KR102268916B1 - Oled 화소 회로 및 oled 디바이스의 열화를 완화하는 방법 - Google Patents

Oled 화소 회로 및 oled 디바이스의 열화를 완화하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 OLED 화소 회로 및 OLED 디바이스의 열화를 완화하는 방법을 제공하는데, 제 1 서브 화소 구동 유닛, 제 2 서브 화소 구동 유닛, 제 1 역방향 바이어스 유닛 및 제 2 역방향 바이어스 유닛을 설치하고， 간단한 제어 타이밍을 결합하는 것에 의해， 제 1 발광 다이오드와 제 2 발광 다이오드가 계속 직류 바이어스 상태에 처해 있지 않도록 하고， 또한 제 1 발광 다이오드와 제 2 발광 다이오드가 상이한 프레임 화면 기간에서 교차적으로 발광하도록 한다.

Description

OLED 화소 회로 및 OLED 디바이스의 열화를 완화하는 방법
본 발명은 표시 기술 분야에 관한 것이고，특히 OLED 화소 회로 및 OLED 디바이스의 열화를 완화하는 방법에 관한 것이다.
액티브 매트릭스 유기 발광 다이오드（Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED）가 발광할 수 있는 것은 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor，TFT)를 구동하여 포화 상태일 때 발생되는 전류에 의해 구동되는 것이고，전통적인 AMOLED 화소 회로는 일반적으로 2T1C구동 회로이다. 도 1을 참조하면，해당 2T1C회로는 두개의 TFT와 하나의 커패시터（Capacitor）를 포함하고， 그 중에서, T1은 화소 회로의 구동 트랜지스터이고， T2는 스위치 트랜지스터이며， 주사선(Gate)은 스위치 트랜지스터(T2)를 턴 온하고， 데이터 전압(Vdata)은 저장 커패시터(Cst)에 대해 충전을 행하며， 발광 기간 스위치 트랜지스터(T2)를 턴 오프하고， 커패시터에 저장된 전압은 구동 트랜지스터(T1)으로 하여금 도통을 유지하도록 하고， 도통 전류는 발광 다이오드(OLED)로 하여금 발광하도록 한다. 발광 다이오드(OLED)가 장시간 직류 바이어스의 상태에 처해 있기 때문에， 내부의 이온이 극성화되고， 빌트인 전계를 형성하여， 발광 다이오드(OLED)의 임곗값 전압이 끊임없이 커지고 발광 다이오드(OLED)의 발광 휘도가 끊임없이 저하하는 것을 초래하고， 발광 다이오드(OLED)의 수명을 단축시켰다. 그 외, 상이한 그레이 스케일 하에서 발광 다이오드(OLED)의 직류 바이어스 전압이 상이하고， 각각의 서브 화소 발광 다이오드(OLED)의 열화 정도가 상이하기 때문에， 스크린 표시 화면이 불균일하게 되고， 표시 효과에 영향을 준다.
2T1C구동 회로에 존재하는 상술한 문제에 대해， 종래 기술은 추가로 개선되어， 발광 다이오드(OLED)가 장시간 직류 바이어스에 처해 있는 문제를 해결하도록 하였다. 그러나 개선 후의 회로는 통상적으로 많은 전압 제어 선을 필요로 하고， 제어 타이밍도 상대적으로 비교적 복잡하여， 비용을 크게 증가시켰다.
그러므로 종래 기술에 존재하는 문제를 해결하기 위해 OLED 화소 회로 및 OLED 디바이스의 열화를 완화하는 방법을 제공할 필요가 있다.
본 발명의 목적은, 종래의 OLED 화소 회로 중 발광 다이오드가 장시간 직류 바이어스에 처해 있는 것으로 인해 쉽게 열화되는 문제를 해결하기 위해, OLED 화소 회로 및 OLED 디바이스의 열화를 완화하는 방법을 제공하는 것에 있다.
상술한 목적을 달성하기 위해，본 발명에서 제공되는 OLED 화소 회로는 아래와 같은 기술적 사상을 채용한다.
OLED 화소 회로로서，제 1 서브 화소 구동 유닛, 제 2 서브 화소 구동 유닛， 제 1 역방향 바이어스 유닛 및 제 2 역방향 바이어스 유닛을 포함하고，
상기 제 1 서브 화소 구동 유닛은 제 1 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 1 커패시터 및 제 1 발광 다이오드를 포함하고,
상기 제 2 서브 화소 구동 유닛은 제 2 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 2 커패시터 및 제 2 발광 다이오드를 포함하며,
상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터의 소스는 전원 양전압에 접속되고, 상기 제 1 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 노드에 전기적으로 연결되고， 상기 제 2 박막 트랜지스터의 게이트는 제 2 노드에 전기적으로 연결되며, 상기 제 1 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 양극에 전기적으로 연결되고， 상기 제 2 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 양극에 전기적으로 연결되며,
상기 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터의 소스는 데이터 신호에 접속되고, 상기 제 5 박막 트랜지스터의 드레인은 제 1 노드에 전기적으로 연결되고, 상기 제 6 박막 트랜지스터의 드레인은 제 2 노드에 전기적으로 연결되며, 상기 제 5 박막 트랜지스터의 게이트는 제 2 제어 신호에 접속되고, 상기 제 6 박막 트랜지스터의 게이트는 제 3 제어 신호에 접속되며,
상기 제 1 커패시터의 일단은 제 1 노드에 전기적으로 연결되고， 다른 일단은 전원 양전압에 접속되며, 상기 제 2 커패시터의 일단은 제 2 노드에 전기적으로 연결되고， 다른 일단은 전원 양전압에 접속되며,
상기 제 1 역방향 바이어스 유닛은 제 3 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터 및 제 9 박막 트랜지스터를 포함하고,
상기 제 2 역방향 바이어스 유닛은 제 4 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터 및 제 10 박막 트랜지스터를 포함하며,
상기 제 3 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 제어 신호에 접속되고, 상기 제 3 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터의 소스는 전원 양전압에 접속되며, 상기 제 3 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되고， 상기 제 4 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되며,
상기 제 7 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 제어 신호에 접속되고, 상기 제 7 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 양극 단자에 전기적으로 연결되고, 상기 제 8 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 양극 단자에 전기적으로 연결되며, 상기 제 7 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터의 소스는 전원 음전압에 접속되고,
상기 제 9 박막 트랜지스터, 제 10 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 제어 신호에 접속되고, 상기 제 9 박막 트랜지스터, 제 10 박막 트랜지스터의 소스는 전원 음전압에 접속되며, 상기 제 9 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되고， 상기 제 10 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되며,
상기 제 1 제어 신호, 제 2 제어 신호, 제 3 제어 신호는 모두 외부 타이밍 컨트롤러에 의해 제공되고,
상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터, 제 3 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터, 제 9 박막 트랜지스터 및 제 10 박막 트랜지스터는 모두 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터, 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 또는 비결정 실리콘 박막 트랜지스터이다.
본 발명의 OLED 화소 회로 중， 상기 제 1 제어 신호, 제 2 제어 신호 및 제 3 제어 신호는 서로 조합하여 차례대로 제 1 발광 다이오드 전위 저장 단계， 제 1 발광 다이오드 발광 표시 단계, 제 2 발광 다이오드 전위 저장 단계 및 제 2 발광 다이오드 발광 표시 단계에 대응한다.
본 발명의 OLED 화소 회로 중， 상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터, 제 3 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터, 제 10 박막 트랜지스터는 모두 N형 박막 트랜지스터이고, 상기 제 4 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터, 제 9 박막 트랜지스터는 모두 P형 박막 트랜지스터이며,
상기 제 1 발광 다이오드 전위 저장 단계에서， 상기 제 1 제어 신호는 저전위를 제공하고， 상기 제 2 제어 신호는 고전위를 제공하며， 상기 제 3 제어 신호는 저전위를 제공하고,
상기 제 1 발광 다이오드 발광 표시 단계에서， 상기 제 1 제어 신호는 저전위를 제공하고， 상기 제 2 제어 신호는 저전위를 제공하며， 상기 제 3 제어 신호는 저전위를 제공하고,
상기 제 2 발광 다이오드 전위 저장 단계에서， 상기 제 1 제어 신호는 고전위를 제공하고， 상기 제 2 제어 신호는 저전위를 제공하며， 상기 제 3 제어 신호는 고전위를 제공하고,
상기 제 2 발광 다이오드 발광 표시 단계에서， 상기 제 1 제어 신호는 고전위를 제공하고， 상기 제 2 제어 신호는 저전위를 제공하며， 상기 제 3 제어 신호는 저전위를 제공한다.
본 발명에서 제공되는 OLED 화소 회로는 아래와 같은 기술적 사상도 채용한다.
OLED 화소 회로로서， 제 1 서브 화소 구동 유닛, 제 2 서브 화소 구동 유닛， 제 1 역방향 바이어스 유닛 및 제 2 역방향 바이어스 유닛을 포함하고，
상기 제 1 서브 화소 구동 유닛은 제 1 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 1 커패시터 및 제 1 발광 다이오드를 포함하고,
상기 제 2 서브 화소 구동 유닛은 제 2 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 2 커패시터 및 제 2 발광 다이오드를 포함하며,
상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터의 소스는 전원 양전압에 접속되고, 상기 제 1 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 노드에 전기적으로 연결되고， 상기 제 2 박막 트랜지스터의 게이트는 제 2 노드에 전기적으로 연결되며, 상기 제 1 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 양극에 전기적으로 연결되고， 상기 제 2 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 양극에 전기적으로 연결되며,
상기 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터의 소스는 데이터 신호에 접속되고, 상기 제 5 박막 트랜지스터의 드레인은 제 1 노드에 전기적으로 연결되고, 상기 제 6 박막 트랜지스터의 드레인은 제 2 노드에 전기적으로 연결되며, 상기 제 5 박막 트랜지스터의 게이트는 제 2 제어 신호에 접속되고, 상기 제 6 박막 트랜지스터의 게이트는 제 3 제어 신호에 접속되며,
상기 제 1 커패시터의 일단은 제 1 노드에 전기적으로 연결되고， 다른 일단은 전원 양전압에 접속되며, 상기 제 2 커패시터의 일단은 제 2 노드에 전기적으로 연결되고， 다른 일단은 전원 양전압에 접속되며,
상기 제 1 역방향 바이어스 유닛은 제 3 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터 및 제 9 박막 트랜지스터를 포함하고,
상기 제 2 역방향 바이어스 유닛은 제 4 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터 및 제 10 박막 트랜지스터를 포함하며, 그 중에서,
상기 제 3 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 제어 신호에 접속되고, 상기 제 3 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터의 소스는 전원 양전압에 접속되며, 상기 제 3 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되고，상기 제 4 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되며,
상기 제 7 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 제어 신호에 접속되고, 상기 제 7 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 양극 단자에 전기적으로 연결되고, 상기 제 8 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 양극 단자에 전기적으로 연결되며, 상기 제 7 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터의 소스는 전원 음전압에 접속되고,
상기 제 9 박막 트랜지스터, 제 10 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 제어 신호에 접속되고, 상기 제 9 박막 트랜지스터, 제 10 박막 트랜지스터의 소스는 전원 음전압에 접속되며, 상기 제 9 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되고， 상기 제 10 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결된다.
본 발명의 OLED 화소 회로 중， 상기 제 1 제어 신호, 제 2 제어 신호, 제 3 제어 신호는 모두 외부 타이밍 컨트롤러에 의해 제공된다.
본 발명의 OLED 화소 회로 중， 상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터, 제 3 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터, 제 9 박막 트랜지스터 및 제 10 박막 트랜지스터는 모두 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터, 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 또는 비결정 실리콘 박막 트랜지스터이다.
본 발명의 OLED 화소 회로 중, 상기 제 1 제어 신호, 제 2 제어 신호 및 제 3 제어 신호는 서로 조합하여 차례대로 제 1 발광 다이오드 전위 저장 단계， 제 1 발광 다이오드 발광 표시 단계, 제 2 발광 다이오드 전위 저장 단계 및 제 2 발광 다이오드 발광 표시 단계에 대응한다.
본 발명의 OLED 화소 회로 중， 상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터, 제 3 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터, 제 10 박막 트랜지스터는 모두 N형 박막 트랜지스터이고, 상기 제 4 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터, 제 9 박막 트랜지스터는 모두 P형 박막 트랜지스터이며,
상기 제 1 발광 다이오드 전위 저장 단계에서， 상기 제 1 제어 신호는 저전위를 제공하고， 상기 제 2 제어 신호는 고전위를 제공하며， 상기 제 3 제어 신호는 저전위를 제공하고,
상기 제 1 발광 다이오드 발광 표시 단계에서， 상기 제 1 제어 신호는 저전위를 제공하고， 상기 제 2 제어 신호는 저전위를 제공하며， 상기 제 3 제어 신호는 저전위를 제공하고,
상기 제 2 발광 다이오드 전위 저장 단계에서， 상기 제 1 제어 신호는 고전위를 제공하고， 상기 제 2 제어 신호는 저전위를 제공하며， 상기 제 3 제어 신호는 고전위를 제공하고,
상기 제 2 발광 다이오드 발광 표시 단계에서， 상기 제 1 제어 신호는 고전위를 제공하고， 상기 제 2 제어 신호는 저전위를 제공하며， 상기 제 3 제어 신호는 저전위를 제공한다.
본 발명에서는 OLED 디바이스의 열화를 완화하는 방법을 더 제공하였고， 기술적 사상은 아래와 같다.
단계1, OLED 화소 회로를 제공하고,
상기 OLED 화소 회로는 제 1 서브 화소 구동 유닛, 제 2 서브 화소 구동 유닛， 제 1 역방향 바이어스 유닛 및 제 2 역방향 바이어스 유닛을 포함하고，
상기 제 1 서브 화소 구동 유닛은 제 1 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 1 커패시터 및 제 1 발광 다이오드를 포함하고,
상기 제 2 서브 화소 구동 유닛은 제 2 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 2 커패시터 및 제 2 발광 다이오드를 포함하며, 그 중에서,
상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터의 소스는 전원 양전압에 접속되고, 상기 제 1 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 노드에 전기적으로 연결되고， 상기 제 2 박막 트랜지스터의 게이트는 제 2 노드에 전기적으로 연결되며, 상기 제 1 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 양극에 전기적으로 연결되고，상기 제 2 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 양극에 전기적으로 연결되며,
상기 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터의 소스는 데이터 신호에 접속되고, 상기 제 5 박막 트랜지스터의 드레인은 제 1 노드에 전기적으로 연결되고, 상기 제 6 박막 트랜지스터의 드레인은 제 2 노드에 전기적으로 연결되며, 상기 제 5 박막 트랜지스터의 게이트는 제 2 제어 신호에 접속되고, 상기 제 6 박막 트랜지스터의 게이트는 제 3 제어 신호에 접속되며,
상기 제 1 커패시터의 일단은 제 1 노드에 전기적으로 연결되고， 다른 일단은 전원 양전압에 접속되며, 상기 제 2 커패시터의 일단은 제 2 노드에 전기적으로 연결되고， 다른 일단은 전원 양전압에 접속되며,
상기 제 1 역방향 바이어스 유닛은 제 3 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터 및 제 9 박막 트랜지스터를 포함하고,
상기 제 2 역방향 바이어스 유닛은 제 4 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터 및 제 10 박막 트랜지스터를 포함하며,
상기 제 3 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 제어 신호에 접속되고, 상기 제 3 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터의 소스는 전원 양전압에 접속되며, 상기 제 3 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되고，상기 제 4 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되며,
상기 제 7 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 제어 신호에 접속되고, 상기 제 7 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 양극 단자에 전기적으로 연결되고, 상기 제 8 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 양극 단자에 전기적으로 연결되며, 상기 제 7 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터의 소스는 전원 음전압에 접속되고,
상기 제 9 박막 트랜지스터, 제 10 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 제어 신호에 접속되고, 상기 제 9 박막 트랜지스터, 제 10 박막 트랜지스터의 소스는 전원 음전압에 접속되며, 상기 제 9 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되고，상기 제 10 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되며,
단계2, 제 1 발광 다이오드 전위 저장 단계에 진입하고， 상기 제 1 발광 다이오드 전위 저장 단계는 N번째 프레임의 화면 기간에 있으며,
상기 제 1 제어 신호, 제 2 제어 신호 및 제 3 제어 신호는 상기 제 4 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터 및 제 9 박막 트랜지스터가 턴 온되도록 제어하고, 상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터, 제 3 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터 및 제 10 박막 트랜지스터가 턴 오프되도록 제어하며， 제 1 커패시터는 데이터 신호의 전위를 저장하고，또한 상기 제 2 발광 다이오드는 역방향 바이어스 상태에 처해 있으며,
단계3, 제 1 발광 다이오드 발광 표시 단계에 진입하고， 상기 제 1 발광 다이오드 발광 표시 단계는 N번째 프레임의 화면 기간에 있으며,
상기 제 1 제어 신호, 제 2 제어 신호 및 제 3 제어 신호는 상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터, 제 9 박막 트랜지스터가 턴 온되도록 제어하고, 상기 제 2 박막 트랜지스터, 제 3 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터 및 제 10 박막 트랜지스터는 턴 오프되도록 제어하며， 제 1 발광 다이오드는 발광하고， 또한 상기 제 2 발광 다이오드는 계속해서 역방향 바이어스 상태에 처해 있으며,
단계4, 제 2 발광 다이오드 전위 저장 단계에 진입하고， 상기 제 2 발광 다이오드 전위 저장 단계는 N+1번째 프레임의 화면 기간에 있으며,
상기 제 1 제어 신호, 제 2 제어 신호, 제 3 제어 신호는 상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터, 제 3 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터 및 제 9 박막 트랜지스터가 턴 온되도록 제어하고，상기 제 4 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터 및 제 10 박막 트랜지스터가 턴 오프되도록 제어하며， 제 2 커패시터가 데이터 신호의 전위를 저장하고， 또한 상기 제 1 발광 다이오드는 역방향 바이어스 상태에 처해 있으며,
단계5, 제 2 발광 다이오드 발광 표시 단계에 진입하고， 상기 제 2 발광 다이오드 발광 표시 단계는 N+1번째 프레임의 화면 기간에 있으며,
상기 제 1 제어 신호, 제 2 제어 신호 및 제 3 제어 신호는 상기 제 2 박막 트랜지스터, 제 3 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터 및 제 10 박막 트랜지스터가 턴 온되도록 제어하고, 상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터 및 제 9 박막 트랜지스터가 턴 오프되도록 제어하며， 제 2 발광 다이오드가 발광하고， 또한 상기 제 1 발광 다이오드가 계속해서 역방향 바이어스 상태에 처해 있다.
본 발명의 OLED 디바이스의 열화를 완화하는 방법 중， 상기 제 1 제어 신호, 제 2 제어 신호, 제 3 제어 신호는 모두 외부 타이밍 컨트롤러에 의해 제공된다.
본 발명의 OLED 디바이스의 열화를 완화하는 방법 중， 상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터, 제 3 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터, 제 9 박막 트랜지스터 및 제 10 박막 트랜지스터는 모두 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터, 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 또는 비결정 실리콘 박막 트랜지스터이다.
본 발명의 OLED 디바이스의 열화를 완화하는 방법 중， 상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터, 제 3 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터, 제 10 박막 트랜지스터는 모두 N형 박막 트랜지스터이고, 상기 제 4 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터, 제 9 박막 트랜지스터는 모두 P형 박막 트랜지스터이며,
상기 제 1 발광 다이오드 전위 저장 단계에서， 상기 제 1 제어 신호는 저전위를 제공하고， 상기 제 2 제어 신호는 고전위를 제공하며， 상기 제 3 제어 신호는 저전위를 제공하고,
상기 제 1 발광 다이오드 발광 표시 단계에서， 상기 제 1 제어 신호는 저전위를 제공하고， 상기 제 2 제어 신호는 저전위를 제공하며， 상기 제 3 제어 신호는 저전위를 제공하고,
상기 제 2 발광 다이오드 전위 저장 단계에서， 상기 제 1 제어 신호는 고전위를 제공하고， 상기 제 2 제어 신호는 저전위를 제공하며， 상기 제 3 제어 신호는 고전위를 제공하고,
상기 제 2 발광 다이오드 발광 표시 단계에서， 상기 제 1 제어 신호는 고전위를 제공하고， 상기 제 2 제어 신호는 저전위를 제공하며， 상기 제 3 제어 신호는 저전위를 제공한다.
본 발명의 OLED 화소 회로 및 OLED 디바이스의 열화를 완화하는 방법은， 제 1 서브 화소 구동 유닛, 제 2 서브 화소 구동 유닛, 제 1 역방향 바이어스 유닛 및 제 2 역방향 바이어스 유닛을 설치하고， 간단한 제어 타이밍을 결합하는 것에 의해， 제 1 발광 다이오드와 제 2 발광 다이오드가 계속 직류 바이어스 상태에 처해 있지 않도록 하고， 또한 제 1 발광 다이오드와 제 2 발광 다이오드가 상이한 프레임 화면 기간에서 교차적으로 발광하도록 하여， 제 1 발광 다이오드와 제 2 발광 다이오드의 발광 시간을 감소시켰고， 제 1 발광 다이오드와 제 2 발광 다이오드의 열화를 완화시켰으며， 패널의 표시 품질을 개선시켰다.
본 발명의 상술한 내용을 보다 이해하기 쉽게 하기 위해, 아래에서 특별히 바람직한 실시 예를 예로 들고， 또한 첨부한 도면을 결합하여，아래와 같이 상세하게 설명했다.
이하 첨부된 도면과 결합하여 본 발명의 구체적인 실시형태에 대해 상세하게 설명하는 것을 통해 본 발명의 기술적 사상 및 기타 유익한 효과를 명백히 한다.
도 1은 종래의 2T1C구조의 OLED 화소 회로의 회로도이다.
도 2는 본 발명의 OLED 화소 회로의 회로도이다.
도 3은 본 발명의 OLED 화소 회로의 타이밍 차트이다.
도 4는 본 발명의 OLED 디바이스의 열화를 완화하는 방법의 단계2의 개략도이다.
도 5는 본 발명의 OLED 디바이스의 열화를 완화하는 방법의 단계3의 개략도이다.
도 6은 본 발명의 OLED 디바이스의 열화를 완화하는 방법의 단계4의 개략도이다.
도 7은 본 발명의 OLED 디바이스의 열화를 완화하는 방법의 단계5의 개략도이다.
본 발명에서 실시하는 기술적 수단 및 그 효과를 추가로 설명하기 위해, 이하 본 발명의 바람직한 실시 예 및 그 첨부된 도면을 결합하여 상세한 설명을 행한다. 설명된 실시 예는 본 발명의 일부 실시 예 일뿐, 전체 실시 예가 아니라는 점은 명확한 것이다. 본 발명 중의 실시 예에 근거하여 본 기술 분야의 통상의 기술자는 창조적인 작업을 행하지 않은 전제하에 획득한 모든 기타 실시 예는 모두 본 발명의 보호 범위에 속한다.
도 2를 참조하면， 본 발명에서는 OLED 화소 회로를 제공하고， 해당 OLED 화소 회로는 제 1 서브 화소 구동 유닛(101), 제 2 서브 화소 구동 유닛(102), 제 1 역방향 바이어스 유닛(103) 및 제 2 역방향 바이어스 유닛(104)을 포함하며, 그 중에서, 제 1 서브 화소 구동 유닛(101)은 제 1 박막 트랜지스터(T1), 제 5 박막 트랜지스터(T5), 제 1 커패시터(C1) 및 제 1 발광 다이오드(OLED1)를 포함하고, 제 2 서브 화소 구동 유닛(102)은 제 2 박막 트랜지스터(T2), 제 6 박막 트랜지스터(T6), 제 2 커패시터(C2) 및 제 2 발광 다이오드(OLED2)를 포함하며, 제 1 역방향 바이어스 유닛(103)은 제 3 박막 트랜지스터(T3), 제 7 박막 트랜지스터(T7) 및 제 9 박막 트랜지스터(T9)를 포함하고, 제 2 역방향 바이어스 유닛(104)은 제 4 박막 트랜지스터(T4), 제 8 박막 트랜지스터(T8) 및 제 10 박막 트랜지스터(T10)를 포함한다.
추가로, 제 1 박막 트랜지스터(T1), 제 2 박막 트랜지스터(T2)의 소스는 전원 양전압(OVDD)에 접속되고, 제 1 박막 트랜지스터(T1)의 게이트는 제 1 노드(N1)에 전기적으로 연결되고， 제 2 박막 트랜지스터(T2)의 게이트는 제 2 노드(N2)에 전기적으로 연결되며, 제 1 박막 트랜지스터(T1)의 드레인은 제 1 발광 다이오드(OLED1)의 양극에 전기적으로 연결되고， 제 2 박막 트랜지스터(T2)의 드레인은 제 2 발광 다이오드(OLED2)의 양극에 전기적으로 연결되며,
제 5 박막 트랜지스터(T5), 제 6 박막 트랜지스터(T6)의 소스는 데이터 신호(Vdata)에 접속되고, 제 5 박막 트랜지스터(T5)의 드레인은 제 1 노드(N1)에 전기적으로 연결되고, 제 6 박막 트랜지스터(T6)의 드레인은 제 2 노드(N2)에 전기적으로 연결되며, 제 5 박막 트랜지스터(T5)의 게이트는 제 2 제어 신호(S2)에 접속되고， 제 6 박막 트랜지스터(T6)의 게이트는 제 3 제어 신호(S3)에 접속되며,
제 1 커패시터(C1)의 일단은 제 1 노드(N1)에 전기적으로 연결되고， 다른 일단은 전원 양전압(OVDD)에 접속되며, 제 2 커패시터(C2)의 일단은 제 2 노드(N2)에 전기적으로 연결되고， 다른 일단은 전원 양전압(OVDD)에 접속되며,
제 3 박막 트랜지스터(T3), 제 4 박막 트랜지스터(T4)의 게이트는 제 1 제어 신호(S1)에 접속되고, 제 3 박막 트랜지스터(T3), 제 4 박막 트랜지스터(T4)의 소스는 전원 양전압(OVDD)에 접속되며, 제 3 박막 트랜지스터(T3)의 드레인은 제 1 발광 다이오드(OLED1)의 음극에 전기적으로 연결되고， 제 4 박막 트랜지스터(T4)의 드레인은 제 2 발광 다이오드(OLED2)의 음극에 전기적으로 연결되며,
제 7 박막 트랜지스터(T7), 제 8 박막 트랜지스터(T8)의 게이트는 제 1 제어 신호(S1)에 접속되고, 제 7 박막 트랜지스터(T7)의 드레인은 제 1 발광 다이오드(OLED1)의 양극 단자에 전기적으로 연결되고， 제 8 박막 트랜지스터(T8)의 드레인은 제 2 발광 다이오드(OLED2)의 양극 단자에 전기적으로 연결되며, 제 7 박막 트랜지스터(T7), 제 8 박막 트랜지스터(T8)의 소스는 전원 음전압(OVSS)에 접속되고,
제 9 박막 트랜지스터(T9), 제 10 박막 트랜지스터(T10)의 게이트는 제 1 제어 신호(S1)에 접속되고, 제 9 박막 트랜지스터(T9), 제 10 박막 트랜지스터(T10)의 소스는 전원 음전압(OVSS)에 접속되며, 제 9 박막 트랜지스터(T9)의 드레인은 제 1 발광 다이오드(OLED1)의 음극에 전기적으로 연결되고， 제 10 박막 트랜지스터(T10)의 드레인은 제 2 발광 다이오드(OLED2)의 음극에 전기적으로 연결된다.
구체적으로, 제 1 박막 트랜지스터(T1), 제 2 박막 트랜지스터(T2), 제 3 박막 트랜지스터(T3), 제 4 박막 트랜지스터(T4), 제 5 박막 트랜지스터(T5), 제 6 박막 트랜지스터(T6), 제 7 박막 트랜지스터(T7), 제 8 박막 트랜지스터(T8), 제 9 박막 트랜지스터(T9) 및 제 10 박막 트랜지스터(T10)는 모두 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터, 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 또는 비결정 실리콘 박막 트랜지스터이다. 추가로, 제 1 박막 트랜지스터(T1), 제 2 박막 트랜지스터(T2), 제 3 박막 트랜지스터(T3), 제 5 박막 트랜지스터(T5), 제 6 박막 트랜지스터(T6), 제 7 박막 트랜지스터(T7), 제 10 박막 트랜지스터(T10)는 모두 N형 박막 트랜지스터이고, 제 4 박막 트랜지스터(T4), 제 8 박막 트랜지스터(T8), 제 9 박막 트랜지스터(T9)는 모두 P형 박막 트랜지스터이다.
구체적으로, 제 1 제어 신호(S1), 제 2 제어 신호(S2), 제 3 제어 신호(S3)는 모두 외부 타이밍 컨트롤러에 의해 제공된다.
도 3은 본 발명의 실시 예의 OLED 화소 회로 중 각각의 제어 신호의 타이밍 차트이다. 도 2와 도 3을 공통으로 참조하면， 본 실시 예의 제 1 제어 신호(S1), 제 2 제어 신호(S2) 및 제 3 제어 신호(S3)는 서로 조합하여 차례대로 제 1 발광 다이오드 전위 저장 단계(t1)， 제 1 발광 다이오드 발광 표시 단계(t2), 제 2 발광 다이오드 전위 저장 단계(t3) 및 제 2 발광 다이오드 발광 표시 단계(t4)에 대응한다. 그 중에서, 제 1 발광 다이오드 전위 저장 단계(t1)와 제 1 발광 다이오드 발광 표시 단계(t2)는 모두 N번째 프레임의 화면 기간에 있고, 제 2 발광 다이오드 전위 저장 단계(t3)와 제 2 발광 다이오드 발광 표시 단계(t4)는 모두 N+1번째 프레임의 화면 기간에 있다.
도 4 내지 도 7을 참조하고， 또한 도 2와 도 3을 결합하면， 본 발명의 OLED 화소 회로의 작동 과정은 아래와 같다.
도 3과 도 4를 참조하면， 제 1 발광 다이오드 전위 저장 단계(t1)에서， 제 1 제어 신호(S1)는 저전위를 제공하고， 제 2 제어 신호(S2)는 고전위를 제공하며， 제 3 제어 신호(S3)는 저전위를 제공하기 때문에， 제 4 박막 트랜지스터(T4), 제 5 박막 트랜지스터(T5), 제 8 박막 트랜지스터(T8) 및 제 9 박막 트랜지스터(T9)가 턴 온되도록 제어하고， 제 1 박막 트랜지스터(T1), 제 2 박막 트랜지스터(T2), 제 3 박막 트랜지스터(T3), 제 6 박막 트랜지스터(T6), 제 7 박막 트랜지스터(T7) 및 제 10 박막 트랜지스터(T10)가 턴 오프되도록 제어하며， 제 1 커패시터(C1)는 데이터 신호(Vdata)의 전위를 저장하고， 또한 제 2 발광 다이오드(OLED2)는 역방향 바이어스 상태에 처해 있으며，즉 제 2 발광 다이오드(OLED2)의 양극 단자는 전원 음전압(OVSS)에 접속되고， 음극 단자는 전원 양전압(OVDD)에 접속된다.
도 3과 도 5를 참조하면， 제 1 발광 다이오드 발광 표시 단계(t2)에서， 제 1 제어 신호(S1)는 저전위를 제공하고， 제 2 제어 신호(S2)는 저전위를 제공하며， 제 3 제어 신호(S3)는 저전위를 제공하고， 제 1 박막 트랜지스터(T1), 제 4 박막 트랜지스터(T4), 제 8 박막 트랜지스터(T8), 제 9 박막 트랜지스터(T9)가 턴 온되도록 제어하고， 제 2 박막 트랜지스터(T2), 제 3 박막 트랜지스터(T3), 제 5 박막 트랜지스터(T5), 제 6 박막 트랜지스터(T6), 제 7 박막 트랜지스터(T7) 및 제 10 박막 트랜지스터(T10)가 턴 오프되도록 제어하며， 제 1 발광 다이오드(OLED1)는 발광하고， 또한 제 2 발광 다이오드(OLED2)는 계속해서 역방향 바이어스 상태에 처해 있다.
도 3과 도 6을 참조하면， 제 2 발광 다이오드 전위 저장 단계(t3)에서， 제 1 제어 신호(S1)는 고전위를 제공하고， 제 2 제어 신호(S2)는 저전위를 제공하며， 제 3 제어 신호(S3)는 고전위를 제공하고， 제 1 박막 트랜지스터(T1), 제 2 박막 트랜지스터(T2), 제 3 박막 트랜지스터(T3), 제 6 박막 트랜지스터(T6), 제 7 박막 트랜지스터(T7) 및 제 9 박막 트랜지스터(T9)가 턴 온되도록 제어하고， 제 4 박막 트랜지스터(T4), 제 5 박막 트랜지스터(T5), 제 8 박막 트랜지스터(T8) 및 제 10 박막 트랜지스터(T10)가 턴 오프되도록 제어하며， 제 2 커패시터(C2)는 데이터 신호(Vdata)의 전위를 저장하고， 또한 제 1 발광 다이오드(OLED1)는 역방향 바이어스 상태에 처해 있으며， 즉 제 1 발광 다이오드(OLED1)의 양극 단자는 전원 음전압(OVSS)에 접속되고， 음극 단자는 전원 양전압(OVDD)에 접속된다.
도 3과 도 7을 참조하면， 제 2 발광 다이오드 발광 표시 단계(t4)에서， 제 1 제어 신호(S1)는 고전위를 제공하고， 제 2 제어 신호(S2)는 저전위를 제공하며， 제 3 제어 신호(S3)는 저전위를 제공하고， 제 2 박막 트랜지스터(T2), 제 3 박막 트랜지스터(T3), 제 7 박막 트랜지스터(T7) 및 제 10 박막 트랜지스터(T10)가 턴 온되도록 제어하고， 제 1 박막 트랜지스터(T1), 제 4 박막 트랜지스터(T4), 제 5 박막 트랜지스터(T5), 제 6 박막 트랜지스터(T6), 제 8 박막 트랜지스터(T8) 및 제 9 박막 트랜지스터(T9)가 턴 오프되도록 제어하며， 제 2 발광 다이오드(OLED2)가 발광하고， 또한 제 1 발광 다이오드(OLED1)가 계속해서 역방향 바이어스 상태에 처해 있다.
본 발명의 OLED 화소 회로는， 제 1 서브 화소 구동 유닛, 제 2 서브 화소 구동 유닛, 제 1 역방향 바이어스 유닛 및 제 2 역방향 바이어스 유닛을 설치하고， 간단한 제어 타이밍을 결합하는 것에 의해， 제 1 발광 다이오드와 제 2 발광 다이오드가 계속 직류 바이어스 상태에 처해 있지 않도록 하고， 또한 제 1 발광 다이오드와 제 2 발광 다이오드가 교차적으로 발광하도록 하여， 제 1 발광 다이오드와 제 2 발광 다이오드의 발광 시간을 감소시켰고， 제 1 발광 다이오드와 제 2 발광 다이오드의 열화를 완화시켰으며， 패널의 표시 품질을 개선시켰다.
도 4 내지 도 7을 참조하고， 또한 도 2와 도 3을 결합하면， 상술한 OLED 화소 회로에 근거하여， 본 발명에서는 OLED 디바이스의 열화를 완화하는 방법을 더 제공하였고， 이하와 같은 단계를 포함한다.
단계1, OLED 화소 회로를 제공하고,
OLED 화소 회로는 제 1 서브 화소 구동 유닛(101), 제 2 서브 화소 구동 유닛(102)， 제 1 역방향 바이어스 유닛(103) 및 제 2 역방향 바이어스 유닛(104)을 포함하고，
제 1 서브 화소 구동 유닛(101)은 제 1 박막 트랜지스터(T1), 제 5 박막 트랜지스터(T5), 제 1 커패시터(C1) 및 제 1 발광 다이오드(OLED1)를 포함하고,
제 2 서브 화소 구동 유닛(102)는 제 2 박막 트랜지스터(T2), 제 6 박막 트랜지스터(T6), 제 2 커패시터(C2) 및 제 2 발광 다이오드(OLED2)를 포함하며, 그 중에서,
제 1 박막 트랜지스터(T1), 제 2 박막 트랜지스터(T2)의 소스는 전원 양전압(OVDD)에 접속되고, 제 1 박막 트랜지스터(T1)의 게이트는 제 1 노드(N1)에 전기적으로 연결되고， 제 2 박막 트랜지스터(T2)의 게이트는 제 2 노드(N2)에 전기적으로 연결되며, 제 1 박막 트랜지스터(T1)의 드레인은 제 1 발광 다이오드(OLED1)의 양극에 전기적으로 연결되고， 제 2 박막 트랜지스터(T2)의 드레인은 제 2 발광 다이오드(OLED2)의 양극에 전기적으로 연결되며,
제 5 박막 트랜지스터(T5), 제 6 박막 트랜지스터(T6)의 소스는 데이터 신호(Vdata)에 접속되고, 제 5 박막 트랜지스터(T5)의 드레인은 제 1 노드(N1)에 전기적으로 연결되고, 제 6 박막 트랜지스터(T6)의 드레인은 제 2 노드(N2)에 전기적으로 연결되며, 제 5 박막 트랜지스터(T5)의 게이트는 제 2 제어 신호(S2)에 접속되고， 제 6 박막 트랜지스터(T6)의 게이트는 제 3 제어 신호(S3)에 접속되며,
제 1 커패시터(C1)의 일단은 제 1 노드(N1)에 전기적으로 연결되고， 다른 일단은 전원 양전압(OVDD)에 접속되며, 제 2 커패시터(C2)의 일단은 제 2 노드(N2)에 전기적으로 연결되고， 다른 일단은 전원 양전압(OVDD)에 접속되며,
제 1 역방향 바이어스 유닛(103)은 제 3 박막 트랜지스터(T3), 제 7 박막 트랜지스터(T7) 및 제 9 박막 트랜지스터(T9)를 포함하고,
제 2 역방향 바이어스 유닛(104)는 제 4 박막 트랜지스터(T4), 제 8 박막 트랜지스터(T8) 및 제 10 박막 트랜지스터(T10)를 포함하며, 그 중에서,
제 3 박막 트랜지스터(T3), 제 4 박막 트랜지스터(T4)의 게이트는 제 1 제어 신호(S1)에 접속되고, 제 3 박막 트랜지스터(T3), 제 4 박막 트랜지스터(T4)의 소스는 전원 양전압(OVDD)에 접속되며, 제 3 박막 트랜지스터(T3)의 드레인은 제 1 발광 다이오드(OLED1)의 음극에 전기적으로 연결되고， 제 4 박막 트랜지스터(T4)의 드레인은 제 2 발광 다이오드(OLED2)의 음극에 전기적으로 연결되며,
제 7 박막 트랜지스터(T7), 제 8 박막 트랜지스터(T8)의 게이트는 제 1 제어 신호(S1)에 접속되고, 제 7 박막 트랜지스터(T7)의 드레인은 제 1 발광 다이오드(OLED1)의 양극 단자에 전기적으로 연결되고， 제 8 박막 트랜지스터(T8)의 드레인은 제 2 발광 다이오드(OLED2)의 양극 단자에 전기적으로 연결되며, 제 7 박막 트랜지스터(T7), 제 8 박막 트랜지스터(T8)의 소스는 전원 음전압(OVSS)에 접속되고,
제 9 박막 트랜지스터(T9), 제 10 박막 트랜지스터(T10)의 게이트는 제 1 제어 신호(S1)에 접속되고, 제 9 박막 트랜지스터(T9), 제 10 박막 트랜지스터(T10)의 소스는 전원 음전압(OVSS)에 접속되며, 제 9 박막 트랜지스터(T9)의 드레인은 제 1 발광 다이오드(OLED1)의 음극에 전기적으로 연결되고， 제 10 박막 트랜지스터(T10)의 드레인은 제 2 발광 다이오드(OLED2)의 음극에 전기적으로 연결되며,
단계2, 제 1 발광 다이오드 전위 저장 단계(t1)에 진입하고,
제 1 제어 신호(S1), 제 2 제어 신호(S2) 및 제 3 제어 신호(S3)는 제 4 박막 트랜지스터(T4), 제 5 박막 트랜지스터(T5), 제 8 박막 트랜지스터(T8) 및 제 9 박막 트랜지스터(T9)가 턴 온되도록 제어하고， 제 1 박막 트랜지스터(T1), 제 2 박막 트랜지스터(T2), 제 3 박막 트랜지스터(T3), 제 6 박막 트랜지스터(T6), 제 7 박막 트랜지스터(T7) 및 제 10 박막 트랜지스터(T10)가 턴 오프되도록 제어하며， 제 1 커패시터(C1)는 데이터 신호(Vdata)의 전위를 저장하고， 또한 제 2 발광 다이오드(OLED2)는 역방향 바이어스 상태에 처해 있으며,
단계3, 제 1 발광 다이오드 발광 표시 단계(t2)에 진입하고,
제 1 제어 신호(S1), 제 2 제어 신호(S2) 및 제 3 제어 신호(S3)는 제 1 박막 트랜지스터(T1), 제 4 박막 트랜지스터(T4), 제 8 박막 트랜지스터(T8), 제 9 박막 트랜지스터(T9)가 턴 온되도록 제어하고， 제 2 박막 트랜지스터(T2), 제 3 박막 트랜지스터(T3), 제 5 박막 트랜지스터(T5), 제 6 박막 트랜지스터(T6), 제 7 박막 트랜지스터(T7) 및 제 10 박막 트랜지스터(T10)가 턴 오프되도록 제어하며， 제 1 발광 다이오드(OLED1)는 발광하고， 또한 제 2 발광 다이오드(OLED2)는 계속해서 역방향 바이어스 상태에 처해 있으며,
단계4, 제 2 발광 다이오드 전위 저장 단계(t3)에 진입하고,
제 1 제어 신호(S1), 제 2 제어 신호(S2), 제 3 제어 신호(S3)는 제 1 박막 트랜지스터(T1), 제 2 박막 트랜지스터(T2), 제 3 박막 트랜지스터(T3), 제 6 박막 트랜지스터(T6), 제 7 박막 트랜지스터(T7) 및 제 9 박막 트랜지스터(T9)가 턴 온되도록 제어하고， 제 4 박막 트랜지스터(T4), 제 5 박막 트랜지스터(T5), 제 8 박막 트랜지스터(T8) 및 제 10 박막 트랜지스터(T10)가 턴 오프되도록 제어하며， 제 2 커패시터(C2)는 데이터 신호(Vdata)의 전위를 저장하고， 또한 제 1 발광 다이오드(OLED1)는 역방향 바이어스 상태에 처해 있으며,
단계5, 제 2 발광 다이오드 발광 표시 단계(t4)에 진입하고,
제 1 제어 신호(S1), 제 2 제어 신호(S2) 및 제 3 제어 신호(S3)는 제 2 박막 트랜지스터(T2), 제 3 박막 트랜지스터(T3), 제 7 박막 트랜지스터(T7) 및 제 10 박막 트랜지스터(T10)가 턴 온되도록 제어하고， 제 1 박막 트랜지스터(T1), 제 4 박막 트랜지스터(T4), 제 5 박막 트랜지스터(T5), 제 6 박막 트랜지스터(T6), 제 8 박막 트랜지스터(T8) 및 제 9 박막 트랜지스터(T9)가 턴 오프되도록 제어하며， 제 2 발광 다이오드(OLED2)가 발광하고， 또한 제 1 발광 다이오드(OLED1)가 계속해서 역방향 바이어스 상태에 처해 있다.
바람직하게는, 제 1 제어 신호(S1), 제 2 제어 신호(S2), 제 3 제어 신호(S3)는 모두 외부 타이밍 컨트롤러에 의해 제공된다.
바람직하게는, 제 1 박막 트랜지스터(T1), 제 2 박막 트랜지스터(T2), 제 3 박막 트랜지스터(T3), 제 4 박막 트랜지스터(T4), 제 5 박막 트랜지스터(T5), 제 6 박막 트랜지스터(T6), 제 7 박막 트랜지스터(T7), 제 8 박막 트랜지스터(T8), 제 9 박막 트랜지스터(T9) 및 제 10 박막 트랜지스터(T10)는 모두 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터, 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 또는 비결정 실리콘 박막 트랜지스터이다.
바람직하게는, 제 1 박막 트랜지스터(T1), 제 2 박막 트랜지스터(T2), 제 3 박막 트랜지스터(T3), 제 5 박막 트랜지스터(T5), 제 6 박막 트랜지스터(T6), 제 7 박막 트랜지스터(T7), 제 10 박막 트랜지스터(T10)는 모두 N형 박막 트랜지스터이고, 제 4 박막 트랜지스터(T4), 제 8 박막 트랜지스터(T8), 제 9 박막 트랜지스터(T9)는 모두 P형 박막 트랜지스터이며,
제 1 발광 다이오드 전위 저장 단계(t1)에서， 제 1 제어 신호(S1)는 저전위를 제공하고， 제 2 제어 신호(S2)는 고전위를 제공하며， 제 3 제어 신호(S3)는 저전위를 제공하고,
제 1 발광 다이오드 발광 표시 단계(t2)에서， 제 1 제어 신호(S1)는 저전위를 제공하고， 제 2 제어 신호(S2)는 저전위를 제공하며， 제 3 제어 신호(S3)는 저전위를 제공하고,
제 2 발광 다이오드 전위 저장 단계(t3)에서， 제 1 제어 신호(S1)는 고전위를 제공하고， 제 2 제어 신호(S2)는 저전위를 제공하며， 제 3 제어 신호(S3)는 고전위를 제공하고,
제 2 발광 다이오드 발광 표시 단계(t4)에서， 제 1 제어 신호(S1)는 고전위를 제공하고， 제 2 제어 신호(S2)는 저전위를 제공하며， 제 3 제어 신호(S3)는 저전위를 제공한다.
본 발명의 OLED 화소 회로 및 OLED 디바이스의 열화를 완화하는 방법은, 제 1 서브 화소 구동 유닛, 제 2 서브 화소 구동 유닛, 제 1 역방향 바이어스 유닛 및 제 2 역방향 바이어스 유닛을 설치하고， 간단한 제어 타이밍을 결합하는 것에 의해， 제 1 발광 다이오드와 제 2 발광 다이오드가 계속 직류 바이어스 상태에 처해 있지 않도록 하고， 또한 제 1 발광 다이오드와 제 2 발광 다이오드가 상이한 프레임 화면 기간에서 교차적으로 발광하도록 하여， 제 1 발광 다이오드와 제 2 발광 다이오드의 발광 시간을 감소시켰고， 제 1 발광 다이오드와 제 2 발광 다이오드의 열화를 완화시켰으며， 패널의 표시 품질을 개선시켰다.
상술한 바를 종합하면， 본 발명에서 이미 바람직한 실시 예로 위와 같이 개시하였지만， 상술한 바람직한 실시 예는 본 발명을 제한하는데 사용되는 것이 아니고， 본 기술 분야의 통상의 기술자는 본 발명의 취지와 범위를 이탈하지 않는 범위 내에서， 각종 변경과 윤색을 모두 행할 수 있기 때문에 본 발명의 보호 범위는 청구항에서 정의한 범위를 기준으로 한다.

Claims (12)

  1. OLED 화소 회로로서,
    제 1 서브 화소 구동 유닛, 제 2 서브 화소 구동 유닛， 제 1 역방향 바이어스 유닛 및 제 2 역방향 바이어스 유닛을 포함하고，
    상기 제 1 서브 화소 구동 유닛은 제 1 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 1 커패시터 및 제 1 발광 다이오드를 포함하고,
    상기 제 2 서브 화소 구동 유닛은 제 2 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 2 커패시터 및 제 2 발광 다이오드를 포함하며,
    상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터의 소스는 전원 양전압에 접속되고, 상기 제 1 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 노드에 전기적으로 연결되고， 상기 제 2 박막 트랜지스터의 게이트는 제 2 노드에 전기적으로 연결되며, 상기 제 1 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 양극에 전기적으로 연결되고， 상기 제 2 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 양극에 전기적으로 연결되며,
    상기 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터의 소스는 데이터 신호에 접속되고, 상기 제 5 박막 트랜지스터의 드레인은 제 1 노드에 전기적으로 연결되고, 상기 제 6 박막 트랜지스터의 드레인은 제 2 노드에 전기적으로 연결되며, 상기 제 5 박막 트랜지스터의 게이트는 제 2 제어 신호에 접속되고, 상기 제 6 박막 트랜지스터의 게이트는 제 3 제어 신호에 접속되며,
    제 1 커패시터의 일단은 제 1 노드에 전기적으로 연결되고， 다른 일단은 전원 양전압에 접속되며, 제 2 커패시터의 일단은 제 2 노드에 전기적으로 연결되고， 다른 일단은 전원 양전압에 접속되며,
    상기 제 1 역방향 바이어스 유닛은 제 3 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터 및 제 9 박막 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제 2 역방향 바이어스 유닛은 제 4 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터 및 제 10 박막 트랜지스터를 포함하며,
    상기 제 3 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 제어 신호에 접속되고, 상기 제 3 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터의 소스는 전원 양전압에 접속되며, 상기 제 3 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되고，상기 제 4 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되며,
    상기 제 7 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 제어 신호에 접속되고, 상기 제 7 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 양극 단자에 전기적으로 연결되고, 상기 제 8 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 양극 단자에 전기적으로 연결되며, 상기 제 7 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터의 소스는 전원 음전압에 접속되고,
    상기 제 9 박막 트랜지스터, 제 10 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 제어 신호에 접속되고, 상기 제 9 박막 트랜지스터, 제 10 박막 트랜지스터의 소스는 전원 음전압에 접속되며, 상기 제 9 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되고，상기 제 10 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되며,
    상기 제 1 제어 신호, 제 2 제어 신호, 제 3 제어 신호는 모두 외부 타이밍 컨트롤러에 의해 제공되고,
    상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터, 제 3 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터, 제 9 박막 트랜지스터 및 제 10 박막 트랜지스터는 모두 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터, 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 또는 비결정 실리콘 박막 트랜지스터이고,
    상기 제 1 제어 신호, 제 2 제어 신호 및 제 3 제어 신호는 서로 조합하여 차례대로 제 1 발광 다이오드 전위 저장 단계，제 1 발광 다이오드 발광 표시 단계, 제 2 발광 다이오드 전위 저장 단계 및 제 2 발광 다이오드 발광 표시 단계에 대응하고,
    상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터, 제 3 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터, 제 10 박막 트랜지스터는 모두 N형 박막 트랜지스터이고, 상기 제 4 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터, 제 9 박막 트랜지스터는 모두 P형 박막 트랜지스터이며,
    상기 제 1 발광 다이오드 전위 저장 단계에서，상기 제 1 제어 신호는 저전위를 제공하고，상기 제 2 제어 신호는 고전위를 제공하며，상기 제 3 제어 신호는 저전위를 제공하고,
    상기 제 1 발광 다이오드 발광 표시 단계에서，상기 제 1 제어 신호는 저전위를 제공하고，상기 제 2 제어 신호는 저전위를 제공하며，상기 제 3 제어 신호는 저전위를 제공하고,
    상기 제 2 발광 다이오드 전위 저장 단계에서，상기 제 1 제어 신호는 고전위를 제공하고，상기 제 2 제어 신호는 저전위를 제공하며，상기 제 3 제어 신호는 고전위를 제공하고,
    상기 제 2 발광 다이오드 발광 표시 단계에서，상기 제 1 제어 신호는 고전위를 제공하고，상기 제 2 제어 신호는 저전위를 제공하며，상기 제 3 제어 신호는 저전위를 제공하는
    OLED 화소 회로.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. OLED 화소 회로로서，
    제 1 서브 화소 구동 유닛, 제 2 서브 화소 구동 유닛， 제 1 역방향 바이어스 유닛 및 제 2 역방향 바이어스 유닛을 포함하고，
    상기 제 1 서브 화소 구동 유닛은 제 1 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 1 커패시터 및 제 1 발광 다이오드를 포함하고,
    상기 제 2 서브 화소 구동 유닛은 제 2 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 2 커패시터 및 제 2 발광 다이오드를 포함하며,
    상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터의 소스는 전원 양전압에 접속되고, 상기 제 1 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 노드에 전기적으로 연결되고， 상기 제 2 박막 트랜지스터의 게이트는 제 2 노드에 전기적으로 연결되며, 상기 제 1 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 양극에 전기적으로 연결되고，상기 제 2 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 양극에 전기적으로 연결되며,
    상기 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터의 소스는 데이터 신호에 접속되고, 상기 제 5 박막 트랜지스터의 드레인은 제 1 노드에 전기적으로 연결되고, 상기 제 6 박막 트랜지스터의 드레인은 제 2 노드에 전기적으로 연결되며, 상기 제 5 박막 트랜지스터의 게이트는 제 2 제어 신호에 접속되고, 상기 제 6 박막 트랜지스터의 게이트는 제 3 제어 신호에 접속되며,
    제 1 커패시터의 일단은 제 1 노드에 전기적으로 연결되고， 다른 일단은 전원 양전압에 접속되며, 제 2 커패시터의 일단은 제 2 노드에 전기적으로 연결되고， 다른 일단은 전원 양전압에 접속되며,
    상기 제 1 역방향 바이어스 유닛은 제 3 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터 및 제 9 박막 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제 2 역방향 바이어스 유닛은 제 4 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터 및 제 10 박막 트랜지스터를 포함하며,
    상기 제 3 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 제어 신호에 접속되고, 상기 제 3 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터의 소스는 전원 양전압에 접속되며, 상기 제 3 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되고，상기 제 4 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되며,
    상기 제 7 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 제어 신호에 접속되고, 상기 제 7 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 양극 단자에 전기적으로 연결되고, 상기 제 8 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 양극 단자에 전기적으로 연결되며, 상기 제 7 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터의 소스는 전원 음전압에 접속되고,
    상기 제 9 박막 트랜지스터, 제 10 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 제어 신호에 접속되고, 상기 제 9 박막 트랜지스터, 제 10 박막 트랜지스터의 소스는 전원 음전압에 접속되며, 상기 제 9 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되고，상기 제 10 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되고,
    상기 제 1 제어 신호, 제 2 제어 신호 및 제 3 제어 신호는 서로 조합하여 차례대로 제 1 발광 다이오드 전위 저장 단계，제 1 발광 다이오드 발광 표시 단계, 제 2 발광 다이오드 전위 저장 단계 및 제 2 발광 다이오드 발광 표시 단계에 대응하고,
    상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터, 제 3 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터, 제 10 박막 트랜지스터는 모두 N형 박막 트랜지스터이고, 상기 제 4 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터, 제 9 박막 트랜지스터는 모두 P형 박막 트랜지스터이며,
    상기 제 1 발광 다이오드 전위 저장 단계에서，상기 제 1 제어 신호는 저전위를 제공하고，상기 제 2 제어 신호는 고전위를 제공하며，상기 제 3 제어 신호는 저전위를 제공하고,
    상기 제 1 발광 다이오드 발광 표시 단계에서，상기 제 1 제어 신호는 저전위를 제공하고，상기 제 2 제어 신호는 저전위를 제공하며，상기 제 3 제어 신호는 저전위를 제공하고,
    상기 제 2 발광 다이오드 전위 저장 단계에서，상기 제 1 제어 신호는 고전위를 제공하고，상기 제 2 제어 신호는 저전위를 제공하며，상기 제 3 제어 신호는 고전위를 제공하고,
    상기 제 2 발광 다이오드 발광 표시 단계에서，상기 제 1 제어 신호는 고전위를 제공하고，상기 제 2 제어 신호는 저전위를 제공하며，상기 제 3 제어 신호는 저전위를 제공하는
    OLED 화소 회로.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제 1 제어 신호, 제 2 제어 신호, 제 3 제어 신호는 모두 외부 타이밍 컨트롤러에 의해 제공되는
    OLED 화소 회로.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터, 제 3 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터, 제 9 박막 트랜지스터 및 제 10 박막 트랜지스터는 모두 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터, 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 또는 비결정 실리콘 박막 트랜지스터인
    OLED 화소 회로.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. OLED 디바이스의 열화를 완화하는 방법으로서，
    OLED 화소 회로를 제공하는 단계1 - 상기 OLED 화소 회로는 제 1 서브 화소 구동 유닛, 제 2 서브 화소 구동 유닛， 제 1 역방향 바이어스 유닛 및 제 2 역방향 바이어스 유닛을 포함하고，
    상기 제 1 서브 화소 구동 유닛은 제 1 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 1 커패시터 및 제 1 발광 다이오드를 포함하고,
    상기 제 2 서브 화소 구동 유닛은 제 2 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 2 커패시터 및 제 2 발광 다이오드를 포함하며,
    상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터의 소스는 전원 양전압에 접속되고, 상기 제 1 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 노드에 전기적으로 연결되고， 상기 제 2 박막 트랜지스터의 게이트는 제 2 노드에 전기적으로 연결되며, 상기 제 1 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 양극에 전기적으로 연결되고， 상기 제 2 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 양극에 전기적으로 연결되며,
    상기 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터의 소스는 데이터 신호에 접속되고, 상기 제 5 박막 트랜지스터의 드레인은 제 1 노드에 전기적으로 연결되고, 상기 제 6 박막 트랜지스터의 드레인은 제 2 노드에 전기적으로 연결되며, 상기 제 5 박막 트랜지스터의 게이트는 제 2 제어 신호에 접속되고, 상기 제 6 박막 트랜지스터의 게이트는 제 3 제어 신호에 접속되며,
    상기 제 1 커패시터의 일단은 제 1 노드에 전기적으로 연결되고， 다른 일단은 전원 양전압에 접속되며, 상기 제 2 커패시터의 일단은 제 2 노드에 전기적으로 연결되고， 다른 일단은 전원 양전압에 접속되며,
    상기 제 1 역방향 바이어스 유닛은 제 3 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터 및 제 9 박막 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제 2 역방향 바이어스 유닛은 제 4 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터 및 제 10 박막 트랜지스터를 포함하며,
    상기 제 3 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 제어 신호에 접속되고, 상기 제 3 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터의 소스는 전원 양전압에 접속되며, 상기 제 3 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되고，상기 제 4 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되며,
    상기 제 7 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 제어 신호에 접속되고, 상기 제 7 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 양극 단자에 전기적으로 연결되고, 상기 제 8 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 양극 단자에 전기적으로 연결되며, 상기 제 7 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터의 소스는 전원 음전압에 접속되고,
    상기 제 9 박막 트랜지스터, 제 10 박막 트랜지스터의 게이트는 제 1 제어 신호에 접속되고, 상기 제 9 박막 트랜지스터, 제 10 박막 트랜지스터의 소스는 전원 음전압에 접속되며, 상기 제 9 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 1 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결되고， 상기 제 10 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 발광 다이오드의 음극에 전기적으로 연결됨- 과,
    제 1 발광 다이오드 전위 저장 단계에 진입하는 단계2 - 상기 제 1 발광 다이오드 전위 저장 단계는 N번째 프레임의 화면 기간에 있으며, 상기 제 1 제어 신호, 제 2 제어 신호 및 제 3 제어 신호는 상기 제 4 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터 및 제 9 박막 트랜지스터가 턴 온되도록 제어하고, 상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터, 제 3 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터 및 제 10 박막 트랜지스터가 턴 오프되도록 제어하며， 제 1 커패시터는 데이터 신호의 전위를 저장하고， 또한 상기 제 2 발광 다이오드는 역방향 바이어스 상태에 처해 있음 - 와,
    제 1 발광 다이오드 발광 표시 단계에 진입하는 단계3 - 상기 제 1 발광 다이오드 발광 표시 단계는 N번째 프레임의 화면 기간에 있으며, 상기 제 1 제어 신호, 제 2 제어 신호 및 제 3 제어 신호는 상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터, 제 9 박막 트랜지스터가 턴 온되도록 제어하고, 상기 제 2 박막 트랜지스터, 제 3 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터 및 제 10 박막 트랜지스터는 턴 오프되도록 제어하며， 제 1 발광 다이오드는 발광하고， 또한 상기 제 2 발광 다이오드는 계속해서 역방향 바이어스 상태에 처해 있음 - 과,
    제 2 발광 다이오드 전위 저장 단계에 진입하는 단계4 - 상기 제 2 발광 다이오드 전위 저장 단계는 N+1번째 프레임의 화면 기간에 있으며, 상기 제 1 제어 신호, 제 2 제어 신호, 제 3 제어 신호는 상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터, 제 3 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터 및 제 9 박막 트랜지스터가 턴 온되도록 제어하고， 상기 제 4 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터 및 제 10 박막 트랜지스터가 턴 오프되도록 제어하며， 제 2 커패시터가 데이터 신호의 전위를 저장하고，또한 상기 제 1 발광 다이오드는 역방향 바이어스 상태에 처해 있음 - 와,
    제 2 발광 다이오드 발광 표시 단계에 진입하는 단계5 - 상기 제 2 발광 다이오드 발광 표시 단계는 N+1번째 프레임의 화면 기간에 있으며, 상기 제 1 제어 신호, 제 2 제어 신호 및 제 3 제어 신호는 상기 제 2 박막 트랜지스터, 제 3 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터 및 제 10 박막 트랜지스터가 턴 온되도록 제어하고, 상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터 및 제 9 박막 트랜지스터가 턴 오프되도록 제어하며， 제 2 발광 다이오드가 발광하고， 또한 상기 제 1 발광 다이오드가 계속해서 역방향 바이어스 상태에 처해 있음 -
    를 포함하는 OLED 디바이스의 열화를 완화하는 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제 1 제어 신호, 제 2 제어 신호, 제 3 제어 신호는 모두 외부 타이밍 컨트롤러에 의해 제공되는
    OLED 디바이스의 열화를 완화하는 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터, 제 3 박막 트랜지스터, 제 4 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터, 제 9 박막 트랜지스터 및 제 10 박막 트랜지스터는 모두 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터, 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 또는 비결정 실리콘 박막 트랜지스터인
    OLED 디바이스의 열화를 완화하는 방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터, 제 3 박막 트랜지스터, 제 5 박막 트랜지스터, 제 6 박막 트랜지스터, 제 7 박막 트랜지스터, 제 10 박막 트랜지스터는 모두 N형 박막 트랜지스터이고, 상기 제 4 박막 트랜지스터, 제 8 박막 트랜지스터, 제 9 박막 트랜지스터는 모두 P형 박막 트랜지스터이며,
    상기 제 1 발광 다이오드 전위 저장 단계에서， 상기 제 1 제어 신호는 저전위를 제공하고， 상기 제 2 제어 신호는 고전위를 제공하며， 상기 제 3 제어 신호는 저전위를 제공하고,
    상기 제 1 발광 다이오드 발광 표시 단계에서， 상기 제 1 제어 신호는 저전위를 제공하고， 상기 제 2 제어 신호는 저전위를 제공하며， 상기 제 3 제어 신호는 저전위를 제공하고,
    상기 제 2 발광 다이오드 전위 저장 단계에서， 상기 제 1 제어 신호는 고전위를 제공하고，상기 제 2 제어 신호는 저전위를 제공하며， 상기 제 3 제어 신호는 고전위를 제공하고,
    상기 제 2 발광 다이오드 발광 표시 단계에서，상기 제 1 제어 신호는 고전위를 제공하고， 상기 제 2 제어 신호는 저전위를 제공하며，상기 제 3 제어 신호는 저전위를 제공하는
    OLED 디바이스의 열화를 완화하는 방법.
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