JP4860950B2 - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents
Substrate processing method and substrate processing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP4860950B2 JP4860950B2 JP2005192079A JP2005192079A JP4860950B2 JP 4860950 B2 JP4860950 B2 JP 4860950B2 JP 2005192079 A JP2005192079 A JP 2005192079A JP 2005192079 A JP2005192079 A JP 2005192079A JP 4860950 B2 JP4860950 B2 JP 4860950B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive liquid
- substrate
- base portion
- cup
- liquid supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
この発明は、基板を処理するための基板処理方法および基板処理装置に関する。 This invention relates to a substrate processing method and a substrate processing equipment for processing the substrate.
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板の表面に純水を供給して、その基板の表面を純水で洗浄する処理などが行われる。
たとえば、基板を1枚ずつ処理する枚葉式の洗浄処理を実施する装置は、複数本のチャックピンで基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、このスピンチャックによって回転される基板の表面に純水を供給するためのノズルとを備えている。処理時には、スピンチャックによって基板が回転されつつ、その基板の表面の回転中心付近にノズルから純水が供給される。基板の表面上に供給された純水は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の表面上を周縁に向けて流れる。これにより、基板の表面の全域に純水が行き渡り、基板の表面に対する純水による洗浄処理が達成される。
In the manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, a process of supplying pure water to the surface of a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display panel and washing the surface of the substrate with pure water is performed.
For example, an apparatus for performing a single wafer cleaning process that processes substrates one by one, a spin chuck that rotates the substrate while holding the substrate substantially horizontally with a plurality of chuck pins, and a spin chuck that rotates the substrate. And a nozzle for supplying pure water to the surface of the substrate. During processing, the substrate is rotated by the spin chuck, and pure water is supplied from the nozzle to the vicinity of the rotation center of the surface of the substrate. The pure water supplied onto the surface of the substrate receives a centrifugal force due to the rotation of the substrate and flows on the surface of the substrate toward the periphery. Thereby, pure water spreads over the entire surface of the substrate, and a cleaning process with pure water is achieved for the surface of the substrate.
ところが、回転状態の基板に純水が供給されると、基板の表面に電荷が発生し、基板が帯電する。また、スピンチャックのチャックピンなどが帯電していると、基板がスピンチャックに保持された段階で帯電する。基板が帯電すると、その電荷の放電が生じたときに、基板の表面に形成されるデバイスの破壊を生じるおそれがある。
そこで、スピンチャックの上方にコロナ放電式イオナイザを配置し、このコロナ放電式イオナイザから発生されるイオンにより基板の除電を行うことが提案されている。また、X線(軟X線)を照射するX線照射装置を設けて、基板の周囲の雰囲気に向けてX線を照射して、その雰囲気中に発生するイオンにより基板の除電を行うことが提案されている(たとえば、特許文献1参照)。
In view of this, it has been proposed that a corona discharge ionizer is disposed above the spin chuck and the substrate is neutralized by ions generated from the corona discharge ionizer. Further, an X-ray irradiation apparatus that irradiates X-rays (soft X-rays) is provided, and X-rays are irradiated toward the atmosphere around the substrate, and the substrate is neutralized by ions generated in the atmosphere. It has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
しかし、コロナ放電式イオナイザやX線照射装置を設けると、基板処理装置のコストが高くなってしまう。とくに、コロナ放電式イオナイザは、対向電極間に高電圧を印加したときに生じる放電によってイオンを発生させる方式であるため、引火性薬液を含む雰囲気中で使用することはできない。また、コロナ放電式イオナイザをスピンチャックの上方に配置すると、そのコロナ放電式イオナイザから発生するパーティクルによる基板汚染の問題を生じるおそれもある。 However, if a corona discharge ionizer or an X-ray irradiation apparatus is provided, the cost of the substrate processing apparatus increases. In particular, the corona discharge ionizer is a method of generating ions by discharge generated when a high voltage is applied between the counter electrodes, and therefore cannot be used in an atmosphere containing a flammable chemical solution. Further, when the corona discharge ionizer is disposed above the spin chuck, there is a possibility of causing a problem of substrate contamination due to particles generated from the corona discharge ionizer.
そこで、この発明の目的は、コロナ放電式イオナイザやX線照射装置を用いることなく、基板保持位置の周囲に配置されるカップの除電を達成することができ、処理時における基板の帯電量を低減することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。 Accordingly, an object of the present invention is to eliminate the charge of the cup disposed around the substrate holding position without using a corona discharge ionizer or an X-ray irradiation device, and reduce the amount of charge of the substrate during processing. A substrate processing method and a substrate processing apparatus which can be performed are provided .
上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、水平面に沿う上面を有するベース部(5)、および前記ベース部に配設された支持部材(6)を有する基板保持手段(1)に基板(W)を搬入する基板搬入工程と、前記基板保持手段によって所定の基板保持位置に保持された基板の表面に処理液を供給して、当該基板を処理する基板処理工程と、前記基板保持手段を収容し、前記基板保持位置に保持された基板の表面に供給された処理液を受け取るためのカップ(3)に導電性液体を供給して、前記カップに帯電している電荷を除去する除電工程と、前記除電工程と並行して、前記ベース部と前記支持部材とを、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転工程とを含み、前記除電工程は、前記基板搬入工程に先立って、前記ベース部の前記上面に導電性液体を供給する導電性液体供給工程を含むことを特徴とする、基板処理方法である。
In order to achieve the above object, the invention according to
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この方法によれば、基板保持位置の周囲に配置されるカップに導電性液体が供給されて、そのカップに帯電している電荷が除去される。そのため、コロナ放電式イオナイザやX線照射装置を用いることなく、カップの除電を達成することができる。カップを除電することによって、カップの帯電に起因する基板の帯電を防止することができるので、処理時における基板の帯電量を低減することができる。
また、ベース部の上面に供給された導電性液体は、ベース部の回転による遠心力を受けて、ベース部を周縁に向けて流れ、ベース部の上面は、導電性液体で覆われる。また、ベース部の周縁に達した導電性液体は、ベース部の周縁から飛散して、カップに受け取られる。
In addition, the alphanumeric characters in parentheses represent corresponding components in the embodiments described later. The same applies hereinafter.
According to this method, the conductive liquid is supplied to the cup disposed around the substrate holding position, and the charge charged in the cup is removed. Therefore, static elimination of the cup can be achieved without using a corona discharge ionizer or an X-ray irradiation device. By neutralizing the cup, it is possible to prevent the substrate from being charged due to the charging of the cup, so that the amount of charge of the substrate during processing can be reduced.
In addition, the conductive liquid supplied to the upper surface of the base portion receives centrifugal force due to the rotation of the base portion and flows toward the periphery of the base portion, and the upper surface of the base portion is covered with the conductive liquid. The conductive liquid that has reached the periphery of the base part is scattered from the periphery of the base part and received by the cup.
また、基板保持手段に基板が搬入される前に、カップの除電が行われるので、基板保持手段による基板の保持の直後から、カップの帯電に起因する基板の帯電を防止することができる。
請求項2に記載のように、前記導電性液体供給工程は、前記ベース部よりも上方に設けられたノズル(15)から前記ベース部の前記上面に向けて導電性液体を吐出する工程であってもよい。
In addition, since the charge is removed from the cup before the substrate is carried into the substrate holding means, it is possible to prevent the substrate from being charged due to the charging of the cup immediately after the substrate is held by the substrate holding means.
According to a second aspect of the present invention, the conductive liquid supply step is a step of discharging the conductive liquid from the nozzle (15) provided above the base portion toward the upper surface of the base portion. May be.
請求項3記載の発明は、前記基板処理工程と並行して、前記基板保持位置に保持された基板の裏面に導電性液体を供給する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1または2記載の基板処理方法である。
この方法によれば、基板の表面に処理液が供給されつつ、基板の裏面に導電性液体が供給される。これにより、基板の表面に処理液が供給されることに起因して、基板の表面に電荷が発生しても、その電荷を基板の裏面から導電性液体を介して除去することができる。すなわち、基板に対する処理中に、その基板の除電を達成することができる。そのため、処理時における基板の帯電量をより低減することができる。
According to a third aspect of the invention, in parallel with the substrate processing step, characterized in that it further comprises a step of supplying a conductive liquid on the rear surface of the substrate held by the substrate holding position, according to
According to this method, the conductive liquid is supplied to the back surface of the substrate while the processing liquid is supplied to the front surface of the substrate. Thus, even if charges are generated on the surface of the substrate due to the supply of the processing liquid to the surface of the substrate, the charges can be removed from the back surface of the substrate via the conductive liquid. That is, neutralization of the substrate can be achieved during processing on the substrate. As a result, the amount of charge on the substrate during processing can be further reduced.
請求項4記載の発明は、前記基板搬入工程の後であり、前記基板処理工程に先立って、前記基板保持位置に保持された基板の裏面に導電性液体を供給する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理方法である。
この方法によれば、基板保持手段に基板が搬入された後、処理液の基板の表面への供給開始に先立って、基板の裏面に導電性液体が供給される。これにより、搬入された基板が帯電している場合でも、その電荷を基板の裏面から導電性液体を介して除去することができる。そのため、処理を開始する前にその基板の除電を達成することができる。
According to a fourth aspect of the present invention, the method further includes a step of supplying a conductive liquid to the back surface of the substrate held at the substrate holding position after the substrate carrying-in step and prior to the substrate processing step. A substrate processing method according to any one of
According to this method, after the substrate is carried into the substrate holding means, the conductive liquid is supplied to the back surface of the substrate prior to the start of supply of the processing liquid to the surface of the substrate. Thereby, even when the carried substrate is charged, the charge can be removed from the back surface of the substrate through the conductive liquid. Therefore, it is possible to achieve neutralization of the substrate before starting the processing.
請求項5記載の発明は、水平面に沿う上面を有するベース部(5)、および前記ベース部に配設された支持部材(6)を有し、基板(W)を所定の基板保持位置で保持する基板保持手段(1)と、前記基板保持手段に保持された基板の表面に、その表面を処理するための処理液を供給する処理液供給手段(2)と、前記基板保持手段を収容し、前記処理液供給手段から供給される処理液を受け取るためのカップ(3)と、前記カップに帯電している電荷を除去するために、前記カップに導電性液体を供給する導電性液体供給手段(7;15)と、前記ベース部および前記支持部材を鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転手段(4)とを含み、前記導電性液体供給手段は、前記ベース部の前記上面に導電性液体を供給するための上面供給手段(7;15)を含み、前記基板処理装置は、前記基板保持手段による基板の保持に先立って、前記上面供給手段から前記ベース部の前記上面に導電性液体を供給させる供給制御手段(14)をさらに含み、前記ベース部の前記上面に供給された導電性液体が当該ベース部から飛散して前記カップに供給されることを特徴とする、基板処理装置である。 The invention according to claim 5 includes a base portion (5) having an upper surface along a horizontal plane, and a support member (6) disposed on the base portion, and holds the substrate (W) at a predetermined substrate holding position. accommodating the substrate holding means (1), before Symbol surface of the substrate held by the substrate holding unit, a processing liquid supplying means for supplying a processing solution for processing the surface (2), the substrate holding means for And a cup (3) for receiving the processing liquid supplied from the processing liquid supply means, and a conductive liquid supply for supplying a conductive liquid to the cup in order to remove the electric charge charged in the cup. Means (7; 15) and rotating means (4) for rotating the base portion and the support member around a rotation axis along the vertical direction, and the conductive liquid supply means is provided on the upper surface of the base portion. Top surface for supplying conductive liquid Feeding means; wherein (7 15), the substrate processing apparatus, the prior to the holding of the substrate by the substrate holding means, supply control means for supplying the electroconductive liquid to the upper surface of the base portion from the top supply unit ( 14), wherein the conductive liquid supplied to the upper surface of the base portion is scattered from the base portion and supplied to the cup .
この構成によれば、基板保持位置の周囲に配置されるカップに導電性液体が供給されることにより、コロナ放電式イオナイザやX線照射装置を用いることなく、そのカップの除電を達成することができる。カップを除電することによって、カップの帯電に起因する基板の帯電を防止することができるので、処理時における基板の帯電量を低減することができる。
また、ベース部の上面に供給された導電性液体は、ベース部の回転による遠心力を受けて、ベース部を周縁に向けて流れ、ベース部の上面は、導電性液体で覆われる。また、ベース部の周縁に達した導電性液体は、ベース部の周縁から飛散して、カップに受け取られる。
According to this configuration, by supplying the conductive liquid to the cup disposed around the substrate holding position, it is possible to achieve neutralization of the cup without using a corona discharge ionizer or an X-ray irradiation device. it can. By neutralizing the cup, it is possible to prevent the substrate from being charged due to the charging of the cup, so that the amount of charge of the substrate during processing can be reduced.
In addition, the conductive liquid supplied to the upper surface of the base portion receives centrifugal force due to the rotation of the base portion and flows toward the periphery of the base portion, and the upper surface of the base portion is covered with the conductive liquid. The conductive liquid that has reached the periphery of the base part is scattered from the periphery of the base part and received by the cup.
また、基板保持手段に基板が搬入される前に、カップの除電が行われるので、基板保持手段による基板の保持の直後から、カップの帯電に起因する基板の帯電を防止することができる。
また、請求項6に記載のように、前記上面供給手段は、前記ベース部よりも上方に設けられ、前記ベース部の前記上面に向けて導電性液体を吐出するノズル(15)であってもよい。
In addition, since the charge is removed from the cup before the substrate is carried into the substrate holding means, it is possible to prevent the substrate from being charged due to the charging of the cup immediately after the substrate is held by the substrate holding means.
Further, according to a sixth aspect of the present invention, the upper surface supply means may be a nozzle (15) that is provided above the base portion and discharges a conductive liquid toward the upper surface of the base portion. Good.
請求項7記載の発明は、前記導電性液体供給手段は、導電性を有する樹脂材料を用いて形成され、導電性液体が流通する導電性液体供給管(7;16)を備えており、前記導電性液体供給管を接地するためのアース線(9;17)をさらに含むことを特徴とする、請求項5または6記載の基板処理装置である。
この構成では、導電性液体供給管から基板保持手段(ベース部または/および支持部材)まで導電性液体が連続状に供給されていれば、基板保持手段(ベース部または/および支持部材)に帯電する電荷を、導電性液体、導電性液体供給管およびアース線を介してアースに逃がすことができる。これにより、基板保持手段(ベース部または/および支持部材)の除電を達成することができる。
According to a seventh aspect of the present invention, the conductive liquid supply means includes a conductive liquid supply pipe (7; 16) that is formed using a conductive resin material and through which the conductive liquid flows. 7. The substrate processing apparatus according to claim 5 , further comprising a ground wire (9; 17) for grounding the conductive liquid supply pipe.
In this configuration, if the conductive liquid is continuously supplied from the conductive liquid supply pipe to the substrate holding means (base part or / and support member), the substrate holding means (base part or / and support member) is charged. The electric charge to be released can be released to the ground through the conductive liquid, the conductive liquid supply pipe and the ground wire. Thereby, the static elimination of a board | substrate holding means (a base part or / and a supporting member) can be achieved.
請求項8記載の発明は、前記導電性液体供給手段は、絶縁性を有する材料を用いて形成され、導電性液体が流通する導電性液体供給管(7;16)を備えており、前記導電性液体供給管の周面を貫通して設けられる炭素電極(19)と、前記炭素電極を接地するためのアース線(20)とをさらに含むことを特徴とする、請求項5または6記載の基板処理装置である。 According to an eighth aspect of the present invention, the conductive liquid supply means includes a conductive liquid supply pipe (7; 16) formed using an insulating material and through which the conductive liquid flows. the carbon electrodes which are provided through the peripheral surface of the sexually liquid supply pipe (19), wherein, further comprising a ground wire for grounding the carbon electrode (20), according to claim 5 or 6, wherein A substrate processing apparatus.
この構成では、導電性液体供給管から基板保持手段(ベース部または/および支持部材)まで導電性液体が連続状に供給されていれば、基板保持手段(ベース部または/および支持部材)に帯電する電荷を、導電性液体、炭素電極およびアース線を介してアースに逃がすことができる。これにより、基板保持手段(ベース部または/および支持部材)の除電を達成することができる。
請求項9記載の発明は、導電性液体供給手段は、絶縁性を有する材料を用いて形成され、導電性液体が流通する導電性液体供給管(7;16)と、導電性液体供給管の一端に接続され、前記導電性液体を貯留する貯留槽(21)とを備えており、前記貯留槽に貯留された導電性液体に接触するように設けられた炭素電極(22)と、前記炭素電極を接地するためのアース線(23)とをさらに含むことを特徴とする、請求項5または6記載の基板処理装置である。
In this configuration, if the conductive liquid is continuously supplied from the conductive liquid supply pipe to the substrate holding means (base part or / and support member), the substrate holding means (base part or / and support member) is charged. Can be released to ground via the conductive liquid, the carbon electrode and the ground wire. Thereby, the static elimination of a board | substrate holding means (a base part or / and a supporting member) can be achieved.
According to the ninth aspect of the present invention, the conductive liquid supply means is formed of an insulating material, the conductive liquid supply pipe (7; 16) through which the conductive liquid flows, and the conductive liquid supply pipe. A carbon reservoir (21) connected to one end and storing the conductive liquid, the carbon electrode (22) provided to contact the conductive liquid stored in the reservoir, and the
この構成では、導電性液体を貯留する貯留槽から基板保持手段(ベース部または/および支持部材)まで導電性液体が連続状に供給されていれば、基板保持手段(ベース部または/および支持部材)に帯電する電荷を、導電性液体、炭素電極およびアース線を介してアースに逃がすことができる。これにより、基板保持手段(ベース部または/および支持部材)の除電を達成することができる。
請求項10記載の発明は、導電性を有する樹脂材料を用いて形成され、前記カップに受け取られた処理液および導電性液体を排出するための排出管(12)と、前記排出管を接地するためのアース線(13)とをさらに含むことを特徴とする、請求項5ないし9のいずれかに記載の基板処理装置である。
In this configuration, if the conductive liquid is continuously supplied from the storage tank storing the conductive liquid to the substrate holding means (base part or / and support member), the substrate holding means (base part or / and support member) ) Can be released to the ground through the conductive liquid, the carbon electrode, and the ground wire. Thereby, the static elimination of a board | substrate holding means (a base part or / and a supporting member) can be achieved.
The invention of
この構成では、カップに帯電する電荷を、カップに受け取られた導電性液体、排出管を流通する導電性液体、排出管およびアース線を介してアースに逃がすことができる。これにより、カップの除電を達成することができる。
請求項11記載の発明は、絶縁性を有する材料を用いて形成され、前記カップに受け取られた処理液および導電性液体を排出するための排出管(12)と、前記排出管の周面を貫通して設けられる炭素電極(19)と、前記炭素電極を接地するためのアース線(20)とをさらに含むことを特徴とする、請求項5ないし9のいずれかに記載の基板処理装置である。
In this configuration, the charge charged in the cup can be released to the ground through the conductive liquid received in the cup, the conductive liquid flowing through the discharge pipe, the discharge pipe, and the ground wire. Thereby, static elimination of a cup can be achieved.
The invention of
この構成では、カップに帯電する電荷を、カップに受け取られた導電性液体、排出管を流通する導電性液体、炭素電極およびアース線を介してアースに逃がすことができる。これにより、カップの除電を達成することができる。 In this configuration, the charge charged in the cup can be released to the ground through the conductive liquid received in the cup, the conductive liquid flowing through the discharge pipe, the carbon electrode, and the ground wire. Thereby, static elimination of a cup can be achieved .
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。この基板処理装置は、基板の一例であるシリコン半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」という。)の表面を純水で洗浄する処理を行うための枚葉型の装置である。この基板処理装置は、ウエハWをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック1と、スピンチャック1に保持されたウエハWの表面に純水を供給するためのノズル2と、ウエハWから流下または飛散する純水などを受け取るためのカップ3とを備えている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. This substrate processing apparatus is a single-wafer type apparatus for performing a process of cleaning the surface of a silicon semiconductor wafer W (hereinafter simply referred to as “wafer W”), which is an example of a substrate, with pure water. This substrate processing apparatus includes a
スピンチャック1は、モータ4と、このモータ4の回転駆動力によって鉛直軸線まわりに回転される円盤状のスピンベース(ベース部)5と、スピンベース5の周縁部の複数箇所にほぼ等角度間隔で設けられ、ウエハWをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材(支持部材)6とを備えている。これにより、スピンチャック1は、複数個の挟持部材6によってウエハWを挟持した状態で、モータ4の回転駆動力によってスピンベース5を回転させることにより、そのウエハWを、所定の基板保持位置(図1に示す位置)においてほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース5とともに鉛直軸線まわりに回転させることができる。
The
モータ4の回転軸は、中空軸とされていて、その内部には、導電性液体供給管7が挿通されている。導電性液体供給管7には、導電性液体バルブ8を介して、図示しない導電性液体供給源からの導電性液体(導電性を有する薬液)が供給されるようになっている。そして、導電性液体供給管7は、スピンチャック1に保持されたウエハWの裏面(下面)中央に近接する位置に吐出口を有しており、この吐出口からウエハWの裏面中央部に向けて導電性液体を吐出する中心軸ノズルの形態を有している。また、導電性液体供給管7は、導電性を有する樹脂材料(たとえば、導電性PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)、導電性PTFE(四フッ化エチレン樹脂)など)からなり、アース線9を介して接地されている。
The rotating shaft of the
なお、導電性液体としては、たとえば、炭酸水、微量アンモニア添加水、IPA(イソプロピルアルコール)、フッ酸、BHF(Buffered hydrofluoric acid:希フッ酸)、APM(ammonia−hydrogen peroxide mixture:アンモニア過酸化水素水)などを例示することができる。
ノズル2は、スピンチャック1の上方に配置されている。このノズル2には、純水バルブ10を介して、図示しない純水供給源からの純水が供給されるようになっている。
Examples of the conductive liquid include carbonated water, trace amount of ammonia-added water, IPA (isopropyl alcohol), hydrofluoric acid, BHF (buffered hydrofluoric acid), and APM (ammonia-hydrogen peroxide mixture: ammonia hydrogen peroxide). Water) and the like.
The nozzle 2 is disposed above the
カップ3は、スピンチャック1を収容する有底円筒形状に形成され、このカップ3内におけるスピンチャック1の周囲は、ウエハWから流下または飛散する純水や導電性液体を集めるための集液溝11とされている。集液溝11には、たとえば、排出管12が接続されており、集液溝11に集められた純水および導電性液体は、排出管12を通して、図示しない廃液ラインに排出される。排出管12は、導電性を有する樹脂材料(たとえば、導電性PEEK、導電性PTFEなど)からなり、アース線13を介して接地されている。
The
また、この基板処理装置には、マイクロコンピュータを含む制御部14が備えられている。制御部14は、予め定められたプログラムに従って、モータ4の駆動を制御するとともに、導電性液体バルブ8および純水バルブ10の開閉を制御する。
図2は、洗浄処理の流れを説明するための工程図である。この基板処理装置では、洗浄処理の対象となるウエハWの搬入に先立って、モータ4が駆動されて、スピンベース5が所定の回転速度(たとえば、1000rpm)で回転される。そして、その一方で、導電性液体バルブ8が開かれて、導電性液体供給管7の吐出口から導電性液体が吐出される。
The substrate processing apparatus is provided with a
FIG. 2 is a process diagram for explaining the flow of the cleaning process. In this substrate processing apparatus, prior to carrying in the wafer W to be cleaned, the
導電性液体は、図3に示すように、その吐出口から鉛直上向きに吐出され、重力によりスピンベース5上に戻される。そして、スピンベース5の回転による遠心力を受けて、スピンベース5上を周縁に向けて流れる。これにより、スピンベース5の上面は、導電性液体で覆われた状態となり、スピンベース5および挟持部材6は、そのスピンベース5上の導電性液体および導電性液体供給管7内の導電性液体を介して、導電性液体供給管7と電気的に導通される。そのため、スピンベース5および挟持部材6が帯電している場合、そのスピンベース5および挟持部材6に帯電している電荷が、導電性液体、導電性液体供給管7およびアース線9を介してアースに逃がされる。その結果、スピンベース5および挟持部材6の除電が達成される。
As shown in FIG. 3, the conductive liquid is discharged vertically upward from the discharge port, and returned to the spin base 5 by gravity. And it receives the centrifugal force by rotation of the spin base 5, and flows on the spin base 5 toward the periphery. As a result, the upper surface of the spin base 5 is covered with the conductive liquid, and the spin base 5 and the clamping member 6 are connected to the conductive liquid on the spin base 5 and the conductive liquid in the conductive
また、スピンベース5の周縁に達した導電性液体は、スピンベース5の周縁から流下および飛散する。スピンベース5の周縁から流下する導電性液体は、カップ3の底部の集液溝11に受け取られる。一方、スピンベース5の周縁から飛散する導電性液体は、カップ3の内面に受け取られ、そのカップ3の側壁の内面を伝って、集液溝11に向けて流下する。これにより、カップ3の側壁の内面は、その内面を伝って流下する導電性液体、集液溝11に溜まった導電性液体および排出管12を流通する導電性液体を介して、排出管12と電気的に導通される。そのため、カップ3が帯電している場合、そのカップ3に帯電している電荷が、導電性液体、排出管12およびアース線13を介してアースに逃がされる。その結果、カップ3の除電が達成される。
The conductive liquid that has reached the periphery of the spin base 5 flows down and scatters from the periphery of the spin base 5. The conductive liquid flowing down from the periphery of the spin base 5 is received in the
導電性液体供給管7からの導電性液体の吐出が所定の時間(たとえば、15秒間)にわたって続けられると、導電性液体バルブ8が閉じられるとともに、モータ4の駆動が停止される。そして、スピンベース5が静止した後、図示しない搬送ロボットによって、ウエハWが搬入されてくる。
搬送ロボットからスピンチャック1にウエハWが受け渡されると、モータ4が再び駆動されて、スピンベース5とともにウエハWが所定の回転速度(たとえば、1000rpm)で回転される。そして、純水バルブ10が開かれて、ノズル2から回転中のウエハWの表面の中央部に純水が供給される。ウエハWの表面上に供給された純水は、ウエハWの回転による遠心力を受けて、ウエハWの表面上を周縁に向けて流れる。これにより、ウエハWの表面の全域に純水が行き渡り、ウエハWの表面が純水によって洗浄されていく。
When the discharge of the conductive liquid from the conductive
When the wafer W is transferred from the transfer robot to the
また、純水バルブ10を開くとともに、導電性液体バルブ8が再び開かれることにより、ウエハWに対する純水の供給と並行して、ウエハWの裏面の中央部への導電性液体の供給が行われる。このとき、導電性液体供給管7の吐出口から吐出される導電性液体は、柱状をなして、ウエハWの裏面の中央部に供給され、ウエハWの回転による遠心力を受けて、ウエハWの裏面を伝って、その中央部から周縁に向けて拡がる。これにより、ウエハWは、ウエハWの裏面上の導電性液体、導電性液体供給管7の吐出口とウエハWの裏面との間で柱状をなす導電性液体および導電性液体供給管7内の導電性液体を介して、導電性液体供給管7と電気的に導通される。そのため、たとえウエハWの表面への純水の供給に起因して、ウエハWが帯電しても、その電荷は、ウエハWの裏面から導電性液体、導電性液体供給管7およびアース線9を介してアースに逃がされる。
Further, when the
ウエハWの表面に対する純水の供給が予め定める時間にわたって続けられると、導電性液体バルブ8および純水バルブ10が閉じられる。そして、モータ4の回転数が上げられて、ウエハWが高速回転されて、ウエハWに付着している純水を振り切って乾燥させるスピンドライ処理が行われる。このスピンドライ処理が終了すると、モータ4の駆動が停止されて、スピンベース5が静止した後、図示しない搬送ロボットによって、ウエハWが搬出される。
When the supply of pure water to the surface of the wafer W is continued for a predetermined time, the conductive liquid valve 8 and the
以上のように、ウエハWの搬入に先立って、スピンベース5が回転されながら、導電性液体供給管7の吐出口から導電性液体が吐出されることにより、コロナ放電式イオナイザやX線照射装置を用いることなく、カップ3、スピンベース5および挟持部材6の除電を達成することができる。カップ3、スピンベース5および挟持部材6を除電することによって、カップ3、スピンベース5および挟持部材6の帯電に起因するウエハWの帯電を防止することができるので、処理時におけるウエハWの帯電量を低減することができる。コロナ放電式イオナイザやX線照射装置を用いないので、基板処理装置のコストアップを生じることがなく、また、ウエハWの周囲の雰囲気の発火やパーティクルによるウエハWの汚染の問題を生じるおそれもない。
As described above, the corona discharge ionizer or the X-ray irradiation device is obtained by discharging the conductive liquid from the discharge port of the conductive
また、ウエハWの搬入に先立って、カップ3、スピンベース5および挟持部材6の除電が行われるので、スピンチャック1によるウエハWの保持の直後から、カップ3、スピンベース5および挟持部材6の帯電に起因するウエハWの帯電を防止することができる。
さらに、ウエハWの表面に対する純水の供給と並行して、ウエハWの裏面に導電性液体が供給されるので、ウエハWの表面に純水が供給されることに起因して、ウエハWの表面に電荷が発生しても、その電荷をウエハWの裏面から導電性液体を介して除去することができる。よって、処理時におけるウエハWの帯電量をより低減することができる。
Further, before the wafer W is carried in, the
Further, since the conductive liquid is supplied to the back surface of the wafer W in parallel with the supply of pure water to the surface of the wafer W, the pure water is supplied to the surface of the wafer W. Even if charges are generated on the front surface, the charges can be removed from the back surface of the wafer W through the conductive liquid. Therefore, the charge amount of the wafer W during processing can be further reduced.
なお、この実施形態では、導電性液体供給管7から吐出される導電性液体によりスピンベース5および挟持部材6の除電が達成される場合を例にとったが、図4に示すように、スピンチャック1の上方に、スピンチャック1に保持されたウエハWの表面(スピンベース5の上面)に向けて導電性液体を吐出するノズル15が設けられる場合には、スピンチャック1に対するウエハWの搬入に先立って、そのノズル15から回転中のスピンベース5の上面に導電性液体が供給されてもよい。ノズル15から吐出される導電性液体は、柱状をなして、スピンベース5の上面に供給され、スピンベース5の上面を周縁に向けて流れる。そのため、導電性を有する樹脂材料(たとえば、導電性PEEK、導電性PTFEなど)を用いて、ノズル15に導電性液体を供給するための導電性液体供給管16を作成し、この導電性液体供給管16をアース線17を介して接地しておくことにより、スピンベース5および挟持部材6に帯電する電荷を、スピンベース5上の導電性液体、ノズル15とスピンベース5の上面との間で柱状をなす導電性液体および導電性液体供給管16内の導電性液体、導電性液体供給管16およびアース線17を介してアースに逃がすことができる。このように、スピンベース5の上方から導電性液体を供給する構成であっても、スピンベース5および挟持部材6の除電を達成することができる。なお、ノズル15からの導電性液体の吐出/停止は、導電性液体供給管16の途中部に介装された導電性液体バルブ18の開閉により達成することができる。導電性液体バルブ18の開閉は、制御部14によって制御される。
In this embodiment, the case where neutralization of the spin base 5 and the clamping member 6 is achieved by the conductive liquid discharged from the conductive
また、導電性液体供給管7、排出管12および導電性液体供給管16の材料としては、導電性を有する樹脂材料に限らず、絶縁性を有する樹脂材料などが用いられてもよい。この場合、図5に示すように、たとえば、棒状の炭素電極19が導電性液体供給管7、排出管12および導電性液体供給管16の周面を貫通して設け、その炭素電極19の各管外の部分をアース線20を介して接地しておけば、カップ3、ベース部5および挟持部材6に帯電する電荷を、導電性液体、炭素電極19およびアース線20を介してアースに逃がすことができ、カップ3、ベース部5および挟持部材6の除電を達成することができる。なお、炭素電極19は、導電性液体供給管7および導電性液体供給管16の周囲を貫通して設ける以外にも、図6に示すように、導電性液体バルブ8、18にポンプ24を介して接続されている導電性液体供給源としての貯留槽21に貯留された導電性液体に、炭素電極22の一端を接触させるように設け、炭素電極22の他端をアース線23に接続して接地する構成としてもよい。
Further, the material of the conductive
さらにまた、スピンチャック1としては、たとえば、ウエハWの裏面(非デバイス面)を真空吸着することにより、ウエハWを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハWを回転させることができる真空吸着式のバキュームチャックが採用されてもよい。
また、ウエハWに対する処理は、純水を用いた洗浄処理に限らず、薬液を用いた薬液処理工程と純水などの水を含む液体を用いるリンス処理工程とを含む一連の処理であってもよい。たとえば、ウエハWの表面にエッチング液を供給して、その表面に形成されている不要な薄膜を除去するためのエッチング処理工程、ウエハWの表面に形成されているレジスト膜に現像液を供給して、その表面にレジストパターンを形成する現像処理工程、ウエハWの表面にレジスト剥離液を供給して、その表面に形成されている不要なレジスト膜(レジストパターン)を剥離するためのレジスト剥離処理工程、または、レジスト剥離処理後に、ウエハWの表面にポリマ除去液を供給して、その表面にポリマとなって残留するレジスト残渣を除去するポリマ除去処理工程と、各薬液処理工程後のウエハWの表面に純水などを供給して、その表面に付着した薬液を洗い流すリンス処理工程とを含む一連の処理であってもよい。この場合、各薬液処理工程に先立って、カップ3、スピンベース5および挟持部材6の除電を行い、リンス処理工程において、ウエハWの裏面に導電性液体を供給すれば、ウエハWの表面に純水が供給されることに起因して、ウエハWの表面に電荷が発生しても、その電荷をウエハWの裏面から導電性液体を介して除去することができる。
なお、薬液を用いた各薬液処理工程において、ウエハWの裏面に導電性液体を供給してもよく、ウエハWの表面に薬液が供給されることに起因するウエハWの帯電を防止することができる。また、導電性液体としては、各薬液処理工程で用いられる薬液と同種の薬液を用いることが好ましい。たとえば、ウエハWに対してAPMを用いたポリマ除去処理が行われる場合、導電性液体として、そのAPMが用いられることが好ましい。ウエハWの処理に用いられる薬液と導電性液体とが同種の薬液であれば、異種の薬液の混合による不具合の発生(たとえば、発熱など)を防止することができる。
Furthermore, as the
Further, the process for the wafer W is not limited to the cleaning process using pure water, but may be a series of processes including a chemical process using a chemical and a rinse process using a liquid containing water such as pure water. Good. For example, an etching solution is supplied to the surface of the wafer W, an etching process for removing unnecessary thin films formed on the surface, and a developing solution is supplied to the resist film formed on the surface of the wafer W. Development process for forming a resist pattern on the surface of the wafer, and supplying a resist stripping solution to the surface of the wafer W to remove an unnecessary resist film (resist pattern) formed on the surface. After the process or resist stripping process, a polymer removing solution is supplied to the surface of the wafer W to remove the resist residue remaining as a polymer on the surface, and the wafer W after each chemical processing step It may be a series of treatments including a rinsing process in which pure water or the like is supplied to the surface and the chemical solution adhering to the surface is washed away. In this case, if each
In each chemical solution processing step using a chemical solution, the conductive liquid may be supplied to the back surface of the wafer W to prevent the wafer W from being charged due to the chemical solution being supplied to the surface of the wafer W. it can. Further, as the conductive liquid, it is preferable to use the same type of chemical solution as that used in each chemical solution treatment step. For example, when a polymer removal process using APM is performed on the wafer W, the APM is preferably used as the conductive liquid. If the chemical liquid used for processing the wafer W and the conductive liquid are the same type of chemical liquid, it is possible to prevent the occurrence of defects (for example, heat generation) due to the mixing of different kinds of chemical liquids.
また、前述の実施形態では、ウエハWの表面への処理液の供給と並行して、ウエハWの裏面への導電性液体の供給が行われるが、ウエハW表面への処理液の供給の開始に先立って、ウエハWの裏面への導電性液体の供給を行ってもよい。これにより、スピンチェック1に搬入されたウエハW自体が帯電している場合であっても、ウエハWの裏面に導電性液体を供給することによって、ウエハWを除電することができる。
In the above-described embodiment, the conductive liquid is supplied to the back surface of the wafer W in parallel with the supply of the processing liquid to the front surface of the wafer W, but the supply of the processing liquid to the front surface of the wafer W is started. Prior to this, the conductive liquid may be supplied to the back surface of the wafer W. Thereby, even if the wafer W itself carried into the
また、処理の対象となる基板は、ウエハWに限らず、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの他の種類の基板であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
The substrate to be processed is not limited to the wafer W. For example, a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk, a photo Other types of substrates such as a mask substrate may be used.
In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.
1 スピンチャック
2 ノズル
3 カップ
5 スピンベース
6 挟持部材
7 導電性液体供給管
9 アース線
12 排出管
13 アース線
14 制御部
15 ノズル
16 導電性液体供給管
17 アース線
19 炭素電極
20 アース線
21 貯留槽
22 炭素電極
23 アース線
24 ポンプ
W ウエハ
DESCRIPTION OF
Claims (11)
前記基板保持手段によって所定の基板保持位置に保持された基板の表面に処理液を供給して、当該基板を処理する基板処理工程と、
前記基板保持手段を収容し、前記基板保持位置に保持された基板の表面に供給された処理液を受け取るためのカップに導電性液体を供給して、前記カップに帯電している電荷を除去する除電工程と、
前記除電工程と並行して、前記ベース部と前記支持部材とを、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転工程とを含み、
前記除電工程は、前記基板搬入工程に先立って、前記ベース部の前記上面に導電性液体を供給する導電性液体供給工程を含むことを特徴とする、基板処理方法。 A substrate loading step of loading the substrate into a substrate holding means having a base portion having an upper surface along a horizontal plane, and a support member disposed on the base portion;
A substrate processing step of processing the substrate by supplying a processing liquid to the surface of the substrate held at a predetermined substrate holding position by the substrate holding means;
The conductive liquid is supplied to the cup for receiving the processing liquid supplied to the surface of the substrate held in the substrate holding position and containing the substrate holding means, and the electric charge charged in the cup is removed. A static elimination process;
In parallel with the static elimination step, a rotation step of rotating the base portion and the support member around a rotation axis along the vertical direction,
Prior to the substrate carrying-in step, the static elimination step includes a conductive liquid supply step for supplying a conductive liquid to the upper surface of the base portion.
前記基板保持手段に保持された基板の表面に、その表面を処理するための処理液を供給する処理液供給手段と、
前記基板保持手段を収容し、前記処理液供給手段から供給される処理液を受け取るためのカップと、
前記カップに帯電している電荷を除去するために、前記カップに導電性液体を供給する導電性液体供給手段と、
前記ベース部および前記支持部材を鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転手段とを含み、
前記導電性液体供給手段は、前記ベース部の前記上面に導電性液体を供給するための上面供給手段を含み、
前記基板処理装置は、前記基板保持手段による基板の保持に先立って、前記上面供給手段から前記ベース部の前記上面に導電性液体を供給させる供給制御手段をさらに含み、
前記ベース部の前記上面に供給された導電性液体が当該ベース部から飛散して前記カップに供給されることを特徴とする、基板処理装置。 A base portion having an upper surface along a horizontal plane, and a substrate holding means for holding the substrate at a predetermined substrate holding position, and having a support member disposed on the base portion;
Treatment liquid supply means for supplying a treatment liquid for treating the surface of the substrate held by the substrate holding means;
A cup for receiving the processing liquid supplied from the processing liquid supply means, containing the substrate holding means;
Conductive liquid supply means for supplying a conductive liquid to the cup in order to remove the electric charge charged in the cup;
Rotation means for rotating the base portion and the support member around a rotation axis along the vertical direction;
The conductive liquid supply means includes upper surface supply means for supplying a conductive liquid to the upper surface of the base portion,
The substrate processing apparatus further includes supply control means for supplying a conductive liquid from the upper surface supply means to the upper surface of the base portion prior to holding the substrate by the substrate holding means,
Wherein the base portion and the supplied conductive liquid on the upper surface of the is supplied to the cup scattered from the base portion, the substrate processing equipment.
前記導電性液体供給管を接地するためのアース線をさらに含むことを特徴とする、請求項5または6記載の基板処理装置。 The conductive liquid supply means is formed using a conductive resin material, and includes a conductive liquid supply pipe through which the conductive liquid flows.
7. The substrate processing apparatus according to claim 5, further comprising a ground wire for grounding the conductive liquid supply pipe.
前記導電性液体供給管の周面を貫通して設けられる炭素電極と、
前記炭素電極を接地するためのアース線とをさらに含むことを特徴とする、請求項5または6記載の基板処理装置。 The conductive liquid supply means is formed using an insulating material, and includes a conductive liquid supply pipe through which the conductive liquid flows.
A carbon electrode provided through the peripheral surface of the conductive liquid supply pipe;
The substrate processing apparatus according to claim 5, further comprising an earth wire for grounding the carbon electrode.
前記貯留槽に貯留された導電性液体に接触するように設けられた炭素電極と、
前記炭素電極を接地するためのアース線とをさらに含むことを特徴とする、請求項5または6記載の基板処理装置。 The conductive liquid supply means is formed using an insulating material, is connected to a conductive liquid supply pipe through which the conductive liquid flows, and one end of the conductive liquid supply pipe, and stores the conductive liquid. And a storage tank
A carbon electrode provided in contact with the conductive liquid stored in the storage tank;
The substrate processing apparatus according to claim 5, further comprising an earth wire for grounding the carbon electrode.
前記排出管を接地するためのアース線とをさらに含むことを特徴とする、請求項5ないし9のいずれかに記載の基板処理装置。 A discharge pipe for discharging the treatment liquid and the conductive liquid which are formed using a resin material having conductivity and received in the cup;
The substrate processing apparatus according to claim 5, further comprising a ground wire for grounding the discharge pipe.
前記排出管の周面を貫通して設けられる炭素電極と、
前記炭素電極を接地するためのアース線とをさらに含むことを特徴とする、請求項5ないし9のいずれかに記載の基板処理装置。 A discharge pipe for discharging the processing liquid and the conductive liquid formed by using a material having insulating properties and received in the cup;
A carbon electrode provided through the peripheral surface of the discharge pipe;
The substrate processing apparatus according to claim 5, further comprising an earth wire for grounding the carbon electrode.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005192079A JP4860950B2 (en) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005192079A JP4860950B2 (en) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007012887A JP2007012887A (en) | 2007-01-18 |
JP4860950B2 true JP4860950B2 (en) | 2012-01-25 |
Family
ID=37751002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005192079A Expired - Fee Related JP4860950B2 (en) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4860950B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102310465B1 (en) * | 2019-08-20 | 2021-10-12 | 세메스 주식회사 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR102403789B1 (en) * | 2020-03-06 | 2022-05-30 | 세메스 주식회사 | Method for manufacturing bowl and apparatus for treating substrate |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0425011A (en) * | 1990-05-16 | 1992-01-28 | Nec Kyushu Ltd | Semiconductor manufacturing equipment |
JPH08293536A (en) * | 1995-04-24 | 1996-11-05 | Hitachi Ltd | Material handling member |
JP2000033346A (en) * | 1998-07-21 | 2000-02-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | Spinner cleaner and dicing device |
JP4260970B2 (en) * | 1999-03-24 | 2009-04-30 | 島田理化工業株式会社 | Semiconductor wafer cleaning equipment |
JP2001358109A (en) * | 2000-06-14 | 2001-12-26 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | Single-wafer cleaning device and wafer-cleaning method |
JP3973196B2 (en) * | 2001-12-17 | 2007-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | Liquid processing method and liquid processing apparatus |
-
2005
- 2005-06-30 JP JP2005192079A patent/JP4860950B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007012887A (en) | 2007-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI547765B (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
KR101633129B1 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium having substrate liquid processing program stored therein | |
US20070181149A1 (en) | Single wafer backside wet clean | |
KR100795622B1 (en) | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method | |
TWI695425B (en) | Processing liquid elimination method, substrate processing method and substrate processing system | |
KR20150046148A (en) | Processing fluid supply device, substrate processing device, processing fluid supply method, substrate processing method, processing fluid processing device, and processing fluid processing method | |
TWI759725B (en) | Substrate processing method, semiconductor manufacturing method, and substrate processing apparatus | |
KR20190112639A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
WO2014050941A1 (en) | Processing fluid supply device, substrate processing device, processing fluid supply method, substrate processing method, processing fluid processing device, and processing fluid processing method | |
US20070218656A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR102497589B1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP3973196B2 (en) | Liquid processing method and liquid processing apparatus | |
JP4860950B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP2007184363A (en) | Substrate treatment apparatus and substrate neutralization method | |
JP2007234814A (en) | Substrate processing apparatus, and charge eliminating method of processing liquid | |
JP2002118085A (en) | Substrate-treating method and apparatus therefor | |
JP2007234813A (en) | Method and device for processing substrate | |
TW201741504A (en) | Plating apparatus and plating method | |
TW201430941A (en) | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method | |
KR20070074221A (en) | Substrate transferring robot and apparatus for cleaning a substrate having the same | |
JP2006278956A (en) | Apparatus and method for substrate processing | |
JP2007234815A (en) | Substrate processing method, and substrate processing apparatus | |
JP2005142309A (en) | Substrate cleaning method, apparatus, and system | |
JP6044951B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2009117597A (en) | Substrate processing device and substrate processing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071218 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101028 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110324 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110510 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111027 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111104 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4860950 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141111 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |