JP2015149383A - Substrate processing device - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、有機EL表示装置用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、太陽電池用パネル基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、半導体ウエハ等の基板に対して処理液を供給することにより、この基板を処理する基板処理装置に関する。 The present invention processes glass substrates for organic EL display devices, glass substrates for liquid crystal display devices, panel substrates for solar cells, glass substrates for plasma displays, glass substrates for photomasks, substrates for optical disks, semiconductor wafers, etc. The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing the substrate by supplying a liquid.
例えば、半導体装置の製造工程においては、基板としての半導体ウエハに各種の処理液を供給することにより、その処理を行っている。このような処理を行う基板処理装置として、基板を1枚ずつ基板搬送ロボットにより、処理チャンバーの側壁に形成された開口部を介して処理チャンバー内に搬送する枚葉式の基板処理装置が使用されている。この枚葉式の基板処理装置においては、処理チャンバー内に基板を水平に保持して回転するスピンチャックが配設されている。このスピンチャックにより水平姿勢で回転される基板の主面に向けて、処理液が供給される。基板の表面に供給された処理液は、遠心力により基板の表面全体に広げられ、基板の端縁より飛散し、液受けカップにより回収される。 For example, in the manufacturing process of a semiconductor device, the processing is performed by supplying various processing liquids to a semiconductor wafer as a substrate. As a substrate processing apparatus for performing such processing, a single-wafer type substrate processing apparatus is used in which substrates are transferred one by one into a processing chamber through an opening formed in a side wall of the processing chamber by a substrate transfer robot. ing. In this single wafer type substrate processing apparatus, a spin chuck that rotates while holding a substrate horizontally is disposed in a processing chamber. The processing liquid is supplied toward the main surface of the substrate rotated in a horizontal posture by the spin chuck. The processing liquid supplied to the surface of the substrate is spread over the entire surface of the substrate by centrifugal force, scattered from the edge of the substrate, and collected by the liquid receiving cup.
このような基板処理装置においては、基板の端縁より飛散した処理液飛沫の一部や、処理液蒸気が凝縮した処理液等が、処理チャンバーに付着する場合がある。特に、処理チャンバーの側壁に形成された開口部の上部(開口部分の上壁の下面)に処理液が付着した場合には、この処理液が開口部を通過する基板上に落下して基板を汚染する可能性がある。 In such a substrate processing apparatus, a part of the processing liquid splash scattered from the edge of the substrate, a processing liquid condensed with the processing liquid vapor, or the like may adhere to the processing chamber. In particular, when the processing liquid adheres to the upper part of the opening formed on the side wall of the processing chamber (the lower surface of the upper wall of the opening part), the processing liquid falls onto the substrate passing through the opening and the substrate is removed. There is a possibility of contamination.
特許文献1には、処理チャンバーの側壁に形成された開口部を閉止した状態のシャッターの上部付近に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出ノズルと、このシャッターの上部付近に向けて乾燥用ガスを吐出する乾燥ガス吐出ノズルと、を備える基板処理装置が開示されている。 In Patent Document 1, a cleaning liquid discharge nozzle that discharges a cleaning liquid toward the vicinity of the upper part of the shutter in a state where the opening formed in the side wall of the processing chamber is closed, and a drying gas are discharged toward the vicinity of the upper part of the shutter. A substrate processing apparatus including a dry gas discharge nozzle is disclosed.
特許文献1に記載された基板処理装置によれば、シャッターの上部付近に付着した処理液が、洗浄液によって洗い流され、洗浄に用いられた洗浄液は、乾燥用ガスによって除去される。このため、閉状態のシャッタの上部付近から処理液および洗浄液を除去することが可能となる。 According to the substrate processing apparatus described in Patent Document 1, the processing liquid adhering to the vicinity of the upper portion of the shutter is washed away by the cleaning liquid, and the cleaning liquid used for the cleaning is removed by the drying gas. For this reason, it becomes possible to remove the processing liquid and the cleaning liquid from the vicinity of the upper part of the closed shutter.
特許文献1に記載の基板処理装置はシャッターから処理液を確実に除去できる優れたものではあるが、処理チャンバーの側壁に形成された開口部の上部(上壁の下面)に処理液が付着し、この処理液が開口部を通過する基板上に落下することを確実に防止することはできないという問題がある。 Although the substrate processing apparatus described in Patent Document 1 is excellent in that the processing liquid can be reliably removed from the shutter, the processing liquid adheres to the upper part (the lower surface of the upper wall) of the opening formed in the side wall of the processing chamber. There is a problem that it is impossible to reliably prevent the processing liquid from falling on the substrate passing through the opening.
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、開口部の上部に付着した処理液が開口部を通過する基板上に落下することを確実に防止することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above problems, and provides a substrate processing apparatus capable of reliably preventing the processing liquid adhering to the upper portion of the opening from falling onto the substrate passing through the opening. The purpose is to provide.
請求項1に記載の発明は、処理液を基板に供給して基板を処理する基板処理装置であって、基板を収納する処理チャンバーと、前記処理チャンバーの側壁に形成された基板通過用の開口部を閉鎖する位置と、前記開口部を開放する位置との間を移動可能なシャッターと、前記シャッターに付設され、当該シャッターの移動に伴って、前記処理チャンバーにおける開口部の上部に付着した液滴と接触可能な位置を通過する庇部材と、を備えたことを特徴とする。 The invention according to claim 1 is a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a processing liquid to the substrate, and a processing chamber for storing the substrate, and an opening for passing the substrate formed in a side wall of the processing chamber. A shutter movable between a position for closing the opening and a position for opening the opening, and a liquid attached to the shutter and attached to the upper portion of the opening in the processing chamber as the shutter moves. And a scissors member that passes through a position where it can come into contact with the droplet.
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記シャッターは、前記開口部を閉鎖する閉鎖位置と、前記閉鎖位置より側方に移動した中間位置と、前記中間位置より鉛直方向に退避した退避位置との間を移動可能であり、前記庇部材は、前記シャッターが前記閉鎖位置と前記中間位置との間を移動するときに、前記チャンバーにおける開口部の上部に付着した液滴を除去する。 According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the shutter includes a closed position that closes the opening, an intermediate position that moves laterally from the closed position, and a vertical position that is perpendicular to the intermediate position. The scissors member is movable between the retracted position retracted in the direction, and the scissors member adheres to the upper part of the opening in the chamber when the shutter moves between the closed position and the intermediate position. Remove the drops.
請求項3に記載の発明は、請求項1または請求項2に記載の発明において、前記庇部材は、前記チャンバーにおける開口部の上部に付着した液滴と接触して当該液滴を除去するための接触部と、前記接触部の下方に配設された液受け部と、前記液受け部により受け取られた液滴を排出する排液部と、を備える。 According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect of the present invention, the scissors member is in contact with a liquid droplet adhering to an upper portion of the opening in the chamber to remove the liquid droplet. A contact portion, a liquid receiving portion disposed below the contact portion, and a drainage portion for discharging droplets received by the liquid receiving portion.
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の発明において、前記液受け部の上面が前記排液部に向けて傾斜する。 According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect of the present invention, the upper surface of the liquid receiving portion is inclined toward the drainage portion.
請求項5に記載の発明は、請求項3に記載の発明において、前記接触部は、吸湿性の部材より構成される。 According to a fifth aspect of the present invention, in the third aspect of the present invention, the contact portion is composed of a hygroscopic member.
請求項1に記載の発明によれば、庇部材が開口部の上部に付着した液滴と接触することにより、液滴を開口部の上部から除去することができる。ここでいう「除去」とは、液滴が自重により下方に落下する程度の量から、開口部の上部に留まる程度の量まで減少することを指す。以下、同様の現象を「除去」と記載する。このため、開口部の上部に付着した処理液が開口部を通過する基板上に落下することを確実に防止することが可能となる。 According to the first aspect of the present invention, the droplet can be removed from the upper portion of the opening portion by the contact of the scissors member with the droplet attached to the upper portion of the opening portion. The term “removal” as used herein refers to a reduction from an amount that allows a droplet to drop downward due to its own weight to an amount that remains at the top of the opening. Hereinafter, the same phenomenon is referred to as “removal”. For this reason, it becomes possible to prevent reliably that the process liquid adhering to the upper part of an opening part falls on the board | substrate which passes an opening part.
請求項2に記載の発明によれば、シャッターの閉鎖位置と中間位置との間の移動に伴って、庇部材が開口部の上部に付着した液滴を除去することが可能となる。 According to the second aspect of the present invention, it is possible to remove the droplets on which the scissors member adheres to the upper portion of the opening as the shutter moves between the closed position and the intermediate position.
請求項3に記載の発明によれば、接触部により除去した液滴を液受け部により受け取り、排出部に排出することが可能となる。 According to the invention described in claim 3, it is possible to receive the liquid droplets removed by the contact portion by the liquid receiving portion and discharge them to the discharge portion.
請求項4に記載の発明によれば、液受け部により受け取った液滴を速やかに排液部に送液することが可能となる。 According to the fourth aspect of the present invention, it is possible to quickly send the liquid droplets received by the liquid receiving part to the liquid discharging part.
請求項5に記載の発明によれば、吸湿性の部材により液滴を吸収して除去することが可能となる。 According to the fifth aspect of the present invention, it is possible to absorb and remove the droplets by the hygroscopic member.
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1は、この発明に係る基板処理装置の概要図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to the present invention.
この基板処理装置は、基板としての半導体ウエハWの洗浄を実行する枚葉式の処理装置であり、側壁2により取り囲まれた形状を有する処理チャンバー1と、処理チャンバー1内において半導体ウエハWをその主面を水平な状態で保持するとともに、鉛直方向を向く回転軸まわりに半導体ウエハWを回転させるスピンチャック25と、スピンチャック25に保持された半導体ウエハWの表面に対してSPM(sulfuric acid hydrogen peroxide mixture)を供給するためのSPMノズル18と、スピンチャック25に保持された半導体ウエハWの表面に対してDIW(deionized water)を供給するためのDIWノズル17とを備える。 This substrate processing apparatus is a single wafer processing apparatus for cleaning a semiconductor wafer W as a substrate. A processing chamber 1 having a shape surrounded by a side wall 2 and a semiconductor wafer W in the processing chamber 1 A spin chuck 25 that holds the main surface in a horizontal state and rotates the semiconductor wafer W about a rotation axis that faces the vertical direction, and a surface of the semiconductor wafer W held by the spin chuck 25 is SPM (sulfur acid acid hydrogen). a SPM nozzle 18 for supplying a peroxide mixture, and a DIW nozzle 17 for supplying DIW (deionized water) to the surface of the semiconductor wafer W held by the spin chuck 25.
処理チャンバー1の側壁2には、処理チャンバー1に対して半導体ウエハWを搬入および搬出するための開口部3が形成されている。処理チャンバー1の外側における開口部3と対向する位置には、搬送ロボット27が配置されている。この搬送ロボット27は、開口部3を介して処理チャンバー1内に半導体ウエハWの保持部をアクセスさせ、スピンチャック25上に未処理の半導体ウエハWを載置し、あるいは、スピンチャック25上から処理済の半導体ウエハWを取り出すことが可能な構成となっている。そして、処理チャンバー1の内部には、開口部3を開閉するためのシャッター4が配設されている。 In the side wall 2 of the processing chamber 1, an opening 3 for carrying in and out the semiconductor wafer W with respect to the processing chamber 1 is formed. A transfer robot 27 is disposed at a position facing the opening 3 outside the processing chamber 1. The transfer robot 27 accesses the holding portion of the semiconductor wafer W into the processing chamber 1 through the opening 3 and places an unprocessed semiconductor wafer W on the spin chuck 25 or from above the spin chuck 25. The processed semiconductor wafer W can be taken out. A shutter 4 for opening and closing the opening 3 is disposed inside the processing chamber 1.
スピンチャック25は、モータ26と、このモータ26の駆動によって回転される円盤状のスピンベース23と、スピンベース23の周縁部の複数箇所にほぼ等間隔で設けられ、半導体ウエハWの端縁を挟持するための複数個の挟持部材24とを備えている。このスピンチャック25は、複数個の挟持部材24によって半導体ウエハWを挟持した状態で、モータ26の駆動によってスピンベース23を回転させることにより、半導体ウエハWを、その主面が水平となる姿勢を保った状態で、スピンベース23とともに鉛直方向を向く軸まわりに回転させる構成となっている。 The spin chuck 25 is provided at substantially equal intervals at a plurality of locations on the peripheral portion of the spin base 23 and a spin-shaped spin base 23 that is rotated by driving of the motor 26. A plurality of clamping members 24 for clamping are provided. The spin chuck 25 rotates the spin base 23 by driving the motor 26 in a state where the semiconductor wafer W is clamped by a plurality of clamping members 24, so that the principal surface of the semiconductor wafer W becomes horizontal. In this state, it is configured to rotate around the axis facing the vertical direction together with the spin base 23.
SPMノズル18は、スピンチャック25の上方において水平方向に延びるアーム22の先端に取り付けられている。このアーム22は、ノズル移動機構21の駆動により、SPMノズル18がスピンチャック25に支持されて回転する半導体ウエハWの上方のSPMの供給位置と、スピンチャック25の側方に退避した待機位置との間を移動可能となるように揺動する。このSPMノズル18には、SPM供給管16が接続されており、高温のSPMがSPM供給管16を通して供給されるようになっている。SPM供給管16には、SPM供給部12からSPMノズル18へのSPMの供給および供給停止を切り換えるための開閉弁14が配設されている。 The SPM nozzle 18 is attached to the tip of an arm 22 that extends in the horizontal direction above the spin chuck 25. This arm 22 is driven by the nozzle moving mechanism 21, and the SPM supply position above the semiconductor wafer W on which the SPM nozzle 18 is supported by the spin chuck 25 and rotates, and the standby position retracted to the side of the spin chuck 25. Swing so that it can move between the two. An SPM supply pipe 16 is connected to the SPM nozzle 18 so that high-temperature SPM is supplied through the SPM supply pipe 16. The SPM supply pipe 16 is provided with an on-off valve 14 for switching between supply and stop of supply of SPM from the SPM supply unit 12 to the SPM nozzle 18.
DIWノズル17は、スピンチャック25の上方において吐出口を半導体ウエハWの中央部に向けて配設されている。このDIWノズル17には、DIW供給管15が接続されており、リンス液としてのDIWがDIW供給管15を通して供給されるようになっている。DIW供給管15には、DIW供給部11からDIWノズル17へのDIWの供給および供給停止を切り換えるための開閉弁13が配設されている。 The DIW nozzle 17 is disposed above the spin chuck 25 with the discharge port directed toward the center of the semiconductor wafer W. A DIW supply pipe 15 is connected to the DIW nozzle 17 so that DIW as a rinsing liquid is supplied through the DIW supply pipe 15. The DIW supply pipe 15 is provided with an on-off valve 13 for switching between supply and stop of supply of DIW from the DIW supply unit 11 to the DIW nozzle 17.
図2から図5は、処理チャンバー1における開口部3付近の領域を、シャッター4およびその移動機構とともに示す側面図である。なお、図2はシャッター4が退避位置に配置された状態を示し、図3はシャッター4が退避位置から中間位置に移動した状態を示し、図4はシャッター4が閉鎖位置に配置された状態を示し、図5はシャッター4が閉鎖位置から中間位置に移動した状態を示している。また、図6は、処理チャンバー1における開口部3と樋53との配置関係を示す正面図である。なお、図6はチャンバー1内から開口部3を見た図であり、シャッター4が閉鎖位置に配置された状態を仮想線で示している。 FIGS. 2 to 5 are side views showing a region near the opening 3 in the processing chamber 1 together with the shutter 4 and its moving mechanism. 2 shows a state where the shutter 4 is arranged at the retracted position, FIG. 3 shows a state where the shutter 4 has moved from the retracted position to the intermediate position, and FIG. 4 shows a state where the shutter 4 is arranged at the closed position. FIG. 5 shows a state in which the shutter 4 is moved from the closed position to the intermediate position. FIG. 6 is a front view showing the positional relationship between the opening 3 and the flange 53 in the processing chamber 1. FIG. 6 is a view of the opening 3 viewed from the inside of the chamber 1, and shows a state in which the shutter 4 is disposed at the closed position by a virtual line.
処理チャンバー1に形成された開口部3は、図6に示すように、その上辺が水平方向を向く横長の矩形状の形状を有する。この開口部3の周囲には、シール部材51がその全周に亘り配設されている。一方、シャッター4は、正面視において開口部3より大きな略矩形状の形状を有する。このシャッター4は、本体の四辺から処理チャンバー1側に向けて突出した突出部41と、本体の上辺から上部に向かって伸びる立ち上げ部42とを備える。突出部41は、シール部材51と当接して開口部3を閉鎖する機能を有する。また、立ち上げ部42は、半導体ウエハWから飛散するSPMやDIWがシール部材51の上部に到達することを防止する機能を有する。また、シャッター4には、この発明の特徴部分である庇部材31が付設されている。この庇部材31の構成については後程詳細に説明する。 As shown in FIG. 6, the opening 3 formed in the processing chamber 1 has a horizontally long rectangular shape whose upper side faces the horizontal direction. A seal member 51 is disposed around the entire periphery of the opening 3. On the other hand, the shutter 4 has a substantially rectangular shape larger than the opening 3 in a front view. The shutter 4 includes a protruding portion 41 that protrudes from the four sides of the main body toward the processing chamber 1 and a rising portion 42 that extends from the upper side of the main body toward the upper portion. The protruding portion 41 has a function of closing the opening 3 by contacting the seal member 51. The rising portion 42 has a function of preventing SPM and DIW scattered from the semiconductor wafer W from reaching the upper portion of the seal member 51. Further, the shutter 4 is provided with a collar member 31 which is a characteristic part of the present invention. The configuration of the flange member 31 will be described in detail later.
シャッター4を移動させるための移動機構は、シャッター4を水平方向に往復移動させるための水平移動用エアシリンダ61と、シャッター4を鉛直方向に往復移動させるための昇降用エアシリンダ64とを備える。シャッター4は、水平移動用エアシリンダ61のシリンダロッド62と、連結部材43およびシリンダプレート63を介して接続されている。また、水平移動用エアシリンダ61は、支持部材66により支持されている。この支持部材66は、装置本体に固定された昇降用エアシリンダ64のシリンダロッド65と連結されている。 The moving mechanism for moving the shutter 4 includes a horizontal moving air cylinder 61 for reciprocating the shutter 4 in the horizontal direction and an elevating air cylinder 64 for reciprocating the shutter 4 in the vertical direction. The shutter 4 is connected to the cylinder rod 62 of the horizontally moving air cylinder 61 via a connecting member 43 and a cylinder plate 63. The horizontally moving air cylinder 61 is supported by a support member 66. The support member 66 is connected to a cylinder rod 65 of an elevating air cylinder 64 fixed to the apparatus main body.
このため、シャッター4は、移動機構を構成する水平移動用エアシリンダ61および昇降用エアシリンダ64の駆動により、図4に示す開口部3を閉鎖する閉鎖位置と、図3および図5に示す閉鎖位置より側方に移動した中間位置と、図2に示す中間位置より下方に退避した退避位置との間を移動可能となっている。なお、シャッター4を、中間位置より下方に退避した退避位置移動させる代わりに、中間位置より上方に退避した退避位置に移動させるようにしてもよい。 For this reason, the shutter 4 is driven by the horizontally moving air cylinder 61 and the lifting air cylinder 64 that constitute the moving mechanism, and the shutter 4 is closed to close the opening 3 shown in FIG. It is possible to move between an intermediate position moved laterally from the position and a retracted position retracted downward from the intermediate position shown in FIG. The shutter 4 may be moved to a retracted position retracted upward from the intermediate position instead of moving to the retracted position retracted downward from the intermediate position.
開口部3の上方には、処理チャンバー1の側壁2の内面に付着したSPMやDIWが開口部3に向けて流下することを防止するための液受け部材52が配設されている。液受け部材52は、開口部3の上辺の直上の側壁2から処理チャンバー1の内側に向けて突出するように形成されている。この液受け部材52は、開口部3の上辺に沿って、開口部3の上位部全域にわたって形成されている。このため、側壁2の内面に付着したSPMやDIWが、開口部3に流下することを防止することができる。 Above the opening 3, a liquid receiving member 52 for preventing SPM and DIW attached to the inner surface of the side wall 2 of the processing chamber 1 from flowing down toward the opening 3 is disposed. The liquid receiving member 52 is formed so as to protrude from the side wall 2 immediately above the upper side of the opening 3 toward the inside of the processing chamber 1. The liquid receiving member 52 is formed over the entire upper portion of the opening 3 along the upper side of the opening 3. For this reason, SPM and DIW adhering to the inner surface of the side wall 2 can be prevented from flowing down to the opening 3.
また、シール部材51における開口部3の上方に配置された領域の下方には、樋53が配設されている。この樋53の両端部は、図6に示すように、開口部3の両側に沿って下方に延びる形状を有する。シール部材51付近から流下するSPMやDIWは、この樋53により受け止められ、開口部3に流下することが防止される。なお、樋53における水平方向に延びる領域の下面は、側壁2の開口部3の上部(開口部3の上壁の下面)9の一部を構成する。 Further, a flange 53 is disposed below the region of the seal member 51 disposed above the opening 3. As shown in FIG. 6, both ends of the flange 53 have a shape extending downward along both sides of the opening 3. SPM and DIW flowing down from the vicinity of the seal member 51 are received by the flange 53 and are prevented from flowing into the opening 3. In addition, the lower surface of the region extending in the horizontal direction in the flange 53 constitutes a part of the upper part (the lower surface of the upper wall of the opening 3) 9 of the opening 3 of the side wall 2.
次に、この発明の特徴部分である庇部材31の構成について説明する。図7は、庇部材31の斜視図である。 Next, the structure of the eaves member 31 which is a characteristic part of this invention is demonstrated. FIG. 7 is a perspective view of the collar member 31.
この庇部材31は、シャッター4の移動に伴って処理チャンバー1の側壁2における開口部3の上部9に付着したSPMやDIWの液滴と接触することにより、この液滴を除去するためのものであり、液滴と接触して当該液滴を除去するための一対の接触部32と、接触部32の下方に配設された液受け部33と、接触部32および液受け部33を囲む外枠部36と、液受け部33により受け取られた液滴を排出する排液部35とを備える。一対の接触部32は、複数の支持部34により、液受け部33の上面から離隔した位置に支持されている。液受け部33の上面は、排液部35方向が低くなる状態で排液部35に向けて傾斜している。 This saddle member 31 is for removing the droplets by coming into contact with the droplets of SPM or DIW adhering to the upper portion 9 of the opening 3 in the side wall 2 of the processing chamber 1 as the shutter 4 moves. Surrounding the contact portion 32 and the liquid receiving portion 33, a pair of contact portions 32 for contacting the droplet and removing the droplet, a liquid receiving portion 33 disposed below the contact portion 32, An outer frame portion 36 and a drainage portion 35 for discharging droplets received by the liquid receiving portion 33 are provided. The pair of contact portions 32 are supported by a plurality of support portions 34 at positions separated from the upper surface of the liquid receiving portion 33. The upper surface of the liquid receiving portion 33 is inclined toward the drainage portion 35 in a state where the direction of the drainage portion 35 is lowered.
図2から図5に示すように、この庇部材31は、シャッター4における処理チャンバー1の内部側に、排液部35がシャッター4の内壁面49と対向する状態で配設されている。そして、排液部35の下端部とシャッター4の内壁面49とは、近接配置されている。このため、後述するように、液受け部33から排液部35の流下した液滴は、シャッター4の内壁面49に向かって案内され、内壁面49に沿って流下する。 As shown in FIGS. 2 to 5, the gutter member 31 is disposed on the inner side of the processing chamber 1 in the shutter 4 in a state where the drainage part 35 faces the inner wall surface 49 of the shutter 4. And the lower end part of the drainage part 35 and the inner wall face 49 of the shutter 4 are arrange | positioned closely. Therefore, as will be described later, the liquid droplets that have flowed down from the liquid receiving portion 33 are guided toward the inner wall surface 49 of the shutter 4 and flow down along the inner wall surface 49.
図8から図10は、庇部材31および側壁2の開口部3の上部9付近の拡大図である。なお、図8はシャッター4が退避位置から中間位置に移動した状態を示し、図9はシャッター4が閉鎖位置に配置されて液滴Dが発生した状態を示し、図10はシャッター4が閉鎖位置から中間位置に移動した状態を示している。 8 to 10 are enlarged views of the vicinity of the upper part 9 of the flange member 31 and the opening 3 of the side wall 2. 8 shows a state in which the shutter 4 has moved from the retracted position to the intermediate position, FIG. 9 shows a state in which the shutter 4 has been placed in the closed position and droplets D have been generated, and FIG. 10 shows the shutter 4 in the closed position. The state which moved to the intermediate position is shown.
図8および図9に示すように、シャッター4が中間位置または閉鎖位置に相当する高さ位置に配置された場合には、庇部材31の上面(接触部32および外枠部36の上面)は、側壁2に形成された開口部3の上部(開口部3の上壁の下面)9に対して近接配置されている。この庇部材31の上面と側壁2の開口部3の上部9との距離L1は、SPMやDIWの液滴Dが自重で開口部3の上部9から落下することとなる距離L2より小さくなるように設定されている。 As shown in FIGS. 8 and 9, when the shutter 4 is arranged at a height position corresponding to the intermediate position or the closed position, the upper surface of the flange member 31 (the upper surfaces of the contact portion 32 and the outer frame portion 36) is The upper portion of the opening 3 formed on the side wall 2 (the lower surface of the upper wall of the opening 3) 9 is disposed in proximity. The distance L1 between the upper surface of the flange member 31 and the upper part 9 of the opening 3 on the side wall 2 is smaller than the distance L2 at which the SPM or DIW droplet D falls from the upper part 9 of the opening 3 by its own weight. Is set to
以上のような構成を有する基板処理装置により半導体ウエハWを処理する基板処理動作について説明する。 A substrate processing operation for processing the semiconductor wafer W by the substrate processing apparatus having the above configuration will be described.
半導体ウエハWの処理を行う場合には、水平移動用エアシリンダ61および昇降用エアシリンダ64の駆動によりシャッター4を図2に示す退避位置に移動させる。これにより、処理チャンバー1の側壁2に形成された開口部3が開放される。そして、搬送ロボット27により半導体ウエハWを処理チャンバー1内に搬入する。 When processing the semiconductor wafer W, the shutter 4 is moved to the retracted position shown in FIG. 2 by driving the horizontal moving air cylinder 61 and the lifting air cylinder 64. Thereby, the opening 3 formed in the side wall 2 of the processing chamber 1 is opened. Then, the semiconductor wafer W is carried into the processing chamber 1 by the transfer robot 27.
半導体ウエハWは、その表面を上方に向けて、スピンチャック25の上面に保持される。半導体ウエハWがスピンチャック25に保持されれば、水平移動用エアシリンダ61および昇降用エアシリンダ64の駆動により、シャッター4を、図3に示す中間位置に移動させる。このときには、図8に示すように、シャッター4に付設された庇部材31の上面が側壁2に形成された開口部3の上部9に対して距離L1だけ離隔して近接配置される。 The semiconductor wafer W is held on the upper surface of the spin chuck 25 with its surface facing upward. If the semiconductor wafer W is held by the spin chuck 25, the shutter 4 is moved to the intermediate position shown in FIG. 3 by driving the horizontally moving air cylinder 61 and the lifting air cylinder 64. At this time, as shown in FIG. 8, the upper surface of the collar member 31 attached to the shutter 4 is disposed close to the upper portion 9 of the opening 3 formed in the side wall 2 by a distance L1.
そして、水平移動用エアシリンダ61の駆動により、シャッター4を、図4に示す閉鎖位置に移動させる。 Then, the shutter 4 is moved to the closed position shown in FIG. 4 by driving the horizontally moving air cylinder 61.
この状態において、半導体ウエハWのSPMによる処理を開始する。この場合には、図1に示すノズル移動機構21の駆動により、SPMノズル18を、スピンチャック25の側方に設定された待機位置から、スピンチャック25に保持されている半導体ウエハWの上方に移動させる。そして、開閉弁14を開放することにより、SPMノズル18から回転中の半導体ウエハWの表面に向けてSPMを吐出させる。また、ノズル移動機構21によりアーム22を所定の角度範囲内で揺動させる。これによって、SPMノズル18から吐出されるSPMは、半導体ウエハWの回転中心から半導体ウエハWの周縁部に至る範囲内全域供給される。そして、このSPMは、半導体ウエハWの回転による遠心力を受けて、半導体ウエハWの表面の全域に広がった後、半導体ウエハWの表面から振り切られる。SPMによる所定の処理が終了すれば、開閉弁14を閉じてSPMノズル18からのSPMの吐出を停止させ、SPMノズル18をスピンチャック25の側方の退避位置に復帰される。 In this state, the processing by the SPM of the semiconductor wafer W is started. In this case, by driving the nozzle moving mechanism 21 shown in FIG. 1, the SPM nozzle 18 is moved from the standby position set on the side of the spin chuck 25 to above the semiconductor wafer W held on the spin chuck 25. Move. Then, by opening the on-off valve 14, SPM is discharged from the SPM nozzle 18 toward the surface of the rotating semiconductor wafer W. Further, the arm 22 is swung within a predetermined angle range by the nozzle moving mechanism 21. As a result, the SPM discharged from the SPM nozzle 18 is supplied over the entire range from the rotation center of the semiconductor wafer W to the peripheral edge of the semiconductor wafer W. The SPM receives a centrifugal force due to the rotation of the semiconductor wafer W, spreads over the entire surface of the semiconductor wafer W, and is then shaken off from the surface of the semiconductor wafer W. When the predetermined processing by the SPM is completed, the on-off valve 14 is closed to stop the SPM discharge from the SPM nozzle 18, and the SPM nozzle 18 is returned to the side retracted position of the spin chuck 25.
次に、半導体ウエハWの回転を継続したまま、開閉弁13を開放する。これにより、回転中の半導体ウエハWの表面の中央部に向けてDIWノズル17からDIWが吐出される。半導体ウエハWの表面上に供給されたDIWにより、半導体ウエハWの表面のSPMが洗い流される。そして、DIWの吐出を停止した後、スピンチャック25により半導体ウエハWを高速回転することにより、半導体ウエハWからDIWを除去する乾燥工程を実行する。 Next, the on-off valve 13 is opened while the rotation of the semiconductor wafer W is continued. Thus, DIW is discharged from the DIW nozzle 17 toward the center of the surface of the rotating semiconductor wafer W. The SPM on the surface of the semiconductor wafer W is washed away by the DIW supplied onto the surface of the semiconductor wafer W. Then, after stopping the discharge of DIW, the semiconductor wafer W is rotated at a high speed by the spin chuck 25 to execute a drying process for removing DIW from the semiconductor wafer W.
上述した半導体ウエハWの処理工程および乾燥工程においては、半導体ウエハWの端縁より飛散したSPMやDIWの飛沫の一部や、それらの蒸気が凝縮した液体等が、処理チャンバー1の側壁2に形成された開口部3の上部(開口部3の上壁の下面)9に付着し、図9に示すような液滴Dが生ずる場合がある。 In the processing step and the drying step of the semiconductor wafer W described above, a part of the SPM and DIW splashes scattered from the edge of the semiconductor wafer W, the liquid in which those vapors are condensed, etc., enter the side wall 2 of the processing chamber 1. A droplet D as shown in FIG. 9 may be generated by adhering to the upper part (the lower surface of the upper wall of the opening 3) 9 of the formed opening 3.
この状態において、乾燥工程が終了すれば、水平移動用エアシリンダ61の駆動により、シャッター4を、図4に示す閉鎖位置から図5に示す中間位置に水平移動させる。このシャッター4の水平移動に伴い、シャッター4に付設された庇部材31の上面が側壁2に形成された開口部3の上部9の下方の領域を移動する。この庇部材31の移動に伴い、開口部3の上部9に液滴Dが付着していた場合には、図10に示すように、この液滴Dは庇部材31における一対の接触部32および外枠部36により掻き取られて液受け部33上に移動する。そして、この液滴Dは、傾斜した液受け部33の上面を流下した後、排液部35とシャッター4の内壁面49に沿ってさらに流下し、シャッター4の下端部に移動する。そして、液滴Dは、図5に示すように、シャッター4の突出部41がシール部材51から離隔することにより、処理チャンバー1内に落下する。 In this state, when the drying process is completed, the shutter 4 is horizontally moved from the closed position shown in FIG. 4 to the intermediate position shown in FIG. 5 by driving the horizontally moving air cylinder 61. With the horizontal movement of the shutter 4, the upper surface of the flange member 31 attached to the shutter 4 moves in a region below the upper portion 9 of the opening 3 formed in the side wall 2. When the droplet D adheres to the upper part 9 of the opening 3 with the movement of the flange member 31, as shown in FIG. It is scraped off by the outer frame portion 36 and moves onto the liquid receiving portion 33. Then, after the liquid droplet D flows down the upper surface of the inclined liquid receiving portion 33, it further flows down along the drainage portion 35 and the inner wall surface 49 of the shutter 4 and moves to the lower end portion of the shutter 4. Then, as shown in FIG. 5, the droplet D falls into the processing chamber 1 when the protrusion 41 of the shutter 4 is separated from the seal member 51.
しかる後、昇降用エアシリンダ64の駆動により、シャッター4を図2に示す退避位置に移動させる。これにより、処理チャンバー1の側壁2に形成された開口部3が開放される。そして、搬送ロボット27により処理後の半導体ウエハWを処理チャンバー1内から搬出する。 Thereafter, the shutter 4 is moved to the retracted position shown in FIG. Thereby, the opening 3 formed in the side wall 2 of the processing chamber 1 is opened. Then, the processed semiconductor wafer W is unloaded from the processing chamber 1 by the transfer robot 27.
次に、この発明の他の実施形態について説明する。図11は、この発明の他の実施形態に係る庇部材31を備えたシャッター4を示す側面図である。なお、上述した実施形態と同様の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。 Next, another embodiment of the present invention will be described. FIG. 11 is a side view showing a shutter 4 provided with a flange member 31 according to another embodiment of the present invention. In addition, about the member similar to embodiment mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected and detailed description is abbreviate | omitted.
この実施形態に係る庇部材は、液滴Dと接触してこれを除去するための一対の接触部32にかえて、吸湿性の部材よりなる接触部39を配設している。この接触部39としては、例えば、スポンジ等の多孔性部材を使用することができる。このような構成を採用した場合には、開口部3の上部9に付着した液滴Dを吸湿性の接触部39により吸収して除去することが可能となる。 The scissors member according to this embodiment is provided with a contact portion 39 made of a hygroscopic member in place of the pair of contact portions 32 for contacting and removing the droplet D. As this contact part 39, porous members, such as sponge, can be used, for example. When such a configuration is adopted, the droplet D attached to the upper portion 9 of the opening 3 can be absorbed and removed by the hygroscopic contact portion 39.
以上のように、この発明に係る基板処理装置によれば、庇部材31が開口部3の上部9に付着した液滴Dと接触することにより、液滴Dを開口部3の上部9から除去することができる。このため、開口部3の上部9に付着した液滴Dが開口部3を通過する半導体ウエハに落下することを確実に防止することが可能となる。このとき、シャッター4に付設した庇部材31を利用し、シャッター4の移動に伴って液滴Dを除去することができることから、液滴の除去を可能とするための装置構成を簡易なものとし、また、装置のコストを低減することが可能となる。 As described above, according to the substrate processing apparatus of the present invention, the droplet D is removed from the upper part 9 of the opening 3 by the contact of the scissors member 31 with the droplet D adhering to the upper part 9 of the opening 3. can do. For this reason, it is possible to reliably prevent the droplet D attached to the upper part 9 of the opening 3 from falling on the semiconductor wafer passing through the opening 3. At this time, since the droplet D can be removed with the movement of the shutter 4 by using the eaves member 31 attached to the shutter 4, the apparatus configuration for enabling the removal of the droplet is simplified. In addition, the cost of the apparatus can be reduced.
なお、上述した実施形態においては、シャッター4の昇降動作等により、開口部3を開閉しているが、回動動作により開口部3を開閉するシャッター機構を採用することも可能である。このような構成を採用した場合においても、シャッターの移動に伴って液滴Dを除去することが可能となる。 In the above-described embodiment, the opening 3 is opened and closed by the raising / lowering operation of the shutter 4 or the like, but a shutter mechanism that opens and closes the opening 3 by a rotating operation may be employed. Even when such a configuration is adopted, it is possible to remove the droplet D as the shutter moves.
1 処理チャンバー
2 側壁
3 開口部
4 シャッター
9 上部
15 DIW供給管
16 SPM供給管
17 DIWノズル
18 SPMノズル
25 スピンチャック
27 搬送ロボット
31 庇部材
32 接触部
33 液受け部
34 支持部
35 排液部
36 外枠部
39 接触部
41 突出部
49 内壁面
51 シール部材
52 液受け部材
53 樋
61 水平移動用エアシリンダ
64 昇降用エアシリンダ
D 液滴
W 半導体ウエハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processing chamber 2 Side wall 3 Opening part 4 Shutter 9 Upper part 15 DIW supply pipe 16 SPM supply pipe 17 DIW nozzle 18 SPM nozzle 25 Spin chuck 27 Conveyance robot 31 32 member 32 Contact part 33 Liquid receiving part 34 Support part 35 Drain part 36 Outer frame portion 39 Contact portion 41 Projection portion 49 Inner wall surface 51 Seal member 52 Liquid receiving member 53 樋 61 Horizontal movement air cylinder 64 Elevating air cylinder D Droplet W Semiconductor wafer
Claims (5)
基板を収納する処理チャンバーと、
前記処理チャンバーの側壁に形成された基板通過用の開口部を閉鎖する位置と、前記開口部を開放する位置との間を移動可能なシャッターと、
前記シャッターに付設され、当該シャッターの移動に伴って、前記処理チャンバーにおける開口部の上部に付着した液滴と接触可能な位置を通過する庇部材と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a processing liquid to the substrate,
A processing chamber for storing the substrate;
A shutter that is movable between a position for closing the opening for passing the substrate formed on the side wall of the processing chamber and a position for opening the opening;
A scissors member attached to the shutter and passing through a position where it can come into contact with a droplet attached to the upper part of the opening in the processing chamber as the shutter moves,
A substrate processing apparatus comprising:
前記シャッターは、前記開口部を閉鎖する閉鎖位置と、前記閉鎖位置より側方に移動した中間位置と、前記中間位置より鉛直方向に退避した退避位置との間を移動可能であり、
前記庇部材は、前記シャッターが前記閉鎖位置と前記中間位置との間を移動するときに、前記チャンバーにおける開口部の上部に付着した液滴を除去する基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The shutter is movable between a closed position for closing the opening, an intermediate position moved laterally from the closed position, and a retracted position retracted vertically from the intermediate position,
The collar member is a substrate processing apparatus for removing droplets adhering to an upper portion of an opening in the chamber when the shutter moves between the closed position and the intermediate position.
前記庇部材は、
前記チャンバーにおける開口部の上部に付着した液滴と接触して当該液滴を除去するための接触部と、
前記接触部の下方に配設された液受け部と、
前記液受け部により受け取られた液滴を排出する排液部と、
を備える基板処理装置。 In the substrate processing apparatus of Claim 1 or Claim 2,
The flange member is
A contact portion for contacting and removing the droplet attached to the top of the opening in the chamber;
A liquid receiving portion disposed below the contact portion;
A drainage part for discharging droplets received by the liquid receiving part;
A substrate processing apparatus comprising:
前記液受け部の上面が前記排液部に向けて傾斜する基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3,
A substrate processing apparatus in which an upper surface of the liquid receiving portion is inclined toward the drainage portion.
前記接触部は、吸湿性の部材より構成される基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3,
The contact portion is a substrate processing apparatus constituted by a hygroscopic member.
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KR20210107463A (en) * | 2020-02-24 | 2021-09-01 | 세메스 주식회사 | Apparatus And Method For Treating A Substrate |
KR20230029222A (en) * | 2021-08-24 | 2023-03-03 | 세메스 주식회사 | Substrate processing apparatus and method |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0430521A (en) * | 1990-05-28 | 1992-02-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Rotary type apparatus for surface treatment for substrate |
JPH09162099A (en) * | 1995-12-06 | 1997-06-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate end edge treater |
JPH11265869A (en) * | 1998-03-16 | 1999-09-28 | M Setekku Kk | Substrate surface treating equipment |
JP2009026948A (en) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate treating apparatus and treatment chamber washing method |
JP2012060137A (en) * | 2011-09-22 | 2012-03-22 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing device, liquid processing method, and storage medium |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0430521A (en) * | 1990-05-28 | 1992-02-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Rotary type apparatus for surface treatment for substrate |
JPH09162099A (en) * | 1995-12-06 | 1997-06-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate end edge treater |
JPH11265869A (en) * | 1998-03-16 | 1999-09-28 | M Setekku Kk | Substrate surface treating equipment |
JP2009026948A (en) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate treating apparatus and treatment chamber washing method |
JP2012060137A (en) * | 2011-09-22 | 2012-03-22 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing device, liquid processing method, and storage medium |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210107463A (en) * | 2020-02-24 | 2021-09-01 | 세메스 주식회사 | Apparatus And Method For Treating A Substrate |
KR102359533B1 (en) | 2020-02-24 | 2022-02-09 | 세메스 주식회사 | Apparatus And Method For Treating A Substrate |
KR20230029222A (en) * | 2021-08-24 | 2023-03-03 | 세메스 주식회사 | Substrate processing apparatus and method |
KR102618629B1 (en) * | 2021-08-24 | 2023-12-27 | 세메스 주식회사 | Substrate processing apparatus and method |
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