KR101320927B1 - 파우더 발생 억제 기능을 갖는 반도체 제조 장비 - Google Patents

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KR101320927B1 KR1020120143172A KR20120143172A KR101320927B1 KR 101320927 B1 KR101320927 B1 KR 101320927B1 KR 1020120143172 A KR1020120143172 A KR 1020120143172A KR 20120143172 A KR20120143172 A KR 20120143172A KR 101320927 B1 KR101320927 B1 KR 101320927B1
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Abstract

반도체 또는 LCD 제조시 화학기상증착법(CVD:Chemical Vapor Deposition) 프로세스 챔버로 부터 배출되어 진공펌프를 통과한 가스 중의 반응부산물이 배기 파이프 내에서 파우더로 증착되는 것을 억제하기 위한 반도체 제조 장비에 적용되는 것으로서, 포 라인(Fore line) 및 배기 라인(exhaust line) 내에 히팅 어셈블리를 각각 배치하여 직접 및 간접 가열 방식을 함께 사용함으로써, 포 라인 및 배기 라인의 세정 주기를 연장할 수 있는 파우더 발생 억제 기능을 갖는 반도체 제조 장비가 개시된다. 본 발명의 반도체 제조 장비는 프로세스 챔버와 진공 펌프 사이를 연결하기 위한 포 라인을 포함한다. 배기 라인은 진공 펌프와 스크러버 사이를 연결시킨다. 히팅 어셈블리는 포 라인과 배기 라인에 각각 배치된다. 여 구성되고, 포 라인은 중심 연결관; 그 중심 연결관에 대하여 직각으로 배치되며, 중심 연결관의 양단에 각각 연결되는 한 쌍의 중간 연결관; 및 중간 연결관 중 하나에 제공되는 수직 연결관을 포함하여 구성되고, 중간 연결관은 서로에 대하여 일직선 상으로 배치되고, 히팅 어셈블리는 포 라인과 배기 라인의 바깥 표면에 감싸도록 제공되는 히팅 자켓; 및 포 라인과 배기 라인의 내부에 제공되는 내부 히터을 포함하여 구성되고, 포 라인의 히팅 어셈블리과 배기 라인의 히팅 어셈블리에 의해 직접 및 간접 가열에 의해 파우더 발생을 효율적으로 억제한다.

Description

파우더 발생 억제 기능을 갖는 반도체 제조 장비{Semiconductor manufacturing apparatus having control function of powder generation}
본 발명은 반도체 제조장비에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 또는 LCD 제조시 화학기상증착법(CVD:Chemical Vapor Deposition) 프로세스 챔버로 부터 배출되어 진공펌프를 통과한 가스 중의 반응부산물이 배기 파이프 내에서 파우더로 증착되는 것을 억제하기 위한 반도체 제조 장비에 적용되는 것으로서, 포 라인(Fore line) 및 배기 라인(exhaust line) 내에 히팅 어셈블리를 각각 배치하여 직접 및 간접 가열 방식을 함께 사용함으로써, 포 라인 및 배기 라인의 세정 주기를 연장할 수 있는 파우더 발생 억제 기능을 갖는 반도체 제조 장비에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly 공정)으로 이루어진다.
전 공정은 각종 프로세스 챔버 내에서 웨이퍼(Wafer) 상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 에칭하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공함으로써, 반도체 칩(Chip)을 제조하는 공정이다. 또한 후공정은 전 공정에서 제조된 칩을 개별적으로 분리한 후, 리드 프레임(Lead frame)과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정을 말한다.
이때, 웨이퍼(Wafer) 상에 박막을 증착하거나 웨이퍼 상에 증착된 박막의 에칭 공정의 경우에는, 프로세스 챔버 내에서 유해 가스를 사용하여 고온에서 수행된다. 이러한 공정이 진행되는 동안 프로세스 챔버 내부에는 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 가스 등이 다량 발생한다. 즉, 프로세스 챔버 내부에서는 유해가스의 약 30% 만 웨이퍼의 표면에 증착되고, 일부 반응하지 않은 가스는 배출되는 것이다.
이에, 프로세스 챔버를 진공상태로 만들어 주는 진공 펌프의 후단에는, 프로세스 챔버로부터 배출되는 가스를 정화한 후 대기로 방출하기 위한 스크러버가 설치된다.
그런데, 프로세스 챔버와 진공 펌프 사이에서 가스는 고형화되어 파우더로 변하는 일이 발생하였으며, 파우더는 포 라인과 배기 라인에 고착되어 배기 압력을 상승시킴과 동시에 파우더가 진공 펌프로 유입될 경우, 진공 펌프의 고장을 유발하는 문제점이 있었다. 즉, 프로세스 챔버로부터 펌프로 배출되는 가스 중의 반응부산물은 포 라인 및 배기 라인 내벽에 고착되어 포 라인과 배기 라인의 막힘 현상을 유발하였으며, 진공 펌프의 몸체에 고착되어 진공 펌프를 손상시킴으로써 수명을 단축시켰다.
이를 해소하기 위한 노력이 다방면으로 연구되고 있으며, 그 대표적인 것 중 하나는 포 라인이나 배기 라인의 외부 표면에 히팅 자켓을 배치하는 방식으로 제안된 바 있다. 그러나 이는 간접적인 가열 방식이기 때문에 파우더의 제거 효율이 낮은 문제가 있었고, 이로 인해 직접 가열 방식으로 전환이 요구되었다.
KR 1020070030615 A KR 200366263 Y1
본 발명은 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 포 라인 및 배기 라인의 히팅 어셈블리를 각각 배치하여 직접 및 간접 가열 방식으로 함께 사용하고, 포 라인과 배기 라인을 거쳐 이중으로 가열함으로써, 프로세스 챔버로 부터 배출되어 진공펌프를 통과한 가스 중의 반응부산물이 포 라인 및 배기 라인 내에서 파우더로 증착되는 것을 효과적으로 억제할 수 있는 파우더 발생 억제 기능을 갖는 반도체 제조 장비를 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은
프로세스 챔버와 진공 펌프 사이를 연결하기 위한 포 라인; 및
상기 진공 펌프와 스크러버 사이를 연결하기 위한 배기 라인으로 구성되는 반도체 제조 장비로서,
상기 포 라인과 배기 라인에 각각 배치되는 히팅 어셈블리를 포함하여 구성되고,
상기 포 라인은 중심 연결관; 상기 중심 연결관에 대하여 직각으로 배치되며, 상기 중심 연결관의 양단에 각각 연결되는 한 쌍의 "L"자 형 중간 연결관; 및 상기 중간 연결관 중 하나에 제공되는 수직 연결관을 포함하여 구성되고, 한 쌍의 상기 중간 연결관은 서로에 대하여 일직선 상으로 배치되고,
삭제
상기 히팅 어셈블리는 상기 포 라인과 배기 라인의 바깥 표면에 감싸도록 제공되는 히팅 자켓; 및 상기 포 라인과 배기 라인의 내부에 제공되는 내부 히터를 포함하여 구성되되, 상기 내부 히터는 양단자와 음단자; 상기 양단자와 음단자를 감싸 절연시키는 절연재; 및 상기 절연재의 외주면에 압축시켜 감싸는 마그네슘 금속 보호관을 포함하여 구성되고, 상기 내부 히터는 코일 타입으로 형성되고,
일차적으로는 상기 포 라인(106)의 히팅 어셈블리(110)에 의해, 이차적으로는 상기 배기 라인(108)의 히팅 어셈블리(110)에 의해 직접 및 간접 가열에 의해 파우더 발생을 효율적으로 억제하는 것을 특징으로 하는 파우더 억제 기능을 갖는 반도체 제조 장비를 제공함으로써 달성되는 것이다.
상기 절연재의 밀도는 2~3 g/㎠ 인 것이 바람직하다.
상기 마그네슘 금속 보호관의 내부 및 외부 표면에는 크롬 니트레이트(Chromium Nitride)가 추가로 코팅 처리되는 것이 바람직하다.
상기 마그네슘 금속 보호관의 내부 및 외부 표면에는 DLC(Diamond-like-Carbon)가 추가로 코팅 처리되는 것이 바람직하다.
상기 양단자 및 음단자에 절연재 및 마그네슘 금속 보호관을 동시에 압축시켜 제조하는 것이 바람직하다.
상기 포 라인과 배기 라인의 중공 내에 노출되도록 배치되어, 상기 포 라인과 배기 라인의 내부를 적정 온도로 유지하기 위한 제2 온도센서가 추가로 제공되는 것이 바람직하다.
상기 포 라인과 배기 라인에 제공되어, 상기 포 라인과 배기 라인의 과열을 방지하기 위한 제1 온도센서가 추가로 제공되는 것이 바람직하다.
본 발명의 파우더 발생 억제 기능을 갖는 반도체 제조 장비에 의하면, 포 라인과 배기 라인의 내부에 내부 히터를 각각 배치함으로써, 포 라인과 배기 라인을 통과하는 반응 부산물에 대략 170℃ 정도 이상으로 직접 가열시킴에 따라, 프로세스 챔버로 부터 배출되어 진공 펌프를 통과한 가스 중의 반응부산물이 포 라인과 배기 라인 내에서 파우더로 증착되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. 그 결과, 포 라인과 배기 라인의 세정 주기를 길게 할 수 있기 때문에 세정을 위한 시간 및 인력 소모를 줄일 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 파우더 발생 억제 기능을 갖는 반도체 제조 장비의 실시 예에 따른 사시도;
도 2는 도 1에서 히팅 어셈블리가 포 라인을 보여주는 사시도;
도 3은 도 2에서 중간 연결관의 배치 상태를 보여주기 위한 사시도;
도 4는 도 2에서 내부 히터의 구조를 보여 주기 위한 요부 사시도;
도 5는 도 1에서 히팅 어셈블리가 적용된 배기 라인을 보여주는 대략 구성도; 및
도 6은 도 5에서 히팅 어샘블리 부분을 보여주기 위해 절개된 상태로 보여주는 배기 라인을 보여주는 사시도이다.
일반적으로, 온도와 압력에 따라 TiCl과 NH3가 서로 결합한 후, 이들의 반응으로 생기는 HCl과 NH3는 직접 반응하여 다음과 같이 부산물이 발생하게 된다.
NH3(g) + HCl(g) -> NH4Cl(s)..........흰색 파우더(White powder) 발생
TiCl4 + n NH3 -> TiCl4 n NH3(n=2~8)..노란색 파우더(Yellow powder) 발생
여기서, 포 라인과 배기 라인에는 부산물(By-product)의 형성 온도 조건인 150℃ 이하의 온도에서 흰색 파우더 및 노란색 파우더가 생성되었으며, 170℃에서는 파우더가 형성되지 않았다. 본 발명에서 내부 히터를 포 라인과 배기 라인의 내부에 각각 설치하여 150℃ 이상의 충분한 열을 가스 분자에 직접 전달하는 방식으로 개발한 결과 파우더가 형성되지 않았다.
기본적으로, 시간이 경과 함에 따라 파우더가 다량으로 누적되어 배기 파이프 내의 압력이 상승하여 PM 주기가 1개월이 보통이나, 본 발명에 따른 내부 히터의 적용 이후 PM 주기를 2개월 이상 연장시켜 세정을 위한 시간과 인력 소비를 감소시킬 수 있었다.
또한 본 발명에서 사용되는 내부 히터의 구성 요소 중, 절연재는 마그네슘으로 된 것을 사용하는 데, 이 마그네슘과 산소의 화합물로서, 화학식 고토(苦土)라고도 하며, 공업적으로는 마그네시아, 의약품으로서는 마그네시아우스터, 백색의 비결정성 분말이지만, 붕산염과 융해한 용액에서 등축 정계의 결정이 석출된다. 물에는 약간 녹아 알칼리성으로 보이지만, 산 암모니아수에는 쉽게 녹는다. 금속 마그네슘을 공기 속에서 가열하거나, 탄산마그네슘을 열분해 하면, 내화재로 도가니 마그네시아 시멘트, 촉매, 흡착제로 사용하는 외에 의약품으로서 제산제, 하제로 사용된다.
비교적 낮은 잔류 응력의 은 다른 코팅보다 접합력과 그렇기 때문에 두껍게 코팅하여도 경도와 연성이 유지되어 사용 중 칩핑 박리 등의 발생이 적다. 또한 내마모성 및 내식성이 우수하며, 금속 성형이나 비철금속 가공 등에 적용되고 있다. 특히 사출 금형 적용 시 사출물과 소착 현상을 최소화한다.
이하에서는, 실시 예를 통해 본 발명의 내용을 첨부된 도면을 참조하여 상술한다. 하기 실시 예는 예시에 불과한 것으로서 본 발명의 권리범위를 제한하는 것이 아님은 물론이다.
도 1은 본 발명에 따른 파우더 발생 억제 기능을 갖는 반도체 제조 장비(100)을 전체적으로 보여주는 도면이며, 도 2는 도 1에서의 히팅 어셈블리(110)가 적용된 포 라인(106)을 보여주는 도면이며, 도 3은 도 2에서 중간 연결관(106b)의 배치 상태를 보여주기 위한 도면이고, 도 4는 도 2에서 내부 히터(114)의 구조를 보여 주기 위한 요부 도면이다.
도 5는 도 1에서 히팅 어셈블리(110)가 적용된 배기 라인(108)을 보여주는 도면이고, 도 6은 도 5에서 히팅 어셈블리(110) 부분을 보여주기 위해 절개된 상태의 배기 라인(108)을 보여주는 도면이다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 파우더 발생 억제 기능을 갖는 반도체 제조 장비(100)는 프로세스 챔버(101)와 진공 펌프(102) 사이를 연결하기 위한 포 라인(106), 및 진공 펌프(102)와 스크러버(104) 사이를 연결하기 위한 배기 라인(108)으로 구성되어 파우더의 증착을 억제하기 위한 것이다.
히팅 어셈블리(110)는 포 라인(106)과 배기 라인(108)에 각각 배치된다. 이때, 포 라인(106)은 중심 연결관(106a), 및 그 중심 연결관(106a)에 대하여 직각으로 배치되며, 상기 중심 연결관(106a)의 양단에 각각 연결되는 한 쌍의 대략 "L"자 형 중간 연결관(106b)을 포함하여 구성되고, 한 쌍의 중간 연결관(106b)은 서로에 대하여 일직선상으로 배치되는 것이 바람직하다. 이러한 중간 연결관(106b) 중 하나에는 포 라인(106)의 일단이 연결되는 것이다. 수직 연결관(106c)은 중간 연결관(106b) 중 하나에 제공된다.
히팅 어셈블리(110)는 포 라인(106)과 배기 라인(108)의 바깥 표면에 감싸도록 제공되는 히팅 자켓(112) 및 포 라인(106)과 배기 라인(108)의 내부에 제공되는 내부 히터(114)을 포함하여 구성된다.
내부 히터(114)는 양단자(116)와 음단자(118), 그 양단자(116)와 음단자(118)를 감싸 절연시키는 절연재(120), 및 그 절연재(120)의 외주면에 압축시켜 감싸는 마그네슘 금속 보호관(122)을 포함하여 구성된다. 이때 내부 히터(114)는 코일 타입으로 형성되는 것이 바람직하다. 여기서, 내부 히터(114)는 코일 타입으로 형성되는 것이 바람직하다. 이는 내부 히터(114)의 열이 포 라인(106)과 배기 라인(108)의 내부 온도를 전체적으로 균일하게 유지시켜 주기 위한 것이다. 내부 히터(114)는 중앙 부위에서 양 끝단으로 갈수록 좁게 배치되는 것이 바람직하다. 이 또한, 포 라인(106) 및 배기 라인(108)의 내부 온도를 전체적으로 균일하게 유지시켜 주기 위한 것이다.
절연재(120)의 밀도는 2~3 g/㎠ 인 것이 바람직하다.
마그네슘 금속 보호관(122)의 내부 및 외부 표면에는 크롬 니트레이트(Chromium Nitride)가 추가로 코팅 처리되는 것이 바람직하다.
마그네슘 금속 보호관(122)의 내부 및 외부 표면에는 DLC(Diamond-like-Carbon)가 추가로 코팅 처리되는 것이 바람직하다. 내부 히터(114)는 엠 아이 케이블(Mineral Insulator Cable)인 것이 바람직하다. 추후에 설명될 마그네슘과 같은 재질의 금속 보호관(122) 내에 제공되어 그 용도에 따라 선택한“기능소선”인 양단자(116) 및 음단자(118)와 같은 도체 선이 보호되도록 하고 있다.
여기서, DLC 코팅은 고경의 특성 등 다이아몬드와 유사한 물성을 가지며, 수소(N2)를 포함하는 아몰퍼스 카본 막을 말한다. 플라즈마 화학기상 증착법에 의한 DLC 코팅의 특성은 다음과 같다.
- 코팅 두께의 표준은 2-3 마이크론
- 경도 1000 ~ 1500 ㎏/㎟ [공정조건에 따라 다름]
- 저 마찰계수 무 윤활 조건에 0.1-0.2 [200℃까지 일정]
- 열적 안정성 : 대기 중 400℃까지 안정
- 처리온도 : 100℃ 이하
- 내식성 : 산 및 알카리에 용해되지 않음
- 저 상대 공격성 : 상대 재에 대한 손상이 매우 적음
- 이 형성 : 연질 금속의 응착, 소착이 감소함
- 초평활성 : 기재의 평활성을 손상하지 않음. 박막 치수 정밀도 확보 가능
- 절연성 : 전기 저항이 큼
아울러, DLC코팅은 윤활성이 우수하여 파우더가 증착되지 않으며 내식성이 강해 Ticl4, ClF3, NF3의 가스에 안전할 수 있다.
제2 온도센서(126)는 포 라인(106)과 배기 라인(108)의 중공 내에 노출되도록 배치되고, 포 라인(106)과 배기 라인(108)의 내부를 적정 온도로 유지시킨다.
제1 온도센서(124)는 포 라인(106)과 배기 라인(108)에 제공되어, 포 라인(106)과 배기 라인(108)의 과열을 방지시키는 것이 바람직하다.
여기서, 양단자(116) 및 음단자(118)에는 절연재(120) 및 마그네슘 금속 보호관(122)을 동시에 압축시켜 제조하는 것이 바람직하다.
여기서, "TMP"는 프로세스 챔버(101)의 저면에 다수개 제공되는 터보분자펌프이며, "AV"는 터보분자펌프(TWP)와 포 라인(106) 사이에 제공되는 앵글 밸브이다.
이와 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 파우더 발생 억제 기능을 갖는 반도체 제조장비를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 다시 도 1 내지 도 4를 참조하면, 진공 펌프(102)는 프로세스 챔버(101)를 진공 상태로 만들어 주기 위해 구비된다. 스크러버(104)는 진공 펌프(102)의 후단에 배기 라인(108)에 의해 연결되되, 이러한 스크러버(104)는 프로세스 챔버(101)로부터 배출되는 가스를 정화한 후 대기로 방출하기 위해 제공된다.
본 발명에 따른 파우더 발생 억제 기능을 갖는 반도체 제조장비(100)는 프로세스 챔버(101)와 진공 펌프(102)를 연결하는 포 라인(106)과 진공 펌프(102)와 스크러버(104) 사이를 연결하는 배기 라인(108)에 각각 제공된다.
이러한 구성을 갖는 파우더 발생 억제 기능을 갖는 반도체 제조장비의 작용 상태를 볼 때, 먼저 프로세스 챔버(101)로부터 배출된 가스 중의 반응부산물이 터보분자펌프(TWP)와 앵글 밸브(AV)를 통해 포 라인(106) 내로 유입된다. 포 라인(106)은 중심 연결관(106a)과 다수개의 중간 연결관(106b)으로 구성된 상태이다. 이 때문에, 프로세스 챔버(101)로부터 배출된 가스(반응물이 포함됨)는 포 라인(106)에 직접 배출되거나, 각각의 중간 연결관(106b), 중심 연결관(106a), 및 수직 연결관(106c)을 통해 포 라인(106)에 직접 배출되는 것이다.
이때, 포 라인(106)에는 내부 히터(114)와 히팅 자켓(112)이 제공되어 있는 상태이다. 이러한 내부 히터(114)와 히팅 자켓(112)은 상기한 가스 중의 반응 부산물이 포 라인(106)의 내부에 파우더로 증착되지 않게 된다. 여기서, 히팅 자켓(112)은 포 라인(106)의 외부에서 간접 가열시키게 되고, 내부 히터(114)는 포 라인(106)의 내부 온도를 170℃ 정도로 유지시켜 주기 때문에 포 라인(106)의 내경에 파우더가 증착되지 않는 조건으로 맞춰 주게 되는 것이다. 이에 따라 포 라인(106)의 내부에 파우더가 증착되지 않도록 하는 것이다.
여기서, 포 라인(106)에 제공된 제1 온도센서(124)는 포 라인(106)의 내부 온도를 대략 170℃와 같은 셋팅된 온도로 유지시킨다. 또한 제2 온도센서(126)는 포 라인(106)의 온도가 과열되지 않도록 히팅 자켓(112) 또는 내부 히터(114)의 온도 레벨을 조정해 주는 것이다.
이와 함께, 배기 라인(108)에는 히팅 어셈블리(110)가 제공되어 있는 상태이며, 이러한 히팅 어셈블리(110)의 히팅 자켓(112)과 내부 히터(114)의 역할 및 기능은 앞서 설명한 바와 같다.
결론적으로 말하자면, 본 발명에 따른 히팅 어셈블리(110)가 포 라인(106)과 배기 라인(108)에 각각 설치된 상태이다. 일차적으로는 포 라인(106)의 히팅 어셈블리(110)에 의해, 이차적으로는 배기 라인(108)의 히팅 어셈블리(110)에 의해 직접 및 간접 가열에 의해 파우더 발생을 효율적으로 억제하는 것이다.
이상에서 본 발명을 특정한 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정하지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형이 가능할 것이다.
100 : 반도체 제조 장비 102 : 진공 펌프
104 : 스크러버 106 : 포 라인(Fore line)
106a : 중심 연결관 106b : 중간 연결관
106c : 수직 연결관
108 : 배기 라인(Exhaust line) 110 : 히팅 어셈블리
112 : 히팅 자켓(heating jacket) 114 : 내부 히터(inner heater)
116 : 양단자 118 : 음단자
120 : 절연재 122 : 마그네슘 금속 보호관
124 : 제1 온도센서 126 : 제2 온도센서
AV : 앵글 밸브 TMP : 터보분자펌프

Claims (9)

  1. 프로세스 챔버(101)와 진공 펌프(102) 사이를 연결하기 위한 포 라인(106);
    상기 진공 펌프(102)와 스크러버(104) 사이를 연결하기 위한 배기 라인(108)으로 구성되는 반도체 제조 장비(100)로서,
    상기 포 라인(106)과 배기 라인(108)에 각각 배치되는 히팅 어셈블리(110)를 포함하여 구성되고,
    상기 포 라인(106)은 중심 연결관(106a); 상기 중심 연결관(106a)에 대하여 직각으로 배치되며, 상기 중심 연결관(106a)의 양단에 각각 연결되는 한 쌍의 "L"자 형 중간 연결관(106b); 및 상기 중간 연결관(106b) 중 하나에 제공되는 수직 연결관(106c)을 포함하여 구성되고,
    한 쌍의 상기 중간 연결관(106b)은 서로에 대하여 일직선 상으로 배치되고, 상기 히팅 어셈블리(110)는 상기 포 라인(106)과 배기 라인(108)의 바깥 표면에 감싸도록 제공되는 히팅 자켓(112); 및 상기 포 라인(106)과 배기 라인(108)의 내부에 제공되는 내부 히터(114)을 포함하여 구성되되, 상기 내부 히터(114)는 양단자(116)와 음단자(118); 상기 양단자(116)와 음단자(118)를 감싸 절연시키는 절연재(120); 및 상기 절연재(120)의 외주면에 압축시켜 감싸는 마그네슘 금속 보호관(122)을 포함하여 구성되고, 상기 내부 히터는 코일 타입으로 형성되고,
    일차적으로는 상기 포 라인(106)의 히팅 어셈블리(110)에 의해, 이차적으로는 상기 배기 라인(108)의 히팅 어셈블리(110)에 의해 직접 및 간접 가열에 의해 파우더 발생을 효율적으로 억제하는 것을 특징으로 하는 파우더 발생 억제 기능을 갖는 반도체 제조 장비.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 절연재(120)의 밀도는 2~3 g/㎠ 인 것을 특징으로 하는 파우더 발생 억제 기능을 갖는 반도체 제조 장비.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 마그네슘 금속 보호관(122)의 내부 및 외부 표면에는 크롬 니트레이트(Chromium Nitride)가 추가로 코팅 처리되는 것을 특징으로 하는 파우더 발생 억제 기능을 갖는 반도체 제조 장비.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 마그네슘 금속 보호관(122)의 내부 및 외부 표면에는 DLC(Diamond-like-Carbon)가 추가로 코팅 처리되는 것을 특징으로 하는 파우더 발생 억제 기능을 갖는 반도체 제조 장비.
  7. 제 6 항에 있어써, 상기 양단자(116) 및 음단자(118)에 절연재(120) 및 마그네슘 금속 보호관(122)을 동시에 압축시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 파우더 발생 억제 기능을 갖는 반도체 제조 장비.
  8. 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 포 라인(106)과 배기 라인(108)의 중공 내에 노출되도록 배치되어, 상기 포 라인(106)과 배기 라인(108)의 내부를 적정 온도로 유지하기 위한 제2 온도센서(126)가 추가로 제공되는 것을 특징으로 하는 파우더 발생 억제 기능을 갖는 반도체 제조 장비.
  9. 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 포 라인(106)과 배기 라인(108)에 제공되어, 상기 포 라인(106)과 배기 라인(108)의 과열을 방지하기 위한 제1 온도센서(124)가 추가로 제공되는 것을 특징으로 하는 파우더 발생 억제 기능을 갖는 반도체 제조 장비.
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