KR101348010B1 - Manufacturing method for electrode wire and substrate using the same - Google Patents

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KR101348010B1 KR20120028032A KR20120028032A KR101348010B1 KR 101348010 B1 KR101348010 B1 KR 101348010B1 KR 20120028032 A KR20120028032 A KR 20120028032A KR 20120028032 A KR20120028032 A KR 20120028032A KR 101348010 B1 KR101348010 B1 KR 101348010B1
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한국산업기술대학교산학협력단
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Abstract

본 발명은 기판에 금속 전극 씨드층(seed layer)을 형성하는 방법 및 이에 의해 제조된 기판에 관한 것으로서, 구리와 크롬을 상기 기판상에 증착하여 상기 씨드층을 형성하며, 기판의 표면에 접하는 부분에는 크롬의 혼합비율이 구리의 혼합비율보다 많고, 씨드층의 상부 부분으로 갈수록 구리의 혼합비율이 점차 증가되도록 상기 씨드층의 두께 방향을 따라 구리와 크롬의 조성비율이 점차 변화되도록 증착하고, 씨드층의 두께 방향에 따른 구리와 크롬의 조성비율은 구리타겟과 크롬 타겟에 인가되는 구동전압의 세기 또는 전류량의 제어에 의해 변화되고, 상기 구리타겟에는 RF파워가 인가되고, 상기 크롬 타겟에는 DC파워가 인가되고, 시간의 경과에 따라 구리타겟에 인가되는 RF파워는 일정하게 유지하고 크롬 타겟에 인가되는 DC파워는 점차 감소하도록 Part of the present invention is in contact with the surface of the substrate, and depositing a copper and chromium on the substrate to form the seed layer as a method for forming a metal electrode seed layer (seed layer) on the substrate and thus the substrate produced by in the mixing ratio of chromium is greater than the mixing ratio of the copper, the composition ratio of copper and chromium along the thickness direction of the seed layer such that toward the upper portion of the seed layer mixing ratio of copper gradually increases the deposition to be gradually changed, and the seed the composition ratio of the copper and chromium in accordance with the thickness direction of the layer is changed by the control of the intensity or amount of current of the driving voltage applied to a copper target and a chromium target, the copper target is applied to the RF power, the Cr target, the DC power is applied, with the lapse of time the RF power is applied to the copper target is kept constant, and DC power is applied to the chromium targets to gradually decrease 제어하여, 기판상에 금속 씨드층을 형성하는데 있어서 여러 층의 멀티레이어 증착 공정을 이용하지 않음으로써, 증착된 전극의 두께가 감소하고, 타겟의 교체를 하지 않음으로써 제조 시간 및 제조 비용을 감소시킬 수 있어 공정을 단순화 시킬 수 있으며, 접착력이 우수한 금속 씨드층을 형성할 수 있ㄱ고, 증착된 기판의 상부 표면을 열처리하여 금속 박막층과 기판 간의 접착력 향상을 위한 별도의 접착층을 제거할 수 있게 된다. Control, be by not using a multilayer deposition process of the various layers in forming the metal seed layer on the substrate, reducing the thickness of the deposited electrode, reducing the manufacturing time and manufacturing costs by not replacing the target can do, and can simplify the process, the adhesive strength and the a can form a good metallic seed layer, by heating the upper surface of the deposited substrate is possible to eliminate the separate adhesive layer for adhesion improvement between the metal thin film layer and the substrate .

Description

기판 배선전극 형성방법 및 이에 의해 제조된 기판{MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRODE WIRE AND SUBSTRATE USING THE SAME} The method of forming the substrate electrode and the wiring substrate manufactured by this {MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRODE WIRE AND SUBSTRATE USING THE SAME}

본 발명은 기판에 금속 전극 씨드층(seed layer)을 형성하는 방법 및 이에 의해 제조된 기판에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판상에 금속 전극 씨드층을 형성하는데 있어서 종래의 구리층과 크롬층으로 형성되는 다층 박막층으로 형성하지 않고, 하나의 층 내에서 구리와 크롬의 조성이 변화되는 금속 전극 형성방법 및 이에 의해 제조된 기판에 관한 것이다. The present invention relates to a method of forming a metal electrode seed layer (seed layer) on the substrate and thus, more specifically, the substrate onto the metal electrode in forming the seed layer conventional copper layer and the chromium layer relates to the prepared substrate by without forming a multi-layer thin film formed, to a metal electrode forming method that is a composition of copper and chromium varied within one layer and thus the substrate produced by.

일반적으로, LCD, 터치패널 등을 포함하는 반도체 소자의 금속배선에 사용되는 재료로서 종래의 알루미늄이나 알루미늄 합금에서 발생되는 전기적 물질이동이나 스파이크 등의 문제점을 해결하기 위하여 전도성이 우수하고 비저항이 작으며 신뢰성이 우수한 구리 및 구리합금이 널리 적용되고 있다. In general, LCD, a touch panel as the material used for the metal wiring of a semiconductor device, or the like was conductivity is excellent, and the specific resistance is less in order to solve the problems such as electrical mass transfer or spikes generated in conventional aluminum or aluminum alloy the reliability is high in copper and copper alloys have been widely applied.

이러한 구리 및 구리합금을 이용한 금속배선의 형성방법으로서, 한국공개특허 제10-2003-0056913호에 기재된 바와 같이, 반도체 기판에 트랜치를 갖는 층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 트랜치내에 배리어 금속층과 구리 씨드층을 형성하는 단계와, 상기 구리 씨드층상에 구리를 도금하는 단계와, 상기 도금된 구리를 CMP 공정을 통해 상기 트랜치에 매립하여 구리배선을 형성하는 방법이 개시되어 있다. Such as copper, and the method of forming the metal wiring using copper alloy, as disclosed in Korea Patent Publication No. 10-2003-0056913, a step of forming an interlayer insulating film having a trench in a semiconductor substrate, a barrier metal layer and the copper in the trench a method of forming a seed layer, a step of plating the copper on the copper seed layer, by embedding the plated copper to the trench through a CMP process to form a copper wiring is disclosed.

또한, 종래의 금속배선 형성방법에서는, 스크린 프린팅 방법은 미세전극의 형성이 어렵고, 전기도금방법에 의한 금속전극배선의 형성방법은 환경유해성의 문제로 인하여 사용이 곤란하기 때문에, 비용이 고가이기는 하지만 미세전극의 형성이 가능한 증착방법에 의해 형성하고 있다. Further, in the conventional metal wiring forming method, win because screen printing method to difficult formation of a fine electrode, difficult to use because of the problem of environmental hazard method for forming a metal electrode wiring by electroplating method, a high cost but It is formed by the vapor deposition method capable of forming a microelectrode. 증착방법에 의한 금속전극의 형성방법은 종래에는 다층 구리배선을 갖는 금속전극의 제조방법으로서, 도 1에 나타낸 바와 같이, 기판 위에 마스크를 부착시킨 후 기판과 접착력이 우수한 크롬층을 증착시키고, 이후 구리층을 증착시켜서 구리 씨드층을 형성하여 기판과의 접착력을 향상시키는 씨드층 형성방법에 의해 제조되는 방안이 제시되고 있다. The method of forming the metal electrode by the evaporation method is conventionally a method for manufacturing a metal electrode having a multilayer copper wiring, as shown in FIG. 1, and depositing a substrate with excellent adhesion chromium layer was attached to the mask on the substrate, after the depositing a copper layer by methods have been proposed which is produced by the method for forming the seed layer to form a copper seed layer to enhance the adhesion to the substrate.

그러나, 상기 종래기술에서는, 기판과 금속박막층의 접착력 향상을 위하여 각기 서로 다른 재료를 이용하여 다층막을 형성하여야 하므로, 증착되는 전극의 두께가 두꺼워진다고 하는 문제점이 있었다. However, in the prior art, since each to improve the adhesion of the substrate and the metal thin film layer should be together to form a multi-layered film using different materials, there is a problem in that jindago thicker the thickness of the electrode is deposited.

또한, 상기 종래기술에서는, 기판상에 여러 층의 멀티 증착공정을 거쳐야 하기 때문에 다층을 형성하는 각각의 층에 증착하기 위한 타겟을 각각의 공정마다 교체하여야 하므로, 금속배선의 형성을 위한 제조시간 및 제조 비용이 많이 든다고 하는 문제점이 있었다. Further, in the prior art, it should be replaced for each process, a target for depositing each of the layers forming a multi-layer, because you have to have a multi-deposition of several layers on a substrate, the manufacturing time for the formation of metal wiring, and there is a problem that cared a lot of production costs.

본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하고자 하는 것으로서, 본 발명의 목적은 기판상에 배선전극을 위한 금속 전극 씨드층을 형성하는데 있어서 특정한 한 가지 재료를 각각 한 층으로 이용하지 않고 동일층내에서 재료의 조성비가 변화하는 씨드층을 형성함으로써, 원하는 전극이 기판과의 접착력을 보다 우수하게 형성하면서도 제조 시간 및 제조 비용을 감소시킬 수 있어 전체 공정을 단순화 시킬 수 있는 금속 배선전극의 형성방법 및 이에 의해 제조된 기판을 제공하는 것이다. The present invention to solve the problems of the aforementioned prior art, an object of the present invention in the same inner-layer without the use of each one layer of a particular one of the materials in forming the metal electrode seed layer for the wiring electrode on a substrate by forming a seed layer for the composition ratio of the material change, a desired electrode is a metal wire that can simplify the overall process, the electrodes can be reduced to excellently formed while manufacturing time and manufacturing cost than the adhesive force between the substrate-forming method and hence the to provide a substrate fabricated by.

또한, 본 발명의 다른 목적은 금속 박막층과 기판 간의 접착력 향상을 위해 별도의 다른 재료를 이용하여 다층막을 형성하지 않고 금속 전극 씨드층을 형성하고, 씨드층 위에 전해 또는 무전해 도금방법을 이용하여 구리 도금을 하여 전도도가 우수하고 접착력이 우수한 기판 배선전극 형성 방법 및 이에 의해 제조된 기판을 제공하는 것이다. It is another object of the present invention by using a plating method by electrolytic or electroless over to form a metal electrode seed layer without forming the multi-layer film by using the separate different materials for adhesion enhancement between the metal thin film layer and the substrate, and a seed layer of copper to the plating to the conductivity it is excellent and provides good adhesion substrate wiring electrode forming method, and a substrate produced by this.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 씨드층의 증착에 의하여 기판 배선전극의 형성은, 구리와 크롬을 상기 기판상에 증착하여 상기 씨드층을 형성하며, 기판의 표면에 접하는 부분에는 크롬의 혼합비율이 구리의 혼합비율보다 많고, 상기 씨드층은 기판의 표면에 접하는 부분에서는 크롬의 혼합비율이 구리의 혼합비율보다 많고 기판의 표면에 접하는 부분으로부터 씨드층의 상부 부분을 향하여 상기 씨드층의 두께 방향을 따라 구리의 혼합비율이 점차 증가하며, 상기 씨드층의 두께 방향에 따른 구리와 크롬의 조성비율은 구리타겟과 크롬타겟에 인가되는 구동전압의 세기 또는 전류량의 제어에 의해 변화되며, 상기 구리타겟에는 RF파워가 인가되고, 상기 크롬타겟에는 DC파워가 인가되는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, the formation of the substrate wiring electrode by the deposition of the seed layer according to the present invention, and to deposit the copper and chromium over the substrate to form the seed layer, Cr, part in contact with the surface of the substrate many mixing ratio of the more the mixing ratio of the copper, wherein the seed layer in the portion in contact with the surface of the substrate mixture ratio of chromium is greater than the mixing ratio of the copper toward the upper portion of the seed layer from the portion in contact with the surface of the substrate on which the seed layer along the thickness direction of, and mixing ratio of the copper is gradually increased, the mole fraction of copper and chromium in accordance with the direction of the thickness of the seed layer is changed by the control of the intensity or amount of current of the driving voltage applied to a copper target and a chromium target, the copper target is applied to the RF power, it characterized in that the chromium target, to which the DC power.

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여기서, 상기 씨드층의 증착이 완료된 기판에 RTA(rapid thermal process)에서 열처리하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다. Here, the substrate is deposited on the seed layer is complete, it characterized in that it comprises the step of heat treatment in the RTA (rapid thermal process).

또한, 본 발명은 상술한 방법에 의해 제조된 씨드층을 포함하는 기판을 특징으로 한다. In addition, the invention features a substrate including a seed layer made by the method described above.

상술한 구성을 가지는 본 발명에 의하면, 기판상에 금속 씨드층을 형성하는데 있어서 여러 층의 멀티레이어 증착 공정을 이용하지 않음으로써, 증착된 전극의 두께가 감소하고, 타겟의 교체를 하지 않음으로써 제조 시간 및 제조 비용을 감소시킬 수 있어 공정을 단순화 시킬 수 있으며, 접착력이 우수한 금속 씨드층을 형성할 수 있다. According to the present invention having the above structure, as as in forming the metal seed layer on the substrate does not take advantage of the multi-layer deposition process of the various layers, reducing the thickness of the deposited electrode, not the replacement of a target prepared it is possible to reduce the time and production costs and to simplify the process, the adhesive strength can be formed excellent metal seed layer.

또한, 증착된 기판의 상부 표면을 열처리하여 금속 박막층과 기판 간의 접착력 향상을 위한 별도의 접착층을 제거할 수 있게 된다. Further, by heating the upper surface of the deposited substrate it is possible to eliminate the separate adhesive layer for improving the adhesion between the metal thin film layer and the substrate.

도 1은 종래기술에 의한 씨드층의 다층 구조를 나타내는 도면이다. 1 is a view showing a multi-layer structure of the seed layer according to the prior art.
도 2는 본 발명에 의한 씨드층의 형성을 나타내는 도면이다. 2 is a view showing the formation of the seed layer according to the present invention.
도 3은 본 발명에 의한 씨드층의 형성방법을 설명하는 순서도이다. 3 is a flowchart illustrating a method of forming the seed layer in accordance with the present invention.
도 4는 본 발명에 의한 씨드층의 형성을 위한 스퍼터의 개략도이다. Figure 4 is a schematic diagram of sputtering for the formation of the seed layer according to the present invention.
도 5a는 본 발명에 의한 씨드층의 SEM을 나타내는 도면, 도 5b는 씨드층의 XRF측정도이다. Figure 5a is a view showing a SEM of the seed layer according to the invention, Figure 5b is an XRF measurement of the seed layer.
도 6a는 본 발명에 의한 씨드층의 접촉력을 측정한 것을 나타내는 도면, 도 6b는 본 발명에 의한 씨드층의 열처리에 의한 접촉각의 변화를 나타내는 도면이다. Figure 6a is a view showing a change in contact angle due to the heat treatment of the seed layer due to the drawings, the invention Figure 6b indicates that the measured contact force of the seed layer according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 기판 배선전극 형성방법 및 이에 의해 제조된 기판에 대하여 실시예로써 상세하게 설명한다. It will now be described with respect to the substrate to form a wiring electrode according to the present invention with reference to the accompanying drawings, a method and a substrate produced by this detail by Examples.

본 실시예에 있어서, 배선전극은 터치패널용 배선전극을 예로 하였으나, 반드시 이에 한정되지 않고, LCD, 기타 반도체 소자의 배선전극에 적용될 수 있음은 물론이다. In this embodiment, the wiring electrode, but the wire electrode for a touch panel for example, and this may be not limited to, LCD, and other may be applied to the wiring electrodes of the semiconductor element as well.

또한, 본 발명에 의한 기판 배선전극의 형성방법은 미세전극패턴의 형성에 유리한 씨드층의 증착에 의하여 기판의 배선전극을 형성하는 방법에 적용된다. Further, the method of forming the electrode wiring board according to the present invention is applied to a method of forming the wiring electrodes of the substrate by the deposition of beneficial seed layer for the formation of a fine electrode pattern.

또한, 본 발명에 있어서, 기판상에 마스크(4)의 부착 및 제거는 종래기술에 의한 방법과 동일하므로 중복된 설명은 생략한다. In the present invention, the attachment and removal of the mask 4 onto the substrate is the same as the method according to the prior art, and duplicate explanations are omitted.

도 2 내지 도 4에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 의한 기판 배선전극의 형성방법은 구리(Cu)와 크롬(Cr)에 의해 기판(1)상에 씨드층(2)을 형성하는 것을 특징으로 한다. As shown in Fig. 2 to 4, the method of forming the substrate wire electrode according to the invention is characterized by forming a seed layer (2) on the substrate 1 by a copper (Cu) and chromium (Cr) .

본 실시예에 있어서, 상기 씨드층(2)은, 종래기술에서와 같이 구리와 크롬이 각각의 층을 형성하는 다층 박막 구조로 형성되지 않고, 상기 씨드층 내에서 구리와 크롬의 혼합비율이 상기 씨드층의 두께를 따라 점차 변화되도록 구성된다. In the present embodiment, the seed layer 2 is not formed of copper and a multilayer thin film structure that chromium is formed to each layer as in the prior art, the mixing ratio of copper and chromium is said in the seed layer along the thickness of the seed layer is configured to be gradually changed.

즉, 상기 씨드층의 두께 방향을 따라 기판의 표면에 접하는 부분에는 기판과의 접착력이 우수한 크롬의 혼합비율이 구리의 혼합비율보다 많고, 씨드층의 상부 부분으로 갈수록 전도성이 우수한 구리의 혼합비율이 점차 증가되도록 구리와 크롬의 조성비율이 점차 변화되도록 증착된다. That is, along the thickness direction of the seed layer is greater than the mixing ratio of the mixing ratio of the superior chrome adhesion between the part of the substrate in contact with the surface of the substrate is copper, toward the upper portion of the mixing ratio of the good conductivity of copper of the seed layer is the mole fraction of copper and chromium is deposited to gradually change to increase.

본 실시예에 있어서, 상기 기판은 유리기판인 것을 예로 하였으나, 반드시 이에 한정되지 않고 알루미나 등의 세라믹 기판, 플라스틱 기판, 고분자 플라스틱 필름과 같이, 그 상부에 금속 패턴이 형성되어 전자기기에 적용될 수 있는 다양한 형태와 재질의 기판을 포함할 수 있다. In the present embodiment, the substrate but that the glass substrate, for example, be this is not limited, such as a ceramic substrate, a plastic substrate, a polymer plastic film, such as alumina, a metal pattern is formed on its top which can be applied to the electronic device It may include a substrate of a variety of shapes and materials. 또한, 유리기판의 재질로는, 예를 들면 소다라임 유리, 파이렉스 유리, 강화 유리 등이 적용 가능하다. Further, it is possible to the glass substrate material is, for example, soda lime glass, Pyrex glass, tempered glass or the like applied.

또한, 본 실시예에 있어서, 배선전극의 형성을 위한 씨드층의 금속 박막층 재질로서, 구리(Cu), 크롬(Cr), 크롬계 합금, 구리계 합금이 적용되는 것을 예로 한다. In the present embodiment, as the metal thin film layer material of the seed layer for the formation of the wiring electrode, and that the copper (Cu), chromium (Cr), chrome-based alloys, copper-based alloy that is applied as an example.

상술한 바와 같이, 상기 씨드층의 두께 방향에 따른 구리와 크롬의 조성비율은, 구리타겟(14a)과 크롬 타겟(13a)에 인가되는 구동전압의 세기 또는 전류량의 제어에 의해 변화될 수 있다. , The mole fraction of copper and chromium in accordance with the direction of the thickness of the seed layer, copper targets may be changed by the control of (14a) and the intensity or amount of current of the driving voltage applied to the chromium targets (13a), as described above.

즉, 도 4에 나타낸 바와 같이, 우선 챔버(10)내로 배선전극을 형성할 기판(1)을 이송하고 히터(12)에 안착시킨다. That is, the transferring the first substrate 1 to form a wire electrode into the chamber 10, as shown in Figure 4 and secured to the heater 12. 그런 다음, 챔버내에 아르곤 가스를 도입하면서 히터(12)에 기판 바이어스(11)에 의해 전원을 인가하여 히터를 가열한다. Power is supplied by the substrate bias 11 to the heater 12. Then, while introducing argon gas into the chamber to heat the heater.

그런 다음, 상기 구리타겟(14a)에는 구리타겟용 스퍼터(14)를 이용하여 RF파워를 인가하고, 동시에 상기 크롬 타겟(13a)에는 크롬타겟용 스퍼터(13)를 이용하여 DC파워를 인가한다. Applying RF power Thereafter, the copper target (14a) is by using a sputter 14 for copper target and, at the same time, by using the chrome target (13a) is sputtered for a chromium target (13) is applied to the DC power. 이에 따라, 상기 기판의 상부표면은 SiO2와 같은 별도의 접착층을 형성하지 않고도 금속 박막층의 형성이 가능하게 된다. In this way, the top surface of the substrate becomes possible to form a metal thin film layer, without forming a separate adhesive layer, such as SiO2.

이 때, DC파워와 RF파워는 전압파워가 각각 다르기 때문에, 기판의 표면에 접착하는 상기 씨드층의 하단부분은 Cr-rich 상태가 된다. At this time, the DC power and the RF power is a power voltage is different respectively, and the lower portion of the seed layer to be bonded to the surface of the substrate is a Cr-rich state. 그런 다음, 시간의 경과에 따라 상기 구리타겟에 인가되는 RF파워는 일정하게 유지하면서 크롬 타겟에 인가되는 DC파워는 점차 감소하도록 제어한다. Then, with the passage of time the RF power is applied to the copper target, while maintaining a constant DC power is applied to the chromium target is controlled to decrease.

이 때, 구리와 크롬이 증착되는 동안에 상기 챔버 내부에서 상기 기판은 회전하게 된다. At this time, in the substrate within the chamber while the copper and the chromium deposition is rotated. 상기 기판의 회전에 의해 상기 기판상에는 구리와 크롬이 기판의 전체 면적을 통해 균일하게 증착이 이루어진다. The copper and chromium on the substrate by the rotation of the substrate is made as uniformly deposited over the entire surface of the substrate.

그런 다음, DC 파워가 줄어들게 되면서 구리와 크롬의 혼합비율이 크롬의 양은 점차 줄어들고 구리의 양은 점차 늘어나게 된다. The amount of then, DC power is decreased as the mixing ratio of copper and chromium the reduced amount of the chromium copper gradually increases gradually. DC파워가 0이 되면서 증착은 완료된다. As the DC power reaches zero, the deposition is completed.

본 실시예에 있어서, 상기 구리 및 크롬의 증착은 스퍼터링, e-beam, CVD, PVD 방법에 의해 증착될 수 있다. In this embodiment, the deposition of the copper and chromium may be deposited by sputtering, e-beam, CVD, PVD method.

이로써, 기판상에 배선전극을 위한 금속 전극 씨드층을 형성하는데 있어서 특정한 한 가지 재료를 각각 한 층으로 이용하지 않고 동일층내에서 구리와 크롬의 재료의 조성비가 변화하는 씨드층을 형성함으로써, 동일 씨드층 내에서 기판에 접하는 측에는 접착력이 우수한 크롬의 혼합비율이 많고, 그 상부로 갈수록 전도성이 우수한 구리의 혼합비율이 많도록 구성할 수 있으므로, 원하는 전극이 기판과의 접착력을 보다 우수하게 형성하면서도, 동일 챔버 내에서 타겟을 교체하지 않고도 구리와 크롬의 조성이 변화되는 씨드층을 형성할 수 있어서 제조 시간 및 제조 비용을 감소시킬 수 있어 전체 공정을 단순화시킬 수 있다. Thus, in forming the metal electrode seed layer for the wiring electrode on a substrate by forming a seed layer for the composition ratio of the material of the copper and chromium change in the same inner-layer without each used as a layer to a particular one of the materials, the same seed many the mixing ratio of the high chromium adhesive side in contact with the substrate in a layer, and going into the upper portion can be configured so that many a mixing ratio of the good conductivity of copper, while forming the desired electrode is better than the adhesion to the substrate, it is possible to form the seed layer that is a composition of copper and chromium without having to replace the target in the same chamber changes can reduce the manufacturing time and manufacturing cost can simplify the overall process.

상술한 바와 같이 형성된 본 발명에 의한 씨드층의 SEM측정도를 도 5a에, 씨드층의 조성변화 구리/크롬 박막의 XRF측정도를 도 5b에 나타내었다. To Figure SEM measurement of the seed layer according to the present invention formed as described above in Figure 5a, shown in FIG. XRF measurement Composition Cu / Cr thin films of the seed layer in FIG. 5b.

또한, 상술한 바와 같이 형성된 본 발명에 의한 씨드층의 Tape test의 결과를 도 6a에 나타냈었다. Further, naeteotda receive the results of the Tape test of the seed layer according to the present invention formed as described above in Fig. 6a. 도 6a에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 의한 동일층 내에서 조성이 변화되는 구리/크롬의 단일층에 의한 씨드층의 접착력은 구리와 크롬이 각각의 층으로 형성된 다층의 씨드층에 비하여 접착력이 대략 50% 정도 증가한 것을 알 수 있다. As it is shown in Figure 6a, the same layer adhesion of the seed layer by a single layer of copper / chrome which composition is changed in the according to the present invention, the adhesive force compared with the seed layer of the multilayer copper and chromium is formed as an individual layer substantially it can be seen that about 50 per cent.

한편, 상술한 바와 같이 씨드층의 증착이 완료된 기판은 열처리를 통해 접착력을 더욱 향상시킬 수 있다. On the other hand, the substrate is deposited a seed layer is completed as described above, it is possible to further improve the adhesive force through heat treatment.

즉, 증착이 완료된 상기 기판을 RTA(rapid thermal process)에서 열처리를 통해 접착력을 향상시킨다. That is, to improve the adhesive force through heat treatment, the substrate deposition is completed in the RTA (rapid thermal process). 본 실시예에 있어서는, RTA 내부를 진공상태로 유지하여 질소 분위기에서 1시간 동안 열처리를 하는 것을 예로 하였으나, 반드시 이에 한정되지 않고, 열처리 온도와 열처리 분위기, 열처리 시간은 적절한 범위내에서 조절이 가능하다. In the present embodiment, but that to maintain the internal RTA in a vacuum state to a heat treatment for one hour in a nitrogen atmosphere, for example, the time must not only limited to this, the heat treatment temperature and heat treatment atmosphere, the heat treatment can be controlled within a suitable range .

상기한 바와 같이, 단일층 내에서 조성이 변화되는 씨드층에 열처리를 할 때에, 열처리 온도별 접촉각을 도 6b에 나타낸다. As described above, when a heat treatment to the seed layer which composition is changed in a single layer, shows a contact angle by the heat treatment temperature in Fig. 6b. 도 6b에 나타낸 바와 같이, 단일층 내에서 조성이 변화되는 구리/크롬의 단일층 박막은 열처리 온도에 따라 접촉각이 각각 250℃에서는 2배, 350℃에서는 3.5배, 450℃에서는 4배가 증가함을 알 수 있고, 이로써 씨드층의 증착이 완료된 기판은 열처리를 통해 접착력을 더욱 향상시킬 수 있음을 알 수 있다. That the Figure, the single-layer film of copper / chrome composition change is 250 ℃ each of the contact angle in accordance with the heat treatment temperature twice, 3.5 times the 350 ℃, 4 times increase in the 450 ℃ within a single layer as shown in 6b can be known, so that the substrate is deposited a seed layer is complete, it can be seen that this can further improve the adhesive force through heat treatment.

또한, 상기 씨드층의 형성후에 상기 씨드층의 상부에 구리도금층을 전해도금 또는 무전해 도금방법을 이용하여 형성하여 전도성을 더욱 향상시킬 수 있고, 상술한 방법에 의해 배선전극이 형성된 기판이 완료된다. Further, after the formation of the seed layer is formed using a plating method to the upper electrolytic copper plating plating or electroless plating on the seed layer and can further improve the conductivity, the substrate having a wiring electrode by the above-described method is completed .

본 실시예는 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 명확하게 나타낸 것에 불과하며, 본 발명의 명세서에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형예와 구체적인 실시예는 모두 본 발명의 기술적 사상에 포함되는 것은 자명하다. This example is merely to clearly showing a part of the technical idea is also included in the present invention, modifications and specific embodiments to those skilled in the art to easily infer that within the scope of the technical spirit included in the context of the present invention, all It is included in the technical concept of the invention.

1 : 기판 1: substrate
2 : 씨드층 2: the seed layer
3 : 구리도금층 3: The copper plating layer
10 : 챔버 10: chamber
13 : 크롬타겟용 스퍼터 13: sputtering target for chromium
13a : 크롬 타겟 13a: chrome target
14 : 구리타겟용 스퍼터 14: copper sputtering target for
14a : 구리타겟 14a: copper target

Claims (6)

  1. 씨드층의 증착에 의하여 기판의 배선전극을 형성하는 방법에 있어서, A method of forming the wiring electrodes of the substrate by the deposition of the seed layer,
    구리와 크롬을 상기 기판상에 증착하여 상기 씨드층을 형성하며, 기판의 표면에 접하는 부분에는 크롬의 혼합비율이 구리의 혼합비율보다 많고, 상기 씨드층은 기판의 표면에 접하는 부분에서는 크롬의 혼합비율이 구리의 혼합비율보다 많고 기판의 표면에 접하는 부분으로부터 씨드층의 상부 부분을 향하여 상기 씨드층의 두께 방향을 따라 구리의 혼합비율이 점차 증가하며, Depositing a copper and chromium on the substrate to form the seed layer, there is greater than the mixing ratio of the mixing ratio of chromium-copper parts in contact with the surface of the substrate, the seed layer is a mixture of chromium in the portion in contact with the surface of the substrate and the ratio of the mixing ratio of copper gradually increases along the thickness direction of the seed layer toward the upper portion of the seed layer from the portion in contact with the surface of many of the substrate than the mixing ratio of copper,
    상기 씨드층의 두께 방향에 따른 구리와 크롬의 조성비율은 구리타겟과 크롬타겟에 인가되는 구동전압의 세기 또는 전류량의 제어에 의해 변화되며, The composition ratio of the copper and chromium in accordance with the direction of the thickness of the seed layer is changed by the control of the intensity or amount of current of the driving voltage applied to a copper target and a chromium target,
    상기 구리타겟에는 RF파워가 인가되고, 상기 크롬타겟에는 DC파워가 인가되는 것을 특징으로 하는 기판 배선전극의 형성방법. The copper target is applied to the RF power, the Cr target, the method for forming the electrode wiring board characterized in that the applied DC power.
  2. 삭제 delete
  3. 삭제 delete
  4. 삭제 delete
  5. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 씨드층의 증착이 완료된 기판에 RTA(rapid thermal process)에서 열처리하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 배선전극의 형성방법. The method of forming the electrode wiring board characterized in that the substrate is completed, deposition of the seed layer comprising the step of heat treatment in the RTA (rapid thermal process).
  6. 제 1 항 및 제 5 항에 의한 기판 배선전극의 형성방법에 의해 제조된 씨드층을 포함하는 기판. It comprises: a substrate including a seed layer produced by the method for forming the electrode wiring board according to claim 1 and claim 5.

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