KR102327836B1 - 분리막 활성층 형성용 조성물, 분리막의 제조 방법, 분리막 및 수처리 모듈 - Google Patents

분리막 활성층 형성용 조성물, 분리막의 제조 방법, 분리막 및 수처리 모듈 Download PDF

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Abstract

본 명세서는 분리막 활성층 형성용 조성물, 분리막의 제조방법, 분리막 및 수처리 모듈을 제공한다.

Description

분리막 활성층 형성용 조성물, 분리막의 제조 방법, 분리막 및 수처리 모듈{COMPOSITION FOR FORMING ACTIVE LAYER OF MEMBRANE, PREPARATION METHOD FOR MEMBRANE, MEMBRANE, AND WATER TREATMENT MODULE}
본 명세서는 분리막 활성층 형성용 조성물, 분리막의 제조 방법, 이에 의해 제조된 분리막 및 수처리 모듈에 관한 것이다.
본 출원은 2019년 06월 26일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2019-0076310호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
최근 수질환경의 심각한 오염과 물 부족으로 인해 새로운 수자원 공급원을 개발하는 것이 시급한 당면 과제로 대두되고 있다. 수질환경 오염에 대한 연구는 양질의 생활 및 공업용수, 각종 생활하수 및 산업폐수 처리를 목표로 하고 있으며, 에너지 절약의 장점을 지닌 분리막을 이용한 수 처리 공정에 대한 관심이 고조되고 있다. 또한, 가속화되고 있는 환경 규제의 강화는 분리막 기술의 활성화를 앞당길 것으로 예상된다. 전통적인 수처리 공정으로는 강화되는 규제에 부합하기 힘드나, 분리막 기술의 경우 우수한 처리효율과 안정적인 처리를 보증하기 때문에 향후 수처리 분야의 주도적인 기술로 자리매김할 것으로 예상된다.
액체분리는 막의 기공에 따라 정밀여과(Micro Filtration), 한외여과(UltraFiltration), 나노여과(Nano Filtration), 역삼투(Reverse Osmosis), 침석, 능동수송 및 전기투석 등으로 분류된다.
그 중에서 나노여과에 해당하는 나노필터는 다공성층과 활성층으로 구성되어 있으며, 분리막의 표면 전하 및 분리 이온의 사이즈, 그리고 역삼투 현상을 이용하여 용매와 용질을 분리하는 막이다. 나노필터의 투과 유량과 이온의 선택적 제거율은 막의 성능을 나타내는 중요한 지표로 사용되며, 이러한 성능은 계면 중합에 의해 생성된 활성층의 구조에 의해 큰 영향을 받는다. 이러한 나노필터의 성능을 향상시키기 위한 방법의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
한국 특허 공개 10-2015-0016475
본 명세서는 분리막 활성층 형성용 조성물, 분리막의 제조 방법, 이에 의해 제조된 분리막 및 수처리 모듈에 관한 것이다.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하고,
하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중량 (a) 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 중량 (b)에 대한, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중량 (a)의 백분율(a/(a+b))이 30% 내지 60%이며,
pH가 11 내지 12.7인 분리막 활성층 형성용 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112020041399406-pat00001
[화학식 2]
Figure 112020041399406-pat00002
상기 화학식 1 및 2에 있어서,
R1 내지 R16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 -CRR'-; 또는 -NR''-이고,
R1 내지 R10 중 적어도 두 개는 -NR''-이고,
R11 내지 R16 중 적어도 두 개는 -NR''-이며,
R, R' 및 R''는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태는 다공성층을 준비하는 단계; 및
상기 다공성층 상에 전술한 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하고, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중량 (a) 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 중량 (b)에 대한, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중량 (a)의 백분율(a/(a+b))이 30% 내지 60%이며, pH가 11 내지 12.7인 분리막 활성층 형성용 조성물을 이용하여 활성층을 제조하는 단계를 포함하는 분리막의 제조방법을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112020041399406-pat00003
[화학식 2]
Figure 112020041399406-pat00004
상기 화학식 1 및 2에 있어서,
R1 내지 R16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 -CRR'-; 또는 -NR''-이고,
R1 내지 R10 중 적어도 두 개는 -NR''-이고,
R11 내지 R16 중 적어도 두 개는 -NR''-이며,
R, R' 및 R''는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태는 전술한 분리막의 제조 방법에 의해 제조된 분리막으로, 2,000ppm MgSO4 수용액, 압력 130psi, 온도 25℃, 4L/min 조건에서 측정한 염 제거율이 99.7% 이상이고, 투과 유량이 21 GFD 이상인 분리막을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 전술한 분리막의 제조 방법에 의해 제조된 분리막으로, 하기 식 1을 만족하는 것인 분리막을 제공한다.
[식 1]
0.28≤Aa/Ab≤0.50
상기 식 1에서,
Aa는 FT-IR 분석시 파수 1640 cm-1의 흡광도 값을 의미하고,
Ab는 FT-IR 분석시 파수 1587 cm-1의 흡광도 값을 의미한다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 전술한 분리막을 하나 이상 포함하는 수처리 모듈을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 분리막 활성층 형성용 조성물을 이용하여 분리막을 제조하는 경우, 분리막의 염 제거율 및 투과 유량을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 분리막을 도시한 것이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 수처리 모듈을 도시한 것이다.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 30일 수 있고, 1 내지 20일 수 있으며, 바람직하게는 1 내지 10일 수 있다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 10이다. 구체적으로 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 알킬렌기는 알칸(alkane)에 결합위치가 두 개 있는 것을 의미한다. 상기 알킬렌기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알킬렌기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 탄소수 1 내지 30, 구체적으로는 1 내지 20, 더욱 구체적으로는 1 내지 10이다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬렌기는 시클로알칸에 결합위치가 두 개 있는 것을 의미한다. 상기 시클로알칸은 전술한 시클로알킬기에 대한 설명이 적용될 수 있다.
이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하고, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중량 (a) 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 중량 (b)에 대한, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중량 (a)의 백분율(a/(a+b))이 30% 내지 60%이며, pH가 11 내지 12.7인 분리막 활성층 형성용 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112020041399406-pat00005
[화학식 2]
Figure 112020041399406-pat00006
상기 화학식 1 및 2에 있어서,
R1 내지 R16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 -CRR'-; 또는 -NR''-이고,
R1 내지 R10 중 적어도 두 개는 -NR''-이고,
R11 내지 R16 중 적어도 두 개는 -NR''-이며,
R, R' 및 R''는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이다.
본 명세서에 따른 활성층 형성용 조성물이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 모두 포함하는 경우, 활성층 내 포함되는 공극 크기(pore size)의 증가로 인하여 분리막의 투과유량이 향상된다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 중량 (a) 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 중량 (b)에 대한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 중량 (a)의 백분율(a/(a+b))이 30% 내지 60%인 경우, 분리막의 염 제거율 하락 없이 투과유량을 향상시킬 수 있다.
덧붙여, 상기 활성층 형성용 조성물의 pH가 11 내지 12.7인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물과 아실 할라이드 화합물의 반응 후 생성되는 HCl의 중화 작용 원리로 인하여 분리막의 염 제거율 및 투과유량을 더 향상시킬 수 있다. 바람직하게 상기 활성층 형성용 조성물의 pH는 12 내지 12.5일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 -CRR'-; 또는 -NR''-이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3, R8, R12 및 R15는 -NR''-이며, 상기 R''는 상기 화학식 1 및 2에서 정의한 것과 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R10 중 적어도 두 개는 -NR''-이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R11 내지 R16 중 적어도 두 개는 -NR''-이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R, R' 및 R''는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R, R' 및 R''는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R, R' 및 R''는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R, R' 및 R''는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R, R' 및 R''는 각각 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식으로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112020041399406-pat00007
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2는 하기 화학식으로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112020041399406-pat00008
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 각각은 상기 활성층 형성용 조성물 총 중량을 기준으로 0.1 중량% 내지 0.3 중량% 포함된다.
바람직하게 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 각각은 상기 활성층 형성용 조성물 총 중량을 기준으로 0.11 중량% 내지 0.25 중량% 포함된다.
구체적으로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 활성층 형성용 조성물 총 중량을 기준으로 0.11 중량% 내지 0.21 중량%이다.
더욱 구체적으로 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 상기 활성층 형성용 조성물 총 중량을 기준으로 0.14 중량% 내지 0.25 중량%이다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 각각이 상기 중량 범위를 만족하는 경우, 염 제거율 하락 없이 투과 유량을 향상시킬 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 분리막 활성층 형성용 조성물의 pH가 11 내지 12.7이다.
상기 활성층 형성용 조성물이 상기 pH 범위를 만족하는 경우, 활성층 중합 반응이 가능하여 분리막의 염 제거율 97% 이상, 바람직하게는 99.7% 이상 확보가 가능하다.
상기 활성층 형성용 조성물의 pH가 11 미만인 경우, 활성층 중합 반응이 일어나지 않으며, pH가 12.7을 초과하는 경우, 분리막의 염 제거율이 95% 미만으로 크게 하락한다.
상기 활성층 형성용 조성물은 트리에틸아민 및 캠퍼설폰산의 염을 더 포함할 수 있다.
상기 활성층 형성용 조성물 총 중량을 기준으로, 상기 활성층 형성용 조성물 내 상기 트리에틸아민 및 캠퍼설폰산의 염은 4 중량% 내지 9 중량% 포함될 수 있다. 바람직하게 상기 트리에틸아민 및 캠퍼설폰산의 염은 5 중량% 내지 7 중량% 포함될 수 있다.
또한, 상기 활성층 형성용 조성물은 상기 활성층 형성용 조성물의 pH 범위를 만족시키기 위하여, 수산화나트륨(NaOH)을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 계면활성제; 친수성 고분자 화합물; 및 용매를 더 포함하는 것인 분리막 활성층 형성용 조성물을 제공한다.
상기 계면활성제는 예컨대 소듐라우릴설페이트(Sodium lauryl sulfate, SLS) 또는 소듐도데실벤젠설포네이트(sodium dodecyl benzene sulfonate)를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게 상기 계면활성제는 소듐라우릴설페이트(SLS)일 수 있다.
상기 계면활성제는 상기 활성층 형성용 조성물 총 중량을 기준으로, 상기 활성층 형성용 조성물 내 0.05 중량% 내지 1 중량% 포함될 수 있다. 상기 계면활성제가 상기 범위로 포함되는 경우, 활성층 형성용 조성물이 상기 다공성층 표면에 고르게 도포되는 효과가 있다.
상기 친수성 고분자 화합물은 예컨대, 폴리비닐알코올(poly vinylalcohol, PVA), 폴리에틸렌옥사이드(poly ethylene oxide), 폴리아크릴산(poly acrylic acid), 폴리에틸렌글리콜(poly ethylene glycol)이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게 상기 친수성 고분자 화합물은 폴리비닐알코올(PVA)일 수 있다.
상기 친수성 고분자 화합물은 상기 활성층 형성용 조성물 총 중량을 기준으로, 상기 활성층 형성용 조성물 내 0.05 중량% 내지 1 중량% 포함될 수 있다. 상기 친수성 고분자 화합물이 상기 범위로 포함되는 경우, 상기 활성층의 기계적 강도를 확보할 수 있다.
상기 용매는 물일 수 있으며, 상기 활성층 형성용 조성물에서 상기 아민 화합물을 제외한 잔부는 물일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 다공성층을 준비하는 단계; 및 상기 다공성층 상에 전술한, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하고, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중량 (a) 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 중량 (b)에 대한, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중량 (a)의 백분율(a/(a+b))이 30% 내지 60%이며, pH가 11 내지 12.7인 분리막 활성층 형성용 조성물을 이용하여 활성층을 제조하는 단계를 포함하는 분리막 제조방법을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112020041399406-pat00009
[화학식 2]
Figure 112020041399406-pat00010
상기 화학식 1 및 2에 있어서,
R1 내지 R16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 -CRR'-; 또는 -NR''-이고,
R1 내지 R10 중 적어도 두 개는 -NR''-이고,
R11 내지 R16 중 적어도 두 개는 -NR''-이며,
R, R' 및 R''는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이다.
상기 분리막의 제조방법에 있어서, 상기 화학식 1 및 화학식 2의 정의는 전술한 바와 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 활성층 형성용 조성물을 이용하여 활성층을 제조하는 단계는 상기 활성층 형성용 조성물과 아실 할라이드 화합물을 포함하는 유기용액의 계면 중합을 포함한다.
구체적으로, 상기 활성층 형성용 조성물과 상기 유기용액의 접촉시, 상기 지지층의 표면에 코팅된 아민 화합물과 다관능성 아실 할라이드 화합물이 반응하면서 계면 중합에 의해 폴리아미드를 생성하고, 상기 지지층에 흡착되어 박막이 형성된다. 상기 접촉 방법에 있어서, 침지, 스프레이 또는 코팅 등의 방법을 통해 상기 폴리아미드 활성층을 형성할 수 있다.
상기 아실할라이드 화합물을 포함하는 유기용액은, 아실 할라이드 화합물 및 유기용매를 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 아실 할라이드 화합물은, 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들면, 2 내지 3 개의 카르복실산 할라이드를 갖는 방향족 화합물로서, 트리메조일클로라이드(TMC), 이소프탈로일클로라이드, 테레프탈로일클로라이드, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물일 수 있다. 바람직하게 상기 아실 할라이드 화합물은 트리메조일클로라이드(TMC)이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 아실 할라이드 화합물의 함량은 상기 역삼투막의 활성층 형성용 조성물 총 중량을 기준으로 0.2 중량% 내지 0.8 중량% 포함될 수 있다. 바람직하게, 상기 아실 할라이드 화합물의 함량은 0.4 중량% 내지 0.5 중량% 포함될 수 있다.
상기 유기용매로는 지방족 탄화수소 용매, 예를 들면, 프레온류와 탄소수가 5 내지 12인 헥산, 사이클로헥산, 헵탄, 알칸과 같은 물과 섞이지 않는 소수성 액체, 예를 들면, 탄소수가 5 내지 12인 알칸과 그 혼합물인 IsoPar(Exxon), ISOL-C(SK Chem), ISOL-G(Exxon), IsoPar G 등이 사용될 수 있으나, 이로써 제한되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 아실 할라이드 화합물을 포함하는 유기용액에서 상기 아실 할라이드 화합물을 제외한 잔부는 상기 유기용매일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 다공성층을 준비하는 단계는 제1 다공성 지지체를 준비하는 단계; 및 상기 제1 다공성 지지체 상에 고분자 재료의 코팅층인 제2 다공성 지지체를 형성시키는 것을 포함한다.
즉, 상기 다공성층은 제1 다공성 지지체 및 제2 다공성 지지체를 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 다공성지지체는 부직포이고, 상기 제2 다공성 지지체는 폴리설폰층이다.
상기 제1 다공성 지지체로는 부직포를 사용할 수 있다. 상기 부직포의 재료로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트가 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 부직포의 두께는 50 ㎛ 내지 150 ㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게 상기 두께는 80 ㎛ 내지 120 ㎛일 수 있다. 상기 부직포의 두께가 상기 범위를 만족하는 경우, 상기 다공성층을 포함하는 기체 분리막의 내구성이 유지될 수 있다.
상기 제2 다공성 지지체는 상기 제1 다공성 지지체 상에 고분자 재료의 코팅층이 형성된 것을 의미할 수 있다. 상기 고분자 재료로는, 예를 들면, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐, 폴리메틸클로라이드 및 폴리비닐리덴플루오라이드 등이 사용될 수 있으나, 반드시 이들로 제한되는 것은 아니다. 구체적으로, 상기 고분자 재료로서 폴리설폰을 사용할 수 있다. 즉, 상기 제2 다공성 지지체는 폴리설폰층이다.
상기 제2 다공성 지지체의 두께는 20㎛ 내지 200㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게 상기 두께는 40㎛ 내지 160㎛일 수 있다. 상기 코팅층의 두께가 상기 범위를 만족하는 경우, 상기 제2 다공성 지지체를 포함하는 다공성층을 포함하는 분리막의 내구성이 적절히 유지될 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 제2 다공성 지지체는 상기 폴리설폰이 포함된 고분자 용액으로 제조될 수 있다. 상기 폴리설폰이 포함된 고분자 용액은, 상기 폴리설폰이 포함된 고분자 용액 총 중량을 기준으로, 80 중량% 내지 90 중량%의 용매 디메틸포름아마이드에 10 중량% 내지 20 중량%의 폴리설폰 고형을 넣고 80 ℃ 내지 85 ℃에서 12시간동안 녹인 후 얻은 균질(homogeneous)한 액상일 수 있으나, 상기 중량 범위가 상기 범위로 한정되는 것은 아니다.
상기 폴리설폰이 포함된 고분자 용액의 총 중량을 기준으로 상기 범위의 폴리설폰 고형이 포함되는 경우, 상기 제2 다공성 지지체를 포함하는 분리막의 내구성이 적절히 유지될 수 있다.
상기 제2 다공성 지지체는 캐스팅의 방법으로 형성될 수 있다. 상기 캐스팅은 용액 주조(casting) 방법을 의미하는 것으로, 구체적으로, 상기 고분자 재료를 용매에 용해시킨 후, 접착성이 없는 평활한 표면에 전개시킨 후 용매를 치환시키는 방법을 의미할 수 있다. 구체적으로, 상기 용매로 치환시키는 방법은 비용매 유도 상분리법(nonsolvent induced phase separation)을 이용할 수 있다. 상기 비용매 유도 상분리법이란, 고분자를 용매에 용해시켜 균일 용액을 만들고 이를 일정형태로 성형시킨 후 비용매에 침지시킨다. 이후 비용매와 용매의 확산에 의한 상호교환이 이루어지며 고분자 용액의 조성이 변하게 되고, 고분자의 침전이 일어나면서 용매와 비용매가 차지하던 부분을 기공으로 형성시키는 방법이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 활성층을 제조하는 단계 이후에 상기 활성층 상에 보호층을 제조하는 단계를 더 포함한다.
상기 보호층은 보호층 형성용 조성물로 제조되며, 상기 보호층 형성용 조성물은 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리에틸렌글리콜(poly ethylene glycol), 또는 글리세롤(glycerol) 을 포함한다. 바람직하게, 상기 보호층 형성용 조성물은 폴리비닐알코올을 포함한다.
상기 폴리비닐알코올은 상기 보호층 형성용 조성물 총 중량을 기준으로, 상기 보호층 형성용 조성물 내 0.1 중량% 내지 3 중량% 포함될 수 있다. 상기 폴리비닐알코올이 상기 범위로 포함되는 경우, 활성층을 물리적인 손상으로부터 보호할 수 있다.
상기 보호층 형성용 조성물은 용매로 물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 따른 분리막이 상기 보호층을 더 포함함으로써, 투과 유량 저하를 최소화하면서도 내오염성 및 내구성을 향상시킬 수 있다.
상기 활성층 상에 보호층을 제조하는 단계는, 예를 들면, 폴리아미드 활성층이 형성된 다공성층을 상기 보호층 형성용 조성물에 침지시키는 방법을 통해 수행될 수 있고, 상기 폴리아미드 활성층이 형성된 다공성층 상에 전술한 보호층 형성용 조성물을 도포하는 방법을 통해 수행될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
한편, 상기 침지 시간은 형성하고자 하는 보호층의 두께 등을 고려하여 적절하게 조절될 수 있으며, 예를 들면, 0.1 분 내지 10시간 정도, 바람직하게는 1 분 내지 1 시간 정도인 것이 좋다. 침지 시간이 0.1 분 미만일 경우, 보호층이 충분히 형성되지 않으며, 침지 시간이 10 시간을 초과할 경우에는, 보호층 두께가 너무 두꺼워져 분리막의 투과유량이 감소되는 부정적인 영향이 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 보호층의 두께는 100nm 내지 300nm 일 수 있다. 상기 보호층의 두께가 100nm 미만이면, 활성층이 쉽게 손상될 수 있고, 300nm 초과이면 상기 분리막의 투과 유량 및 염제거율을 감소시킬 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 전술한 분리막의 제조 방법에 의해 제조된 분리막으로, 2,000ppm MgSO4 수용액, 압력 130psi, 온도 25℃, 4L/min 조건에서 측정한 염 제거율이 99.7% 이상이고, 투과 유량이 21 GFD 이상인 분리막을 제공한다.
상기 염 제거율은 바람직하게 99.7% 내지 99.9%이고, 더욱 바람직하게 99.77% 내지 99.85%이다.
상기 투과 유량은 바람직하게 21 GFD 내지 29 GFD이고, 더욱 바람직하게 21.16 GFD 내지 25.85 GFD이다.
본 명세서에 따른 분리막이 전술한 염 제거율 및 투과 유량을 만족하는 경우, 상기 분리막은 해수 내 황산이온(SO4 2-) 분리를 위해 용이하게 사용할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 GFD란 투과 유량의 단위로, gallons/ft2/day를 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태는 전술한 분리막의 제조 방법에 의해 제조된 분리막으로, 하기 식 1을 만족하는 것인 분리막을 제공한다.
[식 1]
0.28≤Aa/Ab≤0.50
상기 식 1에서,
Aa는 FT-IR 분석시 파수 1640 cm-1의 흡광도 값을 의미하고,
Ab는 FT-IR 분석시 파수 1587 cm-1의 흡광도 값을 의미한다.
구체적으로, FT-IR 분석시 Cary 660를 이용하여 스펙트럼을 측정할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 바람직하게는 0.31≤Aa/Ab≤0.49일 수 있고, 더욱 바람직하게는 0.32≤Aa/Ab≤0.48일 수 있다.
전술한 분리막의 제조 방법에 의해 제조된 분리막의 FT-IR 분석시 파수 1800 cm-1 내지 1000 cm-1 구간을 분석하면, 상기 분리막에 포함되는 설폰기(sulfonyl group) 및 아미드기(amide group)의 함량 비율에 따라 상기 분리막에 포함되는 상기 다공성층 두께 대비 상기 활성층의 두께 비율을 확인할 수 있다. 상기 설폰기는 상기 다공성층의 폴리설폰에 포함되며, 상기 아미드기는 상기 활성층의 폴리아미드에 포함된다.
상기 식 1의 Aa/Ab 값이 0.28≤Aa/Ab≤0.50의 범위를 만족하는 경우, 상기 다공성층의 두께 대비, 전술한 상기 활성층 형성용 조성물과 아실 할라이드 화합물을 포함하는 유기용액의 계면 중합에 의해 제조된 활성층의 두께가 얇아 본 명세서에서 목적하는 분리막의 염 제거율 및 투과 유량을 만족할 수 있는 것을 의미한다. 상기 Aa/Ab 값이 0.28 미만인 경우, 활성층의 두께가 얇아 상기 활성층을 포함하는 염 제거율이 급격하게 낮아지고, 상기 Aa/Ab 값이 0.50 초과인 경우 활성층의 두께가 두껴워져 상기 활성층을 포함하는 분리막의 투과 유량이 낮아진다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 분리막은 정밀 여과막, 한외 여과막, 나노 여과막 또는 역삼투막일 수 있다. 바람직하게 상기 분리막은 나노 여과막이다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 분리막을 하나 이상 포함하는 수처리 모듈을 제공한다.
상기 수처리 모듈에 포함되는 역삼투막은 1 내지 50개일 수 있으며, 1 내지 30개 일 수 있고, 바람직하게는 24 내지 28개 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 수처리 모듈의 구체적인 종류는 특별히 제한되지 않으며, 그 예에는 판형(plate & frame) 모듈, 관형(tubular) 모듈, 중공사형(Hollow & Fiber) 모듈 또는 나권형(spiral wound) 모듈 등이 포함될 수 있다.
또한, 상기 수처리 모듈은 전술한 분리막을 포함하는 한, 그 외의 기타 구성 및 제조 방법 등은 특별히 한정되지 않고, 이 분야에서 공지된 일반적인 수단을 제한 없이 채용할 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 분리막을 도시한 것이다. 구체적으로, 도 1은 제1 다공성 지지체(100) 및 제2 다공성 지지체(200)를 포함하는 다공성층; 활성층(300)이 순차적으로 구비된 분리막을 도시한 것으로서, 활성층(300)으로 염수(400)가 유입되어, 정제수(500)가 지지체(100)를 통하여 배출되고, 농축수(600)는 활성층(300)을 통과하지 못하고 외부로 배출된다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 수처리 모듈을 도시한 것이다. 구체적으로, 수처리 모듈은 중앙 튜브(40), 공급 스페이서(Feed spacer)(20), 분리막(10), 트리코트 여과수로(30) 등을 포함하여 구성된다. 수처리 모듈에 원수를 흘려 보내주면, 수처리 모듈 내 공급 스페이서(20)를 통해, 원수가 유입된다. 하나 이상의 분리막(10)은 튜브(40)로부터 외측 방향으로 연장되고, 튜브(40) 둘레로 권취되게 된다. 공급 스페이서(20)는 외부로부터 원수가 유입되는 통로를 형성하며, 하나의 분리막(10)과 다른 하나의 분리막(10) 사이의 간격을 유지시키는 역할을 수행한다. 이를 위해, 공급 스페이서(20)는 하나 이상의 분리막(10)과 상측 및 하측에서 접촉하며 튜브(40) 둘레로 권취되게 된다. 트리코트 여과수로(30)는 일반적으로 직물 형태의 구조를 가지며, 분리막(10)을 통해 정제된 물이 흘러나갈 수 있는 공간을 만들어주는 유로 역할을 수행하게 된다. 튜브(40)는 수처리 모듈의 중심에 위치하며, 여과된 물이 유입되어 배출되는 통로 역할을 수행한다. 이 때, 튜브(40) 외측에는 여과된 물이 유입되도록 소정 크기의 공극이 형성되는 것이 바람직하여, 하나 이상 형성되는 것이 바람직하다. 상기 분리막(10)이 상기 활성층 형성용 조성물로 제조된 활성층(300)을 포함함에 따라, 염 제거율 및/또는 유량의 분리막 성능이 향상될 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
제조예
실시예 1.
(다공성층의 제조)
제1 다공성 지지체로서 부직포를 사용하였으며, 상기 부직포는 폴리에틸렌테레프탈레이트였고, 두께가 100μm인 폴리에틸렌테레프탈레이트를 사용하였다.
상기 제1 다공성 지지체 상에 제2 다공성 지지체인 폴리설폰층을 제조하기 위하여, 폴리설폰이 포함된 고분자 용액을 제조하였다. 상기 폴리설폰이 포함된 고분자 용액은, 상기 폴리설폰이 포함된 고분자 용액 총 중량을 기준으로, 85 중량%의 용매 디메틸포름아마이드에 15 중량%의 폴리설폰 고형(solid)을 넣고 80 내지 85 ℃에서 12시간동안 녹인 후 얻은 균질(homogeneous)한 액상이었다.
이후, 상기 제1 다공성 지지체(폴리에틸렌테레프탈레이트) 위에 40 μm 로 상기 폴리설폰이 포함된 고분자 용액을 슬롯 다이코팅 방법으로 캐스팅하여, 제2 다공성 지지체(폴리설폰층)을 제조하였다. 이를 통해, 제1 다공성 지지체 및 폴리설폰층을 포함하는 다공성층을 제조하였다.
(활성층의 제조)
상기 다공성층 상에 활성층을 제조하기 위해, 활성층 형성용 조성물을 제조하였다. 상기 활성층 형성용 조성물은 상기 활성층 형성용 조성물 총 중량을 기준으로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물인 4,4'-비피페리딘 0.11 중량%, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물인 피페라진 0.25 중량%을 넣고, 트리에틸아민/캠퍼설폰산을 염 형태로 6 중량%을 첨가하고, 상기 활성층 형성용 조성물의 pH를 12.5로 하기 위하여, 수산화나트륨(NaOH)을 첨가하였다.
또한, 다공성층 표면에 활성층 형성용 조성물을 균일하게 도포하기 위하여 소듐라우릴설페이트(SLS)의 계면활성제와 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol)의 친수성 고분자 화합물 각각을 상기 활성층 형성용 조성물 총 중량을 기준으로 0.5 중량%, 0.5 중량% 첨가하였다. 그리고 잔부의 물을 포함시켜 활성층 형성용 조성물을 제조하였다.
이후, 제조한 상기 활성층 형성용 조성물을 상기 다공성층 상에 도포하여 수용액층을 형성하였다. 나아가, 도포시 발생한 여분의 수용액을 에어 나이프를 이용하여 제거하였다.
상기 수용액층 상에 아실 할라이드 화합물을 포함하는 유기용액을 도포하였다. 상기 아실 할라이드 화합물을 포함하는 유기용액은, 상기 아실 할라이드 화합물을 포함하는 유기용액 총 중량을 기준으로 트리메조일클로라이드(TMC) 0.45 중량% 및 잔부의 유기용매(IsoPar G)를 포함시켜 제조하였다.
그리고, 95℃의 오븐에서 액상 성분이 모두 증발할 때까지 건조한 후, 초순수 증류수(DIW)로 세척하여 분리막을 제조하였다.
세척된 분리막 표면에 보호층 형성용 조성물인 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol) 수용액을 도포한 뒤, 에어 나이프를 이용하여 여분의 수용액을 제거하고, 85 ℃조건에서 액상 성분이 모두 증발할 때까지 건조하여 최종 분리막을 제조하였다. 상기 보호층 형성용 조성물은, 보호층 형성용 조성물 총 중량을 기준으로 3 중량%의 폴리비닐알코올 및 잔부의 물을 포함시켜 제조하였다.
실시예 2 내지 4.
상기 실시예 1에서, 상기 활성층 형성용 조성물에 포함되는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 함량을 하기 표 1에 기재된 것을 적용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 분리막을 제조하였다.
비교예 1 내지 5.
상기 실시예 1에서, 상기 활성층 형성용 조성물에 포함되는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 함량을 하기 표 1에 기재된 것을 적용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 분리막을 제조하였다.
비교예 6 내지 9.
상기 실시예 1에서, 상기 활성층 형성용 조성물에 포함되는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 함량을 하기 표 1에 기재된 것을 적용하고, 수산화나트륨을 첨가하지 않아 pH 10으로 조절한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 분리막을 제조하였다.
화학식 1로 표시되는 화합물(4,4'-비피페리딘)(a)의 중량% 화학식 2로 표시되는 화합물(피페라진)(b)의 중량% a/(a+b) 백분율(%) pH
실시예 1 0.11 0.25 30 12.5
실시예 2 0.14 0.21 40 12.5
실시예 3 0.18 0.18 50 12.5
실시예 4 0.21 0.14 60 12.5
비교예 1 0 0.35 0 12.5
비교예 2 0.04 0.32 10 12.5
비교예 3 0.07 0.28 20 12.5
비교예 4 0.26 0.09 75 12.5
비교예 5 0.35 0 100 12.5
비교예 6 0.11 0.25 30 10
비교예 7 0.14 0.21 40 10
비교예 8 0.18 0.18 50 10
비교예 9 0.21 0.14 60 10
실험예
(분리막의 성능 측정)
염 제거율 및 투과 유량 측정
상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 9에 의하여 제조된 분리막에 대하여, 2,000 ppm의 MgSO4 수용액을 130 psi, 4 L/min의 유량으로 1 시간 가량 장비 운전을 실시하여 안정화된 것을 확인한 후, 25℃에서 10분 간 투과되는 물의 양을 측정하여 투과유량(flux: GFD(gallon/ft2/day))을 계산하고, 전도도 미터(Conductivity Meter)를 사용하여 투과 전과 후의 염 농도를 분석하여 염 제거율(Rejection)을 계산한 결과를 하기 표 2에 기재하였다.
염 제거율(%) 투과 유량(GFD)
실시예 1 99.77 21.16
실시예 2 99.81 25.85
실시예 3 99.85 24.46
실시예 4 99.84 25.14
비교예 1 99.95 16.61
비교예 2 99.87 13.21
비교예 3 99.83 14.41
비교예 4 98.81 32.44
비교예 5 97.75 53.27
비교예 6 75.89 17.65
비교예 7 79.14 18.21
비교예 8 74.95 16.58
비교예 9 73.51 18.39
상기 표 2에 따르면, 비교예 1 내지 9의 분리막에 비교하여 실시예 1 내지 4의 분리막은 염 제거율을 99.7% 이상으로 유지하면서, 투과 유량이 21 GFD 이상인 것을 확인할 수 있다.
이로써, 본 명세서에 따른 분리막은 성능이 우수함을 확인할 수 있었다.
(FT-IR 분석을 통한 활성층의 두께 측정)
상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 5에 의하여 제조된 분리막을 FT-IR spectrometer인 Cary 660를 이용하여 파수 1800 cm-1 내지 1000cm-1 구간을 분석하였다. 구체적으로 파수 1640 cm-1 의 흡광도 값을 측정하여 하기 표 3에 Aa로 기재하였고, 1587 cm-1의 흡광도 값을 측정하여 하기 표 3에 Ab로 기재하였다. 그리고 Aa/Ab 값을 계산하여 하기 표 3에 기재하였다.
Aa Ab Aa/Ab
실시예 1 0.172 0.36 0.48
실시예 2 0.140 0.36 0.39
실시예 3 0.124 0.36 0.34
실시예 4 0.114 0.36 0.32
비교예 1 0.186 0.36 0.52
비교예 2 0.184 0.36 0.51
비교예 3 0.183 0.36 0.51
비교예 4 0.096 0.36 0.27
비교예 5 0.087 0.36 0.24
상기 표 3에 따르면, 실시예 1 내지 4의 Ab/Ab 값이 0.28≤Aa/Ab≤0.50을 만족함으로써 다공성층의 두께 대비 전술한 상기 활성층 형성용 조성물과 아실 할라이드 화합물을 포함하는 유기용액의 계면 중합에 의해 제조된 활성층의 두께가 얇아 본 명세서에서 목적하는 염 제거율 및 투과 유량을 만족하는 것을 확인할 수 있었다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 발명의 범주에 속한다.
10: 분리막
20: 공급 스페이서
30: 트리코트 여과수로
40: 튜브
100: 제1 다공성 지지체
200: 제2 다공성 지지체
300: 활성층
400: 염수
500: 정제수
600: 농축수

Claims (12)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하고,
    하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중량 (a) 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 중량 (b)에 대한, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중량 (a)의 백분율(a/(a+b))이 30% 내지 60%이며,
    pH가 12 내지 12.5인
    분리막 활성층 형성용 조성물:
    [화학식 1]
    Figure 112021082687626-pat00011

    [화학식 2]
    Figure 112021082687626-pat00012

    상기 화학식 1 및 2에 있어서,
    R1 내지 R16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 -CRR'-; 또는 -NR''-이고,
    R1 내지 R10 중 적어도 두 개는 -NR''-이고,
    R11 내지 R16 중 적어도 두 개는 -NR''-이며,
    R, R' 및 R''는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 R3, R8, R12 및 R15는 -NR''-이며,
    상기 R''는 상기 화학식 1 및 2에서 정의한 것과 같은 것인 분리막 활성층 형성용 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 각각은 상기 활성층 형성용 조성물 총 중량을 기준으로 0.1 중량% 내지 0.3 중량% 포함되는 것인 분리막 활성층 형성용 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 계면활성제; 친수성 고분자 화합물; 및 용매를 더 포함하는 것인 분리막 활성층 형성용 조성물.
  5. 다공성층을 준비하는 단계; 및
    상기 다공성층 상에 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 따른, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하고, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중량 (a) 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 중량 (b)에 대한, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중량 (a)의 백분율(a/(a+b))이 30% 내지 60%이며, pH가 12 내지 12.5인 분리막 활성층 형성용 조성물을 이용하여 활성층을 제조하는 단계를 포함하는 분리막의 제조방법:
    [화학식 1]
    Figure 112021082687626-pat00013

    [화학식 2]
    Figure 112021082687626-pat00014

    상기 화학식 1 및 2에 있어서,
    R1 내지 R16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 -CRR'-; 또는 -NR''-이고,
    R1 내지 R10 중 적어도 두 개는 -NR''-이고,
    R11 내지 R16 중 적어도 두 개는 -NR''-이며,
    R, R' 및 R''는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이다.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 활성층 형성용 조성물을 이용하여 활성층을 제조하는 단계는 상기 활성층 형성용 조성물과 아실 할라이드 화합물을 포함하는 유기용액의 계면 중합을 포함하는 것인 분리막의 제조방법.
  7. 청구항 5에 있어서, 상기 다공성층을 준비하는 단계는 제1 다공성 지지체를 준비하는 단계; 및 상기 제1 다공성 지지체 상에 제2 다공성 지지체를 제조하는 단계를 포함하는 것인 분리막의 제조방법.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 제1 다공성 지지체는 부직포이고,
    상기 제2 다공성 지지체는 폴리설폰층인 것인 분리막의 제조방법.
  9. 청구항 5에 있어서, 상기 활성층을 제조하는 단계 이후에 상기 활성층 상에 보호층을 제조하는 단계를 더 포함하는 것인 분리막의 제조방법.
  10. 청구항 5에 따른 분리막의 제조 방법에 의해 제조된 분리막으로,
    2,000ppm MgSO4 수용액, 압력 130psi, 온도 25℃, 4L/min 조건에서 측정한 염 제거율이 99.7% 이상이고,
    투과 유량이 21 GFD 이상인 분리막.
  11. 청구항 5에 따른 분리막의 제조 방법에 의해 제조된 분리막으로,
    하기 식 1을 만족하는 것인 분리막:
    [식 1]
    0.28≤Aa/Ab≤0.50
    상기 식 1에서,
    Aa는 FT-IR 분석시 파수 1640 cm-1의 흡광도 값을 의미하고,
    Ab는 FT-IR 분석시 파수 1587 cm-1의 흡광도 값을 의미한다.
  12. 청구항 10에 따른 분리막을 하나 이상 포함하는 수처리 모듈.
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