KR102263693B1 - 은 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 - Google Patents

은 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 Download PDF

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CN112852429B (zh) * 2021-01-08 2022-09-09 绵阳艾萨斯电子材料有限公司 一种银金属薄膜层蚀刻液及其制备、应用
CN113150786A (zh) * 2021-04-26 2021-07-23 芯越微电子材料(嘉兴)有限公司 一种银复合膜层刻蚀剂及其制备方法
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WO2003031688A1 (fr) * 2001-10-09 2003-04-17 Nagase Chemtex Corporation Composition de produit d'attaque
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CN104893728B (zh) * 2015-04-10 2018-11-27 深圳新宙邦科技股份有限公司 一种用于ITO/Ag/ITO薄膜的低张力的蚀刻液
KR102410115B1 (ko) * 2015-07-09 2022-06-20 주식회사 이엔에프테크놀로지 은 또는 은합금 함유 금속막 식각액 조성물
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