KR102292369B1 - Substrate drying apparatus - Google Patents

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신승원
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 기판 건조 장치는, 기판에 대해 건조 공정이 수행되는 처리 공간을 제공하는 상부 챔버 및 하부 챔버; 및 상부 챔버 및 하부 챔버 사이에 설치되며 기판이 탑재되는 기판 지지 블록을 포함하고, 기판 지지 블록은, 바닥부와, 바닥부의 주위에서 상방으로 연장되는 측벽부로 구성되고, 바닥부 및 측벽부는 하방으로 폐쇄되며 상방으로 개방되는 공간을 형성하며, 기판은 측벽부의 상단에 탑재될 수 있다.A substrate drying apparatus according to an embodiment of the present invention includes an upper chamber and a lower chamber providing a processing space in which a drying process is performed on a substrate; and a substrate support block installed between the upper chamber and the lower chamber and on which a substrate is mounted, wherein the substrate support block includes a bottom portion and a sidewall portion extending upwardly around the bottom portion, and the bottom portion and the sidewall portion are downwardly A closed and upwardly open space is formed, and the substrate may be mounted on the upper end of the side wall portion.

Description

기판 건조 장치{SUBSTRATE DRYING APPARATUS}Substrate drying apparatus {SUBSTRATE DRYING APPARATUS}

본 발명은 기판을 건조하는 데에 사용되는 기판 건조 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate drying apparatus used for drying a substrate.

반도체 소자, 평판 표시 장치 등과 같은 제품은 기판에 대해 다양한 제조 공정을 수행하는 것에 의해 제조된다. 이러한 제조 공정 중 포토리소그래피 공정은 기판 상에 원하는 패턴을 형성하는 공정이다.Products such as semiconductor devices and flat panel display devices are manufactured by performing various manufacturing processes on a substrate. Among these manufacturing processes, a photolithography process is a process of forming a desired pattern on a substrate.

포토리소그래피 공정은 기판 상에 포토레지스트를 도포하는 도포 과정, 포토레지스트의 용제를 휘발시켜 제거하는 건조 과정, 비교적 저온의 온도에서 포토레지스트를 가열하는 소프트 베이킹 과정, 포토레지스트에 포토 마스크를 덮은 후 포토 마스크에 형성된 패턴에 따라 포토레지스트 막을 노광하는 노광 과정, 노광 처리된 포토레지스트 막을 현상하는 현상 과정, 비교적 고온의 온도에서 포토레지스트 막을 가열하는 하드 베이킹 과정, 포토레지스트 막 사이로 노출된 막질을 패터닝하는 과정을 포함한다.The photolithography process includes a coating process of applying a photoresist on a substrate, a drying process of removing the photoresist solvent by volatilization, a soft baking process of heating the photoresist at a relatively low temperature, and a photomask after covering the photoresist An exposure process of exposing a photoresist film according to a pattern formed on a mask, a developing process of developing the exposed photoresist film, a hard baking process of heating the photoresist film at a relatively high temperature, a process of patterning the exposed film quality between the photoresist films includes

포토레지스트가 도포된 기판은 포토레지스트의 용제를 휘발시켜 제거하기 위해 건조된다. 통상적으로, 기판의 건조를 위해 열 또는 진공이 사용된다.The photoresist-coated substrate is dried to evaporate and remove the photoresist solvent. Typically, heat or vacuum is used for drying the substrate.

기판의 건조를 위해 진공을 사용하는 장치인 진공 챔버 건조기(Vacuum Chamber Dryer (VCD))는 포토레지스트 도포 공정 이후에 기판 상에 잔류하는 포토레지스트 용제 등의 휘발 성분을 진공(부압)을 사용하여 제거한다.A vacuum chamber dryer (VCD), a device that uses a vacuum to dry a substrate, removes volatile components such as photoresist solvent remaining on the substrate after the photoresist application process using vacuum (negative pressure). do.

이를 위하여, 대한민국 등록특허 제10-0883210호(포토레지스트 용제 건조 장치)는 복수의 고정 플레이트 및 복수의 이동 플레이트 상에 기판을 지지한 상태에서 챔버의 내부를 진공 상태로 만들어 건조 과정을 수행하는 구성에 대하여 제시하고 있다.To this end, Republic of Korea Patent Registration No. 10-0883210 (photoresist solvent drying apparatus) is configured to perform a drying process by making the inside of the chamber in a vacuum state while supporting a substrate on a plurality of fixed plates and a plurality of moving plates is presented about.

그러나, 복수의 고정 플레이트 및 복수의 이동 플레이트가 서로로부터 이격되게 배치되므로, 복수의 고정 플레이트 사이의 공간, 복수의 이동 플레이트 사이의 공간, 고정 플레이트 및 이동 플레이트 사이의 공간에서 기류가 발생되어 기판에 영향을 미치게 된다. 이로 인해, 기판이 기류에 영향을 받는 문제가 있으며, 특히, 기판 상의 포토레지스트가 기류에 영향을 받는 문제가 있다. 또한, 건조 공정을 수행하기 위한 조건, 예를 들면, 챔버 내의 압력을 유지하는 시간 등을 설정하는 과정에서, 기판에 미치는 기류의 영향도 고려해야 하기 때문에, 건조 공정을 수행하기 위한 조건을 설정하는 과정이 복잡하고 조건 설정 시간이 지연되는 문제가 있다.However, since the plurality of fixed plates and the plurality of moving plates are disposed to be spaced apart from each other, an airflow is generated in the space between the plurality of fixed plates, the space between the plurality of moving plates, and the space between the fixed plate and the moving plate to be applied to the substrate. will affect For this reason, there is a problem that the substrate is affected by the airflow, in particular, there is a problem that the photoresist on the substrate is affected by the airflow. In addition, in the process of setting the conditions for performing the drying process, for example, the time for maintaining the pressure in the chamber, the effect of the airflow on the substrate must also be considered, so the process of setting the conditions for performing the drying process There is a problem that this complicated and condition setting time is delayed.

대한민국 등록특허 제10-0883210호Republic of Korea Patent Registration No. 10-0883210

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 진공을 사용하여 기판을 건조하는 과정에서 기류가 기판에 영향을 미치는 것을 최소화할 수 있는 기판 건조 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is to solve the problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a substrate drying apparatus capable of minimizing the influence of airflow on the substrate in the process of drying the substrate using a vacuum.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 기판 건조 장치는, 기판에 대해 건조 공정이 수행되는 처리 공간을 제공하는 상부 챔버 및 하부 챔버; 및 상부 챔버 및 하부 챔버 사이에 설치되며 기판이 탑재되는 기판 지지 블록을 포함하고, 기판 지지 블록은, 바닥부와, 바닥부의 주위에서 상방으로 연장되는 측벽부로 구성되고, 바닥부 및 측벽부는 하방으로 폐쇄되며 상방으로 개방되는 공간을 형성하고, 상기 공간의 내부에 분리벽이 구비되고, 기판 지지 블록 내의 공간이 분리벽에 의해 제1 지지부와 제2 지지부로 구획되고, 제1 기판은 제1 지지부에서 측벽부의 상단 및 분리벽의 상단에 탑재되어 측벽부와 분리벽 내의 공간이 제1 기판에 의해 폐쇄되고, 제2 기판은 제2 지지부에서 측벽부의 상단 및 분리벽의 상단에 탑재되어 측벽부와 분리벽 내의 공간이 제2 기판에 의해 폐쇄되며, 제1 기판 및 제2 기판이 분리벽의 상단에 탑재될 때 제1 기판의 에지부와 제1 기판의 에지부에 대향하는 제2 기판의 에지부가 분리벽에 의해 가려져 제1 기판의 에지부 및 제2 기판의 에지부 사이에서의 기류의 발생이 차단될 수 있다.According to an embodiment of the present invention for achieving the above object, there is provided an apparatus for drying a substrate, comprising: an upper chamber and a lower chamber providing a processing space in which a drying process is performed on a substrate; and a substrate support block installed between the upper chamber and the lower chamber and on which a substrate is mounted, wherein the substrate support block includes a bottom portion and a sidewall portion extending upwardly around the bottom portion, and the bottom portion and the sidewall portion are downwardly A closed and upwardly open space is formed, a partition wall is provided inside the space, the space in the substrate support block is divided into the first support part and the second support part by the partition wall, and the first substrate is the first support part is mounted on the upper end of the side wall portion and the upper end of the partition wall, the space within the side wall portion and the partition wall is closed by the first substrate, and the second substrate is mounted on the upper end of the side wall portion and the upper end of the separation wall in the second support portion to form a side wall portion and The space in the partition wall is closed by the second substrate, and the edge portion of the first substrate and the edge portion of the second substrate opposing the edge portion of the first substrate when the first substrate and the second substrate are mounted on top of the partition wall The additional partition wall may block the generation of airflow between the edge portion of the first substrate and the edge portion of the second substrate.

측벽부의 상단에는 기판의 에지부가 삽입되는 단차부가 형성될 수 있다.A step portion into which an edge portion of the substrate is inserted may be formed at an upper end of the sidewall portion.

기판의 에지부가 단차부에 삽입될 때 기판의 상면과 측벽부의 상단이 동일 평면에 위치되도록 단차부의 하방으로의 깊이가 설정될 수 있다.When the edge portion of the substrate is inserted into the step portion, the depth downward of the step portion may be set such that the upper surface of the substrate and the upper end of the sidewall portion are positioned on the same plane.

단차부의 하방으로의 깊이는 기판의 두께에 비하여 크거나 같을 수 있다.The depth downward of the step portion may be greater than or equal to the thickness of the substrate.

본 발명의 실시예에 따른 기판 건조 장치는, 기판 지지 블록에 대하여 기판을 승강시키도록 구성되는 리프트 핀을 더 포함할 수 있다.The substrate drying apparatus according to an embodiment of the present invention may further include a lift pin configured to elevate the substrate with respect to the substrate support block.

본 발명의 실시예에 따른 기판 건조 장치는, 기판 지지 블록의 바닥부에 구비되어 기판이 측벽부의 상단에 탑재될 때 기판의 하면을 지지하는 지지 부재를 더 포함할 수 있다.The substrate drying apparatus according to an embodiment of the present invention may further include a support member provided at the bottom of the substrate support block to support the lower surface of the substrate when the substrate is mounted on the upper end of the side wall portion.

기판 지지 블록은 복수의 기판이 각각 지지되는 복수의 지지부를 포함할 수 있고, 복수의 지지부 사이에는 분리벽이 구비될 수 있으며, 복수의 기판은 분리벽을 사이에 두고 서로 이격되게 분리벽의 상단에 탑재될 수 있다.The substrate support block may include a plurality of support parts on which a plurality of substrates are supported, respectively, and a partition wall may be provided between the plurality of support parts, and the plurality of substrates are spaced apart from each other with the partition wall therebetween. can be mounted on

분리벽의 상단에는 기판의 에지부가 삽입되는 단차부가 형성될 수 있다.A step portion into which an edge portion of the substrate is inserted may be formed on the upper end of the partition wall.

단차부의 하방으로의 깊이는 기판의 두께에 비하여 크거나 같을 수 있다.The depth downward of the step portion may be greater than or equal to the thickness of the substrate.

본 발명의 실시예에 따른 기판 건조 장치는, 기판 지지 블록에 구비되어 기판이 분리벽의 상단에 탑재될 때 기판의 하면을 지지하는 지지 부재를 더 포함할 수 있다.The substrate drying apparatus according to an embodiment of the present invention may further include a support member provided in the substrate support block to support the lower surface of the substrate when the substrate is mounted on the upper end of the partition wall.

본 발명의 실시예에 따른 기판 건조 장치에 따르면, 기판을 지지하도록 구성되는 기판 지지 블록이 하방으로 폐쇄된 바닥부와, 바닥부의 주위에서 상방으로 연장되는 측벽부로 구성되며, 바닥부 및 측벽부는 하방으로 폐쇄되며 상방으로 개방되는 공간을 형성한다. 그리고, 건조 공정 중 기판이 측벽부의 상단에 탑재된다. 따라서, 기판이 측벽부의 상단에 탑재되면, 바닥부 및 측벽부에 의해 형성되는 공간이 기판에 의해 폐쇄되므로, 건조 공정 중 기류의 발생을 최소화할 수 있고, 기류가 기판에 영향을 미치는 것을 최소화할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 건조 장치에 따르면, 측벽부의 상단에는 기판의 에지부가 삽입되는 단차부가 형성된다. 따라서, 기판의 에지부가 단차부에 삽입됨에 따라, 기판의 에지부가 단차부에 의해 가려지므로, 건조 공정 중 기류가 발생하는 것을 최소화할 수 있고, 기류가 기판에 영향을 미치는 것을 최소화할 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 기판 건조 장치에 따르면, 기류가 기판에 영향을 미치는 것을 최소화할 수 있으며, 기판 상의 포토레지스트가 기류에 영향을 받는 것에 의해 발생할 수 있는 문제를 방지할 수 있다. 또한, 건조 공정을 수행하기 위한 조건을 설정하는 과정을 단순화할 수 있고, 조건 설정 시간을 단축할 수 있다.According to the substrate drying apparatus according to an embodiment of the present invention, a substrate support block configured to support a substrate includes a bottom closed downwardly, and a sidewall portion extending upwardly around the bottom portion, and the bottom portion and the sidewall portion are downwardly It is closed to form a space that opens upwards. Then, during the drying process, the substrate is mounted on the upper end of the side wall part. Therefore, when the substrate is mounted on the upper end of the side wall portion, since the space formed by the bottom portion and the side wall portion is closed by the substrate, it is possible to minimize the generation of airflow during the drying process and minimize the airflow from affecting the substrate. can Further, according to the substrate drying apparatus according to the embodiment of the present invention, a step portion into which the edge portion of the substrate is inserted is formed on the upper end of the side wall portion. Therefore, as the edge portion of the substrate is inserted into the step portion, the edge portion of the substrate is covered by the step portion, so that it is possible to minimize the generation of airflow during the drying process, and it is possible to minimize the influence of the airflow on the substrate. As such, according to the substrate drying apparatus according to the embodiment of the present invention, it is possible to minimize the influence of the airflow on the substrate, and it is possible to prevent a problem that may occur due to the photoresist on the substrate being affected by the airflow. . In addition, it is possible to simplify the process of setting conditions for performing the drying process, and shorten the condition setting time.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 건조 장치가 개략적으로 도시된 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 건조 장치에 구비되는 기판 지지 블록이 개략적으로 도시된 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 건조 장치가 개략적으로 도시된 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 건조 장치의 다른 예가 개략적으로 도시된 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 건조 장치가 개략적으로 도시된 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 건조 장치에 구비되는 기판 지지 블록이 개략적으로 도시된 사시도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 건조 장치가 개략적으로 도시된 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 건조 장치의 다른 예가 개략적으로 도시된 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate drying apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is a perspective view schematically illustrating a substrate support block provided in the substrate drying apparatus according to the first embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view schematically illustrating a substrate drying apparatus according to a first embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view schematically illustrating another example of the substrate drying apparatus according to the first embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view schematically illustrating a substrate drying apparatus according to a second embodiment of the present invention.
6 is a perspective view schematically illustrating a substrate support block provided in a substrate drying apparatus according to a second embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view schematically illustrating a substrate drying apparatus according to a second embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view schematically illustrating another example of a substrate drying apparatus according to a second embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 기판 건조 장치에 대하여 설명한다.Hereinafter, a substrate drying apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

예를 들면, 본 발명의 실시예에 따른 기판 건조 장치는 포토레지스트가 도포된 기판을 진공(부압)을 사용하여 건조하는 데에 사용될 수 있다.For example, the substrate drying apparatus according to an embodiment of the present invention may be used to dry a substrate coated with a photoresist using a vacuum (negative pressure).

도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 건조 장치는, 상부 챔버(110), 하부 챔버(120), 기판 지지 블록(130)을 포함한다.1 to 4 , the substrate drying apparatus according to the first embodiment of the present invention includes an upper chamber 110 , a lower chamber 120 , and a substrate support block 130 .

상부 챔버(110) 및 하부 챔버(120)는 그 사이에 기판(S)이 수용되는 처리 공간을 제공한다. 상부 챔버(110) 및 하부 챔버(120) 사이의 처리 공간 내에서는 기판(S)을 건조하는 공정이 수행된다. 기판(S)을 건조하는 공정은 상부 챔버(110) 및 하부 챔버(120) 사이의 처리 공간 내에 진공(부압)을 형성함으로써 기판(S) 상에 도포된 포토레지스트 용제를 휘발시켜 제거한다.The upper chamber 110 and the lower chamber 120 provide a processing space in which the substrate S is accommodated. A process of drying the substrate S is performed in the processing space between the upper chamber 110 and the lower chamber 120 . In the process of drying the substrate S, the photoresist solvent applied on the substrate S is evaporated and removed by forming a vacuum (negative pressure) in the processing space between the upper chamber 110 and the lower chamber 120 .

상부 챔버(110)는 하부 챔버(120)에 대하여 상하로 이동할 수 있다. 상부 챔버(110)가 하부 챔버(120)에 결합되는 것에 의해 처리 공간이 밀폐될 수 있다. 그리고, 상부 챔버(110)가 하부 챔버(120)로부터 상승하는 것에 의해 처리 공간이 개방될 수 있다.The upper chamber 110 may move up and down with respect to the lower chamber 120 . The processing space may be sealed by coupling the upper chamber 110 to the lower chamber 120 . In addition, the processing space may be opened as the upper chamber 110 rises from the lower chamber 120 .

하부 챔버(120)의 바닥에는 배기공(121)이 형성된다. 배기공(121)은 배기 라인(141)을 통하여 진공원(140)과 연결된다. 예를 들면, 진공원(140)은 진공 펌프로서 구성될 수 있다.An exhaust hole 121 is formed at the bottom of the lower chamber 120 . The exhaust hole 121 is connected to the vacuum source 140 through the exhaust line 141 . For example, the vacuum source 140 may be configured as a vacuum pump.

상부 챔버(110)가 하부 챔버(120)에 결합되는 것에 의해 처리 공간이 밀폐되면, 진공원(140)이 작동되며, 이에 따라, 상부 챔버(110) 및 하부 챔버(120) 사이의 처리 공간에 진공이 형성된다. 이에 따라, 기판(S) 상에 도포된 포토레지스트 용제 등의 휘발 성분이 휘발된 다음, 배기공(121)을 통하여 처리 공간의 외부로 배출될 수 있다. 이와 같이, 처리 공간에 수용된 기판(S)을 건조하는 공정이 수행될 수 있다.When the processing space is closed by coupling the upper chamber 110 to the lower chamber 120 , the vacuum source 140 is operated, and accordingly, the processing space between the upper chamber 110 and the lower chamber 120 is closed. A vacuum is formed. Accordingly, the volatile components such as the photoresist solvent applied on the substrate S may be volatilized and then discharged to the outside of the processing space through the exhaust hole 121 . In this way, a process of drying the substrate S accommodated in the processing space may be performed.

이러한 과정에서, 상부 챔버(110) 및 하부 챔버(120) 사이의 처리 공간 내에서는 배기공(121)을 향하여 소정의 기류가 발생할 수 있으며, 이러한 기류가 기판(S)에 영향을 미칠 수 있다.In this process, a predetermined airflow may be generated toward the exhaust hole 121 in the processing space between the upper chamber 110 and the lower chamber 120 , and this airflow may affect the substrate S.

따라서, 기판 지지 블록(130)은 기판(S) 주위에서의 기류의 발생을 최소화할 수 있고 기류가 기판(S)에 영향을 미치는 것을 최소화할 수 있도록 구성된다.Accordingly, the substrate support block 130 is configured to minimize the generation of airflow around the substrate S and minimize the airflow from affecting the substrate S.

기판 지지 블록(130)은 상부 챔버(110) 및 하부 챔버(120) 사이에 설치될 수 있다. 예를 들면, 기판 지지 블록(130)은 하부 챔버(120) 상에 설치될 수 있다. 기판 지지 블록(130)은 기판(S)을 지지하도록 구성된다. 기판 지지 블록(130)은, 바닥부(135), 측벽부(136)를 포함한다.The substrate support block 130 may be installed between the upper chamber 110 and the lower chamber 120 . For example, the substrate support block 130 may be installed on the lower chamber 120 . The substrate support block 130 is configured to support the substrate S. The substrate support block 130 includes a bottom portion 135 and a sidewall portion 136 .

예를 들면, 바닥부(135)는 평면 형상으로 형성될 수 있다. 바닥부(135)는 하방으로 폐쇄된다.For example, the bottom part 135 may be formed in a planar shape. The bottom 135 is closed downward.

측벽부(136)는 바닥부(135)의 주위에서 상방으로 연장된다. 따라서, 바닥부(135) 및 측벽부(136)는 하방으로 폐쇄되며 상방으로 개방되는 공간을 형성할 수 있다.The side wall portion 136 extends upwardly around the bottom portion 135 . Accordingly, the bottom portion 135 and the side wall portion 136 may form a space that is closed downward and opened upward.

예를 들면, 측벽부(136)의 상단은 기판(S)의 평면 형상과 대응하는 평면 형상을 가질 수 있다. 측벽부(136)의 상단은 기판(S)의 평면 형상과 동일한 평면 형상을 가질 수 있다. 여기에서, 측벽부(136)의 상단의 평면 형상은 기판 지지 블록(130)을 평면도에서 도시할 때의 측벽부(136)의 상단의 평면 형상이며, 기판(S)의 평면 형상은 기판(S)을 평면도에서 도시할 때의 기판(S)의 형상이다.For example, the upper end of the sidewall part 136 may have a planar shape corresponding to the planar shape of the substrate S. The upper end of the sidewall part 136 may have the same planar shape as the planar shape of the substrate S. Here, the planar shape of the upper end of the sidewall part 136 is the planar shape of the upper end of the sidewall part 136 when the substrate support block 130 is shown in a plan view, and the planar shape of the substrate S is the substrate S ) is the shape of the board|substrate S when it shows in a plan view.

예를 들면, 측벽부(136)의 상단은 기판(S)의 평면 크기와 동일하거나 약간 작은 평면 크기를 가질 수 있다. 여기에서, 측벽부(136)의 상단의 평면 크기는 기판 지지 블록(130)을 평면도에서 도시할 때의 측벽부(136)의 상단의 크기이며, 기판(S)의 평면 크기는 기판(S)을 평면도에서 도시할 때의 기판(S)의 크기이다.For example, the upper end of the sidewall portion 136 may have a planar size equal to or slightly smaller than the planar size of the substrate S. Here, the planar size of the upper end of the sidewall portion 136 is the size of the upper end of the sidewall portion 136 when the substrate support block 130 is shown in a plan view, and the planar size of the substrate S is the substrate S. is the size of the substrate S when shown in a plan view.

건조 공정 중 기판(S)은 측벽부(136)의 상단에 지지된다. 따라서, 기판(S)이 측벽부(136)의 상단에 탑재되면, 바닥부(135) 및 측벽부(136)에 의해 형성되는 공간이 기판(S)에 의해 폐쇄될 수 있다. 이에 따라, 건조 공정 중 바닥부(135) 및 측벽부(136)에 의해 형성되는 공간에서의 기류의 발생을 최소화할 수 있으며, 기판(S)의 하면에 기류의 영향이 미치는 것을 최소화할 수 있다.During the drying process, the substrate S is supported on the upper end of the sidewall 136 . Accordingly, when the substrate S is mounted on the upper end of the sidewall portion 136 , the space formed by the bottom portion 135 and the sidewall portion 136 may be closed by the substrate S. Accordingly, it is possible to minimize the generation of airflow in the space formed by the bottom portion 135 and the sidewall portion 136 during the drying process, and it is possible to minimize the influence of the airflow on the lower surface of the substrate S. .

한편, 측벽부(136)의 상단에는 하방으로 내입되는 단차부(137)가 형성될 수 있다. 단차부(137)는 측벽부(136)의 내측에 형성될 수 있다. 단차부(137)는 측벽부(136)의 주위를 따라 형성될 수 있다.On the other hand, the upper end of the side wall portion 136 may be formed with a stepped portion 137 that is inserted downward. The step portion 137 may be formed inside the sidewall portion 136 . The step portion 137 may be formed along the circumference of the sidewall portion 136 .

예를 들면, 단차부(137)의 평면 형상은 기판(S)의 평면 형상과 동일할 수 있다. 여기에서, 단차부(137)의 평면 형상은 기판 지지 블록(130)을 평면도에서 도시할 때의 단차부(137)의 형상이다.For example, the planar shape of the step portion 137 may be the same as the planar shape of the substrate S. Here, the planar shape of the step portion 137 is the shape of the step portion 137 when the substrate support block 130 is shown in a plan view.

예를 들면, 단차부(137)의 평면 크기는 기판(S)의 평면 크기에 비하여 약간 작을 수 있다. 단차부(137)의 평면 크기는 기판(S)의 평면 크기에 대응할 수 있다. 여기에서, 단차부(137)의 평면 크기는 기판 지지 블록(130)을 평면도에서 도시할 때의 단차부(137)의 크기이다.For example, the planar size of the step portion 137 may be slightly smaller than the planar size of the substrate S. A planar size of the step portion 137 may correspond to a planar size of the substrate S. Here, the planar size of the step portion 137 is the size of the step portion 137 when the substrate support block 130 is shown in a plan view.

건조 공정 중 기판(S)의 에지부는 단차부(137)에 삽입될 수 있다. 또한, 건조 공정 중 기판(S)의 에지부는 단차부(137)에 밀착될 수 있다. 따라서, 기판(S)의 에지부가 단차부(137)에 의해 가려지므로, 건조 공정 중 기판(S)의 에지부에서의 기류의 발생을 최소화할 수 있으며, 기판(S)의 에지부에 기류의 영향이 미치는 것을 최소화할 수 있다.During the drying process, the edge portion of the substrate S may be inserted into the step portion 137 . Also, during the drying process, the edge portion of the substrate S may be in close contact with the step portion 137 . Therefore, since the edge portion of the substrate (S) is covered by the step portion (137), it is possible to minimize the generation of airflow in the edge portion of the substrate (S) during the drying process, the edge portion of the airflow impact can be minimized.

예를 들면, 단차부(137)의 하방으로의 깊이는 기판(S)의 두께에 비하여 동일하거나 클 수 있다.For example, the downward depth of the step portion 137 may be the same or greater than the thickness of the substrate S.

단차부(137)의 하방으로의 깊이가 기판(S)의 두께와 동일한 경우, 기판(S)의 에지부가 단차부(137)에 삽입될 때, 기판(S)의 상면과 측벽부(136)의 상단이 동일 평면에 위치될 수 있다. 따라서, 기판(S)의 에지부가 단차부(137)에 의해 가려지므로, 건조 공정 중 기판(S)의 에지부에서의 기류의 발생을 최소화할 수 있으며, 기판(S)의 에지부에 기류의 영향이 미치는 것을 최소화할 수 있다.When the lower depth of the step portion 137 is the same as the thickness of the substrate S, when the edge portion of the substrate S is inserted into the step portion 137, the upper surface and the sidewall portion 136 of the substrate S The upper end of the may be located on the same plane. Therefore, since the edge portion of the substrate (S) is covered by the step portion (137), it is possible to minimize the generation of airflow in the edge portion of the substrate (S) during the drying process, the edge portion of the airflow impact can be minimized.

또한, 단차부(137)의 하방으로의 깊이가 기판(S)의 두께보다 큰 경우에는, 기판(S)의 에지부가 단차부(137)에 완전히 삽입될 수 있다. 따라서, 기판(S)의 에지부가 단차부(137)에 의해 가려지므로, 건조 공정 중 기판(S)의 에지부에서의 기류의 발생을 최소화할 수 있으며, 기판(S)의 에지부에 기류의 영향이 미치는 것을 최소화할 수 있다.Also, when the downward depth of the step portion 137 is greater than the thickness of the substrate S, the edge portion of the substrate S may be completely inserted into the step portion 137 . Therefore, since the edge portion of the substrate (S) is covered by the step portion (137), it is possible to minimize the generation of airflow in the edge portion of the substrate (S) during the drying process, the edge portion of the airflow impact can be minimized.

한편, 기판 지지 블록(130)에는 기판(S)을 기판 지지 블록(130)에 대하여 승강시키기 위해, 리프트 핀(151) 및 리프트 핀 승강 장치(150)가 구비될 수 있다.Meanwhile, the substrate support block 130 may include a lift pin 151 and a lift pin lifting device 150 to lift the substrate S with respect to the substrate support block 130 .

예를 들면, 리프트 핀(151)은 기판 지지 블록(130)의 바닥부(135)에 형성되는 리프트 핀 홀을 관통하여 상하로 연장될 수 있다. 복수의 리프트 핀(151)이 구비되어 기판(S)을 안정적으로 지지할 수 있다.For example, the lift pins 151 may extend vertically through a lift pin hole formed in the bottom portion 135 of the substrate support block 130 . A plurality of lift pins 151 may be provided to stably support the substrate S.

예를 들면, 리프트 핀 승강 장치(150)는 공압 또는 유압을 사용하는 액추에이터, 전자기적 상호 작용에 의해 작동되는 리니어 모터, 또는 볼 스크류 기구로 구성될 수 있다.For example, the lift pin lifting device 150 may be composed of an actuator using pneumatic or hydraulic pressure, a linear motor operated by electromagnetic interaction, or a ball screw mechanism.

리프트 핀 승강 장치(150)에 의해 리프트 핀(151)이 기판 지지 블록(130)에 대하여 승강할 수 있다. 리프트 핀(151)이 승강함에 따라, 리프트 핀(151)에 지지된 기판(S)이 승강할 수 있다.The lift pins 151 may be lifted with respect to the substrate support block 130 by the lift pin lifting device 150 . As the lift pins 151 move up and down, the substrate S supported by the lift pins 151 may move up and down.

기판(S)이 기판 지지 블록(130)을 향하여 하강함에 따라, 기판(S)이 측벽부(136)의 상단에 탑재될 수 있다.As the substrate S descends toward the substrate support block 130 , the substrate S may be mounted on the upper end of the sidewall part 136 .

그리고, 기판(S)이 기판 지지 블록(130)으로부터 상승함에 따라, 기판(S)과 기판 지지 블록(130) 사이에는 기판 반송용 로봇의 반송 암(미도시)이 진입할 수 있는 공간이 형성될 수 있다. 반송 암은 기판(S)과 기판 지지 블록(130) 사이의 공간으로 진입하여, 리프트 핀(151)에 탑재된 기판(S)을 반출하거나, 리프트 핀(151)에 기판(S)을 탑재할 수 있다.And, as the substrate S rises from the substrate support block 130 , a space is formed between the substrate S and the substrate support block 130 through which a transfer arm (not shown) of the substrate transfer robot can enter. can be The transfer arm enters the space between the substrate S and the substrate support block 130 to transport the substrate S mounted on the lift pins 151 or to mount the substrate S on the lift pins 151 . can

한편, 기판 지지 블록(130)의 바닥부(135)에는 기판(S)의 하면을 지지하는 지지 부재(161)가 설치될 수 있다. 예를 들면, 기판(S)의 상면과 측벽부(136)의 상단이 동일 평면에 위치되도록 지지 부재(161)의 높이가 설정될 수 있다.Meanwhile, a support member 161 for supporting the lower surface of the substrate S may be installed on the bottom 135 of the substrate support block 130 . For example, the height of the support member 161 may be set so that the upper surface of the substrate S and the upper end of the sidewall part 136 are positioned on the same plane.

도 3에 도시된 바와 같이, 기판(S)이 측벽부(136)의 상단에 탑재되면 지지 부재(161)는 기판(S)의 하면과 접촉하여 기판(S)의 하면을 지지할 수 있다. 따라서, 기판(S)이 기판 지지 블록(130) 내에서 하방으로 처지는 것이 방지될 수 있다. 복수의 지지 부재(161)가 구비되어 기판(S)을 안정적으로 지지할 수 있다.As shown in FIG. 3 , when the substrate S is mounted on the upper end of the sidewall part 136 , the support member 161 may contact the lower surface of the substrate S to support the lower surface of the substrate S. Accordingly, it is possible to prevent the substrate S from sagging downward in the substrate support block 130 . A plurality of support members 161 may be provided to stably support the substrate S.

한편, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(S)이 측벽부(136)의 상단에 탑재된 상태에서, 복수의 리프트 핀(151)이 기판(S)의 하면을 지지할 수 있다면, 지지 부재(161)가 생략될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 4 , if the plurality of lift pins 151 can support the lower surface of the substrate S in a state where the substrate S is mounted on the upper end of the side wall portion 136 , the support member (161) may be omitted.

본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 건조 장치에 따르면, 기판(S)을 지지하도록 구성되는 기판 지지 블록(130)이 하방으로 폐쇄된 바닥부(135)와, 바닥부(135)의 주위에서 상방으로 연장되는 측벽부(136)로 구성되며, 바닥부(135) 및 측벽부(136)는 하방으로 폐쇄되며 상방으로 개방되는 공간을 형성한다. 그리고, 건조 공정 중 기판(S)이 측벽부(136)의 상단에 탑재된다. 따라서, 기판(S)이 측벽부(136)의 상단에 탑재되면, 바닥부(135) 및 측벽부(136)에 의해 형성되는 공간이 기판(S)에 의해 폐쇄되므로, 건조 공정 중 기류의 발생을 최소화할 수 있으며 기류가 기판(S)에 영향을 미치는 것을 최소화할 수 있다. 또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 건조 장치에 따르면, 측벽부(136)의 상단에는 기판(S)의 에지부가 삽입되는 단차부(137)가 형성된다. 따라서, 기판(S)의 에지부가 단차부(137)에 삽입됨에 따라, 기판(S)의 에지부가 단차부(137)에 의해 가려지므로, 건조 공정 중 기류의 발생을 최소화할 수 있고, 기류가 기판(S)에 영향을 미치는 것을 최소화할 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 건조 장치에 따르면, 기류의 발생을 최소화할 수 있고, 기류가 기판(S)에 영향을 미치는 것을 최소화할 수 있으므로, 기판(S) 상의 포토레지스트가 기류에 영향을 받는 것에 의해 발생할 수 있는 문제를 방지할 수 있다. 또한, 건조 공정을 수행하기 위한 조건을 설정하는 과정을 단순화할 수 있고, 조건 설정 시간을 단축할 수 있다.According to the substrate drying apparatus according to the first embodiment of the present invention, the substrate support block 130 configured to support the substrate S is closed downwardly from the bottom 135 and around the bottom 135 . It is composed of a side wall portion 136 extending upward, and the bottom portion 135 and the side wall portion 136 are closed downward and form a space open upward. Then, during the drying process, the substrate S is mounted on the upper end of the side wall portion 136 . Therefore, when the substrate S is mounted on the upper end of the sidewall portion 136 , the space formed by the bottom portion 135 and the sidewall portion 136 is closed by the substrate S, so that airflow is generated during the drying process. can be minimized, and it is possible to minimize the influence of the airflow on the substrate (S). Further, according to the substrate drying apparatus according to the first embodiment of the present invention, a step portion 137 into which the edge portion of the substrate S is inserted is formed on the upper end of the side wall portion 136 . Therefore, as the edge portion of the substrate S is inserted into the step portion 137, the edge portion of the substrate S is covered by the step portion 137, so that the generation of airflow during the drying process can be minimized, and the airflow It is possible to minimize the influence on the substrate (S). As such, according to the substrate drying apparatus according to the first embodiment of the present invention, it is possible to minimize the generation of airflow, and it is possible to minimize the influence of the airflow on the substrate (S), so the photoresist on the substrate (S) It is possible to prevent problems that may be caused by being affected by the airflow. In addition, it is possible to simplify the process of setting conditions for performing the drying process, and shorten the condition setting time.

이하, 도 5 내지 도 8을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 건조 장치에 대하여 설명한다. 본 발명의 제1 실시예에서 설명한 부분과 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, a substrate drying apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 8 . The same reference numerals are assigned to the same parts as those described in the first embodiment of the present invention, and detailed description thereof will be omitted.

도 5 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 건조 장치에 따르면, 기판 지지 블록(130)은 복수의 기판(S1, S2)을 지지하도록 구성되는 복수의 지지부(131, 132)를 포함할 수 있다.5 to 8 , according to the substrate drying apparatus according to the second embodiment of the present invention, the substrate support block 130 includes a plurality of support parts configured to support the plurality of substrates S1 and S2 ( 131, 132) may be included.

복수의 지지부(131, 132) 각각은 본 발명의 제1 실시예에서 설명한 기판 지지 블록(130)의 기판을 지지하기 위한 구성과 동일한 구성을 가질 수 있다.Each of the plurality of support parts 131 and 132 may have the same configuration as that for supporting the substrate of the substrate support block 130 described in the first embodiment of the present invention.

예를 들면, 기판 지지 블록(130)은 2개의 지지부(131, 132)를 포함할 수 있다. 기판 지지 블록(130)은, 제1 기판(S1)을 지지하는 제1 지지부(131)와, 제2 기판(S2)을 지지하는 제2 지지부(132)를 포함한다. 그리고, 제1 지지부(131) 및 제2 지지부(132) 사이에는 분리벽(133)이 구비된다. 그리고, 제1 기판(S1) 및 제2 기판(S2)은 분리벽(133)을 사이에 두고 서로 이격되게 분리벽(133)의 상단에 탑재될 수 있다. 따라서, 제1 기판(S1) 및 제2 기판(S2) 사이의 공간이 분리벽(133)에 의해 폐쇄되므로, 제1 기판(S1) 및 제2 기판(S2) 사이에 기류가 발생하는 것을 최소화할 수 있다. 따라서, 건조 공정 중 제1 기판(S1) 및 제2 기판(S2)의 서로 대향하는 측면에서의 기류의 발생을 최소화할 수 있으며, 제1 기판(S1) 및 제2 기판(S2)에 기류의 영향이 미치는 것을 최소화할 수 있다.For example, the substrate support block 130 may include two supports 131 and 132 . The substrate support block 130 includes a first support part 131 supporting the first substrate S1 and a second support part 132 supporting the second substrate S2 . A partition wall 133 is provided between the first support part 131 and the second support part 132 . In addition, the first substrate S1 and the second substrate S2 may be mounted on top of the partition wall 133 to be spaced apart from each other with the partition wall 133 interposed therebetween. Therefore, since the space between the first substrate S1 and the second substrate S2 is closed by the partition wall 133 , the generation of airflow between the first substrate S1 and the second substrate S2 is minimized. can do. Therefore, during the drying process, it is possible to minimize the generation of airflow at the opposite sides of the first substrate S1 and the second substrate S2, and impact can be minimized.

한편, 분리벽(133)의 상단에는 제1 기판(S1)의 에지부 및 제2 기판(S2)의 에지부가 각각 삽입되는 단차부(134)가 형성될 수 있다. 제1 기판(S1)의 에지부 및 제2 기판(S2)의 에지부는 단차부(134)에 밀착될 수 있다. 단차부(134)는 분리벽(133)의 상단에서 하방으로 내입하도록 형성될 수 있다. 단차부(134)는 분리벽(133)의 내측에 형성된다. 측벽부(136)의 상단에 단차부(137)가 형성되는 구성에서, 분리벽(133)의 상단에 형성되는 단차부(134)는 측벽부(136)의 상단에 형성되는 단차부(137)와 서로 연결될 수 있다.Meanwhile, a step portion 134 into which the edge portion of the first substrate S1 and the edge portion of the second substrate S2 are respectively inserted may be formed on the upper end of the partition wall 133 . The edge portion of the first substrate S1 and the edge portion of the second substrate S2 may be in close contact with the step portion 134 . The stepped portion 134 may be formed to enter downward from the upper end of the partition wall 133 . The step portion 134 is formed inside the partition wall 133 . In the configuration in which the step portion 137 is formed at the upper end of the side wall portion 136 , the step portion 134 formed at the upper end of the dividing wall 133 is the step portion 137 formed at the upper end of the side wall portion 136 . and can be connected to each other.

건조 공정 중 제1 기판(S1)의 에지부 및 제2 기판(S2)의 에지부가 단차부(134)에 삽입될 수 있다. 따라서, 서로 대향하는 제1 기판(S1)의 에지부 및 제2 기판(S2)의 에지부가 분리벽(133)에 의해 가려지므로, 건조 공정 중 제1 기판(S1)의 에지부 및 제2 기판(S2)의 에지부에서의 기류의 발생을 최소화할 수 있으며, 제1 기판(S1) 및 제2 기판(S2)에 기류의 영향이 미치는 것을 최소화할 수 있다.During the drying process, an edge portion of the first substrate S1 and an edge portion of the second substrate S2 may be inserted into the step portion 134 . Therefore, since the edge portions of the first substrate S1 and the edge portions of the second substrate S2 that face each other are covered by the partition wall 133 , the edge portion of the first substrate S1 and the second substrate during the drying process It is possible to minimize the generation of airflow at the edge portion of ( S2 ), and it is possible to minimize the influence of the airflow on the first substrate ( S1 ) and the second substrate ( S2 ).

예를 들면, 단차부(134)의 하방으로의 깊이는 제1 기판(S1)의 두께 및 제2 기판(S2)의 두께에 비하여 동일하거나 클 수 있다.For example, the downward depth of the step portion 134 may be equal to or greater than the thickness of the first substrate S1 and the thickness of the second substrate S2 .

단차부(134)의 하방으로의 깊이가 제1 기판(S1)의 두께 및 제2 기판(S2)의 두께와 동일한 경우, 제1 기판(S1)의 에지부 및 제2 기판(S2)의 에지부가 단차부(134)에 삽입될 때, 제1 기판(S1)의 상면 및 제2 기판(S2)의 상면과 분리벽(133)의 상단이 동일 평면에 위치될 수 있다. 따라서, 제1 기판(S1)의 에지부 및 제2 기판(S2)의 에지부가 단차부(134)에 의해 가려지므로, 건조 공정 중 제1 기판(S1)의 에지부 및 제2 기판(S2)의 에지부에서의 기류의 발생을 최소화할 수 있으며, 제1 기판(S1) 및 제2 기판(S2)에 기류의 영향이 미치는 것을 최소화할 수 있다.When the downward depth of the step portion 134 is equal to the thickness of the first substrate S1 and the thickness of the second substrate S2 , the edge portion of the first substrate S1 and the edge of the second substrate S2 are the same. When the additional step portion 134 is inserted, the upper surface of the first substrate S1 and the upper surface of the second substrate S2 and the upper end of the separation wall 133 may be positioned on the same plane. Accordingly, since the edge portion of the first substrate S1 and the edge portion of the second substrate S2 are covered by the step portion 134 , the edge portion of the first substrate S1 and the edge portion of the second substrate S2 during the drying process. It is possible to minimize the generation of airflow at the edge portion of the , and it is possible to minimize the influence of the airflow on the first substrate S1 and the second substrate S2 .

또한, 단차부(134)의 하방으로의 깊이가 제1 기판(S1)의 두께 및 제2 기판(S2)의 두께보다 큰 경우에는, 제1 기판(S1)의 에지부 및 제2 기판(S2)의 에지부가 단차부(134)에 완전히 삽입될 수 있다. 따라서, 제1 기판(S1)의 에지부 및 제2 기판(S2)의 에지부가 분리벽(133)에 의해 가려지므로, 건조 공정 중 제1 기판(S1)의 에지부 및 제2 기판(S2)의 에지부에서의 기류의 발생을 최소화할 수 있으며, 제1 기판(S1) 및 제2 기판(S2)에 기류의 영향이 미치는 것을 최소화할 수 있다.In addition, when the downward depth of the step portion 134 is greater than the thickness of the first substrate S1 and the thickness of the second substrate S2 , the edge portion of the first substrate S1 and the second substrate S2 are ), the edge portion may be completely inserted into the step portion 134 . Accordingly, since the edge portion of the first substrate S1 and the edge portion of the second substrate S2 are covered by the partition wall 133 , the edge portion of the first substrate S1 and the edge portion of the second substrate S2 during the drying process. It is possible to minimize the generation of airflow at the edge portion of the , and it is possible to minimize the influence of the airflow on the first substrate S1 and the second substrate S2 .

한편, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 기판(S1) 및 제2 기판(S2)이 측벽부(136)의 상단 및 분리벽(133)의 상단에 탑재되면 지지 부재(161)는 제1 기판(S1)의 하면 및 제2 기판(S2)의 하면과 접촉하여 제1 기판(S1)의 하면 및 제2 기판(S2)의 하면을 지지할 수 있다. 따라서, 제1 기판(S1) 및 제2 기판(S2)이 기판 지지 블록(130)의 제1 지지부(131) 및 제2 지지부(132) 내에서 하방으로 처지는 것이 방지될 수 있다. 복수의 지지 부재(161)가 구비되어 기판(S)을 안정적으로 지지할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 7 , when the first substrate S1 and the second substrate S2 are mounted on the upper end of the side wall part 136 and the upper end of the separation wall 133 , the support member 161 is the first The lower surface of the first substrate S1 and the lower surface of the second substrate S2 may be supported by contacting the lower surface of the substrate S1 and the lower surface of the second substrate S2 . Accordingly, it is possible to prevent the first substrate S1 and the second substrate S2 from sagging downward in the first support part 131 and the second support part 132 of the substrate support block 130 . A plurality of support members 161 may be provided to stably support the substrate S.

한편, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 기판(S1) 및 제2 기판(S2)이 측벽부(136)의 상단 및 분리벽(133)의 상단에 탑재된 상태에서, 복수의 리프트 핀(151)이 제1 기판(S1)의 하면 및 제2 기판(S2)의 하면을 지지할 수 있다면, 지지 부재(161)가 생략될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 8 , in a state in which the first substrate S1 and the second substrate S2 are mounted on the upper end of the side wall part 136 and the upper end of the separation wall 133 , a plurality of lift pins ( If the 151 can support the lower surface of the first substrate S1 and the lower surface of the second substrate S2 , the supporting member 161 may be omitted.

본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 건조 장치에 따르면, 기판 지지 블록(130)이 복수의 기판(S1, S2)을 지지하도록 구성되는 복수의 지지부(131, 132)를 포함하고, 복수의 지지부(131, 132) 사이에는 분리벽(133)이 구비되며, 복수의 기판(S1, S2)은 분리벽(133)을 사이에 두고 서로 이격되게 분리벽(133)의 상단에 탑재된다. 따라서, 제1 기판(S1) 및 제2 기판(S2) 사이의 공간이 분리벽(133)에 의해 폐쇄되므로, 건조 공정 중 제1 기판(S1) 및 제2 기판(S2)의 서로 대향하는 측면에서의 기류의 발생을 최소화할 수 있으며 제1 기판(S1) 및 제2 기판(S2)에 기류의 영향이 미치는 것을 최소화할 수 있다. 또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 건조 장치에 따르면, 분리벽(133)의 상단에 복수의 기판(S1, S2)이 삽입되는 단차부(134)가 형성된다. 따라서, 복수의 기판(S1, S2)가 단차부(134)에 삽입됨에 따라 복수의 기판(S1, S2)의 에지부가 단차부(134)에 의해 가려지므로, 건조 공정 중 복수의 기판(S1, S2)의 서로 대향하는 측면에서의 기류의 발생을 최소화할 수 있으며, 복수의 기판(S1, S2)에 기류의 영향이 미치는 것을 최소화할 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 건조 장치에 따르면, 기류의 발생을 최소화할 수 있고, 기류가 복수의 기판(S1, S2)에 영향을 미치는 것을 최소화할 수 있으므로, 복수의 기판(S1, S2) 상의 포토레지스트가 기류에 영향을 받는 것에 의해 발생할 수 있는 문제를 방지할 수 있다. 또한, 건조 공정을 수행하기 위한 조건을 설정하는 과정을 단순화할 수 있고, 조건 설정 시간을 단축할 수 있다.According to the substrate drying apparatus according to the second embodiment of the present invention, the substrate support block 130 includes a plurality of support parts 131 and 132 configured to support the plurality of substrates S1 and S2, and the plurality of support parts A partition wall 133 is provided between the 131 and 132 , and the plurality of substrates S1 and S2 are mounted on the upper end of the partition wall 133 to be spaced apart from each other with the partition wall 133 interposed therebetween. Accordingly, since the space between the first substrate S1 and the second substrate S2 is closed by the partition wall 133 , the side surfaces of the first substrate S1 and the second substrate S2 facing each other during the drying process It is possible to minimize the generation of airflow in the , and it is possible to minimize the influence of the airflow on the first substrate ( S1 ) and the second substrate ( S2 ). In addition, according to the substrate drying apparatus according to the second embodiment of the present invention, the step portion 134 into which the plurality of substrates S1 and S2 are inserted is formed on the upper end of the partition wall 133 . Therefore, as the plurality of substrates S1 and S2 are inserted into the stepped portion 134 , the edge portions of the plurality of substrates S1 and S2 are covered by the stepped portion 134 , so during the drying process, the plurality of substrates S1 , S1 , It is possible to minimize the generation of airflow at the opposite sides of the S2), and it is possible to minimize the influence of the airflow on the plurality of substrates S1 and S2. As described above, according to the substrate drying apparatus according to the second embodiment of the present invention, it is possible to minimize the generation of airflow and minimize the influence of the airflow on the plurality of substrates S1 and S2, so that the plurality of substrates It is possible to prevent a problem that may be caused by the photoresist on (S1, S2) being affected by the airflow. In addition, it is possible to simplify the process of setting conditions for performing the drying process, and shorten the condition setting time.

본 발명의 바람직한 실시예가 예시적으로 설명되었으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예에 한정되지 않으며, 청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경될 수 있다.Although preferred embodiments of the present invention have been described by way of example, the scope of the present invention is not limited to such specific embodiments, and may be appropriately modified within the scope described in the claims.

110: 상부 챔버
120: 하부 챔버
130: 기판 지지 블록
135: 바닥부
136: 측벽부
137: 단차부
140: 진공원
151: 리프트 핀
161: 지지 부재110: upper chamber
120: lower chamber
130: substrate support block
135: bottom
136: side wall portion
137: step part
140: vacuum source
151: lift pin
161: support member

Claims (10)

제1 기판 및 제2 기판에 대해 건조 공정이 수행되는 처리 공간을 제공하는 상부 챔버 및 하부 챔버; 및
상기 상부 챔버 및 상기 하부 챔버 사이에 설치되며 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판이 탑재되는 기판 지지 블록을 포함하고,
상기 기판 지지 블록은, 바닥부와, 상기 바닥부의 주위에서 상방으로 연장되는 측벽부로 구성되고, 상기 바닥부 및 상기 측벽부는 하방으로 폐쇄되며 상방으로 개방되는 공간을 형성하고,
상기 공간의 내부에 분리벽이 구비되고,
상기 기판 지지 블록 내의 공간이 상기 분리벽에 의해 제1 지지부와 제2 지지부로 구획되고,
상기 제1 기판은 상기 제1 지지부에서 상기 측벽부의 상단 및 상기 분리벽의 상단에 탑재되어 상기 측벽부와 상기 분리벽 내의 공간이 상기 제1 기판에 의해 폐쇄되고,
상기 제2 기판은 상기 제2 지지부에서 상기 측벽부의 상단 및 상기 분리벽의 상단에 탑재되어 상기 측벽부와 상기 분리벽 내의 공간이 상기 제2 기판에 의해 폐쇄되며,
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판이 상기 분리벽의 상단에 탑재될 때 상기 제1 기판의 에지부와 상기 제1 기판의 에지부에 대향하는 상기 제2 기판의 에지부가 상기 분리벽에 의해 가려져 상기 제1 기판의 에지부 및 상기 제2 기판의 에지부 사이에서의 기류의 발생이 차단되는 것을 특징으로 하는 기판 건조 장치.an upper chamber and a lower chamber providing a processing space in which a drying process is performed on the first substrate and the second substrate; and
and a substrate support block installed between the upper chamber and the lower chamber on which the first substrate and the second substrate are mounted,
The substrate support block includes a bottom portion and a side wall portion extending upwardly around the bottom portion, and the bottom portion and the sidewall portion form a space that is closed downwardly and opened upwardly,
A dividing wall is provided in the interior of the space,
A space in the substrate support block is divided into a first support part and a second support part by the partition wall,
The first substrate is mounted on the upper end of the side wall portion and the upper end of the partition wall in the first support portion so that the space between the side wall portion and the partition wall is closed by the first substrate,
The second substrate is mounted on the upper end of the side wall portion and the upper end of the partition wall in the second support portion so that the space between the side wall portion and the partition wall is closed by the second substrate,
When the first substrate and the second substrate are mounted on top of the partition wall, an edge portion of the first substrate and an edge portion of the second substrate opposite to the edge portion of the first substrate are covered by the partition wall The substrate drying apparatus, characterized in that the generation of airflow between the edge portion of the first substrate and the edge portion of the second substrate is blocked. 청구항 1에 있어서,
상기 측벽부의 상단에는 상기 제1 기판의 에지부 및 상기 제2 기판의 에지부가 삽입되는 단차부가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 건조 장치.The method according to claim 1,
The substrate drying apparatus according to claim 1, wherein a step portion into which an edge portion of the first substrate and an edge portion of the second substrate are inserted is formed at an upper end of the sidewall portion. 청구항 2에 있어서,
상기 제1 기판의 에지부 및 상기 제2 기판의 에지부가 상기 단차부에 삽입될 때 상기 제1 기판의 상면과, 상기 제2 기판의 상면과, 상기 측벽부의 상단이 동일 평면에 위치되도록 상기 단차부의 하방으로의 깊이가 설정되는 것을 특징으로 하는 기판 건조 장치.3. The method according to claim 2,
When the edge portion of the first substrate and the edge portion of the second substrate are inserted into the step portion, the step difference is such that the upper surface of the first substrate, the upper surface of the second substrate, and the upper end of the sidewall portion are positioned on the same plane. The substrate drying apparatus characterized in that the depth downward of the part is set. 청구항 2에 있어서,
상기 단차부의 하방으로의 깊이는 상기 제1 기판의 두께 및 상기 제2 기판의 두께에 비하여 크거나 같은 것을 특징으로 하는 기판 건조 장치.3. The method according to claim 2,
The substrate drying apparatus, characterized in that the depth downward of the step portion is greater than or equal to the thickness of the first substrate and the thickness of the second substrate. 청구항 1에 있어서,
상기 기판 지지 블록에 대하여 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 승강시키도록 구성되는 리프트 핀을 더 포함하는 기판 건조 장치.The method according to claim 1,
and a lift pin configured to elevate the first substrate and the second substrate with respect to the substrate support block. 청구항 1에 있어서,
상기 기판 지지 블록의 상기 바닥부에 구비되어 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판이 상기 측벽부의 상단 및 상기 분리벽의 상단에 탑재될 때 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 하면을 지지하는 지지 부재를 더 포함하는 기판 건조 장치.The method according to claim 1,
A support provided at the bottom portion of the substrate support block to support lower surfaces of the first substrate and the second substrate when the first substrate and the second substrate are mounted on the upper end of the side wall portion and the upper end of the separation wall. A substrate drying apparatus further comprising a member. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 분리벽의 상단에는 상기 제1 기판의 에지부 및 상기 제2 기판의 에지부가 삽입되는 단차부가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 건조 장치.The method according to claim 1,
The substrate drying apparatus according to claim 1, wherein a step portion into which an edge portion of the first substrate and an edge portion of the second substrate are inserted is formed at an upper end of the partition wall. 청구항 8에 있어서,
상기 분리벽에 형성된 단차부의 하방으로의 깊이는 상기 제1 기판의 두께 및 상기 제2 기판의 두께에 비하여 크거나 같은 것을 특징으로 하는 기판 건조 장치.9. The method of claim 8,
The substrate drying apparatus, characterized in that the depth below the step portion formed in the partition wall is greater than or equal to the thickness of the first substrate and the thickness of the second substrate. 삭제delete
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114396790B (en) * 2022-01-12 2023-04-14 合肥微睿光电科技有限公司 Blowing and drying device and blowing and drying system
WO2024078217A1 (en) * 2022-10-14 2024-04-18 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 Drying apparatus and method for drying substrate using supercritical fluid

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004052098A (en) * 2002-05-31 2004-02-19 Tokyo Electron Ltd Substrate treatment apparatus and susceptor used for it
KR100934770B1 (en) 2007-12-21 2009-12-31 주식회사 에이디피엔지니어링 Substrate Processing Equipment
KR101477142B1 (en) * 2013-09-13 2014-12-29 (주)티티에스 Substrate supporting unit and Substrate supporting apparatus having the same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100883210B1 (en) 2007-08-22 2009-02-13 세메스 주식회사 Apparatus for drying photoresist solvent
JP5208093B2 (en) * 2009-11-25 2013-06-12 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and reduced pressure drying apparatus
KR20140142873A (en) * 2013-06-05 2014-12-15 엘지이노텍 주식회사 Apparatus for manufacturing semiconductor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004052098A (en) * 2002-05-31 2004-02-19 Tokyo Electron Ltd Substrate treatment apparatus and susceptor used for it
KR100934770B1 (en) 2007-12-21 2009-12-31 주식회사 에이디피엔지니어링 Substrate Processing Equipment
KR101477142B1 (en) * 2013-09-13 2014-12-29 (주)티티에스 Substrate supporting unit and Substrate supporting apparatus having the same

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