KR102344560B1 - 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 187
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 178
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 207
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 100
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims abstract description 46
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 38
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 25
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 10
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 46
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 135
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 43
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 19
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 poly(vinyl butyral) Polymers 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 3
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- BFMKFCLXZSUVPI-UHFFFAOYSA-N ethyl but-3-enoate Chemical compound CCOC(=O)CC=C BFMKFCLXZSUVPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical compound S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N O.O.O.[Al] Chemical compound O.O.O.[Al] MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical group [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012763 reinforcing filler Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000006884 silylation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/52—Encapsulations
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
내층의 봉지 필름이 신축성이 낮은 물리적 특성을 갖는 경우에도 광학 반도체 소자를 매우 신뢰할 수 있는 방식으로 봉지할 수 있는 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 본 발명은 후술하는 단계를 포함한다: 감압 챔버 내에서 광학 반도체 소자가 탑재되는 광학 반도체 소자 탑재 기판 상에 내층 봉지 필름 및 최외층 봉지 필름을 포함하는 적어도 2개의 유형의 봉지 필름을 그 순서대로 배치하고 감압 챔버 내를 감압하는 단계; 최외층 봉지 필름을 가열하여 최외층 봉지 필름의 적어도 주변부를 광학 반도체 소자 탑재 기판의 표면에 열 융착하는 단계; 및 감압 챔버 내부의 감압을 해제하여 최외층 봉지 필름 및 내층 봉지 필름으로 광학 반도체 소자 탑재 기판을 봉지하는 단계. 감압 챔버 내의 감압을 해제할 때의 광학 반도체 소자 탑재 기판의 온도 T2는, 최외층 봉지 필름이 0.02 내지 0.15 MPa의 인장 강도 및 200 내지 450%의 파단 신율을 나타내는 온도이다. 내층 봉지 필름은 온도 T2에서 1.6 이상의 손실 탄젠트(tan δ)를 나타낸다.
Description
본 발명은 봉지 필름을 사용하는 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 상세하게는, 고수준의 형광체 및/또는 충전제를 함유하는 봉지 필름을 사용하는 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
본 출원은 2017년 9월 8일에 일본에 출원된 특허 출원 번호 제2017-172929호에 근거한 우선권을 주장하며, 그 내용을 여기에 원용한다.
포토커플러, 발광 다이오드, 또는 고체 촬상 장치 등의 광학 반도체 소자가 탑재되는 광학 반도체 장치에 있어서, 광학 반도체 소자는, 광학 반도체 소자의 신뢰성을 향상시키기 위해, 봉지제를 사용하여 봉지된다. 광학 반도체 장치를 봉지하는 방법으로서, 봉지 필름을 사용하는 봉지 방법이 알려져 있다.
예를 들면, 특허문헌 1에는, 적어도 하나의 LED 소자를 기판 상에 탑재하고; 제1 면 및 제2 면을 가지며, 제1 면이 기재 필름에 지지된 바인더와, 형광체 입자를 포함하는, 미리 설정된 형상의 라미네이션 층을 LED 소자 상에 배치하고; 라미네이션 층을 제1 온도까지 가열하여, 라미네이션 층을 연화시키고 라미네이션 층 및 LED 소자 주위의 기판 사이에 기밀 밀봉을 형성한 다음; 기재 필름을 제거한 후에, 감압 하에서 라미네이션 층을 제2 온도로 가열하여 라미네이션 층 및 기판 사이의 공기를 제거하며; 이에 후속하여, 대기압으로 복귀하는 것에 의해 기판에 대하여 라미네이션 층을 가압하여 LED 소자를 덮는 라미네이션 층을 형성하는, LED 장치의 제조 방법이 개시되어 있다.
특허문헌 2에는, 기판 웨이퍼의 제1 면의 내측부에 배치된 발광 다이오드 어레이 등의 물품을 미리 설정된 형상을 갖는 라미네이션 층으로 컨포멀 코팅하기 전에 라미네이션 층의 중심부를 가열하여 유동 가능한 상태로 하는 단일의 가열 단계를 포함하는 진공 라미네이션 방법에 있어서, 라미네이션 층의 에지부 및 제1 면의 외측부로 형성되는 기밀 밀봉과, 라미네이션 층 및 제1 면으로 구성된 기밀 밀봉된 내측 영역에 의해, 가열되어 유동 가능한 상태로 된 라미네이션 층의 중심부가 제1 면의 내측부로부터 이격되게 배치되는 단계를 포함하는, 진공 라미네이션 방법이 개시되어 있다.
특허문헌 3에는, 광학 반도체 소자를 봉지하는 데에 사용되는 봉지층을 구비하는 봉지 시트에 있어서, 1 Hz의 주파수 및 10 ℃/min의 승온 속도의 조건 하에서 봉지층의 동적 점탄성을 측정하는 것에 의해 얻어진 저장 전단 탄성률(G')과 온도(T)의 관계를 나타낸 곡선이 최소값을 갖고, 최소값에서의 온도(T)가 60℃ 이상, 200℃ 이하의 범위이고, 최소값에서의 저장 전단 탄성률(G')이 5 Pa 이상 1000 Pa 이하의 범위에 있는 봉지 시트를 준비하는 봉지 시트 준비 단계; 기판 상에 배치되는 광학 반도체 소자를 준비하는 소자 준비 단계; 및 60℃ 이상 200℃ 이하의 온도에서 봉지 시트를 광학 반도체 소자에 대하여 열 프레스(hot press)하는 열 프레스 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 봉지 광학 반도체 소자의 제조 방법이 개시되어 있다.
특허문헌 4에는, 광학 반도체 소자에 직접 또는 간접적으로 점착되도록 사용되는 점착층을 구비하는 점착 시트에 있어서, 1 Hz의 주파수 및 20℃/min의 승온 속도의 조건으로 점착층의 동적 점탄성을 측정하는 것에 의해 얻어지는 저장 전단 탄성률(G')과 온도(T)의 관계를 나타내는 곡선이 최소값을 갖고, 최소값에서의 온도(T)가 40℃ 이상 200℃ 이하의 범위이고, 최소값에서의 저장 전단 탄성률(G')이 1,000 Pa 이상 90,000 Pa 이하의 범위인 점착 시트를 준비하는 점착 시트 준비 단계; 기판 상에 배치되는 광학 반도체 소자를 준비하는 소자 준비 단계; 및 40℃ 이상 200℃ 이하의 온도에서 점착 시트를 광학 반도체 소자에 대하여 직접 또는 간접적으로 열 프레스하는 열 프레스 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 점착 광학 반도체 소자의 제조 방법이 개시되어 있다.
그러나, 봉지 필름을 사용하는 광학 반도체 소자를 봉지하는 방법에서는, 봉지 필름이 신축성이 낮은 물리적 특성을 갖는 경우, 종래의 방법으로는 광학 반도체 소자가 매우 신뢰할 수 있는 방식으로 봉지될 수 없는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은, 내층의 봉지 필름이 신축성이 낮은 물리적 특성을 갖는 경우에도, 광학 반도체 소자를 매우 신뢰할 수 있는 방식으로 봉지할 수 있는 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명자는, 상술한 과제를 해결하기 위해 집중적으로 연구하여, 봉지 필름을 사용하여 광학 반도체 소자를 봉지하는 경우에, 봉지 필름이, 형광체 및 충전제 등의 입자 함유량이 높아 신축성이 낮은 물리적 특성을 갖는 경우에도, 이러한 봉지 필름을 다른 봉지 필름과 조합하여 특정의 온도 조건에서 라미네이션 단계를 수행하는 것에 의해 기판 상에 탑재된 광학 반도체 소자를 매우 신뢰할 수 있는 방식으로 봉지할 수 있다는 것을 알아냄으로써, 본 발명을 완성하였다.
본 발명에 따른 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법은,
감압 챔버 내에서 광학 반도체 소자를 탑재하는 광학 반도체 소자 탑재 기판 상에, 내층 봉지 필름 및 최외층 봉지 필름을 포함하는 적어도 2개의 유형의 봉지 필름을 그 순서대로 탑재하고, 감압 챔버 내를 감압하는 단계;
최외층 봉지 필름을 가열하여 최외층 봉지 필름의 적어도 주변부를 광학 반도체 소자 탑재 기판의 표면에 열 융착하는 단계; 및
감압 챔버 내의 감압을 해제하여, 최외층 봉지 필름 및 내층 봉지 필름으로 광학 반도체 소자 탑재 기판을 봉지하는 단계를 포함하고,
감압 챔버 내의 감압을 해제할 때의 광학 반도체 소자 탑재 기판의 온도 T2는, 최외층 봉지 필름이 0.02 내지 0.15 MPa의 인장 강도 및 200 내지 450%의 파단 신율을 나타내는 온도이며,
내층 봉지 필름은 온도 T2에서 1.6 이상의 손실 탄젠트(tan δ)를 나타내는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 봉지 필름은 바람직하게는 열경화성 실리콘 수지로 형성된다.
본 발명의 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 입자는 바람직하게는 형광체 및 충전제로부터 선택된다.
본 발명의 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 봉지 필름은 바람직하게는 10 μm 이상 300 μm 이하의 두께를 갖는다.
본 발명의 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 온도 T2는 바람직하게는 70℃ 이상 180℃ 이하이다.
본 발명의 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 광학 반도체 소자들 사이의 최소 거리는 바람직하게는 봉지 필름의 총 두께보다 크다.
본 발명의 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 광학 반도체 소자의 높이 T 및 광학 반도체 소자의 거리 L 사이의 종횡비(T/L)는 바람직하게는 최대로 3 이하이다.
본 발명의 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법은, 내층의 봉지 필름이 신축성이 낮은 물리적 특성을 갖는 경우에도, 매우 신뢰할 수 있는 방식으로 봉지 광학 반도체 장치를 제조할 수 있다는 것을 특징으로 한다.
도 1은 리프트 핀 승강 기구를 갖는 진공 라미네이터를 사용하여 실시된 본 발명에 따른 방법의 일 예를 도시하는 모식적 단면도이다.
도 2는 다이어프램형 진공 라미네이터 및 라미네이션 지그를 사용하여 실시되는 본 발명에 따른 방법의 일 예를 도시하는 모식적 단면도이다.
도 2는 다이어프램형 진공 라미네이터 및 라미네이션 지그를 사용하여 실시되는 본 발명에 따른 방법의 일 예를 도시하는 모식적 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시의 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 본 발명은 이하의 실시의 형태에 한정되지 않으며, 그 요지의 범위 내에서 다양하게 변형되어 실시될 수 있다.
[봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법]
본 발명에 따른 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법은,
(1) 감압 챔버 내에서 광학 반도체 소자를 탑재하는 광학 반도체 소자 탑재 기판 상에, 내층 봉지 필름 및 최외층 봉지 필름을 포함하는 적어도 2개의 유형의 봉지 필름을 그 순서대로 탑재하고, 감압 챔버 내를 감압하는 단계;
(2) 최외층 봉지 필름을 가열하여 최외층 봉지 필름의 적어도 주변부를 광학 반도체 소자 탑재 기판의 표면에 열 융착하는 단계; 및
(3) 감압 챔버 내의 감압을 해제하여, 최외층 봉지 필름 및 내층 봉지 필름으로 광학 반도체 소자 탑재 기판을 봉지하는 단계를 포함하고,
감압 챔버 내의 감압을 해제할 때의 광학 반도체 소자 탑재 기판의 온도 T2는, 최외층 봉지 필름이 0.02 내지 0.15 MPa의 인장 강도 및 200 내지 450%의 파단 신율을 나타내는 온도이며,
내층 봉지 필름은 온도 T2에서 1.6 이상의 손실 탄젠트(tan δ)를 나타내는 것을 특징으로 한다.
이러한 방식으로 구성되는 본 발명에 따르면, 내층 봉지 필름의 외측에 배치된 최외층 봉지 필름이, 감압 챔버 내의 감압이 해제될 때의 광학 반도체 소자 탑재 기판의 온도 T2에서, 광학 반도체 소자의 형상을 따르는 방식으로 광학 반도체 소자를 피복하는 것(이하, "컨포멀 라미네이션"이라고도 함)이 가능한 기계적 특성을 나타내므로, 내층 봉지 필름과 함께 봉지될 광학 반도체 장치를 매우 신뢰할 수 있는 방식으로 봉지할 수 있다. 감압 하에서 최외층 봉지 필름을 가열하여 최외측 봉지 필름의 주변부를 광학 반도체 소자 탑재 기판의 표면에 열 융착하는 단계에 의해 최외층 봉지 필름과 광학 반도체 소자 탑재 기판에 봉지되는 영역의 표면 사이에 기밀 공간을 형성하는 단계와 감압을 해제하여 최외측 봉지 필름으로 광학 반도체 소자 탑재 기판을 봉지하는 단계가 연속적인 공정으로 수행될 수 있으므로, 봉지 광학 반도체 장치를 용이하게 제조할 수 있다. 이하, 각 단계에 대하여 상세하게 설명한다.
(1) 감압 챔버 내에서 광학 반도체 소자가 탑재되는 광학 반도체 소자 탑재 기판 상에 내층 봉지 필름 및 최외층 봉지 필름을 포함하는 적어도 2개의 유형의 봉지 필름을 그 순서대로 배치하고, 감압 챔버 내를 감압하는 단계는, 감압 챔버 내에서 봉지될 광학 반도체 소자가 탑재되는 광학 반도체 소자 탑재 기판 상에 적어도 2개의 유형의 봉지 필름을 적층한 다음 감압 챔버의 내부를 감압하는 단계이다. 적어도 2개의 유형의 봉지 필름은 적어도 하나의 유형의 내층 봉지 필름 및 최외층 봉지 필름이며, 광학 반도체 소자 탑재 기판으로부터 시작하여 내층 봉지 필름 및 최외층 봉지 필름의 순서로 적층된다. 이러한 방식으로 구성되는 봉지 필름은 봉지될 광학 반도체 소자의 봉지에 적합한 위치에서 광학 반도체 소자 탑재 기판 상에 배치된다.
감압 챔버는 광학 반도체 소자 탑재 기판 및 봉지 필름을 가열하는 가열 수단을 내부에 구비한다. 바람직하게는, 감압 챔버는 가열 수단으로서 광학 반도체 소자 탑재 기판 및 봉지 필름을 가열하는 가열 플레이트를 내부에 구비한다. 예를 들면, 이러한 감압 챔버는 진공 라미네이션 장치이다. 공정을 안정화하기 위해, 감압 챔버는 바람직하게는, 내부 압력의 감압 완료 전에 최외층 봉지 필름의 주변부가 광학 반도체 소자 탑재 기판에 열 융착되는 것을 방지하기 위해, 내부 압력의 감압이 완료될 때까지 광학 반도체 소자 탑재 기판이 가열 수단과 접촉하는 것을 방지하는 기구를 구비한다. 이러한 감압 챔버는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 리프트 핀 승강 기구를 갖는 진공 라미네이터를 포함한다. 또한, 특수 라미네이션 지그를 사용하여, 다이어프램형 진공 라미네이터가 사용될 수 있다. 예를 들면, 라미네이션 지그는, 스프링 등의 탄성체로 광학 반도체 소자 탑재 기판을 지지하는 구조를 가지며, 고무 다이어프램 멤브레인이 정상 위치에 있을 때, 광학 반도체 소자 탑재 기판이 가열 수단으로부터 이격될 수 있지만, 고무 다이어프램 멤브레인으로 압력이 가해지는 경우, 라미네이션 지그에 구비된 탄성체가 가압되어, 광학 반도체 소자 탑재 기판을 가열 수단과 접촉할 수 있도록 설계된다. 라미네이션 지그는, 고무 다이어프램 멤브레인이 라미네이션 지그를 가압하는 경우에도, 고무 다이어프램 멤브레인이 광학 반도체 소자 탑재 기판 또는 최외층 봉지 필름에 직접적으로 접촉하지 않도록, 광학 반도체 소자 탑재 기판 및 최외층 봉지 필름을 보호하는 구조를 갖는다.
광학 반도체 소자는 특별히 한정되지 않지만, 발광 다이오드(LED), 반도체 레이저, 포토다이오드, 포토트랜지스터, 고체 촬상, 포토커플러용 발광기 및 수광기를 예로 들 수 있으며, 발광 다이오드(LED)가 특히 바람직하다.
광학 반도체 소자 탑재 기판은 광학 반도체 소자가 탑재되거나 실장되는 기판이다. 이러한 기판으로서는, 광 투과율이 높거나 반사율이 높은 재료가 바람직하다. 광학 반도체 소자 탑재 기판으로서는, 은, 금, 및 구리 등의 전도성 금속; 알루미늄 및 니켈 등의 비전도성 금속; PPA 및 LCP 등의 백색 안료가 혼합된 열가소성 수지; 에폭시 수지, BT 수지, 폴리이미드 수지, 및 실리콘 수지 등의 백색 안료를 함유하는 열경화성 수지; 알루미나 및 알루미나 질화물 등의 세라믹; 등을 예로 들 수 있다.
봉지 필름은, 봉지 대상인 광학 반도체 소자를 봉지하기 위한 것으로, 봉지제를 필름 형태로 가공한 것이다. 본 발명에서, 내층 봉지 필름 및 최외층 봉지 필름을 포함하는 적어도 2개의 유형의 봉지 필름이 봉지 필름으로서 사용된다. 내층 봉지 필름 및 최외층 봉지 필름 이외에도, 다른 봉지 필름이 봉지 필름으로서 포함될 수 있다.
봉지 필름을 구성하는 봉지제는 열가소성 재료 또는 열경화성 재료로 형성될 수 있다. 이러한 재료는 유기 중합체 또는 실리콘일 수 있다. 유기 중합체로서, 폴리올레핀 수지, 에틸 초산 비닐(EVA) 수지, 에폭시 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 또는 폴리(비닐 부티랄) 수지 등의 열가소성 수지 또는 열경화성 수지가 언급될 수 있다. 실리콘으로서, 핫 멜트 실리콘 또는 선형 실리콘(또는 "직쇄(straight-chain) 실리콘") 등의 열가소성 실리콘 또는 열경화성 실리콘이 언급될 수 있다. 또한, 응축 반응, 수소 규소화(hydrosilylation) 반응, 또는 프리 라디칼 반응에 의해 실리콘이 경화될 수 있다. 특정 실시형태에 따르면, 봉지 필름은 열가소성 수지로 형성될 수 있다. 다른 실시형태에 따르면, 봉지 필름은 열경화성 수지로 형성될 수 있다. 또 다른 실시형태에 따르면, 봉지 필름은 수소 규소화 반응 경화성 실리콘으로 형성될 수 있다. 예를 들면, WO 2016/065016에 개시된 봉지 필름이 봉지 필름으로서 사용될 수 있다. 이러한 봉지 필름은 Dow Corning Toray Co. Ltd.에서 만든 상품명 LF-1200 및 LF-1201로서 이용 가능하다.
내층 봉지 필름은 입자를 함유할 수 있으며, 봉지 필름 내에서 입자의 함량은 바람직하게는 80 질량% 이상이다. 내층 봉지 필름은 통상적으로 95 질량% 이하의 입자를 함유한다. 한편, 최외층 봉지 필름은 봉지 필름 내에 입자를 함유할 수 있거나 입자를 함유하지 않을 수 있다. 또한, 바람직하게는, 최외층 봉지 필름은 봉지 광학 반도체 장치의 색깔을 조절하도록 투명이다. 예를 들면, 1 mm 두께의 최외층 봉지 필름의 광 투과율은 450 nm의 파장에서 바람직하게는 90% 이상이다. 최외층 봉지 필름이 입자를 함유하는 경우, 봉지 필름 내에서의 그 함량은, 예를 들면, 40 질량% 이상, 바람직하게는 50 질량% 이상, 보다 바람직하게는 60 질량% 이상이고, 통상적으로 80 질량% 미만이다.
봉지 필름 내에 포함된 입자의 예는 형광체 및 충전제를 포함한다. 형광체의 예는, 특별히 한정되지 않지만, 발광 다이오드(LED)에 많이 사용되며, 산화물계 형광체, 산질화물계 형광체, 질화물계 형광체, 황화물계 형광체, 산황화물계 형광체 등을 포함하는 황색, 적색, 녹색, 및 청색 발광 형광체이다. 산화물계 형광체의 예는 세륨 이온을 함유하는 이트륨, 알루미늄 및 가닛계 YAG계 녹색 내지 황색 발광 형광체, 세륨 이온을 함유하는 터븀, 알루미늄 및 가닛계 TAG계 황색 발광 형광체, 및 세륨 및 유로퓸 이온을 함유하는 규산염계 녹색 내지 황색 발광 형광체이다. 산질화물계 형광체의 예는 유로퓸 이온을 함유하는 규소, 알루미늄, 산소, 및 질소계 SiAlON계 적색 내지 녹색 발광 형광체이다. 질화물계 형광체의 예는 유로퓸 이온을 함유하는 칼슘, 스트론튬, 알루미늄, 규소, 및 질소계 CASN계 적색 발광 형광체이다. 황화물계 형광체의 예는 구리 이온 및 알루미늄 이온을 함유하는 ZnS계 녹색 발광 형광체이다. 산황화물계 형광체의 예는 유로퓸 이온을 함유하는 Y2O2S 유형 적색 발광 형광체이다. 한 종류의 형광체 또는 두 종류 이상의 형광체의 혼합물이 사용될 수 있다.
형광체의 평균 입경은, 한정되지 않지만, 통상 1 μm 이상, 바람직하게는, 5 μm 이상 50 μm 이하, 바람직하게는 20 μm 이하의 범위이다. 평균 입경은, 예를 들면, 레이저 회절 산란식 입경 분포 측정 방법으로 누적 체적 평균 입경(D50)을 측정하는 것에 의해 측정될 수 있다.
충전제의 예로는, 침강 실리카, 습식 실리카, 또는 흄 실리카와 같은 보강성 충전제; 이러한 충전제를 오가노할로실란, 오가노알콕시실란, 또는 헥사오가노디실라잔 등의 유기 규소 화합물로 소수화처리하는 것에 의해 얻어지는 충전제; 알루미나, 소성 실리카, 티타늄 산화물, 유리, 석영, 알루미노규산염, 산화철, 산화아연, 탄산칼슘, 탄화규소, 질화규소, 및 질화보론 등의 무기 증량 충전제; 및 실리콘 수지, 에폭시 수지, 및 불소 수지 등의 유기 수지 미세 분말을 포함한다.
충전제의 평균 입경은, 한정되지 않지만, 통상 1 μm 이상, 바람직하게는, 5 μm 이상 50 μm 이하, 바람직하게는 20 μm 이하의 범위이다. 평균 입경은, 예를 들면, 레이저 회절 산란식 입경 분포 측정 방법으로 누적 체적 평균 입경(D50)을 측정하는 것에 의해 측정될 수 있다.
봉지 필름 내에서 염료, 안료, 난연제, 내열제 등이 다른 선택적 성분으로서 배합될 수 있다.
봉지 필름의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 10 μm 이상, 바람직하게는 20 μm 이상, 300 μm 이하, 바람직하게는 200 μm 이하이다.
최외층 봉지 필름 및 내층 봉지 필름은 광학 반도체 탑재 기판을 피복하는 것이 가능하도록 하는 크기로 적절하게 설계될 수 있다. 통상적으로, 내층 봉지 필름과 함께 광학 반도체 소자 탑재 기판을 피복할 수 있도록, 최외층 봉지 필름은 내층 봉지 필름보다 큰 크기를 갖는다.
광학 반도체 소자 탑재 기판 상에는, 하나의 광학 반도체 소자가 실장될 수 있거나, 둘 이상의 복수의 광학 반도체 소자가 실장될 수 있다. 바람직하게는, 광학 반도체 소자 탑재 기판 상에 복수의 광학 반도체 소자가 탑재된다. 복수의 광학 반도체 소자가 광학 반도체 소자 탑재 기판 상에 탑재되는 경우, 광학 반도체 소자의 형상을 따르는 방식으로의 봉지 필름에 의한 피복, 즉, 컨포멀 라미네이션의 형성을 확보하기 위해, 광학 반도체 소자들 사이의 최소 거리는 바람직하게는 최외층 봉지 필름의 두께보다 크다. 따라서, 광학 반도체 소자들 사이의 최소 거리는 통상적으로 20 μm 이상이다. 광학 반도체 소자들 사이의 최대 거리는, 특별히 한정되지 않지만, 통상, 봉지 필름 중 최외층 봉지 필름의 두께의 두배보다 작다. 따라서, 광학 반도체 소자들 사이의 최대 거리는 통상 0.6 mm 이하, 바람직하게는 0.4 mm 이상이다. 컨포멀 라미네이션의 형성을 확보하기 위해, 광학 반도체 소자의 상면으로부터 광학 반도체 소자 탑재 기판의 표면까지의 거리, 즉, 광학 반도체 소자의 높이(T)와, 광학 반도체 소자들 사이의 거리(L)에 대한 종횡비(T/L)가, 최대 3 이하, 보다 바람직하게는, 최대 2.5 이하, 훨씬 더 바람직하게는, 최대 2 이하가 되도록 통상적으로 설계된다.
감압 챔버 내의 감압은, 종래의 알려진 감압 수단에 의해 수행될 수 있으며, 예를 들면, 감압 챔버의 내부와 연결된 진공 펌프를 작동시키는 것에 의해 수행될 수 있다. 통상, 감압 챔버 내의 압력은 300 Pa 이하, 바람직하게는 200 Pa 이하, 또는 133 Pa 이하까지 감압된다.
(2) 최외층 봉지 필름을 가열하여 최외층 봉지 필름의 적어도 주변부를 광학 반도체 소자 탑재 기판의 표면에 열 융착시키는 단계는, 최외층 봉지 필름을 T1 이상의 온도로 가열하여, 최외층 봉지 필름을 연화시킴으로써 절곡하여, 최외층 봉지 필름 및 광학 반도체 소자 탑재 기판을 서로 접촉시켜, 봉지될 광학 반도체 소자의 영역의 주변부에 최외층 봉지 필름의 적어도 주변부를 열 융착시킴으로써, 최외층 봉지 필름과 광학 반도체 소자 탑재 기판의 봉지될 영역의 표면 사이에 기밀 공간을 형성하는 단계이다. 이러한 단계에 의해, 최외층 봉지 필름에 컨포멀 라미네이션을 위해 적합한 가요성이 부여되며, 최외층 봉지 필름과 광학 반도체 소자 탑재 기판의 봉지될 영역의 표면 사이의 공간을 밀폐("봉지"라고도 함)하여 기밀 상태로 할 수 있다. 또한, 내층 봉지 필름은 컨포멀 라미네이션을 위해 적합한 가요성을 가질 수 있다.
최외층 봉지 필름 및 내층 봉지 필름은 감압 챔버 내에 구비되는 가열 수단에 의해 가열된다. 예를 들면, 감압 챔버 내에 구비된 가열 플레이트가 가열 수단으로서 사용될 수 있다. 통상적으로, 광학 반도체 소자 탑재 기판을 가열하는 것에 의해 최외층 봉지 필름 및 내층 봉지 필름이 가열된다. 예를 들면, 가열 수단으로서 가열 플레이트가 사용되는 경우, 광학 반도체 소자 탑재 기판 및 가열 플레이트를 서로 접촉시키는 것에 의해 광학 반도체 소자 탑재 기판으로부터 최외층 봉지 필름 및 내층 봉지 필름으로 열이 전달되어, 최외층 봉지 필름 및 내층 봉지 필름이 가열된다.
이 단계에서, 최외층 봉지 필름 및 내층 봉지 필름은 온도 T1 이상 온도 T2 이하의 온도에서 유지된다. 온도 T1는, 챔버 감압 중에 필름의 열 융착을 발생하여 봉지되는 영역을 기밀로 할 수 없을 정도(공기가 가둬진(trapped) 상태로 잔류)로 고온이 아니라면 특별히 한정되지 않지만, 온도는 최대 60℃이다. 또한, 봉지 필름은 통상 T1 내지 T2의 온도로 1분 이상 10분 이하로 유지된다. 이는 10분을 초과하여 유지된다면, 봉지 필름의 경화가 진행되어, 라미네이션의 불량을 초래하는 경향이 있기 때문이다.
최외층 봉지 필름을 가열하여, 최외층 봉지 필름의 적어도 주변부를 광학 반도체 소자 탑재 기판에 열 융착하는 단계는, 단계 (1)이 완료된 이후에 수행될 수 있고, 단계 (1)이 완료되기 전에 단계 (1) 도중에 수행될 수 있다. 즉, 감압 챔버 내의 감압이 미리 설정된 범위로 수행되기 전에 최외층 봉지 필름을 온도 T1 이상으로 가열하는 것을 개시할 수 있다. 공정의 안정성의 관점에서, 단계 (2)는 바람직하게는 단계 (1)에서 감압 챔버 내의 감압이 완료된 이후에 수행된다.
(3) 감압 챔버 내의 감압을 해제하여, 최외층 봉지 필름 및 내층 봉지 필름으로 광학 반도체 소자 탑재 기판을 봉지하는 단계는, 감압 챔버 내의 감압을 해제하여, 외부 공기와 최외층 봉지 필름과 광학 반도체 소자 탑재 기판의 봉지될 영역의 표면 사이의 기밀 공간 사이의 압력차에 의해, 최외층 봉지 필름을 광학 반도체 소자 탑재 기판에 대하여 압착시켜, 광학 반도체 소자 탑재 기판을 라미네이션하는 단계이다. 이 단계에서, 최외층 봉지 필름이 광학 반도체 소자 탑재 기판에 대하여 압착되어, 광학 반도체 소자 탑재 기판 및 최외층 봉지 필름 사이에 배치되는 내층 봉지 필름이 또한 광학 반도체 소자 탑재 기판에 대하여 압착되어, 피복을 형성한다.
"감압 챔버 내의 감압을 해제하는 것"이라는 표현은, 통상, 감압 챔버를 대기로 개방하여 감압 챔버 내의 감압을 대기압까지 되돌리는 것을 의미한다. 압력을 대기압으로 즉시 되돌릴 필요는 없지만, 봉지 필름을 광학 반도체 소자 탑재 기판에 대하여 압착시켜 달성될 광학 반도체 소자 탑재 기판의 컨포멀 라미네이션을 가능하게 하는 범위에서 감압이 점진적으로 해제될 수 있다. 통상, 감압 챔버 내의 감압은 10 kPa/sec, 바람직하게는 50 kPa/sec, 또는 100 kPa/sec의 속도로 대기압까지 되돌아 간다. 이는 감압으로부터 대기압까지의 변화 속도가 너무 느리면 기밀의 누설이 발생하고 라미네이션이 불완전할 수 있기 때문이다.
감압 챔버 내의 감압이 해제될 때의 광학 반도체 소자 탑재 기판의 온도 T2는 최외층 봉지 필름이 광학 반도체 소자의 컨포멀 라미네이션의 형성을 가능하게 하는 데에 적합한 물리적 특징을 갖는 온도로 설정된다. 구체적으로, 온도는 최외층 봉지 필름이 0.02 내지 0.15 MPa의 인장 강도 및 200 내지 450%의 파단 신율을 나타내는 온도이다. 바람직하게는, T2는 최외층 봉지 필름이 0.03 MPa 이상의 인장 강도를 나타내는 온도이다. 바람직하게는, T2는 또한 최외층 봉지 필름이 250% 이상의 파단 신율을 나타내는 온도이다. 바람직하게는, T2는 최외층 봉지 필름이 400% 이하의 파단 신율을 나타내는 온도이다. 최외층 봉지 필름의 인장 강도 및 파단 신율은 본 발명의 실시 전에 미리 당해 기술분야의 통상의 방법에 의해 측정될 수 있다. 예를 들면, TA Instruments에서 만든 RSA-G2 동적 점탄성 측정 기기를 사용하여 측정이 수행될 수 있다. 최외층 봉지 필름은 온도 T2에서 상술한 물리적 특징을 나타내기 때문에, 기판 상에 탑재된 광학 반도체 소자가 매우 신뢰할 수 있게 봉지될 수 있다.
내층 봉지 필름은 온도 T2에서 1.6 이상의 손실 탄젠트(tan δ)를 나타낸다. 내층 봉지 필름은 바람직하게는 온도 T2에서 1.7 이상의 손실 탄젠트(tan δ)를 나타낸다. 내층 봉지 필름의 손실 탄젠트(tan δ)는 점탄성 측정 기기(Rheometric Scientific에 의해 제조된 ARES 점탄성 측정 장치)를 사용하여 미리 측정될 수 있다. 내층 봉지 필름은 온도 T2에서 1.6 이상의 손실 탄젠트(tan δ)를 나타내며, 이에 의해 보이드 또는 크랙을 생성하지 않고 적절하게 적층된다.
감압 챔버 내의 감압이 해제될 때의 광학 반도체 소자 탑재 기판의 온도 T2는, 상술한 조건이 만족된다면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 70℃ 이상, 바람직하게는 90℃ 이상이며, 180℃ 이하, 바람직하게는 150℃ 이하이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시형태를 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 감압 챔버로서, 리프트 핀 승강 기구를 갖는 진공 라미네이터(10)를 사용하여 실시되는 본 발명에 따른 제조 방법의 일 예를 도시하는 모식적 단면도이다.
도 1의 (a)는 본 실시형태에 있어서 본 발명의 단계 (1)을 도시한다. 단계 (1)에서, 광학 반도체 소자(2)가 탑재되는 광학 반도체 소자 탑재 기판(1) 상에 내층 봉지 필름(3) 및 최외층 봉지 필름(4)이 그 순서대로 배치된다. 또한, 광학 반도체 소자 탑재 기판(1)은 리프트 핀(13)에 의해 승강 가능한 중간 플레이트(12) 상에 배치된다. 진공 라미네이터(10)의 내부는 개구(14)를 통하여 감압 수단(미도시)에 연결되고, 감압 수단을 작동시키는 것에 의해 진공 라미네이터(10)의 내부가 감압된다. 여기에서, 단계 (1)의 개시 시, 중간 플레이트(12)는 리프트 핀(13)에 의해 가열 플레이트(11)로부터 이격되게 배치되어, 진공 라미네이터(10) 내부의 감압이 충분히 진행되기 전에 가열 플레이트(11)에 의해 내층 봉지 필름(3) 및 최외층 봉지 필름(4)이 온도 T1 이상으로 가열되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 공정의 안정성이 확보될 수 있다.
도 1의 (b)는 본 실시형태에 있어서 본 발명의 단계 (2)를 도시한다. 이 단계 (2)에서, 리프트 핀(13)이 하강되어, 중간 플레이트(12)가 가열 플레이트(11)와 접촉하도록 이동된다. 이에 따라, 가열 플레이트(11)로부터의 열이 광학 반도체 소자 탑재 기판(1)을 통하여 내층 봉지 필름(3) 및 최외층 봉지 필름(4)에 전달되어, 내층 봉지 필름(3) 및 최외층 봉지 필름(4)이 T1보다 높은 온도로 가열된다. 최외층 봉지 필름(4)이 가열되면, 최외층 봉지 필름(4)이 연화되어 변형되어, 최외층 봉지 필름(4)의 적어도 주변부(20)가 광학 반도체 소자 탑재 기판(1)의 표면과 접촉하여, 주변부(20)가 반도체 소자 탑재 기판(1)의 표면에 열 융착된다. 이 때, 최외층 봉지 필름(4) 또는 내층 봉지 필름(3)과 광학 반도체 소자 탑재 기판(1)의 봉지될 영역의 표면 사이에 기밀 공간(21)이 형성된다.
도 1의 (c)는 본 실시형태에 있어서 본 발명의 단계 (3)를 도시한다. 이 단계 (3)에서, 광학 반도체 소자 탑재 기판(1)의 온도가 T2에 도달하면, 개구(14)를 통하여 진공 라미네이터(10) 내부의 감압이 해제되어, 외부 공기 및 기밀 공간(21)(도 1의 (c)에 미도시) 사이의 압력차에 의해 최외층 봉지 필름(4) 및 내층 봉지 필름(3)이 광학 반도체 소자 탑재 기판(1)에 대하여 압착되어, 광학 반도체 소자(2)가 봉지된다. 이에 따라, 봉지 광학 반도체 장치(30)가 얻어진다. 단계 (3)에서, 광학 반도체 소자 탑재 기판(1)의 온도가, 최외층 봉지 필름이 광학 반도체 소자 상의 컨포멀 라미네이션의 형성을 가능하게 하는 데에 적합한 물리적 특징을 나타내는 온도인, 온도 T2에 도달하면, 진공 라미네이터(10) 내부의 감압이 해제되어, 내층 봉지 필름(3) 및 최외층 봉지 필름(4)에 의해 광학 반도체 소자(2)의 형상을 따른 피복이 매우 신뢰할 수 있는 방식으로 형성될 수 있다.
도 2는 감압 챔버로서의 다이어프램형 진공 라미네이터(40)와, 라미네이션 지그(50)를 사용하여 실시되는, 본 발명에 따른 제조 방법의 일 예를 도시하는 모식적 단면도이다.
도 2의 (a)는 본 실시형태에 있어서 본 발명의 단계 (1)을 도시한다. 다이어프램형 진공 라미네이터(40)의 내부는 고무 다이어프램 멤브레인(41)에 의해 상부 챔버(42) 및 하부 챔버(43)로 분할되며, 상부 챔버(42)의 내부 및 하부 챔버(43)의 내부는 각각 개구(15, 16)를 통하여 감압 수단(어디에도 도시되지 않음)에 연결되어, 감압 수단의 작동에 의해 상부 챔버(42) 및 하부 챔버(43)의 내부가 감압된다. 상부 챔버(42)의 개구(15)는 가압 수단에도 연결될 수 있다. 도면에서, 광학 반도체 소자(2)가 탑재되는 광학 반도체 소자 탑재 기판(1) 상에 내층 봉지 필름(3) 및 최외층 봉지 필름(4)이 그 순서대로 하부 챔버(43) 내에 탑재된다. 또한, 광학 반도체 소자 탑재 기판(1)은 전용 라미네이션 지그(50)의 내부에 배치된다. 라미네이션 지그(50)는 스프링(51)을 구비하고, 스프링(51)에 의해 라미네이션 지그(50)가 가열 플레이트(11)로부터 이격되게 배치되어, 하부 챔버(43)의 감압이 충분히 진행되기 전에 가열 플레이트(11)에 의해 내층 봉지 필름(3) 및 최외층 봉지 필름(4)이 온도 T1 이상으로 가열되는 것이 방지될 수 있다. 이에 따라, 공정의 안정성이 확보될 수 있다.
도 2의 (b)는 본 실시형태에 있어서 본 발명의 단계 (2)를 도시한다. 이 단계 (2)에서, 상부 챔버(42)의 감압이 개구(15)를 통하여 해제된다. 이에 따라, 상부 챔버(42) 및 하부 챔버(43)(도 2의 (b)에 미도시) 사이의 감압 차이에 의해 고무 다이어프램 멤브레인(41)이 하부 챔버(43)를 가압하도록 변형하여, 스프링(51)이 가압되어, 라미네이션 지그(50)가 가열 플레이트(11)와 접촉된다. 이에 따라, 가열 플레이트(11)로부터의 열이 광학 반도체 소자 탑재 기판(1)을 통하여 내층 봉지 필름(3) 및 최외층 봉지 필름(4)에 전달되어, 내층 봉지 필름(3) 및 최외층 봉지 필름(4)이 T1 이상의 온도로 가열된다. 최외층 봉지 필름(4)이 온도 T1 이상으로 가열되면, 최외층 봉지 필름(4)이 연화되어, 최외층 봉지 필름(4)의 주변부(20)가 광학 반도체 소자 탑재 기판(1)의 표면과 접촉한다. 이에 따라, 주변부(20)가 반도체 소자 탑재 기판(1)의 표면에 열 융착되어, 최외층 봉지 필름(4) 또는 내층 봉지 필름(3)과 광학 반도체 소자 탑재 기판(1)의 봉지될 영역의 표면 사이에 기밀 공간(21)이 형성된다. 이 실시형태에서는, 고무 다이어프램 멤브레인(41)이 하부 챔버(43)를 가압하는 경우에도, 라미네이션 지그(50)의 상부 프레임(52)의 구조에 의해, 최외층 봉지 필름(4)이 고무 다이어프램 멤브레인(41)에 의해 반도체 소자 탑재 기판(1)에 대하여 가압되는 것이 방지될 수 있고, 이에 따라, 기밀 공간(21)의 형성이 확보될 수 있다.
도 2의 (c)는 본 실시형태에 있어서 본 발명의 단계 (3)를 도시한다. 이 단계 (3)에서, 광학 반도체 소자 탑재 기판(1)의 온도가 T2에 도달하면, 개구(16)를 통하여 하부 챔버(43) 내부의 감압이 해제되어, 외부 공기 및 기밀 공간(21)(도 2의 (c)에 미도시) 사이의 압력차에 의해 최외층 봉지 필름(4) 및 내층 봉지 필름(3)이 광학 반도체 소자 탑재 기판(2)에 대하여 압착되어, 광학 반도체 소자(2)가 봉지된다. 이에 따라, 봉지 광학 반도체 장치(30)가 얻어진다. 단계 (3)에서, 광학 반도체 소자 탑재 기판(1)의 온도가, 최외층 봉지 필름이 광학 반도체 소자 상의 컨포멀 라미네이션의 형성을 가능하게 하는 데에 적합한 물리적 특징을 나타내는 온도인, 온도 T2에 도달하면, 하부 챔버(10) 내부의 감압이 해제되어, 내층 봉지 필름(3) 및 최외층 봉지 필름(4)에 의한 광학 반도체 소자(2)의 형상에 따른 피복을 매우 신뢰할 수 있는 방식으로 형성할 수 있다.
실시예
실시예 및 비교예를 참조하여 본 발명의 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법을 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 후술하는 실시예의 설명에 한정되지 않는다.
[봉지 필름]
열경화성 실리콘 조성물(Dow Corning Toray Co. Ltd.에 의해 제조된 LF-1200)에 대하여 85 질량%의 양으로 YAG계 황색 발광 형광체 입자(Intematix Corporation에 의해 제조된 상품명 NYAG(4454)-S, 평균 입경 8 μm)를 혼합하여, 100 μm의 두께를 갖는 봉지 필름 D(85 wt% 형광체 입자 함유)를 준비하였다.
열경화성 실리콘 조성(Dow Corning Toray Co. Ltd.에 의해 제조된 LF-1201)에 대하여 85 질량%의 양으로 YAG계 황색 발광 형광체 입자(Intematix Corporation에 의해 제조된 상품명 NYAG 4454-S, 평균 입경 8 μm)을 혼합하여, 100 μm의 두께를 갖는 봉지 필름 C(85 wt% 형광체 입자 함유)를 준비하였다.
열경화성 실리콘 조성물(Dow Corning Toray Co. Ltd.에 의해 제조된 LF-1200)을 사용하여 100 μm의 두께를 갖는 투명 최외층 봉지 필름 A를 준비하였다. 1 mm 두께의 최외층 봉지 필름 A의 광 투과율은 450 nm의 파장에서 100%이었다.
열경화성 실리콘 조성물(Dow Corning Toray Co. Ltd.에 의해 제조된 LF-1201)을 사용하여 100 μm의 두께를 갖는 투명 최외층 봉지 필름 B를 준비하였다. 1 mm 두께의 최외층 봉지 필름 B의 광 투과율도 450 nm의 파장에서 100%이었다.
최외층 봉지 필름의 60℃, 80℃, 100℃, 120℃, 및/또는 140℃에서의 인장 강도 및 파단 신율을 TA Instruments에 의해 제조된 RSA-G2 동적 점탄성 측정 기기를 사용하여 측정하였다. 10 mm의 길이 및 25 mm의 폭을 갖는 측정 샘플을 제조하여 인장 속도를 10 mm/min로 하여 측정하였다. 결과를 이하의 표 1에 나타낸다.
내층 봉지 필름의 손실 탄젠트를 TA Instruments에 의해 제조된 RSA-G2 동적 점탄성 측정 기기를 사용하여 측정하였다. 25℃로부터 200℃까지 25℃/min의 가열 속도로, 8 mm 평행 플레이트를 사용하여, 0.5 내지 1.5 mm의 간극, 0.2%의 변형률, 1.0 Hz의 진동수로 측정을 수행하여, 각 목표 온도 100℃, 110℃, 120℃, 130℃, 및/또는 140℃에서의 손실 탄젠트(tan δ)를 구하였다.
[광학 반도체 소자 탑재 기판]
광학 반도체 소자 탑재 기판은, 1 mm의 깊이, 1 mm의 폭, 0.15 mm의 높이를 갖는 입방체 형상의 광학 반도체 소자를 종방향으로 10개 및 횡방향으로 10개 배치한 유리 기판을 포함하는 광학 반도체 소자 탑재 기판을 사용하였다. 광학 반도체 소자들 사이의 거리(L)는 균일하게 0.15 mm이었고, 광학 반도체 소자의 높이(T) 및 광학 반도체 소자들 사이의 거리(L) 사이의 종횡비(T/L)는 1이었다.
[실시예 1 내지 2 및 비교예 1 내지 8]
상술한 바와 같이 얻어진 최외층 봉지 필름 및 내층 봉지 필름 A 및 B를 사용하는 반도체 소자 탑재 기판에 대하여 진공 라미네이션이 수행되었다. 진공 펌프에 연결된 리프트 핀 승강 기구(리프트 핀 기구를 갖는 Nisshinbo Mechatronics Corporation에 의해 제조된 상품명 PVL-050)를 갖는 진공 라미네이터가 감압 챔버로서 사용되었다. 먼저, 진공 라미네이터 내에서 가열 플레이트로부터 떨어진 위치에 배치되어 리프트 핀 승강 기구에 의해 승강 가능한 중간 플레이트 상에 광학 반도체 소자 탑재 기판을 설치하고, 그 위에, 내층 봉지 필름 A 또는 B를 배치하였다. 그 다음, 진공 펌프를 구동하여 진공 라미네이터 내부를 133 Pa까지 감압하였다. 다음으로, 중간 플레이트를 하강시켜, 100℃ 내지 180℃로 가열된 가열 플레이트와 접촉시켰다. 그 후, 봉지 필름을 3분 내지 7분동안 가열하여, 광학 반도체 소자 탑재 기판의 온도가 미리 설정된 온도 T2에 도달하면, 10 초에 걸쳐 감압을 대기압까지 되돌려, 봉지 광학 반도체 장치를 얻었다.
이렇게 얻은 봉지 반도체 장치를 시각적으로 관찰하여, 보이드 및/또는 크랙의 발생 여부를 확인하였다. 결과를 이하의 표 1에 나타낸다.
| 최외층 봉지 필름 | 내층 봉지 필름 | 온도 T2(℃) | 온도 T2에서의 최외층 봉지 필름의 인장 강도(MPa) | 온도 T2에서의 최외층 봉지 필름의 파단 신율(%) | 온도 T2에서의 내층 봉지 필름의 손실 탄젠트 | 보이드/크랙 존재 여부 | |
| 실시예 1 | A | C | 120 | 0.04 | 350 | 1.81 | 없음 |
| 실시예 2 | A | C | 130 | 0.03 | 390 | 2.01 | 없음 |
| 비교예 1 | A | C | 60 | 0.10 | 220 | 1.51 | 있음 |
| 비교예 2 | A | C | 60 | 0.01 | 480 | 2.01 | 있음 |
| 비교예 3 | A | D | 80 | 0.04 | 350 | 1.55 | 있음 |
| 비교예 4 | A | D | 140 | 0.03 | 390 | 1.52 | 있음 |
| 비교예 5 | B | C | 100 | 0.10 | 220 | 1.47 | 있음 |
| 비교예 6 | B | C | 110 | 0.04 | 380 | 1.51 | 있음 |
| 비교예 7 | B | D | 100 | 0.10 | 220 | 1.10 | 있음 |
| 비교예 8 | B | D | 110 | 0.04 | 380 | 1.38 | 있음 |
표 1에 따르면, 실시예 1 내지 5의 제조 방법으로 제조된 봉지 광학 반도체 장치에는, 보이드 및/또는 크랙이 발생하지 않고, 봉지 필름에 의해, 광학 반도체 소자의 형상에 따라 피복이 형성되어 있는 것이 확인되었다.
본 발명의 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법은, 발광 다이오드(LED), 반도체 레이저, 포토다이오드, 포토트랜지스터, 고체 촬상 장치, 또는 포토커플러용 발광기 또는 및 수광기 등의 광학 반도체 소자를 봉지하는 방법으로서 유용하다.
1 광학 반도체 소자 탑재 기판
2 광학 반도체 소자
3 내층 봉지 필름
4 최외층 봉지 필름
10 진공 라미네이터
11 가열 플레이트
12 중간 플레이트
13 리프트 핀
14~16 개구
20 봉지 필름의 주변부
21 기밀 공간
30 봉지 광학 반도체 장치
40 다이어프램형 진공 라미네이터
41 고무 다이어프램 멤브레인
42 상부 챔버
43 하부 챔버
50 라미네이션 지그
51 스프링
52 상부 프레임
2 광학 반도체 소자
3 내층 봉지 필름
4 최외층 봉지 필름
10 진공 라미네이터
11 가열 플레이트
12 중간 플레이트
13 리프트 핀
14~16 개구
20 봉지 필름의 주변부
21 기밀 공간
30 봉지 광학 반도체 장치
40 다이어프램형 진공 라미네이터
41 고무 다이어프램 멤브레인
42 상부 챔버
43 하부 챔버
50 라미네이션 지그
51 스프링
52 상부 프레임
Claims (7)
- 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법으로서,
감압 챔버 내에서 광학 반도체 소자를 탑재하는 광학 반도체 소자 탑재 기판 상에, 내층 봉지 필름 및 최외층 봉지 필름을 포함하는 적어도 2개의 유형의 봉지 필름을 그 순서대로 탑재하고, 상기 감압 챔버 내를 감압하는 단계;
상기 최외층 봉지 필름을 가열하여 상기 최외층 봉지 필름의 적어도 주변부를 상기 광학 반도체 소자 탑재 기판의 표면에 열 융착하는 단계; 및
상기 감압 챔버 내의 감압을 해제하여, 상기 최외층 봉지 필름 및 상기 내층 봉지 필름으로 상기 광학 반도체 소자 탑재 기판을 봉지하는 단계를 포함하고,
상기 감압 챔버 내의 감압을 해제할 때의 상기 광학 반도체 소자 탑재 기판의 온도 T2는, 상기 최외층 봉지 필름이 0.02 내지 0.15 MPa의 인장 강도 및 200 내지 450%의 파단 신율을 나타내는 온도이며, 상기 내층 봉지 필름은 온도 T2에서 1.6 이상의 손실 탄젠트(tan δ)를 나타내는, 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 봉지 필름은 열경화성 실리콘 수지로 형성되는, 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 내층 봉지 필름, 상기 최외층 봉지 필름 또는 상기 두 필름 모두 입자를 함유하고, 상기 입자는 형광체 및 충전제 중에서 선택되는, 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 봉지 필름은 10 μm 이상 300 μm 이하의 두께를 갖는, 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 온도 T2는 70℃ 이상 180℃ 이하인, 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 광학 반도체 소자 탑재 기판 상의 상기 광학 반도체 소자들 사이의 최소 거리는 상기 봉지 필름의 총 두께보다 큰, 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 광학 반도체 장치의 높이(T)와 상기 광학 반도체 소자 탑재 기판 상의 상기 광학 반도체 장치들 사이의 거리(L) 사이의 종횡비(T/L)는 최대로 3 이하인, 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2017-172929 | 2017-09-08 | ||
| JP2017172929 | 2017-09-08 | ||
| PCT/JP2018/032424 WO2019049791A1 (ja) | 2017-09-08 | 2018-08-31 | 封止光半導体デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200031135A KR20200031135A (ko) | 2020-03-23 |
| KR102344560B1 true KR102344560B1 (ko) | 2021-12-30 |
Family
ID=65634152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020207004448A KR102344560B1 (ko) | 2017-09-08 | 2018-08-31 | 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11257992B2 (ko) |
| EP (1) | EP3680943B1 (ko) |
| JP (1) | JP6957630B2 (ko) |
| KR (1) | KR102344560B1 (ko) |
| CN (1) | CN111033769B (ko) |
| TW (1) | TWI779077B (ko) |
| WO (1) | WO2019049791A1 (ko) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220123030A (ko) | 2019-12-27 | 2022-09-05 | 다우 도레이 캄파니 리미티드 | 적층체 및 이것으로 이루어진 전자 부품 |
| TWI774184B (zh) | 2020-03-18 | 2022-08-11 | 日商日本航空電子工業股份有限公司 | 可薄型化半導體裝置及其製造方法 |
| JP2022028180A (ja) | 2020-08-03 | 2022-02-16 | 日本航空電子工業株式会社 | デバイス及びデバイスの製造方法 |
| CN112382716A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-02-19 | 厦门三安光电有限公司 | 一种led发光装置及其制造方法 |
| CN116712579B (zh) * | 2023-06-25 | 2024-01-09 | 中山市光圣半导体科技有限公司 | 一种光源可全方位均匀出射的led杀菌模组及led杀菌灯 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005105428A1 (ja) | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Zeon Corporation | 積層体、発光素子及びその使用 |
| WO2015068652A1 (ja) | 2013-11-07 | 2015-05-14 | 東レ株式会社 | 積層体およびそれを用いた発光装置の製造方法 |
| JP2016201546A (ja) | 2012-04-12 | 2016-12-01 | サン−ゴバン パフォーマンス プラスティックス コーポレイション | 発光装置を製造する方法 |
| WO2017057074A1 (ja) | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 東レ株式会社 | 蛍光体組成物、蛍光体シート並びにそれらを用いた形成物、ｌｅｄチップ、ｌｅｄパッケージ、発光装置、バックライトユニット、ディスプレイおよびｌｅｄパッケージの製造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05110256A (ja) | 1991-10-21 | 1993-04-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 多層プリント板用銅張り積層板の製造方法 |
| JPH06190956A (ja) | 1992-12-25 | 1994-07-12 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | ハニカムサンドイッチパネルの製造方法 |
| JP3375217B2 (ja) * | 1994-10-14 | 2003-02-10 | 新日本石油化学株式会社 | 電気電子部品用封止材 |
| JPH08264577A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Nitto Denko Corp | 半導体パッケージの製造方法およびこれに用いられる金型 |
| JP4872587B2 (ja) * | 2006-10-12 | 2012-02-08 | 日立化成工業株式会社 | 封止フィルム、及びこれを用いた半導体装置 |
| JP5080881B2 (ja) | 2007-06-27 | 2012-11-21 | ナミックス株式会社 | 発光ダイオードチップの封止体の製造方法 |
| TW201216526A (en) | 2010-08-20 | 2012-04-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | Lamination process for LEDs |
| US8597988B2 (en) * | 2010-11-18 | 2013-12-03 | Bridgelux, Inc. | System for flash-free overmolding of led array substrates |
| EP2831931B1 (en) | 2012-03-29 | 2019-10-02 | Lumileds Holding B.V. | Method for fabricating a luminescent structure |
| KR102092707B1 (ko) * | 2013-09-17 | 2020-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 |
| WO2016065016A1 (en) | 2014-10-24 | 2016-04-28 | Dow Corning Corporation | Vacuum lamination method for forming a conformally coated article and associated conformally coated articles formed therefrom |
| JP2016171314A (ja) | 2015-03-09 | 2016-09-23 | 日東電工株式会社 | 封止シート、封止光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法 |
| JP2016171315A (ja) | 2015-03-09 | 2016-09-23 | 日東電工株式会社 | 貼着シート、貼着光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法 |
| US10014108B2 (en) | 2015-03-13 | 2018-07-03 | Avx Corporation | Low profile multi-anode assembly |
| JP6577398B2 (ja) | 2016-03-25 | 2019-09-18 | 東芝キヤリア株式会社 | 冷凍サイクル装置の室外機、及び冷凍サイクル装置の室外機の製造方法 |
-
2018
- 2018-08-15 TW TW107128424A patent/TWI779077B/zh active
- 2018-08-31 US US16/637,531 patent/US11257992B2/en active Active
- 2018-08-31 CN CN201880053054.0A patent/CN111033769B/zh active Active
- 2018-08-31 WO PCT/JP2018/032424 patent/WO2019049791A1/ja unknown
- 2018-08-31 KR KR1020207004448A patent/KR102344560B1/ko active IP Right Grant
- 2018-08-31 JP JP2019540933A patent/JP6957630B2/ja active Active
- 2018-08-31 EP EP18854026.4A patent/EP3680943B1/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005105428A1 (ja) | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Zeon Corporation | 積層体、発光素子及びその使用 |
| JP2016201546A (ja) | 2012-04-12 | 2016-12-01 | サン−ゴバン パフォーマンス プラスティックス コーポレイション | 発光装置を製造する方法 |
| WO2015068652A1 (ja) | 2013-11-07 | 2015-05-14 | 東レ株式会社 | 積層体およびそれを用いた発光装置の製造方法 |
| WO2017057074A1 (ja) | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 東レ株式会社 | 蛍光体組成物、蛍光体シート並びにそれらを用いた形成物、ｌｅｄチップ、ｌｅｄパッケージ、発光装置、バックライトユニット、ディスプレイおよびｌｅｄパッケージの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20200031135A (ko) | 2020-03-23 |
| WO2019049791A1 (ja) | 2019-03-14 |
| US11257992B2 (en) | 2022-02-22 |
| TW201913829A (zh) | 2019-04-01 |
| JPWO2019049791A1 (ja) | 2020-08-06 |
| TWI779077B (zh) | 2022-10-01 |
| EP3680943A4 (en) | 2021-05-26 |
| JP6957630B2 (ja) | 2021-11-02 |
| CN111033769B (zh) | 2023-03-14 |
| CN111033769A (zh) | 2020-04-17 |
| EP3680943B1 (en) | 2023-07-05 |
| EP3680943A1 (en) | 2020-07-15 |
| US20200220055A1 (en) | 2020-07-09 |
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