CN203502926U - 有机发光二极管像素电路和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种有机发光二极管像素电路和显示装置，属于显示技术领域，可解决现有技术中内置型触摸屏的控制电路和制造工艺较为复杂的问题。本实用新型的有机发光二极管像素电路的第一控制单元用于将电源信号导入数据写入单元和将有机发光二极管和驱动单元导通；数据写入单元用于导入电源电压信号和导入数据线电压信号，同时还用于为驱动单元提供电压；触摸侦测单元用于感受触摸，并产生侦测信号；驱动单元用于将所述侦测信号转变为触控输出信号，并经触摸侦测单元将触控输出信号输出到驱动集成电路，同时驱动单元还用于为有机发光二极管提供驱动电流；第二控制单元用于将驱动单元与接地电平导通。本实用新型可使触摸显示装置更薄更轻。
Description
技术领域
本实用新型属于触摸显示技术领域，具体涉及一种有机发光二极管像素电路和显示装置。
背景技术
触摸屏（touch screen panel）是目前最简单、方便、自然的一种人机交互的设备，已经在各种各样的电子产品中得到了广泛应用，如手机，笔记本电脑，数码相机等。触摸屏按照技术可以分为两类：外置型(external)触摸屏和内置型(in-cell)触摸屏。外置型触摸屏是在显示面板上面设置一个触摸装置，触摸装置一般包括触摸板和保护层（如金刚玻璃），触摸板设置在显示面板之上，触摸屏靠触摸板感知光线或压力的变化来工作。
内置型触摸屏技术是将触摸板感知信号的功能嵌入到像素电路中，通过加载控制电路，使得显示屏具备感知触摸信号的能力。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题：对于内置型触摸屏，把触摸板感知信号的功能嵌入到像素电路中，其控制电路较为复杂，制造工艺也较为复杂，不利于产品良率和生产效率的提高。另外，对于内置型触摸屏，其像素的开口率会降低，进而导致显示屏显示品质下降。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题包括，针对现有技术中内置型触摸屏的控制电路和制造工艺较为复杂从而不利于提高产品良率和生产效率的问题，提供一种控制电路和制造工艺都较为简单的有机发光二极管像素电路和显示装置。
解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种有机发光二极管像素电路包括数据写入单元、驱动单元、有机发光二极管、第一控制单元、第二控制单元和触摸侦测单元；其中：
所述第一控制单元用于在触摸侦测阶段和有机发光二极管发光阶段在扫描线的控制下将电源电压信号导入数据写入单元，并在有机发光二极管发光阶段将有机发光二极管和驱动单元导通；
所述数据写入单元用于在触摸侦测阶段和有机发光二极管发光阶段在第一发光控制线控制下导入电源电压信号，并在扫描线及第二发光控制线的控制下导入数据线电压信号，同时还用于为所述驱动单元提供电压；
所述触摸侦测单元用于在触摸侦测阶段在触摸信号电平控制线控制下感受触摸，并产生侦测信号；
所述驱动单元用于在触摸侦测阶段在触摸电平信号控制线的控制下将所述侦测信号转变为触控输出信号，并经触摸侦测单元将触控输出信号输出到驱动集成电路，同时驱动单元还用于在有机发光二极管发光阶段为所述有机发光二极管提供驱动电流；
所述第二控制单元用于在第三发光控制线的控制下在有机发光二极管发光阶段将所述驱动单元与接地电平导通。
优选的是，所述有机发光二极管的阳极与电源连接。
优选的是，所述数据写入单元包括：第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、存储电容和第一电容；其中，
所述第一薄膜晶体管的栅极与第一发光控制线连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述存储电容的第二端连接；
所述第三薄膜晶体管的栅极与扫描信号线连接，所述第三薄膜晶体管的源极与数据信号线连接，所述第三薄膜晶体管的漏极连接所述存储电容的第一端；
所述第五薄膜晶体管的栅极与第二发光控制线连接，所述第五薄膜晶体管的源极与所述第三薄膜晶体管的漏极连接，所述第五薄膜晶体管的漏极与所述驱动单元连接；
所述第一电容的第一端与存储电容的第一端连接，所述第一电容的第二端接地。
优选的是，所述第一控制单元包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的栅极与扫描信号线连接，源极与所述有机发光二极管的阴极连接，漏极与所述数据写入单元中的第一薄膜晶体管的源极连接。
优选的是，所述驱动单元包括第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管的栅极与所述存储电容第二端和所述数据写入单元的第一薄膜晶体管的漏极连接，所述第四薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接。
优选的是，所述第二控制单元包括第六薄膜晶体管，第六薄膜晶体管的漏极接地，第六薄膜晶体管的栅极与第三发光控制线连接，第六薄膜晶体管的源极与所述数据写入单元中的所述第五薄膜晶体管的漏极连接。
优选的是，所述触摸侦测单元包括光电二极管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管和第九薄膜晶体管，其中：
所述光电二极管的阴极与所述第四薄膜晶体管的栅极连接，同时与所述数据写入单元中的所述存储电容的第二端的连接，所述光电二极管的阳极与所述第七薄膜晶体管的源极连接；
所述第七薄膜晶体管的漏极接地，所述第七薄膜晶体管的栅极与触摸电平信号控制线连接；
所述第八薄膜晶体管的源极与所述第四薄膜晶体管的漏极连接，所述第八薄膜晶体管的漏极与传感器线连接，所述第八薄膜晶体管的栅极与触摸电平信号控制线连接；
所述第九薄膜晶体管的源极与电源信号线连接，所述第九薄膜晶体管的漏极与所述数据写入单元中的所述第一薄膜晶体管的源极连接，所述第九薄膜晶体管的栅极与所述触摸电平信号控制线连接。
优选的是，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管是P型薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管是N型薄膜晶体管；
或所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第四薄膜晶体管是N型薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管是P型薄膜晶体管。
优选的是，所述第一至第九薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管、单晶硅薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管、有机薄膜晶体管中的任意一种。
优选的是，所述有机发光二极管为上发光型有机发光二极管。
本实用新型的有机发光二极管像素电路包括光电二极管，其使得显示屏具有能够直接感知触摸所产生的信号的能力，从而使得像素的控制电路更为简单，工艺步骤得到简化，进而提高了生产效率以及产品良率，最重要是有利于降低生产成本。同时，本实用新型的有机发光二极管像素电路能够补偿薄膜晶体管的阈值电压的非均匀性，从而能够提高有机发光显示器的画面均匀性。另外，生产工艺上减少了两层氧化铟锡薄膜能有效提高光透过率，从而能提升显示屏的显示品质。
本实用新型还提供一种显示装置，其包括上述的有机发光二极管像素电路。
本实用新型的显示装置由于包括上述的有机发光二极管像素电路，因此显示装置的整体厚度更薄，重量更轻，生产成本也会进一步降低。通过在每个亚像素中设置上述电路可以明显地提高显示屏感受触摸的灵敏度，而且由于光电二极管是通过感受光线变化来工作的，所以能够在显示屏幕上实现浮动触摸。
附图说明
图1和图3为本实用新型的实施例1的有机发光二极管像素电路图；
图2和图4为本实用新型的实施例1的驱动有机发光二极管像素电路的时序图；
图5为本实用新型的实施例1的有机发光二极管像素电路的触摸侦测阶段的初始化阶段的等效电路图；
图6为本实用新型的实施例1的有机发光二极管像素电路的触摸侦测阶段的数据电压信号写入阶段的等效电路图；
图7为本实用新型的实施例1的有机发光二极管像素电路的触摸侦测阶段的侦测触摸产生的信号阶段的等效电路图；
图8为本实用新型的实施例1的有机发光二极管像素电路的有机发光二极管发光阶段的初始化阶段的等效电路图；
图9为本实用新型的实施例1的有机发光二极管像素电路的有机发光二极管发光阶段的数据电压信号写入阶段的等效电路图；
图10为本实用新型的实施例1的有机发光二极管像素电路的有机发光二极管发光阶段的等效电路图；
其中附图标记为：T1：第一薄膜晶体管；T2：第二薄膜晶体管；T3：第三薄膜晶体管；T4：第四薄膜晶体管；T5：第五薄膜晶体管；T6：第六薄膜晶体管；T7：第七薄膜晶体管；T8：第八薄膜晶体管；T9：第九薄膜晶体管；PD:光电二极管；OLED：有机发光二极管；DD：电源信号线；EM1：第一发光控制线；EM2：第二发光控制线；EM3：第三发光控制线；scan：扫描信号线；data：数据信号线；select：触摸信号电平控制线；Cst：存储电容；C1：第一电容；sensor line：传感器线。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
实施例1：
本实施例提供一种有机发光二极管像素电路，其包括：
数据写入单元、驱动单元、有机发光二极管、第一控制单元、第二控制单元和触摸侦测单元；其中：
所述第一控制单元用于在触摸侦测阶段和有机发光二极管发光阶段在扫描线的控制下将电源电压信号导入数据写入单元，并在有机发光二极管发光阶段将有机发光二极管和驱动单元导通；
所述数据写入单元用于在触摸侦测阶段和有机发光二极管发光阶段在第一发光控制线控制下导入电源电压信号，并在扫描线及第二发光控制线的控制下导入数据线电压信号，同时还用于为所述驱动单元提供电压；
所述触摸侦测单元用于在触摸侦测阶段在触摸信号电平控制线控制下感受触摸，并产生侦测信号；
所述驱动单元用于在触摸侦测阶段在触摸电平信号控制线的控制下将所述侦测信号转变为触控输出信号，并经触摸侦测单元将触控输出信号输出到驱动集成电路，同时驱动单元还用于在有机发光二极管发光阶段为所述有机发光二极管提供驱动电流；
所述第二控制单元用于在第三发光控制线的控制下在有机发光二极管发光阶段将所述驱动单元与接地电平导通。
本实施例中，如图1所示，优选的，数据写入单元包括第一薄膜晶体管T1、第三薄膜晶体管T3、第五薄膜晶体管T5、存储电容Cst和第一电容C1；驱动单元包括第四薄膜晶体管T4；第一控制单元包括第二薄膜晶体管T2；第二控制单元包括第六薄膜晶体管T6；触摸侦测单元包括光电二极管PD、第七薄膜晶体管T7、第八薄膜晶体管T8和第九薄膜晶体管T9。
具体地，有机发光二极管OLED的阳极与电源信号线DD连接。进一步优选的，有机发光二极管OLED为上发光型有机发光二极管；
存储电容Cst的第一端与第一电容C1的第一端连接，第一电容C1的第二端接地；
第一薄膜晶体管T1的栅极与第一发光控制线EM1连接，第一薄膜晶体管T1的漏极与存储电容Cst的第二端连接；
第二薄膜晶体管T2的栅极与扫描信号线scan连接，第二薄膜晶体管T2的源极与有机发光二极管OLED的阴极连接，第二薄膜晶体管T2的漏极与第一薄膜晶体管T1的源极连接；
第三薄膜晶体管T3的栅极与扫描信号线scan连接，第三薄膜晶体管T3的源极与数据信号线data连接，第三薄膜晶体管T3的漏极连接存储电容Cst的第一端，同时连接第一电容C1的第一端；
第四薄膜晶体管T4的栅极与存储电容Cst第二端连接，同时与第一薄膜晶体管T1的漏极连接，第四薄膜晶体管T4的源极与第二薄膜晶体管T2的漏极连接；
第五薄膜晶体管T5的栅极与第二发光控制线EM2连接，第五薄膜晶体管T5的源极与第三薄膜晶体管T3的漏极连接，第五薄膜晶体管T5的漏极与第四薄膜晶体管T4的源极；
第六薄膜晶体管T6的漏极接地，第六薄膜晶体管T6的栅极与第三发光控制线EM3连接，第六薄膜晶体管T6的源极与第五薄膜晶体管T5的漏极连接，同时连接第四薄膜晶体管T4的源极；
光电二极管PD的阴极与第四薄膜晶体管T4的栅极连接，同时与存储电容Cst的第二端连接，阳极与第七薄膜晶体管T7的源极连接；
第七薄膜晶体管T7的漏极接地，第七薄膜晶体管T7的栅极与触摸信号电平控制线select连接；
第八薄膜晶体管T8的源极与第四薄膜晶体管T4的漏极连接，第八薄膜晶体管T8的漏极与传感器线sensor line连接，第八薄膜晶体管T8的栅极与触摸信号电平控制线select连接；
第九薄膜晶体管T9的源极与电源信号线DD连接，第九薄膜晶体管T9的漏极与第一薄膜晶体管T1的源极连接，第九薄膜晶体管T9的栅极与触摸信号电平控制线select连接。
在本实施例中，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管优选为P型薄膜晶体管，第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管优选为N型薄膜晶体管。
需要说明的是，在本实施例中也可以把第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第四薄膜晶体管选定为N型薄膜晶体管，第三薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管选定为P型薄膜晶体管，此时其像素电路图如图3所示，相应地其时序图如图4所示。
显然，为了实现薄膜晶体管的导通或关断的功能，可以通过改变该薄膜晶体管的控制电平的高低和相应地改变该薄膜晶体管的类型来实现。如第五薄膜晶体管为N型时在高电平控制下导通，也可以把其改变为P型管而在低电平控制下导通。遵照此思路也可以改变本实施例中某个单元中的受同一个电平控制信号控制的各薄膜晶体管的类型，只要保证该单元实现其原有的功能及不影响其他器件发挥其原有功能即可，在这种情况下也可以实现本实用新型的目的。
优选的，各薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管、单晶硅薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管、有机薄膜晶体管中的任意一种。
本实用新型的有机发光二极管像素电路包括光电二极管，其使得显示屏具有能够直接感知触摸所产生的信号的能力，从而使得像素的控制电路更为简单，工艺步骤得到简化，进而提高了生产效率以及产品良率，最重要是有利于降低生产成本。同时，本实用新型的有机发光二极管像素电路能够补偿薄膜晶体管的阈值电压的非均匀性，从而能够提高有机发光显示器的画面均匀性。另外，采用上发光型有机发光二极管有利于提高像素的开口率以及生产工艺上减少了两层氧化铟锡薄膜能有效提高光透过率，从而提升了显示屏的显示品质。
结合图1，有机发光二极管像素电路的驱动方法包括触摸信号侦测阶段和驱动有机发光二极管OLED发光阶段，如图2所示，其工作过程如下：
阶段1：触摸信号侦测阶段，其具体包括：
阶段101：初始化阶段，其等效电路图如图5所示，其中扫描信号线scan为低电平，控制第二薄膜晶体管T2导通及第三薄膜晶体管T3截止；第一发光控制线EM1为低电平，控制第一薄膜晶体管T1导通；第二发光控制线EM2为低电平，控制第五薄膜晶体管T5截止；第三发光控制线EM3为低电平，控制第六薄膜晶体管T6截止；触摸信号电平控制线select控制触摸信号侦测模块关闭。
从而，电源信号经由有机发光二极管OLED，第二薄膜晶体管T2，第一薄膜晶体管T1传输给存储电容Cst第二端，对存储电容Cst进行充电，B点电压为VDD-Vtholed，VDD为电源信号线电压，Vtholed为有机发光二极管OLED的开启电压。
阶段102：数据电压信号写入阶段，其等效电路图如图6所示，其中扫描信号线scan为高电平，控制第二薄膜晶体管T2截止及第三薄膜晶体管T3打开；触摸信号电平控制线select为低电平，控制触摸信号侦测模块关闭；第一发光控制线EM1为高电平，控制第一薄膜晶体管T1截止；第二发光控制线EM2为低电平，控制第五薄膜晶体管T5截止；第三发光控制线EM3为低电平，控制第六薄膜晶体管T6截止。B点悬空，数据电压信号经由第三薄膜晶体管T3写入A点，数据线电压信号传输给存储电容Cst第一端，B点电压升高到Vdata+VDD-Vtholed，Vdata为数据信号线电压。
阶段103：侦测触摸产生的信号阶段，其等效电路图如图7所示，其中扫描信号线scan为低电平，控制第二薄膜晶体管T2导通及第三薄膜晶体管T3截止；触摸信号电平控制线select为高电平，控制触摸信号侦测模块导通；第一发光控制线EM1为高电平，控制第一薄膜晶体管T1截止；第二发光控制线EM2为低电平，控制第五薄膜晶体管T5截止；第三发光控制线EM3为低电平，控制第六薄膜晶体管T6截止。
从而，电源信号经由第九薄膜晶体管T9管写入C点，第四薄膜晶体管T4的漏极与C点连接，其电压为VDD，B点电压为Vdata+VDD-Vtholed。此时，如果光电二极管PD处于光照下，存储电容Cst上的电荷由于光电二极管PD受光照所产生的漏电流而大幅减少，导致B点电压大幅下降，B点电压下降会导致流经第四薄膜晶体管T4的电流减小。如果光电二极管PD处于触摸（此时光线减弱或无光照）之下，相对于上述光电二极管处在光照下的情况，其会产生较小的漏电流或者没有漏电流（即产生侦测信号）产生，相应地，流经第四薄膜晶体管T4的电流会小幅变小或者不发生变化。上述流经第四薄膜晶体管T4的电流（也即触控输出信号）经第八薄膜晶体管T8并由传感器线sensor line传输到驱动集成电路（图1中未示出）进行侦测解析。
阶段2：驱动有机发光二极管OLED发光阶段
在该阶段内，触摸信号电平控制线select控制触摸信号侦测模块关闭，该阶段具体包括：
阶段201：预充电阶段，其等效电路图如图8所示，其中扫描信号线scan为低电平，控制第二薄膜晶体管T2导通及第三薄膜晶体管T3截止；第一发光控制线EM1为低电平，控制第一薄膜晶体管T1导通；第二发光控制线EM2为低电平，控制第五薄膜晶体管T5截止；第三发光控制线EM3为低电平，控制第六薄膜晶体管T6截止。第四薄膜晶体管T4进入饱和状态，实为一个二极体。
阶段202：数据电压信号写入阶段，其等效电路图如图9所示，其中扫描信号线scan为高电平，控制第二薄膜晶体管T2截止及第三薄膜晶体管T3导通；第一发光控制线EM1为低电平，控制第一薄膜晶体管T1导通；第二发光控制线EM2为高电平，控制第五薄膜晶体管T5导通；第三发光控制线EM3为低电平，控制第六薄膜晶体管T6截止。此时由于第四薄膜晶体管T4为已进入饱和状态的二极体，数据电压信号传输给存储电容Cst第一端，存储电容Cst的压降为第四薄膜晶体管的阈值电压Vth4，第四薄膜晶体管T4的栅极电压为Vdata+Vth4，源极与存储电容容Cst第一端相连接，其电压为数据信号电压Vdata。
阶段203：有机发光二极管发光阶段，其等效电路图如图10所示，其中扫描信号线scan为低电平，控制第二薄膜晶体管T2导通及第三薄膜晶体管T3截止；第一发光控制线EM1为高电平，控制第一薄膜晶体管T1截止；第二发光控制线EM2为低电平，控制第五薄膜晶体管T5截止；第三发光控制线EM3为高电平，控制第六薄膜晶体管T6导通。此时第四薄膜晶体管T4的源极接地，其栅极电压仍为Vdata+Vth4，即栅源电压Vgs=Vdata+Vth4，同时，流经第四薄膜晶体管T4的电流也是流经有机发光二极管OLED的电流，该电流可表示为：
I=K(Vgs-Vth4)2=K(Vdata+Vth4-Vth4)2=K(Vdata)2
由上式可知，该电流与第四薄膜晶体管T4的阈值电压Vth4和有机发光二极管OLED两端的电压无关，基本消除了阈值电压非均匀性、漂移以及有机发光二极管OLED电气性能非均匀性的影响，因此流经第四薄膜晶体管T4的电流具有均匀性，从而流经有机发光二极管OLED电流也具有均匀性，而有机发光二极管是电流型发光器件，由此有机发光二极管的亮度具有均匀性，进而提高了有机发光显示屏的画面的亮度均匀性。
需要说明的是，在阶段202数据信号线电压可以是一个范围，即在一定范围内的数据信号线电压均能使第四薄膜晶体管驱动有机发光二极管发光。
还需要说明的是，在有机发光二极管像素电路工作过程中，由于像素电路对输入信号的反应十分迅速，因此上述阶段1和阶段2之间的切换时间是极其短暂的，即侦测触摸产生的信号与驱动有机发光二极管发光从而显示所需内容是在极短的时间内完成的。
上述有机发光二极管像素电路的驱动方法控制信号少，时序简单，电路容易实现，方便实用。
实施例2：
本实施例提供一种显示装置，其包括上述的有机发光二极管像素电路，当然还包括如基板等已知的结构。所述显示装置可以为OLED显示装置或者使用OLED显示技术的手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等具有显示功能的产品或部件。
本实施例的显示装置由于包括上述的有机发光二极管像素电路，因此显示装置的整体厚度更薄，重量更轻，生产成本也会进一步降低。通过在每个亚像素中设置上述电路可以明显地提高显示屏感受触摸的灵敏度，而且由于光电二极管是通过感受光线变化来工作的，所以能够在显示屏幕上实现浮动触摸。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。
Claims (11)
1.一种有机发光二极管像素电路，其特征在于，包括数据写入单元、驱动单元、有机发光二极管、第一控制单元、第二控制单元和触摸侦测单元；其中：
所述第一控制单元用于在触摸侦测阶段和有机发光二极管发光阶段在扫描线的控制下将电源电压信号导入数据写入单元，并在有机发光二极管发光阶段将有机发光二极管和驱动单元导通；
所述数据写入单元用于在触摸侦测阶段和有机发光二极管发光阶段在第一发光控制线控制下导入电源电压信号，并在扫描线及第二发光控制线的控制下导入数据线电压信号，同时还用于为所述驱动单元提供电压；
所述触摸侦测单元用于在触摸侦测阶段在触摸信号电平控制线控制下感受触摸，并产生侦测信号；
所述驱动单元用于在触摸侦测阶段在触摸电平信号控制线的控制下将所述侦测信号转变为触控输出信号，并经触摸侦测单元将触控输出信号输出到驱动集成电路，同时驱动单元还用于在有机发光二极管发光阶段为所述有机发光二极管提供驱动电流；
所述第二控制单元用于在第三发光控制线的控制下在有机发光二极管发光阶段将所述驱动单元与接地电平导通。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述有机发光二极管的阳极与电源连接。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述数据写入单元包括：第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、存储电容和第一电容；其中，
所述第一薄膜晶体管的栅极与第一发光控制线连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述存储电容的第二端连接；
所述第三薄膜晶体管的栅极与扫描信号线连接，所述第三薄 膜晶体管的源极与数据信号线连接，所述第三薄膜晶体管的漏极连接所述存储电容的第一端；
所述第五薄膜晶体管的栅极与第二发光控制线连接，所述第五薄膜晶体管的源极与所述第三薄膜晶体管的漏极连接，所述第五薄膜晶体管的漏极与所述驱动单元连接；
所述第一电容的第一端与存储电容的第一端连接，所述第一电容的第二端接地。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述第一控制单元包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的栅极与扫描信号线连接，源极与所述有机发光二极管的阴极连接，漏极与所述数据写入单元中的第一薄膜晶体管的源极连接。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述驱动单元包括第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管的栅极与所述存储电容第二端和所述数据写入单元的第一薄膜晶体管的漏极连接，所述第四薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述第二控制单元包括第六薄膜晶体管，第六薄膜晶体管的漏极接地，第六薄膜晶体管的栅极与第三发光控制线连接，第六薄膜晶体管的源极与所述数据写入单元中的所述第五薄膜晶体管的漏极连接。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述触摸侦测单元包括光电二极管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管和第九薄膜晶体管，其中：
所述光电二极管的阴极与所述第四薄膜晶体管的栅极连接， 同时与所述数据写入单元中的所述存储电容的第二端的连接，所述光电二极管的阳极与所述第七薄膜晶体管的源极连接；
所述第七薄膜晶体管的漏极接地，所述第七薄膜晶体管的栅极与触摸电平信号控制线连接；
所述第八薄膜晶体管的源极与所述第四薄膜晶体管的漏极连接，所述第八薄膜晶体管的漏极与传感器线连接，所述第八薄膜晶体管的栅极与触摸电平信号控制线连接；
所述第九薄膜晶体管的源极与电源信号线连接，所述第九薄膜晶体管的漏极与所述数据写入单元中的所述第一薄膜晶体管的源极连接，所述第九薄膜晶体管的栅极与所述触摸电平信号控制线连接。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管像素的电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管是P型薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管是N型薄膜晶体管；
或所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第四薄膜晶体管是N型薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管是P型薄膜晶体管。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述第一至第九薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管、单晶硅薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管、有机薄膜晶体管中的任意一种。
10.根据权利要求1所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述有机发光二极管为上发光型有机发光二极管。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至10任意 一项所述的有机发光二极管像素电路。
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