KR100591476B1 - Apparatus for treatment works and method of the same - Google Patents

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Abstract

기판처리시스템 및 기판처리방법이 개시된다. 이러한 기판처리 시스템은 카셋트(Cassette)로부터 기판을 인수하여 공정 라인에 인계하는 로더와, 상기 기판상에 약액를 제공하여 스트립(Strip) 공정을 진행하는 스트립부와 상기 스트립부에서 처리된 기판의 표면에 초순수(DI : De-Ionized Water)를 분사하고 연속해서 흡입하여 기판상의 유체를 제거하는 흡입부와 상기 흡입부를 통과한 기판을 세정하는 세정부와 상기 세정부를 통과한 기판을 건조하는 건조부를 포함하는 일자형 기판처리라인과, 상기 일자형 기판처리라인으로부터 기판을 인수하여 배출하는 언로더를 포함한다.A substrate processing system and a substrate processing method are disclosed. Such a substrate processing system includes a loader that takes a substrate from a cassette and takes over the process line, a strip portion for providing a chemical solution on the substrate to perform a strip process, and a surface of the substrate processed by the strip portion. A suction part for spraying and continuously sucking de-ionized water (DI) to remove fluid on the substrate, a cleaning part for cleaning the substrate passing through the suction part, and a drying part for drying the substrate passing through the cleaning part And a straight substrate processing line and an unloader which takes in and discharges the substrate from the straight substrate processing line.

기판, 세정, 효율, 흡입, 분사, 트랜스퍼Board, Clean, Efficiency, Suction, Spray, Transfer

Description

기판처리시스템 및 기판처리방법{APPARATUS FOR TREATMENT WORKS AND METHOD OF THE SAME}Substrate Processing System and Substrate Processing Method {APPARATUS FOR TREATMENT WORKS AND METHOD OF THE SAME}

도1 은 종래의 기판처리 시스템을 개략적으로 도시하는 도면.1 is a diagram schematically showing a conventional substrate processing system.

도2 는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판처리 시스템을 개략적으로 도시하는 도면.2 schematically illustrates a substrate processing system according to a preferred embodiment of the present invention.

도3 은 도2 에 도시된 흡입부의 내부구조를 도시하는 측단면도.Fig. 3 is a side sectional view showing the internal structure of the suction portion shown in Fig. 2;

도4 는 도3 에 도시된 흡입모듈을 도시하는 사시도.4 is a perspective view showing the suction module shown in FIG.

도5 는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 기판처리 시스템을 개략적으로 도시하는 도면.5 schematically illustrates a substrate processing system according to another preferred embodiment of the present invention.

도6 은 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 기판처리 시스템을 개략적으로 도시하는 도면.Figure 6 is a schematic illustration of a substrate processing system according to another preferred embodiment of the present invention.

도7 은 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 기판처리 시스템을 개략적으로 도시하는 도면.7 is a schematic illustration of a substrate processing system according to another preferred embodiment of the present invention.

도8 은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판처리방법을 도시하는 순서도.8 is a flow chart showing a substrate processing method according to a preferred embodiment of the present invention.

본 발명은 기판처리 시스템 및 기판처리방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 흡입 효율이 향상된 스트립 장비를 구비하여 약액 제거에 필요한 장비를 줄임으로써 라인길이를 단축하여 공간 효율성을 향상시킬 수 있는 기판처리 시스템 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing system and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing system capable of improving space efficiency by shortening line length by reducing equipment required for removing chemical liquids by providing strip equipment with improved suction efficiency. And to a method.

일반적으로 평판 디스플레이(FPD;Flat Panel Display), 반도체 웨이퍼, LCD, 포토 마스크용 글라스 등에 사용되는 기판은 일련의 공정라인을 거치면서 처리하게 된다. 즉, 감광제 도포(Photo resist coating: P/R), 노광(Expose), 현상(Develop), 에칭(Etching), 스트립(Stripping), 세정(Cleaning), 건조(Dry) 등의 과정을 거치게 된다.In general, a substrate used for a flat panel display (FPD), a semiconductor wafer, an LCD, a glass for a photo mask, and the like is processed through a series of process lines. That is, photo resist coating (P / R), exposure, development, etching, stripping, cleaning, and drying are performed.

도1 에는 스트립 공정을 수행하는 기판처리라인이 도시된다. 도시된 바와 같이, 상기 기판처리라인은 우선 카셋트(1)로부터 기판을 인출하여 로더(Loader;2)로 이송하며, 로더(2)는 상기 기판을 스트립 베스(Stripe Bath;3)로 공급한다. 1 shows a substrate processing line performing a strip process. As shown, the substrate processing line first withdraws the substrate from the cassette 1 and transfers the substrate to the loader 2, and the loader 2 supplies the substrate to the strip bath 3.

상기 스트립 베스(3)는 복수개로 구성되며, 바람직하게는 4개의 스트립 베스로 구성될 수 있다. The strip bath 3 is composed of a plurality, preferably four strip baths.

스트립 베스(3)의 내부로 공급된 기판은 스트립핑(Striping) 과정을 거치게 된다. 그리고, 기판은 약액중화부(4)로 공급되어 이소프로판올(IPA) 혹은 디메틸슬혹시드(DMSO) 등의 유기용매에 의하여 스트립 약액이 중화된다. 상기 중화의 목적은 스트립 약액이 바로 후속 공정인 세정공정에서 초순수(DI : De-Ionized Water)와 반응을 하면, 기판상에 있는 박막 표면에 손상을 줄 수 있기 때문에 먼저, 스트 립 약액을 중화한 다음 세정을 하게 된다.The substrate supplied into the strip bath 3 is subjected to a stripping process. Subsequently, the substrate is supplied to the chemical neutralization unit 4, and the strip chemical is neutralized by an organic solvent such as isopropanol (IPA) or dimethyl sulfoxide (DMSO). The purpose of the neutralization is to first neutralize the stripping chemicals because the strip chemicals may damage the surface of the thin film on the substrate when reacted with ultra pure water (DI: De-Ionized Water) in the subsequent cleaning process. Next cleaning is done.

다음, 터너(Turner;5)를 통하여 제1 세정부(6)로 이송되어 초순수 등으로 표면에 잔류하는 유기용매를 제거하게 된다.Next, the organic solvent that is transferred to the first cleaning unit 6 through the turner 5 and remains on the surface by ultrapure water or the like is removed.

보다 구체적으로 설명하면, 제1 세정부(6)는 베스 내부에 기판이 컨베이어등에 의하여 이송되고, 이러한 기판에 초순수를 분사노즐을 통하여 기판상에 분사함으로써 세정작업을 진행한다.More specifically, the first cleaning unit 6 carries out the cleaning operation by transporting the substrate inside the bath by a conveyor or the like, and spraying ultrapure water on the substrate through the injection nozzle.

이와 같이, 1차적으로 유기용매가 제거된 기판은 터너(7)를 통하여 제2 세정부(8)로 이송된다. 제2 세정부(8)는 제1 세정부(6)와 동일한 구조를 가지며, 두 개의 샤워베스(Shower bass)로 이루어질 수 있다. In this way, the substrate from which the organic solvent is first removed is transferred to the second cleaning unit 8 through the turner 7. The second cleaning unit 8 has the same structure as the first cleaning unit 6 and may be formed of two shower bass.

상기 터너(5)(7)는 스트립 공정라인의 공간 효율성을 확보하기 위해 'ㄷ'자 형상으로 기판을 이송하고자 더미(dummy)로 설치해 놓은 것이다.The turners 5 and 7 are installed in a dummy in order to transfer the substrate in a 'c' shape in order to secure space efficiency of the strip processing line.

그리고, 제2 세정부(8)를 통과한 기판은 아쿠어 나이프(Aqua Knife;9)와 에어 나이프(Air Knife;10)를 거치면서 건조된다. Then, the substrate passing through the second cleaning unit 8 is dried while passing through the Aqua Knife 9 and the Air Knife 10.

이와 같은 과정을 거친 기판은 언로더(Unloader;11)로 이송되며, 로봇 등의 기구를 통하여 카세트(1)로 이송되어 적치된다.The substrate, which has undergone such a process, is transferred to an unloader 11 and transferred to the cassette 1 through a mechanism such as a robot.

그러나, 공정 상 필요한 상기 스트립 약액의 중화 목적으로 사용되는 중화액의 추가로 제조단가가 증가하는 문제점이 있다.However, there is a problem in that the manufacturing cost is increased by the addition of the neutralizing liquid used for the neutralization of the strip chemical liquid required for the process.

또한, 공간효율성 확보를 위하여'ㄷ'자 형상으로 스트립 공정 라인을 구성하였지만, 대면적화 되는 기판의 추세에서 그 한계가 있다 할 수 있겠다.In addition, the strip process line is configured in a 'c' shape to secure space efficiency, but there is a limit in the trend of a large-area substrate.

따라서, 본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출 된 것으로서, 스트립 약액을 효율적으로 제거하여 원가 절감을 극대화할 수 있는 기판처리시스템 및 기판처리방법을 제공하는데 있다. Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, to provide a substrate processing system and a substrate processing method that can maximize the cost savings by efficiently removing the strip chemical.

또한, 스트립 기판처리라인을 일자 형태로 가져감으로써 공간 효율성을 극대화시킬 수 있는 기판 처리시스템 및 기판처리방법을 제공하는데 있다.In addition, the present invention provides a substrate processing system and a substrate processing method capable of maximizing space efficiency by taking a strip substrate processing line in a straight form.

상기와 같은 본 발명의 목적을 실현하기 위하여, 본 발명은 카셋트(Cassette)로부터 기판을 인수하여 공정 라인에 인계하는 로더; 상기 기판상에 약액를 제공하여 스트립(Strip) 공정을 진행하는 스트립부와, 세정액을 상기 기판에 분사하는 한 쌍의 분사노즐과, 상기 분사노즐의 사이에 구비되어 상기 기판상의 유체를 흡입하는 흡입모듈과, 상기 스트립부에서 처리된 기판의 표면에 초순수(DI : De-Ionized Water)를 분사하고 연속해서 흡입하여 기판상의 유체를 제거하는 흡입부와, 상기 흡입부를 통과한 기판을 세정하는 세정부와, 상기 세정부를 통과한 기판을 건조하는 건조부를 포함하는 일자형 기판처리라인; 그리고 상기 일자형 기판처리라인으로부터 기판을 인수하여 배출하는 언로더를 포함하며, 상기 일자형 기판처리라인의 흡입모듈은 몸체와, 상기 몸체의 내부에 형성되어 기체가 압축되어 흐름으로서 주위에 저기압을 형성하는 기체유로와, 상기 몸체의 저부에 형성되어 상기 기체유로와 연통함으로서 기체유로와의 기압차이로 인한 흡입력에 의하여 기판으로부터 세정액을 흡입하는 흡입구로 이루어지는 기판처리 시스템을 제공한다.In order to realize the object of the present invention as described above, the present invention includes a loader for taking over the substrate from the cassette (Cassette) and take over the process line; A strip module for providing a chemical liquid on the substrate to perform a strip process, a pair of injection nozzles for injecting a cleaning liquid onto the substrate, and a suction module provided between the injection nozzles and sucking fluid on the substrate And a suction part for spraying and continuously sucking de-ionized water (DI) onto the surface of the substrate processed by the strip part to remove the fluid on the substrate, and a cleaning part for cleaning the substrate passing through the suction part; A straight substrate processing line including a drying unit drying the substrate passing through the cleaning unit; And an unloader that takes in and discharges the substrate from the straight substrate processing line, wherein the suction module of the straight substrate processing line is formed in the body and the body to compress the gas to form a low pressure around the flow. Provided is a substrate processing system comprising a gas flow path and a suction port formed in a bottom portion of the body to communicate with the gas flow path to suck the cleaning liquid from the substrate by a suction force caused by a pressure difference with the gas flow path.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판의 처리 시스템을 상세하게 설명한다.Hereinafter, a substrate processing system according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도2 는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판처리시스템의 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.2 is a view schematically showing the structure of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 본 발명이 제안하는 일 실시예에 따른 기판 처리시스템은 단축된 길이의 라인에 의해서도 충분한 기판의 처리가 가능한 일자 형태(I type)의 소위, 스탠드 얼론(Standalone) 타입의 라인이 구성된다.As shown in the drawing, the substrate processing system according to the embodiment of the present invention has a so-called standalone type line of I type capable of processing a sufficient substrate even with a shorter length line. It is composed.

상기 기판 처리시스템은 카셋트(Cassette;20)로부터 기판(G;도3)을 인수하여 공정 라인에 인계하는 로더(22)와, 상기 로더(22)로부터 이송된 기판(G)에 대하여 스트립(Strip) 공정을 진행하고, 스트립 처리된 기판(G)에 초순수(DI : De-Ionized Water)를 분사하고 연속해서 흡입하여 유체를 제거하고, 기판(G)을 세정하고, 세정된 기판(G)을 건조하는 일련의 공정을 진행하는 일자형 기판처리라인(21)과, 상기 일자형 기판처리라인(21)으로부터 기판(G)을 인수하여 배출하는 언로더(38)를 포함한다.The substrate processing system includes a loader 22 which takes a substrate G from a cassette 20 and takes it over to a process line, and strips the substrate G from the loader 22. Process), spray ultra-pure water (DI: De-Ionized Water) onto the stripped substrate (G) and continuously suck it to remove the fluid, clean the substrate (G), and clean the cleaned substrate (G). The straight substrate processing line 21 which performs a series of drying processes, and the unloader 38 which takes in and discharges the board | substrate G from the said linear substrate processing line 21 are included.

이러한 구조를 갖는 기판 처리 시스템에 있어서, 상기 카셋트(Cassette;20)는 라인 일측에 배치되어 기판(G)을 적치한다. 그리고, 이 카셋트(20)에 적치된 기판(G)을 로봇 등의 이송기구에 의하여 순차적으로 인출하여 로더(Loader;22)로 이송한다.In the substrate processing system having such a structure, the cassette 20 is disposed on one side of the line to deposit the substrate G. Subsequently, the substrate G deposited on the cassette 20 is sequentially taken out by a transfer mechanism such as a robot and transferred to the loader 22.

상기 기판처리라인(21)은 로더(22)에 의하여 공급된 기판(G)상에 약액을 제공하여 스트립(Strip) 공정을 진행하는 스트립부(24)와, 상기 스트립부(24)에서 처리된 기판(G)의 표면에 초순수(DI : De-Ionized Water)를 분사하고 연속해서 흡입하여 기판(G)상의 유체를 제거하는 흡입부(28)와, 상기 흡입부(28)를 통과한 기판(G)을 세정하는 세정부(30)와, 상기 세정부(30)를 통과한 기판(G)을 건조하는 건조부(36)를 포함한다.The substrate processing line 21 is provided with a chemical solution on the substrate G supplied by the loader 22 to perform a strip process, and a strip portion 24 and the strip portion 24 processed. Ultrasonic water (DI: De-Ionized Water) is sprayed on the surface of the substrate G and continuously sucked to remove the fluid on the substrate G, and the substrate passed through the suction unit 28 ( The cleaning part 30 which wash | cleans G), and the drying part 36 which dry the board | substrate G which passed the said washing part 30 are included.

보다 상세하게 설명하면, 상기 스트립부(24)는 로더(22)로부터 이송된 기판(G)에 스트립액을 제공하여 표면을 처리하는 스트리핑(Stripping) 공정을 진행 한다. 이러한 스트립부(24)는 바람직하게는 2개의 베스(Bath;25,26)로 이루어지는데, 이는 기존의 스트립 장비에 비해 고압(High Power)의 노즐을 다수 배치하여 2개의 베스를 통과하는 동안 기판(G) 표면에 잔류하는 포토레지스트를 제거하도록 한다. In more detail, the strip part 24 performs a stripping process of treating a surface by providing strip liquid to the substrate G transferred from the loader 22. This strip portion 24 preferably consists of two baths 25, 26, which are arranged with a large number of nozzles of high power compared to the conventional strip equipment, which allows the substrate to pass through the two baths. (G) Remove the photoresist remaining on the surface.

이와 같이, 스트립부(24)에서 약액 처리된 기판(G)은 흡입부(28)를 통과하면서 초순수(De-Ionized Water;DI WATER)의 분사 및 흡입에 의하여 기판 표면에 잔류하는 유체(스트립액+초순수+이물질)가 제거될 수 있도록 한다.As described above, the substrate G treated with the chemical liquid in the strip part 24 passes through the suction part 28 and remains on the surface of the substrate by the injection and suction of de-ionized water (DI WATER) (strip liquid). + Ultrapure water + foreign matter) can be removed.

이러한 흡입부(28)는 바람직하게는 도3 에 도시된 바와 같이, 세정액 분사 및 흡입이 동시에 이루어지는 구조를 갖는다.This suction part 28 preferably has a structure in which cleaning liquid injection and suction are simultaneously performed as shown in FIG.

보다 상세하게 설명하면, 상기 흡입부(28)는 베스(Bath;40)와, 상기 베스(40)의 내부에 구비되어 세정액이 베스(40)의 외부로 유출되는 것을 방지하는 에어커튼(Air Curtain;48)과, 세정액을 기판(G)에 분사하여 이물질을 제거하는 한 쌍의 분사노즐(50,52)과, 한 쌍의 분사노즐(50,52)의 사이에 구비되어 분사된 세정액을 기압차이로 인한 흡입력에 의하여 흡입하는 흡입모듈(54)을 포함한다.In more detail, the suction part 28 is provided with a bath 40 and an interior of the bath 40 to prevent the cleaning liquid from flowing out of the bath 40. 48), a pair of injection nozzles 50 and 52 for spraying the cleaning liquid onto the substrate G to remove foreign substances, and a cleaning liquid sprayed and provided between the pair of injection nozzles 50 and 52 at atmospheric pressure. It includes a suction module 54 to suck by the suction force due to the difference.

이러한 구조를 갖는 흡입장치에 있어서, 상기 기판(G)은 컨베이어(46)에 실려진 상태로 베스(40) 일측에 형성된 유입구(42)를 통하여 베스(40)의 내부로 진입하고, 세정처리 후 유출구(44)를 통하여 상기 베스(40)의 외부로 배출될 수 있도록 하고 있다.In the suction device having such a structure, the substrate (G) enters the inside of the bath (40) through the inlet port (42) formed on one side of the bath 40 in a state loaded on the conveyor 46, and after the cleaning treatment It is to be discharged to the outside of the bath 40 through the outlet (44).

그리고, 한 쌍의 분사노즐(50,52)은 통상적인 구조를 갖으며, 기판(G)으로부터 소정거리 위쪽으로 배치되어 기판(G)의 상면을 향하여 세정액을 분사할 수 있도 록 하고 있다. The pair of injection nozzles 50 and 52 have a conventional structure, and are disposed above a predetermined distance from the substrate G to spray the cleaning liquid toward the upper surface of the substrate G.

상기와 같은 세정액의 분사로 인한 충격 에너지에 의하여 기판(G)상의 스트립액 혹은 이물질이 기판(G)으로부터 분리되고, 흡입모듈(54)에 의해 외부로 배출된다.The strip liquid or foreign matter on the substrate G is separated from the substrate G by the impact energy due to the injection of the cleaning liquid as described above, and is discharged to the outside by the suction module 54.

또한, 한 쌍의 분사노즐(50,52)은 서로 마주보도록 배치되며, 서로를 향하여 일정 각도 기울어진다. 따라서, 한 쌍의 분사노즐(50,52)로부터 분사된 세정액은 기판(G)상의 국소 부위에 집중됨으로써 기판상의 유체를 흡입모듈(54)에 의해 효과적으로 제거할 수 있다.In addition, the pair of injection nozzles 50 and 52 are disposed to face each other, and are inclined at an angle toward each other. Therefore, the cleaning liquid sprayed from the pair of spray nozzles 50 and 52 is concentrated on the local region on the substrate G, so that the fluid on the substrate can be effectively removed by the suction module 54.

상기 흡입모듈(54)은 베스(40)의 내부를 통과하는 컨베이어(46)를 가로지르는 방향으로 설치하여 기판(G)의 전면적에 걸쳐 세정액을 흡입할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.The suction module 54 is preferably installed in a direction crossing the conveyor 46 passing through the inside of the bath 40 so as to suck the cleaning liquid over the entire surface of the substrate G.

보다 상세하게 설명하면, 상기 흡입모듈(54)은 도4 에 도시된 바와 같이, 몸체(59)와, 상기 몸체(59)의 내부에 형성되어 기체가 압축되어 흐름으로서 주위에 저기압을 형성하는 기체유로(60)와, 상기 몸체(59)의 저부에 형성되어 상기 기체유로(60)와 연통함으로서 기체유로(60)와의 기압차이로 인한 흡입력에 의하여 기판(G)으로부터 세정액을 흡입하는 흡입구(62)를 포함한다.In more detail, as shown in FIG. 4, the suction module 54 is formed in the body 59 and the body 59 to compress the gas to form a low pressure around the gas as a flow. The suction port 62 which is formed at the bottom of the flow path 60 and the body 59 to communicate with the gas flow path 60 to suck the cleaning liquid from the substrate G by the suction force caused by the pressure difference between the gas flow path 60 and the gas flow path 60. ).

이러한 구조를 갖는 흡입모듈에 있어서, 상기 몸체(59)는 대략 장방형의 육면체 형상을 갖는다. 그리고, 그 내부에는 길이방향으로 기체유로(60)가 형성되며, 상기 기체유로(60)는 성형 등의 방법에 의하여 몸체(59)의 내부에 형성된다.In the suction module having such a structure, the body 59 has a substantially rectangular hexahedral shape. In addition, a gas flow path 60 is formed in the longitudinal direction therein, and the gas flow path 60 is formed inside the body 59 by a molding method or the like.

이러한 기체유로(60)는 외부에 설치된 압축기(도시안됨)에 연결된다. 따라 서, 압축기가 구동하는 경우, 상기 기체유로(60)로 기체가 통과하게 된다.The gas flow path 60 is connected to a compressor (not shown) installed outside. Therefore, when the compressor is driven, gas passes through the gas passage 60.

또한, 상기 몸체(59)의 저부에는 흡입구(62)가 형성되며, 이 흡입구(62)는 길이방향을 따라 형성된다. 이러한 흡입구(62)는 그 상부는 상기 기체유로(60)에 연통하며, 하부는 몸체(59)의 외부로 개방된 형상을 갖는다.In addition, a suction port 62 is formed at the bottom of the body 59, and the suction port 62 is formed along the longitudinal direction. The suction port 62 has an upper portion communicating with the gas flow passage 60 and a lower portion opening to the outside of the body 59.

따라서, 상기 기체유로(60)를 통하여 기체가 통과하는 경우, 베르누이 정리에 의하여 기체유로(60)의 내부는 빠른 기체의 흐름으로 인하여 저기압상태가 되고, 흡입구(62)는 기체유로(60)에 비하여 상대적으로 압력이 높게 되므로 흡입력이 발생함으로써 기판(G)의 세정액을 흡입할 수 있다.Therefore, when gas passes through the gas flow path 60, the interior of the gas flow path 60 becomes a low pressure state due to the rapid flow of gas by Bernoulli's theorem, and the suction port 62 enters the gas flow path 60. In comparison, since the pressure is relatively high, the suction force is generated, so that the cleaning liquid of the substrate G can be sucked.

이때, 상기 한 쌍의 분사노즐(50,52)과 흡입모듈(54)과의 거리는 스트립약액과 세정액의 반응으로 인한 기판의 박막 손상 여부를 고려하여 적절하게 조절될 수 있다.In this case, the distance between the pair of injection nozzles 50 and 52 and the suction module 54 may be appropriately adjusted in consideration of whether the substrate thin film is damaged by the reaction of the strip chemical and the cleaning liquid.

다시, 도2 를 참조하면, 상기한 바와 같이 흡입부(28)를 통과한 기판(G)은 세정부(30)로 이송된다.Again, referring to FIG. 2, as described above, the substrate G passing through the suction part 28 is transferred to the cleaning part 30.

상기 세정부(30)는 바람직하게 2개의 세정베스(32,34)로 이루어질 수 있으며, 각각의 세정베스(32,34)에는 도면에는 도시되어 있지 않지만, 고압의 분사노즐들이 구비되어 있다.The cleaning unit 30 may be preferably composed of two cleaning baths 32 and 34, and each of the cleaning baths 32 and 34 is provided with high-pressure injection nozzles, although not shown in the drawing.

따라서, 미케니컬 파워(Mechanical Power)가 향상된 분사노즐에 의해 2개의 세정베스(32, 34)만으로 세정공정이 진행될 수 있다.Therefore, the cleaning process may be performed only by the two cleaning baths 32 and 34 by the injection nozzle with improved mechanical power.

그리고, 상기 건조부(36)는 바람직하게는 에어나이프(Air Knife;36)를 포함한다. 상기 에어나이프(36)는 공기를 압축한 상태에서 고압으로 분사함으로써 기판 상에 잔류하는 물방울 혹은 이물질 등을 제거함으로써 건조하게 된다.In addition, the drying unit 36 preferably includes an air knife (Air Knife) 36. The air knife 36 is dried by spraying air at a high pressure in a compressed state to remove water droplets or foreign matter remaining on the substrate.

이와 같이 건조부(36)에서 최종적으로 건조된 기판(G)은 언로더(38)에 의하여 외부로 배출될 수 있다.The substrate G finally dried in the drying unit 36 may be discharged to the outside by the unloader 38.

상기한 과정을 통하여 기판(G)이 스트리핑, 흡입, 세정, 건조 등의 일련의 공정을 거치게 된다.Through the above process, the substrate G is subjected to a series of processes such as stripping, suction, cleaning, and drying.

상기한 바와 같은 기판처리 시스템에 의한 처리공정은 다음과 같은 순서로 진행된다.The treatment process by the substrate processing system as described above proceeds in the following order.

즉, 도2 내지 도4, 그리고 도8 에 도시된 바와 같이, 기판처리공정은 박막이 형성된 기판(G)을 제공하는 단계(S100)와, 상기 기판(G)을 스트립 베스로 이송하여 잔류하는 포토레지스트와 반응시켜 스트립공정을 수행하는 제1 단계(S200)와, 상기 제1 단계(S200)에서 스트리핑 처리된 기판(G)에 초순수(DI WATER)를 분사하면서 연속해서 초순수를 흡입하여 기판(G)의 스트립액을 제거하는 제2 단계(S220)와, 상기 기판(G)을 세정하는 제3 단계(S240)와, 세정된 기판(G)을 건조 및 언로딩하는 제4 단계(S300)를 포함한다.That is, as illustrated in FIGS. 2 to 4 and 8, the substrate treating process may include providing a substrate G on which a thin film is formed (S100), and transferring the substrate G to a strip bath, thereby remaining. The first step (S200) of reacting with the photoresist to perform a strip process, and the ultra-pure water (DI WATER) is continuously sprayed onto the substrate (G) stripped in the first step (S200) while the ultrapure water is continuously sucked A second step S220 of removing the stripping liquid of G), a third step S240 of cleaning the substrate G, and a fourth step S300 of drying and unloading the cleaned substrate G; It includes.

이러한 기판 처리공정에 있어서, 상기 기판 제공단계(S100)에서는 라인 일측에 배치된 카셋트(Cassette;20)로부터 기판을 인출하고, 인출된 기판을 로봇 등의 이송기구에 의하여 로더(Loader;22)로 이송한다.In the substrate processing step, in the substrate providing step (S100), the substrate is taken out from the cassette 20 disposed on one side of the line, and the extracted substrate is transferred to a loader by a transfer mechanism such as a robot. Transfer.

상기 제1 단계(S200)에서는 이송된 기판의 표면에 잔류하는 포토레지스터를 제거하는 스트리핑 공정이 진행된다.In the first step S200, a stripping process for removing the photoresist remaining on the surface of the transferred substrate is performed.

즉, 로더(22)로부터 스트립부(Strip Portion;24)로 이송된 기판(G)은 2개의 베스(Bath;25,26) 내부를 통과하며 제1 스트립 공정 및 제2 스트립 공정을 거치게 된다. That is, the substrate G transferred from the loader 22 to the strip portion 24 passes through two baths 25 and 26 and undergoes a first strip process and a second strip process.

이 과정에서 통상적인 구조의 스트립 장비로부터 약액이 분사되며, 이 약액은 기판(G)에 제공되어 기판(G)에 잔류하는 포토레지스터와 반응하게 된다. 결과적으로, 기판(G)상의 포토레지스터가 박리되며 일정한 형상의 패턴만이 잔존하게 된다.In this process, the chemical liquid is injected from the strip equipment having a conventional structure, and the chemical liquid is provided to the substrate G to react with the photoresist remaining on the substrate G. As a result, the photoresist on the substrate G is peeled off, and only a pattern of a certain shape remains.

제2 단계(S220)에서는 이와 같이 스트립 단계(S200)에서 스트리핑 된 기판으로부터 약액을 제거하게 된다. In the second step S220, the chemical liquid is removed from the substrate stripped in the strip step S200.

즉, 스트립부(24)에서 약액 처리된 기판(G)은 컨베이어(46)에 실려진 상태로 베스(40)의 일측에 형성된 유입구(42)를 통하여 베스(40)의 내부로 진입한다.That is, the substrate G treated with the chemical liquid in the strip part 24 enters the inside of the bath 40 through the inlet 42 formed at one side of the bath 40 in a state loaded on the conveyor 46.

그리고, 기판(G)은 한 쌍의 분사노즐(50,52) 구간을 통과하게 되며, 이때, 한 쌍의 분사노즐(50,52)로부터 기판(G)의 상면을 향하여 세정액이 분사되며, 세정액의 분사로 인한 충격 에너지에 의하여 기판(G)상의 스트립 약액과 세정액 및 이물질이 기판(G)으로부터 분리될 수 있다.Subsequently, the substrate G passes through a pair of injection nozzles 50 and 52. At this time, a cleaning liquid is injected from the pair of injection nozzles 50 and 52 toward the upper surface of the substrate G. The strip chemical liquid, the cleaning liquid, and the foreign matter on the substrate G may be separated from the substrate G by the impact energy due to the injection of.

이때, 한 쌍의 분사노즐(50,52)의 사이에는 흡입모듈(54)이 배치되어 기판(G)상의 유체를 신속하게 흡입할 수 있다.At this time, the suction module 54 is disposed between the pair of injection nozzles (50, 52) can quickly suck the fluid on the substrate (G).

보다 상세하게 설명하면, 흡입모듈(54)이 몸체(59)의 내부에 형성된 기체유로(60)에 유체가 통과함으로써 흡입구(62) 주위에 저기압이 형성된다. In more detail, as the fluid passes through the gas flow path 60 formed inside the body 59 of the suction module 54, low pressure is formed around the suction port 62.

이때, 상기 흡입구(62)는 그 상부는 상기 기체유로(60)에 연통하며, 하부는 몸체(59)의 외부로 개방된 형상을 갖는다.In this case, the suction port 62 has an upper portion communicating with the gas flow passage 60 and a lower portion opening to the outside of the body 59.

따라서, 상기 기체유로(60)를 통하여 기체가 통과하는 경우, 베르누이 정리에 의하여 기체유로(60)의 내부는 빠른 기체의 흐름으로 인하여 저기압 상태가 되고, 흡입구(62)는 기체유로(60)에 비하여 상대적으로 압력이 높게 되므로 흡입력이 발생함으로써 기판(G)상의 유체를 흡입할 수 있다. Therefore, when gas passes through the gas flow path 60, the interior of the gas flow path 60 becomes a low pressure state due to the rapid flow of gas by Bernoulli's theorem, and the suction port 62 enters the gas flow path 60. In comparison, since the pressure is relatively high, the suction force is generated to suck the fluid on the substrate G.

상기 흡입모듈(54)에 의한 유체의 흡입은 스트립 약액이 상기 초순수(DI : De-Ionized Water)와 반응을 하여 기판 상에 있는 박막 표면에 손상을 줄 수 있는 여지를 주지 않고, 바로 흡입함으로써 기판처리를 안정적으로 수행할 수 있도록 한다.The suction of the fluid by the suction module 54 causes the strip chemical to react with the De-Ionized Water (DI) to give no room for damaging the surface of the thin film on the substrate. Ensure stable processing.

이와 같은 과정을 거친 기판(G)은 세정부(30)로 이송되어 제3 단계(S240)가 진행되고, 이어 건조 및 언로딩을 위한 제4 단계(S300)를 진행하게 된다. 즉, 세정공정을 거친 기판(G)은 건조부(36)의 에어나이프(Air Knife;36)를 통과하게 되며, 이 때, 상기 에어나이프(36)로부터 분사되는 압축공기에 의하여 기판(G)상에 잔존하는 습기 및 이물질이 제거될 수 있다.The substrate G, which has undergone such a process, is transferred to the cleaning unit 30, and the third step S240 is performed, and then the fourth step S300 for drying and unloading is performed. That is, the substrate G, which has undergone the cleaning process, passes through the air knife 36 of the drying unit 36. At this time, the substrate G is compressed by the compressed air injected from the air knife 36. Moisture and foreign matter remaining in the phase can be removed.

한편, 본 발명의 바람직한 다른 실시예가 도5 에 도시된다. 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 기판처리시스템에 있어서는 기판처리라인의 상부에 기판을 이송하기 위한 트랜스퍼 유닛(Transfer Unit;71)을 추가로 구비하는 차이점이 있다. 따라서, 본 실시예에서는 상기 트랜스퍼 유닛(71)에 의하여 기판을 기판처리라인으로 이송한다.Meanwhile, another preferred embodiment of the present invention is shown in FIG. As shown, there is a difference in the substrate processing system according to the present embodiment further comprising a transfer unit 71 for transferring the substrate on the substrate processing line. Therefore, in the present embodiment, the transfer unit 71 transfers the substrate to the substrate processing line.

보다 상세하게 설명하면, 기판처리라인(21)의 상층에 레일(72)이 배치되며, 이 레일(72)상에는 트랜스퍼 유닛(71)이 활주가능하게 구비된다. 그리고, 이 트랜 스퍼 유닛(71)은 기판을 적치하고 레일(72)을 따라 전후방향으로 이동함으로서 기판을 일정 위치로 이송시킬 수 있다.In more detail, the rail 72 is disposed on the upper layer of the substrate processing line 21, and the transfer unit 71 is slidably provided on the rail 72. The transfer unit 71 can transfer the substrate to a predetermined position by placing the substrate and moving it back and forth along the rail 72.

즉, 상기 트랜스퍼 유닛(71)이 기판을 적치하여 기판처리라인(21)의 일측에 배치된 로더(73)의 상부위치에 도달하여 로더(73)상에 기판(G)을 적치하게 된다.That is, the transfer unit 71 accumulates the substrate and reaches the upper position of the loader 73 disposed on one side of the substrate processing line 21 to deposit the substrate G on the loader 73.

로더(73)상에 안착된 기판(G)은 기판처리라인(21)의 스트립부(Strip Portion;74)로 이송되며, 스트립부(74)를 통과하면서 스트립액에 의하여 기판(G)의 표면에 잔류하는 포토레지스터가 제거되는 스트리핑(Stripping)공정을 거치게 된다. The substrate G seated on the loader 73 is transferred to the strip port 74 of the substrate processing line 21, and the surface of the substrate G is passed by the strip liquid while passing through the strip part 74. The photoresist remaining in the stripe is stripped.

스트립부(74)를 통과한 기판(G)은 흡입부(75)를 통과하면서 표면에 잔류하는 스트립액이 흡입방식에 의하여 1차적으로 제거되며, 세정부(76)에서 최종적으로 세정처리된다.The substrate G, which has passed through the strip portion 74, is first removed by the suction method from the strip liquid remaining on the surface while passing through the suction portion 75, and finally cleaned by the cleaning portion 76.

세정부(76)를 통과한 기판은 건조부(77)의 에어나이프(77)를 통과하면서 건조된다.The substrate passing through the cleaning unit 76 is dried while passing through the air knife 77 of the drying unit 77.

이와 같이, 기판처리라인(21)을 통과한 기판은 언로더(79)로 이송된다. 그리고, 언로더(79)에서 로봇 등의 기구에 의하여 카세트(70)로 운반되어 적치된다.In this manner, the substrate passing through the substrate processing line 21 is transferred to the unloader 79. Then, the unloader 79 is transported and stored in the cassette 70 by a mechanism such as a robot.

상기한 바와 같이 배치된 기판처리시스템은 도6 에 도시된 바와 같은 구조로도 배치될 수 있다. 즉, 카세트(80)가 기판처리라인(82)의 측부에 배치되며 트랜스퍼 유닛(86)이 상층부에 배치된 레일(84)상에 배치될 수도 있다.The substrate processing system arranged as described above may also be arranged in a structure as shown in FIG. That is, the cassette 80 may be disposed on the side of the substrate processing line 82 and the transfer unit 86 may be disposed on the rail 84 disposed on the upper layer.

한편, 도7 에는 본 발명의 또 다른 실시예가 도시된다. 도시된 바와 같이, 흡입효율을 향상시킴으로서 그 길이를 단축시킨 기판처리시스템은 설치면적을 줄일 수 있는 장점이 있음으로, 이러한 장점을 이용하여 인라인(In Line)방식으로도 설치할 수 있다. On the other hand, Fig. 7 shows another embodiment of the present invention. As shown in the drawing, the substrate processing system that has shortened its length by improving suction efficiency has an advantage of reducing an installation area, and can be installed in an in-line method by using this advantage.

즉, 장비 등이 구비되는 공정라인 혹은 검사라인(98)의 일측에 기판처리라인(21)을 배치함으로써 기판이 인라인 방식의 라인상에서 처리될 수 있다 .That is, by placing the substrate processing line 21 on one side of the process line or inspection line 98 is equipped with equipment, etc., the substrate can be processed on the in-line line.

상기 기판처리라인(21)은 상기한 실시예들과 동일하게 스트립부(92)와, 흡입부(93)와, 세정부(94)와, 건조부(95)로 이루어진다.The substrate processing line 21 includes a strip 92, a suction 93, a cleaning 94, and a drying unit 95 in the same manner as in the above-described embodiments.

그리고, 입측에 배치된 로더(91)를 통하여 기판이 이송되며, 출측에 배치된 언로더(96)를 통하여 검사라인(98)의 로더(97)로 공급된다.Subsequently, the substrate is transferred through the loader 91 disposed at the entrance side and supplied to the loader 97 of the inspection line 98 through the unloader 96 disposed at the exit side.

이 로더(97)를 통하여 공정라인 혹은 검사라인(98)으로 이송되어 소정의 공정이 진행되며, 언로더(99)를 통하여 외부로 배출됨으로써 카세트(90)에 적치될 수 있다.The loader is transferred to the process line or the inspection line 98 through the loader 97, and a predetermined process is performed. The discharged to the outside through the unloader 99 may be stored in the cassette 90.

이와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리시스템 및 방법은 다음과 같은 장점이 있다.As such, the substrate processing system and method according to the preferred embodiment of the present invention have the following advantages.

첫째, 스트립 약액을 중화시키기 위한 중화제를 사용하지 않고 초순수만으로 스트립액을 효율적으로 제거할 수 있음으로 원가절감을 극대화할 수 있는 장점이 있다.First, there is an advantage of maximizing cost reduction by efficiently removing the stripping liquid with only ultrapure water without using a neutralizing agent to neutralize the stripping chemical.

둘째, 스트립 기판처리라인을 일자형태로 배치함으로써 공간 효율성을 극대화할 수 있으며, 대면적화 되는 기판의 추세에도 부응할 수 있는 장점이 있다. Second, by placing the strip substrate processing line in the form of a straight line can maximize the space efficiency, there is an advantage that can meet the trend of the large-area substrate.                     

셋째, 기판처리라인을 스탠드 얼론방식, 인라인 방식 등으로 다양하게 배치함으로서 설계의 선택성과 다양성을 향상시킬 수 있다.Third, by selecting the substrate processing line in various ways such as stand-alone, in-line, etc. can improve the selectivity and diversity of the design.

이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고 특허청구의 범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.













Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made within the scope of the claims, the detailed description of the invention, and the scope of the accompanying drawings. It goes without saying that it belongs to the scope of the present invention.













Claims (9)

카셋트(Cassette)로부터 기판을 인수하여 공정 라인에 인계하는 로더;A loader that takes in a substrate from a cassette and takes over the process line; 상기 기판상에 약액를 제공하여 스트립(Strip) 공정을 진행하는 스트립부와, 세정액을 상기 기판에 분사하는 한 쌍의 분사노즐과, 상기 분사노즐의 사이에 구비되어 상기 기판상의 유체를 흡입하는 흡입모듈과, 상기 스트립부에서 처리된 기판의 표면에 초순수(DI : De-Ionized Water)를 분사하고 연속해서 흡입하여 기판상의 유체를 제거하는 흡입부와, 상기 흡입부를 통과한 기판을 세정하는 세정부와, 상기 세정부를 통과한 기판을 건조하는 건조부를 포함하는 일자형 기판처리라인; 그리고A strip module for providing a chemical liquid on the substrate to perform a strip process, a pair of injection nozzles for injecting a cleaning liquid onto the substrate, and a suction module provided between the injection nozzles and sucking fluid on the substrate And a suction part for spraying and continuously sucking de-ionized water (DI) onto the surface of the substrate processed by the strip part to remove the fluid on the substrate, and a cleaning part for cleaning the substrate passing through the suction part; A straight substrate processing line including a drying unit drying the substrate passing through the cleaning unit; And 상기 일자형 기판처리라인으로부터 기판을 인수하여 배출하는 언로더를 포함하며,And an unloader that takes in and discharges the substrate from the straight substrate processing line, 상기 일자형 기판처리라인의 흡입모듈은 몸체와, 상기 몸체의 내부에 형성되어 기체가 압축되어 흐름으로서 주위에 저기압을 형성하는 기체유로와, 상기 몸체의 저부에 형성되어 상기 기체유로와 연통함으로서 기체유로와의 기압차이로 인한 흡입력에 의하여 기판으로부터 세정액을 흡입하는 흡입구로 이루어지는 기판처리 시스템.The suction module of the straight substrate processing line includes a body, a gas flow path formed inside the body to compress the gas to form a low pressure around the gas flow, and a gas flow path formed at the bottom of the body to communicate with the gas flow path. A substrate processing system comprising a suction port for suctioning a cleaning liquid from a substrate by a suction force due to a difference in pressure between the two. 제1항에 있어서, 상기 일자형 기판처리라인은 상기 기판을 검사(inspection)하거나, 혹은 다른 공정을 수행하는 타장비와 인라인화할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판처리 시스템.The substrate processing system of claim 1, wherein the straight substrate processing line may be inlined with other equipment that inspects the substrate or performs another process. 제1항에 있어서, 상기 카세트로부터 기판을 인수하여 상기 로더로 기판을 인계하며, 상기 일자형 기판처리라인 상부에서 기판을 운송시키는 트랜스퍼 (Transfer)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리 시스템.2. The substrate processing system of claim 1, further comprising a transfer to take the substrate from the cassette and to take over the substrate to the loader, and to transfer the substrate over the straight substrate processing line. 제3 항에 있어서, 상기 카세트는 상기 언로더에 대하여 기판이송방향과 평행 한 방향에 배치되거나, 혹은 기판이송방향과 수직방향에 배치되는 기판처리 시스템.The substrate processing system of claim 3, wherein the cassette is disposed in a direction parallel to the substrate transfer direction with respect to the unloader, or disposed in a direction perpendicular to the substrate transfer direction. 삭제delete 박막이 형성된 기판을 제공하는 단계;Providing a substrate on which a thin film is formed; 상기 기판상에 스트립 약액을 분사하여 기판상의 포토레지스트와 반응시켜 스트립공정을 수행하는 제1단계;A first step of injecting a strip chemical onto the substrate and reacting with a photoresist on the substrate to perform a strip process; 상기 제1단계에서 스트립 처리된 기판상에 세정액을 상기 기판에 분사하는 한 쌍의 분사노즐과, 상기 유체 분사노즐의 사이에 구비되며, 몸체와, 상기 몸체의 내부에 형성되어 기체가 압축되어 흐름으로서 주위에 저기압을 형성하는 기체유로와, 상기 몸체의 저부에 형성되어 상기 기체유로와 연통함으로서 기체유로와의 기압차이로 인한 흡입력에 의하여 기판으로부터 세정액을 흡입하는 흡입구로 이루어짐으로써 상기 기판상의 유체를 흡입하는 흡입모듈에 의하여 초순수(DI;De-Ionized Water)를 분사하면서 연속해서 흡입하여 기판상의 유체를 제거하는 흡입하는 제2단계;A pair of injection nozzles for injecting a cleaning liquid onto the substrate on the stripped substrate in the first step and the fluid injection nozzle are provided between the body and the body, the gas is compressed to flow And a gas flow path that forms a low pressure around the air passage, and a suction port which is formed at the bottom of the body and communicates with the gas flow path to suck the cleaning liquid from the substrate by the suction force caused by the pressure difference between the gas flow paths. A second step of inhaling the fluid on the substrate by continuously inhaling while spraying de-ionized water (DI) by the inhaling suction module; 상기 기판을 세정하는 제3단계; 그리고A third step of cleaning the substrate; And 상기 기판을 건조하는 제4단계를 포함하는 기판처리방법.And a fourth step of drying the substrate. 제6항에 있어서, 상기 제1 단계는 2개의 스트립 베스를 통과하여 상기 스트립 공정을 완료하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.7. The method of claim 6, wherein said first step passes through two strip baths to complete said strip process. 삭제delete 제6항에 있어서, 상기 분사모듈과 상기 흡입모듈과의 거리는 상기 스트립 약액과 상기 세정액의 반응으로 인한 상기 박막에 손상(demage)여부를 고려하여 조절된 것을 특징으로 하는 기판처리방법.The method of claim 6, wherein the distance between the injection module and the suction module is adjusted in consideration of whether the thin film is damaged due to the reaction of the strip chemical and the cleaning liquid.
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