CN114990553A - 一种银蚀刻液组合物 - Google Patents

一种银蚀刻液组合物 Download PDF

Info

Publication number
CN114990553A
CN114990553A CN202210718233.XA CN202210718233A CN114990553A CN 114990553 A CN114990553 A CN 114990553A CN 202210718233 A CN202210718233 A CN 202210718233A CN 114990553 A CN114990553 A CN 114990553A
Authority
CN
China
Prior art keywords
acid
silver
mass
nitrate
water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210718233.XA
Other languages
English (en)
Inventor
王维康
黄德新
赵建国
张俊杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hefei Zhongju Hecheng Electronic Material Co ltd
Original Assignee
Hefei Zhongju Hecheng Electronic Material Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hefei Zhongju Hecheng Electronic Material Co ltd filed Critical Hefei Zhongju Hecheng Electronic Material Co ltd
Priority to CN202210718233.XA priority Critical patent/CN114990553A/zh
Publication of CN114990553A publication Critical patent/CN114990553A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • C23F1/16Acidic compositions
    • C23F1/30Acidic compositions for etching other metallic material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

本发明公开了一种银蚀刻液组合物,涉及银蚀刻液技术领域。该组合物由质量占比为40‑60%磷酸、2‑10%硝酸、0.1‑10%有机酸、0.1‑5%硝酸盐、0.1‑5%含氮元素有机物、其余为水组成。本发明的有益效果为:本发明通过加入特定结构的含氮元素有机物,能减少银刻蚀过程中存在少量的银残留或银再吸附沉积问题,本发明引入的含氮元素有机物为市面上常见的有机醇胺类化合物,有利于大规模产业化。

Description

一种银蚀刻液组合物
技术领域
本发明涉及银蚀刻液技术领域,具体涉及一种银蚀刻液组合物。
背景技术
近年来,OLED显示器广泛应用于手机和平板显示。金属银以优异的电导率和载流子迁移率被广泛应用于OLED显示器的阳极布线(ITO/Ag/ITO)结构中。为了对此进行蚀刻,目前主要使用基于磷酸、硝酸、醋酸和硝酸盐的湿蚀刻液(CN107419270A)。这样的体系虽然能有效去除金属银,但在实际使用过程中仍会存在少量的银残留或银再吸附沉积问题。
为了解决银残留问题,公布号为CN111172541A的中国专利申请文献,公开了使用硝酸、烷基磺酸、有机酸、金属盐和硫酸盐的体系。这个体系去除了传统的磷酸,可能导致反应不够温和。因此,需要开发更有效的银蚀刻液组合物。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于如何解决现有的银蚀刻液在使用过程中存在少量的银残留、银再吸附沉积问题。
本发明通过以下技术手段实现解决上述技术问题的:
一种银蚀刻液组合物,其成分由质量占比为40-60%磷酸、2-10%硝酸、0.1-10%有机酸、0.1-5%硝酸盐、0.1-5%含氮元素有机物、其余为水组成。
有益效果:该银蚀刻液组合物由特定比例的磷酸、硝酸、有机酸、硝酸盐、含氮元素有机物、其余为水组成。使用该银蚀刻液组合物在使用后表面无残留,解决了现有的银蚀刻液在使用过程中存在少量的银残留、银再吸附沉积问题。
优选的,所述有机酸为醋酸、草酸、丙二酸、苹果酸、柠檬酸、丙酸中的一种或多种的组合。
优选的,所述硝酸盐为硝酸钾、硝酸铵、硝酸钠中的一种或多种的组合。
优选的,所述含氮元素有机物指的是有机醇胺类化合物,具体为乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺和异丙醇胺中的一种或多种的组合。
优选的,其成分由质量占比为57%磷酸、6%硝酸、5%醋酸、1%硝酸钾、2%二乙醇胺、其余为水组成。
优选的,其成分由质量占比为57%磷酸、6%硝酸、5%醋酸、1%硝酸钾、0.5%N-甲基乙醇胺、其余为水组成。
优选的,其成分由质量占比为57%磷酸、6%硝酸、3%柠檬酸、1%硝酸钾、0.2%二乙醇胺、其余为水组成。
优选的,其成分由质量占比为40%磷酸、2%硝酸、0.1%苹果酸、0.1%硝酸铵、0.1%N-乙基乙醇胺、其余为水组成。
优选的,其成分由质量占比为57%磷酸、6%硝酸、2%醋酸、3%苹果酸、1%硝酸钾、2%硝酸铵、2%二乙醇胺、2%N,N-二甲基乙醇胺、其余为水组成。
优选的,其成分由质量占比为57%磷酸、6%硝酸、1%草酸、2%丙二酸、2%柠檬酸、1%硝酸钾、1%硝酸铵、2%硝酸钠、1%N,N-二甲基乙醇胺、2%N-甲基乙醇胺、1%N-乙基乙醇胺、其余为水组成。
本发明的优点在于:
(1)本发明通过特定比例的磷酸、硝酸、有机酸、硝酸盐、含氮元素有机物、水组成银蚀刻液组合物,使用该银蚀刻液组合物在使用后表面无残留,解决了银刻蚀过程中存在少量的银残留或银再吸附沉积问题,提高了生产效率。
(2)本发明引入的含氮元素有机物为市面上常见的有机醇胺类化合物,有利于大规模产业化。
附图说明
图1为在300ppm银含量下本实施例1的表面残留SEM图;
图2为在300ppm银含量下本实施例2的表面残留SEM图;
图3为在300ppm银含量下本实施例3的表面残留SEM图;
图4为在300ppm银含量下该对比例1的表面残留SEM图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种银蚀刻液组合物,其成分由质量占比为57%磷酸、6%硝酸、5%醋酸、1%硝酸钾、2%二乙醇胺、其余为水组成。
用该实施例的银蚀刻液组合物对金属银进行刻蚀后观察银残留情况。
实施例2
一种银蚀刻液组合物,其成分由质量占比为57%磷酸、6%硝酸、5%醋酸、1%硝酸钾、0.5%N-甲基乙醇胺、其余为水组成。
用该实施例的银蚀刻液组合物对金属银进行刻蚀后观察银残留情况。
实施例3
一种银蚀刻液组合物,其成分由质量占比为57%磷酸、6%硝酸、3%柠檬酸、1%硝酸钾、0.2%二乙醇胺、其余为水组成。
用该实施例的银蚀刻液组合物对金属银进行刻蚀后观察银残留情况。
实施例4
一种银蚀刻液组合物,其成分由质量占比为40%磷酸、2%硝酸、0.1%苹果酸、0.1%硝酸铵、0.1%N-乙基乙醇胺、其余为水组成。
用该实施例的银蚀刻液组合物对金属银进行刻蚀后观察银残留情况。
实施例5
一种银蚀刻液组合物,其成分由质量占比为60%磷酸、10%硝酸、10%草酸、5%硝酸钠、5%异丙醇胺、其余为水组成。
用该实施例的银蚀刻液组合物对金属银进行刻蚀后观察银残留情况。
实施例6
一种银蚀刻液组合物,其成分由质量占比为57%磷酸、6%硝酸、2%醋酸、3%苹果酸、1%硝酸钾、2%硝酸铵、2%二乙醇胺、2%N,N-二甲基乙醇胺、其余为水组成。
用该实施例的银蚀刻液组合物对金属银进行刻蚀后观察银残留情况。
实施例7
一种银蚀刻液组合物,其成分由质量占比为57%磷酸、6%硝酸、1%草酸、2%丙二酸、2%柠檬酸、1%硝酸钾、1%硝酸铵、2%硝酸钠、1%N,N-二甲基乙醇胺、2%N-甲基乙醇胺、1%N-乙基乙醇胺、其余为水组成。
用该实施例的银蚀刻液组合物对金属银进行刻蚀后观察银残留情况。
对比例1
一种银蚀刻液组合物,其成分由质量占比为57%磷酸、6%硝酸、5%醋酸、1%硝酸钾、其余为水组成。
用该对比例的银蚀刻液组合物对金属银进行刻蚀后观察银残留情况。
观察结果:
实施例1-3及对比例1刻蚀后银残留情况如表1所示:
Figure BDA0003705568660000051
表1
实施例4-7刻蚀后银残留情况如表2所示:
Figure BDA0003705568660000061
表2
图1为在300ppm银含量下本实施例1的表面残留SEM图,从图1中可以看出,SEM表面无残留,该实施例银蚀刻液组合物对金属银的去除效果非常好。
图2为在300ppm银含量下本实施例2的表面残留SEM图,从图2中可以看出,SEM表面存在较少残留,该实施例银蚀刻液组合物对金属银的去除效果较好。
图3为在300ppm银含量下本实施例3的表面残留SEM图,从图3中可以看出,SEM表面存在较少残留,该实施例银蚀刻液组合物对金属银的去除效果较好。
图4为在300ppm银含量下该对比例1的表面残留SEM图,从图4中可以看出,SEM表面存在较少残留,该对比例银蚀刻液组合物对金属银的去除效果差。
由图1-4及表1-2可知,本发明的银刻蚀液配方对金属银的去除效果好,对银残留具有极大的改善作用。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种银蚀刻液组合物,其特征在于,其成分由质量占比为40-60%磷酸、2-10%硝酸、0.1-10%有机酸、0.1-5%硝酸盐、0.1-5%含氮元素有机物、其余为水组成。
2.根据权利要求1所述的银蚀刻液组合物,其特征在于,所述有机酸为醋酸、草酸、丙二酸、苹果酸、柠檬酸、丙酸中的一种或多种的组合。
3.根据权利要求2所述的银蚀刻液组合物,其特征在于,所述硝酸盐为硝酸钾、硝酸铵、硝酸钠中的一种或多种的组合。
4.根据权利要求2或3所述的银蚀刻液组合物,其特征在于,所述含氮元素有机物指的是有机醇胺类化合物,具体为乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺和异丙醇胺中的一种或多种的组合。
5.根据权利要求1所述的银蚀刻液组合物,其特征在于,其成分由质量占比为57%磷酸、6%硝酸、5%醋酸、1%硝酸钾、2%二乙醇胺、其余为水组成。
6.根据权利要求1所述的银蚀刻液组合物,其特征在于,其成分由质量占比为57%磷酸、6%硝酸、5%醋酸、1%硝酸钾、0.5%N-甲基乙醇胺、其余为水组成。
7.根据权利要求1所述的银蚀刻液组合物,其特征在于,其成分由质量占比为57%磷酸、6%硝酸、3%柠檬酸、1%硝酸钾、0.2%二乙醇胺、其余为水组成。
8.根据权利要求1所述的银蚀刻液组合物,其特征在于,其成分由质量占比为40%磷酸、2%硝酸、0.1%苹果酸、0.1%硝酸铵、0.1%N-乙基乙醇胺、其余为水组成。
9.根据权利要求1所述的银蚀刻液组合物,其特征在于,其成分由质量占比为57%磷酸、6%硝酸、2%醋酸、3%苹果酸、1%硝酸钾、2%硝酸铵、2%二乙醇胺、2%N,N-二甲基乙醇胺、其余为水组成。
10.根据权利要求1所述的银蚀刻液组合物,其特征在于,其成分由质量占比为57%磷酸、6%硝酸、1%草酸、2%丙二酸、2%柠檬酸、1%硝酸钾、1%硝酸铵、2%硝酸钠、1%N,N-二甲基乙醇胺、2%N-甲基乙醇胺、1%N-乙基乙醇胺、其余为水组成。
CN202210718233.XA 2022-06-21 2022-06-21 一种银蚀刻液组合物 Pending CN114990553A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210718233.XA CN114990553A (zh) 2022-06-21 2022-06-21 一种银蚀刻液组合物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210718233.XA CN114990553A (zh) 2022-06-21 2022-06-21 一种银蚀刻液组合物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114990553A true CN114990553A (zh) 2022-09-02

Family

ID=83036522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210718233.XA Pending CN114990553A (zh) 2022-06-21 2022-06-21 一种银蚀刻液组合物

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114990553A (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009144180A (ja) * 2007-12-11 2009-07-02 Tosoh Corp エッチング用組成物及びエッチング方法
JP2010242124A (ja) * 2009-04-01 2010-10-28 Tosoh Corp エッチング用組成物及びエッチング方法
CN107419270A (zh) * 2016-05-23 2017-12-01 东友精细化工有限公司 含银薄膜的蚀刻液组合物及利用其的显示基板
CN109750292A (zh) * 2017-11-02 2019-05-14 东友精细化工有限公司 银蚀刻液组合物、利用它的蚀刻方法及金属图案形成方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009144180A (ja) * 2007-12-11 2009-07-02 Tosoh Corp エッチング用組成物及びエッチング方法
JP2010242124A (ja) * 2009-04-01 2010-10-28 Tosoh Corp エッチング用組成物及びエッチング方法
CN107419270A (zh) * 2016-05-23 2017-12-01 东友精细化工有限公司 含银薄膜的蚀刻液组合物及利用其的显示基板
CN109750292A (zh) * 2017-11-02 2019-05-14 东友精细化工有限公司 银蚀刻液组合物、利用它的蚀刻方法及金属图案形成方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109576077B (zh) 光学玻璃清洗剂
CN100497571C (zh) 太阳能硅晶片清洗剂
CN103603001B (zh) 一种铜合金低温清洗剂
CN101205609B (zh) 一种镁合金表面活化用组合物
CN108425115B (zh) 环保剥锡液
CN105714298A (zh) 一种基于硫酸-铁盐体系的退锡剂及其制备方法
CN102296001B (zh) 一种平板显示用清洗液及其制备方法
CN102230178A (zh) 镍或镍/铜合金的蚀刻液组合物
WO2013136624A1 (ja) エッチング液組成物及びエッチング方法
CN110042403A (zh) 除灰剂及其制备方法、应用和硅铝合金的除灰方法
CN112522037A (zh) 一种用于清洗pcb板的中性水基清洗剂及其制备方法
CN101787536B (zh) 常温盐酸酸洗除锈添加剂
JP6078394B2 (ja) エッチング液組成物及びエッチング方法
CN114990553A (zh) 一种银蚀刻液组合物
KR20120067293A (ko) 에칭액 조성물
CN115161650B (zh) 一种用于mask掩膜板的中性金属清洗剂
CN109355666A (zh) 一种碳钢酸洗缓蚀剂及其制备方法和应用
CN105220156B (zh) 一种用于印刷电路板的退锡剂及其制备方法
CN110616436A (zh) 一种盐酸添加剂及其制备方法
CN111519193A (zh) 一种电子产品外壳生产用酸洗剂及其制备方法
CN112458468A (zh) 一种喷淋清洗剂及其制备方法
CN109183047A (zh) 一种线材拉拔前酸洗处理用剥离剂及其制备和使用方法
CN113046747B (zh) 一种叠层金属和金属氧化物蚀刻液组合物及其使用方法
CN110656334B (zh) 一种不含磷元素和氮元素的环境友好型铝材化学抛光液
CN114621627A (zh) 一种无损伤玻璃脱墨剂及制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination