KR102310465B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 기판을 지지하고, 지지판을 포함하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 하부로 유체를 공급하는 하부 유체 공급 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판을 제전하는 제전 유닛과; 제어기를 포함하고, 상기 제전 유닛은, 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 하면과 이격되도록 제공되는 제전 플레이트를 포함하고, 상기 제어기는, 상기 기판의 하부로 상기 유체를 공급하여 상기 기판의 하면과 상기 제전 플레이트 사이 공간에 액막을 형성하도록 상기 하부 유체 공급 유닛을 제어할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate includes: a support unit for supporting a substrate and including a support plate; a lower fluid supply unit supplying a fluid to a lower portion of the substrate supported by the support unit; a discharging unit for discharging the substrate supported by the support unit; a controller, wherein the static elimination unit includes a static elimination plate provided to be spaced apart from a lower surface of the substrate supported by the support unit, wherein the controller supplies the fluid to a lower portion of the substrate to form a lower surface of the substrate and the The lower fluid supply unit may be controlled to form a liquid film in the space between the antistatic plates.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate processing apparatus and substrate processing method}Substrate processing apparatus and substrate processing method

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진, 증착, 애싱, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 또한 이러한 공정들이 수행되기 전후에는 기판 상에 잔류된 파티클을 세정 처리하는 세정 공정이 수행된다. In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as photography, deposition, ashing, etching, and ion implantation are performed. In addition, before and after these processes are performed, a cleaning process of cleaning particles remaining on the substrate is performed.

세정 공정에서는 스핀 척에 지지된 기판의 일면 또는 양면으로 세정액을 공급한다. 세정액은 기판의 중앙 영역으로 공급되며, 세정액이 공급되는 동안 기판은 스핀 척에 의해 회전된다. 기판으로 공급된 세정액은 회전하는 기판이 가지는 원심력에 의해 기판의 가장자리 영역으로 비산 또는 확산된다.In the cleaning process, a cleaning solution is supplied to one or both surfaces of the substrate supported by the spin chuck. The cleaning liquid is supplied to the central region of the substrate, and the substrate is rotated by the spin chuck while the cleaning liquid is supplied. The cleaning solution supplied to the substrate is scattered or diffused to the edge region of the substrate by the centrifugal force of the rotating substrate.

기판으로 공급되는 세정액은 기판의 표면과 마찰하면서 정전기를 발생시킨다. 발생된 정전기는 기판을 손상시킨다. 예컨대, 세정액이 기판으로 공급되면서 발생된 정전기는 기판 상에 형성된 패턴을 손상시킨다. 이에 따라 기판에 발생된 정전기를 적절히 제거하는 것이 요구되고 있다.The cleaning solution supplied to the substrate generates static electricity while rubbing against the surface of the substrate. The generated static electricity damages the substrate. For example, static electricity generated while a cleaning solution is supplied to the substrate damages a pattern formed on the substrate. Accordingly, it is required to appropriately remove static electricity generated on the substrate.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치(1000)를 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 일반적인 기판 처리 장치(1000)는 지지판(1100), 회전축(1200), 지지 핀(1300), 그리고 척핀(1400)을 포함한다. 지지판(1100)은 회전축(1200)과 결합되어 회전축(1200)과 함께 회전된다. 또한, 지지핀(1300)과 척핀(1400)은 지지판(1100)에 제공되고, 지지핀(1300)과 척핀(1400)은 각각 기판(W)의 하면과 측부를 지지한다. 일반적인 기판 처리 장치(1000)에서는 기판(W)에 발생된 정전기를 제거하기 위해, 기판(W)을 지지하는 지지핀(1300)과 척핀(1400)을 접지시킨다. 이에, 정전기는 지지핀(1300)과 척핀(1400)을 통해 기판(W)으로부터 제거된다.1 is a view showing a general substrate processing apparatus 1000 . Referring to FIG. 1 , a typical substrate processing apparatus 1000 includes a support plate 1100 , a rotation shaft 1200 , a support pin 1300 , and a chuck pin 1400 . The support plate 1100 is coupled to the rotation shaft 1200 and rotates together with the rotation shaft 1200 . In addition, the support pin 1300 and the chuck pin 1400 are provided on the support plate 1100 , and the support pin 1300 and the chuck pin 1400 support the lower surface and the side of the substrate W, respectively. In the general substrate processing apparatus 1000 , the support pin 1300 and the chuck pin 1400 supporting the substrate W are grounded in order to remove static electricity generated on the substrate W . Accordingly, static electricity is removed from the substrate W through the support pin 1300 and the chuck pin 1400 .

그러나, 일반적인 기판 처리 장치(1000)에서 정전기를 제거하는 방식으로는 기판(W)에 발생된 정전기가 적절히 제거되지 않을 수 있다. 좀 더 구체적으로, 정전기를 제거하는 척핀(1400)과 지지핀(1300)은 기판(W)과 점 접촉한다. 즉, 정전기가 제거되는 경로는 척핀(1400) 및/또는 지지핀(1300)과 기판(W)이 점 접촉하는 지점으로 한정된다. 이에, 척핀(1400) 및/또는 지지핀(1300)과 접 접촉하는 지점과 비교적 먼 영역에 발생된 정전기는 적절히 제거되지 않을 수 있다. However, static electricity generated on the substrate W may not be properly removed by a method of removing static electricity in the general substrate processing apparatus 1000 . More specifically, the chuck pin 1400 and the support pin 1300 for removing static electricity are in point contact with the substrate W. That is, the path through which static electricity is removed is limited to a point where the chuck pin 1400 and/or the support pin 1300 and the substrate W make point contact. Accordingly, static electricity generated in a region relatively far from a point in contact with the chuck pin 1400 and/or the support pin 1300 may not be properly removed.

본 발명은 기판에 발생된 정전기를 효율적으로 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently removing static electricity generated on a substrate.

또한, 본 발명은 기판에 발생된 정전기가 제거되는 제전 경로를 더욱 넓힐 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of further expanding a static elimination path through which static electricity generated on a substrate is removed.

또한, 본 발명은 기판을 고속으로 회전시키더라도 기판 상에 발생된 정전기를 적절히 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다. Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of appropriately removing static electricity generated on a substrate even when the substrate is rotated at a high speed.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 기판을 지지하고, 지지판을 포함하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 하부로 유체를 공급하는 하부 유체 공급 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판을 제전하는 제전 유닛과; 제어기를 포함하고, 상기 제전 유닛은, 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 하면과 이격되도록 제공되는 제전 플레이트를 포함하고, 상기 제어기는, 상기 기판의 하부로 상기 유체를 공급하여 상기 기판의 하면과 상기 제전 플레이트 사이 공간에 액막을 형성하도록 상기 하부 유체 공급 유닛을 제어할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate includes: a support unit for supporting a substrate and including a support plate; a lower fluid supply unit supplying a fluid to a lower portion of the substrate supported by the support unit; a discharging unit for discharging the substrate supported by the support unit; a controller, wherein the static elimination unit includes a static elimination plate provided to be spaced apart from a lower surface of the substrate supported by the support unit, wherein the controller supplies the fluid to a lower portion of the substrate to form a lower surface of the substrate and the The lower fluid supply unit may be controlled to form a liquid film in the space between the antistatic plates.

일 실시 예에 의하면, 상기 제전 플레이트는 접지될 수 있다.According to an embodiment, the antistatic plate may be grounded.

일 실시 예에 의하면, 상기 제전 플레이트와 전기적으로 연결되고, 상기 지지판에 제공되는 제전 핀을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, it may further include an antistatic pin electrically connected to the antistatic plate and provided on the support plate.

일 실시 예에 의하면, 상기 제전 핀은 접지될 수 있다.According to an embodiment, the static elimination pin may be grounded.

일 실시 예에 의하면, 상기 제전 핀은 상기 지지판과 전기적으로 연결되고, 상기 지지판은 접지될 수 있다.According to an embodiment, the antistatic pin may be electrically connected to the support plate, and the support plate may be grounded.

일 실시 예에 의하면, 상기 제전 플레이트는 상기 제전 핀의 상단에 결합될 수 있다.According to an embodiment, the antistatic plate may be coupled to an upper end of the antistatic pin.

일 실시 예에 의하면, 상기 제전 플레이트는, 상부에서 바라볼 때 링 형상을 가질 수 있다.According to an embodiment, the antistatic plate may have a ring shape when viewed from the top.

일 실시 예에 의하면, 상기 제전 플레이트는, 상부에서 바라볼 때 일부가 절곡된 링 형상을 가질 수 있다.According to an embodiment, the antistatic plate may have a partially bent ring shape when viewed from the top.

일 실시 예에 의하면, 상기 제전 플레이트는 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 가장자리 영역에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the antistatic plate may be disposed on an edge region of the substrate supported by the support unit.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 지지판에 제공되고, 기판의 측부를 지지하는 척 핀들을 포함하고, 상기 제전 플레이트는, 상기 척 핀들 사이에 배치될 수 있다.In an embodiment, the support unit may include chuck pins that are provided on the support plate and support a side of the substrate, and the antistatic plate may be disposed between the chuck pins.

일 실시 예에 의하면, 상기 척 핀들은, 상부에서 바라볼 때 상기 지지판에 원주 방향을 따라 배치되고, 상기 제전 플레이트는 상기 원주 방향을 따라 배치되는 상기 척 핀들 사이에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the chuck pins may be disposed along a circumferential direction on the support plate when viewed from above, and the antistatic plate may be disposed between the chuck pins disposed along the circumferential direction.

일 실시 예에 의하면, 상기 제전 플레이트는 도전성 소재를 포함하는 재질로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the antistatic plate may be provided with a material including a conductive material.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은, 상기 기판의 하면과 이격되도록 제공되는 제전 플레이트 사이 공간으로 유체를 공급하여 액막을 형성하고, 상기 액막이 상기 기판과 상기 제전 플레이트를 전기적으로 연결하여 상기 기판을 제전할 수 있다.The invention also provides a method of processing a substrate. In the method of processing the substrate, a liquid film is formed by supplying a fluid to a space between the antistatic plate provided to be spaced apart from the lower surface of the substrate, and the liquid film electrically connects the substrate and the antistatic plate to neutralize the substrate. .

일 실시 예에 의하면, 상기 제전 플레이트는 접지될 수 있다.According to an embodiment, the antistatic plate may be grounded.

일 실시 예에 의하면, 상기 제전 플레이트가 상부에서 바라볼 때 상기 기판의 가장자리 영역에 배치되어 상기 기판의 가장자리 영역을 제전할 수 있다.In an embodiment, the antistatic plate may be disposed on an edge region of the substrate when viewed from the top to neutralize the edge region of the substrate.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판에 발생된 정전기를 효율적으로 제거할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, static electricity generated on the substrate can be efficiently removed.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판에 발생된 정전기가 제거되는 제전 경로를 더욱 넓힐 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to further widen the static elimination path through which static electricity generated on the substrate is removed.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 고속으로 회전시키더라도 기판 상에 발생된 정전기를 적절히 제거할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, even when the substrate is rotated at a high speed, static electricity generated on the substrate can be appropriately removed.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 지지 유닛, 하부 유체 공급 유닛, 회전 구동 부재의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 하부 유체 공급 유닛을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 3의 지지 유닛, 그리고 본 발명의 일 실시 예에 따른 제전 유닛의 모습을 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 6의 지지 유닛, 그리고 제전 유닛의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치가 기판에 발생된 정전기를 제거하는 모습을 보여주는 도면이다. 1 is a view showing a general substrate processing apparatus.
2 is a plan view illustrating a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 2 .
4 is a cross-sectional view showing a part of the support unit, the lower fluid supply unit, and the rotation driving member of FIG. 3 .
FIG. 5 is a view showing the lower fluid supply unit of FIG. 4 .
FIG. 6 is a perspective view illustrating the support unit of FIG. 3 and the static elimination unit according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating the support unit of FIG. 6 and a part of the discharging unit;
8 is a diagram illustrating a state in which the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention removes static electricity generated on a substrate.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. However, the present invention may be embodied in various different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and functions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다."Including" a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated. Specifically, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification is present, and includes one or more other features or It is to be understood that the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded in advance.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description.

이하, 도 2 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 8 .

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가진다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 2 is a plan view illustrating a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2 , the substrate processing facility 1 includes an index module 10 and a process processing module 20 . The index module 10 has a load port 120 and a transport frame 140 . The load port 120 , the transfer frame 140 , and the process processing module 20 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, a direction in which the load port 120 , the transfer frame 140 , and the process processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 , and is perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top. The direction is referred to as a second direction 14 , and a direction perpendicular to a plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16 .

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판들(W)을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is seated on the load port 120 . A plurality of load ports 120 are provided and they are arranged in a line along the second direction 14 . The number of load ports 120 may increase or decrease according to process efficiency and footprint conditions of the process processing module 20 . A plurality of slots (not shown) are formed in the carrier 130 for accommodating the substrates W in a horizontally arranged state with respect to the ground. As the carrier 130 , a Front Opening Unifed Pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버(260)들이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버(260)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정챔버(260)들이 제공된다. 공정 챔버(260)들 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process processing module 20 includes a buffer unit 220 , a transfer chamber 240 , and a process chamber 260 . The transfer chamber 240 is disposed in a longitudinal direction parallel to the first direction 12 . Process chambers 260 are respectively disposed on both sides of the transfer chamber 240 . At one side and the other side of the transfer chamber 240 , the process chambers 260 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240 . A plurality of process chambers 260 are provided at one side of the transfer chamber 240 . Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240 . Also, some of the process chambers 260 are disposed to be stacked on each other. That is, the process chambers 260 may be arranged in an A X B arrangement on one side of the transfer chamber 240 . Here, A is the number of process chambers 260 provided in a line along the first direction 12 , and B is the number of process chambers 260 provided in a line along the third direction 16 . When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240 , the process chambers 260 may be arranged in an arrangement of 2 X 2 or 3 X 2 . The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided on only one side of the transfer chamber 240 . In addition, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240 .

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240 . The buffer unit 220 provides a space in which the substrate W stays before the substrate W is transferred between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140 . A slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided in the buffer unit 220 . A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 16 . The buffer unit 220 has an open side facing the transfer frame 140 and a side facing the transfer chamber 240 .

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the carrier 130 seated on the load port 120 and the buffer unit 220 . The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144 . The index rail 142 is provided in a longitudinal direction parallel to the second direction 14 . The index robot 144 is installed on the index rail 142 and linearly moves in the second direction 14 along the index rail 142 . The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142 . The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward with respect to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are arranged to be stacked apart from each other in the third direction 16 . Some of the index arms 144c are used when transferring the substrate W from the process processing module 20 to the carrier 130 , and the other part of the index arms 144c is used for transferring the substrate W from the carrier 130 to the process processing module 20 . ) can be used to return This may prevent particles generated from the substrate W before the process from adhering to the substrate W after the process in the process of the index robot 144 loading and unloading the substrate W.

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260 . The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244 . The guide rail 242 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The main robot 244 is installed on the guide rail 242 and linearly moved along the first direction 12 on the guide rail 242 . The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed to be movable along the guide rail 242 . The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. In addition, the body 244b is provided to be rotatable on the base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided to be movable forward and backward with respect to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided to be individually driven. The main arms 244c are arranged to be stacked apart from each other in the third direction 16 .

공정 챔버(260)에는 기판(W)에 대해 액 처리하는 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.The process chamber 260 is provided with a substrate processing apparatus 300 that performs a liquid processing process on the substrate W. Referring to FIG. The substrate processing apparatus 300 may have a different structure according to the type of cleaning process performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups, so that the substrate processing apparatuses 300 in the process chamber 260 belonging to the same group are identical to each other, and substrate processing provided in the process chamber 260 belonging to different groups. The structure of the device 300 may be provided to be different from each other.

기판 처리 장치(300)는 기판(W)을 액 처리한다. 본 실시 예에는 기판의 액 처리 공정을 세정 공정으로 설명한다. 이러한 액 처리 공정은 세정 공정에 한정되지 않으며, 사진, 애싱, 그리고 식각 등 다양하게 적용 가능하다. The substrate processing apparatus 300 liquid-processes the substrate W. In this embodiment, the liquid treatment process of the substrate will be described as a cleaning process. This liquid treatment process is not limited to the cleaning process, and can be applied in various ways, such as photography, ashing, and etching.

도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 지지 유닛(340), 승강 유닛(360), 상부 유체 공급 유닛(380), 하부 유체 공급 유닛(390), 제전 유닛(400), 그리고 제어기(500)를 포함할 수 있다. 3 is a cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 2 . Referring to FIG. 3 , the substrate processing apparatus 300 includes a processing container 320 , a support unit 340 , a lifting unit 360 , an upper fluid supply unit 380 , a lower fluid supply unit 390 , and a static elimination unit ( 400 ), and a controller 500 .

처리 용기(320)는 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(320)는 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 처리 용기(320)는 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 기판 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(326)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측공간(322a) 및 내부 회수통(322)은 내부 회수통(322)으로 처리액이 유입되는 제1유입구(322a)로서 기능한다. 내부 회수통(322)과 외부 회수통(326)의 사이공간(326a)은 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 제2유입구(326a)로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구(322a,326a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,326)의 저면 아래에는 회수 라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,326)에 유입된 처리액들은 회수 라인(322b,326b)을 통해 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.The processing vessel 320 provides a processing space inside which a substrate is processed. The processing container 320 has a cylindrical shape with an open top. The processing vessel 320 has an internal recovery container 322 and an external recovery container 326 . Each of the recovery tanks 322 and 326 recovers different treatment liquids from among the treatment liquids used in the process. The inner recovery container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the substrate support unit 340 , and the external recovery container 326 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery container 326 . The inner space 322a and the internal recovery container 322 of the internal recovery container 322 function as a first inlet 322a through which the treatment liquid flows into the internal recovery container 322 . The space 326a between the internal collection tube 322 and the external collection tube 326 functions as a second inlet 326a through which the treatment liquid flows into the external collection tube 326 . According to an example, each of the inlets 322a and 326a may be located at different heights. Recovery lines 322b and 326b are connected under the bottom of each of the recovery barrels 322 and 326 . The treatment liquids introduced into each of the recovery tanks 322 and 326 may be provided to an external treatment liquid regeneration system (not shown) through the recovery lines 322b and 326b to be reused.

지지 유닛(340)은 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 지지 유닛(340)은 지지판(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 회전 구동 부재(350)를 가진다. 지지판(342)은 대체로 원형의 판 형상으로 제공되며, 상면 및 저면을 가진다. 하부면은 상부면에 비해 작은 직경을 가진다. 상면 및 저면은 그 중심축이 서로 일치하도록 위치된다. 지지판(342)에는 지지핀(344), 그리고 척핀(346)이 제공될 수 있다. 지지핀(344), 그리고 척핀(346)은 각각 기판(W)의 측부와 후면을 지지할 수 있다. 이에, 지지판(342)은 기판(W)을 지지할 수 있다.The support unit 340 supports the substrate W in the processing space. The support unit 340 supports and rotates the substrate W during the process. The support unit 340 includes a support plate 342 , a support pin 344 , a chuck pin 346 , and a rotation driving member 350 . The support plate 342 is provided in a substantially circular plate shape, and has an upper surface and a lower surface. The lower surface has a smaller diameter than the upper surface. The upper and lower surfaces are positioned so that their central axes coincide with each other. A support pin 344 and a chuck pin 346 may be provided on the support plate 342 . The support pin 344 and the chuck pin 346 may support the side and rear surfaces of the substrate W, respectively. Accordingly, the support plate 342 may support the substrate W.

지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 지지판(342)의 상면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 지지판(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 지지판(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. 또한, 지지핀(344)은 리프트 핀으로 제공될 수 있다. 지지핀(344)은 상하 방향으로 이동될 수 있다. 지지핀(344)은 상하 방향으로 이동하여 기판(W)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are disposed to be spaced apart from each other at predetermined intervals on the edge of the upper surface of the support plate 342 and protrude upward from the support plate 342 . The support pins 344 are arranged to have an annular ring shape as a whole by combination with each other. The support pins 344 support the rear edge of the substrate W so that the substrate W is spaced a predetermined distance from the upper surface of the support plate 342 . In addition, the support pin 344 may be provided as a lift pin. The support pin 344 may be moved in the vertical direction. The support pin 344 may move in the vertical direction to move the substrate W in the vertical direction.

척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 지지판(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 지지판(342)의 상면으로부터 위로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 지지판(342)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 지지판(342)의 반경 방향을 따라 외측 위치와 내측 위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 외측 위치는 내측 위치에 비해 지지판(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지판(342)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 외측 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 내측 위치에 위치된다. 내측 위치는 척핀(346)과 기판(W)의 측부가 서로 접촉되는 위치이고, 외측 위치는 척핀(346)과 기판(W)이 서로 이격되는 위치이다.A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther from the center of the support plate 342 than the support pin 344 . The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the upper surface of the support plate 342 . The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally separated from the original position when the support plate 342 is rotated. The chuck pin 346 is provided to enable linear movement between the outer position and the inner position along the radial direction of the support plate 342 . The outer position is a position farther from the center of the support plate 342 compared to the inner position. When the substrate W is loaded or unloaded from the support plate 342 , the chuck pin 346 is positioned at an outer position, and when a process is performed on the substrate W, the chuck pin 346 is positioned at an inner position. The inner position is a position where the chuck pin 346 and the side of the substrate W contact each other, and the outer position is a position where the chuck pin 346 and the substrate W are spaced apart from each other.

회전 구동 부재(350)는 지지판(342)을 회전시킨다. 지지판(342)은 회전 구동 부재(350)에 의해 자기 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 회전 구동 부재(350)는 중공축(352) 및 구동기(354)를 포함한다. 중공축(352)은 제3방향(16)을 향하는 통 형상을 가진다. 중공축(352)의 상단은 지지판(342)의 저면에 고정 결합된다. 구동기(354)는 지지축(348)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 구동기(354)는 모터일 수 있다. 구동기(354)는 중심이 상하 방향으로 개방된 중공 모터일 수 있다. 중공축(352)은 구동기(354)에 의해 회전되고, 지지판(342)은 중공축(352)과 함께 회전 가능하다. The rotation driving member 350 rotates the support plate 342 . The support plate 342 is rotatable about a magnetic center axis by the rotation driving member 350 . The rotational drive member 350 includes a hollow shaft 352 and a driver 354 . The hollow shaft 352 has a cylindrical shape facing the third direction 16 . The upper end of the hollow shaft 352 is fixedly coupled to the bottom surface of the support plate 342 . The actuator 354 provides a driving force to rotate the support shaft 348 . The driver 354 may be a motor. The actuator 354 may be a hollow motor whose center is opened in the vertical direction. The hollow shaft 352 is rotated by the actuator 354 , and the support plate 342 is rotatable together with the hollow shaft 352 .

승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 지지판(342)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 기판(W)이 지지판(342)에 로딩되거나, 언로딩될 때 지지판(342)이 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(322,326)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 선택적으로, 승강 유닛(360)은 지지판(342)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 linearly moves the processing container 320 in the vertical direction. As the processing vessel 320 moves up and down, the relative height of the processing vessel 320 with respect to the support plate 342 is changed. In the lifting unit 360 , the processing vessel 320 is lowered so that the supporting plate 342 protrudes above the processing vessel 320 when the substrate W is loaded or unloaded on the supporting plate 342 . In addition, when the process is in progress, the height of the processing container 320 is adjusted so that the processing liquid can be introduced into the predetermined collection troughs 322 and 326 according to the type of the processing liquid supplied to the substrate W. The lifting unit 360 has a bracket 362 , a moving shaft 364 , and a driver 366 . The bracket 362 is fixedly installed on the outer wall of the processing vessel 320 , and a moving shaft 364 , which is moved in the vertical direction by the driver 366 , is fixedly coupled to the bracket 362 . Optionally, the lifting unit 360 may move the support plate 342 in the vertical direction.

상부 유체 공급 유닛(380)은 기판(W)의 상면으로 처리액을 공급한다. 기판의 상면은 패턴이 형성된 패턴면일 수 있다. 상부 유체 공급 유닛(380)은 복수 개로 제공되며, 각각은 서로 상이한 종류의 처리액들을 공급할 수 있다. 예컨대, 처리액은 케미칼, 린스액, 유기 용제, 그리고 세정액일 수 있다. 케미칼은 산 또는 염기 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 인산(P2O5), 불산(HF) 그리고 수산화 암모늄(NH4OH)을 포함할 수 있다. 린스액은 순수(H20)일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA) 액일 수 있다. 세정액은 탈이온수일 수 있다. 세정액은 순수 일 수 있다. 상부 유체 공급 유닛(380)은 이동 부재(381) 및 노즐(389)을 포함한다. The upper fluid supply unit 380 supplies the processing liquid to the upper surface of the substrate W. The upper surface of the substrate may be a patterned surface on which a pattern is formed. A plurality of upper fluid supply units 380 are provided, and each of the upper fluid supply units 380 may supply different types of treatment liquids. For example, the treatment liquid may be a chemical, a rinse liquid, an organic solvent, and a cleaning liquid. The chemical may be a liquid having acid or basic properties. The chemical may include sulfuric acid (H 2 SO 4 ), phosphoric acid (P 2 O 5 ), hydrofluoric acid (HF), and ammonium hydroxide (NH 4 OH). The rinse solution may be pure (H 2 0). The organic solvent may be isopropyl alcohol (IPA) liquid. The cleaning solution may be deionized water. The cleaning solution may be pure. The upper fluid supply unit 380 includes a moving member 381 and a nozzle 389 .

이동 부재(381)는 노즐(389)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 노즐(389)이 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 노즐(389)이 공정 위치를 벗어난 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 전처리 위치 및 후처리 위치를 포함한다. 전처리 위치는 노즐(389)이 제1공급 위치에 처리액을 공급하는 위치이고, 후처리 위치는 노즐(389)이 제2공급 위치에 처리액을 공급하는 위치로 제공된다. 제1공급 위치는 제2공급 위치보다 기판(W)의 중심에 더 가까운 위치이고, 제2공급 위치는 기판의 단부를 포함하는 위치일 수 있다. 선택적으로 제2공급 위치는 기판의 단부에 인접한 영역일 수 있다.The moving member 381 moves the nozzle 389 to the process position and the standby position. Here, the process position is a position where the nozzle 389 faces the substrate W supported by the substrate support unit 340 , and the standby position is defined as a position where the nozzle 389 deviates from the process position. In one example, the process location includes a pre-treatment location and a post-treatment location. The pre-treatment position is a position at which the nozzle 389 supplies the treatment liquid to the first supply position, and the post-treatment position is provided as a position where the nozzle 389 supplies the treatment liquid to the second supply position. The first supply position may be a position closer to the center of the substrate W than the second supply position, and the second supply position may be a position including an end of the substrate. Optionally, the second supply location may be an area adjacent to the end of the substrate.

이동 부재(381)는 지지축(386), 아암(382), 그리고 구동 부재(388)를 포함한다. 지지축(386)은 처리 용기(320)의 일측에 위치된다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향을 향하는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동 부재(388)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 지지축(386)은 승강 이동이 가능하도록 제공된다. 아암(382)은 지지축(386)의 상단에 결합된다. 아암(382)은 지지축(386)으로부터 수직하게 연장된다. 아암(382)의 끝단에는 노즐(389)이 고정 결합된다. 지지축(386)이 회전됨에 따라 노즐(389)은 아암(382)과 함께 스윙 이동 가능하다. 노즐(389)은 스윙 이동되어 공정 위치 및 대기 위치로 이동될 수 있다. 선택적으로 아암(382)은 그 길이방향을 향해 전진 및 후진 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 노즐(389)이 이동되는 경로는 공정 위치에서 기판(W)의 중심축과 일치될 수 있다. The moving member 381 includes a support shaft 386 , an arm 382 , and a driving member 388 . The support shaft 386 is located on one side of the processing vessel 320 . The support shaft 386 has a rod shape whose longitudinal direction faces the third direction. The support shaft 386 is provided to be rotatable by the drive member 388 . The support shaft 386 is provided to enable lifting and lowering. Arm 382 is coupled to the top of support shaft 386 . Arm 382 extends perpendicularly from support shaft 386 . A nozzle 389 is fixedly coupled to an end of the arm 382 . As the support shaft 386 is rotated, the nozzle 389 is swingable with the arm 382 . The nozzle 389 may be swingably moved to a process position and a standby position. Optionally, arm 382 may be provided to enable forward and backward movement in its longitudinal direction. A path along which the nozzle 389 moves when viewed from the top may coincide with the central axis of the substrate W at the process position.

하부 유체 공급 유닛(390)은 기판(W)의 하면을 세정 및 건조 처리할 수 있다. 하부 유체 공급 유닛(390)은 기판(W)의 하부로 유체를 공급할 수 있다. 유체는 처리액일 수 있다. 처리액은 세정액일 수 있다. 기판(W)의 하면은 패턴이 형성되는 면과 반대되는 비패턴면일 수 있다. 하부 유체 공급 유닛(390)은 상부 유체 공급 유닛(380)과 동시에 액을 공급할 수 있다. 이와 달리, 하부 유체 공급 유닛(390)은 상부 유체 공급 유닛(380)과 독립적으로 액을 공급할 수 있다. 하부 유체 공급 유닛(390)은 회전되지 않게 고정될 수 있다.The lower fluid supply unit 390 may clean and dry the lower surface of the substrate W. The lower fluid supply unit 390 may supply a fluid to the lower portion of the substrate W. The fluid may be a treatment liquid. The treatment liquid may be a cleaning liquid. The lower surface of the substrate W may be a non-patterned surface opposite to the surface on which the pattern is formed. The lower fluid supply unit 390 may supply a liquid simultaneously with the upper fluid supply unit 380 . Alternatively, the lower fluid supply unit 390 may supply a liquid independently of the upper fluid supply unit 380 . The lower fluid supply unit 390 may be fixed not to rotate.

도 4는 도 3의 지지 유닛, 하부 유체 공급 유닛, 회전 구동 부재의 일부를 보여주는 단면도이고, 도 5는 도 4의 하부 유체 공급 유닛을 보여주는 도면이다. 도 4와 도 5를 참조하면, 하부 유체 공급 유닛(390)은 커버(392), 고정 샤프트(394), 액 토출관(396), 가스 토출관(398), 그리고 베어링(399)을 포함할 수 있다.FIG. 4 is a cross-sectional view showing a part of the support unit, the lower fluid supply unit, and the rotation driving member of FIG. 3 , and FIG. 5 is a view showing the lower fluid supply unit of FIG. 4 . 4 and 5 , the lower fluid supply unit 390 may include a cover 392 , a fixed shaft 394 , a liquid discharge pipe 396 , a gas discharge pipe 398 , and a bearing 399 . can

커버(392)는 고정 샤프트(394)의 상단에 제공될 수 있다. 커버(392)에는 복수의 홀이 형성될 수 있다. 커버(392)에 형성된 복수의 홀에는 후술하는 유체 토출관(396, 398)들이 삽입될 수 있다. 커버(392)는 유체 토출관(396, 398)들의 위치가 변경되는 것을 방지할 수 있다. 커버(392)는 고정 샤프트(394)에 탈착 가능하게 제공될 수 있다.A cover 392 may be provided on the upper end of the fixed shaft 394 . A plurality of holes may be formed in the cover 392 . Fluid discharge tubes 396 and 398 to be described later may be inserted into the plurality of holes formed in the cover 392 . The cover 392 may prevent the position of the fluid discharge tubes 396 and 398 from being changed. The cover 392 may be detachably provided on the fixed shaft 394 .

고정 샤프트(394)는 내부 공간을 가질 수 있다. 고정 샤프트(394)는 중공축(352) 내에 제공될 수 있다. 고정 샤프트(394)는 중공축(352)과 서로 이격되게 위치될 수 있다. 고정 샤프트(394)는 중공축(352)의 내면으로부터 일정 거리 이격되게 위치될 수 있다. 또한, 고정 샤프트(394)는 지지판(342)에 형성된 개구에 삽입될 수 있다. 고정 샤프트(394)는 상부에서 바라볼 때 지지판(342)의 중앙 영역에 형성된 개구에 삽입될 수 있다. 고정 샤프트(394)가 가지는 내부 공간에는 유체 토출관(396, 398)들이 제공될 수 있다. The fixed shaft 394 may have an interior space. A fixed shaft 394 may be provided within the hollow shaft 352 . The fixed shaft 394 may be spaced apart from the hollow shaft 352 . The fixed shaft 394 may be spaced apart from the inner surface of the hollow shaft 352 by a predetermined distance. Also, the fixed shaft 394 may be inserted into an opening formed in the support plate 342 . The fixed shaft 394 can be inserted into an opening formed in the central region of the support plate 342 when viewed from above. Fluid discharge pipes 396 and 398 may be provided in the internal space of the fixed shaft 394 .

유체 토출관(396, 398)은 기판(W)의 하면으로 유체를 공급할 수 있다. 유체 토출관(396, 398)은 지지판(342)에 지지된 기판(W)의 하면으로 유체를 공급할 수 있다. 유체 토출관(396, 398)은 액 토출관(396), 그리고 가스 토출관(398)을 포함할 수 있다. 액 토출관(396)과 가스 토출관(398)은 고정 샤프트(394)의 내부 공간에 제공될 수 있다.The fluid discharge pipes 396 and 398 may supply a fluid to the lower surface of the substrate W. The fluid discharge pipes 396 and 398 may supply a fluid to the lower surface of the substrate W supported by the support plate 342 . The fluid discharge pipes 396 and 398 may include a liquid discharge pipe 396 and a gas discharge pipe 398 . The liquid discharge pipe 396 and the gas discharge pipe 398 may be provided in the internal space of the fixed shaft 394 .

액 토출관(396)은 기판(W)의 하면으로 처리액을 토출한다. 액 토출관(396)으로부터 토출된 처리액은 기판(W)의 하면을 세정 처리한다. 액 토출관(396)은 위를 향하는 액 토출단을 가진다. 예컨대, 액 토출단은 수직 위를 향하도록 제공될 수 있다. 액 토출관(396)은 복수 개로 제공되며, 각각은 서로 상이한 종류의 액을 토출할 수 있다. 액 토출관(396)들은 커버(392)에 고정될 수 있다. 액 토출관(396)들은 커버(392)의 중심으로부터 이격되게 위치된다. 액 토출관(396)들은 커버(392)의 중심을 감싸도록 배열된다. 액 토출관(396)들로부터 토출되는 처리액은 케미칼, 린스액 및/또는 세정액을 포함할 수 있다. 케미칼은 산 또는 염기 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 인산(P2O5), 불산(HF) 그리고 수산화 암모늄(NH4OH)을 포함할 수 있다. 린스액, 세정액은 순수(H20)일 수 있다. 선택적으로 액 토출단은 위로 갈수록 기판(W)의 중심으로부터 멀어지게 상향 경사진 방향을 향하도록 제공될 수 있다.The liquid discharge pipe 396 discharges the processing liquid to the lower surface of the substrate W. The processing liquid discharged from the liquid discharge pipe 396 cleans the lower surface of the substrate W. The liquid discharge pipe 396 has an upwardly directed liquid discharge end. For example, the liquid discharge end may be provided to face up vertically. A plurality of liquid discharge tubes 396 are provided, and each of the liquid discharge tubes 396 may discharge different types of liquid. The liquid discharge tubes 396 may be fixed to the cover 392 . The liquid discharge tubes 396 are spaced apart from the center of the cover 392 . The liquid discharge tubes 396 are arranged to surround the center of the cover 392 . The treatment liquid discharged from the liquid discharge tubes 396 may include a chemical, a rinse liquid, and/or a cleaning liquid. The chemical may be a liquid having acid or basic properties. The chemical may include sulfuric acid (H 2 SO 4 ), phosphoric acid (P 2 O 5 ), hydrofluoric acid (HF), and ammonium hydroxide (NH 4 OH). The rinse liquid and the cleaning liquid may be pure water (H 2 0). Optionally, the liquid discharge end may be provided so as to be inclined upward away from the center of the substrate W as it goes upward.

가스 토출관(398)은 건조 가스를 토출한다. 가스 토출관(398)은 커버(392)에 고정될 수 있다. 가스 토출관(398)은 커버(392)의 중심축 상에 위치된다. 가스 토출관(398)은 가스 토출단을 포함한다. 가스 토출단은 수직 위를 향하도록 제공될 수 있다. 가스 토출관(398)으로부터 토출되는 가스는 기판(W)의 하면으로 공급된다. 가스 토출관(398)으로부터 토출된 가스는 기판(W)의 하면을 건조 처리한다. 예컨대, 건조 가스는 비활성 가스 또는 에어일 수 있다. 비활성 가스는 질소 가스(N2)일 수 있다.The gas discharge pipe 398 discharges dry gas. The gas discharge pipe 398 may be fixed to the cover 392 . The gas discharge pipe 398 is located on the central axis of the cover 392 . The gas discharge pipe 398 includes a gas discharge end. The gas discharge end may be provided to face vertically upwards. The gas discharged from the gas discharge pipe 398 is supplied to the lower surface of the substrate W. The gas discharged from the gas discharge pipe 398 dries the lower surface of the substrate W. For example, the drying gas may be an inert gas or air. The inert gas may be nitrogen gas (N 2 ).

베어링(399)은 지지판(342)과 고정 샤프트(394)의 사이에 제공될 수 있다. 베어링(399)은 지지판(342)이 회전시 고정 샤프트(394)와 지지판(342)이 서로 마찰되는 것을 방지할 수 있다.The bearing 399 may be provided between the support plate 342 and the fixed shaft 394 . The bearing 399 may prevent the fixed shaft 394 and the support plate 342 from rubbing against each other when the support plate 342 rotates.

도 6은 도 3의 지지 유닛, 그리고 본 발명의 일 실시 예에 따른 제전 유닛의 모습을 보여주는 사시도이고, 도 7은 도 6의 지지 유닛, 그리고 제전 유닛의 일부를 보여주는 단면도이다. FIG. 6 is a perspective view illustrating the support unit of FIG. 3 and a static elimination unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating the support unit of FIG. 6 and a part of the static elimination unit.

도 6와 도 7을 참조하면, 제전 유닛(400)은 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)을 제전할 수 있다. 제전 유닛(400)은 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)에 발생된 정전기가 제거되는 경로를 제공할 수 있다. 제전 유닛(400)은 지지 유닛(340)에 제공될 수 있다. 제전 유닛(400)은 지지 유닛(340)이 포함하는 지지판(342)에 제공될 수 있다. 제전 유닛(400)은 제전 플레이트(410), 그리고 제전 핀(430)을 포함할 수 있다.6 and 7 , the discharging unit 400 may discharge the substrate W supported by the supporting unit 340 . The static elimination unit 400 may provide a path through which static electricity generated on the substrate W supported by the support unit 340 is removed. The discharging unit 400 may be provided in the support unit 340 . The static elimination unit 400 may be provided on a support plate 342 included in the support unit 340 . The static elimination unit 400 may include a static elimination plate 410 and a static elimination pin 430 .

제전 플레이트(410)는 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)의 하면과 이격되도록 제공될 수 있다. 제전 플레이트(410)는 상부에서 바라볼 때 링 형상을 가질 수 있다. 제전 플레이트(410)는 상부에서 바라볼 때 링 형상을 가지는 플레이트일 수 있다. 제전 플레이트(410)는 상부에서 바라볼 때 원주의 일부가 절곡된 링 형상을 가질 수 있다. 제전 플레이트(410)는 도전성 소재를 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 제전 플레이트(410)는 복수로 제공될 수 있다. 제전 플레이트(410)들 중 일부는 제1길이로 제공되고, 제전 플레이트(410)들 중 다른 일부는 제2길이로 제공될 수 있다. 제1길이와 제2길이는 서로 상이한 길이일 수 있다. 제2길이는 제1길이보다 작은 길이일 수 있다.The antistatic plate 410 may be provided to be spaced apart from the lower surface of the substrate W supported by the support unit 340 . The antistatic plate 410 may have a ring shape when viewed from the top. The antistatic plate 410 may be a plate having a ring shape when viewed from the top. The antistatic plate 410 may have a ring shape in which a portion of its circumference is bent when viewed from the top. The antistatic plate 410 may be made of a material including a conductive material. A plurality of antistatic plates 410 may be provided. Some of the antistatic plates 410 may be provided in the first length, and other portions of the antistatic plates 410 may be provided in the second length. The first length and the second length may be different from each other. The second length may be shorter than the first length.

제전 핀(430)은 제전 플레이트(410)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제전 핀(430)은 접지될 수 있다. 예컨대, 제전 핀(430)은 지지판(342)과 전기적으로 연결되고, 지지판(342)은 접지될 수 있다. 더 구체적으로는 지지판(342)은 회전 구동 부재(350)와 전기적으로 연결되고, 회전 구동 부재(350)는 접지될 수 있다. 즉, 회전 구동 부재(350)가 접지되어 이와 전기적으로 연결되는 지지판(342), 제전핀(430), 그리고 제전 플레이트(410)는 접지될 수 있다.The static elimination pin 430 may be electrically connected to the static elimination plate 410 . The static elimination pin 430 may be grounded. For example, the static elimination pin 430 may be electrically connected to the support plate 342 , and the support plate 342 may be grounded. More specifically, the support plate 342 may be electrically connected to the rotation driving member 350 , and the rotation driving member 350 may be grounded. That is, the support plate 342 , the static elimination pin 430 , and the static elimination plate 410 electrically connected to the rotation driving member 350 by being grounded may be grounded.

제전 핀(430)에는 제전 플레이트(410)가 결합될 수 있다. 제전 플레이트(410)는 제전 핀(430)의 상단에 결합될 수 있다. 여기서, 제전 플레이트(410)가 제전 핀(430)과 결합되는 것은 제전 플레이트(410)와 제전 핀(430)이 각각의 구성으로 제공되어 물리적으로 결합되는 것 및/또는 제전 플레이트(410)와 제전 핀(430)이 일체의 구성으로 제공되는 것을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.An antistatic plate 410 may be coupled to the antistatic pin 430 . The antistatic plate 410 may be coupled to the upper end of the antistatic pin 430 . Here, when the antistatic plate 410 is coupled to the antistatic pin 430 , the antistatic plate 410 and the antistatic pin 430 are provided in each configuration and physically coupled and/or the antistatic plate 410 and the antistatic pin 430 are provided in each configuration. It should be understood to include that the pins 430 are provided in an integral configuration.

제전 핀(430)은 복수로 제공될 수 있다. 복수로 제공되는 제전 핀(430) 각각에는 제전 플레이트(410)가 결합될 수 있다. 제전 핀(430)들 중 일부는 제1길이를 가지는 제전 플레이트(410)가 결합되고, 제전 핀(430)들 중 다른 일부는 제2길이를 가지는 제전 플레이트(410)가 결합될 수 있다. 또한, 제전 플레이트(410)는 그 중심에 제전 핀(430)이 결합될 수 있고, 이와 달리 제전 플레이트(410)의 일단에 제전 핀(430)이 결합될 수도 있다. A plurality of antistatic pins 430 may be provided. An antistatic plate 410 may be coupled to each of the plurality of antistatic pins 430 . Some of the antistatic pins 430 may be coupled to an antistatic plate 410 having a first length, and other portions of the antistatic pins 430 may be coupled to an antistatic plate 410 having a second length. In addition, the antistatic pin 430 may be coupled to the center of the antistatic plate 410 . Alternatively, the antistatic pin 430 may be coupled to one end of the antistatic plate 410 .

상술한 설명에서는 하나의 제전 핀(430)에 하나의 제전 플레이트(410)가 결합되는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 하나의 제전 플레이트(410)에 복수의 제전 핀(430)이 결합될 수도 있다.In the above description, it has been described that one antistatic plate 410 is coupled to one antistatic pin 430 , but the present invention is not limited thereto. For example, a plurality of antistatic pins 430 may be coupled to one antistatic plate 410 .

제전 유닛(400)은 복수로 제공될 수 있다. 복수로 제공되는 제전 유닛(400)들은 상부에서 바라볼 때 지지 판(342)의 가장 자리 영역에 배치될 수 있다. 즉, 제전 플레이트(410), 그리고 제전 핀(430)들은 상부에서 바라볼 때 지지 판(342)의 가장자리 영역에 배치될 수 있다. 이에, 제전 유닛(400)들은 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)의 가장 자리 영역 하부에 배치될 수 있다.The static elimination unit 400 may be provided in plurality. The plurality of static elimination units 400 may be disposed on the edge region of the support plate 342 when viewed from above. That is, the antistatic plate 410 and the antistatic pins 430 may be disposed on the edge region of the support plate 342 when viewed from above. Accordingly, the discharging units 400 may be disposed under the edge region of the substrate W supported by the support unit 340 .

지지 판(342)에는 복수의 척핀(346)들이 제공될 수 있다. 복수의 척핀(346)들은 상부에서 바라볼 때 지지판(342)에 원주 방향을 따라 배치될 수 있다. 제전 플레이트(410)와 제전 핀(430)들은 이러한 척 핀(346)들 사이에 배치될 수 있다. 제전 핀(430)들은 척 핀(346)들이 배치되는 원주 상에 배치될 수 있다. 또한, 제전 플레이트(410)들은 척 핀(346)들이 배치되는 원주와 동일한 곡률을 가지는 절곡된 링 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 제전 플레이트(410)들은 척 핀(346)들이 배치되는 원주와 중첩되는 형상을 가지고, 배치될 수 있다.A plurality of chuck pins 346 may be provided on the support plate 342 . The plurality of chuck pins 346 may be disposed along the circumferential direction on the support plate 342 when viewed from above. The antistatic plate 410 and the antistatic pins 430 may be disposed between the chuck pins 346 . The antistatic pins 430 may be disposed on a circumference on which the chuck pins 346 are disposed. Also, the antistatic plates 410 may be provided in a bent ring shape having the same curvature as a circumference on which the chuck pins 346 are disposed. In addition, the antistatic plates 410 may be disposed to have a shape overlapping the circumference on which the chuck pins 346 are disposed.

다시 도 3을 참조하면, 제어기(500)는 기판 처리 설비(1)를 제어할 수 있다. 제어기(500)는 기판 처리 장치(300)를 제어할 수 있다. 제어기(550)는 회전 구동 부재(350)를 제어할 수 있다. 제어기(500)는 구동기(354)를 제어할 수 있다. 또한, 제어기(500)는 상부 공급 유닛(380)과 하부 공급 유닛(390)을 제어할 수 있다. 또한, 제어기(500)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치(300)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(500)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 하부 공급 유닛(390)을 제어할 수 있다.Referring back to FIG. 3 , the controller 500 may control the substrate processing facility 1 . The controller 500 may control the substrate processing apparatus 300 . The controller 550 may control the rotation driving member 350 . The controller 500 may control the driver 354 . Also, the controller 500 may control the upper supply unit 380 and the lower supply unit 390 . Also, the controller 500 may control the substrate processing apparatus 300 to perform a substrate processing method described below. For example, the controller 500 may control the lower supply unit 390 to perform a substrate processing method described below.

이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대하여 상세히 설명한다. 도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치가 기판에 발생된 정전기를 제거하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 8을 참조하면, 하부 유체 공급 유닛(390)은 기판(W)의 하면으로 유체(L)를 공급할 수 있다. 하부 유체 공급 유닛(390)은 기판(W)의 하면으로 처리액인 유체(L)를 공급할 수 있다. 하부 유체 공급 유닛(390)이 공급하는 유체(L)는 액상을 가지는 유체(L)일 수 있다. 하부 유체 공급 유닛(390)은 회전하는 기판(W)의 하면으로 유체(L)를 공급할 수 있다. 하부 유체 공급 유닛(390)은 회전하는 기판(W)의 하면 중심 영역으로 유체(L)를 공급할 수 있다.Hereinafter, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described in detail. 8 is a diagram illustrating a state in which the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention removes static electricity generated on a substrate. Referring to FIG. 8 , the lower fluid supply unit 390 may supply the fluid L to the lower surface of the substrate W. The lower fluid supply unit 390 may supply the fluid L, which is a processing liquid, to the lower surface of the substrate W. The fluid L supplied by the lower fluid supply unit 390 may be a fluid L having a liquid phase. The lower fluid supply unit 390 may supply the fluid L to the lower surface of the rotating substrate W. The lower fluid supply unit 390 may supply the fluid L to the central region of the lower surface of the rotating substrate W.

기판(W)의 하면 중심 영역으로 공급된 유체(L)는 회전하는 기판(W)의 원심력에 의해 가장자리 영역으로 확산 또는 비산될 수 있다. 이에, 기판(W)의 하면으로 공급된 유체(L)는 제전 플레이트(410)와 기판(W)의 하면 사이 공간에서 액막을 형성할 수 있다. 형성된 액막은 기판(W)에 발생된 정전기가 제공되는 경로를 게공할 수 있다. 즉, 기판(W)에 발생된 정전기는 기판(W)과 액막을 따라 제전 플레이트(410)로 전달되고, 제전 플레이트(410)에 전달된 정전기는 접지된 제전 핀(430)을 따라 제거될 수 있다.The fluid L supplied to the central region of the lower surface of the substrate W may be diffused or scattered to the edge region by the centrifugal force of the rotating substrate W. Accordingly, the fluid L supplied to the lower surface of the substrate W may form a liquid film in the space between the antistatic plate 410 and the lower surface of the substrate W. The formed liquid film may provide a path through which static electricity generated on the substrate W is provided. That is, the static electricity generated on the substrate W is transferred to the antistatic plate 410 along the substrate W and the liquid film, and the static electricity transferred to the antistatic plate 410 can be removed along the grounded antistatic pin 430 . have.

일반적인 기판 처리 장치에서는 기판(W)에 발생된 정전기를 제거하기 위해 접지된 핀을 이용하였다. 이 경우, 기판(W)에 발생된 정전기는 기판(W)과 점 접촉하는 핀을 통해 제거되었다. 그러나, 기판(W)과 점 접촉하는 핀을 통해 정전기를 제거하는 경우 정전기가 이동하는 경로가 점 접촉된 지점으로 한정되어 정전기 제거 효율이 떨어진다. 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 제전 플레이트(410)가 기판(W)의 하면과 이격되고, 이격된 사이 공간에 유체(L)가 액막을 형성한다. 이에, 정전기가 제거되는 경로를 더욱 넓힐 수 있으며, 정전기 제거 효율을 높일 수 있다.In a general substrate processing apparatus, a grounded pin is used to remove static electricity generated on the substrate W. In this case, the static electricity generated on the substrate W is removed through a pin that is in point contact with the substrate W. However, when static electricity is removed through a pin that is in point contact with the substrate W, a path through which static electricity moves is limited to a point in contact with the substrate W, and thus static electricity removal efficiency is reduced. According to an embodiment of the present invention, the antistatic plate 410 is spaced apart from the lower surface of the substrate W, and the fluid L forms a liquid film in the space therebetween. Accordingly, a path through which static electricity is removed may be further expanded, and static electricity removal efficiency may be increased.

또한, 정전기가 제거되는 경로를 넓히기 위해 기판(W)의 하면과 직접적으로 접촉하는 접지 플레이트를 배치하는 것을 고려할 수도 있다. 그러나, 이 경우 기판(W)의 하면이 접지 플레이트와 접촉되면서 손상될 우려가 있다. 이에, 본 발명의 일 실시 예에 의하면 정전기의 제거는 유체(L)가 형성하는 액막을 매개로 이루어 진다. 이에 기판(W)의 하면에 스크래치가 발생하는 등, 기판(W)이 손상되는 위험을 더욱 최소화 할 수 있다.In addition, it may be considered to arrange a ground plate in direct contact with the lower surface of the substrate W in order to widen a path through which static electricity is removed. However, in this case, the lower surface of the substrate W may be damaged while in contact with the ground plate. Accordingly, according to an embodiment of the present invention, the removal of static electricity is performed through a liquid film formed by the fluid L. Accordingly, it is possible to further minimize the risk of damage to the substrate W, such as scratches on the lower surface of the substrate W.

또한, 제전 플레이트(410)가 지지판(342)의 가장자리 영역에 배치되면서, 지지판(342)을 고속으로 회전시키더라도, 기판(W)의 하면과 제전 플레이트(410) 사이에 액막을 유지할 수 있다. 이에, 정전기 제거에 있어서 지지판(342)의 회전 속도가 제한되는 것을 최소화 할 수 있다.In addition, while the antistatic plate 410 is disposed on the edge region of the support plate 342 , even when the support plate 342 is rotated at a high speed, a liquid film may be maintained between the lower surface of the substrate W and the antistatic plate 410 . Accordingly, it is possible to minimize the restriction of the rotation speed of the support plate 342 in removing static electricity.

또한, 기판(W)의 하면으로 유체(L)가 공급되는 도중에, 유체(L)가 기판(W)과 충돌하여 정전기를 발생시킬 수 있다. 정전기가 발생된 이후 기판(W)을 제전하는 경우 정전기 발생 시점과 정전기 제전 시점 사이에 기판(W)이 손상될 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판(W)의 하면으로 유체(L)가 공급되는 도중 정전기가 발생하더라도, 발생된 정전기는 곧바로 제전 플레이트(410)를 통해 제거된다. 이에, 기판(W)이 손상되는 것을 더욱 최소화할 수 있다.In addition, while the fluid L is supplied to the lower surface of the substrate W, the fluid L may collide with the substrate W to generate static electricity. When the substrate W is discharged after static electricity is generated, the substrate W may be damaged between the static electricity generation time and the static electricity discharge time. However, according to an embodiment of the present invention, even if static electricity is generated while the fluid L is supplied to the lower surface of the substrate W, the generated static electricity is immediately removed through the static elimination plate 410 . Accordingly, damage to the substrate W may be further minimized.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

기판 처리 장치 : 300
처리 용기 : 320
지지 유닛 : 340
승강 유닛 : 360
상부 유체 공급 유닛 : 380
하부 유체 공급 유닛 : 390
커버 : 392
고정 샤프트 : 394
액 토출관 : 396
가스 토출관 : 398
베어링 : 399
제전 유닛 : 400
제전 플레이트 : 410
제전 핀 : 430
제어기 : 500Substrate processing unit: 300
Processing vessel: 320
Support unit: 340
Elevating unit: 360
Upper fluid supply unit: 380
Lower fluid supply unit: 390
Cover: 392
Fixed shaft: 394
Liquid discharge pipe: 396
Gas discharge pipe: 398
Bearing: 399
Anti-static unit: 400
Antistatic plate: 410
Antistatic pin: 430
Controller: 500

Claims (15)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판을 지지하고, 지지판을 포함하는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판의 하부로 유체를 공급하는 하부 유체 공급 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판을 제전하는 제전 유닛과;
제어기를 포함하고,
상기 제전 유닛은,
상기 지지 유닛에 지지된 기판의 하면과 이격되도록 제공되며, 접지되는 제전 플레이트와;
상기 지지판에 제공되며, 상기 제전 플레이트를 상기 지지판으로부터 이격시키는 제전 핀을 포함하고,
상기 제어기는,
상기 기판의 하부로 상기 유체를 공급하여 상기 기판의 하면과 상기 제전 플레이트 사이 공간에 액막을 형성하도록 상기 하부 유체 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
a support unit supporting the substrate and including a support plate;
a lower fluid supply unit supplying a fluid to a lower portion of the substrate supported by the support unit;
a discharging unit for discharging the substrate supported by the support unit;
comprising a controller;
The antistatic unit,
an antistatic plate provided to be spaced apart from the lower surface of the substrate supported by the support unit and grounded;
and an antistatic pin provided on the support plate and spaced apart from the support plate,
The controller is
A substrate processing apparatus controlling the lower fluid supply unit to supply the fluid to a lower portion of the substrate to form a liquid film in a space between the lower surface of the substrate and the antistatic plate. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제전 핀은,
상기 제전 플레이트와 전기적으로 연결되고, 접지되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The antistatic pin is
A substrate processing apparatus electrically connected to the antistatic plate and grounded. 제4항에 있어서,
상기 제전 핀은 상기 지지판과 전기적으로 연결되고, 상기 지지판은 접지되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The antistatic pin is electrically connected to the support plate, and the support plate is grounded. 제4항에 있어서,
상기 제전 플레이트는 상기 제전 핀의 상단에 결합되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The antistatic plate is coupled to an upper end of the antistatic pin. 제1항에 있어서,
상기 제전 플레이트는,
상부에서 바라볼 때 링 형상을 가지는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The antistatic plate,
A substrate processing apparatus having a ring shape when viewed from above. 제7항에 있어서,
상기 제전 플레이트는,
상부에서 바라볼 때 일부가 절곡된 링 형상을 가지는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
The antistatic plate,
A substrate processing apparatus having a partially bent ring shape when viewed from above. 제1항 및 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제전 플레이트는 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 가장자리 영역에 배치되는 기판 처리 장치.9. The method of any one of claims 1 and 4 to 8,
The antistatic plate is disposed in an edge region of the substrate supported by the support unit. 제1항 및 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지 유닛은,
상기 지지판에 제공되고, 기판의 측부를 지지하는 척 핀들을 포함하고,
상기 제전 플레이트는,
상기 척 핀들 사이에 배치되는 기판 처리 장치.9. The method of any one of claims 1 and 4 to 8,
The support unit is
and chuck pins provided on the support plate and supporting a side of the substrate;
The antistatic plate,
A substrate processing apparatus disposed between the chuck pins. 제10항에 있어서,
상기 척 핀들은,
상부에서 바라볼 때 상기 지지판에 원주 방향을 따라 배치되고,
상기 제전 플레이트는 상기 원주 방향을 따라 배치되는 상기 척 핀들 사이에 배치되는 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
The chuck pins are
It is disposed along the circumferential direction on the support plate when viewed from the top,
The antistatic plate is disposed between the chuck pins disposed along the circumferential direction. 제1항 및 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제전 플레이트는 도전성 소재를 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.9. The method of any one of claims 1 and 4 to 8,
The antistatic plate is a substrate processing apparatus provided with a material including a conductive material. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판의 하면, 그리고 상기 기판의 하면과 이격되도록 제공되는 상기 제전 플레이트의 사이 공간으로 상기 하부 유체 공급 유닛이 상기 유체를 공급하여 액막을 형성하고,
상기 액막이 상기 기판과 상기 제전 플레이트를 전기적으로 연결하여 상기 기판을 제전하는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of claim 1,
The lower fluid supply unit supplies the fluid to the space between the lower surface of the substrate and the antistatic plate provided to be spaced apart from the lower surface of the substrate to form a liquid film,
The substrate processing method, wherein the liquid film electrically connects the substrate and the antistatic plate to neutralize the substrate. 제13항에 있어서,
상기 제전 플레이트는 접지되는 기판 처리 방법.14. The method of claim 13,
The substrate processing method in which the antistatic plate is grounded. 제13항에 있어서,
상기 제전 플레이트가 상부에서 바라볼 때 상기 기판의 가장자리 영역에 배치되어 상기 기판의 가장자리 영역을 제전하는 기판 처리 방법.



14. The method of claim 13,
and wherein the antistatic plate is disposed on an edge region of the substrate when viewed from above to neutralize the edge region of the substrate.
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