KR20150062545A - Bake Apparatus - Google Patents

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KR20150062545A
KR20150062545A KR1020130147315A KR20130147315A KR20150062545A KR 20150062545 A KR20150062545 A KR 20150062545A KR 1020130147315 A KR1020130147315 A KR 1020130147315A KR 20130147315 A KR20130147315 A KR 20130147315A KR 20150062545 A KR20150062545 A KR 20150062545A
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chamber
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KR1020130147315A
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신승완
양주환
문선희
이창배
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삼성전기주식회사
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Abstract

The present invention relates to a soft baking device. The soft baking device according to the present invention comprises: a hot plate for fixing a substrate having a photoresist formed thereon, and heating the substrate; and a chamber cover for sealing an upper surface of the hot plate and pressing internal air through vertical movement. The substrate fixed onto an upper surface of the hot plate is pressed by air, thereby improving soft baking efficiency.

Description

베이크 장치{Bake Apparatus}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]

본 발명은 포토레지스트 막이 형성된 기판에 대하여 소프트 베이크 공정을 수행하기 위한 베이크 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a baking apparatus for performing a soft baking process on a substrate on which a photoresist film is formed.

현재 이동 통신 및 다양한 전자 분야의 제품들이 경박 단소화 경향에 있음에 따라, 다양한 PWB(Printed Wiring Board) 기판 상에 극 미세 피치를 갖는 다양하고 복잡한 형태의 미세 패턴을 형성하고, 이러한 미세 패턴이 다층 PWB 기판 상의 마이크로 비아를 이용한 층간 회로 연결을 통해 이루어져, 복잡하고 다양한 방법의 절연막 및 SR(Solder Resist)를 형성하는 방법들이 제시되고 있다.As the products of mobile communication and various electronic fields tend to be thin and short, it is possible to form a variety of complex patterns of fine patterns having very fine pitches on various PWB (Printed Wiring Board) substrates, Methods for forming complex insulating films and SR (Solder Resist) by connecting interlayer circuits using microvias on a PWB substrate have been proposed.

현재 미세패턴 형성을 위한 PWB 공정에 적용되는 적층 방법은 층간 절연과 회로를 보호할 수 있는 절연층 형성 및 시드 형성 후, 도금에 의한 금속 배선 형성 후 다시 절연층 형성의 반복 공정으로 이루어져 있다.Currently, the lamination method applied to the PWB process for fine pattern formation consists of an interlayer insulation, an insulating layer to protect the circuit, a seed formation, and a repetitive process of forming an insulation layer after forming a metal wiring by plating.

이러한 공정은 포토 레지스트(Photo resist)를 이용하여 패터닝이 진행될 수 있다. 포토 레지스트는 코팅 후 베이크(Bake) 공정을 진행하는데 이를 소프트 베이크(Soft Bake)라고 한다. 소프트 베이크는 포토 레지스트에 있는 솔벤트(Solvent)를 제거하는 공정으로 매우 중요한 단계이다.Such a process may be patterned using a photoresist. The photoresist undergoes a baking process after coating, which is called a soft bake. Soft bake is a very important step in removing the solvent in the photoresist.

상기 포토레지스트는 폴리머(polymer), 광감응제(sensitizer), 용매(solvent) 및 첨가물(additive)로 구성되어 있다. 자세하게는, 폴리머는 CxHy 형태로 에칭 또는 이온 주입 공정 시 고체 마스크의 역할을 수행하는 유기 고체 물질이며, 광감응제는 노광 공정 시 광과 반응하여 광화학적인 반응을 일으켜 폴리머의 구조를 변형시키는 역할을 한다.The photoresist is comprised of a polymer, a sensitizer, a solvent, and an additive. In detail, the polymer is an organic solid material which acts as a solid mask during the etching or ion implantation process in the form of CxHy, and the photosensitizer reacts with light during the exposure process to cause a photochemical reaction to change the structure of the polymer do.

감광제의 약 75%에 해당되는 것이 액체 상태의 용매로, 상기 용매는 원활한 감광액 도포를 위하여 사용된다. 첨가물은 광화학 반응을 제어하기 위한 색소 등을 포함한다.About 75% of the photosensitizer is a liquid solvent, and the solvent is used for smooth sensitizing solution application. Additives include pigments and the like to control photochemical reactions.

상기 소프트 베이크 공정을 수행하는 동안 포토레지스트 막에 포함된 용매가 증발된다. 상기 용매를 포토레지스트 막으로부터 제거하는 이유는 크게 두 가지이다.During the soft bake process, the solvent contained in the photoresist film is evaporated. There are two main reasons for removing the solvent from the photoresist film.

첫째, 용매가 포토레지스트 막에 잔존하면 노광 공정이 수행되는 동안 상기 용매가 폴리머의 광화학적 반응을 방해한다. 둘째, 용매가 제거되면 포토레지스트 막이 상기 기판 상에 잘 흡착된다. 따라서 상기 포토레지스트 막에 포함된 용매는 제거되어야 한다. First, when the solvent remains in the photoresist film, the solvent interferes with the photochemical reaction of the polymer during the exposure process. Secondly, when the solvent is removed, the photoresist film is well adsorbed on the substrate. Therefore, the solvent contained in the photoresist film must be removed.

그러나, 소프트 베이크 공정 중에 고온 영향으로 기판 휨(Warpage) 현상으로 인해 핫 플레이트(Hot Plate)에서의 소프트 베이크 공정은 어려울 수 있다. Soft Bake 공정이 안되는 영역은 후공정에서 불량이 발생하게 된다.However, the soft bake process on the hot plate may be difficult due to the warpage phenomenon due to the high temperature influence during the soft bake process. In the area where the soft bake process is not performed, a failure occurs in the post-process.

종래에는 핫 플레이트 상부에서 휨이 발생된 기판을 평평하게 하기 위해 진공 흡착을 통해 압착시키는 동시에 기판 에지(edge)에 물리적인 힘을 주어 기판의 휨을 바로 잡아 핫 플레이트에 밀착시켰었다.Conventionally, in order to flatten the substrate on which the warping occurred on the upper surface of the hot plate, the substrate is pressed by vacuum suction and physical force is applied to the edge of the substrate to fix the warping of the substrate and adhere to the hot plate.

그러나, 물리적인 힘을 부여하는 과정에서 기판에 손상을 가져올 수 있으며, 플라즈마 처리 공정이 지연되어 제조 공정 시간 경제성이 떨어지는 문제점이 있었다.
However, there is a problem that the substrate may be damaged in the process of applying physical force, and the plasma processing process is delayed, resulting in poor economical efficiency of the manufacturing process.

일본 공개특허공보 제2007-147832호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-147832

본 발명은 종래 베이크 장치에서 제기되는 상기 제반 단점과 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 기판을 지지하면서 가열하는 핫 플레이트에 기판을 진공흡착시켜 고정시키는 진공흡착부를 구비하고, 핫 플레이트 상면을 밀폐시켜 수직이동에 따라 내부 공기를 가압하는 챔버 커버를 구비함에 따라 소프트 베이킹 공정중에 기판이 휘지않고 균일하게 가열될 수 있는 베이크 장치가 제공됨에 발명의 목적이 있다.
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems and disadvantages encountered in the conventional bake apparatus, and includes a vacuum adsorption unit for vacuum-adhering a substrate to a hot plate heated while supporting the substrate, and the upper surface of the hot plate is closed The present invention has an object of providing a bake apparatus capable of uniformly heating a substrate during a soft bake process by providing a chamber cover for pressing internal air in accordance with vertical movement.

본 발명의 상기 목적은, 포토레지스트가 형성된 기판을 고정하며, 기판을 가열하는 핫 플레이트; 및 상기 핫 플레이트 상면을 밀폐시켜 수직이동에 따라 내부 공기를 가압하는 챔버 커버; 를 포함하는 베이크 장치가 제공됨에 의해서 달성된다.The above object of the present invention is achieved by a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a hot plate for fixing a substrate on which a photoresist is formed, And a chamber cover for sealing the upper surface of the hot plate to pressurize the inner air in accordance with vertical movement; A bake device is provided.

이때, 상기 핫 플레이트는 기판을 진공 흡착시키는 진공 흡착부를 더 포함할 수 있다.In this case, the hot plate may further include a vacuum adsorption unit for vacuum adsorbing the substrate.

또한, 상기 핫 플레이트는 상기 플라즈마 챔버에 공기를 주입하는 벤트부를 더 포함할 수 있다.In addition, the hot plate may further include a vent portion for injecting air into the plasma chamber.

또한, 상기 핫 플레이트는 기판을 가이드하는 리프트 핀을 구비한 구동부를 더 포함할 수 있다.The hot plate may further include a driving unit having a lift pin for guiding the substrate.

또한, 상기 챔버 커버는 공기 유출을 방지하는 에어 유출 방지부를 더 포함할 수 있다.In addition, the chamber cover may further include an air outflow preventing portion for preventing air outflow.

또한, 상기 핫 플레이트는 상기 에어 유출 방지부를 고정하는 커버 고정부를 더 포함할 수 있다.The hot plate may further include a cover fixing portion for fixing the air leakage preventing portion.

한편, 본 발명의 다른 목적은, 포토레지스트가 형성된 기판을 고정하며, 기판을 가열하는 핫 플레이트; 및 상기 핫 플레이트 상면을 밀폐시키며 기판을 가압하는 기판 가압 가이드를 구비한 챔버 커버; 를 포함하는 베이크 장치가 제공됨에 의해서 달성된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a lithographic apparatus comprising: a hot plate for fixing a substrate on which a photoresist is formed and heating the substrate; And a substrate pressurizing guide which seals the upper surface of the hot plate and presses the substrate; A bake device is provided.

이때, 상기 핫 플레이트는 기판을 진공 흡착시키는 진공 흡착부를 더 포함할 수 있다.In this case, the hot plate may further include a vacuum adsorption unit for vacuum adsorbing the substrate.

또한, 상기 핫 플레이트는 상기 플라즈마 챔버에 공기를 주입하는 벤트부를 더 포함할 수 있다.In addition, the hot plate may further include a vent portion for injecting air into the plasma chamber.

또한, 상기 챔버 커버는 공기 유출을 방지하는 에어 유출 방지부를 더 포함할 수 있다.
In addition, the chamber cover may further include an air outflow preventing portion for preventing air outflow.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 베이크 장치는 플라 즈마 챔버내 에어를 가두고 공기를 압착시키는 챔버 커버와 기판 하면을 핫 플레이트에 고정시키는 진공 흡착부를 구비함에 따라 기판의 휨에 의한 소프트 베이크 공정 불량을 방지할 수 있는 장점이 있다.As described above, the bake apparatus according to the present invention includes a chamber cover for blocking air in the plasma chamber and for pressing air, and a vacuum adsorption unit for fixing the substrate bottom surface to the hot plate, so that a soft bake process There is an advantage that defects can be prevented.

또한, 본 발명은 물리적인 힘이 아닌 챔버 내 공기 압으로 기판을 일정하게 눌러줄 수 있으므로 기판의 스크래치가 발생되지 않는 이점이 있다.
In addition, since the present invention can press the substrate uniformly with air pressure in the chamber rather than a physical force, there is an advantage that scratch of the substrate is not generated.

도 1은 본 발명에 따른 베이크 장치의 일실시예 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 베이크 장치의 다른 실시예 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 베이크 장치의 또 다른 실시예 단면도.1 is a sectional view of an embodiment of a bake apparatus according to the present invention;
2 is a sectional view of another embodiment of the bake apparatus according to the present invention.
3 is a sectional view of still another embodiment of the bake apparatus according to the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 기술 등은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 함과 더불어, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공될 수 있다.The advantages and features of the present invention and the techniques for achieving them will be apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. The present embodiments are provided so that the disclosure of the present invention is not only limited thereto, but also may enable others skilled in the art to fully understand the scope of the invention.

본 명세서에서 사용된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 다수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprise)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
The terms used herein are intended to illustrate the embodiments and are not intended to limit the invention. In this specification, the singular forms include plural forms unless otherwise specified in the text. It is to be understood that the terms 'comprise', and / or 'comprising' as used herein may be used to refer to the presence or absence of one or more other components, steps, operations, and / Or additions.

도 1은 본 발명에 따른 베이크 장치(100)의 일실시예 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 베이크 장치의 다른 실시예 단면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 베이크 장치의 또 다른 실시예 단면도이다.2 is a cross-sectional view of another embodiment of the bake apparatus according to the present invention, and Fig. 3 is a cross-sectional view of another embodiment of the bake apparatus according to the present invention. Fig. to be.

도시된 바와 같이, 본 발명은 기판(130)이 재치되는 핫 플레이트(110), 핫 플레이트 상면에서 공기를 가두며 플라즈마 처리 진행시 발생되는 퓸(fume)의 외부 유출을 방지하는 챔버 커버(120)로 구성될 수 있다.As shown in the figure, the present invention provides a plasma processing apparatus comprising a hot plate 110 on which a substrate 130 is placed, a chamber cover 120 for blocking air from the upper surface of the hot plate and preventing external fume generated during plasma processing from proceeding, ≪ / RTI >

핫 플레이트(110)는 기판(130)에 전도성 패턴을 형성하는데 필요한 포토레지스트 막에 포함된 용매(솔벤트)를 가열하여 증발시키기 위한 구성으로서, 도면에 도시되지는 않았으나 핫 플레이트 상에 고정되는 기판(130)에 열을 가열하는 열선 등과 같은 히팅 수단이 포함될 수 있다.The hot plate 110 has a structure for heating and evaporating a solvent (solvent) contained in the photoresist film necessary for forming a conductive pattern on the substrate 130. Although not shown in the drawing, a substrate 130 may include heating means such as a heating wire or the like for heating the heat.

핫 플레이트(110)에는 상하로 관통하는 관통홀이 다수 존재할 수 있다. 기판(130) 재치 영역에 형성되는 관통홀은 진공 석션을 위한 흡착 벤트(112)를 구성할 수 있고, 기판 재치 영역 외에 형성되는 관통홀은 챔버 커버(120)가 분리될 때 공기를 주입하여 챔버 커버(120)를 분리하는 에어 벤트(111)를 구성할 수 있다.The hot plate 110 may have a plurality of through holes passing vertically. The through holes formed in the substrate 130 placement area can constitute the adsorption vents 112 for vacuum suction. The through holes formed outside the substrate placement area inject air when the chamber cover 120 is separated, An air vent 111 for separating the cover 120 can be formed.

이때, 흡착 벤트(112)는 기판(130)을 진공 흡착시켜 플라즈마 처리 진행시에 기판(130)을 고정시켜 이동을 방지할 수 있도록 핫 플레이트 중앙부에 형성될 수 있고, 에어 벤트(111)는 플라즈마 처리 이후 플라즈마 챔버 내부로 공기를 주입할 수 잇도록 기판이 재치되는 영역 외의 핫 플레이트 외측부에 형성될 수 있다.At this time, the adsorption vents 112 may be formed at the central portion of the hot plate so as to prevent the substrate 130 from moving when the substrate 130 is vacuum-adsorbed by the plasma, And may be formed on the outside of the hot plate outside the region where the substrate is placed so that air can be injected into the plasma chamber after the treatment.

에어 벤트(111)는 공기 유출입을 제어하는 벤트부(140)와 결합되어 챔버 내부의 공기를 순환시킬 수 있으며, 플라즈마 처리 중에 발생된 퓸(fume)을 외부로 제거할 수 있다. 또한, 벤트부(140)는 챔버 커버(120)가 소프트 베이킹을 실시하여 플라즈마 처리를 완료 후에 챔버 내에 공기를 불어 넣어 챔버 커버(120) 분리를 용이하게 할 수 있다.The air vent 111 is coupled with a vent portion 140 for controlling the air flow so as to circulate air in the chamber and can remove fumes generated during the plasma processing to the outside. In addition, the vent portion 140 can facilitate the separation of the chamber cover 120 by blowing air into the chamber after completing the plasma treatment by performing soft baking of the chamber cover 120.

그리고, 핫 플레이트 중앙에 형성된 리프트 핀 삽입 벤트(113)에는 기판을 핫 플레이트에 고정시키기 전에 기판에 가해지는 충격을 흡수할 수 있는 리프트 핀(161)이 개재될 수 있다.The lift pin insertion vent 113 formed at the center of the hot plate may be provided with a lift pin 161 capable of absorbing impact applied to the substrate before the substrate is fixed to the hot plate.

리프트 핀 삽입 벤트(113)에는 리프트 핀(161)이 개재되어 기판을 상하 이동시킬 수 있고, 리프트 핀(161)은 핫 플레이트 하부에 형성된 구동부(160)와 결합되어 플라즈마 처리시 기판을 핫 플레이트에 가해지는 충격을 방지할 수 있고, 플라즈마 처리 완료 후에 기판을 핫 플레이트에 결합할 때 고온에 의해 미분리 현상을 예방할 수 있다.The lift pins 161 are inserted into the lift pin insertion vent 113 to move the substrate up and down. The lift pins 161 are engaged with the driving unit 160 formed below the hot plate, It is possible to prevent an impact which is applied and to prevent the undesired phenomenon due to the high temperature when the substrate is bonded to the hot plate after completion of the plasma treatment.

리프트 핀은 기판이 수평을 이루며 재치될 수 있도록 적어도 세 개 이상이 구비될 수 있다. 그리고, 구동부는 기판을 로딩 또는 언로딩하기 위해 핀의 승강을 제어할 수 있다.At least three lift pins may be provided to allow the substrate to be placed horizontally. The driving unit may control the lifting and lowering of the pin to load or unload the substrate.

핫 플레이트 측면에는 커버 고정부(114)를 더 포함할 수 있다. 커버 고정부(114)는 챔버 커버(120)가 핫 플레이트와 결합되어 플라즈마 처리를 하기 위한 플라즈마 챔버를 형성할 때, 내부에 에어를 가두고 외부로 유출되지 않도록 플라즈마 챔버를 밀폐시키는 기능을 할 수 있다.The hot plate side may further include a cover fixing portion (114). When the chamber cover 120 is coupled with the hot plate to form a plasma chamber for plasma processing, the cover fixing unit 114 may function to seal the plasma chamber to prevent the air from being leaked to the outside have.

커버 고정부(114)는 핫 플에이트 외측에 형성되며 핫 플레이트에서 전달된 열이 외부로 방출되는 것을 방지할 수 있는 단열 성능이 우수한 공지된 제반 재료를 선택할 수 있다.The cover fixing part 114 can be formed of a known material having excellent heat insulating performance, which is formed outside the hot plate and can prevent the heat transmitted from the hot plate from being discharged to the outside.

챔버 커버(120)는 플라즈마 챔버 상면을 커버하는 상판과 측면을 커버하는 측판이 일체로 형성될 수 있다. 그리고, 챔버 커버가 수직 구동되어 하방으로 이동되면 측판이 핫 플레이트의 외주부에 결합되면서 플라즈마 처리가능한 공간을 형성할 수 있고, 플라즈마 처리 중간에 발생된 유해 가스가 누출되는 것을 방지할 수 있다.The chamber cover 120 may be integrally formed with an upper plate covering the upper surface of the plasma chamber and a side plate covering the side surface. When the chamber cover is vertically driven and moved downward, the side plate is coupled to the outer circumferential portion of the hot plate, thereby forming a plasma processable space, and it is possible to prevent the noxious gas generated in the plasma process from leaking.

한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 챔버 커버(120)는 기판의 더미 부분을 가압하여 기판의 휨을 방지하거나, 휨이 발생된 기판을 보정하여 핫 플레이트에 들뜬 부분 없이 밀착결합을 돕는 기판 가압 가이드(122)를 더 포함할 수 있다.3, the chamber cover 120 is provided with a substrate pressing guide (not shown) for preventing bending of the substrate by pressing the dummy portion of the substrate, or correcting the deflected substrate, (122).

기판 가압 가이드(122)는 챔버 커버 하방으로 바(bar)가 신장 형성되어 챔버 커버에 일체로 돌출형성될 수 있으므로 챔버 커버가 하방 구동되어 플라즈마 챔버를 형성하면서 기판을 가압하여 핫 플레이트에 평행하게 고정시킬 수 있다.The substrate pressing guide 122 can be formed integrally with the chamber cover by extending the bar downwardly of the chamber cover so that the chamber cover is downwardly driven to press the substrate and fix it parallel to the hot plate while forming the plasma chamber .

기판 가압 가이드(122)는 기판과 접촉되어 기판을 가압하는 수단이므로 기판의 손상을 방지할 수 있도록 기판 외측 더미(dummy) 지역을 가압할 수 있도록 챔버 커버 중앙보다 측면에 형성될 수 있다.The substrate pressing guide 122 is a means for pressing the substrate in contact with the substrate, so that it can be formed on the side of the center of the chamber cover so as to pressurize the dummy area outside the substrate so as to prevent damage to the substrate.

그리고, 기판 가압 가이드(122)는 기판과 접촉시 발생되는 충격을 완화하기 위해 길이가 가변될 수 있는 구조일 수 있다. 예를 들면, 기판 가이드부는 신장이 가능한 탄성부재일 수 있고, 챔버 커버가 하방구동되어 기판 더미지역과 접촉하였을 때 기판에 가하는 힘을 흡수할 수 있어 기판에 형성되는 스크래치나 크랙을 예방할 수 있다.In addition, the substrate pressing guide 122 may have a structure that can be varied in length in order to mitigate the impact generated upon contact with the substrate. For example, the substrate guide part may be an elastic member capable of extending, and when the chamber cover is driven downward to contact the substrate dummy area, the force applied to the substrate can be absorbed, thereby preventing scratches or cracks formed on the substrate.

기판 가압 가이드(122)부는 챔버 커버가 하방 구동되었을 때 기판을 가압시켜 휨을 방지할 수 있으므로 챔버 커버가 기판에 가하는 공압을 약하게 할 수 있으므로 챔버 커버의 하방 구동 정도를 세밀하게 제어할 수 있다.Since the substrate pressing guide 122 can prevent warp by pressing the substrate when the chamber cover is driven downward, the chamber cover can weaken the air pressure applied to the substrate, so that the downward driving degree of the chamber cover can be finely controlled.

챔버 커버는 커버 고정부(114)와 결합할 수 있는 에어 유출 방지부(121)를 더 포함할 수 있다. 에어 유출 방지부(121)는 챔버 커버가 핫 플레이트과 결합되어 플라즈마 내 공기를 밀폐시킬 수 있도록 하방으로 돌출형성된 구조일 수 있다.The chamber cover may further include an air outflow preventing portion 121 that can engage with the cover fixing portion 114. The air outflow preventing portion 121 may have a structure in which the chamber cover is protruded downward to be coupled with the hot plate to seal air in the plasma.

그리고, 에어 유출 방지부(121)는 챔버 커버를 구성하는 측판과 내측에서 결합되며, 핫 플레이트에 측면에 돌출 형성된 커버 고정부(114)와 밀착되면서 공기 유출입을 방지할 수 있다.The air leakage preventing portion 121 is coupled to the side plate constituting the chamber cover and is in close contact with the cover fixing portion 114 protruding from the side surface of the hot plate, thereby preventing air inflow and outflow.

에어 유출 방지부(121)는 베이크 공정이 진행되는 내부공간을 외부로부터 밀폐시키는 실링부재로 구성될 수 있고, 탄성이 있는 고무재질로 구성되어 커버 고정부(114)와 밀착되었을 때 공기 유출입을 방지하고 챔버 커버 하방 구동을 용이하게 할 수 있다.The air outflow preventing portion 121 may be composed of a sealing material which seals the internal space in which the baking process is performed from the outside and is made of an elastic rubber material and prevents air inflow and outflow when it is in close contact with the cover fixing portion 114 And the downward movement of the chamber cover can be facilitated.

그리고, 플라즈마 챔버 내 공기를 압축하기 위한 공정을 진행하기 위해 에어 벤트(111), 흡착 벤트(112)에 형성된 진공 흡착부(150)와 벤트부(140)의 밸브를 닫아 공압 효율을 높일 수 있다.In order to advance the process of compressing the air in the plasma chamber, the vacuum adsorption unit 150 formed in the air vent 111 and the adsorption vent 112 and the valve of the vent unit 140 may be closed to increase the pneumatic efficiency .

한편, 챔버 커버가 핫 플레이트와 결합하면 챔버 커버를 하방 구동시켜 공기를 압축시켜 기판이 재치된 하방으로 공압이 작용할 수 있도록 할 수 있다. 그리고, 핫 플레이트 하방에서는 진공 흡착부(150)를 구동시켜 기판을 핫 플레이트와 밀착시킬 수 있다.On the other hand, when the chamber cover is coupled with the hot plate, the chamber cover is downwardly driven to compress the air so that the air pressure acts on the downwardly mounted substrate. Then, the vacuum adsorption unit 150 is driven below the hot plate to bring the substrate into close contact with the hot plate.

공압을 통해 기판을 핫 플레이트에 밀착시키기 때문에 기판 에지를 물리적으로 힘으로 고정시키는 방법에 비해 기판 스크래치를 줄일 수 있고 기판에 균일하게 힘을 가할 수 있어 기판의 크랙을 방지할 수 있다.Since the substrate is brought into close contact with the hot plate through the pneumatic pressure, the substrate scratch can be reduced and uniform force can be applied to the substrate as compared with a method of physically fixing the substrate edge, thereby preventing cracking of the substrate.

핫 플레이트 상면에는 기판의 접속을 확인할 수 있는 센서(도면 미도시)가 형성될 수 있다. 센서는 기판의 휨으로 인해 핫 플레이트와 접촉이 불량한 여부를 확인하여 정보를 제공할 수 있고, 센서에서 기판의 밀착이 확인되지 않는 부분이 확인되면 커버의 하방 구동을 강화시키거나 진공 흡착부(150) 구동을 강화시켜 기판을 핫 플레이트에 밀착시킬 수 있다.A sensor (not shown) capable of confirming the connection of the substrate may be formed on the upper surface of the hot plate. The sensor can provide information by checking whether the contact with the hot plate is poor due to warping of the substrate. If a portion of the sensor where adhesion of the substrate is not confirmed is confirmed, the downward driving of the cover is strengthened, ) Driving can be strengthened and the substrate can be brought into close contact with the hot plate.

기판이 핫 플레이트에 밀착되면 핫 플레이트에 형성된 히트 수단으로 핫 플레이트를 가열하고, 열기가 기판에 전달되어 포토 레지스트에 함유된 용매를 증발시켜 소프트 베이킹 공정을 수행할 수 있다.When the substrate is in close contact with the hot plate, the hot plate is heated by the heat means formed on the hot plate, and the heat is transferred to the substrate to evaporate the solvent contained in the photoresist, thereby performing the soft baking process.

포토 레지스트에 함유된 솔벤트를 증발시키기 위해 핫 플레이트를 약 90 내지 120 ℃로 가열할 수 있으며 바람직하게는 115℃ 정도일 수 있다.The hot plate can be heated to about 90 to 120 DEG C and preferably about 115 DEG C to evaporate the solvent contained in the photoresist.

본 발명은 플라즈마 챔버 내의 공기를 하방으로 압착시켜 기판에 공압을 주어 핫 플레이트와 밀착시킬 수 있으므로 기판의 모든 영역을 동일하게, 균일하게 가열할 수 있어 플라즈마 처리 효과가 뛰어날 수 있다.Since the air in the plasma chamber can be pressed downward by applying air pressure to the substrate and the substrate can be brought into close contact with the hot plate, the entire area of the substrate can be uniformly heated uniformly,

또한, 본 발명은 기판을 공압으로 핫 플레이트와 밀착시키면서 플레이트 하면에서는 기판을 석션할 수 있는 진공 흡착부(150)에서 기판을 석션할 수 있어 기판을 핫 플레이트에 평행하게 밀착시킬 수 있으므로 플라즈마 처리 효율을 증대시킬 수 있다.In addition, since the substrate can be sucked by the vacuum adsorption unit 150 capable of sucking the substrate while the substrate is in close contact with the hot plate under pneumatic pressure, the substrate can be closely contacted to the hot plate, Can be increased.

한편, 포토 레지스트에 포함된 용매가 정해진 규격에 맞도록 증발되면 챔버 커버를 분리하기 위해 벤트부(140)를 구동시켜 에어를 챔버내로 주입시킬 수 있다. 챔버에 에어를 주입시켜 내부압력을 낮추면 벤트부(140)를 구동시켜 챔버내 에어를 배출시켜 증발된 용매가 패브리케이션으로 노출되는 것을 방지할 수 있다.On the other hand, when the solvent contained in the photoresist is evaporated according to a predetermined standard, air can be injected into the chamber by driving the vent portion 140 to separate the chamber cover. When air is injected into the chamber to lower the internal pressure, the vent portion 140 is driven to discharge the air in the chamber to prevent the evaporated solvent from being exposed to the fabrication.

퓸이 제거됨이 확인되면 챔버 커버를 상방으로 구동시켜 챔버를 오픈시키고 구동부(160)를 상방 구동시켜 리프트 핀(161)을 핫 플레이트 상부로 돌출시켜 기판을 들어올리고 기판을 이동시켜 플라즈마 처리를 완료할 수 있다.
When it is confirmed that the fume is removed, the chamber cover is opened to open the chamber, the driving unit 160 is driven upward, the lift pins 161 are protruded to the upper part of the hot plate, the substrate is lifted and the substrate is moved to complete the plasma processing .

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. It is also to be understood that the foregoing is illustrative and explanatory of preferred embodiments of the invention only, and that the invention may be used in various other combinations, modifications and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the disclosure and the equivalents of the disclosure and / or the scope of the art or knowledge of the present invention. The foregoing embodiments are intended to illustrate the best mode contemplated for carrying out the invention and are not intended to limit the scope of the present invention to other modes of operation known in the art for utilizing other inventions such as the present invention, Various changes are possible. Accordingly, the foregoing description of the invention is not intended to limit the invention to the precise embodiments disclosed. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

100. 베이크 장치
110. 핫 플레이트
111. 에어 벤트
112. 흡착 벤트
113. 리프트 핀 삽입 벤트
114. 커버 고정부
120. 챔버 커버
121. 에어 유출 방지부
122. 기판 가압 가이드
130. 기판
140. 벤트부
141. 벤트라인
150. 진공 흡착부
151. 진공 흡착 라인
160. 구동부
161. 리프트 핀100. Bake device
110. Hot plate
111. Air vent
112. Adsorption vents
113. Lift pin insertion vent
114. Cover fixing portion
120. Chamber cover
121. Air leakage prevention part
122. Substrate pressing guide
130. Substrate
140. Vent section
141. Bent line
150. Vacuum adsorption part
151. Vacuum suction line
160. Drive
161. Lift pin

Claims (10)

포토레지스트가 형성된 기판을 고정하며, 기판을 가열하는 핫 플레이트; 및
상기 핫 플레이트 상면을 밀폐시켜 수직이동에 따라 내부 공기를 가압하는 챔버 커버;
를 포함하는 베이크 장치.
A hot plate for fixing the substrate on which the photoresist is formed and heating the substrate; And
A chamber cover for sealing the upper surface of the hot plate to pressurize the inner air in accordance with vertical movement;
/ RTI >
제1항에 있어서,
상기 핫 플레이트는 기판을 진공 흡착시키는 진공 흡착부를 더 포함하는 베이크 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the hot plate further comprises a vacuum adsorption part for vacuum-adsorbing the substrate.
제1항에 있어서,
상기 핫 플레이트는 상기 플라즈마 챔버에 공기를 주입하는 벤트부를 더 포함하는 베이크 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the hot plate further comprises a vent portion for injecting air into the plasma chamber.
제1항에 있어서,
상기 핫 플레이트는 기판을 가이드하는 리프트 핀을 구비한 구동부를 더 포함하는 베이크 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the hot plate further comprises a driving portion having a lift pin for guiding the substrate.
제1항에 있어서,
상기 챔버 커버는 공기 유출을 방지하는 에어 유출 방지부를 더 포함하는 베이크 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the chamber cover further includes an air outflow preventing portion for preventing air outflow.
제5항에 있어서,
상기 핫 플레이트는 상기 에어 유출 방지부를 고정하는 커버 고정부를 더 포함하는 베이크 장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the hot plate further includes a cover fixing portion for fixing the air outflow preventing portion.
포토레지스트가 형성된 기판을 고정하며, 기판을 가열하는 핫 플레이트; 및
상기 핫 플레이트 상면을 밀폐시키며 기판을 가압하는 기판 가압 가이드를 구비한 챔버 커버;
를 포함하는 베이크 장치.
A hot plate for fixing the substrate on which the photoresist is formed and heating the substrate; And
A chamber cover having a substrate pressing guide for sealing the upper surface of the hot plate and pressing the substrate;
/ RTI >
제7항에 있어서,
상기 핫 플레이트는 기판을 진공 흡착시키는 진공 흡착부를 더 포함하는 베이크 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the hot plate further comprises a vacuum adsorption part for vacuum-adsorbing the substrate.
제7항에 있어서,
상기 핫 플레이트는 상기 플라즈마 챔버에 공기를 주입하는 벤트부를 더 포함하는 베이크 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the hot plate further comprises a vent portion for injecting air into the plasma chamber.
제7항에 있어서,
상기 챔버 커버는 공기 유출을 방지하는 에어 유출 방지부를 더 포함하는 베이크 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the chamber cover further includes an air outflow preventing portion for preventing air outflow.
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