KR102293385B1 - Resin composition for insulating layer of printed wiring board - Google Patents

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Abstract

[과제] 양호한 분산 안정성과 적당한 용융 점도를 나타내는 동시에, 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 억제할 수 있는, 프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물을 제공한다.
[해결수단] 프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물로서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 했을 때, 무기 충전재의 함유량이 40 내지 75체적%이고, 수학식: A = SRρ/6[여기서, S는 무기 충전재의 비표면적(㎡/g)이고, R은 무기 충전재의 평균 입자 직경(㎛)이고, ρ는 무기 충전재의 밀도(g/㎤)이다.]으로 표시되는 무기 충전재의 형상 파라미터 A가 20≤6A≤40을 충족시키는, 수지 조성물.
PROBLEM To provide the resin composition for insulating layers of a printed wiring board which can suppress the curvature in the mounting process of a component while exhibiting favorable dispersion stability and moderate melt viscosity.
[Solution] As a resin composition for an insulating layer of a printed wiring board, when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by volume, the content of the inorganic filler is 40 to 75% by volume, and the formula: A = SRρ/6 [where S is the specific surface area (m2/g) of the inorganic filler, R is the average particle diameter (μm) of the inorganic filler, and ρ is the density (g/cm3) of the inorganic filler.] satisfies 20≤6A≤40.

Description

프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물{RESIN COMPOSITION FOR INSULATING LAYER OF PRINTED WIRING BOARD}The resin composition for the insulating layer of a printed wiring board TECHNICAL FIELD

본 발명은, 프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물에 관한 것이다. This invention relates to the resin composition for insulating layers of a printed wiring board.

프린트 배선판의 제조 기술로서는, 내층 기판에 절연층과 도체층을 교대로 적층하는 빌드업 방식에 의한 제조 방법이 알려져 있다. 빌드업 방식에 의한 제조 방법에 있어서, 절연층은, 예를 들면, 수지 조성물층을 포함하는 접착 필름 등을 사용하여 수지 조성물층을 내층 기판에 적층하고, 수지 조성물층을 경화시킴으로써 형성된다. 절연층의 형성에 사용되는 수지 조성물은, 수득되는 절연층의 열팽창율을 저하시켜, 절연층과 도체층의 열팽창의 차이에 의한 크랙이나 회로 변형의 발생을 방지하는 관점에서, 일반적으로, 무기 충전재를 함유한다. 당해 무기 충전재로서는, 구상의 무기 충전재가 적합하게 사용된다(특허문헌 1). As a manufacturing technique of a printed wiring board, the manufacturing method by the build-up system which laminates|stacks an insulating layer and a conductor layer alternately on an inner-layer board|substrate is known. In the manufacturing method by a build-up method, an insulating layer is formed by laminating|stacking a resin composition layer on an inner-layer substrate using the adhesive film etc. containing a resin composition layer, for example, and hardening the resin composition layer. The resin composition used for the formation of the insulating layer reduces the thermal expansion coefficient of the insulating layer obtained, and from the viewpoint of preventing the occurrence of cracks or circuit deformation due to the difference in thermal expansion between the insulating layer and the conductor layer, in general, inorganic fillers contains As the said inorganic filler, a spherical inorganic filler is used suitably (patent document 1).

일본 공개특허공보 특개2010-238667호Japanese Patent Laid-Open No. 2010-238667

최근 납 함유 땜납에서 납 프리 땜납으로 대체됨에 따라, 부품의 실장 공정에 있어서의 땜납 리플로우 온도는 상승하고 있다. 또한 최근, 전자 기기의 소형화를 달성하기 위해, 프린트 배선판의 한층 박형화가 진행되고 있다. As lead-containing solders are replaced with lead-free solders in recent years, the solder reflow temperature in the component mounting process is rising. Moreover, in order to achieve size reduction of an electronic device, thickness reduction of a printed wiring board is progressing further in recent years.

프린트 배선판의 박형화가 진행됨에 따라, 부품의 실장 공정에 있어서 프린트 배선판에 휘어짐이 발생하여, 회로 변형이나 부품의 접촉 불량 등의 문제가 발생하는 경우가 있다. 본 발명자들은 구상의 무기 충전재 대신 파쇄상의 무기 충전재를 사용함으로써, 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 억제할 수 있는 것을 밝혀내었다. 그러나, 파쇄상의 무기 충전재를 함유하는 수지 조성물은, 분산 안정성이 떨어지는 동시에, 높은 용융 점도로 귀착되기 쉬워 적층 불량을 초래하는 경우가 있다. As the thickness of the printed wiring board progresses, warpage may occur in the printed wiring board in the component mounting process, and problems such as circuit deformation and poor contact of components may occur. The present inventors discovered that the curvature in the mounting process of a component could be suppressed by using a crushed inorganic filler instead of a spherical inorganic filler. However, while a resin composition containing a crushed inorganic filler is inferior to dispersion stability, it is easy to result in a high melt viscosity, and may cause lamination|stacking defect.

본 발명의 과제는, 양호한 분산 안정성과 적당한 용융 점도를 나타내는 동시에, 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 억제할 수 있는, 프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물을 제공하는 것에 있다. The subject of this invention is providing the resin composition for insulating layers of a printed wiring board which can suppress the curvature in the mounting process of a component while showing favorable dispersion stability and moderate melt viscosity.

본 발명자들은, 상기의 과제에 관해서 예의 검토한 결과, 특정한 형상을 갖는 무기 충전재를 소정량 사용함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 밝혀내고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly examining the said subject, the present inventors discovered that the said subject was solvable by using the predetermined amount of the inorganic filler which has a specific shape, and came to complete this invention.

즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함한다. That is, the present invention includes the following contents.

[1] 프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물로서,[1] A resin composition for an insulating layer of a printed wiring board, comprising:

수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 했을 때, 무기 충전재의 함유량이 40 내지 75체적%이고,When the nonvolatile component in the resin composition is 100% by volume, the content of the inorganic filler is 40 to 75% by volume,

수학식: A = SRρ/6[여기서, S는 무기 충전재의 비표면적(㎡/g)이고, R은 무기 충전재의 평균 입자 직경(㎛)이고, ρ는 무기 충전재의 밀도(g/㎤)이다]으로 표시되는 무기 충전재의 형상 파라미터 A가 20≤6A≤40을 충족시키는, 수지 조성물. Equation: A = SRρ/6 [where S is the specific surface area (m2/g) of the inorganic filler, R is the average particle diameter (㎛) of the inorganic filler, and ρ is the density (g/cm3) of the inorganic filler The resin composition, wherein the shape parameter A of the inorganic filler represented by ] satisfies 20≤6A≤40.

[2] 프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물로서,[2] A resin composition for an insulating layer of a printed wiring board, comprising:

수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 했을 때, 무기 충전재의 함유량이 40 내지 75체적%이고, When the nonvolatile component in the resin composition is 100% by volume, the content of the inorganic filler is 40 to 75% by volume,

수학식: B = Lc/L[여기서, L은 소정의 단면에서의 무기 충전재의 주위 길이(周圍長)(㎛)이고, Lc는 상기 단면에서의 무기 충전재의 단면적과 등면적(等面積)의 진원(眞圓)의 주위 길이(㎛)이다.]로 표시되는 무기 충전재의 형상 파라미터 B의 평균값이 0.8 이상 0.9 이하인, 수지 조성물. Equation: B = Lc/L [where L is the peripheral length (μm) of the inorganic filler in a predetermined cross-section, and Lc is the cross-sectional area of the inorganic filler in the cross-section and the equal area It is the peripheral length (micrometer) of a perfect circle.] The average value of the shape parameter B of the inorganic filler represented by 0.8 or more and 0.9 or less, The resin composition.

[3] 무기 충전재의 평균 결정자(結晶子) 직경이 1800Å 이하인, [1] 또는 [2]에 기재된 수지 조성물. [3] The resin composition according to [1] or [2], wherein the inorganic filler has an average crystallite diameter of 1800 angstroms or less.

[4] 무기 충전재의 비표면적이 3 내지 10㎡/g인, [1] 내지 [3] 중의 어느 하나에 기재된 수지 조성물. [4] The resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the inorganic filler has a specific surface area of 3 to 10 m 2 /g.

[5] 무기 충전재의 평균 입자 직경이 4㎛ 이하인, [1] 내지 [4] 중의 어느 하나에 기재된 수지 조성물. [5] The resin composition according to any one of [1] to [4], wherein the inorganic filler has an average particle diameter of 4 µm or less.

[6] 무기 충전재의 평균 입자 직경이 3㎛ 이하인, [1] 내지 [5] 중의 어느 하나에 기재된 수지 조성물. [6] The resin composition according to any one of [1] to [5], wherein the inorganic filler has an average particle diameter of 3 µm or less.

[7] 무기 충전재가, 평균 결정자 직경 1800Å 이하의 미결정(微結晶) 입자의 송이상(房狀) 응집물을 분산시켜 수득되고, 당해 송이상 응집물의 최대 입자 직경이 20㎛ 이하인, [1] 내지 [6] 중의 어느 하나에 기재된 수지 조성물. [7] The inorganic filler is obtained by dispersing a cluster-like aggregate of microcrystalline particles having an average crystallite diameter of 1800 Å or less, and the maximum particle diameter of the cluster-like aggregate is 20 µm or less, [1] to The resin composition according to any one of [6].

[8] 무기 충전재가 결정성 무기 충전재를 함유하고, 당해 결정성 무기 충전재의 함유량이, 무기 충전재 전체를 100질량%로 했을 때, 50질량% 이상인, [1] 내지 [7] 중의 어느 하나에 기재된 수지 조성물. [8] In any one of [1] to [7], wherein the inorganic filler contains a crystalline inorganic filler, and the content of the crystalline inorganic filler is 50% by mass or more when the total inorganic filler is 100% by mass. The described resin composition.

[9] 결정성 무기 충전재가 결정 실리카인, [8]에 기재된 수지 조성물. [9] The resin composition according to [8], wherein the crystalline inorganic filler is crystalline silica.

[10] 또한 에폭시 수지 및 경화제를 함유하는, [1] 내지 [9] 중의 어느 하나에 기재된 수지 조성물. [10] The resin composition according to any one of [1] to [9], further comprising an epoxy resin and a curing agent.

[11] 층간 절연층용 수지 조성물인, [1] 내지 [10] 중의 어느 하나에 기재된 수지 조성물. [11] The resin composition according to any one of [1] to [10], which is a resin composition for an interlayer insulating layer.

[12] [1] 내지 [11] 중의 어느 하나에 기재된 수지 조성물로 형성된 수지 조성물층을 포함하는, 시트상 적층 재료. [12] A sheet-like laminated material comprising a resin composition layer formed of the resin composition according to any one of [1] to [11].

[13] [1] 내지 [11] 중의 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함하는, 프린트 배선판. [13] A printed wiring board comprising an insulating layer formed of a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [11].

[14] [13]에 기재된 프린트 배선판을 포함하는, 반도체 장치.[14] A semiconductor device comprising the printed wiring board according to [13].

본 발명에 의하면, 양호한 분산 안정성과 적당한 용융 점도를 나타내는 동시에, 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 억제할 수 있는, 프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물을 제공할 수 있다. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, while showing favorable dispersion stability and moderate melt viscosity, the resin composition for insulating layers of a printed wiring board which can suppress the curvature in the mounting process of a component can be provided.

[프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물][Resin composition for insulating layer of printed wiring board]

본 발명의 프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물(이하, 단순히「본 발명의 수지 조성물」이라고도 한다.)은, 종래 공지의 구상의 무기 충전재, 파쇄상의 무기 충전재와는 상이한 형상을 갖는 무기 충전재를 소정량 함유하는 것을 특징으로 한다. The resin composition for an insulating layer of a printed wiring board of the present invention (hereinafter, also simply referred to as "the resin composition of the present invention") contains a predetermined amount of an inorganic filler having a shape different from that of a conventionally known spherical inorganic filler and crushed inorganic filler. characterized in that it contains

본 발명에서 사용하는 무기 충전재는, 구상의 무기 충전재와는 달리, 각진 형상을 가진다. 이 점, 파쇄상의 무기 충전재는 날카롭게 각진 형상을 가지고 있으며, 본 발명에서 사용하는 무기 충전재는 약간 둥그스름한 점에서, 파쇄상의 무기 충전재와도 상이한 형상을 가진다. Unlike the spherical inorganic filler, the inorganic filler used by this invention has an angular shape. In this respect, the crushed inorganic filler has a sharp angular shape, and the inorganic filler used in the present invention is slightly rounded, and thus has a shape different from that of the crushed inorganic filler.

평면으로의 투영 형상에 있어서 비교하면, 각이 명확하게 인식되지 않는 구상의 무기 충전재와는 달리, 본 발명에서 사용하는 무기 충전재는, 명확하게 각을 인식할 수 있다. 여기서, 「평면으로의 투영 형상에 있어서 각을 인식할 수 있다」란, 평면으로의 투영 형상에 있어서, 어느 직선 또는 대략 직선과, 당해 직선 또는 대략 직선과 일정한 각도(θ)(투영 형상 내측의 각도)를 가지고 접하는 직선 또는 대략 직선을 인식할 수 있는 것을 말한다. 그리고 본 발명에서 사용하는 무기 충전재에 관해서는, 당해 각도(θ)의 평균값이, 파쇄상의 무기 충전재에 비해 크다. 예를 들면, 본 발명에서 사용하는 무기 충전재는, 파쇄상의 무기 충전재에 비해, 당해 각도(θ)의 평균값이 바람직하게는 5°, 보다 바람직하게는 7.5°, 더욱 바람직하게는 10°, 12.5°, 15°, 17.5°, 또는 20° 크다. Compared with the projection shape to a plane, unlike the spherical inorganic filler in which an angle is not recognized clearly, the inorganic filler used by this invention can recognize an angle clearly. Here, "an angle can be recognized in the projection shape on a plane" means a certain straight line or substantially straight line and a certain straight line or substantially straight line and a constant angle θ (inside the projection shape) in the projection shape onto a plane. It means that a straight line tangent with an angle or an approximate straight line can be recognized. And about the inorganic filler used by this invention, the average value of the said angle (theta) is large compared with the crushed inorganic filler. For example, as for the inorganic filler used by this invention, compared with the crushed inorganic filler, Preferably the average value of the said angle (θ) is 5°, more preferably 7.5°, still more preferably 10°, 12.5° , 15°, 17.5°, or 20° greater.

이하, 본 발명에서 사용하는 무기 충전재의 형상을 2개의 형상 파라미터, 즉 형상 파라미터 A 및 형상 파라미터 B를 사용하여 설명한다. 또한, 형상 파라미터 A 및 형상 파라미터 B는, 3차원적 어프로치에 의해 도출된 파라미터인지 2차원적 어프로치에 의해 도출된 파라미터인지의 차이는 있지만, 어느 쪽도 무기 충전재의 형상에 관해서, 진구(眞球)로부터의 변형 정도를 나타내는 파라미터이다. Hereinafter, the shape of the inorganic filler used by this invention is demonstrated using two shape parameters, ie, shape parameter A and shape parameter B. In addition, although there is a difference in whether the shape parameter A and the shape parameter B are a parameter derived by a three-dimensional approach or a parameter derived by a two-dimensional approach, in either case, regarding the shape of the inorganic filler, ) is a parameter indicating the degree of deformation from

<형상 파라미터 A><Shape parameter A>

형상 파라미터 A는, 하기의 수학식 1로 표시된다. The shape parameter A is expressed by the following formula (1).

[수학식 1][Equation 1]

A=SRρ/6A=SRSρ/6

상기 수학식 1에 있어서, In Equation 1,

S는 무기 충전재의 비표면적(㎡/g)이고,S is the specific surface area (m2 / g) of the inorganic filler,

R은 무기 충전재의 평균 입자 직경(㎛)이고,R is the average particle diameter (㎛) of the inorganic filler,

ρ는 무기 충전재의 밀도(g/㎤)이다.ρ is the density (g/cm 3 ) of the inorganic filler.

복수의 진구가 존재하는 계(이하, 「진구 모델계」라고도 한다.)를 고려한다. 이들 진구의 평균 입자 직경(직경)이 R일 때, 진구 모델계 내에 존재하는 복수의 진구의 평균 표면적은 πR2로 표시되고, 평균 체적은 πR3/6으로 표시된다. 또한, 진구의 밀도가 ρ일 때, 진구 모델계 내에 존재하는 복수의 진구의 평균 질량은 πρR3/6으로 표시된다. A system in which a plurality of true spheres exist (hereinafter also referred to as a "real sphere model system") is considered. When the average particle diameter (diameter) of these true spheres is R, the average surface area of a plurality of true spheres existing in the true sphere model system is expressed by πR 2 , and the average volume is expressed by πR 3 /6. In addition, when the density of a true sphere is ρ, the average mass of a plurality of true spheres existing in the true sphere model system is expressed as πρR 3 /6.

다음에, 진구 모델계와 평균 체적 및 밀도가 동일한 무기 충전재의 계를 고려한다. 동일 체적의 물체에 있어서 진구가 가장 작은 표면적을 갖는다는 사실에 기초하면, 이러한 무기 충전재의 계에 존재하는 복수의 무기 충전재의 평균 표면적은, AπR2로 표시할 수 있다. 여기서, A는 무기 충전재의 형상 파라미터이고, 이의 하한은 1(무기 충전재가 진구인 경우)이다. 또한, 진구 모델계와 평균 체적 및 밀도가 동일하다는 조건에 기초하면, 무기 충전재의 계내에 존재하는 복수의 무기 충전재의 평균 질량은 πρR3/6으로 표시할 수 있다. 그리고, 무기 충전재의 계에 있어서, 무기 충전재의 비표면적(S)은, [무기 충전재의 계내에 존재하는 복수의 무기 충전재의 평균 표면적(AπR2)]/[무기 충전재의 계내에 존재하는 복수의 무기 충전재의 평균 질량(πρR3/6)]으로 표시할 수 있고, 이것은 6A/(Rρ)가 된다. 즉, S = 6A/(Rρ)의 관계식이 성립하고, 당해 수학식을 파라미터 A에 관해서 변형하면, 상기 수학식 1이 수득된다. Next, consider a system of an inorganic filler having the same average volume and density as that of a true sphere model system. Based on the fact that a true sphere has the smallest surface area in an object of the same volume, the average surface area of a plurality of inorganic fillers present in this system of inorganic fillers can be expressed as AπR 2 . Here, A is the shape parameter of the inorganic filler, and its lower limit is 1 (when the inorganic filler is a true sphere). In addition, based on the condition that the average volume and density are the same as those of the true sphere model system, the average mass of the plurality of inorganic fillers present in the system of the inorganic filler can be expressed as πρR 3 /6. And, in the system of the inorganic filler, the specific surface area S of the inorganic filler is [average surface area (AπR 2 ) of a plurality of inorganic fillers present in the system of the inorganic filler]/[a plurality of inorganic fillers present in the system of the inorganic filler] The average mass of the inorganic filler (πρR 3 /6)], which becomes 6A/(Rρ). That is, when the relational expression of S = 6A/(Rρ) is established and the expression is transformed with respect to the parameter A, the above expression (1) is obtained.

본 발명에서 사용하는 무기 충전재는, 상기 수학식 1로 표시되는 형상 파라미터 A가 20≤6A≤40을 충족시키는 것을 특징으로 한다. 형상 파라미터 A의 적합한 범위에 관해서는 후술한다. The inorganic filler used in the present invention is characterized in that the shape parameter A expressed by the above formula (1) satisfies 20≤6A≤40. A suitable range of the shape parameter A will be described later.

형상 파라미터 A를 수득할 때 필요한 무기 충전재의 비표면적(S)은, BET법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 흡착 점유 면적이 기지의 분자를 액체 질소의 온도로 무기 충전재 시료에 흡착시키고, 이의 흡착량으로부터 무기 충전재 시료의 비표면적을 구할 수 있다. 흡착 점유 면적이 기지의 분자로서는, 질소, 헬륨 등의 불활성 가스가 적합하게 사용된다. 무기 충전재의 비표면적(S)은, 자동 비표면적 측정 장치를 사용하여 측정할 수 있고, 당해 자동 비표면적 측정 장치로서는, 예를 들면, (주) 마운텍 제조 「Macsorb HM-1210」을 들 수 있다. The specific surface area (S) of the inorganic filler required to obtain the shape parameter A can be measured by the BET method. Specifically, molecules having a known adsorption occupied area are adsorbed to the inorganic filler sample at the temperature of liquid nitrogen, and the specific surface area of the inorganic filler sample can be obtained from the adsorption amount thereof. As the molecule having a known adsorption occupied area, an inert gas such as nitrogen or helium is preferably used. The specific surface area (S) of the inorganic filler can be measured using an automatic specific surface area measurement device, and examples of the automatic specific surface area measurement device include “Macsorb HM-1210” manufactured by Mountec Co., Ltd. have.

또한, 무기 충전재의 평균 입자 직경(R)은, 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입도 분포를 체적 기준으로 작성하고, 이의 메디안 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 무기 충전재를 초음파에 의해 수중에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치로서는, 예를 들면, (주) 시마즈세사쿠쇼 제조「SALD2200」, (주) 호리바세사쿠쇼 제조 「LA-500」, 「LA-750」,「LA-950」을 들 수 있다. In addition, the average particle diameter (R) of an inorganic filler can be measured by the laser diffraction/scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, it can measure by creating the particle size distribution of an inorganic filler on a volume basis with a laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus, and making this median diameter into an average particle diameter. As a measurement sample, what disperse|distributed the inorganic filler in water by ultrasonic wave can be used preferably. As a laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus, For example, Shimadzu Corporation make "SALD2200", Horibase Corporation make "LA-500", "LA-750", "LA-950" can be heard

<형상 파라미터 B><Shape parameter B>

형상 파라미터 B는, 하기 수학식 2로 표시된다. The shape parameter B is expressed by the following formula (2).

[수학식 2][Equation 2]

B = Lc/LB = Lc/L

상기 수학식 2에 있어서,In Equation 2,

L은 소정의 단면에서의 무기 충전재의 주위 길이(㎛)이고,L is the peripheral length (μm) of the inorganic filler in a given cross section,

Lc는 상기 단면에서의 무기 충전재의 단면적과 등면적의 진원의 주위 길이(㎛)이다. Lc is the perimeter length (μm) of the perfect circle equal to the cross-sectional area of the inorganic filler in the cross-section.

형상 파라미터 B는, 동일 면적의 도형에 있어서 진원이 가장 작은 주위 길이를 갖는다는 사실에 기초하여 도출되는 파라미터이고, 이의 상한은 1(소정의 단면에 있어서 무기 충전재의 단면 형상이 진원인 경우)이다. The shape parameter B is a parameter derived based on the fact that a perfect circle has the smallest peripheral length in a figure of the same area, and its upper limit is 1 (when the cross-sectional shape of the inorganic filler is a perfect circle in a given cross section) .

형상 파라미터 B는, 무기 충전재의 개개의 입자에 관해서 성립하는 파라미터이고, 무기 충전재를 구성하는 충분한 수의 입자에 관해서 형상 파라미터 B를 구함으로써, 무기 충전재의 형상에 관한 전체적인 특성을 파악하는 것이 가능하다. 본 발명의 일 실시형태에 있어서는, 무기 충전재를 구성하는 충분한 수의 입자에 관해서 형상 파라미터 B를 구하고, 이의 평균값에 의해 무기 충전재의 형상을 특성짓는다. 이러한 실시형태에 있어서, 본 발명에서 사용하는 무기 충전재는, 상기 수학식 2로 표시되는 형상 파라미터 B의 평균값이 0.8 이상 0.9 이하인 것을 특징으로 한다. 형상 파라미터 B의 평균값의 적합한 범위에 관해서는 후술한다. The shape parameter B is a parameter established for individual particles of the inorganic filler, and by obtaining the shape parameter B for a sufficient number of particles constituting the inorganic filler, it is possible to grasp the overall characteristics regarding the shape of the inorganic filler. . In one embodiment of the present invention, the shape parameter B is obtained for a sufficient number of particles constituting the inorganic filler, and the shape of the inorganic filler is characterized by the average value thereof. Such an embodiment WHEREIN: The inorganic filler used by this invention is characterized by the average value of the shape parameter B represented by said Formula (2) being 0.8 or more and 0.9 or less. A suitable range of the average value of the shape parameter B will be described later.

또는, 무기 충전재를 구성하는 충분한 수의 입자에 관해서 형상 파라미터 B를 구하고, 수득된 형상 파라미터 B의 값에 기초하여, 무기 충전재를 구성하는 입자의 형상 분포를 파악하는 것도 가능하다. 본 발명에서 사용하는 무기 충전재에 있어서, 상기 수학식 2로 표시되는 형상 파라미터 B의 값이 0.8 미만인 입자의 함유량은, 통상 50개수% 이하이다. 또한, 본 발명에서 사용하는 무기 충전재에 있어서, 상기 수학식 2로 표시되는 형상 파라미터 B의 값이 0.9보다 큰 입자의 함유량은, 통상 30개수% 이하이다. 이들 함유량의 적합한 범위에 관해서 후술한다. Alternatively, it is also possible to obtain the shape parameter B with respect to a sufficient number of particles constituting the inorganic filler, and grasp the shape distribution of the particles constituting the inorganic filler based on the obtained value of the shape parameter B. The inorganic filler used by this invention WHEREIN: Content of the particle|grains whose value of the shape parameter B represented by said Formula (2) is less than 0.8 is 50 number% or less normally. Moreover, the inorganic filler used by this invention WHEREIN: Content of the particle|grains whose value of the shape parameter B represented by said Formula (2) is larger than 0.9 is 30 number% or less normally. The suitable range of these content is mentioned later.

형상 파라미터 B를 수득할 때 필요한, 소정의 단면에서의 무기 충전재의 주위 길이(L) 및 당해 단면에서의 무기 충전재의 단면적은, 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 형성되는 층에 관해서, 단면 관찰을 실시함으로써 측정할 수 있다. 단면 관찰에는, FIB-SEM 복합 장치가 적합하게 사용된다. 수득된 FIB-SEM 상으로부터, (주) Leica 제조「QWin V3」등의 화상 처리 소프트를 사용하여, 층 내에 존재하는 무기 충전재의 주위 길이 및 면적(단면적)을 구할 수 있다. FIB-SEM 복합 장치로서는, 예를 들면, SII 나노테크놀로지(주) 제조「SMI3050SE」를 들 수 있다. The circumferential length (L) of the inorganic filler in a given cross section and the cross-sectional area of the inorganic filler in the cross section, which are necessary when obtaining the shape parameter B, are the cross-sectional observations of the layer formed using the resin composition of the present invention. It can be measured by carrying out. For cross-sectional observation, a FIB-SEM composite apparatus is suitably used. From the obtained FIB-SEM image, the peripheral length and area (cross-sectional area) of the inorganic filler existing in the layer can be calculated|required using image processing software, such as "QWin V3" by Leica Corporation. As an FIB-SEM composite apparatus, "SMI3050SE" manufactured by SII Nanotechnology Co., Ltd. is mentioned, for example.

Lc는, 수득된 무기 충전재의 단면적과 등면적의 진원의 주위 길이(원주)를 계산하면 된다. Lc may be calculated by calculating the circumferential length (circumference) of the perfect circle of the cross-sectional area and the equal area of the obtained inorganic filler.

일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 했을 때, 무기 충전재의 함유량이 40 내지 75체적%이고, 상기 수학식 1로 표시되는 무기 충전재의 형상 파라미터 A가 20≤6A≤40을 충족시키는 것을 특징으로 한다(이하, 「제1 실시형태의 수지 조성물」이라고도 한다.). In one embodiment, in the resin composition of the present invention, when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by volume, the content of the inorganic filler is 40 to 75% by volume, and the shape of the inorganic filler represented by the above formula (1) It is characterized in that the parameter A satisfies 20≤6A≤40 (hereinafter also referred to as “the resin composition of the first embodiment”).

양호한 분산 안정성과 적당한 용융 점도를 나타내는 수지 조성물을 수득하는 관점에서, 상기 6A의 값은, 40 이하인 것이 중요하다. 더욱 양호한 분산 안정성과 용융 점도를 나타내는 수지 조성물을 수득하는 관점에서, 상기 6A의 값은, 39.8 이하, 39.6 이하, 39.4 이하, 39.2 이하, 39 이하, 38 이하, 37 이하, 36 이하, 35 이하, 34 이하, 33 이하, 32 이하, 31 이하, 또는 30 이하인 것이 바람직하다. 상기 6A의 하한은, 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 충분히 억제하는 관점에서, 20 이상인 것이 중요하다. 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 한층 억제할 수 있는 관점에서, 상기 6A의 하한값은, 21 이상, 22 이상, 또는 23 이상인 것이 바람직하다. From the viewpoint of obtaining a resin composition exhibiting good dispersion stability and suitable melt viscosity, it is important that the value of 6A is 40 or less. From the viewpoint of obtaining a resin composition exhibiting better dispersion stability and melt viscosity, the value of 6A is 39.8 or less, 39.6 or less, 39.4 or less, 39.2 or less, 39 or less, 38 or less, 37 or less, 36 or less, 35 or less, It is preferably 34 or less, 33 or less, 32 or less, 31 or less, or 30 or less. It is important that the lower limit of 6A is 20 or more from the viewpoint of sufficiently suppressing warpage in the component mounting process. From the viewpoint of further suppressing warpage in the component mounting process, the lower limit of 6A is preferably 21 or more, 22 or more, or 23 or more.

다른 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 했을 때, 무기 충전재의 함유량이 40 내지 75체적%이고, 상기 수학식 2로 표시되는 무기 충전재의 형상 파라미터 B의 평균값이 0.8 이상 0.9 이하인 것을 특징으로 한다(이하, 「제2 실시형태의 수지 조성물」이라고도 한다.). In another embodiment, in the resin composition of the present invention, when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by volume, the content of the inorganic filler is 40 to 75% by volume, and the shape of the inorganic filler represented by the above formula (2) The average value of the parameter B is 0.8 or more and 0.9 or less, It is characterized by the above-mentioned (henceforth, it is also called "resin composition of 2nd embodiment.").

양호한 분산 안정성과 적당한 용융 점도를 나타내는 수지 조성물을 수득하는 관점에서, 형상 파라미터 B의 평균값은, 0.8 이상인 것이 중요하다. 더욱 양호한 분산 안정성과 용융 점도를 나타내는 수지 조성물을 수득하는 관점에서, 형상 파라미터 B의 평균값은, 0.81 이상, 또는 0.82 이상인 것이 바람직하다. 형상 파라미터 B의 평균값의 상한은, 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 충분히 억제하는 관점에서, 0.9 이하인 것이 중요하다. 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 한층 억제할 수 있는 관점에서, 형상 파라미터 B의 평균값의 상한은, 0.89 이하, 0.88 이하, 0.87 이하, 0.86 이하, 또는 0.85 이하인 것이 바람직하다. From the viewpoint of obtaining a resin composition exhibiting good dispersion stability and moderate melt viscosity, it is important that the average value of the shape parameter B is 0.8 or more. From the viewpoint of obtaining a resin composition exhibiting better dispersion stability and melt viscosity, the average value of the shape parameter B is preferably 0.81 or more, or 0.82 or more. It is important that the upper limit of the average value of the shape parameter B is 0.9 or less from the viewpoint of sufficiently suppressing warpage in the component mounting process. From the viewpoint of further suppressing warpage in the component mounting process, the upper limit of the average value of the shape parameter B is preferably 0.89 or less, 0.88 or less, 0.87 or less, 0.86 or less, or 0.85 or less.

제1 실시형태 및 제2 실시형태를 불문하고, 무기 충전재의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 했을 때, 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 충분히 억제하는 관점, 수득되는 절연층의 열팽창율을 충분히 저하시키는 관점에서, 40체적% 이상이고, 바람직하게는 42체적% 이상, 보다 바람직하게는 44체적% 이상, 더욱 바람직하게는 46체적% 이상, 더욱 보다 바람직하게는 48체적% 이상, 특히 바람직하게는 50체적% 이상, 52체적% 이상, 54체적% 이상, 56체적% 이상, 58체적% 이상, 또는 60체적% 이상이다. 파쇄상의 무기 충전재를 사용하는 경우에는, 당해 무기 충전재의 함유량이 높아짐에 따라 용융 점도가 과도하게 상승하는 경향이 있다. 이것에 대해, 본 발명에서 사용하는, 특정한 형상 파라미터 조건을 충족시키는 무기 충전재에 관해서는, 양호한 용융 점도를 실현하면서, 더욱 함유량을 높일 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 수지 조성물에 있어서, 당해 무기 충전재의 함유량은, 62체적% 이상, 64체적% 이상, 66체적% 이상, 또는 68체적% 이상으로까지 높여도 좋다. 당해 무기 충전재의 함유량의 상한은, 적당한 용융 점도를 나타내는 수지 조성물을 수득하는 관점, 표면 조도(粗度)가 작고 도체층과의 밀착 강도(필 강도)가 우수한 절연층을 수득하는 관점에서, 75체적% 이하이고, 바람직하게는 74체적% 이하, 보다 바람직하게는 73체적% 이하, 더욱 바람직하게는 72체적% 이하, 더욱 보다 바람직하게는 71체적% 이하, 특히 바람직하게는 70체적% 이하이다. 특히 프린트 배선판의 제조에 있어서 진공 라미네이트법에 의해 수지 조성물층과 내층 기판의 적층을 실시하는 경우에는, 당해 무기 충전재의 함유량의 상한은, 70체적% 이하인 것이 적합하다. 무기 충전재의 함유량(체적%)은, 수지 조성물의 조제에 사용하는 무기 충전재의 질량 및 밀도와, 수지 조성물의 조제에 사용하는 무기 충전재 이외의 불휘발 성분의 질량 및 밀도에 기초하여 산출할 수 있다. Regardless of the first embodiment and the second embodiment, the content of the inorganic filler is, when the non-volatile component in the resin composition is 100% by volume, from the viewpoint of sufficiently suppressing warpage in the component mounting process, the insulation obtained From the viewpoint of sufficiently reducing the thermal expansion coefficient of the layer, it is 40 vol% or more, preferably 42 vol% or more, more preferably 44 vol% or more, still more preferably 46 vol% or more, still more preferably 48 vol% or more. % or more, particularly preferably 50% by volume or more, 52% by volume or more, 54% by volume or more, 56% by volume or more, 58% by volume or more, or 60% by volume or more. When using a crushed inorganic filler, there exists a tendency for melt viscosity to rise excessively as content of the said inorganic filler becomes high. On the other hand, regarding the inorganic filler used by this invention which satisfy|fills specific shape parameter conditions, while realizing a favorable melt viscosity, content can be raised further. For example, the resin composition of this invention WHEREIN: You may raise content of the said inorganic filler to 62 volume% or more, 64 volume% or more, 66 volume% or more, or 68 volume% or more. The upper limit of the content of the inorganic filler is 75 from the viewpoint of obtaining a resin composition exhibiting an appropriate melt viscosity, and obtaining an insulating layer having a small surface roughness and excellent adhesion strength (peel strength) with the conductor layer, 75 vol% or less, preferably 74 vol% or less, more preferably 73 vol% or less, still more preferably 72 vol% or less, still more preferably 71 vol% or less, particularly preferably 70 vol% or less. . In particular, when laminating|stacking a resin composition layer and an inner-layer board|substrate by the vacuum lamination method in manufacture of a printed wiring board, it is suitable that the upper limit of content of the said inorganic filler is 70 volume% or less. The content (vol%) of the inorganic filler can be calculated based on the mass and density of the inorganic filler used for preparation of the resin composition, and the mass and density of nonvolatile components other than the inorganic filler used for preparation of the resin composition. .

제1 실시형태 및 제2 실시형태를 불문하고, 양호한 분산 안정성 및 용융 점도를 나타내는 수지 조성물을 수득하는 관점에서, 무기 충전재 중의, 상기 수학식 2로 표시되는 형상 파라미터 B의 값이 0.8 미만인 입자의 함유량은 낮은 것이 바람직하다. 본 발명의 수지 조성물에 있어서, 무기 충전재 중의, 상기 수학식 2로 표시되는 형상 파라미터 B의 값이 0.8 미만인 입자의 함유량은, 통상 50개수% 이하이고, 바람직하게는 48개수% 이하, 보다 바람직하게는 46개수% 이하, 더욱 바람직하게는 44개수% 이하, 더욱 보다 바람직하게는 42개수% 이하, 또는 40개수% 이하이다. 특히 형상 파라미터 B의 값이 0.75 이하인 입자의 함유량은, 20개수% 이하, 18개수% 이하, 또는 16개수% 이하인 것이 바람직하다. Regardless of the first embodiment and the second embodiment, from the viewpoint of obtaining a resin composition exhibiting good dispersion stability and melt viscosity, in the inorganic filler, the value of the shape parameter B represented by the above formula (2) is less than 0.8. It is preferable that content is low. In the resin composition of the present invention, the content of particles having a shape parameter B of less than 0.8 in the inorganic filler is usually 50% by number or less, preferably 48% by number or less, more preferably is 46% by number or less, more preferably 44% by number or less, still more preferably 42% by number or less, or 40% by number or less. In particular, the content of the particles having the shape parameter B of 0.75 or less is preferably 20% by number or less, 18% by number or less, or 16% by number or less.

제1 실시형태 및 제2 실시형태를 불문하고, 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 충분히 억제하는 관점에서, 무기 충전재 중의, 상기 수학식 2로 표시되는 형상 파라미터 B의 값이 0.9보다 큰 입자의 함유량은 낮은 것이 바람직하다. 본 발명의 수지 조성물에 있어서, 무기 충전재 중의, 상기 수학식 2로 표시되는 형상 파라미터 B의 값이 0.9보다 큰 입자의 함유량은, 통상 30개수% 이하이며, 바람직하게는 28개수% 이하, 보다 바람직하게는 26개수% 이하, 더욱 바람직하게는 24개수% 이하, 더욱 보다 바람직하게는 22개수% 이하, 또는 20개수% 이하이다. 특히 형상 파라미터 B의 값이 0.94 이상인 입자의 함유량은, 6개수% 이하, 4개수% 이하, 2개수% 이하, 1개수% 이하, 0.8개수% 이하, 0.6개수% 이하, 0.4개수% 이하, 0.2개수% 이하인 것이 바람직하다. Regardless of the first embodiment and the second embodiment, from the viewpoint of sufficiently suppressing warpage in the component mounting process, the value of the shape parameter B expressed by the above formula (2) in the inorganic filler is larger than 0.9. It is preferable that content is low. In the resin composition of the present invention, in the inorganic filler, the content of particles having a value of the shape parameter B expressed by the above formula (2) greater than 0.9 is usually 30% by number or less, preferably 28% by number or less, more preferably Preferably, it is 26 % by number or less, more preferably 24 % or less, and still more preferably 22 % by number or less, or 20 % by number or less. In particular, the content of particles having a shape parameter B of 0.94 or more is 6% by number, 4% or less, 2% or less, 1% or less, 0.8% or less, 0.6% or less, 0.4% or less, 0.2 It is preferable that it is number % or less.

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 무기 충전재의 재료는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 유리, 코디에라이트, 실리콘 산화물, 황산바륨, 탄산바륨, 활석, 점토, 운모 분말, 산화아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화망간, 붕산알루미늄, 탄산스트론튬, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무스, 산화티탄, 산화지르코늄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산바륨, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘, 인산지르코늄 및 인산텅스텐산지르코늄 등을 들 수 있고, 실리카가 특히 적합하다. 무기 충전재는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 무기 충전재를 2종 이상 조합하여 사용하는 경우, 형상 파라미터 A를 수득할 때 필요해지는 평균 입자 직경(R), 비표면적(S) 및 밀도(ρ)로서는, 각각, 수득된 무기 충전재 혼합물의 평균 입자 직경, 비표면적 및 밀도를 사용하면 좋다. In the resin composition of the present invention, the material of the inorganic filler is not particularly limited, and for example, silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide , hydrotalcite, boehmite, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, Titanium oxide, zirconium oxide, barium titanate, barium zirconate titanate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, zirconium phosphate tungsten, etc. are mentioned, Silica is especially suitable. An inorganic filler may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. When two or more inorganic fillers are used in combination, the average particle diameter (R), specific surface area (S) and density (ρ) required to obtain the shape parameter A are, respectively, the average particles of the obtained inorganic filler mixture. Diameter, specific surface area, and density may be used.

무기 충전재의 평균 입자 직경(R)은, 회로 배선의 미세화의 관점에서, 4㎛ 이하가 바람직하며, 3.5㎛ 이하가 보다 바람직하며, 3㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 무기 충전재의 평균 입자 직경의 하한은, 수지 조성물을 사용하여 수지 바니쉬를 형성할 때에 적당한 점도를 가져 취급성이 양호한 수지 바니쉬를 수득하는 관점에서, 0.01㎛ 이상이 바람직하며, 0.03㎛ 이상이 보다 바람직하며, 0.05㎛ 이상이 더욱 바람직하며, 0.07㎛ 이상이 더욱 보다 바람직하며, 0.1㎛ 이상이 특히 바람직하다. From a viewpoint of refinement|miniaturization of circuit wiring, 4 micrometers or less are preferable, as for the average particle diameter R of an inorganic filler, 3.5 micrometers or less are more preferable, and its 3 micrometers or less are still more preferable. The lower limit of the average particle diameter of the inorganic filler is preferably 0.01 µm or more, and more preferably 0.03 µm or more, from the viewpoint of obtaining a resin varnish having a suitable viscosity and good handleability when forming a resin varnish using the resin composition. and more preferably 0.05 µm or more, still more preferably 0.07 µm or more, and particularly preferably 0.1 µm or more.

무기 충전재의 비표면적(S)은, 평균 입자 직경(R) 및 밀도(ρ)와의 관계에 있어서 상기의 형상 파라미터 조건을 충족시키는 한에 있어서 특별히 한정되지 않는다. 무기 충전재의 비표면적은, 예를 들면, 3 내지 10㎡/g의 범위라도 좋고, 3 내지 8㎡/g의 범위인 것이 바람직하다. The specific surface area (S) of the inorganic filler is not particularly limited as long as the above shape parameter conditions are satisfied in relation to the average particle diameter (R) and the density (ρ). The range of 3-10 m<2>/g may be sufficient as the specific surface area of an inorganic filler, for example, and it is preferable that it is the range of 3-8 m<2>/g.

무기 충전재는, 상기의 형상 파라미터 조건을 충족시키는 한에 있어서, 비정성, 결정성의 어느 것이라도 좋다. 일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물은, 결정성 무기 충전재를 함유한다. 무기 충전재 중의 결정성 무기 충전재의 함유량은, 무기 충전재 전체를 100질량%로 했을 때, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 더욱 바람직하게는 70질량% 이상, 더욱 보다 바람직하게는 80질량% 이상, 특히 바람직하게는 90질량% 이상, 92질량% 이상, 94질량% 이상, 96질량% 이상, 98질량% 이상, 또는 99질량% 이상이다. 무기 충전재는, 불가피적으로 함유되는 불순물을 제거하고, 실질적으로 결정성 무기 충전재로 이루어져도 좋다. 이러한 실시형태에 있어서, 무기 충전재의 평균 결정자 직경은, 바람직하게는 1800Å 이하, 보다 바람직하게는 1600Å 이하, 더욱 바람직하게는 1400Å 이하이다. 당해 평균 결정자 직경의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 통상 100Å 이상, 200Å 이상 등으로 할 수 있다. 무기 충전재의 결정자 직경은, X선 회절(XRD) 장치를 사용하여 측정할 수 있다. XRD 장치로서는, 예를 들면, (주) 리가쿠 제조「Multi FLEX」를 들 수 있다. The inorganic filler may be either amorphous or crystalline as long as the above shape parameter conditions are satisfied. In one embodiment, the resin composition of this invention contains a crystalline inorganic filler. When content of the crystalline inorganic filler in an inorganic filler makes the whole inorganic filler 100 mass %, Preferably it is 50 mass % or more, More preferably, it is 60 mass % or more, More preferably, it is 70 mass % or more. Preferably it is 80 mass % or more, Especially preferably, it is 90 mass % or more, 92 mass % or more, 94 mass % or more, 96 mass % or more, 98 mass % or more, or 99 mass % or more. An inorganic filler may remove the impurity contained inevitably, and may consist of a crystalline inorganic filler substantially. In this embodiment, the average crystallite diameter of the inorganic filler is preferably 1800 angstroms or less, more preferably 1600 angstroms or less, still more preferably 1400 angstroms or less. Although the lower limit of the said average crystallite diameter is not specifically limited, Usually, it can be 100 angstrom or more, 200 angstrom or more, etc. The crystallite diameter of the inorganic filler can be measured using an X-ray diffraction (XRD) apparatus. As an XRD apparatus, "Multi FLEX" by Rigaku Co., Ltd. is mentioned, for example.

이 중에서도, 결정성 무기 충전재로서는, 결정 실리카를 사용하는 것이 바람직하다. Among these, it is preferable to use crystalline silica as a crystalline inorganic filler.

상기의 형상 파라미터 조건을 충족시키는 무기 충전재는, 예를 들면, 날카롭게 각진 형상을 갖는 파쇄상의 무기 충전재의 표면을, 물리적 및/또는 화학적으로 연마하는 방법, 열처리하는 방법 등에 의해, 약간 둥그스름하게 함으로써 조제하면 된다. 물리적 연마 및 화학적 연마의 방법은 특별히 한정되지 않으며, 종래 공지의 임의의 방법을 사용하면 좋다. 파쇄 실리카의 시판품으로서는, 예를 들면, 타츠모리(주) 제조「VX-SR」등을 들 수 있다. The inorganic filler satisfying the above shape parameter conditions is prepared by, for example, slightly rounding the surface of the crushed inorganic filler having a sharp angular shape by a method of physically and/or chemically polishing, a method of heat treatment, etc. Do it. The methods of physical polishing and chemical polishing are not particularly limited, and any conventionally known method may be used. As a commercial item of crushed silica, Tatsumori Co., Ltd. product "VX-SR" etc. are mentioned, for example.

또한, 천연적으로 산출되는 무기 산화물 중에는, 상기의 형상 파라미터 조건을 적합하게 충족시키는 무기 산화물이 존재한다. 예를 들면, 평균 결정자 직경 1800Å 이하의 미결정 입자의 송이상 응집물로서 산출되는 천연 실리카(특히 송이상 응집물의 최대 입자 직경이 20㎛ 이하인 경우)는, 수지 조성물의 조제시에 분산 조작을 거침으로써, 송이상 응집물이 풀어져 상기의 형상 파라미터 조건을 충족시키게 된다. 따라서 일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물에 함유되는 무기 충전재는, 평균 결정자 직경 1800Å 이하의 미결정 입자의 송이상 응집물을 분산시켜 수득되고, 당해 송이상 응집물의 최대 입자 직경이 20㎛ 이하인 것을 특징으로 한다. 이러한 천연 실리카의 시판품으로서는, 예를 들면, Unimin사 제조「IMSIL A-8」,「IMSIL A-10」,「IMSIL A-15」,「IMSIL A-25」등을 들 수 있다. In addition, among the naturally occurring inorganic oxides, there exist inorganic oxides that suitably satisfy the above shape parameter conditions. For example, natural silica (especially when the maximum particle diameter of the cluster-like aggregate is 20 µm or less) is produced as a cluster-like aggregate of microcrystalline particles with an average crystallite diameter of 1800 Å or less by passing through a dispersion operation at the time of preparation of the resin composition, The pine-like agglomerates are released to satisfy the above shape parameter conditions. Therefore, in one embodiment, the inorganic filler contained in the resin composition of the present invention is obtained by dispersing a cluster-like aggregate of microcrystalline particles having an average crystallite diameter of 1800 Å or less, and the maximum particle diameter of the cluster-like aggregate is 20 µm or less. characterized. As a commercial item of such natural silica, "IMSIL A-8" by Unimin, "IMSIL A-10", "IMSIL A-15", "IMSIL A-25" etc. are mentioned, for example.

본 발명의 수지 조성물에 사용하는 무기 충전재는, 분산성, 내습성을 향상시키는 관점에서, 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다. 표면 처리제로서는, 예를 들면, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 오르가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제를 들 수 있다. 표면 처리제는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들면, 신에츠가가쿠고교(주) 제조「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교(주) 제조「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교(주) 제조「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠가가쿠고교(주) 제조「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교(주) 제조「SZ-31」(헥사메틸디실라잔) 등을 들 수 있다. It is preferable that the inorganic filler used for the resin composition of this invention is surface-treated with the surface treating agent from a viewpoint of improving dispersibility and moisture resistance. Examples of the surface treatment agent include an aminosilane-based coupling agent, an epoxysilane-based coupling agent, a mercaptosilane-based coupling agent, a silane-based coupling agent, an organosilazane compound, and a titanate-based coupling agent. A surface treating agent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. As a commercial item of a surface treatment agent, For example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM403" (3-glycidoxypropyl trimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. product "KBM803" (3-mercapto) propyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltri methoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "SZ-31" (hexamethyldisilazane), etc. are mentioned.

무기 충전재의 표면 처리후, 무기 충전재의 표면에 결합하고 있는 단위 표면적당 카본량은, 바람직하게는 0.05mg/㎡ 이상, 보다 바람직하게는 0.08mg/㎡ 이상, 더욱 바람직하게는 0.11mg/㎡ 이상, 더욱 보다 바람직하게는 0.14mg/㎡ 이상, 특히 바람직하게는 0.17mg/㎡ 이상, 0.20mg/㎡ 이상, 0.23mg/㎡ 이상, 또는 0.26mg/㎡ 이상이다. 당해 카본량의 상한은, 바람직하게는 1.00mg/㎡ 이하, 보다 바람직하게는 0.75mg/㎡ 이하, 더욱 바람직하게는 0.70mg/㎡ 이하, 더욱 보다 바람직하게는 0.65mg/㎡ 이하, 0.60mg/㎡ 이하, 0.55mg/㎡ 이하, 0.50mg/㎡ 이하이다. After the surface treatment of the inorganic filler, the amount of carbon per unit surface area bonded to the surface of the inorganic filler is preferably 0.05 mg/m2 or more, more preferably 0.08 mg/m2 or more, still more preferably 0.11 mg/m2 or more. , still more preferably 0.14 mg/m 2 or more, particularly preferably 0.17 mg/m 2 or more, 0.20 mg/m 2 or more, 0.23 mg/m 2 or more, or 0.26 mg/m 2 or more. The upper limit of the amount of carbon is preferably 1.00 mg/m2 or less, more preferably 0.75 mg/m2 or less, still more preferably 0.70 mg/m2 or less, still more preferably 0.65 mg/m2 or less, 0.60 mg/m2 or less. m 2 or less, 0.55 mg/m 2 or less, and 0.50 mg/m 2 or less.

무기 충전재의 표면에 결합하고 있는 단위 면적당 카본량은, 이하의 수순으로 산출할 수 있다. 표면 처리후의 무기 충전재에 용제로서 충분한 양의 메틸에틸케톤(MEK)을 가하고, 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여 무기 충전재의 표면에 결합하고 있는 카본량을 측정한다. 수득된 카본량을 무기 충전재의 비표면적으로 나눔으로써, 무기 충전재에 결합하고 있는 단위 표면적당 카본량을 산출한다. 카본 분석계로서는, 예를 들면, (주) 호리바세사쿠쇼 제조 「EMIA-320V」등을 들 수 있다. The amount of carbon per unit area couple|bonded with the surface of an inorganic filler is computable with the following procedure. A sufficient amount of methyl ethyl ketone (MEK) as a solvent is added to the inorganic filler after surface treatment, followed by ultrasonic cleaning. After removing the supernatant and drying the solid content, the amount of carbon bonded to the surface of the inorganic filler is measured using a carbon analyzer. By dividing the obtained carbon amount by the specific surface area of an inorganic filler, the carbon amount per unit surface area couple|bonded with the inorganic filler is computed. As a carbon analyzer, "EMIA-320V" by Horibase Corporation, etc. is mentioned, for example.

본 발명의 수지 조성물은, 추가로 열경화성 수지 및 경화제를 함유하는 것이 바람직하다. 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지가 바람직하다. 따라서 일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물은, 무기 충전재에 더하여, 에폭시 수지 및 경화제를 함유한다. It is preferable that the resin composition of this invention contains a thermosetting resin and a hardening|curing agent further. As a thermosetting resin, an epoxy resin is preferable. Therefore, in one Embodiment, the resin composition of this invention contains an epoxy resin and a hardening|curing agent in addition to an inorganic filler.

-에폭시 수지--Epoxy resin-

에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. Examples of the epoxy resin include bisphenol A epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, naphthol novolak type Epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, Cresol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, butadiene structure epoxy resin, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resin, cyclohexanedimethanol type epoxy resin, naph A thylene ether type epoxy resin, a trimethylol type epoxy resin, a tetraphenylethane type epoxy resin, etc. are mentioned. An epoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

에폭시 수지는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우에, 적어도 50질량% 이상은 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 이 중에서도, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 가지며, 온도 20℃에서 액상인 에폭시 수지(이하「액상 에폭시 수지」라고 한다.)와, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 가지며, 온도 20℃에서 고체상인 에폭시 수지(이하「고체상 에폭시 수지」라고 한다.)를 함유하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용함으로써, 우수한 가요성을 갖는 수지 조성물이 수득된다. 또한, 수지 조성물의 경화물의 파단 강도도 향상된다. It is preferable that an epoxy resin contains the epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule. When the nonvolatile component of an epoxy resin is 100 mass %, it is preferable that at least 50 mass % or more is an epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule. Among them, an epoxy resin that has two or more epoxy groups in one molecule and is liquid at a temperature of 20°C (hereinafter referred to as “liquid epoxy resin”), and three or more epoxy groups in one molecule, which are solid at a temperature of 20°C It is preferable to contain an epoxy resin (hereinafter referred to as "solid epoxy resin"). As the epoxy resin, a resin composition having excellent flexibility is obtained by using a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin together. Moreover, the breaking strength of the hardened|cured material of a resin composition also improves.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하며, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 및 나프탈렌형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC(주) 제조의 「HP4032」,「HP4032H」,「HP4032D」,「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지), 미쯔비시가가쿠(주) 제조의「jER828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지), 「jER807」(비스페놀 F형 에폭시 수지), 「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지), 신닛테츠스미킨가가쿠(주) 제조「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품), 나가세켐텍스(주) 제조의「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지), 다이셀가가쿠고교(주) 제조의「PB-3600」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지)를 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. As the liquid epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, and epoxy resin having a butadiene structure are preferable, and bisphenol A A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, and a naphthalene type epoxy resin are more preferable. Specific examples of the liquid epoxy resin include "HP4032", "HP4032H", "HP4032D", "HP4032SS" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation, "jER828EL" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (bisphenol A type) Epoxy resin), "jER807" (bisphenol F-type epoxy resin), "jER152" (phenol novolak-type epoxy resin), "ZX1059" (bisphenol A-type epoxy resin and bisphenol F-type epoxy resin) manufactured by Shin-Nittetsu Chemical Co., Ltd. mixture of resin), "EX-721" (glycidyl ester type epoxy resin) manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd., "PB-3600" manufactured by Daicel Chemicals Co., Ltd. (epoxy resin having a butadiene structure) ) can be mentioned. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

고체상 에폭시 수지로서는, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하며, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC(주) 제조의 「HP-4700」,「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지), 「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지), 「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지), 「HP-7200」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지), 「EXA7311」,「EXA7311-G3」,「EXA7311-G4」,「EXA7311-G4S」,「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지), 니혼가야쿠(주) 제조의「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지), 「NC7000L」(나프톨노볼락형 에폭시 수지), 「NC3000H」,「NC3000」,「NC3000L」,「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지), 신닛테츠스미킨가가쿠(주) 제조의「ESN475V」(나프톨형 에폭시 수지), 「ESN485」(나프톨노볼락형 에폭시 수지), 미쯔비시가가쿠(주) 제조의「YX4000H」,「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지),「YX4000H」,「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지), 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지), 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지), 오사카가스케미칼(주) 제조의「PG-100」,「CG-500」, 미쯔비시가가쿠(주) 제조의「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지), 미쯔비시가가쿠(주) 제조의「jER1010」(고체상 비스페놀 A형 에폭시 수지), 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. Examples of the solid-state epoxy resin include a naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin, a cresol novolak-type epoxy resin, a dicyclopentadiene-type epoxy resin, a trisphenol-type epoxy resin, a naphthol-type epoxy resin, a biphenyl-type epoxy resin, and a naphthylene ether-type epoxy resin. , anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin are preferable, naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, naphthol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, bisphenol A type An epoxy resin and a tetraphenylethane type epoxy resin are more preferable. As a specific example of a solid-state epoxy resin, "HP-4700", "HP-4710" (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin) manufactured by DIC Corporation, "N-690" (cresol novolak type epoxy resin), "N- 695” (cresol novolak type epoxy resin), “HP-7200” (dicyclopentadiene type epoxy resin), “EXA7311”, “EXA7311-G3”, “EXA7311-G4”, “EXA7311-G4S”, “HP6000” ” (naphthylene ether type epoxy resin), “EPPN-502H” (trisphenol type epoxy resin) manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd., “NC7000L” (naphthol novolak type epoxy resin), “NC3000H”, “NC3000” , "NC3000L", "NC3100" (biphenyl type epoxy resin), "ESN475V" (naphthol type epoxy resin) manufactured by Shin-Nittetsu Chemical Co., Ltd., "ESN485" (naphthol novolac type epoxy resin), Mitsubishi "YX4000H", "YL6121" (biphenyl type epoxy resin), "YX4000H", "YL6121" (biphenyl type epoxy resin), "YX4000HK" (bixylenol type epoxy resin), "YX8800" manufactured by Kaku Corporation (Anthracene type epoxy resin), Osaka Chemical Co., Ltd. "PG-100", "CG-500", Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "YL7800" (fluorene type epoxy resin), Mitsubishi Chemical ( "jER1010" (solid bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Note), "jER1031S" (tetraphenylethane type epoxy resin), etc. are mentioned.

에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용하는 경우, 이들의 양비(量比)(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 질량비로, 1:0.1 내지 1:4의 범위가 바람직하다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비를 이러한 범위로 함으로써, i) 시트상 적층 재료의 형태로 사용하는 경우에 적당한 점착성이 초래되고, ii) 시트상 적층 재료의 형태로 사용하는 경우에 충분한 가요성이 수득되어, 취급성이 향상되고, 및 iii) 충분한 파단 강도를 갖는 경화물을 수득할 수 있는 등의 효과가 수득된다. 상기 i) 내지 iii)의 효과의 관점에서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 질량비로, 1:0.3 내지 1:3.5의 범위가 보다 바람직하며, 1:0.6 내지 1:3의 범위가 더욱 바람직하다. As an epoxy resin, when using a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin together, these ratios (liquid epoxy resin:solid epoxy resin) are mass ratio, and the range of 1:0.1 - 1:4 is preferable. By setting the ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin in such a range, i) proper tackiness is brought about when used in the form of a sheet-like laminated material, and ii) sufficient flexibility is obtained when used in the form of a sheet-like laminated material. This is obtained, and effects such as improved handling properties and iii) being able to obtain a cured product having sufficient breaking strength are obtained. From the viewpoint of the effects of i) to iii) above, the amount ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin (liquid epoxy resin:solid epoxy resin) is, in terms of mass ratio, more preferably in the range of 1:0.3 to 1:3.5, 1 The range of :0.6 to 1:3 is more preferable.

수지 조성물 중의 에폭시 수지의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 바람직하게는 3 내지 40질량%, 보다 바람직하게는 5 내지 35질량%, 더욱 바람직하게는 10 내지 30질량%이다. When content of the epoxy resin in a resin composition makes the non-volatile component in a resin composition 100 mass %, Preferably it is 3-40 mass %, More preferably, it is 5-35 mass %, More preferably, it is 10-30 mass %. %am.

에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50 내지 5000, 보다 바람직하게는 50 내지 3000, 더욱 바람직하게는 80 내지 2000, 더욱 보다 바람직하게는 110 내지 1000이다. 이 범위가 됨으로써, 경화물의 가교 밀도가 충분해져 표면 조도가 작은 절연층을 초래할 수 있다. 또한, 에폭시 당량은, JIS K7236에 따라 측정할 수 있고, 1당량의 에폭시기를 함유하는 수지의 질량이다. The epoxy equivalent of an epoxy resin becomes like this. Preferably it is 50-5000, More preferably, it is 50-3000, More preferably, it is 80-2000, More preferably, it is 110-1000. By being in this range, the crosslinking density of hardened|cured material becomes sufficient, and the insulating layer with a small surface roughness can be brought about. In addition, an epoxy equivalent can be measured according to JISK7236, and is the mass of resin containing 1 equivalent of an epoxy group.

에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 100 내지 5000, 보다 바람직하게는 250 내지 3000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1500이다. 여기서, 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다. The weight average molecular weight of an epoxy resin becomes like this. Preferably it is 100-5000, More preferably, it is 250-3000, More preferably, it is 400-1500. Here, the weight average molecular weight of an epoxy resin is the weight average molecular weight of polystyrene conversion measured by the gel permeation chromatography (GPC) method.

-경화제--hardener-

경화제로서는, 에폭시 수지를 경화하는 기능을 갖는 한 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 및 시아네이트에스테르계 경화제를 들 수 있다. 경화제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. The curing agent is not particularly limited as long as it has a function of curing the epoxy resin, and examples thereof include a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent, an active ester-based curing agent, a benzoxazine-based curing agent, and a cyanate ester-based curing agent. A hardening|curing agent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제로서는, 내열성 및 내수성의 관점에서, 노볼락 구조를 갖는 페놀계 경화제, 또는 노볼락 구조를 갖는 나프톨계 경화제가 바람직하다. 또한, 도체층과의 밀착 강도의 관점에서, 함질소 페놀계 경화제 또는 함질소 나프톨계 경화제가 바람직하며, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제 또는 트리아진 골격 함유 나프톨계 경화제가 보다 바람직하다. 이 중에서도, 내열성, 내수성, 및 도체층과의 밀착 강도를 고도로 만족시키는 관점에서, 트리아진 골격 함유 페놀노볼락 수지가 바람직하다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. As the phenol-based curing agent and the naphthol-based curing agent, from the viewpoint of heat resistance and water resistance, a phenol-based curing agent having a novolak structure or a naphthol-based curing agent having a novolak structure is preferable. Further, from the viewpoint of adhesion strength with the conductor layer, a nitrogen-containing phenol-based curing agent or a nitrogen-containing naphthol-based curing agent is preferable, and a triazine skeleton-containing phenol-based curing agent or a triazine skeleton-containing naphthol-based curing agent is more preferable. Among these, a triazine skeleton containing phenol novolak resin is preferable from a viewpoint of highly satisfying heat resistance, water resistance, and adhesive strength with a conductor layer. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제의 구체예로서는, 예를 들면, 메이와가세이(주) 제조의 「MEH-7700」,「MEH-7810」,「MEH-7851」, 니혼가야쿠(주) 제조의「NHN」,「CBN」,「GPH」, 신닛테츠스미킨가가쿠(주) 제조의「SN-170」,「SN-180」,「SN-190」,「SN-475」,「SN-485」,「SN-495」,「SN-375」,「SN-395」, DIC(주) 제조의「LA-7052」,「LA-7054」,「LA-3018」,「LA-1356」,「TD2090」 등을 들 수 있다. As a specific example of a phenol type hardening|curing agent and a naphthol type hardening|curing agent, For example, Meiwa Chemical Co., Ltd. product "MEH-7700", "MEH-7810", "MEH-7851", Nihon Kayaku Co., Ltd. product “NHN”, “CBN”, “GPH”, “SN-170”, “SN-180”, “SN-190”, “SN-475”, “SN-485” manufactured by Shin-Nittetsu Sumi-King Chemical Co., Ltd. ”, “SN-495”, “SN-375”, “SN-395”, “LA-7052”, “LA-7054”, “LA-3018”, “LA-1356” manufactured by DIC Co., Ltd. "TD2090" etc. are mentioned.

활성 에스테르계 경화제로서는, 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 페놀에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 당해 활성 에스테르계 경화제는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물의 축합 반응에 의해 수득되는 것이 바람직하다. 특히 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하며, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다. 카복실산 화합물로서는, 예를 들면 벤조산, 아세트산, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다. 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들면 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화비스페놀 A, 메틸화비스페놀 F, 메틸화비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀노볼락 등을 들 수 있다. 여기서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합하여 수득되는 디페놀 화합물을 말한다. Although there is no restriction|limiting in particular as an active ester type hardening|curing agent, Generally, ester groups with high reaction activity, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and heterocyclic hydroxy compound esters, are 2 in 1 molecule. Compounds having at least one compound are preferably used. It is preferable that the said active ester type hardening|curing agent is obtained by the condensation reaction of a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylic acid compound, and a hydroxy compound and/or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a phenol compound and/or a naphthol compound is more preferable. Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid. Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, and m-cresol. , p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, tri Hydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol compound, phenol novolak, etc. are mentioned. Here, the "dicyclopentadiene-type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol to one molecule of dicyclopentadiene.

활성 에스테르계 경화제로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 벤조일화물을 함유하는 활성 에스테르 화합물이 바람직하며, 이 중에서도 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물이 보다 바람직하다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 한편,「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜탈렌-페닐렌으로 이루어지는 2가의 구조 단위를 나타낸다. Examples of the active ester curing agent include an active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac, and a benzoyl product of phenol novolac. The active ester compound contained is preferable, and among these, the active ester compound containing a naphthalene structure and the active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure are more preferable. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. In addition, "dicyclopentadiene type diphenol structure" represents the divalent structural unit which consists of phenylene-dicyclopentalene-phenylene.

활성 에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서, 「EXB9451」,「EXB9460」,「EXB9460S」,「HPC-8000-65T」(DIC(주) 제조), 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서「EXB9416-70BK」(DIC(주) 제조), 페놀노볼락의 아세틸화물을 함유하는 활성 에스테르 화합물로서「DC808」(미쯔비시가가쿠(주) 제조), 페놀노볼락의 벤조일화물을 함유하는 활성 에스테르 화합물로서「YLH1026」(미쯔비시가가쿠(주) 제조) 등을 들 수 있다. Commercially available active ester curing agents are active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, such as "EXB9451", "EXB9460", "EXB9460S", and "HPC-8000-65T" (manufactured by DIC Corporation). , "EXB9416-70BK" (manufactured by DIC Corporation) as an active ester compound containing a naphthalene structure, "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) as an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac, phenol "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) etc. are mentioned as an active ester compound containing a novolak benzoyl compound.

벤조옥사진계 경화제의 구체예로서는, 쇼와코훈시(주) 제조의「HFB2006M」, 시코쿠가세이고교(주) 제조의 「P-d」,「F-a」를 들 수 있다. As a specific example of a benzoxazine type hardening|curing agent, "HFB2006M" by Showa Kofunshi Co., Ltd., "P-d" by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd. product, and "F-a" are mentioned.

시아네이트에스테르계 경화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 노볼락형(페놀노볼락형, 알킬페놀노볼락형 등) 시아네이트에스테르계 경화제, 디사이클로펜타디엔형 시아네이트에스테르계 경화제, 비스페놀형(비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형 등) 시아네이트에스테르계 경화제, 및 이들이 일부 트리아진화된 프레폴리머 등을 들 수 있다. 구체예로서는, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트(올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디사이네이트, 헥사플루오로비스페놀A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지, 페놀노볼락 및 크레졸노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지, 및 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프레폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 론자재팬(주) 제조의 「PT30」및「PT60」(모두 페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지), 「BA230」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 삼량체가 된 프레폴리머) 등을 들 수 있다. Although it does not specifically limit as a cyanate ester type hardening|curing agent, For example, a novolak type (phenol novolak type, alkylphenol novolak type, etc.) cyanate ester type hardening|curing agent, a dicyclopentadiene type cyanate ester type hardening|curing agent, bisphenol type (bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, etc.) cyanate ester curing agent, and a prepolymer in which these are partially triazined. Specific examples include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate (oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4'-methylenebis (2,6-dimethylphenyl cyanate), 4, 4'-ethylidenediphenyldisinate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis(4-cyanate)phenylpropane, 1,1-bis(4-cyanatephenylmethane), bis( 4-cyanate-3,5-dimethylphenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanatephenyl-1-(methylethylidene))benzene, bis(4-cyanatephenyl)thioether, and bis bifunctional cyanate resins such as (4-cyanate phenyl) ether, polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolac and cresol novolak, etc., and prepolymers in which these cyanate resins are partially triazined; and the like. As a commercial item of a cyanate ester type hardening|curing agent, "PT30" and "PT60" (both phenol novolak-type polyfunctional cyanate ester resin) manufactured by Ronjapan Co., Ltd., "BA230" (part of bisphenol A dicyanate or prepolymers in which all were triazineized and trimer); and the like.

에폭시 수지와 경화제의 양비는, 수득되는 절연층의 기계 강도나 내수성을 향상시키는 관점에서, [에폭시 수지의 에폭시기의 합계수]:[경화제의 반응기의 합계수]의 비율로, 1:0.2 내지 1:2의 범위가 바람직하며, 1:0.3 내지 1:1.5의 범위가 보다 바람직하며, 1:0.4 내지 1:1의 범위가 더욱 바람직하다. 여기서, 경화제의 반응기란, 활성 수산기, 활성 에스테르기 등이며, 경화제의 종류에 따라 상이하다. 또한, 에폭시 수지의 에폭시기의 합계수란, 각 에폭시 수지의 고형분 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모든 에폭시 수지에 관해서 합계한 값이며, 경화제의 반응기의 합계수란, 각 경화제의 고형분 질량을 반응기 당량으로 나눈 값을 모든 경화제에 관해서 합계한 값이다. The amount ratio of the epoxy resin and the curing agent is from the viewpoint of improving the mechanical strength and water resistance of the obtained insulating layer, [the total number of epoxy groups of the epoxy resin]: [the total number of reactive groups of the curing agent] in a ratio of 1:0.2 to 1 The range of :2 is preferable, the range of 1:0.3 to 1:1.5 is more preferable, and the range of 1:0.4 to 1:1 is still more preferable. Here, a reactive group of a hardening|curing agent is an active hydroxyl group, an active ester group, etc., and it changes with the kind of hardening|curing agent. In addition, the total number of epoxy groups of the epoxy resin is a value obtained by dividing the solid content mass of each epoxy resin by the epoxy equivalent for all epoxy resins, and the total number of reactive groups of the curing agent is the solid content mass of each curing agent equal to the reactor equivalent. It is a value obtained by dividing the value obtained by dividing by the sum of all curing agents.

일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물은, 상기의 무기 충전재, 에폭시 수지 및 경화제를 함유한다. 이 중에서도, 수지 조성물은, 무기 충전재로서 결정 실리카를, 에폭시 수지로서 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 혼합물(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지의 질량비는 바람직하게는 1:0.1 내지 1:4, 보다 바람직하게는 1:0.3 내지 1:3.5, 더욱 바람직하게는 1:0.6 내지 1:3)을, 경화제로서 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제 및 시아네이트에스테르계 경화제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을, 각각 함유하는 것이 바람직하다. 이러한 특정한 성분을 조합하여 함유하는 수지 조성물층에 관해서도, 무기 충전재, 에폭시 수지, 및 경화제의 적합한 함유량은 상기한 바와 같다. In one embodiment, the resin composition of this invention contains said inorganic filler, an epoxy resin, and a hardening|curing agent. Among these, the resin composition uses crystalline silica as an inorganic filler and a mixture of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin as an epoxy resin (the mass ratio of liquid epoxy resin:solid epoxy resin is preferably 1:0.1 to 1:4, more preferably preferably 1:0.3 to 1:3.5, more preferably 1:0.6 to 1:3) as a curing agent, selected from the group consisting of a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent, an active ester-based curing agent, and a cyanate ester-based curing agent. It is preferable to contain 1 or more types, respectively. Also regarding the resin composition layer containing these specific components in combination, suitable content of an inorganic filler, an epoxy resin, and a hardening|curing agent is as above-mentioned.

본 발명의 수지 조성물은, 필요에 따라, 열가소성 수지, 경화 촉진제, 난연제 및 유기 충전재로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 첨가제를 추가로 함유하고 있어도 좋다. The resin composition of this invention may further contain 1 or more types of additives selected from the group which consists of a thermoplastic resin, a hardening accelerator, a flame retardant, and an organic filler as needed.

-열가소성 수지--Thermoplastic resin-

열가소성 수지로서는, 예를 들면, 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에스테르 수지를 들 수 있다. 열가소성 수지는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polybutadiene resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyphenylene. Ether resin, polycarbonate resin, polyether ether ketone resin, and polyester resin are mentioned. A thermoplastic resin may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 8,000 내지 70,000의 범위가 바람직하며, 10,000 내지 60,000의 범위가 보다 바람직하며, 20,000 내지 60,000의 범위가 더욱 바람직하다. 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법으로 측정된다. 구체적으로는, 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 측정 장치로서 (주) 시마즈세사쿠쇼 제조 LC-9A/RID-6A를, 칼럼으로서 쇼와덴코(주) 제조 Shodex K-800P/K-804L/K-804L을, 이동상으로서 클로로포름 등을 사용하고, 칼럼 온도 40℃에서 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 산출할 수 있다. The range of 8,000-70,000 is preferable, as for the polystyrene conversion weight average molecular weight of a thermoplastic resin, the range of 10,000-60,000 is more preferable, The range of 20,000-60,000 is still more preferable. The weight average molecular weight of a thermoplastic resin in terms of polystyrene is measured by a gel permeation chromatography (GPC) method. Specifically, the weight average molecular weight in terms of polystyrene of the thermoplastic resin is LC-9A/RID-6A manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device and Shodex K-800P/K manufactured by Showa Denko Corporation as a column. -804L/K-804L can be calculated by using chloroform or the like as a mobile phase and measuring at a column temperature of 40°C using a standard polystyrene calibration curve.

페녹시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 골격, 비스페놀 F 골격, 비스페놀 S 골격, 비스페놀아세트페논 골격, 노볼락 골격, 비페닐 골격, 플루오렌 골격, 디사이클로펜타디엔 골격, 노르보르넨 골격, 나프탈렌 골격, 안트라센 골격, 아다만탄 골격, 테르펜 골격, 및 트리메틸사이클로헥산 골격으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 골격을 갖는 페녹시 수지를 들 수 있다. 페녹시 수지의 말단은, 페놀성 수산기, 에폭시기 등의 어느 관능기라도 좋다. 페녹시 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 페녹시 수지의 구체예로서는, 미쯔비시가가쿠(주) 제조의 「1256」및「4250」(모두 비스페놀 A 골격 함유 페녹시 수지), 「YX8100」(비스페놀 S 골격 함유 페녹시 수지), 및 「YX6954」(비스페놀아세트페논 골격 함유 페녹시 수지)를 들 수 있고, 그 외에도, 신닛테츠스미킨가가쿠(주) 제조의「FX280」및「FX293」, 미쯔비시가가쿠(주) 제조의「YL7553」,「YL6794」,「YL7213」,「YL7290」및「YL7482」등을 들 수 있다. Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenolacetphenone skeleton, novolak skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene. and phenoxy resins having at least one skeleton selected from the group consisting of skeleton, anthracene skeleton, adamantane skeleton, terpene skeleton, and trimethylcyclohexane skeleton. Any functional group, such as a phenolic hydroxyl group and an epoxy group, may be sufficient as the terminal of a phenoxy resin. A phenoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. Specific examples of the phenoxy resin include "1256" and "4250" (both bisphenol A skeleton-containing phenoxy resins) manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., "YX8100" (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin), and "YX6954" (Bisphenolacetphenone skeleton-containing phenoxy resin), in addition, "FX280" and "FX293" manufactured by Shin-Nittetsu Chemical Co., Ltd., "YL7553" and "YL6794" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. ', "YL7213", "YL7290" and "YL7482".

폴리비닐아세탈 수지의 구체예로서는, 덴키가가쿠고교(주) 제조의 덴카부티랄 4000-2, 5000-A, 6000-C, 6000-EP, 세키스이가가쿠고교(주) 제조의 에스렉 BH 시리즈, BX 시리즈, KS 시리즈, BL 시리즈, BM 시리즈 등을 들 수 있다. Specific examples of polyvinyl acetal resin include Denkabutyral 4000-2, 5000-A, 6000-C, 6000-EP manufactured by Denki Chemical Co., Ltd., S-Rec BH series manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd. , BX series, KS series, BL series, BM series, and the like.

폴리이미드 수지의 구체예로서는, 신니혼리카(주) 제조의「리카코트 SN20」및「리카코트 PN20」을 들 수 있다. 폴리이미드 수지의 구체예로서는 또한, 2관능성 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 반응시켜 수득되는 선상 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2006-37083호에 기재된 것), 폴리실록산 골격 함유 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2002-12667호 및 일본 공개특허공보 특개2000-319386호 등에 기재된 것) 등의 변성 폴리이미드를 들 수 있다. As a specific example of polyimide resin, "Ricacoat SN20" and "Ricacoat PN20" by Shin-Nippon Rica Co., Ltd. are mentioned. As specific examples of the polyimide resin, furthermore, a linear polyimide obtained by reacting a difunctional hydroxyl-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound, and a tetrabasic acid anhydride (the one described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-37083), polysiloxane and modified polyimides such as skeleton-containing polyimides (things described in JP-A-2002-12667 and JP-A-2000-319386).

폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는, 토요보세키(주) 제조의「하이로맥스HR11NN」및「하이로맥스HR16NN」을 들 수 있다. 폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는 또한, 히타치가세이고교(주) 제조의 폴리실록산 골격 함유 폴리아미드이미드「KS9100」,「KS9300」등의 변성 폴리아미드이미드를 들 수 있다. Specific examples of the polyamideimide resin include "Hiromax HR11NN" and "Hiromax HR16NN" manufactured by Toyobo Seki Co., Ltd. Specific examples of the polyamideimide resin include modified polyamideimides such as polyamideimides containing polysiloxane skeleton manufactured by Hitachi Chemical Industry Co., Ltd. "KS9100" and "KS9300".

폴리에테르설폰 수지의 구체예로서는, 스미토모가가쿠(주) 제조의「PES5003P」등을 들 수 있다. As a specific example of polyether sulfone resin, Sumitomo Chemical Co., Ltd. product "PES5003P" etc. are mentioned.

폴리설폰 수지의 구체예로서는, 솔베이어드밴스트폴리머즈(주) 제조의 폴리설폰「P1700」,「P3500」등을 들 수 있다. As a specific example of polysulfone resin, Solvay Advanced Polymers Co., Ltd. product polysulfone "P1700", "P3500", etc. are mentioned.

수지 조성물 중의 열가소성 수지의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 바람직하게는 0.1 내지 20질량%, 보다 바람직하게는 0.5 내지 10질량%, 더욱 바람직하게는 1 내지 5질량%이다. When content of the thermoplastic resin in a resin composition makes the non-volatile component in a resin composition 100 mass %, Preferably it is 0.1-20 mass %, More preferably, it is 0.5-10 mass %, More preferably, it is 1-5 mass %. %am.

-경화 촉진제--curing accelerator-

경화 촉진제로서는, 예를 들면, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제 등을 들 수 있고, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제가 바람직하다. 경화 촉진제는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 경화 촉진제의 함유량은, 에폭시 수지와 경화제의 불휘발 성분의 합계를 100질량%로 했을 때, 0.05 내지 3질량%의 범위에서 사용하는 것이 바람직하다. Examples of the curing accelerator include phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, and guanidine-based curing accelerators, and phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators and imidazole-based curing accelerators are preferable. . A hardening accelerator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. When content of a hardening accelerator makes the sum total of an epoxy resin and the nonvolatile component of a hardening|curing agent 100 mass %, it is preferable to use it in 0.05-3 mass %.

-난연제--Flame retardant-

난연제로서는, 예를 들면, 유기 인계 난연제, 유기계 질소 함유 인 화합물, 질소 화합물, 실리콘계 난연제, 금속 수산화물 등을 들 수 있다. 난연제는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 수지 조성물 중의 난연제의 함유량은 특별히 한정은 되지 않지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 바람직하게는 0.5 내지 10질량%, 보다 바람직하게는 1 내지 9질량%이다. Examples of the flame retardant include an organic phosphorus flame retardant, an organic nitrogen-containing phosphorus compound, a nitrogen compound, a silicone flame retardant, and a metal hydroxide. A flame retardant may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type. Although content in particular of the flame retardant in a resin composition is not limited, When the nonvolatile component in a resin composition is 100 mass %, Preferably it is 0.5-10 mass %, More preferably, it is 1-9 mass %.

-유기 충전재--Organic Fillings-

유기 충전재로서는, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 사용할 수 있는 임의의 유기 충전재를 사용하면 좋으며, 예를 들면, 고무 입자, 폴리아미드 미립자, 실리콘 입자 등을 들 수 있고, 고무 입자가 바람직하다. As the organic filler, any organic filler that can be used when forming the insulating layer of the printed wiring board may be used. Examples of the organic filler include rubber particles, polyamide fine particles and silicon particles, and rubber particles are preferable.

고무 입자로서는, 고무 탄성을 나타내는 수지에 화학적 가교 처리를 가하고, 유기 용제에 불용, 불융으로 한 수지의 미립자체인 한 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 아크릴로니트릴부타디엔 고무 입자, 부타디엔 고무 입자, 아크릴 고무 입자 등을 들 수 있다. 고무 입자로서는, 구체적으로는, XER-91(니혼고세고무(주) 제조), 스타필로이드AC3355, AC3816, AC3816N, AC3832, AC4030, AC3364, IM101(이상, 아이카고교(주) 제조), 파라로이드EXL2655, EXL2602(이상, 쿠레하가가쿠고교(주) 제조) 등을 들 수 있다. The rubber particles are not particularly limited as long as they are fine particles of a resin that is chemically crosslinked to a resin exhibiting rubber elasticity and made insoluble and infusible in an organic solvent, for example, acrylonitrile butadiene rubber particles, butadiene rubber particles, acrylic a rubber particle etc. are mentioned. Specifically as rubber particles, XER-91 (manufactured by Nippon Kosei Rubber Co., Ltd.), Staphyloid AC3355, AC3816, AC3816N, AC3832, AC4030, AC3364, IM101 (above, manufactured by Aika Kogyo Co., Ltd.), Paraloid EXL2655 and EXL2602 (above, Kureha Chemical Co., Ltd. make) etc. are mentioned.

유기 충전재의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.005 내지 1㎛의 범위이고, 보다 바람직하게는 0.2 내지 0.6㎛의 범위이다. 고무 입자의 평균 입자 직경은, 동적 광산란법을 사용하여 측정할 수 있다. 예를 들면, 적당한 유기 용제에 고무 입자를 초음파 등에 의해 균일하게 분산시켜, 농후계 입자 직경 애널라이저(오츠카덴시(주) 제조「FPAR-1000」)를 사용하여, 고무 입자의 입도 분포를 질량 기준으로 작성하고, 이의 메디안 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 수지 조성물 중의 고무 입자의 함유량은, 바람직하게는 1 내지 10질량%, 보다 바람직하게는 2 내지 5질량%이다. The average particle diameter of the organic filler is preferably in the range of 0.005 to 1 µm, more preferably in the range of 0.2 to 0.6 µm. The average particle diameter of rubber particles can be measured using a dynamic light scattering method. For example, the rubber particles are uniformly dispersed in a suitable organic solvent by ultrasonic waves or the like, and the particle size distribution of the rubber particles is determined by mass using a thick particle size analyzer (“FPAR-1000” manufactured by Otsuka Denshi Co., Ltd.). It can measure by creating and making this median diameter into an average particle diameter. Content of the rubber particle in a resin composition becomes like this. Preferably it is 1-10 mass %, More preferably, it is 2-5 mass %.

-기타 성분--Other Ingredients-

본 발명의 수지 조성물은, 필요에 따라, 기타 성분을 함유하고 있어도 좋다. 이러한 기타 성분으로서는, 예를 들면, 유기 구리 화합물, 유기 아연 화합물 및 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물, 및 증점제, 소포제, 레벨링제, 밀착성 부여제, 착색제 및 경화성 수지 등의 수지 첨가제 등을 들 수 있다. The resin composition of this invention may contain other components as needed. Examples of such other components include organometallic compounds such as organocopper compounds, organozinc compounds and organocobalt compounds, and resin additives such as thickeners, defoamers, leveling agents, adhesion imparting agents, colorants and curable resins. have.

본 발명의 수지 조성물의 조제 방법은, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들면, 배합 성분을, 필요에 따라 용매 등을 첨가하여, 회전 믹서 등을 사용하여 혼합·분산하는 방법 등을 들 수 있다. The preparation method of the resin composition of this invention is not specifically limited, For example, the method of adding a solvent etc. to a compounding component as needed, mixing and dispersing using a rotary mixer etc. are mentioned.

본 발명의 수지 조성물은, 양호한 분산 안정성과 적당한 용융 점도를 나타내는 동시에, 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 억제할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물은, 프린트 배선판의 층간 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(프린트 배선판의 층간 절연층용 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있고, 게다가 도금에 의해 도체층이 형성되는 층간 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(도금에 의해 도체층을 형성하는 프린트 배선판의 층간 절연층용 수지 조성물)로서 더욱 적합하게 사용할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물은 또한, 접착 필름, 프리프레그 등의 시트상 적층 재료, 솔더레지스트, 언더필재, 다이본딩재, 반도체 봉지재, 구멍 매립 수지, 부품 매립 수지 등, 수지 조성물을 필요로 하는 용도에 광범위하게 사용할 수 있다. While the resin composition of this invention shows favorable dispersion stability and moderate melt viscosity, the curvature in the mounting process of a component can be suppressed. The resin composition of the present invention can be suitably used as a resin composition for forming an interlayer insulating layer of a printed wiring board (resin composition for an interlayer insulating layer of a printed wiring board), and further forms an interlayer insulating layer in which a conductor layer is formed by plating It can be used further suitably as a resin composition (resin composition for interlayer insulating layers of a printed wiring board which forms a conductor layer by plating) for following. The resin composition of the present invention is further used in applications requiring a resin composition, such as an adhesive film, a sheet-like laminated material such as a prepreg, a solder resist, an underfill material, a die bonding material, a semiconductor encapsulant, a hole filling resin, a component filling resin, etc. can be used extensively in

[시트상 적층 재료][Sheet-like laminated material]

본 발명의 수지 조성물은, 바니쉬 상태에서 도포하여 사용할 수도 있지만, 공업적으로는 일반적으로, 당해 수지 조성물로 형성된 수지 조성물층을 포함하는 시트상 적층 재료의 형태로 사용하는 것이 적합하다. Although the resin composition of this invention can also be apply|coated and used in a varnish state, it is industrially generally suitable to use it in the form of the sheet-like laminated material containing the resin composition layer formed from the said resin composition.

시트상 적층 재료로서는, 이하에 나타내는 접착 필름, 프리프레그가 바람직하다. As a sheet-like laminated material, the adhesive film and prepreg shown below are preferable.

일 실시형태에 있어서, 접착 필름은, 지지체와, 당해 지지체와 접합하고 있는 수지 조성물층(접착층)을 포함하고 있고, 수지 조성물층(접착층)이 본 발명의 수지 조성물로 형성된다. In one embodiment, the adhesive film contains a support body and the resin composition layer (adhesive layer) bonded to the said support body, The resin composition layer (adhesive layer) is formed from the resin composition of this invention.

수지 조성물층의 두께는, 프린트 배선판의 박형화의 관점에서, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 80㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 60㎛ 이하, 더욱 보다 바람직하게는 50㎛ 이하 또는 40㎛ 이하이다. 수지 조성물층의 두께의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 통상적으로 10㎛ 이상이다. The thickness of the resin composition layer is preferably 100 µm or less, more preferably 80 µm or less, still more preferably 60 µm or less, still more preferably 50 µm or less or 40 µm or less from the viewpoint of reducing the thickness of the printed wiring board. am. Although the minimum of the thickness of a resin composition layer is not specifically limited, Usually, it is 10 micrometers or more.

지지체로서는, 예를 들면, 플라스틱 재료로 이루어지는 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있고, 플라스틱 재료로 이루어지는 필름, 금속박이 바람직하다. As a support body, the film which consists of a plastic material, metal foil, and a release paper is mentioned, for example, The film which consists of a plastic material, and metal foil are preferable.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어지는 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하「PET」라고 약칭하는 경우가 있다), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하「PEN」이라고 약칭하는 경우가 있다.) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(이하「PC」라고 약칭하는 경우가 있다.), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등의 아크릴, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸셀룰로스(TAC), 폴리에테르설파이드(PES), 폴리에테르케톤, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하며, 염가의 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다. When a film made of a plastic material is used as the support, the plastic material is, for example, polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PET”), polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PEN”). .) polyester, polycarbonate (hereinafter, may be abbreviated as "PC"), acrylic such as polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic polyolefin, triacetyl cellulose (TAC), polyether sulfide (PES) ), polyether ketone, polyimide, and the like. Among these, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

지지체로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는, 예를 들면, 구리박, 알루미늄박 등을 들 수 있고, 구리박이 바람직하다. 구리박으로서는, 구리의 단금속으로 이루어지는 박을 사용해도 좋고, 구리와 기타 금속(예를 들면, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)과의 합금으로 이루어지는 박을 사용해도 좋다. When using metal foil as a support body, as metal foil, copper foil, aluminum foil, etc. are mentioned, for example, Copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, or a foil made of an alloy of copper and other metals (eg, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) is used. also good

지지체는, 수지 조성물층과 접합하는 측의 표면에 매트 처리, 코로나 처리가 가해져 있어도 좋다. 또한, 지지체로서는, 수지 조성물층과 접합하는 측의 표면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들면, 알키드 수지, 올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형제의 시판품으로서는, 예를 들면, 알키드 수지계 이형제인, 린텍(주) 제조의「SK-1」,「AL-5」,「AL-7」등을 들 수 있다. As for a support body, mat treatment and corona treatment may be given to the surface of the side joined with the resin composition layer. Moreover, as a support body, you may use the support body with a mold release layer which has a mold release layer on the surface of the side joined with a resin composition layer. As a mold release agent used for the mold release layer of a support body with a mold release layer, 1 or more types of mold release agents are mentioned from the group which consists of an alkyd resin, an olefin resin, a urethane resin, and a silicone resin, for example. As a commercial item of a mold release agent, "SK-1", "AL-5", "AL-7" etc. which are alkyd resin mold release agents manufactured by Lintec Co., Ltd. are mentioned, for example.

지지체의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 5 내지 75㎛의 범위가 바람직하며, 10 내지 60㎛의 범위가 보다 바람직하다. 한편, 지지체가 이형층 부착 지지체인 경우, 이형층 부착 지지체 전체 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다. Although the thickness of a support body is not specifically limited, The range of 5-75 micrometers is preferable, and the range of 10-60 micrometers is more preferable. On the other hand, when a support body is a support body with a mold release layer, it is preferable that the total thickness of a support body with a mold release layer is the said range.

접착 필름은, 예를 들면, 유기 용제에 수지 조성물을 용해한 수지 바니쉬를 조제하고, 이 수지 바니쉬를, 다이코터 등을 사용하여 지지체 위에 도포하고, 또한 건조시켜 수지 조성물층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다. The adhesive film can be produced by, for example, preparing a resin varnish in which a resin composition is dissolved in an organic solvent, applying this resin varnish to a support using a die coater, etc., and drying it to form a resin composition layer. .

유기 용제로서는, 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤(MEK) 및 사이클로헥산온 등의 케톤류, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 카르비톨아세테이트 등의 아세트산에스테르류, 셀로솔브 및 부틸카르비톨 등의 카르비톨류, 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소류, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드(DMAc) 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용매 등을 들 수 있다. 유기 용제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. Examples of the organic solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK) and cyclohexanone; acetate esters such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate; carbitols such as cellosolve and butylcarbitol; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; and amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone. An organic solvent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

건조는, 가열, 열풍 분사 등의 공지의 방법에 의해 실시하면 좋다. 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물층 중의 유기 용제의 함유량이 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 수지 바니쉬 중의 유기 용제의 비점에 따라서도 상이하지만, 예를 들면 30 내지 60질량%의 유기 용제를 함유하는 수지 바니쉬를 사용하는 경우, 50 내지 150℃에서 3 내지 10분간 건조시킴으로써, 수지 조성물층을 형성할 수 있다. What is necessary is just to perform drying by well-known methods, such as heating and hot-air spraying. Although drying conditions are not specifically limited, Content of the organic solvent in a resin composition layer is 10 mass % or less, Preferably it is made to dry so that it may become 5 mass % or less. Although it changes also with the boiling point of the organic solvent in a resin varnish, when using the resin varnish containing 30-60 mass % of organic solvents, for example, by drying at 50-150 degreeC for 3-10 minutes, the resin composition layer is can be formed

접착 필름에 있어서, 수지 조성물층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에는, 지지체에 준한 보호 필름을 추가로 적층할 수 있다. 보호 필름의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 1 내지 40㎛이다. 보호 필름을 적층함으로써, 수지 조성물층의 표면으로의 먼지 등의 부착이나 흠집을 방지할 수 있다. 접착 필름은, 롤상으로 감아 보존하는 것이 가능하다. 접착 필름이 보호 필름을 갖는 경우, 보호 필름을 박리함으로써 사용 가능해진다. An adhesive film WHEREIN: On the surface which is not joined to the support body of a resin composition layer (that is, the surface on the opposite side to a support body), the protective film according to a support body can be laminated|stacked further. Although the thickness of a protective film is not specifically limited, For example, it is 1-40 micrometers. By laminating|stacking a protective film, adhesion of dust, etc. to the surface of a resin composition layer, and a flaw can be prevented. The adhesive film can be wound and stored in roll shape. When an adhesive film has a protective film, it becomes usable by peeling a protective film.

일 실시형태에 있어서, 프리프레그는 시트상 섬유 기재에 본 발명의 수지 조성물을 함침시켜 형성된다. In one embodiment, the prepreg is formed by impregnating a sheet-like fiber base material with the resin composition of the present invention.

프리프레그에 사용하는 시트상 섬유 기재는 특별히 한정되지 않으며, 글래스클로스, 아라미드 부직포, 액정 중합체 부직포 등의 프리프레그용 기재로서 상용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 프린트 배선판의 박형화의 관점에서, 시트상 섬유 기재의 두께는, 바람직하게는 50㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 40㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 30㎛ 이하, 더욱 보다 바람직하게는 20㎛ 이하이다. 시트상 섬유 기재의 두께의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 통상적으로 10㎛ 이상이다. The sheet-like fiber base material used for the prepreg is not particularly limited, and those commonly used as the base material for prepregs, such as glass cloth, aramid nonwoven fabric, and liquid crystal polymer nonwoven fabric, can be used. From a viewpoint of thickness reduction of a printed wiring board, the thickness of a sheet-like fiber base material becomes like this. Preferably it is 50 micrometers or less, More preferably, it is 40 micrometers or less, More preferably, it is 30 micrometers or less, More preferably, it is 20 micrometers or less. Although the minimum of the thickness of a sheet-like fiber base material is not specifically limited, Usually, it is 10 micrometers or more.

프리프레그는, 핫멜트법, 솔벤트법 등의 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다. A prepreg can be manufactured by well-known methods, such as a hot melt method and a solvent method.

프리프레그의 두께는, 상기의 접착 필름에 있어서의 수지 조성물층과 같은 범위로 할 수 있다. The thickness of a prepreg can be made into the range similar to the resin composition layer in said adhesive film.

시트상 적층 재료에 있어서, 수지 조성물층의 최저 용융 점도는, 프린트 배선판의 제조시에 수지가 스며나오는 것을 억제하는 관점에서, 바람직하게는 300포이즈 이상, 보다 바람직하게는 500포이즈 이상, 더욱 바람직하게는 700포이즈 이상, 900포이즈 이상, 또는 1000포이즈 이상이다. 수지 조성물층의 최저 용융 점도의 상한은, 프린트 배선판의 제조시에 양호한 적층성(회로 매립성)을 달성하는 관점에서, 바람직하게는 30000포이즈 이하, 보다 바람직하게는 25000포이즈 이하, 더욱 바람직하게는 20000포이즈 이하, 15000포이즈 이하, 10000포이즈 이하, 5000포이즈 이하 또는 3500포이즈 이하이다. 특히 프린트 배선판의 제조에 있어서 진공 라미네이트법에 의해 수지 조성물층과 내층 기판의 적층을 실시하는 경우에는, 수지 조성물층의 최저 용융 점도의 상한은, 5000포이즈 이하, 또는 3500포이즈 이하인 것이 적합하다. 여기서, 수지 조성물층의 「최저 용융 점도」란, 수지 조성물층의 수지가 용융되었을 때에 수지 조성물층이 나타내는 최저 점도를 말한다. 상세하게는, 일정한 승온 속도로 수지 조성물층을 가열하여 수지를 용융시키면, 초기 단계는 용융 점도가 온도 상승과 함께 저하되고, 그 후, 일정 온도를 초과하면 온도 상승과 함께 용융 점도가 상승한다. 「최저 용융 점도」란, 이러한 극소점의 용융 점도를 말한다. 수지 조성물층의 최저 용융 점도는, 동적 점탄성법에 의해 측정할 수 있고, 예를 들면, 후술하는 <최저 용융 점도의 측정>에 기재된 방법에 따라 측정할 수 있다. In the sheet-like laminated material, the minimum melt viscosity of the resin composition layer is preferably 300 poise or more, more preferably 500 poise or more, still more preferably from the viewpoint of suppressing the exuding of the resin during production of the printed wiring board. is 700 poise or more, 900 poise or more, or 1000 poise or more. The upper limit of the minimum melt viscosity of the resin composition layer is preferably 30000 poise or less, more preferably 25000 poise or less, still more preferably from the viewpoint of achieving good lamination properties (circuit embedding property) at the time of manufacturing a printed wiring board. 20000 poise or less, 15000 poise or less, 10000 poise or less, 5000 poise or less, or 3500 poise or less. In particular, when laminating the resin composition layer and the inner layer substrate by the vacuum lamination method in the production of a printed wiring board, the upper limit of the minimum melt viscosity of the resin composition layer is preferably 5000 poise or less or 3500 poise or less. Here, the "minimum melt viscosity" of a resin composition layer means the minimum viscosity which a resin composition layer shows when resin of a resin composition layer melt|dissolves. Specifically, when the resin composition layer is heated at a constant temperature increase rate to melt the resin, in the initial stage, the melt viscosity decreases as the temperature rises, and then, when the temperature exceeds a certain temperature, the melt viscosity increases with the temperature rise. "Minimum melt viscosity" means the melt viscosity of such a minimum point. The minimum melt viscosity of the resin composition layer can be measured by a dynamic viscoelasticity method, for example, according to the method described in <Measurement of minimum melt viscosity> mentioned later.

특정한 형상 파라미터 조건을 충족시키는 무기 충전재를 소정량 사용하는 본 발명에 있어서는, 상기 적합한 범위의 최저 용융 점도를 나타내는 수지 조성물층을 유리하게 형성할 수 있고, 프린트 배선판의 제조시에 양호한 적층성을 나타내는 시트상 적층 재료를 초래할 수 있다. 또한, 본 발명의 수지 조성물은 양호한 분산 안정성을 나타내기 때문에, 수득되는 시트상 적층 재료에 있어서, 수지 조성물층 중에 조대한 응집 입자가 석출되는 것을 억제할 수 있다. In the present invention, in which a predetermined amount of an inorganic filler satisfying specific shape parameter conditions is used, a resin composition layer exhibiting the lowest melt viscosity in the above suitable range can be advantageously formed, and exhibiting good lamination properties in the production of a printed wiring board. may result in a sheet-like laminated material. Moreover, since the resin composition of this invention shows favorable dispersion stability, in the sheet-like laminated material obtained WHEREIN: It can suppress that coarse aggregated particle precipitates in a resin composition layer.

본 발명의 시트상 적층 재료는, 프린트 배선판의 절연층을 형성하기 위해(프린트 배선판의 절연층용) 적합하게 사용할 수 있고, 프린트 배선판의 층간 절연층을 형성하기 위해(프린트 배선판의 층간 절연층용) 보다 적합하게 사용할 수 있고, 게다가 도금에 의해 도체층이 형성되는 층간 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(도금에 의해 도체층을 형성하는 프린트 배선판의 층간 절연층용)에 더욱 적합하게 사용할 수 있다. The sheet-like laminated material of the present invention can be suitably used for forming an insulating layer of a printed wiring board (for an insulating layer of a printed wiring board), and for forming an interlayer insulating layer of a printed wiring board (for an interlayer insulating layer of a printed wiring board). It can be used suitably, and can be used further suitably for the resin composition (for the interlayer insulating layer of a printed wiring board which forms a conductor layer by plating) for forming the interlayer insulating layer in which the conductor layer is formed by plating.

[프린트 배선판][Printed wiring board]

본 발명의 프린트 배선판은, 본 발명의 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함한다. The printed wiring board of this invention contains the insulating layer formed with the hardened|cured material of the resin composition of this invention.

일 실시형태에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판은, 상기의 접착 필름을 사용하여, 하기 (I) 및 (II)의 공정을 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다. In one embodiment, the printed wiring board of this invention can be manufactured by the method including the process of following (I) and (II) using said adhesive film.

(I) 내층 기판 위에, 접착 필름을, 당해 접착 필름의 수지 조성물층이 내층 기판과 접합하도록 적층하는 공정(I) a step of laminating an adhesive film on the inner layer substrate so that the resin composition layer of the adhesive film is bonded to the inner layer substrate

(II) 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성하는 공정(II) Step of thermosetting the resin composition layer to form an insulating layer

공정 (I)에서 사용하는 「내층 기판」이란, 주로, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등의 기판, 또는 당해 기판의 편면 또는 양면에 패턴 가공된 도체층(회로)이 형성된 회로 기판을 말한다. 또한 프린트 배선판을 제조할 때, 또한 절연층 및/또는 도체층이 형성되어야 하는 중간 제조물의 내층 회로 기판도 본 발명에서 말하는「내층 기판」에 포함된다. The "inner layer substrate" used in the step (I) is mainly a substrate such as a glass epoxy substrate, a metal substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, a thermosetting polyphenylene ether substrate, or one side of the substrate Or it refers to a circuit board on which a patterned conductor layer (circuit) is formed on both sides. In addition, when manufacturing a printed wiring board, an inner-layer circuit board of an intermediate product on which an insulating layer and/or a conductor layer is to be formed is also included in the "inner-layer board" referred to in the present invention.

내층 기판의 두께는, 프린트 배선판의 박형화의 관점에서, 바람직하게는 800㎛ 이하, 보다 바람직하게는 400㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 200㎛ 이하이다. 본 발명에 의하면, 더욱 얇은 내층 기판을 사용하는 경우라도, 실장 공정에 있어서의 프린트 배선판의 휘어짐을 억제할 수 있다. 예를 들면, 190㎛ 이하, 180㎛ 이하, 170㎛ 이하, 160㎛ 이하, 150㎛ 이하, 140㎛ 이하, 130㎛ 이하, 120㎛ 이하, 110㎛ 이하 또는 100㎛ 이하의 두께의 내층 기판을 사용하는 경우라도, 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 억제할 수 있다. 내층 기판의 두께의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 프린트 배선판 제조시의 취급성 향상의 관점에서, 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상이다. From a viewpoint of thickness reduction of a printed wiring board, the thickness of an inner-layer board becomes like this. Preferably it is 800 micrometers or less, More preferably, it is 400 micrometers or less, More preferably, it is 200 micrometers or less. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, even when using a thinner inner-layer board, the curvature of the printed wiring board in a mounting process can be suppressed. For example, use an inner-layer substrate having a thickness of 190 µm or less, 180 µm or less, 170 µm or less, 160 µm or less, 150 µm or less, 140 µm or less, 130 µm or less, 120 µm or less, 110 µm or less, or 100 µm or less. Even in the case of doing so, the curvature in the mounting process can be suppressed. Although the lower limit of the thickness of an inner-layer substrate is not specifically limited, From a viewpoint of the handleability improvement at the time of printed wiring board manufacture, Preferably it is 10 micrometers or more, More preferably, it is 20 micrometers or more.

내층 기판의 굴곡 탄성율은, 특별히 한정되지 않는다. 본 발명에 있어서는, 내층 기판의 굴곡 탄성율에 의하지 않고, 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 억제할 수 있다. The flexural modulus of the inner layer substrate is not particularly limited. In the present invention, the curvature in the component mounting step can be suppressed regardless of the flexural modulus of the inner layer substrate.

내층 기판과 접착 필름의 적층은, 예를 들면, 지지체측에서 접착 필름을 내층 기판에 가열 압착함으로써 실시할 수 있다. 접착 필름을 내층 기판에 가열 압착하는 부재(이하,「가열 압착 부재」라고도 한다.)로서는, 예를 들면, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤) 등을 들 수 있다. 한편, 가열 압착 부재를 접착 필름에 직접 프레스하지 않고, 내층 기판의 표면 요철에 접착 필름이 충분히 추수(追隨)하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 개재하여 프레스하는 것이 바람직하다. Lamination of the inner layer substrate and the adhesive film can be performed, for example, by thermocompression bonding the adhesive film to the inner layer substrate from the support side. As a member (hereinafter also referred to as "thermal compression member") which heat-compresses an adhesive film to an inner-layer board|substrate, a heated metal plate (SUS mirror plate etc.), a metal roll (SUS roll), etc. are mentioned, for example. On the other hand, it is preferable to press through an elastic material, such as a heat-resistant rubber, so that the adhesive film can fully harvest the surface unevenness|corrugation of an inner-layer board|substrate, without directly pressing a heat-compression-compression-compression-bonding member to an adhesive film.

내층 기판과 접착 필름의 적층은, 진공 라미네이트법에 의해 실시하면 좋다. 진공 라미네이트법에 있어서, 가열 압착 온도는, 바람직하게는 60 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80 내지 140℃의 범위이고, 가열 압착 압력은, 바람직하게는 0.098 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29 내지 1.47MPa의 범위이고, 가열 압착 시간은, 바람직하게는 20 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30 내지 300초간의 범위이다. 적층은, 바람직하게는 압력 26.7hPa 이하의 감압 조건하에서 실시한다. What is necessary is just to perform lamination|stacking of an inner-layer board|substrate and an adhesive film by the vacuum lamination method. In the vacuum lamination method, the thermocompression compression temperature is preferably in the range of 60 to 160°C, more preferably 80 to 140°C, and the thermocompression compression pressure is preferably 0.098 to 1.77 MPa, more preferably 0.29 to It is the range of 1.47 MPa, and thermocompression bonding time becomes like this. Preferably it is for 20 to 400 second, More preferably, it is the range for 30 to 300 second. Lamination is preferably carried out under reduced pressure conditions of a pressure of 26.7 hPa or less.

적층은, 시판 진공 라미네이터에 의해 실시할 수 있다. 시판 진공 라미네이터로서는, 예를 들면, (주) 메이키세사쿠쇼 제조의 진공 가압식 라미네이터, 니치고·모튼(주) 제조의 배큠 어플리케이터 등을 들 수 있다. Lamination can be performed with a commercially available vacuum laminator. As a commercially available vacuum laminator, the vacuum pressurization type laminator by the Meiki Sesakusho Co., Ltd. product, the vacuum applicator by the Nichigo Morton Co., Ltd. product, etc. are mentioned, for example.

적층후에, 상압하(대기압하), 예를 들면, 가열 압착 부재를 지지체측에서 프레스함으로써, 적층된 접착 필름의 평활화 처리를 실시해도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은, 상기 적층의 가열 압착 조건과 같은 조건으로 할 수 있다. 평활화 처리는, 시판 라미네이터에 의해 실시할 수 있다. 한편, 적층과 평활화 처리는, 상기의 시판 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 실시해도 좋다. After lamination, the laminated adhesive film may be smoothed under normal pressure (under atmospheric pressure), for example, by pressing the thermocompression-bonding member from the support side. The press conditions of the smoothing process can be made into the same conditions as the thermocompression-bonding conditions of the said lamination|stacking. A smoothing process can be implemented with a commercially available laminator. In addition, you may perform lamination|stacking and a smoothing process continuously using said commercially available vacuum laminator.

내층 기판과 접착 필름의 적층은 또한, 진공 핫프레스기를 사용하여 실시해도 좋다. 진공 핫프레스기를 사용함으로써, 무기 충전재 함유량이 높은 수지 조성물을 사용하는 경우라도, 양호한 적층성(회로 매립성)을 달성할 수 있다. 가열 및 가압은, 1단계로 실시해도 좋지만, 수지가 스며나오는 것을 억제하는 관점에서, 2단계 이상으로 조건을 나누어 실시하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 1단계째의 프레스를, 온도가 70 내지 150℃, 압력이 0.098 내지 1.77MPa의 범위, 2단계째의 프레스를, 온도가 150 내지 200℃, 압력이 0.098 내지 3.92MPa의 범위에서 실시하는 것이 바람직하다. 각 단계의 시간은, 30 내지 120분간인 것이 바람직하다. 프레스는, 통상 1×10-2MPa 이하, 바람직하게는 1×10-3MPa 이하의 감압하에서 실시한다. 시판 진공 핫프레스기로서는, 예를 들면, (주) 메이키세사쿠쇼 제조 「MNPC-V-750-5-200」, 키타가와세이키(주) 제조「VH1-1603」등을 들 수 있다. 진공 핫프레스기를 사용하여 공정 (I)을 실시하는 경우, 당해 공정은 수지 조성물층의 열경화(즉, 공정 (II))를 겸해도 좋다. You may also perform lamination|stacking of an inner-layer board|substrate and an adhesive film using a vacuum hot press machine. By using a vacuum hot press machine, even when using a resin composition with high inorganic filler content, favorable lamination property (circuit embedding property) can be achieved. Although heating and pressurization may be performed in one step, it is preferable to carry out by dividing conditions into two or more steps from a viewpoint of suppressing that resin seeps. For example, in the first stage press, the temperature is in the range of 70 to 150°C and the pressure is in the range of 0.098 to 1.77 MPa, and in the second stage press, the temperature is in the range of 150 to 200°C and the pressure is in the range of 0.098 to 3.92 MPa. It is preferable to carry out It is preferable that the time of each step is 30 to 120 minutes. Pressing is usually performed under reduced pressure of 1×10 -2 MPa or less, preferably 1×10 -3 MPa or less. As a commercially available vacuum hot press machine, "MNPC-V-750-5-200" by Meiki Sesakusho Co., Ltd., "VH1-1603" by Kitagawa Seiki Co., Ltd. etc. are mentioned, for example. When performing the step (I) using a vacuum hot press machine, the step may also serve as thermosetting of the resin composition layer (ie, step (II)).

지지체는, 공정 (I)과 공정 (II) 사이에 제거해도 좋고, 공정 (II) 후에 제거해도 좋다. The support may be removed between the steps (I) and (II), or after the step (II).

공정 (II)에 있어서, 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성한다. In the process (II), the resin composition layer is thermosetted to form an insulating layer.

수지 조성물층의 열경화 조건은 특별히 한정되지 않으며, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때 통상 채용되는 조건을 사용하면 좋다. The thermosetting conditions of the resin composition layer are not particularly limited, and conditions usually employed when forming the insulating layer of a printed wiring board may be used.

예를 들면, 수지 조성물층의 열경화 조건은, 수지 조성물의 종류 등에 따라서도 상이하지만, 경화 온도는 120 내지 240℃의 범위(바람직하게는 150 내지 210℃의 범위, 보다 바람직하게는 170 내지 190℃의 범위), 경화 시간은 5 내지 90분간의 범위(바람직하게는 10 내지 75분간, 보다 바람직하게는 15 내지 60분간)로 할 수 있다. For example, although the thermosetting conditions of the resin composition layer also differ depending on the type of resin composition, etc., the curing temperature is in the range of 120 to 240°C (preferably in the range of 150 to 210°C, more preferably 170 to 190°C). ℃) and curing time in the range of 5 to 90 minutes (preferably 10 to 75 minutes, more preferably 15 to 60 minutes).

수지 조성물층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물층을 경화 온도보다도 낮은 온도에서 예비 가열해도 좋다. 예를 들면, 수지 조성물층을 열경화시키는데 앞서, 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 110℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 100℃ 이하)의 온도에서, 수지 조성물층을 5분간 이상(바람직하게는 5 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15 내지 120분간) 예비 가열해도 좋다. Before thermosetting a resin composition layer, you may preheat a resin composition layer at temperature lower than hardening temperature. For example, prior to thermosetting the resin composition layer, at a temperature of 50°C or more and less than 120°C (preferably 60°C or more and 110°C or less, more preferably 70°C or more and 100°C or less), the resin composition layer is 5 You may preheat for more than a minute (preferably for 5 to 150 minutes, More preferably, for 15 to 120 minutes).

본 발명의 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층은, 낮은 열팽창율을 나타낸다. 일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층은, 바람직하게는 30ppm/℃ 이하, 보다 바람직하게는 28ppm/℃ 이하의 선열팽창 계수를 가진다. 절연층의 선열팽창 계수의 하한은 특별히 제한되지 않지만, 통상적으로 1ppm/℃ 이상이다. 절연층의 선열팽창 계수는, 예를 들면, 열기계 분석 등의 공지의 방법에 의해 측정할 수 있다. 열기계 분석 장치로서는, 예를 들면, (주) 리가쿠 제조의 「Thermo Plus TMA8310」을 들 수 있다. 본 발명에 있어서, 절연층의 선열팽창 계수는, 인장 가중법으로 열기계 분석을 실시했을 때의, 평면 방향의 25 내지 150℃의 선열팽창 계수이다. The insulating layer formed of the hardened|cured material of the resin composition of this invention shows a low coefficient of thermal expansion. In one embodiment, the insulating layer formed of the hardened|cured material of the resin composition of this invention becomes like this. Preferably it is 30 ppm/degreeC or less, More preferably, it has a coefficient of linear thermal expansion of 28 ppm/degreeC or less. Although the lower limit in particular of the coefficient of linear thermal expansion of an insulating layer is not restrict|limited, Usually, it is 1 ppm/degreeC or more. The linear thermal expansion coefficient of an insulating layer can be measured by well-known methods, such as a thermomechanical analysis, for example. As a thermomechanical analyzer, "Thermo Plus TMA8310" by Rigaku Co., Ltd. is mentioned, for example. In the present invention, the coefficient of linear thermal expansion of the insulating layer is a coefficient of linear thermal expansion of 25 to 150°C in the planar direction when thermomechanical analysis is performed by the tensile weighting method.

프린트 배선판을 제조할 때에는, (III) 절연층에 천공하는 공정, (IV) 절연층을 조화(粗化) 처리하는 공정, (V) 절연층 표면에 도체층을 형성하는 공정을 추가로 실시해도 좋다. 이들 공정 (III) 내지 (V)는, 프린트 배선판의 제조에 사용되는, 당업자에게 공지의 각종 방법에 따라 실시하면 좋다. 한편, 지지체를 공정 (II) 후에 제거하는 경우, 당해 지지체의 제거는, 공정 (II)와 공정 (III) 사이, 공정 (III)과 공정 (IV) 사이, 또는 공정 (IV)와 공정 (V) 사이에 실시하면 좋다.When manufacturing a printed wiring board, (III) the step of drilling the insulating layer, (IV) the step of roughening the insulating layer, and (V) the step of forming a conductor layer on the surface of the insulating layer may be additionally performed. good. What is necessary is just to implement these processes (III)-(V) according to various methods well-known to those skilled in the art used for manufacture of a printed wiring board. On the other hand, when the support is removed after the step (II), the removal of the support is carried out between the steps (II) and (III), between the steps (III) and (IV), or between the steps (IV) and the step (V). ) can be done between

공정 (III)은, 절연층에 천공하는 공정이며, 이것에 의해 절연층에 비아홀, 스루홀 등의 홀을 형성할 수 있다. 공정 (III)은, 절연층의 형성에 사용한 수지 조성물의 조성 등에 따라, 예를 들면, 드릴, 레이저, 플라즈마 등을 사용하여 실시하면 좋다. 홀의 치수나 형상은, 프린트 배선판의 디자인에 따라 적절히 결정하면 좋다. 상기한 바와 같이, 본 발명의 수지 조성물은 양호한 분산 안정성을 나타내기 때문에, 수지 조성물층 중, 나아가서는 절연층 중에 조대한 응집 입자가 석출되는 것을 억제할 수 있다. 이러한 균일한 조성을 갖는 절연층에 있어서는, 공정 (III)에 있어서 원하는 단면 형상을 갖는 홀을 형성할 수 있다. 따라서, 홀을 도체 금속으로 충전하여 필드 비아를 형성하는 경우에도, 홀 내를 원활하게 도체 금속으로 충전할 수 있다. 이 점, 파쇄상의 무기 충전재를 사용하는 경우와 같이 날카롭게 각진 무기 충전재 또는 이의 조대한 응집 입자가 홀의 벽면에 존재하면, 당해 무기 충전재 또는 이의 조대한 응집 입자를 기점으로 하여 우선적으로 도금이 신장되기 때문에 필드 비아 중에 보이드가 발생하는 경우가 있다. 특정한 형상 파라미터 조건을 충족시키는 무기 충전재를 사용하는 본 발명에 있어서는, 홀의 벽면에 이러한 응집 입자 등이 존재하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 홀 벽면 전체에 걸쳐 균일하게 도금이 신장되어, 필드 비아 중의 보이드의 발생을 유리하게 억제할 수 있다. Step (III) is a step of drilling holes in the insulating layer, whereby holes such as via holes and through holes can be formed in the insulating layer. The step (III) may be performed using, for example, a drill, a laser, plasma, or the like, depending on the composition of the resin composition used for forming the insulating layer and the like. What is necessary is just to determine the dimension and shape of a hole suitably according to the design of a printed wiring board. As mentioned above, since the resin composition of this invention shows favorable dispersion stability, it can suppress that coarse aggregated particle precipitates in a resin composition layer by extension, and also in an insulating layer. In the insulating layer having such a uniform composition, a hole having a desired cross-sectional shape can be formed in the step (III). Accordingly, even when a filled via is formed by filling the hole with the conductor metal, the inside of the hole can be smoothly filled with the conductor metal. In this regard, if sharply angled inorganic fillers or coarse aggregates thereof exist on the wall surface of the hole, such as in the case of using crushed inorganic fillers, the plating will preferentially elongate with the inorganic filler or coarse aggregates thereof as a starting point. Voids may occur during field vias. In the present invention using an inorganic filler that satisfies specific shape parameter conditions, it is possible to suppress the presence of such aggregated particles on the wall surface of the hole, so that the plating is uniformly extended over the entire wall surface of the hole, and voids in the filled via can be advantageously suppressed.

공정 (IV)는, 절연층을 조화 처리하는 공정이다. 조화 처리의 수순, 조건은 특별히 한정되지 않으며, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때 통상 사용되는 공지의 수순, 조건을 채용할 수 있다. 예를 들면, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 중화액에 의한 중화 처리를 이 순서로 실시하여 절연층을 조화 처리할 수 있다. 팽윤액으로서는 특별히 한정되지 않지만, 알칼리 용액, 계면활성제 용액 등을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 용액이고, 당해 알칼리 용액으로서는, 수산화나트륨 용액, 수산화칼륨 용액이 보다 바람직하다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬(주) 제조의 스웰링·딥·세큐리간트 P, 스웰링·딥·세큐리간트 SBU 등을 들 수 있다. 팽윤액에 의한 팽윤 처리는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 30 내지 90℃의 팽윤액에 절연층을 1 내지 20분간 침지함으로써 실시할 수 있다. 산화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 수산화나트륨의 수용액에 과망간산칼륨이나 과망간산나트륨을 용해한 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 알칼리성 과망간산 용액 등의 산화제에 의한 조화 처리는, 60 내지 80℃로 가열한 산화제 용액에 절연층을 10 내지 30분간 침지시켜 실시하는 것이 바람직하다. 또한, 알칼리성 과망간산 용액에 있어서의 과망간산염의 농도는 5 내지 10질량%가 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 예를 들면, 아토텍재팬(주) 제조의 콘센트레이트·콤팩트 CP, 도징솔류션·세큐리간트 P 등의 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 또한, 중화액으로서는, 산성의 수용액이 바람직하며, 시판품으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬(주) 제조의 리덕션솔류션·세큐리간트 P를 들 수 있다. 중화액에 의한 처리는, 산화제 용액에 의한 조화 처리가 이루어진 처리면을 30 내지 80℃의 중화액에 5 내지 30분간 침지시킴으로써 실시할 수 있다. Process (IV) is a process of roughening an insulating layer. The procedure and conditions of a roughening process are not specifically limited, When forming the insulating layer of a printed wiring board, the well-known procedure and conditions normally used are employable. For example, the insulating layer can be roughened by performing the swelling process by a swelling liquid, the roughening process by an oxidizing agent, and the neutralization process by a neutralizing liquid in this order. Although it does not specifically limit as a swelling liquid, An alkali solution, surfactant solution, etc. are mentioned, Preferably it is an alkali solution, As said alkali solution, sodium hydroxide solution and potassium hydroxide solution are more preferable. As a commercially available swelling liquid, Swelling Deep Securigant P, Swelling Deep Securigant SBU, etc. manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. are mentioned, for example. Although the swelling process by a swelling liquid is not specifically limited, For example, it can implement by immersing an insulating layer in a 30-90 degreeC swelling liquid for 1 to 20 minutes. Although it does not specifically limit as an oxidizing agent, For example, the alkaline permanganic acid solution which melt|dissolved potassium permanganate and sodium permanganate in the aqueous solution of sodium hydroxide is mentioned. It is preferable to perform the roughening process by oxidizing agents, such as alkaline permanganic acid solution, by making the insulating layer immerse for 10 to 30 minutes in the oxidizing agent solution heated to 60-80 degreeC. Moreover, as for the density|concentration of the permanganate in an alkaline permanganic acid solution, 5-10 mass % is preferable. As a commercially available oxidizing agent, alkaline permanganic acid solutions, such as Atotech Japan Co., Ltd.|KK Concentrate Compact CP and Dosing Solution Securigant P, are mentioned, for example. Moreover, as a neutralizing liquid, acidic aqueous solution is preferable, As a commercial item, Atotech Japan Co., Ltd. product reduction solution Securigant P is mentioned, for example. The treatment with the neutralizing solution can be performed by immersing the treated surface subjected to the roughening treatment with the oxidizing agent solution in a neutralizing solution at 30 to 80° C. for 5 to 30 minutes.

본 발명의 수지 조성물을 사용하여 형성된 절연층은, 조화 처리후에 낮은 표면 조도를 나타낸다. 일 실시형태에 있어서, 조화 처리후의 절연층 표면의 산술 평균 조도(Ra)는, 바람직하게는 500nm 이하, 보다 바람직하게는 480nm 이하, 더욱 바람직하게는 450nm 이하, 더욱 보다 바람직하게는 400nm 이하, 360nm 이하 또는 320nm 이하이다. 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 형성된 절연층은, 이와 같이 Ra가 작은 경우라도, 도체층에 대해 우수한 밀착 강도를 나타낸다. Ra값의 하한은 특별히 한정은 되지 않지만, 0.5nm 이상이 바람직하며, 1nm 이상이 보다 바람직하다. 절연층 표면의 산술 평균 조도(Ra)는, 비접촉형 표면 조도계를 사용하여 측정할 수 있다. 비접촉형 표면 조도계의 구체예로서는, 비코인스트루먼트사 제조의 「WYKO NT3300」을 들 수 있다. The insulating layer formed using the resin composition of this invention shows low surface roughness after a roughening process. In one embodiment, the arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the insulating layer after roughening is preferably 500 nm or less, more preferably 480 nm or less, still more preferably 450 nm or less, still more preferably 400 nm or less, 360 nm or less. or less or 320 nm or less. Even when Ra is small in this way, the insulating layer formed using the resin composition of this invention shows the adhesive strength excellent with respect to a conductor layer. Although limitation in particular is not carried out as for the minimum of Ra value, 0.5 nm or more is preferable and 1 nm or more is more preferable. The arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the insulating layer can be measured using a non-contact type surface roughness meter. As a specific example of a non-contact type surface roughness meter, "WYKO NT3300" by a BCoin Instruments company is mentioned.

공정 (V)는, 절연층 표면에 도체층을 형성하는 공정이다. Step (V) is a step of forming a conductor layer on the surface of the insulating layer.

도체층에 사용하는 도체 재료는 특별히 한정되지 않는다. 적합한 실시형태에서는, 도체층은, 금, 백금, 팔라듐, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 함유한다. 도체층은, 단금속층이라도 합금층이라도 좋고, 합금층으로서는, 예를 들면, 상기의 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들면, 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금 및 구리·티탄 합금)으로 형성된 층을 들 수 있다. 이 중에서도, 도체층 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금, 구리·티탄 합금의 합금층이 바람직하며, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층이 보다 바람직하며, 구리의 단금속층이 더욱 바람직하다. The conductor material used for a conductor layer is not specifically limited. In a suitable embodiment, the conductor layer contains one or more metals selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. do. The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer, and the alloy layer is, for example, an alloy of two or more metals selected from the group described above (for example, nickel-chromium alloy, copper-nickel alloy, and copper-titanium). a layer formed of an alloy). Among these, from the viewpoint of versatility of conductor layer formation, cost, ease of patterning, etc., a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or a nickel-chromium alloy, a copper-nickel alloy , a copper/titanium alloy alloy layer is preferable, and a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or an alloy layer of a nickel/chromium alloy is more preferable, and a single metal layer of copper This is more preferable.

도체층은, 단층 구조라도, 상이한 종류의 금속 또는 합금으로 이루어지는 단금속층 또는 합금층이 2층 이상 적층된 복층 구조라도 좋다. 도체층이 복층 구조인 경우, 절연층과 접하는 층은, 크롬, 아연 또는 티탄의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층인 것이 바람직하다. The conductor layer may have a single layer structure or a multilayer structure in which two or more single metal layers or alloy layers made of different types of metals or alloys are laminated. When the conductor layer has a multilayer structure, it is preferable that the layer in contact with the insulating layer is a single metal layer of chromium, zinc or titanium, or an alloy layer of a nickel-chromium alloy.

도체층의 두께는, 원하는 프린트 배선판의 디자인에 따르지만, 일반적으로 3 내지 35㎛, 바람직하게는 5 내지 30㎛이다. Although the thickness of a conductor layer depends on the design of a desired printed wiring board, it is 3-35 micrometers generally, Preferably it is 5-30 micrometers.

도체층은, 도금에 의해 형성하면 좋다. 예를 들면, 세미어디티브법, 풀어디티브법 등의 종래 공지의 기술에 의해 절연층의 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 이하, 도체층을 세미어디티브법에 의해 형성하는 예를 나타낸다. The conductor layer may be formed by plating. For example, a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed by plating the surface of the insulating layer by a conventionally known technique such as a semi-additive method or a positive-additive method. Hereinafter, an example in which the conductor layer is formed by a semi-additive method is shown.

우선, 절연층의 표면에, 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 이어서, 형성된 도금 시드층 위에, 원하는 배선 패턴에 대응하여 도금 시드층의 일부를 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출된 도금 시드층 위에, 전해 도금에 의해 금속층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 그 후, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. First, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Then, on the formed plating seed layer, a mask pattern for exposing a portion of the plating seed layer corresponding to a desired wiring pattern is formed. After forming a metal layer by electrolytic plating on the exposed plating seed layer, the mask pattern is removed. Thereafter, the unnecessary plating seed layer is removed by etching or the like to form a conductor layer having a desired wiring pattern.

본 발명의 수지 조성물을 사용하여 형성된 절연층은, 도체층에 대해 충분한 밀착 강도를 나타낸다. 일 실시형태에 있어서, 절연층과 도체층의 밀착 강도는, 바람직하게는 0.50kgf/cm 이상, 보다 바람직하게는 0.55kgf/cm 이상, 더욱 바람직하게는 0.60kgf/cm 이상이다. 밀착 강도의 상한값은 특별히 한정되지 않지만, 1.2kgf/cm 이하, 0.90kgf/cm 이하 등이 된다. 본 발명에 있어서는, 조화 처리후의 절연층의 표면 조도(Ra)가 작음에도 불구하고, 이와 같이 높은 밀착 강도를 나타내는 절연층을 형성할 수 있기 때문에, 회로 배선의 미세화에 현저하게 기여하는 것이다. 또한 본 발명에 있어서, 절연층과 도체층의 밀착 강도란, 도체층을 절연층에 대해 수직 방향(90도 방향)으로 박리했을 때의 박리 강도(90도 필 강도)를 말하고, 도체층을 절연층에 대해 수직 방향(90도 방향)으로 박리했을 때의 박리 강도를 인장 시험기로 측정함으로써 구할 수 있다. 인장 시험기로서는, 예를 들면, (주) TES 제조의 「AC-50C-SL」등을 들 수 있다. The insulating layer formed using the resin composition of this invention shows sufficient adhesive strength with respect to a conductor layer. In one embodiment, the adhesive strength of an insulating layer and a conductor layer becomes like this. Preferably it is 0.50 kgf/cm or more, More preferably, it is 0.55 kgf/cm or more, More preferably, it is 0.60 kgf/cm or more. Although the upper limit of adhesion strength is not specifically limited, It becomes 1.2 kgf/cm or less, 0.90 kgf/cm or less, etc. In this invention, although the surface roughness Ra of the insulating layer after a roughening process is small, since the insulating layer which shows such high adhesion strength can be formed, it contributes remarkably to refinement|miniaturization of circuit wiring. In addition, in this invention, the adhesive strength of an insulating layer and a conductor layer means the peeling strength (90 degree|times peeling strength) when a conductor layer is peeled in the perpendicular|vertical direction (90 degree|times direction) with respect to an insulating layer, and insulating a conductor layer. It can obtain|require by measuring the peeling strength at the time of peeling in the perpendicular|vertical direction (90 degree|times direction) with respect to a layer with a tensile tester. As a tensile tester, "AC-50C-SL" by TES Co., Ltd. etc. is mentioned, for example.

다른 실시형태에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판은, 상기의 프리프레그를 사용하여 제조할 수 있다. 제조 방법은 기본적으로 접착 필름을 사용하는 경우와 같다. In another embodiment, the printed wiring board of this invention can be manufactured using said prepreg. The manufacturing method is basically the same as in the case of using an adhesive film.

[반도체 장치][Semiconductor device]

본 발명의 프린트 배선판을 사용하여, 반도체 장치를 제조할 수 있다. 본 발명의 프린트 배선판은 박형임에도 불구하고, 높은 땜납 리플로우 온도를 채용하는 부품의 실장 공정에 있어서도 휘어짐을 억제할 수 있어, 회로 변형이나 부품의 접촉 불량 등의 문제를 유리하게 경감시킬 수 있다. A semiconductor device can be manufactured using the printed wiring board of this invention. Although the printed wiring board of the present invention is thin, it can suppress warpage even in the mounting process of components employing a high solder reflow temperature, and problems such as circuit deformation and poor contact of components can be advantageously reduced.

일 실시형태에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판은, 피크 온도가 260℃로 높은 땜납 리플로우 온도를 채용하는 실장 공정에 있어서, 프린트 배선판의 휘어짐을, 40㎛ 미만으로 억제할 수 있다. 본 발명에 있어서, 프린트 배선판의 휘어짐은, 프린트 배선판 중앙의 10mm 각 부분의 휘어짐 거동을 쉐도우 모아레 장치로 관찰했을 때의, 변위 데이터의 최대 높이와 최소 높이의 차이의 값이다. 측정시에는, IPC/JEDEC J-STD-020C(「Moisture/Reflow Sensitivity Classification For Nonhermetic Solid State Surface Mount Devices」, 2004년 7월)에 기재되는 리플로우 온도 프로파일(납 프리 어셈블리용 프로파일; 피크 온도 260℃)을 재현하는 리플로우 장치에 프린트 배선판을 1회 통과시킨 후, 상기 IPC/JEDEC J-STD-020C에 준거한 리플로우 온도 프로파일로 프린트 배선판의 편면을 가열 처리하여, 프린트 배선판의 다른쪽 면에 형성한 격자선에 관해서 변위 데이터를 구하였다. 한편, 리플로우 장치로서는, 예를 들면, 니혼안톰(주) 제조「HAS-6116」을 들 수 있고, 쉐도우 모아레 장치로서는, 예를 들면, Akrometrix 제조「TherMoire AXP」를 들 수 있다. 특정한 형상 파라미터 조건을 충족시키는 무기 충전재를 소정량 함유하는 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함하는 본 발명의 프린트 배선판은, 박형이라도, 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 유리하게 억제할 수 있다. In one embodiment, the printed wiring board of this invention can suppress the curvature of a printed wiring board to less than 40 micrometers in the mounting process employ|adopting the solder reflow temperature as high as 260 degreeC of peak temperature. In the present invention, the warpage of the printed wiring board is the value of the difference between the maximum height and the minimum height of the displacement data when the warpage behavior of each 10 mm portion in the center of the printed wiring board is observed with a shadow moiré device. During measurement, the reflow temperature profile (profile for lead-free assembly; peak temperature 260) described in IPC/JEDEC J-STD-020C (“Moisture/Reflow Sensitivity Classification For Nonhermetic Solid State Surface Mount Devices”, July 2004) ℃), after passing the printed wiring board once through a reflow device that reproduces the Displacement data were obtained for the grid lines formed in . On the other hand, as a reflow apparatus, "HAS-6116" manufactured by Nippon Antom Co., Ltd. is mentioned, for example, As a shadow moire apparatus, "TherMoire AXP" by Akrometrix is mentioned, for example. The printed wiring board of the present invention comprising an insulating layer formed of a cured product of a resin composition containing a predetermined amount of an inorganic filler satisfying specific shape parameter conditions, even if thin, can advantageously suppress warpage in the mounting process .

반도체 장치로서는, 전기 제품(예를 들면, 컴퓨터, 휴대 전화, 디지털카메라 및 텔레비젼 등) 및 탈 것(예를 들면, 자동이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다. Examples of the semiconductor device include various semiconductor devices provided for electric products (eg, computers, mobile phones, digital cameras, televisions, etc.) and vehicles (eg, motorcycles, automobiles, trams, ships, aircraft, etc.) can

본 발명의 반도체 장치는, 본 발명의 프린트 배선판의 도통개소(導通箇所)에, 부품(반도체 칩)을 실장함으로써 제조할 수 있다. 「도통개소」란, 「프린트 배선판에 있어서의 전기 신호를 전달하는 개소」로서, 그 장소는 표면이라도, 매립된 개소라도 어느 것이라도 상관없다. 또한, 반도체 칩은 반도체를 재료로 하는 전기 회로 소자이면 특별히 한정되지 않는다. The semiconductor device of this invention can be manufactured by mounting a component (semiconductor chip) in the conduction|electrical_connection location of the printed wiring board of this invention. A "conduction location" is "a location through which an electric signal is transmitted in a printed wiring board", and the location may be a surface, a buried location, or any. In addition, a semiconductor chip will not be specifically limited if it is an electric circuit element which uses a semiconductor as a material.

본 발명의 반도체 장치를 제조할 때의 반도체 칩의 실장 방법은, 반도체 칩이 유효하게 기능하기만 하면, 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는, 와이어 본딩 실장 방법, 플립칩 실장 방법, 범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법, 이방성 도전 필름(ACF)에 의한 실장 방법, 비도전성 필름(NCF)에 의한 실장 방법, 등을 들 수 있다. 여기서, 「범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법」이란, 「반도체 칩을 프린트 배선판의 오목부(凹部)에 직접 매립하고, 반도체 칩과 프린트 배선판 위의 배선을 접속시키는 실장 방법」을 말한다. Although the semiconductor chip mounting method at the time of manufacturing the semiconductor device of this invention is not specifically limited as long as the semiconductor chip functions effectively, Specifically, a wire bonding mounting method, a flip chip mounting method, a bumpless build-up layer The mounting method by (BBUL), the mounting method by an anisotropic conductive film (ACF), the mounting method by a nonelectroconductive film (NCF), etc. are mentioned. Here, "a mounting method using a bumpless build-up layer (BBUL)" refers to a "mounting method in which a semiconductor chip is directly embedded in a recess of a printed wiring board, and the semiconductor chip and the wiring on the printed wiring board are connected" .

[실시예][Example]

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다. 한편, 이하에 있어서, 「부」및「%」는, 별도 명시가 없는 한, 각각 「질량부」및「질량%」를 의미한다. Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited to these Examples. In addition, in the following, "part" and "%" mean "part by mass" and "mass %", respectively, unless otherwise indicated.

우선 각종 측정 방법·평가 방법에 관해서 설명한다. First, various measurement methods and evaluation methods will be described.

〔평가용 기판 1의 조제〕[Preparation of substrate 1 for evaluation]

(1) 내층 회로 기판의 준비(1) Preparation of inner-layer circuit board

내층 회로를 형성한 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(구리박의 두께 18㎛, 기판의 두께 0.3mm, 마츠시타덴코(주) 제조「R5715ES」)의 양면을 멕(주) 제조「CZ8100」으로 1㎛ 에칭하여 구리 표면의 조화 처리를 실시하였다. Both sides of the glass cloth base epoxy resin double-sided copper clad laminate (copper foil thickness 18㎛, substrate thickness 0.3mm, Matsushita Denko Co., Ltd. "R5715ES") on which the inner-layer circuit was formed were coated with "CZ8100" manufactured by Meg Co., Ltd. 1 It etched micrometer and performed the roughening process of the copper surface.

(2) 접착 필름의 적층(2) Lamination of the adhesive film

실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름을, 배치식 진공 가압 라미네이터((주) 메이키세사쿠쇼 제조「MVLP-500」)를 사용하여, 수지 조성물층이 내층 회로 기판과 접합하도록, 내층 회로 기판의 양면에 적층하였다. 적층은, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 100℃, 압력 0.74MPa로 30초간 압착함으로써 실시하였다. The adhesive films produced in Examples and Comparative Examples were bonded to the inner circuit board by using a batch vacuum pressurized laminator (“MVLP-500” manufactured by Meiki Sesakusho Co., Ltd.) so that the resin composition layer was bonded to the inner circuit board. was laminated on both sides of the Lamination|stacking was performed by pressure-reducing for 30 second and making atmospheric|air pressure 13 hPa or less, and then crimping|bonding at 100 degreeC and pressure 0.74 MPa for 30 second.

(3) 수지 조성물층의 경화(3) Hardening of the resin composition layer

적층후, 기판의 양면으로부터 지지체를 박리하였다. 이어서, 100℃에서 30분간, 또한 170℃에서 30분간의 경화 조건으로 수지 조성물층을 열경화시켜 절연층을 형성하였다. After lamination, the support was peeled from both surfaces of the substrate. Next, the resin composition layer was thermosetted under curing conditions at 100°C for 30 minutes and at 170°C for 30 minutes to form an insulating layer.

(4) 조화 처리(4) Harmonization processing

절연층의 형성후, 기판을 팽윤액(아토텍재팬(주) 제조「스웰링딥·세큐리간트 P」, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 및 수산화나트륨을 함유하는 수용액)에 80℃에서 5분간, 산화제(아토텍재팬(주) 제조「콘센트레이트·콤팩트 CP」, KMnO4: 60g/L, NaOH: 40g/L의 수용액)에 80℃에서 10분간, 마지막에 중화액(아토텍재팬(주) 제조「리덕션솔류션·세큐리간트 P」, 황산하이드록실아민 수용액)에 40℃에서 5분간 침지하였다. 이어서, 80℃에서 30분간 건조시켰다. 수득된 기판을 「기판(1a)」라고 칭한다. After the formation of the insulating layer, the substrate was placed in a swelling solution (Atotech Japan Co., Ltd. “Swelling Dip Securigant P”, an aqueous solution containing diethylene glycol monobutyl ether and sodium hydroxide) at 80° C. for 5 minutes, followed by an oxidizing agent (Atotech Japan Co., Ltd. “Concentrate Compact CP”, KMnO 4 : 60 g/L, NaOH: 40 g/L aqueous solution) at 80° C. for 10 minutes, and finally a neutralizing solution (Atotech Japan Co., Ltd.) It was immersed at 40 degreeC for 5 minutes in "reduction solution securigant P", aqueous hydroxylamine sulfate aqueous solution). Then, it dried at 80 degreeC for 30 minutes. The obtained board|substrate is called "substrate 1a".

한편, 실시예 6 및 비교예 5에 관해서는, 상기 (2) 내지 (4)의 조작을 하기와 같이 실시하여 기판(1a)을 수득하였다. On the other hand, with respect to Example 6 and Comparative Example 5, the operations (2) to (4) were performed as follows to obtain a substrate 1a.

실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름을, 진공 프레스 장치(키타가와세이키(주) 제조「VH1-1603」)를 사용하여, 수지 조성물층이 내층 회로 기판과 접합하도록, 내층 회로 기판의 양면에 적층하였다. 적층은, 1×10-3MPa의 감압하, 100℃, 압력 1.0MPa로 30분간 압착하고, 이어서 180℃까지 10분에 걸쳐 승온시킨 후, 180℃, 압력 1.0MPa로 30분간 압착함으로써 실시하였다. 이것에 의해, 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성하였다. 조화 처리는, 팽윤액에 60℃에서 5분간, 산화제에 80℃에서 5분간 침지한 것 이외에는 상기 (4)와 같이 하였다. The adhesive films produced in Examples and Comparative Examples were applied to both sides of the inner circuit board using a vacuum press device (“VH1-1603” manufactured by Kitagawa Seiki Co., Ltd.) so that the resin composition layer was bonded to the inner circuit board. laminated. Lamination was carried out by pressing under a reduced pressure of 1×10 -3 MPa at 100° C. and a pressure of 1.0 MPa for 30 minutes, then raising the temperature to 180° C. over 10 minutes, and then pressing at 180° C. and a pressure of 1.0 MPa for 30 minutes. . Thereby, the resin composition layer was thermosetted and the insulating layer was formed. The roughening process was carried out like said (4) except having immersed in the swelling liquid at 60 degreeC for 5 minutes, and 80 degreeC for 5 minutes in the oxidizing agent.

(5) 도체층의 형성(5) Formation of conductor layer

세미어디티브법에 따라, 하기와 같이, 절연층 표면에 도체층을 형성하였다. According to the semiadditive method, a conductor layer was formed on the surface of the insulating layer as follows.

기판(1a)을, PdCl2를 함유하는 무전해 도금액에 40℃에서 5분간 침지한 후, 무전해 구리 도금액에 25℃에서 20분간 침지하였다. 이어서, 150℃에서 30분간 가열하여 어닐 처리를 실시한 후, 에칭 레지스트를 형성하고, 에칭에 의해 패턴 형성하였다. 그 후, 황산구리 전해 도금을 실시하여, 두께 25㎛의 도체층을 형성하고, 어닐 처리를 180℃에서 30분간 실시하였다. 수득된 기판을「기판(1b)」라고 칭한다. The substrate 1a was immersed in an electroless plating solution containing PdCl 2 at 40° C. for 5 minutes, and then immersed in an electroless copper plating solution at 25° C. for 20 minutes. Then, after heating at 150 degreeC for 30 minutes and performing annealing process, the etching resist was formed and it pattern-formed by etching. Then, copper sulfate electroplating was performed, the 25-micrometer-thick conductor layer was formed, and the annealing process was performed at 180 degreeC for 30 minute(s). The obtained substrate is called &quot;substrate 1b&quot;.

〔평가용 기판 2의 조제〕[Preparation of substrate 2 for evaluation]

(1) 내층 기판의 준비(1) Preparation of the inner layer substrate

내층 기판으로서, 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판의 양면 구리박을 모두 제거한 언클래드판(두께 100㎛)을 준비하였다. 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판으로서는, 미쯔비시가스가가쿠(주) 제조「HL832NSF-LCA」(사이즈 100mm×150mm, 베이스 기재의 두께 100㎛, 열팽창율 4ppm/℃, 굴곡 탄성율 34GPa, 표면 구리 회로의 두께 16㎛)를 사용하였다. As the inner layer substrate, an unclad plate (thickness of 100 µm) from which the copper foil on both sides of the glass cloth base epoxy resin double-sided copper clad laminate was removed was prepared. As a glass cloth base epoxy resin double-sided copper clad laminate, Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. "HL832NSF-LCA" (size 100mm x 150mm, base base material thickness 100㎛, thermal expansion rate 4ppm/°C, flexural modulus 34GPa, surface copper circuit thickness of 16 μm) was used.

(2) 접착 필름의 적층(2) Lamination of the adhesive film

실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름을, 배치식 진공 가압 라미네이터(리치고·모튼(주) 제조의 2스테이지 빌드업 라미네이터「CVP700」)를 사용하여, 수지 조성물층이 내층 기판과 접하도록, 내층 기판의 양면에 적층하였다. 적층은, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 100℃, 압력 0.74MPa에서 30초간 압착시킴으로써 실시하였다. 이어서, 100℃, 압력 0.5MPa에서 60초간 열프레스를 실시하였다. The adhesive films produced in Examples and Comparative Examples were subjected to a batch-type vacuum pressurization laminator (two-stage build-up laminator "CVP700" manufactured by Richigo Morton Co., Ltd.) so that the resin composition layer was in contact with the inner layer substrate, It was laminated on both sides of the inner layer substrate. Lamination|stacking was performed by pressure-reducing for 30 second and making atmospheric|air pressure 13 hPa or less, and then crimping|bonding at 100 degreeC and pressure 0.74 MPa for 30 second. Then, it hot-pressed for 60 second at 100 degreeC and the pressure of 0.5 MPa.

(3) 수지 조성물층의 경화(3) Hardening of the resin composition layer

적층후, 기판으로부터 지지체를 박리하였다. 이어서, 190℃에서 90분간의 경화 조건으로 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성하였다. 수득된 기판을「기판(2a)」라고 칭한다. After lamination, the support was peeled from the substrate. Next, the resin composition layer was thermosetted under curing conditions at 190°C for 90 minutes to form an insulating layer. The obtained board|substrate is called "substrate 2a".

<무기 충전재의 비표면적(S)의 측정><Measurement of specific surface area (S) of inorganic filler>

무기 충전재의 비표면적은, 자동 비표면적 측정 장치((주) 마운텍 제조「Macsorb HM-1210」)를 사용하여, 질소 BET법에 의해 구하였다. The specific surface area of the inorganic filler was calculated|required by nitrogen BET method using the automatic specific surface area measuring apparatus ("Macsorb HM-1210" manufactured by Mountec Co., Ltd.).

<무기 충전재의 평균 입자 직경(R)의 측정><Measurement of average particle diameter (R) of inorganic filler>

20ml의 바이알병에, 무기 충전재 0.01g, 비이온계 분산제(니혼유시(주) 제조「T208.5」) 0.2g, 순수 10g을 가하고, 초음파 세정기로 10분간 초음파 분산을 실시하여, 샘플을 조제하였다. 이어서 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치((주) 시마즈세사쿠쇼 제조「SALD2200」)에 샘플을 투입하고, 순환시키면서 초음파를 10분간 조사하였다. 그 후, 초음파를 멈추고, 샘플의 순환을 유지한 채 입도 분포의 측정을 실시하여, 무기 충전재의 평균 입자 직경(R)을 구하였다. 한편, 측정시의 굴절율은 1.45-0.001i로 설정하였다. To a 20 ml vial, 0.01 g of inorganic filler, 0.2 g of a nonionic dispersant (“T208.5” manufactured by Nihon Yushi Co., Ltd.), and 10 g of pure water were added, followed by ultrasonic dispersion for 10 minutes with an ultrasonic cleaner to prepare a sample did. Next, the sample was put into a laser diffraction particle size distribution analyzer ("SALD2200" manufactured by Shimadzu Corporation), and ultrasonic waves were irradiated for 10 minutes while being circulated. Then, the ultrasonic wave was stopped, the particle size distribution was measured while the circulation of the sample was maintained, and the average particle diameter (R) of the inorganic filler was calculated|required. On the other hand, the refractive index at the time of measurement was set to 1.45-0.001i.

<형상 파라미터 A의 산출><Calculation of shape parameter A>

무기 충전재의 비표면적(S), 평균 입자 직경(R), 및 밀도(ρ)의 값을 하기 수학식 1에 대입하여, 형상 파라미터 A를 산출하였다. The shape parameter A was calculated by substituting the values of the specific surface area (S), the average particle diameter (R), and the density (ρ) of the inorganic filler into the following formula (1).

[수학식 1][Equation 1]

A = SRρ/6A = SRρ/6

<형상 파라미터 B의 산출><Calculation of shape parameter B>

기판(1a)의 편면에 적층된 절연층에 관해서, FIB-SEM 복합 장치(SII나노테크놀로지(주) 제조「SMI3050SE」)를 사용하여, 관찰 배율 14,000배로 단면 관찰을 실시하였다. 수득된 FIB-SEM 상으로부터, 화상 처리 소프트((주) Leica 제조「QWin V3」)를 사용하여, 절연층 내에 존재하는 무기 충전재 입자의 주위 길이(L) 및 면적을 측정하였다. 한편, 측정은, 전체 상의 분명하지 않은 무기 충전재 입자나 윤곽이 선명하지 않은 무기 충전재 입자를 회피하고, 1 샘플당 임의의 50개의 무기 충전재 입자에 관해서 실시하였다. 수득된 무기 충전재 입자의 면적에서, 그것과 등면적의 진원의 주위 길이(원주; Lc)를 산출하였다. 그리고, L과 Lc의 값을 하기 수학식 2에 대입하여, 각 무기 충전재 입자에 관해서 형상 파라미터 B를 산출하고, 형상 파라미터 B의 평균값과 이의 분포를 수득하였다. About the insulating layer laminated|stacked on the single side|surface of the board|substrate 1a, cross-sectional observation was performed using the FIB-SEM composite apparatus ("SMI3050SE" manufactured by SII Nanotechnology Co., Ltd.) at an observation magnification of 14,000 times. From the obtained FIB-SEM image, the peripheral length (L) and area of the inorganic filler particles present in the insulating layer were measured using image processing software (“QWin V3” manufactured by Leica Corporation). On the other hand, the measurement was performed with respect to arbitrary 50 inorganic filler particles per sample, avoiding the inorganic filler particle which is not clear on the whole image, or the inorganic filler particle whose outline is not clear. From the area of the obtained inorganic filler particles, the perimeter length (circumference; Lc) of a perfect circle equal to it was calculated. Then, by substituting the values of L and Lc into Equation 2 below, the shape parameter B was calculated for each inorganic filler particle, and the average value of the shape parameter B and its distribution were obtained.

[수학식 2][Equation 2]

B = Lc/LB = Lc/L

<무기 충전재의 평균 결정자 직경의 측정><Measurement of average crystallite diameter of inorganic filler>

무기 충전재의 평균 결정자 직경은, 이하의 수순에 따라 구하였다. 우선, 유리 시험판에 무기 충전재를 고정시키고 샘플 플레이트를 조제하였다. 당해 샘플 플레이트를, 광각 X선 회절 장치((주) 리가쿠 제조「Multi FLEX」)에 세트하고, 광각 X선 회절 반사법에 의해 회절 프로파일을 측정하였다. X선원은 CuKα, 검출기는 신틸레이션 카운터, 출력은 40kV, 40mA이었다. 수득된 회절 프로파일의 SiO2 Quarts(101)면에 기초하는 회절선으로부터, Scherrer의 식을 사용하여 결정자 직경을 산출하였다. The average crystallite diameter of the inorganic filler was calculated|required according to the following procedure. First, the inorganic filler was fixed to a glass test plate, and the sample plate was prepared. The sample plate was set in a wide-angle X-ray diffraction apparatus ("Multi FLEX" manufactured by Rigaku Co., Ltd.), and the diffraction profile was measured by a wide-angle X-ray diffraction and reflection method. The X-ray source was CuKα, the detector was a scintillation counter, and the output was 40 kV, 40 mA. From the diffraction line based on the SiO 2 Quarts (101) plane of the obtained diffraction profile, the crystallite diameter was calculated using Scherrer's formula.

<분산 안정성의 평가><Evaluation of dispersion stability>

실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름에 관해서, 수지 조성물층 중의 응집 입자를 마이크로스코프((주) KEYENCE 제조「VH-2250」)를 사용하여 관찰 배율 1000배로 관찰하였다. 수지 조성물의 분산 안정성은, 이하의 기준에 따라 평가하였다. About the adhesive film produced by the Example and the comparative example, the flock|aggregate in the resin composition layer was observed using the microscope ("VH-2250" manufactured by KEYENCE Corporation) at an observation magnification of 1000 times. The dispersion stability of the resin composition was evaluated according to the following criteria.

평가 기준:Evaluation standard:

○: 10㎛ 이상의 응집 입자가 10 시야 중 2개 미만(circle): 10 micrometers or more aggregation particle is less than 2 out of 10 fields of view

×: 10㎛ 이상의 응집 입자가 10 시야 중 2개 이상x: 2 or more 10 micrometers or more aggregated particles in 10 fields of view

<최저 용융 점도의 측정><Measurement of Minimum Melt Viscosity>

실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름의 수지 조성물층에 관해서, 동적 점탄성 측정 장치((주) 유·비·엠 제조「Rheosol-G3000」)를 사용하여 용융 점도를 측정하였다. 시료 수지 조성물 1g에 관해서, 직경 18mm의 패러렐 플레이트를 사용하여, 개시 온도 60℃에서 200℃까지 승온 속도 5℃/분으로 승온하고, 측정 온도 간격 2.5℃, 진도 1Hz, 변형 1deg의 측정 조건으로 동적 점탄성율을 측정하고, 최저 용융 점도를 측정하였다. 적층성은, 이하의 기준에 따라 평균하였다. About the resin composition layer of the adhesive film produced in the Example and the comparative example, melt viscosity was measured using the dynamic viscoelasticity measuring apparatus ("Rheosol-G3000" manufactured by UBM Co., Ltd.). With respect to 1 g of the sample resin composition, using a parallel plate having a diameter of 18 mm, the temperature was raised from the starting temperature of 60°C to 200°C at a temperature increase rate of 5°C/min, and dynamic with measurement conditions of 2.5°C, measurement temperature interval, 1 Hz intensity, and 1deg deformation. The viscoelastic modulus was measured and the lowest melt viscosity was determined. Laminability was averaged according to the following criteria.

평가 기준:Evaluation standard:

○: 최저 용융 점도가 30000포이즈 이하○: Minimum melt viscosity of 30000 poise or less

×: 최저 용융 점도가 30000포이즈보다 높다x: The minimum melt viscosity is higher than 30000 poise

<휘어짐의 평가><Evaluation of warpage>

기판(2a)(n=5)를, 피크 온도 260℃의 땜납 리플로우 온도를 재현하는 리플로우 장치(니혼안톰(주) 제조「HAS-6116」)에 1회 통과시켰다(리플로우 온도 프로파일은 IPC/JEDEC J-STD-020C에 준거). 이어서, 쉐도우 모아레 장치(Akrometrix사 제조「TherMoire AXP」)를 사용하여, IPC/JEDEC J-STD-020C(피크 온도 260℃)에 준거한 리플로우 온도 프로파일로 기판 하면을 가열하고, 기판 상면에 배치한 격자선에 기초하여 기판 중앙의 10mm 각 부분의 변위를 측정하였다. 휘어짐은, 이하의 평가 기준에 따라 평가하였다. The substrate 2a (n = 5) was passed once through a reflow device (“HAS-6116” manufactured by Nippon Antom Co., Ltd.) that reproduces the solder reflow temperature of a peak temperature of 260°C (the reflow temperature profile is Conforms to IPC/JEDEC J-STD-020C). Next, using a shadow moire apparatus (“TherMoire AXP” manufactured by Akrometrix), the lower surface of the substrate is heated with a reflow temperature profile conforming to IPC/JEDEC J-STD-020C (peak temperature 260°C), and placed on the upper surface of the substrate Based on one grid line, the displacement of each part of 10 mm in the center of the substrate was measured. The curvature was evaluated according to the following evaluation criteria.

평가 기준:Evaluation standard:

○: 전체 5 샘플에 관해서, 전체 온도 범위에 있어서의 변위 데이터의 최대 높이와 최소 높이의 차이가 40㎛ 미만○: For all 5 samples, the difference between the maximum height and the minimum height of the displacement data in the entire temperature range was less than 40 µm

×: 적어도 1 샘플에 관해서, 전체 온도 범위에 있어서의 변위 데이터의 최대 높이와 최소 높이의 차이가 40㎛ 이상x: for at least one sample, the difference between the maximum height and the minimum height of the displacement data in the entire temperature range is 40 µm or more

<산술 평균 조도(Ra)의 측정><Measurement of arithmetic mean roughness (Ra)>

기판(1a)에 관해서, 비접촉형 표면 조도계(비코인스트루먼트사 제조「WYKO NT3300」)를 사용하여, VSI 콘택트 모드, 50배 렌즈에 의해 측정 범위를 121㎛×92㎛로 하여 수득되는 수치에 의해 Ra값을 구하였다. 무작위로 선택한 10점의 평균값을 구함으로써 측정값으로 하였다. Regarding the substrate 1a, using a non-contact type surface roughness meter ("WYKO NT3300" manufactured by BCoin Instruments), Ra by the numerical value obtained by setting the measurement range to 121 탆 x 92 탆 with a 50x lens in VSI contact mode. value was obtained. It was set as the measured value by calculating|requiring the average value of 10 randomly selected points|pieces.

<도체층의 밀착 강도의 측정><Measurement of adhesion strength of conductor layer>

절연층과 도체층의 밀착 강도의 측정은, 평가 기판(1b)에 관해서, JIS C6481에 준거하여 실시하였다. 구체적으로는, 기판(1b)의 도체층에, 폭 10mm, 길이 100mm 부분의 노치를 넣고, 이 일단을 박리하여 집게로 집어, 실온 중에서, 50mm/분의 속도로 수직 방향으로 35mm를 박리했을 때의 하중(kgf/cm)을 측정하고, 밀착 강도를 구하였다. The measurement of the adhesive strength of an insulating layer and a conductor layer was performed based on JISC6481 about the evaluation board|substrate 1b. Specifically, when a notch having a width of 10 mm and a length of 100 mm is put in the conductor layer of the substrate 1b, this end is peeled off and picked up with tongs, and 35 mm is peeled off in the vertical direction at a rate of 50 mm/min at room temperature. The load (kgf/cm) of was measured, and the adhesion strength was calculated|required.

<선열팽창 계수의 측정><Measurement of coefficient of linear thermal expansion>

실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름을 190℃에서 90분간 가열하여 수지 조성물층을 열경화시켰다. 이어서, 지지체를 박리하여 시트상의 경화물을 수득하였다. 수득된 시트상의 경화물을, 폭 약 5mm, 길이 약 15mm의 시험편으로 절단하고, 열기계 분석 장치((주) 리가쿠 제조「Thermo Plus TMA8310」)를 사용하여, 인장가중법으로 열기계 분석을 실시하였다. 상세하게는, 시험편을 상기 열기계 분석 장치에 장착한 후, 하중 1g, 승온 속도 5℃/분의 측정 조건으로 연속하여 2회 측정하였다. 그리고 2회째의 측정에 있어서, 25℃에서 150℃까지의 범위에 있어서의 평균 선열팽창 계수를 산출하였다. The adhesive films prepared in Examples and Comparative Examples were heated at 190° C. for 90 minutes to thermoset the resin composition layer. Then, the support was peeled off to obtain a sheet-like cured product. The obtained sheet-like cured product was cut into test pieces having a width of about 5 mm and a length of about 15 mm, and thermomechanical analysis was performed by a tensile weighting method using a thermomechanical analyzer (“Thermo Plus TMA8310” manufactured by Rigaku Co., Ltd.). carried out. In detail, after the test piece was mounted on the said thermomechanical analysis apparatus, it measured twice continuously under the measurement conditions of 1 g of load and 5 degreeC/min of temperature increase rate. And the 2nd measurement WHEREIN: The average coefficient of linear thermal expansion in the range from 25 degreeC to 150 degreeC was computed.

<필드 비아의 보이드의 평가><Evaluation of Void of Field Via>

필드 비아의 보이드의 평가는, 이하의 수순에 따라 실시하였다. Evaluation of the void of a field via was performed according to the following procedure.

(1) 비아홀의 형성(1) Formation of via hole

탄산 가스 레이저 가공기((주) 히타치세사쿠쇼 제조「LC-2E21B/1C」)를 사용하여, 기판(1a)의 편면에 적층된 절연층에, 톱 직경 60㎛, 보이드 직경 50㎛의 비아홀을 형성하였다. Using a carbon dioxide laser processing machine (“LC-2E21B/1C” manufactured by Hitachi Chemical Corporation), a via hole having a top diameter of 60 µm and a void diameter of 50 µm was formed in the insulating layer laminated on one side of the substrate 1a. formed.

(2) 필드 비아의 형성(2) Formation of filled vias

비아홀의 형성후, 절연층을 조화 처리하고, 도체층을 형성하였다. 조화 처리 및 도체층의 형성은 〔평가용 기판 1의 조제〕와 같이 하여 실시하였다. 이것에 의해, 비아홀 내부에도 도체 금속이 충전되어, 필드 비아가 수득되었다. After the via hole was formed, the insulating layer was roughened to form a conductor layer. The roughening process and formation of a conductor layer were performed like [Preparation of the board|substrate 1 for evaluation]. Thereby, the conductor metal was also filled in the inside of the via hole, and a filled via was obtained.

(3) 보이드의 평가(3) evaluation of voids

형성된 필드 비아를, 주사형 전자 현미경(SEM)((주) 히타치하이테크놀로지즈 제조, 형식 「SU-1500」)을 사용하여 단면 관찰하였다. 그리고, 필드 비아 10개 중 보이드의 수가 2개 미만인 경우를 「○」, 2개 이상인 경우를 「×」로 하였다. The formed field via was cross-sectionally observed using a scanning electron microscope (SEM) (made by Hitachi High-Technologies Corporation, model "SU-1500"). In addition, the case where the number of voids was less than 2 among 10 filled vias was made into "circle", and the case where 2 or more was made into "x".

실시예 및 비교예에서 사용한 무기 충전재의 각 물성 및 형상 파라미터 A, B를 표 1에 함께 기재한다. Table 1 lists the physical properties and shape parameters A and B of the inorganic fillers used in Examples and Comparative Examples together.

Figure 112015039170932-pat00001
Figure 112015039170932-pat00001

또한, IMSIL A-8에 관해서, 형상 파라미터 B가 0.8 미만인 입자의 함유량은 36개수%, 특히 형상 파라미터 B가 0.75 이하인 입자의 함유량은 16개수%이고, 형상 파라미터 B가 0.9보다 큰 입자의 함유량은 12개수%, 특히 형상 파라미터 B가 0.94 이상인 입자의 함유량은 0개수%이었다. 또한, IMSIL A-25에 관해서, 형상 파라미터 B가 0.8 미만인 입자의 함유량은 26개수%, 특히 형상 파라미터 B가 0.75 이하인 입자의 함유량은 20개수%이고, 형상 파라미터 B가 0.9보다 큰 입자의 함유량은 14개수%, 특히 형상 파라미터 B가 0.94 이상인 입자의 함유량은 0개수%이었다. In addition, regarding IMSIL A-8, the content of particles having a shape parameter B less than 0.8 is 36% by number, in particular, the content of particles having a shape parameter B of 0.75 or less is 16% by number, and the content of particles having a shape parameter B greater than 0.9 is The content of particles having a shape parameter B of 0.94 or more was 0% by number, in particular 12% by number. Further, regarding IMSIL A-25, the content of particles having a shape parameter B less than 0.8 is 26% by number, in particular, the content of particles having a shape parameter B of 0.75 or less is 20% by number, and the content of particles having a shape parameter B greater than 0.9 is The content of the particles having a shape parameter B of 0.94 or more was 0% by number, in particular 14% by number.

<실시예 1><Example 1>

(1) 수지 바니쉬의 조제(1) Preparation of resin varnish

액상 비스페놀 A형 에폭시 수지(에폭시 당량 187, 미쯔비시가가쿠(주) 제조「jER828EL」) 20부, 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 276, 니혼가야쿠(주) 제조「NC3000」) 30부, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지(에폭시 당량 198, 미쯔비시가가쿠(주) 제조「jER1031S」) 5부, 고형 비스페놀 A형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 3000 내지 5000, 미쯔비시가가쿠(주) 제조「jER1010」)를 메틸에틸케톤(MEK)과 사이클로헥산온의 질량비가 1:1인 혼합 용매에 용해한 불휘발 성분 50질량%의 수지 용액 5부를, MEK 20부 및 사이클로헥산온 10부의 혼합 용매에 교반하면서 가열 용해시켰다. 거기에, 트리아진 골격 함유 페놀노볼락계 경화제(수산기 당량 125, DIC(주) 제조「LA-7054」, 고형분 60%의 MEK 용액) 10부, 페놀노볼락계 경화제(수산기 당량 105, DIC(주) 제조「TD2090」) 6부, 아민계 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 결정 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-8」, 평균 입자 직경 1.38㎛, 최대 입자 직경 20㎛, 비표면적 6.54㎡/g, 밀도 2.65g/㎤, 평균 결정자 직경 1000Å) 180부, 난연제(산코(주) 제조「HCA-HQ」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 평균 입자 직경 2㎛) 5부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산시켜, 수지 바니쉬를 조제하였다. 한편, 수지 바니쉬의 조제에 사용한 무기 충전재 이외의 불휘발 성분의 전체 밀도는 약 1.2g/㎤이었다. 20 parts of liquid bisphenol A epoxy resin (epoxy equivalent 187, "jER828EL" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), 30 parts of biphenyl type epoxy resin (epoxy equivalent 276, "NC3000" manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd.) 30 parts, tetra 5 parts of phenylethane type epoxy resin (epoxy equivalent 198, manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "jER1031S"), solid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent approximately 3000 to 5000, manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "jER1010") 5 parts of a 50 mass % nonvolatile component resin solution dissolved in a mixed solvent having a mass ratio of methyl ethyl ketone (MEK) and cyclohexanone of 1:1 in a mixed solvent of 20 parts of MEK and 10 parts of cyclohexanone was dissolved by heating while stirring. . In addition, 10 parts of triazine skeleton-containing phenol novolac curing agent (hydroxyl equivalent 125, DIC Co., Ltd. “LA-7054”, MEK solution having a solid content of 60%), phenol novolac curing agent (hydroxyl equivalent 105, DIC ( 6 parts of "TD2090" manufactured by Co., Ltd.), 3 parts of an amine-based curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), a MEK solution having a solid content of 5% by mass), N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Co., Ltd.) Crystalline silica surface-treated ("KBM573" manufactured by Kaku Corporation) ("IMSIL A-8" manufactured by Unimin, average particle diameter 1.38 μm, maximum particle diameter 20 μm, specific surface area 6.54 m 2 /g, density 2.65 g/cm 3 , average crystallite diameter of 1000 Å) 180 parts, flame retardant (“HCA-HQ” manufactured by Sanko Co., Ltd., 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene- 10-oxide, average particle diameter 2 µm) 5 parts were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish. On the other hand, the total density of nonvolatile components other than the inorganic filler used for preparation of the resin varnish was about 1.2 g/cm<3>.

(2) 접착 필름의 제작(2) Preparation of adhesive film

지지체로서, 알키드 수지계 이형층 부착 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 38㎛, 린텍(주) 제조, 「AL5」)을 준비하였다. 상기에서 조제한 수지 바니쉬를, 당해 지지체 위에, 다이코터로 균일하게 도포하고, 80 내지 120℃(평균 100℃)에서 6분간 건조시켜 수지 조성물층을 형성하였다. 수지 조성물층의 두께는 40㎛, 수지 조성물 중의 잔류 용매량은 약 2질량%이었다. 이어서 수지 조성물층의 표면에, 보호 필름으로서 폴리프로필렌 필름(오시토쿠슈시(주) 제조, 「알팬MA-411」의 평활면측, 두께 15㎛를 붙이면서 롤상으로 감았다. 롤상의 접착 필름을 폭 507mm으로 슬릿하고, 507mm×336mm 사이즈의 접착 필름을 수득하였다. As a support body, the polyethylene terephthalate film (38 micrometers in thickness, Lintech Co., Ltd. product, "AL5") with an alkyd resin type mold release layer was prepared. The resin varnish prepared above was uniformly applied on the support with a die coater, and dried at 80 to 120°C (average 100°C) for 6 minutes to form a resin composition layer. The thickness of the resin composition layer was 40 micrometers, and the amount of residual solvent in the resin composition was about 2 mass %. Next, on the surface of the resin composition layer, as a protective film, a polypropylene film (manufactured by Oshitoku Shushi Co., Ltd., on the smooth surface side of "Alpan MA-411", 15 µm in thickness) was applied and wound in roll shape. It was slitted to 507 mm, and the adhesive film of the size of 507 mm x 336 mm was obtained.

<실시예 2><Example 2>

비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 276, 니혼가야쿠(주) 제조「NC3000」) 30부 대신, 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 276, 니혼가야쿠(주) 제조「NC3000」) 10부 및 나프틸렌에테르형 에폭시 수지(에폭시 당량 250, DIC(주) 제조「HP6000」) 18부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 수지 바니쉬를 조제하고, 접착 필름을 제작하였다. Instead of 30 parts of a biphenyl type epoxy resin (epoxy equivalent 276, manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd. "NC3000"), 10 parts of a biphenyl type epoxy resin (epoxy equivalent 276, manufactured by Nippon Gayaku Co., Ltd. "NC3000") 10 parts and naphtha A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 18 parts of a thylene ether type epoxy resin (epoxy equivalent 250, "HP6000" manufactured by DIC Corporation) was used to prepare an adhesive film.

<실시예 3><Example 3>

페놀노볼락계 경화제(수산기 당량 105, DIC(주) 제조「TD2090」) 6부 대신 나프톨노볼락계 경화제(수산기 당량 215, 신닛테츠스미킨가가쿠(주) 제조「SN485」) 12부를 사용한 점, 및 N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 결정 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-8」)의 사용량을 210부로 변경한 점 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 수지 바니쉬를 조제하고, 접착 필름을 제작하였다. 12 parts of a naphthol novolac hardener (hydroxyl equivalent: 215, "SN485" manufactured by Shin-Nittetsu Sumikingaku Co., Ltd.) was used instead of 6 parts of a phenol novolak-based curing agent (hydroxyl equivalent: 105, manufactured by DIC Co., Ltd. “TD2090”); and N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane ("KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) The amount of crystalline silica surface-treated ("IMSIL A-8" manufactured by Unimin) was changed to 210 parts Other than that, it carried out similarly to Example 1, the resin varnish was prepared, and the adhesive film was produced.

<실시예 4><Example 4>

고형 비스페놀 A형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 3000 내지 5000, 미쯔비시가가쿠(주) 제조「jER1010」) 대신, 페녹시 수지(미쯔비시가가쿠(주) 제조「YL7553BH30」, 고형분 30질량%의 MEK/사이클로헥산온=1/1 용액) 8부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 수지 바니쉬를 조제하고, 접착 필름을 제작하였다. In place of the solid bisphenol A epoxy resin (epoxy equivalent of about 3000 to 5000, manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "jER1010"), phenoxy resin ("YL7553BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), MEK/cyclo with a solid content of 30% by mass Except having used 8 parts of hexanone = 1/1 solution), the resin varnish was prepared like Example 1, and the adhesive film was produced.

<실시예 5><Example 5>

N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 결정 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-8」) 180부 대신, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 결정 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-25」, 평균 입자 직경 2.55㎛, 최대 입자 직경 20㎛, 비표면적 5.87㎡/g, 밀도 2.65g/㎤, 평균 결정자 직경 1400Å)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 수지 바니쉬를 조제하고, 접착 필름을 제작하였다. Instead of 180 parts of crystalline silica surface-treated with N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane ("KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) ("IMSIL A-8" manufactured by Unimin), N-phenyl-3 -Crystallized silica surface-treated with aminopropyltrimethoxysilane ("KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) ("IMSIL A-25" manufactured by Unimin, average particle diameter 2.55 μm, maximum particle diameter 20 μm, specific surface area A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1, except that 5.87 m 2 /g, a density of 2.65 g/cm 3 , and an average crystallite diameter of 1400 Å) was used to prepare an adhesive film.

<실시예 6><Example 6>

N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 결정 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-8」, 평균 입자 직경 1.38㎛, 최대 입자 직경 20㎛, 비표면적 6.54㎡/g, 밀도 2.65g/㎤, 평균 결정자 직경 1000Å)의 사용량을 400부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 수지 바니쉬를 조제하고, 접착 필름을 제작하였다. Crystalline silica surface-treated with N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane ("KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) ("IMSIL A-8" manufactured by Unimin, average particle diameter 1.38 µm, maximum particle diameter) 20 μm, specific surface area 6.54 m 2 / g, density 2.65 g/cm 3 , average crystallite diameter of 1000 Å) was changed to 400 parts, except that a resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 to prepare an adhesive film.

<비교예 1><Comparative Example 1>

N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 결정 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-8」) 180부 대신, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 구상 실리카(아도마텍스(주) 제조「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.90㎛, 비표면적 5.75㎡/g, 밀도 2.2g/㎤) 150부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 수지 바니쉬를 조제하고, 접착 필름을 제작하였다. Instead of 180 parts of crystalline silica surface-treated with N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane ("KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) ("IMSIL A-8" manufactured by Unimin), N-phenyl-3 -Spherical silica surface-treated with aminopropyltrimethoxysilane (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (“SO-C2” manufactured by Adomatex Co., Ltd., average particle diameter 0.90 μm, specific surface area 5.75 m 2 / g, density 2.2 g/cm 3 ) Except having used 150 parts, a resin varnish was prepared like Example 1, and the adhesive film was produced.

<비교예 2><Comparative Example 2>

N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 결정 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-8」) 180부 대신, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 구상 실리카(아도마텍스(주) 제조「SO-C6」, 평균 입자 직경 2.06㎛, 비표면적 2.15㎡/g, 밀도 2.2g/㎤) 150부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 수지 바니쉬를 조제하고, 접착 필름을 제작하였다. Instead of 180 parts of crystalline silica surface-treated with N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane ("KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) ("IMSIL A-8" manufactured by Unimin), N-phenyl-3 -Spherical silica surface-treated with aminopropyltrimethoxysilane (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (“SO-C6” manufactured by Adomatex Co., Ltd., average particle diameter 2.06 μm, specific surface area 2.15 m 2 / g, density 2.2 g/cm 3 ) Except having used 150 parts, a resin varnish was prepared like Example 1, and the adhesive film was produced.

<비교예 3><Comparative Example 3>

N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 결정 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-8」) 180부 대신, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 파쇄상 실리카(타츠모리(주) 제조「VX-SR」, 평균 입자 직경 1.30㎛, 비표면적 11.94㎡/g, 밀도 2.65g/㎤, 평균 결정자 직경 1900Å) 180부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 수지 바니쉬를 조제하고, 접착 필름을 제작하였다. Instead of 180 parts of crystalline silica surface-treated with N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane ("KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) ("IMSIL A-8" manufactured by Unimin), N-phenyl-3 -Pulverized silica surface-treated with aminopropyltrimethoxysilane (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (“VX-SR” manufactured by Tatsumori Co., Ltd., average particle diameter 1.30 μm, specific surface area 11.94 m 2 / g, density 2.65 g/cm 3 , average crystallite diameter of 1900 Å) A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 180 parts was used to prepare an adhesive film.

<비교예 4><Comparative Example 4>

N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 결정 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-8」)의 사용량을 80부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 수지 바니쉬를 조제하고, 접착 필름을 제작하였다. Except that the amount of crystalline silica surface-treated with N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (“IMSIL A-8” manufactured by Unimin) was changed to 80 parts. , A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and an adhesive film was produced.

<비교예 5><Comparative Example 5>

N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 결정 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-8」)의 사용량을 480부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 수지 바니쉬를 조제하고, 접착 필름을 제작하였다. Except that the amount of crystalline silica surface-treated with N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (“IMSIL A-8” manufactured by Unimin) was changed to 480 parts. , A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and an adhesive film was produced.

Figure 112015039170932-pat00002
Figure 112015039170932-pat00002

Claims (14)

프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물로서,
수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 했을 때, 무기 충전재의 함유량이 40 내지 75체적%이고,
수학식: A = SRρ/6[여기서, S는 무기 충전재의 비표면적(㎡/g)이고, R은 무기 충전재의 평균 입자 직경(㎛)이고, ρ는 무기 충전재의 밀도(g/㎤)이다]으로 표시되는 무기 충전재의 형상 파라미터 A가 20≤6A≤40을 충족시키는, 수지 조성물.
A resin composition for an insulating layer of a printed wiring board, comprising:
When the nonvolatile component in the resin composition is 100% by volume, the content of the inorganic filler is 40 to 75% by volume,
Equation: A = SRρ/6 [where S is the specific surface area (m2/g) of the inorganic filler, R is the average particle diameter (㎛) of the inorganic filler, and ρ is the density (g/cm3) of the inorganic filler The resin composition, wherein the shape parameter A of the inorganic filler represented by ] satisfies 20≤6A≤40.
프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물로서,
수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 했을 때, 무기 충전재의 함유량이 40 내지 75체적%이고,
수학식: B = Lc/L[여기서, L은 소정의 단면에서의 무기 충전재의 주위 길이(周圍長)(㎛)이고, Lc는 상기 단면에서의 무기 충전재의 단면적과 등면적(等面積)의 진원(眞圓)의 주위 길이(㎛)이다.]로 표시되는 무기 충전재의 형상 파라미터 B의 평균값이 0.8 이상 0.9 이하인, 수지 조성물.
A resin composition for an insulating layer of a printed wiring board, comprising:
When the nonvolatile component in the resin composition is 100% by volume, the content of the inorganic filler is 40 to 75% by volume,
Equation: B = Lc/L [where L is the peripheral length (μm) of the inorganic filler in a predetermined cross-section, and Lc is the cross-sectional area of the inorganic filler in the cross-section and the equal area It is the peripheral length (micrometer) of a perfect circle.] The average value of the shape parameter B of the inorganic filler represented by 0.8 or more and 0.9 or less, The resin composition.
제1항 또는 제2항에 있어서, 무기 충전재의 평균 결정자(結晶子) 직경이 1800Å 이하인, 수지 조성물. The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the inorganic filler has an average crystallite diameter of 1800 angstroms or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 무기 충전재의 비표면적이 3 내지 10㎡/g인, 수지 조성물. The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the inorganic filler has a specific surface area of 3 to 10 m 2 /g. 제1항 또는 제2항에 있어서, 무기 충전재의 평균 입자 직경이 4㎛ 이하인, 수지 조성물. The resin composition of Claim 1 or 2 whose average particle diameter of an inorganic filler is 4 micrometers or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 무기 충전재의 평균 입자 직경이 3㎛ 이하인, 수지 조성물. The resin composition of Claim 1 or 2 whose average particle diameter of an inorganic filler is 3 micrometers or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 무기 충전재가, 평균 결정자 직경 1800Å 이하의 미결정(微結晶) 입자의 포도송이상(房狀) 응집물을 분산시켜 수득되고, 당해 포도송이상 응집물의 최대 입자 직경이 20㎛ 이하인, 수지 조성물. The inorganic filler according to claim 1 or 2, wherein the inorganic filler is obtained by dispersing a grape cluster agglomerate of microcrystalline particles having an average crystallite diameter of 1800 Å or less, and the maximum particle diameter of the grape cluster agglomerate. The resin composition which is 20 micrometers or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 무기 충전재가 결정성 무기 충전재를 함유하고, 당해 결정성 무기 충전재의 함유량이, 무기 충전재 전체를 100질량%로 했을 때, 50질량% 이상인, 수지 조성물. The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the inorganic filler contains a crystalline inorganic filler, and the content of the crystalline inorganic filler is 50% by mass or more when the total amount of the inorganic filler is 100% by mass. 제8항에 있어서, 결정성 무기 충전재가 결정 실리카인, 수지 조성물. The resin composition according to claim 8, wherein the crystalline inorganic filler is crystalline silica. 제1항 또는 제2항에 있어서, 추가로 에폭시 수지 및 경화제를 함유하는, 수지 조성물. The resin composition according to claim 1 or 2, further comprising an epoxy resin and a curing agent. 제1항 또는 제2항에 있어서, 층간 절연층용 수지 조성물인, 수지 조성물. The resin composition according to claim 1 or 2, which is a resin composition for an interlayer insulating layer. 제1항 또는 제2항에 기재된 수지 조성물로 형성된 수지 조성물층을 포함하는, 시트상 적층 재료. A sheet-like laminated material comprising a resin composition layer formed of the resin composition according to claim 1 or 2. 제1항 또는 제2항에 기재된 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함하는, 프린트 배선판. The printed wiring board containing the insulating layer formed with the hardened|cured material of the resin composition of Claim 1 or 2. 제13항에 기재된 프린트 배선판을 포함하는, 반도체 장치.
A semiconductor device comprising the printed wiring board according to claim 13 .
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