KR102337237B1 - Laminate structure, flexible copper clad laminate film including the same, method of manufacturing the laminate structure - Google Patents

Laminate structure, flexible copper clad laminate film including the same, method of manufacturing the laminate structure Download PDF

Info

Publication number
KR102337237B1
KR102337237B1 KR1020190053902A KR20190053902A KR102337237B1 KR 102337237 B1 KR102337237 B1 KR 102337237B1 KR 1020190053902 A KR1020190053902 A KR 1020190053902A KR 20190053902 A KR20190053902 A KR 20190053902A KR 102337237 B1 KR102337237 B1 KR 102337237B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plating layer
copper
nickel
orientation
ray diffraction
Prior art date
Application number
KR1020190053902A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20200129468A (en
Inventor
이정덕
이용호
정우득
이병국
Original Assignee
도레이첨단소재 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도레이첨단소재 주식회사 filed Critical 도레이첨단소재 주식회사
Priority to KR1020190053902A priority Critical patent/KR102337237B1/en
Priority to PCT/KR2020/005020 priority patent/WO2020226292A1/en
Priority to CN202080004036.0A priority patent/CN112513328B/en
Priority to JP2021521932A priority patent/JP7132435B2/en
Priority to TW109114834A priority patent/TWI757731B/en
Publication of KR20200129468A publication Critical patent/KR20200129468A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102337237B1 publication Critical patent/KR102337237B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1633Process of electroless plating
    • C23C18/1646Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165Multilayered product
    • C23C18/1651Two or more layers only obtained by electroless plating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1633Process of electroless plating
    • C23C18/1635Composition of the substrate
    • C23C18/1639Substrates other than metallic, e.g. inorganic or organic or non-conductive
    • C23C18/1641Organic substrates, e.g. resin, plastic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1633Process of electroless plating
    • C23C18/1646Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165Multilayered product
    • C23C18/1653Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1633Process of electroless plating
    • C23C18/1689After-treatment
    • C23C18/1692Heat-treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • C23C28/023Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48After-treatment of electroplated surfaces
    • C25D5/50After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24Reinforcing the conductive pattern
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/241Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/32Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
    • C23C18/34Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/48Coating with alloys
    • C23C18/50Coating with alloys with alloys based on iron, cobalt or nickel
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10Energy storage using batteries

Abstract

적층 구조체, 이를 포함하는 연성동박적층필름, 및 상기 적층 구조체의 제작방법이 개시된다. 상기 적층 구조체는 비전도성 고분자 기재; 상기 기재의 적어도 일 면에 배치된 니켈함유 도금층; 및 상기 니켈함유 도금층 상에 배치된 제1 구리 도금층;을 포함하고, 상기 제1 구리 도금층에 대하여 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면이 나타나고, 상기 비전도성 고분자 기재와 상기 니켈함유 도금층 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율이 1% 이하일 수 있다.A laminated structure, a flexible copper clad laminate including the same, and a manufacturing method of the laminated structure are disclosed. The laminated structure may include a non-conductive polymer substrate; a nickel-containing plating layer disposed on at least one surface of the substrate; and a first copper plating layer disposed on the nickel-containing plating layer, wherein a [111] orientation plane by X-ray diffraction (XRD) analysis appears with respect to the first copper plating layer, and the non-conductivity The peeling rate per 1 cm 2 unit area between the polymer substrate and the nickel-containing plating layer may be 1% or less.

Description

적층 구조체, 이를 포함하는 연성동박적층필름, 및 상기 적층 구조체의 제작방법{Laminate structure, flexible copper clad laminate film including the same, method of manufacturing the laminate structure}A laminate structure, a flexible copper clad laminate film including the same, and a method of manufacturing the laminate structure

적층 구조체, 이를 포함하는 연성동박적층필름, 및 상기 적층 구조체의 제작방법에 관한 것이다.It relates to a laminated structure, a flexible copper clad laminate including the same, and a method for manufacturing the laminated structure.

최근, 모바일 시장의 성장 가속화 및 LCD TV 모니터의 수요 증가에 따라 전자제품 및 반도체 집적회로 등의 분야에서 박막화, 소형화, 경량화, 내구성 및 고화질 특성을 갖는 소재의 개발이 촉진되고 있다. LCD용 드라이버 집적회로(IC)에 사용되는 연성동박적층필름(FCCL) 분야에서도 미세 패턴화, 박막화 및 내구성이 점차 요구되고 있다. Recently, in accordance with the acceleration of the growth of the mobile market and the increase in demand for LCD TV monitors, the development of materials having characteristics of thin film, miniaturization, light weight, durability, and high quality in the fields of electronic products and semiconductor integrated circuits has been promoted. In the field of flexible copper clad laminate (FCCL) used in driver integrated circuits (ICs) for LCDs, fine patterning, thinning and durability are increasingly required.

연성동박적층필름(FCCL)은 그 표면에 회로 패턴이 형성되고 상기 회로 패턴 상에 반도체 칩 등의 전자 소자가 실장되는 구조로 이루어져 있다. 최근, 상기 회로 패턴의 피치(pitch)가 23 ㎛ 이하인 제품이 증가하고 있고 피치와 선폭의 하향으로 인해 치수변화의 불안정성이 문제되고 있다. The flexible copper clad laminated film (FCCL) has a structure in which a circuit pattern is formed on the surface and an electronic device such as a semiconductor chip is mounted on the circuit pattern. Recently, the number of products having a pitch of the circuit pattern of 23 μm or less is increasing, and the instability of dimensional change is a problem due to a downward trend in pitch and line width.

이러한 문제를 해결하기 위하여 미세 회로 패턴 형성기술도 발전되고 있다. 그러나 미세 회로 패턴화를 위하여 기재와 금속층 간에 높은 접착력이 유지되어야 하고 이들 간의 박리되는 문제가 해결되어야 하는바 신규한 적층 구조체, 이를 포함하는 연성동박적층필름, 및 상기 적층 구조체의 제작방법에 대한 요구가 여전히 있다. In order to solve this problem, the fine circuit pattern forming technology is also being developed. However, for fine circuit patterning, high adhesion between the substrate and the metal layer must be maintained, and the problem of peeling between them must be solved. A new laminate structure, a flexible copper clad laminate including the same, and a method for manufacturing the laminate is still there

일 측면은 니켈함유 도금층 내 유기물, 첨가제, 응집가스 등의 불순물이 제거됨으로써 비전도성 고분자 기재와 상기 니켈함유 도금층의 밀착력이 향상될 수 있고 이들 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율이 감소될 수 있는 적층 구조체가 제공된다. In one aspect, by removing impurities such as organic matter, additives, and coagulation gas in the nickel-containing plating layer, the adhesion between the non-conductive polymer substrate and the nickel-containing plating layer can be improved, and the peeling rate per 1 cm 2 unit area therebetween can be reduced. A laminate structure is provided.

다른 측면은 상기 적층 구조체를 포함하는 연성동박적층필름이 제공된다.In another aspect, there is provided a flexible copper clad laminate including the laminate structure.

또다른 측면은 상기 적층 구조체의 제작방법이 제공된다.Another aspect provides a method of manufacturing the laminate structure.

일 측면에 따라,According to one aspect,

비전도성 고분자 기재;non-conductive polymer substrate;

상기 기재의 적어도 일 면에 배치된 니켈함유 도금층; 및a nickel-containing plating layer disposed on at least one surface of the substrate; and

상기 니켈함유 도금층 상에 배치된 제1 구리 도금층;을 포함하고, a first copper plating layer disposed on the nickel-containing plating layer;

상기 제1 구리 도금층에 대하여 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면이 나타나고,[111] azimuthal plane by X-ray diffraction (XRD) analysis appears with respect to the first copper plating layer,

상기 비전도성 고분자 기재와 상기 니켈함유 도금층 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율이 1% 이하인 적층 구조체가 제공된다.Between the non-conductive polymer substrate and the nickel-containing plating layer, there is provided a laminate structure having a peeling rate of 1% or less per 1 cm 2 unit area.

상기 제1 구리 도금층에 대하여 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [200] 방위면, [220] 방위면 및 [311] 방위면 중에서 하나 또는 둘의 방위면은 동시에 추가로 나타날 수 있다.One or both of the [200] azimuth, [220] azimuth, and [311] azimuth plane by X-ray diffraction (XRD) analysis with respect to the first copper plating layer may additionally appear at the same time can

상기 제1 구리 도금층에 대하여 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면, [200] 방위면, [220] 방위면 및 [311] 방위면은 동시에 나타나지 않을 수 있다.[111] azimuth, [200] azimuth, [220] azimuth, and [311] azimuth by X-ray diffraction (XRD) analysis with respect to the first copper plating layer may not appear at the same time .

상기 제1 구리 도금층에 대하여 하기 식 1에 따른 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면에 대한 [200] 방위면의 결정배향지수는 0 내지 25% 미만을 만족할 수 있다:For the first copper plating layer, the crystal orientation index of the [200] orientation with respect to the [111] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis according to Equation 1 below satisfies 0 to less than 25%. can:

[식 1][Equation 1]

결정배향지수(%) = I[200]/I[111] = {([200] 방위면의 X선 회절 피크세기/[111] 방위면의 X선 회절 피크세기) × 100}Crystal orientation index (%) = I [200] /I [111] = {(X-ray diffraction peak intensity in [200] azimuth/X-ray diffraction peak intensity in [111] azimuth) × 100}

상기 제1 구리 도금층에 대하여 하기 식 2에 따른 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면에 대한 [220] 방위면의 결정배향지수는 0 내지 15% 미만을 만족할 수 있다:For the first copper plating layer, the crystal orientation index of the [220] orientation with respect to the [111] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis according to Equation 2 below satisfies 0 to less than 15%. can:

[식 2][Equation 2]

결정배향지수(%) = I[220]/I[111] = {([220] 방위면의 X선 회절 피크세기/[111] 방위면의 X선 회절 피크세기) × 100}Crystal orientation index (%) = I [220] /I [111] = {(X-ray diffraction peak intensity in [220] orientation / X-ray diffraction peak intensity in [111] orientation) × 100}

상기 제1 구리 도금층에 대하여 하기 식 3에 따른 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면에 대한 [311] 방위면의 결정배향지수는 0 내지 14% 미만을 만족할 수 있다:For the first copper plating layer, the crystal orientation index of the [311] orientation with respect to the [111] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis according to Equation 3 below satisfies 0 to less than 14%. can:

[식 3][Equation 3]

결정배향지수(%) = I[311]/I[111] = {([311] 방위면의 X선 회절 피크세기/[111] 방위면의 X선 회절 피크세기) × 100}Crystal orientation index (%) = I [311] /I [111] = {(X-ray diffraction peak intensity in [311] orientation/X-ray diffraction peak intensity in [111] orientation) × 100}

상기 비전도성 고분자 기재는 페놀수지, 페놀알데히드 수지, 알릴 수지, 에폭시 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리에스테르 수지 및 폴리이미드 수지로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.The non-conductive polymer substrate may include at least one selected from a phenol resin, a phenolaldehyde resin, an allyl resin, an epoxy resin, a polyethylene resin, a polypropylene resin, a polyester resin, and a polyimide resin.

상기 비전도성 고분자 기재의 두께는 7 ㎛ 내지 50 ㎛일 수 있다.The thickness of the non-conductive polymer substrate may be 7 μm to 50 μm.

상기 니켈함유 도금층은 무전해 도금층일 수 있다.The nickel-containing plating layer may be an electroless plating layer.

상기 니켈함유 도금층은 니켈 또는 니켈합금을 포함할 수 있다.The nickel-containing plating layer may include nickel or a nickel alloy.

상기 니켈함유 도금층의 두께는 40 nm 내지 250 nm일 수 있다.The thickness of the nickel-containing plating layer may be 40 nm to 250 nm.

상기 제1 구리 도금층은 무전해 도금층일 수 있다.The first copper plating layer may be an electroless plating layer.

상기 제1 구리 도금층의 두께는 40 nm 내지 200 nm일 수 있다.The thickness of the first copper plating layer may be 40 nm to 200 nm.

상기 제1 구리 도금층 상에 제2 구리 도금층을 더 포함할 수 있다.A second copper plating layer may be further included on the first copper plating layer.

상기 제2 구리 도금층은 전해 도금층일 수 있다.The second copper plating layer may be an electrolytic plating layer.

상기 제2 구리 도금층의 두께는 0.5 ㎛ 내지 5.0 ㎛일 수 있다.The thickness of the second copper plating layer may be 0.5 μm to 5.0 μm.

다른 측면에 따라,According to the other aspect,

전술한 적층 구조체를 포함하는 연성동박적층필름이 제공된다.There is provided a flexible copper clad laminate including the above-described laminate structure.

또다른 측면에 따라,According to another aspect,

비전도성 고분자 기재의 적어도 일 면에 니켈함유 도금층을 형성하는 단계; forming a nickel-containing plating layer on at least one surface of the non-conductive polymer substrate;

상기 니켈함유 도금층 상에 제1 구리 도금층을 형성하는 단계; forming a first copper plating layer on the nickel-containing plating layer;

상기 제1 구리 도금층에 대하여 열처리하는 단계; 및 heat-treating the first copper plating layer; and

상기 가열처리한 제1 구리 도금층 상에 제2 구리 도금층을 형성하여 전술한 적층 구조체를 제조하는 단계;를 포함하는 적층 구조체의 제작방법이 제공된다.There is provided a method for manufacturing a laminated structure comprising; forming a second copper plating layer on the heat-treated first copper plating layer to prepare the above-described laminated structure.

상기 니켈함유 도금층 및 제1 구리 도금층은 각각 무전해 도금법에 의해 형성될 수 있다.Each of the nickel-containing plating layer and the first copper plating layer may be formed by an electroless plating method.

상기 열처리단계는 100 ℃ 내지 180 ℃의 온도에서 1분 내지 30 분간 열처리를 수행하는 공정을 포함할 수 있다.The heat treatment step may include a process of performing a heat treatment at a temperature of 100 ° C. to 180 ° C. for 1 minute to 30 minutes.

상기 제2 구리 도금층은 전해 도금법에 의해 형성될 수 있다.The second copper plating layer may be formed by an electrolytic plating method.

일 측면에 따른 적층 구조체는, 제1 구리 도금층에 대하여 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면이 나타나고, 상기 비전도성 고분자 기재와 상기 니켈함유 도금층 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율이 1% 이하일 수 있다. In the laminated structure according to one aspect, a [111] orientation plane by X-ray diffraction (XRD) analysis of the first copper plating layer appears, and 1 cm between the non-conductive polymer substrate and the nickel-containing plating layer 2 The peeling rate per unit area may be 1% or less.

다른 일 측면에 따른 적층 구조체의 제조방법은 제1 구리 도금층에 대하여 열처리하는 단계를 포함하여 니켈함유 도금층 내 유기물, 첨가제, 응집가스 등의 불순물이 제거될 수 있다. 이로 인해 상기 비전도성 고분자 기재와 상기 니켈함유 도금층 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율이 감소될 수 있다.The method of manufacturing a laminate structure according to another aspect may include heat-treating the first copper plating layer to remove impurities such as organic substances, additives, and coagulation gas in the nickel-containing plating layer. Due to this, the peeling rate per 1 cm 2 unit area between the non-conductive polymer substrate and the nickel-containing plating layer may be reduced.

도 1은 일 구현예에 따른 적층 구조체의 단면 모식도이다.
도 2(a)는 제1 구리 도금층의 결정구조를 나타내는 모식도이며; 도 2(b)는 제1 구리 도금층의 결정구조에서 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면을 나타내는 모식도이다.
도 3(a)는 제1 구리 도금층에 대한 결정구조에서 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면을 나타내며; 도 3(b)는 도 3(a)의 [111] 방위면의 각 모서리를 구성하는 구리입자(회색)들의 성장을 나타내며; 도 3(c)는 도 3(b)의 성장된 구리입자(회색)들 간에 발생한 인장 응력 및 탄성 에너지가 증가함을 나타내며; 도 3(d)는 도 3(c)의 성장된 구리입자(회색)들 간에 발생한 인장 응력 및 탄성 에너지의 내부 스트레스를 해소하기 위하여 밀도가 작고 안정한 상태인 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [200] 방위면으로 성장하는 과정을 나타내는 모식도이다.
도 4는 실시예 1~6에 의해 제조된 연성동박적층필름의 제1 구리 도금층에 대한 XRD(X선 회절)를 분석한 결과이다.
도 5는 실시예 7~10에 의해 제조된 연성동박적층필름의 제1 구리 도금층에 대한 XRD를 분석한 결과이다.
도 6은 비교예 1에 의해 제조된 연성동박적층필름의 제1 구리 도금층에 대한 XRD를 분석한 결과이다.
도 7a 및 도 7b는 각각 실시예 1에 의해 제조된 연성동박적층필름의 제1 구리 도금층에 대하여 대류열에 의한 열풍건조로 약 165 ℃의 온도에서 약 3 분간 열처리한 후 폴리이미드 필름과 니켈 도금층 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율을 평가하기 위한 사진 및 광학현미경 이미지이다.
도 7c 및 도 7d는 각각 비교예 1에 의해 제조된 연성동박적층필름의 제1 구리 도금층에 대하여 열처리를 수행하지 않고 폴리이미드 필름과 니켈 도금층 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율을 평가하기 위한 사진 및 광학현미경 이미지이다.
1 is a schematic cross-sectional view of a laminated structure according to an embodiment.
Figure 2 (a) is a schematic diagram showing the crystal structure of the first copper plating layer; FIG. 2(b) is a schematic diagram showing the [111] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis in the crystal structure of the first copper plating layer.
3(a) shows the [111] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis in the crystal structure of the first copper plating layer; Fig. 3(b) shows the growth of copper particles (gray) constituting each corner of the [111] orientation plane of Fig. 3(a); Fig. 3(c) shows that the tensile stress and elastic energy generated between the grown copper particles (gray) of Fig. 3(b) increase; FIG. 3(d) shows X-ray diffraction (XRD) in a stable state with a small density in order to resolve the internal stress of tensile stress and elastic energy generated between the grown copper particles (gray) of FIG. 3(c). ) is a schematic diagram showing the process of growth in the [200] orientation by analysis.
4 is a result of XRD (X-ray diffraction) analysis of the first copper plating layer of the flexible copper clad laminated film prepared in Examples 1 to 6;
5 is a result of XRD analysis of the first copper plating layer of the flexible copper clad laminated film prepared in Examples 7 to 10.
6 is a result of XRD analysis of the first copper plating layer of the flexible copper clad laminated film prepared in Comparative Example 1. Referring to FIG.
7A and 7B show the first copper plating layer of the flexible copper clad laminate film prepared in Example 1, after heat treatment at a temperature of about 165° C. for about 3 minutes by hot air drying by convection heat, between the polyimide film and the nickel plating layer. Here are photographs and optical microscopy images to evaluate the rate of peeling per 1 cm 2 unit area.
7c and 7d are, respectively, between the polyimide film and the nickel plated layer without heat treatment on the first copper plated layer of the flexible copper clad laminated film prepared in Comparative Example 1 1 cm 2 Photographs for evaluating the rate of peeling per unit area and an optical microscope image.

이하, 본 발명의 실시예와 도면을 참조하여 적층 구조체, 이를 포함하는 연성동박적층필름, 및 상기 적층 구조체의 제작방법에 관해 상세히 설명한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위해 예시적으로 제시한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가지는 자에 있어서 자명할 것이다.Hereinafter, a laminated structure, a flexible copper clad laminate including the same, and a method of manufacturing the laminated structure will be described in detail with reference to embodiments and drawings of the present invention. It will be apparent to those of ordinary skill in the art that these examples are merely presented by way of example to explain the present invention in more detail, and that the scope of the present invention is not limited by these examples. .

달리 정의하지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 기술분야의 숙련자에 의해 통상적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 갖는다. 상충되는 경우, 정의를 포함하는 본 명세서가 우선할 것이다.Unless defined otherwise, all technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. In case of conflict, the present specification, including definitions, will control.

본 명세서에서 설명되는 것과 유사하거나 동등한 방법 및 재료가 본 발명의 실시 또는 시험에 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 재료가 본 명세서에 기재된다. Although methods and materials similar or equivalent to those described herein can be used in the practice or testing of the present invention, suitable methods and materials are described herein.

본 명세서에서 "상에(또는 위에)"라는 용어는 다른 부분 "직접 상에(또는 직접 위에)" 위치하고 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 개재되어 있는 경우도 포함한다. 반대로, "직접 상에(또는 직접 위에)"라는 용어는 중간에 다른 부분이 개재되어 있지 않은 것을 의미한다.As used herein, the term “on (or on)” includes not only a case in which another part is located “directly on (or directly on)” but also a case in which another part is interposed therebetween. Conversely, the term “directly on (or directly on)” means without intervening other portions.

일반적으로 동박적층필름(CCL) 분야에서는 금속층의 특성 변화에 따라 입자가 공극 및 내부응력이 발생할 수 있다. 또한 후도금 공정을 거칠 경우 금속층 내부의 유기물, 첨가제, 응집가스 등의 불순물이 분출함으로써 동박적층필름 표면에 품질이상이 발생할 수 있다. 나아가 상기 동박적층필름에 대한 에칭 공정 및 회로 패턴 형성시 기재와 금속층 간의 접착력 부족으로 패턴 박리 현상이 발생할 수 있다.In general, in the field of copper clad laminated film (CCL), voids and internal stress may occur in the particles according to the change in the properties of the metal layer. In addition, when the post-plating process is performed, impurities such as organic matter, additives, and coagulant gas are ejected from the inside of the metal layer, which may cause quality defects on the surface of the copper clad laminate. Furthermore, the pattern peeling phenomenon may occur due to insufficient adhesion between the substrate and the metal layer during the etching process for the copper clad laminate film and the circuit pattern formation.

본 발명의 발명자들은 상기 문제점을 개선하고자 다음과 같은 적층 구조체를 제안하고자 한다.The inventors of the present invention intend to propose the following laminated structure in order to improve the above problems.

일 구현예에 따른 적층 구조체는 비전도성 고분자 기재; 상기 기재의 적어도 일 면에 배치된 니켈함유 도금층; 및 상기 니켈함유 도금층 상에 배치된 제1 구리 도금층;을 포함할 수 있고, 상기 제1 구리 도금층에 대하여 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면이 나타나고, 상기 비전도성 고분자 기재와 상기 니켈함유 도금층 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율이 1% 이하일 수 있다.A laminate structure according to an embodiment includes a non-conductive polymer substrate; a nickel-containing plating layer disposed on at least one surface of the substrate; and a first copper plating layer disposed on the nickel-containing plating layer, wherein a [111] orientation plane by X-ray diffraction (XRD) analysis appears with respect to the first copper plating layer, and the Between the non-conductive polymer substrate and the nickel-containing plating layer, the peeling rate per 1 cm 2 unit area may be 1% or less.

일 구현예에 따른 적층 구조체는 비전도성 고분자 기재; 상기 기재의 일면 또는 양면에 배치된 니켈함유 도금층; 및 상기 니켈함유 도금층 상에 배치된 제1 구리 도금층;을 포함할 수 있다. A laminate structure according to an embodiment includes a non-conductive polymer substrate; a nickel-containing plating layer disposed on one or both surfaces of the substrate; and a first copper plating layer disposed on the nickel-containing plating layer.

도 1은 일 구현예에 따른 적층 구조체의 단면 모식도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a laminated structure according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 일 구현예에 따른 적층 구조체는 예를 들어, 비전도성 고분자 기재(1)의 양면에 배치된 니켈함유 도금층(2, 2'); 및 상기 니켈함유 도금층(2, 2') 상에 각각 배치된 제1 구리 도금층(3, 3');을 포함하고, 비전도성 고분자 기재(1)를 기준으로 윗방향으로 제1 면(5)과 아래방향으로 제2 면(6)을 갖는 적층 구조체(10)일 수 있다. Referring to FIG. 1 , a laminate structure according to an embodiment includes, for example, nickel-containing plating layers 2 and 2 ′ disposed on both surfaces of a non-conductive polymer substrate 1 ; and a first copper plating layer (3, 3') respectively disposed on the nickel-containing plating layer (2, 2'); And it may be a laminated structure 10 having a second surface 6 in the downward direction.

도 2(a)는 제1 구리 도금층의 결정구조를 나타내는 모식도이다. 도 2(b)는 제1 구리 도금층의 결정구조에서 [111] 방위면을 나타내는 모식도이다.2(a) is a schematic diagram showing a crystal structure of a first copper plating layer. FIG. 2(b) is a schematic diagram showing the [111] orientation plane in the crystal structure of the first copper plating layer.

도 2(a)를 참조하면, 제1 구리 도금층(3, 3')의 결정구조는 면심입방구조를 나타내고 있다. 도 2(b)를 참조하면, 제1 구리 도금층(3, 3')의 결정구조에서 가장 안정한 방위면인 [111] 방위면을 나타내고 있다. 상기 [111] 방위면은 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의해 확인할 수 있다.Referring to FIG. 2( a ), the crystal structure of the first copper plating layers 3 and 3 ′ represents a face-centered cubic structure. Referring to FIG. 2(b) , the [111] orientation plane, which is the most stable orientation plane in the crystal structure of the first copper plating layers 3 and 3', is shown. The [111] orientation can be confirmed by X-ray diffraction (XRD) analysis.

상기 비전도성 고분자 기재(1)와 상기 니켈함유 도금층(2, 2') 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율은 1% 이하일 수 있다. 이러한 박리발생율을 갖는 적층 구조체(10)는 상기 적층 구조체(10) 상에 미세 패턴을 형성하더라도 상기 비전도성 고분자 기재(1)와 상기 니켈함유 도금층(2, 2') 사이에 우수한 접착력이 유지될 수 있다. The peeling rate per 1 cm 2 unit area between the non-conductive polymer substrate 1 and the nickel-containing plating layers 2 and 2' may be 1% or less. In the laminated structure 10 having such a peeling rate, excellent adhesion between the non-conductive polymer substrate 1 and the nickel-containing plating layers 2 and 2' is maintained even when a fine pattern is formed on the laminated structure 10. can

상기 제1 구리 도금층(3, 3')에 대하여 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [200] 방위면, [220] 방위면 및 [311] 방위면 중에서 하나 또는 둘의 방위면은 동시에 추가로 나타날 수 있다. One or two orientations of the [200] orientation, [220] orientation, and [311] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis with respect to the first copper plating layers 3 and 3' Additional faces may appear at the same time.

도 3(a)는 제1 구리 도금층에 대한 결정구조에서 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면을 나타내며; 도 3(b)는 도 3(a)의 [111] 방위면의 각 모서리를 구성하는 구리입자(회색)들의 성장을 나타내며; 도 3(c)는 도 3(b)의 성장된 구리입자(회색)들 간에 발생한 인장 응력 및 탄성 에너지가 증가함을 나타내며; 도 3(d)는 도 3(c)의 성장된 구리입자(회색)들 간에 발생한 인장 응력 및 탄성 에너지의 내부 스트레스를 해소하기 위하여 밀도가 작고 안정한 상태인 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [200] 방위면으로 성장하는 과정을 나타내는 모식도이다. 3(a) shows the [111] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis in the crystal structure of the first copper plating layer; Fig. 3(b) shows the growth of copper particles (gray) constituting each corner of the [111] orientation plane of Fig. 3(a); Fig. 3(c) shows that the tensile stress and elastic energy generated between the grown copper particles (gray) of Fig. 3(b) increase; FIG. 3(d) shows X-ray diffraction (XRD) in a stable state with a small density in order to resolve the internal stress of tensile stress and elastic energy generated between the grown copper particles (gray) of FIG. 3(c). ) is a schematic diagram showing the process of growth in the [200] orientation by analysis.

도 3(a)를 참조하면, 제1 구리 도금층(3, 3')은 구리입자(회색)들이 각 모서리의 꼭지점에 배치되어 있는 면심입방구조를 이루고 있고, 입계(grain boundary)를 줄이기 위하여 주성장면으로서 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면을 나타내고 있다. 도 3(b)를 참조하면, 제1 구리 도금층(3, 3')은 도 3(a)의 상기 [111] 방위면의 각 모서리를 구성하는 구리입자(회색)들이 성장하고 입계 면적이 줄어들면서 이들 간에 인장응력이 발생함을 나타내고 있다. 도 3(c)를 참조하면, 제1 구리 도금층(3, 3')은 도 3(b)의 성장된 구리입자(회색)들 간에 인장 응력이 증가하고 이에 따라 탄성 에너지가 증가함을 나타내고 있다. 도 3(d)를 참조하면, 제1 구리 도금층(3, 3')은 도 3(c)의 성장된 구리입자(회색)들 간에 발생한 인장 응력 및 탄성 에너지의 내부 스트레스를 해소하기 위하여 밀도가 작고 안정한 상태인 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [200] 방위면으로 성장하는 과정을 보여주고 있다.Referring to FIG. 3( a ), the first copper plating layers 3 and 3 ′ have a face-centered cubic structure in which copper particles (gray) are arranged at the vertices of each corner, and are cast to reduce grain boundaries. As a scene, the [111] azimuth by X-ray diffraction (XRD) analysis is shown. Referring to FIG. 3(b), in the first copper plating layers 3 and 3', copper particles (gray) constituting each corner of the [111] orientation of FIG. 3(a) grow and the grain boundary area decreases. This indicates that tensile stress is generated between them. Referring to FIG. 3 ( c ), the first copper plating layers 3 and 3 ′ show that the tensile stress increases between the grown copper particles (gray) of FIG. 3 ( b ) and, accordingly, the elastic energy increases. . Referring to FIG. 3(d), the first copper plating layers 3 and 3' have a density in order to resolve the internal stress of tensile stress and elastic energy generated between the grown copper particles (gray) of FIG. 3(c). It shows the process of growth in the [200] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis in a small and stable state.

상기 제1 구리 도금층(3, 3')에 대하여 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면, [200] 방위면, [220] 방위면 및 [311] 방위면은 동시에 나타나지 않을 수 있다. 이러한 제1 구리 도금층(3, 3')은 열적 손상이 차단될 수 있으며 균일한 도금층이 형성될 수 있다. [111] azimuth, [200] azimuth, [220] azimuth, and [311] azimuth by X-ray diffraction (XRD) analysis with respect to the first copper plating layers 3 and 3' may not appear at the same time. The first copper plating layers 3 and 3 ′ may block thermal damage, and a uniform plating layer may be formed.

상기 제1 구리 도금층(3, 3')에 대하여 하기 식 1에 따른 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면에 대한 [200] 방위면의 결정배향지수는 0 내지 25% 미만을 만족할 수 있다:The crystal orientation index of the [200] orientation with respect to the [111] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis according to Equation 1 for the first copper plating layers 3 and 3' is 0 to less than 25% may be satisfied:

[식 1][Equation 1]

결정배향지수(%) = I[200]/I[111] = {([200] 방위면의 X선 회절 피크세기/[111] 방위면의 X선 회절 피크세기) × 100}Crystal orientation index (%) = I [200] /I [111] = {(X-ray diffraction peak intensity in [200] azimuth/X-ray diffraction peak intensity in [111] azimuth) × 100}

예를 들어, 제1 구리 도금층(3, 3')에 대하여 상기 식 1에 따른 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면에 대한 [200] 방위면의 결정배향지수는 0.01 내지 25% 미만을 만족할 수 있다.For example, the crystal orientation of the [200] orientation with respect to the [111] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis according to Equation 1 for the first copper plating layers 3 and 3' The index may satisfy 0.01 to less than 25%.

상기 제1 구리 도금층(3, 3')에 대하여 하기 식 2에 따른 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면에 대한 [220] 방위면의 결정배향지수는 0 내지 15% 미만을 만족할 수 있다:The crystal orientation index of the [220] orientation with respect to the [111] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis according to Equation 2 for the first copper plating layers 3 and 3' is 0 to less than 15% may be satisfied:

[식 2][Equation 2]

결정배향지수(%) = I[220]/I[111] = {([220] 방위면의 X선 회절 피크세기/[111] 방위면의 X선 회절 피크세기) × 100}Crystal orientation index (%) = I [220] /I [111] = {(X-ray diffraction peak intensity in [220] orientation / X-ray diffraction peak intensity in [111] orientation) × 100}

예를 들어, 상기 제1 구리 도금층(3, 3')에 대하여 하기 식 2에 따른 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면에 대한 [220] 방위면의 결정배향지수는 0.01 내지 15% 미만을 만족할 수 있다.For example, determination of the [220] orientation with respect to the [111] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis according to Equation 2 below with respect to the first copper plating layers 3 and 3' The orientation index may satisfy 0.01 to less than 15%.

상기 제1 구리 도금층(3, 3')에 대하여 하기 식 3에 따른 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면에 대한 [311] 방위면의 결정배향지수는 0 내지 14% 미만을 만족할 수 있다:The crystal orientation index of the [311] orientation with respect to the [111] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis according to Equation 3 for the first copper plating layers 3 and 3' is 0 to less than 14% may be satisfied:

[식 3][Equation 3]

결정배향지수(%) = I[311]/I[111] = {([311] 방위면의 X선 회절 피크세기/[111] 방위면의 X선 회절 피크세기) × 100}Crystal orientation index (%) = I [311] /I [111] = {(X-ray diffraction peak intensity in [311] orientation/X-ray diffraction peak intensity in [111] orientation) × 100}

예를 들어, 상기 제1 구리 도금층(3, 3')에 대하여 하기 식 3에 따른 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면에 대한 [311] 방위면의 결정배향지수는 0.01 내지 14% 미만을 만족할 수 있다:For example, determination of the [311] orientation with respect to the [111] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis according to Equation 3 for the first copper plating layers 3 and 3' The orientation index may satisfy 0.01 to less than 14%:

상기 제1 구리 도금층(3, 3')에 대하여 상기 식 1, 식 2, 또는/및 식 3에 따른 선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면에 대한 [200] 방위면, [220] 방위면, 또는/및 [311] 방위면의 결정배향지수를 만족한다면, 상기 비전도성 고분자 기재와 상기 니켈함유 도금층 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율이 매우 감소될 수 있다.[200] for the [111] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis according to Equation 1, Equation 2, or/and Equation 3 for the first copper plating layers 3 and 3' If the crystal orientation index of the orientation plane, the [220] orientation plane, or / and the [311] orientation plane is satisfied, the peeling rate per 1 cm 2 unit area between the non-conductive polymer substrate and the nickel-containing plating layer can be greatly reduced. .

상기 비전도성 고분자 기재(1)는 페놀수지, 페놀알데히드 수지, 알릴 수지, 에폭시 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리에스테르 수지 및 폴리이미드 수지로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 비전도성 고분자 기재(1)는 폴리에스테르 수지 및 폴리이미드 수지로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 비전도성 고분자 기재(1)는 폴리이미드 수지일 수 있다. The non-conductive polymer substrate 1 may include at least one selected from a phenol resin, a phenolaldehyde resin, an allyl resin, an epoxy resin, a polyethylene resin, a polypropylene resin, a polyester resin, and a polyimide resin. For example, the non-conductive polymer substrate 1 may include at least one selected from a polyester resin and a polyimide resin. For example, the non-conductive polymer substrate 1 may be a polyimide resin.

상기 비전도성 고분자 기재(1)의 두께는 7 ㎛ 내지 50 ㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 비전도성 고분자 기재(1)의 두께는 7 ㎛ 내지 40 ㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 비전도성 고분자 기재(1)의 두께는 7 ㎛ 내지 30 ㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 비전도성 고분자 기재(1)의 두께는 7 ㎛ 내지 25 ㎛일 수 있다. 상기 비전도성 고분자 기재(1)의 두께가 7 ㎛ 미만이면 적층필름 제조시 생산성이 저하될 수 있으며, 50 ㎛를 초과하면 박막화가 이루어지지 않을 수 있다.The thickness of the non-conductive polymer substrate 1 may be 7 μm to 50 μm. For example, the non-conductive polymer substrate 1 may have a thickness of 7 μm to 40 μm. For example, the non-conductive polymer substrate 1 may have a thickness of 7 μm to 30 μm. For example, the non-conductive polymer substrate 1 may have a thickness of 7 μm to 25 μm. If the thickness of the non-conductive polymer substrate 1 is less than 7 μm, productivity may decrease when manufacturing the laminated film, and if it exceeds 50 μm, thinning may not be achieved.

또한 상기 비전도성 고분자 기재(1)는 상기 기재(1) 상에 플라즈마 처리 등의 표면처리를 할 수 있다. 상기 표면처리는 상기 기재(1) 표면의 화학적 활성과 거칠기를 향상시켜 금속층과의 우수한 접착력을 용이하게 확보할 수 있다. In addition, the non-conductive polymer substrate 1 may be subjected to a surface treatment such as plasma treatment on the substrate 1 . The surface treatment may improve the chemical activity and roughness of the surface of the substrate 1 to easily secure excellent adhesion to the metal layer.

상기 니켈함유 도금층(2, 2')은 무전해 도금층일 수 있다. 상기 니켈함유 도금층(2, 2')에 대하여 일반적인 스퍼터링 방식의 플라즈마 표면처리는 상기 비전도성 고분자 기재와의 접착력을 확보할 수 있지만, 25 ㎛ 이하 두께의 박막 비전도성 고분자 기재(1) 가공시 열적 손상이 발생할 수 있다. 이러한 열적 손상을 극복하기 위하여 상기 니켈함유 도금층(2, 2')은 수용액 상태에서 금속을 증착시키는 무전해 도금법을 이용한 무전해 니켈함유 도금층을 형성함으로써 상기 기재(1)와의 접착력을 향상시키고 열적 손상을 방지할 수 있다. The nickel-containing plating layers 2 and 2' may be an electroless plating layer. Plasma surface treatment of the general sputtering method for the nickel-containing plating layer (2, 2') can secure the adhesion to the non-conductive polymer substrate, but when processing the thin film non-conductive polymer substrate (1) with a thickness of 25 μm or less, thermal damage may occur. In order to overcome such thermal damage, the nickel-containing plating layers 2 and 2 ′ improve adhesion to the substrate 1 by forming an electroless nickel-containing plating layer using an electroless plating method of depositing a metal in an aqueous solution state, thereby improving the adhesion and thermal damage. can prevent

상기 니켈함유 도금층(2, 2')은 니켈 또는 니켈합금을 포함할 수 있다. 상기 니켈합금은 Ni과, Cr, Mo, 및 Nb로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. The nickel-containing plating layers 2 and 2' may include nickel or a nickel alloy. The nickel alloy may include Ni and at least one selected from Cr, Mo, and Nb.

상기 니켈함유 도금층(2, 2')의 두께는 40 nm 내지 250 nm일 수 있다. 예를 들어, 상기 니켈함유 도금층(2, 2')의 두께는 50 nm 내지 250 nm일 수 있다. 예를 들어, 상기 니켈함유 도금층(2, 2')의 두께는 60 nm 내지 250 nm일 수 있다. 예를 들어, 상기 니켈함유 도금층(2, 2')의 두께는 70 nm 내지 250 nm일 수 있다. 예를 들어, 상기 니켈함유 도금층(2, 2')의 두께는 80 nm 내지 250 nm일 수 있다. 예를 들어, 상기 니켈함유 도금층(2, 2')의 두께는 90 nm 내지 250 nm일 수 있다. 예를 들어, 상기 니켈함유 도금층(2, 2')의 두께는 100 nm 내지 250 nm일 수 있다. 상기 니켈함유 도금층(2, 2')이 상기 범위의 두께를 갖는 경우 유기물, 첨가제, 응집가스 등의 불순물이 감소함에 따라 니켈함유 도금층(2, 2') 특성이 향상될 수 있다.The thickness of the nickel-containing plating layers 2 and 2' may be 40 nm to 250 nm. For example, the thickness of the nickel-containing plating layers 2 and 2' may be 50 nm to 250 nm. For example, the thickness of the nickel-containing plating layers 2 and 2' may be 60 nm to 250 nm. For example, the thickness of the nickel-containing plating layers 2 and 2' may be 70 nm to 250 nm. For example, the thickness of the nickel-containing plating layers 2 and 2' may be 80 nm to 250 nm. For example, the thickness of the nickel-containing plating layers 2 and 2' may be 90 nm to 250 nm. For example, the thickness of the nickel-containing plating layer (2, 2') may be 100 nm to 250 nm. When the nickel-containing plating layers 2 and 2' have a thickness within the above range, the characteristics of the nickel-containing plating layers 2 and 2' may be improved as impurities such as organic matter, additives, and coagulant gas are reduced.

상기 제1 구리 도금층(3, 3')은 무전해 도금층일 수 있다. 상기 무전해 도금층 형성시 사용되는 수용액은 당해 기술분야에서 사용될 수 있는 모든 무전해 도금층 형성용 수용액이 사용될 수 있다. The first copper plating layers 3 and 3' may be an electroless plating layer. As the aqueous solution used for forming the electroless plating layer, any aqueous solution for forming the electroless plating layer that can be used in the art may be used.

상기 제1 구리 도금층(3, 3')의 두께는 40 nm 내지 200 nm일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 구리 도금층(3, 3')의 두께는 50 nm 내지 250 nm일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 구리 도금층(3, 3')의 두께는 60 nm 내지 250 nm일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 구리 도금층(3, 3')의 두께는 70 nm 내지 250 nm일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 구리 도금층(3, 3')의 두께는 80 nm 내지 250 nm일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 구리 도금층(3, 3')의 두께는 90 nm 내지 250 nm일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 구리 도금층(3, 3')의 두께는 100 nm 내지 250 nm일 수 있다.The thickness of the first copper plating layers 3 and 3' may be 40 nm to 200 nm. For example, the thickness of the first copper plating layers 3 and 3' may be 50 nm to 250 nm. For example, the thickness of the first copper plating layers 3 and 3' may be 60 nm to 250 nm. For example, the thickness of the first copper plating layers 3 and 3' may be 70 nm to 250 nm. For example, the thickness of the first copper plating layers 3 and 3' may be 80 nm to 250 nm. For example, the thickness of the first copper plating layers 3 and 3 ′ may be 90 nm to 250 nm. For example, the thickness of the first copper plating layers 3 and 3' may be 100 nm to 250 nm.

도 1에서 보이는 바와 같이, 상기 제1 구리 도금층(3, 3') 상에 제2 구리 도금층(4, 4')을 더 포함할 수 있다. As shown in FIG. 1 , second copper plating layers 4 and 4 ′ may be further included on the first copper plating layers 3 and 3 ′.

상기 제2 구리 도금층(4, 4')은 전해 도금층일 수 있다. 상기 전해 도금층 형성방법은 당해 기술분야에서 사용가능한 모든 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 황산구리 및 황산을 기본물질로 하여 전해도금을 실시하여 제1 구리 도금층(3, 3') 상에 전해 도금층을 형성할 수 있다.The second copper plating layers 4 and 4' may be an electrolytic plating layer. As the method for forming the electrolytic plating layer, any method available in the art may be used. For example, an electrolytic plating may be performed using copper sulfate and sulfuric acid as basic materials to form an electrolytic plating layer on the first copper plating layers 3 and 3'.

상기 제2 구리 도금층(4, 4')의 두께는 0.5 ㎛ 내지 5,0 ㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 구리 도금층(4, 4')의 두께는 0.5 ㎛ 내지 4.5 ㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 구리 도금층(4, 4')의 두께는 0.5 ㎛ 내지 4.0 ㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 구리 도금층(4, 4')의 두께는 0.5 ㎛ 내지 3.5 ㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 구리 도금층(4, 4')의 두께는 0.5 ㎛ 내지 3.0 ㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 구리 도금층(4, 4')의 두께는 0.5 ㎛ 내지 2.5 ㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 구리 도금층(4, 4')의 두께는 0.5 ㎛ 내지 2.0 ㎛일 수 있다.The thickness of the second copper plating layers 4 and 4' may be 0.5 μm to 5.0 μm. For example, the thickness of the second copper plating layers 4 and 4 ′ may be 0.5 μm to 4.5 μm. For example, the thickness of the second copper plating layers 4 and 4 ′ may be 0.5 μm to 4.0 μm. For example, the thickness of the second copper plating layers 4 and 4 ′ may be 0.5 μm to 3.5 μm. For example, the thickness of the second copper plating layers 4 and 4' may be 0.5 μm to 3.0 μm. For example, the thickness of the second copper plating layers 4 and 4' may be 0.5 μm to 2.5 μm. For example, the thickness of the second copper plating layers 4 and 4 ′ may be 0.5 μm to 2.0 μm.

다른 일 구현예에 따른 연성동박적층필름(10)은 전술한 적층 구조체를 포함할 수 있다. 상기 연성동박적층필름(10)은 니켈함유 도금층 내 유기물, 첨가제, 응집가스 등의 불순물이 제거될 수 있다. 이로 인해 상기 비전도성 고분자 기재(1)와 상기 니켈함유 도금층(2, 2') 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율이 감소될 수 있다.The flexible copper clad laminated film 10 according to another embodiment may include the above-described laminate structure. In the flexible copper clad laminate film 10 , impurities such as organic matter, additives, and coagulant gas in the nickel-containing plating layer may be removed. Due to this, the peeling rate per 1 cm 2 unit area between the non-conductive polymer substrate 1 and the nickel-containing plating layers 2 and 2' may be reduced.

또다른 일 구현예에 따른 적층 구조체의 제조방법은 비전도성 고분자 기재의 적어도 일 면에 니켈함유 도금층을 형성하는 단계; 상기 니켈함유 도금층 상에 제1 구리 도금층을 형성하는 단계; 상기 제1 구리 도금층에 대하여 열처리하는 단계; 및 상기 가열처리한 제1 구리 도금층 상에 제2 구리 도금층을 형성하여 전술한 적층 구조체를 제조하는 단계;를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a laminate structure according to another embodiment includes: forming a nickel-containing plating layer on at least one surface of a non-conductive polymer substrate; forming a first copper plating layer on the nickel-containing plating layer; heat-treating the first copper plating layer; and forming a second copper plating layer on the heat-treated first copper plating layer to prepare the above-described laminated structure.

상기 적층 구조체의 제조방법은 제1 구리 도금층에 대하여 열처리하는 단계를 포함하여 니켈함유 도금층 내 유기물, 첨가제, 응집가스 등의 불순물이 제거될 수 있다. 이로 인해 상기 비전도성 고분자 기재와 상기 니켈함유 도금층 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율이 감소될 수 있다.The manufacturing method of the laminated structure may include heat-treating the first copper plating layer to remove impurities such as organic matter, additives, and coagulation gas in the nickel-containing plating layer. Due to this, the peeling rate per 1 cm 2 unit area between the non-conductive polymer substrate and the nickel-containing plating layer may be reduced.

상기 니켈함유 도금층 및 제1 구리 도금층은 각각 무전해 도금법에 의해 형성될 수 있다. 상기 무전해 도금층 형성시 사용되는 수용액은 당해 기술분야에서 사용될 수 있는 모든 무전해 도금층 형성용 수용액이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 니켈함유 도금층에 사용되는 무전해 니켈함유 도금층용 수용액은 수용성 니켈염, 환원제 및 착화제를 포함할 수 있다.Each of the nickel-containing plating layer and the first copper plating layer may be formed by an electroless plating method. As the aqueous solution used for forming the electroless plating layer, any aqueous solution for forming the electroless plating layer that can be used in the art may be used. For example, the aqueous solution for the electroless nickel-containing plating layer used for the nickel-containing plating layer may include a water-soluble nickel salt, a reducing agent, and a complexing agent.

상기 열처리단계는 100 ℃ 내지 180 ℃의 온도에서 1분 내지 30 분간 열처리를 수행하는 공정을 포함할 수 있다. 상기 열처리를 수행하는 공정은 대류열에 의한 열풍 건조방식, IR 히터열에 의한 복사열 방식, 또는 이들 혼합방식을 이용할 수 있다. 상기 열처리 단계의 온도 및 시간 범위 내에서 상기 니켈함유 도금층 내 유기물, 첨가제, 응집가스 등의 불순물이 완전히 제거되어 상기 비전도성 고분자 기재와 상기 니켈함유 도금층 사이에 접착력 부족으로 인한 들뜸 현상을 방지할 수 있으며, 이들 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율이 감소될 수 있다.The heat treatment step may include a process of performing a heat treatment at a temperature of 100 ° C. to 180 ° C. for 1 minute to 30 minutes. The process of performing the heat treatment may use a hot air drying method by convection heat, a radiant heat method by IR heater heat, or a mixture thereof. Impurities such as organic matter, additives, and coagulant gas in the nickel-containing plating layer are completely removed within the temperature and time range of the heat treatment step, so that lifting caused by insufficient adhesion between the non-conductive polymer substrate and the nickel-containing plating layer can be prevented. and 1 cm 2 between them The rate of occurrence of peeling per unit area may be reduced.

상기 제2 구리 도금층은 전해 도금법에 의해 형성될 수 있다. 상기 전해 도금법에 사용되는 도금액은 구리가 15 내지 40g/L, 예를 들어 15 내지 38 g/L, 예를 들어 17 내지 36 g/L 농도로 포함된 도금액을 사용할 수 있다. 상기 도금액의 온도는 22 내지 37 ℃, 예를 들어 25 내지 35℃, 예를 들어 27 내지 34℃로 유지될 수 있다. 상기 범위 내의 온도를 유지한다면 상기 제2 구리 도금층 형성이 용이하면서 생산성이 우수하다. 또한 상기 도금액에 생산성 및 표면 균일성을 위하여 광택제, 레벨러, 보정제, 또는 완화제 등의 첨가제가 첨가될 수 있다. The second copper plating layer may be formed by an electrolytic plating method. The plating solution used in the electrolytic plating method may include a plating solution containing copper at a concentration of 15 to 40 g/L, for example, 15 to 38 g/L, for example, 17 to 36 g/L. The temperature of the plating solution may be maintained at 22 to 37 °C, for example, 25 to 35 °C, for example, 27 to 34 °C. If the temperature is maintained within the above range, it is easy to form the second copper plating layer and the productivity is excellent. In addition, additives such as a brightener, a leveler, a corrector, or an emollient may be added to the plating solution for productivity and surface uniformity.

이하, 실시예와 비교예를 통하여 본 발명의 구성 및 그에 따른 효과를 보다 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 본 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 한정되지 않는다는 것은 자명한 사실일 것이다.Hereinafter, the configuration of the present invention and its effects will be described in more detail through Examples and Comparative Examples. However, it will be apparent that these examples are for illustrating the present invention in more detail, and that the scope of the present invention is not limited to these examples.

[실시예] [Example]

실시예Example 1: One: 연성동박적층필름Flexible copper clad laminated film

비전도성 고분자 기재로서 25 ㎛ 두께의 폴리이미드 필름(Kapton 100ENC, TDC 제조)을 준비하였다. 상기 폴리이미드 필름의 양 면에 하기 무전해 니켈 도금액을 이용하여 수직 또는 수평방향으로 진행되는 무전해 니켈 도금법에 의해 약 100 ㎚ 두께의 니켈 도금층을 각각 형성하였다. 상기 니켈 도금층 상에 하기 무전해 구리 도금액을 이용하여 무전해 구리 도금법에 의해 약 100 ㎚ 두께의 제1 구리 도금층을 각각 형성하였다. 상기 제1 구리 도금층 각각에 대하여 대류열에 의한 열풍건조로 약 165 ℃의 온도에서 약 3 분간 열처리를 수행하였다. 상기 열처리가 수행된 제1 구리 도금층 상에 전해 도금법을 이용하여 약 2 ㎛ 두께의 제2 구리 도금층을 각각 형성함으로써 도 1에서 보이는 바와 같이 폴리이미드 필름을 기준으로 할 때 윗방향으로 제1면과 아래방향으로 제2면으로 구성된 연성동박적층필름을 제작하였다. non-conductive A 25 μm thick polyimide film (Kapton 100ENC, manufactured by TDC) was prepared as a polymer substrate. A nickel plating layer having a thickness of about 100 nm was respectively formed on both surfaces of the polyimide film by an electroless nickel plating method performed in a vertical or horizontal direction using the following electroless nickel plating solution. A first copper plating layer having a thickness of about 100 nm was respectively formed on the nickel plating layer by an electroless copper plating method using the following electroless copper plating solution. Heat treatment was performed for each of the first copper plating layers by hot air drying by convection heat at a temperature of about 165° C. for about 3 minutes. As shown in FIG. 1 , by forming a second copper plating layer with a thickness of about 2 μm by using an electrolytic plating method on the first copper plating layer that has been subjected to the heat treatment, the first surface and the first surface in an upward direction with respect to the polyimide film as shown in FIG. A flexible copper clad laminated film composed of the second surface in the downward direction was manufactured.

상기 무전해 니켈 도금법 및 무전해 구리 도금법에 사용된 무전해 니켈 도금액 및 무전해 구리 도금액과, 전해 구리 도금법에 사용된 구리 도금액의 조성 및 조건은 각각 다음과 같다. Compositions and conditions of the electroless nickel plating solution and the electroless copper plating solution used in the electroless nickel plating method and the electroless copper plating method, and the copper plating solution used in the electrolytic copper plating method are as follows, respectively.

(무전해 니켈 도금액) (electroless nickel plating solution)

·도금액: 니켈염 수화물 NiSO4·6H2O의 니켈 이온의 농도가 5 g/L이 되도록 함·Plating solution: Nickel salt hydrate NiSO 4 ·6H 2 O The concentration of nickel ions is 5 g/L

· 배쓰(bath) 온도: 약 60 ℃· Bath temperature: about 60 ℃

· 니켈 석출 시간: 약 1 분· Nickel precipitation time: about 1 minute

· pH 농도: 약 7.3· pH concentration: about 7.3

(무전해 구리 도금액)(electroless copper plating solution)

·도금액: 착화제(complex agent)로서 황산구리 수화물 CuSO4·6H2O 16 mol/L, 황산 3.25 mL/L·Plating solution: copper sulfate hydrate CuSO 4 ·6H 2 O 16 mol/L as complex agent, sulfuric acid 3.25 mL/L

· 배쓰(bath) 온도: 약 34 ℃· Bath temperature: about 34 ℃

· 구리 석출 시간: 약 2 분 30초· Copper precipitation time: about 2 minutes and 30 seconds

· 교반: 공기 교반(air agitation)Agitation: air agitation

(전해 구리 도금액)(electrolytic copper plating solution)

· 도금액: 황산구리 24 g/L, 황산 188 g/L, 염산 60 ppmPlating solution: copper sulfate 24 g/L, sulfuric acid 188 g/L, hydrochloric acid 60 ppm

· 배쓰(bath) 온도: 32 ℃· Bath temperature: 32 ℃

· 전류밀도: 3.2 A/dm2 · Current density: 3.2 A/dm 2

· 구리 석출 시간: 약 31 분· Copper precipitation time: about 31 minutes

실시예Example 2: 2: 연성동박적층필름Flexible copper clad laminated film

상기 제1 구리 도금층 각각에 대하여 대류열에 의한 열풍건조로 약 165 ℃의 온도에서 약 3 분간 대신 약 4 분간 열처리를 수행한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 연성동박적층필름을 제작하였다.A flexible copper clad laminate film was prepared in the same manner as in Example 1, except that heat treatment was performed for each of the first copper plating layers for about 4 minutes instead of about 3 minutes at a temperature of about 165° C. by hot air drying by convection heat. .

실시예Example 3: 3: 연성동박적층필름Flexible copper clad laminated film

상기 제1 구리 도금층 각각에 대하여 대류열에 의한 열풍건조로 약 165 ℃의 온도에서 약 3 분간 대신 약 5 분간 열처리를 수행한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 연성동박적층필름을 제작하였다.A flexible copper clad laminate film was prepared in the same manner as in Example 1, except that heat treatment was performed for each of the first copper plating layers for about 5 minutes instead of about 3 minutes at a temperature of about 165° C. by hot air drying by convection heat. .

실시예Example 4: 4: 연성동박적층필름Flexible copper clad laminated film

상기 제1 구리 도금층 각각에 대하여 대류열에 의한 열풍건조로 약 165 ℃의 온도에서 약 3 분간 대신 약 10 분간 열처리를 수행한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 연성동박적층필름을 제작하였다.A flexible copper clad laminate film was prepared in the same manner as in Example 1, except that heat treatment was performed for about 10 minutes instead of about 3 minutes at a temperature of about 165° C. by hot air drying by convection heat for each of the first copper plating layers. .

실시예Example 5: 5: 연성동박적층필름Flexible copper clad laminated film

상기 제1 구리 도금층 각각에 대하여 대류열에 의한 열풍건조로 약 165 ℃의 온도에서 약 3 분간 대신 약 15 분간 열처리를 수행한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 연성동박적층필름을 제작하였다.A flexible copper clad laminate film was prepared in the same manner as in Example 1, except that heat treatment was performed for each of the first copper plating layers for about 15 minutes instead of about 3 minutes at a temperature of about 165° C. by hot air drying by convection heat. .

실시예Example 6: 6: 연성동박적층필름Flexible copper clad laminated film

상기 제1 구리 도금층 각각에 대하여 대류열에 의한 열풍건조로 약 165 ℃의 온도에서 약 3 분간 대신 약 20 분간 열처리를 수행한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 연성동박적층필름을 제작하였다. A flexible copper clad laminate film was prepared in the same manner as in Example 1, except that heat treatment was performed for about 20 minutes instead of about 3 minutes at a temperature of about 165 ° C. by hot air drying by convection heat for each of the first copper plating layers. .

실시예Example 7: 7: 연성동박적층필름Flexible copper clad laminated film

상기 폴리이미드 필름의 양 면에 무전해 니켈 도금법을 이용하여 약 100 ㎚ 두께 대신 약 200 nm 니켈 도금층을 각각 형성하고, 무전해 니켈 도금액에서 니켈 석출 시간을 약 3 분 대신 약 4 분 수행한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 연성동박적층필름을 제작하였다.Using the electroless nickel plating method on both sides of the polyimide film to form about 200 nm nickel plating layers instead of about 100 nm thickness, respectively, and the nickel precipitation time in the electroless nickel plating solution was about 4 minutes instead of about 3 minutes Except that Then, a flexible copper clad laminated film was prepared in the same manner as in Example 1.

실시예Example 8: 8: 연성동박적층필름Flexible copper clad laminated film

상기 폴리이미드 필름의 양 면에 무전해 니켈 도금법을 이용하여 약 100 ㎚ 두께 대신 약 250 nm 니켈 도금층을 각각 형성하고, 무전해 니켈 도금액에서 니켈 석출 시간을 약 3 분 대신 약 5 분 수행한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 연성동박적층필름을 제작하였다.Using the electroless nickel plating method on both sides of the polyimide film to form about 250 nm nickel plating layers instead of about 100 nm thickness, respectively, and the nickel precipitation time in the electroless nickel plating solution was about 5 minutes instead of about 3 minutes Except that Then, a flexible copper clad laminated film was prepared in the same manner as in Example 1.

실시예Example 9: 9: 연성동박적층필름Flexible copper clad laminated film

상기 폴리이미드 필름의 양 면에 무전해 니켈 도금법을 이용하여 약 100 ㎚ 두께 대신 약 200 nm 니켈 도금층을 각각 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 연성동박적층필름을 제작하였다.A flexible copper clad laminate was prepared in the same manner as in Example 1, except that an about 200 nm nickel plating layer was formed on both sides of the polyimide film using an electroless nickel plating method instead of about 100 nm thick.

실시예Example 10: 10: 연성동박적층필름Flexible copper clad laminated film

상기 폴리이미드 필름의 양 면에 무전해 니켈 도금법을 이용하여 약 100 ㎚ 두께 대신 약 250 nm 니켈 도금층을 각각 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 연성동박적층필름을 제작하였다A flexible copper clad laminate was prepared in the same manner as in Example 1, except that an about 250 nm nickel plating layer was formed on both sides of the polyimide film using an electroless nickel plating method instead of about 100 nm thick.

비교예comparative example 1: One: 연성동박적층필름Flexible copper clad laminated film

무전해 니켈 도금액에서 배쓰(bath) 온도를 약 60 ℃ 대신 65 ℃로 하고 pH 농도를 약 7.3 대신 약 8.0으로 하고 제1 구리 도금층 각각에 대하여 열처리를 수행하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 연성동박적층필름을 제작하였다.Example 1 and the electroless nickel plating solution, except that the bath temperature was set to 65 °C instead of about 60 °C, the pH concentration was about 8.0 instead of about 7.3, and no heat treatment was performed on each of the first copper plating layers A flexible copper clad laminated film was prepared in the same way.

분석예Analysis example 1: 결정배향지수 - XRD 측정 1: Crystal orientation index - XRD measurement

실시예 1~10 및 비교예 1에 의해 제작된 연성동박적층필름의 제1 구리 도금층에 대하여 XRD(X선 회절) 분석을 실시하였다. XRD 분석은 Cu Kα radiation(1.540598Å)을 이용한 Rigaku RINT2200HF+ 회절계(diffractometer)를 이용하여 실시하였다. 그 결과를 도 4 내지 도 6에 각각 나타내었다. XRD (X-ray diffraction) analysis was performed on the first copper plating layer of the flexible copper clad laminated films prepared in Examples 1 to 10 and Comparative Example 1. XRD analysis was performed using a Rigaku RINT2200HF+ diffractometer using Cu Kα radiation (1.540598 Å). The results are shown in FIGS. 4 to 6 , respectively.

또한 도 4 내지 도 6에 따른 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석을 기초로 [111] 방위면에 대한 [200] 방위면, [220] 방위면, 및 [311] 방위면의 결정배향지수를 식 1 내지 식 3에 각각 대입하여 구한 결과를 하기 표 1 내지 표 3에 나타내었다.In addition, determination of the [200] azimuth, [220] azimuth, and [311] azimuth for the [111] azimuth based on X-ray diffraction (XRD) analysis according to FIGS. 4 to 6 . The results obtained by substituting the orientation index into Equations 1 to 3, respectively, are shown in Tables 1 to 3 below.

[식 1][Equation 1]

결정배향지수(%) = I[200]/I[111] = {([200] 방위면의 X선 회절 피크세기/[111] 방위면의 X선 회절 피크세기) × 100}Crystal orientation index (%) = I [200] /I [111] = {(X-ray diffraction peak intensity in [200] azimuth/X-ray diffraction peak intensity in [111] azimuth) × 100}

[식 2][Equation 2]

결정배향지수(%) = I[220]/I[111] = {([220] 방위면의 X선 회절 피크세기/[111] 방위면의 X선 회절 피크세기) × 100}Crystal orientation index (%) = I [220] /I [111] = {(X-ray diffraction peak intensity in [220] orientation / X-ray diffraction peak intensity in [111] orientation) × 100}

[식 3][Equation 3]

결정배향지수(%) = I[311]/I[111] = {([311] 방위면의 X선 회절 피크세기/[111] 방위면의 X선 회절 피크세기) × 100}Crystal orientation index (%) = I [311] /I [111] = {(X-ray diffraction peak intensity in [311] orientation/X-ray diffraction peak intensity in [111] orientation) × 100}

결정배향지수(%)
Crystal orientation index (%)
실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 실시예 5Example 5 실시예 6Example 6
[111] 방위면에 대한
[200] 방위면
[111] for azimuth
[200] azimuth
제1면page 1 25.625.6 00 21.621.6 25.325.3 00 18.018.0
제2면page 2 30.230.2 00 11.311.3 18.118.1 21.221.2 27.427.4 [111] 방위면에 대한
[220] 방위면
[111] for azimuth
[220] azimuth
제1면page 1 00 00 00 00 00 00
제2면page 2 00 00 00 00 00 7.37.3 [111] 방위면에 대한
[311] 방위면
[111] for azimuth
[311] azimuth
제1면page 1 00 00 00 13.713.7 00 00
제2면page 2 00 7.87.8 00 00 00 00

결정배향지수(%)
Crystal orientation index (%)
실시예 7Example 7 실시예 8Example 8 실시예 9Example 9 실시예 10Example 10
[111] 방위면에 대한
[200] 방위면
[111] for azimuth
[200] azimuth
제1면page 1 20.920.9 20.420.4 18.318.3 20.020.0
제2면page 2 25.425.4 20.820.8 17.817.8 22.422.4 [111] 방위면에 대한
[220] 방위면
[111] for azimuth
[220] azimuth
제1면page 1 00 00 00 00
제2면page 2 00 00 00 00 [111] 방위면에 대한
[311] 방위면
[111] for azimuth
[311] azimuth
제1면page 1 00 00 5.65.6 00
제2면page 2 00 7.87.8 7.27.2 00

결정배향지수(%)
Crystal orientation index (%)
비교예 1Comparative Example 1
[111] 방위면에 대한
[200] 방위면
[111] for azimuth
[200] azimuth
제1면page 1 27.627.6
제2면page 2 29.629.6 [111] 방위면에 대한
[220] 방위면
[111] for azimuth
[220] azimuth
제1면page 1 10.110.1
제2면page 2 15.015.0 [111] 방위면에 대한
[311] 방위면
[111] for azimuth
[311] azimuth
제1면page 1 12.712.7
제2면page 2 14.214.2

도 4 및 도 5를 참조하면, 실시예 1~10에 의해 제작된 연성동박적층필름의 제1 구리 도금층에 대하여 [111] 방위면 이외에, [200] 방위면, [220] 방위면 및 [311] 방위면 중에서 하나 또는 둘의 방위면이 동시에 추가로 나타남을 확인할 수 있으며, [111] 방위면, [200] 방위면, [220] 방위면 및 [311] 방위면이 동시에 나타나지 않음을 확인할 수 있다. 4 and 5, with respect to the first copper plating layer of the flexible copper clad laminated film produced in Examples 1 to 10, in addition to the [111] orientation, [200] orientation, [220] orientation, and [311] ] You can see that one or two azimuths appear at the same time, and you can see that [111] azimuth, [200] azimuth, [220] azimuth, and [311] azimuth do not appear at the same time. have.

표 1 및 표 2를 참조하면, 실시예 1~10에 의해 제작된 연성동박적층필름의 제1 구리 도금층에 대하여 상기 식 1에 따른 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면에 대한 [200] 방위면의 결정배향지수가 0 내지 25% 미만을 만족하고, 상기 식 2에 따른 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면에 대한 [220] 방위면의 결정배향지수가 0 내지 15% 미만을 만족하며, 상기 식 3에 따른 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면에 대한 [311] 방위면의 결정배향지수가 0 내지 14% 미만을 만족함을 확인할 수 있다.Referring to Tables 1 and 2, [111] by X-ray diffraction (XRD) analysis according to Equation 1 above for the first copper plating layer of the flexible copper clad laminated film prepared in Examples 1 to 10 ] The crystal orientation index of the [200] orientation for the orientation satisfies 0 to less than 25%, and the [111] orientation for the [111] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis according to Equation 2 above [220] The crystal orientation index of the azimuth satisfies 0 to less than 15%, and the [311] azimuth for the [111] azimuth by X-ray diffraction (XRD) analysis according to Equation 3 above. It can be seen that the crystal orientation index of 0 to less than 14% is satisfied.

이와 비교하여, 도 6을 참조하면, 비교예 1에 의해 제작된 연성동박적층필름의 제1 구리 도금층에 대하여 [111] 방위면, [200] 방위면, [220] 방위면 및 [311] 방위면이 동시에 나타남을 확인할 수 있다. In comparison, with reference to FIG. 6 , the [111] orientation, [200] orientation, [220] orientation, and [311] orientation for the first copper plated layer of the flexible copper clad laminated film produced in Comparative Example 1 It can be seen that both sides appear at the same time.

표 3을 참조하면, 비교예 1에 의해 제작된 연성동박적층필름의 제1 구리 도금층에 대하여 상기 식 1에 따른 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면에 대한 [200] 방위면의 결정배향지수가 27% 이상이며, 상기 식 2에 따른 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면에 대한 [220] 방위면의 결정배향지수가 15% 이상이며, 상기 식 3에 따른 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면에 대한 [311] 방위면의 결정배향지수가 14% 이상임을 확인할 수 있다.Referring to Table 3, for the [111] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis according to Equation 1 for the first copper plating layer of the flexible copper clad laminated film produced in Comparative Example 1 The crystal orientation index of the [200] orientation is 27% or more, and the crystal orientation index of the [220] orientation with respect to the [111] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis according to Equation 2 above. is 15% or more, and it can be confirmed that the crystal orientation index of the [311] orientation with respect to the [111] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis according to Equation 3 is 14% or more.

평가예evaluation example 1: 폴리이미드 필름과 니켈 1: polyimide film and nickel 도금층plating layer 사이에 단위면적당 per unit area between 박리발생율peeling rate 평가 evaluation

실시예 1에 의해 제작된 연성동박적층필름의 폴리이미드 필름과 니켈 도금층 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율을 평가하였다. 상기 폴리이미드 필름과 니켈 도금층 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율을 사진 및 200배 배율의 광학현미경을 이용하여 평가하였다. 그 결과를 각각 표 4, 도 7a 및 도 7b에 나타내었다.The peeling rate per 1 cm 2 unit area between the polyimide film and the nickel plating layer of the flexible copper clad laminated film prepared in Example 1 was evaluated. The peeling rate per unit area of 1 cm 2 between the polyimide film and the nickel plating layer was evaluated using a photograph and an optical microscope with a magnification of 200 times. The results are shown in Table 4, FIGS. 7A and 7B, respectively.

1 cm2 단위면적당 박리발생율(%)Peeling rate per 1 cm 2 unit area (%) 실시예 1Example 1 0 0

또한 실시예 1에 의해 제작된 연성동박적층필름의 제2 구리 도금층의 각각의 면(제1면, 제2면)에 대하여 150도에서 0.5분간 열처리, 150도에서 1.0분간 열처리, 150도에서 2.0분간 열처리, 180도에서 0.5분간 열처리, 180도에서 1.0분간 열처리, 180도에서 2.0분간 열처리, 220도에서 0.5분간 열처리, 220도에서 1.0분간 열처리, 220도에서 2.0분간 열처리를 한 후 폴리이미드 필름과 니켈 도금층 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율을 사진을 찍어 평가하였다. 그 결과를 하기 표 5에 나타내었다.In addition, heat treatment at 150°C for 0.5 minutes, heat treatment at 150°C for 1.0 minutes, and heat treatment at 150°C for each side (first side, second side) of the second copper plating layer of the flexible copper clad laminate film produced in Example 1 After heat treatment at 180 degrees for 0.5 minutes, heat treatment at 180 degrees for 1.0 minutes, heat treatment at 180 degrees for 2.0 minutes, heat treatment at 220 degrees for 0.5 minutes, heat treatment at 220 degrees for 1.0 minutes, and heat treatment at 220 degrees for 2.0 minutes, the polyimide film The rate of peeling per 1 cm 2 unit area between the nickel plating layer and the nickel plating layer was evaluated by taking pictures. The results are shown in Table 5 below.

실시예 1에 의해 제작된 연성동박적층필름의
제2 구리 도금층에 대한 열처리 조건
Of the flexible copper clad laminated film produced in Example 1
Heat treatment conditions for the second copper plating layer
1 cm2 단위면적당 박리발생율(%)Peeling rate per 1 cm 2 unit area (%)
150도 0.5분
열처리
150 degrees 0.5 minutes
heat treatment
제1면page 1 0 0
제2면page 2 00 150도 1.0분
열처리
150 degrees 1.0 min
heat treatment
제1면page 1 00
제2면page 2 00 150도 2.0분
열처리
150 degrees 2.0 minutes
heat treatment
제1면page 1 00
제2면page 2 00 180도 0.5분
열처리
180 degrees 0.5 minutes
heat treatment
제1면page 1 00
제2면page 2 00 180도 1.0분
열처리
180 degrees 1.0 min
heat treatment
제1면page 1 00
제2면page 2 00 180도 2.0분
열처리
180 degrees 2.0 minutes
heat treatment
제1면page 1 00
제2면page 2 00 220도 0.5분
열처리
220 degrees 0.5 minutes
heat treatment
제1면page 1 00
제2면page 2 00 220도 1.0분
열처리
220 degrees 1.0 min
heat treatment
제1면page 1 00
제2면 page 2 00 220도 2.0분
열처리
220 degrees 2.0 minutes
heat treatment
제1면page 1 00
제2면page 2 00

표 4, 도 7a, 및 도 7b를 참조하면, 실시예 1에 의해 제작된 연성동박적층필름의 폴리이미드 필름과 니켈 도금층 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율은 0 % 이었다. Referring to Table 4, FIGS. 7A and 7B , the peeling rate per 1 cm 2 unit area between the polyimide film and the nickel plating layer of the flexible copper clad laminated film prepared in Example 1 was 0%.

표 5를 참조하면, 실시예 1에 의해 제작된 연성동박적층필름의 제2 구리 도금층의 각각의 면(제1면, 제2면)에 대하여 고온에서의 열처리를 한 후에도 폴리이미드 필름과 니켈 도금층 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율은 0 % 이었다.Referring to Table 5, even after heat treatment at high temperature for each side (first side, second side) of the second copper plating layer of the flexible copper clad laminate film produced in Example 1, the polyimide film and the nickel plating layer In between, the rate of peeling per 1 cm 2 unit area was 0%.

한편, 비교예 1에 의해 제작된 연성동박적층필름의 폴리이미드 필름과 니켈 도금층 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율을 평가하였다. 상기 폴리이미드 필름과 니켈 도금층 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율을 평가하기 위하여 사진 및 200배의 배율의 광학현미경을 이용하여 평가하였다. 그 결과를 각각 도 7c 및 도 7d에 나타내었다.On the other hand, the peeling rate per 1 cm 2 unit area between the polyimide film and the nickel plating layer of the flexible copper clad laminated film prepared in Comparative Example 1 was evaluated. Between the polyimide film and the nickel plating layer, 1 cm 2 In order to evaluate the rate of peeling per unit area, it was evaluated using a photograph and an optical microscope with a magnification of 200 times. The results are shown in FIGS. 7c and 7d, respectively.

도 7c 및 도 7d를 참조하면, 비교예 1에 의해 제작된 연성동박적층필름의 폴리이미드 필름과 니켈 도금층 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율은 약 40~50%로 넓은 면적에 걸쳐 발생하였음을 확인할 수 있다. 7c and 7d, the peeling rate per 1 cm 2 unit area between the polyimide film and the nickel plating layer of the flexible copper clad laminated film produced by Comparative Example 1 was about 40-50%, indicating that it occurred over a large area. can be checked

따라서, 실시예 1에 의해 제작된 연성동박적층필름이 비교예 1에 의해 제작된 연성동박적층필름과 비교하여 폴리이미드 필름과 니켈 도금층 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율이 현저하게 감소하였음을 확인할 수 있다. Therefore, it was confirmed that the rate of peeling per 1 cm 2 unit area between the polyimide film and the nickel plating layer was significantly reduced in the flexible copper clad laminated film produced in Example 1 compared to the flexible copper clad laminated film produced in Comparative Example 1. can

이로부터 실시예 1에 의해 제작된 연성동박적층필름은 니켈함유 도금층 내 유기물, 첨가제, 응집가스 등의 불순물이 거의 제거되었음을 알 수 있다.From this, it can be seen that in the flexible copper clad laminated film prepared in Example 1, impurities such as organic matter, additives, and coagulant gas in the nickel-containing plating layer were almost removed.

1: 비전도성 고분자 기재(폴리이미드 기재),
2, 2': 니켈함유 도금층(무전해 니켈 도금층),
3, 3': 제1 구리 도금층, 4, 4': 제2 구리 도금층,
5: 제1 면, 6: 제2 면,
10: 적층 구조체(또는 연성동박적층필름)
1: Non-conductive polymer substrate (polyimide substrate),
2, 2': nickel-containing plating layer (electroless nickel plating layer),
3, 3': a first copper plating layer, 4, 4': a second copper plating layer,
5: 1st side, 6: 2nd side,
10: laminated structure (or flexible copper clad laminated film)

Claims (21)

비전도성 고분자 기재;
상기 기재의 적어도 일 면에 배치된 니켈함유 무전해 도금층; 및
상기 니켈함유 무전해 도금층 상에 배치된 제1 구리 무전해 도금층;을 포함하고,
상기 제1 구리 무전해 도금층에 대하여 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면이 나타나고,
상기 제1 구리 무전해 도금층에 대하여 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [200] 방위면, [200] 방위면과 [220] 방위면, 또는 [200] 방위면과 [311] 방위면이 나타나고,
상기 제1 구리 무전해 도금층에 대하여 하기 식 1에 따른 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면에 대한 [200] 방위면의 결정배향지수가 11% 내지 25% 미만을 만족하고,
상기 제1 구리 무전해 도금층은 160 ℃ 내지 180 ℃의 온도에서의 열처리로 형성된 도금층이며,
상기 비전도성 고분자 기재와 상기 니켈함유 무전해 도금층 사이에 1 cm2 단위면적당 박리발생율이 1% 이하인 적층 구조체:
[식 1]
결정배향지수(%) = I[200]/I[111] = {([200] 방위면의 X선 회절 피크세기/[111] 방위면의 X선 회절 피크세기) × 100}
non-conductive polymer substrate;
a nickel-containing electroless plating layer disposed on at least one surface of the substrate; and
a first copper electroless plating layer disposed on the nickel-containing electroless plating layer;
[111] azimuth by X-ray diffraction (XRD) analysis of the first copper electroless plating layer appears,
[200] azimuth, [200] azimuth and [220] azimuth, or [200] azimuth and [311] by X-ray diffraction (XRD) analysis for the first copper electroless plating layer ] azimuth appears,
For the first copper electroless plating layer, the crystal orientation index of the [200] orientation with respect to the [111] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis according to Equation 1 is 11% to 25% less than satisfied,
The first copper electroless plating layer is a plating layer formed by heat treatment at a temperature of 160 ℃ to 180 ℃,
A laminate structure having a peeling rate of 1% or less per 1 cm 2 unit area between the non-conductive polymer substrate and the nickel-containing electroless plating layer:
[Equation 1]
Crystal orientation index (%) = I[200]/I[111] = {(X-ray diffraction peak intensity in [200] azimuth/X-ray diffraction peak intensity in [111] azimuth) × 100}
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 구리 무전해 도금층에 대하여 하기 식 2에 따른 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면에 대한 [220] 방위면의 결정배향지수가 0 내지 15% 미만을 만족하는 적층 구조체:
[식 2]
결정배향지수(%) = I[220]/I[111] = {([220] 방위면의 X선 회절 피크세기/[111] 방위면의 X선 회절 피크세기) × 100}
According to claim 1,
The crystal orientation index of the [220] orientation with respect to the [111] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis according to Equation 2 below for the first copper electroless plating layer is 0 to less than 15% A laminated structure that satisfies:
[Equation 2]
Crystal orientation index (%) = I [220] /I [111] = {(X-ray diffraction peak intensity in [220] orientation / X-ray diffraction peak intensity in [111] orientation) × 100}
제1항에 있어서,
상기 제1 구리 무전해 도금층에 대하여 하기 식 3에 따른 X선 회절(X-ray diffraction; XRD) 분석에 의한 [111] 방위면에 대한 [311] 방위면의 결정배향지수가 0 내지 14% 미만을 만족하는 적층 구조체:
[식 3]
결정배향지수(%) = I[311]/I[111] = {([311] 방위면의 X선 회절 피크세기/[111] 방위면의 X선 회절 피크세기) × 100}
According to claim 1,
The crystal orientation index of the [311] orientation with respect to the [111] orientation by X-ray diffraction (XRD) analysis according to Equation 3 for the first copper electroless plating layer is 0 to less than 14% A laminated structure that satisfies:
[Equation 3]
Crystal orientation index (%) = I [311] /I [111] = {(X-ray diffraction peak intensity in [311] orientation/X-ray diffraction peak intensity in [111] orientation) × 100}
제1항에 있어서,
상기 비전도성 고분자 기재가 페놀수지, 페놀알데히드 수지, 알릴 수지, 에폭시 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리에스테르 수지 및 폴리이미드 수지로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 적층 구조체.
According to claim 1,
The non-conductive polymer substrate comprises at least one selected from a phenol resin, a phenolaldehyde resin, an allyl resin, an epoxy resin, a polyethylene resin, a polypropylene resin, a polyester resin, and a polyimide resin.
제1항에 있어서,
상기 비전도성 고분자 기재의 두께가 7 ㎛ 내지 50 ㎛인 적층 구조체.
According to claim 1,
A laminate structure wherein the non-conductive polymer substrate has a thickness of 7 μm to 50 μm.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 니켈함유 무전해 도금층이 니켈 또는 니켈합금을 포함하는 적층 구조체.
According to claim 1,
A laminate structure in which the nickel-containing electroless plating layer includes nickel or a nickel alloy.
제1항에 있어서,
상기 니켈함유 무전해 도금층의 두께가 40 nm 내지 250 nm인 적층 구조체.
According to claim 1,
A thickness of the nickel-containing electroless plating layer is 40 nm to 250 nm.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 구리 무전해 도금층의 두께가 40 nm 내지 200 nm인 적층 구조체.
According to claim 1,
The first copper electroless plating layer has a thickness of 40 nm to 200 nm.
제1항에 있어서,
상기 제1 구리 무전해 도금층 상에 제2 구리 도금층을 더 포함하는 적층 구조체.
According to claim 1,
The laminate structure further comprising a second copper plating layer on the first copper electroless plating layer.
제14항에 있어서,
상기 제2 구리 도금층은 전해 도금층인 적층 구조체.
15. The method of claim 14,
The second copper plating layer is an electrolytic plating layer.
제14항에 있어서,
상기 제2 구리 도금층의 두께가 0.5 ㎛ 내지 5.0 ㎛인 적층 구조체.
15. The method of claim 14,
The thickness of the second copper plating layer is 0.5 μm to 5.0 μm.
제1항, 제5항 내지 제8항, 제10항, 제11항, 및 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 적층 구조체를 포함하는 연성동박적층필름.A flexible copper clad laminated film comprising the laminate structure according to any one of claims 1, 5 to 8, 10, 11, and 13 to 16. 비전도성 고분자 기재의 적어도 일 면에 니켈함유 무전해 도금층을 형성하는 단계;
상기 니켈함유 무전해 도금층 상에 제1 구리 무전해 도금층을 형성하는 단계;
상기 제1 구리 무전해 도금층에 대하여 열처리하는 단계; 및
상기 가열처리한 제1 구리 무전해 도금층 상에 제2 구리 도금층을 형성하여 제1항에 따른 적층 구조체를 제조하는 단계;를 포함하는 적층 구조체의 제작방법.
forming a nickel-containing electroless plating layer on at least one surface of a non-conductive polymer substrate;
forming a first copper electroless plating layer on the nickel-containing electroless plating layer;
heat-treating the first copper electroless plating layer; and
A method of manufacturing a laminated structure comprising a; forming a second copper plating layer on the heat-treated first copper electroless plating layer to prepare the laminated structure according to claim 1 .
삭제delete 제18항에 있어서,
상기 열처리단계는 160 ℃ 내지 180 ℃의 온도에서 1분 내지 30 분간 열처리를 수행하는 공정을 수행하는 적층 구조체의 제작방법.
19. The method of claim 18,
The heat treatment step is a method of manufacturing a laminate structure for performing a process of performing a heat treatment for 1 minute to 30 minutes at a temperature of 160 ℃ to 180 ℃.
제18항에 있어서,
상기 제2 구리 도금층은 전해 도금법에 의해 형성되는 적층 구조체의 제작방법.
19. The method of claim 18,
The second copper plating layer is a method of manufacturing a laminate structure formed by an electrolytic plating method.
KR1020190053902A 2019-05-08 2019-05-08 Laminate structure, flexible copper clad laminate film including the same, method of manufacturing the laminate structure KR102337237B1 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190053902A KR102337237B1 (en) 2019-05-08 2019-05-08 Laminate structure, flexible copper clad laminate film including the same, method of manufacturing the laminate structure
PCT/KR2020/005020 WO2020226292A1 (en) 2019-05-08 2020-04-14 Laminated structure, flexible copper foil laminated film, and method for manufacturing laminated structure
CN202080004036.0A CN112513328B (en) 2019-05-08 2020-04-14 Laminated structure, flexible copper foil laminated film, and laminated structure manufacturing method
JP2021521932A JP7132435B2 (en) 2019-05-08 2020-04-14 LAMINATED STRUCTURE, FLEXIBLE COPPER FILM LAMINATED CONTAINING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME LAMINATED STRUCTURE
TW109114834A TWI757731B (en) 2019-05-08 2020-05-04 Laminate structure, flexible copper clad laminate film including the same, and method of manufacturing the laminate structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190053902A KR102337237B1 (en) 2019-05-08 2019-05-08 Laminate structure, flexible copper clad laminate film including the same, method of manufacturing the laminate structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200129468A KR20200129468A (en) 2020-11-18
KR102337237B1 true KR102337237B1 (en) 2021-12-08

Family

ID=73051288

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190053902A KR102337237B1 (en) 2019-05-08 2019-05-08 Laminate structure, flexible copper clad laminate film including the same, method of manufacturing the laminate structure

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7132435B2 (en)
KR (1) KR102337237B1 (en)
CN (1) CN112513328B (en)
TW (1) TWI757731B (en)
WO (1) WO2020226292A1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102548431B1 (en) * 2021-09-03 2023-06-27 도레이첨단소재 주식회사 Copper clad laminate film, electronic device including the same
WO2022158831A1 (en) * 2021-01-20 2022-07-28 도레이첨단소재 주식회사 Copper clad laminate film, electronic element including same, and method for manufacturing copper clad laminate film
TWI768802B (en) * 2021-03-31 2022-06-21 南韓商東麗先端素材股份有限公司 Flexible copper clad laminate film, article including the same, and method of manufacturing the flexible copper clad laminate film

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011014801A (en) * 2009-07-03 2011-01-20 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Flexible copper-clad laminate, flexible printed wiring board for cof, and method of manufacturing them

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5546530A (en) * 1978-09-29 1980-04-01 Hitachi Ltd Method of manufacturing printed circuit board
JP3135174B2 (en) * 1991-11-27 2001-02-13 日立金属株式会社 R-TM-B permanent magnet with improved corrosion resistance and method for producing the same
JP4045530B2 (en) * 2000-07-07 2008-02-13 日立金属株式会社 Electrolytic copper plating method for RTB-based magnets
JP4480111B2 (en) * 2000-08-02 2010-06-16 大日本印刷株式会社 Wiring forming method and wiring member
JP3563730B2 (en) * 2002-06-07 2004-09-08 松下電器産業株式会社 Flexible printed circuit board
JP4294363B2 (en) * 2003-04-18 2009-07-08 三井金属鉱業株式会社 Two-layer flexible copper-clad laminate and method for producing the two-layer flexible copper-clad laminate
JP4383487B2 (en) * 2007-03-19 2009-12-16 古河電気工業株式会社 Metal-clad laminate and method for producing metal-clad laminate
JP2009173999A (en) * 2008-01-24 2009-08-06 Nippon Mining & Metals Co Ltd Method for producing metal-coated polyimide resin substrate having excellent resistance to thermal aging
CN102106195B (en) * 2008-07-30 2013-09-04 住友电木株式会社 Electroless copper plating method, printed wiring board, method for manufacturing printed wiring board and semiconductor device
CN102071424B (en) * 2010-02-26 2012-05-09 比亚迪股份有限公司 Plastic product and preparation method thereof
KR101348010B1 (en) * 2012-03-20 2014-01-08 한국산업기술대학교산학협력단 Manufacturing method for electrode wire and substrate using the same
US20130270113A1 (en) * 2012-04-11 2013-10-17 Chuan-Hsing HUANG Electrochemical strip and manufacturing method thereof
TWI568865B (en) * 2013-10-23 2017-02-01 Sumitomo Metal Mining Co Layer 2 flexible wiring substrate and manufacturing method thereof, and two-layer flexible wiring board and manufacturing method thereof
KR102492817B1 (en) * 2016-01-28 2023-01-26 에스케이넥실리스 주식회사 Flexible Copper Clad Laminate of Improved Flexibility and Method for Manufacturing The Same
KR102502200B1 (en) * 2016-08-11 2023-02-20 에스케이넥실리스 주식회사 Flexible Copper Clad Laminate Capable of Preventing Open/Short Circuit and Method for Manufacturing The Same
KR20180125176A (en) * 2017-04-28 2018-11-23 도레이첨단소재 주식회사 Flexible copper clad laminate of homogeneous copper crystal structure for semi-additive process and preparing method thereof

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011014801A (en) * 2009-07-03 2011-01-20 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Flexible copper-clad laminate, flexible printed wiring board for cof, and method of manufacturing them

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200129468A (en) 2020-11-18
TW202103927A (en) 2021-02-01
CN112513328B (en) 2022-09-13
CN112513328A (en) 2021-03-16
JP2021528573A (en) 2021-10-21
JP7132435B2 (en) 2022-09-06
TWI757731B (en) 2022-03-11
WO2020226292A1 (en) 2020-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102337237B1 (en) Laminate structure, flexible copper clad laminate film including the same, method of manufacturing the laminate structure
US20120111613A1 (en) Copper foil with resistance layer, method of production of the same and laminated board
US9060431B2 (en) Liquid crystal polymer copper-clad laminate and copper foil used for said laminate
US20110311834A1 (en) Two-layer flexible substrate, and copper electrolytic solution for producing same
JP5358740B1 (en) Copper foil with carrier, copper-clad laminate using the same, printed wiring board, printed circuit board, and printed wiring board manufacturing method
JP2007107037A (en) Copper or copper-alloy foil for circuit
JP5352748B1 (en) Copper foil with carrier, copper-clad laminate using the same, printed wiring board, printed circuit board, and printed wiring board manufacturing method
US20100279069A1 (en) Method of Producing Two-Layered Copper-Clad Laminate, and Two-Layered Copper-Clad Laminate
JP2007107038A (en) Copper or copper alloy foil for circuit
KR20140125720A (en) Rolled copper foil with copper plating layer
JP5358739B1 (en) Copper foil with carrier, copper-clad laminate using the same, printed wiring board, printed circuit board, and printed wiring board manufacturing method
CN1144670C (en) Copper film for TAB band carrier and TAB carried band and TAB band carrier
JP5728118B1 (en) Surface-treated copper foil, method for producing the surface-treated copper foil, and copper-clad laminate using the surface-treated copper foil
JP2008308749A (en) Copper plating method
KR102323903B1 (en) Copper Foil Capable of Improving Dimension Stability of Flexible Printed Circuit Board, Method for Manufacturing The Same, and Flexible Copper Clad Laminate Comprising The Same
KR20180125176A (en) Flexible copper clad laminate of homogeneous copper crystal structure for semi-additive process and preparing method thereof
JP2014152343A (en) Composite copper foil and production method thereof
KR101224034B1 (en) Copper foil for printed circuit and Fabrication method thereof
KR20120035611A (en) Laminated structure for a printed circuit board being prevented the formation of crack and manufacturing method the same
US20230220517A1 (en) NANO-TWINNED Cu-Ni ALLOY LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
KR101427388B1 (en) Reinforcing Substrate for Supporting Printed Circuit Board and Method for Processing for the Same
JP2014139335A (en) Copper plating layer-clad rolled copper foil
KR20170082230A (en) Flexible Copper Clad Laminate and Method for Manufacturing The Same
KR101234589B1 (en) Copper plated layer for forming pattern of printed circuit board and method of manufacturing the same
JP5380615B1 (en) Copper foil with carrier, copper-clad laminate using the same, printed wiring board, printed circuit board, and printed wiring board manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)