KR102297802B1 - Light source device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 자외선 조사성능의 경년저하를 억제할 수 있는 광원장치를 제공하는 것이다. 광원장치(1)는 발광소자(5), 세라믹스 기판(110) 및 방열부재(120)를 구비한다. 발광소자(5)는 자외선 영역에 주파장을 갖는 광을 방출한다. 세라믹스 기판(110)은 발광소자(5)가 일면측에 설치되고, 세라믹스를 기재로 하여 발광소자(5)가 설치되는 측의 면에는 도체로 이루어진 도전패턴(11)과, 적어도 도전패턴(11)을 덮는 오버코트(18)가 형성된다. 방열부재(120)는 세라믹스 기판(110)에서의 발광소자(5)가 설치되는 측의 면의 반대측에 설치되고 금속재료로 이루어진다.
또한, 본 발명은 피조사물에 대한 자외선의 불균일한 조사를 억제하는 광원장치를 제공한다.
실시형태의 광원장치(1)는 발광부(20)와 전류조정수단과 방열수단(40)과 제어수단(70)을 구비한다. 발광부(20)는 직렬로 접속되고 소정의 선상에 배치된 복수의 고체발광소자(23)를 갖는 고체발광소자열(22)을 구비한다. 발광부(20)는 고체발광소자열(22)을 소정의 선에 교차하는 방향으로 나열하여 배치하고 있다. 전류조정수단 2이상 설치되어 발광부(20)의 1 이상의 고체발광소자열(22)에 대응하고 또한 대응하는 고체발광소자열(22)의 고체발광소자(23)에 흐르는 전류값을 변경 가능하다. 방열수단(40)은 소정의 선에 교차하는 방향으로 유체를 유동시켜 발광부(20)의 교차하는 방향에 인접하는 2이상의 고체발광소자열(22)의 고체발광소자(23)가 발하는 열을 방열한다. 제어수단(70)은 복수의 고체발광소자열(22)의 고체발광소자(23)가 발하는 열을 방열한다. 제어수단(70)은 복수의 고체발광소자열(22)의 고체발광소자(23)가 방출하는 자외선의 상대조도가 동등해지도록, 전류조정수단으로 전류값을 변경시킨다.
또한, 본 발명은 흡수형 편광소자의 열화를 억제한 자외선 조사장치를 제공한다.
실시형태의 자외선 조사장치(301)는 자외선(U)을 방출하는 발광소자(312)를 갖는 광원(310); 및 광원(310)으로부터 방출된 자외선(U) 중 미리 정해진 기준방향(PA)과 평행한 편광축의 편광광(UA)을 투과하는 흡수형 편광소자(20)를 갖는다.
An object of the present invention is to provide a light source device capable of suppressing aging deterioration of ultraviolet irradiation performance. The light source device 1 includes a light emitting element 5 , a ceramic substrate 110 , and a heat dissipation member 120 . The light emitting device 5 emits light having a dominant wavelength in the ultraviolet region. The ceramic substrate 110 has a light emitting device 5 installed on one side, and a conductive pattern 11 made of a conductor and at least a conductive pattern 11 on the side on which the light emitting device 5 is installed using ceramics as a base material. ) an overcoat 18 is formed. The heat dissipation member 120 is provided on the opposite side of the surface of the ceramic substrate 110 on the side on which the light emitting element 5 is installed and is made of a metal material.
Further, the present invention provides a light source device for suppressing non-uniform irradiation of ultraviolet rays to an irradiated object.
The light source device 1 of the embodiment includes a light emitting unit 20 , a current adjusting unit, a heat dissipating unit 40 , and a control unit 70 . The light emitting unit 20 includes a solid light emitting element array 22 connected in series and having a plurality of solid light emitting elements 23 arranged on a predetermined line. In the light emitting unit 20, the solid light emitting element array 22 is arranged in a direction intersecting a predetermined line. Two or more current adjusting means are installed to correspond to one or more solid light emitting device rows 22 of the light emitting unit 20 and to change the current value flowing through the solid light emitting device 23 of the corresponding solid light emitting device row 22 . The heat dissipation means 40 flows the fluid in a direction intersecting a predetermined line to generate heat generated by the solid light emitting device 23 of two or more solid light emitting device rows 22 adjacent to the intersecting direction of the light emitting unit 20 . radiate heat The control means 70 radiates heat generated by the solid light emitting elements 23 of the plurality of solid light emitting element rows 22 . The control means 70 changes the current value by the current adjusting means so that the relative illuminance of the ultraviolet rays emitted by the solid light emitting devices 23 of the plurality of solid light emitting device rows 22 are equal.
In addition, the present invention provides an ultraviolet irradiation device in which deterioration of the absorption type polarizing element is suppressed.
The ultraviolet irradiation device 301 of the embodiment includes a light source 310 having a light emitting element 312 emitting ultraviolet rays (U); and an absorption type polarizer 20 that transmits polarized light UA of a polarization axis parallel to a predetermined reference direction PA among the ultraviolet rays U emitted from the light source 310 .

Description

광원장치{LIGHT SOURCE DEVICE}Light source device {LIGHT SOURCE DEVICE}

본 발명은 광원장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light source device.

광원에 LED(Light Emitting Diode)나 LD(Laser Diode) 등의 발광소자를 사용한 광원장치는 조사영역의 확보나 원하는 광강도·균제도를 얻기 위해, 복수개의 발광소자를 사용하는 것이 많아지고 있다. 발광소자는 전류를 조정함으로써 광출력을 조정하지만, Vf(순전압)에 개체차가 있으므로, 전기적으로 병렬로 접속한 경우, 각 발광소자에 흐르는 전류의 차로부터 광출력에 차가 발생하고 균제도에 악영향을 미치는 경우가 있다. 그 때문에, 발광소자는 전기적으로 직렬로 접속하는 것이 바람직하지만, 복수개의 발광소자를 직렬로 전기접속한 경우 인가전압이 높아진다. 이와 같은 케이스에서, 실장기판으로서 일반적으로 사용되고 있는 알루미늄 기판을 사용하는 경우, 기판의 절연층을 두껍게 하여 내전압을 확보할 필요가 있지만, 기판의 절연층을 두껍게 하면 열전도성이 저하되므로, 발광소자가 온도상승하기 쉬워져 효율저하의 요인이 되기도 한다. 이 때문에, 광원장치 중에는 발광소자를 실장하는 기판으로서, 기재에 세라믹스를 사용한 기판을 사용하고 있는 것이 있다.A light source device using a light emitting element such as an LED (Light Emitting Diode) or LD (Laser Diode) as a light source uses a plurality of light emitting elements to secure an irradiation area or to obtain a desired light intensity and uniformity. Light emitting devices adjust light output by adjusting current, but there is individual difference in Vf (forward voltage). sometimes it affects. Therefore, it is preferable that the light emitting elements are electrically connected in series, but when a plurality of light emitting elements are electrically connected in series, the applied voltage becomes high. In such a case, when an aluminum substrate generally used as a mounting substrate is used, it is necessary to secure the withstand voltage by thickening the insulating layer of the substrate. The temperature rises easily, which can also cause a decrease in efficiency. For this reason, some light source devices use, as a board|substrate on which the light emitting element is mounted, the board|substrate using ceramics as a base material.

또한, 현재 액정패널의 경화나 중합, 접합 등의 광반응 공정에서 자외선을 방출하는 고체발광소자를 갖는 광원장치가 사용된다. 광원장치는 복수의 고체발광소자를 직렬로 접속하여 구성되는 고체발광소자열을 병렬로 복수 접속하여, 소정의 면적에 자외선을 조사한다.In addition, a light source device having a solid light emitting device emitting ultraviolet rays is currently used in a photoreaction process such as curing, polymerization, and bonding of a liquid crystal panel. The light source device connects a plurality of solid light emitting element rows formed by connecting a plurality of solid light emitting elements in series in parallel, and irradiates an ultraviolet ray to a predetermined area.

또한, 현재 액정패널의 배향막의 배향처리인 러빙공정을 대신하는 기술로서, 광배향 기술(예를 들어, 특허문헌 3 및 특허문헌 4 참조)이 주목받고 있다. 광배향 기술에서 사용되는 자외선 조사장치는 광원인 봉형상 램프와, 편광소자를 구비하고 있다. 이러한 종류의 자외선 조사장치는 봉형상 램프가 조사하는 자외선 중 소정 방향의 편광축의 자외선을 편광소자가 통과시키고, 통과시킨 자외선을 피조사물에 조사하는 등에 의해 배향막의 배향처리를 실시한다.In addition, as a technology replacing the rubbing process, which is an alignment treatment of the alignment film of the current liquid crystal panel, a photo-alignment technology (for example, refer to Patent Document 3 and Patent Document 4) is attracting attention. An ultraviolet irradiation device used in photo-alignment technology includes a rod-shaped lamp serving as a light source and a polarizing element. In this kind of ultraviolet irradiation device, the polarizing element passes ultraviolet rays of a polarization axis in a predetermined direction among the ultraviolet rays emitted by the rod-shaped lamp, and irradiates the passed ultraviolet rays to the irradiated object to align the alignment film.

일본 공개특허공보 제2012-89553호Japanese Patent Laid-Open No. 2012-89553 국제공개 제2014/103598호International Publication No. 2014/103598 일본 공개특허공보 제2009-265290호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-265290 일본 공개특허공보 제2011-145381호Japanese Patent Laid-Open No. 2011-145381

광원장치는 가시광을 조사할 뿐만 아니라, 피조사물에 대해서 자외선을 조사함으로써 광반응이나 자외선 경화를 실시하게 하는 경우에 사용되는 일도 있다. 이와 같이 자외선을 조사할 때 사용하는 광원장치에서는 발광소자로서 자외선을 방출하는 발광소자가 사용된다. 이와 같은 광원장치는 고출력으로 사용되는 일이 많고 발열량이 커지기 쉬우므로, 냉각성능을 높일 필요가 있다.The light source device is used not only for irradiating visible light, but also for photoreaction or ultraviolet curing by irradiating an irradiated object with ultraviolet ray. In the light source device used for irradiating ultraviolet rays as described above, a light emitting element emitting ultraviolet rays is used as a light emitting element. Since such a light source device is often used with high output and the amount of heat is likely to increase, it is necessary to increase the cooling performance.

광원장치의 냉각성능을 높이기 위한 방법으로서는 예를 들어, 냉각수를 순환시킴으로써 냉각을 실시하는 수냉을 들 수 있지만, 수냉을 실시하는 경우에는 기판이나 방열부재를, 알루미늄 등의 열전도율이 높은 재료에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 발광소자를 실장하는 기판의 기재에 알루미늄을 사용할 때에는 배선도체층의 산화나 부식의 방지, 및 알루미늄 기판에 전자부품을 실장할 때의 열로부터 절연층을 보호하기 위해, 솔더 레지스트층을 피복 형성한다.As a method for improving the cooling performance of the light source device, for example, water cooling in which cooling is performed by circulating cooling water is mentioned. It is preferable to do In this way, when aluminum is used as a base material for a substrate on which a light emitting device is mounted, a solder resist layer is coated to prevent oxidation or corrosion of the wiring conductor layer and to protect the insulating layer from heat when electronic components are mounted on an aluminum substrate. do.

그러나, 광원장치를 수냉에 의해 냉각하는 구성으로 한 경우, 결로가 발생하는 일이 있는 한편, 솔더 레지스트는 흡수성이 높으므로, 결로에 의해 발생한 수분을 흡수하는 일이 있다. 이 경우, 솔더 레지스트의 절연저항이 저하되어 배선도체간을 단락시키거나, 흡수한 수분에 의해 배선도체가 부식되는 것이 생각된다. 이 때문에, 자외선을 방출하는 발광소자를 사용한 조명기구에서, 장기간에 걸쳐 자외선을 효율 좋게 조사하는 것은 매우 곤란한 것이 되었다.However, when a light source device is set as the structure cooled by water cooling, while dew condensation may generate|occur|produce, since a soldering resist has high water absorption, it may absorb the water|moisture content which generate|occur|produced by dew condensation. In this case, it is considered that the insulation resistance of the solder resist is lowered to short circuit between the wiring conductors, or the wiring conductor is corroded by the absorbed moisture. For this reason, in the lighting fixture using the light emitting element which emits an ultraviolet-ray, it has become very difficult to irradiate an ultraviolet-ray efficiently over a long period of time.

또한, 종래의 광원장치에서는 점등시의 고체발광소자열간의 온도편차에 의해 불균일한 조도로 자외선이 조사되는 경우가 있다. 따라서, 광원장치에서는 피조사물에 대한 자외선의 불균일한 조사를 억제하는 것이 요구되고 있다.In addition, in the conventional light source device, ultraviolet rays may be irradiated with non-uniform illuminance due to the temperature difference between the solid light emitting element rows at the time of lighting. Therefore, in the light source device, it is required to suppress the non-uniform irradiation of ultraviolet rays to the object to be irradiated.

또한, 최근 반사형 편광소자보다 높은 편광특성을 얻을 수 있는 흡수형 편광소자를 사용한 자외선 조사장치의 개발이 진행되고 있다. 그러나, 흡수형 편광소자는 열에 약하고, 예를 들어 수은 램프나 메탈할라이드 램프 등의 방전 램프를 광원으로서 사용한 자외선 조사장치에서는 방전램프로부터 방출되는 열에 의해 흡수형 편광소자의 열화가 현저하고, 자외선 조사장치의 실용에 견딜 수 없다. In addition, the development of an ultraviolet irradiation device using an absorption-type polarizing element capable of obtaining higher polarization characteristics than a reflective-type polarizing element has recently been developed. However, the absorption-type polarizing element is weak to heat, for example, in an ultraviolet irradiation device using a discharge lamp such as a mercury lamp or a metal halide lamp as a light source, the deterioration of the absorption-type polarizing element is remarkable due to the heat emitted from the discharge lamp, and ultraviolet irradiation The device cannot withstand practical use.

본 발명은 상기를 감안하여 이루어진 것으로 자외선 조사성능의 경년 저하를 억제하는 광원장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a light source device that suppresses deterioration of ultraviolet irradiation performance with aging.

또한, 본 발명은 피조사물에 대한 자외선의 불균일한 조사를 억제하는 광원장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a light source device that suppresses non-uniform irradiation of ultraviolet rays to an irradiated object.

또한, 본 발명은 흡수형 편광소자의 열화를 억제한 자외선 조사장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Moreover, an object of this invention is to provide the ultraviolet irradiation apparatus which suppressed deterioration of the absorption type polarizing element.

실시형태의 광원장치는 발광소자; 세라믹스 기판; 및 방열부재를 구비한다. 발광소자는 자외선 영역에 주파장을 갖는 광을 방출한다. 세라믹스 기판은 발광소자가 일면측에 설치되고 세라믹스를 기재로 하며, 발광소자가 설치되는 측의 면에는 도체로 이루어진 도체 패턴과, 적어도 도체 패턴을 덮는 오버코트가 형성된다. 방열부재는 세라믹스 기판에서의 발광소자가 설치되는 측의 면의 반대측에 설치되고 금속재료로 이루어진다.The light source device of the embodiment includes a light emitting element; ceramic substrate; and a heat dissipation member. The light emitting device emits light having a dominant wavelength in the ultraviolet region. In the ceramic substrate, a light emitting element is provided on one side and ceramics are used as a base material, and a conductor pattern made of a conductor and an overcoat covering at least the conductor pattern are formed on the surface on which the light emitting element is installed. The heat dissipation member is provided on the opposite side of the surface of the ceramic substrate on the side on which the light emitting element is installed, and is made of a metallic material.

또한, 실시형태의 광원장치는 발광부, 전류조정수단, 방열수단 및 제어수단을 구비한다. 발광부는 직렬로 접속되고 또한 소정의 선상에 배치된, 자외선을 방출하는 복수의 고체발광소자를 갖는 고체발광소자열을 구비한다. 발광부는 고체발광소자열을 소정의 선에 교차하는 방향으로 복수 나열하여 배치되어 있다. 전류조정수단은 2이상 설치되고, 발광부의 1이상의 고체발광소자열에 대응하고 또한 대응하는 고체발광소자열의 고체발광소자에 흐르는 전류값을 변경 가능하다. 방열수단은 소정의 선에 교차하는 방향으로 유체를 유동시켜 발광부의 교차하는 방향에 인접하는 2이상의 고체발광소자열의 고체발광소자가 발하는 열을 방열한다. 제어수단은 전류조정수단을 제어한다. 제어수단은 복수의 고체발광소자열의 고체발광소자가 방출하는 자외선의 상대조도가 동등해지도록, 전류조정수단에 고체발광소자열의 고체발광소자에 흐르는 전류값을 변경시킨다.Further, the light source device of the embodiment includes a light emitting unit, a current adjusting means, a heat dissipating means and a control means. The light emitting section includes a solid light emitting element array having a plurality of solid light emitting elements emitting ultraviolet rays, which are connected in series and arranged on a predetermined line. The light emitting part is arranged in a plurality of rows of solid light emitting elements in a direction intersecting a predetermined line. Two or more current adjusting means are provided, and the current value corresponding to one or more solid light emitting element rows of the light emitting part and flowing through the solid light emitting elements of the corresponding solid light emitting element row can be changed. The heat dissipating means dissipates heat generated by the solid light emitting devices of two or more solid light emitting device rows adjacent to the intersecting direction of the light emitting part by flowing the fluid in a direction intersecting a predetermined line. The control means controls the current adjustment means. The control means changes the current value flowing through the solid light emitting elements of the solid light emitting element row in the current adjusting means so that the relative illuminance of the ultraviolet rays emitted by the solid light emitting elements of the plurality of solid light emitting element rows becomes equal.

또한, 실시형태의 자외선 조사장치는 자외선을 방출하는 발광소자를 갖는 광원; 및 광원으로부터 방출된 자외선 중 미리 정해진 기준방향과 평행인 편광축의 편광광을 투과하는 흡수형 편광소자를 갖는다.Further, the ultraviolet irradiation apparatus of the embodiment includes: a light source having a light emitting element emitting ultraviolet rays; and an absorption type polarizing element that transmits polarized light having a polarization axis parallel to a predetermined reference direction among ultraviolet rays emitted from the light source.

본 발명에 따르면, 자외선의 조사성능의 경년저하를 억제하는 광원장치를 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the light source device which suppresses the aging deterioration of the irradiation performance of an ultraviolet-ray can be provided.

또한, 본 발명에 따르면 피조사물에 대한 자외선의 불균일한 조사를 억제하는 광원장치를 제공할 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to provide a light source device that suppresses non-uniform irradiation of ultraviolet rays to an irradiated object.

또한, 본 발명에 따르면 흡수형 편광소자의 열화를 억제한 자외선 조사장치를 제공할 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to provide an ultraviolet irradiation device in which deterioration of the absorption type polarizing element is suppressed.

도 1은 실시형태 1에 관한 광원장치의 단면도이다.
도 2는 실시형태 1에 관한 광원장치의 변형예 1-1이고, 패키지를 사용한 경우의 단면도이다.
도 3은 실시형태 2~7에 관한 광원장치를 구비한 자외선 조사장치의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
도 4는 도 3 중의 Ⅱ-Ⅱ선의 단면도이다.
도 5는 실시형태 2~7에 관한 광원장치의 발광부를 하방에서 본 개략적인 구성을 도시한 블럭도이다.
도 6은 실시형태 2의 변형예 2-1에 관한 광원장치의 개략적인 구성을 하방에서 본 개략 구성 블럭도이다.
도 7은 실시형태 2의 변형예 2-2에 관한 광원장치의 개략적인 구성을 하방에서 본 개략 구성 블럭도이다.
도 8은 실시형태 3에 관한 광원장치의 개략적인 구성을 하방에서 본 개략 구성 블럭도이다.
도 9는 실시형태 4에 관한 광원장치의 개략적인 구성을 하방에서 본 개략 구성 블럭도이다.
도 10은 실시형태 5에 관한 광원장치의 개략적인 구성을 하방에서 본 개략 구성 블럭도이다.
도 11은 실시형태 6에 관한 광원장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 12는 실시형태 7에 관한 광원장치를 구비한 자외선 조사장치의 Y축 방향에서 본 측면도이다.
도 13은 실시형태 7에 관한 광원장치의 개략적인 구성을 도시한 사시도이다.
도 14는 실시형태 7에 관한 광원장치의 측면도이다.
도 15는 실시형태 7의 변형예 2-1에 관한 광원장치의 개략적인 구성을 도시한 사시도이다.
도 16은 실시형태 7의 변형에 2-2에 관한 광원장치의 개략적인 구성을 도시한 사시도이다.
도 17은 실시형태 8에 관한 자외선 조사장치의 개략적인 구성을 도시한 사시도이다.
도 18은 실시형태 8에 관한 자외선 조사장치를 Y축 방향에서 본 도면이다.
도 19는 실시형태 8에 관한 자외선 조사장치의 광원(310)을 Z축 방향에서 본 도면이다.
도 20은 실시형태 9에 관한 자외선 조사장치를 Y축 방향에서 본 도면이다.
도 21은 실시형태 9에 관한 자외선 조사장치의 변형예를 Y축 방향에서 본 도면이다.
1 is a cross-sectional view of a light source device according to a first embodiment.
Fig. 2 is a sectional view of a modified example 1-1 of the light source device according to the first embodiment, in which a package is used.
Fig. 3 is a diagram showing a schematic configuration of an ultraviolet irradiation device provided with a light source device according to Embodiments 2 to 7;
Fig. 4 is a cross-sectional view taken along line II-II in Fig. 3;
Fig. 5 is a block diagram showing a schematic configuration of the light emitting part of the light source device according to the second to seventh embodiments as viewed from below.
Fig. 6 is a schematic structural block diagram of a schematic configuration of a light source device according to Modification 2-1 of the second embodiment as viewed from below.
Fig. 7 is a schematic block diagram showing the schematic configuration of a light source device according to Modification 2-2 of the second embodiment as viewed from below.
Fig. 8 is a schematic structural block diagram showing the schematic configuration of the light source device according to the third embodiment as viewed from below.
Fig. 9 is a schematic block diagram showing the schematic configuration of a light source device according to the fourth embodiment as viewed from below.
Fig. 10 is a schematic structural block diagram of a schematic configuration of a light source device according to a fifth embodiment as viewed from below.
11 is a diagram showing the configuration of a light source device according to the sixth embodiment.
Fig. 12 is a side view of the ultraviolet irradiation device provided with the light source device according to the seventh embodiment, seen in the Y-axis direction.
13 is a perspective view showing a schematic configuration of a light source device according to a seventh embodiment.
14 is a side view of the light source device according to the seventh embodiment.
15 is a perspective view showing a schematic configuration of a light source device according to Modification 2-1 of Embodiment 7;
Fig. 16 is a perspective view showing a schematic configuration of a light source device according to 2-2 in a modification of the seventh embodiment.
Fig. 17 is a perspective view showing a schematic configuration of an ultraviolet irradiation apparatus according to the eighth embodiment.
Fig. 18 is a view of the ultraviolet irradiation apparatus according to the eighth embodiment seen from the Y-axis direction.
19 is a view of the light source 310 of the ultraviolet irradiation device according to the eighth embodiment as viewed from the Z-axis direction.
20 is a view of the ultraviolet irradiation apparatus according to the ninth embodiment as viewed from the Y-axis direction.
It is the figure which looked at the modified example of the ultraviolet irradiation apparatus which concerns on Embodiment 9 from the Y-axis direction.

이하에서 설명하는 실시형태 1에 관한 광원장치(1)는 발광소자(5), 세라믹스 기판(110) 및 방열부재(120)를 구비한다. 발광소자(5)는 자외선 영역에 주파장을 갖는 광을 방출한다. 세라믹스 기판(110)은 발광소자(5)가 일면측에 배치되고, 또한 세라믹스를 기재로 하여, 발광소자(5)가 설치되는 측의 면에는, 도체로 이루어진 도전패턴(11)과, 적어도 도전패턴(11)을 덮는 오버코트(18)가 형성된다. 방열부재(120)는 세라믹스 기판(110)에서의 발광소자(5)가 설치되는 측의 면의 반대측에 설치되고 금속재료로 이루어진다.A light source device 1 according to Embodiment 1 described below includes a light emitting element 5 , a ceramic substrate 110 , and a heat dissipation member 120 . The light emitting device 5 emits light having a dominant wavelength in the ultraviolet region. The ceramic substrate 110 has a light emitting element 5 disposed on one side, and a conductive pattern 11 made of a conductor and at least a conductive pattern 11 made of a conductor on the surface on the side on which the light emitting element 5 is installed using ceramics as a base material. An overcoat 18 covering the pattern 11 is formed. The heat dissipation member 120 is provided on the opposite side of the surface of the ceramic substrate 110 on the side on which the light emitting element 5 is installed and is made of a metal material.

또한, 이하에서 설명하는 실시형태 1에 관한 광원장치(1)에서는 발광소자(5)는 조사하는 광의 주파장이 다른 발광소자(5)가 복수 설치된다.Further, in the light source device 1 according to the first embodiment described below, the light emitting elements 5 are provided with a plurality of light emitting elements 5 having different dominant wavelengths of irradiated light.

또한, 이하에서 설명하는 실시형태 1에 관한 광원장치(1)에서 세라믹스 기판(110)은 기재에 알루미나, 또는 질화알루미늄이 사용된다.In the light source device 1 according to the first embodiment described below, alumina or aluminum nitride is used as the base material for the ceramic substrate 110 .

또한, 이하에서 설명하는 실시형태 1에 관한 광원장치(1)에서 오버코트(18)는 자외선을 반사한다.In addition, in the light source device 1 according to Embodiment 1 described below, the overcoat 18 reflects ultraviolet rays.

또한, 이하에서 설명하는 실시형태 1에 관한 광원장치(1)에서 오버코트(18)는 자외선을 흡수한다.In addition, in the light source device 1 according to Embodiment 1 described below, the overcoat 18 absorbs ultraviolet rays.

[실시형태 1][Embodiment 1]

다음에, 실시형태 1에 관한 광원장치를 도면에 기초하여 설명한다. 도 1은 실시형태 1에 관한 광원장치의 단면도이다. 도 1에 도시한 광원장치(1)는 광원장치(1)에서의 광원인 발광소자(5)를 복수 갖고 있고, 복수의 발광소자(5)는 세라믹스를 기재로 하여 판형상으로 형성된 세라믹스 기판(110)의 일면측에 설치되어 있다. 세라믹스 기판(110)의 기재로서는 예를 들어 반사특성이 필요한 경우에는 백색이고 고반사율의 알루미나를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 보다 높은 방열성능을 확보하는 경우에는 열전도율이 높은 질화알루미늄을 사용하는 것이 바람직하다. 즉, 세라믹스 기판(110)은 무기재에 의해 구성되어 있다.Next, a light source device according to the first embodiment will be described with reference to the drawings. 1 is a cross-sectional view of a light source device according to a first embodiment. The light source device 1 shown in Fig. 1 has a plurality of light emitting elements 5 that are light sources in the light source device 1, and the plurality of light emitting elements 5 are ceramic substrates formed in a plate shape using ceramics as a base material. 110) is installed on one side. As the base material of the ceramic substrate 110, for example, when a reflective characteristic is required, it is preferable to use white and high reflectance alumina. In addition, when securing higher heat dissipation performance, it is preferable to use aluminum nitride having high thermal conductivity. That is, the ceramic substrate 110 is made of an inorganic material.

발광소자(5)는 자외선 영역에 주파장을 갖는 광을 방출하는 것이 가능해져 있고, 예를 들어 주파장이 240㎚ 이상 405㎚ 이하의 광을 조사한다. 또한, 복수의 발광소자(5)는 조사하는 광의 주파장이 자외선의 파장영역 내에서 다른 발광소자(5)가 복수 설치되어 있고, 이에 의해 발광소자(5)는 자외선의 파장영역내의 넓은 범위의 파장을, 복수의 발광소자(5)에 의해 조사 가능해져 있다. 또한, 상기 복수의 발광소자(5)는 모든 발광소자(5)에 의해 조사 가능해져 있다. 또한, 상기 복수의 발광소자(5)는 모든 발광소자(5)에서 주파장이 다르지 않아도 좋고, 복수의 발광소자(5) 전체에서 보았을 때, 발광소자(5)끼리 조사하는 광의 주파장이 다른 것을 포함하고 있으면 좋다.The light emitting element 5 is capable of emitting light having a dominant wavelength in the ultraviolet region, and irradiates light with a dominant wavelength of 240 nm or more and 405 nm or less. In addition, in the plurality of light emitting elements 5, a plurality of light emitting elements 5 having different dominant wavelengths of irradiated light within the wavelength range of ultraviolet rays are provided, whereby the light emitting elements 5 can emit light in a wide range within the wavelength range of ultraviolet rays. The wavelength can be irradiated by a plurality of light emitting elements 5 . In addition, the plurality of light emitting elements 5 can be irradiated by all of the light emitting elements 5 . In addition, the plurality of light emitting devices 5 do not have to have different dominant wavelengths in all the light emitting devices 5 , and when viewed from the plurality of light emitting devices 5 as a whole, the dominant wavelengths of the light irradiated between the light emitting devices 5 are different. It is good to include

세라믹스 기판(110)에서의 발광소자(5)가 설치되어 있는 측의 면에는 도전패턴(11)과 오버코트(18)가 형성되어 있다. 도전패턴(11)은 도체로 이루어지고 예를 들어 구리나 은 등의 도전성이 높은 재료를 주성분으로 하고 있다. 도체로 이루어진 도전패턴(11)은 임의의 회로패턴이고 세라믹스 기판(110)상에 형성되어 있으며, 본 실시형태에 관한 광원장치(1)에서는 복수의 발광소자(5)의 전기적인 접속상태가, 직렬이 되도록 형성되어 있다. 각 발광소자(5)는 이 도전패턴(11)에 대하여 땜납(12)에 의해 접속되어 있고, 이에 의해 발광소자(5)와 도전패턴(11)은 전기적으로 접속되어 있다. 즉, 본 실시형태에 관한 광원장치(1)에서는 복수의 발광소자(5)를 병렬로 접속하는 데에 기인하는 균제도에 대한 악영향을 방지하기 위해, 복수의 발광소자(5)를 직렬로 접속하고 있다.A conductive pattern 11 and an overcoat 18 are formed on the surface of the ceramic substrate 110 on the side on which the light emitting element 5 is provided. The conductive pattern 11 is made of a conductor and has a high conductivity material such as copper or silver as a main component. The conductive pattern 11 made of a conductor is an arbitrary circuit pattern and is formed on the ceramic substrate 110. In the light source device 1 according to the present embodiment, the electrical connection state of the plurality of light emitting elements 5 is It is formed to be in series. Each light emitting element 5 is connected to the conductive pattern 11 by a solder 12, whereby the light emitting element 5 and the conductive pattern 11 are electrically connected. That is, in the light source device 1 according to the present embodiment, in order to prevent an adverse effect on the uniformity caused by connecting the plurality of light emitting elements 5 in parallel, the plurality of light emitting elements 5 are connected in series, have.

오버코트(18)는 절연과 부식을 방지하기 위한 무기물의 물질로 이루어지고, 적어도 도전패턴(11)을 덮어 형성되어 있다. 즉, 오버코트(18)는 세라믹스 기판(110)에서의 발광소자(5)가 설치되어 있는 측의 면에서, 실장부나 급전부(15) 등을 제외한 부분에 형성되어 세라믹스 기판(110)을 덮고 있다. 이 때문에, 오버코트(18)는 도전패턴(11)이 형성되어 있는 부분에서는 도전패턴(11)에서의 세라믹스 기판(110)이 위치하는 측의 면의 반대측의 면에서, 발광소자(5)나 땝납(12)이 위치하는 부분 이외의 부분에 형성되어 있다. 오버코트(18)는 유리를 주성분으로 하여 자외선을 반사, 또는 흡수하는 입자를 포함한다. 또한, 오버코트(18)는 자외선을 반사하는 부재로 구성해도 좋고, 자외선을 흡수하는 부재로 구성해도 좋다. 요는 오버코트(18)가 도전패턴(11)에 자외선이 도달하는 것을 억제할 수 있으면, 어떠한 구성을 취해도 좋다.The overcoat 18 is made of an inorganic material for insulation and corrosion prevention, and is formed to cover at least the conductive pattern 11 . That is, the overcoat 18 is formed on the surface of the ceramic substrate 110 on the side on which the light emitting element 5 is installed, except for the mounting part and the power supply part 15, and covers the ceramic substrate 110. . For this reason, in the portion where the conductive pattern 11 is formed, the overcoat 18 is the light emitting element 5 or the solder on the surface opposite to the surface on the side on which the ceramic substrate 110 is located in the conductive pattern 11 . It is formed in a part other than the part where (12) is located. The overcoat 18 is made of glass as a main component and includes particles that reflect or absorb ultraviolet rays. In addition, the overcoat 18 may be comprised by the member which reflects an ultraviolet-ray, and may be comprised by the member which absorbs an ultraviolet-ray. As long as the overcoat 18 can suppress ultraviolet rays from reaching the conductive pattern 11, any configuration may be adopted.

또한, 세라믹스 기판(110)에는 외부의 전원(도시생략)에 대해서 전기적으로 접속되는 급전부(15)가 설치되어 있다. 상기 급전부(15)는 세라믹스 기판(110)에 한쌍이 설치되어 있고, 한쌍의 급전부(15)는 세라믹스 기판(110)에서의 발광소자(5)나 도전패턴(11)이 배치되는 측의 면에 설치되어 있다. 예를 들어, 한쌍의 급전부(15)는 세라믹스 기판(110)의 서로 대향하는 단부 부근에서의, 발광소자(5)나 도전패턴(11)이 설치되는 측의 면에 설치되어 있고, 도전패턴(11)에 대하여 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 급전부(15)는 이 이외의 부분에 설치되어 있어도 좋고 도전패턴(11)에 전기적으로 접속되어 전원으로부터 공급되는 전력을 받을 수 있는 형태이면 설치되는 위치는 상관없다.In addition, the ceramic substrate 110 is provided with a power supply unit 15 electrically connected to an external power source (not shown). A pair of the power feeding units 15 is provided on the ceramic substrate 110 , and the pair of power feeding units 15 are on the side on which the light emitting element 5 or the conductive pattern 11 is disposed in the ceramic substrate 110 . installed on the side. For example, the pair of power feeding units 15 are provided on the side of the ceramic substrate 110 on the side on which the light emitting element 5 and the conductive pattern 11 are installed, near the opposite ends of the ceramic substrate 110 , and the conductive pattern (11) is electrically connected. In addition, the power feeding part 15 may be provided in a part other than this, and it does not matter where it is installed as long as it is electrically connected to the conductive pattern 11 and it is a form which can receive power supplied from a power source.

또한, 세라믹스 기판(110)에서의 발광소자(5)가 설치되는 측의 면의 반대측에는, 금속재료로 이루어진 방열부재(120)가 설치되어 있다. 상기 방열부재(120)는 냉각매체로서 냉각수를 사용하는, 소위 수냉식 방열부재(120)가 되어 있다. 상기 방열부재(120)는 예를 들어 열전도율이 높은 재료인 알루미늄으로 이루어지고, 단부가 폐색된 각통 형상의 형상으로 형성되어 있다. 각통 형상의 형상으로 형성되는 방열부재(120)는 각통의 외주면의 일면이 세라믹스 기판(110)에서의 발광소자(5)가 설치되는 측의 면의 반대측 면에 접촉되는 상태로 설치되어 있다.In addition, a heat dissipation member 120 made of a metallic material is provided on the opposite side of the surface of the ceramic substrate 110 on the side on which the light emitting element 5 is installed. The heat dissipating member 120 is a so-called water cooling type heat dissipating member 120 using cooling water as a cooling medium. The heat dissipation member 120 is made of, for example, aluminum, which is a material having high thermal conductivity, and is formed in a rectangular cylindrical shape with an end closed. The heat dissipation member 120 formed in the shape of a rectangular cylinder is installed in a state in which one surface of the outer peripheral surface of the rectangular cylinder is in contact with the surface opposite to the surface of the ceramic substrate 110 on which the light emitting element 5 is installed.

또한, 방열부재(120)에는 냉각수가 유입되는 유입구(123)와, 방열부재(120) 내의 냉각수가 유출되는 유출구(124)가 설치되어 있다. 예를 들어, 유입구(123)는 방열부재(120)의 길이방향에서의 일단에 설치되고, 유출구(124)는 방열부재(120)의 길이방향에서의 타단에 설치되어 있다. 방열부재(120)는 내부가 냉각수의 유로(21)가 되어 있고, 냉각수는 유입구(123)로부터 방열부재(120)내에 유입되고, 방열부재(120)에 유입된 냉각수는, 방열부재(120)내의 유로(121)를 통하여 유출구(124)로부터 유출하는 것이 가능해져 있다. 유입구(123)와 유출구(124)는, 냉각수를 흡인하여 송출하는 펌프(도시 생략)와, 냉각수를 냉각하는 라디에이터 등의 열교환기(도시 생략)를 갖는 냉각경로에 접속되어 있고, 이에 의해 방열부재(120)내의 유로(121)를 흐르는 냉각수는 열교환기로 냉각되면서 순환한다.In addition, the heat dissipation member 120 is provided with an inlet 123 through which the cooling water flows and an outlet 124 through which the cooling water in the heat dissipation member 120 flows out. For example, the inlet 123 is installed at one end in the longitudinal direction of the heat dissipation member 120 , and the outlet 124 is installed at the other end in the longitudinal direction of the heat dissipation member 120 . The heat dissipating member 120 has an inside of the cooling water flow path 21 , the cooling water flows into the heat dissipating member 120 from the inlet 123 , and the cooling water flowing into the heat dissipating member 120 is the heat dissipating member 120 . It is possible to flow out from the outlet 124 through the inner flow passage 121 . The inlet 123 and the outlet 124 are connected to a cooling path having a pump (not shown) that sucks in and sends out cooling water, and a heat exchanger (not shown) such as a radiator that cools the cooling water, whereby the heat dissipation member Cooling water flowing through the flow path 121 in 120 circulates while being cooled by a heat exchanger.

상기 실시형태에 관한 광원장치(1)는 이상과 같은 구성으로 이루어지고, 이하 그 작용에 대해서 설명한다. 광원장치(1)를 점등시킬 때에는 외부의 전원으로부터 한쌍의 급전부(15)에 대해서 전력을 공급한다. 급전부(15)에 공급된 전력은 도전패턴(11)과 땜납을 개재하여 발광소자(5)에 공급된다. 발광소자(5)는 이와 같이 공급된 전력에 의해 점등하고, 자외선 영역에 주파장을 갖는 광(이하, 자외선이라고 함)을 조사한다. 발광소자(5)로부터 조사된 자외선은, 광원장치(1)에서의 발광소자(5)가 설치되어 있는 측의 면으로부터 확산되면서 조사되고, 피조사물에 대해서 조사된다.The light source device 1 according to the embodiment is configured as described above, and its operation will be described below. When the light source device 1 is turned on, power is supplied to the pair of power supply units 15 from an external power source. The electric power supplied to the power supply unit 15 is supplied to the light emitting element 5 via the conductive pattern 11 and solder. The light emitting element 5 is lit by the electric power supplied in this way, and irradiates light (hereinafter referred to as ultraviolet light) having a dominant wavelength in the ultraviolet region. The ultraviolet ray irradiated from the light emitting element 5 is irradiated while being diffused from the surface on the side where the light emitting element 5 is provided in the light source device 1, and is irradiated with respect to the irradiated object.

발광소자(5)는 이와 같이 공급된 전력에 의해 점등하지만, 본 실시형태에 관한 광원장치(1)에서는 복수의 발광소자(5)는 직렬로 접속되어 있다. 이 때문에, 발광소자(5)를 점등시킬 때에는 높은 전압을 인가함으로써 점등시키지만, 발광소자(5)가 설치되는 기판은 세라믹스로 이루어진 세라믹스 기판(110)이므로, 절연파괴가 발생하지 않고, 발광소자(5)를 계속 점등시킬 수 있다. 즉, 발광소자(5)가 설치되는 기판이, 알루미늄과 같이 내전압이 낮은 재료에 의해 형성되는 경우, 기판의 두께에 따라서는 높은 전압을 발광소자(5)에 인가하면 절연파괴가 발생하는 경우가 있지만, 세라믹스는 내전압이 높아져 있다. 이 때문에, 높은 전압을 발광소자(5)에 인가해도 절연파괴가 발생하지 않고, 발광소자(5)를 점등시켜 자외선을 계속 조사할 수 있다.Although the light emitting element 5 is turned on by the electric power supplied in this way, in the light source device 1 which concerns on this embodiment, the some light emitting element 5 is connected in series. For this reason, when the light emitting element 5 is turned on by applying a high voltage, the light emitting element 5 is mounted on the ceramic substrate 110 made of ceramics, so insulation breakdown does not occur and the light emitting element ( 5) can be turned on continuously. That is, when the substrate on which the light emitting element 5 is installed is made of a material having a low withstand voltage such as aluminum, depending on the thickness of the substrate, when a high voltage is applied to the light emitting element 5, insulation breakdown occurs. However, ceramics have high withstand voltage. For this reason, even when a high voltage is applied to the light emitting element 5, insulation breakdown does not occur, and the light emitting element 5 can be turned on and the ultraviolet rays can be continuously irradiated.

또한, 이와 같이 자외선을 조사하는 발광소자(5)는 점등시에는 열이 발생하므로, 본 실시형태에 관한 광원장치(1)에서는 방열부재(120)에 의해 온도의 상승을 억제하면서 발광소자(5)를 점등시킨다. 상세하게는 발광소자(5)의 점등시에 발광소자(5)에서 발생하는 열은, 땜납(12)이나 도전패턴(11)을 통하여 세라믹스 기판(110)에 전달되고, 세라믹스 기판(110)으로부터 또한 방열부재(120)에 전달된다. 방열부재(120)에 전달된 열은 방열부재(120)내의 냉각수에 전달된다.In addition, since the light emitting element 5 irradiating ultraviolet light in this way generates heat when it is turned on, in the light source device 1 according to the present embodiment, the temperature increase is suppressed by the heat dissipating member 120 while the light emitting element 5 is heated. ) is turned on. In detail, when the light emitting element 5 is turned on, heat generated in the light emitting element 5 is transferred to the ceramic substrate 110 through the solder 12 or the conductive pattern 11 and from the ceramic substrate 110 . It is also transmitted to the heat dissipation member 120 . The heat transferred to the heat dissipation member 120 is transmitted to the cooling water in the heat dissipation member 120 .

한편, 발광소자(5)의 점등시에는 방열부재(120)는 냉각경로에 설치되는 펌프의 구동에 의해 유입구(123)로부터 방열부재(120)내에 냉각수가 유입되고, 방열부재(120) 내의 냉각수는 유출구(124)로부터 유출된다. 이 때문에, 발광소자(5)에서 발생한 열이 전달되어 온도가 상승한 냉각수는 유출구(124)로부터 유출된다.On the other hand, when the light emitting element 5 is turned on, the cooling water flows into the heat dissipation member 120 from the inlet 123 by the driving of a pump installed in the cooling path of the heat dissipating member 120 , and the cooling water in the heat dissipating member 120 . is discharged from the outlet 124 . For this reason, the heat generated in the light emitting device 5 is transferred and the cooling water whose temperature has risen is discharged from the outlet 124 .

유출구(124)로부터 유출된 냉각수는 냉각경로에 구비되는 열교환기에서 열교환이 실시되어 냉각된다. 이에 의해, 발광소자(5)에서 발생한 열은 광원장치(1)의 외부에 방출된다. 열교환기에서 냉각된 냉각수는 유입구(123)로부터 다시 방열부재(120) 내에 유입되고, 방열부재(120)내의 유로(121)를 흐르면서 발광소자(5)로부터의 열을 받아 온도가 상승하고 유출구(124)로부터 유출된다. 방열부재(120)는 이와 같이 냉각수가 순환하면서 광원장치(1)의 외부에 열을 방출함으로써, 발광소자(5)에서 발생한 열에 의해 광원장치(1)의 온도가 상승하는 것을 억제한다. 즉, 방열부재(120)는 광원장치(1)의 냉각을 실시한다. 또한, 방열부재(120)내의 유로(121)를 통과하는 냉각매체로서는 냉각수에 한정되지 않고, 액체이어도 좋고, 예를 들어 압축공기나 질소가스 등의 기체이어도 좋다.The cooling water discharged from the outlet 124 is cooled by heat exchange in a heat exchanger provided in the cooling path. Thereby, the heat generated by the light emitting element 5 is emitted to the outside of the light source device 1 . The cooling water cooled in the heat exchanger flows back into the heat dissipating member 120 from the inlet 123, and receives heat from the light emitting device 5 while flowing through the flow path 121 in the heat dissipating member 120, and the temperature rises and the outlet ( 124). The heat dissipation member 120 emits heat to the outside of the light source device 1 while the cooling water circulates as described above, thereby suppressing an increase in the temperature of the light source device 1 due to the heat generated by the light emitting device 5 . That is, the heat dissipation member 120 cools the light source device 1 . In addition, the cooling medium passing through the flow path 121 in the heat dissipation member 120 is not limited to cooling water, and may be a liquid, for example, a gas such as compressed air or nitrogen gas.

여기에서, 이와 같이 방열부재(120)에 의해 냉각을 실시한 경우, 광원장치(1)의 사용시에서의 환경이나 방열부재(120)에서의 냉각상태에 따라서는 결로가 발생하는 일이 있다. 결로가 발생한 경우, 광원장치(1)의 표면에 수분이 부착되지만, 세라믹스 기판(110)은 무기재에 의해 구성되어 있고, 도전패턴(11)은 오버코트(18)에 의해 덮여 있다. 이 때문에, 결로에 의해 광원장치(1)의 표면에 수분이 부착된 경우에도 세라믹스 기판(110)이나 도전패턴(11)은 이 수분에 의해 부식되기 어려워져 있다.Here, when cooling is performed by the heat dissipating member 120 in this way, dew condensation may occur depending on the environment at the time of use of the light source device 1 or the cooling state of the heat dissipating member 120 . When dew condensation occurs, moisture adheres to the surface of the light source device 1 , but the ceramic substrate 110 is made of an inorganic material, and the conductive pattern 11 is covered with an overcoat 18 . For this reason, even when moisture adheres to the surface of the light source device 1 due to dew condensation, the ceramic substrate 110 and the conductive pattern 11 are less likely to be corroded by the moisture.

또한, 방열부재(120)는 열전도율이 높은 재료인 알루미늄을 사용하여 형성되어 있으므로, 방열성은 높지만 녹이 발생하는 경우가 있다. 방열부재(120)에는 이와 같이 녹이 발생하는 경우가 있지만, 방열부재(120)는 발광소자(5)나 도전패턴(11)의 사이에, 세라믹스로 이루어진 세라믹스 기판(110)이 개재하는 상태에서 설치되어 있다. 이 때문에, 방열부재(120)에서 녹이 발생한 경우에도, 상기 녹은 세라믹스 기판(110)에 의해 차단되므로, 녹에 기인하는 절연파괴나, 광원장치(1)에서의 전기경로의 부식 등의 문제가 발생하기 어려워져 있다.In addition, since the heat dissipation member 120 is formed using aluminum, which is a material having high thermal conductivity, although the heat dissipation property is high, rust may occur. The heat dissipation member 120 may rust in this way, but the heat dissipation member 120 is installed in a state where the ceramic substrate 110 made of ceramics is interposed between the light emitting element 5 and the conductive pattern 11 . has been For this reason, even when rust occurs in the heat dissipating member 120 , since it is blocked by the molten ceramic substrate 110 , problems such as insulation breakdown due to rust or corrosion of the electric path in the light source device 1 occur. it's getting harder to do

또한, 자외선을 피조사물에 조사하여, 광반응이나 자외선 경화를 실시하게 할 때에는 피조사물에 대해서 근거리로부터 자외선을 조사하는 경우가 있다. 이 때문에, 본 실시형태에 관한 광원장치(1)에서도 피조사물에서 광반응이나 자외선 경화를 실시하게 할 때에는, 피조사물에 대해서 근거리로부터 자외선을 조사하는 경우가 있지만, 피조사물의 광반응시나 자외선 경화시에는 화학반응에 의해, 불순물이라고 불리는 물질이 발생한다. 이 불순물이, 방열부재(120)를 구성하는 금속재료에 부착되면, 부착된 부분으로부터 녹이 발생하기 쉬워지지만, 피조사물로의 자외선의 조사시에서의 방열부재(120)와 피조사물 사이에는 세라믹스 기판(110)이 위치하고 있다. 이 때문에, 피조사물의 화학반응에 의해 불순물이 발생한 경우에도, 이 불순물이 방열부재(120)까지 도달하는 것이 억제되고, 피조사물의 화학반응에 의해 불순물이 발생하기 쉬운 상황에서도, 상기 불순물의 발생에 기인하는 방열부재(120)의 녹은 발생하기 어려워져 있다.Moreover, when irradiating an ultraviolet-ray to a to-be-irradiated object and performing a photoreaction or ultraviolet curing, an ultraviolet-ray may be irradiated with respect to the to-be-irradiated object from a short distance. For this reason, even in the light source device 1 according to the present embodiment, when the irradiated object is subjected to photoreaction or ultraviolet curing, the irradiated object may be irradiated with ultraviolet rays from a short distance. In the case of a chemical reaction, substances called impurities are generated. When this impurity adheres to the metal material constituting the heat dissipation member 120, rust is likely to occur from the attached portion, but a ceramic substrate is placed between the heat dissipation member 120 and the target object when irradiated with ultraviolet rays. (110) is located. For this reason, even when impurities are generated by the chemical reaction of the irradiated object, it is suppressed that the impurities reach the heat dissipation member 120, and even in a situation where impurities are likely to be generated by the chemical reaction of the irradiated object, the generation of the impurities It is difficult to generate rust of the heat dissipation member 120 due to the

이상의 실시형태에 관한 광원장치(1)는 기판으로서 세라믹스 기판(110)을 사용하고 발광소자(5)의 점등시에 발생하는 열의 냉각을 실시하는 방열부재(120)를, 세라믹스 기판(110)에서의 발광소자(5)가 설치되는 측의 면의 반대측에 설치되어 있다. 또한, 도전패턴(11)은 오버코트(18)에 의해 덮여 있다. 이들에 의해, 냉각성능을 확보하면서, 냉각시에 결로가 발생한 경우에도, 결로의 수분에 기인하는 부식을 억제할 수 있다. 이 결과, 자외선 조사성능의 경년 저하를 억제할 수 있다.The light source device 1 according to the above embodiment uses a ceramic substrate 110 as a substrate, and a heat dissipation member 120 for cooling the heat generated when the light emitting element 5 is turned on is formed from the ceramic substrate 110 . is provided on the opposite side of the surface on the side where the light emitting element 5 is installed. Further, the conductive pattern 11 is covered with an overcoat 18 . Thereby, it is possible to suppress corrosion due to moisture in the dew condensation even when dew condensation occurs during cooling while ensuring cooling performance. As a result, the aging deterioration of ultraviolet irradiation performance can be suppressed.

또한, 도전패턴(11)은 오버코트(18)에 의해 덮임으로써, 발광소자(5)로부터 방출되고 피조사물 등으로부터 반사되어 도전패턴(11)에 도달하는 자외선에 노출되는 것을 방지할 수 있으므로, 자외선 조사성능의 경년열화를 억제할 수 있다.In addition, since the conductive pattern 11 is covered with the overcoat 18, exposure to ultraviolet rays emitted from the light emitting element 5 and reflected from the irradiated object and reaching the conductive pattern 11 can be prevented from being exposed to ultraviolet rays. The aging deterioration of irradiation performance can be suppressed.

또한, 기판에, 절연성이 높고 수지 등을 주성분으로 하는 열전도층을 기재에 형성할 필요가 없는 세라믹스를 기재에 사용하는 세라믹스 기판(110)을 사용하므로, 발광소자(5)를 복수개 실장한 경우에도, 열전도성을 유지하면서 높은 내전압을 확보할 수 있다. 또한, 세라믹스는 수지에 비하여 내자외선성이 있으므로, 기판에 자외선이 조사되는 구성에서도 열화를 억제할 수 있다. 이들의 결과, 자외선 조사성능의 경년저하를 억제할 수 있다.In addition, since the ceramic substrate 110 is used for the substrate, which uses ceramics for the substrate, which has high insulating properties and does not need to form a heat conductive layer mainly composed of resin, etc. on the substrate, even when a plurality of light emitting elements 5 are mounted. , it is possible to secure high withstand voltage while maintaining thermal conductivity. Moreover, since ceramics have UV resistance compared with resin, deterioration can be suppressed also in the structure in which an ultraviolet-ray is irradiated to a board|substrate. As a result of these, the aging deterioration of ultraviolet irradiation performance can be suppressed.

또한, 발광소자(5)로서 조사하는 광의 주파장이 다른 발광소자(5)를 복수 설치함으로써, 피조사물에서 광반응이나 자외선 경화 등의 화학반응을 실시하게 할 때, 보다 확실하게 반응시킬 수 있다. 즉, 자외선을 조사함에 의한 화학반응은, 피조사물의 재질에 따라 화학반응이 일어나기 쉬운 광의 파장이 다른 경우가 있지만, 광의 주파장이 다른 발광소자(5)를 복수 설치함으로써, 피조사물의 재질이 어떠한 재질인 것이어도, 화학반응을 실시하기 쉽게 할 수 있다. 이 결과, 피조사물에 자외선을 조사함으로써 화학반응의 불균일을 억제할 수 있다.In addition, by providing a plurality of light emitting elements 5 with different dominant wavelengths of irradiated light as the light emitting element 5, when the irradiated object undergoes a chemical reaction such as a photoreaction or ultraviolet curing, it can be reacted more reliably. . That is, in the chemical reaction by irradiating ultraviolet rays, the wavelength of light at which a chemical reaction easily occurs may differ depending on the material of the irradiated object. Any material can be used to easily carry out a chemical reaction. As a result, the non-uniformity of the chemical reaction can be suppressed by irradiating the to-be-irradiated object with an ultraviolet-ray.

또한, 세라믹스 기판(110)은 무기재에 의해 구성되어 있지만, 세라믹스 기판(110)의 기재에 알루미나를 사용한 경우에는 발광소자(5)로부터 조사된 자외선을, 높은 반사율로 반사할 수 있으므로, 자외선의 조사성능을 향상시킬 수 있다. 또한, 세라믹스 기판(110)의 기재에 질화알루미늄을 사용한 경우에는, 발광소자(5)의 점등시에서의 열을, 질화알루미늄의 높은 열전도율에 의해, 보다 확실하게 방열부재(120)에 전달할 수 있어, 방열성능을 향상시킬 수 있다. 또한, 세라믹스 기판(110)의 기재에, 알루미나와 질화알루미늄 중 어느 것을 사용한 경우에도, 방열부재(120)에서 녹이 발생했을 때, 이 녹이 세라믹스 기판(110)에서의 발광소자(5)나 도전패턴(11)이 설치되어 있는 측의 면까지 전달되는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해, 방열부재(120)에서 발생하는 녹에 기인하여, 광원장치(1)의 전기경로에 부식 등의 문제가 발생하는 것을, 보다 확실하게 억제할 수 있다. 이러한 결과, 자외선의 조사성능의 경년저하를 억제할 수 있다.In addition, although the ceramic substrate 110 is made of an inorganic material, when alumina is used as the base material of the ceramic substrate 110, the ultraviolet rays irradiated from the light emitting element 5 can be reflected with high reflectance, so Research performance can be improved. In addition, when aluminum nitride is used as the base material of the ceramic substrate 110, the heat when the light emitting element 5 is turned on can be transmitted to the heat dissipation member 120 more reliably due to the high thermal conductivity of the aluminum nitride. , the heat dissipation performance can be improved. In addition, even when either alumina or aluminum nitride is used for the base material of the ceramic substrate 110 , when rust occurs in the heat dissipating member 120 , the rust is the light emitting element 5 or conductive pattern in the ceramic substrate 110 . (11) can be prevented from being transmitted to the surface on the installed side. Accordingly, it is possible to more reliably suppress the occurrence of problems such as corrosion in the electrical path of the light source device 1 due to rust generated in the heat dissipating member 120 . As a result, it is possible to suppress the aging deterioration of the ultraviolet irradiation performance.

또한, 발광소자(5)로서 주파장이 240㎚ 이상 405㎚ 이하의 광을 조사하는 것을 이용하므로, 피조사물에 대해서 자외선을 조사하여 화학반응을 실시하게 할 때, 보다 확실하게 반응시킬 수 있다. 그 결과, 광원장치(1)를 피조사물에 대하여 광반응이나 자외선 경화를 실시하게 하는 조명기구로서 사용하는 경우에, 화학반응의 불균일을 억제할 수 있다.In addition, since a light emitting element 5 irradiated with light having a dominant wavelength of 240 nm or more and 405 nm or less is used, when a chemical reaction is performed by irradiating an irradiated object with ultraviolet rays, the reaction can be made more reliably. As a result, when the light source device 1 is used as a lighting device for performing a photoreaction or ultraviolet curing with respect to an irradiated object, it is possible to suppress non-uniformity of the chemical reaction.

또한, 오버코트(18)가 대부분의 자외선을 반사시킴으로써 도전패턴(11)에 자외선이 도달하는 것을 더욱 억제할 수 있다. 그 결과, 자외선의 조사성능의 경년저하를 억제할 수 있다.In addition, since the overcoat 18 reflects most of the ultraviolet rays, it is possible to further suppress the ultraviolet rays from reaching the conductive pattern 11 . As a result, the aging deterioration of the irradiation performance of ultraviolet rays can be suppressed.

또한, 오버코트(18)가 대부분의 자외선을 흡수함으로써 도전패턴(11)에 자외선이 도달하는 것을 더욱 억제할 수 있다. 그 결과, 자외선의 조사성능의 경년저하를 억제할 수 있다.In addition, since the overcoat 18 absorbs most of the ultraviolet rays, it is possible to further suppress the ultraviolet rays from reaching the conductive pattern 11 . As a result, the aging deterioration of the irradiation performance of ultraviolet rays can be suppressed.

[변형예 1-1][Modified Example 1-1]

또한, 전술한 광원장치(1)에서는 발광소자(5)는 도전패턴(11)에 땜납(12)에 의해 직접 접속되어 있지만, 발광소자(5)는 도전패턴(11)에 직접 접속되어 있지 않아도 좋다. 도 2는 실시형태 1에 관한 광원장치의 변형예 1-1이고, 패키지를 사용한 경우의 단면도이다. 발광소자(5)는 예를 들어 도 2에 도시한 바와 같이 패키지(130)로서 리플렉터(32)와 일체가 되어 있는 것을 사용하여, 상기 패키지(130)를, 땜납(12)에 의해 도전패턴(11)에 접속함으로써, 세라믹스 기판(110)에 설치해도 좋다. 발광소자(5)가 광원이 되는 패키지(130)의 패키지재에는, 자외선에 의한 열화를 방지하기 위해 세라믹스가 사용되고 있다. 즉, 리플렉터(32)는 기재에 세라믹스가 사용되고 있다.Further, in the above-described light source device 1 , the light emitting element 5 is directly connected to the conductive pattern 11 by solder 12 , but the light emitting element 5 is not directly connected to the conductive pattern 11 . good. Fig. 2 is a sectional view of a modified example 1-1 of the light source device according to the first embodiment, in which a package is used. The light emitting element 5 is, for example, as shown in FIG. 2, as the package 130, which is integrated with the reflector 32, and uses the package 130 to form a conductive pattern (with solder 12). 11), you may provide in the ceramic substrate 110. Ceramics are used for the package material of the package 130 in which the light emitting element 5 serves as a light source in order to prevent deterioration due to ultraviolet rays. That is, as for the reflector 32, ceramics are used for the base material.

이와 같이 발광소자(5)와 리플렉터(32)가 일체가 된 패키지(130)를 사용하여 세라믹스 기판(110)에 설치함으로써, 발광소자(5)의 점등시에서의 자외선을, 리플렉터(32)에서 반사시켜 조사할 수 있다. 이에 의해, 발광소자(5)로부터 조사된 자외선이 너무 확산되는 것을 억제할 수 있고, 원하는 방향으로 효율 좋게 조사할 수 있다. 그 결과, 자외선의 조사성능을 높일 수 있고, 또한 높은 조사성능을 장기간에 걸쳐 유지할 수 있다. 또한, 패키지(130)는 패키지 재료에 세라믹스가 사용되고 있으므로, 열팽창이 세라믹스 기판(110)의 열팽창과 동등해진다. 그 결과, 실장부의 파손을 감소시킬 수 있어 내구성을 향상시킬 수 있다. 또한, 발광소자(5)의 설치양식은 도 2에 한정되지 않는다. 즉, 도 2에서 하나의 패키지(130)내에 하나의 발광소자(5)가 설치되어 있지만, 예를 들어 하나의 패키지(130)내에 조사하는 광의 주파장이 다른 발광소자(5)가 복수 설치되어 있어도 좋다.By installing the package 130 in which the light emitting element 5 and the reflector 32 are integrated in this way on the ceramic substrate 110 , the ultraviolet rays when the light emitting element 5 is turned on are emitted from the reflector 32 . It can be reflected and irradiated. Thereby, it can suppress that the ultraviolet-ray irradiated from the light emitting element 5 diffuses too much, and can irradiate efficiently in a desired direction. As a result, the irradiation performance of ultraviolet rays can be improved, and high irradiation performance can be maintained over a long period of time. In addition, since ceramics are used for the package material of the package 130 , the thermal expansion becomes equal to the thermal expansion of the ceramic substrate 110 . As a result, damage to the mounting portion can be reduced, and durability can be improved. In addition, the installation style of the light emitting element 5 is not limited to FIG. That is, although one light emitting device 5 is installed in one package 130 in FIG. 2 , for example, a plurality of light emitting devices 5 having different dominant wavelengths of light irradiated in one package 130 are installed. good to be

이하에서 설명하는 실시형태 2~7 등에 관한 광원장치(1, 1-1, 1-2, 2, 3, 4, 5, 6, 6-1, 6-2)는 발광부(20), 전류조정수단(30), 방열수단(40) 및 제어수단(70)을 구비한다. 발광부(20)는 직렬로 접속되고 또한 소정의 선상에 배치된, 자외선을 방출하는 복수의 고체발광소자(23)를 갖는 고체발광소자열(22)을 구비한다. 발광부(20)는 고체발광소자열(22)을 소정의 선에 교차하는 방향으로 복수 나열하여 배치되어 있다. 전류조정수단(30)은 2이상 설치되고, 발광부(20)의 1 이상의 고체발광소자열(22)에 대응하고 또한 대응하는 고체발광소자열(22)의 고체발광소자(23)에 흐르는 전류값을 변경 가능하다. 방열수단(40)은 소정의 선에 교차하는 방향으로 유체를 유동시켜 발광부(20)의 교차하는 방향으로 인접하는 2 이상의 고체발광소자열(22)의 고체발광소자(23)가 발하는 열을 방열한다. 제어수단(70)은 전류조정수단(30)을 제어한다. 제어수단(70)은 복수의 고체발광소자열(22)의 고체발광소자(23)가 방출하는 자외선의 상대조도가 동등해지도록, 전류조정수단(30)에 고체발광소자열(22)의 고체발광소자(23)에 흐르는 전류값을 변경시킨다.The light source devices 1, 1-1, 1-2, 2, 3, 4, 5, 6, 6-1, 6-2 according to Embodiments 2 to 7 and the like described below include a light emitting unit 20, a current It includes an adjustment means 30 , a heat dissipation means 40 , and a control means 70 . The light emitting unit 20 includes a solid light emitting element array 22 having a plurality of solid light emitting elements 23 that are connected in series and arranged on a predetermined line for emitting ultraviolet rays. The light emitting unit 20 is arranged in a plurality of solid light emitting element arrays 22 in a direction intersecting a predetermined line. Two or more current adjusting means 30 are provided, corresponding to one or more solid light emitting element rows 22 of the light emitting unit 20, and the current flowing through the solid light emitting element 23 of the corresponding solid light emitting element row 22 value can be changed. The heat dissipation means 40 flows the fluid in a direction intersecting a predetermined line to generate heat generated by the solid light emitting devices 23 of two or more solid light emitting device rows 22 adjacent in the intersecting direction of the light emitting unit 20 . radiate heat The control means 70 controls the current adjustment means 30 . The control means 70 is connected to the current adjusting means 30 so that the relative illuminance of the ultraviolet rays emitted by the solid light emitting devices 23 of the plurality of solid light emitting device rows 22 are equal. The value of the current flowing through the light emitting element 23 is changed.

또한, 이하에서 설명하는 실시형태 2~7 등에 관한 광원장치(1, 1-1, 1-2, 2, 3, 4, 5, 6, 6-1, 6-2)에서 발광부(20)의 소정의 위치에 설치되고 또한 소정의 위치의 온도를 검출 가능한 온도검출수단(60)을 구비하며, 제어수단(70)은 온도검출수단(60)의 검출결과에 기초하여 전류조정수단(30)에 대응하는 고체발광소자열(22)의 고체발광소자(23)에 흐르는 전류값을 변경시킨다.In addition, in the light source devices 1, 1-1, 1-2, 2, 3, 4, 5, 6, 6-1, 6-2 according to Embodiments 2 to 7 etc. described below, the light emitting unit 20 is and a temperature detecting means 60 installed at a predetermined position of The value of the current flowing through the solid light emitting element 23 of the solid light emitting element column 22 corresponding to is changed.

또한, 이하에서 설명하는 실시형태 2~7 등에 관한 광원장치(1, 1-1, 1-2, 2, 3, 4, 5, 6, 6-1, 6-2)에서 온도검출수단(60)을, 유체의 유동방향에 따라서 간격을 두고 복수 설치한다.In addition, in the light source devices 1, 1-1, 1-2, 2, 3, 4, 5, 6, 6-1, 6-2 according to the second to seventh embodiments described below, the temperature detecting means 60 ), are installed at intervals according to the flow direction of the fluid.

[실시형태 2][Embodiment 2]

다음에, 본 발명의 실시형태 2에 관한 광원장치(1)를 도면에 기초하여 설명한다. 도 3은 실시형태에 관한 광원장치를 구비한 자외선 조사장치의 개략적인 구성을 도시한 도면, 도 4는 도 3 중의 Ⅱ-Ⅱ선의 단면도, 도 5는 실시형태에 관한 광원장치의 발광부를 하방에서 본 개략적인 구성을 도시한 블럭도이다.Next, a light source device 1 according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 3 is a view showing a schematic configuration of an ultraviolet irradiation device including a light source device according to an embodiment, Fig. 4 is a sectional view taken along the line II-II in Fig. 3, and Fig. 5 is a view showing a light emitting part of the light source device according to the embodiment from below. It is a block diagram showing this schematic configuration.

실시형태 2에 관한 광원장치(1)(이하, 간단히 광원장치로 기재함)은 도 3에 도시된 자외선 조사장치(100)를 구성한다. 자외선 조사장치(100)는 예를 들어 액정패널의 경화나 중합, 접합 등의 광반응 공정에 사용되고, 소정의 파장의 자외선을 피조사물(W)(도 3에 도시함)에 조사하는 장치이다.The light source device 1 (hereinafter simply referred to as a light source device) according to the second embodiment constitutes the ultraviolet irradiation device 100 shown in FIG. 3 . The ultraviolet irradiation device 100 is, for example, used in a photoreaction process such as curing, polymerization, and bonding of a liquid crystal panel, and is a device for irradiating an irradiated object W (shown in FIG. 3 ) with ultraviolet rays of a predetermined wavelength.

자외선 조사장치(100)는 도 3에 도시한 바와 같이 광원장치(1)와, 피조사물(W)을 배치면(10a)상에 배치하는 스테이지(10) 등을 구비하고 있다. 또한, 이하, 배치면(10a)과 평행인 서로 직교하는 방향을 X축 방향, Y축 방향으로 기재하고, 배치면(10a)과 직교하는 방향을 Z축 방향이라고 기재한다. 광원장치(1)는 발광부(20), 복수의 전류조정수단(30)(도 5에 도시함), 방열수단(40), 케이스체(50), 온도검출수단(60) 및 제어수단(70)을 구비한다.The ultraviolet irradiation apparatus 100 is provided with the light source apparatus 1 and the stage 10 etc. which arrange|position the to-be-irradiated object W on the placement surface 10a as shown in FIG. In addition, hereafter, the mutually orthogonal direction parallel to the mounting surface 10a is described as an X-axis direction and a Y-axis direction, and the direction orthogonal to the mounting surface 10a is described as a Z-axis direction. The light source device 1 includes a light emitting unit 20, a plurality of current adjusting means 30 (shown in FIG. 5), a heat dissipating means 40, a case body 50, a temperature detecting means 60 and a control means ( 70) is provided.

발광부(20)는 도 3 및 도 5에 도시한 바와 같이, 실장기판(21)(기판에 상당)과, 복수의 고체발광소자열(22)을 구비한다. 실장기판(21)은 X축 방향 및 Y축 방향, 즉 배치면(10a)과 평행으로 배치된다. 실장기판(21)은 배치면(10a)과 Z축 방향을 따라서 대향하는 표면기판(21a)상에 고체발광소자열(22)을 구성하는 복수의 고체발광소자(23)를 실장하고 있다. 실장기판(21)은 고체발광소자(23)를 X축 방향과 Y축 방향의 쌍방을 따라서 표면(21a)에 나열하여, 면상에 배치하고 있다. 실장기판(21)은 고체발광소자(23)를 미리 정해진 패턴과 같이 접속한다.The light emitting unit 20 includes a mounting substrate 21 (corresponding to a substrate) and a plurality of solid light emitting element arrays 22 as shown in FIGS. 3 and 5 . The mounting substrate 21 is disposed in the X-axis direction and the Y-axis direction, that is, parallel to the arrangement surface 10a. The mounting substrate 21 has a plurality of solid light emitting elements 23 constituting the solid light emitting element array 22 mounted on the surface substrate 21a opposite to the arrangement surface 10a along the Z-axis direction. In the mounting substrate 21, the solid light-emitting elements 23 are arranged on the surface 21a along both the X-axis direction and the Y-axis direction, and are arranged on a plane. The mounting substrate 21 connects the solid light emitting device 23 in a predetermined pattern.

복수의 고체발광소자열(22)은 실장기판(21)의 표면(21a)상에 실장된 복수의 고체발광소자(23)를 갖는다. 각 고체발광소자열(22)을 구성하는 고체발광소자(23)는 실장기판(21)상에 소정의 선상으로서의 X축 방향과 평행인 직선상에 배치되고, 또한 애노드와 캐소드가 직렬로 접속되어 있다. 고체발광소자(23)는 자외선을 방출한다. 고체발광소자열(22)을 구성하는 고체발광소자(23)에는 직렬전원(24)(도 5에 도시함)으로부터의 전력이 공급된다. 발광부(20)는 복수의 고체발광소자열(22)을 소정의 선으로서의 X축 방향에 직교(교차)하는 Y축 방향으로 복수 나열하여 배치하고 있다. 복수의 고체발광소자열(22)은 서로 병렬로 접속되고, 직류전원(24)에 대해서 병렬로 접속되어 있다. 이 때문에, 복수의 고체발광소자열(22)에는 직류전원(24)으로부터 공급되는 전력이 X축 방향과 평행인 도 3~도 5에 도시한 화살표(K)를 따라서 전류로서 흐르게 된다. 이와 같이 하여, 발광부(20)는 n(자연수)개의 고체발광소자열(22)을 갖고 있다. 즉, 발광부(20)는 고체발광소자열로서 제1 고체발광소자열(22), 제2 고체발광소자열(22), …, 제n-1 고체발광소자열(22), 제n 고체발광소자열(22)을 갖고 있다.The plurality of solid light emitting device arrays 22 has a plurality of solid light emitting devices 23 mounted on the surface 21a of the mounting substrate 21 . The solid light emitting elements 23 constituting each solid light emitting element row 22 are arranged on a predetermined line on the mounting substrate 21 and on a straight line parallel to the X-axis direction, and an anode and a cathode are connected in series, have. The solid light emitting device 23 emits ultraviolet rays. Power from a series power source 24 (shown in Fig. 5) is supplied to the solid light emitting elements 23 constituting the solid light emitting element array 22. As shown in Figs. In the light emitting unit 20, a plurality of solid light emitting element arrays 22 are arranged in a plurality of lines in a Y-axis direction orthogonal to (intersecting) the X-axis direction as a predetermined line. A plurality of solid-state light emitting element arrays 22 are connected in parallel to each other and connected in parallel to a DC power supply 24 . For this reason, the electric power supplied from the DC power supply 24 flows through the plurality of solid light emitting element arrays 22 as current along the arrow K shown in FIGS. 3 to 5 parallel to the X-axis direction. In this way, the light emitting unit 20 has n (natural number) solid light emitting element rows 22 . That is, the light emitting unit 20 is a solid light emitting element string, and includes a first solid light emitting element string 22 , a second solid light emitting element string 22 , . . . , an n-1th solid light emitting element string 22 and an nth solid light emitting element string 22 .

고체발광소자열(22)을 구성하는 고체발광소자(23)는 고르게 모든 방향으로 진동한 자외선을 방출하는 것이고, LED(Light Emitting Diode), LD(Laser Diode) 등으로 구성된다. 고체발광소자(23)는 피크 파장이 240㎚ 이상 450㎚ 이하의 자외선을 방출하는 것이다. 또한, 본 명세서에서 말하는 피크 파장이라는 것은 고체발광소자(23)가 방출하는 자외선 중 상대조도가 가장 강한 자외선의 파장을 말한다. 또한, 본 발명에서 말하는 상대조도라는 것은 발광부(20), 즉 고체발광소자(23)로부터 방출되는 자외선의 상대조도를 나타내는 지표이다. 상대조도는 예를 들어 우시오덴키제의 자외선 적산광량계 UIT-250, 수광기 UVD-S365 등의 소위 조도계를 사용하여 측정한 조도를 규격화하여 상대(相對)하는 조도로서 사용할 수 있다. 또한, 조도계는 상기에 한정되지 않고, 예를 들어 오쿠세이사쿠쇼제의 UV-MO3A, 수광기 UV-SN35를 사용해도 좋다. 또한, 상대조도는 예를 들어 피조사물(W)이 놓이는 위치에, 자외선을 수광하여 전기신호를 출력하는 수광소자를 사용하여 상대적으로 자외선 강도의 변화를 검출하는 것이어도 좋다.The solid-state light-emitting device 23 constituting the solid-state light-emitting device array 22 is to emit ultraviolet rays vibrating in all directions evenly, and is composed of a Light Emitting Diode (LED), a Laser Diode (LD), and the like. The solid light emitting device 23 emits ultraviolet rays having a peak wavelength of 240 nm or more and 450 nm or less. In addition, the peak wavelength referred to in the present specification refers to a wavelength of an ultraviolet ray having the strongest relative illuminance among ultraviolet rays emitted by the solid light emitting device 23 . In addition, the relative illuminance referred to in the present invention is an indicator indicating the relative illuminance of ultraviolet rays emitted from the light emitting unit 20 , that is, the solid light emitting device 23 . Relative illuminance can be used as illuminance which normalizes the illuminance measured using so-called illuminance meters, such as the UV-integrated light meter UIT-250 made by Ushio Denki, and the light receiver UVD-S365, for example, and compares it. In addition, the illuminance meter is not limited to the above, For example, you may use UV-MO3A by Okusei Co., Ltd., and UV-SN35 light receiver. The relative illuminance may be, for example, a position where the irradiated object W is placed, by using a light receiving element that receives an ultraviolet ray and outputs an electric signal to relatively detect a change in the ultraviolet ray intensity.

전류조정수단(30)은 2 이상 설치되고, 발광부(20)의 1 이상의 고체발광소자열(22)에 대응하여 설치되어 있다. 실시형태 2에서는 전류조정수단(30)은 고체발광소자열(22)과 1대 1로 대응하고 있다. 전류조정수단(30)은 예를 들어 저항값이 변경 가능한 가변저항기 등으로 구성되고, 대응하는 고체발광소자열(22)을 구성하는 복수의 고체발광소자(23)와 직렬로 접속되어 있다. 전류조정수단(30)은 저항값을 변경함으로써 대응하는 고체발광소자열(22)의 고체발광소자(23)에 흐르는 전류값을 변경 가능한 것이다. 전류조정수단(30)은 실장기판(21)에 실장되어도 좋고, 실장기판(21) 밖에 배치되어도 좋다.Two or more current adjusting means 30 are provided to correspond to one or more solid light emitting element rows 22 of the light emitting unit 20 . In Embodiment 2, the current adjusting means 30 corresponds to the solid light emitting element string 22 in a one-to-one manner. The current adjusting means 30 is constituted by, for example, a variable resistor whose resistance value can be changed, and is connected in series with a plurality of solid light emitting elements 23 constituting the corresponding solid light emitting element array 22 . The current adjusting means 30 is capable of changing the value of the current flowing through the solid light emitting element 23 of the corresponding solid light emitting element row 22 by changing the resistance value. The current adjusting means 30 may be mounted on the mounting substrate 21 or may be disposed outside the mounting substrate 21 .

방열수단(40)은 소정의 선으로서의 X축 방향에 대해서 직교(교차)하는 Y축 방향으로 실장기판(21)의 이면(21b)을 따라서, 유체로서의 기체를 유동시켜 발광부(20)의 교차하는 방향으로서의 Y축 방향에 인접하는 2이상의 고체발광소자열(22)의 고체발광소자(23)가 발하는 열을 광원장치(1) 밖으로 방열하는 것이다. 실시형태 2에서는 방열수단(40)은 Y축 방향으로 기체를 유동시키고, 모든 고체발광소자열(22)의 고체발광소자(23)가 발하는 열을 광원장치(1) 밖으로 방열한다. 방열수단(40)은 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 히트싱크(41)와 방열팬(42) 등으로 구성되어 있다. 히트싱크(41)는 발광부(20)의 실장기판(21) 표면(21a)의 이면측의 이면(21b)에 부착되어 있다. 히트싱크(41)는 알루미늄 합금 등의 열저항이 낮은 재료(금속 등)로 구성되어 있다. 본 실시형태에서 히트싱크(41)는 실장기판(21)의 이면(21b)에 부착된 평판형상의 기판부착부(41a)와, 기판부착부(41a)로부터 스테이지(10)로부터 멀어지는 방향으로 돌출된 복수의 핀(41b)을 일체로 구비하고 있다. 핀(41b)은 기판부착부(41a)로부터 Z축 방향으로 돌출되고 또한 Y축 방향으로 직선형상으로 연장된 평판형상으로 형성되며, X축 방향으로 간격을 두고 등간격으로 복수 설치되어 있다.The heat dissipation means 40 flows the gas as a fluid along the back surface 21b of the mounting substrate 21 in the Y-axis direction orthogonal (intersecting) to the X-axis direction as a predetermined line, so that the light emitting unit 20 intersects. The heat generated by the solid light emitting elements 23 of the two or more solid light emitting element rows 22 adjacent to the Y-axis direction as a direction to radiate heat to the outside of the light source device 1 . In the second embodiment, the heat dissipating means 40 flows the gas in the Y-axis direction and radiates heat generated by the solid light emitting elements 23 of all the solid light emitting element rows 22 out of the light source device 1 . As shown in FIGS. 3 and 4 , the heat dissipation means 40 includes a heat sink 41 and a heat dissipation fan 42 . The heat sink 41 is attached to the rear surface 21b on the rear surface side of the surface 21a of the mounting substrate 21 of the light emitting unit 20 . The heat sink 41 is made of a material (metal, etc.) having low thermal resistance, such as an aluminum alloy. In this embodiment, the heat sink 41 protrudes in a direction away from the stage 10 from the flat plate-shaped substrate attachment portion 41a attached to the back surface 21b of the mounting substrate 21 and the substrate attachment portion 41a. A plurality of fins 41b are provided integrally. The pins 41b are formed in a flat plate shape protruding from the substrate attaching portion 41a in the Z-axis direction and extending linearly in the Y-axis direction, and are provided in plurality at equal intervals in the X-axis direction.

방열팬(42)은 히트싱크(41)의 Y축 방향의 일단부에 부착되고 회전함으로써, 광원장치(1) 밖의 유체로서의 기체를 히트싱크(41)의 핀(41b) 사이 등에 편성하고, 핀(41b)간에 유동시킨 후 광원장치(1) 밖으로 배출한다. 방열팬(42)은 기체를 핀(41b)간에 유동시킴으로써, 고체발광소자열(22)의 고체발광소자(23)가 발하는 열을 실장기판(21), 히트싱크(41) 등을 통하여, 광원장치(1) 밖으로 방열한다.The heat dissipation fan 42 is attached to one end of the heat sink 41 in the Y-axis direction and rotates to knit the gas as a fluid outside the light source device 1 between the fins 41b of the heat sink 41 and the like, and the fins After flowing between (41b), it is discharged out of the light source device (1). The heat dissipation fan 42 flows the gas between the fins 41b, thereby dissipating heat generated by the solid light emitting device 23 of the solid light emitting device row 22 through the mounting substrate 21, the heat sink 41, and the like, a light source. Dissipate heat outside the device (1).

또한, 본 발명에서 방열수단(40)은 실장기판(21)의 이면(21b)에 부착되고 또한 내측이 밀폐되어 내측에 유체로서의 액체가 유동되는 상자 형상의 히트파이프와, 히트파이프내의 액체를 유동시키는 펌프 등으로 구성되어도 좋다.In addition, in the present invention, the heat dissipation means 40 is attached to the back surface 21b of the mounting substrate 21 and the inside is sealed so that the liquid as a fluid flows inside the box-shaped heat pipe, and the liquid in the heat pipe flows. It may be composed of a pump or the like.

케이스체(50)는 실장기판(21)의 이면(21b) 및 방열수단(40)의 히트싱크(41)를 덮는 것이다. 본 실시형태에서 케이스체(50)는 Y축 방향의 양단부가 개구한 상자형상으로 형성되어 있다. 케이스체(50)는 방열수단(40)의 방열팬(42)이 회전함으로써, 방열팬(42)으로부터 떨어진 측의 한쪽의 개구부(50a)를 통하여 유체로서의 기체를 편성하고, 방열팬(42) 근처의 다른쪽 개구부(50b)로부터 히트싱크(41)에 의해 가열된 기체를 외부에 배출한다.The case body 50 covers the back surface 21b of the mounting substrate 21 and the heat sink 41 of the heat dissipation means 40 . In the present embodiment, the case body 50 is formed in a box shape in which both ends in the Y-axis direction are opened. In the case body 50, when the heat radiation fan 42 of the heat radiation means 40 rotates, the gas as a fluid is knitted through one opening 50a on the side away from the heat radiation fan 42, and the heat radiation fan 42. The gas heated by the heat sink 41 is discharged to the outside from the other opening 50b nearby.

온도검출수단(60)은 발광부(20)의 소정의 위치에 설치되고 또한 소정의 위치의 온도를 검출 가능한 것이다. 실시형태 2에서는 온도검출수단(60)은 방열수단(40)에 의한 유체로서의 기체의 유동방향인 Y축 방향으로 간격을 두고 발광부(20)에 복수개 설치되어 있다. 실시형태 2에서 온도검출수단(60)은 실장기판(21)의 표면(21a)의 케이스체(50)의 한쪽 개구부(50a) 근처의 끝의 X축 방향의 중앙과, 실장기판(21) 표면(21a)의 케이스체(50)의 다른쪽 개구부(50b) 근처 끝의 X축 방향의 중앙의 각각에 설치되어, 합계 2개 설치되어 있다. 온도검출수단(60)은 검출결과를 제어수단(70)에 출력한다.The temperature detecting means 60 is provided at a predetermined position of the light emitting unit 20 and is capable of detecting the temperature of the predetermined position. In the second embodiment, a plurality of temperature detecting means 60 are provided in the light emitting unit 20 at intervals in the Y-axis direction, which is the flow direction of the gas as a fluid by the heat dissipating means 40 . In the second embodiment, the temperature detecting means 60 includes a center in the X-axis direction of the end near one opening 50a of the case body 50 of the surface 21a of the mounting substrate 21, and the surface of the mounting substrate 21 The case body 50 of (21a) is provided at the center of the X-axis direction at the end near the other opening 50b, and two in total are provided. The temperature detection means (60) outputs the detection result to the control means (70).

제어수단(70)은 자외선 조사장치(100)에 의한 자외선의 조사동작을 제어하는 것이다. 제어수단(70)은 예를 들어 CPU 등으로 구성된 연산처리장치나 ROM, RAM 등을 구비하는 도시하지 않은 마이크로프로세서를 주체로 하여 구성되어 있고, 처리동작의 상태를 표시하는 표시수단이나, 오퍼레이터가 처리내용정보 등을 등록할 때 사용하는 조작수단과 접속되어 있다.The control means 70 controls the irradiation operation of ultraviolet rays by the ultraviolet irradiation device 100 . The control means 70 is mainly constituted by a microprocessor (not shown) including an arithmetic processing unit including, for example, a CPU or a ROM, a RAM, etc. It is connected to the operation means used when registering content information and the like.

제어수단(70)은 광원장치(1)의 발광부(20)의 각 고체발광소자열(22)에 대응하여 설치된 전류조정수단(30)을 제어하여, 각 고체발광소자열(22) 내의 고체발광소자(23)에 흐르는 전류값을 변경한다. 제어수단(70)은 각 고체발광소자열(22) 내의 고체발광소자(23)에 흐르는 전류값을 변경할 때, 복수의 고체발광소자열(22)의 고체발광소자(23)가 방출하는 자외선의 상대조도가 동등해지도록, 온도검출수단(60)의 검출결과에 기초하여, 각 전류조정수단(30)에 대응하는 고체발광소자열(22) 내의 고체발광소자(23)에 흐르는 전류값을 변경시킨다.The control means 70 controls the current adjusting means 30 provided in correspondence with each solid light emitting element string 22 of the light emitting part 20 of the light source device 1 to control the solid state in each solid light emitting element string 22 . The value of the current flowing through the light emitting element 23 is changed. The control means 70 changes the value of the current flowing through the solid light emitting device 23 in each solid light emitting element string 22, Based on the detection result of the temperature detecting means 60, the current value flowing through the solid light emitting element 23 in the solid light emitting element row 22 corresponding to each current adjusting means 30 is changed so that the relative illuminance becomes equal. make it

다음에, 자외선 조사장치(100)의 피조사물(W)의 처리동작을 설명한다. 우선, 오퍼레이터가 처리내용정보를 제어수단(70)에 등록하고, 처리동작의 개시지시가 있었던 경우에 처리동작을 개시한다. 처리동작이 개시되면, 제어수단(70)은 광원장치(1)의 방열수단(40)의 방열팬(42)을 작동시킨다.Next, the processing operation of the irradiated object W of the ultraviolet irradiation apparatus 100 will be described. First, the operator registers the processing content information in the control means 70, and when there is an instruction to start the processing operation, the processing operation is started. When the processing operation is started, the control means 70 operates the heat radiation fan 42 of the heat radiation means 40 of the light source device 1 .

그리고, 자외선 조사장치(100)는 방열수단(40)의 방열팬(42)을 작동시키고 나서 소정 시간 경과하면, 스테이지(10)의 배치면(10a)상에 피조사물(W)을 배치하고, 발광부(20)의 각 고체발광소자열(22)의 각 고체발광소자(23)로부터 자외선을 방출하고, 배치면(10a)상의 피조사물(W)에 자외선을 조사한다. 제어수단(70)은 전류조정수단(30)을 제어하여, 각 고체발광소자열(22)에 전력을 인가한다. 일정시간, 자외선이 조사된 피조사물(W)은 스테이지(10)의 배치면(10a)상으로부터 분리되고, 자외선 조사전의 피조사물(W)이 스테이지(10)의 배치면(10a)에 배치된다. 전술한 공정과 동일하게 자외선을 조사한다.Then, the ultraviolet irradiation device 100 operates the heat dissipation fan 42 of the heat dissipation means 40, and when a predetermined time elapses, the irradiated object W is disposed on the arrangement surface 10a of the stage 10, Ultraviolet rays are emitted from each solid light emitting element 23 of each solid light emitting element row 22 of the light emitting part 20, and the ultraviolet ray is irradiated to the irradiated object W on the arrangement surface 10a. The control means 70 controls the current adjustment means 30 to apply power to each solid light emitting element array 22 . For a certain period of time, the irradiated object W irradiated with ultraviolet rays is separated from the arrangement surface 10a of the stage 10 , and the irradiated object W before ultraviolet irradiation is arranged on the arrangement surface 10a of the stage 10 . . UV rays are irradiated in the same manner as in the above-described process.

본 발명의 자외선 조사장치(100)는 필요에 따라서, 광원장치(1)와 스테이지(10) 사이에 필터나 광학소자를 설치해도 좋다.In the ultraviolet irradiation apparatus 100 of the present invention, if necessary, a filter or an optical element may be provided between the light source apparatus 1 and the stage 10 .

전술한 구성의 실시형태에 관한 광원장치(1)는 제어수단(70)이 복수의 고체발광소자열(22)의 고체발광소자(23)가 방출하는 자외선의 상대조도가 동등해지도록, 각 전류조정수단(30)에 대응하는 고체발광소자열(22)의 고체발광소자(23)에 흐르는 전류값을 변경시킨다. 이 때문에, 광원장치(1)는 피조사물(W)에 조사되는 자외선의 조도 불균일을 억제할 수 있다. 따라서, 광원장치(1)는 피조사물(W)에 대한 자외선의 불균일한 조사를 억제할 수 있다.In the light source device 1 according to the embodiment of the above-described configuration, the control means 70 controls each current so that the relative illuminances of the ultraviolet rays emitted by the solid light emitting elements 23 of the plurality of solid light emitting element rows 22 are equal. The value of the current flowing through the solid light emitting element 23 of the solid light emitting element column 22 corresponding to the adjusting means 30 is changed. For this reason, the light source device 1 can suppress the illuminance nonuniformity of the ultraviolet-ray irradiated to the to-be-irradiated object W. Therefore, the light source device 1 can suppress the non-uniform irradiation of the ultraviolet rays to the irradiated object W. As shown in FIG.

또한, 광원장치(1)는 발광부(20)의 소정의 위치로서의 실장기판(21)의 표면(21a)상의 온도를 검출하는 온도검출수단(60)을 구비하고, 제어수단(70)이 온도검출수단(60)의 검출결과에 기초하여 각 전류조정수단(30)을 제어한다. 이 때문에 광원장치(1)는 피조사물(W)에 조사되는 자외선의 조도 불균일을 억제할 수 있다. 이 때문에, 광원장치(1)는 복수의 고체발광소자열(22)의 고체발광소자(23)가 방출하는 자외선의 상대조도가 매우 동등해지도록 할 수 있고, 피조사물(W)에 조사되는 자외선의 조도 불균일을 억제할 수 있다. 따라서, 광원장치(1)는 피조사물(W)에 대한 자외선의 불균일한 조사를 억제할 수 있다.In addition, the light source device 1 is provided with a temperature detecting means 60 for detecting the temperature on the surface 21a of the mounting substrate 21 as a predetermined position of the light emitting part 20, and the control means 70 is the temperature Each current adjustment means 30 is controlled based on the detection result of the detection means 60 . For this reason, the light source device 1 can suppress the illuminance nonuniformity of the ultraviolet-ray irradiated to the to-be-irradiated object W. As shown in FIG. For this reason, the light source device 1 can make the relative illuminance of the ultraviolet rays emitted by the solid light emitting elements 23 of the plurality of solid light emitting element rows 22 to be very equal, and the ultraviolet ray irradiated to the irradiated object W. It is possible to suppress the illuminance unevenness of Therefore, the light source device 1 can suppress the non-uniform irradiation of the ultraviolet rays to the irradiated object W. As shown in FIG.

또한, 광원장치(1)에는 온도검출수단(60)을, 유체의 유동방향을 따라서 간격을 두고 복수개 설치함으로써, 각 전류조정수단(30)에 대응하는 고체발광소자열(22)의 고체발광소자(23)에 흐르는 전류값을 변경시킬 수 있다. 이 때문에, 광원장치(1)는 복수의 고체발광소자열(22)의 고체발광소자(23)가 방출하는 자외선의 상대조도가 매우 동등해지도록 할 수 있고, 피조사물(W)에 조사되는 자외선의 조도 불균일을 억제할 수 있다. 따라서, 광원장치(1)는 피조사물(W)에 대한 자외선의 불균일한 조사를 억제할 수 있다.In addition, a plurality of temperature detecting means 60 are provided in the light source device 1 at intervals along the flow direction of the fluid, so that the solid light emitting element of the solid light emitting element array 22 corresponding to each current adjusting means 30 is provided. The value of the current flowing in (23) can be changed. For this reason, the light source device 1 can make the relative illuminance of the ultraviolet rays emitted by the solid light emitting elements 23 of the plurality of solid light emitting element rows 22 to be very equal, and the ultraviolet ray irradiated to the irradiated object W. It is possible to suppress the illuminance unevenness of Therefore, the light source device 1 can suppress the non-uniform irradiation of the ultraviolet rays to the irradiated object W. As shown in FIG.

또한, 광원장치(1)에는 고체발광소자(22)의 피크 파장이 240㎚ 이상 450㎚ 이하의 자외선을 방출함으로써, 피조사물(W)에 대한 자외선의 불균일한 조사를 억제할 수 있다.In addition, the light source device 1 emits ultraviolet rays having a peak wavelength of 240 nm or more and 450 nm or less of the solid light emitting device 22 , so that non-uniform irradiation of ultraviolet rays to the irradiated object W can be suppressed.

[변형예 2-1][Modified Example 2-1]

다음에, 본 발명의 실시형태 2의 변형예 2-1에 관한 광원장치(1-1)를 도면에 기초하여 설명한다. 도 6은 실시형태 2의 변형예 2-1에 관한 광원장치의 개략적인 구성을 하방에서 본 개략 구성 블럭도이다. 도 6에서 전술한 실시형태 2와 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙여 설명을 생략한다.Next, a light source device 1-1 according to Modification 2-1 of Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 6 is a schematic structural block diagram of a schematic configuration of a light source device according to Modification 2-1 of the second embodiment as viewed from below. In FIG. 6, the same parts as those of Embodiment 2 described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

실시형태 2의 변형예 2-1에 관한 광원장치(1-1)는 도 6에 도시한 바와 같이 온도검출수단(60)을 구비하고 있지 않다. 또한, 광원장치(1-1)의 제어수단(70)은 미리 기억해 둔 값에 기초하여 전류조정수단(30)을 제어한다.The light source device 1-1 according to Modification 2-1 of the second embodiment does not include the temperature detecting means 60 as shown in FIG. In addition, the control means 70 of the light source device 1-1 controls the current adjustment means 30 based on a value stored in advance.

실시형태 2의 변형예 2-1에 관한 광원장치(1-1)는 실시형태 2와 동일하게, 피조사물(W)에 조사되는 자외선의 조도 불균일을 억제할 수 있고, 피조사물(W)에 대한 자외선의 불균일한 조사를 억제할 수 있다.The light source device 1-1 according to the modified example 2-1 of the second embodiment can suppress the unevenness of the illuminance of the ultraviolet ray irradiated to the irradiated object W, similarly to the second embodiment, and It is possible to suppress non-uniform irradiation of ultraviolet rays.

[변형예 2-2][Modified Example 2-2]

다음에, 본 발명의 실시형태 2의 변형예 2-2에 관한 광원장치(1-2)를 도면에 기초하여 설명한다. 도 7은 실시형태 2의 변형예 2-2에 관한 광원장치의 개략적인 구성을 하방에서 본 개략 구성 블럭도이다. 도 7에서 전술한 실시형태 2와 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙여 설명을 생략한다.Next, a light source device 1-2 according to Modification 2-2 of Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 7 is a schematic block diagram showing the schematic configuration of a light source device according to Modification 2-2 of the second embodiment as viewed from below. In FIG. 7, the same parts as those of Embodiment 2 described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

실시형태 2의 변형예 2-2에 관한 광원장치(1-2)는 도 7에 도시한 바와 같이, 각 고체발광소자열(22)에 대응시킨 온도검출수단(60)을 구비하고 있다. 즉, 변형예 2-2에 관한 광원장치(1-2)는 고체발광소자열(22)과 온도검출수단(60)이 1대 1로 대응하고, 대응하고 있는 고체발광소자열(22)과 온도검출수단(60)이 근접하는 위치에 배치되어 있다.As shown in FIG. 7, the light source device 1-2 according to Modification 2-2 of the second embodiment includes a temperature detecting means 60 corresponding to each solid light-emitting element string 22. As shown in FIG. That is, in the light source device 1-2 according to Modification Example 2-2, the solid-state light-emitting element string 22 and the temperature detecting means 60 correspond one-to-one, and the corresponding solid-state light-emitting element string 22 and The temperature detecting means 60 is arranged at a position adjacent to it.

실시형태 2의 변형예 2-2에 관한 광원장치(1-2)는 실시형태 2와 동일하게, 피조사물(W)에 조사되는 자외선의 조도 불균일을 억제할 수 있고, 피조사물(W)에 대한 자외선의 불균일한 조사를 억제할 수 있다.The light source device 1-2 according to the modification 2-2 of the second embodiment can suppress the unevenness of the illuminance of the ultraviolet ray irradiated to the irradiated object W, similarly to the second embodiment, and It is possible to suppress non-uniform irradiation of ultraviolet rays.

[실시형태 3][Embodiment 3]

다음에, 본 발명의 실시형태 3에 관한 광원장치(2)를 도면에 기초하여 설명한다. 도 8은 실시형태 3에 관한 광원장치의 개략적인 구성을 하방에서 본 개략 구성 블럭도이다. 도 8에서 전술한 실시형태 2 등과 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.Next, a light source device 2 according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 8 is a schematic structural block diagram showing the schematic configuration of the light source device according to the third embodiment as viewed from below. In Fig. 8, the same parts as those of the second embodiment and the like described above are denoted by the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.

실시형태 3에 관한 광원장치(2)는 도 8에 도시한 바와 같이, 각 고체발광소자열(22)이 X축 방향과 평행인 복수의 직선상에 직렬로 접속된 고체발광소자(23)를 배치하고 있다. 또한, 도 8은 온도검출수단(60)을 생략하고 있지만, 실시형태 3에서는 온도검출수단(60)을 실시형태 2, 변형예 2-2와 동일하게 배치해도 좋다.As shown in Fig. 8, the light source device 2 according to the third embodiment includes solid light emitting elements 23 in which each solid light emitting element row 22 is connected in series on a plurality of straight lines parallel to the X-axis direction. are placing In addition, although the temperature detection means 60 is abbreviate|omitted in FIG. 8, in Embodiment 3, you may arrange|position the temperature detection means 60 similarly to Embodiment 2 and Modification 2-2.

실시형태 3에 관한 광원장치(2)는 실시형태 2와 동일하게, 피조사물(W)에 조사되는 자외선의 조도 불균일을 억제할 수 있어, 피조사물(W)에 대한 자외선의 불균일한 조사를 억제할 수 있다.The light source device 2 according to the third embodiment can suppress uneven illuminance of the ultraviolet ray irradiated to the irradiated object W, and suppresses the non-uniform irradiation of the ultraviolet ray to the irradiated object W, similarly to the second embodiment. can do.

[실시형태 4][Embodiment 4]

다음에, 본 발명의 실시형태 4에 관한 광원장치(3)를 도면에 기초하여 설명한다. 도 9는 실시형태 4에 관한 광원장치의 개략적인 구성을 하방에서 본 개략 구성 블럭도이다. 도 9에서 전술한 실시형태 2, 실시형태 3 등과 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙여 설명을 생략한다.Next, a light source device 3 according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 9 is a schematic block diagram showing the schematic configuration of a light source device according to the fourth embodiment as viewed from below. In Fig. 9, the same parts as those of the second embodiment, the third embodiment, and the like described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

실시형태 4에 관한 광원장치(3)는 도 9에 도시한 바와 같이, 각 고체발광소자열(22)이 X축 방향과 평행인 복수의 직선상에 직렬로 접속한 고체발광소자(23)를 배치하고 있다. 또한, 실시형태 4에서는 실시형태 2와 동일하게, 각 고체발광소자열(22)을 X축 방향과 평행인 1개의 직선상에 고체발광소자(23)를 배치해도 좋다. 또한, 도 9에는 온도검출수단(60)을 생략하고 있지만, 실시형태 4에서는 온도검출수단(60)을 실시형태 2, 변형예 2-2와 동일하게 배치해도 좋다.As shown in Fig. 9, the light source device 3 according to the fourth embodiment includes solid light emitting elements 23 in which each solid light emitting element row 22 is connected in series on a plurality of straight lines parallel to the X-axis direction. are placing Further, in the fourth embodiment, similarly to the second embodiment, the solid light emitting element rows 22 may be arranged on a single straight line parallel to the X-axis direction. In addition, although the temperature detection means 60 is abbreviate|omitted in FIG. 9, in Embodiment 4, you may arrange|position the temperature detection means 60 similarly to Embodiment 2 and Modification Example 2-2.

또한, 실시형태 4에 관한 광원장치(3)의 방열수단(40)은 도 9에 도시한 바와 같이 Y축 방향의 양단에 기체를 케이스체(50)내에 흡인하는 팬(43)을 설치하고, Y축 방향의 중앙으로부터 케이스체(50) 밖으로 기체를 배출하는 배출구(44)를 설치하고 있다.Further, in the heat dissipation means 40 of the light source device 3 according to the fourth embodiment, as shown in FIG. 9, fans 43 for sucking gas into the case body 50 are provided at both ends in the Y-axis direction, An exhaust port 44 for discharging gas out of the case body 50 from the center in the Y-axis direction is provided.

실시형태 4에 관한 광원장치(3)는 실시형태 2 등과 동일하게, 피조사물(W)에 조사되는 자외선의 조도 불균일을 억제할 수 있고, 피조사물(W)에 대한 자외선의 불균일한 조사를 억제할 수 있다.The light source device 3 according to the fourth embodiment can suppress uneven illuminance of the ultraviolet ray irradiated to the irradiated object W, and suppresses the non-uniform irradiation of the ultraviolet ray to the irradiated object W, similarly to the second embodiment and the like. can do.

[실시형태 5][Embodiment 5]

다음에 본 발명의 실시형태 5에 관한 광원장치(4)를 도면에 기초하여 설명한다. 도 10은 실시형태 5에 관한 광원장치의 개략적인 구성을 하방에서 본 개략 구성 블럭도이다. 도 10에서 전술한 실시형태 2 등과 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙여 설명을 생략한다.Next, a light source device 4 according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 10 is a schematic structural block diagram of a schematic configuration of a light source device according to a fifth embodiment as viewed from below. In Fig. 10, the same parts as in Embodiment 2 and the like described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

실시형태 5에 관한 광원장치(4)는 각 고체발광소자열(22)을 X축 방향과 평행인 직선형상으로 형성하고, 도 10에 도시한 바와 같이 서로 인접하는 각 고체발광소자열(22)에 흐르는 전류의 방향을 역방향으로 하고 있다. 또한, 도 10에는 온도검출수단(60)을 생략하고 있지만, 실시형태 5에서는 온도검출수단(60)을 실시형태 2, 변형예 2-2와 동일하게 배치해도 좋다. 또한, 도 10에서 전류조정수단(30)을 생략하고 있지만, 본 발명에서는 각 고체발광소자열(22)에 대응시켜 전류조정수단(30)을 설치하고 있다. 또한, 도 10에서는 제어수단(70)을 생략하고 있다.In the light source device 4 according to the fifth embodiment, each solid light-emitting element string 22 is formed in a straight line parallel to the X-axis direction, and as shown in FIG. 10, each solid light-emitting element string 22 adjacent to each other. The direction of the current flowing through it is reversed. In addition, although the temperature detection means 60 is abbreviate|omitted in FIG. 10, in Embodiment 5, you may arrange|position the temperature detection means 60 similarly to Embodiment 2 and Modification 2-2. In addition, although the current adjusting means 30 is omitted in FIG. 10, the current adjusting means 30 is provided in correspondence with each solid light emitting element array 22 in the present invention. In addition, in FIG. 10, the control means 70 is abbreviate|omitted.

실시형태 5에 관한 광원장치(4)는 실시형태 2 등과 동일하게, 피조사물(W)에 조사되는 자외선의 조도 불균일을 억제할 수 있고, 피조사물(W)에 대한 자외선의 불균일한 조사를 억제할 수 있다.The light source device 4 according to the fifth embodiment can suppress uneven illuminance of the ultraviolet ray irradiated to the irradiated object W, and suppresses the non-uniform irradiation of the ultraviolet ray to the irradiated object W, similarly to the second embodiment and the like. can do.

[실시형태 6][Embodiment 6]

다음에, 본 발명의 실시형태 6에 관한 광원장치(5)를 도면에 기초하여 설명한다. 도 11의 (a)는 실시형태 6에 관한 광원장치의 측면도이고, 도 11의 (b)는 실시형태 6에 관한 광원장치의 개략적인 구성을 하방에서 본 평면도이다. 도 11에서, 전술한 실시형태 2 등과 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.Next, a light source device 5 according to a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 11(a) is a side view of the light source device according to the sixth embodiment, and Fig. 11(b) is a plan view of the schematic configuration of the light source device according to the sixth embodiment as viewed from below. In Fig. 11, the same reference numerals are given to the same parts as in the second embodiment and the like, and descriptions thereof are omitted.

실시형태 6에 관한 광원장치(5)는 도 11의 (a)에 도시한 바와 같이 이면(21b)이 서로 간격을 두고 대향하도록 실장기판(21)을 한쌍 설치하고, 각 실장기판(21)의 표면(21a)상에 X축 방향과 평행인 복수의 고체발광소자열(22)을 설치하고 있다. 또한, 케이스체(50)가 실장기판(21)의 X축 방향의 양단을 연결하고, 방열수단(40)이 실장기판(21) 사이에서 Y축 방향을 따라서 기체를 유동시킨다. 또한, 도 11에는 온도검출수단(60)을 생략하고 있지만, 실시형태 6에서는 온도검출수단(60)을 실시형태 2, 변형예 2-2와 동일하게 배치해도 좋다. 또한, 도 11에서 전류조정수단(30)을 생략하고 있지만, 본 발명에서는 각 고체발광소자열(22)에 대응시켜 전류조정수단(30)을 설치하고 있다. 또한, 도 11에서는 제어수단(70)을 생략하고 있다.In the light source device 5 according to the sixth embodiment, as shown in Fig. 11(a), a pair of mounting substrates 21 are provided so that the rear surfaces 21b face each other at a distance from each other, and A plurality of solid light emitting element rows 22 parallel to the X-axis direction are provided on the surface 21a. In addition, the case body 50 connects both ends of the mounting substrate 21 in the X-axis direction, and the heat dissipating means 40 flows the gas along the Y-axis direction between the mounting substrates 21 . In addition, although the temperature detection means 60 is abbreviate|omitted in FIG. 11, you may arrange|position the temperature detection means 60 in Embodiment 6 similarly to Embodiment 2 and Modification Example 2-2. In addition, although the current adjusting means 30 is omitted in FIG. 11, the current adjusting means 30 is provided in correspondence with each solid light emitting element array 22 in the present invention. In addition, in FIG. 11, the control means 70 is abbreviate|omitted.

실시형태 6에 관한 광원장치(5)는 실시형태 2 등과 동일하게 피조사물(W)에 조사되는 자외선의 조도 불균일을 억제할 수 있어, 피조사물(W)에 대한 자외선의 불균일한 조사를 억제할 수 있다.The light source device 5 according to the sixth embodiment can suppress uneven illuminance of the ultraviolet ray irradiated to the irradiated object W in the same manner as in the second embodiment and the like, thereby suppressing the uneven irradiation of the ultraviolet ray to the irradiated object W can

[실시형태 7][Embodiment 7]

다음에, 본 발명의 실시형태 7에 관한 광원장치(6)를 도면에 기초하여 설명한다. 도 12는 실시형태 7에 관한 광원장치를 구비한 자외선 조사장치의 Y축 방향에서 본 측면도이고, 도 13은 실시형태 7에 관한 광원장치의 개략적인 구성을 도시한 사시도이며, 도 14는 실시형태 7에 관한 광원장치의 측면도이다. 도 15는 실시형태 7의 변형예 2-1에 관한 광원장치의 개략적인 구성을 도시한 사시도이고, 도 16은 실시형태 7의 변형예 2-2에 관한 광원장치의 개략적인 구성을 도시한 사시도이다. 도 12 내지 도 16에서 전술한 실시형태 2 등과 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙여 설명을 생략한다.Next, a light source device 6 according to a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 12 is a side view of an ultraviolet irradiation device having a light source device according to the seventh embodiment, seen from the Y-axis direction, Fig. 13 is a perspective view showing a schematic configuration of the light source device according to the seventh embodiment, and Fig. 14 is the embodiment 7 is a side view of the light source device. Fig. 15 is a perspective view showing a schematic configuration of a light source device according to Modification 2-1 of the seventh embodiment, and Fig. 16 is a perspective view showing a schematic configuration of a light source device according to Modification Example 2-2 of the seventh embodiment. am. In Figs. 12 to 16, the same parts as in Embodiment 2 and the like described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

실시형태 7에 관한 광원장치(6)는 도 13 및 도 14에 도시한 바와 같이, 단면이 원고리 형상인 실장기판(21)의 외주면(21a)에 복수의 고체발광소자열(22)을 설치하고 있다. 고체발광소자열(22)은 실장기판(21)의 외주면(21a) 상에 소정의 선으로서의 둘레에 배치되고 또한 직렬로 접속된 복수의 고체발광소자(23)를 갖고 있다. 복수의 고체발광소자열(22)은 소정의 선에 직교(교차)하는 Y축 방향으로 복수 나열되어 배치되어 있다. 방열수단(40)은 Y축 방향을 따라서 실장기판(21)의 내측에 유체로서의 기체를 유동시키고, 고체방열소자(23)가 발하는 열을 방열한다. 또한, 온도검출수단(60)을 실장기판(21)의 외주면(21a)의 Y축 방향의 양단에 설치되어 있다. 또한, 실시형태 6에 관한 광원장치(6)를 구비한 자외선 조사장치(100)는 광원장치(6)의 고체발광소자(23)가 방출한 자외선을 스테이지(10)의 배치면(10a)상의 피조사물(W)을 향하여 반사하는 미러(101)를 구비하고 있다.In the light source device 6 according to the seventh embodiment, as shown in Figs. 13 and 14, a plurality of solid-state light emitting element rows 22 are provided on the outer peripheral surface 21a of the mounting substrate 21 having a circular cross section. are doing The solid light emitting element array 22 has a plurality of solid light emitting elements 23 arranged on the periphery as a predetermined line on the outer peripheral surface 21a of the mounting substrate 21 and connected in series. The plurality of solid light emitting element arrays 22 are arranged in a plurality in the Y-axis direction orthogonal to (intersecting) the predetermined line. The heat dissipating means 40 flows a gas as a fluid inside the mounting substrate 21 along the Y-axis direction, and radiates heat generated by the solid heat dissipating element 23 . Further, the temperature detecting means 60 is provided at both ends of the outer peripheral surface 21a of the mounting substrate 21 in the Y-axis direction. Further, the ultraviolet irradiation device 100 provided with the light source device 6 according to the sixth embodiment emits the ultraviolet light emitted by the solid light emitting device 23 of the light source device 6 on the arrangement surface 10a of the stage 10 . A mirror 101 that reflects toward the irradiated object W is provided.

또한, 실시형태 7의 변형예 2-1에 관한 광원장치(6-1)는 도 15에 도시한 바와 같이 각 고체발광소자열(22)에 대응하여 온도검출수단(60)을 설치하고, 실시형태 7의 변형예 2-2에 관한 광원장치(6-2)는 도 16에 도시한 바와 같이, 온도검출수단(60)을 설치하지 않았다.Further, in the light source device 6-1 according to Modification 2-1 of the seventh embodiment, as shown in FIG. 15, a temperature detecting means 60 is provided in correspondence with each solid light emitting element row 22, and the As shown in FIG. 16, the light source device 6-2 according to Modification 2-2 of the 7th mode does not include the temperature detecting means 60. As shown in FIG.

실시형태 7, 변형예 2-1 및 변형예 2-2에 관한 광원장치(6, 6-1, 6-2)는 실시형태 2 등과 동일하게, 피조사물(W)에 조사되는 자외선의 조도 불균일을 억제할 수 있고, 피조사물(W)에 대한 자외선의 불균일한 조사를 억제할 수 있다.The light source devices 6, 6-1, and 6-2 according to the 7th embodiment, the modified example 2-1, and the modified example 2-2 have non-uniform illuminance of the ultraviolet ray irradiated to the irradiated object W, similarly to the second embodiment and the like. can be suppressed, and non-uniform irradiation of ultraviolet rays to the irradiated object W can be suppressed.

전술한 실시형태 2~7 등의 광원장치(1, 1-1, 1-2, 2, 3, 4, 5, 6, 6-1, 6-2)는 액정패널의 경화나 중합, 접합 등의 광반응 공정에 사용되는 자외선 조사장치(100)를 구성하는 예를 도시하고 있다. 그러나, 본 발명의 광원장치(1, 1-1, 1-2, 2, 3, 4, 5, 6, 6-1, 6-2)는 예를 들어 반도체 제조장치나 화학물질의 광화학 반응 등의 여러가지 다양한 장치를 구성해도 좋다.The light source devices 1, 1-1, 1-2, 2, 3, 4, 5, 6, 6-1, 6-2 of the above-described embodiments 2 to 7, etc., include curing, polymerization, bonding, etc. of the liquid crystal panel. It shows an example of configuring the ultraviolet irradiation device 100 used in the photoreaction process of. However, the light source device 1, 1-1, 1-2, 2, 3, 4, 5, 6, 6-1, 6-2 of the present invention is, for example, a semiconductor manufacturing device or a photochemical reaction of a chemical substance, etc. A variety of devices may be configured.

또한, 전술한 실시형태 2~6에서는 X축 방향과 평행인 직선상에 직렬로 접속한 복수의 고체발광소자(23)를 나열하여 고체발광소자열(22)을 구성했지만, 본 발명에서는 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 직렬로 접속한 복수의 고체발광소자(23)를 소정의 선으로서의 원(圓)상에 나열하고, 고체발광소자열(22)을 구성해도 좋다. 이 경우, 복수의 고체발광소자열(22)은 동심원상에 배치되는 것이 바람직하다.Further, in the above-described embodiments 2 to 6, a plurality of solid light emitting elements 23 connected in series on a straight line parallel to the X-axis direction were arranged to form a solid light emitting element array 22, but the present invention is limited to this it's not going to be For example, a plurality of solid light emitting elements 23 connected in series may be arranged on a circle as a predetermined line to constitute the solid light emitting element array 22 . In this case, it is preferable that the plurality of solid light emitting element arrays 22 are arranged concentrically.

이하에서 설명하는 실시형태 8에 관한 자외선 조사장치(301, 3-1, 3-2)는 자외선(U)을 방출하는 발광소자(312)를 갖는 광원(310)과, 광원(310)으로부터 방출된 자외선(U) 중 미리 정해진 기준방향과 평행인 편광축(PA)의 편광광(UA)을 투과하는 흡수형 편광소자(320)를 갖는다.The ultraviolet irradiation apparatuses 301, 3-1, and 3-2 according to the eighth embodiment described below include a light source 310 having a light emitting element 312 emitting ultraviolet rays U, and emission from the light source 310 It has an absorption type polarizing element 320 that transmits the polarized light UA of the polarization axis PA parallel to the predetermined reference direction among the ultraviolet rays U.

또한, 이하에서 설명하는 실시형태 8에 관한 자외선 조사장치(301, 3-1, 3-2)에서, 발광소자(312)는 제1 피크 파장의 자외선을 방출하는 제1 발광소자(314)와, 제1 피크 파장과 다른 제2 피크 파장의 자외선을 방출하는 제2 발광소자(316)를 갖는다.Further, in the ultraviolet irradiation apparatuses 301, 3-1, and 3-2 according to the eighth embodiment described below, the light emitting element 312 includes a first light emitting element 314 emitting ultraviolet rays of a first peak wavelength and , a second light emitting device 316 emitting ultraviolet rays having a second peak wavelength different from the first peak wavelength.

또한, 이하에서 설명하는 실시형태 8에 관한 자외선 조사장치(301, 3-1, 3-2)에서 광원(310, 311)과 흡수형 편광소자(320) 사이에, 광학부재(14c, 16c, 330, 340)를 갖는다.Further, between the light sources 310 and 311 and the absorption type polarizing element 320 in the ultraviolet irradiation apparatuses 301, 3-1, and 3-2 according to the eighth embodiment described below, the optical members 14c, 16c, 330, 340).

[실시형태 8][Embodiment 8]

다음에, 본 발명의 실시형태 8에 관한 자외선 조사장치(301)를 도면에 기초하여 설명한다. 도 17은 실시형태 8에 관한 자외선 조사장치의 개략적인 구성을 도시한 사시도, 도 18은 실시형태 8에 관한 자외선 조사장치를 Y축 방향에서 본 도면, 도 19는 실시형태 8에 관한 자외선 조사장치의 광원(310)을 Z축 방향에서 본 도면이다.Next, an ultraviolet irradiation apparatus 301 according to an eighth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 17 is a perspective view showing the schematic configuration of the ultraviolet irradiation apparatus according to the eighth embodiment, Fig. 18 is a view of the ultraviolet irradiation apparatus according to the eighth embodiment seen from the Y-axis direction, and Fig. 19 is the ultraviolet irradiation apparatus according to the eighth embodiment. A view of the light source 310 in the Z-axis direction.

도 17에 도시된 실시형태 8의 자외선 조사장치(301)는 배향처리의 대상물로서의 피조사물(W)의 표면에, 미리 정해진 기준방향과 평행인 편광축(PA)(도 17에 화살표로 도시하고, 진동방향이라고도 함)의 편광광(UA)을 조사하는 장치이다. 실시형태의 자외선 조사장치(301)는 예를 들어 액정패널의 배향막, 시야각 보상필름의 배향막이나 편광필름 등의 제조에 사용된다. 자외선 조사장치(301)는 주로 원하는 파장으로서의 파장이 365(㎚)의 편광광을(UA)을 피조사물(W)의 표면에 조사한다. 또한, 본 실시형태에서 말하는「자외선」이라는 것은, 예를 들어 240(㎚) 내지 450(㎚)까지의 파장대의 광을 말한다.The ultraviolet irradiation apparatus 301 of the eighth embodiment shown in Fig. 17 has a polarization axis PA parallel to a predetermined reference direction on the surface of the irradiated object W as an object of orientation treatment (shown by an arrow in Fig. 17, It is a device for irradiating polarized light (UA) in the direction of vibration). The ultraviolet irradiation device 301 of the embodiment is used for, for example, production of an alignment film of a liquid crystal panel, an alignment film of a viewing angle compensation film, a polarizing film, and the like. The ultraviolet irradiation device 301 mainly irradiates polarized light UA having a wavelength of 365 (nm) as a desired wavelength to the surface of the irradiated object W. In addition, "ultraviolet rays" as used in this embodiment means light in the wavelength range from 240 (nm) to 450 (nm), for example.

또한, 피조사물(W)의 표면에 조사되는 편광광(UA)의 편광축(PA)은 피조사물(W)의 구조, 용도, 또는 요구되는 사양에 따라서 적절하게 설정된다. 이하, 피조사물(W)의 폭방향을 X축 방향이라고 하고, X축 방향에 직교하고 또한 피조사물(W)의 길이방향을 Y축 방향이라고 하며, Y축 방향 및 X축 방향에 직교하는 방향을 Z축 방향이라고 부른다. 또한, Z축과 평행인 방향에 대해서, Z축 방향을 나타내는 화살표의 선단을 향하는 방향을 상방, Z축 방향을 나타내는 화살표의 선단을 향하는 방향에 대향하는 방향을 하방이라고 부른다.In addition, the polarization axis PA of the polarized light UA irradiated to the surface of the irradiated object W is appropriately set according to the structure, use, or required specification of the irradiated object W. As shown in FIG. Hereinafter, the width direction of the irradiated object W is referred to as the X-axis direction, orthogonal to the X-axis direction, and the longitudinal direction of the irradiated object W is referred to as the Y-axis direction, and the Y-axis direction and the direction orthogonal to the X-axis direction. is called the Z-axis direction. In addition, with respect to the direction parallel to the Z-axis, the direction toward the tip of the arrow indicating the Z-axis direction is called upward, and the direction opposite to the direction toward the tip of the arrow indicating the Z-axis direction is called downward.

자외선 조사장치(301)는 도 17에 도시한 바와 같이, 고르게 모든 방향으로 진동하고 또한 파장이 365(㎚) 정도의 자외선(U)을 방출하는 발광소자(312)를 갖는 광원(310)과, 흡수형 편광소자(320)를 갖는다.As shown in FIG. 17, the ultraviolet irradiation device 301 includes a light source 310 having a light emitting element 312 that evenly vibrates in all directions and emits ultraviolet rays U having a wavelength of about 365 (nm); It has an absorption type polarizer 320 .

광원(310)은 발광소자(312)가 사용된다. 광원(310)이 방출하는 자외선(U)은 파장이 365(㎚) 정도의 자외선을 포함하고, 여러가지 편광축 성분을 갖는, 소위 비편광의 광이다. 본 실시형태에서 광원(310)은 하나 설치되고, 또한 흡수형 편광소자(320) 및 피조사물(W)의 상방에 배치되어 있다.The light source 310 is a light emitting device 312 is used. The ultraviolet ray U emitted by the light source 310 includes ultraviolet rays having a wavelength of about 365 (nm) and has various polarization axis components, so-called unpolarized light. In the present embodiment, one light source 310 is provided, and is disposed above the absorption type polarizing element 320 and the irradiated object W. As shown in FIG.

흡수형 편광소자(320)는 광원(310)으로부터 방출된 자외선(U)이 조사된다. 흡수형 편광소자(320)는 자외선(U) 중의 기준방향과 평행인 편광축(PA)의 편광광(자외선(UA))을 피조사물(W)을 향하여 투과한다. 즉, 흡수형 편광소자(320)는 편광축(PA)을 갖는 자외선(U)으로부터 기준방향으로만 진동한 편광축(PA)의 편광광(UA)을 취출하는 것이다. 또한, 기준방향으로만 진동한 편광축(PA)의 편광광(UA)을, 일반적으로 직선편광이라고 한다. 또한, 편광광(UA)의 편광축(PA)이라는 것은 상기 편광광(UA)의 전장(電場) 및 자장의 진동방향이다.The absorption type polarizer 320 is irradiated with ultraviolet (U) emitted from the light source 310 . The absorption-type polarizing element 320 transmits polarized light (ultraviolet ray UA) of the polarization axis PA parallel to the reference direction in the ultraviolet ray U toward the irradiated object W. As shown in FIG. That is, the absorption type polarizer 320 extracts the polarized light UA of the polarization axis PA which vibrates only in the reference direction from the ultraviolet light U having the polarization axis PA. In addition, the polarized light UA of the polarization axis PA vibrated only in the reference direction is generally called linearly polarized light. In addition, the polarization axis PA of the polarized light UA is the vibration direction of the electric field and the magnetic field of the said polarized light UA.

본 실시형태 8에서, 흡수형 편광소자(320)는 광원(310)의 하방이고 또한 피조사물(W) 표면의 상방에 설치되어 있다. 흡수형 편광소자(320)는 유리판에 포함되는 일정방향으로 정리된 금속나노입자를 형성한 것으로, 광원(310)으로부터 방출되는 자외선(U) 중의 기준방향과 교차하는 편광축의 자외선을 흡수하고, 기준방향과 평행인 편광축(PA)의 편광광(UA)을 투과하는 편광소자이다. 흡수형 편광소자(320)로서는 예를 들어 CODIXX사제의 colorpol(등록상표) UV375BC5를 사용할 수 있다.In the eighth embodiment, the absorption type polarizing element 320 is provided below the light source 310 and above the surface of the irradiated object W. As shown in FIG. The absorption-type polarizing element 320 is formed of metal nanoparticles arranged in a predetermined direction included in the glass plate, and absorbs the ultraviolet rays of the polarization axis crossing the reference direction among the ultraviolet rays (U) emitted from the light source 310, and the reference It is a polarizing element that transmits the polarized light UA of the polarization axis PA parallel to the direction. As the absorption type polarizing element 320, for example, colorpol (registered trademark) UV375BC5 manufactured by CODIXX can be used.

다음에, 광원(310)에 대해서 도 18 및 도 19를 사용하여 상세하게 설명한다.Next, the light source 310 will be described in detail with reference to FIGS. 18 and 19 .

실시형태 8에 관한 자외선 조사장치(301)에서 광원(310)은 기체(311)에 발광소자(312)가 복수 설치되어 구성된다. 기체(311)는 복수의 발광소자(312)를 지지한다. 또한, 기체(311)는 복수의 발광소자(312)로부터 방출되는 열을 자외선 조사장치(301)의 외부로 전달함으로써 복수의 발광소자(312)의 온도상승을 억제한다. 또한, 기체(311)는 알루미늄 등의 금속이나, 세라믹스 기판 등의 방열성이 좋은 재료로 구성되어도 좋다. 또한, 기체(311)의 내부에는 복수의 발광소자(312)로부터 방출되는 열을 빠르게 전달하기 위한 도시하지 않은 방열매체가 흐르는 방열매체 유로를 구비해도 좋다. 또한, 방열매체를, 도시하지 않은 방열매체를 공급하는 방열매체 공급구와 방열매체를 방출하는 방열매체 방출구를 구비해도 좋다. 또한, 방열매체를, 도시하지 않은 순환기구에 의해 방열매체를 순환시켜도 좋다.In the ultraviolet irradiation apparatus 301 according to the eighth embodiment, the light source 310 is configured by providing a plurality of light emitting elements 312 on a base 311 . The base 311 supports the plurality of light emitting devices 312 . In addition, the gas 311 suppresses the temperature rise of the plurality of light emitting devices 312 by transferring heat emitted from the plurality of light emitting devices 312 to the outside of the ultraviolet irradiation device 301 . In addition, the base 311 may be made of a material having good heat dissipation, such as a metal such as aluminum or a ceramic substrate. In addition, a heat dissipation medium passage through which a heat dissipation medium (not shown) for rapidly transferring heat emitted from the plurality of light emitting elements 312 may be provided inside the base 311 . Further, the heat dissipation medium may include a heat dissipation medium supply port for supplying a heat dissipation medium (not shown) and a heat dissipation medium discharge port for discharging the heat dissipation medium. In addition, the heat radiation medium may be circulated by a circulation mechanism (not shown).

발광소자(312)는 기체(311)에 설치되고 자외선(U)을 방출한다. 발광소자(312)는 적어도 자외선(U)을 방출하는 것이고, LED(Light Emitting Diode)나 LD(Laser Diode) 등의 반도체로 구성된다. 발광소자(312)는 제1 피크 파장의 자외선을 방출하는 제1 발광소자(314)와, 제1 피크 파장과 다른 제2 피크 파장의 자외선을 방출하는 제2 발광소자(316)를 갖는다. 제1 발광소자(314)는 제1 피크 파장의 자외선을 방출하는 발광칩(14a)을 둘러싸고 형성되고, 개구부분을 갖는 리플렉터(14b)를 갖는다. 발광칩(14a)의 주위 및 발광칩(14a)이 배치된 리플렉터(14b)의 개구부분은 도시하지 않은 유리 커버로 밀폐된다. 제2 발광소자(316)는 제2 피크 파장의 자외선을 방출하는 발광칩(16a)을 둘러싸고 형성되고, 개구부분을 갖는 리플렉터(16b)를 갖는다. 발광칩(16a)의 주위 및 발광칩(16a)이 배치된 리플렉터(16b)의 개구부분은 도시하지 않은 유리 커버로 밀폐된다. 발광소자(312)는 제1 발광소자(314)로부터 방출되는 제1 피크 파장의 자외선과 제2 발광소자(316)로부터 방출되는 제2 피크 파장의 자외선이 혼합되어 자외선(U)을 방출한다.The light emitting device 312 is installed on the base 311 and emits ultraviolet (U). The light emitting element 312 emits at least ultraviolet (U) and is made of a semiconductor such as a light emitting diode (LED) or a laser diode (LD). The light emitting device 312 includes a first light emitting device 314 emitting an ultraviolet ray having a first peak wavelength and a second light emitting device 316 emitting an ultraviolet ray having a second peak wavelength different from the first peak wavelength. The first light emitting device 314 is formed to surround the light emitting chip 14a that emits ultraviolet light of a first peak wavelength, and has a reflector 14b having an opening portion. The periphery of the light emitting chip 14a and the opening portion of the reflector 14b where the light emitting chip 14a is disposed are sealed with a glass cover (not shown). The second light emitting device 316 is formed to surround the light emitting chip 16a emitting ultraviolet rays of the second peak wavelength, and has a reflector 16b having an opening portion. The periphery of the light emitting chip 16a and the opening portion of the reflector 16b in which the light emitting chip 16a is disposed are sealed with a glass cover (not shown). The light emitting device 312 emits ultraviolet (U) by mixing ultraviolet rays of a first peak wavelength emitted from the first light emitting device 314 and ultraviolet rays of a second peak wavelength emitted from the second light emitting device 316 .

다음에, 실시형태 8에 관한 자외선 조사장치(301)의 작용에 대해서 설명한다. 전술한 구성의 실시형태에 관한 자외선 조사장치(301)는 피조사물(W)을 흡수형 편광소자(320)의 하방에 위치시키고, 광원(310)으로부터 자외선(U)을 방출한다. 그러면, 광원(310)이 방출한 자외선(U)이 직접 흡수형 편광소자(320)를 향하여 방출된다. 또한, 자외선 조사장치(301)는 흡수형 편광소자(320)가 자외선(U) 중의 기준방향과 평행인 편광축(PA)의 편광광(UA)을 피조사물(W) 표면의 광조사 영역을 향하여 투과하여, 피조사물(W) 표면의 배향처리를 실시한다.Next, the operation of the ultraviolet irradiation device 301 according to the eighth embodiment will be described. The ultraviolet irradiation device 301 according to the embodiment of the above-described configuration places the irradiated object W under the absorption-type polarizing element 320 , and emits the ultraviolet light U from the light source 310 . Then, the ultraviolet (U) emitted from the light source 310 is directly emitted toward the absorption type polarizer 320 . In addition, the ultraviolet irradiation device 301 directs the polarized light UA of the polarization axis PA parallel to the reference direction in the ultraviolet light U toward the light irradiation area of the surface of the object W by the absorption type polarizing element 320 . It penetrates, and an orientation treatment of the surface of the irradiated object W is performed.

전술한 구성의 실시형태에 관한 자외선 조사장치(301)에서 와이어 그리드형 편광소자를 사용한 경우에는 와이어 그리드가 형성된 면과 와이어 그리드가 형성되어 있지 않은 면의 소위 표리가 있고, 와이어 그리드 편광소자의 표리에 의해 소광비가 변화된다. 그러나, 흡수형 편광소자(320)는 흡수형 편광소자(320)의 내부에 형성된 금속나노입자가 기준방향 이외에 진동된 광을 흡수하므로, 와이어 그리드 편광소자와 같이 소위 표리가 없으므로, 취급이 용이하다.When a wire grid type polarizing element is used in the ultraviolet irradiation apparatus 301 according to the embodiment of the above-described configuration, there are so-called front and back sides of a surface on which the wire grid is formed and a surface on which the wire grid is not formed, and the front and back sides of the wire grid polarizer are provided. The extinction ratio is changed by However, since the metal nanoparticles formed inside the absorption type polarizer 320 absorb light vibrated in a direction other than the reference direction, the absorption type polarizer 320 does not have a so-called front and back side like the wire grid polarizer, so it is easy to handle. .

또한, 자외선 조사장치(301)에서 광원(310)은 제1 피크 파장의 자외선 및 제2 피크 파장의 자외선만이 방출되고, 제1 피크 파장의 자외선 및 제2 피크 파장의 자외선 이외의 광을 방출하지 않는다. 즉, 흡수형 편광소자(320)에 자외선(U) 이외의 광이 조사되는 것이 규제된다. 이 때문에, 자외선 조사장치(301)는 흡수형 편광소자(320)가 흡수하는 광, 구체적으로는 흡수형 편광소자(320)의 내부에 형성된 금속나노입자가 흡수하는 광의 양을 감소시킬 수 있다. 금속나노입자가 흡수하는 광의 양을 감소시킬 수 있으면, 흡수형 편광소자(320)의 온도상승이 억제되어, 흡수형 편광소자(320)가 고온이 될 가능성이 낮아지므로, 예를 들어 흡수형 편광소자(320)가 파손되는 등의 문제를 억제할 수 있다. 따라서, 자외선 조사장치(301)는 흡수형 편광소자(320)를 사용해도, 흡수형 편광소자(320)의 파손 등의 문제를 억제할 수 있다.In addition, in the ultraviolet irradiation device 301 , the light source 310 emits only ultraviolet rays of a first peak wavelength and ultraviolet rays of a second peak wavelength, and emits light other than ultraviolet rays of the first peak wavelength and ultraviolet rays of the second peak wavelength. I never do that. That is, it is regulated that light other than ultraviolet (U) is irradiated to the absorption type polarizing element 320 . For this reason, the ultraviolet irradiation device 301 can reduce the amount of light absorbed by the absorption-type polarizing element 320 , specifically, the amount of light absorbed by the metal nanoparticles formed inside the absorption-type polarizing element 320 . If the amount of light absorbed by the metal nanoparticles can be reduced, the temperature rise of the absorptive polarizing element 320 is suppressed, and the possibility that the absorptive polarizing element 320 becomes high temperature is lowered, for example, an absorptive polarized light. It is possible to suppress problems such as damage to the element 320 . Therefore, the ultraviolet irradiation device 301 can suppress problems such as damage to the absorption-type polarizing element 320 even when the absorption-type polarizing element 320 is used.

또한, 자외선 조사장치(301)에서 흡수형 편광소자(320)에는 자외선(U)이 조사되고, 자외선(U) 이외의 파장의 광이 조사되는 것이 규제되므로, 흡수형 편광소자(320)에 자외선(U) 이외의 광이 조사되는 경우보다 흡수형 편광소자(320)의 소광비가 저하되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 소광비(ER)라는 것은 편광의 질을 나타내는 수치이고, P편광강도(Ip)와 S편광강도(Is)를 사용하여 ER=Ip/Is로 표시된다.In addition, in the ultraviolet irradiation device 301 , the absorption-type polarizing element 320 is irradiated with ultraviolet (U) and light of a wavelength other than ultraviolet (U) is regulated, so the absorption-type polarizing element 320 is subjected to ultraviolet rays. It is possible to suppress a decrease in the extinction ratio of the absorption-type polarizing element 320 compared to the case where light other than (U) is irradiated. In addition, the extinction ratio (ER) is a numerical value indicating the quality of polarization, and is expressed as ER=Ip/Is using the P polarization intensity (Ip) and the S polarization intensity (Is).

자외선 조사장치(301)는 제1 피크 파장의 자외선 및 제2 피크 파장의 자외선 이외의 광이 흡수형 편광소자(320)에 조사되는 것을 억제할 수 있다. 즉, 자외선 조사장치(301)는 긴 파장의 자외선, 가시광선, 적외선이 흡수형 편광소자(320)에 조사되는 것을 억제하므로 긴 파장의 자외선, 가시광선, 적외선이 흡수형 편광소자(320)에 조사되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 자외선 조사장치(301)는 흡수형 편광소자(320)의 흡수형 편광소자의 열화를 억제할 수 있다.The ultraviolet irradiation device 301 may suppress irradiation of light other than ultraviolet rays of the first peak wavelength and ultraviolet rays of the second peak wavelength to the absorption type polarizing element 320 . That is, the ultraviolet irradiation device 301 suppresses long-wavelength ultraviolet rays, visible rays, and infrared rays from being irradiated to the absorption-type polarizing element 320 , so that the long-wavelength ultraviolet rays, visible rays, and infrared rays are applied to the absorption-type polarizing element 320 . irradiation can be suppressed. Therefore, the ultraviolet irradiation device 301 can suppress deterioration of the absorption-type polarizing element of the absorption-type polarizing element 320 .

또한, 자외선 조사장치(301)는 광원(310)으로서 제1 피크 파장의 자외선을 방출하는 제1 발광소자(314) 및 제2 발광소자(316)를 갖는 발광소자(312)를 사용하므로, 흡수형 편광소자(320)의 수명과 소광비의 저하를 억제하면서도, 충분한 광량의 자외선(U)을 피조사물(W)에 조사할 수 있고, 대상물에 대하여 광을 조사하는 소요 시간을 억제할 수 있다.In addition, since the ultraviolet irradiation device 301 uses a light emitting element 312 having a first light emitting element 314 and a second light emitting element 316 emitting ultraviolet rays of a first peak wavelength as the light source 310, the absorption While suppressing a decrease in the lifetime and extinction ratio of the type polarizing element 320, a sufficient amount of ultraviolet (U) can be irradiated to the irradiated object W, and the time required for irradiating light to the object can be suppressed.

또한, 자외선 조사장치(301)는 제1 피크 파장의 자외선을 방출하는 제1 발광소자 및 제2 피크 파장의 자외선을 방출하는 제2 발광소자를 사용함으로써, 단일한 피크 파장의 자외선을 방출하는 발광소자만을 사용하는 경우보다도 피조사물에 주어지는 에너지가 더욱 향상된다.In addition, the ultraviolet irradiation device 301 uses a first light emitting element emitting an ultraviolet ray of a first peak wavelength and a second light emitting element emitting an ultraviolet ray of a second peak wavelength, thereby emitting an ultraviolet ray of a single peak wavelength. The energy given to the irradiated object is further improved compared to the case where only the element is used.

또한, 발광소자(312)가 방출하는 광의 주파장은 240~450㎚인 점에서, 피조사물에 대한 자외선 조사를 보다 확실하게 실시할 수 있고, 피조사물의 광화학 반응의 불균일을 억제할 수 있다.In addition, since the dominant wavelength of the light emitted from the light emitting element 312 is 240 to 450 nm, the ultraviolet irradiation can be performed more reliably on the irradiated object, and the non-uniformity of the photochemical reaction of the irradiated object can be suppressed.

또한, 발광소자(312)는 상기의 구성에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제1 발광소자(314)를 구성하는 제1 발광칩(14a)과 제2 발광소자(316)를 구성하는 제2 발광칩(16a)이 동일한 리플렉터(14a) 내에 수용되어, 발광소자(314)로서 구성되어도 좋다.In addition, the light emitting device 312 is not limited to the above configuration. For example, the first light emitting chip 14a constituting the first light emitting device 314 and the second light emitting chip 16a constituting the second light emitting device 316 are accommodated in the same reflector 14a to emit light. It may be configured as the element 314 .

또한, 흡수형 편광소자(320)는 상기의 구성에 한정되지 않는다. 예를 들어, 복수의 흡수형 편광소자(320)를 겹쳐 일체의 흡수형 편광소자(320)로 해도 좋다.In addition, the absorption type polarizer 320 is not limited to the above configuration. For example, a plurality of absorption-type polarizing elements 320 may be stacked to form an integrated absorption-type polarizing element 320 .

[실시형태 9][Embodiment 9]

도 20은 실시형태 9에 관한 자외선 조사장치의 변형예의 개략적인 구성을 도시한 측면도이다.20 is a side view showing a schematic configuration of a modification of the ultraviolet irradiation apparatus according to the ninth embodiment.

본 실시형태에서는 광원(310)과 흡수형 편광소자(320) 사이에, 광학부재인 렌즈(14c), 렌즈(16c), 렌즈(330)를 갖는 자외선 조사장치(3-1)를 나타낸다.In this embodiment, an ultraviolet irradiation device 3-1 having a lens 14c, a lens 16c, and a lens 330 as optical members between the light source 310 and the absorption type polarizing element 320 is shown.

렌즈(14c)는 제1 발광소자(314)의 리플렉터(14b)와 접촉하여 설치되고, 제1 발광소자(314)로부터 방출되는 광의 방향을 정리한다. 또한, 렌즈(16c)는 제2 발광소자(316)의 리플렉터(16b)와 접촉되어 설치되고, 제2 발광소자(316)로부터 방출되는 광의 방향을 정리한다. 렌즈(14c) 및 렌즈(16c)는 예를 들어, 제1 발광칩(14a) 및 제2 발광칩(16a)으로부터 방출되는 자외선을 투과하는 석영유리 등의 재료로 구성된다.The lens 14c is installed in contact with the reflector 14b of the first light emitting device 314 and arranges the direction of light emitted from the first light emitting device 314 . In addition, the lens 16c is installed in contact with the reflector 16b of the second light emitting device 316 , and the direction of light emitted from the second light emitting device 316 is arranged. The lens 14c and the lens 16c are made of, for example, a material such as quartz glass that transmits ultraviolet rays emitted from the first light emitting chip 14a and the second light emitting chip 16a.

렌즈(330)는 제1 발광소자(314) 및 제2 발광소자(316)로부터 방출된 광을 정리하는, 소위 콜리미터 렌즈로서 기능한다. 렌즈(330)는 흡수형 편광소자(320)의 근방에 설치되고, 광원(310)으로부터 방출되는 광의 방향을 정리한다. 렌즈(330)는 렌즈(14c) 및 렌즈(16c)와 동일하게, 예를 들어 광원(310)으로부터 방출되는 자외선(U)을 투과하는 석영 유리 등의 재료로 구성된다.The lens 330 aligns the light emitted from the first light emitting element 314 and the second light emitting element 316, and functions as a so-called collimator lens. The lens 330 is installed in the vicinity of the absorption type polarizing element 320 , and arranges the direction of light emitted from the light source 310 . Like the lens 14c and the lens 16c, the lens 330 is made of, for example, a material such as quartz glass that transmits the ultraviolet (U) emitted from the light source 310 .

이와 같은 구성으로도 실시형태 8과 동일하게 흡수형 편광소자의 열화를 억제할 수 있다.Even with such a structure, deterioration of an absorption type polarizing element can be suppressed similarly to Embodiment 8.

또한, 광원(310)과 흡수형 편광소자(320) 사이에 광학부재를 구비함으로써, 흡수형 편광소자(320)에 도달할 때까지 자외선(U)의 방향을 정리할 수 있으므로, 광학부재를 설치할 때에 비하여 피조사물에 대한 편광축과 소광비의 악화를 억제할 수 있다.In addition, by providing an optical member between the light source 310 and the absorbing polarizing element 320, the direction of the ultraviolet (U) can be arranged until it reaches the absorbing polarizing element 320, so when installing the optical member In contrast, deterioration of the polarization axis and extinction ratio of the irradiated object can be suppressed.

도 21은 실시형태 9에 관한 자외선 조사장치의 다른 변형예의 개략적인 구성을 도시한 측면도이다.Fig. 21 is a side view showing a schematic configuration of another modified example of the ultraviolet irradiation apparatus according to the ninth embodiment.

본 변형예에서는 광원(310)과 흡수형 편광소자(320) 사이에, 와이어 그리드 편광소자(340)를 설치한 자외선 조사장치(3-2)를 도시한다. 이와 같은 구성으로도, 실시형태 9와 동일하게 소광비의 악화를 억제하는 것이 가능해진다.In this modified example, the ultraviolet irradiation device 3-2 in which the wire grid polarizer 340 is installed between the light source 310 and the absorption type polarizer 320 is shown. Even with such a structure, it becomes possible to suppress the deterioration of an extinction ratio similarly to Embodiment 9.

또한, 와이어 그리드 편광소자(340)를 사용함으로써, 비편광인 자외선(U)의 광량을 감소시킬 수 있으므로, 흡수형 편광소자(320)에 도달하는 원하지 않는 자외선(U)의 광량을 감소시킬 수 있고, 그 결과 더욱 흡수형 편광소자의 열화를 억제할 수 있다.In addition, by using the wire grid polarizer 340, the amount of unpolarized ultraviolet (U) light can be reduced, so that the amount of unwanted ultraviolet light (U) reaching the absorption type polarizer 320 can be reduced. As a result, deterioration of the absorption-type polarizing element can be further suppressed.

본 발명의 몇가지 실시형태를 설명했지만, 이들 실시형태는 예로서 제시한 것이고, 발명의 범위를 한정하려는 의도는 없다. 이들 실시형태는 그 밖의 여러가지 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서, 여러가지 생략, 치환, 변경을 실시할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은 발명의 범위나 요지에 포함되고 또한 특허청구범위에 기재된 발명과 그 균등한 범위에 포함되는 것이다.Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments have been presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These embodiments can be implemented in other various forms, and various abbreviations, substitutions, and changes can be implemented in the range which does not deviate from the summary of invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

1, 1-1, 1-2, 2, 3, 4, 5, 6, 6-1, 6-2: 광원장치
5: 발광소자 10: 스테이지
11: 도전패턴 12: 땜납
15: 급전부 18: 오버코트
20: 발광부 21: 실장기판 (기판)
22: 고체발광소자열 23: 고체발광소자
30: 전류조정수단 32: 리플렉터
40: 방열수단 60: 온도검출수단 70: 제어수단 110: 세라믹스 기판
120: 방열부재 121: 유로 123: 유입구 124: 유출구 130: 패키지
301, 3-1, 3-2: 자외선 조사 장치 310: 광원
311: 기체 312: 발광소자
314: 제1 발광소자 316: 제2 발광소자
320: 흡수형 편광소자 330: 광학부재
340: 와이어 그리드 편광소자 U: 자외선
UA: 자외선(편광광) PA: 편광축 W: 피조사물(대상물)
1, 1-1, 1-2, 2, 3, 4, 5, 6, 6-1, 6-2: light source device
5: light emitting element 10: stage
11: Conductive pattern 12: Solder
15: feeding unit 18: overcoat
20: light emitting part 21: mounting board (board)
22: solid light emitting element row 23: solid light emitting element
30: current adjustment means 32: reflector
40: heat dissipation means 60: temperature detection means 70: control means 110: ceramic substrate
120: heat dissipation member 121: flow path 123: inlet 124: outlet 130: package
301, 3-1, 3-2: ultraviolet irradiation device 310: light source
311: base 312: light emitting element
314: first light emitting device 316: second light emitting device
320: absorption type polarizing element 330: optical member
340: wire grid polarizer U: ultraviolet
UA: ultraviolet (polarized light) PA: polarization axis W: irradiated object (object)

Claims (10)

자외선 영역에 주파장을 갖는 광을 방출하는 발광소자;
상기 발광소자가 일면측에 설치되고 세라믹스를 기재로 하며, 상기 발광소자가 설치된 측의 면에는 도체로 이루어진 도전패턴과, 적어도 상기 도전패턴을 덮는 오버코트가 형성되는 세라믹스 기판; 및
상기 세라믹스 기판에서의 상기 발광소자가 설치되는 측의 면의 반대측에 설치되고 금속재료로 이루어지며, 냉각매체가 통과하는 유로가 내부에 마련되는 방열부재를 구비하는, 광원장치.
a light emitting device emitting light having a dominant wavelength in the ultraviolet region;
a ceramic substrate on which the light emitting element is installed on one side of the substrate and is made of ceramics, and a conductive pattern made of a conductor and an overcoat covering at least the conductive pattern are formed on the surface of the side on which the light emitting element is installed; and
and a heat dissipation member provided on the opposite side of the surface of the ceramic substrate on the side on which the light emitting element is installed, made of a metal material, and having a flow path through which a cooling medium passes therein.
제 1 항에 있어서,
상기 발광소자는 조사하는 광의 주파장이 다른 상기 발광소자가 복수 설치되는, 광원장치.
The method of claim 1,
The light emitting device is a light source device, in which a plurality of the light emitting devices having different dominant wavelengths of irradiated light are installed.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 세라믹스 기판은 기재에 알루미나, 또는 질화알루미늄이 사용되는, 광원장치.
3. The method according to claim 1 or 2,
The ceramic substrate is a light source device, in which alumina or aluminum nitride is used as a substrate.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 오버코트는 자외선을 반사하는, 광원장치.
3. The method according to claim 1 or 2,
The overcoat reflects ultraviolet rays, a light source device.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 오버코트는 자외선을 흡수하는, 광원장치.
3. The method according to claim 1 or 2,
The overcoat absorbs ultraviolet rays, a light source device.
직렬로 접속되고 또한 소정의 선상에 배치된, 자외선을 방출하는 복수의 고체발광소자를 갖는 고체발광소자열을, 상기 소정의 선에 교차하는 방향으로 복수개 나열하여 기판상에 배치한 발광부;
상기 발광부의 1 이상의 상기 고체발광소자열에 대응하고 또한 대응하는 고체발광소자열의 고체발광소자에 흐르는 전류값을 변경 가능한 2 이상의 전류조정수단;
상기 기판이 부착되는 기판부착부, 상기 기판부착부로부터 멀어지는 방향으로 돌출되고 소정의 선에 교차하는 방향으로 연장되며, 상기 발광부의 상기 교차하는 방향에 인접하는 2 이상의 상기 고체발광소자열에 걸쳐 있는 복수의 핀을 구비하는 히트싱크, 상기 복수의 핀 사이를 따라, 상기 소정의 선에 교차하는 방향에서 상기 복수의 핀의 상류측으로부터 하류측을 향해 상기 복수의 핀 사이를 통과하는 유체를 유동시키도록 배치되는 팬을 구비하고, 상기 소정의 선에 교차하는 방향으로 유체를 유동시키고 상기 발광부의 상기 교차하는 방향에 인접하는 2이상의 상기 고체발광소자열의 상기 고체발광소자가 발하는 열을 상기 복수의 핀을 통하여 방열하는 방열수단; 및
상기 전류조정수단을 제어하는 제어수단을 구비하고,
상기 제어수단은, 상기 복수의 고체발광소자열의 상기 고체발광소자가 방출하는 자외선의 상대조도가 동등해지도록, 상기 전류조정수단에 상기 고체발광소자열의 상기 고체발광소자에 흐르는 전류값을 변경시키는, 광원장치.
a light emitting unit in which a plurality of solid light emitting element rows connected in series and having a plurality of solid light emitting elements emitting ultraviolet rays, which are arranged on a predetermined line, are arranged in a direction intersecting the predetermined line and arranged on a substrate;
two or more current adjusting means corresponding to the one or more solid light emitting element rows of the light emitting part and capable of changing the current values flowing through the solid light emitting elements of the corresponding solid light emitting element rows;
A plurality of substrate attachment portions to which the substrate is attached, protruding in a direction away from the substrate attachment portion and extending in a direction intersecting a predetermined line, spanning two or more solid light emitting device rows adjacent to the intersecting direction of the light emitting portion a heat sink having fins of a heat sink to flow a fluid passing between the plurality of fins from an upstream side to a downstream side of the plurality of fins in a direction intersecting the predetermined line along between the plurality of fins A fan is disposed, the fluid flows in a direction intersecting the predetermined line, and heat generated by the solid light emitting devices of the two or more solid light emitting device rows adjacent to the intersecting direction of the light emitting unit is generated by the plurality of fins a heat dissipating means for dissipating heat through; and
a control means for controlling the current adjustment means;
wherein the control means changes the current value flowing through the solid light emitting device of the solid light emitting device string to the current adjusting means so that the relative illuminance of the ultraviolet light emitted by the solid light emitting device of the plurality of solid light emitting device rows becomes equal, light source device.
제 6 항에 있어서,
상기 발광부의 소정의 위치에 설치되고 또한 상기 소정의 위치의 온도를 검출 가능한 온도검출수단을 구비하고,
상기 제어수단은 상기 온도검출수단의 검출결과에 기초하여, 상기 전류조정수단에 상기 고체발광소자열의 상기 고체발광소자에 흐르는 전류값을 변경시키는, 광원장치.
7. The method of claim 6,
a temperature detection means provided at a predetermined position of the light emitting unit and capable of detecting a temperature of the predetermined position;
and said control means causes said current adjusting means to change a value of a current flowing through said solid light emitting element in said column of solid light emitting elements based on a detection result of said temperature detecting means.
제 7 항에 있어서,
상기 온도검출수단을, 상기 유체의 유동방향을 따라서 간격을 두고 복수개 설치하는, 광원장치.
8. The method of claim 7,
and a plurality of the temperature detecting means are provided at intervals along the flow direction of the fluid.
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