KR102359533B1

KR102359533B1 - Apparatus And Method For Treating A Substrate

Info

Publication number: KR102359533B1
Application number: KR1020200022514A
Authority: KR
Inventors: 김현민
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2020-02-24
Filing date: 2020-02-24
Publication date: 2022-02-09
Also published as: KR20210107463A

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 일 실시 예에 의하면, 기판을 처리하는 장치에 있어서, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와; 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 그리고, 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고, 처리 용기는 그 내측면이 다공성 재질로 이루어진 다공성 영역을 포함하고, 내측면은 처리 공간에 노출되도록 제공될 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate, according to an embodiment, is an apparatus for processing a substrate, comprising: a processing vessel having a processing space therein; a support unit for supporting the substrate in the processing space; And, it may include a liquid supply unit for supplying a processing liquid on the substrate supported by the support unit, the processing container may be provided such that the inner surface includes a porous region made of a porous material, and the inner surface is exposed to the processing space. have.

Description

Substrate processing apparatus and substrate processing method {Apparatus And Method For Treating A Substrate}

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 기판에 액 처리를 하되, 액 처리 이후에 별도의 세정 공정이 요구되지 않는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which a liquid treatment is performed on a substrate, but a separate cleaning process is not required after the liquid treatment.

반도체 소자 및 평판표시패널의 제조 공정은 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진, 식각, 애싱, 그리고 세정 공정들은 기판 상에 처리액을 공급하여 기판을 액처리하는 공정을 수행한다.In the manufacturing process of semiconductor devices and flat panel display panels, various processes such as photography, etching, ashing, thin film deposition, and cleaning processes are performed. Among these processes, photolithography, etching, ashing, and cleaning processes perform a process of liquid-treating the substrate by supplying a treatment liquid onto the substrate.

이 중 사진 공정은 도포 단계, 노광 단계, 그리고 현상 단계를 포함한다. 도포 단계는 기판 상에 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 도포 공정으로, 사용된 감광액의 일부는 처리 용기를 통해 회수된다.Among them, the photographic process includes a coating step, an exposure step, and a developing step. The coating step is a coating process in which a photoresist such as a photoresist is applied on a substrate, and a portion of the used photoresist is recovered through a processing vessel.

감광액은 점성을 가지는 액으로, 기판 상에 감광액을 공급하는 과정에서 다량이 회수 경로에 부착된다. 처리 용기의 회수 경로에 부착된 감광액들은 주변 장치를 오염시킬 수 있으며, 작업자에게 악영향을 끼칠 수 있다.The photoresist is a viscous liquid, and in the process of supplying the photoresist on the substrate, a large amount is attached to the recovery path. The photoresist adhering to the recovery path of the processing vessel may contaminate peripheral devices and may adversely affect the operator.

이에 따라 감광액들이 잔류되는 처리 용기는 주기적인 세정을 필요로 한다. 이에 종래에는, 처리 용기를 세정하는 세정 공정을 별도로 수행하였다. 일반적으로, 기판의 액 도포가 완료되기 전 또는 후에 기판과 유사한 형상의 지그에 세정액을 공급하고, 지그를 회전시킴에 따라 세정액을 비산시켜 처리 용기를 세정하였다. Accordingly, the processing vessel in which the photoresist is left requires periodic cleaning. Accordingly, in the prior art, a cleaning process for cleaning the processing vessel was separately performed. In general, a cleaning liquid is supplied to a jig having a shape similar to that of the substrate before or after the liquid application of the substrate is completed, and the cleaning liquid is scattered as the jig is rotated to clean the processing vessel.

그러나, 회수 경로를 형성하는 처리 용기의 영역들 중 일부 영역에는 세정액이 도달되지 못한다. 이에 따라 세정 공정이 완료되었음에도, 처리 용기에는 여전히 감광액이 잔류되어 있는 문제가 있다. 또한, 세정 공정을 별도로 수행함에 따라 기판의 생산 효율이 떨어지고 비용이 증가하는 문제가 있다.However, the cleaning liquid does not reach some of the regions of the processing vessel forming the recovery path. Accordingly, there is a problem in that the photoresist still remains in the processing container even after the cleaning process is completed. In addition, as the cleaning process is separately performed, there is a problem in that the production efficiency of the substrate decreases and the cost increases.

본 발명은 처리 용기의 오염을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of preventing contamination of a processing vessel.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 일 실시 예에 의하면, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와; 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 그리고, 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고, 처리 용기는 그 내측면이 다공성 재질로 이루어진 다공성 영역을 포함하고, 내측면은 처리 공간에 노출되도록 제공될 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. According to an embodiment, an apparatus for processing a substrate includes: a processing vessel having a processing space therein; a support unit for supporting the substrate in the processing space; And, it may include a liquid supply unit for supplying a processing liquid on the substrate supported by the support unit, the processing container may be provided such that the inner surface includes a porous region made of a porous material, and the inner surface is exposed to the processing space. have.

일 실시 예에 의하면, 처리 용기는, 외측 바울과; 외측 바울의 내측에 위치되는 내측 바울을 가지고, 내측 바울은 다공성 영역으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the processing vessel includes: an outer bowl; With the inner pole positioned inside the outer pole, the inner pole may be provided as a porous region.

일 실시 예에 의하면, 내측 바울과 외측 바울은 서로 밀착되게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the inner pole and the outer pole may be provided in close contact with each other.

일 실시 예에 의하면, 처리 용기는, 지지 유닛을 감싸는 하부 컵과; 하부 컵을 감싸는 상부 컵을 가지고, 상부 컵의 상단과 하부 컵의 상단은 상하 방향으로 서로 이격되게 제공되고, 이격된 부분은 처리액이 회수되는 회수 경로를 형성하며, 다공성 영역은 하부 컵과 상부 컵의 내측면에 제공될 수 있다.According to an embodiment, the processing container includes: a lower cup surrounding the support unit; It has an upper cup surrounding the lower cup, wherein the upper end of the upper cup and the upper end of the lower cup are provided to be spaced apart from each other in the vertical direction, and the spaced portion forms a recovery path through which the treatment liquid is recovered, and the porous region is formed between the lower cup and the upper cup. It may be provided on the inner surface of the cup.

일 실시 예에 의하면, 다공성 영역에 웨팅액을 공급하는 웨팅액 공급 부재를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, a wetting liquid supply member for supplying a wetting liquid to the porous region may be further included.

일 실시 예에 의하면, 다공성 영역에 웨팅액을 공급하는 웨팅액 공급 부재를 더 포함하고, 웨팅액 공급 부재는, 내측 바울과 외측 바울 사이로 웨팅액을 공급할 수 있다.According to an embodiment, the apparatus further includes a wetting liquid supply member for supplying the wetting liquid to the porous region, wherein the wetting liquid supply member may supply the wetting liquid between the inner bowl and the outer bowl.

일 실시 예에 의하면, 웨팅액 공급 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고, 제어기는, 기판 상으로 처리액이 공급되는 동안 웨팅액이 다공성 영역에 공급되도록 웨팅액 공급 부재를 제어할 수 있다.According to an embodiment, the apparatus may further include a controller for controlling the wetting liquid supply member, and the controller may control the wetting liquid supply member to supply the wetting liquid to the porous region while the processing liquid is supplied onto the substrate.

일 실시 예에 의하면, 처리액은 감광액이고, 웨팅액은 신너일 수 있다.According to an embodiment, the treatment liquid may be a photosensitive liquid, and the wetting liquid may be a thinner.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 상에 처리액을 공급하는 동안 다공성 영역에 웨팅액을 공급하여 처리 용기의 내측면에 오염물이 부착되는 것을 방지할 수 있다.The present invention also provides a method for processing a substrate. According to an embodiment, it is possible to prevent contaminants from adhering to the inner surface of the processing container by supplying the wetting liquid to the porous region while the processing liquid is supplied on the substrate.

일 실시 예에 의하면, 웨팅액은 내측 바울과 외측 바울 사이로 공급될 수 있다.According to an embodiment, the wetting liquid may be supplied between the inner bowl and the outer bowl.

일 실시 예에 의하면, 기판의 처리는 기판 상에 감광막을 형성하는 처리이며, 처리액은 감광액이고, 웨팅액은 신너일 수 있다. According to an embodiment, the treatment of the substrate may be a treatment of forming a photoresist film on the substrate, the treatment liquid may be a photoresist liquid, and the wetting liquid may be thinner.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리 용기의 오염을 방지할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, it is possible to prevent contamination of the processing vessel.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and the effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4 본 발명의 일 실시 예에 따른 액처리 챔버의 모습을 보여주는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 내측 바울과 외측 바울의 모습을 보여주는 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 도면이다.
도 7 내지 도 8은 각각 본 발명의 다른 실시 예에 따른 액처리 챔버의 모습을 보여주는 단면도이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus showing an application block or a developing block of FIG. 1 .
3 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
4 is a cross-sectional view illustrating a liquid processing chamber according to an embodiment of the present invention.
5 is a perspective view showing the inner and outer bars according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
7 to 8 are cross-sectional views each showing a liquid processing chamber according to another embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. However, the present invention may be implemented in several different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and functions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다."Including" a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated. Specifically, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification is present, and includes one or more other features or It should be understood that the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof does not preclude the possibility of addition.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 1 , and FIG. 3 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .

도 1 내지 도 3를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20, index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 X축 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 X축 방향(12)과 수직한 방향을 Y축 방향(14)이라 하고, X축 방향(12) 및 Y축 방향(14)에 모두 수직한 방향을 Z축 방향(16)이라 한다.1 to 3 , the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20 , a processing module 30 , and an interface module 40 . According to an embodiment, the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are arranged is referred to as an X-axis direction 12, and a direction perpendicular to the X-axis direction 12 when viewed from the top The Y-axis direction 14 is called, and the direction perpendicular to both the X-axis direction 12 and the Y-axis direction 14 is called the Z-axis direction 16 .

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 Y축 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 Y축 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is accommodated to the processing module 30 , and accommodates the processed substrate W in the container 10 . The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the Y-axis direction 14 . The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24 . With reference to the index frame 24 , the load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 . The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 22 . A plurality of load ports 22 may be provided, and the plurality of load ports 22 may be disposed along the Y-axis direction 14 .

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a closed container 10 such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The container 10 may be placed in the load port 22 by an operator or a transfer means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. can

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 Y축 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.An index robot 2200 is provided inside the index frame 24 . A guide rail 2300 having a longitudinal direction in the Y-axis direction 14 is provided in the index frame 24 , and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300 . The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the Z-axis direction 16, and performs the Z-axis direction 16. It may be provided to be movable along with it.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 2의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. The processing module 30 has an application block 30a and a developing block 30b. The coating block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a development process on the substrate W. A plurality of application blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 2, two application blocks 30a are provided, and two developing blocks 30b are provided. The application blocks 30a may be disposed below the developing blocks 30b. According to an example, the two application blocks 30a may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure. In addition, the two developing blocks 30b may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure.

도 3를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 공정 챔버(3200, 3600), 반송 챔버(3400), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 공정 챔버(3200, 3600)는 열 처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600)를 포함할 수 있다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다.Referring to FIG. 3 , the application block 30a includes process chambers 3200 and 3600 , a transfer chamber 3400 , and a buffer chamber 3800 . The process chambers 3200 and 3600 may include a heat treatment chamber 3200 and a liquid treatment chamber 3600 . The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid on the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film.

도 4는 액처리 챔버(3600)의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 액처리 챔버(3600)에서는 액 도포 공정을 수행한다. 액처리 챔버(3600)는 하우징(610), 기류 제공 유닛(670), 지지 유닛(630), 액 공급 유닛(680), 처리 용기(620), 승강 유닛(670), 제어기(900) 그리고 웨팅액 공급부재(690)를 포함한다.4 is a cross-sectional view illustrating an example of the liquid processing chamber 3600 . Referring to FIG. 4 , a liquid application process is performed in the liquid processing chamber 3600 . The liquid processing chamber 3600 includes a housing 610 , an airflow providing unit 670 , a support unit 630 , a liquid supply unit 680 , a processing vessel 620 , an elevation unit 670 , a controller 900 , and a wafer. It includes a tinting liquid supply member (690).

하우징(610)은 내부에 공간(612)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(610)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어(미도시)가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(610)의 내부 공간(612)을 밀폐한다. The housing 610 is provided in a rectangular tubular shape having a space 612 therein. An opening (not shown) is formed at one side of the housing 610 . The opening functions as an inlet through which the substrate W is carried in and out. A door (not shown) is installed in the opening, and the door opens and closes the opening. When the substrate processing process is performed, the door closes the opening to seal the inner space 612 of the housing 610 .

기류 제공 유닛(670)은 하우징(610)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(670)은 기류 공급 라인(672), 팬(674), 그리고 필터(676)를 포함한다. 기류 공급 라인(672)은 하우징(610)에 연결된다. 기류 공급 라인(672)은 외부의 에어를 하우징(610)에 공급한다. 필터(676)는 기류 공급 라인(672)으로부터 제공되는 에어를 필터(676)링 한다. 필터(676)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(674)은 하우징(610)의 상부면에 설치된다. 팬(674)은 하우징(610)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(674)은 하우징(610)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(672)으로부터 팬(674)에 에어가 공급되면, 팬(674)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.The airflow providing unit 670 forms a descending airflow in the inner space of the housing 610 . The airflow providing unit 670 includes an airflow supply line 672 , a fan 674 , and a filter 676 . An airflow supply line 672 is connected to the housing 610 . The air flow supply line 672 supplies external air to the housing 610 . The filter 676 filters 676 the air provided from the airflow supply line 672 . The filter 676 removes impurities contained in the air. The fan 674 is installed on the upper surface of the housing 610 . A fan 674 is located in a central area on the top surface of the housing 610 . The fan 674 forms a downdraft in the interior space of the housing 610 . When air is supplied to the fan 674 from the airflow supply line 672 , the fan 674 supplies air in a downward direction.

기판 처리 장치(600)는 처리 용기(620), 지지 유닛(640), 승강 유닛(660) 그리고 액 공급 유닛(680)을 포함한다. The substrate processing apparatus 600 includes a processing container 620 , a support unit 640 , an elevation unit 660 , and a liquid supply unit 680 .

처리 용기(620)는 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 처리 용기(620)는 하부 컵(624) 상부 컵(622) 및 가이드 컵(626)을 가진다. 일 예에서, 하부 컵(624) 상부 컵(622) 및 가이드 컵(626)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수할 수 있다. 하부 컵(624)은 지지 유닛(640)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 상부 컵(622)은 하부 컵(624)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 가이드 컵(626)은 상부 컵(626)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. The processing container 620 has a cylindrical shape with an open top. The processing vessel 620 has a lower cup 624 , an upper cup 622 and a guide cup 626 . In one example, the lower cup 624 , the upper cup 622 , and the guide cup 626 may recover different treatment liquids from among the treatment liquids used in the process. The lower cup 624 is provided in an annular ring shape surrounding the support unit 640 , the upper cup 622 is provided in an annular ring shape surrounding the lower cup 624 , and the guide cup 626 is the upper cup It is provided in the shape of an annular ring surrounding the 626 .

상부 컵(622)의 내측공간(622a) 및 상부 컵(622)은 상부 컵(622)으로 처리액이 유입되는 제1유입구(622a)로서 기능한다. 상부 컵(622)과 가이드 컵(626)의 사이 공간(626a)은 가이드 컵(626)으로 처리액이 유입되는 제2유입구(626a)로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구(622a,626a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 처리 용기(620)의 저면 아래에는 회수라인(622b,626b)이 연결된다. 처리 용기(620)에 유입된 처리액들은 회수라인(622b,626b)을 통해 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.The inner space 622a and the upper cup 622 of the upper cup 622 function as a first inlet 622a through which the treatment liquid flows into the upper cup 622 . The space 626a between the upper cup 622 and the guide cup 626 functions as a second inlet 626a through which the treatment liquid flows into the guide cup 626 . According to an example, each of the inlets 622a and 626a may be located at different heights. Recovery lines 622b and 626b are connected under the bottom of the processing vessel 620 . The treatment liquids introduced into the treatment container 620 may be provided to an external treatment liquid regeneration system (not shown) through the recovery lines 622b and 626b to be reused.

지지 유닛(640)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 지지 유닛(640)은 몸체(642), 지지핀(644), 척핀(646), 그리고 지지축(648)을 가진다. 몸체(642)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(642)의 저면에는 구동부(649)에 의해 회전 가능한 지지축(648)이 고정 결합된다.The support unit 640 supports and rotates the substrate W during the process. The support unit 640 has a body 642 , a support pin 644 , a chuck pin 646 , and a support shaft 648 . Body 642 has a top surface that is provided as a generally circular shape when viewed from above. A rotatable support shaft 648 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 642 by a driving unit 649 .

지지핀(644)은 복수 개 제공된다. 지지핀(644)은 몸체(642)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(642)에서 상부로 돌출된다. 지지핀(644)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(644)은 몸체(642)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. A plurality of support pins 644 are provided. The support pins 644 are spaced apart from the edge of the upper surface of the body 642 at a predetermined interval and protrude upward from the body 642 . The support pins 644 are arranged to have an annular ring shape as a whole by combination with each other. The support pins 644 support the rear edge of the substrate W so that the substrate W is spaced a predetermined distance from the upper surface of the body 642 .

척핀(646)은 복수 개 제공된다. 척핀(646)은 몸체(642)의 중심에서 지지핀(644)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(646)은 몸체(642)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(646)은 지지 유닛(640)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(646)은 몸체(642)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 몸체(642)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지 유닛(640)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(646)은 대기 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척핀(646)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척핀(646)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.A plurality of chuck pins 646 are provided. The chuck pin 646 is disposed farther from the center of the body 642 than the support pin 644 . The chuck pin 646 is provided to protrude upward from the body 642 . The chuck pin 646 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally separated from the original position when the support unit 640 is rotated. The chuck pin 646 is provided to enable linear movement between the standby position and the support position along the radial direction of the body 642 . The standby position is a position further away from the center of the body 642 compared to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded from the support unit 640 , the chuck pin 646 is positioned at the standby position, and when a process is performed on the substrate W, the chuck pin 646 is positioned at the support position. In the support position, the chuck pin 646 is in contact with the side of the substrate W.

승강 유닛(660)은 처리 용기(620)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(620)가 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(640)에 대한 처리 용기(620)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(660)은 브라켓(662), 이동축(664), 그리고 구동기(666)를 가진다. 브라켓(662)은 처리 용기(620)의 외벽에 고정 설치되고, 브라켓(662)에는 구동기(666)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(664)이 고정 결합된다. 기판(W)이 지지 유닛(640)에 놓이거나, 지지 유닛(640)로부터 들어올려 질 때 지지 유닛(640)이 처리 용기(620)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(620)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 유입구(622a,626a)로 유입될 수 있도록 처리 용기(620)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강 유닛(660)은 지지 유닛(640)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 660 linearly moves the processing container 620 in the vertical direction. As the processing vessel 620 moves up and down, the relative height of the processing vessel 620 with respect to the support unit 640 is changed. The lifting unit 660 has a bracket 662 , a moving shaft 664 , and a driver 666 . The bracket 662 is fixedly installed on the outer wall of the processing vessel 620 , and a moving shaft 664 that is moved in the vertical direction by the driver 666 is fixedly coupled to the bracket 662 . When the substrate W is placed on or lifted from the support unit 640 , the processing container 620 is lowered so that the support unit 640 protrudes above the processing container 620 . In addition, when the process is performed, the height of the processing container 620 is adjusted so that the processing liquid can be introduced into the predetermined inlets 622a and 626a according to the type of the processing liquid supplied to the substrate W. Optionally, the lifting unit 660 may move the support unit 640 in the vertical direction.

액 공급 유닛(680)은 기판(W) 상으로 다양한 종류의 유체들을 공급할 수 있다. 액 공급 유닛(680)은 기판(W) 상으로 처리액을 공급한다. 일 예에서, 액 공급 유닛(680)은 기판(W) 상에 감광액을 공급한다. The liquid supply unit 680 may supply various types of fluids onto the substrate W. The liquid supply unit 680 supplies the processing liquid onto the substrate W. In one example, the liquid supply unit 680 supplies a photosensitive liquid on the substrate W.

액 공급 유닛(680)은 노즐(689)과 노즐 이동 부재(681)를 포함한다. 노즐(689)은 지지 유닛(640)에 지지된 기판(W)의 처리 위치에 감광액을 공급한다. 여기서 처리 위치는 기판(W)의 중심을 포함하는 위치일 수 있다. 노즐(689)은 노즐 이동 부재(681)에 의해 공정 위치 및 대기 위치로 이동 가능하다. 여기서 공정 위치는 각 노즐이 지지 유닛(640)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 노즐(689)이 공정 위치를 벗어난 위치이다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 노즐(689)이 기판(W)의 중심으로 액을 공급할 수 있는 위치일 수 있다. The liquid supply unit 680 includes a nozzle 689 and a nozzle moving member 681 . The nozzle 689 supplies the photoresist to the processing position of the substrate W supported by the support unit 640 . Here, the processing position may be a position including the center of the substrate W. The nozzle 689 is movable to the process position and the standby position by the nozzle moving member 681 . Here, the process position is a position where each nozzle faces the substrate W supported by the support unit 640 , and the standby position is a position where the nozzle 689 deviates from the process position. According to an example, the process position may be a position at which the nozzle 689 can supply a liquid to the center of the substrate W.

노즐 이동 부재(681)는 지지축(686), 지지 아암(682), 그리고 구동 부재(688)를 포함한다. 지지축(686)은 처리 용기(620)의 일측에 위치된다. 지지축(686)은 구동 부재(688)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 지지 아암(682)은 지지축(686)의 상단에 결합된다. 지지 아암(682)은 지지축(686)으로부터 수직하게 연장된다. 지지 아암(682)의 끝단에는 각 노즐이 고정 결합된다. 지지축(686)이 회전됨에 따라 노즐(689)은 지지 아암(682)과 함께 스윙 이동 가능하다. 노즐(689)은 스윙 이동되어 공정 위치 및 대기 위치로 이동될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 노즐(689)은 공정 위치에서 토출구가 기판(W)의 중심과 일치되도록 위치될 수 있다. 선택적으로, 지지축(686)은 승강 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 또한 지지 아암(682)은 그 길이방향을 향해 전진 및 후진 이동이 가능하도록 제공될 수 있다.The nozzle moving member 681 includes a support shaft 686 , a support arm 682 , and a drive member 688 . The support shaft 686 is located on one side of the processing vessel 620 . The support shaft 686 is provided to be rotatable by the drive member 688 . A support arm 682 is coupled to an upper end of a support shaft 686 . Support arm 682 extends perpendicularly from support shaft 686 . Each nozzle is fixedly coupled to an end of the support arm 682 . As the support shaft 686 is rotated, the nozzle 689 is swingable with the support arm 682 . The nozzle 689 may be swingably moved to a process position and a standby position. When viewed from the top, the nozzle 689 may be positioned so that the outlet coincides with the center of the substrate W at the process position. Optionally, the support shaft 686 may be provided to enable lifting and lowering movement. In addition, the support arm 682 may be provided to be movable forward and backward in its longitudinal direction.

웨팅액 공급부재(690)는 처리 용기(620)에 제공된 다공성 영역에 웨팅액을 공급한다. 웨팅액 공급부재(690)는 웨팅액 공급 라인(692), 밸브(694) 그리고 웨팅액 공급원(696)을 포함한다. 웨팅액 공급 라인(692)은 웨팅액 공급원(696)으로부터 다공성 영역으로 웨팅액을 공급한다. 밸브(694)는 웨팅액 공급원(696)으로부터 다공성 영역으로 제공되는 웨팅액의 유량을 조절한다. 일 예에서, 웨팅액 공급부재(690)는 일측에 다공성 영역에 웨팅액을 주입하기 위한 노즐 또는 주사기 형태의 팁이 제공될 수 있다.The wetting liquid supply member 690 supplies the wetting liquid to the porous region provided in the processing vessel 620 . The wetting liquid supply member 690 includes a wetting liquid supply line 692 , a valve 694 , and a wetting liquid supply source 696 . The wetting liquid supply line 692 supplies the wetting liquid from the wetting liquid source 696 to the porous region. The valve 694 regulates the flow rate of wetting liquid provided from the wetting liquid source 696 to the porous region. In one example, the wetting liquid supply member 690 may be provided with a tip in the form of a nozzle or a syringe for injecting the wetting liquid into the porous region on one side.

이하, 처리 용기(620)에 대해 자세히 서술한다. 처리 용기(620)의 하부 컵(624), 상부 컵(622) 및 가이드 컵(626)은 두 개의 상이한 재질로 제공될 수 있다. 일 예에서, 하부 컵(624) 상부 컵(622) 및 가이드 컵(626)의 내측면은 다공성 재질로 이루어진 다공성 영역을 포함할 수 있다. 이와 같은 다공성 영역은 처리 공간(650)에 노출되도록 제공된다. 처리 공간(650)에 노출된 다공성 영역에는 웨팅액이 공급된다. 웨팅액에 의해 다공성 영역은 젖은 상태가 된다. 젖어 있는 다공성 영역에는 오염 물질이 부착되지 않는다. 오염 물질은 다공성 영역의 표면에서 웨팅액을 만나 중력에 의해 하방으로 미끄러져 내린다. 이에, 별도의 세정 공정을 수행할 필요 없이 오염 물질이 제거된다. 이에, 처리 공간(650)에서 처리 용기(620)로 비산된 오염물질이나 처리액이 다공성 영역에 의해 처리 용기(620)에 부착되지 않고 하방으로 흘러내리게 된다.Hereinafter, the processing container 620 will be described in detail. The lower cup 624 , the upper cup 622 , and the guide cup 626 of the processing vessel 620 may be provided with two different materials. In one example, inner surfaces of the lower cup 624 , the upper cup 622 and the guide cup 626 may include a porous region made of a porous material. Such a porous region is provided to be exposed to the processing space 650 . A wetting liquid is supplied to the porous region exposed to the processing space 650 . The porous region is wetted by the wetting liquid. Contaminants do not adhere to the wet porous area. Contaminants meet the wetting liquid on the surface of the porous region and slide downwards by gravity. Accordingly, contaminants are removed without the need to perform a separate cleaning process. Accordingly, contaminants or processing liquid scattered from the processing space 650 to the processing container 620 is not attached to the processing container 620 by the porous region and flows downward.

일 예에서, 처리 용기(620)는 내측 바울(6222)과 외측 바울(6224)을 가질 수 있다. 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 내측 바울(6222)과 외측 바울(6224)의 모습을 보여주는 사시도이다. 도 5를 참조하면, 내측 바울(6222)과 외측 바울(6224)은 링 형상으로 제공된다. 일 예에서, 내측 바울(6222)은 외측 바울(6224)보다 직경이 작게 제공된다. 이에, 내측 바울(6222)은 외측 바울(6224)의 하부에서, 상방을 향해 외측 바울(6224)의 내측면에 끼워질 수 있도록 제공된다. 예컨대, 내측 바울(6222)의 외경과 외측 바울(6224)의 내경이 같게 제공된다. 이에, 내측 바울(6222)과 외측 바울(6224)은 서로 밀착될 수 있다.In one example, the processing vessel 620 may have an inner bowl 6222 and an outer bowl 6224 . 5 is a perspective view showing the inner bowl 6222 and the outer bowl 6224 according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5 , the inner bowl 6222 and the outer bowl 6224 are provided in a ring shape. In one example, the inner bowl 6222 is provided with a smaller diameter than the outer bowl 6224 . Accordingly, the inner bowl 6222 is provided so as to be fitted on the inner surface of the outer bowl 6224 upwardly from the lower portion of the outer bowl 6224 . For example, the outer diameter of the inner pole 6222 and the inner diameter of the outer pole 6224 are provided to be the same. Accordingly, the inner bowl 6222 and the outer bowl 6224 may be in close contact with each other.

일 예에서, 웨팅액 공급부재(690)는 내측 바울(6222)과 외측 바울(6224) 사이로 웨팅액을 공급한다. 예컨대, 내측 바울(6222)과 외측 바울(6224) 사이로 노즐과 같은 팁이 제공될 수 있다. 웨팅액은 내측 바울(6222)과 외측 바울(6224)의 미세한 틈으로 퍼져 내측 바울(6222) 전체를 젖도록 한다. In one example, the wetting liquid supply member 690 supplies the wetting liquid between the inner bowl 6222 and the outer bowl 6224 . For example, a tip such as a nozzle may be provided between the inner bowl 6222 and the outer bowl 6224 . The wetting liquid spreads through minute gaps between the inner bowl 6222 and the outer bowl 6224 to wet the entire inner bowl 6222 .

도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따라 기판이 처리되는 모습을 보여주는 도면이다. 먼저, 회전하는 기판(W) 상으로 처리액이 공급된다. 일 예에서, 처리액은 감광액이다. 기판(W) 상으로 감광액이 공급되는 동안 웨팅액 공급 부재는 다공성 영역에 웨팅액을 공급한다. 일 예에서, 웨팅액은 신너이다.6 is a view showing a state in which a substrate is processed according to an embodiment of the present invention. First, the processing liquid is supplied onto the rotating substrate W. In one example, the treatment liquid is a photoresist. While the photosensitive liquid is supplied onto the substrate W, the wetting liquid supply member supplies the wetting liquid to the porous region. In one example, the wetting liquid is a thinner.

웨팅액 공급부재(690)는, 감광액이 기판(W)에 공급되기 이전에, 다공성 영역으로 신너를 공급한다. 이에, 감광액이 기판(W)에 공급되기 이전에 다공성 영역이 신너에 의해 충분히 젖은 상태가 된다. 감광액이 기판(W)에 공급되는 동안, 신너는 다공성 영역에 계속적으로 공급된다. 이에, 감광액이 기판(W)에 공급되는 동안 다공성 영역은 축축하게 젖은 상태를 유지한다.The wetting liquid supply member 690 supplies thinner to the porous region before the photosensitive liquid is supplied to the substrate W. Accordingly, before the photoresist is supplied to the substrate W, the porous region is sufficiently wet by the thinner. While the photoresist is supplied to the substrate W, the thinner is continuously supplied to the porous region. Accordingly, while the photoresist is supplied to the substrate W, the porous region is kept in a wet state.

회전하는 기판(W)에 의해, 기판(W) 상으로 공급된 감광액이 기판(W)의 주변으로 비산된다. 이에, 처리 용기(620)의 내측면에도 기판(W)으로부터 비산된 감광액이 묻게 된다. 처리 용기(620)의 내측면에는 감광액뿐만 아니라 오염물질이 함께 묻게 된다. 그러나, 다공성 영역에 제공된 신너에 의해 감광액과 오염물질은 처리 용기(620)에 부착되지 않는다. 기름 성분을 포함하는 감광액 또는 오염물질은 신너와 접촉하면 그 표면 에너지가 낮아지게 된다. 이에, 감광액 또는 오염물질은 처리 용기(620)에 부착되지 않고 아래로 미끄러져 내려 처리 용기(620)의 오염이 방지된다.The photosensitive liquid supplied onto the substrate W is scattered around the substrate W by the rotating substrate W. Accordingly, the photosensitive liquid scattered from the substrate W is also deposited on the inner surface of the processing container 620 . Contaminants as well as the photoresist are deposited on the inner surface of the processing container 620 . However, the photoresist and contaminants do not adhere to the processing vessel 620 by the thinner provided in the porous region. When a photoresist or contaminant containing oil comes into contact with thinner, its surface energy is lowered. Accordingly, the photoresist or contaminant does not adhere to the processing container 620 and slides down to prevent contamination of the processing container 620 .

상술한 예에서는, 다공성 재질은 처리 용기(620)의 하부 컵(624), 상부 컵(622) 및 가이드 컵(626) 모두에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 예에서, 가이드 컵(626)에는 제공되지 않을 수 있다. 예컨대, 도 7에 도시된 바와 같이, 처리액 또는 오염 물질이 상대적으로 많이 비산되는 하부 컵(624)과 상부 컵(622)에만 제공될 수 있다.In the above-described example, it has been described that the porous material is provided to all of the lower cup 624 , the upper cup 622 , and the guide cup 626 of the processing vessel 620 . However, in other examples, the guide cup 626 may not be provided. For example, as shown in FIG. 7 , only the lower cup 624 and the upper cup 622 in which the treatment liquid or contaminants are scattered relatively much may be provided.

상술한 예에서는, 다공성 재질은 처리 용기의 내측 바울(6222)과 외측 바울(6224) 중, 내측 바울(6222)에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 예에서, 도 8에 도시된 바와 같이 처리 용기 전체가 다공성 재질로 제공될 수 있다.In the above-described example, it has been described that the porous material is provided to the inner bowl 6222 of the inner bowl 6222 and the outer bowl 6224 of the processing container. However, in another example, as shown in FIG. 8 , the entire processing vessel may be made of a porous material.

상술한 예에서는, 기판의 처리는 감광액을 도포하여 감광막을 형성하는 처리이고, 웨팅액은 신나로 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 예에서, 기판의 처리는 다른 액을 이용하여 기판을 처리하는 공정을 포함하고, 이에 따라 웨팅액은 상이하게 제공될 수 있다. 예컨대, 기판의 처리가 친수성 액을 이용하여 기판을 세정하는 등의 처리이고, 웨팅액은 순수와 같은 친수성 액으로 제공될 수 있다. 선택적으로, 기판의 처리는 소수성 액을 이용한 처리이고, 웨팅액은 아세톤과 같이 소수성 액의 액적을 평평하게 퍼트리는 액으로 제공될 수 있다.In the above-described example, it has been described that the treatment of the substrate is a treatment of forming a photosensitive film by applying a photosensitive solution, and the wetting solution is provided as a thinner. However, in another example, treating the substrate includes treating the substrate using a different liquid, and thus the wetting liquid may be provided differently. For example, the treatment of the substrate is a treatment such as cleaning the substrate using a hydrophilic liquid, and the wetting liquid may be provided as a hydrophilic liquid such as pure water. Optionally, the treatment of the substrate is a treatment using a hydrophobic liquid, and the wetting liquid may be provided as a liquid that flatly spreads droplets of the hydrophobic liquid, such as acetone.

상술한 예에서는, 웨팅액 공급부재(690)는 내측 바울(6222)과 외측 바울(6224) 사이로 웨팅액을 공급하는 것으로 설명하였다. 그러나. 웨팅액 공급 부재는 다공성 재질의 내측 바울(6222)에 직접 웨팅액을 공급하도록 제공될 수 있다. 예컨대, 노즐 또는 주사기와 같은 형태의 팁이 내측 바울(6222)의 일측에 꽂혀 다공성 재질로 웨팅액을 공급하도록 제공될 수 있다.In the above-described example, it has been described that the wetting liquid supply member 690 supplies the wetting liquid between the inner bowl 6222 and the outer bowl 6224 . However. The wetting liquid supply member may be provided to directly supply the wetting liquid to the inner bowl 6222 made of a porous material. For example, a tip in the form of a nozzle or a syringe may be inserted into one side of the inner bowl 6222 to supply the wetting solution with a porous material.

상술한 예에서는, 다공성 영역이 처리액이 공급되기 이전부터 축축한 상태가 되어 처리액이 공급되는 동안 축축한 상태가 유지되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 처리액이 기판으로 공급되는 동시에 다공성 영역으로 웨팅액이 공급될 수 있다.In the above-described example, it has been described that the porous region is in a wet state before the treatment liquid is supplied, and the wet state is maintained while the treatment liquid is supplied. However, alternatively, the wetting liquid may be supplied to the porous region while the treatment liquid is supplied to the substrate.

상술한 예에서는, 기판에 처리액이 공급되는 동안 다공성 영역이 축축한 상태를 유지하는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리 다공성 영역은 처리액이 공급되기 이전부터 축축한 상태를 유지하고, 처리액이 공급되는 동안 다공성 영역에 웨팅액이 하방으로 흘러내릴 만큼 다량의 웨팅액이 공급될 수 있다.In the above-described example, it has been described that the porous region maintains a moist state while the processing liquid is supplied to the substrate. However, unlike this, the porous region maintains a moist state before the treatment liquid is supplied, and while the treatment liquid is supplied, a large amount of the wetting liquid may be supplied to the porous region so that the wetting liquid flows downward.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리 용기에서, 오염물이 부착되기 쉬운 내측면의 재질을 다공성 재질로 제공함에 따라, 처리 용기에 오염 물질이 부착되는 것을 방지하여 별도로 처리 용기를 세정하는 공정이 요구되지 않는 이점이 있다. 이에, 공정 시간 단축에 따른 기판 생산 수율이 상승되는 이점이 있다.According to one embodiment of the present invention, in the processing container, since the inner surface material on which the contaminants are easily attached is provided as a porous material, a process of separately cleaning the processing container is required to prevent the contaminants from adhering to the processing container. There are advantages to not being. Accordingly, there is an advantage in that the substrate production yield is increased according to the reduction of the process time.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 다공성 영역을 젖은 상태로 유지함에 따라 처리 용기에 묻은 오염물이 처리 용기에 부착되지 않고 하방으로 미끄러져 내려감에 따라 처리 용기의 오염을 방지할 수 있는 이점이 있다.According to an embodiment of the present invention, as the porous region is maintained in a wet state, contaminants deposited on the processing container slide downward without being attached to the processing container, thereby preventing contamination of the processing container.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기존의 외측 바울(6224)에 내측 바울(6222)을 새로이 제공하여 기존 설비를 교체하지 않고 다공성 영역을 추가적으로 제공할 수 있는 이점이 있다.According to an embodiment of the present invention, there is an advantage in that the porous area can be additionally provided without replacing the existing equipment by newly providing the inner ball 6222 to the existing outer bar 6224 .

다시 도 3를 참조하면, 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring back to FIG. 3 , the transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid treatment chamber 3600 in the application block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 유닛(3420)이 제공된다. 반송 유닛(3420)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 유닛(3420)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The transfer chamber 3400 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the X-axis direction 12 . The transfer chamber 3400 is provided with a transfer unit 3420 . The transfer unit 3420 transfers a substrate between the heat treatment chamber 3200 , the liquid processing chamber 3600 , and the buffer chamber 3800 . A guide rail 3300 having a longitudinal direction parallel to the X-axis direction 12 is provided in the transfer chamber 3400 , and the transfer unit 3420 may be provided movably on the guide rail 3300 . .

버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버(3800)는 기판(W)을 일시적으로 보관할 수 있다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 유닛(3420)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 유닛(3420) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. A plurality of buffer chambers 3800 is provided. The buffer chamber 3800 may temporarily store the substrate W. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400 . Hereinafter, these buffer chambers will be referred to as a front buffer 3802 (front buffer). The front-end buffers 3802 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Another portion of the buffer chambers 3802 and 3804 is disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 hereinafter. These buffer chambers are referred to as rear buffer 3804 (rear buffer). The rear end buffers 3804 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Each of the front-end buffers 3802 and the back-end buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates W. As shown in FIG. The substrate W stored in the shear buffer 3802 is carried in or carried out by the index robot 2200 and the transfer unit 3420 . The substrate W stored in the downstream buffer 3804 is carried in or carried out by the transfer unit 3420 and the first robot 4602 .

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버로 제공된다.The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , and a liquid treatment chamber 3600 . The heat treatment chamber 3200 , the transfer chamber 3400 , and the liquid treatment chamber 3600 of the developing block 30b are the heat treatment chamber 3200 , the transfer chamber 3400 , and the liquid treatment chamber 3600 of the application block 30a . ) and is provided in a structure and arrangement substantially similar to those of ), so a description thereof will be omitted. However, in the developing block 30b, all of the liquid processing chambers 3600 are provided as development chambers for processing the substrate by supplying a developer in the same manner.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to the external exposure apparatus 50 . The interface module 40 includes an interface frame 4100 , an additional process chamber 4200 , an interface buffer 4400 , and a transfer member 4600 .

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit for forming a descending airflow therein may be provided at an upper end of the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 , the interface buffer 4400 , and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the application block 30a, is loaded into the exposure apparatus 50 . Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the exposure apparatus 50 , is loaded into the developing block 30b. According to one example, the additional process is an edge exposure process of exposing the edge region of the substrate W, a top surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a bottom surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W can A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and these may be provided to be stacked on each other. All of the additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transferred between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during the transfer. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, the additional process chamber 4200 may be disposed on one side of the transfer chamber 3400 along the lengthwise extension line, and the interface buffer 4400 may be disposed on the other side thereof.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The transfer member 4600 transfers the substrate W between the application block 30a, the addition process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the conveying member 4600 includes a first robot 4602 and a second robot 4606 . The first robot 4602 transfers the substrate W between the application block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 uses the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( 50), and the second robot 4604 may be provided to transfer the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The first robot 4602 and the second robot 4606 each include a hand on which the substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the Z-axis direction 16, and Z It may be provided to be movable along the axial direction 16 .

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

620: 처리 용기
622: 상부 컵
624: 하부 컵
626: 가이드 컵
640: 지지 유닛
660: 승강 유닛
680: 액 공급 유닛
690: 웨팅액 공급부재620: processing vessel
622: upper cup
624: lower cup
626: guide cup
640: support unit
660: elevating unit
680: liquid supply unit
690: wetting liquid supply member

Claims

An apparatus for processing a substrate, comprising:
a processing vessel having a processing space therein;
a substrate support unit for supporting a substrate in the processing space; and,
a liquid supply unit for supplying a processing liquid to a substrate supported by the substrate support unit;
The processing vessel includes a porous region whose inner surface is made of a porous material,
The inner surface of the substrate processing apparatus is provided to be exposed to the processing space.

According to claim 1,
The processing vessel,
with outer poles;
having an inner pole positioned on the inner side of the outer pole,
The inner bowl is provided as the porous region.

3. The method of claim 2,
The substrate processing apparatus in which the inner bowl and the outer bowl are provided to be in close contact with each other.

4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The processing vessel,
a lower cup surrounding the substrate support unit;
having an upper cup surrounding the lower cup,
The upper end of the upper cup and the upper end of the lower cup are provided to be spaced apart from each other in the vertical direction, and the spaced portion forms a recovery path through which the treatment liquid is recovered,
The porous region is provided on inner surfaces of the lower cup and the upper cup.

4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The substrate processing apparatus further comprising a wetting liquid supply member for supplying a wetting liquid to the porous region.

3. The method of claim 2,
Further comprising a wetting liquid supply member for supplying the wetting liquid to the porous region,
The wetting liquid supply member,
A substrate processing apparatus for supplying a wetting liquid between the inner bowl and the outer bowl.

6. The method of claim 5,
Further comprising a controller for controlling the wetting liquid supply member,
The controller is
and controlling the wetting liquid supply member so that the wetting liquid is supplied to the porous region while the processing liquid is supplied onto the substrate.

6. The method of claim 5,
The treatment solution is a photosensitive solution,
The wetting liquid is a thinner substrate processing apparatus.

In the method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of claim 2,
A substrate processing method for preventing contaminants from adhering to an inner surface of the processing vessel by supplying a wetting liquid to the porous region while supplying the processing liquid onto the substrate.

10. The method of claim 9,
The wetting liquid is supplied between the inner bowl and the outer bowl.

10. The method of claim 9,
The processing of the substrate is a processing of forming a photosensitive film on the substrate,
The treatment solution is a photosensitive solution,
The wetting liquid is a thinner substrate processing method.