, 원하지 않는 입자 오염물이 발생하지 않을 수 있다. 또한, 챔버로 슬릿 밸브를 결합하기 위한 챔버를 통해 드릴 가공되는 슬롯은 슬릿 밸브의 열 팽창/수축 및 진공 편향을 수용하기 위한 크기를 가질 수 있다.

Description

이송 챔버 인터페이스용 플로팅 슬릿 밸브{FLOATING SLIT VALVE FOR TRANSFER CHAMBER INTERFACE}
본 발명의 실시예들은 일반적으로 이송 챔버와 인터페이싱(interfacing)하기 위한 슬릿 밸브에 관한 것이다.
하나 또는 둘 이상의 기판 상의 연속적인 공정을 효과적으로 수행하기 위하여, 다중 처리 챔버가 서로 결합될 수 있다. 효율은 기판 상의 다양하고 연속적인 공정들을 수행하는 것이 일반적이기 때문에 반도체, 평판 디스플레이, 광전지, 및 솔라 패널(solar panel) 제조에 특히 중요하다. 하나의 처리 챔버로부터 또 다른 처리 챔버로 기판을 이송하기 위하여, 이송 챔버는 하나 또는 둘 이상의 처리 챔버와 결합될 수 있다. 이송 챔버는 처리 챔버로부터 하나 또는 둘 이상의 기판을 제거하여 기판을 하나 또는 둘 이상의 다른 처리 챔버, 또 다른 이송 챔버, 또는 심지어 로드 록 챔버로 이송할 수 있다. 처리 챔버는 또 다른 처리 챔버 또는 로드 록 챔버에 직접 결합될 수 있다. 또한, 로드 록 챔버는 또 다른 로드 록 챔버에 결합될 수 있다.
챔버들 사이의 각각의 인터페이스(interface)에, 슬릿 밸브가 존재할 수 있다. 슬릿 밸브는, 개방될 때, 하나 또는 둘 이상의 기판이 인접한 챔버들 사이에 이송되는 것이 허용된다. 슬릿 밸브가 폐쇄될 때, 기판은 챔버들 사이로 이송되지 않을 수 있다. 따라서 슬릿 밸브는 인접한 챔버들로부터 챔버를 밀봉할 수 있어, 각각의 챔버가 인접한 챔버로부터 고립된 자체 환경을 가질 수 있다.
따라서, 본 기술분야에서 챔버들 사이에 효과적인 밀봉을 제공하는 슬릿 밸브에 대한 요구가 있다.
본 발명은 챔버와 인터페이싱하기 위한 플로팅 슬릿 밸브(floating slot valve)에 관한 것이다. 플로팅 슬릿 밸브는 챔버와 같은 또 다른 대상물에 대해 운동 또는 "플로트(float)"된다. 슬릿 밸브는 두 개의 챔버들 사이에 결합될 수 있다. 슬릿 밸브와 결합된 챔버가 가열될 때, 슬릿 밸브는 또한 전도에 의해 가열될 수 있다. 슬릿 밸브가 가열될 때, 열팽창될 수 있다. 진공이 챔버 내에 취입될 때, 슬릿 밸브는 진공 편향에 의해 변형될 수 있다. 챔버와 슬릿 밸브 사이의 저 마찰 재료 스페이서(spacer)를 배치함으로써, 슬릿 밸브는 열 팽창/수축 및/또는 진공 편향 동안 챔버에 맞닿아 접촉(rub)하지 않을 수 있고 따라서 원하지 않는 입자 오염물이 발생하지 않을 수 있다. 또한, 챔버로 슬릿 밸브를 결합하기 위해 챔버를 통하여 드릴 가공되는 슬롯은 슬릿 밸브의 열 팽창/수축 및 슬릿 밸브의 진공 편향(vacuum deflection)을 수용하는 크기를 가질 수 있다.
일 실시예에서, 슬릿 밸브는 이를 통한 개구를 가지는 슬릿 밸브 바디를 포함한다. 개구는 개구를 통한 기판의 통과를 허용하는 크기를 가질 수 있다. 바디는 또한 바디의 표면 내로 형성되어 개구 주변을 둘러싸는 제 1 그루브를 가질 수 있다. 바디는 또한 제 1 그루브와 바디의 동일한 표면 내로 형성(carve)되고 제 1 그루브의 방사상 외부로 배치되는 복수의 제 2 그루브를 가질 수 있다. o-링은 제 1 그루브 내에 부분적으로 배치될 수 있다. 복수의 제 2 그루브는 실질적인 선형 경로를 따라 연장할 수 있다. 슬릿 밸브는 또한 복수의 제 2 그루브들 중 하나 이상에 배치되는 하나 또는 둘 이상의 스페이서 요소를 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에서, 장치는 이송 챔버, 슬릿 밸브, 및 슬릿 밸브와 이송 챔버 사이에 결합되는 O-링을 포함한다. 이송 챔버는 이송 챔버 바디를 포함한다. 이송 챔버 바디는 이송 챔버 바디를 통과하는 제 1 개구를 가질 수 있다. 제 1 개구는 제 1 폭을 가질 수 있다. 하나 또는 둘 이상의 제 2 개구는 이송 챔버 바디를 통하여 존재할 수 있다. 각각의 제 2 개구는 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 가질 수 있다. 이송 챔버 바디를 통과하는 하나 또는 둘 이상의 제 3 개구가 또한 존재할 수 있다. 각각의 제 3 개구는 제 2 폭 보다 크고 제 1 폭 보다 작은 제 3 폭을 가질 수 있다. 슬릿 밸브는 슬릿 밸브 바디를 포함하며 슬릿 밸브 바디는 이를 관통하는 개구를 가진다. 개구는 개구를 통한 기판의 통과를 허용하도록 하는 크기를 가질 수 있다. 바디는 또한 바디 내로 형성되고 개구를 둘러싸는 제 1 그루브를 가질 수 있다. 바디는 또한 바디 내로 형성되는 하나 또는 둘 이상의 제 2 그루브를 가질 수 있다. 하나 또는 둘 이상의 스페이서 요소는 하나 또는 둘 이상의 제 2 그루브들 중 하나 이상에 배치될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 이송 챔버를 따른 슬릿 밸브를 슬라이딩하는 방법이 제공된다. 이 방법은 처리 챔버를 가열하고 슬릿 밸브를 전도 방식으로 가열하는 단계를 포함한다. 슬릿 밸브는 처리 챔버 및 이송 챔버에 결합될 수 있다. 이 방법은 또한 슬릿 밸브를 팽창시키는 단계를 포함할 수 있다. 팽창 단계는 이송 챔버의 제 1 표면을 따라 하나 또는 둘 이상의 스페이서 요소를 슬라이딩하는 단계를 포함할 수 있다. 이송 챔버는 이송 챔버 바디를 통한 제 1 개구를 포함한다. 제 1 개구는 제 1 폭을 가질 수 있다. 이송 챔버 바디를 통한 하나 또는 둘 이상의 제 2 개구가 또한 존재할 수 있다. 각각의 제 2 개구는 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 가질 수 있다. 이송 챔버 바디를 통한 하나 또는 둘 이상의 제 3 개구가 또한 존재할 수 있다. 각각의 제 3 개구는 제 2 폭 보다 더 크고 제 1 폭 보다 작은 제 3 폭을 가질 수 있다. 슬릿 밸브는 이를 관통하는 개구를 가지는 슬릿 밸브 바디를 포함한다. 개구는 개구를 통한 기판의 통과를 허용하는 크기를 가질 수 있다. 바디는 또한 바디 내로 형성되고 개구를 둘러싸는 제 1 그루브를 가질 수 있다. 바디는 또한 바디 내로 형성되는 하나 또는 둘 이상의 제 2 그루브 및 하나 또는 둘 이상의 제 2 그루브들 중 하나 이상에 배치되는 하나 또는 둘 이상의 스페이서 요소를 가질 수 있다.
본 발명의 상술된 특징이 상세하게 이해될 수 있는 방식이 되도록, 위에서 간단하게 요약된, 본 발명의 더욱 특별한 상세한 설명이 실시예를 참조할 수 있으며, 실시예들 중 일부는 첨부된 도면에 도시된다. 그러나, 첨부된 도면은 단지 본 발명의 전형적인 실시예들을 도시하며 따라서 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 고려되지 않으며, 본 발명에 대해 다른 균등하고 효과적인 실시예들을 인정할 수 있다.
이해를 용이하게 하도록, 가능하게는 도면에 공통하는 동일한 요소들을 표시하기 위하여 동일한 도면 부호가 이용된다. 일 실시예에 공개되는 요소들은 특정된 인용없이 다른 실시예에서 유용하게 이용될 수 있다.
도 1은 두 개의 챔버들 사이에 배치되는 슬릿 밸브의 개략도이며,
도 2는 본 발명에 일 실시예에 따른 이송 챔버를 통하여 보는 이송 챔버와 슬릿 밸브 사이의 인터페이스의 정면도이며,
도 3은 이송 챔버를 통하여 보는 이송 챔버와 슬릿 밸브 사이의 인터페이스의 정면도로서, 슬릿 밸브가 본 발명의 일 실시예에 따라 열 팽창 및/또는 진공 변형되지 않는, 도면이며,
도 4는 도 3의 슬릿 밸브와 이송 챔버 사이의 인터페이스의 정면도로서, 슬릿 밸브가 본 발명의 일 실시예에 따라 열 팽창 및/또는 진공 변형되는, 도면이며,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 이송 챔버와 슬릿 밸브 사이의 인터페이스의 단면도이다.
도 1은 두 개의 챔버들 사이에 배치되는 슬릿 밸브의 개략도이며,
도 2는 본 발명에 일 실시예에 따른 이송 챔버를 통하여 보는 이송 챔버와 슬릿 밸브 사이의 인터페이스의 정면도이며,
도 3은 이송 챔버를 통하여 보는 이송 챔버와 슬릿 밸브 사이의 인터페이스의 정면도로서, 슬릿 밸브가 본 발명의 일 실시예에 따라 열 팽창 및/또는 진공 변형되지 않는, 도면이며,
도 4는 도 3의 슬릿 밸브와 이송 챔버 사이의 인터페이스의 정면도로서, 슬릿 밸브가 본 발명의 일 실시예에 따라 열 팽창 및/또는 진공 변형되는, 도면이며,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 이송 챔버와 슬릿 밸브 사이의 인터페이스의 단면도이다.
본 발명은 이송 챔버 및 공정 챔버와 결합되는 슬릿 밸브에 관하여 아래 설명된다. 전형적인 이송 챔버, 공정 챔버, 및 로드 록 챔버는 미국 캘리포니아 산타 클라라에 소재하는 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드의 자회사인 AKT로부터 입수 가능하다. 본 발명은 다른 제조자에 의해 생산되는 것을 포함하는 다른 이송 챔버, 처리 챔버 및 로드 록 챔버에 균등하게 적용가능하다. 또한, 본 상세한 설명은 이송 챔버 및 처리 챔버와 결합되는 슬릿 밸브를 논의하지만, 슬릿 밸브가 이송 챔버, 공정 챔버, 로드 록 챔버, 및 이들의 조합물을 포함하는 임의의 두 개의 챔버들 사이에 결합될 수 있다는 것을 이해되도록 한다.
도 1은 이송 챔버(102)와 공정 챔버(104) 사이에 배치되는 슬릿 밸브(108)의 개략도이다. 처리 시스템(100)은 이송 챔버(102)에 결합되는 하나 또는 둘 이상의 공정 챔버(104)를 포함할 수 있다. 슬릿 밸브(108)는 이송 챔버(102)와 공정 챔버(104) 사이에 배치될 수 있다. 단지 하나의 공정 챔버(104)가 이송 챔버(102)와 결합되는 것으로 도시되지만, 다중 공정 챔버(104)가 이송 챔버(102)와 결합될 수 있다는 것이 이해되도록 한다. 공정 챔버(104)가 이송 챔버(102)와 결합되는 각각의 지점에서, 슬릿 밸브(108)가 그 사이에 결합될 수 있다. 유사하게, 소정의 두 개의 챔버가 서로 결합될 때, 슬릿 밸브(108)가 그 사이에 결합될 수 있다.
공정 챔버(104)는 플라즈마 강화 화학 증착(PECVD) 챔버, 물리 증착(PVD) 챔버, 또는 다른 챔버와 같은, 기판을 처리하기 위한 소정의 적절한 공정 챔버(104)일 수 있다. 처리된 기판은 반도체 기판, 평판 디스플레이 기판, 솔라 패널 기판, 또는 소정의 다른 기판일 수 있다. 각각의 공정 챔버(104) 내에서, 하나 또는 둘 이상의 기판이 처리될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이송 챔버를 통하여 보는 슬릿 밸브와 이송 챔버 사이의 인터페이스(200)의 정면도이다. 슬릿 밸브가 개방될 때, 개구(202)는 이송 챔버와 공정 챔버 사이에 존재하여 그 사이로 하나 또는 둘 이상의 기판의 통과를 허용한다. 슬릿 밸브는 하나 또는 둘 이상의 O-링(208)에 의해 이송 챔버에 대해 밀봉될 수 있다. 하나 또는 둘 이상의 스페이서(204)는 이송 챔버와 슬릿 밸브 사이에 존재할 수 있다. 또한, 하나 또는 둘 이상의 패스너(206)는 슬릿 밸브와 이송 챔버 사이에 결합될 수 있다. 하나 또는 둘 이상의 패스너(206)는 공통 축선(210)을 따라 배치될 수 있다.
도 3은 이송 챔버를 통하여 보는 슬릿 밸브와 이송 챔버 사이의 인터페이스(300)의 정면도로서, 슬릿 밸브가 본 발명의 일 실시예에 따라 열 팽창 및/또는 진공 변형되지 않는다. 상술된 바와 같이, 하나 또는 둘 이상의 O-링(306)은 슬릿 밸브에 대해 이송 챔버를 밀봉하도록 슬릿 밸브와 이송 챔버 사이에 배치될 수 있다. 또한, 하나 또는 둘 이상의 스페이서(322)는 이송 챔버와 슬릿 밸브 사이에 배치될 수 있다. 하나 또는 둘 이상의 스페이서(322)는 슬릿 밸브가 이송 챔버에 대해 이동할 때 슬릿 밸브와 함께 이동한다. 하나 또는 둘 이상의 스페이서(322)는 슬릿 밸브와 이송 챔버가 서로에 대해 접촉하여 소정의 기판을 오염시킬 수 있는 입자를 발생시키는 기회를 감소시킨다. 슬릿 밸브가 개방될 때, 하나 또는 둘 이상의 기판은 이송 챔버와 처리 챔버 사이의 개구(302)를 통과할 수 있다.
하나 또는 둘 이상의 체결 기구(fastening mechanism; 304)는 시트 밸브로 이송 챔버를 부가적으로 결합할 수 있다. 일 실시예에서, 각각의 체결 기구는 대응하는 스페이서(322)와 정렬될 수 있다. 각각의 체결 기구(304)는 이송 챔버를 통하여 배치되는 슬롯(308, 310, 312, 314, 316, 318) 내에 배치될 수 있다. 6개의 슬롯(308, 310, 312, 314, 316, 318)이 도시되었지만, 더 많거나 더 적은 슬롯(308, 310, 312, 314, 316, 318)이 존재할 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예를 들면, 하나 또는 둘 이상의 슬롯은 처리 챔버와 이송 챔버 사이의 개구(302) 아래 존재할 수 있다. 또한, 하나 또는 둘 이상의 슬롯은 인터페이스(300)의 중앙(320)의 다른 측부에 존재할 수 있다.
기판 처리 동안, 처리 챔버 또는 인접한 챔버는 약 300 ℃ 보다 큰 온도로 가열될 수 있다. 전도 동안, 슬릿 밸브는 또한 가열될 수 있다. 일 실시예에서, 슬릿 밸브는 약 120 ℃ 내지 약 200 ℃의 온도로 전도 방식으로 가열될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 슬릿 밸브는 약 120 ℃ 내지 약 130 ℃의 온도로 전도방식으로 가열될 수 있다. 슬릿 밸브가 가열되기 때문에, 슬릿 밸브는 팽창될 수 있다. 슬릿 밸브가 냉각되면, 이어서 수축될 수 있다. 역으로, 이송 챔버가 공정 챔버에 직접 결합되지 않고 대신 슬릿 밸브에 직접 결합될 수 있기 때문에, 이송 챔버는 상당한 양의 열 팽창/수축을 경험하지 않을 수 있다. 따라서, 슬릿 밸브는 이송 챔버에 대해 팽창 및 수축될 수 있다. 상대적으로 정지한 이송 챔버에 대한 슬릿 밸브의 팽창 및 수축에 의해, 슬릿 밸브는 이송 챔버와 슬릿 밸브 사이의 인터페이스(300)를 따라 슬라이딩되는 것이 허용될 수 있다. 유사하게, 진공이 이송 챔버 내로 취입될 때, 슬릿 밸브는 슬릿 밸브 상에 가해지는 진공 압력에 의해 이송 챔버에 대해 변형될 수 있다.
열 팽창/수축 및/또는 진공 변형에 의해, 슬릿 밸브는 이송 챔버에 대해 팽창 및/또는 수축될 수 있다. 따라서, 체결 기구(304) 및 스페이서(322)는 슬릿 밸브가 이송 챔버에 대해 팽창 및 수축할 때 슬릿 밸브와 함께 이동할 수 있다. 또한, 인터페이스(300)의 중앙(320)으로부터 이격된 거리가 멀 수록, 슬릿 밸브가 가질 수 있는 팽창의 양보다 더 커지고, 체결 기구(304) 및 스페이서(332)가 가질 수 있는 운동의 양이 더 커진다. 따라서, 이송 챔버 내의 슬롯(308, 310, 312, 314, 316, 318)은 인터페이스(300)의 중앙(320)으로부터 거리가 멀어질 수록 연속적으로 더 커질 수 있다.
인터페이스(300)의 중앙(210)에 대해 가장 근접한 슬롯(308)은 중앙(320)에 대한 슬롯(308)의 근접성에 의해 체결 기구(304)의 운동에 대한 아주 작은 공간을 가질 수 있다. 슬롯(308) 내의 체결 기구(304)의 중앙은 인터페이스(300)의 중앙(320)으로부터 거리(G)에 위치될 수 있다. 화살표(B)에 의해 표시된 폭을 가지는 슬롯(310)은 슬롯(308) 보다 인터페이스(300)의 중앙(320)으로부터 더 큰 거리(H)로 이격될 수 있다. 슬롯(310)의 폭(B)은 슬롯(308)의 폭(A) 보다 클 수 있다.
화살표(C)에 의해 표시되는 폭을 가지는 슬롯(312)은 슬롯(310) 보다 인터페이스(300)의 중앙(320)으로부터 더 큰 거리(I)로 이격될 수 있다. 슬롯(312)의 폭(C)은 슬롯(310)의 폭 보다 클 수 있다. 화살표(D)에 의해 표시되는 폭을 가지는, 슬롯(314)은 슬롯(312) 보다 인터페이스(300)의 중앙(320)으로부터 더 큰 거리(J)로 이격될 수 있다. 슬롯(314)의 폭(D)은 슬롯(312)의 폭(C) 보다 더 클 수 있다. 화살표(E)에 의해 표시되는 폭을 가지는 슬롯(316)은 슬롯(314) 보다 인터페이스(300)의 중앙(320)으로부터 더 큰 거리(K)로 이격될 수 있다. 슬롯(316)의 폭(E)은 슬롯(314)의 폭(D) 보다 더 클 수 있다. 화살표(F)에 의해 표시되는 폭을 가지는 슬롯(318)은 슬롯(316) 보다 인터페이스(300)의 중앙(320)으로부터 더 큰 거리(L)로 이격될 수 있다. 슬롯(318)의 폭(F)은 슬롯(316)의 폭(E) 보다 클 수 있다. 따라서, 인터페이스(300)의 중앙(320)으로부터 거리가 멀 수록, 슬롯이 더 커진다.
도 4는 슬릿 밸브가 본 발명의 일 실시예에 따라 열 팽창되고 및/또는 진공 변형되는 도 3의 이송 챔버와 슬릿 밸브 사이의 인터페이스(300)의 정면도이다. 체결 기구(304)는 슬릿 밸브의 열 팽창 및/또는 진공 변형에 의해 이송 챔버에 대해 운동한다. 이송 챔버에 대한 체결 기구(304)의 운동은 체결 기구(304)가 이송 챔버의 슬롯(310, 312, 314, 316, 318) 내에서 이동하는 거리로 도시된다. 슬롯(308) 내의 체결 기구(304)는 인터페이스(300)의 중앙(320)에 대한 근접성 때문에 이송 챔버에 대해 적절히 이동될 수 없다. 여기서, 슬롯(308) 내의 체결 기구(304)는 인터페이스(300)의 중앙(320)으로부터 거리(G)에 실질적으로 남아 있다. 그러나, 다른 슬롯(310, 312, 314, 316, 318) 각각 내의 체결 기구(304)는 슬릿 밸브의 열 팽창에 의해 이송 챔버에 대해 이동될 수 있다.
슬롯(310) 내에 배치되는 체결 기구(304)의 중앙은 인터페이스(300)의 중앙(320)으로부터 거리(M)에 있을 수 있다. 거리(M)는 거리(H) 보다 크다. 슬롯(312) 내에 배치된 체결 기구(304)의 중앙은 인터페이스(300)의 중앙(320)으로부터 거리(N)에 있을 수 있다. 거리(N)는 거리(I) 보다 크다. 슬롯(314) 내에 배치되는 체결 기구(304)의 중앙은 인터페이스(300)의 중앙(320)으로부터 거리(P)에 있을 수 있다. 거리(P)는 거리(J) 보다 크다. 슬롯(316)에 배치되는 체결 기구(304)의 중앙은 인터페이스(300)의 중앙(320)으로부터의 거리(R)에 있을 수 있다. 거리(R)는 거리(K) 보다 크다. 슬롯(318) 내에 배치되는 체결 기구(304)의 중앙은 인터페이스(300)의 중앙(320)으로부터 거리(S)에 있을 수 있다. 거리(S)는 거리(L) 보다 크다. 또한, 스페이서(322)가 이동된다는 점에 주목하라. 스페이서(322)는 팽창/수축/변형 동안 이송 챔버를 따라 슬라이드된다.
슬릿 밸브가 이송 챔버에 대해 이동하는 것을 허용함으로써, O-링(306)은 이송 챔버를 밀봉할 수 있다. 이송 챔버에 대해 운동하는 능력이 부존재하는 경우, 슬릿 밸브가 전도 방식으로 가열 될 때 팽창하기 위한 필요에 의해 버클링(buckling)될 수 있고 O-링을 손상시킬 수 있고, 이송 챔버를 밀봉하지 않을 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 이송 챔버(502)와 슬릿 밸브(504) 사이의 인터페이스(500)의 단면도이다. O-링(508)은 이송 챔버(502)와 슬릿 밸브(504) 사이에 배치될 수 있다. O-링(508)은 슬릿 밸브(504)의 제 1 그루브(518) 내에 부분적으로 배치될 수 있다. 하나 또는 둘 이상의 스페이서(506)는 슬릿 밸브(504)와 이송 챔버(502) 사이에 배치될 수 있다. 하나 또는 둘 이상의 스페이서(506)는 슬릿 밸브(504) 내로 들어갈 수 있어(countersink) 슬릿 밸브 외부로 거리(T)로 연장한다. 예를 들면, 하나 또는 둘 이상의 스페이서(506)는 제 1 그루브(518)의 방사상 외측에 배치되는 하나 또는 둘 이상의 제 2 그루브(528) 중 하나 이상 내에 배치될 수 있다.
하나 또는 둘 이상의 스페이서(506)는 저 마찰 및 저 열 전도성 재료를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 저 마찰 및 저 열 전도성 재료는 세라믹, 엔지니어링 플라스틱(engineering plastic), 폴리아미드, 폴리이미드, NiB 코팅 금속, WS2 코팅 금속, 및 이들의 조합물을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 금속은 스테인레스 강을 포함한다. 저 열 전도성 재료는 슬릿 밸브로부터 이송 챔버로 전도되는 열의 양을 감소시킨다. 저 마찰은 스페이서(506)가 슬릿 밸브(504)와 인터페이싱하는 이송 챔버의 측부(506)를 따라 슬라이딩되는 것을 허용한다. 슬릿 밸브(504)가 열 팽창/수축 및/또는 진공 변형에 의해 이동할 때 스페이서(506)는 이송 챔버(502)의 측부(520)를 따라 슬라이딩될 수 있다. 슬릿 밸브가 수축할 때 스페이서(506)는 또한 이송 챔버(502)의 측부(520)를 따라 슬라이딩될 수 있다.
하나 또는 둘 이상의 스페이서(506)는 O-링(508)의 분위기 측부(atmospheric side)에 배치될 수 있다. 스페이서(506)가 O-링(508)의 분위기 측부 상에 있기 때문에, 스페이서(506)가 이송 챔버(520)의 측부(520)를 따라 슬라이딩될 때 이송 챔버(502)의 측부(520) 및/또는 스페이서(506)에 의해 발생되는 소정의 입자는 이송 챔버(502) 및 처리 챔버 내에 포함되는 처리 공간 내로 유입되지 않을 수 있어 공정을 오염시키지 않을 수 있다. 스페이서(506)는 이송 챔버(502)와 슬릿 밸브(504) 사이의 거리(T)를 유지하도록 할 수 있다. 이송 챔버(502)와 슬릿 밸브(504) 사이의 거리(T)의 유지는 슬릿 밸브(504)가 열적으로 팽창/수축하고 및/또는 진공 변형될 때 슬릿 밸브(504)와 이송 챔버(502)가 서로 접촉할 수 있는 가능성을 감소시킨다. 슬릿 밸브(504) 및 이송 챔버(502)가 서로 접촉하는 경우, 입자가 슬릿 밸브(504), 이송 챔버(502) 또는 둘다로부터 벗겨질 수 있다. 입자는 기판을 오염시킬 수 있다. 거리(T)는 슬릿 밸브(504)의 기대되는 열 팽창/수축 및/또는 진공 변형을 기초로하여 설정될 수 있다. 거리(T)는 이송 챔버(502)와 슬릿 밸브(504)가 서로 접촉할 가능성을 감소시키는 동안 슬릿 밸브(504)와 이송 챔버(502) 사이의 효과적인 진공 밀봉을 허용하기에 충분한 거리일 수 있다.
체결 기구(510)는 슬릿 밸브(504)를 이송 챔버(502)로 부가적으로 결합할 수 있다. 체결 기구(510)는 슬릿 밸브(504)와 나사체결방식으로 결합되는 나사형성 부분(516)을 포함할 수 있다. 매끄러운 부분(smooth portion; 522)은 이송 챔버(502)를 통하여 연장하는 슬롯(524) 내에 배치될 수 있다. 매끄러운 부분(522)은 슬릿 밸브(504)가 열 팽창 및/또는 진공 변형되어 이송 챔버(502)의 측부(502)를 따라 슬라이딩될 때 슬롯(524) 내로 이동할 수 있다. 체결 기구(510)는 플랜지 부분(514)을 가지는 머리 부분(512)을 포함할 수 있다. 플랜지 부분(514)은 이송 챔버(502)의 측부(526)에 배치될 수 있다. 플랜지 부분(514)은 체결 기구(510)가 슬릿 밸브(504)를 이송 채버(502)로 과 조립(over tightening) 및 꽉 끼워짐(pinching)을 방지할 수 있다. 이송 챔버(502)의 측부(526)에 배치되는 플랜지(514)와 스페이서(506)의 조합은 이송 챔버(502)와 슬릿 밸브(504) 사이의 거리(T)를 유지하도록 할 수 있다. 이송 챔버(502)의 측부(526)에 배치되는 플랜지(514) 및 스페이서(506)의 조합은 또한 이송 챔버(502)와 슬릿 밸브(504) 사이에 O-링(508)을 밀봉하도록 할 수 있다.
처리 동안 슬릿 밸브의 예상되는 열 팽창/수축 및/또는 진공 변형을 보상함으로써, 슬릿 밸브는 버클링되지 않거나 인접한 챔버에 접촉되지 않을 수 있어 유해한 오염물이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 슬릿 밸브의 버클링 또는 인접한 챔버와의 접촉 없이, 효과적인 밀봉이 슬릿 밸브와 챔버 사이에 유지될 수 있다.
전술된 것은 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 및 추가 실시예들은 본 발명의 기본적 범위로부터 이탈하지 않고 고안될 수 있으며, 본 발명의 범위는 다음의 청구범위에 의해 결정된다.

Claims (9)

  1. 관통하는 개구를 가지는 슬릿 밸브 바디를 포함하며,
    상기 개구는 상기 개구를 통한 기판의 통과를 허용하도록 하는 크기를 가지며, 상기 슬릿 밸브 바디는 또한 상기 슬릿 밸브 바디의 표면 내로 형성되어 상기 개구를 둘러싸는 그루브를 가지며, 상기 슬릿 밸브 바디는 또한 상기 그루브와 동일한 상기 슬릿 밸브 바디의 표면 내로 형성되고 상기 그루브의 방사상 외측에 배치되는 하나 이상의 하우징을 가지며, 상기 하나 이상의 하우징은 실질적인 선형 경로를 따라 연장하며, 상기 슬릿 밸브 바디는 또한 상기 개구의 방사상 외측에 그리고 상기 그루브의 방사상 내측에 배치되는 하나 이상의 커플링 위치(location)를 가지며, 상기 커플링 위치는 체결 기구의 나사형성 부분을 수용하도록 구성되며, 상기 하나 이상의 커플링 위치는 공통 축선을 따라 배치되는,
    슬릿 밸브.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 하우징 중 하나 이상에 배치되는 하나 이상의 스페이서 요소를 더 포함하는,
    슬릿 밸브.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 스페이서 요소는 세라믹, 폴리아미드, 폴리이미드, NiB, WS2 및 이들의 조합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 재료를 포함하는,
    슬릿 밸브.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 스페이서 요소는 스테인레스 강을 포함하는,
    슬릿 밸브.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 스테인레스 강은 NiB, WS2 및 이들의 조합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 재료로 코팅되는,
    슬릿 밸브.
  6. 삭제
  7. 관통하는 개구를 가지는 슬릿 밸브 바디를 포함하며,
    상기 개구는 상기 개구를 통한 기판의 통과를 허용하도록 하는 크기를 가지며, 상기 슬릿 밸브 바디는 또한 상기 슬릿 밸브 바디의 표면 내로 형성되어 상기 개구를 둘러싸는 제 1 그루브를 가지며, 상기 슬릿 밸브 바디는 또한 상기 제 1 그루브와 동일한 상기 슬릿 밸브 바디의 표면 내로 형성되고 상기 제 1 그루브의 방사상 외측에 배치되는 복수의 제 2 그루브를 가지며, 상기 복수의 제 2 그루브는 실질적인 선형 경로를 따라 연장하며, 상기 슬릿 밸브 바디는 또한 상기 개구의 방사상 외측에 그리고 상기 제 1 그루브의 방사상 내측에 배치되는 복수의 커플링 위치(location)를 가지며, 상기 커플링 위치는 체결 기구의 나사형성 부분을 수용하도록 구성되며, 상기 복수의 커플링 위치는 공통 축선을 따라 배치되는,
    슬릿 밸브.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 복수의 제 2 그루브 중 하나 이상에 배치되는 하나 이상의 스페이서 요소를 더 포함하는,
    슬릿 밸브.
  9. 삭제
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008106634A2 (en) 2007-03-01 2008-09-04 Applied Materials, Inc. Floating slit valve for transfer chamber interface
WO2012027763A1 (de) 2010-08-31 2012-03-08 Vat Holding Ag Vorrichtung zur verbindung einer vakuumkammer mit einem vakuumventil
DE102019133555A1 (de) * 2019-12-09 2021-06-10 Vat Holding Ag Vakuumventil oder Vakuumtür

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6014664A (ja) * 1983-07-05 1985-01-25 Kobe Steel Ltd ボ−ルバルブ
KR20010021746A (ko) * 1997-07-11 2001-03-15 조셉 제이. 스위니 진공 처리 장치용 두 부품의 슬릿 밸브 삽입부재

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5614089A (en) * 1990-07-13 1997-03-25 Isco, Inc. Apparatus and method for supercritical fluid extraction or supercritical fluid chromatography
JP3566740B2 (ja) * 1992-09-30 2004-09-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 全ウエハデポジション用装置
US5857368A (en) * 1995-10-06 1999-01-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for fabricating metal paths in semiconductor substrates through high pressure extrusion
US6108189A (en) * 1996-04-26 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved gas conduits
KR0168013B1 (ko) 1996-10-24 1999-10-01 삼성자동차주식회사 안테나 및 습기 제거 기능을 동시에 가지는 자동차의 윈도우 유리
US6024393A (en) * 1996-11-04 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Robot blade for handling of semiconductor substrate
US5985033A (en) * 1997-07-11 1999-11-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for delivering a gas
US6063440A (en) * 1997-07-11 2000-05-16 Applied Materials, Inc. Method for aligning a wafer
US6231732B1 (en) * 1997-08-26 2001-05-15 Scivac Cylindrical carriage sputtering system
US6092981A (en) * 1999-03-11 2000-07-25 Applied Materials, Inc. Modular substrate cassette
US6810886B2 (en) * 2001-05-24 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Chamber cleaning via rapid thermal process during a cleaning period
KR200247426Y1 (ko) * 2001-06-11 2001-10-29 삼영엠텍(주) 봉함링이 매입되어 일체화된 고무판을 내장한 포트받침
JP2006526125A (ja) * 2003-05-13 2006-11-16 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 処理チャンバの開口を封止するための方法および装置
US20060051966A1 (en) * 2004-02-26 2006-03-09 Applied Materials, Inc. In-situ chamber clean process to remove by-product deposits from chemical vapor etch chamber
US7413069B2 (en) * 2004-02-28 2008-08-19 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for transferring a substrate carrier within an electronic device manufacturing facility
US20060246217A1 (en) * 2005-03-18 2006-11-02 Weidman Timothy W Electroless deposition process on a silicide contact
US7469715B2 (en) * 2005-07-01 2008-12-30 Applied Materials, Inc. Chamber isolation valve RF grounding
WO2008106634A2 (en) 2007-03-01 2008-09-04 Applied Materials, Inc. Floating slit valve for transfer chamber interface

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6014664A (ja) * 1983-07-05 1985-01-25 Kobe Steel Ltd ボ−ルバルブ
KR20010021746A (ko) * 1997-07-11 2001-03-15 조셉 제이. 스위니 진공 처리 장치용 두 부품의 슬릿 밸브 삽입부재

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