CN108461420B - 刻蚀设备 - Google Patents

刻蚀设备 Download PDF

Info

Publication number
CN108461420B
CN108461420B CN201810093756.3A CN201810093756A CN108461420B CN 108461420 B CN108461420 B CN 108461420B CN 201810093756 A CN201810093756 A CN 201810093756A CN 108461420 B CN108461420 B CN 108461420B
Authority
CN
China
Prior art keywords
air
exhaust
exhaust pipeline
pipe wall
pump
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810093756.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108461420A (zh
Inventor
董磊磊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201810093756.3A priority Critical patent/CN108461420B/zh
Publication of CN108461420A publication Critical patent/CN108461420A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108461420B publication Critical patent/CN108461420B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

本发明提供一种刻蚀设备，包括密封罩、承载板以及多个排气结构，承载板位于密封罩内，多个排气结构环绕承载板设置，每一个排气结构包括排气管道和抽气泵，排气管道包括进气口和出气口，进气口与密封罩连通，出气口与抽气泵连通，排气管道的管壁上设置有多个进气孔，进气孔的气流方向与排气管道的管壁垂直，抽气泵产生的气流方向与排气管道的管壁平行。本发明提出的刻蚀设备的排气管道的管壁上设置有多个进气孔，进气孔中的气流在抽气泵产生的气流的作用下会偏离排气管道的管壁并朝向出气口，从而使得刻蚀制程中产生的微粒不容易沉积在排气管道的管壁上，优化刻蚀环境、提升刻蚀制程的良率、延长设备的维护周期。

Description

刻蚀设备
技术领域
本发明涉及柔性显示制造工艺技术领域，尤其涉及一种刻蚀设备。
背景技术
随着柔性显示技术的发展，柔性显示装置的应用越来越广泛，而柔性显示装置对半导体制造设备的要求很高。目前，主流的AMOLED柔性显示技术，一般需要先在整片基板上制作Array电路，目前，Array电路主要使用7T1C电路，7T1C电路复杂、密集，对微粒的管控要求更高。但由于刻蚀设备主要用于蚀刻薄膜，会不可避免的产生一些易沉积的微粒，特别是在金属制程中。这些微粒如果不及时排出，会附着在腔室内，特别是排气管道的位置，可能会在工艺的过程中二次飞起，掉落于基板表面造成残留，造成刻蚀残留，从而降低刻蚀制程的良率。
发明内容
为了解决现有技术的不足，本发明提供一种刻蚀设备，能够优化刻蚀环境、提升刻蚀制程的良率、延长设备的维护周期。
本发明提出的具体技术方案为：提供一种刻蚀设备，所述刻蚀设备密封罩、承载板以及多个排气结构，所述承载板位于所述密封罩内，所述多个排气结构环绕所述承载板设置，每一个所述排气结构包括排气管道和抽气泵，所述排气管道包括进气口和出气口，所述进气口与所述密封罩连通，所述出气口与所述抽气泵连通，所述排气管道的管壁上设置有多个进气孔，所述进气孔的气流方向与所述排气管道的管壁垂直，所述抽气泵产生的气流方向与所述排气管道的管壁平行。
进一步地，所述多个进气孔呈螺旋形排列，以使得所述排气管道中的气流方向呈旋涡状。
进一步地，所述排气结构还包括控制阀，所述控制阀设于所述排气管道与所述抽气泵之间。
进一步地，所述排气结构还包括与所述控制阀连接的第一控制器，所述第一控制器用于控制所述控制阀的开口的大小。
进一步地，所述刻蚀设备还包括与所述进气孔连通的进气泵以及与所述进气泵连接的第二控制器，所述第二控制器用于控制所述进气泵的气流的大小。
进一步地，所述排气管道的材质为耐腐蚀、绝缘材质。
进一步地，所述多个排气结构关于所述承载板对称。
进一步地，所述刻蚀设备还包括加热件，所述加热件覆盖于所述排气管道的表面，所述加热件的表面设置有与所述进气孔对应的通孔。
本发明提出的刻蚀设备的排气管道的管壁上设置有多个进气孔，所述进气孔的气流方向与所述排气管道的管壁垂直，所述抽气泵产生的气流方向与所述排气管道的管壁平行，所述进气孔中的气流在所述抽气泵产生的气流的作用下会偏离所述排气管道的管壁并朝向所述出气口，从而使得刻蚀制程中产生的微粒不容易沉积在所述排气管道的管壁上，优化刻蚀环境、提升刻蚀制程的良率、延长设备的维护周期。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为刻蚀设备的结构示意图；
图2为排气管道中的气流的流向图。
具体实施方式
以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，相同的标号将始终被用于表示相同的元件。
参照图1、图2，本实施例提供的刻蚀设备包括密封罩1、承载板2以及多个排气结构3，承载板2位于密封罩1内，承载板2用于放置基板4，多个排气结构3环绕承载板2设置，每一个排气结构3包括排气管道31和抽气泵32，排气管道31包括进气口310和出气口311，进气口310与密封罩1连通，出气口311与抽气泵32连通，排气管道31的管壁上设置有多个进气孔312，进气孔312的气流方向与排气管道31的管壁垂直，抽气泵32产生的气流方向与排气管道31的管壁平行，即进气孔312的气流方向沿水平方向，抽气泵32产生的气流方向为竖直方向。
如图2所示，多个排气结构3用于将密封罩1中的空气排出，抽气泵32产生的气流为负压，进气孔312的气流在抽气泵32产生的负压作用下偏离水平方向并朝向出气口311，从而使得刻蚀制程中产生的微粒不容易沉积在排气管道31的管壁上。
通过多个排气结构3及进气孔312便可以使得排气管道31中的气流一方面能够将刻蚀制程中产生的微粒排出，另一方面还能够降低微粒沉积在排气管道31的管壁的概率，从而优化刻蚀环境、提升刻蚀制程的良率、延长设备的维护周期。
较佳地，多个进气孔312呈螺旋形排列，即多个进气孔312呈螺旋形分布于排气管道31的管壁上，这样，进气孔312的气流在抽气泵32产生的负压作用下在排气管道31中形成漩涡状的气流，更有利于将刻蚀制程中的微粒从出气口311中排出。
排气结构3还包括控制阀33，控制阀33设于排气管道31与抽气泵32之间。控制阀33为APC阀，通过控制阀33可以调节抽气泵32的气流的大小。
排气结构3还包括与控制阀33连接的第一控制器34，第一控制器34用于控制控制阀33的开口的大小，为了增加抽气泵32的气流，则可以通过第一控制器34增加控制阀33的开口，反之，为了减少抽气泵32的气流，则可以通过第一控制器34减小控制阀33的开口。
本实施例中的刻蚀设备还包括进气泵(图未示)以及第二控制器(图未示)。进气泵与进气孔312连通，第二控制器与进气泵连接，第二控制器用于控制进气泵的气流的大小。
较佳地，刻蚀设备还包括调节阀(图未示)，调节阀设于进气泵与进气孔312之间，调节阀为APC阀，通过调节阀可以调节进气泵的气流的大小。第二控制器与调节阀连接，第二控制器用于控制调节阀的开口的大小，为了增加进气泵的气流，则可以通过第二控制器增加调节阀的开口，反之，为了减少进气泵的气流，则可以通过第二控制器减小调节阀的开口。
通过第一控制器34和第二控制器来调节控制阀33和调节阀的开口的大小，从而调节抽气泵32和进气泵的气流的大小，使得整个排气管道31中的气流为负压，避免微粒回流至密封罩1中。
较佳地，多个排气结构3对称分布于承载板2的两侧，这样可以使得密封罩1各处的气压相等，从而提升刻蚀的均一性。
本实施例中的排气管道31的材质为耐腐蚀、绝缘材质，例如，陶瓷材料或者经过阳极氧化coating制作后的铝材料。这样，密封罩1中的工艺气体不会对排气管道31进行腐蚀。
此外，为了进一步地减少刻蚀制程中微粒沉积在排气管道31的管壁上，刻蚀设备还包括加热件5。加热件5覆盖于排气管道31的外表面，加热件5的表面开设有与进气孔312对应的通孔51，通过加热件5可以对排气管道31中的微粒进行加热，使得微粒不容易固化沉积在排气管道31的管壁上。
本实施例中多个排气结构3还用于支撑整个刻蚀设备，承载板2搁置于排气结构3的顶部并部分覆盖排气结构3的顶部，这样，排气结构3在排气的过程中还可以支撑整个刻蚀设备。
以上所述仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (7)

1.一种刻蚀设备，其特征在于，包括密封罩、承载板以及多个排气结构，所述承载板位于所述密封罩内，所述多个排气结构环绕所述承载板设置，每一个所述排气结构包括排气管道和抽气泵，所述排气管道包括进气口和出气口，所述排气管道呈柱状，所述进气口位于所述排气管道的顶部，所述出气口位于所述排气管道的底部；所述进气口与所述密封罩连通，所述出气口与所述抽气泵连通，所述排气管道的管壁上设置有多个进气孔，所述进气孔的气流方向与所述排气管道的管壁垂直，所述抽气泵产生的气流方向与所述排气管道的管壁平行，所述多个进气孔呈螺旋形排列，以使得所述排气管道中的气流方向呈旋涡状。
2.根据权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，所述排气结构还包括控制阀，所述控制阀设于所述排气管道与所述抽气泵之间。
3.根据权利要求2所述的刻蚀设备，其特征在于，所述排气结构还包括与所述控制阀连接的第一控制器，所述第一控制器用于控制所述控制阀的开口的大小。
4.根据权利要求3所述的刻蚀设备，其特征在于，还包括与所述进气孔连通的进气泵以及与所述进气泵连接的第二控制器，所述第二控制器用于控制所述进气泵的气流的大小。
5.根据权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，所述排气管道的材质为耐腐蚀、绝缘材质。
6.根据权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，所述多个排气结构关于所述承载板对称。
7.根据权利要求1-6任一所述的刻蚀设备，其特征在于，还包括加热件，所述加热件覆盖于所述排气管道的表面，所述加热件的表面设置有与所述进气孔对应的通孔。
CN201810093756.3A 2018-01-31 2018-01-31 刻蚀设备 Active CN108461420B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810093756.3A CN108461420B (zh) 2018-01-31 2018-01-31 刻蚀设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810093756.3A CN108461420B (zh) 2018-01-31 2018-01-31 刻蚀设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108461420A CN108461420A (zh) 2018-08-28
CN108461420B true CN108461420B (zh) 2020-07-24

Family

ID=63239152

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810093756.3A Active CN108461420B (zh) 2018-01-31 2018-01-31 刻蚀设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108461420B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1851854A (zh) * 2005-12-07 2006-10-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 下抽气式刻蚀装置
CN102766902A (zh) * 2011-05-05 2012-11-07 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 工艺腔室装置和具有该工艺腔室装置的基片处理设备
CN103811258A (zh) * 2012-11-06 2014-05-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子体反应腔
CN103871930A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 M.I株式会社 具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3257328B2 (ja) * 1995-03-16 2002-02-18 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1851854A (zh) * 2005-12-07 2006-10-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 下抽气式刻蚀装置
CN102766902A (zh) * 2011-05-05 2012-11-07 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 工艺腔室装置和具有该工艺腔室装置的基片处理设备
CN103811258A (zh) * 2012-11-06 2014-05-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子体反应腔
CN103871930A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 M.I株式会社 具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN108461420A (zh) 2018-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10720312B2 (en) Substrate processing apparatus
JP5391190B2 (ja) 処理チャンバの排気ガス流量の制御方法及び処理装置
CN104995719A (zh) 具有可拆卸式气体分配板的喷淋头
JPWO2014103523A1 (ja) 処理装置とその排気切換装置並びに排気切換ユニットと切換弁ボックス
KR20140148434A (ko) 플라즈마 프로세싱 시스템들에서의 공유형 가스 패널들
WO2014130230A1 (en) Tunable gas delivery assembly with internal diffuser and angular injection
CN108461420B (zh) 刻蚀设备
CN110400768B (zh) 反应腔室
CN113035681B (zh) 晶圆气锁装置
TW201923228A (zh) 真空泵及/或減量系統
CN204325493U (zh) 一种lpcvd沉积装置
JP2020047897A (ja) 基板処理装置
US8707899B2 (en) Plasma processing apparatus
CN207845776U (zh) 一种mocvd设备
CN108916103B (zh) 一种鼓风机的三合一出口放空结构
JP2000068209A (ja) 基板処理装置
KR102303066B1 (ko) 챔버 내부의 유동을 확산시키는 것에 의한 더 낮은 입자 수 및 더 양호한 웨이퍼 품질을 위한 효과적이고 새로운 설계
CN115220306A (zh) 气浴装置及光刻机
CN212900958U (zh) 氮气循环系统
CN110960910A (zh) 一种平板过滤器
WO2019119608A1 (zh) 刻蚀设备
CN221116008U (zh) 一种树脂储罐的填充装置
CN214254441U (zh) 一种匀流板
CN213160100U (zh) 一种半导体尾气冷热双处理装置
CN219696391U (zh) 一种等离子刻蚀设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant