KR102618629B1 - Substrate processing apparatus and method - Google Patents

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Abstract

처리 배스 내의 미스트를 제어하여 공정불량을 최소화시킬 수 있는 기판 처리 장치가 제공된다. 상기 기판 처리 장치는 제1 방향으로 인접하여 배치된 제1 처리 배스와 제2 처리 배스; 상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 사이에 배치되고, 기판이 통과하기 위한 출입구가 형성된 제1 격벽; 상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 내에 설치되고, 상기 기판을 이동시키는 이송 유닛; 상기 제1 처리 배스 내에 설치되고, 상기 기판에 약액을 제공하는 약액 공급 유닛; 및 상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 사이에 배치되고 상기 제1 격벽과 연결되며, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향을 따라 배치된 다수의 배기홀을 포함하여, 상기 제1 처리 배스 내의 미스트를 배기하는 제1 배기 유닛을 포함한다.A substrate processing device is provided that can minimize process defects by controlling mist in a processing bath. The substrate processing apparatus includes a first processing bath and a second processing bath disposed adjacent to each other in a first direction; a first partition disposed between the first processing bath and the second processing bath and having an entrance through which a substrate passes; a transfer unit installed in the first processing bath and the second processing bath to move the substrate; a chemical solution supply unit installed in the first processing bath and providing a chemical solution to the substrate; and a plurality of exhaust holes disposed between the first processing bath and the second processing bath, connected to the first partition, and disposed along a second direction different from the first direction, wherein the first processing bath It includes a first exhaust unit that exhausts the mist inside.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Substrate processing apparatus and method} Substrate processing apparatus and method}

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method.

기판 처리 장치는 웨이퍼 또는 디스플레이용 기판을 처리하는 장치이다. 예를 들어, 디스플레이용 기판을 처리하는 장치는 순차적으로 인접하여 배치된 다수의 처리 배스를 포함한다. 디스플레이용 기판이 다수의 처리 배스를 지나가면서, 디스플레이용 기판에 세정액, 식각액, 현상액 등 다양한 약액이 분사될 수 있다. A substrate processing device is a device that processes wafers or display substrates. For example, an apparatus for processing a substrate for a display includes a plurality of processing baths arranged sequentially adjacent to each other. As the display substrate passes through a plurality of processing baths, various chemical solutions, such as a cleaning solution, an etchant, and a developer, may be sprayed onto the display substrate.

한편, 처리 배스에는 분사된 약액을 외부로 배기하기 위한 배기 시스템이 적용되어 있다. 배기 시스템이 최적화되어 있지 않으면 분사된 약액이 처리 배스 내에서 미스트(mist) 형태로 돌아다니게 되고, 미스트 형태의 약액이 디스플레이용 기판에 재안착되어 공정 불량의 원인이 될 수 있다. Meanwhile, an exhaust system is applied to the treatment bath to exhaust the sprayed chemical liquid to the outside. If the exhaust system is not optimized, the sprayed chemical liquid moves around in the form of mist within the treatment bath, and the chemical liquid in the form of mist may re-settle on the display substrate, causing process defects.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 처리 배스 내의 미스트를 제어하여 공정불량을 최소화시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. The problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing device that can minimize process defects by controlling mist in a processing bath.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 처리 배스 내의 미스트를 제어하여 공정불량을 최소화시킬 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것이다. Another problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing method that can minimize process defects by controlling mist in a processing bath.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(aspect)은, 제1 방향으로 인접하여 배치된 제1 처리 배스와 제2 처리 배스; 상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 사이에 배치되고, 기판이 통과하기 위한 출입구가 형성된 제1 격벽; 상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 내에 설치되고, 상기 기판을 이동시키는 이송 유닛; 상기 제1 처리 배스 내에 설치되고, 상기 기판에 약액을 제공하는 약액 공급 유닛; 및 상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 사이에 배치되고 상기 제1 격벽과 연결되며, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향을 따라 배치된 다수의 배기홀을 포함하여, 상기 제1 처리 배스 내의 미스트를 배기하는 제1 배기 유닛을 포함한다.One aspect of the substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above object includes a first processing bath and a second processing bath disposed adjacent to each other in a first direction; a first partition disposed between the first processing bath and the second processing bath and having an entrance through which a substrate passes; a transfer unit installed in the first processing bath and the second processing bath to move the substrate; a chemical solution supply unit installed in the first processing bath and providing a chemical solution to the substrate; and a plurality of exhaust holes disposed between the first processing bath and the second processing bath, connected to the first partition, and disposed along a second direction different from the first direction, wherein the first processing bath It includes a first exhaust unit that exhausts the mist inside.

또한, 상기 제1 배기 유닛은 상기 제2 방향을 따라 길게 설치된 바디와, 상기 바디의 일단과 연결된 배기 연결관을 포함하고, 상기 배기 연결관과 상기 바디는, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 의해 정의되는 평면 상에서 서로 오버랩되지 않는다.In addition, the first exhaust unit includes a body installed long along the second direction and an exhaust connector connected to one end of the body, and the exhaust connector and the body are connected in the first direction and the second direction. They do not overlap each other on the plane defined by .

상기 다수의 배기홀은 제1 배기홀과 제2 배기홀을 포함하고, 상기 제1 배기홀은 제2 배기홀보다 상기 배기 연결관에 가깝고, 상기 제2 배기홀의 사이즈는 상기 제1 배기홀의 사이즈보다 크다. The plurality of exhaust holes include a first exhaust hole and a second exhaust hole, the first exhaust hole is closer to the exhaust connection pipe than the second exhaust hole, and the size of the second exhaust hole is the size of the first exhaust hole. bigger than

상기 제2 배기홀의 제2 방향의 폭은, 상기 제1 배기홀의 제2 방향의 폭보다 클 수 있다. The width of the second exhaust hole in the second direction may be greater than the width of the first exhaust hole in the second direction.

상기 제1 배기 유닛은, 상기 제1 처리 배스를 향해 상기 제1 격벽보다 돌출된 제1 측벽과, 상기 제1 측벽과 상기 제1 격벽을 연결하는 제1 연결벽을 포함하고, 상기 다수의 배기홀은 상기 제1 측벽에 설치될 수 있다.The first exhaust unit includes a first side wall protruding from the first partition toward the first processing bath, a first connecting wall connecting the first side wall and the first partition, and the plurality of exhaust exhaust units. The hole may be installed in the first side wall.

상기 제1 배기 유닛은, 상기 제2 처리 배스를 향해 상기 제1 격벽보다 돌출된 제2 측벽과, 상기 제2 측벽과 상기 제1 격벽을 연결하는 제2 연결벽을 더 포함하고, 상기 제2 측벽에는 상기 제2 처리 배스 내의 미스트를 배기하기 위한 다수의 배기홀이 설치될 수 있다. The first exhaust unit further includes a second side wall protruding from the first partition toward the second processing bath, and a second connection wall connecting the second side wall and the first partition, and the second A plurality of exhaust holes may be installed on the side wall to exhaust mist within the second treatment bath.

상기 제1 연결벽과 상기 제1 격벽은 둔각을 이룰 수 있다. The first connection wall and the first partition wall may form an obtuse angle.

상기 배기홀과 상기 제1 연결벽 사이의 거리는, 1mm 보다 크고 10mm 보다 작을 수 있다. The distance between the exhaust hole and the first connection wall may be greater than 1 mm and less than 10 mm.

상기 제1 측벽에, 상기 배기홀의 사이즈를 조절하기 위한 배기커버가 더 설치될 수 있다. An exhaust cover may be further installed on the first side wall to adjust the size of the exhaust hole.

상기 제1 격벽에는 L자 형태의 드랍 방지 구조물을 포함하여, 상기 제1 연결벽을 따라 흘러내리는 약액을 받는다. The first partition wall includes an L-shaped drop prevention structure to receive the chemical solution flowing along the first connection wall.

상기 드랍 방지 구조물은 상기 제1 격벽과 직접 연결된 받침대와, 상기 받침대와 직접 연결되어 상기 흘러내리는 약액을 수용하기 위한 수용벽을 포함하되, 상기 받침대와 상기 제1 격벽은 둔각을 이룰 수 있다. The drop prevention structure includes a pedestal directly connected to the first partition wall, and a receiving wall directly connected to the pedestal to contain the flowing chemical solution, and the pedestal and the first partition wall may form an obtuse angle.

상기 드랍 방지 구조물은 제2 방향을 따라 길게 배치되고, 상기 받침대는 기울어져 있을 수 있다. The drop prevention structure may be disposed long along the second direction, and the pedestal may be inclined.

상기 제1 격벽에 설치되어, 상기 출입구의 사이즈를 조절할 수 있는 커버를 더 포함할 수 있다. It may further include a cover installed on the first partition wall to adjust the size of the entrance.

상기 제1 격벽은 상기 출입구를 기준으로 상부에 위치하는 상부 격벽과, 하부에 위치하는 하부 격벽을 포함하고, 상기 커버는 상기 상부 격벽에 설치된 제1 커버와, 상기 하부 격벽에 설치된 제2 커버를 포함할 수 있다. The first bulkhead includes an upper bulkhead located above the entrance and a lower bulkhead located below, and the cover includes a first cover installed on the upper bulkhead and a second cover installed on the lower bulkhead. It can be included.

상기 제2 처리 배스의 일면에 배치된 보조 배기홀을 더 포함할 수 있다.It may further include an auxiliary exhaust hole disposed on one side of the second treatment bath.

제3 처리 배스를 더 포함하되, 상기 제1 방향으로 상기 제2 처리 배스, 상기 제1 처리 배스 및 상기 제3 처리 배스 순서로 배치되고, 상기 제1 처리 배스와 상기 제3 처리 배스 사이에 배치되고, 상기 기판이 통과하기 위한 출입구가 형성된 제2 격벽과, 상기 제1 처리 배스와 상기 제3 처리 배스 사이에 배치되고 상기 제2 격벽과 연결되며, 상기 제1 방향과 다른 제3 방향을 따라 배치된 다수의 배기홀을 포함하여, 상기 제1 처리 배스 내의 미스트를 배기하는 제2 배기 유닛을 더 포함할 수 있다. It further includes a third processing bath, arranged in the order of the second processing bath, the first processing bath, and the third processing bath in the first direction, and disposed between the first processing bath and the third processing bath. and a second partition wall having an entrance for the substrate to pass through, disposed between the first processing bath and the third processing bath and connected to the second partition wall, along a third direction different from the first direction. It may further include a second exhaust unit that exhausts the mist in the first treatment bath, including a plurality of exhaust holes disposed therein.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 면은, 제1 방향으로 인접하여 배치된 제1 처리 배스와 제2 처리 배스; 상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 사이에 배치되고, 기판이 통과하기 위한 출입구가 형성된 제1 격벽; 상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 내에 설치되고, 상기 기판을 이동시키는 이송 유닛; 상기 제1 처리 배스 내에 설치되고, 상기 기판에 약액을 제공하는 약액 공급 유닛; 및 상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 사이에 배치되고 상기 제1 격벽과 연결된 제1 배기 유닛을 포함하고, 상기 제1 배기 유닛은, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향을 따라 길게 설치된 바디와, 상기 바디에 형성된 다수의 배기홀을 포함하고, 상기 바디는, 상기 제1 처리 배스를 향해 상기 제1 격벽보다 돌출되고, 상기 다수의 배기홀이 형성된 제1 측벽과, 상기 제1 측벽과 상기 제1 격벽을 연결하는 제1 연결벽을 포함하고, 상기 제1 연결벽과 상기 제1 격벽은 둔각을 이룰 수 있다.Another aspect of the substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above object includes a first processing bath and a second processing bath disposed adjacent to each other in a first direction; a first partition disposed between the first processing bath and the second processing bath and having an entrance through which a substrate passes; a transfer unit installed in the first processing bath and the second processing bath to move the substrate; a chemical solution supply unit installed in the first processing bath and providing a chemical solution to the substrate; and a first exhaust unit disposed between the first processing bath and the second processing bath and connected to the first partition, wherein the first exhaust unit is installed long along a second direction different from the first direction. It includes a body, a plurality of exhaust holes formed in the body, the body, a first side wall that protrudes beyond the first partition toward the first processing bath, and on which the plurality of exhaust holes are formed, and the first side wall. and a first connection wall connecting the first partition wall, and the first connection wall and the first partition wall may form an obtuse angle.

상기 제1 배기 유닛은, 상기 바디의 일단과 연결된 배기 연결관을 더 포함하고, 상기 다수의 배기홀은 상기 제2 방향을 따라 배치된 제1 배기홀과 제2 배기홀을 포함하고, 상기 제1 배기홀은 제2 배기홀보다 상기 배기 연결관에 가깝고, 상기 제2 배기홀의 사이즈는 상기 제1 배기홀의 사이즈보다 클 수 있다. The first exhaust unit further includes an exhaust connection pipe connected to one end of the body, the plurality of exhaust holes include a first exhaust hole and a second exhaust hole disposed along the second direction, and the first exhaust hole includes a second exhaust hole. The first exhaust hole is closer to the exhaust connection pipe than the second exhaust hole, and the size of the second exhaust hole may be larger than the size of the first exhaust hole.

상기 제1 격벽에는 L자 형태의 드랍 방지 구조물을 포함하여, 상기 제1 연결벽을 따라 흘러내리는 약액을 받을 수 있다. The first partition wall includes an L-shaped drop prevention structure to receive the chemical solution flowing along the first connection wall.

상기 드랍 방지 구조물은 상기 제1 격벽과 직접 연결된 받침대와, 상기 받침대와 직접 연결되어 상기 흘러내리는 약액을 수용하기 위한 수용벽을 포함하되, 상기 받침대와 상기 제1 격벽은 둔각을 이룰 수 있다.The drop prevention structure includes a pedestal directly connected to the first partition wall, and a receiving wall directly connected to the pedestal to contain the flowing chemical solution, and the pedestal and the first partition wall may form an obtuse angle.

상기 제1 격벽에 설치되어, 상기 출입구의 사이즈를 조절할 수 있는 커버를 더 포함할 수 있다.It may further include a cover installed on the first partition wall to adjust the size of the entrance.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 또 다른 면은, 제1 방향으로 인접하여 배치된 제1 처리 배스와 제2 처리 배스; 상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 사이에 배치되고, 기판이 통과하기 위한 출입구가 형성된 제1 격벽; 상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 내에 설치되고, 상기 기판을 이동시키는 이송 유닛; 상기 제1 처리 배스 내에 설치되고, 상기 기판에 약액을 제공하는 약액 공급 유닛; 및 상기 제1 격벽의 상기 출입구의 상측에 설치되고, 상기 제1 격벽을 따라 흘러내리는 약액을 받는 L자 형태의 드랍 방지 구조물을 포함할 수 있다.Another aspect of the substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above object includes a first processing bath and a second processing bath disposed adjacent to each other in a first direction; a first partition disposed between the first processing bath and the second processing bath and having an entrance through which a substrate passes; a transfer unit installed in the first processing bath and the second processing bath to move the substrate; a chemical solution supply unit installed in the first processing bath and providing a chemical solution to the substrate; And it may include an L-shaped drop prevention structure installed above the entrance of the first partition wall and receiving the chemical solution flowing down the first partition wall.

상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 방법의 일 면은, 제1 방향으로 인접하여 배치된 제1 처리 배스와 제2 처리 배스와, 상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 사이에 배치되고, 기판이 통과하기 위한 출입구가 형성된 제1 격벽, 상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 사이에 배치되고 상기 제1 격벽과 연결된 제1 배기 유닛을 포함하고, 상기 제1 격벽에 설치되는 L자 형태의 드랍 방지 구조물을 포함하되, 상기 제1 배기 유닛은 상기 제1 방향과 다른 제2 방향을 따라 길게 설치된 바디와, 상기 바디에 형성된 다수의 배기홀을 포함하고, 상기 바디는 상기 제1 처리 배스를 향해 상기 제1 격벽보다 돌출되고, 상기 다수의 배기홀이 형성된 제1 측벽과, 상기 제1 측벽과 상기 제1 격벽을 연결하는 제1 연결벽을 포함하는 기판 처리 장치를 제공하고, 상기 다수의 배기홀을 통해서 제1 처리 배스 내의 약액 미스트가 배기되고, 상기 제1 측벽에 붙은 약액은 상기 제1 연결벽 및 상기 제1 격벽을 따라 흘러내려 상기 드랍 방지 구조물로 들어가는 것을 포함할 수 있다.One aspect of the substrate processing method of the present invention for achieving the other object is a first processing bath and a second processing bath disposed adjacent to each other in a first direction, and between the first processing bath and the second processing bath. A first partition is disposed and has an entrance through which a substrate passes, and a first exhaust unit is disposed between the first processing bath and the second processing bath and connected to the first partition, and is installed on the first partition. and an L-shaped drop prevention structure, wherein the first exhaust unit includes a body installed long along a second direction different from the first direction, and a plurality of exhaust holes formed in the body, and the body includes the Providing a substrate processing apparatus including a first side wall that protrudes beyond the first partition toward a first processing bath and on which the plurality of exhaust holes are formed, and a first connection wall connecting the first side wall and the first partition wall. And, the chemical mist in the first treatment bath is exhausted through the plurality of exhaust holes, and the chemical liquid attached to the first side wall flows down along the first connection wall and the first partition and enters the drop prevention structure. can do.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 도 1의 A 영역을 설명하기 위한 확대도이다.
도 3은 도 1의 제1 처리 배스와, 제1 배기 유닛 및 제2 배기 유닛 사이의 관계를 설명하기 위한 사시도이다.
도 4는 도 1의 제1 배기 유닛의 구조를 설명하기 위한 정면도이다.
도 5는 도 2의 B 영역을 설명하기 위한 확대도이다.
도 6은 도 1의 드랍 방지 구조물을 설명하기 위한 정면도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 1 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view for explaining area A of FIG. 1.
FIG. 3 is a perspective view for explaining the relationship between the first treatment bath of FIG. 1, the first exhaust unit, and the second exhaust unit.
FIG. 4 is a front view for explaining the structure of the first exhaust unit of FIG. 1.
Figure 5 is an enlarged view for explaining area B of Figure 2.
Figure 6 is a front view for explaining the drop prevention structure of Figure 1.
7 is a diagram for explaining the operation of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
8 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
9 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
Figure 10 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
11 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. The advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various different forms. The present embodiments are merely intended to ensure that the disclosure of the present invention is complete and to provide common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.Spatially relative terms such as “below”, “beneath”, “lower”, “above”, “upper”, etc. are used as a single term as shown in the drawing. It can be used to easily describe the correlation between elements or components and other elements or components. Spatially relative terms should be understood as terms that include different directions of the element during use or operation in addition to the direction shown in the drawings. For example, if an element shown in the drawings is turned over, an element described as “below” or “beneath” another element may be placed “above” the other element. Accordingly, the illustrative term “down” may include both downward and upward directions. Elements can also be oriented in other directions, so spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although first, second, etc. are used to describe various elements, elements and/or sections, it is understood that these elements, elements and/or sections are not limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one element, element, or section from other elements, elements, or sections. Therefore, it goes without saying that the first element, first element, or first section mentioned below may also be a second element, second element, or second section within the technical spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for describing embodiments and is not intended to limit the invention. As used herein, singular forms also include plural forms, unless specifically stated otherwise in the context. As used herein, “comprises” and/or “comprising” refers to the presence of one or more other components, steps, operations and/or elements. or does not rule out addition.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in this specification may be used with meanings that can be commonly understood by those skilled in the art to which the present invention pertains. Additionally, terms defined in commonly used dictionaries are not interpreted ideally or excessively unless clearly specifically defined.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description with reference to the accompanying drawings, identical or corresponding components will be assigned the same reference numbers regardless of the reference numerals, and overlapping elements will be assigned the same reference numbers. The explanation will be omitted.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 2는 도 1의 A 영역을 설명하기 위한 확대도이다. 도 3은 도 1의 제1 처리 배스와, 제1 배기 유닛 및 제2 배기 유닛 사이의 관계를 설명하기 위한 사시도이다. 도 4는 도 1의 제1 배기 유닛의 구조를 설명하기 위한 정면도이다. 도 5는 도 2의 B 영역을 설명하기 위한 확대도이다. 도 6은 도 1의 드랍 방지 구조물을 설명하기 위한 정면도이다. 도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도이다.1 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged view for explaining area A of FIG. 1. FIG. 3 is a perspective view for explaining the relationship between the first treatment bath of FIG. 1, the first exhaust unit, and the second exhaust unit. FIG. 4 is a front view for explaining the structure of the first exhaust unit of FIG. 1. Figure 5 is an enlarged view for explaining area B of Figure 2. Figure 6 is a front view for explaining the drop prevention structure of Figure 1. 7 is a diagram for explaining the operation of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

우선 도 1를 참고하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 제1 처리 배스(101), 제2 처리 배스(102), 제3 처리 배스(103), 제4 처리 배스(104), 제 5 처리 배스(105), 이송 유닛(110), 제1 약액 공급 유닛(120), 제1 배기 유닛(210), 제2 배기 유닛(310) 등을 포함한다.First, referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention includes a first processing bath 101, a second processing bath 102, a third processing bath 103, and a fourth processing. It includes a bath 104, a fifth processing bath 105, a transfer unit 110, a first chemical supply unit 120, a first exhaust unit 210, a second exhaust unit 310, etc.

제1 방향(X)으로 인접하여, 제5 처리 배스(105), 제4 처리 배스(104), 제2 처리 배스(102), 제1 처리 배스(101), 제3 처리 배스(103) 순서대로 배치될 수 있다.Adjacent to each other in the first direction It can be arranged as desired.

인접한 처리 배스(101~105) 사이에는 격벽(250, 350, 250a)이 배치되고, 격벽(250, 350, 250a)에 의해서 처리 배스(101~105)가 구분될 수 있다. 예를 들어, 제1 처리 배스(101)와 제2 처리 배스(102) 사이에, 제1 격벽(250)이 설치되고, 제1 처리 배스(101)와 제3 처리 배스(103) 사이에, 제2 격벽(350)이 설치되고, 제2 처리 배스(102)와 제4 처리 배스(104) 사이에 제3 격벽(250a)이 설치된다. 격벽(250, 350, 350a)에는 기판이 통과하기 위한 출입구(도 2의 299 참고)가 형성되어 있다. Partition walls 250, 350, and 250a are disposed between adjacent treatment baths 101 to 105, and the treatment baths 101 to 105 may be separated by the partition walls 250, 350, and 250a. For example, between the first processing bath 101 and the second processing bath 102, the first partition 250 is installed, and between the first processing bath 101 and the third processing bath 103, A second partition 350 is installed, and a third partition 250a is installed between the second treatment bath 102 and the fourth treatment bath 104. The partition walls 250, 350, and 350a are formed with entrances (see 299 in FIG. 2) for the substrate to pass through.

이송 유닛(110)은 다수의 처리 배스(101~105) 내에 설치되어, 기판을 이송시킨다. 도시된 것과 같이, 이송 유닛(110)은 일정 간격으로 배치된 롤러를 포함하고, 각 롤러는 이송 샤프트(transfer shaft)와 연결될 수 있다. 이송 샤프트의 회전에 따라 롤러가 회전하고, 롤러 상에서 기판이 이송될 수 있다. 이송 유닛(110)은 롤러에 한정되지 않는다. 예를 들어, 이송 유닛(110)은 에어 플로팅 시스템을 포함할 수도 있다. The transfer unit 110 is installed in a plurality of processing baths 101 to 105 to transfer the substrate. As shown, the transfer unit 110 includes rollers arranged at regular intervals, and each roller may be connected to a transfer shaft. The roller rotates as the transfer shaft rotates, and the substrate may be transferred on the roller. The transfer unit 110 is not limited to rollers. For example, transfer unit 110 may include an air floating system.

제1 약액 공급 유닛(120)은 제1 처리 배스(101) 내에 설치되어, 기판에 약액을 공급할 수 있다. 제1 약액 공급 유닛(120)은 약액(예를 들어, 순수(deionized water))를 강한 압력으로 기판에 공급할 수 있다. 제1 약액 공급 유닛(120)은 순수로 기판을 타력하여 기판 상에 존재하는 파티클을 제거하게 할 수 있다.The first chemical solution supply unit 120 is installed in the first processing bath 101 and can supply the chemical solution to the substrate. The first chemical solution supply unit 120 may supply a chemical solution (eg, deionized water) to the substrate under strong pressure. The first chemical supply unit 120 may remove particles existing on the substrate by pushing the substrate with pure water.

제2 약액 공급 유닛(131a, 131b)은 제2 처리 배스(102) 내에 설치된다. 제2 약액 공급 유닛(131a, 131b)은 기판의 상면 및 하면에 약액을 분사하여, 기판이 웨팅(wetting)된 상태를 유지하도록 한다.The second chemical liquid supply units 131a and 131b are installed in the second treatment bath 102. The second chemical solution supply units 131a and 131b spray the chemical solution on the upper and lower surfaces of the substrate to maintain the substrate in a wet state.

마찬가지로, 제3 약액 공급 유닛(132a, 132b)은 제3 처리 배스(103) 내에 설치되어, 기판의 상면과 하면에 약액을 분사한다.Similarly, the third chemical solution supply units 132a and 132b are installed in the third processing bath 103 and spray the chemical solution on the upper and lower surfaces of the substrate.

제4 약액 공급 유닛(140)은 제4 처리 배스(104) 내에 설치되고, 기판을 프리 웨팅(pre-wetting)한다. The fourth chemical supply unit 140 is installed in the fourth processing bath 104 and pre-wetting the substrate.

에어 커튼(150)은 제5 처리 배스(105)의 입구에 설치되어, 처리 배스(101~105) 내의 공간과 외부를 차단한다. 제5 처리 배스(105)의 천정에는 팬 필터 유닛(FFU, Fan Filter Unit)(199)이 설치되어 있다. 팬 필터 유닛(199)의 내부에는 팬과 함께 고성능 필터가 설치되어, 청정 공기를 처리 배스(101~105) 내에 공급한다.The air curtain 150 is installed at the entrance of the fifth treatment bath 105 to block the space inside the treatment baths 101 to 105 from the outside. A fan filter unit (FFU) 199 is installed on the ceiling of the fifth treatment bath 105. A high-performance filter along with a fan is installed inside the fan filter unit 199 to supply clean air into the treatment baths 101 to 105.

제2 처리 배스(102)의 일면에는 제2 처리 배스(102) 내의 미스트를 제거하기 위한 보조 배기홀(102a)이 형성된다. 제4 처리 배스(104)의 일면에는 제4 처리 배스(104) 내의 미스트를 제거하기 위한 보조 배기홀(104a)이 형성될 수 있다. An auxiliary exhaust hole 102a is formed on one side of the second processing bath 102 to remove mist within the second processing bath 102. An auxiliary exhaust hole 104a may be formed on one side of the fourth processing bath 104 to remove mist within the fourth processing bath 104.

여기서, 도 1 및 도 2를 참고하면, 제1 배기 유닛(210)은 제1 처리 배스(101)와 제2 처리 배스(102) 사이에 배치되고, 제1 격벽(250)과 연결된다.Here, referring to FIGS. 1 and 2 , the first exhaust unit 210 is disposed between the first treatment bath 101 and the second treatment bath 102 and is connected to the first partition 250.

제1 배기 유닛(210)은 제2 방향(Y)을 따라 길게 설치된 바디(220, 230)을 포함하고, 바디(220, 230)의 일단과 연결된 배기 연결관(도 3의 229 참고)을 포함한다. The first exhaust unit 210 includes bodies 220 and 230 installed long along the second direction (Y), and includes an exhaust connector (see 229 in FIG. 3) connected to one end of the bodies 220 and 230. do.

바디(220, 230)는 측벽(221, 231)과 연결벽(222, 232)을 포함하고, 측벽(221, 231)과 연결벽(222, 232)에 의해 내부 공간이 정의된다. 제1 측벽(221)은 제1 처리 배스(101)를 향해 제1 격벽(250)보다 돌출된다. 제2 측벽(231)은 제2 처리 배스(102)를 향해 제1 격벽(250)보다 돌출된다. 제1 연결벽(222)은 제1 측벽(221)과 제1 격벽(250)을 연결하고, 제2 연결벽(232)은 제2 측벽(231)과 제1 격벽(250)을 연결한다.The bodies 220 and 230 include side walls 221 and 231 and connection walls 222 and 232, and an internal space is defined by the side walls 221 and 231 and connection walls 222 and 232. The first side wall 221 protrudes beyond the first partition wall 250 toward the first processing bath 101 . The second side wall 231 protrudes beyond the first partition wall 250 toward the second processing bath 102 . The first connection wall 222 connects the first side wall 221 and the first partition wall 250, and the second connection wall 232 connects the second side wall 231 and the first partition wall 250.

제1 측벽(221)에는 배기홀(225)이 설치되고, 배기홀(225)를 통해서 제1 처리 배스(101) 내의 미스트가 흡입된다. 제2 측벽(231)에도 배기홀(235)이 설치되고, 배기홀(235)를 통해서 제2 처리 배스(102) 내의 미스트가 흡입된다. An exhaust hole 225 is provided in the first side wall 221, and the mist in the first treatment bath 101 is sucked in through the exhaust hole 225. An exhaust hole 235 is also provided in the second side wall 231, and the mist in the second treatment bath 102 is sucked in through the exhaust hole 235.

또한, 제1 격벽(250)에는 L자 형태의 드랍 방지 구조물(280)이 형성된다. 드랍 방지 구조물(280)은 제1 연결벽(222) 및 제1 격벽(250)을 따라 흘러내리는 약액을 받는다(receive). 드랍 방지 구조물(280)은 출입구(299)의 상측에 배치되어, 출입구(299)를 통과하는 기판에 약액이 떨어지는 것을 방지할 수 있다.Additionally, an L-shaped drop prevention structure 280 is formed on the first partition 250. The drop prevention structure 280 receives the chemical solution flowing along the first connection wall 222 and the first partition wall 250. The drop prevention structure 280 is disposed above the entrance 299 to prevent the chemical solution from falling on the substrate passing through the entrance 299.

여기서, 도 5를 참고하면, 이러한 드랍 방지 구조물(280)은 제1 격벽(250)과 직접 연결된 받침대(281)와, 받침대(281)와 직접 연결되어 흘러내리는 약액을 수용하기 위한 수용벽(282)을 포함한다. 도 5에 도시된 것과 같이, 받침대(281)와 제1 격벽(250)이 이루는 각도(θ2)는 둔각일 수 있다. 수용벽(282)에 약액이 붙더라도, 상기 약액이 바로 아래로 떨어지지 않고, 둔각을 갖는 받침대(281)를 따라 흐를 수 있도록 한다. 이와 같이 함으로써 약액이 떨어지더라도 약액이 갖는 위치에너지를 최소화할 수 있다.Here, referring to FIG. 5, this drop prevention structure 280 includes a pedestal 281 directly connected to the first partition 250, and a receiving wall 282 directly connected to the pedestal 281 to contain the flowing chemical solution. ) includes. As shown in FIG. 5, the angle θ2 formed between the pedestal 281 and the first partition wall 250 may be an obtuse angle. Even if the chemical liquid adheres to the receiving wall 282, the chemical liquid does not fall directly down, but flows along the pedestal 281 having an obtuse angle. By doing this, even if the chemical solution falls, the potential energy of the chemical solution can be minimized.

여기서 도 6을 참고하면, 드랍 방지 구조물(280)은 제2 방향(Y)을 따라 길게 배치되고, 드랍 방지 구조물(280)(특히, 받침대(281))가 기울어져 있다(각도(θ3) 참고). 도 6에 도시된 것과 같이, 드랍 방지 구조물(280)(특히, 받침대(281))의 연장방향과 출입구(299)의 연장방향이 이루는 각도(θ3)는 예각일 수 있다. 받침대(281)에 모인 약액은 기울어진 받침대(281)을 따라 제1 처리 배스(101) 외부로 제거될 수 있다.Here, referring to FIG. 6, the drop prevention structure 280 is arranged long along the second direction (Y), and the drop prevention structure 280 (in particular, the pedestal 281) is inclined (see angle θ3). ). As shown in FIG. 6, the angle θ3 formed between the extension direction of the drop prevention structure 280 (in particular, the pedestal 281) and the extension direction of the entrance 299 may be an acute angle. The chemical liquid collected on the pedestal 281 may be removed to the outside of the first treatment bath 101 along the inclined pedestal 281.

다시 도 2를 참고하면, 한편, 제1 연결벽(222)과 제1 격벽(250) 사이의 각도(θ1)는 둔각일 수 있다. 배기홀(225)과 제1 연결벽(222) 사이의 제1 측벽(221)에 붙은 약액이 제1 연결벽(222) 및 제1 격벽(250)을 따라 흘러서, 드랍 방지 구조물(280)에 쉽게 모이도록 하기 위함이다. Referring again to FIG. 2, on the other hand, the angle θ1 between the first connection wall 222 and the first partition wall 250 may be an obtuse angle. The chemical liquid attached to the first side wall 221 between the exhaust hole 225 and the first connecting wall 222 flows along the first connecting wall 222 and the first partition wall 250, and flows into the drop prevention structure 280. This is to make it easy to gather.

제1 연결벽(222)과 제1 격벽(250) 사이의 각도(θ1)가 둔각이 아니라면, 제1 측벽(221)에 붙은 약액이, 중력에 의해 아래쪽으로 바로 떨어질 수 있다. 이와 같이 떨어지는 약액이 기판에 직접 떨어지면 불량의 원인이 될 수 있다. If the angle θ1 between the first connection wall 222 and the first partition wall 250 is not an obtuse angle, the chemical liquid attached to the first side wall 221 may fall directly downward due to gravity. If the falling chemical solution falls directly on the substrate, it may cause defects.

여기서, 배기홀(225)과 제1 연결벽(222) 사이의 거리(d)는 1mm 보다 크고 10mm 보다 작을 수 있다. 거리(d)는 배기홀(225)의 최하측 에지(edge)와, 제1 연결벽(222)의 최상측 에지 사이의 거리일 수 있다. 거리(d)를 10mm보다 크면, 배기홀(225)과 제1 연결벽(222) 사이의 제1 측벽(221)에 붙은 약액이 제1 연결벽(222)을 따라 흐르지 않고, 중력에 의해 아래쪽으로 바로 떨어질 수 있다. 거리(d)를 최소화함으로써, 제1 측벽(221)에 붙은 약액이 제1 연결벽(222)으로 안정적으로 유도될 수 있다. 또한, 제1 측벽(221)에 배기홀(225)을 형성하는 공정을 안정적으로 하기 위해, 거리(d)를 1mm보다 크게 한다.Here, the distance d between the exhaust hole 225 and the first connection wall 222 may be greater than 1 mm and less than 10 mm. The distance d may be the distance between the lowermost edge of the exhaust hole 225 and the uppermost edge of the first connection wall 222. If the distance d is greater than 10 mm, the chemical liquid attached to the first side wall 221 between the exhaust hole 225 and the first connection wall 222 does not flow along the first connection wall 222, but flows downward by gravity. It can fall right away. By minimizing the distance d, the chemical liquid attached to the first side wall 221 can be stably guided to the first connection wall 222. Additionally, in order to stabilize the process of forming the exhaust hole 225 in the first side wall 221, the distance d is set to be greater than 1 mm.

여기서, 도 3 및 도 4를 참고하면, 바디(220)는 제2 방향(Y)을 따라 길게 설치되고, 바디(220)의 일단에는 배기 연결관(229)이 설치될 수 있다. 도시된 것과 같이, 배기 연결관(229)과 바디(220)는, 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)에 의해 정의되는 평면 상에서 서로 오버랩되지 않는다.Here, referring to FIGS. 3 and 4 , the body 220 may be installed long along the second direction (Y), and an exhaust connector 229 may be installed at one end of the body 220. As shown, the exhaust connector 229 and the body 220 do not overlap each other on a plane defined by the first direction (X) and the second direction (Y).

바디(220)(또는 제1 측벽(221))에는 다수의 배기홀(2251, 2252, 2253, 2254)이 형성된다. 도시된 것과 같이, 제2 방향(Y)을 따라 제1 배기홀(2251), 제2 배기홀(2252), 제3 배기홀(2253), 제4 배기홀(2254)이 순서대로 배치될 수 있다.A plurality of exhaust holes 2251, 2252, 2253, and 2254 are formed in the body 220 (or the first side wall 221). As shown, the first exhaust hole 2251, the second exhaust hole 2252, the third exhaust hole 2253, and the fourth exhaust hole 2254 can be arranged in order along the second direction (Y). there is.

제1 배기홀(2251)은 배기 연결관(229)에서 가장 가깝고, 제4 배기홀(2254)은 배기 연결관(229)에서 가장 멀 수 있다.The first exhaust hole 2251 may be closest to the exhaust connection pipe 229, and the fourth exhaust hole 2254 may be furthest from the exhaust connection pipe 229.

제1 배기홀(2251), 제2 배기홀(2252), 제3 배기홀(2253), 제4 배기홀(2254)을 통해서, 제1 처리 배스(101)의 미스트(P1, P2, P3, P4)가 흡입된다. 바디(220, 230)의 내부 공간으로 들어온 미스트는, 배기 연결관(229)을 통과해서 외부로 배기된다. The mist (P1, P2, P3, P4) is inhaled. Mist entering the internal space of the bodies 220 and 230 passes through the exhaust connection pipe 229 and is exhausted to the outside.

여기서, 배기 연결관(229)이 일측에 치우쳐 있기 때문에, 다수의 배기홀(2251, 2252, 2253, 2254)에서의 압력이 다를 수 있다. 따라서, 다수의 배기홀(2251, 2252, 2253, 2254)에서의 압력을 실질적으로 동일하게 하도록, 배기 연결관(229)에서 멀어질수록 배기홀(2251, 2252, 2253, 2254)의 사이즈가 커질 수 있다. 예를 들어, 제2 배기홀(2252)의 사이즈는 제1 배기홀(2251)의 사이즈보다 크고, 제3 배기홀(2253)의 사이즈는 제2 배기홀(2252)의 사이즈보다 크고, 제4 배기홀(2254)의 사이즈는 제3 배기홀(2253)의 사이즈보다 클 수 있다.Here, because the exhaust connection pipe 229 is biased to one side, the pressure in the plurality of exhaust holes 2251, 2252, 2253, and 2254 may be different. Therefore, so that the pressure in the plurality of exhaust holes 2251, 2252, 2253, and 2254 is substantially the same, the size of the exhaust holes 2251, 2252, 2253, and 2254 increases as the distance from the exhaust connection pipe 229 increases. You can. For example, the size of the second exhaust hole 2252 is larger than the size of the first exhaust hole 2251, the size of the third exhaust hole 2253 is larger than the size of the second exhaust hole 2252, and the size of the fourth exhaust hole 2252 is larger than that of the first exhaust hole 2251. The size of the exhaust hole 2254 may be larger than the size of the third exhaust hole 2253.

배기홀(2251, 2252, 2253, 2254)의 높이가 같다면, 배기홀(2251, 2252, 2253, 2254)의 폭이 다를 수 있다. 즉, 배기 연결관(229)에서 멀어질수록 배기홀(2251, 2252, 2253, 2254)의 폭이 커질 수 있다. 예를 들어, 제2 배기홀(2252)의 폭(W2)은 제1 배기홀(2251)의 폭(W1)보다 크고, 제3 배기홀(2253)의 폭(W3)은 제2 배기홀(2252)의 폭(W2)보다 크고, 제4 배기홀(2254)의 폭(W4)은 제3 배기홀(2253)의 폭(W3)보다 클 수 있다.If the heights of the exhaust holes 2251, 2252, 2253, and 2254 are the same, the widths of the exhaust holes 2251, 2252, 2253, and 2254 may be different. That is, as the distance from the exhaust connection pipe 229 increases, the width of the exhaust holes 2251, 2252, 2253, and 2254 may increase. For example, the width W2 of the second exhaust hole 2252 is larger than the width W1 of the first exhaust hole 2251, and the width W3 of the third exhaust hole 2253 is greater than the width W1 of the first exhaust hole 2251. 2252), and the width W4 of the fourth exhaust hole 2254 may be larger than the width W3 of the third exhaust hole 2253.

한편, 전술한 것과 같이, 제2 격벽(350)이 제1 처리 배스(101)와 제3 처리 배스(103) 사이에 배치되고, 기판이 통과하기 위한 출입구가 형성되어 있다.Meanwhile, as described above, the second partition 350 is disposed between the first processing bath 101 and the third processing bath 103, and an entrance and exit for the substrate to pass through is formed.

제2 배기 유닛(310)은 제1 처리 배스(101)와 제3 처리 배스(103) 사이에 배치되고 제2 격벽(350)과 연결되며, 제2 방향(Y)을 따라 배치된 다수의 배기홀(3251, 3252, 3253, 3254)을 포함하여, 제1 처리 배스(101) 내의 미스트(P5, P6, P7, P8)를 배기할 수 있다.The second exhaust unit 310 is disposed between the first treatment bath 101 and the third treatment bath 103 and is connected to the second partition 350, and includes a plurality of exhaust exhaust units arranged along the second direction Y. Including the holes 3251, 3252, 3253, and 3254, the mist P5, P6, P7, and P8 in the first treatment bath 101 can be exhausted.

여기서 도 5를 참고하면, 제1 격벽(250)에는, 출입구(299)의 사이즈를 조절할 수 있는 커버(258)가 설치될 수 있다.Here, referring to FIG. 5, a cover 258 that can adjust the size of the entrance 299 may be installed on the first partition 250.

제1 격벽(250)은 출입구(299)를 기준으로 상부에 위치하는 상부 격벽(250a)과, 하부에 위치하는 하부 격벽(250b)을 포함한다. 커버(258)는 상부 격벽(250a)에 설치된 제1 커버(258a)와, 하부 격벽(250b)에 설치된 제2 커버(258b)를 포함한다.The first partition 250 includes an upper partition 250a located above the entrance 299 and a lower partition 250b located below. The cover 258 includes a first cover 258a installed on the upper partition 250a and a second cover 258b installed on the lower partition 250b.

여기서 도 3 및 도 7을 참고하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)의 동작을 정리하면 다음과 같다. Here, with reference to FIGS. 3 and 7, the operation of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention is summarized as follows.

도 3 및 도 7을 참고하면, 제1 처리 배스(101) 내에서 발생된 미스트는 제1 측벽(221) 전면에 설치된 제1 배기 유닛(210)의 다수의 배기홀(2251, 2252, 2253, 2254)을 통해서, 바디(210)의 내부공간으로 흡입된다. 바디(210)의 내부공간을 따라 배기 연결관(229)를 통해서 외부로 배기된다Referring to FIGS. 3 and 7, the mist generated within the first treatment bath 101 is discharged through a plurality of exhaust holes 2251, 2252, 2253 of the first exhaust unit 210 installed on the front of the first side wall 221. Through 2254), it is sucked into the internal space of the body 210. It is exhausted to the outside through the exhaust connector 229 along the internal space of the body 210.

또한, 제1 측벽(221)에 붙은 약액(B1)은, 제1 연결벽(222)을 따라 이동하고(약액(B2) 참고), 제1 격벽(250)을 따라 이동하여 드랍 방지 구조물(280) 내에 들어간다(약액(B3) 참고).In addition, the chemical liquid (B1) attached to the first side wall 221 moves along the first connection wall 222 (see chemical liquid (B2)) and moves along the first partition 250 to form the drop prevention structure 280. ) (refer to chemical solution (B3)).

전술한 것과 같이, 제1 처리 배스(101) 내에 미스트를 제어하여 공정불량을 최소화할 수 있다. As described above, process defects can be minimized by controlling the mist in the first treatment bath 101.

도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 설명의 편의상, 도 1 내지 도 7을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다. 8 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention. For convenience of explanation, differences from those described using FIGS. 1 to 7 will be mainly explained.

도 8을 참고하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치에서, 예를 들어, 제2 배기홀(2252)의 사이즈는 제1 배기홀(2251)의 사이즈와 같고, 제3 배기홀(2253)의 사이즈는 제2 배기홀(2252)의 사이즈보다 크고, 제4 배기홀(2254)의 사이즈는 제3 배기홀(2253)의 사이즈와 같을 수 있다.Referring to FIG. 8, in the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention, for example, the size of the second exhaust hole 2252 is the same as the size of the first exhaust hole 2251, and the third exhaust hole is The size of 2253 may be larger than the size of the second exhaust hole 2252, and the size of the fourth exhaust hole 2254 may be the same as the size of the third exhaust hole 2253.

배기홀(2251, 2252, 2253, 2254)의 높이가 같다면, 배기홀(2251, 2252, 2253, 2254)의 폭이 다르게 제어될 수 있다. 예를 들어, 제2 배기홀(2252)의 폭(W2)은 제1 배기홀(2251)의 폭(W1)과 같고, 제3 배기홀(2253)의 폭(W3)은 제2 배기홀(2252)의 폭(W2)보다 크고, 제4 배기홀(2254)의 폭(W4)은 제3 배기홀(2253)의 폭(W3)과 같을 수 있다.If the heights of the exhaust holes 2251, 2252, 2253, and 2254 are the same, the widths of the exhaust holes 2251, 2252, 2253, and 2254 can be controlled differently. For example, the width W2 of the second exhaust hole 2252 is the same as the width W1 of the first exhaust hole 2251, and the width W3 of the third exhaust hole 2253 is the second exhaust hole ( 2252), and the width W4 of the fourth exhaust hole 2254 may be equal to the width W3 of the third exhaust hole 2253.

도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 설명의 편의상, 도 1 내지 도 7을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다. 9 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention. For convenience of explanation, differences from those described using FIGS. 1 to 7 will be mainly explained.

도 9를 참고하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리 장치에서, 제1 측벽에, 배기홀(2253, 2254)의 사이즈를 조절하기 위한 배기커버(2253a, 2254a)가 설치될 수 있다.Referring to FIG. 9, in the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention, exhaust covers 2253a and 2254a for adjusting the sizes of the exhaust holes 2253 and 2254 may be installed on the first side wall. .

배기커버(2253a, 2254a)를 일방향으로 이동시켜, 배기홀(2253, 2254)의 사이즈를 조절할 수 있다(도면부호 H1, H2 참고). 예를 들어, 각 배기홀(2253, 2254)에서의 압력을 실질적으로 동일하게 하도록, 배기커버(2253a, 2254a)를 조절하여 배기홀(2253, 2254)의 사이즈를 조절한다. By moving the exhaust covers (2253a, 2254a) in one direction, the size of the exhaust holes (2253, 2254) can be adjusted (refer to reference numerals H1, H2). For example, the sizes of the exhaust holes 2253 and 2254 are adjusted by adjusting the exhaust covers 2253a and 2254a so that the pressures in each exhaust hole 2253 and 2254 are substantially the same.

도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 설명의 편의상, 도 1 내지 도 7을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다. Figure 10 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention. For convenience of explanation, differences from those described using FIGS. 1 to 7 will be mainly explained.

도 10을 참고하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리 장치에서, 제1 배기 유닛(210)은 제1 격벽(250)의 일측에만 설치되어, 제1 처리 배스(101)에서 발생한 미스트를 배기한다. 제1 배기 유닛(210)은 제2 처리 배스(102)에서 발생한 미스트를 배기하지 않을 수 있다. Referring to FIG. 10, in the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention, the first exhaust unit 210 is installed only on one side of the first partition 250, so that the mist generated in the first processing bath 101 is discharged. exhaust. The first exhaust unit 210 may not exhaust the mist generated in the second treatment bath 102.

마찬가지로, 제2 배기 유닛(310)은 제2 격벽(350)의 일측에만 설치되어, 제1 처리 배스(101)에서 발생한 미스트를 배기한다. 제2 배기 유닛(310)은 제3 처리 배스(103)에서 발생한 미스트를 배기하지 않을 수 있다. Likewise, the second exhaust unit 310 is installed only on one side of the second partition wall 350 and exhausts the mist generated in the first treatment bath 101. The second exhaust unit 310 may not exhaust the mist generated in the third treatment bath 103.

도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 설명의 편의상, 도 1 내지 도 7을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다. 11 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. For convenience of explanation, differences from those described using FIGS. 1 to 7 will be mainly explained.

도 11을 참고하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 기판 처리 장치에서, 제1 격벽(250)에는, 출입구(299)의 사이즈를 조절할 수 있는 커버(258a)가 설치될 수 있다. 제1 격벽(250)은 출입구(299)를 기준으로 상부에 위치하는 상부 격벽(250a)과, 하부에 위치하는 하부 격벽(250b)을 포함한다. 커버(258a)는 상부 격벽(250a)에만 설치될 수 있다.Referring to FIG. 11 , in the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention, a cover 258a capable of adjusting the size of the entrance 299 may be installed on the first partition 250. The first partition 250 includes an upper partition 250a located above the entrance 299 and a lower partition 250b located below. The cover 258a can be installed only on the upper partition 250a.

이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described with reference to the above and the attached drawings, those skilled in the art will understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical idea or essential features. You will understand that it exists. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive.

1: 기판 처리 장치 101: 제1 처리 배스
102: 제2 처리 배스 103: 제3 처리 배스
110: 이송 유닛 120: 약액 공급 유닛
210: 제1 배기 유닛 221: 제1 측벽
222: 제1 연결벽 225: 배기홀
229: 배기 연결관 231: 제2 측벽
232: 제2 연결벽 250: 제1 격벽
310: 제2 배기 유닛1: Substrate processing device 101: First processing bath
102: second treatment bath 103: third treatment bath
110: transfer unit 120: chemical supply unit
210: first exhaust unit 221: first side wall
222: first connection wall 225: exhaust hole
229: exhaust connector 231: second side wall
232: second connecting wall 250: first bulkhead
310: second exhaust unit

Claims (23)

제1 방향으로 인접하여 배치된 제1 처리 배스와 제2 처리 배스;
상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 사이에 배치되고, 기판이 통과하기 위한 출입구가 형성된 제1 격벽;
상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 내에 설치되고, 상기 기판을 이동시키는 이송 유닛;
상기 제1 처리 배스 내에 설치되고, 상기 기판에 약액을 제공하는 약액 공급 유닛; 및
상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 사이에 배치되고 상기 제1 격벽과 연결되며, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향을 따라 배치된 다수의 배기홀을 포함하여, 상기 제1 처리 배스 내의 미스트를 배기하는 제1 배기 유닛을 포함하고,
상기 제1 배기 유닛은 상기 제2 방향을 따라 길게 설치된 바디와, 상기 바디의 일단과 연결된 배기 연결관을 포함하고,
상기 배기 연결관과 상기 바디는, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 의해 정의되는 평면 상에서 서로 오버랩되지 않는, 기판 처리 장치.a first treatment bath and a second treatment bath disposed adjacent to each other in a first direction;
a first partition disposed between the first processing bath and the second processing bath and having an entrance through which a substrate passes;
a transfer unit installed in the first processing bath and the second processing bath to move the substrate;
a chemical solution supply unit installed in the first processing bath and providing a chemical solution to the substrate; and
disposed between the first processing bath and the second processing bath, connected to the first partition wall, and including a plurality of exhaust holes disposed along a second direction different from the first direction, within the first processing bath. It includes a first exhaust unit that exhausts the mist,
The first exhaust unit includes a body installed long along the second direction and an exhaust connector connected to one end of the body,
The substrate processing apparatus wherein the exhaust connector and the body do not overlap each other on a plane defined by the first direction and the second direction. 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 다수의 배기홀은 제1 배기홀과 제2 배기홀을 포함하고, 상기 제1 배기홀은 제2 배기홀보다 상기 배기 연결관에 가깝고,
상기 제2 배기홀의 사이즈는 상기 제1 배기홀의 사이즈보다 큰, 기판 처리 장치.According to clause 1,
The plurality of exhaust holes include a first exhaust hole and a second exhaust hole, and the first exhaust hole is closer to the exhaust connection pipe than the second exhaust hole,
A substrate processing apparatus wherein the size of the second exhaust hole is larger than the size of the first exhaust hole. 제 3항에 있어서,
상기 제2 배기홀의 제2 방향의 폭은, 상기 제1 배기홀의 제2 방향의 폭보다 큰, 기판 처리 장치.According to clause 3,
A width of the second exhaust hole in the second direction is greater than a width of the first exhaust hole in the second direction. 제1 방향으로 인접하여 배치된 제1 처리 배스와 제2 처리 배스;
상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 사이에 배치되고, 기판이 통과하기 위한 출입구가 형성된 제1 격벽;
상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 내에 설치되고, 상기 기판을 이동시키는 이송 유닛;
상기 제1 처리 배스 내에 설치되고, 상기 기판에 약액을 제공하는 약액 공급 유닛; 및
상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 사이에 배치되고 상기 제1 격벽과 연결되며, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향을 따라 배치된 다수의 배기홀을 포함하여, 상기 제1 처리 배스 내의 미스트를 배기하는 제1 배기 유닛을 포함하고,
상기 제1 배기 유닛은,
상기 제1 처리 배스를 향해 상기 제1 격벽보다 돌출된 제1 측벽과,
상기 제1 측벽과 상기 제1 격벽을 연결하는 제1 연결벽을 포함하고,
상기 다수의 배기홀은 상기 제1 측벽에 설치된, 기판 처리 장치.a first treatment bath and a second treatment bath disposed adjacent to each other in a first direction;
a first partition disposed between the first processing bath and the second processing bath and having an entrance through which a substrate passes;
a transfer unit installed in the first processing bath and the second processing bath, and moving the substrate;
a chemical solution supply unit installed in the first processing bath and providing a chemical solution to the substrate; and
disposed between the first processing bath and the second processing bath, connected to the first partition wall, and including a plurality of exhaust holes disposed along a second direction different from the first direction, within the first processing bath. It includes a first exhaust unit that exhausts the mist,
The first exhaust unit,
a first side wall protruding from the first partition toward the first processing bath;
It includes a first connecting wall connecting the first side wall and the first partition wall,
A substrate processing apparatus, wherein the plurality of exhaust holes are installed on the first side wall. 제 5항에 있어서, 상기 제1 배기 유닛은,
상기 제2 처리 배스를 향해 상기 제1 격벽보다 돌출된 제2 측벽과,
상기 제2 측벽과 상기 제1 격벽을 연결하는 제2 연결벽을 더 포함하고,
상기 제2 측벽에는 상기 제2 처리 배스 내의 미스트를 배기하기 위한 다수의 배기홀이 설치되는, 기판 처리 장치.The method of claim 5, wherein the first exhaust unit,
a second side wall protruding from the first partition toward the second processing bath;
Further comprising a second connecting wall connecting the second side wall and the first partition wall,
A substrate processing apparatus wherein a plurality of exhaust holes for exhausting mist in the second processing bath are installed on the second side wall. 제 5항에 있어서,
상기 제1 연결벽과 상기 제1 격벽은 둔각을 이루는, 기판 처리 장치.According to clause 5,
The first connection wall and the first partition wall form an obtuse angle. 제 5항에 있어서,
상기 배기홀과 상기 제1 연결벽 사이의 거리는, 1mm 보다 크고 10mm 보다 작은, 기판 처리 장치.According to clause 5,
A distance between the exhaust hole and the first connection wall is greater than 1 mm and less than 10 mm. 제 5항에 있어서,
상기 제1 측벽에, 상기 배기홀의 사이즈를 조절하기 위한 배기커버가 더 설치된, 기판 처리 장치.According to clause 5,
A substrate processing apparatus further installed on the first side wall, an exhaust cover for adjusting the size of the exhaust hole. 제 5항에 있어서,
상기 제1 격벽에는 L자 형태의 드랍 방지 구조물을 포함하여, 상기 제1 연결벽을 따라 흘러내리는 약액을 받는, 기판 처리 장치.According to clause 5,
A substrate processing apparatus including an L-shaped drop prevention structure in the first partition wall to receive a chemical solution flowing down the first connection wall. 제 10항에 있어서,
상기 드랍 방지 구조물은 상기 제1 격벽과 직접 연결된 받침대와, 상기 받침대와 직접 연결되어 상기 흘러내리는 약액을 수용하기 위한 수용벽을 포함하되,
상기 받침대와 상기 제1 격벽은 둔각을 이루는, 기판 처리 장치.According to clause 10,
The drop prevention structure includes a pedestal directly connected to the first partition wall, and a receiving wall directly connected to the pedestal to accommodate the flowing chemical solution,
A substrate processing apparatus, wherein the pedestal and the first partition form an obtuse angle. 제 11항에 있어서,
상기 드랍 방지 구조물은 제2 방향을 따라 길게 배치되고, 상기 받침대는 기울어져 있는, 기판 처리 장치.According to clause 11,
The drop prevention structure is disposed long along a second direction, and the pedestal is inclined. 삭제delete 제1 방향으로 인접하여 배치된 제1 처리 배스와 제2 처리 배스;
상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 사이에 배치되고, 기판이 통과하기 위한 출입구가 형성된 제1 격벽;
상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 내에 설치되고, 상기 기판을 이동시키는 이송 유닛;
상기 제1 처리 배스 내에 설치되고, 상기 기판에 약액을 제공하는 약액 공급 유닛; 및
상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 사이에 배치되고 상기 제1 격벽과 연결되며, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향을 따라 배치된 다수의 배기홀을 포함하여, 상기 제1 처리 배스 내의 미스트를 배기하는 제1 배기 유닛을 포함하고,
상기 제1 격벽에 설치되어, 상기 출입구의 사이즈를 조절할 수 있는 커버를 더 포함하고,
상기 제1 격벽은 상기 출입구를 기준으로 상부에 위치하는 상부 격벽과, 하부에 위치하는 하부 격벽을 포함하고,
상기 커버는 상기 상부 격벽에 설치된 제1 커버와, 상기 하부 격벽에 설치된 제2 커버를 포함하는, 기판 처리 장치. a first treatment bath and a second treatment bath disposed adjacent to each other in a first direction;
a first partition disposed between the first processing bath and the second processing bath and having an entrance through which a substrate passes;
a transfer unit installed in the first processing bath and the second processing bath to move the substrate;
a chemical solution supply unit installed in the first processing bath and providing a chemical solution to the substrate; and
disposed between the first processing bath and the second processing bath, connected to the first partition wall, and including a plurality of exhaust holes disposed along a second direction different from the first direction, within the first processing bath. It includes a first exhaust unit that exhausts the mist,
It is installed on the first partition wall and further includes a cover capable of adjusting the size of the entrance,
The first partition includes an upper partition located above the entrance and a lower partition located below the entrance,
The cover includes a first cover installed on the upper partition and a second cover installed on the lower partition. 삭제delete 삭제delete 제1 방향으로 인접하여 배치된 제1 처리 배스와 제2 처리 배스;
상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 사이에 배치되고, 기판이 통과하기 위한 출입구가 형성된 제1 격벽;
상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 내에 설치되고, 상기 기판을 이동시키는 이송 유닛;
상기 제1 처리 배스 내에 설치되고, 상기 기판에 약액을 제공하는 약액 공급 유닛; 및
상기 제1 처리 배스와 상기 제2 처리 배스 사이에 배치되고 상기 제1 격벽과 연결되며, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향을 따라 배치된 다수의 배기홀을 포함하여, 상기 제1 처리 배스 내의 미스트를 배기하는 제1 배기 유닛을 포함하고,
상기 제1 배기 유닛은 제2 방향을 따라 길게 설치된 바디와, 상기 바디의 일단과 연결된 배기 연결관을 포함하고,
상기 배기 연결관과 상기 바디는, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 의해 정의되는 평면 상에서 서로 오버랩되지 않고,
상기 다수의 배기홀은 상기 바디에 형성되고,
상기 바디는, 상기 제1 처리 배스를 향해 상기 제1 격벽보다 돌출되고, 상기 다수의 배기홀이 형성된 제1 측벽과, 상기 제1 측벽과 상기 제1 격벽을 연결하는 제1 연결벽을 포함하고,
상기 제1 연결벽과 상기 제1 격벽은 둔각을 이루는, 기판 처리 장치.a first treatment bath and a second treatment bath disposed adjacent to each other in a first direction;
a first partition disposed between the first processing bath and the second processing bath and having an entrance through which a substrate passes;
a transfer unit installed in the first processing bath and the second processing bath to move the substrate;
a chemical solution supply unit installed in the first processing bath and providing a chemical solution to the substrate; and
disposed between the first processing bath and the second processing bath, connected to the first partition wall, and including a plurality of exhaust holes disposed along a second direction different from the first direction, within the first processing bath. It includes a first exhaust unit that exhausts the mist,
The first exhaust unit includes a body installed long in a second direction, and an exhaust connector connected to one end of the body,
The exhaust connector and the body do not overlap each other on a plane defined by the first direction and the second direction,
The plurality of exhaust holes are formed in the body,
The body includes a first side wall that protrudes beyond the first partition toward the first processing bath and has the plurality of exhaust holes formed thereon, and a first connection wall connecting the first side wall and the first partition wall. ,
The first connection wall and the first partition wall form an obtuse angle. 제 17항에 있어서,
상기 제1 배기 유닛은, 상기 바디의 일단과 연결된 배기 연결관을 더 포함하고,
상기 다수의 배기홀은 상기 제2 방향을 따라 배치된 제1 배기홀과 제2 배기홀을 포함하고, 상기 제1 배기홀은 제2 배기홀보다 상기 배기 연결관에 가깝고, 상기 제2 배기홀의 사이즈는 상기 제1 배기홀의 사이즈보다 큰, 기판 처리 장치.According to clause 17,
The first exhaust unit further includes an exhaust connector connected to one end of the body,
The plurality of exhaust holes include a first exhaust hole and a second exhaust hole disposed along the second direction, the first exhaust hole is closer to the exhaust connection pipe than the second exhaust hole, and the second exhaust hole is closer to the exhaust connection pipe than the second exhaust hole. A substrate processing device whose size is larger than the size of the first exhaust hole. 제 17항에 있어서,
상기 제1 격벽에는 L자 형태의 드랍 방지 구조물을 포함하여, 상기 제1 연결벽을 따라 흘러내리는 약액을 받는, 기판 처리 장치.According to clause 17,
A substrate processing apparatus including an L-shaped drop prevention structure in the first partition wall to receive a chemical solution flowing down the first connection wall. 제 19항에 있어서,
상기 드랍 방지 구조물은 상기 제1 격벽과 직접 연결된 받침대와, 상기 받침대와 직접 연결되어 상기 흘러내리는 약액을 수용하기 위한 수용벽을 포함하되,
상기 받침대와 상기 제1 격벽은 둔각을 이루는, 기판 처리 장치.According to clause 19,
The drop prevention structure includes a pedestal directly connected to the first partition wall, and a receiving wall directly connected to the pedestal to accommodate the flowing chemical solution,
A substrate processing apparatus, wherein the pedestal and the first partition form an obtuse angle. 제 17항에 있어서,
상기 제1 격벽에 설치되어, 상기 출입구의 사이즈를 조절할 수 있는 커버를 더 포함하는, 기판 처리 장치.According to clause 17,
The substrate processing apparatus further includes a cover installed on the first partition wall to adjust the size of the entrance. 삭제delete 삭제delete
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