KR102387485B1 - Resin sheet - Google Patents

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료 미야마토
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아지노모토 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 저조도의 표면을 갖는 금속박을 사용하는 경우라도, HAST에 의한 고온 고습 환경하에 있어서의 절연층과 회로의 필 강도의 저하를 억제할 수 있는 수지 시트(수지 부착 금속박)를 제공한다.
[해결 수단] 서브트랙티브법 또는 모디파이드 세미어디티브법에 의해 회로 형성하기 위한 수지 시트로서, 제1 및 제2 주면을 갖는 금속박과, 금속박의 제1 주면과 접합하고 있는 수지층을 포함하고, 금속박의 제1 주면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 300nm 이하이고, 수지층의 두께가 8 내지 400㎛이고, 수지층이, (a) 에폭시 수지, (b) 활성 에스테르계 경화제 및 트리아진 구조 함유 페놀계 경화제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 경화제를 함유하는, 수지 시트.
[Project] To provide a resin sheet (metal foil with resin) capable of suppressing a decrease in the peel strength of the insulating layer and circuit in a high-temperature, high-humidity environment by HAST even when a metal foil having a low roughness surface is used.
[Solutions] A resin sheet for circuit formation by a subtractive method or a modified semi-additive method, comprising a metal foil having first and second main surfaces, and a resin layer bonded to the first main surface of the metal foil, , the arithmetic mean roughness (Ra) of the first main surface of the metal foil is 300 nm or less, the thickness of the resin layer is 8 to 400 μm, the resin layer is (a) an epoxy resin, (b) an active ester-based curing agent and a triazine structure A resin sheet comprising at least one curing agent selected from the group consisting of a phenol-based curing agent.

Description

수지 시트{RESIN SHEET}Resin sheet {RESIN SHEET}

본 발명은 수지 시트에 관한 것이다. 또한, 당해 수지 시트를 사용하여 수득되는, 적층판, 반도체 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a resin sheet. Moreover, it relates to the laminated board and semiconductor device obtained using the said resin sheet.

프린트 배선판의 제조 기술로서, 절연층과 도체층(회로층)을 교대로 적층하는 빌드업 방식에 의한 제조 방법이 알려져 있다. 빌드업 방식에 의한 제조 방법에 있어서, 절연층은, 일반적으로, 수지층을 포함하는 수지 시트 등을 사용하여 수지층을 회로 기판에 적층하고, 당해 수지층을 경화시킴으로써 형성된다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 금속박(金屬箔)과, 당해 금속박 위에 형성된 수지층을 포함하는 수지 시트가 개시되어 있다. As a manufacturing technique of a printed wiring board, the manufacturing method by the buildup system which laminates|stacks an insulating layer and a conductor layer (circuit layer) alternately is known. In the manufacturing method by a build-up system, in general, an insulating layer is formed by laminating|stacking a resin layer on a circuit board using the resin sheet etc. containing a resin layer, and hardening the said resin layer. For example, Patent Document 1 discloses a resin sheet including a metal foil and a resin layer formed on the metal foil.

일본 공개특허공보 특개2007-22091호Japanese Patent Laid-Open No. 2007-22091

빌드업 방식에 의한 제조 방법에 있어서는, 절연층 형성 후, 당해 절연층 위에 회로가 형성된다. 금속박 위에 수지층을 형성한 수지 시트를 사용하는 경우, 당해 금속박을 이용하여, 서브트랙티브법 또는 모디파이드 세미어디티브법에 따라 회로를 형성하는 것이 가능하다. 이 경우, 미세한 회로를 형성함에 있어서는, 절연층과 금속박의 계면 거칠기가 낮은 것이 적합하다. In the manufacturing method by a build-up system, a circuit is formed on the said insulating layer after insulating layer formation. When using the resin sheet in which the resin layer was formed on the metal foil, it is possible to form a circuit by the subtractive method or a modified semiadditive method using the said metal foil. In this case, when forming a fine circuit, it is suitable that the interface roughness of an insulating layer and metal foil is low.

그러나, 절연층과 금속박의 계면 거칠기를 저하시키기 위해, 저조도(低粗度)의 표면을 갖는 금속박 위에 수지층을 형성하여 이루어지는 수지 시트를 사용하면, 수득되는 절연층과 회로의 밀착 강도(필 강도)가 저하되는 경우가 있다. 특히 HAST(Highly Accelerated temperature and humidity Stress Test)에 의한 고온 고습 환경하에 있어서, 절연층과 회로의 밀착 강도가 현저하게 저하되는 경향이 있는 것을 본 발명자들은 밝혀내었다. However, in order to reduce the interface roughness between the insulating layer and the metal foil, when a resin sheet formed by forming a resin layer on a metal foil having a low roughness surface is used, the obtained insulating layer and the adhesion strength (peel strength) of the circuit ) may be lowered. In particular, the present inventors discovered that the adhesive strength of an insulating layer and a circuit tended to fall remarkably in the high-temperature, high-humidity environment by HAST (Highly Accelerated temperature and humidity Stress Test).

본 발명은, 저조도의 표면을 갖는 금속박을 사용하는 경우라도, HAST에 의한 고온 고습 환경하에 있어서의 절연층과 회로의 필 강도의 저하를 억제할 수 있는 수지 시트(수지 부착 금속박)를 제공하는 것을 과제로 한다. The present invention provides a resin sheet (metal foil with resin) capable of suppressing a decrease in the peel strength of the insulating layer and circuit in a high-temperature, high-humidity environment by HAST even when a metal foil having a low roughness surface is used. make it a task

본 발명자들은, 상기 과제에 관해서 예의 검토한 결과, 에폭시 수지 및 특정한 경화제를 함유하는 수지층을 사용함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 밝혀내고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly examining the said subject, the present inventors discovered that the said subject was solvable by using the resin layer containing an epoxy resin and a specific hardening|curing agent, and came to complete this invention.

즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함한다. That is, the present invention includes the following contents.

[1] 서브트랙티브법 또는 모디파이드 세미어디티브법에 의해 회로 형성하기 위한 수지 시트로서,[1] A resin sheet for circuit formation by a subtractive method or a modified semi-additive method, comprising:

제1 및 제2 주면(主面)을 갖는 금속박과,a metal foil having first and second main surfaces;

금속박의 제1 주면과 접합하고 있는 수지층The resin layer joined to the first main surface of the metal foil

을 포함하고,including,

금속박의 제1 주면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 300nm 이하이고, The arithmetic mean roughness (Ra) of the first main surface of the metal foil is 300 nm or less,

수지층의 두께가 8 내지 400㎛이고,The thickness of the resin layer is 8 to 400 μm,

수지층이, (a) 에폭시 수지, (b) 활성 에스테르계 경화제 및 트리아진 구조 함유 페놀계 경화제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 경화제를 함유하는, 수지 시트. A resin sheet, wherein the resin layer contains at least one curing agent selected from the group consisting of (a) an epoxy resin, (b) an active ester curing agent and a triazine structure-containing phenol curing agent.

[2] 수지층이 (c) 무기 충전재를 추가로 함유하는, [1]에 기재된 수지 시트. [2] The resin sheet according to [1], wherein the resin layer further contains (c) an inorganic filler.

[3] (c) 무기 충전재가 실리카인, [2]에 기재된 수지 시트. [3] (c) The resin sheet according to [2], wherein the inorganic filler is silica.

[4] 수지층 중의 (c) 무기 충전재의 함유량이, 수지층 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 40 내지 85질량%인, [2] 또는 [3]에 기재된 수지 시트. [4] The resin sheet according to [2] or [3], wherein the content of the (c) inorganic filler in the resin layer is 40 to 85 mass% when the nonvolatile component in the resin layer is 100 mass%.

[5] 수지층이 (d) 중합체 성분을 추가로 함유하고, (d) 중합체 성분이 유기 충전재 및 열가소성 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는, [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 수지 시트. [5] The resin sheet according to any one of [1] to [4], wherein the resin layer further contains (d) a polymer component, and (d) the polymer component is selected from the group consisting of an organic filler and a thermoplastic resin.

[6] (d) 중합체 성분이, 유기 충전재, 페녹시 수지 및 폴리비닐아세탈 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는, [5]에 기재된 수지 시트. [6] The resin sheet according to [5], wherein (d) the polymer component contains at least one selected from the group consisting of an organic filler, a phenoxy resin, and a polyvinyl acetal resin.

[7] 수지층 중의 (d) 중합체 성분의 함유량이, 수지층 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 0.5 내지 10질량%인, [5] 또는 [6]에 기재된 수지 시트. [7] The resin sheet according to [5] or [6], wherein the content of the polymer component (d) in the resin layer is 0.5 to 10 mass% when the nonvolatile component in the resin layer is 100 mass%.

[8] 수지층이 (e) 경화 촉진제를 추가로 함유하는, [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 수지 시트. [8] The resin sheet according to any one of [1] to [7], wherein the resin layer further contains (e) a curing accelerator.

[9] 수지층 중의 (e) 경화 촉진제의 함유량이, 수지층 중의 수지 성분을 100질량%로 했을 때, 0.03 내지 4질량%인, [8]에 기재된 수지 시트. [9] The resin sheet according to [8], wherein the content of the (e) curing accelerator in the resin layer is 0.03 to 4 mass% when the resin component in the resin layer is 100 mass%.

[10] 수지층 중의 (e) 경화 촉진제의 함유량이, 수지층 중의 수지 성분을 100질량%로 했을 때, 0.3 내지 3질량%인, [8]에 기재된 수지 시트. [10] The resin sheet according to [8], wherein the content of the (e) curing accelerator in the resin layer is 0.3 to 3% by mass when the resin component in the resin layer is 100% by mass.

[11] (e) 경화 촉진제가, 이미다졸계 경화 촉진제 및 아민계 경화 촉진제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는, [8] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 수지 시트. [11] (e) The resin sheet according to any one of [8] to [10], wherein the curing accelerator contains at least one selected from the group consisting of an imidazole-based curing accelerator and an amine-based curing accelerator.

[12] (e) 경화 촉진제가, 이미다졸-에폭시 수지의 어덕트체, 및 4-디메틸아미노피리딘으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는, [8] 내지 [11] 중 어느 하나에 기재된 수지 시트. [12] (e) in any one of [8] to [11], wherein the curing accelerator contains at least one selected from the group consisting of an adduct of imidazole-epoxy resin and 4-dimethylaminopyridine. The resin sheet described.

[13] 수지층이 (c) 무기 충전재, (d) 중합체 성분 및 (e) 경화 촉진제를 추가로 함유하고, [13] the resin layer further contains (c) an inorganic filler, (d) a polymer component, and (e) a curing accelerator;

(d) 중합체 성분이 유기 충전재 및 열가소성 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되고, (d) the polymer component is selected from the group consisting of organic fillers and thermoplastic resins,

수지층 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, (c) 무기 충전재의 함유량이 40 내지 85질량%, (d) 중합체 성분의 함유량이 0.5 내지 10질량%이고,When the nonvolatile component in the resin layer is 100% by mass, (c) the content of the inorganic filler is 40 to 85% by mass, (d) the content of the polymer component is 0.5 to 10% by mass,

수지층의 수지 성분을 100질량%로 했을 때, (e) 경화 촉진제의 함유량이 0.03 내지 4질량%인, [1]에 기재된 수지 시트. The resin sheet as described in [1] whose content of (e) hardening accelerator is 0.03-4 mass % when the resin component of a resin layer is 100 mass %.

[14] (c) 무기 충전재가 실리카이고,[14] (c) the inorganic filler is silica,

(d) 중합체 성분이, 유기 충전재, 페녹시 수지 및 폴리비닐아세탈 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하고, (d) the polymer component contains at least one selected from the group consisting of organic fillers, phenoxy resins and polyvinyl acetal resins,

(e) 경화 촉진제가, 이미다졸-에폭시 수지의 어덕트체, 및 4-디메틸아미노피리딘으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는, [13]에 기재된 수지 시트. (e) The resin sheet according to [13], wherein the curing accelerator contains at least one selected from the group consisting of an imidazole-epoxy resin adduct and 4-dimethylaminopyridine.

[15] 수지층의 최저 용융 점도가 8000 내지 40000포이즈인, [1] 내지 [14] 중 어느 하나에 기재된 수지 시트. [15] The resin sheet according to any one of [1] to [14], wherein the minimum melt viscosity of the resin layer is 8000 to 40000 poise.

[16] 수지층의 최저 용융 점도가 300 내지 12000포이즈인, [1] 내지 [14] 중 어느 하나에 기재된 수지 시트. [16] The resin sheet according to any one of [1] to [14], wherein the minimum melt viscosity of the resin layer is 300 to 12000 poise.

[17] 수지층을 경화하여 절연층을 형성하고, 서브트랙티브법 또는 모디파이드 세미어디티브법에 의해 회로를 형성한 후의, 당해 절연층과 회로의 필 강도가 0.5kgf/cm 이상이고,[17] After curing the resin layer to form an insulating layer, and forming a circuit by a subtractive method or a modified semi-additive method, the peel strength of the insulating layer and the circuit is 0.5 kgf/cm or more,

수지층을 경화하여 절연층을 형성하고, 서브트랙티브법 또는 모디파이드 세미어디티브법에 의해 회로를 형성하고, 또한 130℃, 85%RH의 조건하에서 100시간 경과한 후의, 당해 절연층과 회로의 필 강도가 0.3kgf/cm 이상인, [1] 내지 [16] 중 어느 하나에 기재된 수지 시트. The insulating layer and the circuit after curing the resin layer to form an insulating layer, forming a circuit by a subtractive method or a modified semi-additive method, and lapse of 100 hours under the conditions of 130°C and 85%RH The resin sheet according to any one of [1] to [16], wherein the peeling strength is 0.3 kgf/cm or more.

[18] 금속박의 두께가 1 내지 40㎛인, [1] 내지 [17] 중 어느 하나에 기재된 수지 시트. [18] The resin sheet according to any one of [1] to [17], wherein the metal foil has a thickness of 1 to 40 µm.

[19] 금속박의 제1 주면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 250nm 이하인, [1] 내지 [18] 중 어느 하나에 기재된 수지 시트. [19] The resin sheet according to any one of [1] to [18], wherein the arithmetic mean roughness (Ra) of the first main surface of the metal foil is 250 nm or less.

[20] 금속박의 제2 주면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 300nm 이상인, [1] 내지 [19] 중 어느 하나에 기재된 수지 시트. [20] The resin sheet according to any one of [1] to [19], wherein the arithmetic mean roughness (Ra) of the second main surface of the metal foil is 300 nm or more.

[21] [1] 내지 [20] 중 어느 하나에 기재된 수지 시트 2장 사이에, 수지층과 내층 기판이 접합하도록, 내층 기판을 배치하고, 진공 열 프레스 처리 또는 진공 라미네이트 처리에 의해 일괄 성형하여 수득되는, 적층판. [21] The inner layer substrate is disposed between the two resin sheets according to any one of [1] to [20] so that the resin layer and the inner layer substrate are bonded, and collectively formed by vacuum hot press treatment or vacuum lamination treatment. obtained, a laminate.

[22] 서브트랙티브법 또는 모디파이드 세미어디티브법에 의해 형성된 회로를 포함하는, [21]에 기재된 적층판. [22] The laminate according to [21], comprising a circuit formed by a subtractive method or a modified semiadditive method.

[23] 배선 피치가 50㎛ 이하인 회로를 포함하는, [22]에 기재된 적층판. [23] The laminate according to [22], including a circuit having a wiring pitch of 50 µm or less.

[24] [21] 내지 [23] 중 어느 하나에 기재된 적층판을 사용하여 수득되는 반도체 장치. [24] A semiconductor device obtained by using the laminate according to any one of [21] to [23].

본 발명에 의하면, 저조도의 표면을 갖는 금속박을 사용하는 경우라도, HAST에 의한 고온 고습 환경하에 있어서의 절연층과 회로의 필 강도의 저하를 억제할 수 있는 수지 시트(수지 부착 금속박)를 제공할 수 있다. According to the present invention, even when a metal foil having a low roughness surface is used, a resin sheet (metal foil with resin) capable of suppressing a decrease in the peel strength of the insulating layer and circuit in a high-temperature, high-humidity environment by HAST. can

본 발명의 수지 시트에 의하면, 미세한 회로를 갖는 신뢰성이 높은 프린트 배선판을 실현할 수 있다. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the resin sheet of this invention, the reliable printed wiring board which has a fine circuit can be implement|achieved.

이하, 본 발명을 이의 적합한 실시형태에 입각하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail based on preferred embodiments thereof.

[수지 시트][Resin Sheet]

본 발명의 수지 시트는, 서브트랙티브법 또는 모디파이드 세미어디티브법에 의해 회로 형성하기 위한 수지 시트(수지 부착 금속박)이다. 당해 수지 시트는, 제1 및 제2 주면을 갖는 금속박과, 당해 금속박의 제1 주면과 접합하고 있는 수지층을 포함하고, 금속박의 제1 주면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 300nm 이하이고, 수지층의 두께가 8 내지 40㎛이고, 수지층이, (a) 에폭시 수지, (b) 활성 에스테르계 경화제 및 트리아진 구조 함유 페놀계 경화제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 경화제를 함유하는 것을 특징으로 한다. The resin sheet of the present invention is a resin sheet (metal foil with resin) for circuit formation by a subtractive method or a modified semi-additive method. The resin sheet includes a metal foil having first and second main surfaces, and a resin layer joined to the first main surface of the metal foil, wherein the arithmetic mean roughness (Ra) of the first main surface of the metal foil is 300 nm or less; The base layer has a thickness of 8 to 40 μm, and the resin layer contains at least one curing agent selected from the group consisting of (a) an epoxy resin, (b) an active ester curing agent, and a triazine structure-containing phenol curing agent. do it with

본 발명의 수지 시트는, 프린트 배선판의 제조시에, 수지층을 경화시킴으로써 절연층을 형성할 수 있다. 또한, 금속박을 이용하여, 서브트랙티브법 또는 모디파이드 세미어디티브법에 의해 회로를 형성할 수 있다. 본 발명의 수지 시트를 사용함으로써, 미세한 회로를 형성할 수 있는 동시에, HAST에 의한 고온 고습 환경하에 있어서의 절연층과 회로의 필 강도의 저하를 억제할 수 있는 신뢰성이 높은 프린트 배선판을 실현할 수 있다. The resin sheet of this invention can form an insulating layer by hardening a resin layer at the time of manufacture of a printed wiring board. In addition, a circuit can be formed by a subtractive method or a modified semi-additive method using metal foil. By using the resin sheet of this invention, while being able to form a fine circuit, the highly reliable printed wiring board which can suppress the fall of the peeling strength of the insulating layer in the high-temperature, high-humidity environment by HAST and a circuit is realizable. .

<금속박><Metal foil>

금속박은, 제1 및 제2 주면을 가진다. 본 발명의 수지 시트에 있어서는, 금속박의 제1 주면이 수지층과 접합하게 된다. Metal foil has 1st and 2nd main surface. In the resin sheet of this invention, the 1st main surface of metal foil will join a resin layer.

미세한 회로를 형성할 수 있는 관점에서, 금속박의 제1 주면은 실질적으로 조화(粗化) 처리되어 있지 않으며, 산술 평균 거칠기(Ra)가 300nm 이하이다. 미세한 회로를 형성할 수 있는 관점에서, 금속박의 제1 주면의 Ra는, 바람직하게는 280nm 이하, 보다 바람직하게는 260nm 이하, 더욱 바람직하게는 250nm 이하이다. 상기한 바와 같이, 표면 조도가 낮은 금속박 위에 수지층을 형성하여 이루어지는 수지 시트를 사용하면, 수득되는 절연층과 회로의 필 강도가 저하되는 경우가 있다. 특히 HAST에 의한 고온 고습 환경하에 있어서, 절연층과 회로의 밀착 강도가 현저하게 저하되는 경향이 있는 것을 본 발명자들은 밝혀내고 있다. 이에 반해, 에폭시 수지와 특정한 경화제를 함유하는 수지층을 사용하는 본 발명의 수지 시트에 의하면, 필 강도의 저하없이, 더욱 낮은 조도의 표면을 갖는 금속박을 사용하는 것이 가능하다. 본 발명에 있어서, 금속박의 제1 주면의 Ra는, 예를 들면, 240nm 이하, 220nm 이하, 200nm 이하, 180nm 이하, 또는 160nm 이하라도 좋다. 금속박의 제1 주면의 Ra의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 수득되는 절연층과 회로의 필 강도를 안정화시키는 관점에서, 통상, 1nm 이상, 5nm 이상, 10nm 이상 등으로 할 수 있다. From a viewpoint of being able to form a fine circuit, the 1st main surface of metal foil is not substantially roughened, and arithmetic mean roughness Ra is 300 nm or less. From a viewpoint of being able to form a fine circuit, Ra of the 1st main surface of metal foil becomes like this. Preferably it is 280 nm or less, More preferably, it is 260 nm or less, More preferably, it is 250 nm or less. As described above, when a resin sheet obtained by forming a resin layer on a metal foil having a low surface roughness is used, the obtained insulating layer and the peel strength of the circuit may decrease. In particular, the present inventors are discovering that there exists a tendency for the adhesive strength of an insulating layer and a circuit to fall remarkably in the high-temperature, high-humidity environment by HAST. On the other hand, according to the resin sheet of this invention which uses the resin layer containing an epoxy resin and a specific hardening|curing agent, it is possible to use the metal foil which has a surface of lower roughness without lowering in peeling strength. In this invention, 240 nm or less, 220 nm or less, 200 nm or less, 180 nm or less, or 160 nm or less may be sufficient as Ra of the 1st main surface of metal foil, for example. Although the lower limit of Ra of the 1st main surface of metal foil is not specifically limited, From a viewpoint of stabilizing the peeling strength of the insulating layer and circuit obtained, it can be normally set as 1 nm or more, 5 nm or more, 10 nm or more.

금속박의 제2 주면의 Ra는, 특별히 한정되지 않지만, 프린트 배선판의 제조시에 레이저에 의한 천공 가공성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 300nm 이상, 보다 바람직하게는 320nm 이상, 더욱 바람직하게는 340nm 이상, 360nm 이상, 380nm 이상, 또는 400nm 이상이다. 금속박의 제2 주면의 Ra의 상한은, 특별히 한정하지 않지만, 통상, 1000nm 이하, 900nm 이하, 800nm 이하 등으로 할 수 있다. Although Ra of the 2nd main surface of metal foil is not specifically limited, From a viewpoint of improving the drilling processability by a laser at the time of manufacture of a printed wiring board, Preferably it is 300 nm or more, More preferably, it is 320 nm or more, More preferably, it is 340 nm or more. , 360 nm or more, 380 nm or more, or 400 nm or more. Although the upper limit of Ra of the 2nd main surface of metal foil is not specifically limited, Usually, it can be 1000 nm or less, 900 nm or less, 800 nm or less, etc.

금속박 표면의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 비접촉형 표면 거칠기계를 사용하여 측정할 수 있다. 비접촉형 표면 거칠기계로서는, 예를 들면, 비코인스트루먼트사 제조의「WYKO NT3300」을 들 수 있다. The arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of metal foil can be measured using a non-contact type surface roughness meter. As a non-contact type surface roughness machine, "WYKO NT3300" by a BCoin Instruments company is mentioned, for example.

금속박의 재료로서는, 예를 들면, 구리, 알루미늄 등을 들 수 있고, 구리가 바람직하다. 구리박으로서는, 구리의 단금속으로 이루어지는 박을 사용해도 좋고, 구리와 다른 금속(예를 들면, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)의 합금으로 이루어지는 박을 사용해도 좋다. As a material of metal foil, copper, aluminum, etc. are mentioned, for example, Copper is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, or a foil made of an alloy of copper and another metal (eg, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used. good.

금속박은, 단층 구조라도, 상이한 종류의 금속 또는 합금으로 이루어지는 단금속층 또는 합금층이 2층 이상 적층된 복층 구조라도 좋다. 금속박이 복층 구조인 경우, 수지층과 접하는 층은, 니켈, 주석, 크롬, 아연, 몰리브덴, 코발트 또는 티탄의 단금속층, 또는 이들의 합금층인 것이 바람직하다. The metal foil may have a single layer structure or a multilayer structure in which two or more single metal layers or alloy layers made of different types of metals or alloys are laminated. When the metal foil has a multilayer structure, the layer in contact with the resin layer is preferably a single metal layer of nickel, tin, chromium, zinc, molybdenum, cobalt or titanium, or an alloy layer thereof.

금속박의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 서브트랙티브법에 의해 미세한 회로를 형성하는 관점, 모디파이드 세미어디티브법에 의해 원활하게 회로를 형성할 수 있는 관점에서, 바람직하게는 40㎛ 이하, 보다 바람직하게는 35㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 30㎛ 이하, 28㎛ 이하, 26㎛ 이하, 24㎛ 이하, 22㎛ 이하, 또는 20㎛ 이하이다. 금속박의 두께의 하한은 특별히 한정되지 않으며, 회로 형성에 사용하는 방법, 소기의 프린트 배선판의 설계 등에 따라 결정하면 좋다. 금속박의 두께의 하한은, 통상, 1㎛ 이상, 2㎛ 이상, 3㎛ 이상, 5㎛ 이상, 10㎛ 이상 등으로 할 수 있다. 또한, 금속박이 복층 구조인 경우, 금속박 전체의 두께가 이러한 범위인 것이 바람직하다. Although the thickness of the metal foil is not particularly limited, from the viewpoint of forming a fine circuit by the subtractive method, and from the viewpoint of smoothly forming the circuit by the modified semi-additive method, preferably 40 µm or less, more Preferably it is 35 micrometers or less, More preferably, it is 30 micrometers or less, 28 micrometers or less, 26 micrometers or less, 24 micrometers or less, 22 micrometers or less, or 20 micrometers or less. The lower limit of the thickness of the metal foil is not particularly limited, and may be determined according to the method used for circuit formation, the design of the desired printed wiring board, and the like. The lower limit of the thickness of metal foil can be 1 micrometer or more, 2 micrometers or more, 3 micrometers or more, 5 micrometers or more, 10 micrometers or more normally. Moreover, when metal foil has a multilayer structure, it is preferable that the thickness of the whole metal foil is such a range.

소기의 표면 조도를 갖는 금속박이 수득되는 한, 금속박의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 금속박은, 예를 들면, 전해법, 압연법 등의 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다. 전해법을 사용하여 금속박을 제조하는 경우, 금속박 제조시의 드럼 표면의 평활성, 전류 밀도, 및 도금욕 온도 등을 제어함으로써 Ra값을 변화시킬 수 있다. The manufacturing method of metal foil is not specifically limited as long as the metal foil which has desired surface roughness is obtained. Metal foil can be manufactured by well-known methods, such as an electrolysis method and a rolling method, for example. When the metal foil is manufactured using the electrolytic method, the Ra value can be changed by controlling the smoothness of the drum surface at the time of manufacturing the metal foil, the current density, the plating bath temperature, and the like.

금속박은 시판품을 사용해도 좋다. 금속박의 시판품으로서는, 예를 들면, JX닛코닛세키킨조쿠(주) 제조의 HLP박, 미쯔이킨조쿠코산(주) 제조의 TP-III박 등을 들 수 있다. Metal foil may use a commercial item. As a commercial item of metal foil, HLP foil by JX Nikko Nippon-Kinzoku Co., Ltd., TP-III foil by Mitsui Kinzoku Kosan Co., Ltd. etc. are mentioned, for example.

<수지층><Resin Layer>

본 발명의 수지 시트에 있어서, 수지층의 두께는, 소기의 프린트 배선판의 설계에 따라 결정하면 좋은데, 프린트 배선판의 박형화의 관점에서, 400㎛ 이하이고, 바람직하게는 350㎛ 이하, 보다 바람직하게는 300㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 250㎛ 이하, 200㎛ 이하, 180㎛ 이하, 160㎛ 이하, 140㎛ 이하, 120㎛ 이하, 100㎛ 이하, 80㎛ 이하, 60㎛ 이하, 또는 40㎛ 이하이다. 수지층의 두께의 하한은, 8㎛ 이상이고, 바람직하게는 10㎛ 이상, 15㎛ 이상, 또는 20㎛ 이상이다. In the resin sheet of the present invention, the thickness of the resin layer may be determined according to the desired design of the printed wiring board, but from the viewpoint of reducing the thickness of the printed wiring board, it is 400 µm or less, preferably 350 µm or less, more preferably 300 µm or less, more preferably 250 µm or less, 200 µm or less, 180 µm or less, 160 µm or less, 140 µm or less, 120 µm or less, 100 µm or less, 80 µm or less, 60 µm or less, or 40 µm or less. The lower limit of the thickness of the resin layer is 8 µm or more, preferably 10 µm or more, 15 µm or more, or 20 µm or more.

본 발명의 수지 시트에 있어서, 수지층은, (a) 에폭시 수지, (b) 활성 에스테르계 경화제 및 트리아진 구조 함유 페놀계 경화제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 경화제를 함유한다. In the resin sheet of the present invention, the resin layer contains at least one curing agent selected from the group consisting of (a) an epoxy resin, (b) an active ester curing agent and a triazine structure-containing phenol curing agent.

-(a) 에폭시 수지--(a) Epoxy resin-

에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. Examples of the epoxy resin include bisphenol A epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, naphthol novolak type Epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, Cresol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, butadiene structure epoxy resin, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resin, cyclohexanedimethanol type epoxy resin, naph A thylene ether type epoxy resin, a trimethylol type epoxy resin, a tetraphenylethane type epoxy resin, etc. are mentioned. An epoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

에폭시 수지는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우에, 적어도 50질량% 이상은 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 이 중에서도, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 가지며, 온도 20℃에서 액상인 에폭시 수지(이하「액상 에폭시 수지」라고 한다.)와, 1분자 중에 2개 이상(바람직하게는 3개 이상)의 에폭시기를 가지며, 온도 20℃에서 고체상의 에폭시 수지(이하「고체상 에폭시 수지」라고 한다.)를 함유하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용함으로써, 우수한 가요성을 갖는 수지층이 수득된다. 또한, 수득되는 절연층의 파단 강도도 향상된다. It is preferable that an epoxy resin contains the epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule. When the nonvolatile component of the epoxy resin is 100 mass %, it is preferable that at least 50 mass % or more is an epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule. Among them, an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule and liquid at a temperature of 20°C (hereinafter referred to as "liquid epoxy resin"), and two or more (preferably three or more) epoxy groups in one molecule It is preferable to contain a solid epoxy resin (hereinafter referred to as "solid epoxy resin") at a temperature of 20°C. As the epoxy resin, a resin layer having excellent flexibility is obtained by using a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin together. Further, the breaking strength of the obtained insulating layer is also improved.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하며, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 및 나프탈렌형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC(주) 제조의「HP4032」,「HP4032H」,「HP4032D」,「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지), 미쯔비시가가쿠(주) 제조의「828US」,「jER828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지), 「jER807」(비스페놀 F형 에폭시 수지),「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지), 신닛테츠스미킨가가쿠(주) 제조의「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품), 나가세켐텍스(주) 제조의「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지), (주)다이셀 제조의「세록사이드2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지),「PB-3600」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지)를 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. As a liquid epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin, a glycidyl ester type epoxy resin, a phenol novolak type epoxy resin, an alicyclic epoxy resin having an ester skeleton, and a butadiene structure The epoxy resin which has is preferable, and a bisphenol A epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, and a naphthalene type epoxy resin are more preferable. Specific examples of the liquid epoxy resin include "HP4032", "HP4032H", "HP4032D", "HP4032SS" (naphthalene-type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation, "828US", "jER828EL" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (Bisphenol A type epoxy resin), "jER807" (bisphenol F type epoxy resin), "jER152" (phenol novolak type epoxy resin), "ZX1059" (bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Shin-Nittetsu Chemical Co., Ltd. and bisphenol F-type epoxy resin), “EX-721” (glycidyl ester type epoxy resin) manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd., and “Ceroxide 2021P” manufactured by Daicel Corporation (ester skeletonized alicyclic epoxy resin having) and "PB-3600" (epoxy resin having a butadiene structure). These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

고체상 에폭시 수지로서는, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하며, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 및 비페닐형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC(주) 제조의「HP-4700」,「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지),「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지),「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지), 「HP7200」,「HP7200HH」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지),「EXA7311」,「EXA7311-G3」,「EXA7311-G4」,「EXA7311-G4S」,「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지), 니혼가야쿠(주) 제조의「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지),「NC7000L」(나프톨노볼락형 에폭시 수지),「NC3000H」,「NC3000」,「NC3000L」,「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지), 신닛테츠스미킨가가쿠(주) 제조의「ESN475V」(나프톨형 에폭시 수지),「ESN485」(나프톨노볼락형 에폭시 수지), 미쯔비시가가쿠(주) 제조의「YX4000H」,「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지), 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지),「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지), 오사카가스케미칼(주) 제조의「PG-100」,「CG-500」, 미쯔비시가가쿠(주) 제조의「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지), 미쯔비시가가쿠(주) 제조의「jER1010」(고체상 비스페놀 A형 에폭시 수지), 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. Examples of the solid-state epoxy resin include naphthalene-type tetrafunctional epoxy resins, cresol novolac-type epoxy resins, dicyclopentadiene-type epoxy resins, trisphenol-type epoxy resins, naphthol-type epoxy resins, biphenyl-type epoxy resins, and naphthylene ether-type epoxy resins. , anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin are preferable, and naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, and biphenyl type epoxy resin are more desirable. Specific examples of the solid epoxy resin include "HP-4700", "HP-4710" (naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin), "N-690" (cresol novolac-type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation, "N- 695" (cresol novolak epoxy resin), "HP7200", "HP7200HH" (dicyclopentadiene epoxy resin), "EXA7311", "EXA7311-G3", "EXA7311-G4", "EXA7311-G4S", "HP6000" (naphthylene ether type epoxy resin), "EPPN-502H" (trisphenol type epoxy resin) manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd., "NC7000L" (naphthol novolak type epoxy resin), "NC3000H", " NC3000", "NC3000L", "NC3100" (biphenyl type epoxy resin), "ESN475V" (naphthol type epoxy resin) manufactured by Shin-Nittetsu Chemical Co., Ltd., "ESN485" (naphthol novolak type epoxy resin), "YX4000H", "YL6121" (biphenyl type epoxy resin), "YX4000HK" (bixylenol type epoxy resin), "YX8800" (anthracene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. Osaka Chemical Co., Ltd. “PG-100” and “CG-500” manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. “YL7800” (fluorene type epoxy resin), “jER1010” manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (solid bisphenol A type epoxy) resin), "jER1031S" (tetraphenylethane type epoxy resin), etc. are mentioned.

에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용하는 경우, 이들의 양비(量比)(액상 에폭시 수지 : 고체상 에폭시 수지)는, 질량비로, 1:0.1 내지 1:6의 범위가 바람직하다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비를 이러한 범위로 함으로써, i) 수지 시트의 형태로 사용하는 경우에 적합한 점착성이 초래된다, ii) 수지 시트의 형태로 사용하는 경우에 충분한 가요성이 수득되고, 취급성이 향상된다, 그리고 iii) 충분한 파단 강도를 갖는 절연층을 수득할 수 있는 등의 효과가 수득된다. 상기 i) 내지 iii)의 효과의 관점에서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비(액상 에폭시 수지 : 고체상 에폭시 수지)는, 질량비로, 1:0.3 내지 1:5의 범위가 보다 바람직하며, 1:0.6 내지 1:4의 범위가 더욱 바람직하다. As an epoxy resin, when using a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin together, these ratios (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) are mass ratio, and the range of 1:0.1 - 1:6 is preferable. By setting the ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin to such a range, i) suitable adhesiveness is obtained when used in the form of a resin sheet, ii) sufficient flexibility is obtained when used in the form of a resin sheet, The handleability is improved, and effects such as iii) being able to obtain an insulating layer having sufficient breaking strength are obtained. From the viewpoint of the effects of i) to iii) above, the amount ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is, in terms of mass ratio, more preferably in the range of 1:0.3 to 1:5, 1 The range of :0.6 to 1:4 is more preferable.

수지층 중의 에폭시 수지의 함유량은, 양호한 기계 강도, 절연 신뢰성을 나타내는 절연층을 수득하는 관점에서, 바람직하게는 3질량% 이상, 보다 바람직하게는 5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 10질량% 이상이다. 에폭시 수지의 함유량의 상한은, 본 발명의 효과가 나타나는 한에 있어서 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 45질량% 이하, 더욱 바람직하게는 40질량% 이하 또는 35질량% 이하이다. The content of the epoxy resin in the resin layer is preferably 3% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, still more preferably 10% by mass or more from the viewpoint of obtaining an insulating layer exhibiting good mechanical strength and insulation reliability. am. Although the upper limit of content of an epoxy resin is not specifically limited as long as the effect of this invention appears, Preferably it is 50 mass % or less, More preferably, 45 mass % or less, More preferably, it is 40 mass % or less or 35 mass %. % or less.

또한, 본 발명에 있어서, 수지층 중의 각 성분의 함유량은, 별도 명시가 없는 한, 수지층 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때의 값이다. In addition, in this invention, unless otherwise indicated, content of each component in a resin layer is a value when the non-volatile component in a resin layer is 100 mass %.

에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50 내지 5000, 보다 바람직하게는 50 내지 3000, 더욱 바람직하게는 80 내지 2000, 더욱 보다 바람직하게는 110 내지 1000이다. 이 범위가 됨으로써, 경화물의 가교 밀도가 충분해져 표면 거칠기가 작은 절연층을 초래할 수 있다. 또한, 에폭시 당량은, JIS K7236에 따라 측정할 수 있고, 1당량의 에폭시기를 함유하는 수지의 질량이다. The epoxy equivalent of an epoxy resin becomes like this. Preferably it is 50-5000, More preferably, it is 50-3000, More preferably, it is 80-2000, More preferably, it is 110-1000. By being in this range, the crosslinking density of hardened|cured material becomes sufficient and it can lead to the insulating layer with small surface roughness. In addition, an epoxy equivalent can be measured according to JISK7236, and is the mass of resin containing 1 equivalent of an epoxy group.

에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 100 내지 5000, 보다 바람직하게는 250 내지 3000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1500이다. 여기서, 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다. The weight average molecular weight of an epoxy resin becomes like this. Preferably it is 100-5000, More preferably, it is 250-3000, More preferably, it is 400-1500. Here, the weight average molecular weight of an epoxy resin is a weight average molecular weight of polystyrene conversion measured by the gel permeation chromatography (GPC) method.

-(b) 활성 에스테르계 경화제 및/또는 트리아진 구조 함유 페놀계 경화제--(b) Active ester-based curing agent and/or triazine structure-containing phenol-based curing agent-

(b) 성분은, (b1) 활성 에스테르계 경화제 및 (b2) 트리아진 구조 함유 페놀계 경화제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 경화제이다. 본 발명자들은, 서브트랙티브법 또는 모디파이드 세미어디티브법에 의해 회로 형성하기 위한 수지 시트(수지 부착 금속박)에 있어서, 에폭시 수지의 경화제로서 이러한 특정한 경화제를 사용함으로써, HAST에 의한 고온 고습 환경하에 있어서의 절연층과 회로의 필 강도의 저하를 억제할 수 있는 것을 밝혀내었다. The component (b) is at least one curing agent selected from the group consisting of (b1) an active ester curing agent and (b2) a triazine structure-containing phenol curing agent. The present inventors, in a resin sheet (metal foil with a resin) for circuit formation by a subtractive method or a modified semi-additive method, by using this specific curing agent as a curing agent for an epoxy resin, under a high-temperature, high-humidity environment by HAST It discovered that the fall in the peeling strength of the insulating layer in and a circuit could be suppressed.

(b1) 활성 에스테르계 경화제는, 1분자 중에 활성 에스테르기를 1개 이상 갖는 활성 에스테르 화합물이다. 활성 에스테르계 경화제로서는, 1분자 중에 활성 에스테르기를 2개 이상 갖는 활성 에스테르 화합물이 바람직하며, 예를 들면, 페놀에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 활성 에스테르 화합물이 바람직하게 사용된다. 활성 에스테르계 경화제는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. (b1) The active ester curing agent is an active ester compound having one or more active ester groups in one molecule. As the active ester curing agent, an active ester compound having two or more active ester groups in one molecule is preferable, for example, phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, heterocyclic hydroxy compounds An active ester compound having two or more ester groups having high reactive activity such as esters in one molecule is preferably used. An active ester type hardening|curing agent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

HAST에 의한 고온 고습 환경하에 있어서의 절연층과 회로의 필 강도의 저하를 억제하는 관점, 내열성의 관점에서, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과, 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물의 축합 반응에 의해 수득되는 활성 에스테르 화합물이 바람직하다. 이 중에서도, 카복실산 화합물과, 페놀 화합물, 나프톨 화합물 및 티올 화합물로부터 선택되는 1종 이상을 반응시켜 수득되는 활성 에스테르 화합물이 보다 바람직하며, 카복실산 화합물과, 페놀성 수산기를 갖는 방향족 화합물을 반응시켜 수득되는, 1분자 중에 2개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 방향족 화합물이 더욱 바람직하며, 적어도 2개 이상의 카복시기를 1분자 중에 갖는 카복실산 화합물과, 페놀성 수산기를 갖는 방향족 화합물을 반응시켜 수득되는 방향족 화합물로서, 1분자 중에 2개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 방향족 화합물이 더욱 보다 바람직하다. 활성 에스테르 화합물은, 직쇄상이라도 좋고, 분기상이라도 좋다. 또한, 적어도 2개 이상의 카복시기를 1분자 중에 갖는 카복실산 화합물이 지방족쇄를 포함하는 화합물이면 수지층을 구성하는 다른 수지 성분과의 상용성을 높게 할 수 있고, 방향환을 갖는 화합물이면 내열성을 높게 할 수 있다. From a viewpoint of suppressing the fall of the peeling strength of the insulating layer and circuit in a high-temperature, high-humidity environment by HAST, and a viewpoint of heat resistance, to the condensation reaction of a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylic acid compound, and a hydroxy compound and/or a thiol compound An active ester compound obtained by Among these, an active ester compound obtained by reacting a carboxylic acid compound with at least one selected from a phenol compound, a naphthol compound and a thiol compound is more preferable, and a carboxylic acid compound obtained by reacting an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group , more preferably an aromatic compound having two or more active ester groups in one molecule, and an aromatic compound obtained by reacting a carboxylic acid compound having at least two or more carboxy groups in one molecule with an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group, wherein one molecule An aromatic compound having two or more active ester groups in it is still more preferable. The active ester compound may be linear or branched may be sufficient as it. In addition, if the carboxylic acid compound having at least two or more carboxyl groups in one molecule is a compound containing an aliphatic chain, compatibility with other resin components constituting the resin layer can be increased, and if it is a compound having an aromatic ring, heat resistance can be increased can

카복실산 화합물로서는, 예를 들면, 탄소 원자수 1 내지 20(바람직하게는 2 내지 10, 보다 바람직하게는 2 내지 8)의 지방족 카복실산, 탄소 원자수 7 내지 20(바람직하게는 7 내지 10)의 방향족 카복실산을 들 수 있다. 지방족 카복실산으로서는, 예를 들면, 아세트산, 말론산, 석신산, 말레산, 이타콘산 등을 들 수 있다. 방향족 카복실산으로서는, 예를 들면, 벤조산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다. 이 중에서도, HAST에 의한 고온 고습 환경하에 있어서의 절연층과 회로의 필 강도의 저하를 억제하는 관점, 내열성의 관점에서, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산이 바람직하며, 이소프탈산, 테레프탈산이 보다 바람직하다. As the carboxylic acid compound, for example, an aliphatic carboxylic acid having 1 to 20 carbon atoms (preferably 2 to 10, more preferably 2 to 8), an aromatic carboxylic acid having 7 to 20 carbon atoms (preferably 7 to 10). and carboxylic acids. Examples of the aliphatic carboxylic acid include acetic acid, malonic acid, succinic acid, maleic acid, and itaconic acid. Examples of the aromatic carboxylic acid include benzoic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid. Among these, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, and terephthalic acid are preferable from the viewpoint of suppressing the decrease in the peel strength of the insulating layer and circuit in a high-temperature, high-humidity environment by HAST, and from the viewpoint of heat resistance, Isophthalic acid and terephthalic acid are more preferable.

티오카복실산 화합물로서는, 특별히 제한은 없지만, 예를 들면, 티오아세트산, 티오벤조산 등을 들 수 있다. Although there is no restriction|limiting in particular as a thiocarboxylic acid compound, For example, thioacetic acid, thiobenzoic acid, etc. are mentioned.

페놀 화합물로서는, 예를 들면, 탄소 원자수 6 내지 40(바람직하게는 6 내지 30, 보다 바람직하게는 6 내지 23, 더욱 바람직하게는 6 내지 22)의 페놀 화합물을 들 수 있고, 적합한 구체예로서는, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플루오로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 등을 들 수 있다. 페놀 화합물로서는 또한, 페놀노볼락, 크레졸노볼락, 일본 공개특허공보 특개2013-40270호에 기재된 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머를 사용해도 좋다. Examples of the phenol compound include a phenol compound having 6 to 40 carbon atoms (preferably 6 to 30, more preferably 6 to 23, still more preferably 6 to 22), and suitable specific examples include: Hydroquinone, resorcinol, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, catechol, dihydro and hydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucine, benzenetriol, and dicyclopentadiene type diphenol. As a phenol compound, you may use the phosphorus atom containing oligomer which has a phenolic hydroxyl group further described in phenol novolak, cresol novolak, and Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-40270.

나프톨 화합물로서는, 예를 들면, 탄소 원자수 10 내지 40(바람직하게는 10 내지 30, 보다 바람직하게는 10 내지 20)의 나프톨 화합물을 들 수 있고, 적합한 구체예로서는, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌 등을 들 수 있다. 나프톨 화합물로서는 또한, 나프톨노볼락을 사용해도 좋다. Examples of the naphthol compound include naphthol compounds having 10 to 40 carbon atoms (preferably 10 to 30, more preferably 10 to 20), and suitable specific examples include α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, etc. are mentioned. As the naphthol compound, naphthol novolac may also be used.

이 중에서도, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플루오로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀, 페놀노볼락, 크레졸노볼락, 나프톨노볼락, 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머가 바람직하며, 카테콜, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플루오로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀, 페놀노볼락, 크레졸노볼락, 나프톨노볼락, 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머가 보다 바람직하며, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 디사이클로펜타디엔형 디페놀, 페놀노볼락, 크레졸노볼락, 나프톨노볼락, 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머가 더욱 바람직하며, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디사이클로펜타디엔형 디페놀, 페놀노볼락, 크레졸노볼락, 나프톨노볼락, 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머가 더욱 보다 바람직하며, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디사이클로펜타디엔형 디페놀, 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머가 특히 더 바람직하며, 디사이클로펜타디엔형 디페놀이 특히 바람직하다. Among these, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydr Roxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucine, benzenetriol, dicyclopentadiene diphenol, phenol novolac , cresol novolac, naphthol novolac, phosphorus atom-containing oligomers having a phenolic hydroxyl group are preferable, and catechol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxy Naphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucine, benzenetriol, dicyclopentadiene diphenol, phenol novolac, cresol novolac, naphthol novolac, phenol A phosphorus atom-containing oligomer having a hydroxyl group is more preferable, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzo Phenone, tetrahydroxybenzophenone, dicyclopentadiene type diphenol, phenol novolac, cresol novolak, naphthol novolak, and phosphorus atom-containing oligomers having a phenolic hydroxyl group are more preferable, and 1,5-dihydroxynaphthalene , 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dicyclopentadiene-type diphenol, phenol novolac, cresol novolak, naphthol novolac, phosphorus atom-containing oligomers having a phenolic hydroxyl group are further More preferably, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dicyclopentadiene-type diphenol, and phosphorus atom-containing oligomers having phenolic hydroxyl groups are particularly More preferably, dicyclopentadiene type diphenol is particularly preferable.

티올 화합물로서는, 특별히 제한은 없지만, 예를 들면, 벤젠디티올, 트리아진디티올 등을 들 수 있다. Although there is no restriction|limiting in particular as a thiol compound, For example, benzene dithiol, triazine dithiol, etc. are mentioned.

활성 에스테르계 경화제의 적합한 구체예로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물, 방향족 카복실산과 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머를 반응시켜 수득되는 활성 에스테르 화합물을 들 수 있고, 이 중에서도 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 방향족 카복실산과 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머를 반응시켜 수득되는 활성 에스테르 화합물이 보다 바람직하다. 또한 본 발명에 있어서,「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜틸렌-페닐렌으로 이루어지는 2가의 구조 단위를 나타낸다. Suitable specific examples of the active ester curing agent include an active ester compound containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac, and phenol novolac an active ester compound containing a benzoylate, an active ester compound obtained by reacting an aromatic carboxylic acid with an oligomer containing a phosphorus atom having a phenolic hydroxyl group; among them, an active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure , an active ester compound having a naphthalene structure, or an active ester compound obtained by reacting an aromatic carboxylic acid with an oligomer containing a phosphorus atom having a phenolic hydroxyl group is more preferable. In addition, in this invention, "dicyclopentadiene type diphenol structure" represents the divalent structural unit which consists of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

활성 에스테르계 경화제로서는, 일본 공개특허공보 특개2004-277460호, 일본 공개특허공보 특개2013-40270호에 개시되어 있는 활성 에스테르 화합물을 사용해도 좋고, 또한 시판 활성 에스테르 화합물을 사용할 수도 있다. 활성 에스테르 화합물의 시판품으로서는, 예를 들면, DIC(주) 제조의「EXB9451」,「EXB9460」,「EXB9460S」,「HPC-8000-65T」,「HPC-8000L-65M」(디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물), DIC(주) 제조의「9416-70BK」(나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물), 미쯔비시가가쿠(주) 제조의「DC808」(페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물), 미쯔비시가가쿠(주) 제조의「YLH1026」(페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물), DIC(주) 제조의「EXB9050L-62M」(인 원자 함유 활성 에스테르 화합물)을 들 수 있다. As an active ester type hardening|curing agent, the active ester compound disclosed by Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-277460 and Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-40270 may be used, and also a commercially available active ester compound can also be used. As a commercial item of an active ester compound, "EXB9451", "EXB9460", "EXB9460S", "HPC-8000-65T", "HPC-8000L-65M" (dicyclopentadiene type) manufactured by DIC Corporation are, for example, Active ester compound containing a diphenol structure), "9416-70BK" manufactured by DIC Corporation (active ester compound containing a naphthalene structure), "DC808" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (Acetyl of phenol novolac) Active ester compound containing a compound), "YLH1026" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (active ester compound containing a benzoyl compound of phenol novolac), "EXB9050L-62M" manufactured by DIC Corporation (containing phosphorus atom) active ester compounds).

(b2) 트리아진 구조 함유 페놀계 경화제는, 1분자 중에 트리아진 구조와 페놀성 수산기를 함께 갖는 페놀계 경화제이다. 트리아진 구조 함유 페놀계 경화제는, 1분자 중에 바람직하게는 2개 이상, 3개 이상, 또는 4개 이상의 트리아진 구조를 포함하는 것이 적합하며, 1분자 중에 바람직하게는 2개 이상, 3개 이상, 또는 4개 이상의 페놀성 수산기를 포함하는 것이 적합하다. 트리아진 구조 함유 페놀계 경화제는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. (b2) The triazine structure-containing phenolic curing agent is a phenolic curing agent having both a triazine structure and a phenolic hydroxyl group in one molecule. The triazine structure-containing phenolic curing agent preferably contains two or more, three or more, or four or more triazine structures in one molecule, and preferably two or more, three or more in one molecule. , or those containing 4 or more phenolic hydroxyl groups are suitable. A triazine structure containing phenol type hardening|curing agent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

트리아진 구조 함유 페놀계 경화제는, 예를 들면, 페놀 화합물 및 나프톨 화합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상과, 트리아진환 함유 화합물과, 포름알데히드를 반응시켜 수득된다. The triazine structure-containing phenolic curing agent is obtained, for example, by reacting at least one selected from the group consisting of a phenol compound and a naphthol compound, a triazine ring-containing compound, and formaldehyde.

페놀 화합물 및 나프톨 화합물의 적합한 예는, (b1) 활성 에스테르계 경화제에 관해서 설명한 바와 같다. 이 중에서도, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 카테콜, 레조르신, 하이드로퀴논, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플루오로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀, 페놀노볼락, 크레졸노볼락, 나프톨노볼락이 바람직하다. Suitable examples of the phenol compound and the naphthol compound are as described for the active ester curing agent (b1). Among them, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, catechol, resorcin, hydroquinone, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucine, benzenetriol, dicyclopentadiene type Diphenol, phenol novolac, cresol novolac and naphthol novolac are preferable.

트리아진환 함유 화합물로서는, 예를 들면, 멜라민, 벤조구아나민, 아세토구아나민 등을 들 수 있고, 멜라민, 벤조구아나민이 바람직하다. As a triazine ring containing compound, a melamine, benzoguanamine, acetoguanamine etc. are mentioned, for example, A melamine and benzoguanamine are preferable.

HAST에 의한 고온 고습 환경하에 있어서의 절연층과 회로의 필 강도의 저하를 억제하는 관점, 내열성의 관점에서, 트리아진 구조 함유 페놀계 경화제로서는, 트리아진 구조 함유 페놀노볼락형 경화제, 트리아진 구조 함유 크레졸노볼락형 경화제, 트리아진 구조 함유 나프톨노볼락형 경화제가 바람직하며, 트리아진 구조 함유 페놀노볼락형 경화제, 트리아진 구조 함유 크레졸노볼락형 경화제가 보다 바람직하다. From a viewpoint of suppressing the fall of the peeling strength of the insulating layer and circuit in a high-temperature, high-humidity environment by HAST, and a viewpoint of heat resistance, as a triazine structure containing phenol type hardening|curing agent, a triazine structure containing phenol novolak type hardening|curing agent, a triazine structure A cresol novolak type curing agent containing a triazine structure and a naphthol novolak type curing agent containing a triazine structure are preferable, and a phenol novolak type curing agent containing a triazine structure and a cresol novolak type curing agent containing a triazine structure are more preferable.

트리아진 구조 함유 페놀계 경화제의 시판품으로서는, 예를 들면, DIC(주) 제조의「LA-3018」(트리아진 구조 함유 크레졸노볼락형 경화제), DIC(주) 제조의「LA-7052」,「LA-7054」,「LA-1356」(트리아진 구조 함유 페놀노볼락형 경화제) 등을 들 수 있다. As a commercial item of a phenolic hardening|curing agent containing a triazine structure, For example, "LA-3018" (a cresol novolak type hardener containing a triazine structure) manufactured by DIC Co., Ltd., "LA-7052" manufactured by DIC Corporation, "LA-7054", "LA-1356" (triazine structure containing phenol novolak type hardening|curing agent), etc. are mentioned.

HAST에 의한 고온 고습 환경하에 있어서의 절연층과 회로의 필 강도의 저하를 억제하는 관점에서, 수지층 중의 (b) 성분의 함유량은, 1질량% 이상이 바람직하며, 2질량% 이상이 보다 바람직하며, 3질량% 이상, 4질량% 이상, 또는 5질량% 이상이 더욱 바람직하다. (b) 성분의 함유량의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 30질량% 이하가 바람직하며, 25질량% 이하가 보다 바람직하며, 20질량% 이하가 더욱 바람직하며, 18질량% 이하, 16질량% 이하 또는 15질량%가 더욱 보다 바람직하다. 1 mass % or more is preferable, and, as for content of (b) component in a resin layer, from a viewpoint of suppressing the fall of the peeling strength of the insulating layer and circuit in high temperature, high humidity environment by HAST, 2 mass % or more is more preferable and 3 mass % or more, 4 mass % or more, or 5 mass % or more is more preferable. (b) Although the upper limit of content of a component is not specifically limited, 30 mass % or less is preferable, 25 mass % or less is more preferable, 20 mass % or less is still more preferable, 18 mass % or less, 16 mass % or less, or 15 mass % is still more preferable.

또한, (a) 성분의 에폭시기 수를 1로 한 경우, 기계 강도가 양호한 절연층을 수득하는 관점에서, (b) 성분의 반응기 수는, 0.2 내지 2가 바람직하며, 0.3 내지 1.5가 보다 바람직하며, 0.35 내지 1이 더욱 바람직하다. 여기서,「(a) 성분의 에폭시기 수」란, 수지층 중에 존재하는 (a) 성분에 해당하는 각 에폭시 수지의 고형분 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모든 에폭시 수지에 관해서 합계한 값이다. 또한, (b) 성분에 관해서 말하는「반응기」란 활성 에스테르기 및 페놀성 수산기를 의미하고, 「(b) 성분의 반응기 수」란, 수지층 중에 존재하는 (b) 성분에 해당하는 각 경화제의 고형분 질량을 반응기 당량으로 나눈 값을 모두 합계한 값이다. In addition, when the number of epoxy groups in component (a) is 1, from the viewpoint of obtaining an insulating layer with good mechanical strength, the number of reactors in component (b) is preferably 0.2 to 2, more preferably 0.3 to 1.5, , 0.35 to 1 are more preferable. Here, "the number of epoxy groups of component (a)" is a value obtained by dividing the solid content mass of each epoxy resin corresponding to component (a) present in the resin layer by the epoxy equivalent, and is a value summed for all epoxy resins. In addition, the "reactive group" referred to in the component (b) means an active ester group and a phenolic hydroxyl group, and "the number of reactive groups of the component (b)" refers to each curing agent corresponding to the component (b) present in the resin layer. It is the sum of all the values obtained by dividing the solid mass by the reactor equivalent.

-(c) 무기 충전재--(c) inorganic fillers-

수지층은, 무기 충전재를 추가로 함유해도 좋다. 무기 충전재를 함유함으로써, 수득되는 절연층의 열팽창율을 낮게 억제할 수 있다. The resin layer may further contain an inorganic filler. By containing an inorganic filler, the thermal expansion coefficient of the insulating layer obtained can be suppressed low.

무기 충전재의 재료는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 유리, 코디에라이트, 실리콘 산화물, 황산바륨, 탄산바륨, 활석, 점토, 운모 분말, 산화아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화망간, 붕산알루미늄, 탄산스트론튬, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무스, 산화티탄, 산화지르코늄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산바륨, 지르코산바륨, 지르콘산칼슘, 인산지르코늄, 및 인산텅스텐산지르코늄 등을 들 수 있고, 실리카가 특히 적합하다. 실리카로서는, 예를 들면, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등을 들 수 있다. 또한 실리카로서는 구형 실리카가 바람직하다. 무기 충전재는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 시판되고 있는 구상 용융 실리카로서, (주)아도마텍스 제조「SO-C2」,「SO-C1」, Unimin사 제조「IMSIL A-8」,「IMSIL A-10」등을 들 수 있다. Although the material of the inorganic filler is not particularly limited, for example, silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, Aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide, barium titanate , barium zirconate titanate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungstate phosphate, and silica is particularly suitable. Examples of the silica include amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, and hollow silica. Moreover, as a silica, spherical silica is preferable. An inorganic filler may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. As commercially available spherical fused silica, "SO-C2", "SO-C1" manufactured by Adomatex Corporation, "IMSIL A-8" manufactured by Unimin, "IMSIL A-10", etc. are mentioned.

무기 충전재의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 4㎛ 이하, 보다 바람직하게는 3㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 2.5㎛ 이하, 더욱 보다 바람직하게는 2㎛ 이하, 특히 바람직하게는 1㎛ 이하, 0.7㎛ 이하, 또는 0.5㎛ 이하이다. 무기 충전재의 평균 입자 직경의 하한은, 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.03㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 0.07㎛ 이상, 또는 0.1㎛ 이상이다. 무기 충전재의 평균 입자 직경은 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입도 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 메디안 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 무기 충전재를 초음파에 의해 수중에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치로서는, (주)호리바세사쿠쇼 제조「LA-500」,「LA-750」,「LA-950」등을 사용할 수 있다. The average particle diameter of the inorganic filler is preferably 4 µm or less, more preferably 3 µm or less, still more preferably 2.5 µm or less, still more preferably 2 µm or less, particularly preferably 1 µm or less, 0.7 µm or less. or less, or 0.5 µm or less. The minimum of the average particle diameter of an inorganic filler becomes like this. Preferably it is 0.01 micrometer or more, More preferably, it is 0.03 micrometer or more, More preferably, it is 0.05 micrometer or more, 0.07 micrometer or more, or 0.1 micrometer or more. The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction/scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, it can measure by creating the particle size distribution of an inorganic filler on a volume basis with a laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus, and making the median diameter into an average particle diameter. As a measurement sample, what disperse|distributed the inorganic filler in water by ultrasonic wave can be used preferably. As a laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus, "LA-500", "LA-750", "LA-950" manufactured by Horiba Corporation, "LA-950", etc. can be used.

무기 충전재는, 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 오르가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등의 1종 이상의 표면 처리제로 처리되어 있는 것이 바람직하다. 표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들면, 신에츠가가쿠고교(주) 제조「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교(주) 제조「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교(주) 제조「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠가가쿠고교(주) 제조「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교(주) 제조「SZ-31」(헥사메틸디실라잔) 등을 들 수 있다. From the viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility, inorganic fillers include aminosilane-based coupling agents, epoxysilane-based coupling agents, mercaptosilane-based coupling agents, silane-based coupling agents, organosilazane compounds, titanate-based coupling agents, and the like. It is preferably treated with one or more surface treatment agents. As a commercial item of a surface treatment agent, For example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM403" (3-glycidoxypropyl trimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. product "KBM803" (3-mercapto) Propyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltri methoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. product "SZ-31" (hexamethyldisilazane), etc. are mentioned.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 단위 표면적당 카본 양에 의해 평가할 수 있다. 무기 충전재의 단위 표면적당 카본 양은, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 0.02mg/㎡ 이상이 바람직하며, 0.1mg/㎡ 이상이 보다 바람직하며, 0.2mg/㎡ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 수지 바니쉬의 용융 점도나 시트 형태에서의 용융 점도의 상승을 방지하는 관점에서, 1mg/㎡ 이하가 바람직하며, 0.8mg/㎡ 이하가 보다 바람직하며, 0.5mg/㎡ 이하가 더욱 바람직하다. The degree of surface treatment by the surface treatment agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler. From the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is preferably 0.02 mg/m 2 or more, more preferably 0.1 mg/m 2 or more, and still more preferably 0.2 mg/m 2 or more. On the other hand, from the viewpoint of preventing an increase in melt viscosity of the resin varnish or melt viscosity in sheet form, 1 mg/m 2 or less is preferable, 0.8 mg/m 2 or less is more preferable, and 0.5 mg/m 2 or less is still more preferable.

무기 충전재의 단위 표면적당 카본 양은, 표면 처리 후의 무기 충전재를 용제(예를 들면, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면 처리제로 표면 처리된 무기 충전재에 가하여, 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여 무기 충전재의 단위 표면적당 카본 양을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, (주)호리바세사쿠쇼 제조「EMIA-320V」등을 사용할 수 있다. The amount of carbon per unit surface area of an inorganic filler can be measured, after washing-processing the inorganic filler after surface treatment with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to the inorganic filler surface-treated with a surface treatment agent, followed by ultrasonic cleaning at 25° C. for 5 minutes. After removing the supernatant and drying the solid content, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As a carbon analyzer, "EMIA-320V" manufactured by Horibase Corporation, etc. can be used.

열팽창율이 낮은 절연층을 수득하는 관점에서, 수지층 중의 무기 충전재의 함유량은, 바람직하게는 40질량% 이상, 보다 바람직하게는 45질량% 이상, 더욱 바람직하게는 50질량% 이상, 55질량% 이상, 또는 60질량% 이상이다. 무기 충전재의 함유량의 상한은, 수득되는 절연층의 기계 강도의 관점에서, 바람직하게는 85질량% 이하, 보다 바람직하게는 80질량% 이하이다. From the viewpoint of obtaining an insulating layer having a low coefficient of thermal expansion, the content of the inorganic filler in the resin layer is preferably 40% by mass or more, more preferably 45% by mass or more, still more preferably 50% by mass or more, 55% by mass or more. or more, or 60 mass % or more. The upper limit of the content of the inorganic filler is preferably 85% by mass or less, more preferably 80% by mass or less from the viewpoint of the mechanical strength of the obtained insulating layer.

-(d) 중합체 성분--(d) polymer component-

수지층은, (d1) 유기 충전재 및 (d2) 열가소성 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 중합체 성분을 추가로 함유해도 좋다. (a) 에폭시 수지 및 (b) 특정한 경화제와 조합하여 중합체 성분을 함유함으로써, HAST에 의한 고온 고습 환경하에 있어서의 절연층과 회로의 필 강도의 저하를 더욱 억제할 수 있다. The resin layer may further contain a polymer component selected from the group consisting of (d1) an organic filler and (d2) a thermoplastic resin. (a) By containing a polymer component in combination with an epoxy resin and (b) a specific hardening|curing agent, the fall of the peeling strength of the insulating layer in the high-temperature, high-humidity environment by HAST and a circuit can further be suppressed.

(d1) 유기 충전재로서는, 프린트 배선판의 제조시에 사용할 수 있는 임의의 유기 충전재를 사용하면 좋고, 예를 들면, 고무 입자, 폴리아미드 미립자, 실리콘 입자 등을 들 수 있고, 고무 입자가 바람직하다. (d1) As the organic filler, any organic filler that can be used in the production of printed wiring boards may be used, and examples thereof include rubber particles, polyamide fine particles, silicon particles, and the like, and rubber particles are preferable.

고무 입자로서는, 고무 탄성을 나타내는 수지에 화학적 가교 처리를 가하고, 유기 용제에 불용, 불융으로 한 수지의 미립자체인 한 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 아크릴로니트릴부타디엔 고무 입자, 부타디엔 고무 입자, 아크릴 고무 입자 등을 들 수 있다. 고무 입자의 시판품으로서는, 예를 들면, 니혼고세고무(주) 제조의「XER-91」, 아이카고교(주) 제조의「스타필로이드 AC3355」,「스타필로이드 AC3816」,「스타필로이드 AC3401N」,「스타필로이드 AC3816N」,「스타필로이드 AC3832」,「스타필로이드 AC4030」,「스타필로이드 AC3364」,「스타필로이드 IM101」, 쿠레하가가쿠고교(주) 제조의「파라로이드 EXL2655」,「파라로이드 EXL2602」등을 들 수 있다. The rubber particles are not particularly limited as long as they are fine particles of a resin that is chemically crosslinked to a resin exhibiting rubber elasticity and made insoluble or infusible in an organic solvent, for example, acrylonitrile butadiene rubber particles, butadiene rubber particles, acrylic a rubber particle etc. are mentioned. As commercially available rubber particles, for example, "XER-91" manufactured by Nippon Kosei Rubber Co., Ltd., "Staphyloid AC3355", "Staphyloid AC3816", and "Staphyloid AC3401N" by Aika Kogyo Co., Ltd. ”, “Staphyloid AC3816N”, “Staphyloid AC3832”, “Staphyloid AC4030”, “Staphyloid AC3364”, “Staphyloid IM101”, Kureha Chemical Co., Ltd.’s “Pararoid EXL2655” ', "Pararoid EXL2602", etc. are mentioned.

유기 충전재의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.005 내지 1㎛의 범위이고, 보다 바람직하게는 0.2 내지 0.6㎛의 범위이다. 유기 충전재의 평균 입자 직경은, 동적 광산란법을 사용하여 측정할 수 있다. 예를 들면, 적당한 유기 용제에 유기 충전재를 초음파 등에 의해 균일하게 분산시키고, 농후계(濃厚系) 입자 직경 애널라이저(오츠카덴시(주) 제조「FPAR-1000」)를 사용하여, 유기 충전재의 입도 분포를 질량 기준으로 작성하고, 그 메디안 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. The average particle diameter of the organic filler is preferably in the range of 0.005 to 1 µm, more preferably in the range of 0.2 to 0.6 µm. The average particle diameter of an organic filler can be measured using a dynamic light scattering method. For example, the organic filler is uniformly dispersed in a suitable organic solvent by ultrasonic waves or the like, and the particle size of the organic filler is obtained using a thick particle size analyzer ("FPAR-1000" manufactured by Otsuka Denshi Co., Ltd.). It can measure by creating a distribution on a mass basis, and making the median diameter into an average particle diameter.

(d2) 열가소성 수지로서는, 예를 들면, 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에스테르 수지를 들 수 있다. 열가소성 수지는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. (d2) Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polybutadiene resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, Polyphenylene ether resin, polycarbonate resin, polyether ether ketone resin, and polyester resin are mentioned. A thermoplastic resin may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 8,000 내지 70,000의 범위가 바람직하며, 10,000 내지 60,000의 범위가 보다 바람직하며, 20,000 내지 60,000의 범위가 더욱 바람직하다. 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법으로 측정된다. 구체적으로는, 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 측정 장치로서 (주)시마즈세사쿠쇼 제조 LC-9A/RID-6A를, 칼럼으로서 쇼와덴코(주) 제조 Shodex K-800P/K-804L/K-804L을, 이동상으로서 클로로포름 등을 사용하고, 칼럼 온도를 40℃에서 측정하여, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 산출할 수 있다. The range of 8,000-70,000 is preferable, as for the polystyrene conversion weight average molecular weight of a thermoplastic resin, the range of 10,000-60,000 is more preferable, The range of 20,000-60,000 is still more preferable. The weight average molecular weight of a thermoplastic resin in terms of polystyrene is measured by a gel permeation chromatography (GPC) method. Specifically, the weight average molecular weight in terms of polystyrene of the thermoplastic resin is LC-9A/RID-6A manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device and Shodex K-800P/K manufactured by Showa Denko Corporation as a column. -804L/K-804L can be calculated by using chloroform or the like as a mobile phase, measuring the column temperature at 40°C, and using a standard polystyrene calibration curve.

페녹시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 골격, 비스페놀 F 골격, 비스페놀 S 골격, 비스페놀아세트페논 골격, 노볼락 골격, 비페닐 골격, 플루오렌 골격, 디사이클로펜타디엔 골격, 노르보르넨 골격, 나프탈렌 골격, 안트라센 골격, 아다만탄 골격, 테르펜 골격, 및 트리메틸사이클로헥산 골격으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 골격을 갖는 페녹시 수지를 들 수 있다. 페녹시 수지의 말단은, 페놀성 수산기, 에폭시기 등의 어느 관능기라도 좋다. 페녹시 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 페녹시 수지의 구체예로서는, 미쯔비시가가쿠(주) 제조의「1256」및「4250」(모두 비스페놀 A 골격 함유 페녹시 수지),「YX8100」(비스페놀 S 골격 함유 페녹시 수지), 및「YX6954」(비스페놀아세트페논 골격 함유 페녹시 수지)를 들 수 있고, 그 밖에도, 신닛테츠스미킨가가쿠(주) 제조의「FX280」및「FX293」, 미쯔비시가가쿠(주) 제조의「YL7553」,「YL6794」,「YL7213」,「YL7290」및「YL7482」등을 들 수 있다. Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenolacetphenone skeleton, novolak skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene. and phenoxy resins having at least one skeleton selected from the group consisting of skeleton, anthracene skeleton, adamantane skeleton, terpene skeleton, and trimethylcyclohexane skeleton. Any functional group, such as a phenolic hydroxyl group and an epoxy group, may be sufficient as the terminal of a phenoxy resin. A phenoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. Specific examples of the phenoxy resin include "1256" and "4250" (both bisphenol A skeleton-containing phenoxy resins) manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., "YX8100" (phenoxy resin containing a bisphenol S skeleton), and "YX6954" (Bisphenol acetphenone skeleton-containing phenoxy resin), in addition, "FX280" and "FX293" manufactured by Shin-Nittetsu Chemical Co., Ltd., "YL7553" and "YL6794" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. ', "YL7213", "YL7290" and "YL7482".

폴리비닐아세탈 수지로서는, 예를 들면, 폴리비닐포르말 수지, 폴리비닐부티랄 수지를 들 수 있고, 폴리비닐부티랄 수지가 바람직하다. 폴리비닐아세탈 수지의 구체예로서는, 예를 들면, 덴키가가쿠고교(주) 제조의 「덴카부티랄 4000-2」,「덴카부티랄 5000-A」,「덴카부티랄 6000-C」,「덴카부티랄 6000-EP」, 세키스이가가쿠고교(주) 제조의 에스렉 BH 시리즈, BX 시리즈, KS 시리즈, BL 시리즈, BM 시리즈 등을 들 수 있다. As polyvinyl acetal resin, polyvinyl formal resin and polyvinyl butyral resin are mentioned, for example, Polyvinyl butyral resin is preferable. As a specific example of polyvinyl acetal resin, "Denka Butyral 4000-2", "Denka Butyral 5000-A", "Denka Butyral 6000-C", and "Denka Butyral 4000-2" manufactured by Denki Chemical Co., Ltd. are, for example, examples of polyvinyl acetal resin. Butyral 6000-EP", Sekisui Chemical Co., Ltd. S-Rec BH series, BX series, KS series, BL series, BM series, etc. are mentioned.

폴리이미드 수지의 구체예로서는, 신니혼리카(주) 제조의「리카코트 SN20」및「리카코트 PN20」을 들 수 있다. 폴리이미드 수지의 구체예로서는 또한, 2관능성 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 반응시켜 수득되는 선상 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2006-37083호에 기재된 폴리이미드), 폴리실록산 골격 함유 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2002-12667호 및 일본 공개특허공보 특개2000-319386호에 기재된 폴리이미드) 등의 변성 폴리이미드를 들 수 있다. As a specific example of polyimide resin, "Ricacoat SN20" and "Ricacoat PN20" by Shin-Nippon Rica Co., Ltd. are mentioned. As a specific example of the polyimide resin, furthermore, a linear polyimide obtained by reacting a difunctional hydroxyl-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound, and a tetrabasic acid anhydride (a polyimide described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-37083); Modified polyimides, such as polysiloxane skeleton containing polyimide (the polyimide of Unexamined-Japanese-Patent No. 2002-12667 and Unexamined-Japanese-Patent No. 2000-319386), are mentioned.

폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는, 토요호세키(주) 제조의「바이로맥스 HR11NN」및「바이로맥스 HR16NN」을 들 수 있다. 폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는 또한, 니혼가세이고교(주) 제조의「KS9100」,「KS9300」(폴리실록산 골격 함유 폴리아미드이미드) 등의 변성 폴리아미드이미드를 들 수 있다. Specific examples of the polyamideimide resin include "Viromax HR11NN" and "Viromax HR16NN" manufactured by Toyoho Seki Co., Ltd. Specific examples of the polyamideimide resin include modified polyamideimides such as "KS9100" and "KS9300" (polyamideimide containing polysiloxane skeleton) manufactured by Nippon Kasei Kogyo Co., Ltd.

폴리에테르설폰 수지의 구체에로서는, 스미토모가가쿠(주) 제조의「PES5003P」등을 들 수 있다. As a specific example of polyether sulfone resin, Sumitomo Chemical Co., Ltd. product "PES5003P" etc. are mentioned.

폴리설폰 수지의 구체예로서는, 솔베이 어드밴스트 폴리머즈(주) 제조의 폴리설폰「P1700」,「P3500」등을 들 수 있다. As a specific example of polysulfone resin, Solvay Advanced Polymers Co., Ltd. product polysulfone "P1700", "P3500", etc. are mentioned.

이 중에서도, (a) 에폭시 수지 및 (b) 특정한 경화제와의 조합에 있어서, HAST에 의한 고온 고습 환경하에 있어서의 절연층과 회로의 필 강도의 저하를 더욱 억제할 수 있는 관점에서, 중합체 성분으로서는, 유기 충전재, 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지가 바람직하다. 따라서 적합한 일 실시형태에 있어서, (d) 중합체 성분은, 유기 충전재, 페녹시 수지 및 폴리비닐아세탈 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 함유한다. Among these, (a) epoxy resin and (b) combination with a specific curing agent WHEREIN: From a viewpoint which can further suppress the fall of the peeling strength of the insulating layer in the high temperature, high humidity environment by HAST, and a circuit, as a polymer component , organic fillers, phenoxy resins, and polyvinyl acetal resins are preferred. Accordingly, in one suitable embodiment, the polymer component (d) contains at least one selected from the group consisting of an organic filler, a phenoxy resin, and a polyvinyl acetal resin.

수지층 중의 중합체 성분의 함유량은, 핀홀의 발생을 억제하는 관점, 절연층과 회로의 필 강도의 저하를 억제하는 관점에서, 바람직하게는 0.5질량% 이상, 보다 바람직하게는 1질량% 이상, 더욱 바람직하게는 1.5질량% 이상, 또는 2질량% 이상이다. 중합체 성분의 함유량의 상한은, 바람직하게는 10질량% 이하, 보다 바람직하게는 9질량% 이하, 더욱 바람직하게는 8질량% 이하, 7질량% 이하, 6질량% 이하, 또는 5질량% 이하이다. Content of the polymer component in a resin layer, from a viewpoint of suppressing generation|occurrence|production of a pinhole, from a viewpoint of suppressing the fall of the peeling strength of an insulating layer and a circuit, Preferably it is 0.5 mass % or more, More preferably, it is 1 mass % or more, More Preferably it is 1.5 mass % or more, or 2 mass % or more. The upper limit of the content of the polymer component is preferably 10% by mass or less, more preferably 9% by mass or less, still more preferably 8% by mass or less, 7% by mass or less, 6% by mass or less, or 5% by mass or less. .

-(e) 경화 촉진제--(e) curing accelerator-

수지층은, 경화 촉진제를 추가로 함유해도 좋다. The resin layer may further contain a curing accelerator.

경화 촉진제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 이미다졸계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 인계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 경화 촉진제는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. Although it does not specifically limit as a hardening accelerator, For example, an imidazole type hardening accelerator, an amine type hardening accelerator, a phosphorus type hardening accelerator, a guanidine type hardening accelerator, a metal type hardening accelerator, etc. are mentioned. A hardening accelerator may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

이 중에서도, (a) 에폭시 수지 및 (b) 특정한 경화제와의 조합에 있어서, HAST에 의한 고온 고습 환경하에 있어서의 절연층과 회로의 필 강도의 저하를 더욱 억제할 수 있는 관점에서, 경화 촉진제는, 이미다졸계 경화 촉진제 및 아민계 경화 촉진제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는 것이 바람직하다. Among these, (a) epoxy resin and (b) combination with a specific curing agent. , it is preferable to contain at least one selected from the group consisting of imidazole-based curing accelerators and amine-based curing accelerators.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지의 어덕트체(「이미다졸-에폭시 수지의 어덕트체」라고도 한다.)를 들 수 있고, 이미다졸-에폭시 수지의 어덕트체가 바람직하다. 이미다졸-에폭시 수지의 어덕트체의 구체예로서는, 미쯔비시가가쿠(주) 제조의「P200H50」을 들 수 있다. Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, and 2-ethyl-4-methyl. Imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methyl Midazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl -4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-undecyl Imidazolyl (1′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2′-ethyl-4′-methylimidazolyl-(1′)]-ethyl-s-tri azine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')-ethyl-s-triazineisocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazoleisocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo[1,2-a ]Imidazole compounds such as benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline and 2-phenylimidazoline, and adducts of imidazole compounds and epoxy resins Sieves (also referred to as "adduct body of imidazole-epoxy resin".) are mentioned, and the adduct body of imidazole-epoxy resin is preferable. As a specific example of the adduct body of imidazole-epoxy resin, "P200H50" by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. is mentioned.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센 등을 들 수 있고, 4-디메틸아미노피리딘, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센이 바람직하다. Examples of the amine curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris(dimethylaminomethyl)phenol, 1,8 -diazabicyclo(5,4,0)-undecene etc. are mentioned, 4-dimethylamino pyridine and 1,8- diazabicyclo(5,4,0)- undecene are preferable.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있고, 트리페닐포스핀, 테트라부틸포스포늄데칸산염이 바람직하다. Examples of the phosphorus-based curing accelerator include triphenylphosphine, phosphonium borate compound, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphoniumdecanoate, (4-methylphenyl)triphenyl Phosphonium thiocyanate, tetraphenyl phosphonium thiocyanate, butyl triphenyl phosphonium thiocyanate, etc. are mentioned, Triphenyl phosphine and tetrabutyl phosphonium decanoate are preferable.

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있고, 디시안디아미드, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔이 바람직하다. Examples of the guanidine-based curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine. , trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0] Deca-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1, 1-diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1-allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1-(o-tolyl)biguanide, etc. are mentioned, dicyandiamide, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene is preferred.

금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II)아세틸아세토네이트, 코발트(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염의 구체예로서는, 옥틸산아연, 옥틸산주석, 나프텐산아연, 나프텐산코발트, 스테아르산주석, 스테아르산아연 등을 들 수 있다. Examples of the metal-based curing accelerator include organometallic complexes or organometallic salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese and tin. Specific examples of the organometallic complex include organocobalt complexes such as cobalt(II)acetylacetonate and cobalt(III)acetylacetonate, organocopper complexes such as copper(II)acetylacetonate, zinc(II)acetylacetonate, and the like. organic zinc complexes, organic iron complexes such as iron (III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate, and organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate. Specific examples of the organometallic salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, and zinc stearate.

이들 중에서도, (a) 에폭시 수지 및 (b) 특정한 경화제의 조합에 있어서, HAST에 의한 고온 고습 환경하에 있어서의 절연층과 회로의 필 강도의 저하를 더욱 억제할 수 있는 관점에서, 경화 촉진제로서는, 이미다졸-에폭시 수지의 어덕트체, 4-디메틸아미노피리딘이 바람직하다. 따라서 적합한 일 실시형태에 있어서, 경화 촉진제는, 이미다졸-에폭시 수지의 어덕트체, 및 4-디메틸아미노피리딘으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 함유한다. Among these, (a) the epoxy resin and (b) the combination of the specific curing agent WHEREIN: From a viewpoint which can further suppress the fall of the peeling strength of the insulating layer and circuit in the high-temperature, high-humidity environment by HAST, as a hardening accelerator, The adduct body of imidazole-epoxy resin, 4-dimethylaminopyridine is preferable. Accordingly, in one suitable embodiment, the curing accelerator contains at least one selected from the group consisting of an adduct of imidazole-epoxy resin, and 4-dimethylaminopyridine.

HAST에 의한 고온 고습 환경하에 있어서의 절연층과 회로의 필 강도의 저하를 더욱 억제할 수 있는 관점에서, 수지층 중의 경화 촉진제의 함유량은, 수지층 중의 수지 성분을 100질량%로 했을 때, 바람직하게는 0.03질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.05질량% 이상, 0.1질량% 이상, 0.15질량% 이상, 또는 0.2질량% 이상이다. 프린트 배선판의 제조시에, 수지 시트와 내층 기판을 진공 열 프레스 처리에 의해 일괄 성형하는 경우에는, 수지층 중의 경화 촉진제의 함유량은, 보다 높은 것이 적합하며, 수지층 중의 수지 성분을 100질량%로 했을 때, 바람직하게는 0.3질량% 이상, 0.5질량% 이상, 0.6질량% 이상, 0.8질량% 이상, 또는 1질량% 이상이다. 경화 촉진제의 함유량의 상한은, 바람직하게는 4질량% 이하, 보다 바람직하게는 3.5질량% 이하, 3질량% 이하, 또는 2.5질량% 이하이다. 또한, 경화 촉진제의 함유량에 관해서 말하는「수지 성분」이란, 수지층을 구성하는 불휘발 성분 중, 무기 충전재를 제외한 성분을 말한다. From a viewpoint which can further suppress the fall of the peeling strength of the insulating layer and circuit in high-temperature, high-humidity environment by HAST, when content of the hardening accelerator in a resin layer makes the resin component in a resin layer 100 mass %, it is preferable Preferably it is 0.03 mass % or more, More preferably, it is 0.05 mass % or more, 0.1 mass % or more, 0.15 mass % or more, or 0.2 mass % or more. In the case of manufacturing a printed wiring board, when the resin sheet and the inner layer substrate are collectively molded by vacuum hot press processing, the content of the curing accelerator in the resin layer is preferably higher, and the resin component in the resin layer is 100% by mass. Preferably, it is 0.3 mass % or more, 0.5 mass % or more, 0.6 mass % or more, 0.8 mass % or more, or 1 mass % or more. The upper limit of content of a hardening accelerator becomes like this. Preferably it is 4 mass % or less, More preferably, it is 3.5 mass % or less, 3 mass % or less, or 2.5 mass % or less. In addition, the "resin component" talking about content of a hardening accelerator means the component except an inorganic filler among the nonvolatile components which comprise a resin layer.

또한, 경화 촉진제로서 금속계 경화 촉진제를 사용하는 경우, 수지층 중의 금속계 경화 촉진제의 함유량은, 상기의 범위보다 낮아도 좋다. 예를 들면, 수지층 중의 금속계 경화 촉진제의 함유량은, 수지층 중의 수지 성분을 100질량%로 했을 때, 금속계 경화 촉진제에 유래하는 금속의 양이 바람직하게는 25 내지 1000ppm, 보다 바람직하게는 40 내지 500ppm이라도 좋다. In addition, when using a metallic hardening accelerator as a hardening accelerator, content of the metallic hardening accelerator in a resin layer may be lower than said range. For example, when the content of the metal-based curing accelerator in the resin layer is 100% by mass of the resin component in the resin layer, the amount of the metal derived from the metal-based curing accelerator is preferably 25 to 1000 ppm, more preferably 40 to Even 500ppm is fine.

적합한 실시형태에 있어서, 수지층은, (a) 에폭시 수지 및 (b) 특정한 경화제에 가하여, (c) 무기 충전재, (d) 중합체 성분 및 (e) 경화 촉진제를 추가로 함유하고, (d) 중합체 성분이 유기 충전재 및 열가소성 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되고, In a suitable embodiment, the resin layer further contains, in addition to (a) an epoxy resin and (b) a specific curing agent, (c) an inorganic filler, (d) a polymer component, and (e) a curing accelerator, (d) the polymer component is selected from the group consisting of organic fillers and thermoplastic resins,

수지층 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, (c) 무기 충전제의 함유량이 40 내지 85질량%, (d) 중합체 성분의 함유량이 0.5 내지 10질량%이고,When the nonvolatile component in the resin layer is 100% by mass, (c) the content of the inorganic filler is 40 to 85% by mass, (d) the content of the polymer component is 0.5 to 10% by mass,

수지층 중의 수지 성분을 100질량%로 했을 때, (e) 경화 촉진제의 함유량이 0.03 내지 4질량%이다. When the resin component in a resin layer is 100 mass %, content of (e) hardening accelerator is 0.03-4 mass %.

이러한 실시형태에 의하면, 저조도의 표면을 갖는 금속박을 사용하는 경우라도, HAST에 의한 고온 고습 환경하에 있어서의 절연층과 회로의 필 강도의 저하를 보다 한층 억제할 수 있는 수지 시트(수지 부착 금속박)를 실현할 수 있다. According to this embodiment, even if it is a case of using the metal foil which has a low roughness surface, the resin sheet (metal foil with resin) which can suppress further the fall of the peeling strength of the insulating layer and circuit in the high-temperature, high-humidity environment by HAST. can be realized

이러한 실시형태 중에서도, (c) 무기 충전재가 실리카이고, (d) 중합체 성분이, 유기 충전재, 페녹시 수지 및 폴리비닐아세탈 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하고, (e) 경화 촉진제가, 이미다졸-에폭시 수지의 어덕트체, 및 4-디메틸아미노피리딘으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는 실시형태는, HAST에 의한 고온 고습 환경하에 있어서의 절연층과 회로의 필 강도의 저하를 억제하는 성능에 있어서 특히 우수하다. Among these embodiments, (c) the inorganic filler is silica, (d) the polymer component contains at least one selected from the group consisting of an organic filler, a phenoxy resin, and a polyvinyl acetal resin, and (e) a curing accelerator In the embodiment containing at least one selected from the group consisting of a, imidazole-epoxy resin adduct and 4-dimethylaminopyridine, the peel strength of the insulating layer and circuit under a high-temperature, high-humidity environment by HAST It is particularly excellent in the performance of suppressing the deterioration of

-(f) 활성 에스테르계 경화제 및 트리아진 구조 함유 페놀계 경화제 이외의 경화제--(f) curing agents other than active ester curing agents and phenolic curing agents containing triazine structures-

수지층은, (b) 성분 이외의 경화제, 즉, 활성 에스테르계 경화제 및 트리아진 구조 함유 페놀계 경화제 이외의 경화제를 추가로 함유해도 좋다. The resin layer may further contain a curing agent other than the component (b), that is, a curing agent other than the active ester curing agent and the triazine structure-containing phenol curing agent.

(b) 성분 이외의 경화제로서는, 에폭시 수지를 경화시키는 기능을 갖는 한 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 페놀계 경화제(트리아진 구조 함유 페놀계 경화제를 제외한다), 시아네이트에스테르계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 카보디이미드계 경화제, 산무수물계 경화제 등을 들 수 있다. 이들 경화제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. (b) The curing agent other than the component is not particularly limited as long as it has a function of curing the epoxy resin, for example, a phenol-based curing agent (excluding a phenol-based curing agent containing a triazine structure), a cyanate ester-based curing agent, and benzo and an oxazine-based curing agent, a carbodiimide-based curing agent, and an acid anhydride-based curing agent. These hardening|curing agents may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

페놀계 경화제(트리아진 구조 함유 페놀계 경화제를 제외한다)로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 비페닐형 경화제, 나프탈렌형 경화제, 페놀노볼락형 경화제, 나프틸렌에테르형 경화제 등을 들 수 있다. 구체예로서는, 메이와가세이(주) 제조의「MEH-7700」,「MEH-7810」,「MEH-7851」(비페닐형 경화제), 니혼가야쿠(주) 제조의「NHN」,「CBN」,「GPH」(나프탈렌형 경화제), 신닛테츠스미킨가가쿠(주) 제조의「SN170」,「SN180」,「SN190」,「SN475」,「SN485」,「SN495」,「SN375」,「SN395」(나프탈렌형 경화제), DIC(주) 제조의「TD-2090」(페놀노볼락형 경화제), DIC(주) 제조의「EXB-6000」(나프틸렌에테르형 경화제) 등을 들 수 있다. Although it does not specifically limit as a phenolic hardening|curing agent (except a triazine structure containing phenolic hardening|curing agent), For example, a biphenyl-type hardening|curing agent, a naphthalene-type hardening|curing agent, a phenol novolak-type hardening|curing agent, a naphthylene ether type hardening|curing agent, etc. are mentioned there is. As a specific example, "MEH-7700", "MEH-7810", "MEH-7851" (biphenyl type hardening|curing agent) manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., "NHN", "CBN" manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd. ”, “GPH” (naphthalene-type hardener), manufactured by Shin-Nittetsu Chemical Co., Ltd. “SN170”, “SN180”, “SN190”, “SN475”, “SN485”, “SN495”, “SN375”, “ SN395" (naphthalene type curing agent), "TD-2090" (phenol novolak type curing agent) manufactured by DIC Corporation, "EXB-6000" manufactured by DIC Corporation (naphthylene ether type curing agent), etc. are mentioned. .

시아네이트에스테르계 경화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 노볼락형(페놀노볼락형, 알킬페놀노볼락형 등) 시아네이트에스테르계 경화제, 디사이클로펜타디엔형 시아네이트에스테르계 경화제, 비스페놀형(비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형 등) 시아네이트에스테르계 경화제, 및 이들이 일부 트리아진화된 프리폴리머 등을 들 수 있다. 구체예로서는, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트(올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트)), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴)벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지, 페놀노볼락 및 크레졸노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지, 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프리폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 경화제의 구체예로서는, 론자재팬(주) 제조의「PT30」,「PT30S」및「PT60」(모두 페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지),「BADcy」(비스페놀 A 디시아네이트),「BA230」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 삼량체가 된 프리폴리머) 등을 들 수 있다. Although it does not specifically limit as a cyanate ester type hardening|curing agent, For example, a novolak type (phenol novolak type, alkylphenol novolak type, etc.) cyanate ester type hardening|curing agent, a dicyclopentadiene type cyanate ester type hardening|curing agent, bisphenol type (bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, etc.) cyanate ester curing agent, and a prepolymer in which these are partially triazined, and the like. Specific examples include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate (oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate)), 4,4'-methylenebis (2,6-dimethylphenyl cyanate), 4 ,4'-ethylidenediphenyldicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis(4-cyanate)phenylpropane, 1,1-bis(4-cyanatephenylmethane), bis (4-cyanate-3,5-dimethylphenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanatephenyl-1-(methylethylidene)benzene, bis(4-cyanatephenyl)thioether, and bis bifunctional cyanate resins such as (4-cyanate phenyl) ether, polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolac and cresol novolak, etc., and prepolymers in which these cyanate resins are partially triazined, and the like. As a specific example of a nate ester type hardening|curing agent, "PT30", "PT30S" and "PT60" (all are phenol novolak type polyfunctional cyanate ester resin), "BADcy" (bisphenol A dicyanate) manufactured by Ron Japan Co., Ltd. , "BA230" (a prepolymer in which a part or all of bisphenol A dicyanate was triazineized to become a trimer), etc. are mentioned.

벤조옥사진계 경화제의 구체예로서는, 쇼와코훈시(주) 제조의「HFB2006M」,시코쿠가세이고교(주) 제조의「P-d」,「F-a」를 들 수 있다. As a specific example of a benzoxazine type hardening|curing agent, "HFB2006M" by Showa Kofunshi Co., Ltd., "P-d", and "F-a" by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd. are mentioned.

카보디이미드계 경화제의 구체예로서는, 닛신보케미칼(주) 제조의「V-03」,「V-07」등을 들 수 있다. Specific examples of the carbodiimide-based curing agent include "V-03" and "V-07" manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd.

산무수물계 경화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 무수 프탈산, 테트라하이드로무수프탈산, 헥사하이드로무수프탈산, 메틸테트라하이드로무수프탈산, 메틸헥사하이드로무수프탈산, 메틸나딕산무수물, 수소화메틸나딕산무수물, 트리알킬테트라하이드로무수프탈산, 도데세닐무수석신산, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-사이클로헥센-1,2-디카복실산무수물, 무수트리멜리트산, 무수피로멜리트산, 벤조페논테트라카복실산이무수물, 비페닐테트라카복실산이무수물, 나프탈렌테트라카복실산이무수물, 옥시디프탈산이무수물, 3,3'-4,4'-디페닐설폰테트라카복실산이무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사하이드로-5-(테트라하이드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1,2-C]푸란-1,3-디온, 에틸렌글리콜비스(안하이드로트리멜리테이트), 스티렌과 말레산이 공중합한 스티렌·말레산 수지 등의 중합체형의 산무수물 등을 들 수 있다. 산무수물계 경화제의 구체예로서는, Cray Valley HSC사 제조의「SMA EF30」등을 들 수 있다. Although it does not specifically limit as an acid anhydride type hardening|curing agent, For example, For example, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, hydrogenated methylnadic anhydride , trialkyltetrahydrophthalic anhydride, dodecenyl succinic anhydride, 5-(2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl)-3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid anhydride, anhydride Trimellitic acid, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic dianhydride, biphenyltetracarboxylic dianhydride, naphthalenetetracarboxylic dianhydride, oxydiphthalic dianhydride, 3,3'-4,4'-diphenylsulfone tetracarboxylic acid dianhydride, 1,3,3a,4,5,9b-hexahydro-5- (tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl)-naphtho [1,2-C] furan-1, polymer-type acid anhydrides, such as 3-dione, ethylene glycol bis (anhydro trimellitate), and styrene maleic acid resin which copolymerized styrene and maleic acid, etc. are mentioned. Specific examples of the acid anhydride curing agent include "SMA EF30" manufactured by Cray Valley HSC.

(b) 성분 이외의 경화제를 사용하는 경우, 수지층 중의 당해 경화제의 함유량은, 바람직하게는 0.5질량% 이상, 보다 바람직하게는 1질량% 이상, 더욱 바람직하게는 1.5질량% 이상, 또는 2질량% 이상이다. 당해 함유량의 상한은, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 15질량% 이하, 또는 10질량% 이하이다. (b) When using a curing agent other than the component, the content of the curing agent in the resin layer is preferably 0.5 mass % or more, more preferably 1 mass % or more, still more preferably 1.5 mass % or more, or 2 mass % or more. % or more The upper limit of the said content becomes like this. Preferably it is 20 mass % or less, More preferably, it is 15 mass % or less, or 10 mass % or less.

-(g) 난연제--(g) flame retardant-

수지층은, 난연제를 추가로 함유해도 좋다. 난연제로서는, 예를 들면, 유기 인계 난연제, 유기계 질소 함유 인 화합물, 질소 화합물, 실리콘계 난연제, 금속 수산화물 등을 들 수 있다. 난연제는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 수지층 중의 난연제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.5 내지 10질량%, 보다 바람직하게는 1 내지 9질량%이다. The resin layer may further contain a flame retardant. Examples of the flame retardant include an organic phosphorus flame retardant, an organic nitrogen-containing phosphorus compound, a nitrogen compound, a silicone flame retardant, and a metal hydroxide. A flame retardant may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type. Although content of the flame retardant in a resin layer is not specifically limited, Preferably it is 0.5-10 mass %, More preferably, it is 1-9 mass %.

-기타 첨가제--Other additives-

수지층은, 필요에 따라, 추가로 기타 성분을 함유하고 있어도 좋다. 이러한 기타 성분으로서는, 예를 들면, 유기 구리 화합물, 유기 아연 화합물 및 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물, 및 증점제, 소포제, 레벨링제, 밀착성 부여제, 및 착색제 등의 수지 첨가제 등을 들 수 있다. The resin layer may further contain other components as needed. Examples of such other components include organometallic compounds such as organocopper compounds, organozinc compounds and organocobalt compounds, and resin additives such as thickeners, defoamers, leveling agents, adhesion imparting agents, and colorants.

수지층의 최저 용융 점도는, 프린트 배선판의 제조시에 수지 시트와 내층 기판을 일괄 성형하는 방법에 따라 결정하면 좋다. What is necessary is just to determine the minimum melt viscosity of a resin layer according to the method of collectively molding a resin sheet and an inner-layer board|substrate at the time of manufacture of a printed wiring board.

수지 시트와 내층 기판을 진공 열 프레스 처리에 의해 일괄 성형하는 경우, 수지층의 최저 용융 점도는, 수지가 스며나오는 것을 억제하는 관점에서, 바람직하게는 8000포이즈 이상, 보다 바람직하게는 8500포이즈 이상, 또는 9000포이즈 이상이다. 수지층의 최저 용융 점도의 상한은, 양호한 적층성(회로 매립성)을 달성하는 관점에서, 바람직하게는 40000포이즈 이하, 보다 바람직하게는 38000포이즈 이하, 36000포이즈 이하, 34000포이즈 이하, 또는 32000포이즈 이하이다. When the resin sheet and the inner layer substrate are collectively molded by vacuum hot press processing, the minimum melt viscosity of the resin layer is preferably 8000 poise or more, more preferably 8500 poise or more, from the viewpoint of suppressing the seeping of the resin, Or more than 9000 poise. The upper limit of the minimum melt viscosity of the resin layer is preferably 40000 poise or less, more preferably 38000 poise or less, 36000 poise or less, 34000 poise or less, or 32000 poise or less, from the viewpoint of achieving good lamination property (circuit embedding property). is below.

수지 시트와 내층 기판을 진공 라미네이트 처리에 의해 일괄 성형하는 경우, 수지층의 최저 용융 점도는, 수지가 스며나오는 것을 억제하는 관점에서, 바람직하게는 300포이즈 이상, 보다 바람직하게는 500포이즈 이상, 700포이즈 이상, 900포이즈 이상, 또는 1000포이즈 이상이다. 수지층의 최저 용융 점도의 상한은, 양호한 적층성(회로 매립성)을 달성하는 관점에서, 바람직하게는 12000포이즈 이하, 보다 바람직하게는 10000포이즈 이하, 더욱 바람직하게는 8000포이즈 이하, 7000포이즈 이하, 6000포이즈 이하, 5000포이즈 이하 또는 4000포이즈 이하이다. When the resin sheet and the inner layer substrate are collectively molded by vacuum lamination, the minimum melt viscosity of the resin layer is preferably 300 poise or more, more preferably 500 poise or more, 700 from the viewpoint of suppressing the resin seeping out. Poise or more, 900 poise or more, or 1000 poise or more. The upper limit of the minimum melt viscosity of the resin layer is preferably 12,000 poise or less, more preferably 10000 poise or less, still more preferably 8000 poise or less, 7000 poise or less from the viewpoint of achieving good lamination property (circuit embedding property). , 6000 poise or less, 5000 poise or less, or 4000 poise or less.

또한, 수지층의「최저 용융 점도」란, 수지층의 수지가 용융되었을 때에 수지층이 나타내는 최저 점도를 말한다. 상세하게는, 일정한 승온 속도로 수지층을 가열하여 수지를 용융시키면, 초기 단계는 용융 점도가 온도 상승과 함께 저하되고, 그 후, 일정 온도를 초과하면 온도 상승과 함께 용융 점도가 상승한다. 「최저 용융 점도」란, 이러한 극소점의 용융 점도를 말한다. 수지층의 최저 용융 점도는, 동적 점탄성법에 의해 측정할 수 있고, 예를 들면, 후술하는 <수지층의 최저 용융 점도의 측정>에 기재된 방법에 따라 측정할 수 있다. In addition, the "minimum melt viscosity" of a resin layer means the minimum viscosity which a resin layer shows when resin of a resin layer melt|dissolves. Specifically, when the resin layer is heated at a constant temperature increase rate to melt the resin, in the initial stage, the melt viscosity decreases as the temperature rises, and then, when the temperature exceeds a certain temperature, the melt viscosity increases with the temperature rise. "Minimum melt viscosity" means such a minimum melt viscosity. The minimum melt viscosity of the resin layer can be measured by a dynamic viscoelasticity method, for example, according to the method described in <Measurement of the minimum melt viscosity of the resin layer> described later.

수지층의 최저 용융 점도는, 예를 들면, (e) 성분의 함유량, 후술하는 수지 바니쉬의 건조 조건 등을 변경함으로써 조정할 수 있다. The minimum melt viscosity of a resin layer can be adjusted by changing content of (e) component, drying conditions of the resin varnish mentioned later, etc., for example.

본 발명의 수지 시트는, 절연층과 회로의 필 강도가 높은 프린트 배선판을 초래할 수 있다. 구체적으로는, 수지층을 경화하여 절연층을 형성하고, 서브트랙티브법 또는 모디파이드 세미어디티브법에 의해 회로를 형성한 후의, 절연층과 회로의 필 강도(S1)는, 바람직하게는 0.5kgf/cm 이상, 보다 바람직하게는 0.52kgf/cm 이상, 더욱 바람직하게는 0.54kgf/cm 이상, 0.56kgf/cm 이상, 0.58kgf/cm 이상 또는 0.6kgf/cm 이상으로 할 수 있다. 당해 필 강도(S1)의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 통상, 1.2kgf/cm 이하 등으로 할 수 있다. The resin sheet of this invention can bring about a printed wiring board with high peeling strength of an insulating layer and a circuit. Specifically, the peeling strength (S1) of the insulating layer and the circuit after forming the insulating layer by curing the resin layer and forming the circuit by the subtractive method or the modified semi-additive method is preferably 0.5 kgf/cm or more, more preferably 0.52 kgf/cm or more, still more preferably 0.54 kgf/cm or more, 0.56 kgf/cm or more, 0.58 kgf/cm or more, or 0.6 kgf/cm or more. Although the upper limit of the said peeling strength S1 is not specifically limited, Usually, it can be set as 1.2 kgf/cm or less, etc.

본 발명의 수지 시트는, HAST에 의한 고온 고습 환경하에 있어서의 절연층과 회로의 필 강도의 저하를 억제할 수 있는 신뢰성이 높은 프린트 배선판을 초래할 수 있다. 구체적으로는, 수지층을 경화하여 절연층을 형성하고, 서브트랙티브법 또는 모디파이드 세미어디티브법에 의해 회로를 형성하고, 또한, 130℃, 85%RH의 조건하에서 100시간 경과한 후의, 절연층과 회로의 필 강도(S2)는, 바람직하게는 0.3kgf/cm 이상, 보다 바람직하게는 0.32kgf/cm 이상, 더욱 바람직하게는 0.34kgf/cm 이상, 0.36kgf/cm 이상, 0.38kgf/cm 이상 또는 0.4kgf/cm 이상으로 할 수 있다. 당해 필 강도(S2)의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 통상, 1.2kgf/cm 이하 등으로 할 수 있다. The resin sheet of this invention can bring about the highly reliable printed wiring board which can suppress the fall of the peeling strength of the insulating layer in high-temperature, high-humidity environment by HAST, and a circuit. Specifically, the resin layer is cured to form an insulating layer, a circuit is formed by a subtractive method or a modified semi-additive method, and after 100 hours have elapsed under the conditions of 130° C. and 85% RH, The peeling strength (S2) of an insulating layer and a circuit becomes like this. Preferably it is 0.3 kgf/cm or more, More preferably, it is 0.32 kgf/cm or more, More preferably, it is 0.34 kgf/cm or more, 0.36 kgf/cm or more, 0.38 kgf/ cm or more or 0.4 kgf/cm or more. Although the upper limit of the said peeling strength S2 is not specifically limited, Usually, it can be set as 1.2 kgf/cm or less, etc.

절연층과 회로의 박리 강도의 측정은, JIS C6481에 준거하여 실시할 수 있고, 예를 들면, 후술하는 <절연층과 회로의 필 강도의 측정>에 기재된 방법에 따라 측정할 수 있다. The measurement of the peeling strength of an insulating layer and a circuit can be performed based on JISC6481, For example, it can measure according to the method as described in <Measurement of the peeling strength of an insulating layer and a circuit> mentioned later.

본 발명의 수지 시트에 있어서, 수지층의 금속박과 접합하고 있지 않은 면(즉, 금속박과는 반대측의 면)에는, 보호 필름을 추가로 적층할 수 있다. 따라서 일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 시트는, 제1 및 제2 주면을 갖는 금속박과, 당해 금속박의 제1 주면과 접합하고 있는 수지층과, 당해 수지층과 접합하고 있는 보호 필름을 포함한다. 보호 필름으로서는, 플라스틱 재료로 이루어지는 필름이 적합하게 사용된다. 여기서, 플라스틱 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등의 아크릴, 폴리스티렌, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸셀룰로스(TAC), 폴리에테르설파이드(PES), 폴리에테르케톤(PEK), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리이미드 등을 들 수 있다. 보호 필름을 적층함으로써, 수지층의 표면으로의 먼지 등의 부착이나 흠집을 방지할 수 있다. 수지 시트는, 롤상으로 감아 보존하는 것이 가능하고, 프린트 배선판의 제조시에는, 보호 필름을 박리함으로써 사용 가능해진다. The resin sheet of this invention WHEREIN: A protective film can further be laminated|stacked on the surface (namely, the surface on the opposite side to the metal foil) of the resin layer which is not joined to the metal foil. Accordingly, in one embodiment, the resin sheet of the present invention includes a metal foil having first and second main surfaces, a resin layer bonded to the first main surface of the metal foil, and a protective film bonded to the resin layer. do. As the protective film, a film made of a plastic material is preferably used. Here, as the plastic material, for example, polyester such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), acrylic such as polycarbonate (PC) and polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene, and cyclic polyolefin , triacetyl cellulose (TAC), polyether sulfide (PES), polyether ketone (PEK), polyether ether ketone (PEEK), polyphenylene sulfide (PPS), polyimide, and the like. By laminating|stacking a protective film, adhesion of dust, etc. to the surface of a resin layer, and a flaw can be prevented. A resin sheet can be wound up and stored in roll shape, and in the case of manufacture of a printed wiring board, it becomes usable by peeling a protective film.

본 발명의 수지 시트는, 금속박의 제1 주면과 접합하도록 수지층을 설치함으로써 제작할 수 있다. The resin sheet of this invention can be produced by providing a resin layer so that it may join with the 1st main surface of metal foil.

수지층은, 공지의 방법으로 설치할 수 있다. 예를 들면, 용제에 수지 조성물을 용해시킨 수지 바니쉬를 조제하고, 이 수지 바니쉬를, 다이 코터 등의 도포 장치를 사용하여 금속박의 제1 주면에 도포하고, 수지 바니쉬를 건조시켜 수지층을 설치할 수 있다. The resin layer can be provided by a known method. For example, a resin varnish in which a resin composition is dissolved in a solvent is prepared, this resin varnish is applied to the first main surface of metal foil using a coating device such as a die coater, and the resin varnish is dried to provide a resin layer. there is.

수지 바니쉬의 조제에 사용하는 용제로서는, 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤(MEK) 및 사이클로헥산온 등의 케톤류, 셀로솔브, 부틸카르비톨, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 에테르류, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 카르비톨아세테이트 등의 아세트산에스테르류, 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소류, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용매 등을 들 수 있다. 용제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. Examples of the solvent used for preparing the resin varnish include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK) and cyclohexanone, ethers such as cellosolve, butyl carbitol and propylene glycol monomethyl ether, ethyl acetate, Acetic acid esters such as butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, amides such as dimethylformamide, dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone A solvent etc. are mentioned. A solvent may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

수지 바니쉬의 건조는, 가열, 열풍 분사 등의 공지의 건조 방법에 의해 실시하면 좋다. 수지층 중에 용제가 많이 잔류하면, 경화 후에 부풀음이 발생하는 원인이 되기 때문에, 수지층 중의 잔류 용제 양이 통상 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 3질량% 이하, 2질량% 이하, 또는 1질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 수지 바니쉬 중의 용제의 비점에 따라서도 상이하지만, 예를 들면 30 내지 60질량%의 용제를 함유하는 수지 바니쉬를 사용하는 경우, 50 내지 150℃에서 3 내지 10분간 건조시킴으로써, 수지층을 형성할 수 있다. What is necessary is just to dry the resin varnish by well-known drying methods, such as a heating and hot air spraying. When a large amount of solvent remains in the resin layer, since it causes swelling after curing, the amount of residual solvent in the resin layer is usually 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less, more preferably 3% by mass or less, It is dried so that it may become 2 mass % or less, or 1 mass % or less. Although it also changes depending on the boiling point of the solvent in the resin varnish, for example, when using a resin varnish containing 30 to 60 mass % of a solvent, by drying at 50 to 150° C. for 3 to 10 minutes, a resin layer can be formed. there is.

보호 필름을 설치하는 경우, 보호 필름은, 롤이나 프레스 압착 등으로 수지층에 라미네이트 처리하는 것이 바람직하다. 라미네이트 처리는, 시판 진공 라미네이터를 사용하여 실시할 수 있다. 시판 진공 라미네이터로서는, 예를 들면, (주)메이키세사쿠쇼 제조의 진공 가압식 라미네이터, 니치고·모튼(주) 제조의 배큠 어플리케이터 등을 들 수 있다. When providing a protective film, it is preferable to laminate a protective film to a resin layer by a roll, press crimping|compression-bonding, etc.. A lamination process can be performed using a commercially available vacuum laminator. As a commercially available vacuum laminator, the vacuum pressurization type laminator by the Meiki Sesakusho Co., Ltd. product, the vacuum applicator by the Nichigo Morton Co., Ltd. product, etc. are mentioned, for example.

또는, 수지층을 포함하는 접착 필름을 사용하여, 금속박의 제1 주면과 접합하도록 수지층을 설치할 수 있다. 이러한 형태에서는, 지지체와, 당해 지지체와 접합하고 있는 수지층을 포함하는 접착 필름을, 수지층이 금속박의 제1 주면과 접합하도록 금속박에 적층한다. 이것에 의해, 수지 바니쉬의 도포가 곤란한 박형의 금속박을 사용하는 경우라도, 수지층을 용이하게 설치할 수 있다. 지지체의 재료는, 상기의 보호 필름과 동일하게 하면 좋고, 이러한 형태에서는, 지지체가 상기의 보호 필름의 기능을 겸하는 것이 가능하다. Alternatively, using an adhesive film including a resin layer, the resin layer may be provided to be bonded to the first main surface of the metal foil. In such a form, the adhesive film containing a support body and the resin layer joined with the said support body is laminated|stacked on metal foil so that a resin layer may join with the 1st main surface of metal foil. Thereby, even when using thin metal foil with difficult application|coating of a resin varnish, a resin layer can be provided easily. What is necessary is just to make the material of a support body similar to said protective film, and in this form, it is possible for a support body to also serve as said protective film.

접착 필름은, 예를 들면, 용제에 수지 조성물을 용해시킨 수지 바니쉬를 조제하고, 이 수지 바니쉬를, 다이 코터 등을 사용하여 지지체 위에 도포하고, 수지 바니쉬를 건조시켜 수지층을 형성시킴으로써 조제할 수 있다. 용제는, 상기와 동일한 것을 사용하면 좋다. The adhesive film can be prepared by, for example, preparing a resin varnish in which a resin composition is dissolved in a solvent, applying this resin varnish on a support using a die coater or the like, and drying the resin varnish to form a resin layer. there is. What is necessary is just to use the solvent similar to the above.

접착 필름과 금속박의 적층은, 작업성이 양호하며, 일정한 접촉 상태가 수득되기 쉽기 때문에, 롤 압착이나 프레스 압착 등으로, 접착 필름을 금속박에 라미네이트 처리하는 것이 바람직하다. 이 중에서도, 감압하에서 라미네이트하는 진공 라미네이트법이 보다 바람직하다. 라미네이트 처리는, 시판 진공 라미네이터를 사용하여 실시할 수 있다. 시판 진공 라미네이터는 상기한 바와 같다. Since lamination of the adhesive film and the metal foil has good workability and a constant state of contact is easily obtained, it is preferable to laminate the adhesive film to the metal foil by roll crimping, press crimping, or the like. Among these, the vacuum lamination method of laminating under reduced pressure is more preferable. A lamination process can be performed using a commercially available vacuum laminator. Commercially available vacuum laminators are as described above.

접착 필름을 사용하여 제작한 수지 시트는, 프린트 배선판을 제조할 때에, 접착 필름 유래의 지지체를 제거함으로써 사용 가능해진다. The resin sheet produced using the adhesive film becomes usable by removing the support body derived from an adhesive film, when manufacturing a printed wiring board.

[적층판][Laminate]

본 발명의 수지 시트를 사용하여 적층판을 제조할 수 있다. A laminated board can be manufactured using the resin sheet of this invention.

적합한 실시형태에 있어서, 본 발명의 적층판은, 본 발명의 수지 시트 2장 사이에, 수지층과 내층 기판이 접합하도록, 내층 기판을 배치하고, 진공 열 프레스 처리 또는 진공 라미네이트 처리에 의해 일괄 성형하여 수득된다. In a preferred embodiment, the laminate of the present invention is formed by placing the inner layer substrate between two resin sheets of the present invention so that the resin layer and the inner layer substrate are bonded, and collectively molding by vacuum hot press treatment or vacuum lamination treatment. is obtained.

본 발명에 있어서,「내층 기판」이란, 주로, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등의 기판, 또는 당해 기판의 편면 또는 양면에 패턴 가공된 도체층(회로)이 형성된 회로 기판을 말한다. 또한 프린트 배선판을 제조할 때에, 추가로 절연층 및/또는 도체층이 형성되어야 하는 중간 제조물의 내층 회로 기판도 본 발명에서 말하는「내층 기판」에 포함된다. In the present invention, the "inner layer substrate" mainly refers to a substrate such as a glass epoxy substrate, a metal substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, a thermosetting polyphenylene ether substrate, or one or both sides of the substrate Refers to a circuit board on which a patterned conductor layer (circuit) is formed. In addition, when manufacturing a printed wiring board, an inner-layer circuit board of an intermediate product on which an insulating layer and/or a conductor layer must be additionally formed is also included in the "inner-layer board" referred to in the present invention.

이하, 진공 열 프레스 처리에 의해 일괄 성형하는 실시 형태를「제1 실시형태」, 진공 라미네이트 처리에 의해 일괄 성형하는 실시 형태를「제2 실시형태」라고 한다. Hereinafter, the embodiment to be collectively molded by vacuum hot press processing is referred to as “first embodiment”, and the embodiment to be collectively molded by vacuum lamination processing is referred to as “second embodiment”.

-제1 실시형태--First embodiment-

제1 실시형태에 있어서, 본 발명의 적층판은, 진공 열 프레스 장치를 사용하여 이하의 수순으로 제조하는 것이 적합하다. In 1st Embodiment, it is suitable to manufacture the laminated board of this invention by the following procedure using a vacuum hot press apparatus.

우선, 본 발명의 수지 시트 2장 사이에, 수지층과 내층 기판이 접합하도록, 내층 기판을 배치한 적층 구조를 준비하고, 당해 적층 구조를 진공 열 프레스 장치에 세트한다. First, a laminated structure in which an inner layer substrate is disposed so that the resin layer and the inner layer substrate are bonded between two resin sheets of the present invention is prepared, and the laminated structure is set in a vacuum hot press apparatus.

적층 구조는, 쿠션지, 스테인리스판(SUS판) 등의 금속판, 이형 필름 등을 개재하여 진공 열 프레스 장치에 세트하는 것이 바람직하다. 적층 구조는, 예를 들면, 쿠션지/금속판/이형 필름/적층 구조(즉, 수지 시트/내층 기판/수지 시트)/이형 필름/SUS판/쿠션지의 순으로 적층되어 진공 열 프레스 장치에 세트된다. 여기서 기호「/」는 이것을 사이에 개재하도록 나타나 있는 구성 요소끼리가 서로 접하도록 배치되어 있는 것을 의미하고 있다(이하, 적층 구조의 설명 등에 있어서 마찬가지이다.). It is preferable to set the laminated structure to a vacuum hot press device via a cushion paper, a metal plate such as a stainless plate (SUS plate), a release film, or the like. The laminated structure, for example, is laminated in the order of cushion paper/metal plate/release film/laminated structure (ie, resin sheet/inner layer substrate/resin sheet)/release film/SUS plate/cushion paper and set in a vacuum hot press device. . Here, the symbol "/" means that the constituent elements shown to be interposed therebetween are arranged so as to be in contact with each other (hereinafter, the same applies in the description of the laminated structure, etc.).

이어서, 감압 조건하에서 적층 구조를 가열 압착하는 진공 열 프레스 처리를 실시한다. Next, a vacuum hot press process in which the laminated structure is heat-compressed under reduced pressure is performed.

진공 열 프레스 처리는, 가열된 SUS판 등의 금속판에 의해 적층 구조를 그 양면측으로부터 가압하는 종래 공지된 진공 열 프레스 장치를 사용하여 실시할 수 있다. 시판되고 있는 진공 열 프레스 장치로서는, 예를 들면, (주)메이키세사쿠쇼 제조의「MNPC-V-750-5-200」, 키타가와세이키(주) 제조의「VH1-1603」등을 들 수 있다. The vacuum hot press process can be performed using a conventionally known vacuum hot press apparatus in which the laminated structure is pressed from both sides of the laminated structure with a heated metal plate such as a SUS plate. As a commercially available vacuum hot press apparatus, "MNPC-V-750-5-200" by Meiki Sesakusho Co., Ltd., "VH1-1603" by Kitagawa Seiki Co., Ltd. etc. are mentioned, for example. can

진공 열 프레스 처리는, 1회만 실시해도 좋고, 2회 이상 반복하여 실시해도 좋다. A vacuum hot press process may be performed only once, and may be performed repeatedly 2 or more times.

진공 열 프레스 처리에 있어서, 압착 압력(가압력)은, 바람직하게는 5 내지 80kgf/㎠(0.49 내지 7.9MPa), 보다 바람직하게는 10 내지 60kgf/㎠(0.98 내지 5.9MPa)이다. In the vacuum hot press treatment, the compression pressure (pressing force) is preferably 5 to 80 kgf/cm 2 (0.49 to 7.9 MPa), more preferably 10 to 60 kgf/cm 2 (0.98 to 5.9 MPa).

진공 열 프레스 처리에 있어서, 분위기의 압력, 즉, 처리 대상의 적층 구조가 격납되는 챔버 내의 감압시의 압력은, 바람직하게는 3×10-2MPa 이하, 보다 바람직하게는 1×10-2MPa 이하이다. In the vacuum hot press treatment, the pressure of the atmosphere, that is, the pressure at the time of reduced pressure in the chamber in which the laminate structure to be treated is stored, is preferably 3×10 -2 MPa or less, more preferably 1×10 -2 MPa is below.

진공 열 프레스 처리에 있어서, 가열 온도(T)는, 수지층의 조성에 따라서도 상이하지만, 통상 150℃ 이상이고, 바람직하게는 160℃ 이상, 보다 바람직하게는 170℃ 이상, 또는 180℃ 이상이다. 가열 온도(T)의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 통상, 240℃ 이하 등으로 할 수 있다. In the vacuum hot press treatment, the heating temperature T, although also depending on the composition of the resin layer, is usually 150°C or higher, preferably 160°C or higher, more preferably 170°C or higher, or 180°C or higher. . Although the upper limit of heating temperature T is not specifically limited, Usually, it can be set as 240 degrees C or less, etc.

진공 열 프레스 처리는, 크랙이나 변형을 억제하는 관점에서, 온도를 단계적으로 또는 연속적으로 상승시키면서, 및/또는 온도를 단계적으로 또는 연속적으로 하강시키면서, 실시하는 것이 바람직하다. 이러한 경우, 최고 도달 온도가, 상기 원하는 온도 조건을 충족시키는 것이 바람직하다. From the viewpoint of suppressing cracks and deformation, the vacuum hot press treatment is preferably performed while raising the temperature stepwise or continuously and/or while lowering the temperature stepwise or continuously. In this case, it is preferable that the highest attained temperature satisfy|fills the said desired temperature condition.

진공 열 프레스 처리는, 예를 들면, 상온에서부터 가열 온도(T)까지 승온 속도(S1)로 승온시키고, 가열 온도(T)로 소정 시간 유지한 후, 강온 속도(S2)로 가열 온도(T)에서부터 상온까지 강온하는 가열 조건으로 실시하면 좋다. 승온 속도(S1) 및 강온 속도(S2)는, 통상 0.5 내지 30℃/분, 바람직하게는 1 내지 10℃/분, 보다 바람직하게는 2 내지 8℃/분이다. 가열 온도(T)로 유지하는 시간은, 본 발명의 효과가 나타나는 한 특별히 한정되지 않지만, 통상 1 내지 180분간, 바람직하게는 5 내지 150분간, 보다 바람직하게는 10 내지 120분간이다. The vacuum hot press treatment is, for example, from room temperature to the heating temperature (T) at a temperature increase rate (S 1 ), and after holding for a predetermined time at the heating temperature (T), the heating temperature (S 2 ) at the heating temperature ( What is necessary is just to carry out under the heating condition which temperature-falls from T) to room temperature. The temperature increase rate (S 1 ) and the temperature decrease rate (S 2 ) are usually 0.5 to 30°C/min, preferably 1 to 10°C/min, more preferably 2 to 8°C/min. The duration of holding at the heating temperature T is not particularly limited as long as the effect of the present invention is exhibited, but is usually 1 to 180 minutes, preferably 5 to 150 minutes, more preferably 10 to 120 minutes.

진공 열 프레스 처리에 의해, 수지층은 경화되어 절연층을 형성한다. 따라서, 수득되는 적층판은, 금속박/절연층/내층 기판/절연층/금속박의 층 구성을 가진다. By vacuum hot press treatment, the resin layer is cured to form an insulating layer. Therefore, the obtained laminated board has a layer structure of metal foil/insulating layer/inner-layer substrate/insulating layer/metal foil.

-제2 실시형태--Second Embodiment-

제2 실시형태에 있어서, 본 발명의 적층판은, 하기 공정 (I) 및 (II)를 포함하는 방법에 의해 제조하는 것이 적합하다. In 2nd Embodiment, it is suitable to manufacture the laminated board of this invention by the method containing the following processes (I) and (II).

(I) 본 발명의 수지 시트 2장 사이에, 수지층과 내층 기판이 접합하도록, 내층 기판을 배치하고, 진공 라미네이트 처리하는 공정(I) A step of disposing an inner layer substrate between two resin sheets of the present invention so that the resin layer and the inner layer substrate are bonded to each other and performing vacuum lamination treatment

(II) 수지층을 열경화하여 절연층을 형성하는 공정(II) Step of thermosetting the resin layer to form an insulating layer

공정 (I)에 있어서, 본 발명의 수지 시트 2장 사이에, 수지층과 내층 기판이 접합하도록, 내층 기판을 배치하고, 진공 라미네이트 처리한다. In the step (I), between two resin sheets of the present invention, the inner layer substrate is disposed so that the resin layer and the inner layer substrate are bonded to each other, and vacuum lamination is carried out.

진공 라미네이트 처리는, 금속박측에서 수지 시트를 내층 기판에 가열 압착함으로써 실시할 수 있다. 수지 시트를 내층 기판에 가열 압착하는 부재(이하,「가열 압착 부재」라고도 한다.)로서는, 예를 들면, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤) 등을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 수지 시트에 직접 프레스하지 않고, 내층 기판의 표면 요철에 수지 시트가 충분히 추수(追隨)하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 개재하여 프레스하는 것이 바람직하다. A vacuum lamination process can be performed by thermocompression-bonding a resin sheet to an inner-layer board|substrate from the metal foil side. As a member (hereinafter also referred to as a "thermocompression bonding member") which heat-compresses a resin sheet to an inner-layer board|substrate, a heated metal plate (SUS end plate etc.), a metal roll (SUS roll), etc. are mentioned, for example. In addition, it is preferable to press through an elastic material, such as a heat-resistant rubber, so that a resin sheet may fully be harvested to the surface unevenness|corrugation of an inner-layer board|substrate, rather than directly pressing a thermocompression-compression-bonding member to a resin sheet.

진공 라미네이트 처리에 있어서, 가열 온도는, 바람직하게는 60 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80 내지 140℃의 범위이고, 압착 압력은, 바람직하게는 1 내지 18kgf/㎠(0.098 내지 1.77MPa), 보다 바람직하게는 3 내지 15kgf/㎠(0.29 내지 1.47MPa)의 범위이고, 압착 시간은, 바람직하게는 20 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30 내지 300초간의 범위이다. 진공 라미네이트 처리는, 바람직하게는 26.7hPa 이하의 감압 조건하에서 실시한다. In the vacuum lamination treatment, the heating temperature is preferably in the range of 60 to 160°C, more preferably 80 to 140°C, and the pressing pressure is preferably 1 to 18 kgf/cm 2 (0.098 to 1.77 MPa), more It is preferably in the range of 3 to 15 kgf/cm 2 (0.29 to 1.47 MPa), and the compression time is preferably in the range of 20 to 400 seconds, more preferably in the range of 30 to 300 seconds. The vacuum lamination treatment is preferably performed under reduced pressure conditions of 26.7 hPa or less.

진공 라미네이트 처리는, 시판 진공 라미네이터를 사용하여 실시할 수 있다. 시판 진공 라미네이터는, 상기한 바와 같다. A vacuum lamination process can be implemented using a commercially available vacuum laminator. A commercially available vacuum laminator is as above-mentioned.

진공 라미네이트 처리 후에, 상압하(대기압하), 예를 들면, 가열 압착 부재를 금속박측에서 프레스함으로써, 적층된 수지 시트의 평활화 처리를 실시해도 좋다. 평활화 처리의 가열 압착 조건은, 상기 진공 라미네이트 처리의 가열 압착 조건과 같은 조건으로 하면 좋다. 평활화 처리는, 시판 라미네이터에 의해 실시할 수 있다. 또한, 적층과 평활화 처리는, 상기의 시판 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 실시해도 좋다. After the vacuum lamination treatment, the laminated resin sheet may be smoothed under normal pressure (under atmospheric pressure), for example, by pressing the thermocompression-bonding member from the metal foil side. The thermocompression bonding conditions of the smoothing process should just be the same conditions as the thermocompression bonding conditions of the said vacuum lamination process. A smoothing process can be implemented with a commercially available laminator. In addition, you may perform lamination|stacking and a smoothing process continuously using said commercially available vacuum laminator.

공정 (II)에 있어서, 수지층을 열경화하여 절연층을 형성한다. Step (II) WHEREIN: The resin layer is thermosetted and the insulating layer is formed.

열경화의 조건은 특별히 한정되지 않으며, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 통상 채용되는 조건을 사용하면 좋다. The conditions for thermosetting are not specifically limited, What is necessary is just to use the conditions normally employ|adopted when forming the insulating layer of a printed wiring board.

예를 들면, 수지층의 열경화 조건은, 수지층의 조성에 따라서도 상이하지만, 경화 온도는 120 내지 240℃의 범위(바람직하게는 150 내지 210℃의 범위, 보다 바람직하게는 170 내지 190℃의 범위), 경화 시간은 5 내지 90분간의 범위(바람직하게는 10 내지 75분간, 보다 바람직하게는 15 내지 60분간)로 하면 좋다. For example, although the thermosetting conditions of a resin layer also change with the composition of a resin layer, the range of hardening temperature is 120-240 degreeC (preferably the range of 150-210 degreeC, More preferably, 170-190 degreeC) range) and curing time may be in the range of 5 to 90 minutes (preferably 10 to 75 minutes, more preferably 15 to 60 minutes).

수지층을 열경화시키기 전에, 수지층을 경화 온도보다도 낮은 온도로 예비 가열해도 좋다. 예를 들면, 수지층을 열경화시키기에 앞서, 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 110℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 100℃ 이하)의 온도로, 수지층을 5분간 이상(바람직하게는 5 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15 내지 120분간) 예비 가열해도 좋다. Before thermosetting the resin layer, the resin layer may be preheated to a temperature lower than the curing temperature. For example, before thermosetting the resin layer, the resin layer is heated at a temperature of 50°C or more and less than 120°C (preferably 60°C or more and 110°C or less, more preferably 70°C or more and 100°C or less) for 5 minutes. You may preheat more than (preferably for 5 to 150 minutes, More preferably, for 15 to 120 minutes).

공정 (II)에 의해, 수지층이 경화되어 절연층이 형성되고, 금속박/절연층/내층 기판/절연층/금속박의 층 구성을 갖는 적층판이 수득된다. By the step (II), the resin layer is cured to form an insulating layer, and a laminate having a laminate structure of metal foil/insulating layer/inner layer substrate/insulating layer/metal foil is obtained.

제1 실시형태 및 제2 실시형태를 불문하고, (A) 천공하는 공정, (B) 디스미어 처리를 실시하는 공정, (C) 서브트랙티브법 또는 모디파이드 세미어디티브법에 의해 회로를 형성하는 공정을 추가로 실시해도 좋다. 따라서 일 실시형태에 있어서, 본 발명의 적층판은, 서브트랙티브법 또는 모디파이드 세미어디티브법에 의해 형성된 회로를 포함한다. Regardless of the first embodiment and the second embodiment, (A) a step of drilling, (B) a step of desmearing, and (C) forming a circuit by a subtractive method or a modified semiadditive method You may carry out the process of doing this additionally. Accordingly, in one embodiment, the laminate of the present invention includes a circuit formed by a subtractive method or a modified semi-additive method.

공정 (A)는, 천공하는 공정이고, 이것에 의해 절연층에 비아홀을 형성할 수 있다. 공정 (A)는, 절연층의 형성에 사용한 수지층의 조성 등에 따라, 예를 들면, 드릴, 레이저, 플라즈마 등을 사용하는 공지의 수순으로 실시하면 좋다. The step (A) is a step of drilling, whereby a via hole can be formed in the insulating layer. What is necessary is just to implement a process (A) by a well-known procedure using, for example, a drill, a laser, plasma, etc. according to the composition etc. of the resin layer used for formation of an insulating layer.

공정 (B)는, 디스미어 처리를 실시하는 공정이다. 공정 (A)에 있어서 형성된 비아홀 내부에는, 일반적으로, 절연층 유래의 수지 잔사(스미어)가 부착되어 있다. 이러한 스미어는, 층간의 전기 접속 불량의 원인이 되기 때문에, 공정 (B)에 있어서 스미어를 제거하는 처리(디스미어 처리)를 실시한다. A process (B) is a process of performing a desmear process. Generally, a resin residue (smear) derived from an insulating layer adheres to the inside of the via hole formed in the step (A). Since such a smear becomes a cause of poor electrical connection between layers, the process (desmear process) which removes a smear in a process (B) is performed.

디스미어 처리의 수순, 조건은 특별히 한정되지 않으며, 프린트 배선판의 제조에 있어서 통상 사용되는 공지의 수순, 조건을 채용할 수 있다. 예를 들면, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제 용액에 의한 산화 처리, 중화액에 의한 중화 처리를 이 순서로 실시하여 디스미어 처리를 실시할 수 있다. 팽윤액으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬(주) 제조의「스웰링·딥·세큐리간스 P」,「스웰링·딥·세큐리간스 SBU」 등을 들 수 있다. 팽윤 처리는, 비아홀이 형성된 적층판을, 60 내지 80℃로 가열한 팽윤액에 5 내지 10분간 침지시킴으로써 실시하는 것이 바람직하다. 산화제 용액으로서는, 알칼리성 과망간산 수용액이 바람직하며, 예를 들면, 수산화나트륨의 수용액에 과망간산칼륨이나 과망간산나트륨을 용해시킨 용액을 들 수 있다. 산화제 용액에 의한 산화 처리는, 팽윤 처리 후의 적층판을, 60 내지 80℃로 가열한 산화제 용액에 10 내지 30분간 침지시킴으로써 실시하는 것이 바람직하다. 알칼리성 과망간산 수용액의 시판품으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬(주) 제조의「콘센트레이트·콤팩트 CP」,「도징솔류션·세큐리간스 P」등을 들 수 있다. 중화액에 의한 중화 처리는, 산화 처리 후의 적층판을, 30 내지 50℃의 중화액에 3 내지 10분간 침지시킴으로써 실시하는 것이 바람직하다. 중화액으로서는, 산성의 수용액이 바람직하며, 시판품으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬(주) 제조의「리덕션솔류션·세큐리간트 P」를 들 수 있다. The procedure and conditions of a desmear process are not specifically limited, The well-known procedure and conditions normally used in manufacture of a printed wiring board are employable. For example, a desmear process can be performed by performing the swelling process by a swelling liquid, the oxidation process by an oxidizing agent solution, and the neutralization process by a neutralizing liquid in this order. As a swelling liquid, "Swelling Deep Securigansu P", "Swelling Deep Securigansu SBU" etc. by Atotech Japan Co., Ltd. product are mentioned, for example. It is preferable to perform a swelling process by immersing the laminated board in which the via hole was formed in the swelling liquid heated to 60-80 degreeC for 5 to 10 minutes. As an oxidizing agent solution, alkaline permanganic acid aqueous solution is preferable, for example, the solution which melt|dissolved potassium permanganate and sodium permanganate in the aqueous solution of sodium hydroxide is mentioned. It is preferable to perform oxidation treatment by an oxidizing agent solution by immersing the laminated board after a swelling process in the oxidizing agent solution heated to 60-80 degreeC for 10 to 30 minutes. As a commercial item of alkaline permanganic acid aqueous solution, "Concentrate Compact CP" and "Dosing Solution Securigans P" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. are mentioned, for example. It is preferable to carry out the neutralization process by a neutralizing liquid by immersing the laminated board after an oxidation process in 30-50 degreeC neutralizing liquid for 3 to 10 minutes. As a neutralizing liquid, acidic aqueous solution is preferable, and as a commercial item, "Reduction Solution Secure P" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. is mentioned, for example.

공정 (C)는, 서브트랙티브법 또는 모디파이드 세미어디티브법에 의해 회로를 형성하는 공정이다. Step (C) is a step of forming a circuit by a subtractive method or a modified semi-additive method.

공정 (C)에 있어서는, 본 발명의 수지 시트 유래의 금속박을 이용하여, 서브트랙티브법 또는 모디파이드 세미어디티브법에 의해 회로를 형성할 수 있다. In a process (C), a circuit can be formed by the subtractive method or a modified semiadditive method using the metal foil derived from the resin sheet of this invention.

서브트랙티브법에 있어서는, 금속박의 불필요 부분(비회로 형성부)을 에칭 등에 의해 선택적으로 제거하여, 회로를 형성한다. 서브트랙티브법에 의한 회로 형성은 공지의 수순에 따라 실시하면 좋다. 예를 들면, 서브트랙티브법에 의한 회로 형성은, i) 적층판의 금속박의 표면(즉, 제2 주면)에 에칭 레지스트를 설치하는 것, ii) 에칭 레지스트를 노광, 현상하여 배선 패턴을 형성하는 것, iii) 노출된 금속박 부분을 에칭하여 제거하는 것, iv) 에칭 레지스트를 제거하는 것을 포함하는 방법에 의해 실시할 수 있다. In the subtractive method, an unnecessary part (non-circuit formation part) of metal foil is selectively removed by etching etc., and a circuit is formed. What is necessary is just to implement circuit formation by a subtractive method according to a well-known procedure. For example, circuit formation by the subtractive method includes i) providing an etching resist on the surface (ie, the second main surface) of the metal foil of the laminate, ii) exposing and developing the etching resist to form a wiring pattern and iii) etching away the exposed metal foil portion, and iv) removing the etching resist.

모디파이드 세미어디티브법에 있어서는, 금속박의 비회로 형성부를 도금 레지스트에 의해 보호하고, 전해 도금에 의해 회로 형성부에 구리 등의 금속을 두껍게 한 후, 도금 레지스트를 제거하고, 회로 형성부 이외의 금속박을 에칭으로 제거하여, 회로를 형성한다. 모디파이드 세미어디티브법에 의한 회로 형성은 공지의 수순에 따라 실시하면 좋다. 예를 들면, 모디파이드 세미어디티브법에 의한 회로 형성은, i) 적층판의 금속박의 표면(즉, 제2 주면)에 도금 레지스트를 설치하는 것, ii) 도금 레지스트를 노광, 현상하여 배선 패턴을 형성하는 것, iii) 도금 레지스트를 개재하여 전해 도금하는 것, iv) 도금 레지스트를 제거하는 것, v) 회로 형성부 이외의 금속박을 에칭하여 제거하는 것을 포함하는 방법에 의해 실시할 수 있다. 또한, 수지 시트 유래의 금속박이 두꺼운 경우에는, 상기 i) 전에, 금속박이 원하는 두께(통상 5㎛ 이하, 4㎛ 이하, 또는 3㎛ 이하)가 되도록 에칭 등에 의해 금속박 전면을 박화해도 좋다. In the modified semi-additive method, the non-circuit forming part of the metal foil is protected with a plating resist, and a metal such as copper is thickened in the circuit forming part by electrolytic plating, then the plating resist is removed, The metal foil is removed by etching to form a circuit. The circuit formation by the modified semiadditive method may be performed according to a known procedure. For example, circuit formation by the modified semi-additive method includes: i) providing a plating resist on the surface (ie, the second main surface) of the metal foil of the laminate, ii) exposing and developing the plating resist to form a wiring pattern forming, iii) electrolytic plating through a plating resist, iv) removing the plating resist, v) etching and removing the metal foil other than the circuit forming portion. In addition, when the metal foil derived from the resin sheet is thick, before i), the entire surface of the metal foil may be thinned by etching or the like so that the metal foil has a desired thickness (usually 5 µm or less, 4 µm or less, or 3 µm or less).

절연층과 회로는 충분한 밀착 강도(필 강도)를 나타내는 것이 요구되고, 일반적으로, 절연층과 회로의 계면 거칠기에 기인하는 앵커 효과에 의해 이러한 밀착성을 수득하고 있다. 그러나, 계면의 요철이 크면, 회로 형성시에 에칭으로 금속박의 불필요부(비회로 형성부)를 제거할 때, 앵커 부분의 금속박이 제거되기 어려우며, 앵커 부분의 금속박을 충분히 제거할 수 있는 조건으로 에칭한 경우, 배선 패턴의 용해가 현저화되어, 회로의 미세화의 방해가 되고 있다. 이 점, 본 발명의 수지 시트에 의하면, 절연층과 회로의 양호한 필 강도를 실현하면서, 표면 조도가 낮은 금속박을 사용하는 것이 가능하다. 이로 인해, 본 발명의 수지 시트를 사용하여 수득되는 적층판에서는, 금속박과 절연층의 계면 거칠기가 낮고, 배선 패턴의 용해없이, 금속박의 불필요 부분(비회로 형성부)을 에칭에 의해 용이하게 제거할 수 있다. It is calculated|required that an insulating layer and a circuit show sufficient adhesive strength (peel strength), and this adhesiveness is generally obtained by the anchor effect resulting from the interface roughness of an insulating layer and a circuit. However, if the surface irregularities are large, when removing the unnecessary portion (non-circuit forming portion) of the metal foil by etching during circuit formation, it is difficult to remove the metal foil from the anchor portion, and the condition is sufficient to remove the metal foil from the anchor portion. In the case of etching, the dissolution of the wiring pattern is remarkable, which hinders the miniaturization of the circuit. According to this point and the resin sheet of this invention, it is possible to use metal foil with a low surface roughness, realizing the favorable peeling strength of an insulating layer and a circuit. For this reason, in the laminate obtained by using the resin sheet of the present invention, the interface roughness between the metal foil and the insulating layer is low, and the unnecessary portion (non-circuit forming portion) of the metal foil can be easily removed by etching without dissolving the wiring pattern. can

본 발명에 있어서는, 미세한 회로를 형성할 수 있다. 예를 들면, 회로폭(라인; L)과 회로간의 폭(스페이스; S)의 비(L/S)가 35㎛/35㎛ 이하(즉, 배선 피치 70㎛ 이하)의 회로를 제조 수율 양호하게 형성할 수 있다. 또한, L/S=30㎛/30㎛ 이하(배선 피치 60㎛ 이하), L/S=25㎛/25㎛ 이하(배선 피치 50㎛ 이하), 또는 L/S=20㎛/20㎛ 이하(배선 피치 40㎛ 이하)의 미세한 회로를 제조 수율 양호하게 형성할 수 있다. In the present invention, a fine circuit can be formed. For example, a circuit having a circuit width (line; L) and a circuit width (space; S) ratio (L/S) of 35 µm/35 µm or less (ie, wiring pitch 70 µm or less) can be manufactured with good yield can be formed Further, L/S = 30 µm/30 µm or less (wiring pitch 60 µm or less), L/S = 25 µm/25 µm or less (wiring pitch 50 µm or less), or L/S = 20 µm/20 µm or less ( A fine circuit having a wiring pitch of 40 µm or less) can be formed with good manufacturing yield.

본 발명의 적층판은, 이의 제조 방법이나 구조(회로 형성의 유무, 사용하는 내층 기판의 종류 등)에 따라, 다양한 용도에 사용할 수 있다. 예를 들면, 프린트 배선판의 제조에 사용되는 금속장(金屬張) 적층판이나 내층 회로 기판으로서 사용해도 좋고, 프린트 배선판으로서 사용해도 좋다. The laminate of the present invention can be used for various purposes depending on its manufacturing method and structure (the presence or absence of circuit formation, the type of inner-layer substrate to be used, etc.). For example, it may be used as a metal clad laminated board used for manufacture of a printed wiring board, or an inner-layer circuit board, and may be used as a printed wiring board.

[반도체 장치][Semiconductor device]

본 발명의 적층판으로 이루어지는 프린트 배선판을 사용하여, 또는 본 발명의 적층판을 사용하여 제조된 프린트 배선판을 사용하여, 반도체 장치를 제조할 수 있다. A semiconductor device can be manufactured using the printed wiring board which consists of the laminated board of this invention, or using the printed wiring board manufactured using the laminated board of this invention.

반도체 장치로서는, 전기 제품(예를 들면, 컴퓨터, 휴대전화, 디지털카메라 및 텔레비젼 등) 및 탈것(예를 들면, 자동이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다. Examples of the semiconductor device include various semiconductor devices provided for electric products (eg, computers, mobile phones, digital cameras, televisions, etc.) and vehicles (eg, motorcycles, automobiles, trams, ships and airplanes, etc.). there is.

본 발명의 반도체 장치는, 프린트 배선판의 도통 개소(導通箇所)에, 부품(반도체 칩)을 실장함으로써 제조할 수 있다. 「도통 개소」란,「프린트 배선판에 있어서의 전기 신호를 전달하는 개소」로서, 그 장소는 표면이라도, 매립된 개소라도 어느 것이라도 상관없다. 또한, 반도체 칩은 반도체를 재료로 하는 전기 회로 소자이면 특별히 한정되지 않는다. The semiconductor device of this invention can be manufactured by mounting a component (semiconductor chip) in the conduction|electrical_connection location of a printed wiring board. A "conduction location" is "a location through which an electric signal is transmitted in a printed wiring board", and the location may be a surface, a buried location, or any. In addition, a semiconductor chip will not be specifically limited if it is an electric circuit element which uses a semiconductor as a material.

본 발명의 반도체 장치를 제조할 때의 반도체 칩의 실장 방법은, 반도체 칩이 유효하게 기능하기만 하면, 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는, 와이어 본딩 실장 방법, 플립칩 실장 방법, 범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법, 이방성 도전 필름(ACF)에 의한 실장 방법, 비도전성 필름(NCF)에 의한 실장 방법 등을 들 수 있다. 여기서,「범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법」이란,「반도체 칩을 프린트 배선판의 오목부에 직접 매립하여, 반도체 칩과 프린트 배선판 위의 배선을 접속시키는 실장 방법」을 말한다. Although the semiconductor chip mounting method at the time of manufacturing the semiconductor device of this invention is not specifically limited as long as the semiconductor chip functions effectively, Specifically, a wire bonding mounting method, a flip chip mounting method, and a bumpless build-up layer The mounting method by (BBUL), the mounting method by an anisotropic conductive film (ACF), the mounting method by a nonelectroconductive film (NCF), etc. are mentioned. Here, "a mounting method using a bumpless build-up layer (BBUL)" refers to a "mounting method in which a semiconductor chip is directly embedded in a recess of a printed wiring board to connect the semiconductor chip and wiring on the printed wiring board".

[실시예][Example]

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 기재에 있어서,「부」및「%」는, 별도 명시가 없는 한, 각각「질량부」및「질량%」를 의미한다. Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited to these Examples. In the following description, "parts" and "%" mean "parts by mass" and "% by mass", respectively, unless otherwise specified.

<측정 방법·평가 방법><Measuring method and evaluation method>

우선은 각종 측정 방법·평가 방법에 관해서 설명한다. First, various measurement methods and evaluation methods are demonstrated.

〔측정·평가용 기판의 조제〕[Preparation of substrate for measurement and evaluation]

(1) 내층 기판의 하지(下地) 처리(1) Treatment of the underlying substrate of the inner layer substrate

유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(구리박의 두께 18㎛, 기판의 두게 0.4mm, 255mm×340mm 사이즈, 파나소닉(주) 제조「R1515A」)의 양면을, 마이크로에칭제(멕(주) 제조「CZ8100」)로 1㎛ 에칭하여 구리 표면의 조화 처리를 실시하였다. Both sides of the glass cloth base epoxy resin double-sided copper-clad laminate (copper foil thickness 18 μm, substrate thickness 0.4 mm, 255 mm × 340 mm size, Panasonic Co. CZ8100"), 1 µm was etched to roughen the copper surface.

(2) 적층판의 제작(2) Production of laminated board

하기 제작예에서 제작한 수지 시트를 250mm×335mm 사이즈로 커트하였다. 이어서, 당해 수지 시트 2장 사이에, 수지층과 내층 기판이 접합하도록, 내층 기판을 배치하고, 진공 열 프레스 처리(실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 4) 또는 진공 라미네이트 처리(실시예 4)에 의해 일괄 성형하여, 금속박/절연층/내층 기판/절연층/금속박의 층 구성을 갖는 적층판을 수득하였다. 진공 열 프레스 처리 및 진공 라미네이트 처리는, 이하의 수순에 따라 실시하였다. The resin sheet produced in the following Production Example was cut to a size of 250 mm x 335 mm. Next, the inner layer substrate is disposed between the two resin sheets so that the resin layer and the inner layer substrate are bonded, and vacuum hot press treatment (Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 4) or vacuum lamination treatment (Example 4) ) to obtain a laminate having a layer structure of metal foil/insulating layer/inner layer substrate/insulating layer/metal foil. The vacuum hot press process and the vacuum lamination process were performed according to the following procedure.

(2A) 진공 열 프레스 처리(2A) vacuum heat press processing

진공 열 프레스 처리는, 진공 열 프레스 장치(키타가와세이키(주) 제조「VH1-1603」)를 사용하여 실시하였다. 상세하게는, 하기 적층 구조를 준비하고, 당해 적층 구조를 진공 열 프레스 장치로 진공 열 프레스 처리하였다. The vacuum hot press process was performed using a vacuum hot press apparatus ("VH1-1603" manufactured by Kitagawa Seiki Co., Ltd.). Specifically, the following laminated structure was prepared, and the laminated structure was subjected to a vacuum hot press process with a vacuum hot press apparatus.

적층 구조: 쿠션지/SUS판/이형 시트/수지 시트(금속박/수지층)/내층 기판/수지 시트(수지층/금속박)/이형 시트/SUS판/쿠션지Laminate structure: cushion paper/SUS plate/release sheet/resin sheet (metal foil/resin layer)/inner layer substrate/resin sheet (resin layer/metal foil)/release sheet/SUS plate/cushion paper

쿠션지로서는 아와세이시(주) 제조「AACP-9N」(두께 800㎛)을 사용하고, 이형 필름으로서는 아사히가라스(주) 제조「아프렉스 50N NT」(두께 50㎛)을 사용하였다. 또한, SUS판의 두께는 1㎛이었다. As the cushion paper, "AACP-9N" (thickness: 800 µm) manufactured by Awasei City Co., Ltd. was used, and as the release film, "Aprex 50N NT" (thickness: 50 µm) manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. was used. In addition, the thickness of the SUS plate was 1 micrometer.

진공 열 프레스 처리의 조건은 하기와 같다. The conditions of the vacuum heat press treatment are as follows.

온도: 승온 속도 5℃/분으로 실온(상온)에서부터 표 2에 기재된 온도(T)까지 승온시키고, 온도(T)에서 60분간 유지하고, 그 후, 강온 속도 5℃/분으로 온도(T)에서부터 실온까지 강온Temperature: The temperature is raised from room temperature (room temperature) to the temperature (T) shown in Table 2 at a temperature increase rate of 5°C/min, held at the temperature (T) for 60 minutes, and thereafter, the temperature (T) at a temperature decrease rate of 5°C/min. temperature down to room temperature

압력(가압력): 온도가 약 125℃가 된 시점에서 가압력을 30kgf/㎠(2.9MPa)로 하고 이것을 강온 종료시까지 유지Pressure (pressing force): When the temperature reaches about 125°C, the pressing force is set to 30 kgf/cm 2 (2.9 MPa), and this is maintained until the temperature drop is finished.

분위기의 압력: 70 내지 74mmHg(9.3×10-3MPa 내지 9.9×10-3MPa)Atmospheric pressure: 70 to 74 mmHg (9.3×10 -3 MPa to 9.9×10 -3 MPa)

(2B) 진공 라미네이트 처리(2B) vacuum lamination

진공 라미네이트 처리는, 뱃치식 진공 가압 라미네이터(니치고·모튼(주) 제조의 2스테이지 빌드업 라미네이터「CVP7001」)를 사용하여 실시하였다. 상세하게는, 수지층과 내층 기판이 접합하도록, 내층 기판의 양면에 수지 시트를 진공 라미네이트 처리하였다. 진공 라미네이트 처리는, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 100℃, 압력 0.74MPa로 30초간 프레스함으로써 실시하였다. 이어서, 적층된 수지 시트를, 대기압하, 100℃, 압력 0.5MPa로 60초간 프레스하여 평활화하였다. 평활화 후, 수지층을 180℃, 60분간의 조건으로 열경화시켜 절연층을 형성하였다. The vacuum lamination process was performed using the batch type vacuum pressurization laminator (2-stage build-up laminator "CVP7001" manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.). Specifically, the resin sheet was vacuum laminated on both surfaces of the inner layer substrate so that the resin layer and the inner layer substrate were bonded. After vacuum lamination process pressure-reduced for 30 second and air pressure was 13 hPa or less, 100 degreeC and pressure 0.74 Mpa were performed by pressing for 30 second. Next, the laminated resin sheet was smoothed by pressing for 60 seconds under atmospheric pressure at 100°C and at a pressure of 0.5 MPa. After smoothing, the resin layer was thermosetted at 180° C. for 60 minutes to form an insulating layer.

(3) 회로 형성(3) circuit formation

적층판의 금속박(구리박)을 이용하여, 서브트랙티브법(실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 4) 또는 모디파이드 세미어디티브법(실시예 4)에 의해 회로를 형성하였다. A circuit was formed by a subtractive method (Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 4) or a modified semiadditive method (Example 4) using the metal foil (copper foil) of the laminate.

(3A) 서브트랙티브법(3A) Subtractive method

(3A-1) 드라이 필름의 현상(3A-1) Dry film development

적층판 표면을 5% 황산 수용액으로 30초간 처리하였다. 수득된 적층판의 양면에, PET 필름 부착 드라이 필름(니치고·모튼(주) 제조「ALPHO NIT3025」, 드라이 필름의 두께 25㎛)을, 드라이 필름이 적층판과 접합하도록, 뱃치식 진공 가압 라미네이터((주)메이키세사쿠쇼 제조「MVLP-500」)를 사용하여 적층하였다. 적층은, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 온도 70℃, 압력 0.1MPa로 20초간 프레스함으로써 실시하였다. The surface of the laminate was treated with 5% sulfuric acid aqueous solution for 30 seconds. On both sides of the obtained laminated board, a dry film with PET film ("ALPHO NIT3025" manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd., dry film thickness of 25 µm) was applied to both sides of the obtained laminated board, and a batch vacuum pressurized laminator (( Note) It was laminated using "MVLP-500" manufactured by Meiki Sesakusho). After lamination|stacking was pressure-reduced for 30 second, and atmospheric|air pressure was 13 hPa or less, it performed by pressing for 20 second at the temperature of 70 degreeC and the pressure of 0.1 Mpa.

그 후, 배선 패턴(상세하게는 이하에 나타낸다)을 형성한 유리 마스크(포토마스크)를, 드라이 필름의 보호층인 PET 필름 위에 배치하고, UV 램프에 의해 조사 강도 150mJ/㎠로 자외광을 조사하였다. UV 조사 후, 30℃의 1% 탄산나트륨 수용액을 분사압 0.15MPa로 30초간 스프레이 처리하였다. 그 후, 수세하여, 드라이 필름의 현상(패턴 형성)을 실시하였다. Thereafter, a glass mask (photomask) having a wiring pattern (shown below in detail) is placed on the PET film as a protective layer of the dry film, and ultraviolet light is irradiated with an irradiation intensity of 150 mJ/cm 2 by means of a UV lamp. did After UV irradiation, a 1% sodium carbonate aqueous solution at 30° C. was spray-treated at a spray pressure of 0.15 MPa for 30 seconds. Then, it washed with water and developed the dry film (pattern formation).

유리 마스크의 배선 패턴:Wiring pattern for glass mask:

하기 i) 내지 iv)의 빗살 패턴을 각 10개, 하기 v)의 구리 베타 패턴을 5개 갖는 유리 마스크를 사용하였다. 또한, 하기 i) 내지 iv)의 빗살 패턴은 미세 회로 형성능의 평가용, 하기 v)의 구리 베타 패턴은 절연층과 금속박(구리박)의 필 강도 측정용이다. A glass mask having 10 comb teeth patterns of the following i) to iv) and 5 copper beta patterns of the following v) was used. In addition, the comb pattern of the following i) to iv) is for evaluation of the fine circuit forming ability, and the copper beta pattern of the following v) is for measuring the peeling strength of an insulating layer and metal foil (copper foil).

i) L/S=20㎛/20㎛, 즉 배선 피치 40㎛의 빗살 패턴(배선 길이 15mm, 16라인)i) L/S = 20㎛/20㎛, that is, a comb pattern with a wiring pitch of 40㎛ (wiring length 15mm, 16 lines)

ii) L/S=25㎛/25㎛, 즉 배선 피치 50㎛의 빗살 패턴(배선 길이 15mm, 16라인)ii) L/S = 25㎛/25㎛, that is, a comb pattern with a wiring pitch of 50㎛ (wiring length 15mm, 16 lines)

iii) L/S=30㎛/30㎛, 즉 배선 피치 60㎛의 빗살 패턴(배선 길이 15mm, 16라인)iii) L/S = 30㎛/30㎛, that is, a comb pattern with a wiring pitch of 60㎛ (wiring length 15mm, 16 lines)

iv) L/S=35㎛/35㎛, 즉 배선 피치 70㎛의 빗살 패턴(배선 길이 15mm, 16라인)iv) L/S = 35㎛/35㎛, that is, a comb pattern with a wiring pitch of 70㎛ (wiring length 15mm, 16 lines)

v) 폭 10mm, 길이 150mm의 구리 베타 패턴v) Copper beta pattern 10mm wide and 150mm long

(3A-2) 회로의 형성(3A-2) Formation of circuit

이어서, 염화제2구리계 에칭액(염화제2구리: 1×103mol/㎥, 염산: 2.9×103mol/㎥)을 사용하여, 40℃에서 수평 스프레이 처리하고, 구리박을 에칭하여, 회로를 형성하였다. 그 후, 50℃의 3% 수산화나트륨 용액을 분사압 0.2MPa로 스프레이 처리하여, PET 부착 드라이 필름을 박리하였다. Then, using a cupric chloride-based etching solution (copper chloride: 1 × 10 3 mol/m 3 , hydrochloric acid: 2.9 × 10 3 mol/m 3 ), horizontal spray treatment is performed at 40° C., and the copper foil is etched, A circuit was formed. Then, the 50 degreeC 3% sodium hydroxide solution was spray-processed by 0.2 MPa of injection pressure, and the dry film with PET was peeled.

(3B) 모디파이드 세미어디티브법(3B) Modified semiadditive method

(3B-1) 구리박의 에칭(3B-1) Copper foil etching

적층판의 구리박에 대해, 염화제2구리계 에칭액을 사용하여, 구리박의 두께가 약 3㎛이 되도록 전면 에칭하였다. With respect to the copper foil of a laminated board, it etched all over so that the thickness of copper foil might be set to about 3 micrometers using cupric chloride type etching liquid.

(3B-2) 드라이 필름의 현상(3B-2) Dry film development

이어서, 상기 (3A-1)과 같이 하여, 드라이 필름의 현상(패턴 형성)을 실시하였다. Next, development (pattern formation) of the dry film was performed in the same manner as in (3A-1) above.

(3B-3) 전해 도금(3B-3) Electrolytic plating

드라이 필름 현상 후, 전해 구리 도금을 실시하여, 두께 약 17㎛의 도체층(구리층)을 형성하였다(수지 시트 유래의 구리박과의 합계 두께는 약 20㎛). After dry film development, electrolytic copper plating was performed to form a conductor layer (copper layer) with a thickness of about 17 µm (total thickness with copper foil derived from a resin sheet was about 20 µm).

(3B-4) 회로의 형성(3B-4) Formation of circuit

이어서, 50℃의 3% 수산화나트륨 용액을 분사압 0.2MPa로 스프레이 처리하고, PET 필름 부착 드라이 필름을 박리하였다. 190℃에서 60분간 가열하여 어닐 처리를 실시한 후, 플래쉬 에칭용 에천트(료코가가쿠(주) 제조「CPE-800D」)를 사용하여, 30℃에서 수평 스프레이 처리하고, 불필요한 구리박(수지 시트 유래의 구리박)을 제거함으로써 회로를 형성하였다. Next, the 50 degreeC 3% sodium hydroxide solution was spray-processed by 0.2 MPa of injection pressure, and the dry film with PET film was peeled. After performing annealing treatment by heating at 190°C for 60 minutes, horizontal spray treatment was performed at 30°C using an etchant for flash etching (“CPE-800D” manufactured by Ryoko Chemical Co., Ltd.), and unnecessary copper foil (resin sheet) The circuit was formed by removing the derived copper foil).

<금속박 표면의 산술 평균 거칠기(Ra)의 측정><Measurement of arithmetic mean roughness (Ra) of metal foil surface>

하기 제작예에서 사용한 금속박에 관해서, 비접촉형 표면 거칠기계(비코인스트루먼트사 제조「WYKO NT3300」)를 사용하여, VSI 콘택트 모드, 50배 렌즈에 의해 측정 범위를 121㎛×92㎛로 하여 수득되는 수치에 의해 Ra값을 구하였다. 각 샘플에 관해서 무작위로 선택한 10점의 평균값을 구하였다. Numerical values obtained with respect to the metal foil used in the following production examples, using a non-contact type surface roughness meter (“WYKO NT3300” manufactured by BCoin Instruments), VSI contact mode, 50x lens, measuring range of 121 μm × 92 μm to obtain the Ra value. For each sample, an average value of 10 randomly selected points was obtained.

<수지층의 최저 용융 점도의 측정><Measurement of Minimum Melt Viscosity of Resin Layer>

하기 제작예에서 제작한 수지 시트의 수지층에 관해서, 동적 점탄성 측정 장치((주)유·비·엠 제조「Rheosol-G3000」)를 사용하여 용융 점도를 측정하였다. 시료 수지 조성물 1g에 관해서, 직경 18mm의 패러렐 플레이트를 사용하여, 개시 온도 60℃에서 200℃까지 승온 속도 5℃/분으로 승온시키고, 측정 온도 간격 2.5℃, 진동수 1Hz, 변형 1deg의 측정 조건으로 동적 점탄성율을 측정하여, 최저 용융 점도(포이즈)를 산출하였다. About the resin layer of the resin sheet produced in the following preparation example, melt viscosity was measured using the dynamic viscoelasticity measuring apparatus ("Rheosol-G3000" manufactured by U.B.M.). For 1 g of the sample resin composition, using a parallel plate having a diameter of 18 mm, the temperature was raised from the starting temperature of 60 ° C. to 200 ° C. at a temperature increase rate of 5 ° C./min. The viscoelastic modulus was measured and the lowest melt viscosity (poise) was calculated.

<절연층과 회로의 필 강도의 측정><Measurement of Peel Strength of Insulation Layer and Circuit>

(1) HAST 전의 필 강도(1) Peel strength before HAST

측정·평가용 기판의 구리 베타 패턴 부분(폭 10mm, 길이 150mm)의 일단(一端)을 벗겨 집게로 집고, 실온 중에서, 50mm/분의 속도로 수직 방향으로 35mm를 잡아 뗐을 때의 하중(kgf/cm)을 측정하였다. 측정에는, 인장 시험기((주)TSE 제조의 오토콤형 시험기「AC-50C-SL」)를 사용하였다. 표 2에는 구리 베타 패턴 5개에 관한 평균값을 나타낸다. The load (kgf) when peeling off one end of the copper beta pattern portion (width 10 mm, length 150 mm) of the substrate for measurement and evaluation, and holding it with tongs, and pulling 35 mm in the vertical direction at a speed of 50 mm/min at room temperature (kgf) /cm) was measured. A tensile tester (Autocom type tester "AC-50C-SL" manufactured by TSE Corporation) was used for the measurement. Table 2 shows the average value for 5 copper beta patterns.

HAST 전에 양호한 필 강도(0.5kgf.cm 이상)를 나타낸 기판에 관해서, HAST 후의 필 강도의 측정 및 미세 회로 형성능의 평가를 실시하였다. About the board|substrate which showed favorable peeling strength (0.5 kgf.cm or more) before HAST, the measurement of the peeling strength after HAST and evaluation of the fine circuit formation ability were performed.

(2) HAST 후의 필 강도(2) Peel strength after HAST

측정·평가용 기판을, 고도 가속 수명 시험 장치(쿠스모토가세이(주) 제조「PM422」)를 사용하여, 130℃, 85%RH의 조건으로 100시간의 고도 가속 고온 고습 수명 장치(HAST)를 실시하였다. HAST 후에, 상기 (1)과 같은 방법으로 필 강도를 측정하였다. 표 2에는 구리 베타 패턴 5개에 관한 평균값을 기재한다. High-accelerated high-temperature, high-humidity lifetime device (HAST) for 100 hours under conditions of 130°C and 85% RH, using a highly accelerated life tester (“PM422” manufactured by Kusumoto Chemical Co., Ltd.) for the substrate for measurement and evaluation was carried out. After HAST, the peel strength was measured in the same manner as in (1) above. Table 2 lists the average values for five copper beta patterns.

<미세 회로 형성능의 평가><Evaluation of microcircuit forming ability>

측정·평가용 기판의 상기 i) 내지 iv)의 빗살 패턴에 관해서, 회로의 박리 유무를 광학 현미경으로 확인하는 동시에, 불필요한 구리박의 잔사 유무를 빗살 패턴의 절연 저항을 측정함으로써 확인하였다. 그리고, 빗살 패턴 10개 전체에 관해서 문제가 없었던 경우에 합격이라고 판정하였다. 미세 회로 형성능은, 합격이라고 판정된 최소의 배선 피치에 의해 평가하였다. 당해 평가에 있어서는, 합격이라고 판정된 최소의 배선 피치가 작을수록, 미세 회로 형성능이 우수해진다. Regarding the comb pattern of the above i) to iv) of the substrate for measurement and evaluation, the presence or absence of peeling of the circuit was confirmed with an optical microscope, and the presence or absence of unnecessary copper foil residue was confirmed by measuring the insulation resistance of the comb pattern. And when there was no problem with respect to all 10 comb-tooth patterns, it judged as passing. The fine circuit formation ability was evaluated by the minimum wiring pitch judged as passing. In the said evaluation, it is excellent in the fine circuit formation ability, so that the minimum wiring pitch judged as pass is small.

<조제예 1> 수지 바니쉬 1의 조제<Preparation Example 1> Preparation of resin varnish 1

비스페놀형 에폭시 수지(신닛테츠스미킨가가쿠(주) 제조「ZX1059」, 에폭시 당량 약 169, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품) 5부, 비크실레놀형 에폭시 수지(미쯔비시가가쿠(주) 제조「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185) 10부, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC(주) 제조「HP7200HH」, 에폭시 당량 280) 10부, 및 페녹시 수지(미쯔비시가가쿠(주) 제조「YL7553BH30」, 고형분 30질량%의 사이클로헥산온: MEK의 1:1 용액) 20부를, 솔벤트나프타 25부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 실온으로까지 냉각시킨 후, 거기에, 활성 에스테르계 경화제(DIC(주) 제조「HPC8000-65T」, 활성기 당량 약 223, 불휘발 성분 65질량%의 톨루엔 용액) 30부, 아민계 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부, 이미다졸계 경화 촉진제(미쯔비시가가쿠(주) 제조「P200H50」, 이미다졸-에폭시 수지의 어덕트체, 불휘발 성분 50질량%의 프로필렌글리콜모노메틸에테르 용액) 1.5부, 난연제(산코(주) 제조「HCA-HQ」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 평균 입자 직경 2㎛) 2부, 아미노실란계 커플링제(신에츠가가쿠고교(주) 제조「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카((주)아도마텍스 제조「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5㎛, 단위 표면적당 카본 양 0.38mg/㎡) 120부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산시켜, 수지 바니쉬 1을 조제하였다. 5 parts of bisphenol type epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Shin-Nittetsu Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent about 169, 1:1 mixture of bisphenol A type and bisphenol F type) 5 parts, bixylenol type epoxy resin (Mitsubishi Chemical) Co., Ltd. "YX4000HK", epoxy equivalent about 185) 10 parts, dicyclopentadiene type epoxy resin (DIC Co., Ltd. "HP7200HH", epoxy equivalent 280) 10 parts, and phenoxy resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) 20 parts of manufacture "YL7553BH30", cyclohexanone with a solid content of 30 mass %: 1:1 solution of MEK) were dissolved by heating while stirring in 25 parts of solvent naphtha. After cooling to room temperature, 30 parts of an active ester curing agent (“HPC8000-65T” manufactured by DIC Corporation, an active group equivalent of about 223, a toluene solution containing 65% by mass of a nonvolatile component) 30 parts, an amine curing accelerator (4 -Dimethylaminopyridine (DMAP), MEK solution with a solid content of 5% by mass) 3 parts, imidazole-based curing accelerator (“P200H50” manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., adduct body of imidazole-epoxy resin, nonvolatile component 50 1.5 parts of propylene glycol monomethyl ether solution in mass%), flame retardant (“HCA-HQ” manufactured by Sanko Co., Ltd., 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-hydro-9-oxa-10-phos Parphenanthrene-10-oxide, average particle diameter 2 μm) 2 parts, spherical silica surface-treated with an aminosilane-based coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (manufactured by Adomatex Co., Ltd.) SO-C2", average particle diameter 0.5 micrometer, carbon amount per unit surface area 0.38 mg/m2) 120 parts were mixed, and it disperse|distributed uniformly with a high-speed rotary mixer, and resin varnish 1 was prepared.

<조제예 2> 수지 바니쉬 2의 조제<Preparation Example 2> Preparation of resin varnish 2

비스페놀형 에폭시 수지(신닛테츠스미킨가가쿠(주) 제조「ZX1059」, 에폭시 당량 약 169, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품) 5부, 비크실레놀형 에폭시 수지(미쯔비시가가쿠(주) 제조「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185) 10부, 비페닐형 에폭시 수지(니혼가야쿠(주) 제조「NC3000L」, 에폭시 당량 269) 10부, 및 페녹시 수지(미쯔비시가가쿠(주) 제조「YL7553BH30」, 고형분 30질량%의 사이클로헥산온:MEK의 1:1 용액) 15부를, 솔벤트나프타 30부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 실온으로까지 냉각시킨 후, 거기에, 활성 에스테르계 경화제(DIC(주) 제조「HPC8000-65T」, 활성기 당량 약 223, 불휘발 성분 65질량%의 톨루엔 용액) 10부, 트리아진 구조 함유 페놀계 경화제(수산기 당량 151, DIC(주) 제조「LA-3018」, 고형분 50%의 2-메톡시프로판올 용액) 10부, 아민계 경화 촉진제(DMAP, 고형분 5질량%의 MEK 용액) 2부, 이미다졸계 경화 촉진제(미쯔비시가가쿠(주) 제조「P200H50」, 이미다졸-에폭시 수지의 어덕트체, 불휘발 성분 50질량%의 프로필렌글리콜모노메틸에테르 용액) 1.8부, 난연제(산코(주) 제조「HCA-HQ」, 평균 입자 직경 2㎛) 2부, 아미노실란계 커플링제(신에츠가가쿠고교(주) 제조「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카((주)아도마텍스 제조「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5㎛, 단위 표면적당 카본 양 0.38mg/㎡) 80부, 아미노실란계 커플링제(신에츠가가쿠고교(주) 제조「KBM573」)로 표면 처리된 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-8」, 평균 입자 직경 2.2㎛, 단위 표면적당 카본 양 0.29mg/㎡) 60부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산시켜, 수지 바니쉬 2를 조제하였다. 5 parts of bisphenol type epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Shin-Nittetsu Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent about 169, 1:1 mixture of bisphenol A type and bisphenol F type) 5 parts, bixylenol type epoxy resin (Mitsubishi Chemical) Co., Ltd. "YX4000HK", epoxy equivalent about 185) 10 parts, biphenyl type epoxy resin ("NC3000L" manufactured by Nippon Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent 269) 10 parts, and phenoxy resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) 15 parts of manufacture "YL7553BH30", 1:1 solution of cyclohexanone:MEK with a solid content of 30 mass %) were heat-dissolved, stirring 30 parts of solvent naphtha. After cooling to room temperature, thereto, 10 parts of an active ester curing agent (“HPC8000-65T” manufactured by DIC Co., Ltd., an active group equivalent of about 223, a toluene solution containing 65% by mass of a nonvolatile component), a triazine structure-containing phenolic Hardening agent (hydroxyl equivalent 151, DIC Co., Ltd. "LA-3018", 50% solid content 2-methoxypropanol solution) 10 parts, amine curing accelerator (DMAP, 5 mass % solid MEK solution) 2 parts already Dazole-based curing accelerator (“P200H50” manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., adduct body of imidazole-epoxy resin, propylene glycol monomethyl ether solution containing 50% by mass of nonvolatile component) 1.8 parts, flame retardant (Sanko Co., Ltd.) “HCA-HQ”, average particle diameter 2 μm) 2 parts, spherical silica surface-treated with an aminosilane-based coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “SO- C2", average particle diameter 0.5㎛, carbon amount per unit surface area 0.38mg/m2) 80 parts, silica surface-treated with aminosilane-based coupling agent ("KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (manufactured by Unimin) IMSIL A-8", average particle diameter 2.2 µm, carbon amount per unit surface area 0.29 mg/m 2) 60 parts were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare resin varnish 2.

<조제예 3> 수지 바니쉬 3의 조제<Preparation Example 3> Preparation of resin varnish 3

비스페놀형 에폭시 수지(신닛테츠스미킨가가쿠(주) 제조「ZX1059」, 에폭시 당량 약 169, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품) 3부, 나프탈렌형 에폭시 수지(DIC(주) 제조「HP4032SS」, 에폭시 당량 약 144) 5부, 비크실레놀형 에폭시 수지(미쯔비시가가쿠(주) 제조「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185) 10부, 비페닐형 에폭시 수지(니혼가야쿠(주) 제조「NC3000L」, 에폭시 당량 269) 10부를, 솔벤트나프타 15부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 실온으로까지 냉각시킨 후, 거기에, 트리아진 구조 함유 페놀계 경화제(수산기 당량 125, DIC(주) 제조「LA-7054」, 고형분 60%의 MEK 용액) 12부, 페놀노볼락계 경화제(수산기 당량 105, DIC(주) 제조「TD-2090」, 고형분 60%의 MEK 용액) 10부, 폴리비닐부티랄 수지(유리 전이 온도 105℃, 세키스이가가쿠고교(주) 제조「KS-1」, 고형분 15%의 에탄올:톨루엔의 1:1 용액) 15부, 아민계 경화 촉진제(DMAP, 고형분 5질량%의 MEK 용액) 1부, 이미다졸계 경화 촉진제(미쯔비시가가쿠(주) 제조「P200H50」, 이미다졸-에폭시 수지의 어덕트체, 불휘발 성분 50질량%의 프로필렌글리콜모노메틸에테르 용액) 2부, 난연제(산코(주) 제조「HCA-HQ」, 평균 입자 직경 2㎛) 2부, 아미노실란계 커플링제(신에츠가가쿠고교(주) 제조「KBM573」)로 표면 처리된 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-8」, 평균 입자 직경 2.2㎛, 단위 표면적당 카본 양 0.29mg/㎡) 90부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산시켜, 수지 바니쉬 3을 조제하였다. 3 parts of bisphenol type epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Shin-Nittetsu Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent about 169, 1:1 mixture of bisphenol A type and bisphenol F type) 3 parts, naphthalene type epoxy resin (DIC Ltd.) "HP4032SS", epoxy equivalent about 144) 5 parts, bixylenol type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent about 185) 10 parts, biphenyl type epoxy resin (manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd.) "NC3000L", 10 parts of epoxy equivalent 269) were heat-dissolved, stirring 15 parts of solvent naphtha. After cooling to room temperature, 12 parts of a phenolic curing agent containing a triazine structure (hydroxyl equivalent of 125, “LA-7054” manufactured by DIC Corporation, MEK solution having a solid content of 60%), a phenol novolac curing agent (hydroxyl group) Equivalent 105, “TD-2090” manufactured by DIC Co., Ltd., MEK solution with a solid content of 60%) 10 parts, polyvinyl butyral resin (glass transition temperature 105° C., “KS-1” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) , 15% solid content ethanol:toluene 1:1 solution) 15 parts, amine-based curing accelerator (DMAP, MEK solution with 5 mass% solid content) 1 part, imidazole-based curing accelerator (Mitsubishi Chemical Co., Ltd. “P200H50”) , imidazole-epoxy resin adduct, propylene glycol monomethyl ether solution containing 50 mass% of nonvolatile components) 2 parts, flame retardant (“HCA-HQ” manufactured by Sanko Co., Ltd., average particle diameter 2 μm) 2 parts , silica surface-treated with an aminosilane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (“IMSIL A-8” manufactured by Unimin, average particle diameter of 2.2 μm, carbon content per unit surface area 0.29 mg/m2 ) 90 parts were mixed, it was made to disperse|distribute uniformly with a high-speed rotation mixer, and the resin varnish 3 was prepared.

<조제예 4>(수지 바니쉬 4의 조제)<Preparation example 4> (Preparation of resin varnish 4)

비스페놀형 에폭시 수지(신닛테츠스미킨가가쿠(주) 제조「ZX1059」, 에폭시 당량 약 169, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품) 5부, 나프탈렌형 에폭시 수지(DIC(주) 제조「HP4032SS」, 에폭시 당량 약 144) 5부, 비크실레놀형 에폭시 수지(미쯔비시가가쿠(주) 제조「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185) 10부, 비페닐형 에폭시 수지(니혼가야쿠(주) 제조「NC3000L」, 에폭시 당량 269) 10부, 및 페녹시 수지(미쯔비시가가쿠(주) 제조「YL7553BH30」, 고형분 30질량%의 사이클로헥산온:MEK의 1:1 용액) 10부를, 솔벤트나프타 15부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 실온으로까지 냉각시킨 후, 거기에, 트리아진 구조 함유 페놀계 경화제(수산기 당량 125, DIC(주) 제조「LA-7054」, 고형분 60%의 MEK 용액) 12부, 나프탈렌계 경화제(신닛테츠스미킨가가쿠(주) 제조「SN-485」, 수산기 당량 215, 고형분 60%의 MEK 용액) 10부, 폴리비닐부티랄 수지(유리 전이 온도 105℃, 세키스이가가쿠고교(주) 제조「KS-1」, 고형분 15%의 에탄올:톨루엔의 1:1 용액) 10부, 이미다졸계 경화 촉진제(1-벤질-2-페닐이미다졸(1B2PZ), 고형분 5%의 MEK 용액) 1.5부, 난연제(산코(주) 제조「HCA-HQ」, 평균 입자 직경 2㎛) 2부, 아미노실란계 커플링제(신에츠가가쿠고교(주) 제조「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카((주)아도마텍스 제조「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5㎛, 단위 표면적당 카본 양 0.38mg/㎡) 90부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산시켜, 수지 바니쉬 4를 조제하였다. 5 parts of bisphenol type epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Shin-Nittetsu Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent of about 169, 1:1 mixture of bisphenol A type and bisphenol F type) 5 parts, naphthalene type epoxy resin (DIC Ltd.) "HP4032SS", epoxy equivalent about 144) 5 parts, bixylenol type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent about 185) 10 parts, biphenyl type epoxy resin (manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd.) "NC3000L", epoxy equivalent 269) 10 parts, and phenoxy resin ("YL7553BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., 1:1 solution of cyclohexanone:MEK having a solid content of 30% by mass) 10 parts, solvent naphtha 15 parts It was dissolved by heating while stirring. After cooling to room temperature, 12 parts of a phenolic curing agent containing a triazine structure (hydroxyl equivalent of 125, “LA-7054” manufactured by DIC Co., Ltd., MEK solution with a solid content of 60%), a naphthalene curing agent (New Nittetsu Sumi) “SN-485” manufactured by King Chemical Co., Ltd., 215 hydroxyl equivalent, MEK solution with a solid content of 60%) 10 parts, polyvinyl butyral resin (glass transition temperature 105° C., “KS-” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) 1", 15% solid content ethanol:toluene 1:1 solution) 10 parts, imidazole-based curing accelerator (1-benzyl-2-phenylimidazole (1B2PZ), 5% solid content MEK solution) 1.5 parts, flame retardant (“HCA-HQ” manufactured by Sanko Co., Ltd., average particle diameter 2 μm) 2 parts, spherical silica surface-treated with an aminosilane-based coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (Ah Co., Ltd.) 90 parts of "SO-C2" manufactured by DOMATEX, average particle diameter of 0.5 µm, carbon amount per unit surface area of 0.38 mg/m 2) were mixed, and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare resin varnish 4.

<조제예 5> 수지 바니쉬 5의 조제<Preparation example 5> Preparation of resin varnish 5

트리아진 구조 함유 페놀계 경화제(수산기 당량 125, DIC(주) 제조「LA-7054」, 고형분 60%의 MEK 용액)를 사용하지 않은 점, 및 페놀노볼락계 경화제(수산기 당량 105, DIC(주) 제조「TD-2090」, 고형분 60%의 MEK 용액)의 배합량을 22부로 변경한 점 이외에는, 조제예 3과 같이 하여, 수지 바니쉬 5를 조제하였다. Triazine structure-containing phenolic curing agent (hydroxyl equivalent of 125, “LA-7054” manufactured by DIC Co., Ltd., MEK solution with a solid content of 60%) is not used, and phenol novolac curing agent (hydroxyl equivalent of 105, DIC (Co.) ) Manufactured "TD-2090", a resin varnish 5 was prepared in the same manner as in Preparation Example 3 except that the blending amount of the 60% solids MEK solution) was changed to 22 parts.

<조제예 6> 수지 바니쉬 6의 조제<Preparation Example 6> Preparation of resin varnish 6

비스페놀형 에폭시 수지(신닛테츠스미킨가가쿠(주) 제조「ZX1059」, 에폭시 당량 약 169, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품) 6부, 비크실레놀형 에폭시 수지(미쯔비시가가쿠(주) 제조「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185) 10부, 및 페녹시 수지(미쯔비시가가쿠(주) 제조「YL7553BH30」, 고형분 30질량%의 사이클로헥산온:MEK의 1:1 용액) 20부를, 솔벤트나프타 25부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 실온으로까지 냉각시킨 후, 거기에, 산무수물계 경화제(Cray Valley HSC사 제조「SMA EF30」, 산가 280mgKOH/g, 고형분 60%의 톨루엔:MEK의 1:1 용액) 45부, 아민계 경화 촉진제(DMAP, 고형분 5질량%의 MEK 용액) 2부, 이미다졸계 경화 촉진제(미쯔비시가가쿠(주) 제조「P200H50」, 이미다졸-에폭시 수지의 어덕트체, 불휘발 성분 50질량%의 프로필렌글리콜모노메틸에테르 용액) 1.5부, 난연제(산코(주) 제조「HCA-HQ」, 평균 입자 직경 2㎛) 2부, 아미노실란계 커플링제(신에츠가가쿠고교(주) 제조「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카((주)아도마텍스 제조「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5㎛, 단위 표면적당 카본 양 0.38mg/㎡) 120부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산시켜, 수지 바니쉬 6을 조제하였다. 6 parts of bisphenol type epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Shin-Nittetsu Chemical Co., Ltd., about 169 epoxy equivalent, 1:1 mixture of bisphenol A type and bisphenol F type), bixylenol type epoxy resin (Mitsubishi Chemical) Co.) manufactured "YX4000HK", epoxy equivalent of about 185) 10 parts, and 20 parts of phenoxy resin ("YL7553BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., a 1:1 solution of cyclohexanone:MEK having a solid content of 30% by mass), It was heat-dissolved, stirring 25 parts of solvent naphtha. After cooling to room temperature, 45 parts of an acid anhydride curing agent (“SMA EF30” manufactured by Cray Valley HSC, an acid value of 280 mgKOH/g, a 1:1 solution of toluene:MEK having a solid content of 60%) 45 parts, an amine curing accelerator (DMAP, MEK solution having a solid content of 5% by mass) 2 parts, an imidazole-based curing accelerator (“P200H50” manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., an adduct of imidazole-epoxy resin, propylene glycol of 50% by mass of a nonvolatile component) Monomethyl ether solution) 1.5 parts, flame retardant (“HCA-HQ” manufactured by Sanko Co., Ltd., average particle diameter 2 μm) 2 parts, aminosilane-based coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 120 parts of treated spherical silica (“SO-C2” manufactured by Adomatex Co., Ltd., average particle diameter of 0.5 μm, carbon amount per unit surface area of 0.38 mg/m 2 ) was mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer, followed by a resin varnish 6 was prepared.

<조제예 7> 수지 바니쉬 7의 조제<Preparation Example 7> Preparation of resin varnish 7

비스페놀형 에폭시 수지(신닛테츠스미킨가가쿠(주) 제조「ZX1059」, 에폭시 당량 169, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품) 3부, 비크실레놀형 에폭시 수지(미쯔비시가가쿠(주) 제조「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185) 7부, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC(주) 제조「HP7200HH」, 에폭시 당량 280) 8부, 및 페녹시 수지(미쯔비시가가쿠(주) 제조「YL7553BH30」, 고형분 30질량%의 사이클로헥산온:MEK의 1:1 용액) 20부, 시아네이트에스테르계 경화제(론자재팬(주) 제조「BADCy」, 비스페놀 A 디시아네이트) 7부를, 솔벤트나프타 15부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 실온으로까지 냉각시킨 후, 거기에, 시아네이트에스테르계 경화제(론자재팬(주) 제조「PT30S」, 페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지, 시아네이트 당량 약 133, 불휘발분 85질량%의 MEK 용액) 9부, 아민계 경화 촉진제(DMAP, 고형분 5질량%의 MEK 용액) 0.6부, 금속계 경화 촉진제((도쿄가세이(주) 제조의 나프텐산아연(II), 아연 함유량 8%의 미네랄스피릿 용액)의 3질량% 사이클로헥산온 용액) 4부, 난연제(산코(주) 제조「HCA-HQ」, 평균 입자 직경 2㎛) 2부, 아미노실란계 커플링제(신에츠가가쿠고교(주) 제조「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카((주)아도마텍스 제조「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5㎛, 단위 표면적당 카본 양 0.38mg/㎡) 90부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산시켜, 수지 바니쉬 7을 조제하였다. 3 parts of bisphenol type epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Shin-Nittetsu Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent 169, 1:1 mixture of bisphenol A type and bisphenol F type) 3 parts, bixylenol type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) ) manufactured “YX4000HK”, epoxy equivalent about 185) 7 parts, dicyclopentadiene type epoxy resin (“HP7200HH” manufactured by DIC Co., Ltd., epoxy equivalent 280) 8 parts, and phenoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) "YL7553BH30", cyclohexanone: a 1:1 solution of MEK with a solid content of 30% by mass) 20 parts, cyanate ester curing agent ("BADCy" manufactured by Ronjapan Co., Ltd., bisphenol A dicyanate) 7 parts, solvent naphtha It was made to heat-dissolve, stirring in 15 parts. After cooling to room temperature, thereto, a cyanate ester curing agent ("PT30S" manufactured by Ronjapan Co., Ltd., phenol novolak type polyfunctional cyanate ester resin, a cyanate equivalent of about 133, and a non-volatile content of 85% by mass MEK Solution) 9 parts, amine-based curing accelerator (DMAP, MEK solution having a solid content of 5% by mass) 0.6 parts, metal-based curing accelerator ((Tokyo Kasei Co., Ltd. zinc (II) naphthenate), mineral spirit with a zinc content of 8% solution) of 3% by mass cyclohexanone solution) 4 parts, flame retardant (“HCA-HQ” manufactured by Sanko Co., Ltd., average particle diameter 2 µm) 2 parts, aminosilane-based coupling agent (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 90 parts of spherical silica surface-treated with "KBM573") ("SO-C2" manufactured by Adomatex Co., Ltd., average particle diameter of 0.5 µm, carbon content per unit surface area of 0.38 mg/m2) is mixed, and uniformly with a high-speed rotary mixer and dispersed to prepare a resin varnish 7.

수지 바니쉬 1 내지 7의 조성을 표 1에 기재한다. The compositions of the resin varnishes 1 to 7 are shown in Table 1.

Figure 112015074223019-pat00001
Figure 112015074223019-pat00001

<제작예 1> 수지 시트 1의 제작<Production Example 1> Preparation of resin sheet 1

금속박으로서, 구리박(JX닛코닛세키킨조쿠(주) 제조의 HLP박, 두께 18㎛)을 준비하였다. 이하, 당해 구리박을「구리박 1」이라고도 한다. 구리박 1의 제1 주면의 Ra는 160nm, 제2 주면의 Ra는 390nm이었다. 당해 구리박 1의 제1 주면에, 다이 코터로 수지 바니쉬 1을 도포하고, 80 내지 120℃(평균 100℃)에서 5분간 건조시켜, 두께 40㎛의 수지층을 갖는 수지 시트 1을 제작하였다. As the metal foil, a copper foil (HLP foil manufactured by JX Nikko Nikkei Kinzoku Co., Ltd., 18 µm in thickness) was prepared. Hereinafter, the said copper foil is also called "copper foil 1". Ra of the 1st main surface of copper foil 1 was 160 nm, and Ra of the 2nd main surface was 390 nm. The resin varnish 1 was apply|coated to the 1st main surface of the said copper foil 1 with a die coater, and it dried at 80-120 degreeC (average 100 degreeC) for 5 minutes, and the resin sheet 1 which has a 40-micrometer-thick resin layer was produced.

<제작예 2> 수지 시트 2의 제작<Production Example 2> Preparation of resin sheet 2

수지 바니쉬 1 대신 수지 바니쉬 2를 사용한 것 이외에는, 제작예 1과 같이 하여, 수지 시트 2를 제작하였다. A resin sheet 2 was produced in the same manner as in Production Example 1 except that the resin varnish 2 was used instead of the resin varnish 1.

<제작예 3> 수지 시트 3의 제작<Production Example 3> Preparation of resin sheet 3

수지 바니쉬 1 대신 수지 바니쉬 3을 사용한 것 이외에는, 제작예 1과 같이 하여, 수지 시트 3을 제작하였다. A resin sheet 3 was produced in the same manner as in Production Example 1 except that the resin varnish 3 was used instead of the resin varnish 1.

<제작예 4> 수지 시트 4의 제작<Production Example 4> Preparation of resin sheet 4

(1) 접착 필름의 제작(1) Preparation of adhesive film

지지체로서, 알키드 수지계 이형제(린텍(주) 제조「AL-5」)로 이형 처리한 PET 필름(토레(주) 제조「루미라 T6AM」, 두께 25㎛)을 준비하였다. 당해 지지체의 이형면에, 다이 코터로 수지 바니쉬 4를 도포하고, 80 내지 110℃(평균 100℃)에서 5분간 건조시켜, 두께 40㎛의 수지층을 갖는 접착 필름을 제작하였다. As the support, a PET film (“Lumira T6AM” manufactured by Toray Co., Ltd., 25 μm thick) that was subjected to release treatment with an alkyd resin mold release agent (“AL-5” manufactured by Lintec Co., Ltd.) was prepared. Resin varnish 4 was applied to the release surface of the support with a die coater, and dried at 80 to 110°C (average 100°C) for 5 minutes to prepare an adhesive film having a resin layer having a thickness of 40 µm.

(2) 수지 시트의 제작(2) Preparation of resin sheet

금속박으로서, 구리박(미쯔이킨조쿠코산(주) 제조의 TP-III박, 두께 11㎛)을 준비하였다. 이하, 당해 구리박을「구리박 2」라고도 한다. 구리박 2의 제1 주면의 Ra는 290nm, 제2 주면의 Ra는 610nm이었다. 당해 구리박 2를, 상기 (1)에서 수득된 접착 필름에, 접착 필름의 수지층과 구리박 2의 제1 주면이 접합하도록, 가열 롤(60℃)로 라미네이트 처리하여, 수지 시트 4를 제작하였다. 당해 수지 시트 4는, 측정·평가용 기판의 조제시에는, 접착 필름 유래의 지지체인 PET 필름을 박리한 후에 사용하였다. As the metal foil, copper foil (TP-III foil manufactured by Mitsui Kinzoku Kosan Co., Ltd., 11 µm in thickness) was prepared. Hereinafter, the said copper foil is also called "copper foil 2". Ra of the 1st main surface of copper foil 2 was 290 nm, and Ra of the 2nd main surface was 610 nm. The copper foil 2 was laminated to the adhesive film obtained in (1) above with a heating roll (60° C.) so that the resin layer of the adhesive film and the first main surface of the copper foil 2 were bonded to each other to prepare a resin sheet 4 did The said resin sheet 4 was used after peeling the PET film which is a support body derived from an adhesive film at the time of preparation of the board|substrate for measurement and evaluation.

<제작예 5> 수지 시트 5의 제작<Production Example 5> Preparation of resin sheet 5

수지 바니쉬 1 대신 수지 바니쉬 5를 사용한 것 이외에는, 제작예 1과 같이 하여, 수지 시트 5를 제작하였다. Except having used the resin varnish 5 instead of the resin varnish 1, it carried out similarly to Production Example 1, and produced the resin sheet 5.

<제작예 6> 수지 시트 6의 제작<Production Example 6> Preparation of resin sheet 6

수지 바니쉬 1 대신 수지 바니쉬 6을 사용한 것 이외에는, 제작예 1과 같이 하여, 수지 시트 6을 제작하였다. A resin sheet 6 was produced in the same manner as in Production Example 1 except that the resin varnish 6 was used instead of the resin varnish 1.

<제작예 7> 수지 시트 7의 제작<Production Example 7> Preparation of resin sheet 7

구리박 1 대신 구리박 3(미쯔이킨조쿠코산(주) 제조의 3EC-M3-VLP박, 두께 18㎛)을 사용한 것 이외에는, 제작예 1과 같이 하여, 수지 시트 7을 제작하였다. 또한, 구리박 3의 제1 주면의 Ra는 630nm, 제2 주면의 Ra는 410nm이었다. A resin sheet 7 was produced in the same manner as in Production Example 1 except that copper foil 3 (3EC-M3-VLP foil manufactured by Mitsui Kinzoku Kosan Co., Ltd., thickness of 18 µm) was used instead of copper foil 1. In addition, Ra of the 1st main surface of the copper foil 3 was 630 nm, and Ra of the 2nd main surface was 410 nm.

<제작예 8> 수지 시트 8의 제작<Production Example 8> Preparation of resin sheet 8

수지 바니쉬 1 대신 수지 바니쉬 7을 사용한 것 이외에는, 제작예 1과 같이 하여, 수지 시트 8을 제작하였다. Except having used the resin varnish 7 instead of the resin varnish 1, it carried out similarly to Production Example 1, and produced the resin sheet 8.

<실시예 1> <Example 1>

수지 시트 1을 사용하여, 상기〔측정·평가용 기판의 조제〕에 따라, 측정·평가용 기판을 조제하고, 각 평가를 실시하였다. Using the resin sheet 1, according to the above [Preparation of the substrate for measurement and evaluation], a substrate for measurement and evaluation was prepared and each evaluation was performed.

<실시예 2> <Example 2>

수지 시트 2를 사용하여, 상기〔측정·평가용 기판의 조제〕에 따라, 측정·평가용 기판을 조제하고, 각 평가를 실시하였다. Using the resin sheet 2, according to the above [Preparation of the substrate for measurement and evaluation], a substrate for measurement and evaluation was prepared and each evaluation was performed.

<실시예 3> <Example 3>

수지 시트 3을 사용하여, 상기〔측정·평가용 기판의 조제〕에 따라, 측정·평가용 기판을 조제하고, 각 평가를 실시하였다. Using the resin sheet 3, according to the above [Preparation of the substrate for measurement and evaluation], a substrate for measurement and evaluation was prepared, and each evaluation was performed.

<실시예 4> <Example 4>

수지 시트 4를 사용하여, 상기〔측정·평가용 기판의 조제〕에 따라, 측정·평가용 기판을 조제하고, 각 평가를 실시하였다. Using the resin sheet 4, according to the above [Preparation of the substrate for measurement and evaluation], a substrate for measurement and evaluation was prepared, and each evaluation was performed.

<비교예 1> <Comparative Example 1>

수지 시트 5를 사용하여, 상기〔측정·평가용 기판의 조제〕에 따라, 측정·평가용 기판을 조제하고, 각 평가를 실시하였다. Using the resin sheet 5, according to the above [Preparation of the substrate for measurement and evaluation], a substrate for measurement and evaluation was prepared and each evaluation was performed.

<비교예 2> <Comparative Example 2>

수지 시트 6을 사용하여, 상기〔측정·평가용 기판의 조제〕에 따라, 측정·평가용 기판을 조제하고, 각 평가를 실시하였다. Using the resin sheet 6, according to the above [Preparation of the substrate for measurement and evaluation], a substrate for measurement and evaluation was prepared, and each evaluation was performed.

<비교예 3> <Comparative Example 3>

수지 시트 7을 사용하여, 상기〔측정·평가용 기판의 조제〕에 따라, 측정·평가용 기판을 조제하고, 각 평가를 실시하였다. Using the resin sheet 7, according to the above [Preparation of the substrate for measurement and evaluation], a substrate for measurement and evaluation was prepared, and each evaluation was performed.

<비교예 4> <Comparative Example 4>

수지 시트 8을 사용하여, 상기〔측정·평가용 기판의 조제〕에 따라, 측정·평가용 기판을 조제하고, 각 평가를 실시하였다. Using the resin sheet 8, according to the above [Preparation of the substrate for measurement and evaluation], a substrate for measurement and evaluation was prepared and each evaluation was performed.

Figure 112015074223019-pat00002
Figure 112015074223019-pat00002

Claims (24)

서브트랙티브법 또는 모디파이드 세미어디티브법에 의해 회로 형성하기 위한 수지 시트로서,
제1 및 제2 주면(主面)을 갖는 금속박(金屬箔)과,
금속박의 제1 주면과 접합하고 있는 수지층
을 포함하고,
금속박의 제1 주면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 300nm 이하이고,
금속박의 제2 주면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 300nm 이상이고,
수지층의 두께가 8 내지 400㎛이고,
수지층이, (a) 에폭시 수지, (b) 활성 에스테르계 경화제 및 트리아진 구조 함유 페놀계 경화제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 경화제를 함유하는, 수지 시트.
A resin sheet for circuit formation by a subtractive method or a modified semi-additive method, comprising:
A metal foil having first and second main surfaces, and
The resin layer joined to the first main surface of the metal foil
including,
The arithmetic mean roughness (Ra) of the first main surface of the metal foil is 300 nm or less,
The arithmetic mean roughness (Ra) of the second main surface of the metal foil is 300 nm or more,
The thickness of the resin layer is 8 to 400 μm,
A resin sheet, wherein the resin layer contains at least one curing agent selected from the group consisting of (a) an epoxy resin, (b) an active ester curing agent and a triazine structure-containing phenol curing agent.
제1항에 있어서, 수지층이 (c) 무기 충전재를 추가로 함유하는, 수지 시트. The resin sheet according to claim 1, wherein the resin layer further contains (c) an inorganic filler. 제2항에 있어서, (c) 무기 충전재가 실리카인, 수지 시트. The resin sheet according to claim 2, wherein (c) the inorganic filler is silica. 제2항에 있어서, 수지층 중의 (c) 무기 충전재의 함유량이, 수지층 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 40 내지 85질량%인, 수지 시트. The resin sheet of Claim 2 whose content of the (c) inorganic filler in a resin layer is 40-85 mass %, when the non-volatile component in a resin layer makes 100 mass %. 제1항에 있어서, 수지층이 (d) 중합체 성분을 추가로 함유하고, (d) 중합체 성분이 유기 충전재 및 열가소성 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는, 수지 시트. The resin sheet according to claim 1, wherein the resin layer further contains (d) a polymer component, and (d) the polymer component is selected from the group consisting of an organic filler and a thermoplastic resin. 제5항에 있어서, (d) 중합체 성분이, 유기 충전재, 페녹시 수지 및 폴리비닐아세탈 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는, 수지 시트. The resin sheet according to claim 5, wherein the polymer component (d) contains at least one selected from the group consisting of an organic filler, a phenoxy resin, and a polyvinyl acetal resin. 제5항에 있어서, 수지층 중의 (d) 중합체 성분의 함유량이, 수지층 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 0.5 내지 10질량%인, 수지 시트. The resin sheet according to claim 5, wherein the content of the polymer component (d) in the resin layer is 0.5 to 10 mass% when the nonvolatile component in the resin layer is 100 mass%. 제1항에 있어서, 수지층이 (e) 경화 촉진제를 추가로 함유하는, 수지 시트. The resin sheet according to claim 1, wherein the resin layer further contains (e) a curing accelerator. 제8항에 있어서, 수지층 중의 (e) 경화 촉진제의 함유량이, 수지층 중의 수지 성분을 100질량%로 했을 때, 0.03 내지 4질량%인, 수지 시트. The resin sheet of Claim 8 whose content of (e) hardening accelerator in a resin layer is 0.03-4 mass %, when the resin component in a resin layer is 100 mass %. 제8항에 있어서, 수지층 중의 (e) 경화 촉진제의 함유량이, 수지층 중의 수지 성분을 100질량%로 했을 때, 0.3 내지 3질량%인, 수지 시트. The resin sheet according to claim 8, wherein the content of the (e) curing accelerator in the resin layer is 0.3 to 3% by mass when the resin component in the resin layer is 100% by mass. 제8항에 있어서, (e) 경화 촉진제가, 이미다졸계 경화 촉진제 및 아민계 경화 촉진제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는, 수지 시트. The resin sheet according to claim 8, wherein (e) the curing accelerator contains at least one selected from the group consisting of an imidazole-based curing accelerator and an amine-based curing accelerator. 제8항에 있어서, (e) 경화 촉진제가, 이미다졸-에폭시 수지의 어덕트체, 및 4-디메틸아미노피리딘으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는, 수지 시트. The resin sheet according to claim 8, wherein (e) the curing accelerator contains at least one selected from the group consisting of an adduct of imidazole-epoxy resin and 4-dimethylaminopyridine. 제1항에 있어서, 수지층이 (c) 무기 충전재, (d) 중합체 성분 및 (e) 경화 촉진제를 추가로 함유하고,
(d) 중합체 성분이 유기 충전재 및 열가소성 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되고,
수지층 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, (c) 무기 충전재의 함유량이 40 내지 85질량%, (d) 중합체 성분의 함유량이 0.5 내지 10질량%이고,
수지층의 수지 성분을 100질량%로 했을 때, (e) 경화 촉진제의 함유량이 0.03 내지 4질량%인, 수지 시트.
The resin layer according to claim 1, further comprising (c) an inorganic filler, (d) a polymer component, and (e) a curing accelerator;
(d) the polymer component is selected from the group consisting of organic fillers and thermoplastic resins,
When the nonvolatile component in the resin layer is 100% by mass, (c) the content of the inorganic filler is 40 to 85% by mass, (d) the content of the polymer component is 0.5 to 10% by mass,
When the resin component of a resin layer is 100 mass %, content of (e) hardening accelerator is 0.03-4 mass %, The resin sheet.
제13항에 있어서, (c) 무기 충전재가 실리카이고,
(d) 중합체 성분이, 유기 충전재, 페녹시 수지 및 폴리비닐아세탈 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하고,
(e) 경화 촉진제가, 이미다졸-에폭시 수지의 어덕트체, 및 4-디메틸아미노피리딘으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는, 수지 시트.
14. The method of claim 13, wherein (c) the inorganic filler is silica,
(d) the polymer component contains at least one selected from the group consisting of organic fillers, phenoxy resins and polyvinyl acetal resins,
(e) A resin sheet in which the curing accelerator contains at least one selected from the group consisting of an adduct of an imidazole-epoxy resin and 4-dimethylaminopyridine.
제1항에 있어서, 수지층의 최저 용융 점도가 8000 내지 40000포이즈인, 수지 시트. The resin sheet according to claim 1, wherein the minimum melt viscosity of the resin layer is 8000 to 40000 poise. 제1항에 있어서, 수지층의 최저 용융 점도가 300 내지 12000포이즈인, 수지 시트. The resin sheet according to claim 1, wherein the minimum melt viscosity of the resin layer is 300 to 12000 poise. 제1항에 있어서, 수지층을 경화하여 절연층을 형성하고, 서브트랙티브법 또는 모디파이드 세미어디티브법에 의해 회로를 형성한 후의, 당해 절연층과 회로의 필 강도가 0.5kgf/cm 이상이고,
수지층을 경화하여 절연층을 형성하고, 서브트랙티브법 또는 모디파이드 세미어디티브법에 의해 회로를 형성하고, 또한 130℃, 85%RH의 조건하에서 100시간 경과한 후의, 당해 절연층과 회로의 필 강도가 0.3kgf/cm 이상인, 수지 시트.
The peeling strength of the said insulating layer and the circuit of Claim 1 after hardening the resin layer to form an insulating layer, and forming a circuit by a subtractive method or a modified semi-additive method is 0.5 kgf/cm or more ego,
The insulating layer and the circuit after curing the resin layer to form an insulating layer, forming a circuit by a subtractive method or a modified semi-additive method, and lapse of 100 hours under the conditions of 130°C and 85%RH A resin sheet having a peel strength of 0.3 kgf/cm or more.
제1항에 있어서, 금속박의 두께가 1 내지 40㎛인, 수지 시트. The resin sheet according to claim 1, wherein the metal foil has a thickness of 1 to 40 µm. 제1항에 있어서, 금속박의 제1 주면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 250nm 이하인, 수지 시트. The resin sheet according to claim 1, wherein the arithmetic mean roughness (Ra) of the first main surface of the metal foil is 250 nm or less. 제1항에 있어서, 금속박의 두께가 10 내지 40㎛인, 수지 시트. The resin sheet according to claim 1, wherein the metal foil has a thickness of 10 to 40 µm. 제1항 내지 제20항 중 어느 한 항에 기재된 수지 시트 2장 사이에, 수지층과 내층 기판이 접합하도록, 내층 기판을 배치하고, 진공 열 프레스 처리 또는 진공 라미네이트 처리에 의해 일괄 성형하여 수득되는, 적층판. 21. An inner layer substrate is disposed between two resin sheets according to any one of claims 1 to 20 so that the resin layer and the inner layer substrate are bonded, and is obtained by batch molding by vacuum hot press treatment or vacuum lamination treatment. , laminates. 제21항에 있어서, 서브트랙티브법 또는 모디파이드 세미어디티브법에 의해 형성된 회로를 포함하는, 적층판. The laminate according to claim 21, comprising a circuit formed by a subtractive method or a modified semiadditive method. 제22항에 있어서, 배선 피치가 50㎛ 이하인 회로를 포함하는, 적층판. The laminate according to claim 22, comprising circuits having a wiring pitch of 50 mu m or less. 제21항에 기재된 적층판을 사용하여 수득되는 반도체 장치.
A semiconductor device obtained by using the laminate according to claim 21.
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