KR102288983B1 - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 제 1 노즐 유닛; 및 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 린스 액을 공급하는 제 2 노즐 유닛을 포함하되, 상기 제 2 노즐 유닛은, 상기 린스 액이 분사되는 린스 노즐; 상기 린스 노즐을 지지하고 길이가 가변 가능하게 제공되는 지지 암; 및 상기 기판 지지 유닛의 일측에 위치되어 상기 지지 암을 지지하는 지지축을 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a substrate support unit for supporting a substrate; a first nozzle unit for supplying a processing liquid onto the substrate supported by the substrate support unit; and a second nozzle unit supplying a rinse liquid onto the substrate supported by the substrate support unit, wherein the second nozzle unit includes: a rinse nozzle to which the rinse liquid is sprayed; a support arm supporting the rinse nozzle and having a variable length; and a support shaft positioned at one side of the substrate support unit to support the support arm.

Figure R1020140193911
Figure R1020140193911

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}BACKGROUND ART Substrate treating apparatus and substrate treating method

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 박막 중 불필요한 영역을 제거하는 공정으로, 박막에 대한 높은 선택비 및 고 식각률이 요구된다.In order to manufacture a semiconductor device or a liquid crystal display, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on a substrate. Among them, the etching process is a process of removing unnecessary regions of the thin film formed on the substrate, and a high selectivity and high etching rate for the thin film are required.

일반적으로 기판의 식각 공정 또는 세정 공정은 크게 케미칼 처리 단계, 린스 처리 단계, 그리고 건조 처리 단계가 순차적으로 수행된다. 케미칼 처리 단계에는 기판 상에 형성된 박막을 식각 처리하거나 기판 상의 이물을 제거 하기 위한 케미칼을 기판으로 공급하고, 린스 처리 단계에는 기판 상에 순수와 같은 린스액이 공급된다.In general, in the etching process or cleaning process of the substrate, a chemical treatment step, a rinse treatment step, and a drying treatment step are sequentially performed. In the chemical treatment step, a chemical for etching the thin film formed on the substrate or removing foreign substances on the substrate is supplied to the substrate, and in the rinse treatment step, a rinse solution such as pure water is supplied on the substrate.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 린스 노즐을 지지하는 구성의 길이가 가변 되는 제 2 노즐을 통해 기판에 린스액을 공급하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method for supplying a rinse liquid to a substrate through a second nozzle having a variable length for supporting the rinse nozzle.

또한, 본 발명은 기판에 공급된 린스 액이 튀는 현상이 최소화 될 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of minimizing splashing of a rinse liquid supplied to a substrate.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 제 1 노즐 유닛; 및 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 린스 액을 공급하는 제 2 노즐 유닛을 포함하되, 상기 제 2 노즐 유닛은, 상기 린스 액이 분사되는 린스 노즐; 상기 린스 노즐을 지지하고 길이가 가변 가능하게 제공되는 지지 암; 및 상기 기판 지지 유닛의 일측에 위치되어 상기 지지 암을 지지하는 지지축을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, a substrate support unit for supporting a substrate; a first nozzle unit for supplying a processing liquid onto the substrate supported by the substrate support unit; and a second nozzle unit supplying a rinse liquid onto the substrate supported by the substrate support unit, wherein the second nozzle unit includes: a rinse nozzle to which the rinse liquid is sprayed; a support arm supporting the rinse nozzle and having a variable length; and a support shaft positioned at one side of the substrate support unit to support the support arm.

또한, 상기 지지 암은 외면의 둘레가 서로 상이하게 제공되어 텔레스코픽 타입으로 서로 결합되는 2개 이상의 지지 암부를 포함할 수 있다.In addition, the support arm may include two or more support arm parts that are provided with different perimeters of the outer surface and are coupled to each other in a telescopic type.

또한, 상기 제 2 노즐 유닛은, 상기 지지 암과 상기 지지축에 상기 린스 노즐에 상기 린스 액을 공급하는 배관이 위치되는 중공부가 형성될 수 있다.Also, in the second nozzle unit, a hollow portion in which a pipe for supplying the rinse liquid to the rinse nozzle is disposed may be formed in the support arm and the support shaft.

또한, 상기 배관은 상기 중공부에 대해 슬라이딩 가능하게 제공될 수 있다.In addition, the pipe may be provided to be slidable with respect to the hollow part.

또한, 상기 제 2 노즐 유닛은, 상기 지지 암과 상기 지지축에 상기 린스 노즐로 공급되는 상기 린스 액이 유동하는 경로를 제공하는 관 형상의 중공부가 형성될 수 있다.In addition, the second nozzle unit may have a hollow tubular shape providing a path through which the rinse liquid supplied to the rinse nozzle flows to the support arm and the support shaft.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 린스 노즐을 지지하고 길이가 가변 가능한 지지 암의 길이를 신장 시켜, 상기 린스 노즐을 기판의 위쪽으로 이동 시키는 단계; 상기 린스 노즐에서 상기 기판으로 상기 린스 액을 공급하는 단계; 상기 지지 암의 길이를 줄여 상기 린스 노즐을 상기 기판의 위쪽 영역에서 외측으로 이동 시키는 단계; 및 상기 기판의 상부로 처리액을 공급하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, the method comprising: supporting the rinse nozzle and extending the length of a variable-length support arm to move the rinse nozzle upwards of the substrate; supplying the rinse liquid from the rinse nozzle to the substrate; moving the rinse nozzle outward from the upper region of the substrate by reducing the length of the support arm; and supplying a processing liquid to an upper portion of the substrate.

또한, 상기 처리액이 공급된 상기 기판의 상부로 상기 린스 노즐을 이동 시키는 단계; 및 상기 린스 노즐로 상기 기판의 상부에 상기 린스 액을 재 공급하는 단계를 더 포함할 수 있다.In addition, moving the rinse nozzle to an upper portion of the substrate to which the treatment liquid is supplied; and re-supplying the rinse solution to the upper portion of the substrate through the rinse nozzle.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently processing a substrate may be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 린스 노즐을 지지하는 구성의 길이가 가변 되는 제 2 노즐을 통해 기판에 린스 액을 공급하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method for supplying a rinse liquid to a substrate through a second nozzle having a variable length of a component supporting the rinse nozzle may be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판에 공급된 린스 액이 튀는 현상이 최소화 될 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method can be provided in which splashing of the rinse liquid supplied to the substrate can be minimized.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 공정 챔버에 제공되는 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 일 예에 따른 제 2 노즐 유닛의 측 단면도이다.
도 5는 도 4의 제 2 노즐 유닛의 린스 노즐이 대기 위치로 이동된 상태를 나타내는 도면이다.
도 6은 다른 실시 예에 따른 제 2 노즐 유닛의 측 단면도이다.1 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of a substrate processing apparatus provided in the process chamber of FIG. 1 .
3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 2 .
4 is a side cross-sectional view of a second nozzle unit according to an example;
FIG. 5 is a view illustrating a state in which the rinse nozzle of the second nozzle unit of FIG. 4 is moved to a standby position;
6 is a side cross-sectional view of a second nozzle unit according to another embodiment.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가진다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 1 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1 , a substrate processing facility 1 includes an index module 10 and a process processing module 20 . The index module 10 has a load port 120 and a transport frame 140 . The load port 120 , the transfer frame 140 , and the process processing module 20 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, a direction in which the load port 120 , the transfer frame 140 , and the process processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 , and is perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top. The direction is referred to as a second direction 14 , and a direction perpendicular to a plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16 .

로드 포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is seated on the load port 140 . A plurality of load ports 120 are provided and they are arranged in a line along the second direction 14 . The number of load ports 120 may increase or decrease according to process efficiency and footprint conditions of the process processing module 20 . A plurality of slots (not shown) are formed in the carrier 130 for accommodating the substrates W in a horizontally arranged state with respect to the ground. As the carrier 130 , a Front Opening Unifed Pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버들(260)이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버들(260)은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정 챔버들(260)이 제공된다. 공정 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버들(260)이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process processing module 20 includes a buffer unit 220 , a transfer chamber 240 , and a process chamber 260 . The transfer chamber 240 is disposed in a longitudinal direction parallel to the first direction 12 . Process chambers 260 are respectively disposed on both sides of the transfer chamber 240 . At one side and the other side of the transfer chamber 240 , the process chambers 260 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240 . A plurality of process chambers 260 are provided at one side of the transfer chamber 240 . Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240 . In addition, some of the process chambers 260 are disposed to be stacked on each other. That is, the process chambers 260 may be arranged in an A X B arrangement on one side of the transfer chamber 240 . Here, A is the number of process chambers 260 provided in a line along the first direction 12 , and B is the number of process chambers 260 provided in a line along the third direction 16 . When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240 , the process chambers 260 may be arranged in a 2×2 or 3×2 arrangement. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided on only one side of the transfer chamber 240 . In addition, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240 .

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240 . The buffer unit 220 provides a space in which the substrate W stays before the substrate W is transferred between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140 . A slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided in the buffer unit 220 . A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 16 . The buffer unit 220 has an open side facing the transfer frame 140 and a side facing the transfer chamber 240 .

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암들(144c)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암들(144c) 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the carrier 130 seated on the load port 120 and the buffer unit 220 . The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144 . The index rail 142 is provided in a longitudinal direction parallel to the second direction 14 . The index robot 144 is installed on the index rail 142 and linearly moves in the second direction 14 along the index rail 142 . The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142 . The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward with respect to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are arranged to be stacked apart from each other in the third direction 16 . Some of the index arms 144c are used when transferring the substrate W from the process processing module 20 to the carrier 130 , and other parts of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the carrier 130 to the process processing module 20 . ) can be used to return This may prevent particles generated from the substrate W before the process from adhering to the substrate W after the process in the process of the index robot 144 loading and unloading the substrate W.

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암들(244c)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260 . The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244 . The guide rail 242 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The main robot 244 is installed on the guide rail 242 and linearly moved along the first direction 12 on the guide rail 242 . The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed to be movable along the guide rail 242 . The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. In addition, the body 244b is provided to be rotatable on the base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided to be movable forward and backward with respect to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided to be individually driven. The main arms 244c are arranged to be stacked apart from each other in the third direction 16 .

공정 챔버(260)는 기판(W)에 대해 공정을 수행한다. 공정 챔버(260)는 수행하는 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내부는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버들(260)은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내부는 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내부는 서로 상이하게 제공될 수 있다.The process chamber 260 performs a process on the substrate W. The process chamber 260 may have a different structure depending on the type of process to be performed. Alternatively, the inside of each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 may be divided into a plurality of groups, and the interiors of the process chambers 260 belonging to the same group may be the same, and the interiors of the process chambers 260 belonging to different groups may be provided differently. .

도 2는 도 1의 공정 챔버에 제공되는 기판 처리 장치의 평면도이고, 도 3은 도 2의 기판 처리 장치의 단면도이다.FIG. 2 is a plan view of the substrate processing apparatus provided in the process chamber of FIG. 1 , and FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 2 .

도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 스핀 헤드(340), 승강 유닛(360), 그리고 유체 공급 유닛(370)을 포함한다.2 and 3 , the substrate processing apparatus 300 includes a processing vessel 320 , a spin head 340 , an elevation unit 360 , and a fluid supply unit 370 .

처리 용기(320)는 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 처리 용기(320)는 내부회수통(322) 및 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 스핀 헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(326)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측 공간(322a) 및 내부 회수통(322)은 내부 회수통(322)으로 처리액이 유입되는 제1유입구(322a)로서 기능한다. 내부 회수통(322)과 외부 회수통(326)의 사이 공간(326a)은 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 제2유입구(326a)로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구(322a,326a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,326)의 저면 아래에는 회수 라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,326)에 유입된 처리액들은 회수 라인(322b,326b)을 통해 외부의 처리액재생시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.The processing container 320 has a cylindrical shape with an open top. The processing container 320 has an internal recovery container 322 and an external recovery container 326 . Each of the recovery tanks 322 and 326 recovers different treatment liquids from among the treatment liquids used in the process. The inner recovery container 322 is provided in the shape of an annular ring surrounding the spin head 340 , and the external recovery container 326 is provided in the shape of an annular ring surrounding the inner recovery container 326 . The inner space 322a and the internal recovery container 322 of the internal recovery container 322 function as a first inlet 322a through which the treatment liquid flows into the internal recovery container 322 . The space 326a between the internal collection tube 322 and the external collection tube 326 functions as a second inlet 326a through which the treatment liquid flows into the external collection tube 326 . According to an example, each of the inlets 322a and 326a may be located at different heights. Recovery lines 322b and 326b are connected under the bottom of each of the recovery barrels 322 and 326 . The treatment liquids introduced into each of the recovery tanks 322 and 326 may be provided to an external treatment liquid regeneration system (not shown) through the recovery lines 322b and 326b to be reused.

스핀 헤드(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀 헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 구동부(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정 결합된다.The spin head 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The spin head 340 has a body 342 , a support pin 344 , a chuck pin 346 , and a support shaft 348 . Body 342 has a top surface that is provided as a generally circular shape when viewed from above. A rotatable support shaft 348 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342 by a driving unit 349 .

지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격 되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치될 수 있다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are disposed to be spaced apart from each other at predetermined intervals on the edge of the upper surface of the body 342 and protrude upward from the body 342 . The support pins 344 may be arranged to have an annular ring shape as a whole by combination with each other. The support pin 344 supports the rear edge of the substrate W so that the substrate W is spaced a predetermined distance from the upper surface of the body 342 .

척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther from the center of the body 342 than the support pin 344 . The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342 . The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally separated from the original position when the spin head 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided to enable linear movement between the standby position and the support position along the radial direction of the body 342 . The standby position is a position farther from the center of the body 342 than the support position. When the substrate W is loaded or unloaded from the spin head 340 , the chuck pin 346 is positioned at a standby position, and when a process is performed on the substrate W, the chuck pin 346 is positioned at a support position. In the supporting position, the chuck pin 346 is in contact with the side of the substrate W.

승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정 결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀 헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀 헤드(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 moves the processing container 320 in the vertical direction. As the processing vessel 320 moves up and down, the relative height of the processing vessel 320 with respect to the spin head 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362 , a moving shaft 364 , and a driver 366 . The bracket 362 is fixedly installed on the outer wall of the housing 320 , and a moving shaft 364 that is moved in the vertical direction by the driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362 . When the substrate W is placed on the spin head 340 or lifted from the spin head 340 , the housing 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes above the housing 320 . In addition, when the process is in progress, the height of the housing 320 is adjusted so that the treatment liquid can be introduced into the predetermined collection container 360 according to the type of the treatment liquid supplied to the substrate W. Optionally, the lifting unit 360 may move the spin head 340 in the vertical direction.

유체 공급 유닛(370)은 기판 처리를 위한 유체를 기판으로 공급한다. 유체 공급 유닛(370)은 제 1 노즐 유닛(380) 및 제 2 노즐 유닛(390)을 포함한다.The fluid supply unit 370 supplies a fluid for substrate processing to the substrate. The fluid supply unit 370 includes a first nozzle unit 380 and a second nozzle unit 390 .

제 1 노즐 유닛(380)은 기판 상에 처리액을 공급한다. 처리액은 케미컬일 수 있다. 제 1 노즐 유닛(380)은 노즐 이동 부재(381) 및 처리액 노즐(389)을 포함한다. 노즐 이동 부재(381)는 처리액 노즐(389)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 처리액 노즐(389)이 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 처리액 노즐(389)이 공정 위치를 벗어난 위치이다. 노즐 이동 부재(381)는 회전축(386), 구동기(388), 그리고 지지 아암(382)을 포함한다. 회전축(386)은 처리 용기(320)의 일측에 위치된다. 회전축(386)은 그 길이방향이 제3방향(16)을 향하는 로드 형상을 가진다. 회전축(386)은 구동기(388)에 의해 회전 가능하다. 회전축(386)은 구동기(388)로부터 제공되는 구동력에 의해 그 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 지지 아암(382)은 처리액 노즐(389)과 회전축(386)을 연결한다. 회전축(386)이 회전됨에 따라 지지 아암(382) 및 처리액 노즐(389)은 회전축(386)의 중심축을 중심으로 회전된다. The first nozzle unit 380 supplies the processing liquid onto the substrate. The treatment solution may be a chemical. The first nozzle unit 380 includes a nozzle moving member 381 and a treatment liquid nozzle 389 . The nozzle moving member 381 moves the treatment liquid nozzle 389 to the process position and the standby position. Here, the processing position is a position where the processing liquid nozzle 389 faces the substrate W supported by the substrate support unit 340 , and the standby position is a position where the processing liquid nozzle 389 is out of the processing position. The nozzle moving member 381 includes a rotation shaft 386 , a driver 388 , and a support arm 382 . The rotation shaft 386 is located on one side of the processing vessel 320 . The rotation shaft 386 has a rod shape whose longitudinal direction faces the third direction 16 . The rotating shaft 386 is rotatable by the actuator 388 . The rotating shaft 386 is rotatable about its central axis by a driving force provided from the actuator 388 . The support arm 382 connects the treatment liquid nozzle 389 and the rotation shaft 386 . As the rotation shaft 386 is rotated, the support arm 382 and the treatment liquid nozzle 389 are rotated about the central axis of the rotation shaft 386 .

지지 아암(382)은 그 길이방향이 제3방향(16)과 수직한 수평 방향을 향하는 로드 형상으로 제공된다. 지지 아암(382)의 일단은 회전축(386)의 상단에 고정 결합된다. 지지 아암(382)은 타단이 회전축(386)과 결합된 일단을 중심으로 회전 가능하다. 일 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때 지지 아암(382)의 타단이 이동되는 경로는 기판(W)의 중앙 영역을 지나도록 제공될 수 있다. 지지 아암(382)의 타단에는 처리액 노즐(389)이 결합된다. 따라서 처리액 노즐(389)은 회전축(386) 및 지지 아암(382)이 회전됨에 따라 공정 위치와 대기 위치로 이동 가능하다.The support arm 382 is provided in the shape of a rod whose longitudinal direction faces a horizontal direction perpendicular to the third direction 16 . One end of the support arm 382 is fixedly coupled to the upper end of the rotation shaft 386 . The support arm 382 is rotatable about one end of which the other end is coupled to the rotation shaft 386 . According to an example, a path along which the other end of the support arm 382 moves when viewed from above may be provided to pass through the central region of the substrate W. As shown in FIG. A treatment liquid nozzle 389 is coupled to the other end of the support arm 382 . Accordingly, the treatment liquid nozzle 389 is movable to the process position and the standby position as the rotation shaft 386 and the support arm 382 are rotated.

도 4는 일 예에 따른 제 2 노즐 유닛의 측 단면도이고, 도 5는 도 4의 제 2 노즐 유닛의 린스 노즐이 대기 위치로 이동된 상태를 나타내는 도면이다.4 is a cross-sectional side view of a second nozzle unit according to an example, and FIG. 5 is a view illustrating a state in which the rinse nozzle of the second nozzle unit of FIG. 4 is moved to a standby position.

제 2 노즐 유닛(390)은 기판(W) 상에 린스액을 공급한다. 린스액은 순수 (DIW: Deionized Water)일 수 있다.The second nozzle unit 390 supplies a rinse solution onto the substrate W. The rinse solution may be deionized water (DIW).

도 4 및 도 5를 참조하면, 제 2 노즐 유닛(390)은 노즐 지지 부재(391) 및 린스 노즐(399)을 포함한다.4 and 5 , the second nozzle unit 390 includes a nozzle support member 391 and a rinse nozzle 399 .

노즐 지지 부재(391)는 린스 노즐(399)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 린스 노즐(399)이 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 린스 노즐(399)이 공정 위치를 벗어난 위치이다. 노즐 지지 부재(391)는 지지축(392) 및 지지 암(394)을 포함한다. 지지축(392)은 처리 용기(320)의 일측에 위치된다. 지지축(392)은 그 길이방향이 제3방향(16)을 향하는 로드 형상으로 제공될 수 있다. 지지축(392)의 하부는 지지부(393)에 고정된다.The nozzle support member 391 moves the rinse nozzle 399 to the process position and the standby position. Here, the process position is a position where the rinse nozzle 399 faces the substrate W supported by the substrate support unit 340 , and the standby position is a position where the rinse nozzle 399 is out of the process position. The nozzle support member 391 includes a support shaft 392 and a support arm 394 . The support shaft 392 is located on one side of the processing vessel 320 . The support shaft 392 may be provided in a rod shape whose longitudinal direction faces the third direction 16 . A lower portion of the support shaft 392 is fixed to the support portion 393 .

지지 암(394)은 지지축(392)의 상부에서 기판 지지 유닛(340) 방향으로 연장되게 제공된다. 지지 암(394)의 단부에는 린스 노즐(399)이 위치된다. 지지 암(394)은 그 길이가 가변 가능하게 제공된다. 일 예로, 지지 암(394)은 2개 이상의 지지 암부(396)를 포함할 수 있다. 각각의 지지 암(394)은 외면의 둘레가 상이하게 제공되어, 서로 텔레스코픽(telescopic) 타입으로 서로 결합될 수 있다. 그리고, 일단에 위치된 지지 암(394)은 지지축(392)에 고정되고 타단에 위치된 지지 암(394)에는 린스 노즐(399)이 위치될 수 있다.The support arm 394 is provided to extend in the direction of the substrate support unit 340 from the upper portion of the support shaft 392 . A rinse nozzle 399 is positioned at the end of the support arm 394 . The support arm 394 is provided with a variable length. For example, the support arm 394 may include two or more support arm portions 396 . Each of the support arms 394 is provided with a different perimeter of the outer surface, so that they can be coupled to each other in a telescopic type. In addition, the support arm 394 positioned at one end may be fixed to the support shaft 392 , and the rinse nozzle 399 may be positioned on the support arm 394 positioned at the other end.

지지 암(394)과 지지축(392)의 내부에는 중공부(397)가 형성될 수 있다. 그리고, 중공부(397)에는 린스 노즐(399)에 연결되어, 린스 액을 공급하는 배관(398)이 슬라이딩 가능하게 위치될 수 있다. 배관(398)은 지지 암(394)의 길이가 최대가 되었을 때에 대응하는 길이를 가질 수 있다. 그리고, 지지 암(394)의 길이가 줄어들 때 제 2 노즐 유닛(390)의 내측에 있던 배관(398)의 일부는 슬라이딩 되는 방식으로 지지축(392)의 외부로 이동 될 수 있다.A hollow part 397 may be formed inside the support arm 394 and the support shaft 392 . In addition, a pipe 398 connected to the rinse nozzle 399 and supplying a rinse solution may be slidably positioned in the hollow part 397 . The pipe 398 may have a corresponding length when the length of the support arm 394 is maximized. And, when the length of the support arm 394 is reduced, a part of the pipe 398 inside the second nozzle unit 390 may be moved to the outside of the support shaft 392 in a sliding manner.

제 2 노즐 유닛(390)은 제 1 노즐 유닛(380)이 기판(W)으로 처리액을 공급하기 전 및 후에 기판(W)으로 린스 액을 공급한다. 구체적으로, 제 1 노즐 유닛(380)이 처리액을 공급하기 전에, 기판(W)의 위쪽 영역에서 벗어난 대기 위치에 있던 린스 노즐(399)은 지지 암(394)의 길이가 길어 지는 방식으로 기판(W)과 대향 되는 분사 위치로 이동 된다. 이때, 분사 위치는 기판(W) 중심의 위쪽일 수 있다. 이후, 분사 위치로 이동된 린스 노즐(399)을 통해 기판(W)에 린스 액이 공급된다. 린스 액의 공급이 종료된 후, 지지 암(394)은 길이가 줄어 들면서 노즐 암을 대기 위치로 이동 시킨다. 제 1 노즐 유닛(380)은 린스 노즐(399)이 대기 위치로 이동된 후, 처리액 노즐(389)을 기판의 위쪽으로 이동 시킨 후 처리액을 기판(W)에 공급할 수 있다. 또한, 제 1 노즐 유닛(380)은 린스 노즐(399)에서 린스 액의 공급이 종료된 직후 또는 지지 암(394)의 길이가 줄어 들 때 처리액을 기판(W)에 공급할 수 있다. 제 1 노즐 유닛(380)은 처리액 노즐(389)을 이동 시키면서 처리액을 기판(W)에 공급할 수 있다.The second nozzle unit 390 supplies a rinse liquid to the substrate W before and after the first nozzle unit 380 supplies the processing liquid to the substrate W. Specifically, before the first nozzle unit 380 supplies the processing liquid, the rinse nozzle 399 in the standby position out of the upper region of the substrate W increases the length of the support arm 394 to increase the length of the substrate W. (W) is moved to the opposite injection position. At this time, the injection position may be above the center of the substrate (W). Thereafter, the rinse liquid is supplied to the substrate W through the rinse nozzle 399 moved to the spraying position. After the supply of the rinse liquid is finished, the support arm 394 moves the nozzle arm to the standby position while decreasing the length. The first nozzle unit 380 may supply the processing liquid to the substrate W after the rinse nozzle 399 is moved to the standby position, and then the processing liquid nozzle 389 is moved upward of the substrate. Also, the first nozzle unit 380 may supply the processing liquid to the substrate W immediately after the rinse nozzle 399 finishes supplying the rinse liquid or when the length of the support arm 394 is reduced. The first nozzle unit 380 may supply the processing liquid to the substrate W while moving the processing liquid nozzle 389 .

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 린스 액은 기판(W)의 위쪽에서 아래쪽으로 공급되는 방식으로 기판(W)에 공급될 수 있다. 따라서, 린스 액을 공급할 때 린스액을 분사하는 압력 또는 속도를 최소화 시킬 수 있어 린스 액이 기판(W)과 충돌 후 튀는 현상을 최소화 시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the rinse liquid may be supplied to the substrate W in a manner that is supplied from the top to the bottom of the substrate W. Therefore, when the rinse liquid is supplied, the pressure or speed at which the rinse liquid is sprayed can be minimized, so that the splashing phenomenon of the rinse liquid after colliding with the substrate W can be minimized.

또한, 제 1 노즐 유닛(380)이 기판(W)에 처리 액을 공급할 때, 제 2 노즐 유닛(390)은 린스 노즐(399)이 대기 위치에 있거나, 지지 암(394)의 길이가 짧게 되어 있어 제 1 노즐 유닛(380)과의 간섭이 최소화 될 수 있다.In addition, when the first nozzle unit 380 supplies the processing liquid to the substrate W, the second nozzle unit 390 causes the rinse nozzle 399 to be in the standby position or the length of the support arm 394 to be shortened. Therefore, interference with the first nozzle unit 380 can be minimized.

도 6은 다른 실시 예에 따른 제 2 노즐 유닛의 측 단면도이다.6 is a side cross-sectional view of a second nozzle unit according to another embodiment.

도 6을 참조하면, 제 2 노즐 유닛(390b)은 노즐 지지 부재(391b) 및 린스 노즐(399b)을 포함한다.Referring to FIG. 6 , the second nozzle unit 390b includes a nozzle support member 391b and a rinse nozzle 399b.

노즐 지지 부재(391b)의 지지 암(394b)과 지지축(392b)의 내부에는 린스 노즐(399b)과 연결되고, 린스 액이 유동하는 관 형상의 중공부(397b)가 형성될 수 있다. 또한, 중공부(397b)의 내면은 화학적으로 안정되게 코팅 처리 될 수 있다. 도 5 및 도 6의 배관(398)이 생략되고 린스 액이 중공부(397)를 유동하는 점 외의 제 2 노즐 유닛(390b)의 구성 및 동작은 도 4 및 도 5의 제 2 노즐 유닛(390b)과 유사하므로 반복된 설명은 생략한다.A tubular hollow portion 397b connected to the rinse nozzle 399b and through which the rinse liquid flows may be formed inside the support arm 394b and the support shaft 392b of the nozzle support member 391b. In addition, the inner surface of the hollow portion 397b may be chemically stably coated. The configuration and operation of the second nozzle unit 390b except that the pipe 398 of FIGS. 5 and 6 is omitted and the rinse liquid flows through the hollow part 397 is the second nozzle unit 390b of FIGS. 4 and 5 . ), so repeated descriptions will be omitted.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

10: 인덱스 모듈 20: 공정 처리 모듈
300: 기판 처리 장치 320: 처리 용기
340: 스핀 헤드 360: 승강 유닛
370: 유체 공급 유닛10: index module 20: process module
300: substrate processing apparatus 320: processing vessel
340: spin head 360: elevating unit
370: fluid supply unit

Claims (7)

기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 제 1 노즐 유닛; 및
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 린스 액을 공급하는 제 2 노즐 유닛을 포함하되,
상기 제 2 노즐 유닛은,
상기 린스 액이 분사되는 린스 노즐;
상기 린스 노즐을 지지하고 길이가 가변 가능하게 제공되는 지지 암; 및
상기 기판 지지 유닛의 일측에 위치되어 상기 지지 암을 지지하는 지지축을 포함하며,
상기 지지 암과 상기 지지축에 상기 린스 노즐에 상기 린스 액을 공급하는 배관이 위치되는 중공부가 형성되고,
상기 배관은 상기 중공부에 대해 슬라이딩 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.a substrate support unit for supporting the substrate;
a first nozzle unit for supplying a processing liquid onto the substrate supported by the substrate support unit; and
a second nozzle unit supplying a rinse solution onto the substrate supported by the substrate support unit;
The second nozzle unit,
a rinse nozzle to which the rinse liquid is sprayed;
a support arm supporting the rinse nozzle and having a variable length; and
and a support shaft positioned on one side of the substrate support unit to support the support arm,
A hollow portion in which a pipe for supplying the rinse liquid to the rinse nozzle is formed is formed on the support arm and the support shaft;
The pipe is a substrate processing apparatus provided to be slidable with respect to the hollow part. 제 1 항에 있어서,
상기 지지 암은 외면의 둘레가 서로 상이하게 제공되어 텔레스코픽 타입으로 서로 결합되는 2개 이상의 지지 암부를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
and the support arm includes two or more support arm units provided with different outer perimeters and coupled to each other in a telescopic type. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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